JP2006210745A5 - - Google Patents
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- 主面及び裏面を有する第1及び第2の半導体チップと、前記第1の半導体チップの裏面側であり前記第2の半導体チップの主面側に積層された第1の配線基板とを有し、
前記第1の半導体チップは、
裏面側に形成された第1の凹状電極を有し、
前記第2の半導体チップは、
主面側に形成された第1の電極パッドと、
前記第1の電極パッド上に形成された第1の突起状電極とを有し、
前記第1の配線基板は、
主面側に形成された第1の電極パッドと、
前記第1の電極パッド上に形成された第1の突起状電極と、
前記裏面側から前記第1の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第1の電極パッドに接続される第1の凹状電極と、
前記裏面側から前記主面に向かって窪む凹部を有する第2の凹状電極と、
前記裏面に形成され、前記第1の凹状電極と第2の凹状電極とを電気的に接続する第1の配線とを有し、
前記第1の配線基板の前記第1の突起状電極は、その一部が前記第1の半導体チップの前記第1の凹状電極の凹部内に、塑性流動を伴う変形によって圧接注入され、
前記第2の半導体チップの前記第1の突起状電極は、その一部が前記第1の配線基板の前記第2の凹状電極の凹部内に、塑性流動を伴う変形によって圧接注入されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の半導体チップは、
裏面側に形成された第2の凹状電極を有し、
前記第2の半導体チップは、
主面側に形成された第2の電極パッドと、
前記第2の電極パッド上に形成された第2の突起状電極とを有し、
前記第1の配線基板は、
主面側に形成された第2の電極パッド及び第3の電極パッドと、
前記裏面側から前記第2の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第2の電極パッドに接続される第3の凹状電極と、
前記第3の電極パッド上に形成された第2の突起状電極と、
前記裏面に形成され、前記第2の電極パッドと第3の電極パッドとを電気的に接続する第2の配線とを有し、
前記第1の配線基板の前記第2の突起状電極は、その一部が前記第1の半導体チップの前記第2の凹状電極の凹部内に塑性流動を伴う変形によって圧接注入され、
前記第2の半導体チップの前記第2の突起状電極は、その一部が前記第1の配線基板の前記第3の凹状電極の凹部内に、塑性流動を伴う変形によって圧接注入されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記第1の配線は、電源配線であり、
前記第2の配線は信号配線であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記第1の配線は、前記第2の配線よりも太いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記各凹状電極は、メッキ膜からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記各凹状電極の凹部における内径は、少なくともその一部が奥行き方向に対して広くなるように形成され、
前記各突起状電極の一部は、各々が対応する前記凹状電極の凹部内において幾何学的なかしめ状態になっていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記各突起状電極は、Auスタッドバンプ、或いはAuメッキバンプであり、
前記各凹状電極は、Cuメッキ膜及びAuメッキ膜からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の半導体チップは、主面側に形成され前記第1の電極に接続される第1の電極パッドと、
前記第1の電極パッド上に形成される第1の突起状電極とを有し、
前記突起状電極を介在して第2の配線基板に実装されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の半導体チップは、マイクロコンピュータ或いはロジック回路が搭載され、
前記第2の半導体チップは、記憶回路が搭載されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の半導体チップの前記第1の凹状電極は、前記第1の半導体チップの裏面から前記第1の半導体チップの前記第1の電極パッドに達する孔の内壁面に沿って形成され、
前記第1の半導体チップの前記第2の凹状電極は、前記第1の半導体チップの裏面から前記第1の半導体チップの前記第2の電極パッドに達する孔の内壁面に沿って形成され、
前記第1の配線基板の前記第1の凹状電極は、前記第1の配線基板の裏面から前記第1の配線基板の第1の電極パッドに達する孔の内壁面に沿って形成され、
前記第1の配線基板の前記第3の凹状電極は、前記第1の配線基板の裏面から前記第1の配線基板の第2の電極パッドに達する孔の内壁面に沿って形成され、
前記第1の配線基板の前記第2の凹状電極は、前記第1の配線基板の裏面から前記第1の配線基板の主面に向かって伸びる孔の内壁面に沿って形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の半導体チップの外形サイズは、前記第2の半導体チップの外形サイズよりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の半導体チップの外形サイズは、前記第2の半導体チップの外形サイズよりも小さいことを特徴とする半導体装置。 - (a);裏面側に形成された第1の凹状電極を備えた第1の半導体チップを準備する工程と、
(b);主面側に形成された第1の電極パッドと、
前記第1の電極パッド上に形成された第1の突起状電極と、
を備えた第2の半導体チップを準備する工程と、
(c);主面側に形成された第1の電極パッドと、
前記第1の電極パッド上に形成された第1の突起状電極と、
前記裏面側から前記第1の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第1の電極パッドに接続される第1の凹状電極と、
前記裏面側から前記主面に向かって窪む凹部を有する第2の凹状電極と、
前記裏面に形成され、前記第1の凹状電極と第2の凹状電極とを電気的に接続する第1の配線とを備えた配線基板を準備する工程と、
(d);前記第1の半導体チップの前記第1の凹状電極の凹部内に前記配線基板の前記第1の突起状電極の一部を塑性流動に伴う変形によって圧接注入する工程と、
(e);前記配線基板の前記第1の凹状電極の凹部内に前記第2の半導体チップの前記第1の突起状電極の一部を塑性流動に伴う変形によって圧接注入する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項13に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1の半導体チップは、
裏面側に形成された第2の凹状電極を有し、
前記第2の半導体チップは、
主面側に形成された第2の電極パッドと、
前記第2の電極パッド上に形成された第2の突起状電極とを有し、
前記第1の配線基板は、
主面側に形成された第2の電極パッド及び第3の電極パッドと、
前記裏面側から前記第2の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第2の電極パッドに接続される第3の凹状電極と、
前記第3の電極パッド上に形成された第2の突起状電極と、
前記裏面に形成され、前記第2の電極パッドと第3の電極パッドとを電気的に接続する第2の配線とを有し、
前記(d)において、前記第1の配線基板の前記第2の突起状電極は、その一部が前記第1の半導体チップの前記第2の凹状電極の凹部内に塑性流動を伴う変形によって圧接注入され、
前記(e)において、前記第2の半導体チップの前記第2の突起状電極は、その一部が前記第1の配線基板の前記第3の凹状電極の凹部内に、塑性流動を伴う変形によって圧接注入されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a);主面に配置された第1、及び第2の電極パッドと、
前記主面とは反対側の裏面側から前記第1の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第1の電極パッドに接続された第1の凹状電極と、
前記裏面側から前記第2の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第2の電極パッドに接続された第2の凹状電極と、
を備えた第1の半導体チップを準備する工程と、
(b);主面に配置された第1及び第2の電極パッドと、
前記第1の電極パッド上に配置され、前記主面から突出する第1の突起状電極と、
前記第2の電極パッド上に配置され、前記主面から突出する第2の突起状電極と、
を備えた第2の半導体チップを準備する工程と、
(c);ダイシング領域で区画された複数の製品形成領域を有する半導体ウエハであって、前記各製品形成領域は、
主面に配置された第1、第2及び第3の電極パッドと、
前記主面とは反対側の裏面側から前記第3の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第3の電極パッドに接続された第1の凹状電極と、
前記裏面側から前記第2の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第2の電極パッドに接続された第2の凹状電極と、
前記裏面側から前記主面側に向かって窪む凹部を有する第3の凹状電極と、
前記主面に形成され、前記第1の電極パッドと前記第3の電極パッドとを電気的に接続する第1の配線と、
前記裏面に形成され、前記第2の凹状電極と前記第3の凹状電極とを電気的に接続する第2の配線と、
を備えた半導体ウエハを準備する工程と、
(d);ガラス基板に前記各製品形成領域の主面が向かい合う状態で、前記ガラス基板に前記半導体ウエハを貼り付ける工程と、
(e);前記ガラス基板に前記半導体ウエハが貼り付けられた状態で、前記各製品形成領域において、前記製品形成領域の裏面に向かって前記第2の半導体チップを圧着し、前記製品形成領域の前記第1の凹状電極の凹部内に前記第2の半導体チップの前記第1の突起状電極の一部、前記製品形成領域の前記第2の凹状電極の凹部内に前記第2の半導体チップの前記第2の突起状電極の一部を、それぞれ塑性流動に伴う変形によって圧接注入する工程と、
(f);前記ガラス基板から前記半導体ウエハを剥離する工程と、
(g);前記(f)工程の後、前記各製品形成領域において、前記製品形成領域の前記第1の電極パッド上に第3の突起状電極、前記製品形成領域の前記第2の電極パッド上に第4の突起状電極を形成する工程と、
(h);前記(g)工程の後、前記各製品形成領域において、前記製品形成領域の主面に向かって前記第1の半導体チップを圧着し、前記第1の半導体チップの前記第1の凹状電極の凹部内に前記製品形成領域の前記第3の突起状電極の一部、前記第1の半導体チップの前記第2の凹状電極の凹部内に前記製品形成領域の前記第4の突起状電極を、それぞれ塑性流動に伴う変形によって圧接注入する工程と、
(i);前記半導体ウエハの前記各製品形成領域を個片化する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項15に記載の半導体装置の製造方法において、
前記各製品形成領域の第1及び第2の電極パッドは、前記第2の半導体チップの周囲に配置され、
前記(h)工程では、前記製品形成領域の裏面から前記第2の半導体チップの裏面までの距離とほぼ同じ厚さの土台が前記製品形成領域の前記第1及び第2の電極パッド下に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1の配線基板と、前記第1の配線基板上に配置された第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップ上に第2の配線基板を介在して積層された第2の半導体チップとを有し、
前記第1の半導体チップは、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された電極パッドと、
前記裏面側から前記電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記電極パッドに接続された凹状電極と、
前記電極パッド上に配置され、前記主面から突出する突起状電極と、
を備え、
前記第2の半導体チップは、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された電極パッドと、
前記電極パッド上に配置され、前記主面から突出する突起状電極と、
を備え、
前記第2の配線基板は、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された電極パッドと、
前記電極パッド上に配置され、前記主面から突出する突起電極と、
前記裏面側から前記主面側に向かって窪む凹部を有し、前記電極パッドと電気的に接続された凹状電極と、
を備え、
前記第1の配線基板は、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記裏面に配置された電極パッドと、
前記主面側から前記電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記電極パッドに接続された凹状電極と、
を備え、
前記第2の配線基板の前記突起状電極は、その一部が前記第1の半導体チップの前記凹状電極の凹部内に、
前記第2の半導体チップの前記突起状電極は、その一部が前記第2の配線基板の前記凹状電極の凹部内に、
前記第1の半導体チップの前記突起状電極は、その一部が前記第1の配線基板の前記凹状電極の凹部内に、
それぞれ塑性流動を伴う変形によって圧接注入されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップ上に積層された第2の半導体チップとを有し、
前記第1の半導体チップは、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された電極パッドと、
前記裏面側から前記電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記電極パッドに接続された第1の凹状電極と、
前記裏面側から前記主面に向かって窪む凹部を有し、前記裏面に形成された配線を介して前記第1の凹状電極と電気的に接続された第2の凹状電極とを備え、
前記第2の半導体チップは、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された電極パッドと、
前記電極パッド上に配置され、前記主面から突出する突起状電極と、
を備え、
前記第2の半導体チップの前記突起状電極は、その一部が前記第1の半導体チップの前記第2の凹状電極の凹部内に、塑性流動を伴う変形によって圧接注入されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップ上に積層された第2の半導体チップとを有し、
前記第1の半導体チップは、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された第1、第2及び第3の電極パッドと、
前記第1の電極パッド上に配置され、前記主面から突出する第1の突起状電極と、
前記第2の電極パッド上に配置され、前記主面から突出する第2の突起状電極と、
前記裏面側から前記第3の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第3の電極パッドに接続された第1の凹状電極と、
前記裏面側から前記第2の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第2の電極パッドに接続された第2の凹状電極と、
前記裏面側から前記主面側に向かって窪む凹部を有する第3の凹状電極と、
を備え、
前記第1の半導体チップの前記第3の電極パッドは、前記第1の半導体チップの主面に形成された配線を介して、前記第1の半導体チップの前記第1の電極パッドと電気的に接続され、
前記第1の半導体チップの前記第3の凹状電極は、前記第1の半導体チップの裏面に形成された配線を介して、前記第1の半導体チップの前記第2の凹状電極と電気的に接続され、
前記第2の半導体チップの前記第1の突起状電極は、その一部が前記第1の半導体チップの前記第1の凹状電極の凹部内に、前記第2の半導体チップの前記第2の突起状電極は、その一部が前記第1の半導体チップの前記第3の凹状電極の凹部内に、それぞれ塑性流動を伴う変形によって圧接注入されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップ上に積層された第2の半導体チップとを有し、
前記第1の半導体チップは、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された第1及び第2の電極パッドと、
前記裏面側から前記第2の電極パッドに向かって窪み、前記第2の電極パッドに接続された凹部を有する凹状電極とを有し、
前記第2の半導体チップは、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された電極パッドと、
前記電極パッド上に配置され、前記主面から突出する突起状電極とを有し、
前記第2の半導体チップの前記突起状電極は、その一部が前記第1の半導体チップの前記凹状電極の凹部内に、塑性流動に伴う変形によって圧接注入されており、
前記第1の半導体チップの前記第1の電極パッドは、前記第1の半導体チップを選択するための第1のチップセレクト信号が印加される電極であり、
前記第1の半導体チップの前記第2の電極パッドは、前記第2の半導体チップを選択するための第2のチップセレクト信号が印加される電極であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項20に記載の半導体装置において、
前記第1の半導体チップは、突起状電極を介在して配線基板に実装され、前記配線基板上には、第3の半導体チップが突起電極を介して実装されており、前記第3の半導体チップは、前記第一の半導体チップとは、前記搭載基板を介してチップセレクトのためのアドレス信号を入力する信号配線が接続されており、第2の半導体チップとは、前記搭載基板及び前記第一の半導体チップのダミー電極を介して、チップセレクトのためのアドレス信号を入力する信号配線が接続されていることを特徴とする半導体装置。
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