JP2006210745A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】異なる上下の半導体チップ1a〜fの中間に上下チップ間を接続するためのインターポーザチップ11を配した三次元のチップ積層構造において、デバイス側(表層側)外部電極部に相当する裏面位置に、ドライエッチングにより表層電極に達するまでの孔を形成し、孔の側壁及び裏面側周囲に金属製のメッキ膜を施し、前記金属製のメッキ膜が施された貫通孔内部に、上段側に積層される別の半導体チップの金属製バンプを圧接によって変形注入させ、半導体チップ内に形成された貫通孔内部に前記金属製バンプを幾何学的にかしめて電気的に接続させる。
【効果】非常に低コスト・短TATなプロセスで接続が可能であり、常温接合が可能で、高い信頼性の接続構造を実現する。
【選択図】 図1
Description
(1)孔内部を電解メッキ等で充填するのではなく、薄膜の金属メッキを側壁含めた裏面側電極部に形成するだけなので、長時間を要するメッキ充填工程やその後のCMP(Chemical Mechanical Polishing)工程が不要となり、短TATかつ低コストなプロセスで製造できる、
(2)圧接時の塑性流動により貫通電極孔内への注入された金属製バンプは、そのスプリングバック作用により、貫通電極孔内のメッキ電極部と安定した接合状態で維持されるため、常温での圧接のみで電気的な接続を実現できる。さらに、金属製バンプはSiに比べて線膨張係数が大きいため、リフロー加熱時にも熱膨張差によるかしめ状態が形成され、高温時においても安定した接続状態が維持される、
(3)チップ間の接続プロセスは従来の金(Au)のスタッドバンプを用いた圧接工法と同様な装置で対応できるのに加え、必ずしも加熱プロセスを用いる必要がない、
(4)ワイヤボンディングを用いた方法とは異なり、上下チップ間の接続は搭載基板を介さずに接続されるため、搭載基板は最下段の半導体チップから外部電極に接続される配線層のみを形成すればよく、二層あるいは四層基板で構成することが可能となる。したがって、多層のビルドアップ基板で構成された現行基板に比べて、薄型化かつ低コスト化を図ることができる、
(5)異種の半導体チップを積層した場合、例えば上下チップ間に積層されるインターポーザチップは、貫通電極部を形成するプロセス範囲内で裏面側にも再配線層を同時に形成できる。したがって、実質的には二層の配線引回しが可能となり、インターポーザチップとしては、通常、表層アルミ配線一層のみの低コストなチップ構成での使用が可能となる、等がある。
(1)孔内部を電解メッキ等でメッキ充填するのではなく、薄膜の金属メッキを側壁含めた裏面側電極部に形成するだけなので、長時間を要するメッキ充填工程やその後のCMP(Chemical Mechanical Polishing)工程が不要となり、短TATかつ低コストなプロセスで製造できる。
(2)圧接時の塑性流動により貫通電極孔内への注入された金属製バンプは、そのスプリングバック作用により、貫通電極孔内のメッキ電極部と安定した接合状態で維持されるため、常温での圧接のみで電気的な接続を実現できる。さらに、金属製バンプはSiに比べて線膨張係数が大きいため、リフロー加熱時にも熱膨張差によるかしめ状態が形成され、高温時においても安定した接続状態が維持される。
(3)チップ間の接続プロセスは従来の金のスタッドバンプを用いた圧接工法と同様な装置で対応できるのに加え、必ずしも加熱プロセスを用いる必要がない。
(4)ワイヤボンディングを用いた方法とは異なり、上下チップ間の接続は搭載基板を介さずに接続されるため、搭載基板は最下段の半導体チップから外部電極に接続される配線層のみを形成すればよく、二層あるいは四層基板で構成することが可能となる。したがって、多層のビルドアップ基板で構成された現行基板に比べて、薄型化かつ低コスト化を図ることができる。
(5)異種の半導体チップを積層した場合、例えば上下チップ間に積層されるインターポーザチップは、貫通電極部を形成するプロセス範囲内で裏面側にも再配線層を同時に形成できる。したがって、実質的には二層の配線引回しが可能となり、インターポーザチップとしては、通常、表層アルミ配線一層のみの低コストなチップ構成での使用が可能となる、等がある。すなわち、公知例で開示されている貫通電極を用いた接続方法に対比して、非常に低コスト・短TATな構成及びプロセスで済み、かつ金属バンプの塑性流動変形を利用したかしめ作用により高い信頼性をもった独自の接続構造を実現することが可能であり、実用性の高い三次元のチップ間接続構造を提供できる。
本実施形態1では、インターポーザチップ(仲介用配線基板)を介在して異種の半導体チップを三次元的に積層した積層構造を有する半導体装置について説明する。
図1は、半導体装置の概略構成を示す模式的断面図、
図2は、図1の一部を拡大した模式的断面図、
図3は、図1のチップ積層体において、最下段に位置する半導体チップの概略構成を示す図((a)は全体の模式的断面図,(b)は(a)の一部を拡大した模式的断面図)、
図4は、図1のチップ積層体において、最上段に位置する半導体チップの概略構成を示す図((a)は全体の模式的断面図,(b)は(a)の一部を拡大した模式的断面図)、
図5は、図1のチップ積層体において、最下段の半導体チップと最上段の半導体チップとの間に位置するインターポーザチップの概略構成を示す模式的断面図、
図6は、図5の一部を拡大した模式的断面図((a)は図5に向かって左側の電極部分の構成を示す模式的断面図,(b)は図5に向かって右側の電極部分の構成を示す模式的断面図)、
図7は、図6の電極部分の構成を示す模式的平面図((a)はインターポーザチップの主面側から見た電極部分の平面図,(b)はインターポーザチップの裏面側から見た電極部分の平面図)、
図8は、図3(b)の電極部分を拡大した模式的断面図、
図9は、図8の凹状電極の概略構成を示す図((a)は模式的平面図,(b)は模式的断面図)、
図10は、半導体装置の製造に使用される半導体ウエハの模式的平面図、
図11は、図10の半導体ウエハの模式的断面図、
図12は、半導体装置の製造を説明するための模式的平面図、
図13乃至図17は、半導体装置の製造を説明するための図((a)及び(b)は模式的断面図)である。
(1)孔内部を電解メッキ等でメッキ充填するのではなく、薄膜の金属メッキを側壁含めた裏面側電極部に形成するだけなので、長時間を要するメッキ充填工程やその後のCMP(Chemical Mechanical Polishing)工程が不要となり、短TATかつ低コストなプロセスで製造できる。
(2)圧接時の塑性流動により貫通電極孔内(凹状電極の凹部内)へ注入された金属製バンプは、そのスプリングバック作用により、貫通電極孔内のメッキ電極部と安定した接合状態で維持されるため、常温での圧接のみで電気的な接続を実現できる。さらに、金属製バンプはSiに比べて線膨張係数が大きいため、リフロー加熱時にも熱膨張差によるかしめ状態が形成され、高温時においても安定した接続状態が維持される。
(3)チップ間の接続プロセスは従来の金のスタッドバンプを用いた圧接工法と同様な装置で対応できるのに加え、必ずしも加熱プロセスを用いる必要がない。
(4)ワイヤボンディングを用いた方法とは異なり、上下チップ間の接続は搭載基板(パッケージ基板)を介さずに接続されるため、搭載基板は最下段の半導体チップから外部電極に接続される配線層のみを形成すればよく、二層あるいは四層基板で構成することが可能となる。したがって、多層のビルドアップ基板で構成された現行基板に比べて、薄型化かつ低コスト化を図ることができる。
(5)異種の半導体チップを積層した場合、例えば上下チップ間に積層されるインターポーザチップは、貫通電極部を形成するプロセス範囲内で裏面側にも再配線層を同時に形成できる。したがって、実質的には二層の配線引回しが可能となり、インターポーザチップとしては、通常、表層アルミ配線一層のみの低コストなチップ構成での使用が可能となる、等がある。すなわち、公知例で開示されている貫通電極を用いた接続方法に対比して、非常に低コスト・短TATな構成及びプロセスで済み、かつ金属バンプの塑性流動変形を利用したかしめ作用により高い信頼性をもった独自の接続構造を実現することが可能であり、実用性の高い三次元のチップ間接続構造を提供できる。
(6)複数の半導体チップが立体的に積層されたチップ積層体を有する半導体装置の製造において、ダイシング領域22で区画された複数の製品形成領域21を有する半導体ウエハ20を使用し、ガラス基板25に半導体ウエハ20を貼り付けた状態で、半導体ウエハ20の各々の製品形成領域21に圧着を伴う半導体チップを実装することができるので、半導体装置の生産効率向上を図ることができる。
(7)半導体チップ1a上にインターポーザチップ11を介在して半導体チップ1aよりも外形サイズの小さい半導体チップ1bが積層された積層構造を有する半導体装置の製造において、半導体ウエハ20の製品形成領域21に半導体チップ1aを実装する際、接続箇所(電極パッド14a,14b)の下部には樹脂26aからなる土台が形成されているため、製品形成領域21の電極パッド14(14a,14b)が半導体チップ1bよりも外側に位置している場合(先に実装した半導体チップ1bよりも後から実装する半導体チップ1bの外形サイズが大きい場合)であっても、製品形成領域21に損傷を与えることなく、製品形成領域21のスタッドバンプ9を塑性流動に伴う変形によって半導体チップ1aの凹状電極8(8a,8b)の凹部7内に圧接注入することができ、圧着を伴う半導体チップ1aの実装を確実に行うことができる。この結果、半導体装置の製造歩留まり向上を図ることができる。
図18は、実施形態1の変形例1であるインターポーザチップの模式的断面図である。
図19は、本実施形態1の変形例2である半導体チップの模式的断面図である。
図20は、本実施形態1の変形例3であるチップ積層体の一部を示す模式的断面図である。
図21は、本実施形態1の変形例4である半導体チップの一部を示す模式的断面図である。
図22及び図23は、実施形態1の変形例5である半導体装置の製造を説明するための図((a)〜(d)は模式的断面図)である。
図24は、実施形態1の変形例6である半導体装置の製造を説明するための図((a)〜(d)は模式的断面図)である。
図25及び図26は、本発明の実施形態2である半導体装置に係わる図であり、
図25は、半導体装置の概略構成を示す模式的断面図、
図26は、図25のチップ積層体において、各チップの概略構成を示す図((a)は最上段に位置する半導体チップの模式的断面図,(b)はインターポーザチップの模式的断面図,(c)は最下段に位置する半導体チップの模式的断面図)である。
図27は、本発明の実施形態3である半導体装置の概略構成を示す模式的断面図である。
(1)実施形態1では、最下段のチップと搭載基板間は従来のフリップチップ接続であるため、高温での接続プロセスが必須であるが、本実施形態3では搭載基板との接続も常温で可能となる。したがって、接続プロセスにおける温度階層がなくなり、微細接続に有利である、
(2)ポリイミド系フィルムをベースにすることで、二層基板での厚さは30−50μmとなり、更なる薄型化が可能となる、等がある。
図28は、本発明の実施形態4である半導体装置の概略構成を示す模式的断面図である。
(1)インターポーザチップが不要となり、より低コストかつ短TATな三次元のチップ間接続が可能となる。ただし、本実施形態を適用するための前提条件としては、上段側の半導体チップの接合領域が、下段側の半導体チップサイズ以下であること、また、下段側半導体チップの裏面側での多層引き回しは困難であり、一層の再配線で上下チップ間の接続を可能とする上下チップ相互の適正なピン配置が達成されていることが必要である、
(2)上下半導体チップ相互のチップ間接続の配線長がより最短化され、配線インダクタンスの低減が図れる、等がある。
図30は、本発明の実施形態5である半導体装置の概略構成を示す模式的断面図であり、
図31は、図30の半導体装置の結線状態を示すブロック図である。
2…半導体基板、3…薄膜積層体、4(4a,4b,4c,4d)…電極パッド、5…孔、6…導電膜、6a…シード層、6b…メッキ層、7…凹部、8(8a,8b,8c,8d)…凹状電極、9…スタッドバンプ、
11…インターポーザチップ(仲介用配線基板)、12…半導体基板、13…導電膜、14(14a,14b,14c,14d)…電極パッド、15…孔、16…導電膜、17…凹部、18(18a,18b,18c,18d)…凹状電極、
20…半導体ウエハ、21…製品形成領域、22…ダイシング領域、
25…ガラス基板、25a…接着材、
26,26a,26b、26c…接着材、
27…ダイシングテープ、27a…接着材、
30,30a,30b,30c…チップ積層体、
31…製品形成領域、32…ダイシング領域、33,34…電極パッド、35…多数個取り配線基板、36…配線基板、37…半田バンプ、
40…グランドライン、41…チップセレクト用アドレスライン。
Claims (19)
- 第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップ上に第1の配線基板を介在して積層された第2の半導体チップとを有し、
前記第1の半導体チップは、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された第1及び第2の電極パッドと、
前記裏面側から前記第1の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第1の電極パッドに接続された第1の凹状電極と、
前記裏面側から前記第2の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第2の電極パッドに接続された第2の凹状電極と、
を備え、
前記第2の半導体チップは、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された第1及び第2の電極パッドと、
前記第1の電極パッド上に配置され、前記主面から突出する第1の突起状電極と、
前記第2の電極パッド上に配置され、前記主面から突出する第2の突起状電極と、
を備え、
前記第1の配線基板は、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された第1、第2及び第3の電極パッドと、
前記第1の電極パッド上に配置され、前記主面から突出する第1の突起状電極と、
前記第2の電極パッド上に配置され、前記主面から突出する第2の突起状電極と、
前記裏面側から前記第3の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第3の電極パッドに接続された第1の凹状電極と、
前記裏面側から前記第2の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第2の電極パッドに接続された第2の凹状電極と、
前記裏面側から前記主面に向かって窪む凹部を有する第3の凹状電極と、
前記主面に形成され、前記第1の電極パッドと前記第3の電極パッドとを電気的に接続する第1の配線と、
前記裏面に形成され、前記第2の凹状電極と前記第3の凹状電極とを電気的に接続する第2の配線と、
を備え、
前記第1の配線基板の前記第1の突起状電極は、その一部が前記第1の半導体チップの前記第1の凹状電極の凹部内に、前記第1の配線基板の第2の突起状電極は、その一部が前記第1の半導体チップの前記第2の凹状電極の凹部内に、それぞれ塑性流動を伴う変形によって圧接注入され、
前記第2の半導体チップの前記第1の突起状電極は、その一部が前記第1の配線基板の前記第1の凹状電極の凹部内に、前記第2の半導体チップの前記第2の突起状電極は、その一部が前記第1の配線基板の前記第3の凹状電極の凹部内に、それぞれ塑性流動を伴う変形によって圧接注入されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の半導体チップの前記第1の電極パッドは、電気信号が印加される信号用電極であり、
前記第1の半導体チップの前記第2の電極パッドは、電源が印加される電源用電極であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第2の配線は、前記第1の配線よりも太いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記各凹状電極は、メッキ膜からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記各凹状電極の凹部における内径は、少なくともその一部が奥行き方向に対して広くなるように形成され、
前記各突起状電極の一部は、各々が対応する前記凹状電極の凹部内において幾何学的なかしめ状態になっていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記各突起状電極は、Auスタッドバンプ、或いはAuメッキバンプであり、
前記各凹状電極は、Cuメッキ膜及びAuメッキ膜からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の半導体チップは、突起状電極を介在して第2の配線基板に実装されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の半導体チップは、マイクロコンピュータ或いはロジック回路が搭載され、
前記第2の半導体チップは、記憶回路が搭載されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の半導体チップの前記第1の凹状電極は、前記第1の半導体チップの裏面から前記第1の半導体チップの前記第1の電極パッドに達する孔の内壁面に沿って形成され、
前記第1の半導体チップの前記第2の凹状電極は、前記第1の半導体チップの裏面から前記第1の半導体チップの前記第2の電極パッドに達する孔の内壁面に沿って形成され、
前記第1の配線基板の前記第1の凹状電極は、前記第1の配線基板の裏面から前記第1の配線基板の第3の電極パッドに達する孔の内壁面に沿って形成され、
前記第1の配線基板の前記第2の凹状電極は、前記第1の配線基板の裏面から前記第1の配線基板の第2の電極パッドに達する孔の内壁面に沿って形成され、
前記第1の配線基板の前記第3の凹状電極は、前記第1の配線基板の裏面から前記第1の配線基板の主面に向かって伸びる孔の内壁面に沿って形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の半導体チップの外形サイズは、前記第2の半導体チップの外形サイズよりも大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1の半導体チップの外形サイズは、前記第2の半導体チップの外形サイズよりも小さいことを特徴とする半導体装置。 - (a);主面に配置された第1、及び第2の電極パッドと、
前記主面とは反対側の裏面側から前記第1の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第1の電極パッドに接続された第1の凹状電極と、
前記裏面側から前記第2の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第2の電極パッドに接続された第2の凹状電極と、
を備えた第1の半導体チップを準備する工程と、
(b);主面に配置された第1及び第2の電極パッドと、
前記第1の電極パッド上に配置され、前記主面から突出する第1の突起状電極と、
前記第2の電極パッド上に配置され、前記主面から突出する第2の突起状電極と、
を備えた第2の半導体チップを準備する工程と、
(c);主面に配置された第1、第2及び第3の電極パッドと、
前記第1の電極バッド上に配置され、前記主面から突出する第1の突起状電極と、
前記第2の電極パッド上に配置され、前記主面から突出する第2の突起状電極と、
前記主面とは反対側の裏面側から前記第3の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第3の電極パッドに接続された第1の凹状電極と、
前記裏面側から前記第2の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第2の電極パッドに接続された第2の凹状電極と、
前記裏面側から前記主面側に向かって窪む凹部を有する第3の凹状電極と、
前記主面に形成され、前記第1の電極パッドと前記第3の電極パッドとを電気的に接続する第1の配線と、
前記裏面に形成され、前記第2の凹状電極と前記第3の凹状電極とを電気的に接続する第2の配線と、
を備えた配線基板(11)を準備する工程と、
(d);前記第1の半導体チップの前記第1の凹状電極の凹部内に前記配線基板の前記第1の突起状電極の一部、前記第1の半導体チップの前記第2の凹状電極の凹部内に前記配線基板の前記第2の突起状電極を、それぞれ塑性流動に伴う変形によって圧接注入する工程と、
(e);前記配線基板の前記第1の凹状電極の凹部内に前記第2の半導体チップの前記第1の突起状電極の一部、前記配線基板の前記第2の凹状電極の凹部内に前記第2の半導体チップの前記第2の突起状電極の一部を、それぞれ塑性流動に伴う変形によって圧接注入する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a);主面に配置された第1、及び第2の電極パッドと、
前記主面とは反対側の裏面側から前記第1の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第1の電極パッドに接続された第1の凹状電極と、
前記裏面側から前記第2の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第2の電極パッドに接続された第2の凹状電極と、
を備えた第1の半導体チップを準備する工程と、
(b);主面に配置された第1及び第2の電極パッドと、
前記第1の電極パッド上に配置され、前記主面から突出する第1の突起状電極と、
前記第2の電極パッド上に配置され、前記主面から突出する第2の突起状電極と、
を備えた第2の半導体チップを準備する工程と、
(c);ダイシング領域で区画された複数の製品形成領域を有する半導体ウエハであって、前記各製品形成領域は、
主面に配置された第1、第2及び第3の電極パッドと、
前記主面とは反対側の裏面側から前記第3の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第3の電極パッドに接続された第1の凹状電極と、
前記裏面側から前記第2の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第2の電極パッドに接続された第2の凹状電極と、
前記裏面側から前記主面側に向かって窪む凹部を有する第3の凹状電極と、
前記主面に形成され、前記第1の電極パッドと前記第3の電極パッドとを電気的に接続する第1の配線と、
前記裏面に形成され、前記第2の凹状電極と前記第3の凹状電極とを電気的に接続する第2の配線と、
を備えた半導体ウエハを準備する工程と、
(d);ガラス基板に前記各製品形成領域の主面が向かい合う状態で、前記ガラス基板に前記半導体ウエハを貼り付ける工程と、
(e);前記ガラス基板に前記半導体ウエハが貼り付けられた状態で、前記各製品形成領域において、前記製品形成領域の裏面に向かって前記第2の半導体チップを圧着し、前記製品形成領域の前記第1の凹状電極の凹部内に前記第2の半導体チップの前記第1の突起状電極の一部、前記製品形成領域の前記第2の凹状電極の凹部内に前記第2の半導体チップの前記第2の突起状電極の一部を、それぞれ塑性流動に伴う変形によって圧接注入する工程と、
(f);前記ガラス基板から前記半導体ウエハを剥離する工程と、
(g);前記(f)工程の後、前記各製品形成領域において、前記製品形成領域の前記第1の電極パッド上に第3の突起状電極、前記製品形成領域の前記第2の電極パッド上に第4の突起状電極を形成する工程と、
(h);前記(g)工程の後、前記各製品形成領域において、前記製品形成領域の主面に向かって前記第1の半導体チップを圧着し、前記第1の半導体チップの前記第1の凹状電極の凹部内に前記製品形成領域の前記第3の突起状電極の一部、前記第1の半導体チップの前記第2の凹状電極の凹部内に前記製品形成領域の前記第4の突起状電極を、それぞれ塑性流動に伴う変形によって圧接注入する工程と、
(i);前記半導体ウエハの前記各製品形成領域を個片化する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項13に記載の半導体装置の製造方法において、
前記各製品形成領域の第1及び第2の電極パッドは、前記第2の半導体チップの周囲に配置され、
前記(h)工程では、前記製品形成領域の裏面から前記第2の半導体チップの裏面までの距離とほぼ同じ厚さの土台が前記製品形成領域の前記第1及び第2の電極パッド下に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1の配線基板と、前記第1の配線基板上に配置された第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップ上に第2の配線基板を介在して積層された第2の半導体チップとを有し、
前記第1の半導体チップは、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された電極パッドと、
前記裏面側から前記電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記電極パッドに接続された凹状電極と、
前記電極パッド上に配置され、前記主面から突出する突起状電極と、
を備え、
前記第2の半導体チップは、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された電極パッドと、
前記電極パッド上に配置され、前記主面から突出する突起状電極と、
を備え、
前記第2の配線基板は、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された電極パッドと、
前記電極パッド上に配置され、前記主面から突出する突起電極と、
前記裏面側から前記主面側に向かって窪む凹部を有し、前記電極パッドと電気的に接続された凹状電極と、
を備え、
前記第1の配線基板は、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記裏面に配置された電極パッドと、
前記主面側から前記電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記電極パッドに接続された凹状電極と、
を備え、
前記第2の配線基板の前記突起状電極は、その一部が前記第1の半導体チップの前記凹状電極の凹部内に、
前記第2の半導体チップの前記突起状電極は、その一部が前記第2の配線基板の前記凹状電極の凹部内に、
前記第1の半導体チップの前記突起状電極は、その一部が前記第1の配線基板の前記凹状電極の凹部内に、
それぞれ塑性流動を伴う変形によって圧接注入されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップ上に積層された第2の半導体チップとを有し、
前記第1の半導体チップは、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された電極パッドと、
前記裏面側から前記電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記電極パッドに接続された第1の凹状電極と、
前記裏面側から前記主面に向かって窪む凹部を有し、前記裏面に形成された配線を介して前記第1の凹状電極と電気的に接続された第2の凹状電極とを備え、
前記第2の半導体チップは、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された電極パッドと、
前記電極パッド上に配置され、前記主面から突出する突起状電極と、
を備え、
前記第2の半導体チップの前記突起状電極は、その一部が前記第1の半導体チップの前記第2の凹状電極の凹部内に、塑性流動を伴う変形によって圧接注入されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップ上に積層された第2の半導体チップとを有し、
前記第1の半導体チップは、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された第1、第2及び第3の電極パッドと、
前記第1の電極パッド上に配置され、前記主面から突出する第1の突起状電極と、
前記第2の電極パッド上に配置され、前記主面から突出する第2の突起状電極と、
前記裏面側から前記第3の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第3の電極パッドに接続された第1の凹状電極と、
前記裏面側から前記第2の電極パッドに向かって窪む凹部を有し、前記第2の電極パッドに接続された第2の凹状電極と、
前記裏面側から前記主面側に向かって窪む凹部を有する第3の凹状電極と、
を備え、
前記第1の半導体チップの前記第3の電極パッドは、前記第1の半導体チップの主面に形成された配線を介して、前記第1の半導体チップの前記第1の電極パッドと電気的に接続され、
前記第1の半導体チップの前記第3の凹状電極は、前記第1の半導体チップの裏面に形成された配線を介して、前記第1の半導体チップの前記第2の凹状電極と電気的に接続され、
前記第2の半導体チップの前記第1の突起状電極は、その一部が前記第1の半導体チップの前記第1の凹状電極の凹部内に、前記第2の半導体チップの前記第2の突起状電極は、その一部が前記第1の半導体チップの前記第3の凹状電極の凹部内に、それぞれ塑性流動を伴う変形によって圧接注入されていることを特徴とする半導体装置。 - 第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップ上に積層された第2の半導体チップとを有し、
前記第1の半導体チップは、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された第1及び第2の電極パッドと、
前記裏面側から前記第2の電極パッドに向かって窪み、前記第2の電極パッドに接続された凹部を有する凹状電極とを有し、
前記第2の半導体チップは、
互いに反対側に位置する主面及び裏面と、
前記主面に配置された電極パッドと、
前記電極パッド上に配置され、前記主面から突出する突起状電極とを有し、
前記第2の半導体チップの前記突起状電極は、その一部が前記第1の半導体チップの前記凹状電極の凹部内に、塑性流動に伴う変形によって圧接注入されており、
前記第1の半導体チップの前記第1の電極パッドは、前記第1の半導体チップを選択するための第1のチップセレクト信号が印加される電極であり、
前記第1の半導体チップの前記第2の電極パッドは、前記第2の半導体チップを選択するための第2のチップセレクト信号が印加される電極であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項18に記載の半導体装置において、
前記第1の半導体チップは、突起状電極を介在して配線基板に実装され、前記配線基板上には、第3の半導体チップが突起電極を介して実装されており、前記第3の半導体チップは、前記第一の半導体チップとは、前記搭載基板を介してチップセレクトのためのアドレス信号を入力する信号配線が接続されており、第2の半導体チップとは、前記搭載基板及び前記第一の半導体チップのダミー電極を介して、チップセレクトのためのアドレス信号を入力する信号配線が接続されていることを特徴とする半導体装置。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006286677A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2008047894A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Dongbu Hitek Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2009021433A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Fujikura Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
WO2010106732A1 (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-23 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
US7973415B2 (en) | 2007-06-06 | 2011-07-05 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing process and structure of through silicon via |
US8110900B2 (en) | 2008-01-29 | 2012-02-07 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing process of semiconductor device and semiconductor device |
JP2014183097A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2015026722A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 新光電気工業株式会社 | バンプ構造、配線基板及び半導体装置並びにバンプ構造の製造方法 |
US9502367B2 (en) | 2014-03-25 | 2016-11-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device including a cap facing a semiconductor chip and a bump electrode provided between the semiconductor chip and the cap |
US9748202B2 (en) | 2015-07-15 | 2017-08-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor device |
US10679866B2 (en) | 2015-02-13 | 2020-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Interconnect structure for semiconductor package and method of fabricating the interconnect structure |
US11478220B2 (en) | 2018-04-24 | 2022-10-25 | Fujifilm Healthcare Corporation | Ultrasonic transmitting and receiving element, and ultrasonic examination device, smartphone, and tablet including the same |
Families Citing this family (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG115456A1 (en) * | 2002-03-04 | 2005-10-28 | Micron Technology Inc | Semiconductor die packages with recessed interconnecting structures and methods for assembling the same |
JP4263953B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2009-05-13 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4783906B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2011-09-28 | 国立大学法人九州工業大学 | パッケージングされた積層型半導体装置及びその製造方法 |
US7251160B2 (en) * | 2005-03-16 | 2007-07-31 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory and method with power-saving read and program-verify operations |
JP2006278906A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4577688B2 (ja) * | 2005-05-09 | 2010-11-10 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体チップ選択方法、半導体チップ及び半導体集積回路装置 |
US7331796B2 (en) * | 2005-09-08 | 2008-02-19 | International Business Machines Corporation | Land grid array (LGA) interposer utilizing metal-on-elastomer hemi-torus and other multiple points of contact geometries |
US7390700B2 (en) * | 2006-04-07 | 2008-06-24 | Texas Instruments Incorporated | Packaged system of semiconductor chips having a semiconductor interposer |
JP2007300488A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Alps Electric Co Ltd | カメラモジュール |
US7746661B2 (en) | 2006-06-08 | 2010-06-29 | Sandisk Corporation | Printed circuit board with coextensive electrical connectors and contact pad areas |
JP4916241B2 (ja) * | 2006-07-28 | 2012-04-11 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4793169B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2011-10-12 | 日立電線株式会社 | 接続体および光送受信モジュール |
US7952184B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-05-31 | Micron Technology, Inc. | Distributed semiconductor device methods, apparatus, and systems |
US7754532B2 (en) * | 2006-10-19 | 2010-07-13 | Micron Technology, Inc. | High density chip packages, methods of forming, and systems including same |
TWI335070B (en) * | 2007-03-23 | 2010-12-21 | Advanced Semiconductor Eng | Semiconductor package and the method of making the same |
JP2008258522A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
US8350382B2 (en) * | 2007-09-21 | 2013-01-08 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device including electronic component coupled to a backside of a chip |
EP2096115A1 (en) * | 2008-02-26 | 2009-09-02 | Nestec S.A. | Oligosaccharide ingredient |
JP2009206429A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Toshiba Corp | 記憶媒体 |
JP2009239256A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-10-15 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009260284A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-11-05 | Panasonic Corp | 半導体素子、および半導体素子の製造方法 |
TWI473553B (zh) * | 2008-07-03 | 2015-02-11 | Advanced Semiconductor Eng | 晶片封裝結構 |
US7872332B2 (en) | 2008-09-11 | 2011-01-18 | Micron Technology, Inc. | Interconnect structures for stacked dies, including penetrating structures for through-silicon vias, and associated systems and methods |
JP5331427B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2013-10-30 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
KR20100037300A (ko) * | 2008-10-01 | 2010-04-09 | 삼성전자주식회사 | 내장형 인터포저를 갖는 반도체장치의 형성방법 |
US20100085607A1 (en) * | 2008-10-02 | 2010-04-08 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of encoding coding pattern |
US7776655B2 (en) * | 2008-12-10 | 2010-08-17 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of forming conductive pillars in recessed region of peripheral area around the device for electrical interconnection to other devices |
TWI499024B (zh) * | 2009-01-07 | 2015-09-01 | Advanced Semiconductor Eng | 堆疊式多封裝構造裝置、半導體封裝構造及其製造方法 |
US8012797B2 (en) * | 2009-01-07 | 2011-09-06 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Method for forming stackable semiconductor device packages including openings with conductive bumps of specified geometries |
US20100171206A1 (en) * | 2009-01-07 | 2010-07-08 | Chi-Chih Chu | Package-on-Package Device, Semiconductor Package, and Method for Manufacturing The Same |
JP4853530B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2012-01-11 | 株式会社豊田中央研究所 | 可動部を有するマイクロデバイス |
EP2244291A1 (en) | 2009-04-20 | 2010-10-27 | Nxp B.V. | Multilevel interconnection system |
EP2273545B1 (en) | 2009-07-08 | 2016-08-31 | Imec | Method for insertion bonding and kit of parts for use in said method |
TWI469283B (zh) * | 2009-08-31 | 2015-01-11 | Advanced Semiconductor Eng | 封裝結構以及封裝製程 |
US8803332B2 (en) * | 2009-09-11 | 2014-08-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Delamination resistance of stacked dies in die saw |
US8237278B2 (en) | 2009-11-16 | 2012-08-07 | International Business Machines Corporation | Configurable interposer |
US8198131B2 (en) * | 2009-11-18 | 2012-06-12 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Stackable semiconductor device packages |
EP2512977B1 (en) * | 2009-12-18 | 2018-04-25 | Circassia Ab | Method for plugging a hole |
TWI408785B (zh) * | 2009-12-31 | 2013-09-11 | Advanced Semiconductor Eng | 半導體封裝結構 |
US8569894B2 (en) | 2010-01-13 | 2013-10-29 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof |
TWI419283B (zh) | 2010-02-10 | 2013-12-11 | Advanced Semiconductor Eng | 封裝結構 |
JP2011187771A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Omron Corp | 電極部の構造 |
TWI411075B (zh) | 2010-03-22 | 2013-10-01 | Advanced Semiconductor Eng | 半導體封裝件及其製造方法 |
US8624374B2 (en) | 2010-04-02 | 2014-01-07 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with fan-out and with connecting elements for stacking and manufacturing methods thereof |
US8278746B2 (en) | 2010-04-02 | 2012-10-02 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages including connecting elements |
US8202797B2 (en) | 2010-06-22 | 2012-06-19 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit system with recessed through silicon via pads and method of manufacture thereof |
US8598695B2 (en) * | 2010-07-23 | 2013-12-03 | Tessera, Inc. | Active chip on carrier or laminated chip having microelectronic element embedded therein |
TWI451546B (zh) | 2010-10-29 | 2014-09-01 | Advanced Semiconductor Eng | 堆疊式封裝結構、其封裝結構及封裝結構之製造方法 |
JP2012134270A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
KR101828386B1 (ko) * | 2011-02-15 | 2018-02-13 | 삼성전자주식회사 | 스택 패키지 및 그의 제조 방법 |
US9171792B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-10-27 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages having a side-by-side device arrangement and stacking functionality |
US9418876B2 (en) | 2011-09-02 | 2016-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of three dimensional integrated circuit assembly |
US9245773B2 (en) | 2011-09-02 | 2016-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device packaging methods and structures thereof |
ITMI20111777A1 (it) * | 2011-09-30 | 2013-03-31 | St Microelectronics Srl | Sistema elettronico per saldatura ad onda |
JP2013225638A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-31 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP6075825B2 (ja) * | 2012-04-26 | 2017-02-08 | 新光電気工業株式会社 | パッド形成方法 |
US9362197B2 (en) * | 2012-11-02 | 2016-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Molded underfilling for package on package devices |
KR102033789B1 (ko) | 2013-07-25 | 2019-10-17 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 적층형 패키지 및 그 제조방법 |
KR102077608B1 (ko) * | 2013-09-26 | 2020-02-17 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 칩 및 이를 갖는 스택 패키지 |
CN103633078B (zh) * | 2013-11-01 | 2016-06-08 | 南车株洲电力机车研究所有限公司 | 用于平板式功率半导体器件的压装装置 |
US9786643B2 (en) | 2014-07-08 | 2017-10-10 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices comprising protected side surfaces and related methods |
CN105575924B (zh) * | 2014-10-15 | 2018-07-03 | 台达电子工业股份有限公司 | 功率模块 |
FR3041625B1 (fr) * | 2015-09-29 | 2021-07-30 | Tronics Microsystems | Dispositif de fixation de deux elements tels qu'une puce, un interposeur et un support |
US10535644B1 (en) * | 2018-06-29 | 2020-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Manufacturing method of package on package structure |
US11127706B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-09-21 | Intel Corporation | Electronic package with stud bump electrical connections |
JP7353748B2 (ja) * | 2018-11-29 | 2023-10-02 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2020150145A (ja) | 2019-03-14 | 2020-09-17 | キオクシア株式会社 | 半導体装置 |
US11616019B2 (en) * | 2020-12-21 | 2023-03-28 | Nvidia Corp. | Semiconductor assembly |
WO2023010457A1 (zh) | 2021-08-05 | 2023-02-09 | 广东省科学院半导体研究所 | 芯片堆叠封装结构及芯片堆叠封装方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4441328B2 (ja) * | 2004-05-25 | 2010-03-31 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-01-31 JP JP2005022478A patent/JP4409455B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-10 US US11/329,600 patent/US7291929B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006286677A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4551255B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-09-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2008047894A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Dongbu Hitek Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
US7973415B2 (en) | 2007-06-06 | 2011-07-05 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing process and structure of through silicon via |
US8324736B2 (en) | 2007-06-06 | 2012-12-04 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing process and structure of through silicon via |
JP2009021433A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Fujikura Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
US8110900B2 (en) | 2008-01-29 | 2012-02-07 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing process of semiconductor device and semiconductor device |
WO2010106732A1 (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-23 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP2014183097A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2015026722A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 新光電気工業株式会社 | バンプ構造、配線基板及び半導体装置並びにバンプ構造の製造方法 |
US9502367B2 (en) | 2014-03-25 | 2016-11-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device including a cap facing a semiconductor chip and a bump electrode provided between the semiconductor chip and the cap |
US10679866B2 (en) | 2015-02-13 | 2020-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Interconnect structure for semiconductor package and method of fabricating the interconnect structure |
US11094561B2 (en) | 2015-02-13 | 2021-08-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor package structure |
US11139177B2 (en) | 2015-02-13 | 2021-10-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor package structure |
US9748202B2 (en) | 2015-07-15 | 2017-08-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor device |
US11478220B2 (en) | 2018-04-24 | 2022-10-25 | Fujifilm Healthcare Corporation | Ultrasonic transmitting and receiving element, and ultrasonic examination device, smartphone, and tablet including the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US20060170112A1 (en) | 2006-08-03 |
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