JP2004274052A - Ｕｖ照射による高密度及び多孔質有機ケイ酸塩材料の機械的強化 - Google Patents

Ｕｖ照射による高密度及び多孔質有機ケイ酸塩材料の機械的強化 Download PDF

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US10/379,466 US7098149B2 (en) 2003-03-04 2003-03-04 Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure
US10/624,357 US7468290B2 (en) 2003-03-04 2003-07-21 Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008202204A Division JP4913782B2 (ja) 2003-03-04 2008-08-05 Ｕｖ照射による高密度及び多孔質有機ケイ酸塩材料の機械的強化

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Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006041052A (ja) * 2004-07-23 2006-02-09 Jsr Corp 半導体装置の絶縁膜形成用組成物、シリカ系膜およびその形成方法、ならびに配線構造体および半導体装置
JP2006190872A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2006265350A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Ulvac Japan Ltd 多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、多孔質膜及びその作製方法、並びに半導体装置
JP2006528426A (ja) * 2003-07-21 2006-12-14 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド 最新のＬｏｗ−ｋ材料のための紫外線硬化法
WO2007032563A1 (ja) * 2005-09-16 2007-03-22 Nec Corporation 配線構造並びに半導体装置及びその製造方法
JP2007194639A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> ＳｉＣＯＨ誘電体およびその製造方法
JP2007250706A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2008010877A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Air Products & Chemicals Inc 還元性雰囲気下における絶縁膜の硬化
JP2008078621A (ja) * 2006-08-21 2008-04-03 Fujitsu Ltd 絶縁膜、多層配線装置の製造方法および多層配線装置
JP2008103586A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2008520100A (ja) * 2004-11-12 2008-06-12 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド 多孔性低ｋ誘電体フィルムの紫外線に補助された細孔シーリング
JP2008527757A (ja) * 2005-01-13 2008-07-24 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 制御された二軸応力を有する超低誘電率膜および該作製方法
JP2008186849A (ja) * 2007-01-26 2008-08-14 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2008193038A (ja) * 2007-02-07 2008-08-21 United Microelectronics Corp 多孔質低誘電率層の製造方法及び構造、相互接続処理方法及び相互接続構造
JP2008251774A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Mitsui Chemicals Inc 多孔質シリカフィルムの製造方法
JP2008544484A (ja) * 2005-06-09 2008-12-04 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド プリメタルおよび／またはシャロートレンチアイソレーションに用いられるスピン−オン誘電体材料のための紫外線硬化処理方法
JP2009117743A (ja) * 2007-11-09 2009-05-28 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2009117817A (ja) * 2007-10-12 2009-05-28 Air Products & Chemicals Inc 反射防止膜
JP2009521679A (ja) * 2005-12-21 2009-06-04 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー プラズマ堆積微小多孔性の検体検出層
JP2009152402A (ja) * 2007-12-20 2009-07-09 Axcelis Technologies Inc 多孔性の低ｋの誘電体を形成するために、紫外線を利用してポロゲンを除去及び／又はキュアするプロセス
JP2009531491A (ja) * 2006-03-31 2009-09-03 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 新規な孔形成前駆体組成物及びそれから得られる多孔誘電層
JP2009539265A (ja) * 2006-05-30 2009-11-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ギャップ充填と共形のフィルムの適用のために低ｋ膜を堆積させ硬化する方法
JP2009277686A (ja) * 2008-05-12 2009-11-26 Taiyo Nippon Sanso Corp 絶縁膜の成膜方法および絶縁膜
JP2010141335A (ja) * 2008-12-11 2010-06-24 Air Products & Chemicals Inc 有機シリケート材料からの炭素の除去方法
WO2010082250A1 (ja) * 2009-01-13 2010-07-22 パナソニック株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2011082540A (ja) * 2003-03-18 2011-04-21 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 多相超低ｋ誘電
JP2011514678A (ja) * 2008-03-06 2011-05-06 東京エレクトロン株式会社 有孔性低誘電率誘電膜の硬化方法
US8133821B2 (en) 2008-11-18 2012-03-13 Renesas Electronics Corporation Method of manufacturing porous insulating film, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JP2012510726A (ja) * 2008-12-01 2012-05-10 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド 酸素含有前駆体を用いる誘電体バリアの堆積
JP2012522378A (ja) * 2009-03-24 2012-09-20 東京エレクトロン株式会社 化学気相成長法
US8394457B2 (en) 2006-06-02 2013-03-12 Ulvac, Inc. Precursor composition for porous thin film, method for preparation of the precursor composition, porous thin film, method for preparation of the porous thin film, and semiconductor device
JP2022544951A (ja) * 2019-08-16 2022-10-24 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー ケイ素化合物、及びそのケイ素化合物を使用する膜を堆積するための方法
KR102908108B1 (ko) 2019-08-16 2026-01-05 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 규소 화합물 및 이를 사용한 필름의 증착 방법

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050260420A1 (en) * 2003-04-01 2005-11-24 Collins Martha J Low dielectric materials and methods for making same
US7223670B2 (en) * 2004-08-20 2007-05-29 International Business Machines Corporation DUV laser annealing and stabilization of SiCOH films
WO2006024693A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-09 Silecs Oy Novel polyorganosiloxane dielectric materials
US7332445B2 (en) * 2004-09-28 2008-02-19 Air Products And Chemicals, Inc. Porous low dielectric constant compositions and methods for making and using same
US7994069B2 (en) 2005-03-31 2011-08-09 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor wafer with low-K dielectric layer and process for fabrication thereof
EP1941539A1 (en) * 2005-06-03 2008-07-09 Axcelis Technologies, Inc. Ultraviolet curing process for low k dielectric films
US7446058B2 (en) 2006-05-25 2008-11-04 International Business Machines Corporation Adhesion enhancement for metal/dielectric interface
US20090075491A1 (en) * 2007-09-13 2009-03-19 Tokyo Electron Limited Method for curing a dielectric film
FR2926397B1 (fr) 2008-01-16 2010-02-12 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films dielectriques permeables
CN101789418B (zh) * 2010-03-11 2011-12-28 复旦大学 一种多孔超低介电常数材料薄膜及其制备方法
CN102412142A (zh) * 2011-04-29 2012-04-11 上海华力微电子有限公司 一种超低介电常数薄膜及预防超低介电常数薄膜损伤的方法
US9054110B2 (en) 2011-08-05 2015-06-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Low-K dielectric layer and porogen
CN102709233A (zh) * 2012-06-21 2012-10-03 上海华力微电子有限公司 铜双大马士革结构形成方法以及半导体器件制造方法
CN103794491B (zh) * 2012-10-29 2019-05-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种低介电常数层的制作方法
CN104008997A (zh) * 2014-06-04 2014-08-27 复旦大学 一种超低介电常数绝缘薄膜及其制备方法
CN105336725A (zh) * 2014-07-23 2016-02-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 互连结构及其形成方法
CN105336677B (zh) * 2014-08-01 2018-10-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
US20190134663A1 (en) * 2017-10-27 2019-05-09 Versum Materials Us, Llc Silacyclic Compounds and Methods for Depositing Silicon-Containing Films Using Same
US11164739B2 (en) * 2018-02-08 2021-11-02 Versum Materials Us, Llc Use of silicon structure former with organic substituted hardening additive compounds for dense OSG films
CN111137902B (zh) * 2018-11-05 2022-06-07 清华大学 H-Si-O体系材料、负极活性材料及其制备方法、电化学电池负极材料及电化学电池
DE102021101486A1 (de) * 2020-03-30 2021-09-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresistschicht-oberflächenbehandlung, abdeckschichtund herstellungsverfahren einer photoresiststruktur
CN116948445B (zh) * 2023-07-25 2025-05-09 兰州空间技术物理研究所 一种组分梯度分布的防原子氧薄膜

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59124729A (ja) * 1983-01-05 1984-07-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 絶縁膜形成方法
JPH1140554A (ja) * 1997-07-22 1999-02-12 Fujitsu Ltd 絶縁膜形成材料、並びにこれを用いた絶縁膜形成方法及び半導体装置
WO2001029052A1 (en) * 1999-10-18 2001-04-26 Alliedsignal Inc. Deposition of films using organosilsesquioxane-precursors
WO2001061737A1 (en) * 2000-02-17 2001-08-23 Electron Vision Corporation Electron beam modification of cvd deposited films, forming low dielectric constant materials
JP2002256434A (ja) * 2001-01-17 2002-09-11 Air Products & Chemicals Inc 低誘電率層間絶縁膜の形成方法
JP2003007699A (ja) * 2001-05-23 2003-01-10 Air Products & Chemicals Inc 低誘電率材料およびｃｖｄによる処理方法
JP2004006822A (ja) * 2002-04-17 2004-01-08 Air Products & Chemicals Inc ポロゲン、ポロゲン化された前駆体および低誘電率をもつ多孔質有機シリカガラス膜を得るためにそれらを使用する方法
JP2004515057A (ja) * 2000-10-25 2004-05-20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 半導体素子のレベル内またはレベル間誘電体としての超低誘電率材料、その製造方法、およびそれを含む電子デバイス
JP2004228581A (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 Asm Japan Kk 半導体基板上の絶縁膜及びその製造方法
JP2005503673A (ja) * 2001-09-14 2005-02-03 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド 多孔性低誘電率材料のための紫外線硬化処理
JP2005503672A (ja) * 2001-09-14 2005-02-03 アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド 多孔質低誘電率材料のプラズマ硬化法
JP2005524983A (ja) * 2002-05-08 2005-08-18 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 電子ビームによって低誘電率膜を硬化する方法
JP2006500769A (ja) * 2002-09-20 2006-01-05 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 低ｋ材料用の中間層接着促進剤

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60177029A (ja) 1984-02-21 1985-09-11 Toray Silicone Co Ltd オルガノポリシロキサン組成物の硬化方法
KR910008980B1 (ko) * 1988-12-20 1991-10-26 현대전자산업 주식회사 자외선을 이용한 s.o.g 박막 경화 방법
JPH0812847B2 (ja) * 1991-04-22 1996-02-07 株式会社半導体プロセス研究所 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
US5387546A (en) * 1992-06-22 1995-02-07 Canon Sales Co., Inc. Method for manufacturing a semiconductor device
CN1244891C (zh) 1992-08-27 2006-03-08 株式会社半导体能源研究所 有源矩阵显示器
US5970384A (en) 1994-08-11 1999-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Methods of heat treating silicon oxide films by irradiating ultra-violet light
MY113904A (en) 1995-05-08 2002-06-29 Electron Vision Corp Method for curing spin-on-glass film utilizing electron beam radiation
US6652922B1 (en) 1995-06-15 2003-11-25 Alliedsignal Inc. Electron-beam processed films for microelectronics structures
US6020173A (en) 1995-11-02 2000-02-01 Takeda Chemical Industries, Ltd. Microorganism resistant to threonine analogue and production of biotin
US5609925A (en) 1995-12-04 1997-03-11 Dow Corning Corporation Curing hydrogen silsesquioxane resin with an electron beam
JP2955986B2 (ja) 1996-05-22 1999-10-04 日本電気株式会社 半導体光変調器及びその製造方法
US5935646A (en) 1996-08-23 1999-08-10 Gas Research Institute Molecular sieving silica membrane fabrication process
US6017806A (en) 1997-07-28 2000-01-25 Texas Instruments Incorporated Method to enhance deuterium anneal/implant to reduce channel-hot carrier degradation
US6020458A (en) 1997-10-24 2000-02-01 Quester Technology, Inc. Precursors for making low dielectric constant materials with improved thermal stability
US6042994A (en) 1998-01-20 2000-03-28 Alliedsignal Inc. Nanoporous silica dielectric films modified by electron beam exposure and having low dielectric constant and low water content
US6784123B2 (en) 1998-02-05 2004-08-31 Asm Japan K.K. Insulation film on semiconductor substrate and method for forming same
US6303523B2 (en) 1998-02-11 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6054379A (en) 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
US6284050B1 (en) 1998-05-18 2001-09-04 Novellus Systems, Inc. UV exposure for improving properties and adhesion of dielectric polymer films formed by chemical vapor deposition
US6159871A (en) 1998-05-29 2000-12-12 Dow Corning Corporation Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant
US6054206A (en) 1998-06-22 2000-04-25 Novellus Systems, Inc. Chemical vapor deposition of low density silicon dioxide films
US6171945B1 (en) 1998-10-22 2001-01-09 Applied Materials, Inc. CVD nanoporous silica low dielectric constant films
US6231989B1 (en) 1998-11-20 2001-05-15 Dow Corning Corporation Method of forming coatings
JP3888794B2 (ja) * 1999-01-27 2007-03-07 松下電器産業株式会社 多孔質膜の形成方法、配線構造体及びその形成方法
US6207555B1 (en) 1999-03-17 2001-03-27 Electron Vision Corporation Electron beam process during dual damascene processing
US6204202B1 (en) 1999-04-14 2001-03-20 Alliedsignal, Inc. Low dielectric constant porous films
US6204201B1 (en) 1999-06-11 2001-03-20 Electron Vision Corporation Method of processing films prior to chemical vapor deposition using electron beam processing
US6410151B1 (en) 1999-09-29 2002-06-25 Jsr Corporation Composition for film formation, method of film formation, and insulating film
US6592980B1 (en) 1999-12-07 2003-07-15 Air Products And Chemicals, Inc. Mesoporous films having reduced dielectric constants
US6541367B1 (en) 2000-01-18 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films
US6475930B1 (en) 2000-01-31 2002-11-05 Motorola, Inc. UV cure process and tool for low k film formation
EP1127929B1 (en) 2000-02-28 2009-04-15 JSR Corporation Composition for film formation, method of film formation, and silica-based film
US6558755B2 (en) 2000-03-20 2003-05-06 Dow Corning Corporation Plasma curing process for porous silica thin film
US6759098B2 (en) 2000-03-20 2004-07-06 Axcelis Technologies, Inc. Plasma curing of MSQ-based porous low-k film materials
US6919106B2 (en) 2000-04-03 2005-07-19 Ulvac Inc. Method for preparing porous SOG film
US6806161B2 (en) 2000-04-28 2004-10-19 Lg Chem Investment, Ltd. Process for preparing insulating material having low dielectric constant
US6495479B1 (en) 2000-05-05 2002-12-17 Honeywell International, Inc. Simplified method to produce nanoporous silicon-based films
US6271273B1 (en) 2000-07-14 2001-08-07 Shipley Company, L.L.C. Porous materials
US6566278B1 (en) 2000-08-24 2003-05-20 Applied Materials Inc. Method for densification of CVD carbon-doped silicon oxide films through UV irradiation
JP2004509468A (ja) * 2000-09-13 2004-03-25 シップレーカンパニー　エル　エル　シー 電子デバイスの製造
KR100382702B1 (ko) 2000-09-18 2003-05-09 주식회사 엘지화학 유기실리케이트 중합체의 제조방법
EP1197998A3 (en) * 2000-10-10 2005-12-21 Shipley Company LLC Antireflective porogens
US20020132496A1 (en) 2001-02-12 2002-09-19 Ball Ian J. Ultra low-k dielectric materials
JP4545973B2 (ja) 2001-03-23 2010-09-15 富士通株式会社 シリコン系組成物、低誘電率膜、半導体装置および低誘電率膜の製造方法
US6630406B2 (en) 2001-05-14 2003-10-07 Axcelis Technologies Plasma ashing process
US7074489B2 (en) 2001-05-23 2006-07-11 Air Products And Chemicals, Inc. Low dielectric constant material and method of processing by CVD
US7141188B2 (en) 2001-05-30 2006-11-28 Honeywell International Inc. Organic compositions
WO2003015129A2 (en) * 2001-08-06 2003-02-20 Advanced Technology Material, Inc. Low-k dielectric thin films and chemical vapor deposition method of making same
US6846515B2 (en) 2002-04-17 2005-01-25 Air Products And Chemicals, Inc. Methods for using porogens and/or porogenated precursors to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants
EP1420439B1 (en) * 2002-11-14 2012-08-29 Air Products And Chemicals, Inc. Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films
US7404990B2 (en) 2002-11-14 2008-07-29 Air Products And Chemicals, Inc. Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films
US7041748B2 (en) 2003-01-08 2006-05-09 International Business Machines Corporation Patternable low dielectric constant materials and their use in ULSI interconnection
US7288292B2 (en) 2003-03-18 2007-10-30 International Business Machines Corporation Ultra low k (ULK) SiCOH film and method
US20040197474A1 (en) * 2003-04-01 2004-10-07 Vrtis Raymond Nicholas Method for enhancing deposition rate of chemical vapor deposition films
JP4344841B2 (ja) 2003-05-30 2009-10-14 独立行政法人産業技術総合研究所 低誘電率絶縁膜の形成方法
KR100554157B1 (ko) 2003-08-21 2006-02-22 학교법인 포항공과대학교 저유전 특성의 유기 실리케이트 고분자 복합체
US20050048795A1 (en) 2003-08-27 2005-03-03 Chung-Chi Ko Method for ultra low-K dielectric deposition

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59124729A (ja) * 1983-01-05 1984-07-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 絶縁膜形成方法
JPH1140554A (ja) * 1997-07-22 1999-02-12 Fujitsu Ltd 絶縁膜形成材料、並びにこれを用いた絶縁膜形成方法及び半導体装置
JP2003512383A (ja) * 1999-10-18 2003-04-02 アライドシグナル・インコーポレイテツド オルガノセスキシロキサン前駆体を使用する膜の堆積
WO2001029052A1 (en) * 1999-10-18 2001-04-26 Alliedsignal Inc. Deposition of films using organosilsesquioxane-precursors
WO2001061737A1 (en) * 2000-02-17 2001-08-23 Electron Vision Corporation Electron beam modification of cvd deposited films, forming low dielectric constant materials
JP2003523624A (ja) * 2000-02-17 2003-08-05 エレクトロン ビジョン コーポレーション Ｃｖｄ蒸着膜の電子ビーム改質による低誘電率材料の形成
JP2004515057A (ja) * 2000-10-25 2004-05-20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 半導体素子のレベル内またはレベル間誘電体としての超低誘電率材料、その製造方法、およびそれを含む電子デバイス
JP2002256434A (ja) * 2001-01-17 2002-09-11 Air Products & Chemicals Inc 低誘電率層間絶縁膜の形成方法
JP2003007699A (ja) * 2001-05-23 2003-01-10 Air Products & Chemicals Inc 低誘電率材料およびｃｖｄによる処理方法
JP2005503673A (ja) * 2001-09-14 2005-02-03 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド 多孔性低誘電率材料のための紫外線硬化処理
JP2005503672A (ja) * 2001-09-14 2005-02-03 アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド 多孔質低誘電率材料のプラズマ硬化法
JP2004006822A (ja) * 2002-04-17 2004-01-08 Air Products & Chemicals Inc ポロゲン、ポロゲン化された前駆体および低誘電率をもつ多孔質有機シリカガラス膜を得るためにそれらを使用する方法
JP2005524983A (ja) * 2002-05-08 2005-08-18 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 電子ビームによって低誘電率膜を硬化する方法
JP2006500769A (ja) * 2002-09-20 2006-01-05 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 低ｋ材料用の中間層接着促進剤
JP2004228581A (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 Asm Japan Kk 半導体基板上の絶縁膜及びその製造方法

Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011082540A (ja) * 2003-03-18 2011-04-21 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 多相超低ｋ誘電
JP2012109589A (ja) * 2003-03-18 2012-06-07 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 多相超低誘電膜の形成方法
JP2006528426A (ja) * 2003-07-21 2006-12-14 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド 最新のＬｏｗ−ｋ材料のための紫外線硬化法
JP2006041052A (ja) * 2004-07-23 2006-02-09 Jsr Corp 半導体装置の絶縁膜形成用組成物、シリカ系膜およびその形成方法、ならびに配線構造体および半導体装置
JP2008520100A (ja) * 2004-11-12 2008-06-12 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド 多孔性低ｋ誘電体フィルムの紫外線に補助された細孔シーリング
JP2006190872A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP2008527757A (ja) * 2005-01-13 2008-07-24 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 制御された二軸応力を有する超低誘電率膜および該作製方法
JP2006265350A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Ulvac Japan Ltd 多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、多孔質膜及びその作製方法、並びに半導体装置
JP2008544484A (ja) * 2005-06-09 2008-12-04 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド プリメタルおよび／またはシャロートレンチアイソレーションに用いられるスピン−オン誘電体材料のための紫外線硬化処理方法
WO2007032563A1 (ja) * 2005-09-16 2007-03-22 Nec Corporation 配線構造並びに半導体装置及びその製造方法
US8592283B2 (en) 2005-09-16 2013-11-26 Renesas Electronics Corporation Wiring structure, semiconductor device and manufacturing method thereof
US8039921B2 (en) 2005-09-16 2011-10-18 Nec Corporation Wiring structure, semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101331710B1 (ko) 2005-12-21 2013-11-20 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 플라즈마 증착된 미공성 분석물 검출 층
JP2009521679A (ja) * 2005-12-21 2009-06-04 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー プラズマ堆積微小多孔性の検体検出層
JP2007194639A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> ＳｉＣＯＨ誘電体およびその製造方法
US8759222B2 (en) 2006-03-15 2014-06-24 Sony Corporation Method for fabrication of semiconductor device
JP2007250706A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2009531491A (ja) * 2006-03-31 2009-09-03 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 新規な孔形成前駆体組成物及びそれから得られる多孔誘電層
JP2009539265A (ja) * 2006-05-30 2009-11-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ギャップ充填と共形のフィルムの適用のために低ｋ膜を堆積させ硬化する方法
US8394457B2 (en) 2006-06-02 2013-03-12 Ulvac, Inc. Precursor composition for porous thin film, method for preparation of the precursor composition, porous thin film, method for preparation of the porous thin film, and semiconductor device
JP2008010877A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Air Products & Chemicals Inc 還元性雰囲気下における絶縁膜の硬化
JP2008078621A (ja) * 2006-08-21 2008-04-03 Fujitsu Ltd 絶縁膜、多層配線装置の製造方法および多層配線装置
JP2008103586A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2008186849A (ja) * 2007-01-26 2008-08-14 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US8350246B2 (en) 2007-02-07 2013-01-08 United Microelectronics Corp. Structure of porous low-k layer and interconnect structure
JP2008193038A (ja) * 2007-02-07 2008-08-21 United Microelectronics Corp 多孔質低誘電率層の製造方法及び構造、相互接続処理方法及び相互接続構造
JP2008251774A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Mitsui Chemicals Inc 多孔質シリカフィルムの製造方法
JP2009117817A (ja) * 2007-10-12 2009-05-28 Air Products & Chemicals Inc 反射防止膜
JP2009117743A (ja) * 2007-11-09 2009-05-28 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2009152402A (ja) * 2007-12-20 2009-07-09 Axcelis Technologies Inc 多孔性の低ｋの誘電体を形成するために、紫外線を利用してポロゲンを除去及び／又はキュアするプロセス
KR101538531B1 (ko) * 2008-03-06 2015-07-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 다공성 저 유전 상수 유전체막의 경화 방법
JP2011514678A (ja) * 2008-03-06 2011-05-06 東京エレクトロン株式会社 有孔性低誘電率誘電膜の硬化方法
JP2014007416A (ja) * 2008-03-06 2014-01-16 Tokyo Electron Ltd 有孔性低誘電率誘電膜の硬化方法
JP2009277686A (ja) * 2008-05-12 2009-11-26 Taiyo Nippon Sanso Corp 絶縁膜の成膜方法および絶縁膜
US8133821B2 (en) 2008-11-18 2012-03-13 Renesas Electronics Corporation Method of manufacturing porous insulating film, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US8937023B2 (en) 2008-11-18 2015-01-20 Renesas Electronics Corporation Method of manufacturing porous insulating film
JP2012510726A (ja) * 2008-12-01 2012-05-10 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド 酸素含有前駆体を用いる誘電体バリアの堆積
KR20130100252A (ko) * 2008-12-11 2013-09-10 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 다공성 유기실리케이트 막을 형성시키는 방법
JP2013211592A (ja) * 2008-12-11 2013-10-10 Air Products & Chemicals Inc 有機シリケート材料からの炭素の除去方法
JP2013062530A (ja) * 2008-12-11 2013-04-04 Air Products & Chemicals Inc 有機シリケート材料からの炭素の除去方法
JP2010141335A (ja) * 2008-12-11 2010-06-24 Air Products & Chemicals Inc 有機シリケート材料からの炭素の除去方法
KR101603265B1 (ko) 2008-12-11 2016-03-14 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 다공성 유기실리케이트 막을 형성시키는 방법
WO2010082250A1 (ja) * 2009-01-13 2010-07-22 パナソニック株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2012522378A (ja) * 2009-03-24 2012-09-20 東京エレクトロン株式会社 化学気相成長法
JP2022544951A (ja) * 2019-08-16 2022-10-24 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー ケイ素化合物、及びそのケイ素化合物を使用する膜を堆積するための方法
JP7568714B2 (ja) 2019-08-16 2024-10-16 バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー ケイ素化合物、及びそのケイ素化合物を使用する膜を堆積するための方法
KR102908108B1 (ko) 2019-08-16 2026-01-05 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 규소 화합물 및 이를 사용한 필름의 증착 방법

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