JP2009117817A - 反射防止膜 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板上に誘電層を形成し、誘電層上に反射防止膜を形成し、反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成し、パターン形成フォトレジストを通して誘電層をエッチングし、および反射防止膜およびフォトレジストを除去する段階を含む、基板における形体を形成する方法の提供。
【解決手段】該反射防止膜は、式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｕ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖが１〜３５原子％であり、ｗが１〜４０原子％であり、ｘが５〜８０原子％であり、ｕが０〜５０原子％であり、ｙが１０〜５０原子％であり、およびｚが０〜１５原子％である式ＳｉvＯwＣxＮuＨyＦzにより表される膜であると共に、該反射防止膜は、（１）有機シラン、有機シロキサン、およびアミノシランからなる群から選択される少なくとも一つの前駆体、および（２）実質的に反射防止膜から除去されない炭化水素を含む組成物の化学蒸着により形成される。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体素子を製造するための方法に関する。さらに詳細には、本発明は、シリコンおよび誘電体ならびに得られる集積回路前駆体構造上に反射防止膜（ＡＲＣ）層を形成する方法に関する。
関連特許
本出願は、その開示内容が参考のため本明細書において包含される、先に出願された２００７年１０月１２日出願の米国特許出願第６０／９７９，５８５号明細書に対する３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．１１９条（ｅ）項の下での優先権の利益を主張する。
高速性能用の要求事項に合致するため、集積回路素子形体の特性寸法は縮小し続けてきた。より小さな形状を有する素子の製造は、従来から半導体製造において用いられてきた多くの方法における新たな課題を持ち込む。超大規模集積回路半導体配線に関連する高い密度および性能に対してのエスカレートする要求事項は、相互接続技術においてすぐに反応する変化を要求する。こうしたエスカレートする要求事項は、低ＲＣ（抵抗静電容量）相互接続パターンを提供する条件下で、特にサブミクロンでのバイア接点およびトレンチが小型化により課せられる高アスペクト比を有する場合に、満足させることが困難であることが見出されてきた。増大する構成要素の密度および縮小する相互接続断面積の有害な影響を改善するための努力には、一般的な酸化物絶縁体（「低ｋ材料」）よりも低い誘電率を有する絶縁体の使用、および一般的なアルミニウム（Ａｌ）導体よりも高い導電率を有する導電性材料の使用が挙げられる。銅は、一般的な現世代の配線（ＩＣｓ）におけるオンチップ導体として用いるための先導材料として浮上してきている。
しかし、銅（Ｃｕ）は、正確なパターン形成およびエッチングに対する課題を提供する。例えば、Ｃｕは容易に揮発性塩化物またはフッ化物を形成せず、塩素および／またはフッ素化学物質に基づく一般的なプラズマエッチングを実行不能なほどに遅くする。従って、Ｃｕ層が中でフォトレジストのパターン形成層下で選択的にエッチング除去されるＣｕのサブトラクティブパターン形成は、「ダマスク模様」または「二重ダマスク模様」のパターン形成により大きく置き換えられてきた。得られるＩＣ構造体または形体は、ダマスク模様または二重ダマスク模様構造体または形体と呼ばれる。
問題は、フォトレジスト層下に位置する表面（または複数の表面）からの照射放射線の反射の結果としてＩＣｓ中の形体のパターン形成および組立において生じることができる。例えば、フォトレジスト層内で起こる入射および反射放射線の干渉は、非均一フォトレジスト露光および不正確なパターン形成をもたらす。加えて、露光用放射線は、非均一反射率の表面地形または領域から反射することができ、フォトマスクのすぐ下に位置すると共に、露光が望まれていない領域中でのフォトレジストの露光をもたらす。両方のケースにおいて、ＩＣ形体の正確で再現性のある組立の課題に加えて、形体限界寸法（「ＣＤｓ」）の変化が生じることができる。
放射線反射から生じる組立課題を排除するかまたは減じるための一般的な方法は、反射防止膜の使用である。例えば、ボトム反射防止膜（「ＢＡＲＣs」）は、一般的に、パターン形成しようとする表面上に位置するフォトレジスト層のすぐ下に塗布される。ＢＡＲＣ層は、フォトレジスト層を貫通する放射線を吸収するように設計することが可能であり、この機構により、支持構造表面からの反射光の有害な影響を減じるか、または排除することが可能である。加えて、ＢＡＲＣ層は、露光用放射線の波長で、相殺的干渉が入射および反射放射線間で起こるように、ＢＡＲＣ材料および厚さの選択を通して設計することが可能である。吸収性および相殺性両方の干渉効果は、同じＢＡＲＣ層中で用いることが可能である。
反射防止膜（ＡＲＣ）組成物中に形成される光吸収性有機ポリマーが開発されてきて、フォトレジストＤＵＶ露光の間に半導体基板から通常出くわす反射率を減じるために、フォトレジスト層のすぐ下に塗布される。これらの有機ＡＲＣｓは、一般的に、スピンコートと呼ばれる方法により半導体基板に塗布される。スピンコートしたＡＲＣ層は優れた反射率制御を提供するけれども、それらの性能は、それらの非均一性、欠陥性および整合性収縮、および他のスピンコート法に固有の非能率性により限定される。業界が８インチまたは１２インチさえまでの半導体基板の採用に取り組んでいるので、スピンコート法固有の非能率性は、一段と増幅されてきている。
当該技術分野では、化学蒸着（ＣＶＤ）法により塗布される光吸収性有機ポリマーを提供することにより、スピンコート法固有の非能率性に対応してきている。例えば、米国特許第６，９３６，４０５号明細書には、反射防止化合物が連結基を介して互いに結合する二つの環式部分を含む高度に歪んだ（例えば、少なくとも約１０ｋｃａｌ／モルの捻転エネルギーを有する）有機分子である反射防止化合物を、ＣＶＤにより基板表面上に蒸着することが開示されている。ＣＶＤ法は、それを蒸発させるために反射防止化合物を加熱し、次に、蒸発化合物を熱分解して、続いて蒸着チャンバ中基板表面上で重合する安定なジラジカルを形成することを含む。
しかし、それらの蒸着手段には無関係に、光吸収性有機ポリマーは有意な欠点を有する。例えば、こうした有機ポリマーは極めて良好な光吸収特性を有するが、こうした材料の膜は、多くの場合、機械的に、化学的に、または熱的に不安定であり、それらは、多くの場合、その上にそれらが形成される一般的な無機基板に適正に付着しない。従って、前述の欠点に悩むことのないＣＶＤにより塗布される反射防止ポリマー膜に対する技術上の必要性が存在する。
本発明は、光吸収性、エッチング選択性、および構造の健全性間の望ましいバランスを有する有機−無機複合膜を形成するための方法および組成物を提供する。特に、本発明は、基板上に誘電層を形成し；誘電層上に反射防止膜を形成し；反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成し；パターン形成フォトレジストを通して誘電層をエッチングし；および反射防止膜およびフォトレジストを除去する段階を含む、基板における形体を形成する方法を提供し、該反射防止膜は、式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｕ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖが１〜３５原子％であり、ｗが１〜４０原子％であり、ｘが５〜８０原子％であり、ｕが０〜５０原子％であり、ｙが１０〜５０原子％であり、およびｚが０〜１５原子％である式ＳｉvＯwＣxＮuＨyＦzにより表される膜であると共に、該反射防止膜は、（１）有機シラン、有機シロキサン、およびアミノシランからなる群から選択される少なくとも一つの前駆体、および（２）実質的に反射防止膜から除去されない炭化水素を含む組成物の化学蒸着により形成される。
別の態様において、本発明は、基板上に形成されるパターン形成可能層；式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｕ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖが１０〜３５原子％であり、ｗが５〜６５原子％であり、ｘが５〜８０原子％であり、ｕが０〜５０原子％であり、ｙが１０〜５０原子％であり、およびｚが０〜１５原子％である式ＳｉvＯwＣxＮuＨyＦzにより表される、パターン形成可能層上に形成される反射防止膜；および（１）有機シラン、有機シロキサン、およびアミノシランからなる群から選択される少なくとも一つの前駆体；および（２）実質的に反射防止膜から除去されない炭化水素の化学蒸着により形成される反射防止膜上に形成されるフォトレジストパターンを含む、半導体素子組立の間に形成される構造体を提供する。
半導体素子を形成する方法が記載される。本発明の一つの実施形態において、本方法は以下の段階を含む。最初に、誘電層は基板上に形成され、反射防止膜は誘電層上に形成される。次に、フォトレジストパターンは反射防止膜上に形成され、誘電層はパターン形成フォトレジストを通してエッチングされる。次に、反射防止膜およびフォトレジストは除去される。本発明による反射防止膜は、式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｕ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖが１０〜３５原子％であり、ｗが５〜６５原子％であり、ｘが５〜８０原子％であり、ｕが０〜５０原子％であり、ｙが１０〜５０原子％であり、およびｚが０〜１５原子％である式ＳｉvＯwＣxＮuＨyＦzにより表される膜である。本発明による反射防止膜は、（１）有機シラン、有機シロキサン、およびアミノシランからなる群から選択される少なくとも一つの前駆体、および（２）反射防止膜から除去されない炭化水素を含む組成物の化学蒸着により形成される。
図１Ａ〜１Ｄは、本発明の方法の好ましい実施形態を示す。その実施形態において、第１導電層１０１は任意に基板１００上に形成される。基板１００は、導電層をその上に形成することが可能である集積回路を製造する場合に生成するあらゆる表面であることが可能である。基板１００は、従って、例えば、トランジスター、コンデンサー、レジスター、拡散接合、ゲート電極、局所配線、などのシリコンウエハー上に形成される能動および受動素子を含むことが可能である。基板１００は、また、それらの頂部上に形成される導電層または複数の層からこうした能動および受動素子を分離する絶縁材料を含むことが可能であると共に、既に形成された導電層を含むことが可能である。
基板１００中に含むことが可能である適する材料には、ガリウムヒ素（「ＧａＡｓ」）、シリコン、および結晶シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコン、エピタキシャルシリコン、二酸化ケイ素（「ＳｉＯ2」）、シリコンガラス、窒化ケイ素、石英ガラス、ガラス、石英、ホウケイ酸ガラス、およびそれらの組合せなどのシリコンを含有する組成物などの半導体材料が挙げられるがそれらに限定されない。他の適する材料には、クロム、モリブデン、および半導体、集積回路、フラットパネル・ディスプレイ、およびフレキシブルディスプレイ用途において一般的に用いられる他の金属が挙げられる。基板１００は、例えば、シリコン、ＳｉＯ2、有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）、フッ素化ケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ）、炭窒化ホウ素、炭化ケイ素、水素化炭化ケイ素、窒化ケイ素、水素化窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、水素化炭窒化ケイ素、ボロナイトライド、有機−無機複合材料、フォトレジスト、有機ポリマー、多孔質有機および無機材料および複合材料、酸化アルミニウムなどの金属酸化物、および酸化ゲルマニムなどの追加層を有することが可能である。なおさらなる層は、また、ゲルマノケイ酸塩、アルミノケイ酸塩、銅およびアルミニウム、およびＴｉＮ、Ｔｉ（Ｃ）Ｎ、ＴａＮ、Ｔａ（Ｃ）Ｎ、Ｔａ、Ｗ、またはＷＮに限定されないがそれらなどの拡散バリア材であることもできる。
導電層１０１は半導体素子用の導電層を形成するために従来から用いられる材料から作製することが可能である。好ましい実施形態において、導電層１０１は銅を含み、従来型の銅電気メッキ法を用いて形成される。銅は好ましいが、半導体素子を製造するために用いることが可能である他の導電性材料は代わりに用いることが可能である。導電層１０１は、それが堆積した後、化学機械研磨（「ＣＭＰ」）法を用いて平坦化することが可能である。
導電層１０１を基板１００上に形成した後、バリア層１０２は、一般的に、導電層１０１上に形成される。バリア層１０２は、一般的に、許容不可量の銅または他の金属が誘電層１０３中に拡散することを防止するために役立つ。バリア層１０２は、また、続くバイアおよびトレンチエッチング段階が導電層１０１を続く洗浄段階にさらすことから防止ためのエッチング停止層として機能する。バリア層１０２は、好ましくは、例えば、シリコン、ＳｉＯ2、有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）、炭窒化ホウ素、フッ素化ケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ）、炭化ケイ素、水素化炭化ケイ素、窒化ケイ素、水素化窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、水素化炭窒化ケイ素、ボロナイトライド、有機−無機複合材料、有機および無機材料および複合材料、酸化アルミニウムなどの金属酸化物、酸化ゲルマニム、およびそれらの組合せなどのハーメチック誘電体から製造される。
化学蒸着法はバリア層１０２を形成するために用いることが可能である。バリア層１０２は、その拡散抑制を果たすために十分厚くあることが好ましいが、しかし、それがバリア層１０２および誘電層１０３の組合せから生じる全体の誘電特性に有害な影響を与えるほどには厚くないことが好ましい。図１Ａは、導電層１０１およびバリア層１０２が基板１００上に形成された後に生じる構造体の断面を示す。
図１Ｂに関して、誘電層１０３は、次に、バリア層１０２の上に形成される。好ましくは、誘電層１０３は孔１０５の存在により示されるように多孔質であり、本明細書において、「多孔質誘電層１０３」と呼ばれる。本発明の方法において、多孔質誘電層１０３は、配線ネットワークを形成し保持することができる化合物または複数の化合物を含む膜形成組成物の蒸着から形成される。膜の例には、ＳｉＯ2、有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）、フッ素化ケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ）、炭窒化ホウ素、炭化ケイ素、水素化炭化ケイ素、窒化ケイ素、水素化窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、水素化炭窒化ケイ素、ボロナイトライド、有機−無機複合材料、フォトレジスト、有機ポリマー、多孔質有機および無機材料および複合材料、酸化アルミニウムなどの金属酸化物、および酸化ゲルマニム、ダイアモンド様炭素、ホウケイ酸塩ガラス（Ｓｉ：Ｏ：Ｂ：Ｈ）、またはリンドープホウケイ酸ガラス（Ｓｉ：Ｏ：Ｂ：Ｈ：Ｐ）、およびそれらの組合せなどが挙げられるがそれらに限定されない。
本発明の好ましい実施形態において、多孔質誘電層１０３はシリカ材料を含む。本明細書において用いられる用語「シリカ」は、シリコン（Ｓｉ）および酸素（Ｏ）原子、およびＣ、Ｈ、Ｂ、Ｎ、Ｐ、またはハライド原子などの他の元素；アルキル基；またはアリール基に限定されないがそれらなどの可能な追加の置換基を有する材料である。代替実施形態において、多孔質誘電層１０３は、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、およびそれらの組合せに限定されないがそれらなどの他の元素を含有することが可能である。一部の好ましい実施形態において、誘電層１０３は、式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００原子％、ｖが１０〜３５原子％であり、ｗが１０〜６５原子％であり、ｘが５〜３０原子％であり、ｙが１０〜５０原子％であり、およびｚが０〜１５原子％である式ＳｉvＯwＣxＨyＦzにより表されるＯＳＧ化合物を含むことが可能である。
なお図１Ｂに関して、多孔質誘電層１０３は孔１０５の存在により特徴付けられる。こうした実施形態において、孔１０５は、膜形成組成物がシリカ源、および１以上のエネルギー源にさらされると容易にまた好ましくは実質的に除去することができる少なくとも一つのポロゲンを含む場合に形成される。「ポロゲン」は、得られる膜内に空隙容量を発生させるために用いられる。ポロゲンが本発明の方法全体を通して変わらないかどうかには無関係に、本明細書において用いられる用語「ポロゲン」は、本明細書において記載される全部の方法全体を通してそれらが見出されるいかなる形態においてでも、孔形成試薬（または孔形成置換基）およびそれらの誘導体を包含するように意図されている。ポロゲンとして用いようとする適する化合物には、炭化水素材料、不安定有機基、溶媒、分解可能ポリマー、界面活性剤、デンドリマー、超分岐ポリマー、ポリオキシアルキレン化合物、ＣおよびＨを含む化合物、またはそれらの組合せが挙げられるがそれらに限定されない。一部の実施形態において、ポロゲンはＣ1〜Ｃ13炭化水素化合物を含む。
孔１０５を形成する上で、誘電層１０３がそれから作製される蒸着された材料は、一般的に、１以上のエネルギー源にさらされて、膜を硬化するか、および／または存在する場合その中に含有される少なくとも一部のポロゲンを除去する。代表的なエネルギー源には、α粒子、β粒子、γ線、ｘ線、電子ビームエネルギー源などのイオン化放射線源；紫外線（１０〜４００ｎｍ）、可視線（４００〜７５０ｎｍ）、赤外線（７５０〜１０5ｎｍ）、マイクロ波（＞１０6）、および高周波（＞１０6）エネルギー波長などの非イオン化放射線源；またはそれらの組合せを挙げることが可能であるがそれらに限定されない。なおさらなるエネルギー源には、熱エネルギーおよびプラズマエネルギーが挙げられる。エネルギー源に応じて、暴露段階は、高圧下、大気圧下、または真空下で行うことができる。環境は不活性（例えば、窒素、ＣＯ2、希ガス（Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ）、など）、酸化性（例えば、酸素、空気、希釈酸素環境、濃縮酸素環境、オゾン、亜酸化窒素、など）または還元性（希釈または濃縮水素、炭化水素（飽和、不飽和、直鎖または分岐鎖、芳香族）、など）であることができる。暴露段階用の温度は１００〜５００℃の範囲にあることが可能である。一部の実施形態において、温度は、０．１〜１００℃／分の速度で傾斜を付けることが可能である。全体処理時間は、好ましくは、０．０１分〜１２時間である。
多孔質誘電層１０３は、一般的に、多様な各種方法を用いて、膜形成組成物から少なくとも一部の基板１００（導電層１０１を含む）上に膜として形成される。これらの方法は、それら自身で、または組み合わせて用いることが可能である。膜を形成するために用いることが可能である方法のいくつかの例には以下が含まれる：熱化学蒸着、プラズマ増強化学蒸着（「ＰＥＣＶＤ」）、高密度ＰＥＣＶＤ、光子支援ＣＶＤ、プラズマ−光子支援ＣＶＤ（「ＰＰＥＣＶＤ」）、原子層蒸着（ＡＬＤ）、低温化学蒸着、化学支援蒸着、熱フィラメント化学蒸着、液体ポリマー前駆体のＣＶＤ、超臨界流体からの蒸着、または輸送重合（「ＴＰ」）。米国特許第６，１７１，９４５号明細書、第６，０５４，２０６号明細書、第６，０５４，３７９号明細書、第６，１５９，８７１号明細書およびＷＯ第９９／４１４２３号明細書は、膜を形成するために用いることが可能であるいくつかの代表的なＣＶＤ法を提供する。化学蒸着法のほかに、例えば非接触堆積法などの他の方法は、多孔質誘電層１０３を塗布するために用いることができる。非接触堆積法は、一般的に、膜を接触マスクまたはシャッターの必要性なしで形成することができることを可能とする。非接触堆積法には、例えば、浸し塗り、ローリング、ブラッシング、噴霧法、押出法、スピンオン法、エアナイフ、印刷、およびそれらの組合せが挙げられる。さらなる代表的な堆積法には、振動非接触誘導拡散力、重力誘導拡散力、濡れ誘導拡散力、スロット押出、およびそれらの組合せが挙げられる。
一つの特定実施形態において、多孔質誘電層１０３はスピンオン法を用いて堆積される。簡単に、膜形成組成物は基板上に分配され、その中に含有される溶媒は蒸発されて被覆基板を形成する。さらに、組成物が均一に基板上に堆積することを確実にするために遠心力が用いられる。別の利益は、組成物が存在することが可能であるあらゆる間隙を効果的に埋めることである。
多孔質誘電層１０３がスピンオン法を用いて堆積される実施形態において、膜は、一般的に、とりわけ少なくとも一つのシリカ源、任意にポロゲン、任意に触媒、および水を含む組成物から形成される。一部の実施形態において、組成物は、さらに、任意に溶媒を含むことが可能である。簡単に、組成物を基板上に分配し、溶媒および水を蒸発することで、膜を形成することができる。存在するならば、あらゆる残留溶媒、水およびポロゲンは、一般に、被覆基板を、１以上のエネルギー源に、低誘電率膜を製造するために十分な時間にわたりさらすことにより除去される。スピンオン堆積された材料および膜およびそれらを製造するための方法の例は、それらの全体が参考のため本明細書において包含され、本出願の譲受人に委譲される米国特許公開出願第２００４／００４８９６０号明細書および第２００３／０２２４１５６号明細書に見出される。
以下のシリカ源は、スピンオン法またはＣＶＤ法のいずれかで、本発明における使用に適する。そういうものとして、以下のシリカ源の少なくとも一つは、一般的に、堆積して、例えば、任意にポロゲン、任意に溶媒、および任意に水と共に、多孔質誘電層１０３を形成する組成物を形成する。以下に続く化学式およびこの文書全体を通してのすべての化学式において、用語「独立に」が、主題Ｒ基が各種上付き文字を有する他のＲ基に対して独立に選択されるだけでなく、また同じＲ基のあらゆる追加の化学種に対して独立に選択されることを意味することは理解されるべきである。例えば、式ＲaＳｉ（ＯＲ1）4-aにおいて、「ａ」が２である場合に、二つのＲ基は互いにまたはＲ1に対して同一である必要はない。加えて、以下の式において、用語「１価有機基」は、単一Ｃ結合、すなわち、Ｓｉ−ＣまたはＯ−Ｃを通して、ＳｉまたはＯなどの対象元素に結合される有機基に関する。１価有機基の例には、アルキル基、アリール基、不飽和アルキル基、および／またはアルコキシ、エステル、酸、カルボニル、またはアルキルカルボニル官能基により置換された不飽和アルキル基が挙げられる。アルキル基は、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、またはペンチル基などの１〜５個の炭素原子を有する直鎖、分岐鎖、または環式アルキル基であることが可能である。１価有機基として適するアリール基の例には、フェニル、メチルフェニル、エチルフェニルおよびフルオロフェニル基が挙げられる。一部の実施形態において、アルキル基内の１以上の水素は、ハライド原子（例えば、フッ素）、またはカルボニルまたはエーテル官能基を与えるための酸素原子などの追加原子により置換することが可能である。
シリカ源の他の例には、米国特許第６，２５８，４０７号明細書において提供されるものなどのフッ素化シランまたはフッ素化シロキサンを挙げることが可能である。
シリカ源の別の例には、脱離の際にＳｉ−Ｈ結合を生みだす化合物を挙げることが可能である。
本発明の他の実施形態において、シリカ源は、好ましくは、Ｓｉ原子に結合される少なくとも一つのカルボン酸エステルを有することが可能である。これらシリカ源の例には、テトラアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、エチルトリアセトキシシラン、およびフェニルトリアセトキシシランが挙げられる。シリカ源がそこに結合されるカルボン酸基を有する少なくとも一つのＳｉ原子を有する少なくとも一つのシリカ源に加えて、組成物は、さらに、Ｓｉ原子に結合されるカルボン酸塩を必ずしも持たないことが可能である追加のシリカ源を含むことが可能である。
シリカ源は、また、直鎖、環式、または分岐鎖シロキサン、直鎖、環式、または分岐鎖カルボシラン、直鎖、環式、または分岐鎖シラザン、またはそれらの混合物であることが可能である。
ＣＶＤ法が、例えば、誘電層１０３を蒸着するために用いられる本発明の実施形態において、層はガス状試薬を用いて蒸着される。字句「ガス状試薬」は、時々、本明細書において試薬を説明するために用いられるが、本字句は、ガスとして反応器に直接搬送され、蒸発液体、昇華した固体として搬送され、および／または不活性担体ガスにより反応器中に輸送される試薬を包含するように意図されている。本発明の好ましい実施形態において、材料はＰＥＣＶＤ法を通して形成される。こうした方法において、ガス状試薬は、一般的に、真空チャンバなどの反応チャンバ中に流れ込み、プラズマエネルギーはガス状試薬にエネルギーを与え、それによって少なくとも基板の一部上に膜を形成する。これらの実施形態において、膜は、少なくとも一つのシリカ含有前駆体ガスおよび少なくとも一つのプラズマ重合可能な有機前駆体またはポロゲンガスを含むガス状混合物の共蒸着、または代替的に連続蒸着により形成することができる。一部の実施形態において、付加されるプラズマエネルギーは、０．０２〜７ワット／ｃｍ2、さらに好ましくは０．３〜３ワット／ｃｍ2の範囲にあることが可能である。各ガス状試薬に対する流量は１０〜５０００ｓｃｃｍの範囲にあることが可能である。本発明のＰＥＣＶＤ法に対する蒸着間の真空チャンバ中の圧力値は、０．０１〜６００トール、さらに好ましくは１〜１０トールの範囲にあることが可能である。一部の実施形態において、蒸着は１００〜４２５℃、または２００〜４２５℃、または２００〜３００℃の範囲にある温度で行われる。しかし、プラズマエネルギー、流量、圧力、および温度などのプロセスパラメータが、基板の表面積、用いられる前駆体、ＰＥＣＶＤ法において用いられる装置、などの多くの因子に応じて変わることが可能であることは理解される。
多孔質誘電層１０３が本質的にＳｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈ、およびＦからなるＣＶＤ法の一つの実施形態において、多孔質誘電層１０３は、基板１００を真空チャンバ内に提供し；有機シランおよび有機シロキサン、任意にフッ素提供前駆体ガス、および少なくとも一つのポロゲンからなる群から選択される少なくとも一つのシリカ含有前駆体ガスを含むガス状試薬を真空チャンバ中に導入し；およびチャンバ中のガス状試薬にエネルギーを適用してガス状試薬の反応を誘発し、基板上に膜を形成することにより形成される。適するポロゲン前駆体および他のシリコン含有前駆体の例は、それらの全体が参考のため本明細書において包含され、本出願の譲受人に委譲される米国特許第６，７２６，７７０号明細書、第６，５８３，０４８号明細書、および第６，８４６，５１５号明細書に見出される。他の適するポロゲン前駆体は、それらの全体が参考のため本明細書において包含される米国特許公開第２００２／０１８００５１号明細書、および米国特許第６，４４１，４９１号明細書および第６，４３７，４４３号明細書に見出される。
本発明の方法は、誘電層上に反射防止膜を形成する段階を含む。今度は図１Ｂに関して、反射防止膜１０４は誘電層１０３の上に蒸着される。反射防止膜１０４は、例えば、ボトム反射防止膜（ＢＡＲＣ）、ハードマスク、エッチング抵抗層、フォトレジスト、犠牲キャッピング層、化学バリア、接着層であることが可能であるか、または、集積回路素子製造法スキームにおけるあらゆる上記機能を行うことが可能である。
本発明により、反射防止膜１０４は、式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｕ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖが１０〜３５原子％であり、ｗが５〜６５原子％であり、ｘが５〜８０原子％であり、ｕが０〜５０原子％であり、ｙが１０〜５０原子％であり、およびｚが０〜１５原子％である式ＳｉvＯwＣxＮuＨyＦzにより表される膜である。好ましくは、反射防止膜１０４は、（１）有機シラン、有機シロキサン、およびアミノシランからなる群から選択される少なくとも一つの前駆体、および（２）炭化水素を含む組成物の化学蒸着により形成される。炭化水素は光を吸収する化学種を提供するように機能する。化学種が４００ｎｍ未満の波長で光を吸収するかどうかは、例えば、保護膜またはフォトレジストの方に引き返すように反射されることからの光を最小化し、なお、配列処理が行われる６３２ｎｍでなどの高波長で本質的に光を通すための得られる膜の能力により測定される。光吸収は、分光光度計、反射率計および偏光解析器などの多くの器具により測定することができると共に、一部のケースにおいて、これが通常膜の吸収特性に関連するので、屈折率の虚数部分として解釈することが可能である。
本発明の一部の実施形態において、炭化水素は有機炭化水素であり、有機シラン、有機シロキサン、およびアミノシランとは識別される。本発明の一部の実施形態において、有機炭化水素は炭素と水素原子のみからなる。
以下は、別個の炭化水素と共に使用するために適する有機シラン、有機シロキサン、およびアミノシランからなる群から選択される少なくとも一つの前駆体の非限定例である。次に続く化学式およびこの文書全体を通してのすべての化学式において、用語「独立に」が、主題Ｒ基が異なる上付き文字を有する他のＲ基に対して独立に選択されるだけでなく、また同じＲ基のあらゆる追加の化学種に対して独立に選択されることを意味することは理解されるべきである。例えば、式Ｒ1 n（ＯＲ2）4-nＳｉにおいて、ｎが２または３である場合に、２または３個のＲ1基は、互いに対してまたはＲ2に対して同一である必要はない。
ビス（ｔ−ブチルアミノ）シランは、別個の炭化水素と共に使用するために適するアミノシランである少なくとも一つの前駆体の非限定例である。ビス（ｔ−ブチルアミノ）シランは式（ｔ−Ｃ4Ｈ9ＮＨ）2Ｓｉ（Ｈ）2を有する。
以下は別個の光吸収剤と共に使用するために適する一部のＳｉ系前駆体を示す式である。
（ａ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜４であり、およびｐが０〜４である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）4-(n+p)Ｓｉ（例：ジエトキシメチルシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、メチルアセトキシ−ｔ−ブトキシシラン）；
（ｂ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q（例：１，３−ジメチル−１，３−ジエトキシジシロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジアセトキシジシロキサン、１，３−ジメチル−１−アセトキシ−３−エトキシジシロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジアセトキシ−１，３−ジエトキシジシロキサン）；
（ｃ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q（例：１，２−ジメチル−１，１，２，２−テトラエトキシジシラン、１，２−ジメチル−１，１，２，２−テトラアセトキシジシラン、１，２−ジメチル−１−アセトキシ−２−エトキシジシラン、１，２−ジメチル−１，２−ジアセトキシ−１，２−ジエトキシジシラン）；
（ｄ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ6およびＲ7が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、あるいは、Ｒ7がアミンまたは有機アミン基であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−Ｒ7−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q；
（ｅ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦４の条件で、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが２〜４である式（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＣＨ4-t；
（ｆ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦４の条件で、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜３である式（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＮＨ3-t；
（ｇ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数である式（ＯＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式シロキサン（例：１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン）；
（ｈ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数である式（ＮＲ1ＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式シラザン；
（ｉ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数である式（ＣＲ1Ｒ3ＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式カルボシラン；
（ｋ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）4-(n+p)Ｓｉ；
（ｌ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q；
（ｍ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q；
（ｎ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ6およびＲ7が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、あるいは、Ｒ7がアミンまたは有機アミン基であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−Ｒ7−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q；
（ｏ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦４の条件で、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜４である式（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＣＨ4-t；
（ｐ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦４の条件で、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜３である式（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＮＨ3-t。
上記前駆体は、光吸収剤と混合するか、または結合した光吸収性置換基を有することが可能であると共に、これらクラスの他の分子および／または同じクラスの分子と混合することが可能である。例：ＴＥＯＳ、トリエトキシシラン、ジ−ｔ−ブトキシシラン、シラン、ジシラン、ジ−ｔ−ブトキシジアセトキシシラン、など。
以下は、本発明の実施形態で用いるために適する炭化水素の非限定例であり、該炭化水素は有機シランおよび有機シロキサンからなる群から選択される少なくとも一つの前駆体から識別される。換言すれば、以下の化合物は本発明による光吸収剤としての使用に適する。
１）式中、ｎ＝４〜１４、環式構造体中の炭素数が４〜１２間であり、環式構造体上に置換される複数の単純または分岐鎖炭化水素が存在することができる一般式ＣnＨ2nで表される環状炭化水素。例には、シクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、１−メチル−４（１−メチルエチル）シクロヘキサン、シクロオクタン、メチルシクロオクタン、シクロオクテン、シクロオクタジエン、シクロヘプテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、および１，５，９−シクロドデカトリエンが挙げられる。
２）式中、ｎ＝２〜２０およびｙ＝０〜ｎである一般式ＣnＨ(2n+2)-2yで表される直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和炭化水素。例にはエチレン、プロピレン、アセチレン、ネオヘキサン、などが挙げられる。
３）式中、ｘが分子中の不飽和部位の数であり、ｎ＝４〜１４、環式構造体中の炭素数が４〜１０間であり、環式構造体上に置換される複数の単純または分岐鎖炭化水素が存在することができる一般式ＣnＨ2n-2xで表される単一または多不飽和環状炭化水素。不飽和は環内部または環式構造体への一つの炭化水素置換基上に位置することができる。例には、シクロヘキセン、ビニルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキセン、ｔ−ブチルシクロヘキセン、アルファ−テルピネン、ピネン、１，５−ジメチル−１，５−シクロオクタジエン、ビニル−シクロヘキセン、などが挙げられる。
４）式中、ｎ＝４〜１４、２環式構造体中の炭素数が４〜１２間であり、環式構造体上に置換される複数の単純または分岐鎖炭化水素が存在することができる一般式ＣnＨ2n-2で表される２環式炭化水素。例には、ノルボルナン、スピロ−ノナン、デカヒドロナフタレン、などが挙げられる。
５）式中、ｘが分子中の不飽和部位の数であり、ｎ＝４〜１４、２環式構造体中の炭素数が４〜１２間であり、環式構造体上に置換される複数の単純または分岐鎖炭化水素が存在することができる一般式ＣnＨ2n-(2+2x)で表される多不飽和２環式炭化水素。不飽和は環内部または環式構造体への一つの炭化水素置換基上に位置することができる。例には、カンフェン、ノルボルネン、ノルボルナジエン、などが挙げられる。
６）式中、ｎ＝４〜１４、３環式構造体中の炭素数が４〜１２間であり、環式構造体上に置換される複数の単純または分岐鎖炭化水素が存在することができる一般式ＣnＨ2n-4で表される３環式炭化水素。例にはアダマンタンが挙げられる。
本発明の別の実施形態において、有機シランおよび有機シロキサンからなる群から選択される少なくとも一つの前駆体および（２）炭化水素は、同じ前駆体分子の一部である。従って、構造体形成前駆体および光吸収前駆体は、必ずしも異なる分子ではなく、特定の実施形態において、光吸収剤は構造体形成前駆体の一部（例えば、共有結合されて）である。それらに結合される光吸収剤を含有する前駆体は、時々、本明細書において「光吸収前駆体」と呼ばれる。例えば、単一化学種としてフェニルメチルジエトキシシランを用いることは可能であり、それによって、分子のジエトキシシラン部は基本のＯＳＧ構造体を形成し、かさばったフェニル置換基は光吸収化学種となる。網状組織形成に役立つＳｉ種に光吸収剤を結合させることは、蒸着処理間に、膜中への光吸収剤のより高い効率の組込みを達成する上で有利であることが可能である。さらに、蒸着処理の間にプラズマ中で壊れることがありえる結合がＳｉ−炭素結合であるので、ジフェニル−ジエトキシシラン中などの前駆体中の一つのＳｉに結合された二つの光吸収剤、または１，４−ビス（ジエトキシシリル）シクロヘクス−２，５−ジエン中などの一つの光吸収剤に結合される二つのＳｉ’ｓを有することも、また、有利であることが可能である。このように、プラズマ中の一つのＳｉ−光吸収剤結合の反応は、なお、光吸収特性の蒸着膜中への組込みをもたらす。
以下は、光吸収能力を有するＳｉ系前駆体の非限定例である。以下の例において、光吸収機能は１以上のＲ1、Ｒ3またはＲ7の寄与による。
ａ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数であることが可能である式（ＯＳｉＲ1Ｒ3）ｘで表される環式シロキサン（例：１−ネオヘキシル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン）；
ｂ）式中、Ｒ1が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜４であり、およびｐが０〜４であるＲ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）4-(n+p)Ｓｉ（例：ジメチルアミノ−ｔ−ブトキシ−ネオ−ヘキシルシラン、およびジエトキシ−ネオ−ヘキシルシラン）；
ｃ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｑが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q（例：１，３−ジエチルアミノ−１，３−ジ−ｔ−ブトキシ−１−ネオヘキシルジシロキサン、および１，３−ジエトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン）；
ｄ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｑが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q（例：１，２−ジプロピルアミノ−１，２−ジ−ｔ−ブトキシ−１−ネオヘキシルジシラン、および１，２−ジエトキシ−１−ネオ−ヘキシルジシラン）；
ｅ）式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ａ、ｂ、およびｃが０〜２であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝２、およびｘが２〜８のあらゆる整数である式（ＯＳｉ（Ｒ1）a（ＯＲ2）b（ＮＲ3）cｘで表される環式シロキサン（例：１，４−ビス（ジメトキシシリル）シクロヘキサン）；
ｆ）式中、少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜４であり、およびｐが０〜４であるＲ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）4-(n+p)Ｓｉ；
ｇ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q；
ｈ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q；
ｉ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1、Ｒ3およびＲ7の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、あるいは、Ｒ7がアミンまたは有機アミン基であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−Ｒ7−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q；
ｊ）式中、ｎ＋ｐ≦４、および少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜４である（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＣＨ4-t；
ｋ）式中、ｎ＋ｐ≦４、および少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜３である（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＮＨ3-t；
ｌ）式中、Ｒ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、およびｘが２〜８のあらゆる整数である式（ＯＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式シロキサン；
ｍ）式中、Ｒ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、およびｘが２〜８のあらゆる整数である式（ＮＲ1ＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式シラザン；または
ｎ）式中、Ｒ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、およびｘが２〜８のあらゆる整数である式（ＣＲ1Ｒ3ＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式カルボシラン；
ｏ）式中、少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜４であり、およびｐが０〜４であるＲ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）4-(n+p)Ｓｉ；
ｐ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q；
ｑ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q；
ｒ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1、Ｒ3およびＲ7の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、あるいは、Ｒ7がアミンまたは有機アミン基であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−Ｒ7−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q；
ｓ）式中、ｎ＋ｐ≦４、および少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜４であり、ｐが０〜４であり、およびｔが１〜４である（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＣＨ4-t；
ｔ）式中、ｎ＋ｐ≦４、および少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜３である（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＮＨ3-t；
ｕ）式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８のあらゆる整数であり、ａ、ｂ、およびｃが０〜２であり、およびａ＋ｂ＋ｃ＝２である式（ＯＳｉ（Ｒ1）a（ＯＲ2）b（ＮＲ3）c）ｘで表される環式シロキサン；
ｖ）式中、Ｒ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８のあらゆる整数であり、ａ、ｂ、およびｃが０〜２であり、およびａ＋ｂ＋ｃ＝２である式（ＮＲ1Ｓｉ（Ｒ1）a（ＯＲ2）b（ＮＲ3）c）ｘで表される環式シラザン；および
ｗ）式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８のあらゆる整数であり、ｂおよびｃが０〜２であり、およびｂ＋ｃ＝２である式（ＣＲ1Ｒ3Ｓｉ（ＯＲ2）b（ＮＲ3）c）ｘで表される環式カルボシラン。
Ｒ1、Ｒ3およびＲ7の少なくとも一つが、光吸収剤として機能するためにＣ3以上の炭化水素を有することは好ましく、任意の後処理工程は少なくとも一部の光吸収剤を改質するために用いることが可能である。本発明の一部の好ましい実施形態において、上記式中の各Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、およびＲ7は、水素またはＣ5〜Ｃ7炭化水素基である。
上記前駆体は、他のこれらと同じクラスの分子、および／またはｎおよび／またはｍが０〜３である場合を除いて同じクラスの分子と混合することが可能である。
すべての上述の実施形態において、炭化水素（すなわち、光吸収成分）は、実質的に反射防止膜から除去されない。本明細書において用いられる字句「実質的に反射防止膜から除去されない」は、炭化水素からの炭素種が皮膜に反射防止性を付与することに参画するために存在することが望まれる場合の本発明の態様を指す。従って、一部の炭素は反射防止層１０４が蒸着した後に一定の処理条件の結果として付随的に除去されることが可能であるけれども、炭素は要求される波長で光を吸収するために皮膜中に実質的に存在する。
本発明の好ましい実施形態において、反射防止膜１０４は、光吸収性だけでなく、また、例えば、有機高分子反射防止材料に対して、改善されたエッチング抵抗、構造健全性、機械的性質、熱安定性、および耐化学性（酸素、水性酸化環境、などに対する）を有する薄膜である。
本発明の好ましい実施形態において、反射防止膜１０４は（ａ）約１〜約３５原子％のシリコン、（ｂ）約１〜約４０原子％の酸素、（ｃ）約１０〜約５０原子％の水素、および（ｄ）約５〜約８０原子％の炭素を含む。膜は、また、１以上の材料特性を改善するために、約０．１〜５０原子％の窒素、および／または０．１〜約１５原子％のフッ素を含有することが可能である。より少ない他の元素部分は、また、本発明の一部の膜中に存在することが可能である。本発明の膜は、従って、無機基の組込みにより提供される構造健全性および膜特性を欠く有機反射防止材料とは対照的に複合材料である。
本発明の反射防止膜は、膜蒸着の間での酸化剤の使用を必要としない。有機基を酸化することができるであろう部分（例えば、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、オゾン、過酸化水素、ＮＯ、ＮＯ2、Ｎ2Ｏ4、またはそれらの混合物）として、本発明のため定義されるガス相への添加酸化剤の不在は、膜中の望ましい光吸収性化学種の保持を容易にすることが可能である。これは、光吸収率およびエッチング抵抗などの望ましい特性を提供するために必要な望ましい量の炭素の組込みを可能とする。
本発明の反射防止膜は、また、有機（Ｃ−Ｆn）または無機フッ素（例えば、Ｓｉ−Ｆ）の形態でフッ素を含有することも可能である。
本発明の反射防止膜は、電子素子を製造するために用いられる種々の化学的方法に適合すると共に、シリコン、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＯＳＧ、ＦＳＧ、炭化ケイ素、水素化炭化ケイ素、窒化ケイ素、水素化窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、水素化炭窒化ケイ素、ホウ窒化物、低誘電率材料、フォトレジスト、有機ポリマー、多孔質有機および無機材料、銅およびアルミニウムなどの金属、およびＴｉＮ、Ｔｉ（Ｃ）Ｎ、ＴａＮ、Ｔａ（Ｃ）Ｎ、Ｔａ、Ｗ、ＷＮまたはＷ（Ｃ）Ｎに限定されないがそれらなどの拡散バリア層などの多様な材料に付着することができる。こうした膜は、膜の識別し得る除去が全くない場合に試料が試験を合格したと考えられるＡＳＴＭ・Ｄ３３５９−９５ａテープ引張試験などの従来の引張試験に合格するために十分に、前述材料の少なくとも一つに付着することができる。
厚さは要求に応じて変わることができるが、好ましくは、反射防止膜１０４は、約０．００２〜約１０ミクロンの厚さに蒸着される。非パターン形成表面上に蒸着されるブランケット膜は、例えば、基板の５ｍｍの最外層端面が均一性の統計計算に含まれない合理的な端面排除による基板を挟んでの１標準偏差に対して、２％未満の厚さの変動を有する優れた均一性を有する。
膜の吸収率は、膜に対する化学物質および蒸着条件を変えることにより、ならびに特定用途用に膜特性を調整するための任意の後処理により増大することができる。
前駆体は個別源から別々にまたは混合物として反応器中に入れ込むことができる。前駆体は、好ましくは処理反応器への液体搬送を可能とするために適正な弁および金具を取り付けた加圧可能のステンレス鋼容器を用いる、あらゆる手段により反応系に搬送することができる。
一部の実施形態において、例えば、有機シランおよび／または有機シロキサンおよび／またはアミノシランなどの各種前駆体の混合物は、組み合わせて用いられる。多くの各種光吸収剤の組合せ、および、例えば、結合光吸収剤を有する有機シランおよび／または有機シロキサンおよび／または有機シランおよび／または有機シロキサン種と組み合わせたアミノシランを用いることも、また、本発明の範囲内である。こうした実施形態は、最終製品における光吸収剤対Ｓｉ比を調整することを容易にするか、および／または構造体の１以上の決定的性質を増強する。例えば、光吸収性官能基の主要源としてジエトキシメチルシラン（ＤＥＭＳ）を利用する蒸着は、膜の機械的強度を改善するために、例えば、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）などの追加の有機シリコンを用いることが可能であろう。同様の例は、フェニル基が光吸収剤として前駆体官能基に結合される有機シリコン・フェニルメチルジエトキシシランを用いる反応に添加されるＤＥＭＳの使用であることが可能である。さらなる例は、ジフェニルシランおよび光吸収剤を用いる反応へのジ−ｔ−ブトキシ−ジアセトキシシランの添加であるであろう。一部の実施形態において、２以下のＳｉ−Ｏ結合を有する第１有機シリコン前駆体と３以上のＳｉ−Ｏ結合を有する第２有機シリコン前駆体との混合物は、本発明の膜の化学組成を調整するために提供される。
構造体形成化学種および光吸収化学種に加えて、追加の材料も蒸着反応の前、間および／または後に真空チャンバ中に入れ込むことができる。こうした材料には、例えば、不活性ガス（例えば、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ2、Ｋｒ、Ｘｅ、などで、より少ない揮発性の前駆体のための搬送ガスとして用いることが可能であるか、および／または蒸着時の材料の硬化を促進すると共に、一段と安定した最終膜を提供することができる）、およびガス状または液体有機物質、ＮＨ3、Ｈ2、ＣＯ2、またはＣＯなどの反応物質が挙げられる。ＣＯ2は好ましい搬送ガスである。
ガス状試薬にエネルギーをかけて、ガスが反応することを誘発し、基板上に膜を形成する。こうしたエネルギーは、例えば、熱、プラズマ、パルスプラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、およびリモートプラズマ法により提供することができる。二次ｒｆ周波数源は、基板表面でのプラズマ特性を修正するために用いることができる。好ましくは、膜はプラズマ助長化学蒸着により形成される。１３．５６ＭＨｚ周波数で静電結合プラズマを発生させることは、特に好ましい。プラズマ出力は、基板の表面積に対して、好ましくは０．０２〜７ワット／ｃｍ2、さらに好ましくは０．３〜３ワット／ｃｍ2である。次にＯＳＧ前駆体および光吸収剤中のより少ない分解をもたらすプラズマ中の電子温度をより低くするための低イオン化エネルギーを有する搬送ガスを用いることは、有利であることが可能である。このタイプの低イオン化ガスの例には、ＣＯ2、ＮＨ3、ＣＯ、ＣＨ4、Ａｒ、Ｘｅ，Ｋｒが挙げられる。
各ガス状試薬の流量は、単一の２００ｍｍウエハー当り、好ましくは１０〜５０００ｓｃｃｍ、さらに好ましくは３０〜１０００ｓｃｃｍの範囲にある。個々の流量は、膜中に望ましい量の構造形成体および孔形成体を提供するように選択される。必要とされる実際の流量はウエハーサイズおよびチャンバ構造に応じて決めることが可能であり、決して２００ｍｍウエハーまたは単一ウエハーチャンバに限定されるものではない。
反射防止膜１０４形成後、フォトレジスト層１３０は、例えば、導電層１０１に接触する次に形成される導電層を受け取るためのバイア形成領域を規定するために、その上にパターン形成することができる。フォトレジスト層１３０は、フォトレジスト層をマスキングし、マスキング層を光にさらし、次にフォトレジスト層を現像することなどの従来型のフォトリソグラフィ技術を用いてパターン形成することが可能である。得られる構造体を図１Ｃに示すが、これは半導体素子製造の間に形成される構造体を表し、該構造体は、基板１００上に形成されるパターン形成可能層１０３；パターン形成可能層１０３上に形成される反射防止膜１０４（該反射防止膜１０４は、式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｕ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖが１０〜３５原子％であり、ｗが５〜６５原子％であり、ｘが５〜８０原子％であり、ｕが０〜５０原子％であり、ｙが１０〜５０原子％であり、およびｚが０〜１５原子％である式ＳｉvＯwＣxＮuＨyＦzにより表される）；および反射防止膜１０４上に形成されるフォトレジストパターン１３０（該反射防止膜は、（１）有機シラン、有機シロキサン、およびアミノシランからなる群から選択される少なくとも一つの前駆体；および（２）炭化水素（該炭化水素は実質的に反射防止膜から除去されない）の化学蒸着により形成される）を含む。
フォトレジスト層１３０がパターン形成された後、バイア１０７は、多孔質誘電層１０３を通してエッチング停止層として機能するバリア層１０２までエッチングされる。誘電層を通してのエッチング用の従来型の処理段階、例えば、従来型の異方性ドライエッチング法は、バイアをエッチングするために用いることが可能である。等方性または異方性形成ガスアッシュは、次に、フォトレジストを除去するために適切な温度および圧力で適用することが可能である。図１Ｄに示される構造体を製造するために、バイア洗浄段階が後に続くことが可能である。
バイア１０７がエッチングされた後、反射防止膜１０４の残留部分およびフォトレジスト１３０の残留部分は除去されなければならない。これは、好ましくは、多孔質誘電層１０３のそれよりも有意に高い反射防止膜１０４およびフォトレジスト１３０の除去率を提供する方法を用いることにより達成される。本発明の一部の実施形態において、反射防止膜１０４およびフォトレジスト１３０の残留部分は、それが多孔質誘電層１０３を除去するよりも有意に高い率で反射防止膜１０４およびフォトレジスト１３０の残留部分を除去するドライエッチング法により除去される。
本発明の好ましい実施形態において、用いることが可能であるウェットエッチング化学物質には、例えば、溶媒および／またはストリッパー配合物が挙げられる。溶媒は、例えば、アルコール溶媒、ケトン溶媒、アミド溶媒、またはエステル溶媒であることができる。一部の実施形態において、溶媒は、二酸化炭素、フルオロカーボン、６フッ化硫黄、アルカン、および他の適する多成分組成物、などの超臨界流体であることが可能である。一部の実施形態において、本発明で用いられる１以上の溶媒は、比較的低い沸点、すなわち、１６０℃未満を有する。これらの溶媒には、テトラヒドロフラン、アセトン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、酢酸エチル、およびメチルエチルケトンが挙げられるがそれらに限定されない。本発明において用いることができるが、しかし、１６０℃を超える沸点を有する他の溶媒には、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、エチレン・カーボネート、プロピレン・カーボネート、グリセロールおよび誘導体、ナフタレンおよび置換体、無水酢酸、プロピオン酸および無水プロピオン酸、ジメチルスルホン、ベンゾフェノン、ジフェニルスルホン、フェノール、ｍ−クレゾ−ル、ジメチルスルホキシド、ジフェニルエーテル、およびテルフェニル、などが挙げられる。好ましい溶媒には、プロピレングリコール・プロピルエーテル（ＰＧＰＥ）、３−ヘプタノール、２−メチル−１−ペンタノール、５−メチル−２−ヘキサノール、３−ヘキサノール、２−ヘプタノール、２−ヘキサノール、２，３−ジメチル−３−ペンタノール、プロピレングリコール・メチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、エチレングリコール・ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコール・ｎ−ブチルエーテル（ＰＧＢＥ）、１−ブトキシ−２−プロパノール、２−メチル−３−ペンタノール、２−メトキシエチルアセテート、２−ブトキシエタノール、２−エトキシエチルアセトアセテート、１−ペンタノール、およびプロピレングリコール・メチルエーテルが挙げられる。なおさらに代表的な溶媒には、乳酸塩、ピルビン酸塩、およびジオールが挙げられる。さらなる代表的な溶媒には、ＥＰ第１，１２７，９２９号明細書に一覧されるものが挙げられる。上に列挙される溶媒は、単独でまたは２以上の溶媒と組み合わせて用いることが可能である。
ウェット除去は１以上のストリッパー配合物を用いて行うことができる。これらの配合物は、溶媒系、水系、アミン含有、フッ化物含有、緩衝化またはそれらの組合せであることができる。特定配合物の選択は、除去しようとする多孔質誘電性および多孔質犠牲光吸収性材料の個性に応じて決まる。適するストリッパー配合物の例には、それらの全体が参考のため本明細書において包含され、本出願の譲受人に委譲される、米国交付の米国特許第６，５８３，１０４号明細書、第６，６７７，２８６号明細書、第６，６２７，５４６号明細書、第６，８２８，２８９号明細書および米国公開特許出願第２００４／０２６６６３７号明細書、第２００４／００６３０４２号明細書、第２００３／０１３０１４６号明細書、および第２００３／０１４８９１０号明細書に記載されているものが挙げられる。
本発明の反射防止膜の利益は誘電体をエッチングすることとの関連で実証されてきたけれども、当業者は、本発明の反射防止膜が、例えば、シリコン、アルミニウム、金属、金属酸化物、およびバリア材料などの他の基板をエッチングすることとの関連で用いることができることを理解するであろう。
本発明は以下の実施例に関連してより詳細に説明されるが、しかし、本発明がそれに対して限定されると見なされないことは理解されるべきである。
すべての実験は、非ドープ化ＴＥＯＳプロセスキットを用いて、アドバンス・エネルギー（Ａｄｖａｎｃｅ Ｅｎｅｒｇｙ）２０００ｒｆ発生器を取り付けた２００ｍｍＤｘＺチャンバ中のアプライド・マテリアルズ・プレシジョン（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ）−５０００システム上で行った。手法は以下の基本段階を含んだ：ガス流の初期設定および安定化、蒸着、およびウエハー除去前のチャンバのパージ／排気。厚さ、屈折率、および減衰係数をＳＣＩフィルムテック（Ｆｉｌｍｔｅｋ）２０００反射率計を用いて測定した。
実施例１：ＢＴＢＡＳ（アミノシラン）
ビスｔ−ブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）を用いてＰＥＣＶＤ技術によりシリコンウエハー上に膜を蒸着した。ウエハーを、サセプタ温度１５０℃を有する２００ｍｍアプライド・マテリアルズＤｘＺ・ＰＥＣＶＤチャンバ中で処理した。蒸着条件を表１に要約する。一旦、ＢＴＢＡＳ（２００ｍｇｍ）およびＮ2（７５０ｓｃｃｍ）流量が確立されると、圧力は３．０トールで安定した。次に、１２０秒間にわたりＲＦ出力（１３．５６ＭＨＺ、２００Ｗ）をかけて、ＳｉvＯwＮxＣyＨz膜を蒸着した。蒸着後、シリコンウエハーをＰＥＣＶＤチャンバから除去し、ＮＦ3プラズマを用いてチャンバを洗浄した。ＳｉvＯwＮxＣyＨz膜の膜厚（１９０ｎｍ）および屈折率（１．５３）を、反射率計を用いて測定した。膜の吸収率を、波長範囲２４０〜９５０ｎｍに対して減衰係数をプロットすることにより図２に示す。
Figure 2009117817
 実施例２：ＢＴＢＡＳ−ＮＨ3
ビスｔ−ブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）およびアンモニア（ＮＨ3）を用いてＰＥＣＶＤ技術によりシリコンウエハー上にＳｉvＯwＮxＣyＨz膜を蒸着した。ウエハーを、サセプタ温度１５０℃を有する２００ｍｍアプライド・マテリアルズＤｘＺ・ＰＥＣＶＤチャンバ中で処理した。蒸着条件を上記表１に要約する。一旦、ＢＴＢＡＳ（２００ｍｇｍ）、Ｎ2（５００ｓｃｃｍ）およびＮＨ3（５００ｓｃｃｍ）流量が確立されると、圧力は２．５トールで安定した。次に、３００秒間にわたりＲＦ出力（１３．５６ＭＨＺ、４００Ｗ）をかけて、ＳｉvＯwＮxＣyＨz膜を蒸着した。蒸着後、シリコンウエハーをＰＥＣＶＤチャンバから除去し、ＮＦ3プラズマを用いてチャンバを洗浄した。ＳｉvＯwＮxＣyＨz膜の膜厚（８１６ｎｍ）および屈折率（１．４９）を、反射率計を用いて測定した。膜の吸収率を、波長範囲２４０〜９５０ｎｍに対して減衰係数をプロットすることにより図２に示す。
実施例３：ＤＥＭＳおよびＡＴＲＰ
表２に関して、有機−無機複合材料を、ＰＥＣＶＤを介してシリコンウエハー上に、アルファ−テルピネン（ＡＴＲＰ）およびジエトキシメチルシラン（ＤＥＭＳ）から共蒸着した。例えば、第２ラン、Ａ２に関して、処理条件は５４０ミリグラム／分（ｍｇｍ）流量のＡＴＲＰおよび６０ｍｇｍＤＥＭＳであった。２００ｓｃｃｍのＣＯ2搬送ガス流量を、化学物質を蒸着チャンバ中に送り込むために用いた。さらなる処理条件は以下の通りであった：チャンバ圧力５トール、ウエハーチャック温度４００℃、０．３５インチ間隔のウエハーに対するシャワーヘッド、およびプラズマ出力８００ワット。これらの膜は、図３、３０００ｃｍ−１近くのＦＴ−ＩＲ吸光度により示される有意な炭化水素含量を示した。また、強いＣ＝Ｃ吸光度（〜１６００ｃｍ−１）が見られる。これらの材料は、市販のスピンオン反射防止膜材料に対して図４に示される減衰係数プロフィールを提供した。ＵＶ照射後、測定された屈折率および減衰係数は、一般に、約１．６５から１．７２に増加する。
これらの蒸着条件は、一般的な多孔質ＯＳＧ蒸着用に用いられるものよりも有意に一段と攻撃的である。例えば、本発明による蒸着を、４００℃、５トール、およびｒｆ出力８００Ｗで行った；多孔質ＯＳＧ膜を製造するための一般的な蒸着法は３００℃未満であるであろうし、反応圧力は８〜１０トールであるであろうし、ｒｆ出力は約５００〜６００Ｗであるであろう。本発明の反射防止膜を達成するための反応条件の修正は、プラズマを有意により攻撃的とし、実質的にさらなる処理全体を通して保持される炭素をもたらす。
Figure 2009117817
エッチング速度試験を、３５ｍトール圧力で、２６ｓｃｃｍＣ4Ｆ8、７ｓｃｃｍＯ２、１６８ｓｃｃｍＡｒ、１０００ワットの１３．５６ＭＨｚｒｆ出力、５０ガウスを用いて、ＡＭＡＴ・マーク（Ｍａｒｋ）ＩＩＲＩＥチャンバ中で行った。ＵＶ照射前後の膜に対するエッチング速度は、同じ条件でのＳｉＯ2および多孔質ＯＳＧ（ｋ＝２．５）膜に対する＞３００ｎｍ／分のエッチング速度に較べて、〜１２０ｎｍ／分であった。反射防止膜のＩＲスペクトルは、そのエッチング前スペクトルに較べて、エッチング後も変わらなかった。
図５（膜吸収率を調整）は、いかに膜の吸収特性が処理条件の変化を通して調整することができるかを示す。この実施例において、相対的な電力密度、すなわち化学物質の単位流量当りのｒｆ出力のみが調整されている。このパラメータが、化学物質流量により変わる化学物質に対する滞留時間の変化を考慮に入れてないことに留意すること。出力密度が増大するにつれて、ＵＶ光を吸収するより高い性向を有する材料を示す、減衰係数の線形増加が存在する（＠２４０ｎｍ）。換言すれば、例えば、より高い電力密度などの一段と攻撃的な蒸着条件を用いて、膜中に組み込まれる炭素は処理条件全体を通して保持される。これは、不安定な炭素がそれを除去する意図で膜中に組み込まれるＰＥＣＶＤにより多孔質有機ケイ酸塩ガラス材料を製造するために用いられる方法に対して対照的である。例えば、図６は、一般的に、例えば、有機ケイ酸塩ガラス膜から炭素を除去するために用いられる高出力化ＵＶへの暴露前後の両方で、本発明による反射防止膜（上記Ａ３）のＦＴＩＲスペクトルを示す。アルキル炭素の芳香族炭素への転換およびＣ＝Ｃ構造の保持があることは、図６に見ることができる。ＵＶ照射前の図６に示される膜の誘電率は３．６５であり、ＵＶ照射後の図６に示される膜の誘電率は３．７５であった。これは、たとえあるとしても、膜の炭素含量におけるほんの僅かな変化だけを示す。
本発明は、いくつかの好ましい実施形態に関して述べられてきたが、しかし、本発明の範囲はそれらの実施形態よりも広くあると考えられ、以下のクレームから確認されるべきである。
一定の段階が本発明の一つの実施形態により半導体素子を製造するために用いられた後に生じることが可能である構造体を反映する断面を示す。 一定の段階が本発明の一つの実施形態により半導体素子を製造するために用いられた後に生じることが可能である構造体を反映する断面を示す。 一定の段階が本発明の一つの実施形態により半導体素子を製造するために用いられた後に生じることが可能である構造体を反映する断面を示す。 一定の段階が本発明の一つの実施形態により半導体素子を製造するために用いられた後に生じることが可能である構造体を反映する断面を示す。
本発明による反射防止膜の一つの実施形態の光吸収を示すグラフである。
本発明による反射防止膜用の一連のＦＴＩＲスペクトルを表す。
本発明による反射防止膜の光吸収を示すグラフである。
本発明による反射防止膜の光吸収対ｒｆ出力を示すグラフである。
ＵＶ光への暴露前後での本発明による反射防止膜のＦＴＩＲスペクトルを比較する。

Claims (24)

  1. 基板上に誘電層を形成し、
    誘電層上に反射防止膜を形成し、
    反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成し、
    パターン化フォトレジストを通して誘電層をエッチングし、および
    反射防止膜およびフォトレジストを除去する、
    段階を含む、基板における形体を形成する方法であって、
    該反射防止膜は、式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｕ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖが１〜３５原子％であり、ｗが１〜４０原子％であり、ｘが５〜８０原子％であり、ｕが０〜５０原子％であり、ｙが１０〜５０原子％であり、およびｚが０〜１５原子％である式ＳｉvＯwＣxＮuＨyＦzにより表される膜であると共に、
    該反射防止膜は、（１）有機シラン、有機シロキサン、およびアミノシランからなる群から選択される少なくとも一つの前駆体、および（２）実質的に反射防止膜から除去されない炭化水素を含む組成物の化学蒸着により形成される、
    基板における形体を形成する方法。
  2. 誘電層が多孔質である請求項１に記載の方法。
  3. 反射防止膜がハードマスクである請求項１に記載の方法。
  4. 反射防止膜がアミノシランおよび炭化水素を含む組成物の化学蒸着により形成される請求項１に記載の方法。
  5. アミノシランがビス（ｔ−ブチルアミノ）シランである請求項４に記載の方法。
  6. 炭化水素が少なくとも一つの前駆体から識別される請求項１に記載の方法。
  7. 少なくとも一つの前駆体が以下からなる群から選択される少なくとも一つである請求項６に記載の方法：
    （ａ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜４であり、およびｐが０〜４である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）4-(n+p)Ｓｉ、
    （ｂ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    （ｃ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    （ｄ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ6およびＲ7が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、あるいは、Ｒ7がアミンまたは有機アミン基であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−Ｒ7−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    （ｅ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦４の条件で、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが２〜４である式（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）4-(n+p)Ｓｉ）tＣＨ4-t、
    （ｆ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦４の条件で、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜３である式（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）4-(n+p)Ｓｉ）tＮＨ3-t、
    （ｇ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数である式（ＯＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式シロキサン、
    （ｈ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数である式（ＮＲ1ＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式シラザン、
    （ｉ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数である式（ＣＲ1Ｒ3ＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式カルボシラン、
    （ｋ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）4-(n+p)Ｓｉ、
    （ｌ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    （ｍ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    （ｎ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ6およびＲ7が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、あるいは、Ｒ7がアミンまたは有機アミン基であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−Ｒ7−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    （ｏ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦４の条件で、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜４である式（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｎ Ｒ3）4-(n+p)Ｓｉ）tＣＨ4-t、
    （ｐ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦４の条件で、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜３である式（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）4-(n+p)Ｓｉ）tＮＨ3-t。
  8. 少なくとも一つの前駆体が、ジエトキシメチルシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、メチルアセトキシ−ｔ−ブトキシシラン、１，３−ジメチル−１，３−ジエトキシジシロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジアセトキシジシロキサン、１，３−ジメチル−１−アセトキシ−３−エトキシジシロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジアセトキシ−１，３−ジエトキシジシロキサン、１，２−ジメチル−１，１，２，２−テトラエトキシジシラン、１，２−ジメチル−１，１，２，２−テトラアセトキシジシラン、１，２−ジメチル−１−アセトキシ−２−エトキシジシラン、１，２−ジメチル−１，２−ジアセトキシ−１，２−ジエトキシジシラン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、およびオクタメチルシクロテトラシロキサンからなる群から選択される少なくとも一つである請求項７に記載の方法。
  9. 炭化水素が、シクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、１−メチル−４（１−メチルエチル）シクロヘキサン、シクロオクタン、メチルシクロオクタン、シクロオクテン、シクロオクタジエン、シクロヘプテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、および１，５，９−シクロドデカトリエン、エチレン、プロピレン、アセチレン、ネオヘキサン、シクロヘキセン、ビニルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキセン、ｔ−ブチルシクロヘキセン、アルファ−テルピネン、ピネン、１，５−ジメチル−１，５−シクロオクタジエン、ビニルシクロヘキセン、ノルボルナン、スピロノナン、デカヒドロナフタレン、カンフェン、ノルボルネン、ノルボルナジエン、およびアダマンタンからなる群から選択される少なくとも一つである請求項７に記載の方法。
  10. 炭化水素および少なくとも一つの前駆体が同じ分子である請求項１に記載の方法。
  11. 少なくとも一つの前駆体が以下からなる群から選択される少なくとも一つである請求項１０に記載の方法：
    ａ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数である式（ＯＳｉＲ1Ｒ3）ｘで表される環式シロキサン、
    ｂ）式中、Ｒ1が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜４であり、およびｐが０〜４であるＲ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）4-(n+p)Ｓｉ、
    ｃ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｑが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    ｄ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｑが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    ｅ）式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ａ、ｂ、およびｃが０〜２であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝２、およびｘが２〜８の整数である式（ＯＳｉ（Ｒ1）a（ＯＲ2）b（ＮＲ3）cｘで表される環式シロキサン、
    ｆ）式中、少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜４であり、およびｐが０〜４であるＲ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）4-(n+p)Ｓｉ、
    ｇ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    ｈ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    ｉ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1、Ｒ3およびＲ7の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、あるいは、Ｒ7がアミンまたは有機アミン基であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−Ｒ7−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    ｊ）式中、ｎ＋ｐ≦４、および少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜４である（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＣＨ4-t、
    ｋ）式中、ｎ＋ｐ≦４、および少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜３である（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＮＨ3-t、
    ｌ）式中、Ｒ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、およびｘが２〜８のあらゆる整数である式（ＯＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式シロキサン、
    ｍ）式中、Ｒ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、およびｘが２〜８のあらゆる整数である式（ＮＲ1ＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式シラザン、
    ｎ）式中、Ｒ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、およびｘが２〜８のあらゆる整数である式（ＣＲ1Ｒ3ＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式カルボシラン、
    ｏ）式中、少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜４であり、およびｐが０〜４である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）4-(n+p)Ｓｉ、
    ｐ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    ｑ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    ｒ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1、Ｒ3およびＲ7の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、あるいは、Ｒ7がアミンまたは有機アミン基であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−Ｒ7−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    ｓ）式中、ｎ＋ｐ≦４、および少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜４であり、ｐが０〜４であり、およびｔが１〜４である式（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＣＨ4-t、
    ｔ）式中、ｎ＋ｐ≦４、および少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜３である式（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＮＨ3-t、
    ｕ）式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数であり、ａ、ｂ、およびｃが０〜２であり、およびａ＋ｂ＋ｃ＝２である式（ＯＳｉ（Ｒ1）a（ＯＲ2）b（ＮＲ3）c）ｘで表される環式シロキサン、
    ｖ）式中、Ｒ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数であり、ａ、ｂ、およびｃが０〜２であり、およびａ＋ｂ＋ｃ＝２である式（ＮＲ1Ｓｉ（Ｒ1）a（ＯＲ2）b（ＮＲ3）c）ｘで表される環式シラザン、および
    ｗ）式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数であり、ｂおよびｃが０〜２であり、およびｂ＋ｃ＝２である式（ＣＲ1Ｒ3Ｓｉ（ＯＲ2）b（ＮＲ3）c）ｘで表される環式カルボシラン。
  12. 少なくとも一つの前駆体が、１−ネオヘキシル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、ジメチルアミノ−ｔ−ブトキシ−ネオ−ヘキシルシラン、ジエトキシ−ネオ−ヘキシルシラン、１，３−ジエチルアミノ−１，３−ジ−ｔ−ブトキシ−１−ネオヘキシルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，２−ジプロピルアミノ−１，２−ジ−ｔ−ブトキシ−１−ネオヘキシルジシラン、１，２−ジエトキシ−１−ネオ−ヘキシルジシラン、および１，４−ビス（ジメトキシシリル）シクロヘキサンからなる群から選択される少なくとも一つである請求項１１に記載の方法。
  13. 半導体素子の製造の間に形成される構造体であって、該構造体は以下：
    基板上に形成されるパターン化可能層、
    式中、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｕ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖが１〜３５原子％であり、ｗが１〜４０原子％であり、ｘが５〜８０原子％であり、ｕが０〜５０原子％であり、ｙが１０〜５０原子％であり、およびｚが０〜１５原子％である式ＳｉvＯwＣxＮuＨyＦzにより表される、パターン化可能層上に形成される反射防止膜、および
    反射防止膜上に形成されるフォトレジストパターン、を含み、
    ここで該反射防止膜は、（１）有機シラン、有機シロキサン、およびアミノシランからなる群から選択される少なくとも一つの前駆体、および（２）実質的に反射防止膜から除去されない炭化水素の化学蒸着により形成される、構造体。
  14. 誘電層が多孔質である請求項１３に記載の構造体。
  15. 反射防止膜がハードマスクである請求項１３に記載の構造体。
  16. 反射防止膜がアミノシランおよび炭化水素を含む組成物の化学蒸着により形成される請求項１３に記載の構造体。
  17. アミノシランがビス（ｔ−ブチルアミノ）シランである請求項１６に記載の構造体。
  18. 炭化水素が少なくとも一つの前駆体と識別される請求項１３に記載の構造体。
  19. 少なくとも一つの前駆体が以下からなる群から選択される少なくとも一つである請求項１８に記載の構造体：
    （ａ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜４であり、およびｐが０〜４である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）4-(n+p)Ｓｉ、
    （ｂ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    （ｃ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    （ｄ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ6およびＲ7が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、あるいは、Ｒ7がアミンまたは有機アミン基であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−Ｒ7−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    （ｅ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦４の条件で、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが２〜４である式（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＣＨ4-t、
    （ｆ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦４の条件で、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜３である式（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＮＨ3-t、
    （ｇ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数である式（ＯＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式シロキサン、
    （ｈ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数である式（ＮＲ1ＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式シラザン、
    （ｉ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数である式（ＣＲ1Ｒ3ＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式カルボシラン、
    （ｋ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）4-(n+p)Ｓｉ、
    （ｌ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    （ｍ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    （ｎ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ6およびＲ7が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、あるいは、Ｒ7がアミンまたは有機アミン基であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦３およびｍ＋ｑ≦３の条件で、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−Ｒ7−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    （ｏ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦４の条件で、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜４である式（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＣＨ4-t、
    （ｐ）式中、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ4直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ6直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎ＋ｐ≦４の条件で、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜３である式（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＮＨ3-t。
  20. 少なくとも一つの前駆体が、ジエトキシメチルシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、メチルアセトキシ−ｔ−ブトキシシラン、１，３−ジメチル−１，３−ジエトキシジシロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジアセトキシジシロキサン、１，３−ジメチル−１−アセトキシ−３−エトキシジシロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジアセトキシ−１，３−ジエトキシジシロキサン、１，２−ジメチル−１，１，２，２−テトラエトキシジシラン、１，２−ジメチル−１，１，２，２−テトラアセトキシジシラン、１，２−ジメチル−１−アセトキシ−２−エトキシジシラン、１，２−ジメチル−１，２−ジアセトキシ−１，２−ジエトキシジシラン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、およびオクタメチルシクロテトラシロキサンからなる群から選択される少なくとも一つである請求項１９に記載の構造体。
  21. 炭化水素が、シクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、１−メチル−４（１−メチルエチル）シクロヘキサン、シクロオクタン、メチルシクロオクタン、シクロオクテン、シクロオクタジエン、シクロヘプテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、および１，５，９−シクロドデカトリエン、エチレン、プロピレン、アセチレン、ネオヘキサン、シクロヘキセン、ビニルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキセン、ｔ−ブチルシクロヘキセン、アルファ−テルピネン、ピネン、１，５−ジメチル−１，５−シクロオクタジエン、ビニルシクロヘキセン、ノルボルナン、スピロノナン、デカヒドロナフタレン、カンフェン、ノルボルネン、ノルボルナジエン、およびアダマンタンからなる群から選択される少なくとも一つである請求項２０に記載の構造体。
  22. 炭化水素および少なくとも一つの前駆体が同じ分子である請求項１３に記載の構造体。
  23. 少なくとも一つの前駆体が以下からなる群から選択される少なくとも一つである請求項２２に記載の構造体：
    ａ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数である式（ＯＳｉＲ1Ｒ3）ｘで表される環式シロキサン、
    ｂ）式中、Ｒ1が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜４であり、およびｐが０〜４であるＲ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）4-(n+p)Ｓｉ、
    ｃ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｑが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    ｄ）式中、Ｒ1およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ4およびＲ5が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｑが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    ｅ）式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が独立にＨ、Ｃ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ａ、ｂ、およびｃが０〜２であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝２、およびｘが２〜８の整数である式（ＯＳｉ（Ｒ1）a（ＯＲ2）b（ＮＲ3）cｘで表される環式シロキサン、
    ｆ）式中、少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜４であり、およびｐが０〜４であるＲ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）4-(n+p)Ｓｉ、
    ｇ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    ｈ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    ｉ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1、Ｒ3およびＲ7の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、あるいは、Ｒ7がアミンまたは有機アミン基であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３であるＲ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ4）3-n-pＳｉ−Ｒ7−ＳｉＲ3 m（Ｏ（Ｏ）ＣＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    ｊ）式中、ｎ＋ｐ≦４、および少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜４である（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＣＨ4-t、
    ｋ）式中、ｎ＋ｐ≦４、および少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜３である（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（Ｏ（Ｏ）ＣＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＮＨ3-t、
    ｌ）式中、Ｒ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、およびｘが２〜８のあらゆる整数である式（ＯＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式シロキサン、
    ｍ）式中、Ｒ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、およびｘが２〜８のあらゆる整数である式（ＮＲ1ＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式シラザン、
    ｎ）式中、Ｒ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、およびｘが２〜８のあらゆる整数である式（ＣＲ1Ｒ3ＳｉＲ1Ｒ3）xで表される環式カルボシラン、
    ｏ）式中、少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜４であり、およびｐが０〜４である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）4-(n+p)Ｓｉ、
    ｐ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−Ｏ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    ｑ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    ｒ）式中、ｎ＋ｐ≦３、ｍ＋ｑ≦３、およびＲ1、Ｒ3およびＲ7の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、あるいは、Ｒ7がアミンまたは有機アミン基であり、ｎが０〜３であり、ｍが０〜３であり、ｑが０〜３であり、およびｐが０〜３である式Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ4）3-n-pＳｉ−Ｒ7−ＳｉＲ3 m（ＮＲ5）q（ＯＲ6）3-m-q、
    ｓ）式中、ｎ＋ｐ≦４、および少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜４であり、ｐが０〜４であり、およびｔが１〜４である式（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＣＨ4-t、
    ｔ）式中、ｎ＋ｐ≦４、および少なくとも一つのＲ1がＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、Ｒ2およびＲ3が独立にＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、芳香族、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｎが０〜３であり、ｐが０〜３であり、およびｔが１〜３である式（Ｒ1 n（ＯＲ2）p（ＮＲ3）3-(n+p)Ｓｉ）tＮＨ3-t、
    ｕ）式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数であり、ａ、ｂ、およびｃが０〜２であり、およびａ＋ｂ＋ｃ＝２である式（ＯＳｉ（Ｒ1）a（ＯＲ2）b（ＮＲ3）c）ｘで表される環式シロキサン、
    ｖ）式中、Ｒ1およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数であり、ａ、ｂ、およびｃが０〜２であり、およびａ＋ｂ＋ｃ＝２である式（ＮＲ1Ｓｉ（Ｒ1）a（ＯＲ2）b（ＮＲ3）c）ｘで表される環式シラザン、および
    ｗ）式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の少なくとも一つがＣ3以上の炭化水素により置換されるという条件で、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が独立にＨまたはＣ1〜Ｃ12直鎖または分岐鎖、飽和、単一または多不飽和、環式、部分的または完全なフッ素化炭化水素であり、ｘが２〜８の整数であり、ｂおよびｃが０〜２であり、およびｂ＋ｃ＝２である式（ＣＲ1Ｒ3Ｓｉ（ＯＲ2）b（ＮＲ3）c）ｘで表される環式カルボシラン。
  24. 少なくとも一つの前駆体が、１−ネオヘキシル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、ジメチルアミノ−ｔ−ブトキシ−ネオ−ヘキシルシラン、ジエトキシ−ネオ−ヘキシルシラン、１，３−ジエチルアミノ−１，３−ジ−ｔ−ブトキシ−１−ネオヘキシルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，２−ジプロピルアミノ−１，２−ジ−ｔ−ブトキシ−１−ネオヘキシルジシラン、１，２−ジエトキシ−１−ネオ−ヘキシルジシラン、および１，４−ビス（ジメトキシシリル）シクロヘキサンからなる群から選択される少なくとも一つである請求項２３に記載の構造体。
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