JP5592327B2 - 誘電体膜の材料特性を高めるための活性化学的方法 - Google Patents
誘電体膜の材料特性を高めるための活性化学的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5592327B2 JP5592327B2 JP2011213741A JP2011213741A JP5592327B2 JP 5592327 B2 JP5592327 B2 JP 5592327B2 JP 2011213741 A JP2011213741 A JP 2011213741A JP 2011213741 A JP2011213741 A JP 2011213741A JP 5592327 B2 JP5592327 B2 JP 5592327B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- dielectric constant
- layer
- dielectric material
- bis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02203—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being porous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
- H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Description
この出願は、35U.S.C.§119(e)の下、先に出願された2007年2月15日付米国特許出願公開第60/890、137号の明細書の優先権を主張し、それらの開示は、参照により本明細書中に全体を取り込む。
本明細書中で使用される場合、“層”または“該層”の語は、誘電体材料を示すので、パターン化されているかまたはいないかに係らず、誘電体材料の少なくとも1つの層の少なくとも一部分を意味する。
R7が−(CH2)n−によって表される化合物の具体例は、ビス(トリメトキシシリル)メタン、ビス(トリエトキシシリル)メタン、ビス(トリフェノキシシリル)メタン、ビス(ジメトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジメトキシフェニルシリル)メタン、ビス(ジエトキシフェニルシリル)メタン、ビス(メトキシジメチルシリル)メタン、ビス(エトキシジメチルシリル)メタン、ビス(メトキシジフェニルシリル)メタン、ビス(エトキシジフェニルシリル)メタン、1、2−ビス(トリメトキシシリル)エタン、1、2−ビス(トリエトキシシリル)エタン、1、2−ビス(トリフェノキシシリル)エタン、1、2−ビス(ジメトキシメチルシリル)エタン、1、2−ビス(ジエトキシメチルシリル)エタン、1、2−ビス(ジメトキシフェニルシリル)エタン、1、2−ビス(ジエトキシフェニルシリル)エタン、1、2−ビス(メトキシジメチルシリル)エタン、1、2−ビス(エトキシジメチルシリル)エタン、1、2−ビス(メトキシジフェニルシリル)エタン、1、2−ビス(エトキシジフェニルシリル)エタン、1、3−ビス(トリメトキシシリル)プロパン、1、3−ビス(トリエトキシシリル)プロパン、1、3−ビス(トリフェノキシシリル)プロパン、1、3−ビス(ジメトキシメチルシリル)プロパン、1、3−ビス(ジエトキシメチルシリル)プロパン、1、3−ビス(ジメトキシフェニルシリル)プロパン、1、3−ビス(ジエトキシフェニルシリル)プロパン、1、3−ビス(メトキシジメチルシリル)プロパン、1、3−ビス(エトキシジメチルシリル)プロパン、1、3−ビス(メトキシジフェニルシリル)プロパン、および1、3−ビス(エトキシジフェニルシリル)プロパンを含む。これらの中で好ましい化合物は、ビス(トリメトキシシリル)メタン、ビス(トリエトキシシリル)メタン、ビス(ジメトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジメトキシフェニルシリル)メタン、ビス(ジエトキシフェニルシリル)メタン、ビス(メトキシジメチルシリル)メタン、ビス(エトキシジメチルシリル)メタン、ビス(メトキシジフェニルシリル)メタン、およびビス(エトキシジフェニルシリル)メタンである。
UV硬化(ガス相)
PDEMS(商標)2.5ATRP膜(DEMS(商標)およびポロゲンから調製されたCVD誘電体膜)をエッチ、アッシング、および湿式洗浄工程で損傷させ、炭素を膜から取り除いて、膜の誘電率を2.57(第1の誘電率)から2.87(第2の誘電率)(膜厚さ2791Å、RI=1.385)まで上昇させた。サンプルを、400℃、真空の第1の真空のチャンバーに、5分間入れた。ウェハーを冷却後、ウェハーを45℃の第2の真空のチャンバーに移した。チャンバーを、12トールまで、ジエトキシメチルシラン(担体なし)で加圧した。試薬の孔系への拡散を補助するために、サンプルを試薬蒸気と2〜3分間平衡にさせた。ウェハーを次に、広帯域スイープUV源(H+電球を有するフュージョンI−600ランプ)を備えた300℃の第3の真空のチャンバーに移した。サンプルを、紫外線照射に1分間曝した。サンプルを、チャンバーから取り除いた。膜の誘電率は、2.61(第3の誘電率)(膜厚さ2758Å、RI=1.367)まで低下した。PE−CVD膜、例えば、DEMS(商標)の堆積に使用可能である同一の前駆体は、膜内に吸着され次にDEMS(商標)分子を活性化でき、一体化処理によって導入されたPDEMS(商標)ネットワーク中の欠陥と相互作用する。
UV硬化(液相)
2−ヘキサノン中ヘプタメチルジシラザンの10wt%溶液を、ポリプロピレン瓶中で混合した。PDEMS(商標)2.5ATRP膜(DEMS(商標)およびポロゲンから調製されたCVD誘電体膜)を、エッチ、アッシング、および湿式洗浄工程で損傷させ、炭素を膜から除いて、膜の誘電率を2.53(第1の誘電率)から2.8(第2の誘電率)(膜厚さ3322Å、RI=1.338)に上昇させた。この膜の一片をスピンコーターの上に置いた。約3mlの溶液を膜の上に置いた。スピン乾燥で修復試薬が除去される前に、試薬は膜と90秒接触した。サンプルを、広帯域スイープUV源を備えた300℃の真空のチャンバーに移した。サンプルを、100%出力のUV光に1分間曝した。処理後、膜の誘電率は、2.46(第3の誘電率)(膜厚さ3215Å、RI=1.346)であった。この例は、試薬、例えば、シラザンの選択が膜の誘電率を100%まで回復させるのに効果的であることを示す。例1および例2の組み合わせは、UV工程が誘電特性の回復のために、ガスおよび液相工程の両者で可能であることを具体的に示す。
プラズマ処理
PDEMS(商標)2.5ATRP膜(DEMS(商標)とポロゲンから調製されたCVD誘電体膜)を、エッチ、アッシング、および湿式洗浄工程で損傷させ、炭素を膜から除いて、誘電率を2.57(第1の誘電率)から2.87(第2の誘電率)(膜厚さ2791Å、RI=1.385)まで上昇させた。サンプルを400℃の第1の真空のチャンバーにとり、そして5分間真空にした。ウェハーを冷ました後で、ウェハーを、45℃の第2の真空のチャンバーに移した。チャンバーを、ジエトキシメチルシラン(担体なし)で15トールまで加圧した。サンプルを、孔系への試薬の拡散を補助するために、試薬蒸気と2〜3分間平衡にさせた。ジエトキシメチルシランを、チャンバーの外に排出させ、そして200mg/分のジエトキシメチルシランの流れを開始させた。流れが一旦安定化すると、プラズマ(75ワット)を10秒間当てた。プラズマステップの完了時に、チャンバーのポンプを止めそしてサンプルを取り出した。膜の誘電率は、2.8(第3の誘電率)(膜厚さ2820Å、RI=1.386)まで低下した。プラズマ工程は、また化学的種を活性化できるが、プラズマ工程からの活性化学的種は、損傷した多孔性膜の誘電率を回復できない。
プラズマ+UV(ガス相)
PDEMS(商標)2.5ATRP膜(DEMS(商標)とポロゲンから調製されたCVD誘電体膜)を、エッチ、アッシング、および湿式洗浄工程で損傷させ、炭素を膜から除いて、誘電率を2.57(第1の誘電率)から2.87(第2の誘電率)(膜厚さ2791Å、RI=1.385)まで上昇させた。サンプルを400℃、真空下の第1のチャンバー5分間入れた。ウェハーを冷ました後で、ウェハーを、250℃の第2の真空のチャンバーに移した。チャンバーを、ジエトキシメチルシラン(担体なし)で18トールまで加圧した。サンプルを、孔系への試薬の拡散を補助するために試薬蒸気と2〜3分間平衡にさせた。ジエトキシメチルシランを、チャンバーの外に排出させ、そして200mg/分のジエトキシメチルシランのフローを開始させた。フローが一旦安定化すると、プラズマ(75ワット)を10秒間当てた。プラズマステップの完了時に、チャンバーのポンプを止めた。サンプルを、広帯域スイープUV源を備えた300℃の第3の真空のチャンバーに移した。サンプルを、100%出力UV光に1分間曝した。サンプルをチャンバーから取り出した。膜の誘電率は、2.63(第3の誘電率)(膜厚さ2790Å、RI=1.368)まで低下した。プラズマ工程からの化学的活性工程と、UV光を使用した硬化の組み合わせを使用すると、膜の誘電率を充分に回復させることができる。2つの工程の組み合わせなしでは、初期の損傷していない膜特性を充分に回復させることはできない。
溶媒中でのシリル化剤の濃度および誘電率回復の効果
ケイ素含有流体の適用は、ブランケット膜またはパターン化された構造のいずれかと接触できるため、デバイスメーカーは、シリカ含有流体を適用した後で、洗浄ステップを使用したくない場合がある。パターン化された構造の典型的な湿式化学的クリーニングにおいて、ウェハー上に残るエッチおよびアッシング工程からのあらゆる残留する試薬および/または破片を除去するために、基材を多量の水で洗浄する。新しい工程を保有するコストを低下させるために、任意の処理ステップを除くことは、資金および汚染への潜在性を節約するであろう。ケイ素含有流体中でシリル化剤の濃度を最適化できる場合、洗浄ステップの工程を除くことができる場合がある。下記表1中のものより高い濃度は、またCH3−Si結合の取り込みおよび誘電率の回復に有益である可能性があるため、この例は上限を決めることを意図しない。
表1
PDEMS(商標)2.5ATRP膜(DEMS(商標)とポロゲンから調製されたCVD誘電体膜)を、エッチ、アッシング、および湿式洗浄工程で損傷させ、炭素を膜から除いて、膜の誘電率を2.50(第1の誘電率)から2.99(第2の誘電率)(膜厚さ4468Å、RI=1.391)まで上昇させた。サンプルを、400℃、真空下の第1の真空のチャンバーに5分間入れた。
この例では、修復剤として種々のシリル化剤および硬化工程の効果を見る。曝露の条件は、300℃、真空下で、UV1分間、または窒素フロー下、熱(400℃)5分間いずれかであった。
表2
損傷した多孔性誘電体ケイ素含有薄膜の修繕の間、トレンチおよびビアを作るために用いられる全ての工程の後で、中間層誘電体膜を修繕することが好ましい。そうした工程は、エッチング、アッシング、および湿式化学的ストリッピング、誘電率の増加および低下した疎水性を起こすもの全てを含む。好ましくは、修復試薬は、また湿式化学的剥離剤に曝した後の膜を乾燥するために使用される、液体または蒸気のいずれかの、水およびアルコール類に曝した後で、表面を修復できる。
表3
修復試薬は、エッチングおよびアッシングで起こるサイドウォールの損傷を修繕するために用いることができる。そうした試薬および工程は、小さい構造に浸透し、孔系に浸透し、膜の組成および電気の特性を修復し、そして構造の臨界寸法の何らかの変化を最小化できなければならないであろう。分子の反応性によって、洗浄溶媒は、パターン化された構造から残留物を除去するために使用されなければならないが、修復試薬がターゲットとする活性な欠陥から試薬を除いてはならないであろう。
表4:
多くのUV硬化チャンバーは、真空にできない、したがって大気圧対真空の効果は、成功する修復工程において重要な因子であることができる。比較として、熱処理を、不活性ガスのパージ下、種々の温度で行って修復試薬が任意の特定の温度で活性化するか否かを見た。
表5
誘電体膜の誘電特性は、集積回路中でトレンチおよびビアを製造するために用いられる多くの工程によって損傷されるので、これらの工程から生じる損傷を修繕することが必要である。多孔性誘電体膜が損傷した場合、表面は次の層の接着を大幅に改善する炭素種の損失により親水性になる。修復試薬を完了させた後、表面は、好ましくは損傷した膜より、さらに疎水性であり、金属バリアーと誘電体層との接着の問題に繋がる。接着の失敗は、銅の誘電体層への浸透、および貧弱なデバイスの信頼性を生じることができる。
表6
広帯域および単色光源を含む膜の化学的修復を活性化できる多くの異なるUV光源がある。この例は、より低い波長、すなわち、185nm以下が、損傷した膜の修復に非常に効果的であることができることを示す。
表7
装置の中断時間および処理の問題は、膜の処理で遅延を生じることができ、したがって硬化前にエージングされるので、膜の効果において変動性がある場合がある。
表8
一旦膜が修繕されると、追加の処理をされる前の時間を延ばすことができる。修復された膜は、クリーンルーム条件下において、可能な限り、電気的におよび組成的に好ましくは安定なままである。膜が安定なままである場合、試薬は、膜内の欠陥に化学結合し、膜が非常に疎水性であり、そして大気水分が修繕された表面と強く相互作用しないことを示唆する。
表9
PDEMS(商標)2.5ATRP膜を、エッチガスに曝露した後、酸化アッシング工程を通して損傷させた。多くの他の工程と同様に、この工程は、典型的には同等以上の屈折率と、膜からの炭素の除去、および膜の誘電率の増加となる。表10中で、“損傷していない”は、UV硬化後だが、任意の追加の処理前のPDEMS(商標)2.5膜(すなわち、第1の誘電率)をいい、そして“損傷した”は、エッチおよびアッシング処理によって損傷した膜(すなわち、第2の誘電率)をいう。
比較のために、熱でそして、広帯域UV源で別々に、膜を硬化させた。熱硬化サンプルを、400℃窒素気流下で5〜10分間硬化させ、UV硬化サンプルを、300℃真空下で1分間硬化させた。硬化後、クリーンルーム環境(40〜45%RH、72華氏度)でサンプルを3日間平衡にさせ、膜に水を再吸収させた。Hgプローブおよび反射率測定法を、リーク電流密度、および絶縁破壊電圧“%回復”として規定される上記の式から計算されるように、誘電体の回復を評価するために使用した。膜を再加熱して電気測定前に、あらゆる吸着水を除いた。接触角は、水の液滴と膜表面との接触角である。
表10
この例は、米国特許出願公開第2006/0057855号明細書に開示された強化剤活性成分、DMDASプラズマ中のガス相のアセトキシシランの使用とUV曝露、およびプラズマとUV曝露とを比較する。
表11
(態様)
(態様1)
第1の誘電率および少なくとも1つの表面を有するケイ素含有誘電体材料の層の誘電率を回復させる方法であって、ケイ素含有誘電体材料の該層の該第1の誘電率が第2の誘電率に増加しており、該方法は、
ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面と、ケイ素含有流体とを接触させるステップ、そして、
ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面を、紫外線照射、熱、および電子ビームからなる群から選択されるエネルギー源に曝すステップ、の各ステップを含み、
ケイ素含有誘電体材料の該層を該エネルギー源に曝した後で、ケイ素含有誘電体材料の該層が、該第2の誘電率より低い第3の誘電率を有する、方法。
(態様2)
該ケイ素含有流体の第2の部分が、ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面と接触を続けるように、該ケイ素含有流体の第1の部分を除去するステップをさら含む態様1の方法であって、該除去ステップが、該接触ステップと、該曝露ステップとの間で起こる方法。
(態様3)
ケイ素含有誘電体材料の該層を、該エネルギー源に曝す前に、ケイ素含有誘電体材料の該層を、低エネルギープラズマ源に曝すステップをさらに含む、態様1の方法。
(態様4)
ケイ素含有誘電体材料の該層が、該プラズマエネルギー源、並びに紫外線照射、熱エネルギー、および電子ビームからなる群から選択される少なくとも1種のエネルギー源に同時に曝される、態様3の方法。
(態様5)
ケイ素含有誘電体材料の該層が紫外線照射、熱エネルギー、および電子ビームからなる群から選択される該少なくとも1種のエネルギー源に曝される前に、ケイ素含有誘電体材料の該層が該プラズマエネルギー源に曝される、態様3の方法。
(態様6)
該エネルギー源が、紫外線照射を含む、態様1の方法。
(態様7)
該エネルギー源が、熱エネルギーをさらに含む、態様6の方法。
(態様8)
該紫外線照射が、単色紫外線照射である、態様6の方法。
(態様9)
該接触ステップが、化学気相堆積工程によって行われる、態様1の方法。
(態様10)
該ケイ素含有流体が、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−n−プロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエトキシメチルシラン、1、1、3、3−テトラメトキシ−1、3−ジメチルジシロキサン、1、1、3、3−テトラエトキシ−1、3−ジメチルジシロキサン、1、1、3、3−テトラメトキシ−1、3−ジフェニルジシロキサン、1、3−ジメトキシ−1、1、3、3−テトラメチルジシロキサン、1、3−ジエトキシ−1、1、3、3−テトラメチルジシロキサン、1、3−ジメトキシ−1、1、3、3−テトラフェニルジシロキサン、1、3−ジエトキシ−1、1、3、3−テトラフェニルジシロキサン、2、2、4、6、6−ペンタメチル−2、4、6−トリシラ−ヘプタン、1−メチル−1−エトキシシラシクロペンタン、1、1、3、3−テトラメチル−1、3−ジシラシクロブタン、1、3−ジメチル−1、3−ジエトキシ−1、3−ジシラシクロブタン、ビス(トリメチルシリルメチル)ベンゼン、(トリデカフルオロ−1、1、2、2−テトラヒドロオクチル)トリエトキシシラン、ビス(ジメトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジメトキシフェニルシリル)メタン、ビス(ジエトキシフェニルシリル)メタン、ビス(メトキシジメチルシリル)メタン、ビス(エトキシジメチルシリル)メタン、ビス(メトキシジフェニルシリル)メタン、ビス(エトキシジフェニルシリル)メタン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、ノナメチルトリシラザン、ジメチルシクロシラザン、アセトキシトリメチルシラン、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、3−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、ビス(ジメチルアミノ)ジメチルシラン、ジメチルアミノトリメチルシラン、アミノメチルトリメチルシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、メチルトリアセトキシシラン、メチルエトキシシラシクロプロパン、ヘキサメチルシラブタン、ジメチルジアセトキシシラン、およびジ−tert−ブトキシジアセトキシシランからなる群から選択される少なくとも1種である、態様9の方法。
(態様11)
該ケイ素含有流体が、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、ノナメチルトリシラザン、ジメチルシクロシラザン、アセトキシトリメチルシラン、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、3−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、ビス(ジメチルアミノ)ジメチルシラン、ジメチルアミノトリメチルシラン、アミノメチルトリメチルシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、デカメチルシクロペンタシラン、ドデカメチルシクロヘキサシラン、2、2、4、6、6−ペンタメチル−2、4、6−トリシラ−ヘプタン、1−メチル−1−エトキシシラシクロペンタン、1、1、3、3−テトラメチル−1、3−ジシラシクロブタン、1、3−ジメチル−1、3−ジエトキシ−1、3−ジシラシクロブタン、ビス(トリメチルシリルメチル)ベンゼン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、および(トリデカフルオロ−1、1、2、2−テトラヒドロオクチル)トリエトキシシランからなる群から選択される少なくとも1種である、態様10の方法。
(態様12)
該ケイ素含有流体が、ジエトキシメチルシラン、ジメチルジアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、ジ−tert−ブトキシジアセトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、およびメチルトリエトキシシランからなる群から選択される少なくとも1種である、態様llの方法。
(態様13)
該ケイ素含有流体が、オクタメチルシクロテトラシロキサンまたはテトラメチルシクロテトラシロキサンの少なくとも一つを含む、態様10の方法。
(態様14)
該ケイ素含有流体が、ジメチルジアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、およびアセトキシトリメチルシランを含む、態様12の方法。
(態様15)
該接触ステップがスピンオン堆積工程によって行われる、態様1の方法。
(態様16)
ケイ素含有誘電体材料の該層が、多孔性である、態様1の方法。
(態様17)
該第1の誘電率が、約1.5〜約3.5であり、該第2の誘電率が該第1の誘電率より約5%〜約200%高く、そして該第3の誘電率が該第2の誘電率に比較して、約10%〜約150%回復する、態様1の方法。
(態様18)
該第1の誘電率が、約1.5〜約2.8である、態様17の方法。
(態様19)
該第1の誘電率が、約1.8〜約2.7である、態様18の方法。
(態様20)
ケイ素含有誘電体材料の該層が、少なくとも400℃の温度に曝した後で、該第3の誘電率の10%以内である誘電率を有する、態様1の方法。
(態様21)
該ケイ素含有流体が、直鎖シラザン、環状シラザン、環状有機シロキサン、有機シロキサン、アルキルアルコキシシラン、アルキルアセトキシシラン、アルキルクロロシラン、カルボシラン、アミノアルキルシラン、アルキルアミノアルキルシラン、およびアミノアルキルアルコキシシランからなる群から選択される少なくとも1種を含む、態様1の方法。
(態様22)
該ケイ素含有流体が、アルキルアセトキシシランを含む、態様21の方法。
(態様23)
第1の誘電率および少なくとも1つの表面を有するケイ素含有誘電体材料の層の誘電率を回復させる方法であって、ケイ素含有誘電体材料の該層の該第1の誘電率が第2の誘電率に増加しており、該方法は、
ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面とケイ素含有流体とを接触させるステップ、
該ケイ素含有流体の第2の部分がケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面と接触を続けるように、該ケイ素含有流体の第1の部分を除去するステップ、そして、
ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面を、紫外線照射および熱エネルギーに曝すステップ、の各ステップを含み、
ケイ素含有誘電体材料の該層を該エネルギー源に曝した後で、ケイ素含有誘電体材料の該層が、該第2の誘電率より低い第3の誘電率を有する、方法。
(態様24)
ケイ素含有誘電体材料の該層を、該エネルギー源に曝す前に、ケイ素含有誘電体材料の該層を、低エネルギープラズマ源に曝すステップをさらに含む、態様23の方法。
(態様25)
該紫外線照射が、単色紫外線照射である、態様23の方法。
(態様26)
該接触ステップを化学気相堆積工程によって行う、態様23の方法。
(態様27)
該ケイ素含有流体が、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−n−プロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエトキシメチルシラン、1、1、3、3−テトラメトキシ−1、3−ジメチルジシロキサン、1、1、3、3−テトラエトキシ−1、3−ジメチルジシロキサン、1、1、3、3−テトラメトキシ−1、3−ジフェニルジシロキサン、1、3−ジメトキシ−1、1、3、3−テトラメチルジシロキサン、1、3−ジエトキシ−1、1、3、3−テトラメチルジシロキサン、1、3−ジメトキシ−1、1、3、3−テトラフェニルジシロキサン、1、3−ジエトキシ−1、1、3、3−テトラフェニルジシロキサン、2、2、4、6、6−ペンタメチル−2、4、6−トリシラ−ヘプタン、1−メチル−1−エトキシシラシクロペンタン、1、1、3、3−テトラメチル−1、3−ジシラシクロブタン、1、3−ジメチル−1、3−ジエトキシ−1、3−ジシラシクロブタン、ビス(トリメチルシリルメチル)ベンゼン、(トリデカフルオロ−1、1、2、2−テトラヒドロオクチル)トリエトキシシラン、ビス(ジメトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジメトキシフェニルシリル)メタン、ビス(ジエトキシフェニルシリル)メタン、ビス(メトキシジメチルシリル)メタン、ビス(エトキシジメチルシリル)メタン、ビス(メトキシジフェニルシリル)メタン、ビス(エトキシジフェニルシリル)メタン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、ノナメチルトリシラザン、ジメチルシクロシラザン、アセトキシトリメチルシラン、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、3−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、ビス(ジメチルアミノ)ジメチルシラン、ジメチルアミノトリメチルシラン、アミノメチルトリメチルシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、メチルトリアセトキシシラン、メチルエトキシシラシクロプロパン、ヘキサメチルシラブタン、ジメチルジアセトキシシラン、およびジ−tert−ブトキシジアセトキシシランからなる群から選択される少なくとも1種である、態様26の方法。
(態様28)
該ケイ素含有流体が、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、ノナメチルトリシラザン、ジメチルシクロシラザン、アセトキシトリメチルシラン、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、3−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、ビス(ジメチルアミノ)ジメチルシラン、ジメチルアミノトリメチルシラン、アミノメチルトリメチルシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、デカメチルシクロペンタシラン、ドデカメチルシクロヘキサシラン、2、2、4、6、6−ペンタメチル−2、4、6−トリシラ−ヘプタン、1−メチル−1−エトキシシラシクロペンタン、1、1、3、3−テトラメチル−1、3−ジシラシクロブタン、1、3−ジメチル−1、3−ジエトキシ−1、3−ジシラシクロブタン、ビス(トリメチルシリルメチル)ベンゼン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、および(トリデカフルオロ−1、1、2、2−テトラヒドロオクチル)トリエトキシシランからなる群から選択される少なくとも1種である、態様27の方法。
(態様29)
該ケイ素含有流体が、ジエトキシメチルシラン、ジメチルジアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、ジ−tert−ブトキシジアセトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、およびメチルトリエトキシシランからなる群から選択される少なくとも1種である、態様28の方法。
(態様30)
該ケイ素含有流体が、アセトキシトリメチルシラン、メチルトリアセトキシシラン、またはジメチルジアセトキシシランの少なくとも1種を含む、態様29の方法。
(態様31)
ケイ素含有誘電体材料の該層が、多孔性である、態様23の方法。
(態様32)
該第1の誘電率が、約1.5〜約3.5であり、該第2の誘電率が、該第1の誘電率より約5%〜約150%高く、そして該第3の誘電率が該第2の誘電率に比較して約10%〜約150%回復する、態様23の方法。
(態様33)
該第1の誘電率が、約1.5〜約2.8である、態様32の方法。
(態様34)
該第1の誘電率が、約1.8〜約2.7である、態様33の方法。
(態様35)
少なくとも400℃の温度に曝した後のケイ素含有誘電体材料の該層が、該第3の誘電率の10%以内である誘電率を有する、態様23の方法。
(態様36)
該ケイ素含有流体が、直鎖シラザン、環状シラザン、環状有機シロキサン、有機シロキサン、アルキルアルコキシシラン、アルキルアセトキシシラン、アルキルクロロシラン、カルボシラン、アミノアルキルシラン、アルキルアミノアルキルシラン、およびアミノアルキルアルコキシシランからなる群から選択される少なくとも1種を含む、態様23の方法。
(態様37)
該ケイ素含有流体が、アルキルアセトキシシランを含む、態様36の方法。
(態様38)
第1の誘電率および少なくとも1つの表面を有するケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の回復方法であって、ケイ素含有誘電体材料の該層の該第1の誘電率が第2の誘電率に増加しており、該方法は、
ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面と、アルキルアルコキシシランを含むケイ素含有流体とを接触させるステップ、
該ケイ素含有流体の第2の部分が、該ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面と接触を続けるように、該ケイ素含有流体の第1の部分を除去するステップ、そして、
ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面を紫外線照射および熱エネルギーに曝すステップ、の各ステップを含み、
ケイ素含有誘電体材料の該層を該エネルギー源に曝した後で、ケイ素含有誘電体材料の該層が、該第2の誘電率より低い第3の誘電率を有する、方法。
(態様39)
該アルキルアルコキシシランが、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキシシラン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、およびトリメチルプロポキシシランからなる群から選択された少なくとも1種である、態様38の方法。
(態様40)
該アルキルアルコキシシランが、メチルトリエトキシシランである、態様39の方法。
(態様41)
該アルキルアルコキシシランが、ジメチルジメトキシシランである、態様39の方法。
(態様42)
ケイ素含有誘電体材料の該層が、多孔性である、態様38の方法。
(態様43)
該第1の誘電率が、約1.5〜約3.5であり、該第2の誘電率が、該第1の誘電率より約5%〜約150%高く、そして該第3の誘電率が、該第2の誘電率に比べて約10%〜約150%回復する、態様42の方法。
(態様44)
該第1の誘電率が、約1.5〜約2.8である、態様43の方法。
(態様45)
該第1の誘電率が、約1.8〜約2.7である、態様44の方法。
(態様46)
少なくとも400℃の温度に曝した後で、ケイ素含有誘電体材料の該層が、該第3の誘電率の10%以内である誘電率を有する、態様38の方法。
Claims (29)
- 第1の誘電率および少なくとも1つの表面を有するケイ素含有誘電体材料の層の誘電率を回復させる方法であって、ケイ素含有誘電体材料の該層の該第1の誘電率が第2の誘電率に増加しており、該方法は、
ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面と、ケイ素含有流体とを接触させるステップ、
洗浄溶媒を用いた洗浄により、ある量の該ケイ素含有流体が、ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面と接触を続けるように、そして該ケイ素含有流体が、孔を塞がず、埋めず、充填せず、または密封せず、かつ該ケイ素含有誘電体材料の上にさらなる層を形成しないように、大部分の該ケイ素含有流体を、除去するステップであって、該除去ステップが、該接触ステップと、曝すステップとの間で起こるステップ、
ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面を、不活性雰囲気中で紫外線照射のエネルギー源およびプラズマエネルギー源に曝すステップ、そして、
該ケイ素含有誘電体材料を、50℃から450℃への温度に少なくとも一回ヒートサイクルするステップ、の各ステップを含み、
ケイ素含有誘電体材料の該層を該エネルギー源に曝した後で、ケイ素含有誘電体材料の該層が、該第2の誘電率より低い第3の誘電率を有し、
ここでケイ素含有誘電体材料の該層が、該プラズマエネルギー源および該紫外線照射に同時に曝される、方法。 - 該紫外線照射が、単色紫外線照射である、請求項1の方法。
- 該接触ステップが、化学気相堆積工程によって行われる、請求項1の方法。
- 該ケイ素含有流体が、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−n−プロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエトキシメチルシラン、1、1、3、3−テトラメトキシ−1、3−ジメチルジシロキサン、1、1、3、3−テトラエトキシ−1、3−ジメチルジシロキサン、1、1、3、3−テトラメトキシ−1、3−ジフェニルジシロキサン、1、3−ジメトキシ−1、1、3、3−テトラメチルジシロキサン、1、3−ジエトキシ−1、1、3、3−テトラメチルジシロキサン、1、3−ジメトキシ−1、1、3、3−テトラフェニルジシロキサン、1、3−ジエトキシ−1、1、3、3−テトラフェニルジシロキサン、2、2、4、6、6−ペンタメチル−2、4、6−トリシラ−ヘプタン、1−メチル−1−エトキシシラシクロペンタン、1、1、3、3−テトラメチル−1、3−ジシラシクロブタン、1、3−ジメチル−1、3−ジエトキシ−1、3−ジシラシクロブタン、ビス(トリメチルシリルメチル)ベンゼン、(トリデカフルオロ−1、1、2、2−テトラヒドロオクチル)トリエトキシシラン、ビス(ジメトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジメトキシフェニルシリル)メタン、ビス(ジエトキシフェニルシリル)メタン、ビス(メトキシジメチルシリル)メタン、ビス(エトキシジメチルシリル)メタン、ビス(メトキシジフェニルシリル)メタン、ビス(エトキシジフェニルシリル)メタン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、ノナメチルトリシラザン、ジメチルシクロシラザン、アセトキシトリメチルシラン、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、3−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、ビス(ジメチルアミノ)ジメチルシラン、ジメチルアミノトリメチルシラン、アミノメチルトリメチルシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、メチルトリアセトキシシラン、メチルエトキシシラシクロプロパン、ヘキサメチルシラブタン、ジメチルジアセトキシシラン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、デカメチルシクロペンタシラン、ドデカメチルシクロヘキサシランおよびジ−tert−ブトキシジアセトキシシランからなる群から選択される少なくとも1種である、請求項3の方法。
- 該接触ステップがスピンオン堆積工程によって行われる、請求項1の方法。
- ケイ素含有誘電体材料の該層が、多孔性である、請求項1の方法。
- 該第1の誘電率が、1.5〜3.5であり、該第2の誘電率が該第1の誘電率より5%〜200%高く、そして該第3の誘電率が該第2の誘電率に比較して、10%〜150%回復する、請求項1の方法。
- 該第1の誘電率が、1.5〜2.8である、請求項7の方法。
- 該第1の誘電率が、1.8〜2.7である、請求項8の方法。
- ケイ素含有誘電体材料の該層が、少なくとも400℃の温度に曝した後で、該第3の誘電率の10%以内である誘電率を有する、請求項1の方法。
- 該ケイ素含有流体が、直鎖シラザン、環状シラザン、環状有機シロキサン、有機シロキサン、アルキルアルコキシシラン、アルキルアセトキシシラン、アルキルクロロシラン、カルボシラン、アミノアルキルシラン、アルキルアミノアルキルシラン、およびアミノアルキルアルコキシシランからなる群から選択される少なくとも1種を含む、請求項1の方法。
- 第1の誘電率および少なくとも1つの表面を有するケイ素含有誘電体材料の層の誘電率を回復させる方法であって、ケイ素含有誘電体材料の該層の該第1の誘電率が第2の誘電率に増加しており、該方法は、
ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面とケイ素含有流体とを接触させるステップ、
洗浄溶媒を用いた洗浄により、ある量の該ケイ素含有流体が、ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面と接触を続けるように、そして該ケイ素含有流体が、孔を塞がず、埋めず、充填せず、または密封せず、かつ該ケイ素含有誘電体材料の上にさらなる層を形成しないように、大部分の該ケイ素含有流体を、除去するステップ、
ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面を、不活性雰囲気中で紫外線照射および熱エネルギーおよびプラズマエネルギー源に曝すステップ、そして、
ケイ素含有誘電体材料の該層を50℃から450℃への温度に少なくとも一回ヒートサイクルするステップ、の各ステップを含み、
ケイ素含有誘電体材料の該層を該エネルギー源に曝した後で、ケイ素含有誘電体材料の該層が、該第2の誘電率より低い第3の誘電率を有し、
ここでケイ素含有誘電体材料の該層が、該プラズマエネルギー源および該紫外線照射に同時に曝される、方法。 - 該紫外線照射が、単色紫外線照射である、請求項12の方法。
- 該接触ステップを化学気相堆積工程によって行う、請求項12の方法。
- 該ケイ素含有流体が、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−n−プロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエトキシメチルシラン、1、1、3、3−テトラメトキシ−1、3−ジメチルジシロキサン、1、1、3、3−テトラエトキシ−1、3−ジメチルジシロキサン、1、1、3、3−テトラメトキシ−1、3−ジフェニルジシロキサン、1、3−ジメトキシ−1、1、3、3−テトラメチルジシロキサン、1、3−ジエトキシ−1、1、3、3−テトラメチルジシロキサン、1、3−ジメトキシ−1、1、3、3−テトラフェニルジシロキサン、1、3−ジエトキシ−1、1、3、3−テトラフェニルジシロキサン、2、2、4、6、6−ペンタメチル−2、4、6−トリシラ−ヘプタン、1−メチル−1−エトキシシラシクロペンタン、1、1、3、3−テトラメチル−1、3−ジシラシクロブタン、1、3−ジメチル−1、3−ジエトキシ−1、3−ジシラシクロブタン、ビス(トリメチルシリルメチル)ベンゼン、(トリデカフルオロ−1、1、2、2−テトラヒドロオクチル)トリエトキシシラン、ビス(ジメトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジメトキシフェニルシリル)メタン、ビス(ジエトキシフェニルシリル)メタン、ビス(メトキシジメチルシリル)メタン、ビス(エトキシジメチルシリル)メタン、ビス(メトキシジフェニルシリル)メタン、ビス(エトキシジフェニルシリル)メタン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、ノナメチルトリシラザン、ジメチルシクロシラザン、アセトキシトリメチルシラン、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、3−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、ビス(ジメチルアミノ)ジメチルシラン、ジメチルアミノトリメチルシラン、アミノメチルトリメチルシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、メチルトリアセトキシシラン、メチルエトキシシラシクロプロパン、ヘキサメチルシラブタン、ジメチルジアセトキシシラン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、デカメチルシクロペンタシラン、ドデカメチルシクロヘキサシランおよびジ−tert−ブトキシジアセトキシシランからなる群から選択される少なくとも1種である、請求項14の方法。
- ケイ素含有誘電体材料の該層が、多孔性である、請求項14の方法。
- 該第1の誘電率が、1.5〜3.5であり、該第2の誘電率が、該第1の誘電率より5%〜150%高く、そして該第3の誘電率が該第2の誘電率に比較して10%〜150%回復する、請求項14の方法。
- 該第1の誘電率が、1.5〜2.8である、請求項17の方法。
- 該第1の誘電率が、1.8〜2.7である、請求項18の方法。
- 少なくとも400℃の温度に曝した後のケイ素含有誘電体材料の該層が、該第3の誘電率の10%以内である誘電率を有する、請求項14の方法。
- 該ケイ素含有流体が、直鎖シラザン、環状シラザン、環状有機シロキサン、有機シロキサン、アルキルアルコキシシラン、アルキルアセトキシシラン、アルキルクロロシラン、カルボシラン、アミノアルキルシラン、アルキルアミノアルキルシラン、およびアミノアルキルアルコキシシランからなる群から選択される少なくとも1種を含む、請求項12の方法。
- 該ケイ素含有流体が、アルキルアセトキシシランを含む、請求項21の方法。
- 第1の誘電率および少なくとも1つの表面を有するケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の回復方法であって、ケイ素含有誘電体材料の該層の該第1の誘電率が第2の誘電率に増加しており、該方法は、
ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面と、アルキルアルコキシシランを含むケイ素含有流体とを接触させるステップ、
洗浄溶媒を用いた洗浄により、ある量の該ケイ素含有流体が、ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面と接触を続けるように、そして該ケイ素含有流体が、孔を塞がず、埋めず、充填せず、または密封せず、かつ該ケイ素含有誘電体材料の上にさらなる層を形成しないように、大部分の該ケイ素含有流体を、除去するステップ、
ケイ素含有誘電体材料の該層の該少なくとも1つの表面を、不活性雰囲気中で紫外線照射および熱エネルギーに曝すステップ、そして、
ケイ素含有誘電体材料の該層を50℃から450℃への温度に少なくとも一回ヒートサイクルするステップ、の各ステップを含み、
ケイ素含有誘電体材料の該層を該エネルギー源に曝した後で、ケイ素含有誘電体材料の該層が、該第2の誘電率より低い第3の誘電率を有し、
ここでケイ素含有誘電体材料の該層が、該プラズマエネルギー源および該紫外線照射に同時に曝される、方法。 - 該アルキルアルコキシシランが、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキシシラン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、およびトリメチルプロポキシシランからなる群から選択された少なくとも1種である、請求項23の方法。
- ケイ素含有誘電体材料の該層が、多孔性である、請求項23の方法。
- 該第1の誘電率が、1.5〜3.5であり、該第2の誘電率が、該第1の誘電率より5%〜150%高く、そして該第3の誘電率が、該第2の誘電率に比べて10%〜150%回復する、請求項25の方法。
- 該第1の誘電率が、1.5〜2.8である、請求項26の方法。
- 該第1の誘電率が、1.8〜2.7である、請求項27の方法。
- 少なくとも400℃の温度に曝した後で、ケイ素含有誘電体材料の該層が、該第3の誘電率の10%以内である誘電率を有する、請求項23の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US89013707P | 2007-02-15 | 2007-02-15 | |
US60/890,137 | 2007-02-15 | ||
US12/023,552 US7500397B2 (en) | 2007-02-15 | 2008-01-31 | Activated chemical process for enhancing material properties of dielectric films |
US12/023,552 | 2008-01-31 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008032948A Division JP2008199028A (ja) | 2007-02-15 | 2008-02-14 | 誘電体膜の材料特性を高めるための活性化学的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012009899A JP2012009899A (ja) | 2012-01-12 |
JP5592327B2 true JP5592327B2 (ja) | 2014-09-17 |
Family
ID=39388528
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008032948A Withdrawn JP2008199028A (ja) | 2007-02-15 | 2008-02-14 | 誘電体膜の材料特性を高めるための活性化学的方法 |
JP2011213741A Active JP5592327B2 (ja) | 2007-02-15 | 2011-09-29 | 誘電体膜の材料特性を高めるための活性化学的方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008032948A Withdrawn JP2008199028A (ja) | 2007-02-15 | 2008-02-14 | 誘電体膜の材料特性を高めるための活性化学的方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7500397B2 (ja) |
EP (1) | EP1959485A2 (ja) |
JP (2) | JP2008199028A (ja) |
KR (1) | KR100984195B1 (ja) |
TW (1) | TWI347637B (ja) |
Families Citing this family (408)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2001266998A1 (en) * | 2000-06-23 | 2002-01-08 | Honeywell International, Inc. | Method to restore hydrophobicity in dielectric films and materials |
US8475666B2 (en) * | 2004-09-15 | 2013-07-02 | Honeywell International Inc. | Method for making toughening agent materials |
US7253125B1 (en) | 2004-04-16 | 2007-08-07 | Novellus Systems, Inc. | Method to improve mechanical strength of low-k dielectric film using modulated UV exposure |
US9659769B1 (en) | 2004-10-22 | 2017-05-23 | Novellus Systems, Inc. | Tensile dielectric films using UV curing |
US7790633B1 (en) | 2004-10-26 | 2010-09-07 | Novellus Systems, Inc. | Sequential deposition/anneal film densification method |
US7510982B1 (en) | 2005-01-31 | 2009-03-31 | Novellus Systems, Inc. | Creation of porosity in low-k films by photo-disassociation of imbedded nanoparticles |
US8137465B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-03-20 | Novellus Systems, Inc. | Single-chamber sequential curing of semiconductor wafers |
US8980769B1 (en) | 2005-04-26 | 2015-03-17 | Novellus Systems, Inc. | Multi-station sequential curing of dielectric films |
US8889233B1 (en) | 2005-04-26 | 2014-11-18 | Novellus Systems, Inc. | Method for reducing stress in porous dielectric films |
US8454750B1 (en) | 2005-04-26 | 2013-06-04 | Novellus Systems, Inc. | Multi-station sequential curing of dielectric films |
US8282768B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-10-09 | Novellus Systems, Inc. | Purging of porogen from UV cure chamber |
US7851232B2 (en) | 2006-10-30 | 2010-12-14 | Novellus Systems, Inc. | UV treatment for carbon-containing low-k dielectric repair in semiconductor processing |
US10037905B2 (en) | 2009-11-12 | 2018-07-31 | Novellus Systems, Inc. | UV and reducing treatment for K recovery and surface clean in semiconductor processing |
US8465991B2 (en) | 2006-10-30 | 2013-06-18 | Novellus Systems, Inc. | Carbon containing low-k dielectric constant recovery using UV treatment |
US7977121B2 (en) * | 2006-11-17 | 2011-07-12 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method and composition for restoring dielectric properties of porous dielectric materials |
US7906174B1 (en) | 2006-12-07 | 2011-03-15 | Novellus Systems, Inc. | PECVD methods for producing ultra low-k dielectric films using UV treatment |
US8242028B1 (en) | 2007-04-03 | 2012-08-14 | Novellus Systems, Inc. | UV treatment of etch stop and hard mask films for selectivity and hermeticity enhancement |
US8211510B1 (en) | 2007-08-31 | 2012-07-03 | Novellus Systems, Inc. | Cascaded cure approach to fabricate highly tensile silicon nitride films |
US20090061633A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device |
US20090174036A1 (en) * | 2008-01-04 | 2009-07-09 | International Business Machines Corporation | Plasma curing of patterning materials for aggressively scaled features |
JP4922322B2 (ja) * | 2008-02-14 | 2012-04-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | コーティング |
US8058183B2 (en) * | 2008-06-23 | 2011-11-15 | Applied Materials, Inc. | Restoring low dielectric constant film properties |
US20090324807A1 (en) * | 2008-06-27 | 2009-12-31 | Jih-Perng Leu | Method for forming a porous material |
US8298965B2 (en) * | 2008-09-03 | 2012-10-30 | American Air Liquide, Inc. | Volatile precursors for deposition of C-linked SiCOH dielectrics |
US9050623B1 (en) | 2008-09-12 | 2015-06-09 | Novellus Systems, Inc. | Progressive UV cure |
JP4708465B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2011-06-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
JP5123146B2 (ja) * | 2008-11-25 | 2013-01-16 | パナソニック株式会社 | 赤外線センサおよびその製造方法 |
KR101293896B1 (ko) * | 2008-12-03 | 2013-08-06 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
US20100151206A1 (en) | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for Removal of Carbon From An Organosilicate Material |
JP5195921B2 (ja) * | 2008-12-25 | 2013-05-15 | 株式会社村田製作所 | セラミック体の製造方法 |
WO2010082250A1 (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR20110125651A (ko) * | 2009-03-10 | 2011-11-21 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | 저 유전상수 실릴화를 위한 시클릭 아미노 화합물 |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
DE102009023379B4 (de) * | 2009-05-29 | 2014-08-21 | Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg | Erzeugen einer hydrophoben Oberfläche empfindlicher Dielektrika mit kleinem ε von Mikrostrukturbauelementen durch eine in-situ-Plasmabehandlung |
DE102009023378B4 (de) * | 2009-05-29 | 2013-11-28 | Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg | Wiederherstellung einer hydrophoben Oberfläche empfindlicher dielektrischer Materialen mit kleinem ε in Mikrostrukturbauelementen |
DE102009035417B4 (de) * | 2009-07-31 | 2014-12-04 | Globalfoundries Dresden Module One Llc & Co. Kg | Größere Dichte von dielektrischen Materialien mit kleinem ε in Halbleiterbauelementen durch Anwenden einer UV-Behandlung |
US8323521B2 (en) * | 2009-08-12 | 2012-12-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma generation controlled by gravity-induced gas-diffusion separation (GIGDS) techniques |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US7981699B2 (en) * | 2009-10-22 | 2011-07-19 | Lam Research Corporation | Method for tunably repairing low-k dielectric damage |
US20110097904A1 (en) * | 2009-10-22 | 2011-04-28 | Lam Research Corporation | Method for repairing low-k dielectric damage |
NL2005657A (en) * | 2009-12-03 | 2011-06-06 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a method of forming a lyophobic coating on a surface. |
WO2011099768A2 (ko) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | 서강대학교산학협력단 | 고온 오존처리를 포함하는 나노기공 초저유전 박막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 나노기공 초저유전 박막 |
KR20130043084A (ko) | 2010-02-17 | 2013-04-29 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레?드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | SiCOH 로우-K 필름의 증착 방법 |
JP2011216597A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法及び成膜装置 |
JP5768471B2 (ja) * | 2010-05-19 | 2015-08-26 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法 |
CN102893349B (zh) * | 2010-05-21 | 2016-01-20 | 株式会社村田制作所 | 陶瓷体及其制造方法 |
JP5442572B2 (ja) | 2010-09-28 | 2014-03-12 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置、薄膜作製方法、欠陥修正方法及びデバイス作製方法 |
TWI448576B (zh) * | 2010-11-17 | 2014-08-11 | Nanmat Technology Co Ltd | 低介電材料及其薄膜之製備方法 |
US8460753B2 (en) * | 2010-12-09 | 2013-06-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for depositing silicon dioxide or silicon oxide films using aminovinylsilanes |
US9719169B2 (en) | 2010-12-20 | 2017-08-01 | Novellus Systems, Inc. | System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication |
US8883543B2 (en) * | 2011-05-17 | 2014-11-11 | Sumco Corporation | Method of producing wafer for solar cell, method of producing solar cell, and method of producing solar cell module |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US8216861B1 (en) * | 2011-06-28 | 2012-07-10 | Applied Materials, Inc. | Dielectric recovery of plasma damaged low-k films by UV-assisted photochemical deposition |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
EP2700500A4 (en) * | 2011-09-08 | 2015-02-25 | Lintec Corp | MODIFIED POLYSILAZANE FILM AND PROCESS FOR PRODUCING GAS BARRIER FILM |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US8900979B2 (en) | 2011-11-23 | 2014-12-02 | University Of South Carolina | Pretreatment method for reduction and/or elimination of basal plane dislocations close to epilayer/substrate interface in growth of SiC epitaxial films |
WO2013095539A1 (en) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Intel Corporation | Chemically altered carbosilanes for pore sealing applications |
WO2013108487A1 (ja) | 2012-01-20 | 2013-07-25 | リンテック株式会社 | ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法 |
JP5969253B2 (ja) * | 2012-02-10 | 2016-08-17 | 東京応化工業株式会社 | 表面処理剤及び表面処理方法 |
US9577211B2 (en) | 2012-02-21 | 2017-02-21 | Lintec Corporation | Organic electronic element and method for manufacturing organic electronic element |
US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
US9460912B2 (en) * | 2012-04-12 | 2016-10-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films |
US8535767B1 (en) * | 2012-04-18 | 2013-09-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method for repairing damage of dielectric film by hydrocarbon restoration and hydrocarbon depletion using UV irradiation |
TW201403711A (zh) * | 2012-07-02 | 2014-01-16 | Applied Materials Inc | 利用氣相化學暴露之低k介電質損傷修復 |
TWI581331B (zh) * | 2012-07-13 | 2017-05-01 | 應用材料股份有限公司 | 降低多孔低k膜的介電常數之方法 |
US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
US9263348B2 (en) | 2013-01-10 | 2016-02-16 | International Business Machines Corporation | Film thickness metrology |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US10189712B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-29 | International Business Machines Corporation | Oxidation of porous, carbon-containing materials using fuel and oxidizing agent |
US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
US9847222B2 (en) | 2013-10-25 | 2017-12-19 | Lam Research Corporation | Treatment for flowable dielectric deposition on substrate surfaces |
CN103617828B (zh) * | 2013-11-13 | 2017-01-04 | 湖南省化讯应用材料有限公司 | 高分子介电材料改性剂及高分子介电材料的处理方法 |
US9339770B2 (en) | 2013-11-19 | 2016-05-17 | Applied Membrane Technologies, Inc. | Organosiloxane films for gas separations |
US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US20150284849A1 (en) * | 2014-04-07 | 2015-10-08 | Applied Materials, Inc. | Low-k films with enhanced crosslinking by uv curing |
US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
US9922818B2 (en) | 2014-06-16 | 2018-03-20 | Versum Materials Us, Llc | Alkyl-alkoxysilacyclic compounds |
WO2016007708A1 (en) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Alkylamino-substituted carbosilane precursors |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
US20160049293A1 (en) * | 2014-08-14 | 2016-02-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method and composition for providing pore sealing layer on porous low dielectric constant films |
US10049921B2 (en) * | 2014-08-20 | 2018-08-14 | Lam Research Corporation | Method for selectively sealing ultra low-k porous dielectric layer using flowable dielectric film formed from vapor phase dielectric precursor |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9502255B2 (en) | 2014-10-17 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Low-k damage repair and pore sealing agents with photosensitive end groups |
KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
KR102517882B1 (ko) * | 2015-03-09 | 2023-04-03 | 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 | 저항성 랜덤 액세스 메모리로서 사용하기 위한 다공성 유기실리케이트 유리 막을 증착시키는 방법 |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
KR102328108B1 (ko) * | 2015-05-08 | 2021-11-17 | 삼성전자주식회사 | 배선 구조물, 배선 구조물의 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
US10388546B2 (en) | 2015-11-16 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Apparatus for UV flowable dielectric |
US9916977B2 (en) | 2015-11-16 | 2018-03-13 | Lam Research Corporation | Low k dielectric deposition via UV driven photopolymerization |
US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
FR3047605B1 (fr) * | 2016-02-09 | 2018-03-02 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de realisation de connexions d'une puce electronique |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
TWI724141B (zh) | 2016-03-23 | 2021-04-11 | 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法硏究開發股份有限公司 | 形成含矽膜之組成物及其製法與用途 |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10170419B2 (en) * | 2016-06-22 | 2019-01-01 | International Business Machines Corporation | Biconvex low resistance metal wire |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
US9847221B1 (en) | 2016-09-29 | 2017-12-19 | Lam Research Corporation | Low temperature formation of high quality silicon oxide films in semiconductor device manufacturing |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
EP3602606A1 (en) | 2017-03-24 | 2020-02-05 | FUJIFILM Electronic Materials U.S.A, Inc. | Surface treatment methods and compositions therefor |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
TWI782021B (zh) * | 2017-05-28 | 2022-11-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 有機及混合有機無機層的選擇性分子層沉積 |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
KR102392815B1 (ko) * | 2017-08-02 | 2022-05-02 | 삼성전자주식회사 | 초저유전막의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 초저유전막 |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10804109B2 (en) * | 2017-10-03 | 2020-10-13 | Mattson Technology, Inc. | Surface treatment of silicon and carbon containing films by remote plasma with organic precursors |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
EP3735325A4 (en) * | 2018-01-05 | 2021-03-03 | FUJIFILM Electronic Materials U.S.A, Inc. | SURFACE TREATMENT COMPOSITIONS AND METHODS |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
KR20200108016A (ko) | 2018-01-19 | 2020-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
TW202013553A (zh) | 2018-06-04 | 2020-04-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US20200035494A1 (en) * | 2018-07-30 | 2020-01-30 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Surface Treatment Compositions and Methods |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
CN113166937A (zh) * | 2018-11-27 | 2021-07-23 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 1-甲基-1-异丙氧基-硅杂环烷烃和由其制备的致密有机硅膜 |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
JP7323409B2 (ja) * | 2019-10-01 | 2023-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、及び、プラズマ処理装置 |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1990010035A1 (en) | 1989-03-01 | 1990-09-07 | Raychem Corporation | Method of curing organopolysiloxane compositions and compositions and articles therefrom |
US5576247A (en) | 1992-07-31 | 1996-11-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin layer forming method wherein hydrophobic molecular layers preventing a BPSG layer from absorbing moisture |
JPH0766287A (ja) | 1993-08-23 | 1995-03-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US5488015A (en) | 1994-05-20 | 1996-01-30 | Texas Instruments Incorporated | Method of making an interconnect structure with an integrated low density dielectric |
US5479727A (en) | 1994-10-25 | 1996-01-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Moisture removal and passivation of surfaces |
EP0775669B1 (en) | 1995-11-16 | 2001-05-02 | Texas Instruments Incorporated | Low volatility solvent-based precursors for nanoporous aerogels |
CN1125138C (zh) | 1997-07-15 | 2003-10-22 | 旭化成株式会社 | 用于制造绝缘薄膜的烷氧基硅烷/有机聚合物组合物及其用途 |
US6448331B1 (en) | 1997-07-15 | 2002-09-10 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Alkoxysilane/organic polymer composition for thin insulating film production and use thereof |
US6042994A (en) | 1998-01-20 | 2000-03-28 | Alliedsignal Inc. | Nanoporous silica dielectric films modified by electron beam exposure and having low dielectric constant and low water content |
EP1607493B1 (en) * | 1998-02-11 | 2008-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
US6054379A (en) | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
US6303523B2 (en) | 1998-02-11 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
US6479374B1 (en) | 1998-04-01 | 2002-11-12 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing interconnection structural body |
US6159871A (en) | 1998-05-29 | 2000-12-12 | Dow Corning Corporation | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant |
US6054206A (en) | 1998-06-22 | 2000-04-25 | Novellus Systems, Inc. | Chemical vapor deposition of low density silicon dioxide films |
US6395651B1 (en) | 1998-07-07 | 2002-05-28 | Alliedsignal | Simplified process for producing nanoporous silica |
US6037275A (en) | 1998-08-27 | 2000-03-14 | Alliedsignal Inc. | Nanoporous silica via combined stream deposition |
US6410149B1 (en) | 1998-08-27 | 2002-06-25 | Alliedsignal Inc. | Silane-based nanoporous silica thin films and precursors for making same |
US6171945B1 (en) | 1998-10-22 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | CVD nanoporous silica low dielectric constant films |
US6770572B1 (en) | 1999-01-26 | 2004-08-03 | Alliedsignal Inc. | Use of multifunctional si-based oligomer/polymer for the surface modification of nanoporous silica films |
US6318124B1 (en) | 1999-08-23 | 2001-11-20 | Alliedsignal Inc. | Nanoporous silica treated with siloxane polymers for ULSI applications |
US6589889B2 (en) | 1999-09-09 | 2003-07-08 | Alliedsignal Inc. | Contact planarization using nanoporous silica materials |
AU2001266998A1 (en) | 2000-06-23 | 2002-01-08 | Honeywell International, Inc. | Method to restore hydrophobicity in dielectric films and materials |
US6713382B1 (en) | 2001-01-31 | 2004-03-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Vapor treatment for repairing damage of low-k dielectric |
US6566283B1 (en) | 2001-02-15 | 2003-05-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Silane treatment of low dielectric constant materials in semiconductor device manufacturing |
US6348407B1 (en) * | 2001-03-15 | 2002-02-19 | Chartered Semiconductor Manufacturing Inc. | Method to improve adhesion of organic dielectrics in dual damascene interconnects |
US6521547B1 (en) | 2001-09-07 | 2003-02-18 | United Microelectronics Corp. | Method of repairing a low dielectric constant material layer |
US7387868B2 (en) * | 2002-03-04 | 2008-06-17 | Tokyo Electron Limited | Treatment of a dielectric layer using supercritical CO2 |
US6846515B2 (en) | 2002-04-17 | 2005-01-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for using porogens and/or porogenated precursors to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
US7404990B2 (en) | 2002-11-14 | 2008-07-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films |
WO2004068555A2 (en) | 2003-01-25 | 2004-08-12 | Honeywell International Inc | Repair and restoration of damaged dielectric materials and films |
US7709371B2 (en) | 2003-01-25 | 2010-05-04 | Honeywell International Inc. | Repairing damage to low-k dielectric materials using silylating agents |
US7179758B2 (en) * | 2003-09-03 | 2007-02-20 | International Business Machines Corporation | Recovery of hydrophobicity of low-k and ultra low-k organosilicate films used as inter metal dielectrics |
US8475666B2 (en) | 2004-09-15 | 2013-07-02 | Honeywell International Inc. | Method for making toughening agent materials |
CN1839468B (zh) | 2003-10-08 | 2010-11-24 | 霍尼韦尔国际公司 | 使用甲硅烷基化剂修复低k介电材料的损伤 |
US7553769B2 (en) | 2003-10-10 | 2009-06-30 | Tokyo Electron Limited | Method for treating a dielectric film |
US7345000B2 (en) | 2003-10-10 | 2008-03-18 | Tokyo Electron Limited | Method and system for treating a dielectric film |
WO2006049595A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-05-11 | International Business Machines Corporation | Recovery of hydrophobicity of low-k and ultra low-k organosilicate films used as inter metal dielectrics |
US7678712B2 (en) * | 2005-03-22 | 2010-03-16 | Honeywell International, Inc. | Vapor phase treatment of dielectric materials |
-
2008
- 2008-01-31 US US12/023,552 patent/US7500397B2/en active Active
- 2008-02-12 TW TW097104758A patent/TWI347637B/zh active
- 2008-02-14 JP JP2008032948A patent/JP2008199028A/ja not_active Withdrawn
- 2008-02-15 KR KR1020080014052A patent/KR100984195B1/ko active IP Right Grant
- 2008-02-15 EP EP08151518A patent/EP1959485A2/en not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-09-29 JP JP2011213741A patent/JP5592327B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI347637B (en) | 2011-08-21 |
JP2008199028A (ja) | 2008-08-28 |
US20080199977A1 (en) | 2008-08-21 |
JP2012009899A (ja) | 2012-01-12 |
KR20080076847A (ko) | 2008-08-20 |
EP1959485A2 (en) | 2008-08-20 |
US7500397B2 (en) | 2009-03-10 |
TW200845212A (en) | 2008-11-16 |
KR100984195B1 (ko) | 2010-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5592327B2 (ja) | 誘電体膜の材料特性を高めるための活性化学的方法 | |
US8283260B2 (en) | Process for restoring dielectric properties | |
KR100767255B1 (ko) | 기판 상에 피쳐를 한정하는 방법 | |
EP1832351B1 (en) | Low dielectric materials and methods for making same | |
US7678712B2 (en) | Vapor phase treatment of dielectric materials | |
KR100561884B1 (ko) | 낮은 유전 상수를 갖는 유전 물질의 제조용 조성물 | |
JP4374567B2 (ja) | 多孔性低誘電率材料のための紫外線硬化処理 | |
US7709371B2 (en) | Repairing damage to low-k dielectric materials using silylating agents | |
KR101018926B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 이 방법을 이용하여 형성된반도체 장치 | |
EP1296365B1 (en) | Method of film formation | |
JP5161571B2 (ja) | 処理剤物質 | |
JP2005503672A (ja) | 多孔質低誘電率材料のプラズマ硬化法 | |
WO2005034194A2 (en) | Repairing damage to low-k dielectric materials using silylating agents | |
CN101312129A (zh) | 提高介电膜的材料性能的活化化学方法 | |
JP2006073800A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0570119A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR101064336B1 (ko) | 실릴화제를 이용한 저-k 유전물질로의 손상 보수 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111006 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111006 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130312 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130924 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131220 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140324 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140701 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140731 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5592327 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |