JP2003524210A

JP2003524210A - 化学蒸着により蒸着される反射防止有機ポリマーコーティング

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Publication number: JP2003524210A
Application number: JP2001562258A
Authority: JP
Inventors: テリーブルーワー; ダグラスゲレロ; ラムダブリュー．サブニス; メアリージェイ．スペンサー
Original assignee: ブルーワーサイエンスアイエヌシー．
Priority date: 2000-02-22
Filing date: 2001-02-02
Publication date: 2003-08-12
Anticipated expiration: 2021-02-02
Also published as: EP1269258B1; KR100610406B1; US20030049566A1; CN1404584A; EP1269258A4; WO2001063358A1; EP1269258A1; KR20030008209A; JP3759456B2; TWI224150B; US20030031957A1; US20030049548A1; US6869747B2; AU2001233290A1; US6900000B2; CA2400157A1; CN100451830C

Abstract

(57)【要約】基板表面に反射防止有機コーティングを適用する改善された方法およびその方法により得られるプレカーサー構造が提供される。概して、本発明の方法は、基板表面に反射防止化合物を化学蒸着（ＣＶＤ）する工程を含む。１つの態様において、化合物は、高いひずみエネルギー（例えば、ひずみエネルギーが少なくとも約１０ｋｃａｌ／ｍｏｌ）を有し、結合基を介して互いに結合する２つの環状部分を含む。最も好ましいモノマー類は、［２．２］（１，４）−ナフタレノファンおよび［２．２］（９，１０）−アントラセノファンである。ＣＶＤ工程は、反射防止化合物を加熱して気化させる工程と、気化した化合物を熱分解して安定なジラジカルを形成し、その後蒸着室で該ジラジカルを基板表面上で重合させる工程と、を含む。本発明の方法は、超サブミクロン（０．２５μ、ｍ以下）形状を有する大きな基板上に等角性が高い反射防止コーティングを与えるのに有用である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】関連する出願本願は、引用することで本明細書の一部をなす２０００年２月２２日に出願さ
れた米国特許出願第０９／５１１，４２１号の一部継続出願である。

【０００２】発明の分野本発明は、概してシリコンおよび誘電材料上に反射防止コーティング（ＡＲＣ
）を作製する方法、および該方法で得られる集積回路プレカーサ構造に関する。
より具体的には、本発明の方法は、高いひずみエネルギーを有するある量の反射
防止化合物を与える工程と、該化合物を気化させる工程を含む。得られた気化体
は、その後熱分解されて、安定なジラジカルを形成し、その後基板の面上で重合
させる。形成させたＡＲＣ層にはフォトレジスト層が適用され、残りのマイクロ
フォトリソグラフィック工程が実施される。

【０００３】従来技術の説明集積回路の製造者は、収率を向上させ、ユニットケース（ｕｎｉｔｃａｓｅ
）を減少させ、オンチップ計算能力（ｏｎ−ｔｉｐｃｏｍｐｕｔｉｎｇｐｏ
ｗｅｒ）を向上させるため、絶えずシリコンウェハサイズの最大化と、デバイス
構造の大きさの最小化を試みている。最新の遠紫外線（ＤＵＶ）マイクロリソグ
ラフィック方法の出現で、シリコンチップ上のデバイス構造の大きさは、現在サ
ブミクロンの域に達している。しかし、フォトレジスト照射時に、基板の反射率
が１％未満にまで減少し、これらサブミクロン構造での大きさの調節を維持する
ことが重要となる。そのためフォトレジストＤＵＶ照射時に半導体基板で通常発
生する反射を減少させる目的でフォトレジスト層の下側に適用される反射防止コ
ーティング（ＡＲＣ）成分が、光吸収作用をもった有機ポリマーで製造されてい
る。これらの有機系ＡＲＣは一般にスピンコーティングと呼ばれる方法で半導体
基板に適用される。スピンコートされたＡＲＣ層は、優れた反射制御を行うが、
その均一性の欠如、欠陥、等角性に対する阻害およびスピンコーティング方法に
固有の非効率性により、その性能は制限される。産業界で８インチ、さらには１
２インチの半導体基板に適用するようになったことで、スピンコーティング方法
に固有の非効率性がいっそう増大している。

【０００４】現在のＡＲＣを適用する方法の他の問題は、ウェハに沿ったコーティングの均
一性が不十分な点である。形成された層は、一般に基板の中央部に比べて端部の
層の厚さが大きく、層の均一性に欠けている。

【０００５】スピンコートされたＡＲＣ層は、また高い等角性を有する層（すなわち基板お
よび構造を個々の特徴を均一にコートする層）を形成よりもむしろ、コート面を
平坦化したり、またはコート面の微細構造を不均一にする傾向がある。例えば、
１０００Åの公称層厚を有するＡＲＣで、０．２５μｍの高さを有する突起構造
をスピンコートした場合、突起頂部上の層厚は３５０Åしかなく、一方突起構造
の間の谷部の層厚は１８００Åもあることが確認される場合もある。

【０００６】平坦化がこのような超微細構造で発生した場合、構造頂部のＡＲＣ層は薄すぎ
て、構造に所望の反射制御を与えることができない。同時に、谷部では層が厚す
ぎて、続いて実施するプラズマエッチング時に効率的に層を除去することができ
ない。すなわち、プラズマエッチングにより、谷部からＡＲＣ析出物を除去する
工程で、レジスト構造の側壁部が侵食され、構造の形状および／または大きさに
、微細ではあるが、有意な変化を生じさせる。さらにレジスト厚および端部の鋭
さ（ａｃｕｉｔｙ）が失われ、続いて実施するエッチング手順で鋭さが失われた
レジストパターンが基板に転写されることで、イメージまたは構造パターンが一
致しなくなる可能性がある。

【０００７】このような超薄層のＡＲＣ層のスピンコーティングが動的環境で、超高速で実
施されることで他の問題も発生する可能性がある。すなわち、それに伴った面微
細構造における急速な、若しくは不均一な溶媒の蒸発、動的表面張力および液−
波面相互作用の結果として起るピンホール、ボイド、条痕（ｓｔｒｉａｔｉｏｎ
）、バブル、局所的な接着不良、中心部と端部での厚さのばらつき、および他の
欠陥が生じ得る。それらによって生じる欠陥は、より大きなウェハ（例えば８〜
１２インチ）で、および超微細構造（０．２５μ以下）をパターンづけする際に
許容できない。したがって、スピンコーティングに固有の欠点を克服して、様々な基板上にＡ
ＲＣを蒸着する改善された方法への需要が存在している。

【０００８】［発明の要約］本発明は、該してシリコンおよび誘電材料または回路製造工程時に使用する他
の物質（例えばＡｌ，Ｗ，ＷＳｉ，ＧａＡｓ，ＳｉＧｅ，Ｔａ，ＴａＮ，および
他の反射作用をもった面）に反射防止コーティングを適用するための改善された
方法を与えることにより、これらの問題を解決する。より詳細には、本発明の方法は、化学蒸着法（ＣＶＤ）により、基板の面上の
層に反射防止化合物を蒸着させることを含む。反射防止層には、その後好ましく
はフォトレジスト層が適用され、プレカーサー構造が作製される。プレカーサー
構造には、その後回路製造方法の残りの工程が実施される（すなわちフォトレジ
スト層にマスクを適用し、該フォトレジスト層に所望の波長の放射線を照射し、
該フォトレジスト層を現像し、エッチングする）。

【０００９】１つの態様において、反射防止化合物は、結合基を介して結合する２つの環状
部分を含み。結合基は、１つの環状部分の１位と結合し（環員と直接、または環
と結合する官能基と）、さらに他の１つの環状部分の１位と結合する。好ましく
は、２つの環状部分は、１以上の結合基で結合しており、より好ましくは２つの
選択された部分は、２つの結合基で結合し、第２の結合基はそれぞれ、各環状部
分の２位、３位等と結合する。

【００１０】光減衰作用をもった化合物は、高いひずみエネルギーを有し、エネルギー照射
時（熱、ＵＶ光等）に安定なジラジカルに開裂する。したがって、光減衰作用を
もった化合物のひずみエネルギーは、少なくとも約１０ｋｃａｌ／ｍｏｌであり
、好ましくは約２０ｋｃａｌ／ｍｏｌであり、より好ましくは約３０〜５０ｋｃ
ａｌ／ｍｏｌである。

【００１１】環状部分の少なくとも１つは、芳香族またはヘテロ環であることが好ましい。
好ましい芳香族部分は、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナトレンお
よびピレンからなる群から選択される。好ましいヘテロ環部分は、ピリジン、ピ
リダジン、ピリミジン、ピラジン、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール
、イソオキサゾール、チオフェン、フランおよびピロールからなる群から選択さ
れる。

【００１２】式Ｉは、好ましい光減衰作用をもった化合物の構造を模式的に表している。

【化５】式中、Ｒは、結合基であり、Ｒは好ましくは独立して、アルキル基（好ましくは
少なくとも炭素数２のアルキル基、より好ましくは炭素数２〜４のアルキル基）
からなる群から選択され、Ｘは、各々水素、ハロゲン、置換された、もしくは無
置換のフェニル基、置換された、もしくは無置換のアルキル基（好ましくは炭素
数１〜８のアルキル基）、ニトロ基、置換された、もしくは無置換のアミノ基、
アセトアミド基、置換された、もしくは無置換の環式基、置換された、もしくは
無置換のヘテロ環基、およびＣＯＲ¹からなる群から選択され、前記Ｒ¹は、水
素、置換された、もしくは無置換のフェニル基、置換された、もしくは無置換の
アルキル基（好ましくは炭素数１〜８のアルキル基）、シンナモイル基、ナフト
イル基、アクリロイル基、メタアクリロイル基、フロイル基およびチオフェンカ
ルボニル基からなる群から選択される。

【００１３】最も好ましいＲは、エチル基、プロピル基またはブチル基である。最も好まし
いＸは、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ニトロキシフェ
ニル基、シンナモイル基、ナフトイル基、アクリロイル基、メタアクリロイル基
、フロイル基およびチオフェンカルボニル基からなる群から選択される。

【００１４】１つの態様において、光減衰作用をもった化合物は、触媒（過酸化ベンゾイル
またはセチルトリメチルアンモニウムブロマイドのような）および溶剤（四塩化
炭素のような）の存在下で、少なくとも２つの環状化合物をハロゲン化剤（例え
ば臭素化剤または塩素化剤のような）と反応させることで形成する。ハロゲン化
された環状化合物は、その後“架橋作用をする”化合物（ヨウ化ナトリウムのよ
うな）と反応し、結合基を介して結合する２つの環状部分を含んだ反射防止化合
物を形成する。該化合物において、結合基は、１つの環状部分の１位と結合し、
かつ別の１つの環状部分の１位と結合する。別の１つの態様において、反応の際
に環状化合物と反応可能なアルキル供与性の化合物（例えばパラホルムアルデヒ
ド）をも存在させ、該環状化合物それぞれに炭素数１またはそれ以上のアルキル
基を付加する。

【００１５】別の１つの態様において、光減衰作用をもった化合物は、１，４−ジキシリレ
ンである。さらに別の１つの態様において、反射防止化合物は、２〜４個のハロ
ゲン原子（塩素原子等）が結合した１，４−ジキシリレン、または少なくとも１
つの官能基が結合したキシレン類を含み、これらの官能基はＣＶＤ処理時に容易
に開裂する。式IIは、この態様のモノマーを模式的に表す。

【化６】式中、Ｘは各々独立して下記からなる群から選択される。

【化７】式中、Ｒ²は、独立してハロゲン、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４のアル
キル基）からなる群から選択され、“＊”はＣＨ₂基に結合し、続いて式IIで示
すようにベンゼン環に結合する原子を表す。

【００１６】反射防止化合物を化学蒸着させる工程は、化合物に十分な温度と圧力を加えて
、固体の化合物を昇華させ、気化体にする工程を含む。この工程は、ベース圧力
約２〜５０ｍＴｏｒｒ、より好ましくは約５〜２５ｍＴｏｒｒで、化合物を約３
５〜２５０℃の温度、より好ましくは約６０〜１５０℃に工程全体にわたって加
熱することで達成される。さらにより好ましくは、この加熱工程は、約５分ごと
に温度を約１０℃上昇させ、次に約５分間特定の温度で保持する温度勾配で実施
することで達成される。温度が環状部分の融点に近づいた際（例えば融点から約
２度以内）、その温度で約４〜６分間保持した後に、約５分間で約５℃上昇させ
る。

【００１７】その後、得られた気化体の光減衰作用をもった化合物を開裂させる。好ましく
は、この開裂工程は、光減衰作用をもった化合物を約５８０〜１０００℃の温度
、より好ましくは約９００〜９６０℃の温度に加熱して、該化合物を熱分解させ
ることで達成される。光減衰作用をもった化合物は、各々結合基の２つの炭素原
子間の結合が開裂し、安定なジラジカルを生じる。

【００１８】最後に、開裂させた化合物もしくはジラジカルを基板の面上で重合させる。こ
の重合は、好ましくは光減衰作用をもった化合物を吸着させると同時に、基板の
面で該化合物の重合が開始する所望の基板の存在下で、大気温度の蒸着室内に開
裂させた化合物を導入することで達成される。この工程は、好ましくは約２０〜
２５℃の温度で、基板を設置した回転棚を、好ましくは約２〜１０ｒｐｍ、より
好ましくは約２〜５ｒｐｍの速度で回転させることで達成される。

【００１９】上記したＣＶＤ工程を実施するのに使用する機器は、上記した温度を得ること
ができる限り、従来のいかなるＣＶＤ機器であってもよい。従来のＣＶＤ機器に
必要な主な改造は、蒸着室を基板の特定の大きさ（例えば８インチウェハ）を収
容できるように改造し、基板を約２ｒｐｍの速度で回転する機構（回転棚のよう
な）を含めることである。

【００２０】得られたプレカーサー構造は、驚くほど欠陥フリー（ｄｅｆｅｃｔｆｒｅｅ
）の反射防止コーティング層を形成する。したがって、光学顕微鏡で観察した際
に、反射防止層は、０．１欠陥／ｃｍ²未満（すなわち８インチウェハ当たり欠
陥が約３０未満、好ましくは０．０５欠陥／ｃｍ²未満（すなわち８インチウェ
ハ当たり欠陥が約１５未満である。さらに、このような欠陥フリーの膜は、超微
細構造（高さ約０．２５μｍ未満）を有する６〜１２インチの基板上で実現され
る。本明細書において、“欠陥”は、ピンホール、膜が面をコートしないディウ
ェット問題（ｄｗｅｔｔｉｎｇｐｒｏｂｌｅｍｓ）、基板の表面に異物（ｆｏ
ｒｅｉｇｎｐａｒｔｉｃｌｅｓ）が接触して、異物の周囲のコーティングが流
動するいわゆる“コメット（ｃｏｍｅｔ）”を含む。

【００２１】本発明による反射防止層は、約３００〜５０００Åの層厚で形成することがで
き、約１５０〜５００ｎｍの波長の光（例えば３６５ｎｍもしくはｉ線波長、４
３５ｎｍもしくはｇ線波長、２４８ｎｍもしくは遠紫外波長、および１９３ｎｍ
波長）、より好ましくは約１９０〜３００ｎｍの波長の光を含む重要な波長の光
を吸収するように適応させることができる。したがって、反射防止層は、約１５
０〜５００ｎｍの波長の光の少なくとも約９０％、好ましくは少なくとも約９５
％吸収する。さらに、反射防止層は、上記した重要な波長で、少なくとも約０．
１、好ましくは少なくとも約０．３５、より好ましくは少なくとも約０．４のｋ
値（複素屈折率の虚部）を有する。

【００２２】また、蒸着させた反射防止層は、続いて反射防止層に適用されるフォトレジス
トに使用される溶媒に実質的に溶解しない。すなわち、フォトレジスト溶媒と接
触させた後の層の厚さの変化は、約１０％未満、好ましくは約５％未満である。
本発明書において、層の厚さの変化の割合は、下記式で定義される。１００・［溶媒接触前の厚さ−溶媒接触後の厚さ］／溶媒接触前の厚さ

【００２３】また、基板の表面に蒸着させた反射防止層は、トポグラフィ面（ｔｏｐｏｇｒ
ａｐｈｉｃｓｕｒｆａｃｅ：本明細書において、１，０００Å以上の突起構造
および／または約１，０００〜１５，０００Åの深さのコンタクトもしくはバイ
アホールを有する面）上でさえ、高い等角性を有する。したがって、蒸着させた
層は、少なくとも約８５％、好ましくは少なくとも約９５％、より好ましくは約
１００％の等角性を有する。等角性の割合は下記式で定義される。１００・［位置Ａでの膜厚−位置Ｂでの膜厚］／位置Ａでの膜厚式中、“Ａ”は対象物の形状（ｔａｒｇｅｔｆｅａｔｕｒｅ）が突起形状であ
る場合、対象物の形状の頂部面の中央部分であり、対象物の形状がコンタクトも
しくはバイアホールの場合、対象物の形状の底部面の中央部分である。“Ｂ”は
対象物の形状の端部と、対象物の形状から最も近くにある形状の端部との間の中
間部分である。等角性の割合の定義で使用する場合において、“形状”および“
対象物の形状”は、突起形状と、コンタクトもしくはバイアホールの両方である
。また、この定義で使用する場合において、対象物の形状の端部は、対象物の形
状が凸形状の場合、対象物の形状を形成する側壁の基底部であり、対象物の形状
が凹形状の場合、コンタクトもしくはバイアホールの上端部である。

【００２４】最後に、上記した反射防止層の特徴に加えて、本発明は、多量の溶媒を使用す
る従来技術のスピンコーティング法に対して明確な利点を有する。すなわち、本
発明の方法は、一般に特別な取り扱いが必要なスピンコーティング溶剤の使用を
避けることができる。したがって、環境に悪影響を及ぼす溶剤廃棄物の量が最小
限化される。

【００２５】［好ましい実施形態の詳細な説明］実施例以下の実施例は、本発明による好ましい方法を表す。但し、以下の実施例は説
明をために与えたものであり、本発明の包括的な範囲を限定的に解釈するもとで
はない。

【００２６】実施例１：［２．２］（１，４）−ナフタレノファンの合成１，４−ジメチルナフタレノファン（１２．５ｇ，０．０８ｍｏｌ）、Ｎ−ブ
ロモスクシイミド（３０．６ｇ，０．１７ｍｏｌ−臭化剤）および過酸化ベンゾ
イル（０．４ｇ−触媒）の混合物を四塩化炭素（７０ｍｌ）中で１時間攪拌しな
がら還流させた。反応混合物は室温まで冷却し。沈殿物をろ過し、四塩化炭素で
洗浄した。この固形分を水中（５００ｍｌ）で４５分間攪拌させて懸濁液を作製
し、その後ろ過、水による洗浄および乾燥を行った。酢酸エチルから再結晶させ
ることで融点１８８℃の純粋な１，４−ビスブロモメチル（ナフタレン）を８６
％の収率で得た。

【００２７】次に、１，４−ビス（ブロモメチル）ナフタレンを、アセトン（２５０ｍｌ）
にヨウ化ナトリウム（１５ｇ）を溶解させた還流溶液から２４時間かけて抽出（
ソックスレー）させた。溶媒は、ロータリーエバポレータで、反応混合物の全体
積が約５０ｍｌになるまで蒸発させ、その後混合物は１５０ｍｌの水に注いだ。
白色に変色するまでチオ硫酸ナトリウムを加え、その後ろ過し、乾燥させた。ジ
クロロメタンから再結晶させて融点２９６〜３００℃の純粋な［２．２］（１，
４）−ナフタレノファン（構造Ａ参照）を収率６１％で得た。¹Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ
ＤＣｌ₃）の測定結果は、δ２．９９−３．０２ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ，ＣＨ₂）、
３．７２−３．７４ｐｐｍ（ｍ，４Ｈ，ＣＨ₂）、７．３９−７．４２ｐｐｍ（
ｍ，６Ｈ，芳香族）、７．７１−７．７４ｐｐｍ（ｍ，６Ｈ，芳香族）であった
。Ｃ₂₄Ｈ₂₀に関する元素解析の計算値は、Ｃ−９３．５０、Ｈ−６．４９であり
、確認された値はＣ−９３．２４およびＨ−６．４８であった。

【化８】

【００２８】実施例２：４位で置換された［２．２］（１，４）−ナフタレノファンの合成微粉末状の無水塩化アルミニウム（０．００４ｍｏｌ）をジクロロメタン（１
００ｍｌ）に溶解させた混合物を攪拌し、続いて対応するアリール酸クロライド
またはヘテロアリール酸クロライドを３０分間かけて徐々に添加した。次に、［
２．２］（１，４）−ナフタレノファン（０．００３ｍｏｌ）を徐々に添加した
。反応混合物を攪拌しながら５〜９時間還流させた。有機層を希水酸化ナトリウ
ム溶液で洗浄して、その後水で洗浄して、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。
最後に有機層をロータリーエバポレータで蒸発させて純粋な４位で置換された［
２．２］（１，４）−ナフタレノファン（構造Ｂ参照）を収率６３〜８９％で分
離した。化合物の各構造をＩＲ、ＮＭＲおよび元素分析により確認した。

【化９】式中、ＲはＣ₆Ｈ₅，４−Ｍｅ−Ｃ₆Ｈ₄，４−ＮＯ₂−Ｃ₆Ｈ₄，シンナモイ
ル基，１−ナフトイル基，２−ナフトイル基，アクリロイル基，メタアクリロイ
ル基，２−フロイル基または２−チオフェンカルボニル基である。

【００２９】実施例３：［２．２］（２，６）−ナフタレノファンの合成２，６−ジメチルナフタレン（１２．５ｇ，０．０８ｍｏｌ）、Ｎ−ブロモス
クシイミド（３０．６ｇ，０．１７ｍｏｌ）および過酸化ベンゾイル（０．４ｇ
）を四塩化炭素（７０ｍｌ）に溶解させた混合物を攪拌しながら１時間還流させ
た。反応混合物を室温まで冷却し、沈殿物をろ過し、四塩化炭素で洗浄した。こ
の固形分に水（５００ｍｌ）を加えて４５分間攪拌して懸濁液を作製し、続いて
ろ過、水による洗浄、および乾燥を実施した。酢酸エチルから再結晶させること
で純粋な２，６−ビス（ブロモメチル）ナフタレンを得た。

【００３０】次に、２，６−ビス（ブロモメチル）ナフタレンを、アセトン（２５０ｍｌ）
にヨウ化ナトリウム（１５ｇ）を溶解させた還流溶液から２４時間かけて抽出（
ソックスレー）させた。ロータリーエバポレータを用いて、反応混合物の全体積
が約５０ｍｌになるまで溶媒を蒸発させて、混合物を１５０ｍｌの水に注いだ。
白色に変色するまでチオ硫酸ナトリウムを加えて、その後、ろ過、乾燥を実施し
た。ジクロロメタンから再結晶させて、融点１５０〜１５２℃の純粋な［２．２
］（２，６）−ナフタレノファン（構造Ｃ参照）を７８％の収率で得た。¹Ｈ−
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）の測定値は、δ４．６１−４．６５ｐｐｍ（ｍ，８Ｈ，Ｃ
Ｈ₂），７．４６−７．４９ｐｐｍ（ｍ，６Ｈ，芳香族），７．７２−７．７８
ｐｐｍ（ｍ，６Ｈ，芳香族）であった。Ｃ₂₄Ｈ₂₀についての元素分析の計算値は
、Ｃ−９３．５０およびＨ−６．４９であり、確認された値はＣ−９３．１１お
よびＨ−６．４１であった。

【化１０】

【００３１】実施例４：［２．２］（９，１０）−アントラセノファンの合成アントラセン（０．１ｍｏｌ）、パラホルムアルデヒド（０．１ｍｏｌ）、セ
チルトリメリルアンモニウムブロマイド（０．４ｇ）および氷酢酸（２５ｍｌ）
を室温で攪拌させた。次に、反応混合物に６０ｍｌのＨＢｒ水溶液（ＨＢｒガス
４７％含有）を１時間かけて徐々に添加した。反応混合物は、攪拌しながら８０
℃まで５時間かけて加熱し、冷却し、ろ過し、水洗し、その後乾燥させた。トル
エンから再結晶させることで融点２０１℃の純粋な９，１０−ビス（ブロモメチ
ル）アントラセンを収率９３％で得た。

【００３２】次に、９，１０−ビス（ブロモメチル）ナフタレンをアセトン（２５０ｍｌ）
にヨウ化ナトリウム（１５ｇ）を溶解させた還流溶液から２４時間かけて抽出（
ソックスレー）した。ロータリーエバポレータで溶媒を蒸発させて粗生成物を分
離した。クロロホルムから再結晶させることで融点２７５℃の純粋な［２．２］
（９，１０）−アントラセノファン（構造Ｄ参照）を収率９７％で得た。¹Ｈ−
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）の測定値は、δ２．９４ｐｐｍ（ｓ，８Ｈ，ＣＨ₂），６
．９０−６．９２（ｑ，８Ｈ，芳香族），７．１２−７．２６（ｑ，８Ｈ，芳香
族）。Ｃ₃₂Ｈ₂₄についての元素分析の計算値は、Ｃ−９４．１１およびＨ−５．
８８であり、確認値はＣ−９４．７９およびＨ−５．４３であった。

【化１１】

【００３３】実施例５：４位で置換された［２．２］（９，１０）−アントラセノファンの合
成微粉末状の無水塩化ナトリウム（０．００４ｍｏｌ）をジクロロメタン（１０
０ｍｌ）中で攪拌させ、続いて対応するアリール酸クロライドまたはヘテロアリ
ール酸クロライド（０．００３７ｍｏｌ）を３０分間かけて徐々に添加した。次
に、［２．２］（９，１０）−アントラセノファン（０．００３ｍｏｌ）を徐々
に添加した。反応混合物を攪拌しながら５〜９時間還流させた。混合物は、その
後室温まで冷却し、氷冷水および濃塩酸（２０ｍｌ）を注いだ。混合物を分液漏
斗に注いで、有機層を希水酸化ナトリウム溶液で洗浄し、その後水洗した。最後
に無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。有機層はロータリーエバポレータにより
、蒸発させて純粋な４位で置換された［２．２］（９，１０）−アントラセノフ
ァン（構造Ｅ参照）を５９〜８４％の収率で得た。化合物の各構造は、ＩＲ、Ｎ
ＭＲおよび元素分析で確認した。

【化１２】式中。Ｒは、Ｃ₆Ｈ₅、４−Ｍｅ−Ｃ₆Ｈ₅、４−ＭｅＯ−Ｃ₆Ｈ₅、４−ＮＯ ₂ −Ｃ₆Ｈ₄、シンナモイル基、１−ナフトイル基、２−ナフトイル基、アクリ
ロイル基、メタアクリロイル基、２−フロイル基、２−チオフェンカルボニル基
である。

【００３４】実施例６：特性第１部化合物の２つの主要群を、反射防止コーティング層の潜在的発色団として研究
した。この２つの群は、［２．２］（１，４）−ナフタレノファン類および［２
．２］（９，１０）−アントラセノファン類である。［２．２］（１，４）−ナ
フタレノファンを用いて実施例１により作製した反射防止コーティングは、６イ
ンチもしくは８インチのフラットシリコンウェハ、トポグラフィーウェハ、石英
スライド、アルミニウム基板、タンタル（Ｔａ）基板および窒化タンタル（Ｔａ
Ｎ）基板上にＣＶＤ重合させた。

【００３５】平坦なシリコンウェハ上の２５点で、楕円偏光法により各サンプルの膜厚を光
学的に測定し、平均膜厚を評価した。膜は、ピンホール、ボイドまたは異物のな
い１０００Åの好ましい厚さを有する均一なコートを生成した。膜は、種々の基
板上で９８％超の等角性を示した。膜厚の均一性に関するデータを表１に表した
。

【表１】

【００３６】また、蒸着させた反射防止層は、一般的なフォトレジスト溶媒に実質的に溶解
しなかった。評価した溶媒は、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を含む。乳酸エチルおよびＰＧＭＥＡのいずれ
についても膜厚の損失は見られなかった。ストリッピングデータを表２に示した
。

【表２】

【００３７】膜がフォトレジストに対して化学的に不活性な状態を保持する能力を、ＵＶ−
６フォトレジスト（ＳｈｉｐｌｅｙＣｏｍｐａｎｙ，Ｉｎｃ．製造）を用いて
試験した。反射防止コーティング層上にフォトレジストをコートし、照射を行い
、その後ＬＤＤ２６Ｗ現像液（ＳｈｉｐｌｅｙＣｏｍｐａｎｙ，Ｉｎｃ．製造
）を用いて現像した。フォトリソグラフィー時に、ＵＶ−６フォトレジストを用
いて優れた特性が得られた。

【００３８】図１は、［２．２］（１，４）−ナフタレノファンを用いて、実施例１により
石英スライド上に蒸着させた膜の紫外−可視スペクトルを示すグラフである。λ _max が２３３ｎｍであることは、［２．２］（１，４）−ナフタレノファン系の
反射防止膜が遠紫外線（２４８ｎｍ）適用に有用であることを証明している。光
学濃度は、２４８ｎｍにおいて６．４６／μｍであった。

【００３９】光学定数（ｏｐｔｉｃａｌｃｏｎｓｔａｎｔｓ）をＶＡＳＥ分析により測定
した。屈折率の実数部分（ｎ）および虚数部分（ｋ）の平均値を測定した。屈折
率の実数部分および虚数部分の値は、２４８ｎｍにおいてそれぞれｎ＝２．２９
およびｋ＝０．２９であった。光学定数から計算した光学濃度は、２４８ｎｍに
おいて６．４６／μｍであった。図２は、この膜の反射率曲線を示すグラフであ
る。ストリッピングデータを表２に示した。第１の極小膜厚は７７５Åであり、
第２の極小膜厚は１３００Åであった。

【００４０】また、膜等角性は、２０００Åトポグラフィーウェハ上に実施例１で作製した
［２．２］（１，４）−ナフタレノファンを蒸着させて試験した。ＳＥＭ写真の
調査から、高さ２０００Åのトポグラフィーを有する基板において、膜はほぼ９
８％の等角性を有していた。図３は、２０００Åのトポグラフィー上の厚さ８５
０Åの［２．２］（１，４）−ナフタレノファン膜の等角性を示している。

【００４１】シリコンウェハ上に［２．２］（１，４）−ナフタレノファンのコーティング
を蒸着させて厚さ９３０Åの膜を作製し、続いてＢＡＲＣ上でＵＶ−６フォトレ
ジストでパターン付けして、ＬＤＤ２６Ｗを用いて現像した。ウェハは、その後
、横に切断して（ｃｒｏｓｓ−ｓｅｃｔｉｏｎｅｄ）、レジストの形状をＳＥＭ
を用いて調査した。図４は、膜厚９３０Åの［２．２］（１，４）−ナフタレノ
ファン系反射防止有機コーティングに、ＵＶ−６フォトレジストを用いた場合の
優れたレジストプロフィール横断面（ｒｅｓｉｓｔｐｒｏｆｉｌｅｃｒｏｓ
ｓ−ｓｅｃｔｉｏｎ）を示したＳＥＭ写真である。レジストプロフィールは、１
００ｎｍの高密度ライン（ｄｅｎｓｅｌｉｎｅｓ）および９０ｎｍの遮断ライ
ン（ｉｓｏｌａｔｅｄｌｉｎｅｓ）と同程度の大きさであった。

【００４２】第２部［２．２］（９，１０）−アントラセノファンを用いて実施例４に示した手順
で反射防止コーティング層を作製した。この層は、６インチもしくは８インチの
フラットシリコンウェハ、トポグラフィーウェハ、石英スライド、アルミニウム
基板、タンタル（Ｔａ）基板および窒化タンタル（ＴａＮ）基板上でＣＶＤ重合
させた。

【００４３】平坦なシリコンウェハ上の２５点で、楕円偏光法により各サンプルの膜厚を光
学的に測定し、平均膜厚を評価した。膜は、ピンホール、ボイドまたは異物のな
い１０００Åの好ましい厚さを有する均一なコートを生成した。膜は、種々の基
板上で９４％超の等角性を示した。膜厚の均一性に関するデータを表３に表した
。

【表３】

【００４４】また、蒸着させた反射防止層は、一般的なフォトレジスト溶媒に実質的に溶解
しなかった。評価された溶媒は、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を含む。乳酸エチルおよびＰＧＭＥＡのいず
れについても膜厚の損失は目標値の５０Å以内（２０％未満）でった。このスト
リッピングデータを表４に示した。

【表４】

【００４５】膜がフォトレジストに対して化学的に不活性な状態を保持する能力を、ＵＶ−
６フォトレジストを用いて試験した。反射防止コーティング層上にフォトレジス
トをコートし、照射を行い、その後ＬＤＤ２６Ｗ現像液を用いて現像した。フォ
トリソグラフィー時に、ＵＶ−６フォトレジストを用いて優れた特性が得られた
。実施例４に示す手順で作製した反射防止コーティングは、シリコン、アルミニ
ウム、タンタル、窒化タンタル基板に対して優れた接着性を示した。

【００４６】図５は、［２．２］（９，１０）−アントラセノファンを用いて、実施例４に
より石英スライド上に蒸着させた膜の紫外−可視スペクトルを示すグラフである
。λ_maxが２６７ｎｍであることは、［２．２］（９，１０）−アントラセノフ
ァン系の反射防止膜が遠紫外線（２４８ｎｍ）適用に有用であることを証明して
いる。光学濃度は、２４８ｎｍにおいて５．８０／μｍであった。

【００４７】光学定数（ｏｐｔｉｃａｌｃｏｎｓｔａｎｔｓ）をＶＡＳＥ分析により測定
した。屈折率の実数部分（ｎ）および虚数部分（ｋ）の値は、２４８ｎｍにおい
てそれぞれｎ＝１．５５およびｋ＝０．３６であった。光学定数から計算した光
学濃度は、２４８ｎｍにおいて６．４６／μｍであった。図６は、この膜の反射
率曲線を示すグラフである。第１の極小膜厚は５７０Åであり、第２の極小膜厚
は１３００Åであった。

【００４８】また、膜等角性は、２０００Åトポグラフィーウェハ上に［２．２］（９，１
０）−アントラファン（実施例４に示した手順で作製した）を蒸着させて試験し
た。ＳＥＭ写真の調査から、高さ２０００Åのトポグラフィーを有する基板にお
いて、膜はほぼ１００％の等角性を有していた。図７は、２０００Åのトポグラ
フィー上の厚さ８１５Åの［２．２］（９，１０）−アントラセノファン膜の等
角性を示している。

【００４９】シリコンウェハ上に［２．２］（９，１０）−アントラセノファンのコーティ
ングを蒸着させて厚さ９００Åの膜を作製し、続いてＢＡＲＣ上でＵＶ−６フォ
トレジストでパターン付けして、ＬＤＤ２６Ｗを用いて現像した。ウェハは、そ
の後、横に切断して（ｃｒｏｓｓ−ｓｅｃｔｉｏｎｅｄ）、レジストの形状をＳ
ＥＭを用いて調査した。図８は、膜厚９００Åの［２．２］（９，１０）−アン
トラセノファン系反射防止有機コーティングに、ＵＶ−６フォトレジストを用い
た場合の優れたレジストプロフィール横断面（ｒｅｓｉｓｔｐｒｏｆｉｌｅ
ｃｒｏｓｓ−ｓｅｃｔｉｏｎ）を示したＳＥＭ写真である。レジストプロフィー
ルは、１７０ｎｍの高密度ライン（ｄｅｎｓｅｌｉｎｅｓ）と同程度の大きさ
であった。

【００５０】結論として、本発明によれば、複数の反射防止コーティング化合物を作製する
ことができ、化学蒸着法により基板に適用することができる。これらの化合物は
、［２．２］（１，４）−ナフタレノファン，４−ブロモ−［２．２］（１，４
）−ナフタレノファン，４−クロロ−［２．２］（１，４）−ナフタレノファン
，４−フルオロ−［２．２］（１，４）−ナフタレノファン，４−ニトロ−［２
．２］（１，４）−ナフタレノファン，４−アミノ−［２．２］（１，４）−ナ
フタレノファン，４−アセトアミド−［２．２］（１，４）−ナフタレノファン
，４−（１−ナフチルカルボニル）−［２．２］（１，４）−ナフタレノファン
，４−（２−ナフチルカルボニル）−［２．２］（１，４）−ナフタレノファン
，４−（フェニルカルボニル）−［２．２］（１，４）−ナフタレノファン，４
−（４’−メチル−フェニルカルボニル）−［２．２］（１，４）−ナフタレノ
ファン，４−（４’−メトキシ−フェニルカルボニル）−［２．２］（１，４）
−ナフタレノファン，４−（４’−ニトロフェニルカルボニル）−［２．２］（
１，４）−ナフタレノファン，４−（シンナミルカルボニル）−［２．２］（１
，４）−ナフタレノファン，４−（アクリルカルボニル）−［２．２］（１，４
）−ナフタレノファン，４−（メタクリルカルボニル）−［２．２］（１，４）
−ナフタレノファン，４−（２’−フリルカルボニル）−［２．２］（１，４）
−ナフタレノファンおよび４−（２’−チエニルカルボニル）−［２．２］（１
，４）−ナフタレノファンのような［２．２］（１，４）−ナフタレノファン誘
導体；［２．２］（２，６）−ナフタレノファンおよびその一置換誘導体；［２
．２］（９，１０）−アントラセノファンおよび４−ブロモ−［２．２］（９，
１０）−アントラセノファン，４−クロロ−［２．２］（９，１０）−アントラ
セノファン，４−フルオロ−［２．２］（９，１０）−アントラセノファン，４
−ニトロ−［２．２］（９，１０）−アントラセノファン，４−アミノ−［２．
２］（９，１０）−アントラセノファン，４−アセトアミド−［２．２］（９，
１０）−アントラセノファン，４−（１−ナフチルカルボニル）−［２．２］（
９，１０）−アントラセノファン，４−（２−ナフチルカルボニル）−［２．２
］（９，１０）−アントラセノファン，４−（フェニルカルボニル）−［２．２
］（９，１０）−アントラセノファン，４−（４’−メチル−フェニルカルボニ
ル）−［２．２］（９，１０）−アントラセノファン，４−（４’−メトキシ−
フェニルカルボニル）−［２．２］（９，１０）−アントラセノファン，４−（
４’−ニトロ−フェニルカルボニル）−［２．２］（９，１０）−アントラセノ
ファン，４−（アクリルカルボニル）−［２．２］（９，１０）−アントラセノ
ファン，４−（メタクリルカルボニル）−［２．２］（９，１０）−アントラセ
ノファン，４−（２’−フリルカルボニル）−［２．２］（９，１０）−アント
ラセノファンおよび４−（２’−チエニルカルボニル）−［２．２］（９，１０
）−アントラセノファンのようなその誘導体。

【図面の簡単な説明】

【図１】石英スライド上に蒸着させた［２．２］（１，４）−ナフタレノフ
ァン（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｏｐｈａｎｅ）膜の紫外−可視（ＵＶ−Ｖｉｓ）ス
ペクトルを示すグラフである。

【図２】種々の基板上の［２．２］（１，４）−ナフタレノファンの反射率
曲線を示すグラフである。

【図３】２０００Åのトポグラフィ上の厚さ８５０Åの［２．２］（１，４
）−ナフタレノファン膜の膜等角性を示す走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である
。

【図４】市販のフォトレジストを用いた場合の膜厚９３０Åの［２．２］（
１，４）−ナフタレノファン系の反射防止有機コーティングのレジストプロフィ
ール横断面（ｒｅｓｉｓｔｐｒｏｆｉｌｅｃｒｏｓｓ−ｓｅｃｔｉｏｎ）を
示すＳＥＭ写真である。

【図５】石英スライド上に蒸着した［２．２］（９，１０）−アントラセノ
ファン膜の紫外−可視スペクトルを示すグラフである。

【図６】種々の基板上の［２．２］（９，１０）−アントラセノファンの反
射率曲線を示すグラフである。

【図７】２０００Åのトポグラフィ上の厚さ３６０Åの［２．２］（９，１
０）−アントラセノファン膜の膜等角性を示すＳＥＭ写真である。

【図８】市販のフォトレジストを用いた場合の膜厚９００Åの［２．２］（
９，１０）−アントラセノファン系の反射防止有機コーティングのレジストプロ
フィール横断面（ｒｅｓｉｓｔｐｒｏｆｉｌｅｃｒｏｓｓ−ｓｅｃｔｉｏｎ
）を示すＳＥＭ写真である。

【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書

【提出日】平成１３年１１月２１日（２００１．１１．２１）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【化１】式中、前記環状部分の少なくとも１つは、ヘテロ環または芳香環であり、Ｒは
結合基を表し、各Ｘは、独立して水素、ハロゲン、ニトロ基、アミノ基、アセト
アミド基、置換された、もしくは無置換の環式基、置換された、もしくは無置換
のヘテロ環基、およびＣＯＲ¹からなる群から選択され、前記Ｒ¹は、水素、置換された、もしくは無置換のフェニル基、置換された、
もしくは無置換のアルキル基、シンナモイル基、ナフトイル基、アクリロイル基
、メタアクリロイル基、フロイル基およびチオフェンカルボニル基からなる群か
ら選択される集積回路の製造時に使用されるプレカーサーを製造する方法。

【化２】式中、前記環状部分の少なくとも１つは、ヘテロ環または芳香環であり、Ｒは結合基を表し、各Ｘは、独立して水素、ハロゲン、ニトロ基、アミノ基、ア
セトアミド基、置換された、もしくは無置換の環式基、置換された、もしくは無
置換のヘテロ環基、およびＣＯＲ¹からなる群から選択され、前記Ｒ¹は、水素
、置換された、もしくは無置換のフェニル基、置換された、もしくは無置換のア
ルキル基、シンナモイル基、ナフトイル基、アクリロイル基、メタアクリロイル
基、フロイル基およびチオフェンカルボニル基からなる群から選択される集積回
路の製造工程の途中で作製されるプレカーサー構造。

【化３】式中、Ｒは結合基を表し、各Ｘは、独立して水素、ハロゲン、ニトロ基、アミ
ノ基、アセトアミド基、置換された、もしくは無置換の環式基、置換された、も
しくは無置換のヘテロ環基、およびＣＯＲ¹からなる群から選択され、前記Ｒ¹ は、水素、置換された、もしくは無置換のフェニル基、置換された、もしくは無
置換のアルキル基、シンナモイル基、ナフトイル基、アクリロイル基、メタアク
リロイル基、フロイル基およびチオフェンカルボニル基からなる群から選択され
、２つの環状部分がいずれもナフタレンの場合、各Ｘは、独立してハロゲン、ニ
トロ基、アミノ基、アセトアミド基およびカルボニルからなる群から選択される
。

【化４】式中、Ｒは結合基を表し、各Ｘは、独立して水素、ハロゲン、ニトロ基、アミ
ノ基、アセトアミド基、置換された、もしくは無置換の環式基、置換された、も
しくは無置換のヘテロ環基、およびＣＯＲ¹からなる群から選択され、前記Ｒ¹ は、水素、置換された、もしくは無置換のフェニル基、置換された、もしくは無
置換のアルキル基、シンナモイル基、ナフトイル基、アクリロイル基、メタアク
リロイル基、フロイル基およびチオフェンカルボニル基からなる群から選択され
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者サブニスラムダブリュー．アメリカ合衆国ミズーリ州 65401 ローラビシーロード 2205 (72)発明者スペンサーメアリージェイ．アメリカ合衆国ミズーリ州 65401 ローラシーオー．ロード 2030 16145 Ｆターム(参考） 2H025 AB16 AB17 DA34 4K030 AA09 BA35 CA12 FA10 JA01 JA09 JA10 LA11 5F046 PA07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ある量の反射防止化合物と、該化合物が適用される面を有する基板とを与える
工程と、化学蒸着法により前記基板の面上に前記反射防止化合物層を蒸着させる工程と
、を含み、前記反射防止化合物は、下記式を有し、【化１】式中、Ｒは結合基を表し、各Ｘは、独立して水素、ハロゲン、ニトロ基、アミ
ノ基、アセトアミド基、置換された、もしくは無置換の環式基、置換された、も
しくは無置換のヘテロ環基、およびＣＯＲ¹からなる群から選択され、前記Ｒ¹は、水素、置換された、もしくは無置換のフェニル基、置換された、
もしくは無置換のアルキル基、シンナモイル基、ナフトイル基、アクリロイル基
、メタアクリロイル基、フロイル基およびチオフェンカルボニル基からなる群か
ら選択される集積回路の製造時に使用されるプレカーサーを製造する方法。
【請求項２】さらに、前記反射防止化合物層上にフォトレジスト層を適用する工程を含む請
求項１に記載の方法。
【請求項３】前記環状部分の少なくとも１つが、ヘテロ環または芳香環である請求項１に記
載の方法。
【請求項４】前記環状部分は、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナトレン、ピレ
ン、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、チアゾール、イソチアゾー
ル、オキサゾール、イソオキサゾール、チオフェン、フランおよびピロールから
なる群から選択される請求項３に記載の方法。
【請求項５】前記反射防止化合物のひずみエネルギーは、少なくとも約１０ｋｃａｌ／ｍｏ
ｌである請求項１に記載の方法。
【請求項６】前記基板は、シリコンウェハよりなる請求項１に記載の方法。
【請求項７】前記化学蒸着処理は、（ａ）前記反射防止化合物に十分な温度および圧力を加えて、該反射防止化合
物を気化させる工程と、（ｂ）得られた気化させた反射防止化合物を開裂させる（ｃｌｅａｖｉｎｇ）
工程と、（ｃ）前記開裂させた化合物を、前記基板の面上に蒸着させる工程と、を含む
請求項１に記載の方法。
【請求項８】前記（ａ）気化させる工程は、約３５〜１６０℃の温度、かつ約２〜５０ｍＴ
ｏｒｒの圧力で実施される請求項７に記載の方法。
【請求項９】前記（ｂ）開裂させる工程は、各Ｒの原子のうち、２つの原子間の結合を切断
させる工程を含む請求項７に記載の方法。
【請求項１０】前記（ｂ）開裂させる工程は、前記反射防止化合物を熱分解させる工程を含む
請求項７に記載の方法。
【請求項１１】前記熱分解させる工程は、前記反射防止化合物を、約５８０℃〜７００℃の温
度に加熱する工程を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】前記（ｃ）蒸着させる工程は、前記開裂させた化合物を、約２０〜２５℃の温
度にする工程を含む請求項７に記載の方法。
【請求項１３】前記反射防止化合物層は、前記フォトレジスト層に使用される溶剤に実質的に
溶解しない請求項１に記載の方法。
【請求項１４】さらに、前記フォトレジスト層の少なくとも１部に活性化放射線を照射する工
程と、前記放射線照射されたフォトレジスト層を現像させる工程と、前記現像させたフォトレジスト層をエッチングする工程と、をさらに含む請求
項１に記載の方法。
【請求項１５】前記基板の面に蒸着させた反射防止化合物は、約１５０〜５００ｎｍの波長の
光を、少なくとも約９０％吸収する請求項１に記載の方法。
【請求項１６】前記基板の面に蒸着させた反射防止化合物層に、所定の波長を有する光を照射
し、該反射防止化合物層は、該所定の波長を照射した際に少なくとも約０．１の
ｋ値を有する請求項１に記載の方法。
【請求項１７】前記基板の面に蒸着させた反射防止化合物層は、少なくとも約８５％の等角性
（ｃｏｍｆｏｒｍａｌｉｔｙ）を有する請求項１に記載の方法。
【請求項１８】前記基板は、突起構造（ｒａｉｓｅｄｆｅａｔｕｒｅｓ）と、コンタクトも
しくはバイアホールを定義する構造とを含み、前記蒸着させる工程は、前記突起
構造および前記ホールを定義する構造上の層にある量の反射防止化合物を蒸着さ
せる工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１９】面を有する基板と、前記面上の反射防止化合物を含む層と、を含み、前記反射防止化合物の層は、化学蒸着法により前記面上に形成され、前記反射防止化合物は、下記式を有するモノマー類から作製され、【化２】式中、Ｒは結合基を表し、各Ｘは、独立して水素、ハロゲン、ニトロ基、アミ
ノ基、アセトアミド基、置換された、もしくは無置換の環式基、置換された、も
しくは無置換のヘテロ環基、およびＣＯＲ¹からなる群から選択され、前記Ｒ¹ は、水素、置換された、もしくは無置換のフェニル基、置換された、もしくは無
置換のアルキル基、シンナモイル基、ナフトイル基、アクリロイル基、メタアク
リロイル基、フロイル基およびチオフェンカルボニル基からなる群から選択され
る集積回路の製造工程の途中で作製されるプレカーサー構造。
【請求項２０】前記構造は、さらに前記反射防止化合物層上にフォトレジスト層を含む請求項
１９に記載のプレカーサー構造。
【請求項２１】前記環状部分の少なくとも１つは、ヘテロ環または芳香環である請求項１９に
記載のプレカーサー構造。
【請求項２２】前記環状部分は、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピ
レン、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、チアゾール、イソチアゾ
ール、オキサゾール、イソオキサゾール、チオフェンおよびピロールからなる群
から選択される請求項２１に記載のプレカーサー構造。
【請求項２３】前記反射防止化合物のひずみエネルギーは、少なくとも約１０ｋｃａｌ／ｍｏ
ｌである請求項１９に記載のプレカーサー構造。
【請求項２４】前記基板は、シリコンウェハよりなる請求項１９に記載のプレカーサー構造。
【請求項２５】前記基板の面上の反射防止化合物層は、約３００〜５０００Åの厚さを有する
請求項１９に記載のプレカーサー構造。
【請求項２６】前記反射防止化合物層は、前記フォトレジスト層に使用される溶剤に対して実
質的に溶解しない請求項１９に記載のプレカーサー構造。
【請求項２７】前記反射防止化合物層は、約１５０〜５００ｎｍの波長の光を少なくとも約９
０％吸収する請求項１９に記載のプレカーサー構造。
【請求項２８】前記反射防止化合物層は、所定の波長の光を照射した際に、少なくとも約０．
１のｋ値を有する請求項１９に記載のプレカーサー構造。
【請求項２９】前記反射防止化合物層は、少なくとも約８５％の等角性を有する請求項１９に
記載のプレカーサー構造。
【請求項３０】前記基板は、突起構造と、コンタクトもしくはバイアホールを定義する構造と
、を含み、前記反射防止化合物層は、前記突起構造および前記ホールを定義する
構造の少なくとも一部の上に存在する請求項１９に記載のプレカーサー構造。
【請求項３１】下記式を有する光減衰作用をもった化合物。【化３】式中、Ｒは結合基を表し、各Ｘは、独立して水素、ハロゲン、ニトロ基、アミ
ノ基、アセトアミド基、置換された、もしくは無置換の環式基、置換された、も
しくは無置換のヘテロ環基、およびＣＯＲ¹からなる群から選択され、前記Ｒ¹ は、水素、置換された、もしくは無置換のフェニル基、置換された、もしくは無
置換のアルキル基、シンナモイル基、ナフトイル基、アクリロイル基、メタアク
リロイル基、フロイル基およびチオフェンカルボニル基からなる群から選択され
、２つの環式基がいずれもナフタレンの場合、各Ｘは、独立してハロゲン、ニト
ロ基、アミノ基、アセトアミド基およびカルボニル基からなる群から選択される
。
【請求項３２】環状単位は、各々ナフタレン、アントラセン、チオフェンおよびピリジンから
なる群から選択される請求項３１に記載の化合物。
【請求項３３】前記Ｘは、ＣＯＲ¹であり、前記Ｒ¹はフェニル基、メチルフェニル基、メト
キシフェニル基、ニトロフェニル基、シンナモイル基、ナフトイル基、アクリロ
イル基、メタアクリロイル基、フロイル基およびチオフェンカルボニル基からな
る群から選択される請求項３０に記載の化合物。
【請求項３４】Ｒは、各々エチル基を含む請求項３３に記載の化合物。
【請求項３５】Ｒは、各々エチル基を含む請求項３２に記載の化合物。
【請求項３６】触媒および溶剤の存在下で、少なくとも２つの環状化合物と、ハロゲン化剤を
反応させて、環状化合物をハロゲン化する第１の反応工程と、前記環状化合物を反応させて、環状部分の１つの１位と、環状化合物の別の１
つの１位とに結合する結合基を介して互いに接続する２つの環状部分を含んだ反
射防止化合物を得る第２の反応工程と、を含む光減衰化合物を製造する方法。
【請求項３７】前記ハロゲン化剤は、臭素化剤および塩素化剤からなる群から選択される請求
項３６に記載の方法。
【請求項３８】前記ハロゲン化剤は、Ｎ−ブロモスクシンイミドである請求項３７に記載の方
法。
【請求項３９】前記触媒は、過酸化ベンゾイルである請求項３６に記載の方法。
【請求項４０】前記溶剤は、四塩化炭素である請求項３６に記載の方法。
【請求項４１】前記触媒は、セチルトリメチルアンモニウムブロマイドであり、前記第１の反
応工程は、前記環状化合物と反応可能なアルキル供与性化合物の存在下で実施さ
れ、前記各環状化合物に炭素数２またはそれ以上のアルキル基を付加する請求項
３６に記載の方法。
【請求項４２】前記アルキル供与性化合物は、パラホルムアルデヒドである請求項４１に記載
の方法。
【請求項４３】前記第２の反応工程で製造される反射防止化合物は、下記式を有する請求項３
６に記載の方法。【化４】式中、Ｒは結合基を表し、各Ｘは、独立して水素、ハロゲン、ニトロ基、アミ
ノ基、アセトアミド基、置換された、もしくは無置換の環式基、置換された、も
しくは無置換のヘテロ環基、およびＣＯＲ¹からなる群から選択され、前記Ｒ¹ は、水素、置換された、もしくは無置換のフェニル基、置換された、もしくは無
置換のアルキル基、シンナモイル基、ナフトイル基、アクリロイル基、メタアク
リロイル基、フロイル基およびチオフェンカルボニル基からなる群から選択され
る。
【請求項４４】ある量の反射防止化合物と、該反射防止化合物が適用される面を有する基板と
を与える工程と、化学蒸着法により、前記基板の面上に前記反射防止化合物層を蒸着させる工程
と、前記反射防止化合物層にフォトレジスト層を適用して、回路プレカーサーを得
る工程と、を含む集積回路の製造時に使用するプレカーサーを製造する方法。
【請求項４５】前記反射防止化合物は、少なくとも１つのアルキル基により結合された２つの
環状部分を含み、前記アルキル基は、約２〜４個の炭素元素を含む請求項４４に
記載の方法。
【請求項４６】前記環状部分の少なくとも１つは、芳香族である請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】前記芳香族部分は、独立してベンゼン、ナフタレン、アントラセン、チオフェ
ン、フランおよびピロールからなる群から選択される請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】前記芳香族部分の少なくとも１つは、ベンゼンである請求項４７に記載の方法
。
【請求項４９】前記化合物は、１，４−ジキシリレンである請求項４８に記載の方法。
【請求項５０】前記アルキル基は、エチル基である請求項４５に記載の方法。
【請求項５１】前記化合物のひずみエネルギーは、約１０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上である請求項
４５に記載の方法。
【請求項５２】前記基板は、シリコンウェハよりなる請求項４４に記載の方法。
【請求項５３】前記化学蒸着工程は、（ａ）前記化合物に十分な温度および圧力を加えて該化合物を気化させる工程
と、（ｂ）得られた気化させた化合物を開裂させる工程と、（ｃ）前記開裂させた化合物を前記基板の面上に蒸着させる工程と、を含む請
求項４５に記載の方法。
【請求項５４】前記（ａ）化合物を気化させる工程は、約３５〜１６０℃の温度、かつ約２〜
５０ｍＴｏｒｒの圧力で実施される請求項５３に記載の方法。
【請求項５５】前記（ｂ）開裂させる工程は、前記アルキル基のうちの２つの炭素原子間の結
合を切断させる工程を含む請求項５３に記載の方法。
【請求項５６】前記（ｂ）開裂させる工程は、前記化合物を熱分解させる工程を含む請求項５
３に記載の方法。
【請求項５７】前記熱分解させる工程は、前記化合物を約５８０〜７００℃の温度に加熱する
工程を含む請求項５６に記載の方法。
【請求項５８】前記（ｃ）蒸着させる工程は、前記開裂させた化合物を約２０〜２５℃の温度
にする工程を含む請求項５３に記載の方法。
【請求項５９】前記フォトレジスト層を適用する工程の実施後、前記基板の面上に適用された
反射防止化合物層は、約３００〜５０００Åの厚さを有する請求項４４に記載の
方法。
【請求項６０】前記反射防止化合物層は、前記フォトレジスト層に使用される溶剤に実質的に
溶解しない請求項４４に記載の方法。
【請求項６１】前記フォトレジスト層の少なくとも１部に活性化放射線を照射する工程と、前記放射線照射されたフォトレジスト層を現像させる工程と、前記現像させたフォトレジスト層をエッチングする工程と、をさらに含む請求
項４４に記載の方法。
【請求項６２】前記基板の面上に蒸着させた反射防止化合物層は、約１５０〜５００ｎｍの波
長の光を少なくとも約９０％吸収する請求項４４に記載の方法。
【請求項６３】前記基板の面上に蒸着された反射防止化合物層に、所定の波長の光を照射し、
該反射防止化合物層は、該所定の波長の光を照射した際に少なくとも約０．１の
ｋ値を有する請求項４４に記載の方法。
【請求項６４】前記基板の面上に蒸着させた反射防止化合物層は、少なくとも約８５％の等角
性を有する請求項４４に記載の方法。
【請求項６５】前記基板は、突起構造と、コンタクトもしくはバイアホールを定義する構造と
、を含み、前記蒸着させる工程は、前記突起構造および前記ホールを定義する構
造上の層にある量の前記反射防止化合物を蒸着させる工程を含む請求項４４に記
載の方法。
【請求項６６】前記反射防止化合物は、式IIの構造を有する請求項４４に記載の方法。
【請求項６７】面を有する基板と、前記面上の反射防止化合物を含む層と、前記反射防止化合物層上のフォトレジスト層と、を含み、前記反射防止化合物層は、化学蒸着法により前記面上に形成される集積回路の
製造工程途中で作製されるプレカーサ構造。
【請求項６８】前記反射防止化合物は、少なくとも１つのアルキル基で結合される２つの環状
部分を含み、前記アルキル基は、２〜４個の炭素原子を含む請求項６７に記載の
構造。
【請求項６９】前記環状部分の少なくとも１つは、芳香族部分である請求項６８に記載の構造
。
【請求項７０】前記芳香族部分は、独立してベンゼン、ナフタレン、アントラセン、チオフェ
ン、フランおよびピロールからなる群から選択される請求項６９に記載の構造。
【請求項７１】前記芳香族部分の少なくとも１つは、ベンゼンである請求項７０に記載の構造
。
【請求項７２】前記化合物は、１，４−ジキシリレンである請求項７１に記載の構造。
【請求項７３】前記アルキル基は、エチル基である請求項６８に記載の構造。
【請求項７４】前記化合物のひずみエネルギーは、少なくとも約１０ｋｃａｌ／ｍｏｌである
請求項６８に記載の構造。
【請求項７５】前記基板は、シリコンウェハを含む請求項６７に記載の構造。
【請求項７６】前記基板の面上の反射防止化合物層は、約３００〜５０００Åの厚さを有する
請求項６７に記載の構造。
【請求項７７】前記反射防止化合物は、前記フォトレジスト層に使用される溶剤に実質的に溶
解しない請求項６７に記載の構造。
【請求項７８】前記基板の面上の反射防止化合物は、約１５０〜５００ｎｍの波長の光を少な
くとも約９０％吸収する請求項６７に記載の構造。
【請求項７９】前記基板の面上に蒸着した反射防止化合物層に、所定の波長の光を照射し、該
反射防止化合物層は、該所定の波長の光を照射した際に、少なくとも約０．１の
ｋ値を有する請求項６７に記載の構造。
【請求項８０】前記基板の面上に蒸着した反射防止化合物層は、少なくとも約８５％の等角性
を有する請求項６７に記載の構造。
【請求項８１】前記基板は、突起構造と、コンタクトまたはバイアホールを定義する構造と、
を有し、前記反射防止化合物層は、前記突起構造および前記ホールを定義する構
造上に蒸着される請求項８０に記載の構造。
【請求項８２】前記反射防止化合物は、式IIの構造を有する請求項６７に記載の構造。