JPS608839A - 複合レジスト層の形成方法 - Google Patents
複合レジスト層の形成方法Info
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- JPS608839A JPS608839A JP11586183A JP11586183A JPS608839A JP S608839 A JPS608839 A JP S608839A JP 11586183 A JP11586183 A JP 11586183A JP 11586183 A JP11586183 A JP 11586183A JP S608839 A JPS608839 A JP S608839A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0754—Non-macromolecular compounds containing silicon-to-silicon bonds
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、一般的にはレジスト惜造体の形成方法に係り
、更に具体的に言えば、リングラフィにおいて有用であ
るドライエツチング耐性のすぐれた複合しジスト措造体
の形成方法に係る。
、更に具体的に言えば、リングラフィにおいて有用であ
るドライエツチング耐性のすぐれた複合しジスト措造体
の形成方法に係る。
半導体素子、集稍回路等の超小型回路の製造において、
フォトリソグラフィ技術が用いられてお９、近年、電子
怨、リソグラフィあるいは軟Ｘ線リソグラフィも使用さ
ｊｔつつあり、今後もこれらのリングラフィ技術が使用
され続けるものと思われる。
フォトリソグラフィ技術が用いられてお９、近年、電子
怨、リソグラフィあるいは軟Ｘ線リソグラフィも使用さ
ｊｔつつあり、今後もこれらのリングラフィ技術が使用
され続けるものと思われる。
近年、半導体素子等の高密度化、高集積化を計る目的で
、１μｍ以下の幅のパターンを形成する方法が要求され
ている。これを達成するために、エツチング技術は従来
の湿式エツチング法にかわって、乾式（ドライ）エツチ
ング法に代わりつつある。したがって、リソグラフィ技
術に使用されるレジスト月料には、高感度、高解付性で
ある々ともに、ドライエツチングに対する耐性に仁れて
いることが要求されている。
、１μｍ以下の幅のパターンを形成する方法が要求され
ている。これを達成するために、エツチング技術は従来
の湿式エツチング法にかわって、乾式（ドライ）エツチ
ング法に代わりつつある。したがって、リソグラフィ技
術に使用されるレジスト月料には、高感度、高解付性で
ある々ともに、ドライエツチングに対する耐性に仁れて
いることが要求されている。
超徽細なレジストパターンを形成するためには、使用す
るレジスト月料の種類やりソグラフィ方式に依存するこ
とは勿論であるが、更には使用するレジストの膜厚を薄
くすることが極めて効果的である。しかし、半導体素子
等の基板にはレジストを塗布する前に、すてに配線等が
形成されているために、基板表面は平滑ではなく、レジ
スト膜厚を薄くすることはピンホール等のレジスト欠陥
の増大につながり実用的ではない。また、ドライエツチ
ングに対する耐性の観点からも、レジスト膜厚をあまシ
薄くすることはできない。
るレジスト月料の種類やりソグラフィ方式に依存するこ
とは勿論であるが、更には使用するレジストの膜厚を薄
くすることが極めて効果的である。しかし、半導体素子
等の基板にはレジストを塗布する前に、すてに配線等が
形成されているために、基板表面は平滑ではなく、レジ
スト膜厚を薄くすることはピンホール等のレジスト欠陥
の増大につながり実用的ではない。また、ドライエツチ
ングに対する耐性の観点からも、レジスト膜厚をあまシ
薄くすることはできない。
そこで、最近、高解像性でかつドライエツチング耐性の
優れたレジストパターンを得る方法として、３層レジス
ト法が行なわれている。３層レジスト法は第１図に示す
ようなレジスト構造を有している。すなわち、第１層の
レジスト層１（膜厚：約０．２− ｏ、 ３μｒｒＬ）
Ｔ 坑２ ｍの無機質膜２（たとえば、蒸着金属膜や二
酸化ケイ素膜など、膜厚：約０１μ扉）および第５層の
有機層３（たとえば、フェノールノボラック樹”脂など
膜厚：１〜２μｍ）、基板４から成り、第１層のレジス
ト層を光や軟Ｘ線等でパターニングした後、第２欝の無
機質膜層をエツチングし、これをマスクとして、第６Ｆ
Ｊの有機層を酸素プラズマ管によシトライエツチングす
ることにより微細加工を施す方法である。
優れたレジストパターンを得る方法として、３層レジス
ト法が行なわれている。３層レジスト法は第１図に示す
ようなレジスト構造を有している。すなわち、第１層の
レジスト層１（膜厚：約０．２− ｏ、 ３μｒｒＬ）
Ｔ 坑２ ｍの無機質膜２（たとえば、蒸着金属膜や二
酸化ケイ素膜など、膜厚：約０１μ扉）および第５層の
有機層３（たとえば、フェノールノボラック樹”脂など
膜厚：１〜２μｍ）、基板４から成り、第１層のレジス
ト層を光や軟Ｘ線等でパターニングした後、第２欝の無
機質膜層をエツチングし、これをマスクとして、第６Ｆ
Ｊの有機層を酸素プラズマ管によシトライエツチングす
ることにより微細加工を施す方法である。
この３層レジスト法のｑ１徴は第１層のレジスト層を薄
くすることができることにより、超微細なパターンが得
られ、また、第３層にドライエツチング耐性の仁れた有
機層を用いることにより、耐ドライエツチング性の優れ
たレジスト膜が得られることにある。
くすることができることにより、超微細なパターンが得
られ、また、第３層にドライエツチング耐性の仁れた有
機層を用いることにより、耐ドライエツチング性の優れ
たレジスト膜が得られることにある。
しかし、この方法では、プロセスが長いために実用的に
はその簡略化が強く望まれており、また、有機層の上に
第２屑の無機質膜を形成することは通常、蒸着法等で行
なわれるため極めて困難であり、その改善が強く望まれ
ていた。
はその簡略化が強く望まれており、また、有機層の上に
第２屑の無機質膜を形成することは通常、蒸着法等で行
なわれるため極めて困難であり、その改善が強く望まれ
ていた。
本発明の目的は、上記したような従来技術の欠点をなく
Ｌ超微細なパターン形成が可能で、ドライエツチング耐
性の優れた帳合レジスト層の形成方法を提供することで
ある。更に、本発明の目的は、低温形成可能な、２層か
ら成る複合レジスト層の形成方法を提供することである
。
Ｌ超微細なパターン形成が可能で、ドライエツチング耐
性の優れた帳合レジスト層の形成方法を提供することで
ある。更に、本発明の目的は、低温形成可能な、２層か
ら成る複合レジスト層の形成方法を提供することである
。
上記の目的を達成するために、本発明者は第１図におけ
る第１層と第２層との性質を兼ね備えるレジスト材料が
ないかと種々検討した結果分子中にＳｉ＋ｓｉ÷ 結合
（但し、ルは１〜５ル までの整数を表わす）？、有する高分子材料を用いれば
良いこと金兄い出した。
る第１層と第２層との性質を兼ね備えるレジスト材料が
ないかと種々検討した結果分子中にＳｉ＋ｓｉ÷ 結合
（但し、ルは１〜５ル までの整数を表わす）？、有する高分子材料を用いれば
良いこと金兄い出した。
すなわち、上記高分子材料は紫外線や放射線に対し高い
感応性を有しており、通常の写真食刻技術や電子ねある
いは軟Ｘ線リソグラフィ技術によってパターン形成が可
能であり、かつ又パターン形成したレジスト被膜は酸素
プラズマに対して極めて高い耐性を有しており、長時間
酸素プラズマを照射しても全く膜べりを起こさないとい
う特徴を有している。
感応性を有しており、通常の写真食刻技術や電子ねある
いは軟Ｘ線リソグラフィ技術によってパターン形成が可
能であり、かつ又パターン形成したレジスト被膜は酸素
プラズマに対して極めて高い耐性を有しており、長時間
酸素プラズマを照射しても全く膜べりを起こさないとい
う特徴を有している。
したがって、段差のある零子基板上に微細加工を施す場
合には、まず、下部層としてフェノールノボラック樹脂
などからなる有機層を例えば１〜２μｍ厚に塗布し、乾
燥したのち、上部層として分子中にＳｉ＋Ｓｉ＋結合（
但し、ルは１〜５までの整数を表わす）を有する高分子
材料からなる有機層を０１〜０３μｍ厚に塗布した複合
レジスト宿造体を作成し、上部層を通常のリソグラフィ
技術によってパターニングした後、パターニングした上
部層をマスクとした酸素プラズマにより下部層をドライ
エツチングすれば良（・ことが見い出された。
合には、まず、下部層としてフェノールノボラック樹脂
などからなる有機層を例えば１〜２μｍ厚に塗布し、乾
燥したのち、上部層として分子中にＳｉ＋Ｓｉ＋結合（
但し、ルは１〜５までの整数を表わす）を有する高分子
材料からなる有機層を０１〜０３μｍ厚に塗布した複合
レジスト宿造体を作成し、上部層を通常のリソグラフィ
技術によってパターニングした後、パターニングした上
部層をマスクとした酸素プラズマにより下部層をドライ
エツチングすれば良（・ことが見い出された。
このよ５にして作成した複合レジス）／？’５を用いて
パターニングを施せば、次のような利点があることがわ
かる。
パターニングを施せば、次のような利点があることがわ
かる。
（１）本発明のレジスト層（？ｐ、２図の５）を薄くす
ることができるために、極めて微細なパターン形成が可
能となる。
ることができるために、極めて微細なパターン形成が可
能となる。
（２） 下部層として、塩素系やフッ素系のドライエツ
チングガスに対して高い耐性を有する有機層を用いるこ
とにより、ドライエツチング耐性のすぐれたレジストパ
ターンを形成することが可能である。
チングガスに対して高い耐性を有する有機層を用いるこ
とにより、ドライエツチング耐性のすぐれたレジストパ
ターンを形成することが可能である。
（３）上部層および下部層はいずれも通常のスピンコー
ティング法によシ塗布することができるだめに、極めて
簡単な方法で接合レジスト層を形成することができる。
ティング法によシ塗布することができるだめに、極めて
簡単な方法で接合レジスト層を形成することができる。
次に、本発明で使用する材料について説明する。第１層
のレジスト材料として使用される光および放射線感応性
有機高分子材料としては（但し、式中、Ｒ８は２価の有
機基、Ｒ２，Ｒ，。
のレジスト材料として使用される光および放射線感応性
有機高分子材料としては（但し、式中、Ｒ８は２価の有
機基、Ｒ２，Ｒ，。
Ｒ４およびＲ６はメチル基、エチル基、プロピル基ある
いはフェニル基のいずれかを表わし、ルは１〜５までの
？数を表わす）で表わされる縁り返し単位を主成分とす
る高分子材料が使用される。
いはフェニル基のいずれかを表わし、ルは１〜５までの
？数を表わす）で表わされる縁り返し単位を主成分とす
る高分子材料が使用される。
一般式中、Ｒ１は２価の有機基で、具体的には（イ）芳
香環措造のみを有する２価の有機基、■ 芳香環横道と
鎖式構造を有する２価の有機基、 ０ アルキレン基、あるいは （ハ ヘテロ原子を含む２価の有機基 などがあげられる。
香環措造のみを有する２価の有機基、■ 芳香環横道と
鎖式構造を有する２価の有機基、 ０ アルキレン基、あるいは （ハ ヘテロ原子を含む２価の有機基 などがあげられる。
灸クチなどが挙けられ、（０としては
ＣＨ。
ｃｍ。
−Ｃ１１２Ｃ１ｉ２−（Ｉ）−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ
２−（◇−ＣＨ，−などがあげられ、 （Ｃ”）としては−〇Ｈ２Ｃ１１２−、−Ｃ１１２Ｃ１
１２ＣＨ２−などが、（ハ）としては−Ｑ−ｏ−◎−２
Ｘ◇−ｓｏ、 −（Ｉ）−。
２−（◇−ＣＨ，−などがあげられ、 （Ｃ”）としては−〇Ｈ２Ｃ１１２−、−Ｃ１１２Ｃ１
１２ＣＨ２−などが、（ハ）としては−Ｑ−ｏ−◎−２
Ｘ◇−ｓｏ、 −（Ｉ）−。
＠−０＠０ （Ｅ＞−９
Ｃ１ｌ、 ＣＨ。
−ＣＨ２ＣＨ２Ｃ１１２Ｓｉ −０−５ｉ −ＣＨ２Ｃ
１１２Ｃ１ｌ、 −。
１１２Ｃ１ｌ、 −。
ＣＨａｎ
ＣＥ３Ｃ１１３
また、上記した有機基に含まれる芳香環に）＼ロゲン原
子、アルキル基などを１つ以上置換したものを使用して
もさしつかえない。例えば、（イ）Ｉ 一般式中、Ｒ２，Ｒ，、Ｒ，およびＲ６はメチル基エチ
ル基、プロピル基あるいはフェニル基を表わし、同一の
有機基であっても良いが、高分子材料の溶解性の観点か
ら、２雅以上の有機基（たとえば、Ｒ２，Ｒ，がメチル
基であシ、Ｒ３゜Ｒ５がエチル基である）からなること
が望ましい。
子、アルキル基などを１つ以上置換したものを使用して
もさしつかえない。例えば、（イ）Ｉ 一般式中、Ｒ２，Ｒ，、Ｒ，およびＲ６はメチル基エチ
ル基、プロピル基あるいはフェニル基を表わし、同一の
有機基であっても良いが、高分子材料の溶解性の観点か
ら、２雅以上の有機基（たとえば、Ｒ２，Ｒ，がメチル
基であシ、Ｒ３゜Ｒ５がエチル基である）からなること
が望ましい。
上記した本発明に使用されるレジスト材料は光あるいは
放射線照射によって効率良く５ｉ−５ｌ結合が切断反応
を起こし、その結果、光照射の場合には被照射部分が選
択的に現像液に可溶化し、一方、放射線照射の場合には
、被照射部分が選択的に現像液に不溶化したり、可溶化
したりする。したがって、Ｓｉ＋Ｓｉ＋ 結合（但しｎ
は１〜５までの整数を表わす）は原理的には高分子材料
中に１個以上含有されれば良い。
放射線照射によって効率良く５ｉ−５ｌ結合が切断反応
を起こし、その結果、光照射の場合には被照射部分が選
択的に現像液に可溶化し、一方、放射線照射の場合には
、被照射部分が選択的に現像液に不溶化したり、可溶化
したりする。したがって、Ｓｉ＋Ｓｉ＋ 結合（但しｎ
は１〜５までの整数を表わす）は原理的には高分子材料
中に１個以上含有されれば良い。
また、上記レジスト材料は酸素プラズマに対して、極め
て高い耐性を有しており、酸素プラズマ中に長時間放置
しても全く膜べりが認められない。これは酸素プラズマ
にさらすことによって、表面層に５ｔＯ２的な膜が形成
されるためだと考えられる。
て高い耐性を有しており、酸素プラズマ中に長時間放置
しても全く膜べりが認められない。これは酸素プラズマ
にさらすことによって、表面層に５ｔＯ２的な膜が形成
されるためだと考えられる。
第２層の有機層上して使用される材料としては、汎用溶
媒に可溶化する有機高分子材料が使用され、例えば、フ
ェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリメタクリル酸エステル系ポリマー
、ポリスチレン、ケトン系ポリマーなどが誉げられる。
媒に可溶化する有機高分子材料が使用され、例えば、フ
ェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリメタクリル酸エステル系ポリマー
、ポリスチレン、ケトン系ポリマーなどが誉げられる。
本発明の接合レジストＣ１造休を用いて半導体素子等の
機側パターニングを行なう場合、次のように行なえば良
い。すなわち、例えば、フェノールノボラック樹脂をエ
チルセロソルブに溶解させたポリマー溶液を素子基板上
にスピンコーティングによって塗布し、約１〜２μｍ厚
の有機層（第２図の６）を形成する。つづいて、この有
ｔＫ＋層の上に前記したーＳｉ＋Ｓｉ＋結合（但し、ル
は１〜５までの整数を表わす）を有する高分子材料のト
ルエン溶液を用いて、スピンコーティングにより０１〜
０３μｍ厚の本発明のレジスト層（第２図の５）を形成
す−る。次に、上部レジスト層に光あるいは放射ｎを所
望のパターンに照射し、照射後、トルエン−イソプロビ
ルアルコール混合溶媒、四塩化炭素−イソプロビルアル
コール混合溶媒あるいはトルエンなどからなる現伶液を
用いて被照射部分を選択的に溶解させたり、あるいは不
溶化させたシすることによりポジティブなレジストパタ
ーンあるいはネガティブなレジストパターンが得られる
。
機側パターニングを行なう場合、次のように行なえば良
い。すなわち、例えば、フェノールノボラック樹脂をエ
チルセロソルブに溶解させたポリマー溶液を素子基板上
にスピンコーティングによって塗布し、約１〜２μｍ厚
の有機層（第２図の６）を形成する。つづいて、この有
ｔＫ＋層の上に前記したーＳｉ＋Ｓｉ＋結合（但し、ル
は１〜５までの整数を表わす）を有する高分子材料のト
ルエン溶液を用いて、スピンコーティングにより０１〜
０３μｍ厚の本発明のレジスト層（第２図の５）を形成
す−る。次に、上部レジスト層に光あるいは放射ｎを所
望のパターンに照射し、照射後、トルエン−イソプロビ
ルアルコール混合溶媒、四塩化炭素−イソプロビルアル
コール混合溶媒あるいはトルエンなどからなる現伶液を
用いて被照射部分を選択的に溶解させたり、あるいは不
溶化させたシすることによりポジティブなレジストパタ
ーンあるいはネガティブなレジストパターンが得られる
。
ツツいて、上記したレジストパターンをマスクとして、
酸素プラズマ等によシ下部の有機層をドライエツチング
することにより、アスパラ）’比（Ｄ大＃い微細レジス
トパターンＩｔ 形成スることができる。
酸素プラズマ等によシ下部の有機層をドライエツチング
することにより、アスパラ）’比（Ｄ大＃い微細レジス
トパターンＩｔ 形成スることができる。
以下に本発明を具体的合成例および実施例をもって説明
する。
する。
合成例１
恍拌器、冷却器、滴下ロートを付した５００πｅの三つ
ロフラスコにエチルメチルジェトキシシラン１６．２ｊ
’、マグネシウム２．４ＦＭ’とテトラヒドロフラン１
００ｍ６を加えて橙拌し、窒素気流下で滴下０−）より
Ｐ−ジブロムベンゼン１１．８Ｆのテトラヒドロフラン
溶液１００ｍ１！ｆｆ：約６時間で滴下した。滴下後、
橙拌を続けながら、更に約５時間辺流した。還流後、沖
過し、続いて溶媒を留去し、減圧蒸溜により、ｐ−ビス
（エチルメチルエトキシシリル）ベンゼン１ｏ、ｓｒ
（収率：６８条）（沸点＝１２２〜１２５℃／３ｉＨＯ
を得た。
ロフラスコにエチルメチルジェトキシシラン１６．２ｊ
’、マグネシウム２．４ＦＭ’とテトラヒドロフラン１
００ｍ６を加えて橙拌し、窒素気流下で滴下０−）より
Ｐ−ジブロムベンゼン１１．８Ｆのテトラヒドロフラン
溶液１００ｍ１！ｆｆ：約６時間で滴下した。滴下後、
橙拌を続けながら、更に約５時間辺流した。還流後、沖
過し、続いて溶媒を留去し、減圧蒸溜により、ｐ−ビス
（エチルメチルエトキシシリル）ベンゼン１ｏ、ｓｒ
（収率：６８条）（沸点＝１２２〜１２５℃／３ｉＨＯ
を得た。
ＮＪｆＲスペクト／ｌ／ （ＣＤＣｌ５）δＣｐｐｒｒ
）：０．４２（、ｒ） 、 ０．８６〜１．０８ ＠）
、 １．２６（ｔ） 、 ５．７４ （ｑ） 。
）：０．４２（、ｒ） 、 ０．８６〜１．０８ ＠）
、 １．２６（ｔ） 、 ５．７４ （ｑ） 。
７、５６ （、ｒ）
次に、先に得たｐ−ビス（エチルメチルエトキシシリル
）ベンゼン９３２とアセチルクロライド１２１とを約５
時間還流することによシ、ｐ−ビス（クロロエチルメチ
ルシリル）ベンゼン８６？（収率：９８％）（沸点：１
３１〜ｂＨｆ ）を得た。
）ベンゼン９３２とアセチルクロライド１２１とを約５
時間還流することによシ、ｐ−ビス（クロロエチルメチ
ルシリル）ベンゼン８６？（収率：９８％）（沸点：１
３１〜ｂＨｆ ）を得た。
ＮＭＲスペク） ル（（１’ Ｄ Ｃ１ｓ ）δ（ｐｐ
ｍ＞：０．６８ （ｓ） 、 １．１２ （、ｒ） 、
７．６８ （、ｐ）合成例２ 措拌器、冷却器、滴下ロートを付した２００ｍ（！の三
つロフラスコに、窒素気流下でナトリウム１２りのトル
エン約５０ｍ１のデスバージョン溶液に、合成例１で得
たｐ−ビス（クロロエチルメチルシリル）ベンゼン５．
８２のトルエンｉ液３０ｍｘをゆっくりと滴下し、７０
〜８０℃で約２０時間加熱した。加熱後、得られたポリ
マーをベンゼン−エタノール（１： １ ｂｙ ｖｏｌ
、 ）溶液で再沈し約６５％の収率で、 なる組成のポリマーの白色粉末（融点＝１８６〜１８９
℃）を得た。
ｍ＞：０．６８ （ｓ） 、 １．１２ （、ｒ） 、
７．６８ （、ｐ）合成例２ 措拌器、冷却器、滴下ロートを付した２００ｍ（！の三
つロフラスコに、窒素気流下でナトリウム１２りのトル
エン約５０ｍ１のデスバージョン溶液に、合成例１で得
たｐ−ビス（クロロエチルメチルシリル）ベンゼン５．
８２のトルエンｉ液３０ｍｘをゆっくりと滴下し、７０
〜８０℃で約２０時間加熱した。加熱後、得られたポリ
マーをベンゼン−エタノール（１： １ ｂｙ ｖｏｌ
、 ）溶液で再沈し約６５％の収率で、 なる組成のポリマーの白色粉末（融点＝１８６〜１８９
℃）を得た。
ＮＭＲスペクトル（Ｃ６Ｄ６）δ（ｐｐｍ）：０．３４
（ｒ） 、 ０．９４ （ｈｒｏａｒＬｓ ） 、
７．２８ （＃）′ｊ′：施例１ 第２図の基板４にシリコン基板を用い、この上にフェノ
ールノボラック樹脂系有機高分子層（たとえば、５ｈｉ
ｐｌｅｙ社ｇ４ＡＺ−１”＋５０１ ）を１μｍＷにス
ピンコーティング法により形成し、１５０℃で３０分間
ベークしたのち、合成例２で得たポリマーをトルエンに
溶解させた５ ７Ｘ ＃：％溶液をつづいてスピンコー
ティング法により塗布し、０．２μｍ厚のポリマー塗膜
（第２図の本発明のレジスト層５に相当する）を形成し
、９０℃で３０分間ベークすることにより、複合レジス
ト層を形成した。
（ｒ） 、 ０．９４ （ｈｒｏａｒＬｓ ） 、
７．２８ （＃）′ｊ′：施例１ 第２図の基板４にシリコン基板を用い、この上にフェノ
ールノボラック樹脂系有機高分子層（たとえば、５ｈｉ
ｐｌｅｙ社ｇ４ＡＺ−１”＋５０１ ）を１μｍＷにス
ピンコーティング法により形成し、１５０℃で３０分間
ベークしたのち、合成例２で得たポリマーをトルエンに
溶解させた５ ７Ｘ ＃：％溶液をつづいてスピンコー
ティング法により塗布し、０．２μｍ厚のポリマー塗膜
（第２図の本発明のレジスト層５に相当する）を形成し
、９０℃で３０分間ベークすることにより、複合レジス
ト層を形成した。
これに石英マスクを通して、５００Ｆキセノン−水銀ラ
ンプ（照射強度：２５４ｍｍにおいて、１２ｍＦ／ｃｙ
ｉ）を６０秒間照射した。照射後、トルエン−イソプロ
ピルアルコール（１： ５ ｂｙ ｖｏｌ、）混合溶媒
に１分間浸漬し功、像したのち、イソプロピル７°ルコ
ールでリンスすることにより照射部分を可溶化させ、０
．５μｍ ５１１１％のポジティブなレジストパターン
が得られた。
ンプ（照射強度：２５４ｍｍにおいて、１２ｍＦ／ｃｙ
ｉ）を６０秒間照射した。照射後、トルエン−イソプロ
ピルアルコール（１： ５ ｂｙ ｖｏｌ、）混合溶媒
に１分間浸漬し功、像したのち、イソプロピル７°ルコ
ールでリンスすることにより照射部分を可溶化させ、０
．５μｍ ５１１１％のポジティブなレジストパターン
が得られた。
つづいて、酸素プラズマエッ゛チング（エツチング条件
：０２圧０．５ｔｏｒγ′、真空度： １０−’ ｔｏ
ｒｒ。
：０２圧０．５ｔｏｒγ′、真空度： １０−’ ｔｏ
ｒｒ。
ＲＦ ３００ Ｆ ）により２０分間で下部の有機層を
ドライエツチングした。
ドライエツチングした。
このようにして、アスペクト比２以上の０．５μｍ線幅
のレジストパターン全形成することができた。
のレジストパターン全形成することができた。
実施例２
シリコン基板上にポリイミド系フェス（たとえば、日立
化成社製ＰＩＱ ） ｆ １．５μｍ厚に形成し３５０
℃で１時間ベークした。その上に実施例１と同様にして
合成例２で得たポリマーｆ：０．３μｍ厚に形成し、複
合レジスト層を作成した。
化成社製ＰＩＱ ） ｆ １．５μｍ厚に形成し３５０
℃で１時間ベークした。その上に実施例１と同様にして
合成例２で得たポリマーｆ：０．３μｍ厚に形成し、複
合レジスト層を作成した。
これに石英マスクを通して５００Ｆキセノン−水銀ラン
プ（照射強度：２５４ｎｍにおいて、１２ｍＷ／ｃＴｌ
）を照射した。照射後、トルエン−イソプロピルアル
コール（１： ５ ｂｙ ｖｏｌ、）混合溶媒に１分間
浸漬し現像したのち、イソプロピルアルコールでリンス
することによシ照射部分を可溶化させた。その結果、約
３０秒間の照射で、ポジティブなレジストパターンが得
られた。
プ（照射強度：２５４ｎｍにおいて、１２ｍＷ／ｃＴｌ
）を照射した。照射後、トルエン−イソプロピルアル
コール（１： ５ ｂｙ ｖｏｌ、）混合溶媒に１分間
浸漬し現像したのち、イソプロピルアルコールでリンス
することによシ照射部分を可溶化させた。その結果、約
３０秒間の照射で、ポジティブなレジストパターンが得
られた。
つづいて、ｒａ索プラズマエツチング（エツチング条件
：０□圧ｇ、 ５ ｔｏｒｒ、 ＲＦ ３００ Ｆ ）
により３０分間でポリイミド樹脂層ラドライエツチング
した。
：０□圧ｇ、 ５ ｔｏｒｒ、 ＲＦ ３００ Ｆ ）
により３０分間でポリイミド樹脂層ラドライエツチング
した。
このようにアスペクト比６以上の０５μｍｒＬ腺幅のレ
ジストパターンを形成することができた。
ジストパターンを形成することができた。
実施例３
実施例１の方法により得た複合レジスト層に真空下で加
速電圧２０ ＫＶの電子線を照射した。
速電圧２０ ＫＶの電子線を照射した。
照射後、トルエンで現像することにより、１×” −”
／ ｃＡ の照射量でネガティブなレジストパターン
が得られた。
／ ｃＡ の照射量でネガティブなレジストパターン
が得られた。
つづいて、酸素プラズマエツチング（エツチング売件：
０２圧１ ｔｏｒｒ、 ＲＦ ３００ Ｆ ）により２
０分間で下層のフェノールノボラック樹脂Ｍｔドライエ
ツチングした。
０２圧１ ｔｏｒｒ、 ＲＦ ３００ Ｆ ）により２
０分間で下層のフェノールノボラック樹脂Ｍｔドライエ
ツチングした。
このようにしてアスペクト比５以上の０３μｍ憩幅のレ
ジストパターンを形成することができた。
ジストパターンを形成することができた。
実施例４
実施例２の方法により得た複合レジスト層にヘリウム雰
囲気下で、ポリイミド軟Ｘ１ｊｌマスクを通して、波長
５．４ＡのＭ ｏ Ｌａ線（軟Ｘｉ５発生条 ４件：
１８ＫＶ、４２０ｍＡ で軟Ｘ線強度： ０．０５２ｍ
Ｆ／ｃｎｌ）を照射した。
囲気下で、ポリイミド軟Ｘ１ｊｌマスクを通して、波長
５．４ＡのＭ ｏ Ｌａ線（軟Ｘｉ５発生条 ４件：
１８ＫＶ、４２０ｍＡ で軟Ｘ線強度： ０．０５２ｍ
Ｆ／ｃｎｌ）を照射した。
照射後、トルエンで現像することにより、約３０分間の
照射でネガティブなレジストパターンが得られた。
照射でネガティブなレジストパターンが得られた。
つづいて ｎ！プラズマエツチング（エツチング条件：
０．圧１ ｔｏｒｒ、 ＲＦ ３００ Ｆ ）により３
０分間でポリイミド樹脂層をドライエツチングした。
０．圧１ ｔｏｒｒ、 ＲＦ ３００ Ｆ ）により３
０分間でポリイミド樹脂層をドライエツチングした。
このようにして、０．５μｒｒｆＱ幅のレジストパター
ンを形成することができた。
ンを形成することができた。
以上の説明で明らかなように、本発明による複合レジス
ト層ヲ使用すれば、ドライエツチングに対する耐性の高
い、超微細なレジストパターンを形成することができる
。その結果、超微細化半導体等の製造が可能となり、本
発明による接合レジス）５の形成方法は極めて効用の犬
なるものである。
ト層ヲ使用すれば、ドライエツチングに対する耐性の高
い、超微細なレジストパターンを形成することができる
。その結果、超微細化半導体等の製造が可能となり、本
発明による接合レジス）５の形成方法は極めて効用の犬
なるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は３層レジスト法による捨金しジスト借造体を示
す概略的断面図である。第２図は本発明による接合レジ
スト構造体を示す概略的断面図である。 １・・・・・・・・・・・・第ルジス）／Ｆ７２・・・
・・−・・・・・第２層の無機質膜３ ・・・・・・・
・・・・・ 第 ３ 層 の イ丁（，１層４・・・・
・・・・・・・・基板 ５・・・・・・・・・・・・本発明のレジスト層６・・
・・・・・・・・・・有機層
す概略的断面図である。第２図は本発明による接合レジ
スト構造体を示す概略的断面図である。 １・・・・・・・・・・・・第ルジス）／Ｆ７２・・・
・・−・・・・・第２層の無機質膜３ ・・・・・・・
・・・・・ 第 ３ 層 の イ丁（，１層４・・・・
・・・・・・・・基板 ５・・・・・・・・・・・・本発明のレジスト層６・・
・・・・・・・・・・有機層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ２層の有機高分子層から成る抱合レジスト層において、
上部層として 一般式、 （但し、式中、Ｒ５は２価の有機基、Ｒ２，Ｒ，、Ｒ４
およびＲ５がメチル基、エチル基、プロピル基あるいは
フェニル基のいずれかを表わし、ルは１〜５までの整数
を表わす）で表わされるＬ７！り返し単位からなるブＣ
および放射ｒＴ感応性有機高分子材料を用℃・ることを
／ｌ￥徴とする複合レジスト層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11586183A JPS608839A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 複合レジスト層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11586183A JPS608839A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 複合レジスト層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS608839A true JPS608839A (ja) | 1985-01-17 |
Family
ID=14672960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11586183A Pending JPS608839A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 複合レジスト層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608839A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01113098A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コードレスアイロン |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP11586183A patent/JPS608839A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01113098A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コードレスアイロン |
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