JPS59208542A - レジスト材料 - Google Patents
レジスト材料Info
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- JPS59208542A JPS59208542A JP8308583A JP8308583A JPS59208542A JP S59208542 A JPS59208542 A JP S59208542A JP 8308583 A JP8308583 A JP 8308583A JP 8308583 A JP8308583 A JP 8308583A JP S59208542 A JPS59208542 A JP S59208542A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- monomer unit
- patterns
- resist material
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
- G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路、磁気バブルメモリ等の製造に
適用される微細なパターンの形成に適するレジスト材料
に関するものである。
適用される微細なパターンの形成に適するレジスト材料
に関するものである。
集積回路、バブルメモリ素子などの製造において光学的
リングラフィまたは電子ビームリングラフィが主要な手
段として用いられているこれらの手段を用いて微細なパ
ターンを形成する際、光学的リングラフィにおいては基
板からの反射波の影響、電子ビームリングラフィにおい
ては基板からの電子の後方散乱の影響によシレジストが
厚い場合は解像度が低下することが知られている。現像
によシ得られたレジストパターンを精度よく基板に転写
するために、ドライエツチングが用いられるが、高解像
度のレジストパターンを得るために、薄いレジスト層を
使用すると、ドライエツチングによりレジストもエツチ
ングされ基板を加工するための十分な耐性を示さないと
いう不都合さがある。又、段差部においては、この段差
を平坦化するために、レジスト層を厚く塗る必要が生じ
、かかるレジスト層に微細なパターンを形成することは
、著しく困難であるといえる。
リングラフィまたは電子ビームリングラフィが主要な手
段として用いられているこれらの手段を用いて微細なパ
ターンを形成する際、光学的リングラフィにおいては基
板からの反射波の影響、電子ビームリングラフィにおい
ては基板からの電子の後方散乱の影響によシレジストが
厚い場合は解像度が低下することが知られている。現像
によシ得られたレジストパターンを精度よく基板に転写
するために、ドライエツチングが用いられるが、高解像
度のレジストパターンを得るために、薄いレジスト層を
使用すると、ドライエツチングによりレジストもエツチ
ングされ基板を加工するための十分な耐性を示さないと
いう不都合さがある。又、段差部においては、この段差
を平坦化するために、レジスト層を厚く塗る必要が生じ
、かかるレジスト層に微細なパターンを形成することは
、著しく困難であるといえる。
かかる不都合さを解決するために三層構造レジストがジ
ェイ・エム・モラン（Ｊ、 Ｍ、 Ｍａｒａｎ ）らに
よってジャーナル・オプ・バキューム サイエンス ア
ンド テクノロジー（Ｊ、 Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎ
ｃｅａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ）第１６巻１６２
０ページ（１９７９年）に提案されている。三層構造に
おいては、第一層（最下層）に厚い有機層を塗布したの
ち中間層としてシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリ
コン膜などのようにＯｓを使用するドライエツチングに
おいて蝕刻され難い無機物質材料を形成する。
ェイ・エム・モラン（Ｊ、 Ｍ、 Ｍａｒａｎ ）らに
よってジャーナル・オプ・バキューム サイエンス ア
ンド テクノロジー（Ｊ、 Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎ
ｃｅａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ）第１６巻１６２
０ページ（１９７９年）に提案されている。三層構造に
おいては、第一層（最下層）に厚い有機層を塗布したの
ち中間層としてシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリ
コン膜などのようにＯｓを使用するドライエツチングに
おいて蝕刻され難い無機物質材料を形成する。
しかる後、中間層の上にレジストをスピン塗布し、電子
ビームや光によシレジストを露光、現像する。
ビームや光によシレジストを露光、現像する。
得うれたレジストパターンをマスクに中間層をドライエ
ツチングし、しかる後、中間層をマスクに第一層の厚い
有機層をＯｌを用いた反応性スパッタエツチング法によ
シエッチングする。この方法によシ薄い高解像度のレジ
ストパターンを厚い有機層のパターンに変換することが
出来る。しかしながらこのような方法においては第一層
を形成した後、中間層を蒸着法、スパッタ法あるいはプ
ラズマＣＶＤ法によ多形成し、さらにパターンニング用
レジストを塗布するため工程が複雑でかつ長くなるとい
う欠点がある。
ツチングし、しかる後、中間層をマスクに第一層の厚い
有機層をＯｌを用いた反応性スパッタエツチング法によ
シエッチングする。この方法によシ薄い高解像度のレジ
ストパターンを厚い有機層のパターンに変換することが
出来る。しかしながらこのような方法においては第一層
を形成した後、中間層を蒸着法、スパッタ法あるいはプ
ラズマＣＶＤ法によ多形成し、さらにパターンニング用
レジストを塗布するため工程が複雑でかつ長くなるとい
う欠点がある。
本発明者らはかかる欠点を克服するために、被エツチン
グ材上に有機高分子膜を形成する工程、該高分子膜上に
、トリアルキルシリル基またはジメチルフェニルシリル
基を有する高分子よシなるレジストを塗布する工程、リ
ソグラフィ技術を用いて前記レジス）［に１２あた。ｊ
ＤＩＸｌｏ”個以上のトリアルキルシリル基またはジメ
チルフェニルシリル基が含まれる所望のレジストパター
ンを形ツチングする工程を有することを特徴とする微細
パターン形成方法を提供し、この方法が、三層構造に比
ベニ程が簡略化されておシ、実用的であることを示した
。
グ材上に有機高分子膜を形成する工程、該高分子膜上に
、トリアルキルシリル基またはジメチルフェニルシリル
基を有する高分子よシなるレジストを塗布する工程、リ
ソグラフィ技術を用いて前記レジス）［に１２あた。ｊ
ＤＩＸｌｏ”個以上のトリアルキルシリル基またはジメ
チルフェニルシリル基が含まれる所望のレジストパター
ンを形ツチングする工程を有することを特徴とする微細
パターン形成方法を提供し、この方法が、三層構造に比
ベニ程が簡略化されておシ、実用的であることを示した
。
この方法は微細なパターンを容易に形成することのでき
る優れた方法であるが、その解像度はトリアルキルシリ
ル基、ジメチルフェニルシリル基を含むポリマーの現像
特性に影響されること、およびレジストパターンの矩形
性が悪いとエツチングによシ有機高分子膜にパターンを
転写する際、現像によシ得られたレジストパターン寸法
とこの＝５− レジストパターンをマスクとしてエツチングした後の有
機高分子パターンの寸法との差（以後これをパターン変
換差という）が大きくなるという問題があることがわか
った。このパターン変換差はできるだけ小さくすること
が望ましい。
る優れた方法であるが、その解像度はトリアルキルシリ
ル基、ジメチルフェニルシリル基を含むポリマーの現像
特性に影響されること、およびレジストパターンの矩形
性が悪いとエツチングによシ有機高分子膜にパターンを
転写する際、現像によシ得られたレジストパターン寸法
とこの＝５− レジストパターンをマスクとしてエツチングした後の有
機高分子パターンの寸法との差（以後これをパターン変
換差という）が大きくなるという問題があることがわか
った。このパターン変換差はできるだけ小さくすること
が望ましい。
本発明者らは、かかる状況を鑑みさらに研究を進めた結
果、一般式 で表わされる単量体単位を主成分とする高分子化合物が
、解像度が非常に優れた、矩形性のよいパターンを容易
に形成できるレジスト材料であること、したがって得ら
れたパターンを厚い有機層に転写を行なう際にパターン
変換差がほとんどないことを見出し、本発明をなすに至
った。すなわち、本発明は一般式 ％式％ で表わされる単量体単位を主成分とする高分子化合物か
ら成ることを特徴とするレジスト材料である。
果、一般式 で表わされる単量体単位を主成分とする高分子化合物が
、解像度が非常に優れた、矩形性のよいパターンを容易
に形成できるレジスト材料であること、したがって得ら
れたパターンを厚い有機層に転写を行なう際にパターン
変換差がほとんどないことを見出し、本発明をなすに至
った。すなわち、本発明は一般式 ％式％ で表わされる単量体単位を主成分とする高分子化合物か
ら成ることを特徴とするレジスト材料である。
本発明におけるレジスト材料を二層構造に適用するには
、まず加工を施すべき基板上に第一層として厚い有機層
をスピン塗布し、蒸発、転向せしめた後、本発明のレジ
スト材料を厚い有機層の上にスピン塗布する。加熱、乾
燥したのち所望のパターンを電子線、Ｘ＋１ｉｌｉ！な
どの放射線または深紫外線、紫外線などの光を用いて描
画し、適当な現像液を用いて現像を行ガう。得られたパ
ターンをマスクに第一層の厚い有機層をＯｌを用いた反
応性スパッタエツチングによシエッチングする。しかる
後、微細パターンが形成された厚い有機層をマスクに被
加工材をエツチングする。本発明におけるレジスト材料
はＯ２による反応性スパッタエツチングに対して極めて
強く、３００〜２ｓｏｏＸ；ｓ度の膜厚があれば、１６
μｍ程度の厚い有機層をエツチングするためのマスクに
なり得る。したがって、パターン形成用のレジストは薄
くてよい。また、下地に厚い有機層があるので、電子ビ
ーム露光においては、近接効果が低減されるため、光学
蕗元においては反射波の悪影響が低減されるために高解
像度のパターンが容易に得られる。さらに、本発明にお
けるレジスト材料は現像性が優れており、非常に微細で
かつ矩形性のよいパターンが容易に形成できる。したが
って、エツチングによりパターンを厚い有機層に転写す
る際のパターン変換差は無視できる。
、まず加工を施すべき基板上に第一層として厚い有機層
をスピン塗布し、蒸発、転向せしめた後、本発明のレジ
スト材料を厚い有機層の上にスピン塗布する。加熱、乾
燥したのち所望のパターンを電子線、Ｘ＋１ｉｌｉ！な
どの放射線または深紫外線、紫外線などの光を用いて描
画し、適当な現像液を用いて現像を行ガう。得られたパ
ターンをマスクに第一層の厚い有機層をＯｌを用いた反
応性スパッタエツチングによシエッチングする。しかる
後、微細パターンが形成された厚い有機層をマスクに被
加工材をエツチングする。本発明におけるレジスト材料
はＯ２による反応性スパッタエツチングに対して極めて
強く、３００〜２ｓｏｏＸ；ｓ度の膜厚があれば、１６
μｍ程度の厚い有機層をエツチングするためのマスクに
なり得る。したがって、パターン形成用のレジストは薄
くてよい。また、下地に厚い有機層があるので、電子ビ
ーム露光においては、近接効果が低減されるため、光学
蕗元においては反射波の悪影響が低減されるために高解
像度のパターンが容易に得られる。さらに、本発明にお
けるレジスト材料は現像性が優れており、非常に微細で
かつ矩形性のよいパターンが容易に形成できる。したが
って、エツチングによりパターンを厚い有機層に転写す
る際のパターン変換差は無視できる。
以下、参考例および実施例を用いて本発明をさらに詳し
く説明する。
く説明する。
参考例１゜
６−クロロ−２−（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン
の合成；乾燥窒素ガスで置換されたＩＬ三つロフラスコ
中に無水エーテル３００ｍｌ及び４８ｇ（１モル）の水
素化リチウムアルミニウムを添加した。室温で２時間を
要して６−クロロ−２−アセトナフタレン（１０１Ｆ
、 ０．５モル）全少量づつ加え、さらに２時間反応を
継続した。反応終了後少量のメタノールで反応を完全に
停止した後、反応液を水の中に投入した。エーテルで抽
出後、エーテル液を硫酸ソーダで乾燥し、その後エーテ
ルを留出させた。残った固形物をＱ、３ ｍｍＨ９。
の合成；乾燥窒素ガスで置換されたＩＬ三つロフラスコ
中に無水エーテル３００ｍｌ及び４８ｇ（１モル）の水
素化リチウムアルミニウムを添加した。室温で２時間を
要して６−クロロ−２−アセトナフタレン（１０１Ｆ
、 ０．５モル）全少量づつ加え、さらに２時間反応を
継続した。反応終了後少量のメタノールで反応を完全に
停止した後、反応液を水の中に投入した。エーテルで抽
出後、エーテル液を硫酸ソーダで乾燥し、その後エーテ
ルを留出させた。残った固形物をＱ、３ ｍｍＨ９。
１３５℃で蒸留精製した。収量は８８９ （８６％）で
ある。
ある。
参考例２゜
２−ビニル−６−クロルナフタレンの合成：上述り、り
６−クロロ−２−（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン
（１０ｇ、０．０５モル）および硫酸カリウム（８，７
９，０，０５モル）を昇華フラスコに添加し０．２ｍｍ
Ｈｇ、 １２５′ｃで反応と同時に昇華させた。さらに
もう−回昇華を行ない７．０ｆ（７４％）の生成量で２
−ビニル−６−クロルナフタレンを得た。
６−クロロ−２−（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン
（１０ｇ、０．０５モル）および硫酸カリウム（８，７
９，０，０５モル）を昇華フラスコに添加し０．２ｍｍ
Ｈｇ、 １２５′ｃで反応と同時に昇華させた。さらに
もう−回昇華を行ない７．０ｆ（７４％）の生成量で２
−ビニル−６−クロルナフタレンを得た。
参考例３
２−ビニル−６−ドリメチルシリルナフタレン９−
の合成： ５００ｍ１三つロフラスコにグリニヤール試
楽用マグネシウム（４，９ｇ、０．２アトム）および金
属ナトリウムで乾燥した無水テトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ ） １０ｍ１ｌを添加した。１ｍｌの臭化エチルを
加えてマグネシウムを活性化させ、反応液がゆるやかに
還流するまで加温した。１００ｍ１のＴＨＦをさらに加
えた後、２−ビニル−６−クロルナフタレン（１９ｇ、
０．１モル）ｌｉＩ下ロートよ９２時間かけて加えさら
に２時間ゆるやかな還流を続けた。その後アイスバスで
冷却しトリメチルクロルシラン（１２ｇ、０．１１モル
） を１時間かけて滴下し、さらに１時間ゆるやかに反
応液を還流させた。−昼夜放置後反応液を水の中に投入
しエーテルで抽出した。エーテル液を硫酸マグネシウム
で乾燥後エーテルを留出し残液をＱ、４ｍｍＨＪ 。
楽用マグネシウム（４，９ｇ、０．２アトム）および金
属ナトリウムで乾燥した無水テトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ ） １０ｍ１ｌを添加した。１ｍｌの臭化エチルを
加えてマグネシウムを活性化させ、反応液がゆるやかに
還流するまで加温した。１００ｍ１のＴＨＦをさらに加
えた後、２−ビニル−６−クロルナフタレン（１９ｇ、
０．１モル）ｌｉＩ下ロートよ９２時間かけて加えさら
に２時間ゆるやかな還流を続けた。その後アイスバスで
冷却しトリメチルクロルシラン（１２ｇ、０．１１モル
） を１時間かけて滴下し、さらに１時間ゆるやかに反
応液を還流させた。−昼夜放置後反応液を水の中に投入
しエーテルで抽出した。エーテル液を硫酸マグネシウム
で乾燥後エーテルを留出し残液をＱ、４ｍｍＨＪ 。
１３５ｔで蒸留精製した。収量は１４ｇ（６２％）であ
った。
った。
参考例４゜
ポリ（２−ビニル−６−トリメチルシリルナフタレン）
の合成：上記で得られた２−ビニル−６１０− −トリメチルシリルナフタレン（５，７ｇ、 ０．０２
５モル） （２ＶＨ８ｉ と略す）、クロロホルム−
メタノール系で再沈澱精製した過酸化ベンゾイル（ＢＰ
Ｏ） （８，７ｍ９ 、０．３ モル％）、および金属
ナトリウムで脱水した無水ベンゼンを窒素吹込み管、コ
ンデンサーおよび温度計を取りつけた１００／ｎ、ｄ三
つロフラスコに添加し、８時間還流温度で反応させた。
の合成：上記で得られた２−ビニル−６１０− −トリメチルシリルナフタレン（５，７ｇ、 ０．０２
５モル） （２ＶＨ８ｉ と略す）、クロロホルム−
メタノール系で再沈澱精製した過酸化ベンゾイル（ＢＰ
Ｏ） （８，７ｍ９ 、０．３ モル％）、および金属
ナトリウムで脱水した無水ベンゼンを窒素吹込み管、コ
ンデンサーおよび温度計を取りつけた１００／ｎ、ｄ三
つロフラスコに添加し、８時間還流温度で反応させた。
反応終了後、反応液を多量の石油エーテル中に投入し白
色粉末の重合体を得た。重合体を口別後再びベンゼン２
０ｍ１に溶かし石油エーテル中に投入した、日別後５０
℃で８時間を要して減圧乾燥し４３ｇ（７５％）の生成
物を得た。分子量および分子量分布はＭｗ＝４３，００
０ 、Ｍｎ＝１９，０００ 。
色粉末の重合体を得た。重合体を口別後再びベンゼン２
０ｍ１に溶かし石油エーテル中に投入した、日別後５０
℃で８時間を要して減圧乾燥し４３ｇ（７５％）の生成
物を得た。分子量および分子量分布はＭｗ＝４３，００
０ 、Ｍｎ＝１９，０００ 。
Ｍｗ／Ｍ ｎ ＝ ２．２６である。
参考例５゜
ポリ（２−ビニル−６−トリメチルシリルナフタレン−
クロロメチルスチレン）の合成：参考例４で記載した装
置に２−ビニル−６−トリメチルシリルナフタレン（３
，２４９、０，０１８モル）、無水クロルメチルスチレ
ン（ｏ、３２ｇ、０．００２モル）。
クロロメチルスチレン）の合成：参考例４で記載した装
置に２−ビニル−６−トリメチルシリルナフタレン（３
，２４９、０，０１８モル）、無水クロルメチルスチレ
ン（ｏ、３２ｇ、０．００２モル）。
ＢＰＯ（７，０ｍ９，０．３モル％）、および無水ベン
ゼン２０ｍ１ｌを添加し、８時間還流温度で反応させた
。反応終了後、反応液を多量の石油エーテル中に投入し
白色粉末の重合体を得た。この重合体を参考例４と同様
の方法で鞘製し３．３９（９２％）の生成物を得た。分
析の結果、この重合体はＭｗが６４０００、Ｍｎが２９
．０００，２−ビニル−６−トリメチルシリルナフタレ
ンとクロルメチルスチレンとの共重合比がおよそ仕込み
比通り９：１であることがわかった（以下この重合体を
Ｐ （２ＶＮＳｉ９０−ＣＭＳｌｏ）と略す）。
ゼン２０ｍ１ｌを添加し、８時間還流温度で反応させた
。反応終了後、反応液を多量の石油エーテル中に投入し
白色粉末の重合体を得た。この重合体を参考例４と同様
の方法で鞘製し３．３９（９２％）の生成物を得た。分
析の結果、この重合体はＭｗが６４０００、Ｍｎが２９
．０００，２−ビニル−６−トリメチルシリルナフタレ
ンとクロルメチルスチレンとの共重合比がおよそ仕込み
比通り９：１であることがわかった（以下この重合体を
Ｐ （２ＶＮＳｉ９０−ＣＭＳｌｏ）と略す）。
実施例１゜
参考例４で得られた重合体Ｐ ２ＶＮＳｉ Ｏ，４６
９をキシレン１Ｏｃｃ＆ｃ＃解し、５ｗｔ％溶液とし十
分攪拌した後、０２μｍのフィルターで濾過し試料溶液
とした。この溶液をシリコン基板上にスピン塗布し、Ｎ
２気流中、１００℃にて３０分間乾燥を付なったのち、
電子線描画装置で電子線照射を行なった。
９をキシレン１Ｏｃｃ＆ｃ＃解し、５ｗｔ％溶液とし十
分攪拌した後、０２μｍのフィルターで濾過し試料溶液
とした。この溶液をシリコン基板上にスピン塗布し、Ｎ
２気流中、１００℃にて３０分間乾燥を付なったのち、
電子線描画装置で電子線照射を行なった。
ベンジルアセテートを用いて１分間現像を行なったのち
、エタノールによ９３０秒間リンスを行なった。乾燥し
たのち被照射部の膜厚を触針法により測定した。微細な
パターンを解像しているか否かは輔々の寸法のラインア
ンドスペースのパターンを電子線描画し、現像処理によ
って得られたレジスト像を光学顕微鏡、走査型電子顕微
鏡で観察することによって調べた。
、エタノールによ９３０秒間リンスを行なった。乾燥し
たのち被照射部の膜厚を触針法により測定した。微細な
パターンを解像しているか否かは輔々の寸法のラインア
ンドスペースのパターンを電子線描画し、現像処理によ
って得られたレジスト像を光学顕微鏡、走査型電子顕微
鏡で観察することによって調べた。
その結果、ゲル化が開始する照射量（以下り。
という）が１４０ ｐ”／４、残った膜厚が初期膜厚の
５０％になる照射量（以下Ｄｖという）が１６０ ｐＣ
／、Ｊであった。このとき初期膜厚は０．１８５μｍで
あった。得られたパターンは２００μＣ／、において０
．５μｍのラインアンドスペースを解像しておシ、解像
度の優れたものであった。また、電子顕微鏡によシこれ
らのパターンを観察した結果これらのパターンは矩形性
のよいものであった。
５０％になる照射量（以下Ｄｖという）が１６０ ｐＣ
／、Ｊであった。このとき初期膜厚は０．１８５μｍで
あった。得られたパターンは２００μＣ／、において０
．５μｍのラインアンドスペースを解像しておシ、解像
度の優れたものであった。また、電子顕微鏡によシこれ
らのパターンを観察した結果これらのパターンは矩形性
のよいものであった。
次Ｋ、Ｐ２ＶＮＳＩのＯｌのスパッタエッチンクニ対す
る膜減シの様子を調べた。その結果、Ｐ２ＶＮＳｉは３
１０Ｘエツチングされるとエッチレートが数）ｙ’ｍｌ
ｎと極めて小さくなシ、事実上エツチングが停止した。
る膜減シの様子を調べた。その結果、Ｐ２ＶＮＳｉは３
１０Ｘエツチングされるとエッチレートが数）ｙ’ｍｌ
ｎと極めて小さくなシ、事実上エツチングが停止した。
このときのエツチング条件は０．流量１１３
一４ＳＣＣ，圧力８ｍ Ｔｏｒｒ 、 ＲＦパワー０
．０９６Ｗ／ｃＪであった。なお、同じ条件でエツチン
グしたノボラック樹脂（商品名ＡＺ−１３５０Ｊ ）は
、８００４／ｍｉｎとほぼ一定のエツチングレートで減
少した。したがって、Ｐ ２ＶＮＳｉは３１０Ａ以上あ
れば１ｐｍ以上の厚いＡＺ−１３５０Ｊをエツチングす
るだめのマスクになり得ることがわかった。
．０９６Ｗ／ｃＪであった。なお、同じ条件でエツチン
グしたノボラック樹脂（商品名ＡＺ−１３５０Ｊ ）は
、８００４／ｍｉｎとほぼ一定のエツチングレートで減
少した。したがって、Ｐ ２ＶＮＳｉは３１０Ａ以上あ
れば１ｐｍ以上の厚いＡＺ−１３５０Ｊをエツチングす
るだめのマスクになり得ることがわかった。
次にシリコン基板上にノボラック樹脂（商品名ＡＺ−１
３５０Ｊ ）を１．６ｐｍ スピン塗布し、２５０℃に
おいて１時間焼きしめを行なった。しかる後、本実施例
で調製した溶液をスピン塗布し、Ｎ、気流中１００℃に
て３０分間乾燥を行なったのち、電子線描画装置で電子
線照射を行なった。ベンジルアセテートを用いて１分間
現像を行なったのち、エタノールにて３０秒間リンスを
行なった。この基板を平行平板の反応性スパッタエツチ
ング装置にて、０、８ＦｆｆＴｏｒｒ 、 ４ ＳＣＣ
Ｍ、０．０９６Ｗ／！の条件で２０分間エツチングを行
なった。これによシ３００ＰＣ５に（で描画したサブミ
クロンのパターンが１．６μｍの前記ＡＺ−１３５０Ｊ
に転写された。なお、１４− 現像後のポリ（２−ビニル−６−ドリメチルシリルナフ
タレン）のパターン厚さは０．１６μｍでアシ、前記Ａ
Ｚ−１３５０Ｊ １．６μｍをエツチングするのに十分
な膜厚であった。また、得られたＰ ２ＶＭＳｉのパタ
ーンは矩形性に優れ、厚い有機層にパターン転写を行な
う際のパターン変換差は観測されなかった。なお、０．
によるスパッタエツチングに対する耐性は、トリアルキ
ルシリル基の含有量によって決まるので、トリアルキル
シリル基はナフタレン環のどの位置についていても、Ｏ
ｌにょるスパッタエツチングに対する耐性への効果は変
わりがない。
３５０Ｊ ）を１．６ｐｍ スピン塗布し、２５０℃に
おいて１時間焼きしめを行なった。しかる後、本実施例
で調製した溶液をスピン塗布し、Ｎ、気流中１００℃に
て３０分間乾燥を行なったのち、電子線描画装置で電子
線照射を行なった。ベンジルアセテートを用いて１分間
現像を行なったのち、エタノールにて３０秒間リンスを
行なった。この基板を平行平板の反応性スパッタエツチ
ング装置にて、０、８ＦｆｆＴｏｒｒ 、 ４ ＳＣＣ
Ｍ、０．０９６Ｗ／！の条件で２０分間エツチングを行
なった。これによシ３００ＰＣ５に（で描画したサブミ
クロンのパターンが１．６μｍの前記ＡＺ−１３５０Ｊ
に転写された。なお、１４− 現像後のポリ（２−ビニル−６−ドリメチルシリルナフ
タレン）のパターン厚さは０．１６μｍでアシ、前記Ａ
Ｚ−１３５０Ｊ １．６μｍをエツチングするのに十分
な膜厚であった。また、得られたＰ ２ＶＭＳｉのパタ
ーンは矩形性に優れ、厚い有機層にパターン転写を行な
う際のパターン変換差は観測されなかった。なお、０．
によるスパッタエツチングに対する耐性は、トリアルキ
ルシリル基の含有量によって決まるので、トリアルキル
シリル基はナフタレン環のどの位置についていても、Ｏ
ｌにょるスパッタエツチングに対する耐性への効果は変
わりがない。
実施例２゜
参考例５で得た重合体Ｐ （２ＶＮＳｉ９ｏ−ＣＭＳｌ
ｏ ）０．８ｇをキシレン１７．５ｃｃに溶解し、５ｗ
ｔ％溶液とし、十分攪拌した後、０２μｍのフィルター
で濾過し試料溶液とした。この溶液をシリコン基板上に
スピン塗布し、室温にて３０分間真空乾燥を行なったの
ち、電子線描画装置で電子線照射を行なった。テトラク
ロロエチレンを用いて１分間現像を行なったのち、エタ
ノールにより３０秒間リンスを行なった。実施例１と同
様の方法で感度、解像度を調べた。その結果Ｄ３＝１１
μＣ７，、Ｄ ５，０ ＝＝２２μＣ７，であった。得
られたパターンは２５ Ｐ”／４においても、０５μｍ
のラインアンドスペースヲ解像し、解像度ならびに矩形
性のすぐれたものであった。なお、このときの初期膜厚
は０２１６μｍであった。
ｏ ）０．８ｇをキシレン１７．５ｃｃに溶解し、５ｗ
ｔ％溶液とし、十分攪拌した後、０２μｍのフィルター
で濾過し試料溶液とした。この溶液をシリコン基板上に
スピン塗布し、室温にて３０分間真空乾燥を行なったの
ち、電子線描画装置で電子線照射を行なった。テトラク
ロロエチレンを用いて１分間現像を行なったのち、エタ
ノールにより３０秒間リンスを行なった。実施例１と同
様の方法で感度、解像度を調べた。その結果Ｄ３＝１１
μＣ７，、Ｄ ５，０ ＝＝２２μＣ７，であった。得
られたパターンは２５ Ｐ”／４においても、０５μｍ
のラインアンドスペースヲ解像し、解像度ならびに矩形
性のすぐれたものであった。なお、このときの初期膜厚
は０２１６μｍであった。
次に実施例１の場合と同様にしてＰ （２ＶＮＳ１９０
−ＣＭＳｌｏ）のＯ３のスパッタエツチングに対するｊ
換減りの様子を調べた。その結果Ｐ （２ＶＮＳｉ９ｏ
−ＣＭＳｌｏ ）は４１０Ａエツチングされると、エッ
チレートが数Ｖｍｉｎ と極めて小さくなり、事実上
エツチングが停止した。エツチング条件は実施例１の場
合と同じである。実施例１の場合と同様にＡＺ−１３５
０Ｊ膜は８００Ａ／ｍｉ ｎ と一定のエツチングレ
ートで減少した。したがって、Ｐ （２ＶＮＳｉ９ｏ−
ＣＭＳｌｏ）は４１０Ａ以上あれば１ｐｍ以上の厚いＡ
Ｚ−１３５０Ｊ膜をエツチングするためのマスクになシ
得ることがわかった。
−ＣＭＳｌｏ）のＯ３のスパッタエツチングに対するｊ
換減りの様子を調べた。その結果Ｐ （２ＶＮＳｉ９ｏ
−ＣＭＳｌｏ ）は４１０Ａエツチングされると、エッ
チレートが数Ｖｍｉｎ と極めて小さくなり、事実上
エツチングが停止した。エツチング条件は実施例１の場
合と同じである。実施例１の場合と同様にＡＺ−１３５
０Ｊ膜は８００Ａ／ｍｉ ｎ と一定のエツチングレ
ートで減少した。したがって、Ｐ （２ＶＮＳｉ９ｏ−
ＣＭＳｌｏ）は４１０Ａ以上あれば１ｐｍ以上の厚いＡ
Ｚ−１３５０Ｊ膜をエツチングするためのマスクになシ
得ることがわかった。
次にシリコン基板上にノボラック樹脂（商品名ＡＺ−１
３５０Ｊ）を１．６ｐｍスピン塗布し、２５０ｔにおい
て１時間焼きしめを行なった。しかる後、実施例１の場
合と同様にＰ （２ＶＮＳｉ９ｏ −ＣＭＳｌｏ ）溶
液を塗布し、露光、現像後Ｏ３にょる反応性スパッタエ
ツチングを行なった。これによｌ） ３０ ｐＣ／４で
露光したサブミクロンのパターンが１．６μｍの前記Ａ
Ｚ−１３５０Ｊに転写された。このとき、現像後のＰ
（２ＶＮＳｉ９０−ＣＭＳ＋ｏ ）の膜厚は０．１９μ
ｍであシ、前記ＡＺ−１３５０Ｊ １．６μｍをエツチ
ングするためのマスクとなるのに十分な＋４厚であった
。なお、現像後のパターンは矩形性の優れたものであ）
、厚い有機層への転写の際のパターン変換差は観測され
なかった。
３５０Ｊ）を１．６ｐｍスピン塗布し、２５０ｔにおい
て１時間焼きしめを行なった。しかる後、実施例１の場
合と同様にＰ （２ＶＮＳｉ９ｏ −ＣＭＳｌｏ ）溶
液を塗布し、露光、現像後Ｏ３にょる反応性スパッタエ
ツチングを行なった。これによｌ） ３０ ｐＣ／４で
露光したサブミクロンのパターンが１．６μｍの前記Ａ
Ｚ−１３５０Ｊに転写された。このとき、現像後のＰ
（２ＶＮＳｉ９０−ＣＭＳ＋ｏ ）の膜厚は０．１９μ
ｍであシ、前記ＡＺ−１３５０Ｊ １．６μｍをエツチ
ングするためのマスクとなるのに十分な＋４厚であった
。なお、現像後のパターンは矩形性の優れたものであ）
、厚い有機層への転写の際のパターン変換差は観測され
なかった。
１７−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 青 で表わされる単量体単位を主成分とする高分子化合物で
あることを特徴とするレジスト材料。 （２） 高分子化合物が一般式 で表わされる単量体単位とクロルメチルスチレンのラン
ダム共重合体である特許請求の範囲第１項に記載のレジ
スト材料。 （３）Ｒがメチル基である特許請求の範囲第１項あるい
は第２項に記載のレジスト材料。 （４）Ｒがメチル基であり、かつＲ’が水素原子である
特許請求の範囲第１項、第２項あるいは第３項に記載の
レジスト材料。 が単量体成分として８０モル％以上含まれる特許請求の
範囲第１項、第２項、第３項、あるいは第４項に記載の
レジスト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8308583A JPS59208542A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | レジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8308583A JPS59208542A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | レジスト材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208542A true JPS59208542A (ja) | 1984-11-26 |
Family
ID=13792339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8308583A Pending JPS59208542A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | レジスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59208542A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62235943A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-10-16 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | リソグラフイ−法を利用した電子デバイスの製造方法 |
| EP0283265A2 (en) * | 1987-03-18 | 1988-09-21 | Syn Labs. Inc. (Materials Technology) | Silicon containing resists |
-
1983
- 1983-05-12 JP JP8308583A patent/JPS59208542A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62235943A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-10-16 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | リソグラフイ−法を利用した電子デバイスの製造方法 |
| EP0283265A2 (en) * | 1987-03-18 | 1988-09-21 | Syn Labs. Inc. (Materials Technology) | Silicon containing resists |
| EP0283265A3 (en) * | 1987-03-18 | 1989-01-11 | Syn Labs. Inc. (Materials Technology) | Silicon containing resists |
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