JPH05117392A - 有機ケイ素重合体およびレジスト組成物 - Google Patents
有機ケイ素重合体およびレジスト組成物Info
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- JPH05117392A JPH05117392A JP28484191A JP28484191A JPH05117392A JP H05117392 A JPH05117392 A JP H05117392A JP 28484191 A JP28484191 A JP 28484191A JP 28484191 A JP28484191 A JP 28484191A JP H05117392 A JPH05117392 A JP H05117392A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 二層構造レジストの上層レジストとして使用
した時、十分な酸素プラズマ耐性を有しており、また感
度及び解像性に優れたポジ型レジストおよびこれに使用
できる有機ケイ素重合体を提供する。 【構成】 次式（１）： 〔Ｓｉ2Ｒ1 Ｏ3 〕m 〔（Ｒ2)3 ＳｉＯ1/2 〕n
…（１） 〔式中、ｍ，ｎは正の整数であり、ｍ／ｎ＝９０／１０
〜１０／９０、Ｒ1 Ｒ2は同一もしくは異なっていても
よく、Ｃ1 〜Ｃ10のアルキレンを示し、次式（２）等の （Ｒ3 は低級アルキル基あるいはアリール基を示す）、 低級アルキル基またはアリール基を示し、Ｒ2 のうち少
なくとも全体の２０％以上が次式（３）等 （Ｒ3 は前記定義に同じ）、 である〕で示される重量平均分子量１，０００〜５，０
００，０００の有機ケイ素重合体を構成し、更に該有機
ケイ素重合体と一定の溶解抑制剤と、酸発生剤のオニウ
ム塩と、有機溶剤とを含むようにレジスト組成物を構成
する。
した時、十分な酸素プラズマ耐性を有しており、また感
度及び解像性に優れたポジ型レジストおよびこれに使用
できる有機ケイ素重合体を提供する。 【構成】 次式（１）： 〔Ｓｉ2Ｒ1 Ｏ3 〕m 〔（Ｒ2)3 ＳｉＯ1/2 〕n
…（１） 〔式中、ｍ，ｎは正の整数であり、ｍ／ｎ＝９０／１０
〜１０／９０、Ｒ1 Ｒ2は同一もしくは異なっていても
よく、Ｃ1 〜Ｃ10のアルキレンを示し、次式（２）等の （Ｒ3 は低級アルキル基あるいはアリール基を示す）、 低級アルキル基またはアリール基を示し、Ｒ2 のうち少
なくとも全体の２０％以上が次式（３）等 （Ｒ3 は前記定義に同じ）、 である〕で示される重量平均分子量１，０００〜５，０
００，０００の有機ケイ素重合体を構成し、更に該有機
ケイ素重合体と一定の溶解抑制剤と、酸発生剤のオニウ
ム塩と、有機溶剤とを含むようにレジスト組成物を構成
する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機ケイ素重合体および
レジスト組成物に関する。更に詳しく述べると、本発明
は、有機ケイ素重合体および該重合体を含むレジスト組
成物に関し、この組成物は、半導体装置のパターン形成
に有用な、そして特に二層構造レジストの上層レジスト
として有用なポジ型レジスト組成物である。このような
本発明のレジスト組成物は、ＬＳＩ，ＶＬＳＩなどのよ
うな半導体装置の製造に有利に利用することができる。
本発明は、またこのようなレジスト組成物を使用したレ
ジストパターン形成方法にも関する。
レジスト組成物に関する。更に詳しく述べると、本発明
は、有機ケイ素重合体および該重合体を含むレジスト組
成物に関し、この組成物は、半導体装置のパターン形成
に有用な、そして特に二層構造レジストの上層レジスト
として有用なポジ型レジスト組成物である。このような
本発明のレジスト組成物は、ＬＳＩ，ＶＬＳＩなどのよ
うな半導体装置の製造に有利に利用することができる。
本発明は、またこのようなレジスト組成物を使用したレ
ジストパターン形成方法にも関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子、磁気バブルメモリ素子、表
面波フィルタ素子など、微細パターンを持つ電子回路素
子の形成には薄膜形成技術と写真食刻技術が多用され
る。すなわち、真空蒸着法、スパッタ法などの物理的方
法あるいは化学気相成長法などの化学的方法で被処理基
板上に導電層、絶縁層などの薄膜を形成した後、スピン
コート法などの方法でレジストを被覆し、これに紫外線
などの照射を行って感光せしめ、露光部が現像液に対し
て溶解度の差を生じるのを利用してパターンが形成され
ている。このレジストパターンをマスクに用いて、ウェ
ットエッチング或いはドライエッチングを行って被加工
基板上に微細なパターンや絶縁層パターンなどを形成し
ている。
面波フィルタ素子など、微細パターンを持つ電子回路素
子の形成には薄膜形成技術と写真食刻技術が多用され
る。すなわち、真空蒸着法、スパッタ法などの物理的方
法あるいは化学気相成長法などの化学的方法で被処理基
板上に導電層、絶縁層などの薄膜を形成した後、スピン
コート法などの方法でレジストを被覆し、これに紫外線
などの照射を行って感光せしめ、露光部が現像液に対し
て溶解度の差を生じるのを利用してパターンが形成され
ている。このレジストパターンをマスクに用いて、ウェ
ットエッチング或いはドライエッチングを行って被加工
基板上に微細なパターンや絶縁層パターンなどを形成し
ている。
【０００３】しかし、ＶＬＳＩなどのような半導体素子
製造プロセスにおいては、集積度を上げるため配線の多
層化が行われており、基板表面には１〜２μｍの段差が
生じている。そのため、先に示した単層レジスト法では
微細パターンを高集積度で形成することは困難となって
きている。高段差を持つ基板上に精度良く微細パターン
を形成する技術として二層構造レジスト法が提案されて
いる。これは、まず有機樹脂を下層に形成して基板面を
平坦化し、この上にレジストを薄く形成して上層のみを
パターニングした後、酸素プラズマにより上層パターン
を下層に転写する方法である。この二層構造レジスト
は、下層が基板段差および基板からの反射の影響を防止
し、また上層レジストを薄くできることから、単層レジ
スト法に比べ解像性を向上できる。これに用いる上層レ
ジストには、単層レジストに要求される感度、解像性に
加え、酸素プラズマ耐性が要求されるため、ケイ素含有
ポリマを用いることが提案されている。例えばネガ型と
しては、ケイ素原子を有するポリマとアジドあるいはビ
スアジド化合物の混合体、ポジ型としては、ケイ素含有
アルカリ可溶ポリマとｏ−ナフトキノンジアジド誘導体
との混合体がある。しかし、ネガ型レジストは、一般に
有機溶媒を現像液とするため現像時の膨潤が激しく解像
性が不十分であり、またポジ型レジストは、ケイ素含有
率が少ないため酸素プラズマ耐性が低く、上層パターン
の転写時にはパターン寸法のシフトがおこる等の問題が
あり、これらの問題を解決する二層構造用上層レジスト
材料の開発が要望されている。
製造プロセスにおいては、集積度を上げるため配線の多
層化が行われており、基板表面には１〜２μｍの段差が
生じている。そのため、先に示した単層レジスト法では
微細パターンを高集積度で形成することは困難となって
きている。高段差を持つ基板上に精度良く微細パターン
を形成する技術として二層構造レジスト法が提案されて
いる。これは、まず有機樹脂を下層に形成して基板面を
平坦化し、この上にレジストを薄く形成して上層のみを
パターニングした後、酸素プラズマにより上層パターン
を下層に転写する方法である。この二層構造レジスト
は、下層が基板段差および基板からの反射の影響を防止
し、また上層レジストを薄くできることから、単層レジ
スト法に比べ解像性を向上できる。これに用いる上層レ
ジストには、単層レジストに要求される感度、解像性に
加え、酸素プラズマ耐性が要求されるため、ケイ素含有
ポリマを用いることが提案されている。例えばネガ型と
しては、ケイ素原子を有するポリマとアジドあるいはビ
スアジド化合物の混合体、ポジ型としては、ケイ素含有
アルカリ可溶ポリマとｏ−ナフトキノンジアジド誘導体
との混合体がある。しかし、ネガ型レジストは、一般に
有機溶媒を現像液とするため現像時の膨潤が激しく解像
性が不十分であり、またポジ型レジストは、ケイ素含有
率が少ないため酸素プラズマ耐性が低く、上層パターン
の転写時にはパターン寸法のシフトがおこる等の問題が
あり、これらの問題を解決する二層構造用上層レジスト
材料の開発が要望されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、二層
構造の上層レジストとして使用した時に、十分な酸素プ
ラズマ耐性を有しており、かつ、感度、解像性が優れた
レジスト組成物を提供することにある。
構造の上層レジストとして使用した時に、十分な酸素プ
ラズマ耐性を有しており、かつ、感度、解像性が優れた
レジスト組成物を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題は、 式〔Ｓi2Ｒ1 Ｏ3 〕m 〔（Ｒ2)3 ＳｉＯ1/2 〕n …（１） 〔式中、ｍ，ｎは正の整数であり、ｍ／ｎ＝９０／１０
〜１０／９０、Ｒ1 は同一もしくは異なっていてもよ
く、Ｃ1 〜Ｃ10のアルキレンを示し、Ｒ2 は同一もしく
は異なっていてもよく、
〜１０／９０、Ｒ1 は同一もしくは異なっていてもよ
く、Ｃ1 〜Ｃ10のアルキレンを示し、Ｒ2 は同一もしく
は異なっていてもよく、
【０００６】
【化１１】
【０００７】
【化１２】
【０００８】（Ｒ3 は低級アルキル基あるいはアリール
基を示す）、
基を示す）、
【０００９】
【化１３】
【００１０】低級アルキル基またはアリール基を示し、
Ｒ2 のうち少なくとも全体の２０％以上が
Ｒ2 のうち少なくとも全体の２０％以上が
【００１１】
【化１４】
【００１２】
【化１５】
【００１３】（Ｒ3 は前記定義に同じ）、または
【００１４】
【化１６】
【００１５】である〕で示される重量平均分子量１，０
００〜５，０００，０００の有機ケイ素重合体。および
上記有機ケイ素重合体と、 式Ｉ：
００〜５，０００，０００の有機ケイ素重合体。および
上記有機ケイ素重合体と、 式Ｉ：
【００１６】
【化１７】
【００１７】（式中、Ｒ4 、は同一または異なっていて
もよく、低級アルキル基または低級アルキルを含むオキ
シシリル基を表し、ｏは正の整数である） 式II：
もよく、低級アルキル基または低級アルキルを含むオキ
シシリル基を表し、ｏは正の整数である） 式II：
【００１８】
【化１８】
【００１９】（式中、Ｒ5 およびＲ6 はそれぞれ同一ま
たは異なっていてもよく、Ｒ5 は低級アルキル基または
フェニル基を表し、Ｒ6 は低級アルキレン基または置換
低級アルキレン基を表し、ｐとｑは０または５〜１０，
０００の整数であり、同時に０になることはない） 式III ：
たは異なっていてもよく、Ｒ5 は低級アルキル基または
フェニル基を表し、Ｒ6 は低級アルキレン基または置換
低級アルキレン基を表し、ｐとｑは０または５〜１０，
０００の整数であり、同時に０になることはない） 式III ：
【００２０】
【化１９】
【００２１】（式中、Ｒ7 は同一または異なっていても
よく、水素、低級アルキル基または低級アルコキシ基を
表し、ｒは５〜１０，０００の整数である） または式IV：
よく、水素、低級アルキル基または低級アルコキシ基を
表し、ｒは５〜１０，０００の整数である） または式IV：
【００２２】
【化２０】
【００２３】（式中、Ｒ8 は同一または異なっていても
よく、水素、低級アルキル基、または低級アルコキシ基
を表し、ｓは５〜１０，０００の整数である）で示さ
れ、重量平均分子量が、１，０００〜１，０００，００
０である溶解抑制剤の有機ケイ素重合体と、酸発生剤の
オニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物によっ
て達成される。
よく、水素、低級アルキル基、または低級アルコキシ基
を表し、ｓは５〜１０，０００の整数である）で示さ
れ、重量平均分子量が、１，０００〜１，０００，００
０である溶解抑制剤の有機ケイ素重合体と、酸発生剤の
オニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物によっ
て達成される。
【００２４】
【作用】本発明の式（１）で示される有機ケイ素重合体
は、ｍ／ｎの比が９０／１０より大きいと感度が低下
し、１０／９０より小さいと耐熱性が低下する。また式
（１）で示される有機ケイ素重合体、および式（Ｉ）〜
（IV）で示される溶解抑制剤の重合体は、その重量平均
分子量が、式（１）で示される有機ケイ素重合体では、
１，０００より少ないと三次元構造の特徴を生かすこと
ができず、耐熱性が低下し、５，０００，０００より多
いと溶剤に溶解しない。また溶解抑止剤も、重量平均分
子量が１，０００より少ないと耐熱性に影響し、１，０
００，０００より多いと、式（１）で示される重合体と
同様に溶剤に溶解しないのでレジストの成分として使用
できない。
は、ｍ／ｎの比が９０／１０より大きいと感度が低下
し、１０／９０より小さいと耐熱性が低下する。また式
（１）で示される有機ケイ素重合体、および式（Ｉ）〜
（IV）で示される溶解抑制剤の重合体は、その重量平均
分子量が、式（１）で示される有機ケイ素重合体では、
１，０００より少ないと三次元構造の特徴を生かすこと
ができず、耐熱性が低下し、５，０００，０００より多
いと溶剤に溶解しない。また溶解抑止剤も、重量平均分
子量が１，０００より少ないと耐熱性に影響し、１，０
００，０００より多いと、式（１）で示される重合体と
同様に溶剤に溶解しないのでレジストの成分として使用
できない。
【００２５】また、これらの重合体に含まれる低級アル
キル基、低級アルキレン基、または低級アルコキシ基は
炭素数１〜４個が好ましく、１〜２個が便宜である。ア
リール基としては、フェニル、トリル、キシリル等が好
ましい。式（１）で示される有機ケイ素重合体は、軟化
点が４００℃より高い三次元網目状構造を有するので、
耐熱性に優れ、かつ酸素プラズマ耐性が優れているばか
りでなく、Ｒ2 の２０％以上を特定の基とすることによ
り、アルカリ水溶液に溶解するので、アルカリ現像用の
ポジ型レジスト組成物のベース重合体として有利に使用
することができる。
キル基、低級アルキレン基、または低級アルコキシ基は
炭素数１〜４個が好ましく、１〜２個が便宜である。ア
リール基としては、フェニル、トリル、キシリル等が好
ましい。式（１）で示される有機ケイ素重合体は、軟化
点が４００℃より高い三次元網目状構造を有するので、
耐熱性に優れ、かつ酸素プラズマ耐性が優れているばか
りでなく、Ｒ2 の２０％以上を特定の基とすることによ
り、アルカリ水溶液に溶解するので、アルカリ現像用の
ポジ型レジスト組成物のベース重合体として有利に使用
することができる。
【００２６】式（Ｉ）〜（IV）で示される溶解抑止剤
は、アルカリ水溶液に溶解しないが、高エネルギー線の
照射により分解するか、あるいは添加したオニウム塩か
ら発生する酸触媒と反応することによりポリビニルフェ
ノールとなってアルカリ可溶となるので、レジスト組成
物はアルカリ現像タイプのポジ型レジストとなる。ここ
で、オニウム塩としては、高エネルギー線の照射により
酸を発生するジアゾニウム塩、スルホニウム塩、ヨード
ニウム塩等を使用できる。
は、アルカリ水溶液に溶解しないが、高エネルギー線の
照射により分解するか、あるいは添加したオニウム塩か
ら発生する酸触媒と反応することによりポリビニルフェ
ノールとなってアルカリ可溶となるので、レジスト組成
物はアルカリ現像タイプのポジ型レジストとなる。ここ
で、オニウム塩としては、高エネルギー線の照射により
酸を発生するジアゾニウム塩、スルホニウム塩、ヨード
ニウム塩等を使用できる。
【００２７】本発明のレジスト組成物は、有機溶剤１０
０重量部に対する含量として、ベース重合体は５〜３０
重量部が好ましい。５重量部未満では、レジストの膜厚
が低下して、十分な酸素プラズマ耐性を得られず、３０
重量部より多いと、粘度が上昇してスピンコートするこ
とが困難となる。溶解抑止剤は０．５〜１０重量部が好
ましい。０．５重量部未満では溶解抑止効果を得られ
ず、１０重量部より多いと、成膜性を損うとともに、ベ
ース重合体の含量が相対的に低下して、酸素プラズマ耐
性の低下を生じ、オニウム塩は０．０１〜５重量部が好
ましい。０．０１重量部未満では酸の発生量が少なくて
溶解抑止剤を可溶化することができず、５重量部より多
いと有機溶剤に溶解しない部分が残る。
０重量部に対する含量として、ベース重合体は５〜３０
重量部が好ましい。５重量部未満では、レジストの膜厚
が低下して、十分な酸素プラズマ耐性を得られず、３０
重量部より多いと、粘度が上昇してスピンコートするこ
とが困難となる。溶解抑止剤は０．５〜１０重量部が好
ましい。０．５重量部未満では溶解抑止効果を得られ
ず、１０重量部より多いと、成膜性を損うとともに、ベ
ース重合体の含量が相対的に低下して、酸素プラズマ耐
性の低下を生じ、オニウム塩は０．０１〜５重量部が好
ましい。０．０１重量部未満では酸の発生量が少なくて
溶解抑止剤を可溶化することができず、５重量部より多
いと有機溶剤に溶解しない部分が残る。
【００２８】本発明によれば、被加工基板上に下層の有
機高分子量を形成し、その上にこのレジスト組成物を上
層レジストとして塗布し、該上層レジストを露光光源の
高エネルギー線の像パターンに露光した後、アルカリ現
像液で現像し、形成された上層レジストパターンを酸素
プラズマ等のドライエッチングで下層の有機高分子層に
転写することを含んでなる、パターン形成方法も提供さ
れる。なお、ここで有機高分子層としては、東京応化製
のＯＦＰＲ、シプレイ社製のＡＺなど、公知のフォトレ
ジストが使用できる。
機高分子量を形成し、その上にこのレジスト組成物を上
層レジストとして塗布し、該上層レジストを露光光源の
高エネルギー線の像パターンに露光した後、アルカリ現
像液で現像し、形成された上層レジストパターンを酸素
プラズマ等のドライエッチングで下層の有機高分子層に
転写することを含んでなる、パターン形成方法も提供さ
れる。なお、ここで有機高分子層としては、東京応化製
のＯＦＰＲ、シプレイ社製のＡＺなど、公知のフォトレ
ジストが使用できる。
【００２９】本レジスト組成物で用いる基材樹脂（有機
ケイ素重合体）は、骨格にアルキレンを有しているた
め、ストレスに強く、基板にそりが生じた場合や膜厚を
膜くした場合のクラック発生を好ましく抑えることがで
きる。
ケイ素重合体）は、骨格にアルキレンを有しているた
め、ストレスに強く、基板にそりが生じた場合や膜厚を
膜くした場合のクラック発生を好ましく抑えることがで
きる。
【００３０】
【実施例】次いで、本発明を実施例により説明する。合成例１．１ （工程１） ５００ccの四つ口フラスコにメチルイソブチルケトン４
０cc、メタノール２５cc、アセトン２５cc、水５０cc、
濃塩酸５cc、及び１，３−ジフェニル−１，１，３，３
−テトラメチルジシロキサン４．０５ｇを仕込み、加熱
攪拌して還流状態とした。１，２−ビス（トリメトキシ
シリル）エタン１５．９ｇをＭＩＢＫ３５ccに溶かし、
フラスコ内に２０分かけて滴下した。その後３０分攪拌
を続けた後、冷却し、ＭＩＢＫ、水を各５０cc加え、分
液漏斗を用いて上層のＭＩＢＫ層を得、水で数回洗浄し
た後、共沸により残存した水を取り除いた。その後、反
応溶液を多量の水に投入して樹脂を析出させ回収した。
分子量分別操作を行った後、凍結乾燥を施し、１２ｇの
白色粉末を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフ
（ＧＰＣ）により測定した重量平均分子量は標準ポリス
チレン換算で３．５×１０4 、分散度は２．１であっ
た。 （工程２）工程１で得た粉末の４％ＭＩＢＫ溶液１００
ｇに、メチルジフェニルクロロシラン、ピリジン各１０
ccを加え、８０℃で２時間攪拌した。冷却後、ＭＩＢ
Ｋ、水を各５０ccを加え、分液漏斗を用いて上層のＭＩ
ＢＫ層を得、水で数回洗浄した後、共沸により残存した
水を取り除いた。その後、反応溶液を多量の水に投入し
て樹脂を析出させ回収した。凍結乾燥を施し、４．１７
ｇの白色粉末を得た。その後、エタノール、アセトニト
リルを用いて、低分子量オリゴマや不純物を洗浄して除
き、最終的に２．１６ｇの白色の粉末を得た。ゲルパー
ミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）により測定した
重量平均分子量は標準ポリスチレン換算で３．６×１０
4 、分散度は２．２であった。 （工程３）３００ccの四つ口フラスコに塩化アセチル２
５ml、無水塩化アルミニウム８ｇを仕込み、攪拌した。
次に工程２で得られたシルエチレンシロキサンポリマの
粉末２ｇを塩化アセチル２５mlに溶かした溶液を徐々に
滴下した。温度を２５℃に保ち、３時間反応後、内容物
を塩酸を含む氷水中へ注いだ。沈澱したポリマを回収し
て水で数回洗浄後、凍結乾燥を施し、２．１ｇの白色粉
末（１Ａ）を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラ
フ（ＧＰＣ）により測定した重量平均分子量は標準ポリ
スチレン換算で３．８×１０4 、分散は２．２であっ
た。また、赤外吸収スペクトルでは１６７０cm-1にカル
ボニル基の吸収が見られ、アセチル化されたことが確認
された。
０cc、メタノール２５cc、アセトン２５cc、水５０cc、
濃塩酸５cc、及び１，３−ジフェニル−１，１，３，３
−テトラメチルジシロキサン４．０５ｇを仕込み、加熱
攪拌して還流状態とした。１，２−ビス（トリメトキシ
シリル）エタン１５．９ｇをＭＩＢＫ３５ccに溶かし、
フラスコ内に２０分かけて滴下した。その後３０分攪拌
を続けた後、冷却し、ＭＩＢＫ、水を各５０cc加え、分
液漏斗を用いて上層のＭＩＢＫ層を得、水で数回洗浄し
た後、共沸により残存した水を取り除いた。その後、反
応溶液を多量の水に投入して樹脂を析出させ回収した。
分子量分別操作を行った後、凍結乾燥を施し、１２ｇの
白色粉末を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフ
（ＧＰＣ）により測定した重量平均分子量は標準ポリス
チレン換算で３．５×１０4 、分散度は２．１であっ
た。 （工程２）工程１で得た粉末の４％ＭＩＢＫ溶液１００
ｇに、メチルジフェニルクロロシラン、ピリジン各１０
ccを加え、８０℃で２時間攪拌した。冷却後、ＭＩＢ
Ｋ、水を各５０ccを加え、分液漏斗を用いて上層のＭＩ
ＢＫ層を得、水で数回洗浄した後、共沸により残存した
水を取り除いた。その後、反応溶液を多量の水に投入し
て樹脂を析出させ回収した。凍結乾燥を施し、４．１７
ｇの白色粉末を得た。その後、エタノール、アセトニト
リルを用いて、低分子量オリゴマや不純物を洗浄して除
き、最終的に２．１６ｇの白色の粉末を得た。ゲルパー
ミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）により測定した
重量平均分子量は標準ポリスチレン換算で３．６×１０
4 、分散度は２．２であった。 （工程３）３００ccの四つ口フラスコに塩化アセチル２
５ml、無水塩化アルミニウム８ｇを仕込み、攪拌した。
次に工程２で得られたシルエチレンシロキサンポリマの
粉末２ｇを塩化アセチル２５mlに溶かした溶液を徐々に
滴下した。温度を２５℃に保ち、３時間反応後、内容物
を塩酸を含む氷水中へ注いだ。沈澱したポリマを回収し
て水で数回洗浄後、凍結乾燥を施し、２．１ｇの白色粉
末（１Ａ）を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラ
フ（ＧＰＣ）により測定した重量平均分子量は標準ポリ
スチレン換算で３．８×１０4 、分散は２．２であっ
た。また、赤外吸収スペクトルでは１６７０cm-1にカル
ボニル基の吸収が見られ、アセチル化されたことが確認
された。
【００３１】この重合体は、４００℃に加熱しても軟化
することがなかった。なお通常のラダー型二次元構造を
有する重合体は２００〜３００℃程度で軟化する。この
耐熱性が大きい点から、本発明の重合体は三次元構造を
有することが推定された。合成例１．２ 工程３で得られたアセチル化シルエチレンシロキサンポ
リマ（１Ａ）２ｇと１０％の次亜塩素酸ソーダの水溶液
３３mlを仕込み、１２時間還流した。得られた透明な液
に塩酸を加え、沈澱物を回収し、凍結乾燥を施し、２．
１ｇの白色粉末（１Ｃ）を得た。赤外吸収スペクトルを
測定したところ、１６７０cm-1のカルボニルの吸収が消
滅し、１７００cm-1にカルボキシルの吸収が見られたこ
とから、カルボキシル化されたことが認められた。合成例１．３ 工程３で得られたアセチル化シルエチレンシロキサンポ
リマ２ｇをテトラヒドロフラン４０mlに溶かし、これに
１．８ｇのＬｉＡｌＨ4 を加え、還流状態とした。反応
後、５％の塩酸を含む水溶液に投入し、沈澱物を回収
し、凍結乾燥を施し、白色粉末（１Ｂ）を得た。赤外吸
収スペクトルでは１６７０cm-1のカルボニルの吸収が消
滅し、３１００〜３４００cm-1に水酸基の吸収が見ら
れ、ヒドロキシ化されたことが認められた。合成例２．１ パラアセトキシスチレン９．９５ｇとアゾイソブチロニ
トリル０．０９９７ｇを６０mlのトルエンに溶解し、そ
れを窒素雰囲気下で７５℃に加熱し、２４時間反応させ
た。反応液をメタノール中に投入し、沈澱物を回収し、
凍結乾燥を施し、５．４ｇの白色粉末(III１）を得た。
ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）により
測定した重量平均分子量は標準ポリスチレン換算で１．
４×１０ 4 、分散度は１．９であった。合成例２．２ ６．１１ｇのパラホルミルスチレンと０．０６５ｇのア
ゾイソブチロニトリルを丸底フラスコに入れ、窒素雰囲
気下８０℃で１２時間反応させ、反応物をテトラヒドロ
フランに溶解させ、石油エーテル中に投入し、沈澱物を
回収し、凍結乾燥を施し、５．０ｇの白色粉末(III２）
を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰ
Ｃ）により測定した重量平均分子量は標準ポリスチレン
換算で１．０×１０4 、分散度は１．６であった。合成例２．３ パラターシャリブトキシカルボニルスチレン１０ｇと、
アゾイソブチロニトリル０．０９５ｇとを６０mlのトル
エンに溶解させ、石油エーテル中に投入し、例２．１と
同様にポリマ(III３）を得た。収量４．９ｇ、分子量
１．０×１０4 、分散度は１．８であった。合成例２．４ パラ（ジメチルターシャリブチルシリルオキシ）スチレ
ン１ｇをテトラヒドロフラン１０mlに溶解させ、ブレー
カシール付きの反応管に入れ、脱気封緘し、−７８℃に
冷却した。その後、ブレーカシールを通してブチルリチ
ウム１mmolを加え、振動攪拌により１時間反応させた。
反応液をメタノール中に投入し、沈澱物を回収して凍結
乾燥を施し、白色粉末（Ｉ）を得た。ゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフ（ＧＰＣ）により測定したところ、
重量平均分子量は標準ポリスチレン換算で１．１×１０
4 、分散度は１．２であった。合成例２．５ エチレングリコール０．５mol とパラ（ヒドロキシメチ
ル）ベンゼン０．５mol をメチルエチルケトン（ＭＥ
Ｘ）１５０mlに溶解し、ピリジン０．２２mol を添加し
た。その後、ジメチルジクロロシラン０．１mol を室温
下で攪拌しながら滴下した後、５０℃で３時間攪拌し
た。生成したピリジン塩を除去し、５％ＮａＨＣＯ3 水
溶液と飽和ＮａＣｌ水溶液で洗浄した。溶液をＮａ2 Ｓ
Ｏ4 で乾燥後濃縮乾固させて残った水を取り除いた。そ
の後、反応溶液を多量の水に投入して樹脂を析出させ回
収した。分子量分別操作を行った後、凍結乾燥を施し、
約１０ｇの白色粉末（II）を得た。ゲルパーミエーショ
ンクロマトグラフ（ＧＰＣ）により測定したところ、重
量平均分子量は１．０×１０4 、分散度は１．８であっ
た。実施例１ （電子線レジスト） 合成例１．１〜１．３により得られたシルエチレンシロ
キサンポリマ（１Ａ），（１Ｃ）および（１Ｂ）それぞ
れ１ｇと、合成例２．４で得られたポリシリルオキシス
チレン（Ｉ）０．１ｇと、ジフェニルヨードニウムヘキ
サフルオロアーセネート０．０２ｇとをメチルイソブチ
ルケトン１５mlに溶解し、孔径が０．１μｍのメンブラ
ンフィルタで濾過してレジスト溶液とした。次にＳｉ基
板上に２．０μｍの厚さになるようにノボラック系レジ
スト（ＭＰ−１３００シプレー社）を塗布し、ハードベ
ークして平坦化層とし、この上に上記レジスト溶液を
０．２μｍの厚さになるように塗布し、８０℃で２０分
ベーキングした。こうして得られた二層レジスト膜に加
速電圧２０KVで電子線を露光し、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液（２．５％）で現像を行った。
次に試料を平行平板型のドライエッチング装置に入れ、
酸素プラズマ（２Pa，０．２２Ｗ／cm2)で１５分間ドラ
イエッチングを行い、上層パターンを下層に転写した。
この結果、０．２μｍのライン＆スペースパターンを解
像することができた。
することがなかった。なお通常のラダー型二次元構造を
有する重合体は２００〜３００℃程度で軟化する。この
耐熱性が大きい点から、本発明の重合体は三次元構造を
有することが推定された。合成例１．２ 工程３で得られたアセチル化シルエチレンシロキサンポ
リマ（１Ａ）２ｇと１０％の次亜塩素酸ソーダの水溶液
３３mlを仕込み、１２時間還流した。得られた透明な液
に塩酸を加え、沈澱物を回収し、凍結乾燥を施し、２．
１ｇの白色粉末（１Ｃ）を得た。赤外吸収スペクトルを
測定したところ、１６７０cm-1のカルボニルの吸収が消
滅し、１７００cm-1にカルボキシルの吸収が見られたこ
とから、カルボキシル化されたことが認められた。合成例１．３ 工程３で得られたアセチル化シルエチレンシロキサンポ
リマ２ｇをテトラヒドロフラン４０mlに溶かし、これに
１．８ｇのＬｉＡｌＨ4 を加え、還流状態とした。反応
後、５％の塩酸を含む水溶液に投入し、沈澱物を回収
し、凍結乾燥を施し、白色粉末（１Ｂ）を得た。赤外吸
収スペクトルでは１６７０cm-1のカルボニルの吸収が消
滅し、３１００〜３４００cm-1に水酸基の吸収が見ら
れ、ヒドロキシ化されたことが認められた。合成例２．１ パラアセトキシスチレン９．９５ｇとアゾイソブチロニ
トリル０．０９９７ｇを６０mlのトルエンに溶解し、そ
れを窒素雰囲気下で７５℃に加熱し、２４時間反応させ
た。反応液をメタノール中に投入し、沈澱物を回収し、
凍結乾燥を施し、５．４ｇの白色粉末(III１）を得た。
ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）により
測定した重量平均分子量は標準ポリスチレン換算で１．
４×１０ 4 、分散度は１．９であった。合成例２．２ ６．１１ｇのパラホルミルスチレンと０．０６５ｇのア
ゾイソブチロニトリルを丸底フラスコに入れ、窒素雰囲
気下８０℃で１２時間反応させ、反応物をテトラヒドロ
フランに溶解させ、石油エーテル中に投入し、沈澱物を
回収し、凍結乾燥を施し、５．０ｇの白色粉末(III２）
を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰ
Ｃ）により測定した重量平均分子量は標準ポリスチレン
換算で１．０×１０4 、分散度は１．６であった。合成例２．３ パラターシャリブトキシカルボニルスチレン１０ｇと、
アゾイソブチロニトリル０．０９５ｇとを６０mlのトル
エンに溶解させ、石油エーテル中に投入し、例２．１と
同様にポリマ(III３）を得た。収量４．９ｇ、分子量
１．０×１０4 、分散度は１．８であった。合成例２．４ パラ（ジメチルターシャリブチルシリルオキシ）スチレ
ン１ｇをテトラヒドロフラン１０mlに溶解させ、ブレー
カシール付きの反応管に入れ、脱気封緘し、−７８℃に
冷却した。その後、ブレーカシールを通してブチルリチ
ウム１mmolを加え、振動攪拌により１時間反応させた。
反応液をメタノール中に投入し、沈澱物を回収して凍結
乾燥を施し、白色粉末（Ｉ）を得た。ゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフ（ＧＰＣ）により測定したところ、
重量平均分子量は標準ポリスチレン換算で１．１×１０
4 、分散度は１．２であった。合成例２．５ エチレングリコール０．５mol とパラ（ヒドロキシメチ
ル）ベンゼン０．５mol をメチルエチルケトン（ＭＥ
Ｘ）１５０mlに溶解し、ピリジン０．２２mol を添加し
た。その後、ジメチルジクロロシラン０．１mol を室温
下で攪拌しながら滴下した後、５０℃で３時間攪拌し
た。生成したピリジン塩を除去し、５％ＮａＨＣＯ3 水
溶液と飽和ＮａＣｌ水溶液で洗浄した。溶液をＮａ2 Ｓ
Ｏ4 で乾燥後濃縮乾固させて残った水を取り除いた。そ
の後、反応溶液を多量の水に投入して樹脂を析出させ回
収した。分子量分別操作を行った後、凍結乾燥を施し、
約１０ｇの白色粉末（II）を得た。ゲルパーミエーショ
ンクロマトグラフ（ＧＰＣ）により測定したところ、重
量平均分子量は１．０×１０4 、分散度は１．８であっ
た。実施例１ （電子線レジスト） 合成例１．１〜１．３により得られたシルエチレンシロ
キサンポリマ（１Ａ），（１Ｃ）および（１Ｂ）それぞ
れ１ｇと、合成例２．４で得られたポリシリルオキシス
チレン（Ｉ）０．１ｇと、ジフェニルヨードニウムヘキ
サフルオロアーセネート０．０２ｇとをメチルイソブチ
ルケトン１５mlに溶解し、孔径が０．１μｍのメンブラ
ンフィルタで濾過してレジスト溶液とした。次にＳｉ基
板上に２．０μｍの厚さになるようにノボラック系レジ
スト（ＭＰ−１３００シプレー社）を塗布し、ハードベ
ークして平坦化層とし、この上に上記レジスト溶液を
０．２μｍの厚さになるように塗布し、８０℃で２０分
ベーキングした。こうして得られた二層レジスト膜に加
速電圧２０KVで電子線を露光し、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液（２．５％）で現像を行った。
次に試料を平行平板型のドライエッチング装置に入れ、
酸素プラズマ（２Pa，０．２２Ｗ／cm2)で１５分間ドラ
イエッチングを行い、上層パターンを下層に転写した。
この結果、０．２μｍのライン＆スペースパターンを解
像することができた。
【００３２】この時パターニングできる最小露光量を表
１に示す。
１に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】実施例２（エキシマレーザレジスト） 合成例１．１により得られたシルエチレンシロキサンポ
リマ（１Ａ）１ｇと、合成例２．４で得られたポリシリ
ルオキシスチレン（Ｉ）０．１ｇと、ジフェニルヨード
ニウムヘキサフルオロアーセネート０．０２ｇとをメチ
ルイソブチルケトン１５mlに溶解し、孔径が０．１μｍ
のメンブランフィルタで濾過してレジスト溶液とした。
次にＳｉ基板上に２．０μｍの厚さになるようにノボラ
ック系レジスト（ＭＰ−１３００シプレー社）を塗布
し、ハードベークして平坦化層とし、この上に上記レジ
スト溶液を０．２μｍの厚さになるように塗布し、８０
℃で２０分ベーキングした。こうして得られた二層レジ
スト膜に、ＫｒＦエキシマレーザ装置（波長２４８nm）
を用いて２００mJ／cm2 の露光量で露光し、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２．５％）で現像
を行った。次に試料を平行平板型のドライエッチング装
置に入れ、酸素プラズマ（２Pa，０．２２Ｗ／cm2)で１
５分間ドライエッチングを行い、上層パターンを下層に
転写した。この結果０．５μｍのライン＆スペースパタ
ーンを解像することができた。実施例３ （Ｘ線レジスト） 合成例１．１により得られたシルエチレンシロキサンポ
リマ（１Ａ）１ｇと、合成例２．４で得られたポリシリ
ルオキシスチレン（Ｉ）０．１ｇと、ジフェニルヨード
ニウムヘキサフルオロアーセネート０．０２ｇとをメチ
ルイソブチルケトン１５mlに溶解し、孔径が０．１μｍ
のメンブランフィルタで濾過してレジスト溶液とした。
次にＳｉ基板上に２．０μｍの厚さになるようにノボラ
ック系レジスト（ＭＰ−１３００シプレー社）を塗布
し、ハードベークして平坦化層とし、この上に上記レジ
スト溶液を０．２μｍの厚さになるように塗布し、８０
℃で２０分ベーキングした。こうして得られた二層レジ
スト膜に、波長１．４nmのプラズマＸ線露光装置を用い
て１５mJ／cm2 の露光量で露光し、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド水溶液（２．５％）で現像を行っ
た。次に試料を平行平板型のドライエッチング装置に入
れ、酸素プラズマ（２Pa，０．２２Ｗ／cm2)で１５分間
ドライエッチングを行い、上層パターンを下層に転写し
た。この結果０．５μｍのライン＆スペースパターンを
解像することができた。実施例４ （イオンビームレジスト） 合成例１．１により得られたシルエチレンシロキサンポ
リマ（１Ａ）１ｇと、合成例２．４で得られたポリシリ
ルオキシスチレン（Ｉ）０．１ｇと、ジフェニルヨード
ニウムヘキサフルオロアーセネート０．０２ｇとをメチ
ルイソブチルケトン１５mlに溶解し、孔径が０．１μｍ
のメンブランフィルタで濾過してレジスト溶液とした。
次にＳｉ基板上に２．０μｍの厚さになるようにノボラ
ック系レジスト（ＭＰ−１３００シプレー社）を塗布
し、ハードベークして平坦化層とし、この上に上記レジ
スト溶液を０．２μｍの厚さになるように塗布し、８０
℃で２０分ベーキングした。こうして得られた二層レジ
スト膜に、加速電圧３４kVでＧａイオンビームを、５μ
Ｃ／cm2 の露光量で露光し、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液（２．５％）で現像を行った。次に
試料を平行平板型のドライエッチング装置に入れ、酸素
プラズマ（２Pa，０．２２Ｗ／cm2)で１５分間ドライエ
ッチングを行い、上層パターンを下層に転写した。この
結果０．５μｍのライン＆スペースパターンを解像する
ことができた。実施例５ 合成例１．１により得られたシルエチレンシロキサンポ
リマ（１Ａ）１ｇと、合成例２．１〜２．３および２．
５で得られたポリマ III１， III２および III３それぞ
れ０．１ｇと、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロ
アーセネート０．０２ｇとをメチルイソブチルケトン１
５mlに溶解し、孔径が０．１μｍのメンブランフィルタ
で濾過してレジスト溶液とした。次にＳｉ基板上に２．
０μｍの厚さになるようにノボラック系レジスト（ＭＰ
−１３００シプレー社）を塗布し、ハードベークして平
坦化層とし、この上に上記レジスト溶液を０．２μｍの
厚さになるように塗布し、８０℃で２０分ベーキングし
た。こうして得られた二層レジスト膜に加速電圧２０kV
で電子線を露光し、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液（２．５％）で現像を行った。次に試料を平
行平板型のドライエッチング装置に入れ、酸素プラズマ
（２Pa，０．２２Ｗ／cm2)で１５分間ドライエッチング
を行い、上層パターンを下層に転写した。この結果、
０．２μｍのライン＆スペースパターンを解像すること
ができた。
リマ（１Ａ）１ｇと、合成例２．４で得られたポリシリ
ルオキシスチレン（Ｉ）０．１ｇと、ジフェニルヨード
ニウムヘキサフルオロアーセネート０．０２ｇとをメチ
ルイソブチルケトン１５mlに溶解し、孔径が０．１μｍ
のメンブランフィルタで濾過してレジスト溶液とした。
次にＳｉ基板上に２．０μｍの厚さになるようにノボラ
ック系レジスト（ＭＰ−１３００シプレー社）を塗布
し、ハードベークして平坦化層とし、この上に上記レジ
スト溶液を０．２μｍの厚さになるように塗布し、８０
℃で２０分ベーキングした。こうして得られた二層レジ
スト膜に、ＫｒＦエキシマレーザ装置（波長２４８nm）
を用いて２００mJ／cm2 の露光量で露光し、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２．５％）で現像
を行った。次に試料を平行平板型のドライエッチング装
置に入れ、酸素プラズマ（２Pa，０．２２Ｗ／cm2)で１
５分間ドライエッチングを行い、上層パターンを下層に
転写した。この結果０．５μｍのライン＆スペースパタ
ーンを解像することができた。実施例３ （Ｘ線レジスト） 合成例１．１により得られたシルエチレンシロキサンポ
リマ（１Ａ）１ｇと、合成例２．４で得られたポリシリ
ルオキシスチレン（Ｉ）０．１ｇと、ジフェニルヨード
ニウムヘキサフルオロアーセネート０．０２ｇとをメチ
ルイソブチルケトン１５mlに溶解し、孔径が０．１μｍ
のメンブランフィルタで濾過してレジスト溶液とした。
次にＳｉ基板上に２．０μｍの厚さになるようにノボラ
ック系レジスト（ＭＰ−１３００シプレー社）を塗布
し、ハードベークして平坦化層とし、この上に上記レジ
スト溶液を０．２μｍの厚さになるように塗布し、８０
℃で２０分ベーキングした。こうして得られた二層レジ
スト膜に、波長１．４nmのプラズマＸ線露光装置を用い
て１５mJ／cm2 の露光量で露光し、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド水溶液（２．５％）で現像を行っ
た。次に試料を平行平板型のドライエッチング装置に入
れ、酸素プラズマ（２Pa，０．２２Ｗ／cm2)で１５分間
ドライエッチングを行い、上層パターンを下層に転写し
た。この結果０．５μｍのライン＆スペースパターンを
解像することができた。実施例４ （イオンビームレジスト） 合成例１．１により得られたシルエチレンシロキサンポ
リマ（１Ａ）１ｇと、合成例２．４で得られたポリシリ
ルオキシスチレン（Ｉ）０．１ｇと、ジフェニルヨード
ニウムヘキサフルオロアーセネート０．０２ｇとをメチ
ルイソブチルケトン１５mlに溶解し、孔径が０．１μｍ
のメンブランフィルタで濾過してレジスト溶液とした。
次にＳｉ基板上に２．０μｍの厚さになるようにノボラ
ック系レジスト（ＭＰ−１３００シプレー社）を塗布
し、ハードベークして平坦化層とし、この上に上記レジ
スト溶液を０．２μｍの厚さになるように塗布し、８０
℃で２０分ベーキングした。こうして得られた二層レジ
スト膜に、加速電圧３４kVでＧａイオンビームを、５μ
Ｃ／cm2 の露光量で露光し、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液（２．５％）で現像を行った。次に
試料を平行平板型のドライエッチング装置に入れ、酸素
プラズマ（２Pa，０．２２Ｗ／cm2)で１５分間ドライエ
ッチングを行い、上層パターンを下層に転写した。この
結果０．５μｍのライン＆スペースパターンを解像する
ことができた。実施例５ 合成例１．１により得られたシルエチレンシロキサンポ
リマ（１Ａ）１ｇと、合成例２．１〜２．３および２．
５で得られたポリマ III１， III２および III３それぞ
れ０．１ｇと、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロ
アーセネート０．０２ｇとをメチルイソブチルケトン１
５mlに溶解し、孔径が０．１μｍのメンブランフィルタ
で濾過してレジスト溶液とした。次にＳｉ基板上に２．
０μｍの厚さになるようにノボラック系レジスト（ＭＰ
−１３００シプレー社）を塗布し、ハードベークして平
坦化層とし、この上に上記レジスト溶液を０．２μｍの
厚さになるように塗布し、８０℃で２０分ベーキングし
た。こうして得られた二層レジスト膜に加速電圧２０kV
で電子線を露光し、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液（２．５％）で現像を行った。次に試料を平
行平板型のドライエッチング装置に入れ、酸素プラズマ
（２Pa，０．２２Ｗ／cm2)で１５分間ドライエッチング
を行い、上層パターンを下層に転写した。この結果、
０．２μｍのライン＆スペースパターンを解像すること
ができた。
【００３５】この時パターニングできる最小露光量を表
２に示す。
２に示す。
【００３６】
【表２】
【００３７】実施例６ 実施例５において、合成例１．１により得られたシルエ
チレンシロキサンポリマ（１Ａ）１ｇと合成例２．１で
得られたポリマ(III１）０．１ｇを用い、ジフェニルヨ
ードニウムヘキサフルオロアーセネートの代わりに各種
ジアゾニウム塩を用いて最小露光量を測定した結果を表
３に示す。
チレンシロキサンポリマ（１Ａ）１ｇと合成例２．１で
得られたポリマ(III１）０．１ｇを用い、ジフェニルヨ
ードニウムヘキサフルオロアーセネートの代わりに各種
ジアゾニウム塩を用いて最小露光量を測定した結果を表
３に示す。
【００３８】
【表３】
【００３９】実施例７ 実施例５において、合成例１．１により得られたシルエ
チレンシロキサンポリマ（１Ａ）１ｇと合成例２．１で
得られたポリマ(III１）０．１ｇを用い、ジフェニルヨ
ードニウムヘキサフルオロアーセネートの代わりに各種
スルホニウム塩を用いて最小露光量を測定した結果を表
４に示す。なお、表中、スルホニウム塩
チレンシロキサンポリマ（１Ａ）１ｇと合成例２．１で
得られたポリマ(III１）０．１ｇを用い、ジフェニルヨ
ードニウムヘキサフルオロアーセネートの代わりに各種
スルホニウム塩を用いて最小露光量を測定した結果を表
４に示す。なお、表中、スルホニウム塩
【００４０】
【化２１】
【００４１】はｔ−ブチルフェニルを表す。
【００４２】
【表４】
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレジスト
組成物は、ケイ素含有率の高いシルアルキレンシロキサ
ン樹脂をベースポリマとしているため酸素プラズマ耐性
に優れ、オニウム塩から発生する酸を触媒として利用で
きるため、電子線、Ｘ線、紫外線、イオンビーム等に感
度が高く、またアルカリ現像が可能でありかつベースポ
リマの耐熱性が高いことから解像性に優れる。したがっ
て、今まで同時に達成することが難しかった酸素プラズ
マ耐性、感度、解像性の三つの特性を保証することが可
能である。
組成物は、ケイ素含有率の高いシルアルキレンシロキサ
ン樹脂をベースポリマとしているため酸素プラズマ耐性
に優れ、オニウム塩から発生する酸を触媒として利用で
きるため、電子線、Ｘ線、紫外線、イオンビーム等に感
度が高く、またアルカリ現像が可能でありかつベースポ
リマの耐熱性が高いことから解像性に優れる。したがっ
て、今まで同時に達成することが難しかった酸素プラズ
マ耐性、感度、解像性の三つの特性を保証することが可
能である。
【００４４】従って、これにより、半導体素子の製造に
おいて、寸法精度およびスループットの向上が可能とな
る。
おいて、寸法精度およびスループットの向上が可能とな
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/075 ５１１ 7/26 ５１１ 7124−2Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 福田 麻奈美 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 次式１： 〔Ｓi2Ｒ1 Ｏ3 〕m 〔（Ｒ2)3 ＳｉＯ1/2 〕n …（１） 〔式中、ｍ，ｎは正の整数であり、ｍ／ｎ＝９０／１０
〜１０／９０、Ｒ1 は同一もしくは異なっていてもよ
く、Ｃ1 〜Ｃ10のアルキレンを示し、Ｒ2 は同一もしく
は異なっていてもよく、 【化１】 【化２】 （Ｒ3 は低級アルキル基あるいはアリール基を示す）、 【化３】 低級アルキル基またはアリール基を示し、Ｒ2 のうち少
なくとも全体の２０％以上が 【化４】 【化５】 （Ｒ3 は前記定義に同じ）、または 【化６】 である〕で示される重量平均分子量１，０００〜５，０
００，０００の有機ケイ素重合体。 - 【請求項２】 請求項１記載の有機ケイ素重合体と、 次式Ｉ： 【化７】 （式中、Ｒ4 は同一または異なっていてもよく、低級ア
ルキル基または低級アルキルを含むオキシシリル基を表
し、ｏは５〜１００００の整数である） 次式II： 【化８】 （式中、Ｒ5 およびＲ6 はそれぞれ同一または異なって
いてもよく、Ｒ5 は低級アルキル基またはフェニル基を
表し、Ｒ6 は低級アルキレン基または置換低級アルキレ
ン基を表し、ｐとｑはそれぞれ０または５〜１００００
の整数であり、同時に０になることはない） 次式III ： 【化９】 （式中、Ｒ7 は同一または異なっていてもよく、水素、
低級アルキル基または低級アルコキシ基を表し、ｒは５
〜１００００の整数である） または化式IV： 【化１０】 （式中、Ｒ8 は同一または異なっていてもよく、水素、
低級アルキル基、または低級アルコキシ基を表し、ｓは
５〜１００００の整数である）で示され、重量平均分子
量が、１，０００〜１，０００，０００である溶解抑制
剤と、 酸発生剤のオニウム塩と、 有機溶剤とを含んでなるレジスト組成物。 - 【請求項３】 請求項１記載の有機ケイ素重合体５〜３
０重量部と、溶解抑止剤の重合体０．５〜１０重量部
と、酸発生剤のオニウム塩０．０１〜０．２重量部と、
有機溶媒１００重量部とを含む請求項２記載のレジスト
組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28484191A JPH05117392A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 有機ケイ素重合体およびレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28484191A JPH05117392A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 有機ケイ素重合体およびレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05117392A true JPH05117392A (ja) | 1993-05-14 |
Family
ID=17683717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28484191A Withdrawn JPH05117392A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 有機ケイ素重合体およびレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05117392A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002048264A1 (fr) * | 2000-12-11 | 2002-06-20 | Jsr Corporation | Composition sensible aux rayonnements, a indice de refraction variable et procede pour modifier son indice de refraction |
| US6958525B2 (en) | 2000-03-29 | 2005-10-25 | Fujitsu Limited | Low dielectric constant film material, film and semiconductor device using such material |
| JP2006225476A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| KR20140047120A (ko) * | 2011-07-08 | 2014-04-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 패터닝 공정 및 상기 공정에 사용하기 위한 레지스트 |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP28484191A patent/JPH05117392A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6958525B2 (en) | 2000-03-29 | 2005-10-25 | Fujitsu Limited | Low dielectric constant film material, film and semiconductor device using such material |
| US7235866B2 (en) | 2000-03-29 | 2007-06-26 | Fujitsu Limited | Low dielectric constant film material, film and semiconductor device using such material |
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| JP2006225476A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
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| JP2014521111A (ja) * | 2011-07-08 | 2014-08-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィパターニングプロセスおよび同プロセス内で使用するレジスト［関連出願の相互参照］［０００１］本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、２０１１年７月８日出願の米国仮特許出願第６１／５０５，７６８号の利益を主張する。 |
| KR20180099913A (ko) * | 2011-07-08 | 2018-09-05 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 패터닝 공정 및 상기 공정에 사용하기 위한 레지스트 |
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