JP5357186B2 - 多重暗視野露光によるハードマスクのパターン形成のためのオントラックプロセス - Google Patents
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Description
本願は2008年1月29日提出の、米国仮特許出願第61/024,474号「多重暗視野露光によるハードマスクのパターン形成のためのオントラックプロセス」の優先権の利益を主張するものであり、当該仮出願を引用として本明細書に含める。
本発明は一般にマイクロフォトリソグラフィーによる半導体構造の製造プロセスに関し、更に詳細にはピッチ多重化のための多重露光による半導体構造の製造プロセスに関する。
(本発明の方法)
本発明は、多重露光プロセスを通じ、半導体基板上にビアまたはトレンチ構造を生成するための方法を提供する。図1は本発明の1つの実施形態を図示したものである。表面10aおよび背面10bを有する基板10が提供される。基板10の背面10bにエッチング停止層12を塗布しても良い。任意の既存のマイクロエレクトロニクス基板を使用しうる。好ましい基板としては、ケイ素、SiGe、SiO2、Si3N4、アルミニウム、タングステン、ケイ化タングステン、ヒ化ガリウム、ゲルマニウム、タンタル、窒化タンタル、サンゴ、ブラックダイヤ、リンまたはホウ酸ドープガラス、およびこれらの混合物から成る群から選択される基板が含まれる。基板10の表面は平面であってもよく、またトポグラフィー(ビア孔、トレンチ、コンタクトホール、隆起構造的特徴、ラインなど)を含んでもよい。
%剥離=(剥離量/初期平均層厚)×100
多重露光−現像方法に用いるのに適切なハードマスク組成物は、熱硬化可能(すなわち架橋可能)である。好ましい組成物としては、溶剤系中に溶解または分散したポリマーおよび架橋剤を有することとなる。好ましくは、このポリマーは、ケイ素またはチタン含有ポリマーである。ポリマーの平均分子量(MW)は、好ましくは約800ダルトン〜約50,000ダルトン、より好ましくは約5.000ダルトン〜約15,000ダルトンである。
R’−(X−O−CH=CH2)n
式中、R’はアリール(好ましくはC6〜C14)およびアルキル(好ましくはC1〜C18、より好ましくはC1〜C10)から成る群から選択され、各Xはアルキル(好ましくはC1〜C18、より好ましくはC1〜C10)、アルコキシ(好ましくはC1〜C18、より好ましくはC1〜C10)、カルボニル、および上述の2種またはそれ以上の組合せから成る群から独立して選択され、nは2以上、好ましくは2〜6である。最も好ましいビニルエーテルとしては、エチレングリコールビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、1、4−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、およびそれらの混合物から成る群から選択されるものが含まれる。他の好ましいビニルエーテルは、下記式から成る群から選択される式を有する。
以下の実施例は、本発明による好ましい方法を示す。なおこれらの実施例は、例を示すために提供されているものであり、これによって本発明の全体の範囲をなんら限定するものではない。
この手順では、表1の成分を用いて現像剤可溶性ハードマスクを配合した。これらの成分を、以下に表示する順番でフラスコに加え、撹拌下で混合した。混合物を0.1ミクロン膜を介してろ過し、微粒子を除去した。次にこの配合物を、2,000rpmで40秒間、シリコンウエハ上にスピンコートし、その後120℃で40秒間と200℃で60秒間の2段焼成を行った。その結果、膜厚は約75nm±5nmであると測定された。膜の屈折率は193nmでは約1.6±0.05、248nmでは約1.8±0.05、そして365nmでは約1.7±0.05であると測定された。膜の吸収係数は193nmでは約0.38±0.05、248nmでは約0.39±0.05、そして365nmでは約0.42±0.05であると測定された。
この実施例では、実施例1のハードマスク配合物Iを用いて膜の積層を作製した。現像剤可溶性ハードマスクを、2,000rpmで40秒間シリコン基板(100−mmウエハ)上にスピンコートし、その後、2工程熱硬化プロセスを行った。具体的には加熱板上でウエハを120℃で40秒間加熱し、次に200℃で60秒間加熱した。熱硬化した現像剤可溶性ハードマスクは厚み75nmの膜を形成した。
この手順では、2グラムのスチレン(Aldrich社、Milwaukee、WI州)、5.6グラムのメタクリル酸(Aldrich社、Milwaukee、WI州)、および12.4グラムのメタクリルオキシメチルトリメチルシラン(Gelest社、Morrisville、PA州)を三つ口丸底フラスコ中の180グラムのPGMEに溶解した。フラスコは乾燥窒素で10〜20分間脱気した。次に1グラムのアゾビスイソブチロニトリル(AIBK、AIdrich社 Milwaukee、Wl州)を触媒として添加し、室温で触媒が完全に溶解するまで混合物を撹拌した。次に中身の入ったフラスコを、予め加熱された80℃の油槽に液浸した。約5mL/minの速度でフラスコ中に窒素を導入した。水冷式の凝縮器をフラスコの中心の口に嵌め込み、還流した。一定撹拌条件下で16時間反応させた後、フラスコを油槽から取出し、空気中で室温まで冷却させた。
この実施例では、実施例3において合成されたポリマーを用いてハードマスク配合物を作成した。下の表2に記載されている順番で各成分をフラスコに添加し、均質になるまで撹拌下で混合した。次に溶液を0.1−μmのエンドポイントフィルタに通してろ過した。次に配合物を1,500rpmで40秒間、シリコンウエハの上にスピンコートし、その後160℃で60秒間焼成した。その結果生成されたハードマスク膜の厚みは約60nmであると測定された。可変角光度偏光解析器(VASE;J.A.Woollam Co.,Inc.社製)を用いて膜の光学指数を測定した。膜の屈折率は193nmのときに約1.6であると測定された。膜の吸収係数は193nmのときに約0.10であると測定された。
この手順では、上の実施例4に記載したハードマスク配合物IIを用いて膜の積層を作製した。第1の、中間層をシリコンウエハ上にスピンコートした。この中間層は、反射防止被覆(Optistack(TM) SoC110D、Brewer Science Inc.社製)であった。中間層を205℃で60秒間焼成した。中間層の厚みは320nm、屈折率は1.42、そして吸収係数は193nmのときに0.52であった。次にハードマスク配合物IIを、1500rpmで中間層の上部にスピンコートし、160℃で60秒間焼成した。次に画像形成層をハードマスクの上部に塗布した。画像形成層は市販のフォトレジスト(TArF Pi−6001、TOK)であった。次にウエハをASML 1700iスキャナ上で露光し、その後110℃で60秒間PEBを行った。次に積層を0.26N TMAH現像剤中に液浸することによって現像した。ハードマスクと共に画像形成層が、80−nmのトレンチおよびラインを有してパターン形成された。これらのパターンを図4に、SEM画像として示す。
この実施例では、2.8グラムのメタクリル酸(Aldrich社、Milwaukee、Wl州)、7.2グラムのメタクリルオキシメチルトリメチルシラン(Gelest社、Morrisville、PA州)、および90グラムのPGMEを三つ口丸底フラスコ中で混合することによってハードマスク配合物IIIのポリマー母液を作製した。次に乾燥窒素を用いてフラスコを10〜20分間脱気した。次に0.5グラムのアゾビスイソブチロニトリルを触媒として添加し、混合物を室温で触媒が完全に溶解するまで撹拌した。次に予め加熱された75℃の油槽にフラスコを液浸し、約5mL/minの速度でフラスコに窒素を導入した。水冷式の凝縮器をフラスコの中心の口に嵌め込み、還流した。一定撹拌条件下で16時間反応させた後、フラスコを油槽から取出し、空気中で室温まで冷却させた。その結果生成されたコポリマーの分子量はGPCの測定では12.600ダルトンであった。精製は行わなかった。フラスコの中身をハードマスク配合物のポリマー母液として用いた。
この実施例では、実施例6で合成したポリマー母液を用いてハードマスク配合物を作製した。下の表4に表示した順番に各成分をフラスコに添加し、均質になるまで撹拌下で混合した。溶液を0.1−μmのエンドポイントフィルタを介してろ過した。配合物をシリコンウエハ上にスピンコートし、160℃で60秒間焼成した。その結果生成された膜の厚みは約65nmであると測定された。可変角光度偏光解析器(J.A.Woollam Co.,Inc.社製)を用いて、ハードマスク膜の光学指数を測定した。屈折率は193nmのときに1.60であると測定された。膜の吸収係数は193nmのときに約0.05であると測定された。
この手順では、三つ口丸底フラスコ中で、0.944グラムのスチレン(Aldrich社、Milwaukee、WI州)、3.47グラムのメタクリル酸(Aldrich社、Milwaukee、WI州)、5.586グラムのPOSS−メタクリレート(Hybride Plastics社、Fountain Valley、CA州)および90グラムのPGMEを混合してポリマー母液を作製した。次に窒素を用いて、フラスコを約10〜20分間脱気した。次に0.6グラムのアゾビスイソブチロニトリルを触媒としてフラスコに添加した。触媒が完全に溶解するまで室温において一定撹拌下で混合を継続した。次に予め加熱された70℃の油槽にフラスコを液浸し、約5mL/minの速度で窒素をフラスコに導入した。水冷式の凝縮器をフラスコの中心の口に嵌め込み、還流した。一定撹拌条件下で15時間反応させた後、フラスコを油槽から取出し、空気中で室温まで冷却させた。GPCの測定では、ポリマーの分子量は1.7の多分散性を持つ9.260ダルトンであった。精製は行わなかった。フラスコの中身をハードマスク配合物IVのポリマー母液として用いた。
この実施例では、上の実施例8のポリマー母液を用いてハードマスク配合物IVを作製した。下の表5に表示される順番で、フラスコ中に各成分を添加し、均質になるまで撹拌下で混合した。次に0.1−μmのエンドポイントフィルタを介して、溶液をろ過した。配合物を1,500rpmでシリコンウエハ上にスピンコートし、160℃で60秒間焼成した。その結果生成された膜の厚みは約65nmであると測定された。可変角光度偏光解析器を用いてハードマスク膜の光学指数を測定した。屈折率は193nmのときに1.60であると測定された。膜の吸収係数は193nmのときに約0.15であると測定された。
この手順では、上述の実施例9に記載されたハードマスク配合物IVを用いて膜の積層を作製した。先ず、シリコンウエハの上に中間層をスピン塗布した。この中間層は、反射防止被覆(OptiStack(TM) SoC110D)であった。中間層を205℃で60秒間焼成した。この層の厚みは320nm、屈折率は193nmのときに1.42、吸収係数は193nmのときに0.52であった。次に1,500rpmでハードマスク配合物IVを中間層の上部にスピンコートし、160℃で60秒間焼成した。次にハードマスクの上部に画像形成層を塗布した。画像形成層は市販のフォトレジスト(AM2073J、TOK)であった。次にAmphibian(TM) Systems社(Rochester、NY州)製の液浸リソグラフィーマイクロステッパを用いて、ウエハを露光し、その後120℃で60秒間PEBを行った。次にこのウエハの積層を0.26N TMAH現像剤中に液浸することによって現像した。フォトレジストをハードマスクと共に、150−nmのトレンチおよびラインを有してパターン形成した。これらのパターンを図5にSEM画像として示す。
この実施例では、500−mlの二口フラスコに、25.15グラムのテトラメチレングリコールモノビニルエーテル(Aldrich社、St Louis、MO州)、22.91グラムのトリエチルアミン(Aldrich社、St Louis、MO州)、および250mlのテトラヒドロフラン(「THF」;Aldrich社、St Louis、MO州)を添加することによって実施例4、7、および9で用いられた自家製ビニルエーテル架橋薬を作製した。フラスコには撹拌棒、追加の漏斗、凝縮器、および窒素の入口と出口を備えた。フラスコを氷水の槽に液浸し、溶液を窒素流下で撹拌した。
Claims (26)
- 以下の工程を含むマイクロエレクトロニクス構造の形成方法であって、
(a) 表面を有する基板を提供する工程;
(b) 前記基板表面の近隣に、溶剤系中に分散または溶解したポリマーおよびビニルエーテル架橋剤を含むハードマスク組成物を塗布する工程;
(c) 前記ハードマスク組成物を焼成し、ハードマスク層を生成する工程;
(d) 感光性組成物を塗布し、前記ハードマスク層の上部に第1の画像形成層を形成する工程;
(e) 前記第1の画像形成層を活性放射線に露光し、前記第1の画像形成層に露光部分を生成する工程;
(f) 前記第1の画像形成層を現像剤に接触させ、前記第1の画像形成層の前記露光部分を除去する工程であって、前記接触により、前記第1の画像形成層中の前記露光部分の下の前記ハードマスク層の部分を除去し、パターン形成されたハードマスク層を生成する、工程;
(g) 前記第1の画像形成層を有機溶剤に接触させ、前記第1の画像形成層を除去する工程;および
(h) 前記基板に追加のハードマスク組成物を塗布することなく、第2の感光性組成物を塗布し、前記パターン形成されたハードマスク層の上部に第2の画像形成層を形成する工程;
前記ポリマーは下記式の反復単量体を含有し、
各R 2 は−Hおよび下記式から成る群から選択されるケイ素含有部分から成る群から独立して選択される。)
前記ポリマーは更に反復スチレン単量体を含有する、マイクロエレクトロニクス構造の形成方法。 - 前記ハードマスク層を塗布する前に前記基板に中間層を塗布する工程を更に含む、請求項1に記載の方法。
- (a)〜(h)の間にドライエッチングが発生しない請求項1に記載の方法。
- (g)の間に前記パターン形成されたハードマスク層のパターンは無傷のままである請求項1に記載の方法。
- 前記第1の画像形成層はフォトレジストである請求項1に記載の方法。
- 前記第1の画像形成層の厚みは約20nm〜約200nmである請求項1に記載の方法。
- 前記ハードマスク組成物は(c)の間に熱架橋され硬化したハードマスク層を生成する請求項1に記載の方法。
- 前記ハードマスク層は塩基性現像剤中で初期溶解度を有し、前記露光工程(e)は前記ハードマスク層の1部分以上を活性放射線に露光して前記ハードマスク層の露光部分を生成する工程を更に含み、前記ハードマスク層の前記露光部分は塩基性現像剤中で最終溶解度を有し、前記最終溶解度は前記初期溶解度より大きい、請求項1に記載の方法。
- 以下の工程を更に含む請求項1に記載の方法:
(i) 前記第2の画像形成層を活性放射線に露光し、前記第2の画像形成層中に露光部分を生成する工程;
(j) 前記第2の画像形成層を現像剤に接触させ、前記露光部分を除去する工程であって、前記接触工程はまた前記第2の画像形成層中の前記露光部分の下の前記ハードマスク層の部分を除去し、更にパターン形成されたハードマスク層を生成する工程;および、
(k) 前記第2の画像形成層を有機溶剤に接触させ、前記第2の画像形成層を除去する工程。 - (j)において形成されるパターン形成されたハードマスク層は(k)の間は無傷である請求項9に記載の方法。
- (a)〜(k)の間にドライエッチングが発生しない請求項9に記載の方法。
- 以下の工程を更に含む請求項9に記載の方法:
(l) (j)において形成される前記パターン形成されたハードマスク層を基板に転写する工程。 - (l)は前記パターン形成されたハードマスク層および基板をエッチングする工程を含む請求項12に記載の方法。
- 前記パターン形成されたハードマスク層のパターンはビアとトレンチを含む請求項12に記載の方法。
- 溶剤系中に分散または溶解したポリマーおよびビニルエーテル架橋剤を含有し、前記ポリマーは下記式の反復単量体を含有し、前記ポリマーは更に反復スチレン単量体を含有する、ハードマスク組成物:
各R1は−Hおよびアルキル基から成る群から独立して選択され;および
各R2は−Hおよび、下記式から成る群から選択されるケイ素含有部分、から成る群から独立して選択される:
- 単量体(I)対単量体(II)の比は約0.2:0.8〜約0.8:0.2であり、単量体(I)のR2はケイ素含有部分である請求項15に記載の組成物。
- 前記組成物は、組成物の総重量を100重量%とするときに、約1重量%〜約20重量%ポリマーを含有する請求項15に記載の組成物。
- 更に、触媒、光減衰部分、界面活性剤、接着促進剤、抗酸化剤、光開始剤、およびそれらの組合せから成る群から選択される成分を含有する請求項15に記載の組成物。
- 以下を含む構造であって、
表面を有する基板;
前記表面の近隣のハードマスク層;
前記ハードマスク層の近隣の画像形成層;
前記ハードマスク層は、溶剤系中に分散または溶解したポリマーを含有するハードマスク組成物から形成され、前記ポリマーは下記式の反復単量体を含有し、前記ポリマーは更に反復スチレン単量体を含有する、構造。
各R1は−Hおよびアルキル基から成る群から独立して選択され;および
各R2は−Hおよび、下記式から成る群から選択されるケイ素含有部分から成る群から独立して選択される:
- 前記ハードマスク層は感光性である請求項19に記載の構造。
- 前記ハードマスク層は、TMAHおよびKOHから成る群から選択される水性アルカリ現像剤中で不溶性である請求項19に記載の構造。
- 前記ハードマスク層はパターンから成る請求項19に記載の構造。
- 前記パターンはビアおよびトレンチから成る群から選択される請求項22に記載の構造。
- 前記ハードマスク層は、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールn―プロピルエーテル、シクロヘキサノン、アセトン、ガンマブチロラクトン、およびそれらの混合物から成る群から選択される有機溶剤中で実質的に不溶性である請求項22に記載の構造。
- 前記基板は、ケイ素、SiGe、SiO2、Si3N4、アルミニウム、タングステン、ケイ化タングステン、ヒ化ガリウム、ゲルマニウム、タンタル、窒化タンタル、サンゴ、ブラックダイヤ、リンまたはホウ酸ドープガラスおよびそれらの混合物から成る群から選択される請求項19に記載の構造。
- 以下の工程を含むマイクロエレクトロニクス構造を形成する方法であって、
(a) 表面を有する基板を提供する工程;
(b) 前記基板表面の近隣にハードマスク組成物を塗布する工程であって、前記ハードマスク組成物は、溶剤系中に分散または溶解したポリマーおよびビニルエーテル架橋剤を含有する、工程;
(c) 前記ハードマスク組成物を焼成し、ハードマスク層を生成する工程;
(d) 感光性組成物を塗布し、前記ハードマスク層の上部に第1の画像形成層を生成する工程:
(e) 前記第1の画像形成層を活性放射線に露光し、前記第1の画像形成層中に露光部分を生成する工程;
(f) 前記第1の画像形成層を現像剤に接触させ、前記第1の画像形成層の前記露光部分を除去する工程であって、また前記接触により、前記第1の画像形成層中の前記露光部分の下の前記ハードマスク層の部分を除去し、パターン形成されたハードマスク層を生成する、工程;
(g) 第1の画像形成層を有機溶剤に接触させ、前記第1の画像形成層を除去する工程;および
(h) 感光性組成物を塗布し、前記パターン形成されたハードマスクの上部に第2の画像形成層を形成し、(a)〜(h)中にドライエッチングは発生しない、工程;
前記ポリマーは下記式の反復単量体を含有し、
各R 2 は−Hおよび下記式から成る群から選択されるケイ素含有部分から成る群から独立して選択される。)
前記ポリマーは更に反復スチレン単量体を含有する、マイクロエレクトロニクス構造を形成する方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US2447408P | 2008-01-29 | 2008-01-29 | |
US61/024,474 | 2008-01-29 | ||
PCT/US2009/032446 WO2009097436A2 (en) | 2008-01-29 | 2009-01-29 | On-track process for patterning hardmask by multiple dark field exposures |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011514662A JP2011514662A (ja) | 2011-05-06 |
JP5357186B2 true JP5357186B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=40899576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010545164A Active JP5357186B2 (ja) | 2008-01-29 | 2009-01-29 | 多重暗視野露光によるハードマスクのパターン形成のためのオントラックプロセス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8133659B2 (ja) |
EP (1) | EP2245512B1 (ja) |
JP (1) | JP5357186B2 (ja) |
KR (1) | KR101647158B1 (ja) |
CN (1) | CN101971102B (ja) |
TW (1) | TWI467337B (ja) |
WO (1) | WO2009097436A2 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2245512B1 (en) | 2008-01-29 | 2019-09-11 | Brewer Science, Inc. | On-track process for patterning hardmask by multiple dark field exposures |
US9640396B2 (en) | 2009-01-07 | 2017-05-02 | Brewer Science Inc. | Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography |
US20110086312A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Dammel Ralph R | Positive-Working Photoimageable Bottom Antireflective Coating |
KR20130039727A (ko) * | 2010-03-18 | 2013-04-22 | 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 규소 함유 블록 공중합체, 합성 방법 및 용도 |
US8382997B2 (en) * | 2010-08-16 | 2013-02-26 | Tokyo Electron Limited | Method for high aspect ratio patterning in a spin-on layer |
WO2012087244A1 (en) * | 2010-12-21 | 2012-06-28 | Agency For Science, Technology And Research | Copolymer, composition and method for modifying rheology |
US8808969B2 (en) | 2011-04-12 | 2014-08-19 | Brewer Science Inc. | Method of making radiation-sensitive sol-gel materials |
US8647809B2 (en) * | 2011-07-07 | 2014-02-11 | Brewer Science Inc. | Metal-oxide films from small molecules for lithographic applications |
KR20130015145A (ko) * | 2011-08-02 | 2013-02-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
US8759225B2 (en) * | 2012-09-04 | 2014-06-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method to form a CMOS image sensor |
US8795774B2 (en) | 2012-09-23 | 2014-08-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Hardmask |
US8759220B1 (en) * | 2013-02-28 | 2014-06-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
KR101659829B1 (ko) * | 2013-05-02 | 2016-10-10 | 후지필름 가부시키가이샤 | 에칭액 및 에칭액의 키트, 이를 이용한 에칭 방법 및 반도체 기판 제품의 제조 방법 |
CN105917445B (zh) * | 2014-01-13 | 2020-05-22 | 应用材料公司 | 具有空间原子层沉积的自对准式双图案化 |
JP6413333B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2018-10-31 | Jsr株式会社 | パターン形成方法 |
EP3944260A1 (en) * | 2014-05-22 | 2022-01-26 | Australian Nuclear Science And Technology Organisation | Gamma-ray imaging |
KR20160029900A (ko) * | 2014-09-05 | 2016-03-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US10095114B2 (en) | 2014-11-14 | 2018-10-09 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for field guided exposure and method for implementing the process chamber |
CN107004595B (zh) * | 2014-12-24 | 2021-04-16 | 英特尔公司 | 用于化学辅助图案化的光可界定的对准层 |
JP6524594B2 (ja) * | 2016-07-07 | 2019-06-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 素子チップの製造方法 |
US20180164685A1 (en) * | 2016-12-14 | 2018-06-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method using silicon-containing underlayers |
CN113196452A (zh) | 2019-01-18 | 2021-07-30 | 应用材料公司 | 用于电场引导的光刻胶图案化工艺的膜结构 |
KR102053921B1 (ko) * | 2019-03-13 | 2019-12-09 | 영창케미칼 주식회사 | 반도체 제조 공정에 있어서 식각 패턴 신규 형성 방법 |
US11429026B2 (en) | 2020-03-20 | 2022-08-30 | Applied Materials, Inc. | Lithography process window enhancement for photoresist patterning |
CN117642698A (zh) * | 2021-07-28 | 2024-03-01 | Jsr株式会社 | 抗蚀剂底层膜形成用组合物、半导体基板的制造方法及抗蚀剂底层膜的形成方法 |
Family Cites Families (220)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4175175A (en) * | 1963-07-16 | 1979-11-20 | Union Carbide Corporation | Polyarylene polyethers |
USB392136I5 (ja) * | 1964-08-26 | |||
US3561962A (en) * | 1966-09-01 | 1971-02-09 | Xerox Corp | Method of image reproduction by photo-polymerization and blushing |
US3629036A (en) * | 1969-02-14 | 1971-12-21 | Shipley Co | The method coating of photoresist on circuit boards |
US3682641A (en) * | 1970-03-23 | 1972-08-08 | Du Pont | Photoresist developer extender baths containing polyoxyalkylene ethers and esters and process of use |
US3615615A (en) * | 1970-04-13 | 1971-10-26 | Eastman Kodak Co | Photographic emulsions including reactive quaternary salts |
US3833374A (en) * | 1970-07-14 | 1974-09-03 | Metalphoto Corp | Coloring of anodized aluminum |
US3894163A (en) * | 1971-03-08 | 1975-07-08 | Western Electric Co | Additives to negative photoresists which increase the sensitivity thereof |
US3856751A (en) * | 1972-06-14 | 1974-12-24 | Eastman Kodak Co | Diacid-xanthylium ion polyester and photographic element comprised thereof |
US3873361A (en) * | 1973-11-29 | 1975-03-25 | Ibm | Method of depositing thin film utilizing a lift-off mask |
US3976524A (en) * | 1974-06-17 | 1976-08-24 | Ibm Corporation | Planarization of integrated circuit surfaces through selective photoresist masking |
CA1077787A (en) * | 1975-11-21 | 1980-05-20 | National Aeronautics And Space Administration | Abrasion resistant coatings for plastic surfaces |
EP0001879B2 (en) * | 1977-09-07 | 1989-11-23 | Imperial Chemical Industries Plc | Thermoplastic aromatic polyetherketones, a method for their preparation and their application as electrical insulants |
JPS5471579A (en) * | 1977-11-17 | 1979-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electron beam resist |
US4244799A (en) | 1978-09-11 | 1981-01-13 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Fabrication of integrated circuits utilizing thick high-resolution patterns |
US4244798A (en) * | 1979-10-29 | 1981-01-13 | General Motors Corporation | Exhaust electrode process for exhaust gas oxygen sensor |
US4369090A (en) * | 1980-11-06 | 1983-01-18 | Texas Instruments Incorporated | Process for etching sloped vias in polyimide insulators |
US4430419A (en) * | 1981-01-22 | 1984-02-07 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Positive resist and method for manufacturing a pattern thereof |
US4397722A (en) * | 1981-12-31 | 1983-08-09 | International Business Machines Corporation | Polymers from aromatic silanes and process for their preparation |
US4910122A (en) * | 1982-09-30 | 1990-03-20 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating |
US4526856A (en) * | 1983-05-23 | 1985-07-02 | Allied Corporation | Low striation positive diazoketone resist composition with cyclic ketone(s) and aliphatic alcohol as solvents |
US4996247A (en) * | 1984-02-10 | 1991-02-26 | General Electric Company | Enhancing color stability to sterilizing radiation of polymer compositions |
US4568631A (en) | 1984-04-30 | 1986-02-04 | International Business Machines Corporation | Process for delineating photoresist lines at pattern edges only using image reversal composition with diazoquinone |
JPS60262150A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 三層レジスト用中間層材料及びそれを用いた三層レジストパタン形成方法 |
DE3425063A1 (de) | 1984-07-07 | 1986-02-06 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Maske fuer die roentgenlithographie |
US4578328A (en) * | 1984-07-09 | 1986-03-25 | General Electric Company | Photopatternable polyimide compositions and method for making |
US4683024A (en) * | 1985-02-04 | 1987-07-28 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Device fabrication method using spin-on glass resins |
US4732841A (en) * | 1986-03-24 | 1988-03-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Tri-level resist process for fine resolution photolithography |
US4742152A (en) * | 1986-05-27 | 1988-05-03 | United Technologies Corporation | High temperature fluorinated polyimides |
US5091047A (en) * | 1986-09-11 | 1992-02-25 | National Semiconductor Corp. | Plasma etching using a bilayer mask |
US4808513A (en) * | 1987-04-06 | 1989-02-28 | Morton Thiokol, Inc. | Method of developing a high contrast, positive photoresist using a developer containing alkanolamine |
US4927736A (en) * | 1987-07-21 | 1990-05-22 | Hoechst Celanese Corporation | Hydroxy polyimides and high temperature positive photoresists therefrom |
JP2557898B2 (ja) * | 1987-07-31 | 1996-11-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US5137780A (en) * | 1987-10-16 | 1992-08-11 | The Curators Of The University Of Missouri | Article having a composite insulative coating |
US4803147A (en) * | 1987-11-24 | 1989-02-07 | Hoechst Celanese Corporation | Photosensitive polyimide polymer compositions |
US4847517A (en) * | 1988-02-16 | 1989-07-11 | Ltv Aerospace & Defense Co. | Microwave tube modulator |
US4845265A (en) * | 1988-02-29 | 1989-07-04 | Allied-Signal Inc. | Polyfunctional vinyl ether terminated ester oligomers |
US4891303A (en) * | 1988-05-26 | 1990-01-02 | Texas Instruments Incorporated | Trilayer microlithographic process using a silicon-based resist as the middle layer |
US5304626A (en) * | 1988-06-28 | 1994-04-19 | Amoco Corporation | Polyimide copolymers containing 3,3',4,4'-tetracarboxybiphenyl dianhydride (BPDA) moieties |
JPH0260934A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-03-01 | Amoco Corp | 中間層絶縁体および基板被膜用の低誘電率、低水分吸収ポリイミドおよびコポリイミド |
DE3835737A1 (de) * | 1988-10-20 | 1990-04-26 | Ciba Geigy Ag | Positiv-fotoresists mit erhoehter thermischer stabilitaet |
US5024922A (en) * | 1988-11-07 | 1991-06-18 | Moss Mary G | Positive working polyamic acid/imide and diazoquinone photoresist with high temperature pre-bake |
US5169494A (en) * | 1989-03-27 | 1992-12-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Fine pattern forming method |
US5057399A (en) * | 1989-03-31 | 1991-10-15 | Tony Flaim | Method for making polyimide microlithographic compositions soluble in alkaline media |
US5198153A (en) * | 1989-05-26 | 1993-03-30 | International Business Machines Corporation | Electrically conductive polymeric |
US5246782A (en) * | 1990-12-10 | 1993-09-21 | The Dow Chemical Company | Laminates of polymers having perfluorocyclobutane rings and polymers containing perfluorocyclobutane rings |
KR950011927B1 (ko) * | 1989-12-07 | 1995-10-12 | 가부시끼가이샤 도시바 | 감광성 조성물 및 수지봉지형 반도체장치 |
US5132774A (en) | 1990-02-05 | 1992-07-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including interlayer insulating film |
US5126231A (en) * | 1990-02-26 | 1992-06-30 | Applied Materials, Inc. | Process for multi-layer photoresist etching with minimal feature undercut and unchanging photoresist load during etch |
US5066566A (en) * | 1990-07-31 | 1991-11-19 | At&T Bell Laboratories | Resist materials |
JP3041972B2 (ja) * | 1991-01-10 | 2000-05-15 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH0613290A (ja) * | 1991-10-21 | 1994-01-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相シフトフォトマスクを用いたパターン転写方法 |
DE69308671T2 (de) * | 1992-07-22 | 1997-10-16 | Asahi Chemical Ind | Photoempfindliche Polyimid-Zusammensetzung |
US5370969A (en) * | 1992-07-28 | 1994-12-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Trilayer lithographic process |
JPH06230574A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
US5443941A (en) * | 1993-03-01 | 1995-08-22 | National Semiconductor Corporation | Plasma polymer antireflective coating |
US5397684A (en) * | 1993-04-27 | 1995-03-14 | International Business Machines Corporation | Antireflective polyimide dielectric for photolithography |
JPH07183194A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Sony Corp | 多層レジストパターン形成方法 |
US5691101A (en) * | 1994-03-15 | 1997-11-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composition |
GB2288184A (en) | 1994-03-31 | 1995-10-11 | Catalysts & Chem Ind Co | Coating composition |
JPH07283112A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | レジストパターン形成方法およびその装置 |
US5667940A (en) | 1994-05-11 | 1997-09-16 | United Microelectronics Corporation | Process for creating high density integrated circuits utilizing double coating photoresist mask |
JP3033443B2 (ja) * | 1994-06-29 | 2000-04-17 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜材料 |
US5607824A (en) * | 1994-07-27 | 1997-03-04 | International Business Machines Corporation | Antireflective coating for microlithography |
JPH08110638A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-04-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法 |
US5688987A (en) * | 1994-11-09 | 1997-11-18 | Brewer Science, Inc. | Non-subliming Mid-UV dyes and ultra-thin organic arcs having differential solubility |
US5554473A (en) * | 1994-11-23 | 1996-09-10 | Mitsubishi Chemical America, Inc. | Photoreceptor having charge transport layers containing a copolycarbonate and layer containing same |
US5542971A (en) * | 1994-12-01 | 1996-08-06 | Pitney Bowes | Bar codes using luminescent invisible inks |
JPH08250400A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | シリコーン樹脂の除去法 |
US5545588A (en) * | 1995-05-05 | 1996-08-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of using disposable hard mask for gate critical dimension control |
DE69628613T2 (de) | 1995-07-12 | 2004-04-29 | Mitsubishi Engineering-Plastics Corp. | Polycarbonatharzzusammensetzung |
US5968324A (en) * | 1995-12-05 | 1999-10-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing antireflective coating |
KR100223329B1 (ko) * | 1995-12-29 | 1999-10-15 | 김영환 | 반도체 소자의 미세 패턴 제조방법 |
KR100206597B1 (ko) * | 1995-12-29 | 1999-07-01 | 김영환 | 반도체 장치의 미세패턴 제조방법 |
WO1997033199A1 (en) * | 1996-03-06 | 1997-09-12 | Clariant International, Ltd. | A process for obtaining a lift-off imaging profile |
US5633210A (en) * | 1996-04-29 | 1997-05-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming damage free patterned layers adjoining the edges of high step height apertures |
US5807790A (en) * | 1996-05-07 | 1998-09-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Selective i-line BARL etch process |
US5861231A (en) * | 1996-06-11 | 1999-01-19 | Shipley Company, L.L.C. | Copolymers and photoresist compositions comprising copolymer resin binder component |
US5739254A (en) * | 1996-08-29 | 1998-04-14 | Xerox Corporation | Process for haloalkylation of high performance polymers |
KR100194813B1 (ko) * | 1996-12-05 | 1999-06-15 | 정선종 | 멀티채널/멀티캐스트 스위칭 기능을 갖는 패킷 스위칭장치 및 이를 이용한 패킷 스위칭 시스템 |
US5952448A (en) * | 1996-12-31 | 1999-09-14 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Stable precursor of polyimide and a process for preparing the same |
TW432257B (en) * | 1997-01-31 | 2001-05-01 | Shinetsu Chemical Co | High molecular weight silicone compound, chemically amplified positive resist composition and patterning method |
US6232386B1 (en) * | 1997-02-26 | 2001-05-15 | Integument Technologies, Inc. | Polymer composites having an oxyhalo surface and methods for making same |
JP3766165B2 (ja) | 1997-03-07 | 2006-04-12 | 株式会社ニコン | 画像形成方法及び感光材料 |
JP4350168B2 (ja) | 1997-03-07 | 2009-10-21 | コーニング インコーポレイテッド | チタニアドープ溶融シリカの製造方法 |
TW473653B (en) | 1997-05-27 | 2002-01-21 | Clariant Japan Kk | Composition for anti-reflective film or photo absorption film and compound used therein |
US6428894B1 (en) | 1997-06-04 | 2002-08-06 | International Business Machines Corporation | Tunable and removable plasma deposited antireflective coatings |
US6054254A (en) * | 1997-07-03 | 2000-04-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Composition for underlying film and method of forming a pattern using the film |
JP3473887B2 (ja) * | 1997-07-16 | 2003-12-08 | 東京応化工業株式会社 | 反射防止膜形成用組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 |
TW468091B (en) * | 1997-09-05 | 2001-12-11 | Kansai Paint Co Ltd | Visible light-sensitive compositions and pattern formation process |
KR100566042B1 (ko) * | 1997-10-07 | 2006-05-25 | 간사이 페인트 가부시키가이샤 | 포지티브형전착포토레지스트조성물및패턴의제조방법 |
US6218292B1 (en) | 1997-12-18 | 2001-04-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual layer bottom anti-reflective coating |
US6338936B1 (en) | 1998-02-02 | 2002-01-15 | Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Photosensitive resin composition and method for formation of resist pattern by use thereof |
US5998569A (en) * | 1998-03-17 | 1999-12-07 | International Business Machines Corporation | Environmentally stable optical filter materials |
US6156665A (en) * | 1998-04-13 | 2000-12-05 | Lucent Technologies Inc. | Trilayer lift-off process for semiconductor device metallization |
US6451498B1 (en) | 1998-05-28 | 2002-09-17 | Atotech Deutschland Gmbh | Photosensitive composition |
JP3673399B2 (ja) | 1998-06-03 | 2005-07-20 | クラリアント インターナショナル リミテッド | 反射防止コーティング用組成物 |
US6063547A (en) * | 1998-06-11 | 2000-05-16 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Physical vapor deposition poly-p-phenylene sulfide film as a bottom anti-reflective coating on polysilicon |
US6121098A (en) * | 1998-06-30 | 2000-09-19 | Infineon Technologies North America Corporation | Semiconductor manufacturing method |
US6976904B2 (en) | 1998-07-09 | 2005-12-20 | Li Family Holdings, Ltd. | Chemical mechanical polishing slurry |
US6103456A (en) * | 1998-07-22 | 2000-08-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Prevention of photoresist poisoning from dielectric antireflective coating in semiconductor fabrication |
US6071662A (en) * | 1998-07-23 | 2000-06-06 | Xerox Corporation | Imaging member with improved anti-curl backing layer |
TWI250379B (en) | 1998-08-07 | 2006-03-01 | Az Electronic Materials Japan | Chemical amplified radiation-sensitive composition which contains onium salt and generator |
US6380611B1 (en) | 1998-09-03 | 2002-04-30 | Micron Technology, Inc. | Treatment for film surface to reduce photo footing |
US6268282B1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-07-31 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods of forming and utilizing antireflective material layers, and methods of forming transistor gate stacks |
US6410209B1 (en) | 1998-09-15 | 2002-06-25 | Shipley Company, L.L.C. | Methods utilizing antireflective coating compositions with exposure under 200 nm |
US6361833B1 (en) | 1998-10-28 | 2002-03-26 | Henkel Corporation | Composition and process for treating metal surfaces |
US6165695A (en) * | 1998-12-01 | 2000-12-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Thin resist with amorphous silicon hard mask for via etch application |
US6127070A (en) * | 1998-12-01 | 2000-10-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Thin resist with nitride hard mask for via etch application |
US6162587A (en) | 1998-12-01 | 2000-12-19 | Advanced Micro Devices | Thin resist with transition metal hard mask for via etch application |
US6306560B1 (en) * | 1998-12-02 | 2001-10-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ultra-thin resist and SiON/oxide hard mask for metal etch |
US6156658A (en) * | 1998-12-02 | 2000-12-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ultra-thin resist and silicon/oxide hard mask for metal etch |
US6200907B1 (en) * | 1998-12-02 | 2001-03-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ultra-thin resist and barrier metal/oxide hard mask for metal etch |
US6171763B1 (en) * | 1998-12-02 | 2001-01-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ultra-thin resist and oxide/nitride hard mask for metal etch |
US6020269A (en) * | 1998-12-02 | 2000-02-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ultra-thin resist and nitride/oxide hard mask for metal etch |
US6309926B1 (en) | 1998-12-04 | 2001-10-30 | Advanced Micro Devices | Thin resist with nitride hard mask for gate etch application |
US6046112A (en) * | 1998-12-14 | 2000-04-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Chemical mechanical polishing slurry |
US6207238B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-03-27 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers |
US6251562B1 (en) * | 1998-12-23 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | Antireflective polymer and method of use |
KR100363695B1 (ko) | 1998-12-31 | 2003-04-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기난반사방지중합체및그의제조방법 |
US6136511A (en) * | 1999-01-20 | 2000-10-24 | Micron Technology, Inc. | Method of patterning substrates using multilayer resist processing |
US6136679A (en) * | 1999-03-05 | 2000-10-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Gate micro-patterning process |
US6316165B1 (en) | 1999-03-08 | 2001-11-13 | Shipley Company, L.L.C. | Planarizing antireflective coating compositions |
US6426125B1 (en) | 1999-03-17 | 2002-07-30 | General Electric Company | Multilayer article and method of making by ARC plasma deposition |
US6458509B1 (en) | 1999-04-30 | 2002-10-01 | Toagosei Co., Ltd. | Resist compositions |
US6616692B1 (en) | 1999-04-30 | 2003-09-09 | Advanced Medical Optics, Inc. | Intraocular lens combinations |
US6890448B2 (en) * | 1999-06-11 | 2005-05-10 | Shipley Company, L.L.C. | Antireflective hard mask compositions |
US6110653A (en) * | 1999-07-26 | 2000-08-29 | International Business Machines Corporation | Acid sensitive ARC and method of use |
JP4512217B2 (ja) | 1999-08-20 | 2010-07-28 | 富士フイルム株式会社 | アリールシラン化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子 |
EP1212788B1 (en) | 1999-08-26 | 2014-06-11 | Brewer Science | Improved fill material for dual damascene processes |
US6852473B2 (en) | 2000-01-12 | 2005-02-08 | Infineon Technologies Richmond, Lp | Anti-reflective coating conformality control |
US20020009599A1 (en) | 2000-01-26 | 2002-01-24 | Welch Cletus N. | Photochromic polyurethane coating and articles having such a coating |
TW439118B (en) | 2000-02-10 | 2001-06-07 | Winbond Electronics Corp | Multilayer thin photoresist process |
JP3759456B2 (ja) | 2000-02-22 | 2006-03-22 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 化学蒸着により蒸着される反射防止有機ポリマーコーティング |
US6461717B1 (en) | 2000-04-24 | 2002-10-08 | Shipley Company, L.L.C. | Aperture fill |
JP2001344732A (ja) | 2000-05-29 | 2001-12-14 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体用基板及びその製造方法、並びに磁気記録媒体の評価方法 |
JP2001338926A (ja) | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
TW556047B (en) | 2000-07-31 | 2003-10-01 | Shipley Co Llc | Coated substrate, method for forming photoresist relief image, and antireflective composition |
KR100917101B1 (ko) | 2000-08-04 | 2009-09-15 | 도요 보세키 가부시키가이샤 | 플렉시블 금속적층체 및 그 제조방법 |
KR100828313B1 (ko) | 2000-09-19 | 2008-05-08 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 반사방지 조성물 |
US6455416B1 (en) | 2000-10-24 | 2002-09-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Developer soluble dyed BARC for dual damascene process |
KR100669862B1 (ko) * | 2000-11-13 | 2007-01-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 미세패턴 형성방법 |
US20030054117A1 (en) | 2001-02-02 | 2003-03-20 | Brewer Science, Inc. | Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition |
US6444582B1 (en) | 2001-02-05 | 2002-09-03 | United Microelectronics Corp. | Methods for removing silicon-oxy-nitride layer and wafer surface cleaning |
WO2002066539A1 (en) | 2001-02-16 | 2002-08-29 | Dominion Energy, Inc. | Poly amic acid system for polyimides |
US6309955B1 (en) | 2001-02-16 | 2001-10-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for using a CVD organic barc as a hard mask during via etch |
US6383952B1 (en) | 2001-02-28 | 2002-05-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | RELACS process to double the frequency or pitch of small feature formation |
TW576859B (en) | 2001-05-11 | 2004-02-21 | Shipley Co Llc | Antireflective coating compositions |
US6680252B2 (en) | 2001-05-15 | 2004-01-20 | United Microelectronics Corp. | Method for planarizing barc layer in dual damascene process |
EP1395417B1 (en) | 2001-05-29 | 2006-08-02 | Essilor International Compagnie Generale D'optique | Method for forming on-site a coated optical article |
US6605545B2 (en) | 2001-06-01 | 2003-08-12 | United Microelectronics Corp. | Method for forming hybrid low-K film stack to avoid thermal stress effect |
US6458705B1 (en) | 2001-06-06 | 2002-10-01 | United Microelectronics Corp. | Method for forming via-first dual damascene interconnect structure |
US6548387B2 (en) | 2001-07-20 | 2003-04-15 | United Microelectronics Corporation | Method for reducing hole defects in the polysilicon layer |
US6624068B2 (en) | 2001-08-24 | 2003-09-23 | Texas Instruments Incorporated | Polysilicon processing using an anti-reflective dual layer hardmask for 193 nm lithography |
US6586560B1 (en) | 2001-09-18 | 2003-07-01 | Microchem Corp. | Alkaline soluble maleimide-containing polymers |
TW575607B (en) | 2001-09-27 | 2004-02-11 | Lg Chemical Ltd | Polyimide copolymer and methods for preparing the same |
KR100465866B1 (ko) | 2001-10-26 | 2005-01-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
US6916537B2 (en) | 2001-11-01 | 2005-07-12 | Transitions Optical Inc. | Articles having a photochromic polymeric coating |
JP2003162065A (ja) | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置、露光マスク、露光方法、表示装置及び電子部品 |
JP3773445B2 (ja) | 2001-12-19 | 2006-05-10 | セントラル硝子株式会社 | 含フッ素脂環族ジアミンおよびこれを用いた重合体 |
US6844131B2 (en) | 2002-01-09 | 2005-01-18 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
US20030215736A1 (en) | 2002-01-09 | 2003-11-20 | Oberlander Joseph E. | Negative-working photoimageable bottom antireflective coating |
US7070914B2 (en) | 2002-01-09 | 2006-07-04 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process for producing an image using a first minimum bottom antireflective coating composition |
US7261997B2 (en) | 2002-01-17 | 2007-08-28 | Brewer Science Inc. | Spin bowl compatible polyamic acids/imides as wet developable polymer binders for anti-reflective coatings |
US6488509B1 (en) | 2002-01-23 | 2002-12-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Plug filling for dual-damascene process |
KR20030068729A (ko) | 2002-02-16 | 2003-08-25 | 삼성전자주식회사 | 반사 방지용 광흡수막 형성 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 패턴 형성 방법 |
US6911293B2 (en) | 2002-04-11 | 2005-06-28 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Photoresist compositions comprising acetals and ketals as solvents |
US6852474B2 (en) | 2002-04-30 | 2005-02-08 | Brewer Science Inc. | Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition |
US6849293B2 (en) | 2002-05-02 | 2005-02-01 | Institute Of Microelectronics | Method to minimize iso-dense contact or via gap filling variation of polymeric materials in the spin coat process |
US7265431B2 (en) | 2002-05-17 | 2007-09-04 | Intel Corporation | Imageable bottom anti-reflective coating for high resolution lithography |
US6872506B2 (en) | 2002-06-25 | 2005-03-29 | Brewer Science Inc. | Wet-developable anti-reflective compositions |
US6740469B2 (en) * | 2002-06-25 | 2004-05-25 | Brewer Science Inc. | Developer-soluble metal alkoxide coatings for microelectronic applications |
US6638853B1 (en) | 2002-07-03 | 2003-10-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Method for avoiding photoresist resist residue on semioconductor feature sidewalls |
KR20040009384A (ko) | 2002-07-23 | 2004-01-31 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트용 현상액에 용해되는 유기 바닥 반사 방지조성물과 이를 이용한 사진 식각 공정 |
US7108958B2 (en) | 2002-07-31 | 2006-09-19 | Brewer Science Inc. | Photosensitive bottom anti-reflective coatings |
US6566280B1 (en) | 2002-08-26 | 2003-05-20 | Intel Corporation | Forming polymer features on a substrate |
US6821689B2 (en) | 2002-09-16 | 2004-11-23 | Numerical Technologies | Using second exposure to assist a PSM exposure in printing a tight space adjacent to large feature |
US20040077173A1 (en) | 2002-10-17 | 2004-04-22 | Swaminathan Sivakumar | Using water soluble bottom anti-reflective coating |
TWI252374B (en) * | 2003-01-30 | 2006-04-01 | Shinetsu Chemical Co | Polymer, resist composition and patterning process |
JP4433160B2 (ja) * | 2003-01-30 | 2010-03-17 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
US7507783B2 (en) | 2003-02-24 | 2009-03-24 | Brewer Science Inc. | Thermally curable middle layer comprising polyhedral oligomeric silsesouioxanes for 193-nm trilayer resist process |
KR100487948B1 (ko) | 2003-03-06 | 2005-05-06 | 삼성전자주식회사 | 이중 다마신 기술을 사용하여 비아콘택 구조체를 형성하는방법 |
KR100539494B1 (ko) | 2003-05-02 | 2005-12-29 | 한국전자통신연구원 | 전기광학 및 비선형 광학 고분자로서의 곁사슬형폴리아미드 에스테르, 그것의 제조 방법 및 그것으로부터제조된 필름 |
US7235348B2 (en) | 2003-05-22 | 2007-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Water soluble negative tone photoresist |
US7368173B2 (en) | 2003-05-23 | 2008-05-06 | Dow Corning Corporation | Siloxane resin-based anti-reflective coating composition having high wet etch rate |
US7364832B2 (en) | 2003-06-11 | 2008-04-29 | Brewer Science Inc. | Wet developable hard mask in conjunction with thin photoresist for micro photolithography |
US7172849B2 (en) * | 2003-08-22 | 2007-02-06 | International Business Machines Corporation | Antireflective hardmask and uses thereof |
US7074527B2 (en) | 2003-09-23 | 2006-07-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for fabricating a mask using a hardmask and method for making a semiconductor device using the same |
US7270931B2 (en) * | 2003-10-06 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Silicon-containing compositions for spin-on ARC/hardmask materials |
JP5368674B2 (ja) | 2003-10-15 | 2013-12-18 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー. | 現像液に可溶な材料および現像液に可溶な材料をビアファーストデュアルダマシン適用において用いる方法 |
US7064078B2 (en) * | 2004-01-30 | 2006-06-20 | Applied Materials | Techniques for the use of amorphous carbon (APF) for various etch and litho integration scheme |
US20050214674A1 (en) | 2004-03-25 | 2005-09-29 | Yu Sui | Positive-working photoimageable bottom antireflective coating |
US20070207406A1 (en) | 2004-04-29 | 2007-09-06 | Guerrero Douglas J | Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers |
US20050255410A1 (en) | 2004-04-29 | 2005-11-17 | Guerrero Douglas J | Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers |
US7012028B2 (en) | 2004-07-26 | 2006-03-14 | Texas Instruments Incorporated | Transistor fabrication methods using reduced width sidewall spacers |
JP4433933B2 (ja) * | 2004-08-13 | 2010-03-17 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物およびハードマスク形成材料 |
KR100639680B1 (ko) | 2005-01-17 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 |
US7390746B2 (en) | 2005-03-15 | 2008-06-24 | Micron Technology, Inc. | Multiple deposition for integration of spacers in pitch multiplication process |
KR100720243B1 (ko) * | 2005-06-22 | 2007-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이중 노광 공정을 이용한 미세 패턴 형성방법 |
US20070018286A1 (en) * | 2005-07-14 | 2007-01-25 | Asml Netherlands B.V. | Substrate, lithographic multiple exposure method, machine readable medium |
CN1896869A (zh) * | 2005-07-14 | 2007-01-17 | Asml荷兰有限公司 | 基底、光刻多次曝光方法和可机读介质 |
US7776744B2 (en) | 2005-09-01 | 2010-08-17 | Micron Technology, Inc. | Pitch multiplication spacers and methods of forming the same |
TWI403843B (zh) * | 2005-09-13 | 2013-08-01 | Fujifilm Corp | 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法 |
US7824842B2 (en) * | 2005-10-05 | 2010-11-02 | Asml Netherlands B.V. | Method of patterning a positive tone resist layer overlaying a lithographic substrate |
KR100740611B1 (ko) * | 2005-10-12 | 2007-07-18 | 삼성전자주식회사 | 탑 코팅 막용 고분자, 탑 코팅 용액 조성물 및 이를 이용한이머젼 리소그라피 공정 |
KR20070087356A (ko) | 2006-02-23 | 2007-08-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
US20070212649A1 (en) * | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for enhanced lithographic patterning |
US7767385B2 (en) | 2006-03-09 | 2010-08-03 | International Business Machines Corporation | Method for lithography for optimizing process conditions |
EP1845416A3 (en) | 2006-04-11 | 2009-05-20 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Coating compositions for photolithography |
US7429533B2 (en) | 2006-05-10 | 2008-09-30 | Lam Research Corporation | Pitch reduction |
JP2007311508A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Nikon Corp | 微細パターン形成方法及びデバイス製造方法 |
US7435537B2 (en) * | 2006-06-21 | 2008-10-14 | International Business Machines Corporation | Fluorinated half ester of maleic anhydride polymers for dry 193 nm top antireflective coating application |
US7914974B2 (en) | 2006-08-18 | 2011-03-29 | Brewer Science Inc. | Anti-reflective imaging layer for multiple patterning process |
JP4826805B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2011-11-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜材料、フォトレジスト下層膜基板及びパターン形成方法 |
US7862985B2 (en) | 2006-09-22 | 2011-01-04 | Tokyo Electron Limited | Method for double patterning a developable anti-reflective coating |
US8168372B2 (en) * | 2006-09-25 | 2012-05-01 | Brewer Science Inc. | Method of creating photolithographic structures with developer-trimmed hard mask |
TWI374478B (en) | 2007-02-13 | 2012-10-11 | Rohm & Haas Elect Mat | Electronic device manufacture |
TWI493598B (zh) | 2007-10-26 | 2015-07-21 | Applied Materials Inc | 利用光阻模板遮罩的倍頻方法 |
EP2245512B1 (en) | 2008-01-29 | 2019-09-11 | Brewer Science, Inc. | On-track process for patterning hardmask by multiple dark field exposures |
US9640396B2 (en) | 2009-01-07 | 2017-05-02 | Brewer Science Inc. | Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography |
-
2009
- 2009-01-29 EP EP09706292.1A patent/EP2245512B1/en active Active
- 2009-01-29 WO PCT/US2009/032446 patent/WO2009097436A2/en active Application Filing
- 2009-01-29 KR KR1020107017736A patent/KR101647158B1/ko active IP Right Grant
- 2009-01-29 CN CN2009801088816A patent/CN101971102B/zh active Active
- 2009-01-29 US US12/362,268 patent/US8133659B2/en active Active
- 2009-01-29 JP JP2010545164A patent/JP5357186B2/ja active Active
- 2009-02-02 TW TW098103192A patent/TWI467337B/zh active
-
2011
- 2011-05-24 US US13/114,612 patent/US8415083B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2245512A2 (en) | 2010-11-03 |
CN101971102A (zh) | 2011-02-09 |
US20090191474A1 (en) | 2009-07-30 |
WO2009097436A3 (en) | 2009-10-15 |
TW200947133A (en) | 2009-11-16 |
TWI467337B (zh) | 2015-01-01 |
KR20100110363A (ko) | 2010-10-12 |
WO2009097436A2 (en) | 2009-08-06 |
EP2245512A4 (en) | 2011-08-10 |
EP2245512B1 (en) | 2019-09-11 |
JP2011514662A (ja) | 2011-05-06 |
US20110223524A1 (en) | 2011-09-15 |
US8415083B2 (en) | 2013-04-09 |
KR101647158B1 (ko) | 2016-08-09 |
CN101971102B (zh) | 2012-12-12 |
US8133659B2 (en) | 2012-03-13 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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