KR100376984B1 - 포토레지스트중합체및이를이용한미세패턴의형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 포토레지스트 중합체 및 이를 이용한 미세 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
상기식에서,
R1은 측쇄 또는 주쇄 치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬, 또는 벤질기를 나타내고,
R2는 탄소수 1 내지 10의 1차, 2차 혹은 3차 알콜을 나타내며,
m 및 n은 각각 1 내지 3의 정수를 나타내며,
X : Y : Z의 비는 10∼80 몰% : 10∼80 몰% : 10∼80 몰%이다.
본 발명의 포토레지스트 수지는 4G 및 16G DRAM의 초미세 패턴 형성에 사용가능하고 ArF, KrF, EUV, E-beam 또는 ion-beam 등의 광원에 적합하다.

Description

포토레지스트 중합체 및 이를 이용한 미세 패턴의 형성방법
본 발명은 중합체 및 이를 이용한 미세 패턴의 형성방법에 관한 것으로, TSI(top surface image)나 단일 감광막용 수지로도 사용가능한 중합체에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명은 4G, 16G DRAM의 초미세 패턴의 형성에 사용가능하고 KrF, ArF, E-beam, EUV, ion-beam을 사용할 수 있는 중합체 및 이를 이용한 미세 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조공정에 있어서, 소정 형상의 반도체 소자 패턴을 형성하기 위해서 감광막 패턴이 사용되고 있다. 그러나 원하는 감광막 패턴을 얻기 위해서는 반도체 기판 상에 포토레지스트를 도포하고, 상기 도포된 포토레지스트를 노광한 후, 현상공정을 실시하여 반도체 기판상에 포토레지스트 패턴을 형성한다.
종래의 일반적인 실릴레이션(silylation) 공정을 이용하여 감광막 패턴을 제조함에 있어서, 감광막은 주로 노볼락수지 또는 폴리비닐페놀계 수지로 이루어져 있다. 따라서 ArF 광원(193nm) 등으로 노장 후 베이크(bake)를 해주면 노광부에서는 알콜기가 형성된다. 베이크 후 헥사메틸디실라잔 또는 테트라메틸리실라잔 등의 실릴화제(silylation agent)로 실릴레이션을 시키면 N-Si 결합을 갖게 된다. 그러나 이러한 N-Si 결합은 약하기 때문에 수지의 R-O-H와 반응하여 R-O-Si 결합을 형성한다. 포토레지스트 수지와 결합한 실리콘은 O2플라즈마를 이용한 건식현상(dry develop)에 의해 실리콘 산화막을 형성하게 되고 이 부분의 하단부는 현상후 그대로 남아 패턴을 형성하게 된다.
그러나, 상기한 종래기술에 따른 ArF 실릴레이션용 감광막 패턴을 형성하는 방법은 KrF 엑시머 레이저를 사용하는 경우 0.10㎛ L/S이하의 초미세 패턴 형성이불가능하고, ArF 광원을 사용하면 ArF 광의 높은 에너지에 의해 노광기의 렌즈가 손상되므로 10mJ/cm2이하의 낮은 노광에너지로 노광하여야 하지만, 이처럼 낮은 에너지로는 감광막이 충분히 노광되지 않아 패턴을 형성할 수 없으며, 습식현상 공정자체의 문제점인 패턴의 무너짐 현상(pattern collapse)이나 해상력 부족 등에 의해 반도체 소자의 고집적화가 저하된다는 등의 문제점이 있다.
즉, 100nm 이하의 초미세 회로를 사용한 4G DRAM 혹은 16G DRAM 제조에 있어서, 습식현상의 경우에는 패턴이 미세화됨에 따라 포토레지스트의 두께가 얇아져야 패턴형성이 가능하다. 그러나 패턴의 두께가 얇아지면 에칭이 불가능하기 때문에 포토레지스트가 가져야 할 필수조건은 에칭내성이다. 그러나 이 에칭내성을 개선시키는 것은 매우 어려운 일이다. 또한 ArF, EUV 등으로 패턴을 형성할 때는 에너지에 의한 광학계의 변형이 큰 문제가 되므로, 적은 양의 에너지에서도 패턴형성이 가능한 고감도의 포토레지스트 중합체의 개발이 요구되고 있다.
따라서 이러한 문제점을 해결하기 위한 시도로서 실릴레이션 공정을 이용한 TSI(top surface image)공정이 제안되었으나, 이런 TSI 공정을 이용하더라도 기존의 KrF 엑시머 레이저를 사용하여 0.10 ㎛ L/S이하의 초미세 패턴을 형성한다는 것은 불가능한 것으로 나타났다.
이에 본 발명자들은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 수많은 연구와 실험을 거듭한 결과, 감광막 수지내에 지환족화합물(alicyclic compound)을도입함으로써 TSI에 수반되는 공정중 온도가 높은 노광후 베이크 공정(post exposure bake)과 실릴레이션 공정에 견딜 수 있는 내열성의 확보가 가능하고, 화학증폭형 감광막(chemically amplified resist)을 사용함으로써 ArF 광원의 사용시 ArF 광에 의해 노광기의 렌즈가 손상되지 않고 10 mJ/cm2이하의 적은 양의 에너지에서도 해상이 가능하며 ArF(193nm) 광원을 이용한 미세 패턴 형성시 발생하는 감광막 패턴의 무너짐 현상 또는 해상력 부족 현상을 방지할 수 있으며, 또한 화학증폭형 감광막에 O2플라즈마를 이용한 실릴레이션 공정으로 실리콘 산화막을 형성시켜 내에칭성과 내열성을 증가시키며, 건식현상 공정으로 미세 패턴을 형성할 수 있다는 놀라운 사실을 밝혀내고 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
도 1 은 본 발명에 따른 TSI용 ArF중합체를 이용한 미세 패턴 제조 공정도.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 포토레지스트 중합체의 NMR 데이터를 나타낸 그래프.
도 5 내지 도 12는 본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용하고, 노광에너지 48mJ/cm2로 노광한 경우의 패턴 사진.
도 13 내지 도 20은 본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용하고, 다양한 노광에너지로 노광한 경우의 패턴 사진.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
1 : 노광마스크 2 : 포토레지스트
3 : 피식각층
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 포토레지스트 중합체에 관한 것으로서, 단일층 공정은 물론 TSI용 포토레지스트에도 사용할 수 있다.
[화학식 1]
상기식에서,
R1은 측쇄 또는 주쇄 치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬, 또는 벤질기를 나타내고,
R2는 탄소수 1 내지 10의 1차, 2차 혹은 3차 알콜을 나타내며,
m 및 n은 각각 1 내지 3의 수를 나타내며,
X : Y : Z는 각 공단랑체의 중합비로서 10~80 몰% : 10∼80 몰% : 10∼80 몰%이다.
본 발명은 또한 상기 화학식 1의 포토레지스트 중합체의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 상기 화학식 1의 포토레지스트 중합체, 용매 및 광산발생제를 함유하는 포토레지스트 조성물(photoresist composition)에 관한 것이다.
본 발명은 또한 상기 포토레지스트 조성물을 이용하여 미세 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 화학식 1의 중합체는 하기 화학식 2로 표시되는 알킬말레이미드, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 중합개시제의 존재하에 중합시켜 제조할 수 있다.
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
상기식에서,
R1은 측쇄 또는 주쇄 치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬, 또는 벤질기를 나타내고,
R2는 탄소수 1 내지 10의 1차, 2차 혹은 3차 알콜을 나타내며,
m 및 n은 각각 1 내지 3의 정수를 나타낸다.
본 발명에서 사용되는 화학식 2의 알킬말레이미드는 메틸말레이미드, 에틸말레이미드, 프로필말레이미드, i-프로필말레이미드, n-부틸말레이미드, i-부틸말레이미드, t-부틸말레이미드, 펜틸말레이미드 등을 포함하나, 바람직하게는 에틸말레이미드, 프로필말레이미드 또는 t-부틸말레이미드가 사용된다.
본 발명에서 사용되는 화학식 3의 화합물은 t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트, t-부틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트가 바람직하다.
본 발명에서 화학식 4의 화합물은 R2가 메틸알콜, 에틸알콜, 프로필알콜, 프로필알콜, 부틸알콜 또는 펜틸알콜인 화합물을 포함한다. 바람직하게는 2-하이드록시에틱 5-노르보넨-2-카르복실레이트, 3-하이드록시프로필 5-노르보넨-2-카르복실레이트, 2-하이드록시에틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트 또는 3-하이드록시프로필 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트가 사용된다.
본 발명에 따르면, 화학식 2의 알킬말레이미드와 화학식 3의 화합물과 화학식 4의 화합물은 (1∼2) : (0.5∼1.5) : (0.5∼1.5)의 몰비로 반응시켜 화학식 1의 중합체를 제조한다.
본 발명의 중합체는 중합개시제의 존재하에 통상적인 중합방법에 의해 제조할 수 있다. 중합방법으로는 예를 들어 벌크중합, 용액중합 등을 포함한다. 중합개시제로는 벤조일퍼옥사이드, 2,2-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드 또는 t-부틸아세테이트 등을 사용할 수 있다. 중합용매로는 테트라하이드로푸란(THF), 시클로헥산, 메틸에틸케톤, 벤젠, 톨루엔, 디옥산 또는 디메틸포름아미드가 사용된다. 중합 반응은 질소 또는 아르곤 분위기하에 60 내지 75℃의 온도에서 4 내지 24시간 동안 수행된다. 그러나 이러한 중합조건으로 한정되는 것은 아니다.
상기와 같이 제조된 화학식 1의 포토레지스트 중합체는 반도체 소자의 미세패턴을 형성하는데 유용하다.
본 발명의 포토레지스트 조성물은 화학식 1의 포토레지스트 중합체를 통상적인 방법으로 용매 및 광산발생제와 함께 혼합시켜 제조할 수 있다.
상기 광산발생제로는 주로 황화염계 또는 오니움염계 화합물을 사용하며, 구체적으로 디페닐요도염 헥사플루오르 포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오르 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오르 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 트리플레이트, 디페닐파라이소뷰틸페닐 트리플레이트, 디페닐파라-t-뷰틸페닐 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 포스페이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 아르세네이트, 트리페릴설포늄 헥사플루오르 안티모네이트, 디부틸나프틸 설포늄 트리플레이트 및 트리페닐설포늄 트리플레이트 중 선택되는 것을 하나 또는 둘 이상 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 광산발생제는 사용된 중합제의 1 내지 20 중량%의 양으로 사용하는 것이 바람직한데, 이는 1 중량% 이하로 사용될 때는 감도가 부족하고, 20 중량% 이상 사용될 때는 에칭 내성이 부족해지기 때문이다. 용매로는 통상적인 유기용매, 예를 들어 메틸-3-메톡시프로피오네이트, 에틸 락테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 또는 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트를 사용할 수 있다. 용매는 사용된 중합체의 중량에 대하여 100 내지 700%의 양으로 사창된다. 상기 용매의 양에 따라 0.3∼3㎛ 정도 두께의 감광막을 형성할 수 있다.
본 발명은 상기 포토레지스트 조성물을 이용하여 미세 패턴을 형성시키는 방법도 또한 포함된다. 구체적으로, 도 1에 도시되어있는 바와 같이, 포토레지스트(2)를 기판(10) 상의 피식각층(3) 상부에 도포하여 일차경화시키고 (도 1a), 경화된 포토레지스트(2)에 노광마스크(1)를 이용하여 노광하여 (도 1b) 노광영역(12)을 형성하고, 2차 경화시킨 후 (도 1c), 노광된 부분에 실릴화제를 분사시켜 실릴레이션막(14)을 형성시키고 (도 1d), O2플라즈마를 이용한 건식 현상공정으로 실리콘 산화막(16)을 형성시키고 (도 1e), 상기 실리콘 산화막(16)을 식각 마스크로 피식각층(3)을 식각하여 피식각층 패턴을 형성시킨다 (도 1f).
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자의 실릴레이션 감광막 패턴을 형성하는 방법을 도시한 단면도이다.
먼저, 화학식 1의 중합체를 포함하는 포토레지스트 조성물을 피식각층(3) 상부에 도포하여 경화시키고 (제1경화 단계), 노광마스크(1)를 이용하여 노광한 다음 다시 경화시킨다(제2경화 단계). 상기 제1, 2 경화는 90 내지 180℃의 온도에서 30 내지 300초 정도 베이크하면 되고, 상기 노광공정은 ArF, EUV, KrF, E-beam 또는 X선을 사용하여 실시한다. 노광된 부분에 실릴화제를 분사시켜 실릴레이션 막을 형성시킨다. 실릴화제는 헥사메틸디실라잔, 테트라메틸디실라잔, 디메틸아미노디메틸실란, 디메틸아미노엔틸실란, 디메틸실릴디메틸아민, 트리메틸실릴디메틸아민, 트리메틸실릴디에틸아민 또는 디메틸아미노펜타메틸실란 등을 사용한다. 실릴레이션 공정은 90 내지 180℃의 온도에서 30 내지 300초 정도 실시한다. 실릴레이션 공정후 산소 분위기 하에서 플라즈마에 의한 건식 현상공정으로 실리콘 산화막을 형성시키고, 상기 실리콘 산화막을 식각 마스크로 피식각층(3)을 식각하여 피식각층 패턴을 형성시킨다.
이하, 제조예 및 실시예에 의거하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 기술적 범위가 이들로 제한되는 것으로 이해해서는 않된다.
실시예 1 : 폴리(에틸말레이미드/t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/2-하이드록시에틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트) 중합체(화학식 5)의 합성
[화학식 5]
에틸말레이미드 1몰, t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트 0.5몰, 2-하이드록시에틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트 0.5몰을 테트라하이드로푸란(THF)용매 50g 내지 300g에 녹인 후 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 2g 내지 15g을 넣고, 질소 분위기하에서 60 내지 70℃의 온도로 10시간 반응시킨다. 고분자 반응완료후, 에틸에데르 혹은 헥산 용매에서 침전을 잡아 건조시켜 표제의 폴리(에틸말레이미드/t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/2-하이드록시에틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트) 중합체를 얻었으며, 그 NMR 데이터를 도 2에 도시하였다 (수율: 85%).
실시예 2 : 폴리(프로필말레이미드/t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/3-하이드록시프로필 5-노르보넨-2-카르복실레이트)중합체(화학식 6)의 합성
[화학식 6]
프로필말레이미드 1몰, t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트 0.5몰, 3-하이드록시프로필 5-노르보넨-2-카르복실레이트 0.5몰을 테트라하이드로푸란(THF)용매 50g 내지 300g에 녹인 후 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 2g 내지 15g을 넣어준 후 질소 분위기하에서 60 내지 70℃의 온도로 10시간 반응시킨다. 고분자 반응완료후, 에틸에테르 혹은 헥산 용매에서 침전을 잡아 건조시켜 표제의 폴리(프로필말레이미드/t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/3-하이드록시프로필 5-노르보넨-2-카르복실레이트) 중합체를 얻었으며, 그 NMR 데이터를 도 3에 도시하였다 (수율: 82%).
실시예 3 : 폴리(t-부틸 말레이미드/t-부틸 비시클로[2,2,2,]옥트-5-엔-2-카르복실레이트/2-하이드록시에틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트) 중합체(화학식 7)의 합성
[화학식 7]
t-부틸말레이미드 1몰, t-부틸비시클로[2,2,2]옥트-5-엔2-카르복실레이트 0.5몰, 2-하이드록시에틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트 0.5몰을 테트라하이드로푸란(THF)용매 50g 내지 300g에 녹인 후 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 2g 내지 15g을 넣어준 후 질소 분위기하에서 60 내지 70℃의 온도로 10시간 반응시킨다. 고분자 반응완료후, 에틸에테르 혹은 헥산 용매에서 침전을 잡아 건조시켜 표제의 폴리(t-부틸말레이미드/t-부틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트/2-하이드록시에틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트) 중합체를 얻었다 (수율: 75%).
실시예 4 : 폴리(에틸말레이미드/t-부틸 비시클로[2,2,2,]옥트-5-엔-2-카르복실레이트/3-하이드록시프로필 5-노르보넨-2-카르복실레이트) 중합체(화학식 8)의 합성
[화학식 8]
에틸말레이미드 1몰, t-부틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔2-카르복실레이트 0.5몰, 3-하이드록시프로필 5-노르보넨-2-카르복실레이트 0.5몰을 테트라하이드로푸란(THF)용매 50g 내지 300g에 녹인 후 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 2g 내지 15g을 넣어준 후 질소분위기하에서 60 내지 70℃의 온도로 10시간 반응시킨다. 고분자 반응완료후, 에틸에테르 혹은 헥산 용매에서 침전을 잡아 건조시켜 표제의 폴리 (에틸말레이미드/t-부틸 비시클로[2,2,2]옥토-5-엔-2-카르복실레이트/3-하이드록시프로필 5-노르보넨-2-카르복실레이트) 중합체를 얻었으며, 그 NMR 데이터를 도 4에 도시하였다 (수율: 83%).
실시예 5 : 폴리(프로필말레이미드/t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/2-하이드록시에틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트) 중합체(화학식 9)의 합성
[화학식 9]
프로필말레이미드 1몰, t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트 0.5몰, 3-하이드록시프로필비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트 0.5몰을 테트라하이드로푸란(THF) 용매 50g 내지 300g에 녹인 후 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 2g 내지 15g을 넣어준 후 질소 분위기하에서 60 내지 70℃의 온도로 10시간 동안 반응시켰다. 고분자 반응완료후, 에틸에테르 혹은 헥산 용매에서 침전을 잡아 건조시켜표제의 폴리 (프로필말레이미드/t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/2-하이드록시 에틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트) 중합체를 얻었다 (수율: 79%).
실시예 6 : 폴리(에틸말레이미드/t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/3-하이드록시프로필 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트) 중합체(화학식 10)의 합성
[화학식 10]
에틸말레이미드 1몰, t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트 0.5몰, 3-하이드록시프로필 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트 0.5몰을 테트라하이드로푸란(THF)용매 50g 내지 300g에 녹인 후 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 2g 내지 15g을 넣어준 후 질소분위기하에서 60 내지 70℃의 온도로 10시간 반응시킨다. 고분자 반응완료후, 에틸에테르 혹은 헥산 용매에서 침전을 잡아 건조시켜 표제의 폴리(에틸말레이미드/t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/3-하이드록시프로필 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트) 중합체를 얻었다 (수율: 78%).
실시예 7 : 폴리(프로필말레이미드/t-부틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트/2-하이드록시에틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트) 중합체(화학식 11)의 합성
[화학식 11]
프로필말레이미드 1몰, t-부틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트 0.5몰, 2-하이드록시에틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트 0.5몰을 테트라하이드로푸란(THF)용매 50g 내지 300g에 녹인 후 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 2g 내지 15g을 넣어준 후 질소 분위기하에서 60 내지 70℃의 온도로 10시간 반응시킨다. 고분자 반응완료후, 에틸에테르 혹은 헥산 용매에서 침전을 잡아 건조시켜 표제의 폴리(프로필말레이미드/t-부틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트/2-하이드록시에틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트) 중합체를 얻었다 (수율: 78%).
실시예 8: 폴리(에틸말레이미드/t-부틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트/3-하이드록시프로필 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트) 중합체(화학식 12)의 합성
[화학식 12]
에틸말레이미드 1몰, t-부틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔2-카르복실레이트 0.5몰, 3-하이드록시프로필 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트 0.5몰을 테트라하이드로푸란(THF)용매 50g 내지 300g에 녹인 후 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 2g 내지 15g블 넣어준 후 질소 분위기하에서 60 내지 70℃의 온도로 10시간 반응시킨다. 고분자 반응완료후, 에틸에테르 혹은 헥산 용매에서 침전을 잡아 건조시켜 표제의 폴리(에틸말레이미드/t-부틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트/3-하이드록시프로필 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트) 중합체를 얻었다 (수율: 75%).
적용예 1 포토레지스트 조성물의 제조 및 패턴형성
실시예 1에서 합성한 폴리(에틸말레이미드/t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/2-하이드록시에틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트) 중합체 10g을 메틸 3-메톡시 프로피오네이트 용매 40g에 녹인 후 트리페닐설포늄트리플레이트 혹은 디부틸나프틸설포늄트리플레이트 0.1 내지 2g을 넣어준 후 0.10 ㎛필터로 여과시켜 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
기판(10) 상에 피식각층(3)을 형성하고, 제조한 포토레지스트 조성물을 상기피식각층(3) 상부에 도포한 후, 경화하여 포토레지스트 층(2)을 형성하였다. 경화는 포토레지스트 조성물을 도포한 다음 150℃에서 120초 정도 베이크(bake) 해주면 일어난다. 이어서, 경화된 포토레지스트 층(2)에 ArF 광원을 사용하여 48mJ/cm2의 노광 에너지로 노과하고, 노광후 130℃의 온도에서 90초간 베이크 하였다.
다음, 170℃의 온도에서, 상기 포토레지스트 층(2) 상부에 헥사메틸디실라잔을 150초 정도 분사하여 실릴레이션 막(14)을 형성하고, 이를 O2플라즈마를 이용한 건식 식각 공정을 수행하여, 실리콘 산화막(16)이 형성되게 함으로써 노광부의 패턴은 남아 있는 반면, 비노광부의 포토레지스트 층(2)은 제거하였다. 그 결과 얻어진 포토레지스트 패턴을 도 5에 나타내었다 (해상도 0.24㎛).
적용예 2 포토레지스트의 제조 및 패턴형성
실시예 2에서 합성한 폴리(프로필말레이미드/t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/3-하이드록시프로필 5-노르보넨-2-카르복실레이트) 중합체 10g을 사용하여 적용예 1의 방법으로 포토레지스트 패턴을 형성하였다 (도 6, 해상도 0.23㎛).
적용예 3 포토레지스트의 제조 및 패턴형성
실시예 3에서 합성한 폴리(t-부틸말레이미드/t-부틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트/2-하이드록시에틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트) 중합체 10g을 사용하여 적용예 1의 방법으로 포토레지스트 패턴을 형성하였다 (도 7, 해상도 0.22㎛).
적용예 4 포토레지스트의 제조 및 패턴형성
실시예 4에서 합성한 폴리(에틸말레이미드/t-부틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트/3-하이드록시프로필 5-노르보넨-2-카르복실레이트) 중합체 10g을 사용하여 적용예 1의 방법으로 포토레지스트 패턴을 형성하였다 (도 8, 해상도 0.21㎛).
적용예 5 포토레지스트의 제조 및 패턴형성
실시예 5에서 합성한 폴리(프로필말레이미드/t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/2-하이드록시에틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트) 중합체 10g을 사용하여 적용예 1의 방법으로 포토레지스트 패턴을 형성하였다 (도 9, 해상도 0.20㎛).
적용예 6 포토레지스트의 제조 및 패턴형성
실시예 6에서 합성한 폴리(에틸말레이미드/t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/3-하이드록시프로필 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트) 중합체 10g을 사용하여 적용예 1의 방법으로 포토레지스트 패턴을 형성하였다 (도 10, 해상도 0.19 ㎛).
적용예 7 포토레지스트의 제조 및 패턴형성
실시예 7에서 합성한 폴리(프로필말레이미드/t-부틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트/2-하이드록시에틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트) 중합체 10g을 사용하여 적용예 1의 방법으로 포토레지스트 패턴을 형성하였다 (도 11, 해상도 0.18㎛).
적용예 8 감광막의 제조 및 패턴형성
실시예 8에서 합성한 폴리(에틸말레이미드/t-부틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트/3-하이드록시프로필 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트)중합체 10g을 사용하여 적용예 1의 방법으로 포토레지스트 패턴을 형성하였다 (도 12, 해상도 0.17㎛).
한편 상기 적용예 1에서 제조한 포토레지스트 조성물을 사용하여 노광에너지를 48mJ/cm2에서 점차로 감소시키면서 노광 에너지에 따른 패턴의 상태를 도 13 내지 도 20에 나타내었다.
이상과 같이, 본 발명에 따른 포토레지스트는 TSI 에 수반되는 공정중 온도가 높은 노광후 베이크 공정과 실릴레이션 공정에 견딜 수 있는 내열성을 확보할 수 있고, ArF 광원을 사용할 때 ArF 광에 의해 노광 장비의 렌즈 손상을 방지할 수 있고, 또한 10mJ/cm2의 적은 양의 에너지에도 해상이 가능한 화학증폭형 감광막에 O2플라즈마를 이용한 실릴레이션 공정으로 실리콘 산화막을 형성시켜 내에칭성과 내열성을 증가시키며, 건식현상 공정으로 미세 패턴을 형성할 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 중합체에 의한 포토레지스트 조성물을 이용하면 반도체 소자의 고집적화가 가능하다.

Claims (18)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 포토레지스트 중합체.
    [화학식 1]
    상기식에서,
    R1은 측쇄 또는 주쇄 치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬, 또는 벤질기를 나타내고,
    R2는 탄소수 1 내지 10의 1차, 2차 혹은 3차 알콜을 나타내며,
    m 및 n은 각각 1 내지 3의 정수를 나타내며,
    X : Y : Z는 각 공단랑체의 중합비로서 10~80 몰% : 10∼80 몰% : 10∼80 몰%이다.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 중합체는
    폴리(에틸말레이미드/t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/2-하이드록시에틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트);
    폴리(프로필말레이미드/t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/3-하이드록시프로필 5-노르보넨-2-카르복실레이트);
    폴리(t-부틸말레이미드/t-부틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트/2-하이드록시에틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트);
    폴리(에틸말레이미드/t-부틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트/3-하이드록시프로필 5-노르보넨-2-카르복실레이트);
    폴리(프로필말레이미드/t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/2-하이드록시에틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트);
    폴리(에틸말레이미드/t-부틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/3-하이드록시프로필 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트);
    폴리(에틸말레이미드/t-부틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트/2-하이드록시에틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트); 및
    폴리(에틸말레이미드/t-부틸 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트/3-하이드록시프로필 비시클로[2,2,2]옥트-5-엔-2-카르복실레이트)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 중합체.
  3. 하기 화학식 2로 표시되는 알킬말레이미드, 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 중합개시제의 존재하에서 중합시키는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1로 표시되는 포토레지스트 중합체의 제조방법.
    [화학식 2]
    [화학식 3]
    [화학식 4]
    [화학식 1]
    상기식에서,
    R1은 측쇄 또는 주쇄 치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬, 또는 벤질기를 나타내고,
    R2는 탄소수 1 내지 10의 1차, 2차 혹은 3차 알콜을 나타내며,
    m 및 n은 각각 1 내지 3의 정수를 나타내며,
    X : Y : Z는 각 공단량체의 중합비로서 10~80 몰% : 10∼80 몰% : 10∼80 몰%이다.
  4. 제 3 항에 있어서,
    중합개시제가 벤조일퍼옥사이드, 2,2-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드 또는 t-부틸아세테이트인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 중합체의 제조방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 중합반응이 테트라하이드로푸란(THF), 시클로헥산, 메틸에틸케톤, 벤젠, 톨루엔, 디옥산 및 디메틸포름아미드로 이루어진 군으로부터 선택된 유기용매 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 중합체의 제조방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 중합공정은 질소 또는 아르곤 분위기하에 60 내지 75℃의 온도에서 4 내지 24시간 수행하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 중합체의 제조방법.
  7. (i) 제1항 기재의 포토레지스트 중합체와,
    (ii) 광산발생제와,
    (iii) 유기 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 광산발생제가 황화염계 또는 오니움염계 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 광산발생제가 디페닐요도염 헥사플루오르 포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오르 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오르 안티모네이트, 디페닐 파라메톡시페닐 트리플레이트, 디페닐 파라톨루에닐 트리플레이트, 디페닐 파라이소뷰틸페닐 트리플레이트, 디페닐 파라-t-뷰틸페닐 트리플레이트, 트리페닐실포늄 헥사플루오르 포스페이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 안티모네이트, 디부틸나프틸 설포늄 트리플레이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트 및 이들의 혼합물 중 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 용매는 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 에틸 락테이트, 메틸-3-메톡시프로피오네이트 및 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 중에서 선택된 것을 특징으포 하는 포토레지스트 조성물.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 광산발생제는 사용된 중합체의 1 내지 20 중량%의 양으로 함유되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 용매는 사용된 중합체의 100 내지 700 중량%의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  13. (a) 제 7 항 기재의 포토레지스트 조성물을 피식각층 상부에 도포하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계와,
    (b) 노광 장비를 이용하여 상기 포토레지스트 막을 노광하는 단계와,
    (c) 상기 노광된 포토레지스트 막 위에 실릴화제를 도포하는 단계와,
    (d) 상기 결과물을 건식 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 (b) 단계의 전 및/또는 후에 포토레지스트 막을 90 내지 180℃의 온도에서 30 내지 300초 동안 베이크하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 (b) 단계의 노광은 ArF, EUV, KrF, E-beam 또는 X선을 사용하여 1∼50mJ/cm2의 노광 에너지로 수행하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 실릴화제가 헥사메틸디실라잔, 테트라메틸디실라잔, 디메틸아미노디메틸실란, 디메틸아미노에틸실란, 디메틸실릴디메틸아민, 트리메틸실릴디메틸아민, 트리메틸실릴디에틸아민 또는 디메틸아미노펜타메틸실란 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 (c) 단계는 90 내지 180℃의 온도에서 30 내지 300초 정도 실시하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  18. 제 7 항의 포토레지스트 조성물을 사용하여 형성되는 반도체 소자.
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CNB991064011A CN1146602C (zh) 1998-04-30 1999-04-30 聚合物和使用该聚合物形成显微图形的方法
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101249681B1 (ko) 2008-01-23 2013-04-05 주식회사 엘지화학 바인더 수지 및 이를 포함하는 감광성 수지조성물과, 이감광성 수지조성물에 의해 제조된 컬럼스페이서

Families Citing this family (317)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6808859B1 (en) * 1996-12-31 2004-10-26 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. ArF photoresist copolymers
KR100321080B1 (ko) 1997-12-29 2002-11-22 주식회사 하이닉스반도체 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트
KR20000015014A (ko) 1998-08-26 2000-03-15 김영환 신규의 포토레지스트용 단량체, 중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
JP3587743B2 (ja) 1998-08-26 2004-11-10 株式会社ハイニックスセミコンダクター フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および、半導体素子。
US6569971B2 (en) * 1998-08-27 2003-05-27 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Polymers for photoresist and photoresist compositions using the same
TWI234051B (en) * 1998-10-14 2005-06-11 Clariant Int Ltd A mixed solvent system for positive photoresists
KR20000056355A (ko) * 1999-02-19 2000-09-15 김영환 고농도의 아민 존재하에서 우수한 특성을 갖는 포토레지스트 조성물
JP4469080B2 (ja) * 2000-12-13 2010-05-26 信越化学工業株式会社 脂環構造を有する新規第三級アルコール化合物
US6946523B2 (en) 2001-02-07 2005-09-20 Henkel Corporation Heterobifunctional monomers and uses therefor
US6521731B2 (en) * 2001-02-07 2003-02-18 Henkel Loctite Corporation Radical polymerizable compositions containing polycyclic olefins
US6423780B1 (en) * 2001-02-07 2002-07-23 Loctite Heterobifunctional monomers and uses therefor
KR20020088581A (ko) * 2001-05-18 2002-11-29 인더스트리얼 테크놀로지 리써치 인스티튜트 규소 함유 공중합체 및 이를 함유하는 감광성 수지 조성물
US7138218B2 (en) * 2001-12-18 2006-11-21 Hynix Semiconductor Inc. Process for forming an ultra fine pattern using a bottom anti-reflective coating film containing an acid generator
KR100415091B1 (ko) * 2002-03-26 2004-01-13 주식회사 하이닉스반도체 미세패턴 형성 방법
WO2004029720A1 (ja) * 2002-09-30 2004-04-08 Zeon Corporation 感放射線性樹脂組成物、樹脂パターン膜とその形成方法、及び樹脂パターン膜の利用
US7338742B2 (en) * 2003-10-08 2008-03-04 Hynix Semiconductor Inc. Photoresist polymer and photoresist composition containing the same
US7270937B2 (en) * 2003-10-17 2007-09-18 Hynix Semiconductor Inc. Over-coating composition for photoresist and process for forming photoresist pattern using the same
KR100680405B1 (ko) * 2003-11-19 2007-02-08 주식회사 하이닉스반도체 Ｅｕｖ용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법
US7534548B2 (en) * 2005-06-02 2009-05-19 Hynix Semiconductor Inc. Polymer for immersion lithography and photoresist composition
US7745339B2 (en) * 2006-02-24 2010-06-29 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming fine pattern of semiconductor device
KR100694412B1 (ko) * 2006-02-24 2007-03-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 미세패턴 형성방법
US8313876B2 (en) * 2006-07-20 2012-11-20 Hynix Semiconductor Inc. Exposure mask and method for manufacturing semiconductor device using the same
KR100849800B1 (ko) * 2006-07-20 2008-07-31 주식회사 하이닉스반도체 노광 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US7959818B2 (en) 2006-09-12 2011-06-14 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming a fine pattern of a semiconductor device
US7790357B2 (en) * 2006-09-12 2010-09-07 Hynix Semiconductor Inc. Method of forming fine pattern of semiconductor device
KR100861173B1 (ko) * 2006-12-01 2008-09-30 주식회사 하이닉스반도체 액침 노광 공정을 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법
KR20080057562A (ko) * 2006-12-20 2008-06-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR100919564B1 (ko) * 2007-06-29 2009-10-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR100876816B1 (ko) * 2007-06-29 2009-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR101037528B1 (ko) * 2008-10-16 2011-05-26 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 패턴 형성 방법
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
WO2019111795A1 (ja) * 2017-12-07 2019-06-13 株式会社ダイセル インクジェット印刷用インク
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TW202013553A (zh) 2018-06-04 2020-04-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
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USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
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US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
CN113234194B (zh) * 2021-06-29 2022-08-12 北京科华微电子材料有限公司 一种共聚物、底层胶组合物、双层体系及其在双层剥离工艺中的应用
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN115873176B (zh) * 2021-09-28 2023-09-26 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种duv光刻用底部抗反射涂层及其制备方法和应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2336846A (en) * 1938-01-03 1943-12-14 Gen Electric Etching of capacitor armatures
JPS62255934A (ja) * 1986-04-30 1987-11-07 Ube Ind Ltd ネガ型フオトレジスト組成物
JPH02129641A (ja) * 1988-11-09 1990-05-17 Nagase Denshi Kagaku Kk フオトレジスト組成物
KR100220953B1 (ko) * 1996-12-31 1999-10-01 김영환 아미드 또는 이미드를 도입한 ArF 감광막 수지

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4857435A (en) * 1983-11-01 1989-08-15 Hoechst Celanese Corporation Positive photoresist thermally stable compositions and elements having deep UV response with maleimide copolymer
JPH05297591A (ja) * 1992-04-20 1993-11-12 Fujitsu Ltd ポジ型放射線レジストとレジストパターンの形成方法
US5312717A (en) * 1992-09-24 1994-05-17 International Business Machines Corporation Residue free vertical pattern transfer with top surface imaging resists
US5843624A (en) * 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
TW353775B (en) * 1996-11-27 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Production of semiconductor device
KR100252546B1 (ko) 1997-11-01 2000-04-15 김영환 공중합체 수지와 포토레지스트 및 그 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2336846A (en) * 1938-01-03 1943-12-14 Gen Electric Etching of capacitor armatures
JPS62255934A (ja) * 1986-04-30 1987-11-07 Ube Ind Ltd ネガ型フオトレジスト組成物
JPH02129641A (ja) * 1988-11-09 1990-05-17 Nagase Denshi Kagaku Kk フオトレジスト組成物
KR100220953B1 (ko) * 1996-12-31 1999-10-01 김영환 아미드 또는 이미드를 도입한 ArF 감광막 수지

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101249681B1 (ko) 2008-01-23 2013-04-05 주식회사 엘지화학 바인더 수지 및 이를 포함하는 감광성 수지조성물과, 이감광성 수지조성물에 의해 제조된 컬럼스페이서

Also Published As

Publication number Publication date
GB2336846B (en) 2002-09-04
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JPH11349637A (ja) 1999-12-21
KR19990081721A (ko) 1999-11-15
DE19919795A1 (de) 1999-12-16
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GB9909920D0 (en) 1999-06-30
US6225020B1 (en) 2001-05-01

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