JPH05297591A - ポジ型放射線レジストとレジストパターンの形成方法 - Google Patents
ポジ型放射線レジストとレジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH05297591A JPH05297591A JP4099967A JP9996792A JPH05297591A JP H05297591 A JPH05297591 A JP H05297591A JP 4099967 A JP4099967 A JP 4099967A JP 9996792 A JP9996792 A JP 9996792A JP H05297591 A JPH05297591 A JP H05297591A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- radiation
- copolymers
- carboxylic acid
- bicyclo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポジ型レジストに関し、エキシマーレーザを
光源とし、高感度でサブミクロンパターンを解像可能な
レジストを実用化することを目的とする。 【構成】 ビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カルボ
ン酸エステルとN-シクロヘキシルマレイミドとの共重合
体と、放射線により酸を発生する酸発生剤とを混合して
レジストを作り、このレジストを被処理基板上に塗布
し、放射線の選択露光を行なった後にアルカリ現像する
ことを特徴としてレジストパターンを形成する。
光源とし、高感度でサブミクロンパターンを解像可能な
レジストを実用化することを目的とする。 【構成】 ビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カルボ
ン酸エステルとN-シクロヘキシルマレイミドとの共重合
体と、放射線により酸を発生する酸発生剤とを混合して
レジストを作り、このレジストを被処理基板上に塗布
し、放射線の選択露光を行なった後にアルカリ現像する
ことを特徴としてレジストパターンを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポジ型放射線レジストと
このレジストパターンの形成方法に関する。半導体集積
回路は集積化が進んでＬＳＩやＶＬＳＩが実用化されて
いるが、これは主として導体線路や電極などの微細化に
より実現されているものであり、導体線路の最小線幅は
サブミクロン（Sub-micron) に及んでいる。
このレジストパターンの形成方法に関する。半導体集積
回路は集積化が進んでＬＳＩやＶＬＳＩが実用化されて
いるが、これは主として導体線路や電極などの微細化に
より実現されているものであり、導体線路の最小線幅は
サブミクロン（Sub-micron) に及んでいる。
【０００２】こゝで、これらの微細パターンの形成は薄
膜形成技術と写真蝕刻技術( フォトリソグラフィ) によ
り作られているが、リソグラフィの分野では微細化に対
応する方法として露光光源の紫外線波長をより短波長へ
と移行させている。
膜形成技術と写真蝕刻技術( フォトリソグラフィ) によ
り作られているが、リソグラフィの分野では微細化に対
応する方法として露光光源の紫外線波長をより短波長へ
と移行させている。
【０００３】これに伴い、レジストも短波長での光吸収
がなるべく少なく、高感度で且つドライエッチング耐性
の優れた材料の開発が急務となっている。
がなるべく少なく、高感度で且つドライエッチング耐性
の優れた材料の開発が急務となっている。
【０００４】
【従来の技術】レジスト材料として従来よりフェノール
樹脂を用いるものが多数開発されてきた。
樹脂を用いるものが多数開発されてきた。
【０００５】然し、これらの材料は芳香族環を含むため
に短波長の光の吸収が大きく、遠紫外線の露光光源に対
しては使用できない。一方、短波長の光の吸収が少ない
樹脂としてポリメチルメタクリレート(PMMA) などが検
討されているが、感度が低いことゝドライエッチング耐
性が劣ることから実用には適していない。
に短波長の光の吸収が大きく、遠紫外線の露光光源に対
しては使用できない。一方、短波長の光の吸収が少ない
樹脂としてポリメチルメタクリレート(PMMA) などが検
討されているが、感度が低いことゝドライエッチング耐
性が劣ることから実用には適していない。
【０００６】また、類似の化合物として本発明の構成成
分であるビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カルボン
酸エステルと二酸化硫黄(SO2) との共重合体があり、優
れたドライエッチング耐性をもつ主鎖断裂型のポジ型電
子線レジストとして報告されている。〔例えばN.Aoki
他,Polym.Preprints,Jpn.,36(7),2063(1987)〕然し、こ
の共重合体は遠紫外光領域での吸収が少ないことゝ、電
子線に較べてKrF エキシマーレーザ( 波長249nm)のエネ
ルギーは弱いために主鎖が断裂するまでに到らない。
分であるビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カルボン
酸エステルと二酸化硫黄(SO2) との共重合体があり、優
れたドライエッチング耐性をもつ主鎖断裂型のポジ型電
子線レジストとして報告されている。〔例えばN.Aoki
他,Polym.Preprints,Jpn.,36(7),2063(1987)〕然し、こ
の共重合体は遠紫外光領域での吸収が少ないことゝ、電
子線に較べてKrF エキシマーレーザ( 波長249nm)のエネ
ルギーは弱いために主鎖が断裂するまでに到らない。
【０００７】従って、KrF エキシマーレーザでの露光は
難しいと云う問題がある。
難しいと云う問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】サブミクロンの微細パ
ターンを形成するには遠紫外光に対して透明性が優れ、
充分なドライエッチング耐性をもった高感度のレジスト
を使用する必要がある。
ターンを形成するには遠紫外光に対して透明性が優れ、
充分なドライエッチング耐性をもった高感度のレジスト
を使用する必要がある。
【０００９】然し、これらの条件を総て満たしたレジス
トは未だ実用化されていない。そこて、この条件を満た
した放射線レジストの開発が課題である。
トは未だ実用化されていない。そこて、この条件を満た
した放射線レジストの開発が課題である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題はビシクロ[
2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カルボン酸エステルとN-シク
ロヘキシルマレイミドとの共重合体と、放射線により酸
を発生する酸発生剤とを混合してレジストを作り、この
レジストを被処理基板上に塗布し、放射線の選択露光を
行なった後にアルカリ現像することを特徴としてレジス
トパターンを形成することにより解決することができ
る。
2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カルボン酸エステルとN-シク
ロヘキシルマレイミドとの共重合体と、放射線により酸
を発生する酸発生剤とを混合してレジストを作り、この
レジストを被処理基板上に塗布し、放射線の選択露光を
行なった後にアルカリ現像することを特徴としてレジス
トパターンを形成することにより解決することができ
る。
【００１１】
【作用】本発明は先に記した主鎖断裂型の電子線レジス
トを構成する成分の一つであるビシクロ[ 2.2.1]ヘプト
-5- エン-2- カルボン酸エステルを用いる点は似ている
が、機作を全く異にしている。
トを構成する成分の一つであるビシクロ[ 2.2.1]ヘプト
-5- エン-2- カルボン酸エステルを用いる点は似ている
が、機作を全く異にしている。
【００１２】すなわち、前記のレジストは電子線の照射
によりSO2 基の位置で主鎖が切れて低分子量化すること
により照射部のレジストが現像液に溶解するタイプであ
る。一方、本発明に係るレジストは放射線照射により照
射部に存在する酸発生剤よりプロトン酸が発生し、この
プロトン酸によりビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2-
カルボン酸エステルを構成するカルボン酸エステルがカ
ルボン酸になり、アルカリ現像液に溶解するようにした
化学増幅型レジストである。
によりSO2 基の位置で主鎖が切れて低分子量化すること
により照射部のレジストが現像液に溶解するタイプであ
る。一方、本発明に係るレジストは放射線照射により照
射部に存在する酸発生剤よりプロトン酸が発生し、この
プロトン酸によりビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2-
カルボン酸エステルを構成するカルボン酸エステルがカ
ルボン酸になり、アルカリ現像液に溶解するようにした
化学増幅型レジストである。
【００１３】そこで、本発明においては、カルボン酸の
エステル部に酸により容易に脱離し得る官能基としてt-
ブチル基またはテトラヒドロピラニル基を導入した。ま
た、ビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カルボン酸エ
ステル単独では重合体を作りにくいことから、共重合体
を作り易い有機化合物として知られているN-シクロヘキ
シルマレイミドと共重合体を形成した。
エステル部に酸により容易に脱離し得る官能基としてt-
ブチル基またはテトラヒドロピラニル基を導入した。ま
た、ビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カルボン酸エ
ステル単独では重合体を作りにくいことから、共重合体
を作り易い有機化合物として知られているN-シクロヘキ
シルマレイミドと共重合体を形成した。
【００１４】そして、この共重合体と放射線によりプロ
トン酸を発生する酸発生剤（PhotoAcid Generator略称P
AG)とを混合してポジ型レジストを形成したものであ
る。なお、酸発生剤としてはトリアリールスルホニウム
塩, ジアリールヨードニウム塩, スルホン酸塩, ハロゲ
ン化物などが知られており、光照射によりこれらの酸発
生剤から発生するプロトン酸が露光後に行なわれるベー
ク( 熱処理) 工程において触媒として共重合体に作用
し、エステル基の脱離反応を連鎖的に生じさせると共に
極性を変化させるのである。
トン酸を発生する酸発生剤（PhotoAcid Generator略称P
AG)とを混合してポジ型レジストを形成したものであ
る。なお、酸発生剤としてはトリアリールスルホニウム
塩, ジアリールヨードニウム塩, スルホン酸塩, ハロゲ
ン化物などが知られており、光照射によりこれらの酸発
生剤から発生するプロトン酸が露光後に行なわれるベー
ク( 熱処理) 工程において触媒として共重合体に作用
し、エステル基の脱離反応を連鎖的に生じさせると共に
極性を変化させるのである。
【００１５】すなわち、t-ブチル基を備えたカルボン酸
エステルは露光による酸と反応し、カルボン酸と2-メチ
ルプロペンとなり、プロトン酸を再生する。また、テト
ラヒドロピラニル基を備えたカルボン酸エステルは同様
にカルボン酸とジヒドロピランとなり、プロトン酸を再
生する。
エステルは露光による酸と反応し、カルボン酸と2-メチ
ルプロペンとなり、プロトン酸を再生する。また、テト
ラヒドロピラニル基を備えたカルボン酸エステルは同様
にカルボン酸とジヒドロピランとなり、プロトン酸を再
生する。
【００１６】このように官能基が変化するときプロトン
酸を再生する増幅型であることから高感度を得ることが
でき、またアルカリ溶液により現像できるため膨潤のな
いパターンを得ることができる。
酸を再生する増幅型であることから高感度を得ることが
でき、またアルカリ溶液により現像できるため膨潤のな
いパターンを得ることができる。
【００１７】
合成例１：（ビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カル
ボン酸テトラヒドロピラニルの合成） 100ccのナス型フラスコにテフロン被覆をしたスターラ
ーバーと、 ビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カルボン酸(endo,exo の混合物) ・・・・・・6.21ｇ（44.9 mモル) 2,3-ジヒドロピラン・・・・・・・・・・・・4.16ｇ（49.4 mモル) 塩化メチレン ・・・・・・・・・・・・50 ml ピリジウム-p- トルエンスルホネート・・・・56 mｇ(220μモル) を入れ、室温で４時間、次いで還流下で６時間窒素雰囲
気下で攪拌した。
ボン酸テトラヒドロピラニルの合成） 100ccのナス型フラスコにテフロン被覆をしたスターラ
ーバーと、 ビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カルボン酸(endo,exo の混合物) ・・・・・・6.21ｇ（44.9 mモル) 2,3-ジヒドロピラン・・・・・・・・・・・・4.16ｇ（49.4 mモル) 塩化メチレン ・・・・・・・・・・・・50 ml ピリジウム-p- トルエンスルホネート・・・・56 mｇ(220μモル) を入れ、室温で４時間、次いで還流下で６時間窒素雰囲
気下で攪拌した。
【００１８】次に、薄層クロマトグラフィで原料の消失
を確認した後、反応溶液を200cc の分液ロートにあけ、
希炭酸水素カリウム水溶液で洗浄した。次に、水層を塩
化メチレンで３回抽出した後、先の油層と合わせて飽和
食塩水で洗浄した。
を確認した後、反応溶液を200cc の分液ロートにあけ、
希炭酸水素カリウム水溶液で洗浄した。次に、水層を塩
化メチレンで３回抽出した後、先の油層と合わせて飽和
食塩水で洗浄した。
【００１９】そして、油層を無水硫酸ナトリウムで乾燥
させ、濾別後に溶媒を減圧下で留去して粗生成物を得
た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製
し、酢酸エチル：ヘキサン＝４：96で溶出される部分を
集め、無色透明な目的とする化合物を得た。収量は9.98
ｇ（定量的）であり、赤外吸収スペクトルは次のようで
ある。 ＩＲ（KBr neat,cm-1) ：3061(w), 2946, 2875, 1741
(s), 1627(w), 1444(m), 1170, 1127, 1038, 1023, 89
7, 873, 712 合成例２：（ビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カル
ボン酸t-ブチルの合成 200ccのナス型フラスコにテフロン被覆をしたスターラ
ーバーと、 蒸留したばかりのシクロペンタジエン・・・・・22.0ｇ（333mモル) アクリル酸t-ブチル ・・・・・・・・・・11.64 ｇ（90.8 mモル) トルエン ・・・・・・・・・・54.5 ml を入れ、窒素雰囲気下で室温で12時間に亙って室温で攪
拌した後、薄層クロマトグラフィで原料の消失を確認し
た。
させ、濾別後に溶媒を減圧下で留去して粗生成物を得
た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製
し、酢酸エチル：ヘキサン＝４：96で溶出される部分を
集め、無色透明な目的とする化合物を得た。収量は9.98
ｇ（定量的）であり、赤外吸収スペクトルは次のようで
ある。 ＩＲ（KBr neat,cm-1) ：3061(w), 2946, 2875, 1741
(s), 1627(w), 1444(m), 1170, 1127, 1038, 1023, 89
7, 873, 712 合成例２：（ビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カル
ボン酸t-ブチルの合成 200ccのナス型フラスコにテフロン被覆をしたスターラ
ーバーと、 蒸留したばかりのシクロペンタジエン・・・・・22.0ｇ（333mモル) アクリル酸t-ブチル ・・・・・・・・・・11.64 ｇ（90.8 mモル) トルエン ・・・・・・・・・・54.5 ml を入れ、窒素雰囲気下で室温で12時間に亙って室温で攪
拌した後、薄層クロマトグラフィで原料の消失を確認し
た。
【００２０】次に、減圧下で溶媒を留去して減圧蒸留
(0.32mmHg)を行い沸点が44.0〜50.0℃の部分を集め、無
色透明な目的物を得た。収量は15.21 ｇ（86.2％)であ
り、赤外吸収スペクトルは次のようである。 ＩＲ（KBr neat,cm-1) ：3063(w), 2977, 2873(w), 172
9(s), 1457(m), 1368, 1337, 1154, 1110, 853(m), 711 合成例３：（ビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カル
ボン酸テトラヒドロピラニルとN-シクロヘキシルマレイ
ミドの共重合体） 100cc のナス型フラスコにテフロン被覆をしたスターラ
ーバーと、 合成例１で合成したビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カルボン酸テトラヒド ロピラニル ・・・・・・・・・・15.70 ｇ（70.6 mモル) N-シクロヘキシルマレイミド ・・・・・・・・ 6.33 ｇ（35.3 mモル) アゾビスイソブチロニトリル ・・・・・・・・348 mｇ（2.1mモル) トルエン ・・・・・・・・21 ml を入れ、窒素雰囲気下で80℃で８時間に亙って攪拌し
た。
(0.32mmHg)を行い沸点が44.0〜50.0℃の部分を集め、無
色透明な目的物を得た。収量は15.21 ｇ（86.2％)であ
り、赤外吸収スペクトルは次のようである。 ＩＲ（KBr neat,cm-1) ：3063(w), 2977, 2873(w), 172
9(s), 1457(m), 1368, 1337, 1154, 1110, 853(m), 711 合成例３：（ビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カル
ボン酸テトラヒドロピラニルとN-シクロヘキシルマレイ
ミドの共重合体） 100cc のナス型フラスコにテフロン被覆をしたスターラ
ーバーと、 合成例１で合成したビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カルボン酸テトラヒド ロピラニル ・・・・・・・・・・15.70 ｇ（70.6 mモル) N-シクロヘキシルマレイミド ・・・・・・・・ 6.33 ｇ（35.3 mモル) アゾビスイソブチロニトリル ・・・・・・・・348 mｇ（2.1mモル) トルエン ・・・・・・・・21 ml を入れ、窒素雰囲気下で80℃で８時間に亙って攪拌し
た。
【００２１】そして反応溶液を少量のヒドロキノンを含
む２リットルのメタノールに滴下して沈澱させ、ガラス
フィルタで沈澱を濾別し、40℃,0.2mmHgで６時間乾燥し
た。得られた粉末をテトラヒドロフランに溶解させ、沈
澱，濾別，乾燥を２回繰り返し、40℃,0.2mmHgで16時間
乾燥させ、白色粉末を得た。
む２リットルのメタノールに滴下して沈澱させ、ガラス
フィルタで沈澱を濾別し、40℃,0.2mmHgで６時間乾燥し
た。得られた粉末をテトラヒドロフランに溶解させ、沈
澱，濾別，乾燥を２回繰り返し、40℃,0.2mmHgで16時間
乾燥させ、白色粉末を得た。
【００２２】この共重合体の248nm における透過率は93
％とフェノールノボラック樹脂(30％)に較べて高かっ
た。収量は8.92ｇ（40.5％)であり、赤外吸収スペクト
ルは次のようである。 ＩＲ（KRS-5,cm-1) ：2935, 2857, 1769, 1698(s), 145
3, 1402, 1376, 1347, 1200, 1147, 1037, 896, 634(m) 組成比： ノルボルナン：マレイミド＝31：69( プロ
トン核磁気共鳴から) 重量平均分子量：6900, 分散：1.33 合成例４：（ビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カル
ボン酸t-ブチルとN-シクロヘキシルマレイミドの共重合
体） 50ccのナス型フラスコにテフロン被覆をしたスターラー
バーと、 合成例２で合成したビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カルボン酸t-ブチル ・・・・・・・・・・ 3.15 ｇ（16.0 mモル) N-シクロヘキシルマレイミド ・・・・・・・・ 1.45 ｇ（8.1 mモル) アゾビスイソブチロニトリル ・・・・・・・・ 79 mｇ（480 μモル) トルエン ・・・・・・・・ 4.8 ml を入れ、窒素雰囲気下で80℃で５時間に亙って攪拌し
た。
％とフェノールノボラック樹脂(30％)に較べて高かっ
た。収量は8.92ｇ（40.5％)であり、赤外吸収スペクト
ルは次のようである。 ＩＲ（KRS-5,cm-1) ：2935, 2857, 1769, 1698(s), 145
3, 1402, 1376, 1347, 1200, 1147, 1037, 896, 634(m) 組成比： ノルボルナン：マレイミド＝31：69( プロ
トン核磁気共鳴から) 重量平均分子量：6900, 分散：1.33 合成例４：（ビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カル
ボン酸t-ブチルとN-シクロヘキシルマレイミドの共重合
体） 50ccのナス型フラスコにテフロン被覆をしたスターラー
バーと、 合成例２で合成したビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カルボン酸t-ブチル ・・・・・・・・・・ 3.15 ｇ（16.0 mモル) N-シクロヘキシルマレイミド ・・・・・・・・ 1.45 ｇ（8.1 mモル) アゾビスイソブチロニトリル ・・・・・・・・ 79 mｇ（480 μモル) トルエン ・・・・・・・・ 4.8 ml を入れ、窒素雰囲気下で80℃で５時間に亙って攪拌し
た。
【００２３】そして反応溶液を少量のヒドロキノンを含
む600 mlのメタノールに滴下して沈澱させ、ガラスフィ
ルタで沈澱を濾別し、40℃,0.2mmHgで６時間乾燥した。
得られた粉末をテトラヒドロフランに溶解させ、沈澱，
濾別，乾燥を２回繰り返し、40℃,0.2mmHgで16時間乾燥
させ、白色粉末を得た。
む600 mlのメタノールに滴下して沈澱させ、ガラスフィ
ルタで沈澱を濾別し、40℃,0.2mmHgで６時間乾燥した。
得られた粉末をテトラヒドロフランに溶解させ、沈澱，
濾別，乾燥を２回繰り返し、40℃,0.2mmHgで16時間乾燥
させ、白色粉末を得た。
【００２４】この共重合体の248nm における透過率は92
％とフェノールノボラック樹脂(30％)に較べて高かっ
た。収量は1.35ｇ（29.3％)であり、赤外吸収スペクト
ルは次のようである。 ＩＲ（KRS-5,cm-1) ：2934, 2857, 1769(m), 1698(s),
1454, 1401, 1372, 1348, 1259, 1200, 1149, 895(w),
633(w) 組成比： ノルボルナン：マレイミド＝50：50( プロ
トン核磁気共鳴から) 重量平均分子量：8100, 分散：1.33 実施例１：合成例３で合成したポリマと酸発生剤として
トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネー
トをポリマに対して20重量％加えたシクロヘキサノン溶
液を作成した。
％とフェノールノボラック樹脂(30％)に較べて高かっ
た。収量は1.35ｇ（29.3％)であり、赤外吸収スペクト
ルは次のようである。 ＩＲ（KRS-5,cm-1) ：2934, 2857, 1769(m), 1698(s),
1454, 1401, 1372, 1348, 1259, 1200, 1149, 895(w),
633(w) 組成比： ノルボルナン：マレイミド＝50：50( プロ
トン核磁気共鳴から) 重量平均分子量：8100, 分散：1.33 実施例１：合成例３で合成したポリマと酸発生剤として
トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネー
トをポリマに対して20重量％加えたシクロヘキサノン溶
液を作成した。
【００２５】そして、これをヘキサメチルジシラザン(H
MDS)処理したSiウエハ上に塗布し、100 ℃で20分ベーク
して厚さが１μm の薄膜を形成した。次に、これをKrF
エキシマーレーザステッパ(NA ＝0.37) で露光し、次い
で100 ℃で60秒間のベークを行ない、テトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイド（略称TMAH) のアルカリ現
像液で１分間現像した。
MDS)処理したSiウエハ上に塗布し、100 ℃で20分ベーク
して厚さが１μm の薄膜を形成した。次に、これをKrF
エキシマーレーザステッパ(NA ＝0.37) で露光し、次い
で100 ℃で60秒間のベークを行ない、テトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイド（略称TMAH) のアルカリ現
像液で１分間現像した。
【００２６】感度は100mJ/cm2 であり、0.5 μm のライ
ン・アンド・スペースを解像した。次に、雰囲気をC
F4 ：O2＝0.95：0.05とし、圧力0.3 torr, 電力300 Ｗ
の条件でエッチングを行なった結果、ナガセポジティブ
レジスト820(長瀬産業製) と同等以上のドライエッチン
グ耐性を示した。 実施例２：合成例４で合成したポリマと酸発生剤として
トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネー
トをポリマに対して20重量％加えたシクロヘキサノン溶
液を作成した。
ン・アンド・スペースを解像した。次に、雰囲気をC
F4 ：O2＝0.95：0.05とし、圧力0.3 torr, 電力300 Ｗ
の条件でエッチングを行なった結果、ナガセポジティブ
レジスト820(長瀬産業製) と同等以上のドライエッチン
グ耐性を示した。 実施例２：合成例４で合成したポリマと酸発生剤として
トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネー
トをポリマに対して20重量％加えたシクロヘキサノン溶
液を作成した。
【００２７】そして、これをHMDS処理したSiウエハ上に
塗布し、100 ℃で20分ベークして厚さが１μm の薄膜を
形成した。次に、これをKrF エキシマーレーザステッパ
(NA ＝0.37) で露光し、次いで100 ℃で60秒間のベーク
を行ない、TMAHのアルカリ現像液で１分間現像した。
塗布し、100 ℃で20分ベークして厚さが１μm の薄膜を
形成した。次に、これをKrF エキシマーレーザステッパ
(NA ＝0.37) で露光し、次いで100 ℃で60秒間のベーク
を行ない、TMAHのアルカリ現像液で１分間現像した。
【００２８】感度は50 mJ/cm2 であり、0.5 μm のライ
ン・アンド・スペースを解像した。次に、雰囲気をC
F4 ：O2＝0.95：0.05とし、圧力0.3 torr, 電力300 Ｗ
の条件でエッチングを行なった結果、ナガセポジティブ
レジスト820(長瀬産業製) と同等以上のドライエッチン
グ耐性を示した。
ン・アンド・スペースを解像した。次に、雰囲気をC
F4 ：O2＝0.95：0.05とし、圧力0.3 torr, 電力300 Ｗ
の条件でエッチングを行なった結果、ナガセポジティブ
レジスト820(長瀬産業製) と同等以上のドライエッチン
グ耐性を示した。
【００２９】
【発明の効果】本発明によればKrF エキシマーレーザを
光源とし、高感度で且つエッチング耐性が優れたサブミ
クロンレジストパターンを形成することができる。
光源とし、高感度で且つエッチング耐性が優れたサブミ
クロンレジストパターンを形成することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 下記の構造式（１）で表される繰り返し
単位をもつビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カルボ
ン酸エステルとN-シクロヘキシルマレイミドとの共重合
体と、放射線により酸を発生する酸発生剤との混合物よ
りなることを特徴とするポジ型放射線レジスト。 【化１】 - 【請求項２】 請求項１記載のポジ型レジストを被処理
基板上に塗布し、放射線の選択露光を行なった後にアル
カリ現像することを特徴とするレジストパターンの形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4099967A JPH05297591A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | ポジ型放射線レジストとレジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4099967A JPH05297591A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | ポジ型放射線レジストとレジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05297591A true JPH05297591A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14261447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4099967A Withdrawn JPH05297591A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | ポジ型放射線レジストとレジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05297591A (ja) |
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-
1992
- 1992-04-20 JP JP4099967A patent/JPH05297591A/ja not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|
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