KR20030017238A - 산 확산 방지용 포토레지스트 공중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포토리소그래피 공정 중 노광 공정에 의해 노광부에서 발생된 산이 비노광부로 확산되는 것을 방지하기 위한 산 확산 방지용 포토레지스트 공중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물에 관한 것으로서, 적어도 1 이상의 공중합 가능한 탄소-탄소 이중결합을 갖는 화합물로서, 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 포토레지스트 공중합체를 포토레지스트 조성물에 첨가하여 초미세 패턴을 형성하면, 라인 가장자리 거칠음 (Line Edge Roughness : LER) 및 슬로우프 (Slope)를 개선시키고 탑 로스 (Top loss)를 제거함으로써 패턴의 모양을 개선시킬 수 있고, 아울러 기판에 대한 포토레지스트 패턴의 접착력 (Adhesion)을 향상시킬 수 있다.
<화학식 1>
상기 식에서,
n은 1 내지 5 중에서 선택되는 정수이다.

Description

산 확산 방지용 포토레지스트 공중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물{Photoresist copolymer for preventing acid diffusion, and photoresist composition comprising the same}
본 발명은 산 확산 방지용 포토레지스트 공중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 포토리소그래피 공정 중 노광 공정에 의해 노광부에서 발생된 산이 비노광부로 확산되는 것을 방지하기 위하여 사용하는 포토레지스트 공중합체, 그 공중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물 및이를 이용한 패턴 형성방법에 관한 것이다.
반도체 제조공정에 있어 고감도의 초미세 패턴을 형성하기 위해, 근래에는 화학증폭성인 DUV(Deep Ultra Violet) 포토레지스트가 각광을 받고 있으며, 그 조성은 광산발생제(photoacid generator)와 산에 민감하게 반응하는 구조의 고분자 화합물을 배합하여 제조한다.
이러한 포토레지스트의 작용 기전은 광산발생제가 광원으로부터 자외선 빛을 받게 되면 산을 발생시키고, 이렇게 발생된 산에 의해 노광후 베이크 공정에서 매트릭스 고분자 화합물의 주쇄 또는 측쇄가 반응하여 분해되거나, 가교결합되면서 고분자 화합물의 극성이 크게 변하여, 노광부위와 비노광부위가 현상액에 대해 서로 다른 용해도를 갖게 된다. 예를 들어, 포지티브 포토레지스트의 경우, 노광부에서는 산이 발생되고, 발생된 산이 노광후 베이크 공정에서 매트릭스 고분자 화합물과 반응하여 고분자의 주쇄 또는 측쇄가 분해되어 후속 현상공정에서 녹아 없어지게 된다. 반면, 비노광부위에서는 산이 발생되지 않으므로 본래의 고분자 화합물 구조를 그대로 갖기 때문에 후속 현상공정에서 녹지 않는다. 그 결과, 마스크의 상이 기판 위에 양화상으로 남겨진다.
그런데, 노광공정 또는 노광후 지연(PED ; post exposure delay)시에 노광부에서 발생된 산의 일부가 비노광부로 불규칙적으로 확산됨으로써 라인 가장자리 거칠음 (Line Edge Roughness : 이하 "LER"이라 칭함)이 심해지고 패턴의 모양이 일그러지는 현상, 즉 탑 로스 (Top loss)나 슬로우프 (slope)가 관찰되었다.
이러한 산 확산 현상을 방지하기 위해, 종래에는 노광공정에서 발생된 산과결합가능한 약염기성 아민 또는 아미드 화합물을 화학증폭형 포토레지스트 조성물에 첨가함으로써, 노광부에서 발생된 산이 비노광부로 확산되는 것을 방지하고 있다.
그러나, 상기 아민 또는 아미드 화합물은 250nm 이하의 극단파장 영역, 예를 들어 ArF(193nm)의 파장영역에서 광흡수도가 커서 포토레지스트 조성물의 감도(sensitivity)를 저하시키는 문제가 있었다. 아울러 이들 염기의 확산 또한 불균일하기 때문에 LER이 커지는 효과를 초래하였다.
상기한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 극단파장 영역에서 광흡수도가 낮으면서도, 노광부에서 발생된 산의 확산을 효과적으로 방지할 수 있는 포토레지스트 공중합체 및 그 공중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 상기 산 확산 방지용 포토레지스트 공중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물을 사용함으로써, 250nm 이하의 극단파장 광원을 채용하는 리소그래피 공정에서 보다 우수한 프로파일을 갖는 미세패턴 형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예 14에서 얻어진 패턴의 사진이고,
도 2는 본 발명의 실시예 15에서 얻어진 패턴의 사진이고,
도 3은 본 발명의 실시예 16에서 얻어진 패턴의 사진이고,
도 4는 본 발명의 실시예 17에서 얻어진 패턴의 사진이고,
도 5는 본 발명의 실시예 18에서 얻어진 패턴의 사진이고,
도 6은 본 발명의 실시예 19에서 얻어진 패턴의 사진이며,
도 7은 본 발명의 실시예 20에서 얻어진 패턴의 사진이다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 산 확산 방지용 포토레지스트 공중합체를 제공한다.
또한, 본 발명에서는 상기한 산 확산 방지용 포토레지스트 공중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용하여 포토레지스트 미세 패턴을 형성하는 방법을 제공한다.
본 발명자들은 많은 연구와 실험을 거쳐, 에틸렌옥시 구조 단위를 포함하는 다산소 함유 화합물이 노광공정에서 발생된 산의 확산을 방지하는데 효과적이라는 사실에 기인하여, 적어도 1 이상의 공중합 가능한 탄소-탄소 이중결합을 갖는 동시에 에틸렌옥시 구조 단위를 포함하는 다산소 함유 화합물의 반복단위를 포함하는 공중합체가 산 확산 방지용 포토레지스트 공중합체로 사용되기에 적합함을 발견하였다.
즉, 대부분의 산소를 함유하는 화합물 예를 들어, 에테르의 경우, 염기성 (basicity)이 무시할 수 있을 정도로 미약하다. 그러나, 수 개의 산소를 함유하는 크라운 에테르 화합물의 경우, 여러 개의 산소가 규칙적으로 배열되어 있으며, 이들의 고립전자쌍이 좁은 공간에 밀집되어 협동효과 (cooperative effect)를 나타내므로, 일반적인 에테르 화합물과 달리 상당한 정도의 염기성을 띄게 된다. 더구나, 에틸렌옥시 구조 단위를 포함하는 다산소 함유 화합물은 일반적으로 산 또는 양이온 수송능력이 뛰어나다. 따라서, 상기 염기성 공간 (basic capacity)은 산을 포집할 뿐만 아니라, 다시 놓아주는 완충 역할을 훌륭히 수행함으로써 일반 염기 사용시처럼 포토레지스트의 감도를 크게 저하시키지 않는다. 또한 포토레지스트 자체가 산의 완충 및 수송 기능을 갖춤으로써 후속되는 현상공정에서 비노광부 패턴의 표면 손상을 예방할 뿐만 아니라 균일 확산 (homogeneous diffusion)을 유발시켜 LER 개선에 크게 이바지한다.
본 발명에 따른 에틸렌옥시 구조 단위를 포함하는 다산소 함유 화합물의 반복단위를 포함하는 포토레지스트 공중합체는 종래의 산 확산 방지용 첨가물질인 아민이나 아미드와 달리, 250nm 이하의 극단파장 영역의 광에 대한 흡수도가 낮기 때문에 이를 함유하는 포토레지스트 조성물의 광민감도가 열화될 염려가 없다.
또한, 에틸렌옥시 구조 단위를 포함하는 다산소 함유 화합물이 유기층과 수용액층간의 상전이(相轉移) 촉매로 사용되고 있는 점에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 포토레지스트 조성물은 유기층과 수용액층간의 원활한 접촉을 유발시켜 현상시 LER 향상에도 기여할 수 있을 뿐만 아니라 실리콘 산화막과도 강한 결합을 형성하여 기판과 포토레지스트 패턴간의 접착력을 향상시킬 수 있는 부수적인 효과도 얻을 수 있다.
본 발명의 산 확산 방지용 포토레지스트 공중합체는 적어도 1 이상의 공중합 가능한 탄소-탄소 이중결합을 갖는 화합물로서, 하기 화학식 1로 표시되는 에틸렌옥시 구조 단위를 갖는 다산소 함유 화합물을 반복단위로 포함한다.
<화학식 1>
상기 식에서,
n은 1 내지 5 중에서 선택되는 정수이다.
상기 적어도 1 이상의 공중합 가능한 탄소-탄소 이중결합을 갖는 화합물은 이중결합을 갖는 어떠한 화합물도 가능하며, 예를 들어 비닐렌 유도체; 노르보넨유도체; 본 출원인에 의해 출원된 특허출원번호 제97-26807호, 제97-77412호, 제97-81403호, 제98-34695호, 제99-16255호 및 제99-31299호; 또는 US 5,212,043 (1993. 5. 18), WO 97/33198 (1997. 9. 12), WO 96/37526 (1996. 11. 28), EP 0 794 458 (1997. 9. 10), EP 0 789 278 (1997. 8. 13), US 6,132,926 (2000. 10. 17) 및 US 6,180,316 B1 (2001. 1. 30) 등에 개시된 이중결합을 갖는 화합물 등을 포함한다.
본 발명에 따른 바람직한 다산소 함유 화합물의 반복단위는 하기 화학식 2a 내지 2f로 표시되는 화합물을 포함한다.
<화학식 2a>
<화학식 2b>
<화학식 2c>
<화학식 2d>
X는 N 또는 CH이다.
<화학식 2e>
<화학식 2f>
상기 식에서,
n은 1 내지 5 중에서 선택되는 정수이다.
이러한 상기 화학식 2a 내지 2f의 반복단위는 각각 하기 화학식 9a 내지 9f의 다산소 함유 화합물이 부가 중합될 때에 이중결합이 끊어진 형태의 것이다.
<화학식 9a>
<화학식 9b>
<화학식 9c>
<화학식 9d>
<화학식 9e>
<화학식 9f>
상기 다산소 함유 화합물의 반복단위의 바람직한 예로는 하기 화학식 3a 내지 3f의 화합물을 들 수 있다.
<화학식 3a>
<화학식 3b>
<화학식 3c>
<화학식 3d>
<화학식 3e>
<화학식 3f>
또한 상기 화학식 3a 내지 3f의 반복단위는 각각 하기 화학식 10a 내지 10f의 다산소 함유 화합물이 부가 중합될 때에 이중결합이 끊어진 형태의 것이다.
<화학식 10a>
<화학식 10b>
<화학식 10c>
<화학식 10d>
<화학식 10e>
<화학식 10f>
본 발명에 따른 상기 다산소 함유 화합물은 화학증폭형 베이스 수지로서 모든 종류의 광증폭형 포토레지스트 예를 들어 KrF용, i-line용, ArF용(193nm), VUV용(157nm) 포토레지스트를 사용할 수 있으며, 이러한 베이스 수지의 일부가 본 출원인에 의해 출원된 특허출원번호 제97-26807호, 제97-77412호, 제97-81403호, 제98-34695호, 제99-16255호 및 제99-31299호에 개시되어 있고, 또한 US 5,212,043 (1993. 5. 18), WO 97/33198 (1997. 9. 12), WO 96/37526 (1996. 11. 28), EP 0 794 458 (1997. 9. 10), EP 0 789 278 (1997. 8. 13), US 6,132,926 (2000. 10. 17) 및 US 6,180,316 B1 (2001. 1. 30) 등에도 개시되어 있다.
베이스 수지 이외에도 상기 선행문헌에 개시된 모든 내용은 본 발명과 결합되어 본 발명을 구성한다.
특히, 본 발명의 포토레지스트 공중합체는 용해억제부로서, 하기 화학식 4 내지 5 중의 적어도 1 이상의 반복단위를 포함하는 것이 바람직하다.
<화학식 4>
<화학식 5>
상기 식에서,
A2및 B2는 각각 CH2, CH2CH2, 산소 또는 황이고;
k2는 0 내지 5 중에서 선택되는 정수이고;
X1, Y1, R1및 R2은 각각 수소, 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 알킬, 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 에스테르, 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 케톤, 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 카르복실산 또는 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 아세탈이고, 이때 X1과 Y1중 적어도 1 이상은 산에 민감한 보호기 (acid labile group)이고;
R3, R4, R5및 R6은 각각 수소 또는 CH3이며,
R7은 산에 민감한 보호기이다.
이때 산에 민감한 보호기란 산에 의해 탈리될 수 있는 그룹으로서, 산에 민감한 보호기가 붙어 있는 경우에는 포토레지스트가 알칼리 현상액에 의해 용해되는 것이 억제되고, 노광에 의해 발생된 산에 의해 민감한 보호기가 탈리되면 알칼리 현상액에 용해될 수 있다.
이러한 산에 민감한 보호기는 상기와 같은 역할을 수행할 수 있는 것이면 무엇이든 가능하며 이는 US 5,212,043 (1993. 5. 18), WO 97/33198 (1997. 9. 12), WO 96/37526 (1996. 11. 28), EP 0 794 458 (1997. 9. 10), EP 0 789 278 (1997. 8. 13) 및 US 6,132,926 (2000. 10. 17) 및 US 6,180,316 B1 (2001. 1. 30) 등에 개시된 것을 포함하고, 특히 바람직하게는 -COOR로 표시되며 R이 t-부틸, 2,3,3-트리메틸부틸, 2-메틸 2-아다만틸, 2-에틸 2-아다만틸, 8-에틸-8-트리사이클로데카닐, 테트라하이드로피란-2-일, 2-메틸 테트라하이드로피란-2-일, 테트라하이드로퓨란-2-일, 2-메틸 테트라하이드로퓨란-2-일, 1-메톡시프로필, 1-메톡시-1-메틸에틸, 1-에톡시프로필, 1-에톡시-1-메틸에틸, 1-메톡시에틸, 1-에톡시에틸, t-부톡시에틸, 1-이소부톡시에틸 또는 2-아세틸멘트-1-일이다.
또, 본 발명의 산확산 방지용 포토레지스트 공중합체는 접착력 향상, 중합수율 향상 등을 위해, 하기 화학식 6 내지 7 중의 1 이상을 추가로 더 포함할 수 있다.
<화학식 6>
상기 식에서,
A3및 B3은 각각 CH2, CH2CH2, 산소 또는 황이고;
k3은 0 내지 5 중에서 선택되는 정수이고;
X2, Y2, R8및 R9은 각각 수소, 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 알킬, 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 에스테르, 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 케톤, 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 카르복실산 또는 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 아세탈이고, 이때 X2와 Y2중 적어도 1 이상은 -COOR′로, R′은 히드록시 알킬이며;
R10및 R11은 각각 수소 또는 CH3이다.
<화학식 7>
본 발명에 따른 바람직한 포토레지스트 공중합체의 예로는 하기 화학식 8a 내지 8g의 화합물을 들 수 있다.
<화학식 8a>
a+d : b : c = 1∼98 몰% : 0∼60 몰% : 0.1∼20몰%
<화학식 8b>
a+d : b : c = 1∼98 몰% : 0∼60 몰% : 0.1∼20몰%
<화학식 8c>
b : c : d : e = 0∼60 몰% : 0.1∼20 몰% : 1∼98 몰% : 0∼49 몰%
<화학식 8d>
a+d : b : c : e = 1∼98 몰% : 0∼60 몰% : 0.1∼20몰% : 0∼49 몰%
<화학식 8e>
a+d : b : c = 1∼98 몰% : 0∼60 몰% : 0.1∼20몰%
<화학식 8f>
a+d : b : c = 1∼98 몰% : 0∼60 몰% : 0.1∼20 몰%
<화학식 8g>
a : b : c : e = 1∼98 몰% : 0∼60 몰% : 0.1∼20 몰% : 0∼49 몰%
본 발명의 포토레지스트 공중합체는 필요에 따라 기타 공단량체 또는 첨가제 등을 포함할 수 있다.
본 발명에서는 또한 상기 포토레지스트 공중합체를 포함하는 포토레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 (i) 전술한 다산소 함유 화합물의 반복단위를 포함하는 광증폭형 포토레지스트 공중합체 (ii) 광산발생제 및 (iii) 유기용매를 포함한다. 특히, 본 발명에 따른 포토레지스트 공중합체는 250nm 이하의 극단파장 영역 광원을 사용하는 리소그래피 공정용 포토레지스트 조성물 제조에 보다 적합하다.
한편, 본 발명의 포토레지스트 조성물은 전술한 바와 같이, 다산소 함유 화합물의 반복단위를 포함하는 포토레지스트 공중합체를 첨가하여 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 통상의 화학증폭형 포토레지스트 공중합체를 포함하는 포토레지스트 조성물에 상기 다산소 함유 화합물을 직접 첨가하여 제조할 수도 있다.
상기 광산발생제로는 빛에 의해 산을 발생할 수 있는 화합물이면 무엇이든 사용가능하며, US 5,212,043 (1993. 5. 18), WO 97/33198 (1997. 9. 12), WO 96/37526 (1996. 11. 28), EP 0 794 458 (1997. 9. 10), EP 0 789 278 (1997. 8. 13), US 6,132,926 (2000. 10. 17) 및 US 6,180,316 B1 (2001. 1. 30) 등에 개시된 것을 포함하고, 주로 황화염계 또는 오니움염계 화합물을 사용한다.
바람직하게는 디페닐요도염 헥사플루오로포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 포스페이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트, 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트, 프탈이미도트리플루오로메탄술포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디술폰 또는 나프틸이미도트리플루오로메탄술포네이트 등에서 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하여 사용할 수 있다.
이때 광산발생제는 상기 포토레지스트 공중합체에 대해 0.01 내지 10 중량% 비율로 사용되는 것이 바람직하다. 광산발생제가 0.01 중량% 이하의 양으로 사용될 때에는 포토레지스트의 광에 대한 민감도가 취약하게 되고 10 중량% 이상 사용될 때에는 광산발생제가 원자외선을 많이 흡수하고 산이 다량 발생되어 단면이 좋지 않은 패턴을 얻게 된다.
또한, 상기 유기용매로는 포토레지스트 조성물에 통상적으로 사용되는 유기용매는 무엇이든 사용가능하며, US 5,212,043 (1993. 5. 18), WO 97/33198 (1997.9. 12), WO 96/37526 (1996. 11. 28), EP 0 794 458 (1997. 9. 10), EP 0 789 278 (1997. 8. 13), US 6,132,926 (2000. 10. 17) 및 US 6,180,316 B1 (2001. 1. 30) 등에 개시된 것을 포함하고, 바람직하게는 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 사이클로헥사논, 사이클로펜타논, 2-헵타논, 에틸락테이트 또는 γ-부티로락톤을 사용한다.
이때 유기용매는 상기 포토레지스트 공중합체에 대해 500 내지 2000 중량% 비율로 사용되는데, 이는 원하는 두께의 포토레지스트 막을 얻기 위한 것이다.
이렇게 제조된 포토레지스트 조성물을 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 방법은 하기와 같은 단계를 포함한다.
(a) 상기 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물을 피식각층 상부에 코팅하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계;
(b) 노광장치를 이용하여 상기 포토레지스트 막을 노광하는 단계; 및
(c) 상기 결과물을 현상하여 포토레지스트 패턴을 얻는 단계.
상기 과정에서 (b)단계의 i) 노광전 및 노광후; 또는 ii) 노광전 또는 노광후에 각각 베이크 공정을 실시하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 이 베이크 공정은 70 내지 200℃에서 수행되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 노광공정은 광원으로서 ArF, KrF, E-빔, EUV(extreme ultraviolet), 이온빔 또는 X-레이 등을 사용하여, 1 내지 100 mJ/cm2의 노광에너지로 수행되는 것이 바람직하다.
한편, 상기에서 현상 단계 (c)는 알칼리 현상액을 이용하여 수행될 수 있으며, 알칼리 현상액은 0.01 내지 5 중량%의 TMAH 수용액인 것이 바람직하다.
이를 좀더 상세히 설명하면 먼저, 피식각층인 실리콘 웨이퍼에 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물을 스핀 도포하여 포토레지스트 박막을 제조한 다음, 80 내지 150℃의 오븐 또는 열판에서 1 내지 5분간 소프트 베이크를 하고, 노광장치를 이용하여 노광한 후, 100 내지 200℃에서 노광후 베이크한다.
이렇게 노광한 웨이퍼를 2.38wt% TMAH 수용액에서 1분 30초간 침지함으로써 초미세 포토레지스트 화상을 얻을 수 있다.
본 발명에서는 또한 상기 본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용하여 제조된 반도체 소자를 제공한다.
이하 본 발명을 실시예에 의하여 상세히 설명한다. 단 실시예는 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
I. 에틸렌옥시 구조 단위를 포함하는 다산소 함유 화합물 제조
실시예 1. 화학식 10a의 다산소 함유 화합물 제조
2L의 3구 플라스크에 LiOH(0.21mol)를 넣은 후 5-노르보넨-2,2-디메탄올 (0.1mol)과 디(에틸렌글리콜)디-p-토실레이트(0.1mol)를 각각 무수 테트라하이드로퓨란 500ml에 녹인 다음 천천히 적가시켰다. 적가 후 실온에서 24시간 반응시킨 다음, 혼합물을 증류하여 용매를 제거하였다. 이 용액을 1L의 에틸아세테이트로 추출한 다음, 에틸아세테이트층을 물로 수회 세척한 후, 분리, 탈수, 여과 증류하여 상기 화학식 10a의 화합물을 얻었다 (수율 54%).
실시예 2. 화학식 10b의 다산소 함유 화합물 제조
2L의 3구 플라스크에 LiOH(0.21mol)를 넣은 후 5-노르보넨-2,3-디메탄올 (0.1mol)과 디(에틸렌글리콜)디-p-토실레이트(0.1mol)를 각각 무수 테트라하이드로퓨란 500ml에 녹인 다음 천천히 적가시켰다. 적가 후 실온에서 24시간 반응시킨 다음, 혼합물을 증류하여 용매를 제거하였다. 이 용액을 1L의 에틸아세테이트로 추출한 다음, 에틸아세테이트층을 물로 수회 세척한 후, 분리, 탈수, 여과 증류하여 상기 화학식 10b의 화합물을 얻었다 (수율 62%).
실시예 3. 화학식 10c의 다산소 함유 화합물 제조
2L의 3구 플라스크에 LiOH(0.01mol)과 트리에틸아민(0.2mol)을 넣은 후 3,6-엔도메틸렌-1,2,2,6-테트라하이드로프탈오일클로라이드(0.1mol)과 디(에틸렌글리콜) (0.1mol)을 각각 무수 테트라하이드로퓨란 500ml에 녹인 다음 천천히 적가시켰다. 적가 후 실온에서 24시간 반응시킨 다음, 고체를 여과 제거하고 혼합물을 증류하여 용매를 제거하였다. 이 용액을 1L의 에틸아세테이트로 추출한 다음, 에틸아세테이트층을 물로 수회 세척한 후, 분리, 탈수, 여과 증류하여 상기 화학식 10c의 화합물을 얻었다 (수율 74%).
실시예 4. 화학식 10d의 다산소 함유 화합물 제조
알릴 아민(0.1mol)과 탄산나트륨(0.2mol)을 500ml 무수 테트라하이드로퓨란에 녹이고, 또한 테트라(에틸렌글리콜)-디-p-토실레이트(0.1mol)를 500ml 무수 테트라하이드로퓨란에 녹인 후 이를 상기 용액에 천천히 적가시켰다. 적가 후 실온에서 24시간 반응시킨 다음, 혼합물을 증류하여 용매를 제거하였다. 이 용액에 물300ml를 첨가한 후 1L의 에틸아세테이트로 추출한 다음, 에틸아세테이트층을 물로 수회 세척한 후, 분리, 탈수, 여과 증류하여 상기 화학식 10d의 화합물 N-알릴-4-아자-12-크라운-4 (N-allyl-4-aza-crown-4)를 얻었다 (43%).
실시예 5. 화학식 10e의 다산소 함유 화합물 제조
2L의 3구 플라스크에 LiOH(0.01mol)과 트리에틸아민(0.2mol)을 넣은 후 푸마릴 클로라이드(0.1mol)와 디(에틸렌글리콜)(0.1mol)을 각각 무수 테트라하이드로퓨란 500ml에 녹인 다음 천천히 적가시켰다. 적가 후 실온에서 24시간 반응시킨 다음, 고체를 여과 제거하고 혼합물을 증류하여 용매를 제거하였다. 이 용액을 1L의 에틸아세테이트로 추출한 다음, 에틸아세테이트층을 물로 수회 세척한 후, 분리, 탈수, 여과 증류하여 상기 화학식 10e의 화합물을 얻었다 (수율 78%).
실시예 6. 화학식 10f의 다산소 함유 화합물 제조
2L의 3구 플라스크에 LiOH(0.21mol)를 넣은 후 2-부텐-1,4-디올(0.1mol)과 디(에틸렌글리콜)디-p-토실레이트(0.1mol)를 각각 무수 테트라하이드로퓨란 500ml에 녹인 다음 천천히 적가시켰다. 적가 후 실온에서 24시간 반응시킨 다음, 혼합물을 증류하여 용매를 제거하였다. 이 용액을 1L의 에틸아세테이트로 추출한 다음, 에틸아세테이트층을 물로 수회 세척한 후, 분리, 탈수, 여과 증류하여 상기 화학식 10f의 화합물을 얻었다 (수율 63%).
II. 포토레지스트 공중합체 제조
실시예 7. 화학식 8a의 포토레지스트 공중합체 제조
t-부틸 바이사이클로[2.2.1]헵트-5-엔-2-카르복실레이트(0.03mol), 실시예 1에서 제조한 화학식 10a의 화합물(0.001mol), t-부틸 메타크릴레이트(0.02mol), 말레익안하이드라이드(0.031mol), AIBN(0.05g)을 무수 테트라하이드로퓨란 10ml에 녹인후 12시간 동안 67℃에서 반응시켰다. 반응후 혼합물을 석유 에테르에 떨어뜨려 침전시킨 후 이를 여과, 건조시켜 상기 화학식 8a의 화합물을 얻었다 (수율 48%).
실시예 8. 화학식 8b의 포토레지스트 공중합체 제조
t-부틸 바이사이클로[2.2.1]헵트-5-엔-2-카르복실레이트(0.02mol), 실시예 2에서 제조한 화학식 10b의 화합물(0.001mol), 메틸 아다만틸 메타크릴레이트 (0.02mol), 말레익안하이드라이드(0.021mol), AIBN(0.05g)을 무수 테트라하이드로퓨란 10ml에 녹인후 12시간 동안 67℃에서 반응시켰다. 반응후 혼합물을 석유 에테르에 떨어뜨려 침전시킨 후 이를 여과, 건조시켜 상기 화학식 8b의 화합물을 얻었다 (수율 52%).
실시예 9. 화학식 8c의 포토레지스트 공중합체 제조
2-하이드록시에틸 바이사이클로[2.2.1]헵트-5-엔-2-카르복실레이트(0.02mol), 실시예 3에서 제조한 화학식 10c의 화합물(0.001mol), 2,3,3-트리메틸부틸 2-메타크릴레이트(0.03mol), 말레익안하이드라이드(0.021mol), AIBN(0.05g)을 무수 테트라하이드로퓨란 20ml에 녹인후 12시간 동안 67℃에서 반응시켰다. 반응후 혼합물을 메탄올/물 혼합 용액에 떨어뜨려 침전시킨 후 이를 여과, 건조시켜 상기 화학식 8c의 화합물을 얻었다 (수율 62%).
실시예 10. 화학식 8d의 포토레지스트 공중합체 제조
2-하이드록시에틸 바이사이클로[2.2.1]헵트-5-엔-2-카르복실레이트(0.01mol), t-부틸 바이사이클로 [2.2.1]헵트-5-엔-2-카르복실레이트(0.02mol), 실시예 4에서 제조한 화학식 10d의 화합물(0.0005mol), t-부틸 메타크릴레이트(0.02mol), 말레익안하이드라이드 (0.0305mol), AIBN(0.05g)을 무수 테트라하이드로퓨란 10ml에 녹인후 12시간 동안 67℃에서 반응시켰다. 반응후 혼합물을 석유 에테르에 떨어뜨려 침전시킨 후 이를 여과, 건조시켜 상기 화학식 8d의 화합물을 얻었다 (수율 42%).
실시예 11. 화학식 8e의 포토레지스트 공중합체 제조
t-부틸 바이사이클로[2.2.1]헵트-5-엔-2-카르복실레이트(0.02mol), 실시예 5에서 제조한 화학식 10e의 화합물(0.001mol), t-부틸 메타크릴레이트(0.02mol), 말레익안하이드라이드(0.021mol), AIBN(0.05g)을 무수 테트라하이드로퓨란 10ml에 녹인후 12시간 동안 67℃에서 반응시켰다. 반응후 혼합물을 석유 에테르에 떨어뜨려 침전시킨 후 이를 여과, 건조시켜 상기 화학식 8e의 화합물을 얻었다 (수율 47%).
실시예 12. 화학식 8f의 포토레지스트 공중합체 제조
t-부틸 바이사이클로[2.2.1]헵트-5-엔-2-카르복실레이트(0.02mol), 실시예 6에서 제조한 화학식 10f의 화합물(0.001mol), t-부틸 메타크릴레이트(0.02mol), 말레익안하이드라이드(0.021mol), AIBN(0.05g)을 무수 테트라하이드로퓨란 10ml에 녹인후 12시간 동안 67℃에서 반응시켰다. 반응후 혼합물을 석유 에테르에 떨어뜨려 침전시킨 후 이를 여과, 건조시켜 상기 화학식 8f의 화합물을 얻었다 (수율 45%).
실시예 13. 화학식 8g의 포토레지스트 공중합체 제조
t-부틸 바이사이클로[2.2.1]헵트-5-엔-2-카르복실레이트(0.02mol), 실시예 6에서 제조한 화학식 10f의 화합물(0.001mol), 2-하이드록시에틸 바이사이클로 [2.2.1]헵트-5-엔-2-카르복실레이트(0.02mol), 말레익안하이드라이드(0.041mol), AIBN(0.05g)을 무수 테트라하이드로퓨란 10ml에 녹인후 12시간 동안 67℃에서 반응시켰다. 반응후 혼합물을 석유 에테르에 떨어뜨려 침전시킨 후 이를 여과, 건조시켜 상기 화학식 8g의 화합물을 얻었다 (수율 51%).
III. 포토레지스트 조성물의 제조 및 패턴 형성
실시예 14 : 포토레지스트 조성물의 제조 및 포토레지스트 패턴 형성(1)
실시예 7에서 제조한 화학식 8a의 화합물(4g)을 에틸 3-에톡시프로피오네이트 25g에 녹인 후, 광산발생제인 트리페닐 설포늄 트리플레이트 0.04g을 넣고 교반하였다. 이어서, 0.20㎛ 필터로 상기 결과물 용액을 여과시켜 포토레지스트 조성물을 얻었다.
이 포토레지스트 조성물을 실리콘 웨이퍼 위에 스핀 코팅한 후, 110℃에서 90초간 소프트 베이크 한다. 이어서, ArF 레이저 노광 장비를 이용하여 0.1-40mJ/㎠의 노광에너지로 조사한 후, 110℃에서 90초간 다시 포스트 베이크를 실시하였다. 포스트 베이크 완료 후, 2.38wt%의 TMAH 수용액에서 40초간 현상한 결과, 0.11㎛의 L/S패턴이 얻어졌다 (도 1 참조).
실시예 15 : 포토레지스트 조성물의 제조 및 포토레지스트 패턴 형성(2)
실시예 7에서 제조한 화학식 8a의 화합물 대신 실시예 8에서 제조한 화학식 8b의 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 14와 동일한 방법으로 포토레지스트 조성물을 제조하고, 이를 이용하여 포토레지스트 패턴 (0.11㎛의 L/S패턴)을 얻었다 (도 2 참조).
실시예 16 : 포토레지스트 조성물의 제조 및 포토레지스트 패턴 형성(3)
실시예 7에서 제조한 화학식 8a의 화합물 대신 실시예 9에서 제조한 화학식 8c의 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 14와 동일한 방법으로 포토레지스트 조성물을 제조하고, 이를 이용하여 포토레지스트 패턴 (0.11㎛의 L/S패턴)을 얻었다 (도 3 참조).
실시예 17 : 포토레지스트 조성물의 제조 및 포토레지스트 패턴 형성(4)
실시예 7에서 제조한 화학식 8a의 화합물 대신 실시예 10에서 제조한 화학식 8d의 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 14와 동일한 방법으로 포토레지스트 조성물을 제조하고, 이를 이용하여 포토레지스트 패턴 (0.11㎛의 L/S패턴)을 얻었다 (도 4 참조).
실시예 18 : 포토레지스트 조성물의 제조 및 포토레지스트 패턴 형성(5)
실시예 7에서 제조한 화학식 8a의 화합물 대신 실시예 11에서 제조한 화학식 8e의 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 14와 동일한 방법으로 포토레지스트 조성물을 제조하고, 이를 이용하여 포토레지스트 패턴 (0.11㎛의 L/S패턴)을 얻었다 (도 5 참조).
실시예 19 : 포토레지스트 조성물의 제조 및 포토레지스트 패턴 형성(6)
실시예 7에서 제조한 화학식 8a의 화합물 대신 실시예 12에서 제조한 화학식 8f의 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 14와 동일한 방법으로 포토레지스트 조성물을 제조하고, 이를 이용하여 포토레지스트 패턴 (0.11㎛의 L/S패턴)을 얻었다 (도 6 참조).
실시예 20 : 포토레지스트 조성물의 제조 및 포토레지스트 패턴 형성(7)
실시예 7에서 제조한 화학식 8a의 화합물 대신 실시예 13에서 제조한 화학식 8g의 화합물을 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 14와 동일한 방법으로 포토레지스트 조성물을 제조하고, 이를 이용하여 포토레지스트 패턴 (0.11㎛의 L/S패턴)을 얻었다 (도 7 참조).
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 에틸렌옥시 구조 단위를 포함하는 다산소 함유 화합물의 반복단위를 포함하는 포토레지스트 공중합체를 포토레지스트 조성물에 첨가하여 초미세 패턴을 형성하면, LER 및 슬로우프를 개선시키고 탑 로스를 제거함으로써 패턴의 모양을 개선시킬 수 있었고, 아울러 기판에 대한 포토레지스트 패턴의 접착력을 향상시킬 수 있었다.

Claims (18)

  1. 적어도 1 이상의 공중합 가능한 탄소-탄소 이중결합을 갖는 화합물로서, 하기 화학식 1로 표시되는 에틸렌옥시 구조 단위를 포함하는 다산소 함유 화합물을 반복단위로서 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 공중합체:
    <화학식 1>
    상기 식에서,
    n은 1 내지 5 중에서 선택되는 정수이다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 1 이상의 공중합 가능한 탄소-탄소 이중결합을 갖는 화합물은 비닐렌 유도체 또는 노르보넨 유도체인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 공중합체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반복단위는 하기 화학식 2a 내지 2f의 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 공중합체:
    <화학식 2a>
    <화학식 2b>
    <화학식 2c>
    <화학식 2d>
    X는 N 또는 CH이고,
    <화학식 2e>
    <화학식 2f>
    상기 식에서, n은 1 내지 5 중에서 선택되는 정수이다.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 반복단위는 하기 화학식 3a 내지 3f의 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 공중합체:
    <화학식 3a>
    <화학식 3b>
    <화학식 3c>
    <화학식 3d>
    <화학식 3e>
    <화학식 3f>
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 공중합체는 하기 화학식 4 내지 5로 표시되는 반복단위 중 적어도 1 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 공중합체:
    <화학식 4>
    <화학식 5>
    상기 식에서,
    A2및 B2는 각각 CH2, CH2CH2, 산소 또는 황이고;
    k2는 0 내지 5 중에서 선택되는 정수이고;
    X1, Y1, R1및 R2은 각각 수소, 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 알킬, 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 에스테르, 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 케톤, 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 카르복실산 또는 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 아세탈이고, 이때 X1과 Y1중 적어도 1 이상은 산에 민감한 보호기 (acid labile group)이고;
    R3, R4, R5및 R6은 각각 수소 또는 CH3이며,
    R7은 산에 민감한 보호기이다.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 공중합체는 하기 화학식 6 내지 7의 반복단위 중 적어도 1 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 공중합체:
    <화학식 6>
    상기 식에서,
    A3및 B3은 각각 CH2, CH2CH2, 산소 또는 황이고;
    k3은 0 내지 5 중에서 선택되는 정수이고;
    X2, Y2, R8및 R9은 각각 수소, 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 알킬, 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 에스테르, 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 케톤, 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 카르복실산 또는 탄소수 1 내지 10사이의 측쇄 혹은 주쇄 치환된 아세탈이고, 이때 X2와 Y2중 적어도 1 이상은 -COOR′로, R′은 히드록시 알킬이며;
    R10및 R11은 각각 수소 또는 CH3이다.
    <화학식 7>
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 공중합체는 하기 8a 내지 8g로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 공중합체:
    <화학식 8a>
    a+d : b : c = 1∼98 몰% : 0∼60 몰% : 0.1∼20몰%
    <화학식 8b>
    a+d : b : c = 1∼98 몰% : 0∼60 몰% : 0.1∼20몰%
    <화학식 8c>
    b : c : d : e = 0∼60 몰% : 0.1∼20 몰% : 1∼98 몰% : 0∼49 몰%
    <화학식 8d>
    a+d : b : c : e = 1∼98 몰% : 0∼60 몰% : 0.1∼20몰% : 0∼49 몰%
    <화학식 8e>
    a+d : b : c = 1∼98 몰% : 0∼60 몰% : 0.1∼20몰%
    <화학식 8f>
    a+d : b : c = 1∼98 몰% : 0∼60 몰% : 0.1∼20 몰%
    <화학식 8g>
    a : b : c : e = 1∼98 몰% : 0∼60 몰% : 0.1∼20 몰% : 0∼49 몰%
  8. (i) 제 1 항 기재의 포토레지스트 공중합체;
    (ii) 광산발생제; 및
    (iii) 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 광산발생제는 디페닐요도염 헥사플루오로포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 포스페이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트, 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트, 프탈이미도트리플루오로메탄술포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디술폰 및 나프틸이미도트리플루오로메탄술포네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 또는 2 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 유기용매는 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 사이클로헥사논, 사이클로펜타논, 2-헵타논, 에틸락테이트, γ-부티로락톤 및 이들의 혼합용매로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  11. (a) 제 8 항 기재의 포토레지스트 조성물을 반도체 기판 상에 도포하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계와,
    (b) 노광장치를 이용하여 상기 포토레지스트 막을 노광하는 단계와,
    (c) 상기 결과물을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 (b)단계 전에 소프트 베이크 공정, 또는 (b)단계의 노광후에 포스트 베이킹 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 베이킹 공정은 50 내지 200℃에서 실시되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 노광장치는 ArF (193nm), KrF (248nm), VUV (157nm), E-beam, EUV (13nm), 이온빔 및 x-ray로 이루어진 군으로부터 선택된 노광원을 채용하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성방법.
  15. 제 11 항 기재의 방법에 의해 제조된 반도체 소자.
  16. 포토레지스트 단량체로 사용되는 것을 특징으로 하는, 적어도 1 이상의 공중합 가능한 탄소-탄소 이중결합을 갖는 화합물로서 하기 화학식 1로 표시되는 에틸렌옥시 구조 단위를 포함하는 화합물:
    <화학식 1>
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 화합물은 하기 화학식 9a 내지 9f로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    <화학식 9a>
    <화학식 9b>
    <화학식 9c>
    <화학식 9d>
    <화학식 9e>
    <화학식 9f>
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 화합물은 하기 화학식 10a 내지 10f로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물:
    <화학식 10a>
    <화학식 10b>
    <화학식 10c>
    <화학식 10d>
    <화학식 10e>
    <화학식 10f>
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Families Citing this family (316)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
CN112011008A (zh) * 2019-05-31 2020-12-01 罗门哈斯电子材料有限责任公司 抗蚀剂组合物、其制造方法及包含其的制品
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
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US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
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US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
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KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
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US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
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TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
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KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
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KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
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US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
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USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR20230083100A (ko) * 2021-12-02 2023-06-09 삼성전자주식회사 폴리펩티드, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR20230087295A (ko) * 2021-12-09 2023-06-16 삼성전자주식회사 폴리펩티드, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1556215A (ko) * 1967-07-25 1969-02-07
US4766187A (en) * 1984-12-20 1988-08-23 Rohm And Haas Company Copolymerizable ethylenically unsaturated surfactants for latex preparation
US4607110A (en) * 1985-03-11 1986-08-19 Armstrong World Industries, Inc. Novel polyacrylic esters bearing pendant macrocyclic ethers and electrically conducting compositions comprised thereof
JPH01252637A (ja) 1987-12-11 1989-10-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 有機金属高分子化合物の製造方法
US4970131A (en) * 1988-08-29 1990-11-13 Ricoh Company, Ltd. Electrophotographic photoconductor having overcoat layer
US5081307A (en) 1989-07-14 1992-01-14 Kawaguchi Chemical Co., Ltd. Process for preparing 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone
JPH08190193A (ja) * 1995-01-12 1996-07-23 Fujitsu Ltd 化学増幅型レジスト
JPH09120157A (ja) 1995-10-25 1997-05-06 Fuji Photo Film Co Ltd 湿し水不要感光性平版印刷版
US6080826A (en) * 1997-01-06 2000-06-27 California Institute Of Technology Template-directed ring-closing metathesis and ring-opening metathesis polymerization of functionalized dienes
JP3810510B2 (ja) 1997-03-26 2006-08-16 富士写真フイルム株式会社 ネガ型画像記録材料及び平版印刷版原版
JP2943759B2 (ja) 1997-04-16 1999-08-30 日本電気株式会社 （メタ）アクリレート、重合体、フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
TW468091B (en) 1997-09-05 2001-12-11 Kansai Paint Co Ltd Visible light-sensitive compositions and pattern formation process
KR100566042B1 (ko) 1997-10-07 2006-05-25 간사이 페인트 가부시키가이샤 포지티브형전착포토레지스트조성물및패턴의제조방법
US6248599B1 (en) * 1999-10-13 2001-06-19 International Business Machines Corporation Top-surface-metallurgy plate-up bonding and rewiring for multilayer devices
JP3853967B2 (ja) 1998-04-13 2006-12-06 富士写真フイルム株式会社 熱硬化性組成物およびこれを用いた平版印刷版用原版ならびにスルホン酸エステル化合物
KR100376983B1 (ko) * 1998-04-30 2003-08-02 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트중합체및이를이용한미세패턴의형성방법
JP2002519487A (ja) * 1998-07-01 2002-07-02 ザ ビー．エフ．グッドリッチ カンパニー 多環式共重合体組成物
US20020015917A1 (en) * 1998-12-31 2002-02-07 Lee Geun Su Multi-oxygen containing compound for preventing acid diffusion, and photoresist composition containing the same
KR100390986B1 (ko) * 1998-12-31 2003-07-12 주식회사 하이닉스반도체 산 확산 방지용 다산소 함유 화합물 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물
JP2000191656A (ja) 1998-12-31 2000-07-11 Hyundai Electronics Ind Co Ltd 多酸素含有化合物、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ―ン形成方法、及び半導体素子
KR100670090B1 (ko) * 2000-11-29 2007-01-17 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 아민 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
WO2002068527A2 (en) * 2001-02-23 2002-09-06 Arch Specialty Chemicals, Inc. NOVEL β-OXO COMPOUNDS AND THEIR USE IN PHOTORESIST

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003176324A (ja) 2003-06-24
US6924078B2 (en) 2005-08-02
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KR100604751B1 (ko) 2006-07-26
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