JPH08190193A - 化学増幅型レジスト - Google Patents
化学増幅型レジストInfo
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- JPH08190193A JPH08190193A JP7003217A JP321795A JPH08190193A JP H08190193 A JPH08190193 A JP H08190193A JP 7003217 A JP7003217 A JP 7003217A JP 321795 A JP321795 A JP 321795A JP H08190193 A JPH08190193 A JP H08190193A
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- Japan
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- resist
- ether compound
- base polymer
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 化学増幅型レジストに関し、露光から露光後
ベークまでに生ずる酸の失活を防止することを目的とす
る。 【構成】 脱保護基を有するベースポリマーと光酸発生
剤との混合物よりなる化学増幅型レジストにおいて、ベ
ースポリマーがアダマンチル骨格またはヒドロキシスチ
レン骨格を有して形成されていると共に、これにクラウ
ンエーテル化合物を添加して化学増幅型レジストを構成
する。
ベークまでに生ずる酸の失活を防止することを目的とす
る。 【構成】 脱保護基を有するベースポリマーと光酸発生
剤との混合物よりなる化学増幅型レジストにおいて、ベ
ースポリマーがアダマンチル骨格またはヒドロキシスチ
レン骨格を有して形成されていると共に、これにクラウ
ンエーテル化合物を添加して化学増幅型レジストを構成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は酸の失活を抑制する機能
をもつ化学増幅型レジストに関する。半導体集積回路は
集積化が進んでＬＳＩやＶＬＳＩが実用化されている
が、これは主として電極や配線などのパターンの微細化
により実現されたものであり、現在では最小の配線幅と
して0.5 μm 以下(Half-submicron)のものまで実用化さ
れている。
をもつ化学増幅型レジストに関する。半導体集積回路は
集積化が進んでＬＳＩやＶＬＳＩが実用化されている
が、これは主として電極や配線などのパターンの微細化
により実現されたものであり、現在では最小の配線幅と
して0.5 μm 以下(Half-submicron)のものまで実用化さ
れている。
【０００２】こゝで、パターンの形成には写真蝕刻技術
（ホトリソグラフィ）の使用が不可欠であり、微細パタ
ーン形成のために露光光源とレジストの両者について改
良が行われている。
（ホトリソグラフィ）の使用が不可欠であり、微細パタ
ーン形成のために露光光源とレジストの両者について改
良が行われている。
【０００３】すなわち、光源については、微小な線幅を
解像するために、遠紫外光の使用が必要であり、遠紫外
の波長領域での出力が少ない高圧水銀灯に代わって、例
えば弗化クリプトン（Ｋr Ｆ）ガスを用いるエキシマレ
ーザ（波長248nm)の使用が進んでいる。
解像するために、遠紫外光の使用が必要であり、遠紫外
の波長領域での出力が少ない高圧水銀灯に代わって、例
えば弗化クリプトン（Ｋr Ｆ）ガスを用いるエキシマレ
ーザ（波長248nm)の使用が進んでいる。
【０００４】また、レジストについては、今まで、耐ド
ライエッチング性をもたせるために芳香環（ベンゼン
環）を有する樹脂、例えばフェノールノボラック樹脂を
ベースとするものが数多く開発されてきた。
ライエッチング性をもたせるために芳香環（ベンゼン
環）を有する樹脂、例えばフェノールノボラック樹脂を
ベースとするものが数多く開発されてきた。
【０００５】然し、芳香環を有する樹脂は遠紫外光に対
して吸収が大きく、遠紫外光を光源とするパターンニン
グにおいて微細化に対応するだけのパターン精度を得る
ことは困難である。
して吸収が大きく、遠紫外光を光源とするパターンニン
グにおいて微細化に対応するだけのパターン精度を得る
ことは困難である。
【０００６】そこで、透明性に優れると共に、耐ドライ
エッチング性を備えたレジストの実用化が望まれてい
る。
エッチング性を備えたレジストの実用化が望まれてい
る。
【０００７】
【従来の技術】透明性が高く、また、耐ドライエッチン
グ性を備えたレジストとして化学増幅型レジストの開発
が進められている。
グ性を備えたレジストとして化学増幅型レジストの開発
が進められている。
【０００８】こゝで、化学増幅型レジストは脱保護基を
有するベースポリマーと光酸発生剤との組合せからな
り、露光によって光酸発生剤から発生する酸（Ｈ+ ）が
露光後に行われるポストベーク（Post Exposure Bake）
の段階で触媒としてベースポリマーの脱保護基に作用
し、この保護基を脱離させてベースポリマーをカルボン
酸に変える。一方、脱保護反応を生ずる際にＨ+ を再生
し、このＨ+ が触媒としてベースポリマーの脱保護基の
脱保護反応を生じさせる反応増幅型のレジストである。
有するベースポリマーと光酸発生剤との組合せからな
り、露光によって光酸発生剤から発生する酸（Ｈ+ ）が
露光後に行われるポストベーク（Post Exposure Bake）
の段階で触媒としてベースポリマーの脱保護基に作用
し、この保護基を脱離させてベースポリマーをカルボン
酸に変える。一方、脱保護反応を生ずる際にＨ+ を再生
し、このＨ+ が触媒としてベースポリマーの脱保護基の
脱保護反応を生じさせる反応増幅型のレジストである。
【０００９】然し、このレジストの問題点は露光が終わ
ってからポストベークに到るまでの安定性に欠けること
である。すなわち、微細パターンの形成には解像性が優
れる点でポジ型レジストが一般に使用されているが、化
学増幅型レジストは、露光後のポストベークを行うまで
の間に特性の劣化を生ずると云う問題があり、露光後に
直ちにポストベークを行うことが必要で、時間の経過と
共に現像処理においてパターンの解像度が低下し庇状の
突出部を生じ易くなり、信頼性を低下させていた。
ってからポストベークに到るまでの安定性に欠けること
である。すなわち、微細パターンの形成には解像性が優
れる点でポジ型レジストが一般に使用されているが、化
学増幅型レジストは、露光後のポストベークを行うまで
の間に特性の劣化を生ずると云う問題があり、露光後に
直ちにポストベークを行うことが必要で、時間の経過と
共に現像処理においてパターンの解像度が低下し庇状の
突出部を生じ易くなり、信頼性を低下させていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】化学増幅型レジストは
ベースポリマーを選択することにより、遠紫外の波長領
域での吸収が少ないものが得られ、また、アルカリ現像
が可能なことから膨潤がなく、微細パターンの形成に適
している。然し、露光からポストベークに到るまでの安
定性に欠けることが問題で、この解決が課題である。
ベースポリマーを選択することにより、遠紫外の波長領
域での吸収が少ないものが得られ、また、アルカリ現像
が可能なことから膨潤がなく、微細パターンの形成に適
している。然し、露光からポストベークに到るまでの安
定性に欠けることが問題で、この解決が課題である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の課題は脱保護基を
有するベースポリマーと光酸発生剤との混合物よりなる
化学増幅型レジストにおいて、ベースポリマーがアダマ
ンチル骨格またはヒドロキシスチレン骨格を有して形成
されていると共に、クラウンエーテル化合物を添加して
化学増幅型レジストを構成することにより解決すること
ができる。
有するベースポリマーと光酸発生剤との混合物よりなる
化学増幅型レジストにおいて、ベースポリマーがアダマ
ンチル骨格またはヒドロキシスチレン骨格を有して形成
されていると共に、クラウンエーテル化合物を添加して
化学増幅型レジストを構成することにより解決すること
ができる。
【００１２】
【作用】化学増幅型レジストを使用する際、露光からポ
ストベークまでの安定性については一般にＰＥＤ（Post
Exposure Delay)と称している。
ストベークまでの安定性については一般にＰＥＤ（Post
Exposure Delay)と称している。
【００１３】発明者等はＰＥＤの原因として、 露光により光酸発生剤から発生した酸（Ｈ+ ）が、
レジストの表面で大気中を浮遊している不純物（例えば
アミン）によって失活すること、 レジストを構成している光酸発生剤の分布が不均一
であること、などによると考えた。
レジストの表面で大気中を浮遊している不純物（例えば
アミン）によって失活すること、 レジストを構成している光酸発生剤の分布が不均一
であること、などによると考えた。
【００１４】すなわち、については、半導体デバイス
の形成には各種の化学処理が行われて、酸と共にアミン
などアルカリ性の薬品も使用されており、現実に化学処
理を行うクリーンルームの大気中に浮遊しているのが検
出されている。
の形成には各種の化学処理が行われて、酸と共にアミン
などアルカリ性の薬品も使用されており、現実に化学処
理を行うクリーンルームの大気中に浮遊しているのが検
出されている。
【００１５】そこで、レジストを露光した後、ポストベ
ークを行うまでの段階で、レジストの表面近傍に存在す
るＨ+ が大気中を浮遊しているアルカリイオンにより中
和されるのが原因であると考えられる。
ークを行うまでの段階で、レジストの表面近傍に存在す
るＨ+ が大気中を浮遊しているアルカリイオンにより中
和されるのが原因であると考えられる。
【００１６】また、について、疎水性の強いポリマー
は特に親水性（イオン性）の光酸発生剤と馴染みが悪い
ので、光酸発生剤のポリマー中での分布が不均一になっ
ており、これが安定性に欠ける原因と考えられる。
は特に親水性（イオン性）の光酸発生剤と馴染みが悪い
ので、光酸発生剤のポリマー中での分布が不均一になっ
ており、これが安定性に欠ける原因と考えられる。
【００１７】そこで、発明者等はイオン性の物質を取り
込むことのできる物質をレジストの中に加えておけば、
大気中に浮遊しているイオンを捕捉することによりレジ
スト表面にある光酸発生剤の失活を無くし、また、光酸
発生剤自身の分布を良くすると考え、このような物質を
探した。
込むことのできる物質をレジストの中に加えておけば、
大気中に浮遊しているイオンを捕捉することによりレジ
スト表面にある光酸発生剤の失活を無くし、また、光酸
発生剤自身の分布を良くすると考え、このような物質を
探した。
【００１８】そして、この目的に叶う物質としてクラウ
ンエーテル化合物を選んだ。このクラウンエーテル化合
物は電子供与性（ドナー）原子として酸素（Ｏ），窒素
（Ｎ），硫黄（Ｓ）などをもつ大環状化合物であり、無
機の陽イオンや有機の陽イオンを環の空孔内に取り込ん
で錯体を形成する性質がある。
ンエーテル化合物を選んだ。このクラウンエーテル化合
物は電子供与性（ドナー）原子として酸素（Ｏ），窒素
（Ｎ），硫黄（Ｓ）などをもつ大環状化合物であり、無
機の陽イオンや有機の陽イオンを環の空孔内に取り込ん
で錯体を形成する性質がある。
【００１９】図１と２はクラウンエーテル化合物の構造
式と陽イオン（この場合Ｋ+ ）を取り込んだ状態を示す
もので、図１（Ａ）は12- クラウン-4の構造式、また、
同図（Ｂ）はＫ+ を取り込んで錯体を形成した状態を示
す構造式、また、図２（Ａ）は18- クラウン-6の構造
式、また、同図（Ｂ）はＫ+ を取り込んで錯体を形成し
た状態を示す構造式である。
式と陽イオン（この場合Ｋ+ ）を取り込んだ状態を示す
もので、図１（Ａ）は12- クラウン-4の構造式、また、
同図（Ｂ）はＫ+ を取り込んで錯体を形成した状態を示
す構造式、また、図２（Ａ）は18- クラウン-6の構造
式、また、同図（Ｂ）はＫ+ を取り込んで錯体を形成し
た状態を示す構造式である。
【００２０】こゝで、クラウンエーテル化合物は水およ
び有機溶媒に易溶なことから、アルカリ金属塩のような
イオン結合をした無機化合物を有機溶媒に溶解させるの
に使用されている。
び有機溶媒に易溶なことから、アルカリ金属塩のような
イオン結合をした無機化合物を有機溶媒に溶解させるの
に使用されている。
【００２１】これらの事実から、発明者等は化学増幅型
レジストにクラウンエーテル化合物を加えておくことに
より、クリーンルームの大気中に浮遊しており、光照射
により光酸発生剤から発生したＨ+ を失活させると思わ
れるアンモニウムイオン (ＮＨ4)やアニキルアンモニウ
ムイオン（ＲＮＨ3 + ) などの陽イオンを取り込んで失
活を防止し、また、親水性を示す光酸発生剤を疎水性を
示すベースボリマー中に均一に分散させることができる
と考えた。
レジストにクラウンエーテル化合物を加えておくことに
より、クリーンルームの大気中に浮遊しており、光照射
により光酸発生剤から発生したＨ+ を失活させると思わ
れるアンモニウムイオン (ＮＨ4)やアニキルアンモニウ
ムイオン（ＲＮＨ3 + ) などの陽イオンを取り込んで失
活を防止し、また、親水性を示す光酸発生剤を疎水性を
示すベースボリマー中に均一に分散させることができる
と考えた。
【００２２】なお、１個のクラウンエーテル化合物は環
状骨格の中に１個の陽イオンを取り込むことから、クラ
ウンエーテル化合物が充分な捕獲効果を示すためにはそ
の添加量が光酸発生剤と等モル％以上であることが必要
である。
状骨格の中に１個の陽イオンを取り込むことから、クラ
ウンエーテル化合物が充分な捕獲効果を示すためにはそ
の添加量が光酸発生剤と等モル％以上であることが必要
である。
【００２３】次に、遠紫外の波長領域で使用するレジス
トのベースポリマーとしては短波長領域での吸収が少な
く、透明性が高いことが必要であり、また、写真蝕刻技
術において反応性イオンエッチング（略称ＲＩＥ）のよ
うなドライエッチングが行われていることから、耐ドラ
イエッチング性に優れていることが必要である。
トのベースポリマーとしては短波長領域での吸収が少な
く、透明性が高いことが必要であり、また、写真蝕刻技
術において反応性イオンエッチング（略称ＲＩＥ）のよ
うなドライエッチングが行われていることから、耐ドラ
イエッチング性に優れていることが必要である。
【００２４】そのため、発明者等は化学増幅型レジスト
のベースポリマーとしてアダマンチル骨格またはヒドロ
キシスチレン骨格（ビニルフェノール骨格）を有するポ
リマーが優れていると考えている。
のベースポリマーとしてアダマンチル骨格またはヒドロ
キシスチレン骨格（ビニルフェノール骨格）を有するポ
リマーが優れていると考えている。
【００２５】そこで、本発明に係る化学増幅型レジスト
は、このような骨格をもつと共に脱保護基を備えたポリ
マーをベースポリマーとし、これにオニウム塩のような
光酸発生剤を加え、更にクラウンエーテル化合物を光酸
発生剤と等モル％以上加えて形成されるものである。
は、このような骨格をもつと共に脱保護基を備えたポリ
マーをベースポリマーとし、これにオニウム塩のような
光酸発生剤を加え、更にクラウンエーテル化合物を光酸
発生剤と等モル％以上加えて形成されるものである。
【００２６】
合成例１：ベースポリマー（メタクリル酸アダマンチル
・メタクリル酸tert- ブチル共重合体）の合成 メタクリル酸アダマンチルを5.00g(0.024 モル),メタク
リル酸tert- ブチルを7.96g(0.024 モル),トルエンを16
0ml(0.5 モル) , アゾビスイソブチロニトリルを1.9704
g(15モル％) を採取して合成を行い、分子量が8400, 分
散が1.72, 共重合比がアダマンチル：tert- ブチル＝3
0：70の共重合体を作った。 実施例１：合成例１により得たメタクリル酸アダマンチ
ル・メタクリル酸tert- ブチル共重合体に、光酸発生剤
としてトリフェニルサルフォニウムヘキサフルオロアン
チモネートを15重量％と、クラウンエーテル化合物とし
て等モル量の18- クラウン-6を加えてシクロヘキサノン
溶液(14 重量％) よりなる化学増幅型レジストを作成し
た。
・メタクリル酸tert- ブチル共重合体）の合成 メタクリル酸アダマンチルを5.00g(0.024 モル),メタク
リル酸tert- ブチルを7.96g(0.024 モル),トルエンを16
0ml(0.5 モル) , アゾビスイソブチロニトリルを1.9704
g(15モル％) を採取して合成を行い、分子量が8400, 分
散が1.72, 共重合比がアダマンチル：tert- ブチル＝3
0：70の共重合体を作った。 実施例１：合成例１により得たメタクリル酸アダマンチ
ル・メタクリル酸tert- ブチル共重合体に、光酸発生剤
としてトリフェニルサルフォニウムヘキサフルオロアン
チモネートを15重量％と、クラウンエーテル化合物とし
て等モル量の18- クラウン-6を加えてシクロヘキサノン
溶液(14 重量％) よりなる化学増幅型レジストを作成し
た。
【００２７】このレジストをＳi ウェーハ上に塗布し、
60℃で20分加熱して0.7 μm のレジスト膜を形成した。
そして、Ｋr Ｆエキシマステッパーを用いて露光した
後、直ちに100 ℃,60 秒のポストベークを行い、濃度2.
38％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
（略称ＴＭＡＨ）を用いて１分間現像した結果、感度は
40 mＪ／cm2 で0.35μm の垂直なパターンを解像するこ
とができた。
60℃で20分加熱して0.7 μm のレジスト膜を形成した。
そして、Ｋr Ｆエキシマステッパーを用いて露光した
後、直ちに100 ℃,60 秒のポストベークを行い、濃度2.
38％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
（略称ＴＭＡＨ）を用いて１分間現像した結果、感度は
40 mＪ／cm2 で0.35μm の垂直なパターンを解像するこ
とができた。
【００２８】なお、露光してから30分放置した後にポス
トベークを行ったものについても結果は同様であった。 実施例２：（クラウンエーテル化合物の添加量を変えた
例） 実施例１において、クラウンエーテル化合物の添加量化
合物を２倍モル量とした以外は全く同様にして化学増幅
型レジストを作り、Ｓi ウェーハ上に0.7 μmのレジス
ト膜を形成した。
トベークを行ったものについても結果は同様であった。 実施例２：（クラウンエーテル化合物の添加量を変えた
例） 実施例１において、クラウンエーテル化合物の添加量化
合物を２倍モル量とした以外は全く同様にして化学増幅
型レジストを作り、Ｓi ウェーハ上に0.7 μmのレジス
ト膜を形成した。
【００２９】そして、実施例１と同様にＫr Ｆエキシマ
ステッパーを用いて露光した後、直ちに100 ℃,60 秒の
ポストベークを行い、濃度2.38％のＴＭＡＨを用いて１
分間現像した結果、感度は35 mＪ／cm2 と向上し、0.35
μm の垂直なパターンを解像することができた。
ステッパーを用いて露光した後、直ちに100 ℃,60 秒の
ポストベークを行い、濃度2.38％のＴＭＡＨを用いて１
分間現像した結果、感度は35 mＪ／cm2 と向上し、0.35
μm の垂直なパターンを解像することができた。
【００３０】なお、露光してから30分放置した後にポス
トベークを行ったものについても結果は同様であった。 実施例３：（ベースポリマーとクラウンエーテルの種類
を変えた例） ヒドロキシスチレン・tert- ブチルメタクリレート共重
合体（50：50, 丸善石油製) に光酸発生剤としてトリフ
ェニルサルフォニウムトリフレートを５重量％と、クラ
ウンエーテル化合物として等モル量のベンゾ-15-クラウ
ン-5を加えて乳酸エチル溶液(18 重量％) よりなる化学
増幅型レジストを作成した。
トベークを行ったものについても結果は同様であった。 実施例３：（ベースポリマーとクラウンエーテルの種類
を変えた例） ヒドロキシスチレン・tert- ブチルメタクリレート共重
合体（50：50, 丸善石油製) に光酸発生剤としてトリフ
ェニルサルフォニウムトリフレートを５重量％と、クラ
ウンエーテル化合物として等モル量のベンゾ-15-クラウ
ン-5を加えて乳酸エチル溶液(18 重量％) よりなる化学
増幅型レジストを作成した。
【００３１】このレジストをＳi ウェーハ上に塗布し、
110 ℃で90秒加熱して0.7 μm のレジスト膜を形成し
た。そして、Ｋr Ｆエキシマステッパーを用いて露光し
た後、直ちに90℃,60 秒のポストベークを行い、濃度2.
38％のＴＭＡＨを用いて１分間現像した結果、感度は10
mＪ／cm2 で0.275 μm のパターンを解像することがで
きた。
110 ℃で90秒加熱して0.7 μm のレジスト膜を形成し
た。そして、Ｋr Ｆエキシマステッパーを用いて露光し
た後、直ちに90℃,60 秒のポストベークを行い、濃度2.
38％のＴＭＡＨを用いて１分間現像した結果、感度は10
mＪ／cm2 で0.275 μm のパターンを解像することがで
きた。
【００３２】なお、露光してから30分放置した後にポス
トベークを行ったものについても結果は同様であった。 実施例４：（クラウンエーテル化合物の種類を変えた
例） 実施例３において、クラウンエーテル化合物として等モ
ル量のジシクロヘキシル-15-クラウン-5を用いた以外は
全く同様にして化学増幅型レジストを作り、Ｓi ウェー
ハ上に0.7 μm のレジスト膜を形成した。
トベークを行ったものについても結果は同様であった。 実施例４：（クラウンエーテル化合物の種類を変えた
例） 実施例３において、クラウンエーテル化合物として等モ
ル量のジシクロヘキシル-15-クラウン-5を用いた以外は
全く同様にして化学増幅型レジストを作り、Ｓi ウェー
ハ上に0.7 μm のレジスト膜を形成した。
【００３３】そして、実施例３と同様にＫr Ｆエキシマ
ステッパーを用いて露光した後、直ちに90℃,60 秒のポ
ストベークを行い、濃度2.38％のＴＭＡＨを用いて１分
間現像した結果、感度は12 mＪ／cm2 と向上し、0.275
μm のパターンを解像することができた。
ステッパーを用いて露光した後、直ちに90℃,60 秒のポ
ストベークを行い、濃度2.38％のＴＭＡＨを用いて１分
間現像した結果、感度は12 mＪ／cm2 と向上し、0.275
μm のパターンを解像することができた。
【００３４】なお、露光してから30分放置した後にポス
トベークを行ったものについても結果は同様であった。 実施例５：（光酸発生剤を変えた例） 実施例３において、光酸発生剤として３重量％のジフェ
ニルヨードニウムトリフレートと、これと等モル量のベ
ンゾ-15-クラウン-5を用いた以外は全く同様にして化学
増幅型レジストを作り、Ｓi ウェーハ上に0.7 μm のレ
ジスト膜を形成した。
トベークを行ったものについても結果は同様であった。 実施例５：（光酸発生剤を変えた例） 実施例３において、光酸発生剤として３重量％のジフェ
ニルヨードニウムトリフレートと、これと等モル量のベ
ンゾ-15-クラウン-5を用いた以外は全く同様にして化学
増幅型レジストを作り、Ｓi ウェーハ上に0.7 μm のレ
ジスト膜を形成した。
【００３５】そして、実施例３と同様にＫr Ｆエキシマ
ステッパーを用いて露光した後、直ちに90℃,60 秒のポ
ストベークを行い、濃度2.38％のＴＭＡＨを用いて１分
間現像した結果、感度は８ mＪ／cm2 と向上し、0.275
μm のパターンを解像することができた。
ステッパーを用いて露光した後、直ちに90℃,60 秒のポ
ストベークを行い、濃度2.38％のＴＭＡＨを用いて１分
間現像した結果、感度は８ mＪ／cm2 と向上し、0.275
μm のパターンを解像することができた。
【００３６】なお、露光してから30分放置した後にポス
トベークを行ったものについても結果は同様であった。 比較例１：（クラウンエーテル化合物を用いない場合） 合成例１により得たメタクリル酸アダマンチル・メタク
リル酸tert- ブチル共重合体に光酸発生剤としてトリフ
ェニルサルフォニウムヘキサフルオロアンチモネートを
15重量％を加えてシクロヘキサノン溶液(15 重量％) よ
りなる化学増幅型レジストを作成した。
トベークを行ったものについても結果は同様であった。 比較例１：（クラウンエーテル化合物を用いない場合） 合成例１により得たメタクリル酸アダマンチル・メタク
リル酸tert- ブチル共重合体に光酸発生剤としてトリフ
ェニルサルフォニウムヘキサフルオロアンチモネートを
15重量％を加えてシクロヘキサノン溶液(15 重量％) よ
りなる化学増幅型レジストを作成した。
【００３７】このレジストをＳi ウェーハ上に塗布し、
60℃で20分加熱して0.7 μm のレジスト膜を形成した。
そして、Ｋr Ｆエキシマステッパーを用いて露光した
後、直ちに100 ℃,60 秒のポストベークを行い、濃度2.
38％のＴＭＡＨを用いて１分間現像した結果、感度は48
mＪ／cm2 で0.４μm のパターンを解像することができ
た。
60℃で20分加熱して0.7 μm のレジスト膜を形成した。
そして、Ｋr Ｆエキシマステッパーを用いて露光した
後、直ちに100 ℃,60 秒のポストベークを行い、濃度2.
38％のＴＭＡＨを用いて１分間現像した結果、感度は48
mＪ／cm2 で0.４μm のパターンを解像することができ
た。
【００３８】然し、露光してから30分放置した後にポス
トベークを行ったものは表面に不溶化層が発生した。 比較例２：（クラウンエーテル化合物を用いない場合） ヒドロキシスチレン・tert- ブチルメタクリレート共重
合体（50：50, 丸善石油製) に光酸発生剤としてトリフ
ェニルサルフォニウムトリフレートを５重量％加えて乳
酸エチル溶液(18 重量％) よりなる化学増幅型レジスト
を作成した。
トベークを行ったものは表面に不溶化層が発生した。 比較例２：（クラウンエーテル化合物を用いない場合） ヒドロキシスチレン・tert- ブチルメタクリレート共重
合体（50：50, 丸善石油製) に光酸発生剤としてトリフ
ェニルサルフォニウムトリフレートを５重量％加えて乳
酸エチル溶液(18 重量％) よりなる化学増幅型レジスト
を作成した。
【００３９】このレジストをＳi ウェーハ上に塗布し、
110 ℃で90秒加熱して0.7 μm のレジスト膜を形成し
た。そして、Ｋr Ｆエキシマステッパーを用いて露光し
た後、直ちに90℃,60 秒のポストベークを行い、濃度2.
38％のＴＭＡＨを用いて１分間現像した結果、感度は13
mＪ／cm2 で0.275 μm のパターンを解像することがで
きた。
110 ℃で90秒加熱して0.7 μm のレジスト膜を形成し
た。そして、Ｋr Ｆエキシマステッパーを用いて露光し
た後、直ちに90℃,60 秒のポストベークを行い、濃度2.
38％のＴＭＡＨを用いて１分間現像した結果、感度は13
mＪ／cm2 で0.275 μm のパターンを解像することがで
きた。
【００４０】なお、露光してから５分放置した後にポス
トベークを行ったものは表面が不溶化し、同じ露光量で
0.275 μm のパターンを解像することはできなかった。
トベークを行ったものは表面が不溶化し、同じ露光量で
0.275 μm のパターンを解像することはできなかった。
【００４１】
【発明の効果】以上記したように化学増幅型レジストに
クラウンエーテル化合物を加えることによりパターンの
解像性を損なうことなく露光後からＰＥＢまでのレジス
トの安定性を向上することができた。
クラウンエーテル化合物を加えることによりパターンの
解像性を損なうことなく露光後からＰＥＢまでのレジス
トの安定性を向上することができた。
【図１】 12- クラウン-4と、これがＫ+ を取り込んだ
状態の構造式を示す図である。
状態の構造式を示す図である。
【図２】 18- クラウン-6と、これがＫ+ を取り込んだ
状態の構造式を示す図である。
状態の構造式を示す図である。
フロントページの続き (72)発明者 宮田 修一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 畠中 泰範 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 池田 裕美子 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 脱保護基を有するベースポリマーと光酸
発生剤との混合物よりなる化学増幅型レジストにおい
て、 前記ベースポリマーにクラウンエーテル化合物を添加し
てなることを特徴とする化学増幅型レジスト。 - 【請求項２】 前記ベースポリマーがアダマンチル骨格
またはヒドロキシスチレン骨格を有してなることを特徴
とする請求項１記載の化学増幅型レジスト。 - 【請求項３】 前記クラウンエーテル化合物の添加量が
光酸発生剤と等モル％以上であることを特徴とする請求
項１記載の化学増幅型レジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7003217A JPH08190193A (ja) | 1995-01-12 | 1995-01-12 | 化学増幅型レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7003217A JPH08190193A (ja) | 1995-01-12 | 1995-01-12 | 化学増幅型レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08190193A true JPH08190193A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=11551278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7003217A Withdrawn JPH08190193A (ja) | 1995-01-12 | 1995-01-12 | 化学増幅型レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08190193A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6924078B2 (en) | 2001-08-24 | 2005-08-02 | Hynix Semiconductor Inc. | Photoresist monomers, polymers and photoresist compositions for preventing acid diffusion |
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| KR100743673B1 (ko) * | 2006-02-17 | 2007-07-30 | 에스케이씨 주식회사 | 밀 베이스 조성물과 이를 함유하는 광경화성 수지 조성물및 이를 이용한 칼라 포토레지스트 |
| CN1333307C (zh) * | 2003-10-17 | 2007-08-22 | 海力士半导体有限公司 | 用于光致抗蚀的保护涂层组合物和用其形成光致抗蚀图案的方法 |
| WO2012157696A1 (ja) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 | 感光性シロキサン樹脂組成物 |
| JP2014044278A (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Fujifilm Corp | 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置 |
-
1995
- 1995-01-12 JP JP7003217A patent/JPH08190193A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9091920B2 (en) | 2011-05-19 | 2015-07-28 | Merck Patent Gmbh | Photosensitive siloxane resin composition |
| JP2014044278A (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Fujifilm Corp | 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置 |
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