JP2002519487A - 多環式共重合体組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
さらに詳しくは、本発明はシクロオレフィン系モノマーとアクリレートモノマー
とから重合される繰返し単位からなるランダム共重合体に関する。
量の多環式付加重合体は、その固有の熱酸化安定性および高いガラス転移温度(
Tg)などの特性の点から望ましいとされる。ノルボルネン(ビシクロ[2.2
.1]ヘプト−2−エン)の如きシクロオレフィン系モノマーは、これまで様々
な触媒系を用いて付加重合されてきた。グッドールら(Goodall et
al.)(米国特許第5,468,819号)は、ノルボルネンの如きシクロオ
レフィン系モノマーとヒドロカルビル置換ノルボルネン型モノマーとから多環式
重合体を製造することに成功している。これらの重合体の分子量とTgは、第V
III族の遷移金属触媒とオレフィン系連鎖移動剤の存在下において重合を行う
ことによって所望の仕様に調整される。
、官能基を含有するモノマーの重合に焦点を合わせている。官能性置換基を炭化
水素ポリマー主鎖に組み込むことは、ポリマーの化学的特性および他の物理的特
性を変えるのに有用である。 グッドールとリッセ(Risse)に対する米国特許第5,705,503号
には、官能性置換基を含有する多環式付加重合体が開示されている。グッドール
とリッセによって極性ペンダント官能基を含有するシクロオレフィン系モノマー
を重合することによって、分子量もTgも高いポリマー組成物が得られることが
証明された。
能性コモノマー(例えばアクリレート)と炭化水素モノマー(例えばオレフィン
)とを共重合させることが行われてきた。エチレンのメチルアクリレートとのラ
ンダム共重合は、温度と圧力が極端な条件下において遊離ラジカル開始剤を用い
ることができるようになった頃に遡る。ごく最近に、パラジウム触媒を用いたエ
チレンとメチルアクリレートとの配位共重合の分野である進歩が見られた(ブル
ックハートら(Brookhart et al.)、J.Amer.Chem
.Soc.、1998、120、888−899、および国際特許出願WO96
/23010)。しかしながら、この場合、アクリレート繰返し単位のすべてと
は言わないまでも大部分が、分岐度の高いポリマー生成物の鎖の末端に結合され
ているので、得られる共重合体は真のランダム共重合体ではない。
合のために配位触媒を用いることは従来技術において記述されたことはこれまで
になかった。実際に、上記国際特許出願WO96/23010には、ノルボルネ
ン型モノマーが重合される場合に、他の種類のモノマーが存在することはありえ
ないと開示されている。さらに最近になって、アブ−スラール(Abu−Sur
rah)とレイジャー(Reiger)(J.Mol.Catal.A:Che
m.(1998)、128、239−243)によって、ノルボルネンのホモ重
合の場合には活性である特定のカチオン性パラジウム(II)化合物は、アクリ
レートの如き極性モノマーのホモ重合および共重合の場合には不活性であること
が報告されている。さらに、開示された触媒を用いたノルボルネン重合系へメタ
クリレートを添加すると、ポリマー主鎖へアクリレートが導入された形跡が全く
見られずに、分子量がさらに高くなり多分散性がさらに小さくなったノルボルネ
ンホモポリマーが得られたことも、彼らによって報告された。
離ラジカル手段によって重合されたノルボルネンとアクリレートとの共重合体が
開示されている。得られたポリマーはノルボルネンの導入量が非常に低い水準(
すなわち最大5.5重量%)のエラストマーであった。 スターマー(Starmer)に対する米国特許第3,679,490号には
、置換ノルボルネン、アクリレートおよびアルコキシアルキルアクリレートのタ
ーポリマーが開示されている。これらのポリマーも(Tgがサブゼロである)エ
ラストマー系であり、非常に低い水準(すなわち最大5.5重量%)のノルボル
ネンしか含有していない。 さらに最近になって、独逸公開特許出願第2,358,112号においてベー
レンス(Behrens)によってアクリレートとエチリデンノルボルネンとの
共重合体が開示された。
成物において好適に使用される共重合体が開示されている。この開示された共重
合体は、アニオン性触媒系の存在下において2置換ノルボルネンをアクリル酸エ
ステルと共重合させることによって製造される。ノルボルネンモノマーの2位に
おける置換基は重合反応には必須である。この置換基は、ノルボルネン環の不飽
和部分を活性化してアニオン重合させる役割を果たすクロロ基またはシアノ基か
ら選択される。 クボに対する特許出願公報04063810号には、ノルボルネン、無水マレ
イン酸、アクリル系モノマーから重合されたターポリマーが開示されている。
ーと、無水マレイン酸の如き第2のモノマーとを遊離ラジカル重合させることに
よって得られる感エネルギー性レジスト材料が記載されている。アクリル系モノ
マーを、第3または第4の繰返し単位としてポリマーに導入してもよい。これら
の混合物のラジカル重合がうまく行われるためのポイントとは、ノルボルネンモ
ノマーが電子供与体であり、第2のモノマー(好ましくは無水マレイン酸)が電
子受容体であることである。このようなシステムは、シンクら(Cincu e
t al.)、Macromol.Reports、A33(suupl.2)
、83〜91(1996)によって報告されるように、交互共重合体が得られる
遊離ラジカル重合においては容易であることが知られている。
り反応媒体中に特別なモノマーを含むことなく、ポリシクロオレフィンを高い水
準で含有し、かつ高いガラス転移温度を有する、ポリシクロオレフィンコモノマ
ーとアクリレートコモノマーとから重合される繰返し単位を含有するランダム共
重合体が必要とされている。
ーとから重合される繰返し単位を有するランダム共重合体組成物を提供すること
である。これらの共重合体組成物は高いTgを有し、また多環式繰返し単位を高
水準で導入されている。 本発明の他の目的は、無水マレイン酸繰返し単位を含まない多環式/アクリレ
ート共重合体組成物を提供することにある。 本発明のさらなる目的は、ポリシクロオレフィンモノマーとアクリレートモノ
マーとを高分子量、高転化率で共重合させることができる触媒系を提供すること
にある。
なる複数の共重合体を提供することにある。 本発明の他の目的は、ペンダント官能基を有する多環式/アクリル系共重合体
を提供することにある。 本発明のさらなる目的は、酸不安定性ペンダント基を含有する多環式/アクリ
レート共重合体を提供することにある。 本発明のさらなる目的は、フォトレジスト組成物に有用な多環式/アクリレー
ト共重合体を提供することにある。 本発明の上記および他の目的は、少なくとも1種類のポリシクロオレフィンま
たはノルボルネン型モノマー、少なくとも1種類のアクリレートモノマー、溶媒
、および第VIII族の遷移金属イオン源からなる触媒系からなる反応混合物を
重合することによって達成される。
ーと少なくとも1種類のアクリレートまたはメタクリレートモノマーとから共重
合される繰返し単位からなる。本願明細書を通じて、「ポリシクロオレフィン」
という用語は、ノルボルネン型モノマーを意味する。「ノルボルネン型モノマー
」という用語は、このモノマーが少なくとも1種類のノルボルネンまたは置換ノ
ルボルネン部分を含有する限り、ノルボルネン、置換ノルボルネン、およびそれ
らのより高級なあらゆる環式誘導体を包含することを意味する。上記置換ノルボ
ルネンおよびそのより高級な環式誘導体は、ペンダントヒドロカルビル置換基ま
たは酸素原子を含有する官能置換基を含有する。 簡略のため、本願明細書では、これらのモノマーをまとめてノルボルネン型モ
ノマーと呼び、以下の構造式
mは0〜5の整数を表す、 で表わされる。
状および分岐状(C1〜C10)アルキル、直鎖状および分岐状(C2〜C10)アル
ケニル、直鎖状および分岐状(C2〜C10)アルキニル、(C5〜C12)シクロア
ルキル、(C6〜C12)アリール、および(C7〜C24)アラルキルを表す。R1
とR4は、これらが結合している2つの環内炭素原子と共に、炭素数が4〜12
である飽和または不飽和環状基または炭素数が6〜14であるアリール基を表す
ことができる。代表的なアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ブチル、イソブチル、sec−ブチル、t−ブチル、ペンチル、ネオ
ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、およびデシルが挙げられる
が、これらに限定されるわけではない。代表的なアルケニル基としては、ビニル
およびアリルが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。代表的なアル
キニル基としては、エチニル、1−プロピニル、2−プロピニル、1−ブチニル
、および2−ブチニルが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。代表
的なシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、および
シクロオクチル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。代表的な
アリール基としては、フェニル、ナフチル、およびアンスラセニルが挙げられる
が、これらに限定されるわけではない。代表的なアラルキル基としては、ベンジ
ルおよびフェネチルが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。本願明
細書を通じて用いられる「ヒドロカルビル」という用語には、ハロヒドロカルビ
ル置換基が包含される。「ハロヒドロカルビル」という用語は、アルキル基、ア
ルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、アリール基およびアラルキル基
における少なくとも1つの水素原子が、塩素、臭素、フッ素およびヨー素から選
択されるハロゲン原子で置換されていることを意味する。ハロゲン化の度合いは
、少なくとも1つの水素原子がハロゲン原子によって置換されている(例えば、
フルオロメチル基)場合から、ヒドロカルビル基のすべての水素原子がハロゲン
原子によって置換されている(例えば、トリフルオロメチルまたはパーフルオロ
メチル)という完全なハロゲン化(パーハロゲン化)まで多岐にわたる。好まし
いパーハロカルビル基としては、パーハロゲン化フェニル基およびパーハロゲン
化アルキル基が挙げられる。本発明において有用なハロゲン化アルキル基は直鎖
状または分岐状であり、Xが前述のようなハロゲンであり、そしてzが1〜10
の整数から選択される式CzX2z+1で表される。Xがフッ素であることが好まし
い。好ましいパーフッ化置換基としては、パーフルオロフェニル、パーフルオロ
メチル、パーフルオロエチル、パーフルオロプロピル、およびパーフルオロブチ
ルが挙げられる。ハロゲン置換基に加えて、本発明のシクロアルキル基、アリー
ル基、およびアラルキル基を、直鎖状および分岐状(C1〜C5)アルキルおよび
ハロアルキル基、アリール基およびシクロアルキル基でさらに置換することもで
きる。
(CH2)n−OC(O)R5、−(CH2)n−C(O)R5、−(CH2)n−OC
(O)OR5、および−(CH2)nC(O)OR6から選択される基を表し、ここ
でnは独立に0〜10の整数を表し、そしてR5は独立に水素、直鎖状および分
岐状(C1〜C10)アルキル、直鎖状および分岐状(C2〜C10)アルケニル、直
鎖状および分岐状(C2〜C10)アルキニル、(C5〜C12)シクロアルキル、(
C6〜C14)アリール、(C7〜C24)アラルキルを表す。R5の定義の下に列挙
された代表的なヒドロカルビル基は、R1〜R4の定義の下に上記において列挙さ
れたものと同じである。R1〜R4の定義の下に上記において説明されたように、
R5の下に定義されるヒドロカルビル基は、ハロゲン化およびパーハロゲン化さ
れていることができる。R6の基は、−C(CH3)3、−Si(CH3)3、−C
H(R7)OCH2CH3、−CH(R7)OC(CH3)3、または以下の環状基か
ら選ばれる酸不安定性基を表す。
記アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、i−プロピル、ブチル、i
−ブチル、t−ブチル、ペンチル、t−ペンチルおよびネオペンチルが挙げられ
る。上記構造式において、環状基から突き出している単結合ラインは、その環状
保護基が酸置換基と結合している位置を示している。R6基の例としては、1−
メチル−1−シクロへキシル、イソボルニル、2−メチル−2−イソボルニル、
2−メチル−2−アダマンチル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロピラノイ
ル、3−オキソシクロヘキサノニル、メバロン酸ラクトニル、1−エトキシエチ
ル、および1−t−ブトキシエチルを挙げることができる。
pm)およびジメチルシクロプロピルメチル(Dmcp)を表すこともできる。
ある。mが0のとき、好ましいノルボルネン型モノマーの構造は以下のとおりで
ある。
し、そしてR9は水素、直鎖状および分岐状(C1〜C10)アルキル、直鎖状およ
び分岐状(C2〜C10)アルケニル、直鎖状および分岐状(C2〜C10)アルキニ
ル、(C5〜C12)シクロアルキル、(C6〜C14)アリール、および(C7〜C2 4 )アラルキルから選択される。代表的なアルキル基としては、メチル、エチル
、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec−ブチル、t−ブチル
、ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、およびデ
シルが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。代表的なアルケニル基
としては、ビニルおよびアリルが挙げられるが、これらに限定されるわけではな
い。代表的なアルキニル基としては、エチニル、1−プロピニル、2−プロピニ
ル、1−ブチニル、および2−ブチニルが挙げられるが、これらに限定されるわ
けではない。代表的なシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、およびシクロオクチル基が挙げられるが、これらに限定されるわけで
はない。代表的なアリール基としては、フェニル、ナフチル、およびアンスラセ
ニルが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。代表的なアラルキル基
としては、ベンジルおよびフェネチルが挙げられるが、これらに限定されるわけ
ではない。前述のように、上記ヒドロカルビル基には、ハロゲン化およびパーハ
ロゲン化ヒドロカルビル基が包含される。好ましいパーハロカルビル基としては
、パーハロゲン化フェニル基およびパーハロゲン化アルキル基が挙げられる。こ
れらのアルキル基は直鎖状または分岐状であり、Xがハロゲンであり、そしてz
が1〜10の整数から選択される式CzX2z+1で表される。Xがフッ素であるこ
とが好ましい。好ましいパーフッ化置換基としては、パーフルオロフェニル、パ
ーフルオロメチル、パーフルオロエチル、パーフルオロプロピル、およびパーフ
ルオロブチルが挙げられる。ハロゲン置換基に加えて、本発明のシクロアルキル
基およびアリール基を、直鎖状および分岐状(C1〜C5)アルキルおよびハロア
ルキル基、アリール基およびシクロアルキル基でさらに置換することもできる。
は、1−メチル−1−シクロへキシル、イソボルニル、2−メチル−2−イソボ
ルニル、2−メチル−2−アダマンチル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロ
ピラノイル、3−オキソシクロヘキサノニル、メバロン酸ラクトニル、1−エト
キシエチル、および1−t−ブトキシエチルを挙げることができる。また、R9
は、上記で定義されたDcpm基およびDmcp基を表すこともできる。 式Iの下に説明されたノルボルネン型モノマーの1種類以上を、前述のアクリ
レートモノマーおよび/またはメタクリレートモノマーの1種類以上と共重合さ
せると、下記式
のアクリル系繰返し単位とを含有する。言い換えれば、各多環式繰返し単位およ
びアクリル系繰返し単位における置換基は同種である必要はない。本発明の共重
合体は、約95〜約5モル%の多環式繰返し単位と、約5〜約95モル%のアク
リル系繰返し単位とからなる。この共重合体が約90〜約10モル%の多環式繰
返し単位と、約10〜約90モル%のアクリル系繰返し単位とからなることが好
ましい。この共重合体が約80〜約20モル%の多環式繰返し単位と、約20〜
約80モル%のアクリル系繰返し単位とからなることがさらに好ましい。
℃〜200℃の範囲のTgを示すことがさらに好ましく、そして約100℃〜1
50℃の範囲のTgを示すことがよりいっそう好ましい。
くとも1種類の多環式繰返し単位および/またはアクリル系繰返し単位は、酸不
安定性基を有するエステル官能基を含有している。「酸不安定性」とは、エステ
ル官能基(すなわち、カルボン酸のエステル)が保護基または脱離基を含有して
いることを意味する。この保護基は、酸の存在下において切断可能であり、遊離
カルボン酸と酸分解すなわち酸の触媒作用を利用した加水分解副生成物とを生成
する。このように、共重合体の親水性または溶解性を、遊離カルボン酸基に転換
されるエステル官能基の量によって調節することができる。
単位の少なくとも1つ、または多環式繰返し単位とアクリル系繰返し単位のうち
の少なくとも1つを介して共重合体の主鎖に重合される。そのような酸不安定基
を含有する共重合体の繰返し単位の構造式を以下に示す。
R6および/またはR9の少なくとも一方は、−C(CH3)3、−Si(CH3)3 、−CH(R7)OCH2CH3、−CH(R7)OC(CH3)3、または以下の環
状基
合体に含有される各繰返し単位の量をモル%で表したものであり、x+yは共重
合体組成の約95〜約5モル%の量で存在し、zは約5〜約95モル%の量で存
在し、xまたはyは0でもよいが、ただし同時に0になることはできず、yが0
のときにR9の少なくとも1部は酸不安定性基でなければならず、そしてx+y
+zが共重合体組成の100モル%とならなければならない。この酸不安定性ペ
ンダント官能基を含有する共重合体主鎖中に存在する繰返し単位の量は、水溶性
媒体(例えば、水溶性塩基)における共重合体の溶解度の変化(不溶性から可溶
性まで)をもたらし、さらに保護エステル官能基から酸不安定性基を切断するの
に十分であることが好ましい。酸不安定性基を含有する共重合体中の繰返し単位
の量は、約10〜約50モル%の範囲にあることが好ましく、約15〜約35モ
ル%の範囲にあることがさらに好ましく、そして約20〜約30モル%の範囲に
あることがよりいっそう好ましい。
1−シクロへキシル、イソボルニル、2−メチル−2−イソボルニル、2−メチ
ル−2−アダマンチル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロピラノイル、3−
オキソシクロヘキサノニル、メバロン酸ラクトニル、1−エトキシエチル、およ
び1−t−ブトキシエチルを挙げることができる。また、R6およびR9は、上記
で定義されたDcpm基およびDmcp基を表すこともできる。
錯体および下記式
VIII族遷移金属を表し、X’は1つの(−結合と1〜3つのπ−結合とを含
有する配位子を表し、y’は0、1、または2であり、好ましくは1であり、z
’は1である、 で表されるような弱配位性カウンターアニオンからなる単一成分触媒系によって
重合される。CAは弱配位性カウンターアニオンを表し、そしてaは、上記カチ
オン錯体の電荷のバランスをとるのに取られるカウンターアニオンの回数を表す
。上記式において、y’、z’、およびaは1であることが好ましい。
ることによって、中性のルイス塩基によって置換されるのに十分なほど不安定な
ままであるアニオンを意味する。さらに詳しくは、この句は、本発明の触媒系に
おいて安定化アニオンとして作用する場合に、そのアニオン性置換基またはアニ
オン性フラグメントをカチオンには移さないことによって、中性生成物を形成す
るアニオンを意味する。このカウンターアニオンは非酸化性、非還元性、非求核
性、および比較的不活性である。
る。換言すれば、この配位子は比較的不活性であり、成長しているポリマー主鎖
にモノマーを導入することによって前記金属カチオン錯体から容易に取り除くこ
とができる。π−結合を含有する好適な配位子として、(C2〜C12)モノオレ
フィン(例えば、2,3−ジメチル−2−ブテン)、(C4〜C12)ジオレフィ
ン(例えば、ノルボルナジエン)、および(C6〜C20)芳香族部分を挙げるこ
とができる。配位子Lは、シクロオクタジエン(COD)またはジベンゾCOD
の如きキレート二座配位子であるシクロ(C6〜C12)ジオレフィン、あるいは
ベンゼン、トルエンまたはメシチレンの如き芳香族化合物であることが好ましい
。
Mはニッケルおよびパラジウムから選択されることが好ましい。最も好ましい金
属はパラジウムである。
合ではない)を供給する部分および(ii)カチオン錯体の金属に単一の金属−
炭素(結合と1〜3つのπ−結合を供給する部分から選択される。実施態様(i
)の部分は、第VIII族金属に単一の金属−炭素(結合で結合しており、π結
合で結合していない。この実施態様の下に定義される代表的な配位子としては、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec−ブチ
ル、t−ブチル、ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノ
ニルおよびデシルの如き直鎖状および分岐状部分から選択される(C1〜C10)
アルキル部分、フェニル、p−トリルまたはペンタフルオロフェニルの如きアリ
ール、およびベンジルの如き(C7〜C15)アラルキルが挙げられる。一般に上
記の如く規定される実施態様(ii)におけるカチオンは、単一の金属−炭素(
−結合だけでなく1〜3つのπ−結合によって金属に直接結合しているヒドロカ
ルビル基を有する。「ヒドロカルビル」とは、単一の炭素−金属(−結合と、1
〜3つの共役でも非共役でもよいオレフィンπ−結合を供給することによって第
VIII族金属のカチオン錯体を安定化させることができる基を意味する。代表
的なヒドロカルビル基としては、非環式、単環式、または多環式のいずれでもよ
い(C3〜C20)アルケニルがあり、これは直鎖状および分岐状(C1〜C20)ア
ルコキシ、(C6〜C15)アリールオキシまたはハロ基(例えば、塩素およびフ
ッ素)で置換することができる。
ノニカル形態、あるいは少なくとも1つのオレフィン性π−結合を上記金属に供
給し、少なくとも2つの炭素−炭素単結合だけどちらかのオレフィン炭素原子か
ら離れている遠位炭素原子から金属に(−結合を供給する化合物(実施態様ii
i)であることが好ましい。
で反応が行われた溶媒によって弱く配位されることは当業者らにとって容易に明
らかとなるはずである。代表的な溶媒としては、四塩化炭素、クロロホルム、ジ
クロロメタン、1,2−ジクロロエタンの如きハロゲン化炭化水素、ジエチルエ
ーテル、THF、およびベンゼン、トルエン、メシチレン、クロロベンゼンおよ
びニトロベンゼンの如き芳香族溶媒が挙げられるが、これらに限定されるわけで
はない。適当な溶媒を以下においてさらに詳しく説明する。
様を以下に示す。 構造式IIは実施態様(i)を表し、ここで配位子X’は単一の金属−炭素(
−結合によって金属と結合しているメチル基を表し、そして配位子Lは2つのオ
レフィン性π−結合によってパラジウム金属と弱く配位結合しているCODであ
る。下記構造式において、Mはパラジウムまたはニッケルを表すことが好ましい
。
ここでX’は、単一の金属−炭素(−結合と1〜3つのπ−結合とを介して金属
(パラジウムは説明の目的としてのみ示されている)と結合しているアリル基で
ある。 構造式IIIにおいて、Lは存在しないが、3つのπ−結合を供給する芳香族
基はパラジウム金属と弱く配位結合しており、そしてX’は単一の金属−炭素(
−結合とオレフィン性π−結合とをパラジウムに供給するアリル基である。 構造式IVにおいて、LはCODであり、そしてX’は金属−炭素(−結合と
オレフィン性π−結合とをパラジウムに供給するアリル基である。 構造式Vは、配位子X’が金属−炭素(−結合、共役π−結合およびさらに2
つのπ−結合とをパラジウムに供給する不飽和炭化水素基であり、Lは存在しな
い実施態様を示している。
はCODであり、そしてXは、少なくとも1つのオレフィン性π−結合を第VI
II族金属に供給し、少なくとも2つの炭素−炭素単一結合だけどちらかのオレ
フィン炭素原子から離れている遠位炭素原子から金属に(−結合を供給する配位
子である。
して反応溶媒に本質的な溶解性をカチオン錯体に供給する弱配位性または非配位
性カウンターアニオンであるCA-と一緒になっている。適当なアニオンを設計
するための鍵は、アニオンが最終触媒種におけるカチオン性第VIII族金属錯
体との反応に対して不安定、安定、および不活性であり、そしてこのアニオンが
単一成分触媒を本発明の溶媒に対して可溶性にすることを必要とする。水または
ブレーンステッド酸との反応に対して安定であり、かつアニオンの周辺部に酸性
プロトンのないアニオン(すなわち、強酸または強塩基と反応しないアニオン錯
体)は、上記触媒系に対して安定なアニオンとして認定されるに必要な安定性を
有する。最大の不安定性にとって重要なアニオンの特性として、全体的な大きさ
、形状(すなわち、大きな曲率半径)、および求核性が挙げられる。
つ以下の特質、すなわち、(1)このアニオンは前述のルイス酸、ブレンステッ
ド酸、還元性ルイス酸、プロトン化ルイス塩基、タリウムおよび銀のカチオンと
安定な塩を形成するべきであり、(2)このアニオンの負の電荷は、このアニオ
ンの骨組みの外側で非局在化されるか、このアニオンの核の内部で局在化される
べきであり、(3)このアニオンの求核性は比較的乏しくあるべきである、そし
て(4)このアニオンは強力な還元剤または酸化剤であるべきでない、という特
質を有するあらゆる安定したアニオンである。
SbまたはAsのヘキサフロライド;パーフルオロアセテート、プロピオネート
およびブチレート、水和過塩素酸塩;トルエンスルホネート、およびトリフルオ
ロメチルスルホネート;およびフェニル環がフッ素部分またはトリフルオロメチ
ル部分で置換されている置換テトラフェニルボレートよりなる群から選択するこ
とができる。カウンターアニオンの選択例として、BF4 -、PF6 -、AlF3O3 SCF3 -、SbF6 -、SbF5SO3F-、AsF6 -、トリフルオロアセテート(
CF3CO2 -)、ペンタフルオロプロピオネート(C2F5CO2 -)、ヘプタフル
オロブチレート(CF3CF2CF2CO2 -)、パークロレート(ClO4 -・H2O
)、p−トルエン−スルホネート(p−CH3C6H4SO3 -)、Xが水素または
Cl、Br、I、およびFから選択されるハロゲンである式CB11H6X6 -で表
されるカーボネート、および式
5である で表されるテトラフェニルボレートが挙げられる。 上記実施態様の好ましい単一成分触媒は下記式によって表される。
属錯体からなる。この金属カチオン錯体のアリル基は、単一の炭素−金属(−結
合とオレフィン性π−結合とによって前記Mに結合しているアリル官能基を含有
する化合物によって供給される。第VIII族金属Mはニッケルおよびパラジウ
ムから選択されるのが好ましく、パラジウムが最も好ましい金属である。前述の
ように、これらの触媒は、上記カチオン錯体中の第VIII族金属に対して非常
に弱い配位子と考えられる反応希釈剤によって溶媒和されている。
、イソプロピルおよびt−ブチルの如き分岐状または非分岐状(C1〜C5)アル
キル、フェニルおよびナフチルの如き(C6〜C14)アリール、ベンジルの如き
(C7〜C10)アラルキル、−COOR23、−(CH2)nOR23、Clおよび(
C5〜C6)脂環式化合物であり、ここでR23は、メチル、エチル、n−プロピル
、イソプロピル、n−ブチルおよびi−ブチルの如き直鎖状または分岐状(C1
〜C5)アルキルであり、nは0〜6の整数である。 R20、R21およびR22の任意の2つは結合して環式または多環式環構造を形成
することができる。この環式環構造は炭素環式または複素環式でもよい。
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ており、それらの全文が本願明細書に合体される。
またはビピリジル型配位子を表す。この実施態様において、式[Ly'MX’z']
[CA]aのy’は1である。ホスフィン配位子は、単座ホスフィンまたは半不
安定性ホスフィンでもよい。「半不安定性ホスフィン」とは、第VIII族金属
を弱配位結合させることのできる、さらなる異種原子置換基(例えば酸素または
硫黄)を含有する弱キレートホスフィン配位子を意味する。単座配位子は式P(
R24)3で表され、ここでR24は独立に直鎖状および分岐状(C1〜C12アルキル
)、シクロアルキルおよび(C6〜C14アリール)および置換アリールを表す。
代表的なアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、sec−ブチル、t−ブチル、ペンチル、ネオペンチル、ヘキ
シル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシルおよびドデシルが挙げられるが、こ
れらに限定されるわけではない。代表的なシクロアルキル基としては、シクロペ
ンチルおよびシクロヘキシルが挙げられるが、これらに限定されるわけではない
。代表的なアリール基としては、フェニル、置換フェニル、ナフチル、および置
換ナフチルが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。「置換アリール
」とは、アリール基がR24の下に上記において定義されたような直鎖状または分
岐状(C1〜C12アルキル)基、および/または塩素、臭素、ヨー素およびフッ
素から選択されるハロゲン基を含有していることを意味する。好適な単座ホスフ
ィンの例としては、トリエチルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリ
シクロペンチルホスフィン、トリシクロへキシルホスフィン、トリフェニルホス
フィン、トリナフチルホスフィン、トリ−p−トリルホスフィン、およびトリ−
o−トリルホスフィンが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。半不
安定性ホスフィン配位子は式P(R24)2Qで表され、ここでR24は上記で定義
されたものと同じであり、Qは燐、酸素、硫黄、およびこれらの組み合わせより
選択される異種原子を含有する有機部分を表す。Qで表される置換基の例として
は、−ジベンゾチオフェン、アルコキシ基が直鎖状または分岐状(C1〜C5)ア
ルコキシであるオルト−アルコキシフェニルおよびオルト−アルコキシカルボニ
ルフェニル、およびqが2または3である−(CH2)qS(O)C6H5、−(C
H2)qSC6H5、−(CH2)qP(O)(C6H5)2および−(CH2)qP(S
)(C6H5)2が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。半不安定性
ホスフィン配位子は、ホスフィン燐原子、異種原子(好ましくはOまたはS)お
よび第VIII族金属と共に5−または6員環を形成する第VIII族金属を弱
キレートすることが好ましい。この種類の配位子から排除されるものとして、例
えばジフェニルホスフィノエタンやジフェニルホスフィノプロパンの如きジホス
フィンといった強キレート配位子がある。好適な半不安定性ホスフィン配位子の
具体例を以下に示す。
たは異種でもよく、かつ上記で定義されたものと同じである。ホスファイト配位
子の例としては、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリ−n
−プロピルホスファイト、トリイソプロピルホスファイト、トリ−n−ブチルホ
スファイト、トリイソブチルホスファイト、トリ−t−ブチルホスファイト、ト
リシクロヘキシルホスファイト、およびトリフェニルホスファイトが挙げられる
が、これらに限定されるわけではない。 ビピリジル配位子は、2,2’−ビピリジン環系、または下記式から選択され
る融合ビピリジン環系(フェナントレン)でもよい。
鎖状および分岐状(C1〜C12)アルコキシ、および(C6〜C14)アリールおよ
び置換アリール、アリールオキシおよび置換アリールオキシを表す。代表的なア
ルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブ
チル、sec−ブチル、t−ブチル、ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプ
チル、オクチル、ノニル、デシルおよびドデシルが挙げられるが、これらに限定
されるわけではない。代表的なアルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プ
ロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、sec−ブトキシ、t−ブトキシ、ペン
トキシ、およびネオペントキシが挙げられるが、これらに限定されるわけではな
い。代表的なアリール基、アリールオキシ基、およびこれらの置換誘導体として
は、フェニル、フェノキシ、トリルおよびナフチルの他に、これらのハロゲン化
(特にフッ化)誘導体が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。 単座ホスフィン配位子が好ましく、トリアリールまたはトリシクロヘキシルホ
スフィンが最も好ましい。共重合を水溶性媒体中で行うのであれば、得られる触
媒に水溶性を付与する−SO3Naの如きスルホネート金属塩で、好ましいホス
フィン配位子は随意に置換されていてもよい。
または擬ハロゲン化物(以下に定義される)を、形成される金属カチオン錯体に
対するアニオンを供給する、トリス[3,5−ビス(トリフルオロメチルフェニ
ル)]ホウ素やトリス(ペンタフルオロフェニル)ホウ素の如きカウンターアニ
オン供給塩または強ルイス酸と一緒にすることによって製造することができる。
前記配位された第VIII族金属ハロゲン化物、カウンターアニオン供給塩また
はルイス酸、および随意成分であるCODの如きπ−結合含有成分を、形成され
た単一成分触媒を溶媒和することのできる溶媒中で一緒にする。用いられる溶媒
は反応媒体として選択される溶媒と同じものであることが好ましい。前記触媒は
溶媒中で予備形成することもできるし、反応媒体中でその場で形成することもで
きる。
意の塩である。例えば、アニオンが上記において定義されたカウンターアニオン
(CA-)から選択される、ナトリウム、リチウム、カリウム、銀、タリウムお
よびアンモニアの塩が挙げられる。具体的なカウンターアニオン供給塩としては
、TIPF6、AgPF6、AgSbF6、LiBF4、NH4PF6、KAsF6、
AgC2F5CO2、AgBF4、AgCF3CO2、AgClO4・H2O、AgAs
F6、AgCF3CF2CF2CO2、AgC2F5CO2、(C4H9)4NB(C6F5
)4、LiB(C6F5)4、LiB(C6F5)4エーテラート、およびXが水素ま
たはCl、Br、IおよびFから選択されるハロゲンであるAgCB11H6X6を
挙げることができる。
分、すなわちビス(アリルパラジウムブロマイド)を形成し、その後に、このビ
ス(アリルパラジウムブロマイド)をCODの存在下において、カウンターアニ
オン供給塩の形態にあるハライド吸引剤、すなわちTIPF6で切断することに
よって予備形成される。反応工程は以下のように記される。
COD配位子のみが残る。アリル官能基は1つの金属−炭素σ−結合と1つのπ
−結合とによってパラジウムと結合している。 上記構造式VIIIに示されるπ−アリル第VIII族金属/カウンターアニ
オン単一成分触媒を製造する場合、すなわちMがパラジウムであるとき、アリル
パラジウムクロライドは所望のカウンターアニオン供給塩、好ましくはカウンタ
ーアニオンの銀塩と適当な溶媒中で一緒にされる。クロライド配位子が、溶液か
ら濾別することができる塩化銀(AgCl)の沈殿物としてアリルパラジウム錯
体から分離する。アリルパラジウムカチオン錯体/カウンターアニオン単一成分
触媒は溶液中に残る。パラジウム金属には、アリル官能基以外の配位子は全く含
まれていなかった。
上記モノマーのための溶媒である有機溶媒中で行われる。有機溶媒の例としては
、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンおよびデカンの如き脂肪族(非極性
)炭化水素;シクロペンタンおよびシクロヘキサンの如き脂環式炭化水素;ベン
ゼン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、トルエンおよびキシレンの如き
芳香族炭化水素;塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、塩化エチル、1,
1−ジクロロエタン、1,2−ジクロロエタン、1,2−ジクロロエチレン、1
−クロロプロパン、2−クロロプロパン、1−クロロブタン、2−クロロブタン
、1−クロロ−2−メチルプロパンおよび1−クロロペンタンの如きハロゲン化
(極性)炭化水素が挙げられる。ホスフィン、ホスファイト、およびビピリジル
型配位子を第VIII族触媒配位子として用いる場合、水を反応溶媒として用い
ることができる。
される。ホスフィン配位子を適切に選択することによって有機(モノマー)と水
相の間での触媒の分配を制御することができる。例えば、トリシクロへキシルホ
スフィンを用いると、触媒は主にモノマー相に残留するのに対し、トリス(3−
スルホナートフェニル)ホスフィンのナトリウム塩を用いると、触媒は基本的に
水相に溶解している。オプションとして、イオン性界面活性剤(例えば、ラウリ
ル硫酸ナトリウム)または中性界面活性剤(例えば、GAFコーポレーション社
の登録商標であるイゲパル(Igepal)として市販されているエチレンオキ
シド系界面活性剤)の如き界面活性剤を用いることもできる。
て重合される。この実施態様において、触媒は、有機金属助触媒と、好ましくは
第3成分と組み合わされた第VIII族金属イオン源からなる触媒成分から形成
される。前記助触媒は、有機アルミニウム化合物、ジアルキルアルミニウム水素
化物、ジアルキル亜鉛化合物、ジアルキルマグネシウム化合物、およびアルキル
リチウム化合物から選択される。 第VIII族金属イオン源は、ニッケルまたはパラジウムを含有する化合物か
ら選択されるのが好ましい。触媒作用的に活性である第VIII族金属イオンの
源を供給する限り、第VIII族金属化合物に対する制限はない。第VIII族
金属化合物は、反応媒体に対して可溶性であるか、または可溶性にすることがで
きることが好ましい。 第VIII族金属化合物は、第VIII族金属に結合しているイオン性および
/または中性配位子からなる。これらのイオン性および中性配位子は、各種単座
配位子、二座配位子または多座配位子およびこれらを組み合わせから選択するこ
とができる。
はものは、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオンまたはフッ化物イオン
の如きハロゲン化物;シアニド、シアネート、チオシアネートの如き凝ハロゲン
化物、アセチルアセトナート(4−ペンタンジオネート)、2,2,6,6−テ
トラメチル−3,5−ヘプタンジオネート、および1,1,1,5,5,5−ヘ
キサフルオロ−2,4−ペンタンジオネートおよび1,1,1−トリフルオロ−
2,4−ペンタンジオネートの如きハロゲン化アセチルアセトネートの如きβ−
ジカルボニル化合物のエノレートの如き凝ハロゲン化物;カルボキシレートおよ
びハロゲン化カルボキシレート(例えば、アセテート、2−エチルヘキサノエー
ト、ネオデカノエート、トリフルオロアセテートなど)の如き炭素の酸性酸化物
のアニオン、および窒素酸化物(例えば、硝酸塩、亜硝酸塩など)、ビスマス酸
化物(例えば、ビスマス酸塩など)、アルミニウム酸化物(例えば、アルミン酸
塩など)、シリコン酸化物(例えば、ケイ酸塩など)、リン酸化物(例えば、リ
ン酸塩、亜リン酸塩、ホスフィンなど)および硫黄酸化物(例えば、トリフレー
ト、p−トルエンスルホネート、サルファイトの如き硫酸塩)のアニオン;イリ
ド;アミド;イミド;酸化物;リン化物;硫化物;(C6〜C24)アリールオキ
シド、(C1〜C20)アルコキシド、水酸化物、ヒドロキシ(C1〜C20)アルキ
ル;カテコール;オキザレート;キレートアルコキシドおよびアリールオキシド
から選択されるアニオン性配位子である。また、パラジウム化合物は、PF- 6、
AlF3O3SCF- 3、SbF- 6および下記式で表される化合物の如き錯体アニオ
ンを含有していてもよい。
、あるいは置換または非置換ヒドロカルビル基を表す。代表的なヒドロカルビル
基は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec
−ブチル、ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、
デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘ
キサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコシル、ヘンエイ
コシル、ドコシル、トリコシル、テトラコシル、ペンタコシル、およびこれらの
異性体の如き直鎖状または分岐状(C1〜C25)アルキル;ビニル、アリル、ク
ロチル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、オクテニル、ノネニル、デセニル
、ウンデセニル、ドデセニル、トリデセニル、テトラデセニル、ペンタデセニル
、ヘキサデセニル、ヘプタデセニル、オクタデセニル、ノナデセニル、ペンタコ
セニル、およびこれらの異性体の如き(C2〜C25)アルケニル;フェニル、ト
リル、キシリル、およびナフチルの如き(C6〜C25)アリール;ベンジル、フ
ェネチル、フェンプロピル、フェンブチル、フェンヘキシル、およびナフトオク
チルの如き(C7〜C25)アラルキル;シクロプロピル、シクロブチル、シクロ
ペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、2−ノルボルニ
ル、2−ノルボルネニルの如き(C3〜C8)シクロアルキルなどから選択される
。上記定義に加えて、R26は以下の基を表す。
F、Br、およびIから選択されるハロゲン原子(例えば、パーフルオロフェニ
ル);ヒドロキシル基;アミノ基;アルキル基;ニトロ基;およびメルカプト基
で置換された、上記において定義されたヒドロカルビル基を意味する。第VII
I族遷移金属と結合可能な中性配位子の代表的なものとして、オレフィン;アセ
チレン類;一酸化炭素;窒素酸化物、アンモニア、アルキルイソシアニド、アル
キルイソシアネート、アルキルイソチオシアネートの如き窒素化合物;ピリジン
およびピリジン誘導体(例えば、1,10−フェナントロリン、2,2’−ジピ
リジル)、1,4−ジアルキル−1,3−ジアザブタジエン、1,4−ジアリー
ル−1,3−ジアザブタジエンおよび下記式
換ヒドロカルビルであり、nは2〜10である、 によって表されるアミン;尿素類;アセトニトリル、ベンゾニトリル、およびこ
れらのハロゲン化誘導体のごときニトリル;ジエチレングリコールのジメチルエ
ーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、フランジアリルエーテル、ジエチル
エーテル、ジエチレングリコール環状オリゴマーの如き環状エーテルの如き有機
エーテル;チオエーテル(硫化ジエチル)の如き有機硫化物;アルシン類;スチ
ビン類;上記の如き単座ホスフィン類および半不安定性ホスフィン類;ホスフィ
ン酸化物類、燐ハロゲン化物;およびR24が上記において定義されたものと同じ
である式P(OR24)3で表される亜リン酸塩;燐オキシハロゲン化物;ホスホ
ン酸塩;ホスホナイト、ホスフィナイト、ケトン;(C1〜C20)アルキルスル
ホキシド;(C6〜C20)アリールスルホキシド、(C7〜C24)アルカリールス
ルホキシドの如きスルホキシドなどである。前述の中性配位子を、以下に説明す
るようなオプションである第3成分として用いることもできることは理解される
はずである。
ては、パラジウムエチルヘキサノエート、トランス−PdCl2(PPh3)2、
パラジウム(II)ビス(トリフルオロアセテート)、パラジウム(II)ビス
(アセチルアセトナート)、パラジウム(II)−エチルヘキサノエート、Pd
(アセテート)2(PPh3)2、臭化パラジウム(II)、塩化パラジウム(I
I)、ヨウ化パラジウム(II)、酸化パラジウム(II)、モノアセトニトリ
ルトリス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)テトラフルオロボレー
ト、テトラキス(アセトニトリル)パラジウム(II)テトラフルオロボレート
、ジクロロビス(アセトニトリル)パラジウム(II)、ジクロロビス(トリフ
ェニルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロビス(ベンゾニトリル)パラ
ジウム(II)、パラジウムアセチルアセトナート、パラジウムビス(アセトニ
トリル)ジクロリド、パラジウムビス(ジメチルスルホキシド)ジクロリド、ニ
ッケルアセチルアセトナート、ニッケルカルボキシレート、ニッケルジメチルグ
リオキシム、ニッケルエチルヘキサノエート、ビス(2,2,6,6−テトラメ
チル−3,5−ヘプタンジオナート)ニッケル(II)、ニッケル(II)ヘキ
サフルオロアセチルアセトナート四水化物、ニッケル(II)トリフルオロアセ
チルアセトナートニ水化物、ニッケル(II)アセチルアセトナート四水化物、
ニッケロセン、酢酸ニッケル(II)、臭化ニッケル、塩化ニッケル、ジクロロ
ヘキシルニッケルアセテート、乳酸ニッケル、酸化ニッケル、ニッケルテトラフ
ルオロボラートを挙げることができる。 本発明の多成分触媒系の有機アルミニウム成分は下記式によって表される。
、Q’は、塩素、フッ素、臭素、ヨー素、直鎖状および分岐状(C1〜C20)ア
ルコキシ、(C6〜C24)アリールオキシから選択されるハロゲン化物または擬
ハロゲン化物であり、そしてx’’は0〜2.5、好ましくは0〜2である。
チルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム
、トリイソブチルアルミニウム、トリ−2−メチルブチルアルミニウム、トリ−
3−メチルブチルアルミニウム、トリ−2−メチルペンチルアルミニウム、トリ
−3−メチルペンチルアルミニウム、トリ−4−メチルペンチルアルミニウム、
トリ−2−メチルヘキシルアルミニウム、トリ−3−メチルヘキシルアルミニウ
ム、トリオクチルアルミニウム、およびトリス−2−ノルボルニルアルミニウム
の如きトリアルキルアルミニウム;ジメチルアルミニウム塩化物、ジエチルアル
ミニウム塩化物、ジイソプロピルアルミニウム塩化物、およびジイソブチルアル
ミニウム塩化物の如きジアルキルアルミニウムハロゲン化物;メチルアルミニウ
ム2塩化物、エチルアルミニウム2塩化物、エチルアルミニウム2ヨウ化物、プ
ロピルアルミニウム2塩化物、イソプロピルアルミニウム2塩化物、ブチルアル
ミニウム2塩化物、およびイソブチルアルミニウム2塩化物の如きモノアルキル
アルミニウム2ハロゲン化物;およびメチルアルミニウムセスキ塩化物、エチル
アルミニウムセスキ塩化物、プロピルアルミニウムセスキ塩化物、およびイソブ
チルアルミニウムセスキ塩化物の如きアルキルアルミニウムセスキハロゲン化物
を挙げることができる。
ルキルアルミニウム水素化物から選択され、ジイソブチルアルミニウム水素化物
が好ましいジアルキルアルミニウム水素化物化合物である。 ジアルキル亜鉛化合物は直鎖状および分岐状(C1〜C10)ジアルキル亜鉛化
合物から選択され、ジエチル亜鉛が好ましい。ジアルキルマグネシウム化合物は
直鎖状および分岐状(C1〜C10)ジアルキルマグネシウムから選択され、ジブ
チルマグネシウムが最も好ましい。アルキルリチウムは直鎖状および分岐状(C 1 〜C10)アルキルリチウム化合物から選択される。ブチルリチウムが好ましい
アルキルリチウムである。
は、助触媒化合物の群から選択される成分と第3成分化合物の一方または両方と
併用される。 第3成分の例としては、BF3・エテラート、TiCl4、SbF5、およびトリ
ス(パーフルオロフェニル)ホウ素の如き強ルイス酸が挙げられる。 前述のように、中性配位子は、電子供与性を備えた任意の第3成分として用い
ることができる。
またはイオン源と、助触媒化合物と、第3成分(もしあれば)とを、炭化水素溶
媒またはハロ炭化水素溶媒中で混ぜ合わせ、次いでこの予備混合された触媒系を
モノマーを含有する反応媒体中で混合することからなる方法によって、多成分触
媒系を製造することができる。あるいは、(任意の第3成分を用いたと仮定して
)、上記触媒系成分の任意の2つを炭化水素溶媒またはハロ炭化水素溶媒中で予
備混合し、その後に反応媒体に投入することもできる。残った触媒成分は、前記
予備混合された成分を添加する前または添加した後に、反応媒体に添加すること
ができる。 別の実施態様では、上記触媒成分のすべてを反応媒体中で一度に混ぜ合わせる
ことによって多成分触媒系をその場で製造することができる。添加の順番は重要
ではない。
されるように、ニッケルエチルヘキサノエートの如きニッケル塩、トリエチルア
ルミニウムの如き有機アルミニウム化合物、およびトリス(パーフルオロフェニ
ル)ホウ素の如き第3成分ルイス酸からなる。 ニッケルエチルヘキサノエート + トリス(パーフルオロフェニル)ホウ素
+ トリエチルアルミニウム → 活性触媒 本発明の単一成分および多成分触媒を用いた反応は、前記触媒系に悪い影響を
与えず、かつ上記モノマーのための溶媒である有機溶媒中で行われる。有機溶媒
の例としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンおよびデカンの如き脂
肪族(非極性)炭化水素;シクロペンタンおよびシクロヘキサンの如き脂環式炭
化水素;ベンゼン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、トルエンおよびキ
シレンの如き芳香族炭化水素;塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、塩化
エチル、1,1−ジクロロエタン、1,2−ジクロロエタン、1,2−ジクロロ
エチレン、1−クロロプロパン、2−クロロプロパン、1−クロロブタン、2−
クロロブタン、1−クロロ−2−メチルプロパンおよび1−クロロペンタンの如
きハロゲン化(極性)炭化水素が挙げられる。
マーのモル比は、20:1〜100,000:1、好ましくは50:1〜20,
000:1、および最も好ましくは100:1〜10,000:1である。 上記多成分触媒系において、第VIII族金属に対する助触媒金属(例えば、
アルミニウム、亜鉛、マグネシウム、およびリチウム)のモル比は、100:1
以下、好ましくは30:1以下、最も好ましくは20:1以下である。 第3成分は、第VIII族金属に対して0.25:1〜20:1のモル比で用
いられる。 本発明の重合反応が実施される温度は、一般に−100℃〜120℃、好まし
くは−60℃〜90℃、最も好ましくは−10℃〜80℃である。
が望ましいかどうかを始めとする多くの要因に基づいて選択される。本発明にお
いて説明されるほとんどの触媒の場合、好ましい溶媒は、塩化メチレンおよび1
,2−ジクロロエタンの如き塩素化炭化水素、およびベンゼン、トルエン、クロ
ロベンゼンおよびニトロベンゼンの如き芳香族炭化水素であるが、官能性ノルボ
ルネン型モノマーの添加率が低くなることにより、単純な炭化水素が好ましい。
,000〜約500,000、さらに好ましくは約5,000〜約100,00
0の範囲の分子量(Mn)で生成される。 本発明のポリマーは、電子工学、光学および高温熱可塑性(例えば、パイプや
繊維)用途に有用である。電子工学(例えばフォトレジスト)用途の場合、分子
量は約5,000〜20,000(Mn)であることが好ましい。高温熱可塑性
用途の場合、分子量は約40,000〜100,000(Mn)であることが好
ましい。
の製造に用いられるレジスト材料の成分として有用である。ICの超微細加工は
、当該技術分野において周知の各種平板印刷技術に従って行われる。紫外(UV
)線および各種遠紫外線または他の放射線を用いる写真平版は、IC装置の製造
に用いられる基本的で且つ重要な技術である。感光性ポリマーフィルム(フォト
レジスト)を支持体(例えばウェハー)の表面全体に塗布し、乾燥させる。次に
、所望のパターン形成情報を含むフォトマスクを、このフォトレジストフィルム
に近接する位置に配置する。このフォトレジストに、紫外線、電子ビーム、X線
またはイオンビームの如き各種結像放射線のうちの1つを上記フォトマスクを介
して放射する。放射後、フォトレジストに化学変化が起き、同時に溶解度にも変
化が起る。放射後、感光性ポリマーフィルム内でパターン形成された像を現像す
る(すなわち、露光部または非露光部のどちらかを選択的に取り除く)溶液中に
上記支持体を浸漬する。使用するフォトレジストの種類または現像液の極性に依
存して、フィルムの露光部または非露光部のどちらかが現像工程において取り除
かれてその下の支持体が露出する。その後、所望のパターンをウェハーの機能層
に残して、パターン形成された露光されたすなわち不必要な支持体材料をエッチ
ング処理で除去または変化させる。残ったフォトレジスト材料は、エッチング処
理に対する防護壁として機能する。この残ったフォトレジスト材料を取り除くと
、パターン形成された回路が得られる。エッチングは、プラズマエッチング法、
スパッタエッチング法、および反応性イオンエッチング(RIE)法によって実
施される。
重合体は、感放射線性フォトレジスト組成物に用いることができる。本発明のフ
ォトレジスト組成物は、前述の多環式/アクリル系共重合体組成物と、溶媒と、
感光性酸発生剤(光開始剤)とからなる。好ましくは、溶解抑制剤を、上記組成
物の約20重量%までの量で添加することができる。好適な溶解抑制剤はt−ブ
チルコレートである(J.V.Crivello et al.、 化学増幅さ
れた電子ビームフォトレジスト(Chemically Amplified
Electron−Beam Photoresists)、Chem.Mat
er.、1996、8、376−381)。
ては、トリフレート(例えば、トリフェニルスルホニウムトリフレート)、ピロ
ガロール(例えば、ピロガロールのトリメシレート);トリアリールスルホニウ
ムヘキサフルオロアンチモネート、トリアリールスルホニウムヘキサフルオロア
ルセナート、トリアリールスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジア
リールイオジウムヘキサフルオロアンチモネート、ジアリールイオジウムヘキサ
フルオロアルセナート、およびジアリールイオジウムトリフルオロメタンスルホ
ナートの如きオニウム塩;ヒドロキシイミド類のエステル、α、α−ビス−スル
ホニル−ジアゾメタン類、ニトロ置換ベンジルアルコールのスルホン酸エステル
およびナフトキノン−4−ジアジド類が挙げられる。他の好適な光酸発生剤は、
Reichmanis et al.、Chem.Mater.3、395、(
1991)に記載されている。トリアリールスルホニウム塩またはジアリールヨ
ードニウム塩を含有する組成物は、遠紫外線(193〜300nm)に対する感
度がよく、かつ、非常に解像度の高い像が得られるので好ましい。最も好ましい
のは、非置換ジアリールイオジウム塩または非置換トリアリールスルホニウム塩
および対称または非対称置換ジアリールイオジウム塩または対称または非対称置
換トリアリールスルホニウム塩である。光酸開始剤成分は、ポリマーに対して約
1〜100w/w%である。好ましい濃度範囲は5〜50w/w%である。
範囲のより長い波長にまで高めることができる増感剤を随意に含有することがで
きる。意図する用途に依存して、そのような増感剤には、ピレンおよびペリレン
の如き多環式芳香族化合物が包含される。光酸開始剤の増感化は周知であり、米
国特許第4,250,053号、4,371,605号、および4,491,6
28号に記載されており、それらの全文が本願明細書に合体される。本発明は特
定の種類の増感剤または光酸開始剤に限定されない。 ポジ型階調レジスト像を支持体上に形成するための方法は、(a)本発明のポ
ジ型階調レジスト組成物で支持体を被覆する工程と、(b)このフィルムを像形
成的に露光させる工程と、(c)この像を現像する工程とからなる。
0〜30重量/容量%で好適な溶媒に溶かされているレジストポリマー組成物か
らなるフィルムで支持体を被覆することからなる。好適な支持体はシリコン、セ
ラミック、ポリマーなどから構成される。好適な溶媒として、プロピレングリコ
ールメチルエーテルアセテート(PGMEA)、シクロへキサノン、ブチロラク
テート、エチルラクテートなどが挙げられる。上記フィルムは、スピンまたはス
プレーコーティング法またはドクターブレード法の如き当該技術分野において周
知の方法を用いて支持体に塗布することができる。このフィルムを露光する前に
、約1分間ほどの短い時間、約90℃〜150℃の高められた温度に加熱するこ
とが好ましい。上記方法の第2工程において、前記フィルムは、好適には電子ビ
ームまたは電磁放射線、好ましくは紫外線またはX線の如き電磁放射線、好まし
くは波長が好適には約193〜514nm、好ましくは約193〜248nmで
ある紫外放射線である放射線に対して像形成的に露光される。好適な放射線源と
して、水銀、水銀/キセノン、キセノンランプ、フッ化アルゴンレーザー、フッ
化クリプトンレーザー、X線または電子ビームが挙げられる。上記放射線は感放
射線性酸発生剤に吸収されて、露光部に遊離酸を生成する。この遊離酸が、共重
合体を溶解抑制剤から溶解増強剤へと転換する、前記共重合体の酸不安定性ペン
ダント基の切断に触媒作用を及ぼすことによって、露光したレジスト組成物の水
溶性塩基に対する溶解度が高まる。このフィルムを露光した後に、約1分間ほど
の短い時間、約90℃〜150℃の高められた温度に再度加熱することが好まし
い。
として、水溶性塩基、好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシドまたは
コリンの如き金属イオンを含有していない水溶性塩基を挙げることができる。本
発明の組成物は、コントラストが高く、かつ、壁が真っ直ぐなポジ型像を提供す
る。一義的に、本発明の組成物の溶解性は、単に共重合体の組成を変えることに
よって変えることができる。
ものである。その詳細な製造法は、前述のもっと一般的に説明された製造法の範
囲にあるものであり、かつ、その製造法を例示するものである。下記実施例は説
明の目的のみに提示されるものであり、本発明の範囲を限定することを意図する
ものではない。 触媒成分A=(C6H5)2P(CH2CH2S(O)C6H5)PdCl2 触媒B=η3−クロチルニッケル(シクロオクタジエン)ヘキサフルオロホスフ
ェート 触媒成分C=(アリル)Pd(トリシクロへキシルホスフィン)クロライド 触媒成分D=ビピリジルパラジウムジクロリド
ルボルネン(2.5g、26.5mmol)、ジクロロエタン(35ml)およ
びメチルアクリレート(2.38ml、26.5mmol)を投入した。その後
、ジクロロエタン(2ml)に溶かされた触媒A(13.4mg、26μmol
)、トリスペンタフルオロフェニルボロン(234μmol)およびトリエチル
アルミニウム(0.16ml(シクロヘキサン中の1.7モル)、260μmo
l)を添加した。得られた攪拌溶液を50℃に加熱された油浴の中に合計48時
間設置した。48時間後、得られた反応混合物を過剰量のメタノール(300m
l)に注ぎ込むことによってポリマーを沈殿させ、濾過し、過剰量のメタノール
で洗浄して、80℃の真空下において恒量になるまで乾燥させた。 この乾燥した白色の顆粒状のポリマーの重さは0.5gであった。プロトン核
磁気共鳴分析法によって、このポリマーには溶媒や未転化モノマーが含まれてい
ないことが明らかとなった。また、プロトン核磁気共鳴分析法によって、この生
成物は2種類のモノマー(77モル%のノルボルネン、23モル%のメチルアク
リレート)のランダム共重合体であることが示された。
ルボルネン(2.5g、26.5mmol)、ジクロロエタン(35ml)およ
びメチルアクリレート(2.38ml、26.5mmol)を投入した。その後
、ジクロロエタン(1ml)に溶かされた触媒B(9.5mg、26μmol)
を添加した。得られた攪拌溶液を50℃に加熱された油浴の中に合計18時間設
置した。18時間後、得られた反応混合物を過剰量のメタノール(300ml)
に注ぎ込むことによってポリマーを沈殿させ、濾過し、過剰量のメタノールで洗
浄して、80℃の真空下において恒量になるまで乾燥させた。 この乾燥した白色の顆粒状のポリマーの重さは0.3gであった。プロトン核
磁気共鳴分析法によって、このポリマーには溶媒や未転化モノマーが含まれてい
ないことが明らかとなった。また、プロトン核磁気共鳴分析法によって、この生
成物は2種類のモノマー(65モル%のメチルアクリレート、35モル%のノル
ボルネン)のランダム共重合体であることが示された。
ボルネン(5.0g、53.1mmol)、トルエン(10ml)およびメチル
アクリレート(2.38ml、26.5mmol)を投入した。その後、リチウ
ムテトラキス(ペントフルオロフェニル)ボロンエーテレート(46mg、53
μmol)とトルエン(2ml)中で1分間予備混合された触媒C(25mg、
53μmol)を添加した。得られた攪拌溶液を50℃に加熱された油浴の中に
合計17時間設置した。17時間後、得られた反応混合物を過剰量のメタノール
(300ml)に注ぎ込むことによってポリマーを沈殿させ、濾過し、過剰量の
メタノールで洗浄して、80℃の真空下において恒量になるまで乾燥させた。 この乾燥した白色の顆粒状のポリマーの重さは1.16gであった。プロトン
核磁気共鳴分析法によって、このポリマーには溶媒や未転化モノマーが含まれて
いないことが明らかとなった。また、プロトン核磁気共鳴分析法によって、この
生成物は2種類のモノマーのランダム共重合体であることが示された。(ポリス
チレン基準に基づく)分子量をGPC法を用いて測定したところ、Mw=57,
000、Mn=30,000であり、多分散性は1.9(87モル%のノルボル
ネン、13モル%のメチルアクリレート)であることが分かった。
ルボルネン(2.5g、26.5mmol)、ジクロロエタン(35ml)およ
びメチルアクリレート(2.38ml、26.5mmol)を投入した。その後
、ジクロロエタン(3ml)に溶かされ、トリシクロヘキシルホスフィン(14
.6mg、53μmol)と(周囲温度で3分間)予備混合された触媒B(19
mg、53μmol)を添加した。得られた攪拌溶液を50℃に加熱された油浴
の中に合計18時間設置した。18時間後、得られた反応混合物を過剰量のメタ
ノール(300ml)に注ぎ込むことによってポリマーを沈殿させ、濾過し、過
剰量のメタノールで洗浄して、80℃の真空下において恒量になるまで乾燥させ
た。 この乾燥した白色の顆粒状のポリマーの重さは0.35gであった。プロトン
核磁気共鳴分析法によって、このポリマーには溶媒や未転化モノマーが含まれて
いないことが明らかとなった。また、図1、2および3に示される核磁気共鳴ス
ペクトルによって、この生成物は2種類のモノマー(85モル%のメチルアクリ
レート、15モル%のノルボルネン)のランダム共重合体であることが示された
。 ランダム共重合体の形成についての第2の証明は、共重合体の場脱着イオン化
マススペクトル(Field desorption ionization−
mass spectrum)(表示されていない)である。この分析中に発生
した熱分解によって、メチルアクリレート繰返し単位とノルボルネン繰返し単位
の両方を含有するオリゴマーに対応する質量ピークが得られた。
ルボルネン(2.5g、26.5mmol)、窒素で15分間浄化された脱イオ
ン水(20ml)およびメチルアクリレート(2.38ml、26.5mmol
)を投入した。その後、アリルパラジウムクロライド二量体(9.7mg、53
μmol)、脱イオン水(3ml)、トリス(3−スルホナートフェニル)ホス
フィンナトリウム塩(30.1mg、53μmol)、およびリチウムテトラキ
ス(ペントフルオロフェニル)ボロンエーテラート(46mg、53μmol)
を(超音波装置内で窒素下において30分間)混合することによって得られた均
質性の非常に高い溶液を添加した。得られた懸濁液を攪拌し、50℃に加熱され
た油浴の中に合計18時間設置した。18時間後、得られた水性ポリマースラリ
ーを過剰量のメタノール(500ml)に注ぎ込み、濾過し、過剰量のメタノー
ルで洗浄して、80℃の真空下において恒量になるまで乾燥させた。 この乾燥した白色の顆粒状のポリマーの重さは3.7gであった。プロトン核
磁気共鳴分析法によって、このポリマーには溶媒や未転化モノマーが含まれてい
ないことが明らかとなった。このプロトン核磁気共鳴法によって、この生成物は
2種類のモノマー(54モル%のノルボルネン、46モル%のメチルアクリレー
ト)のランダム共重合体であることが示された。
チルノルボルネン(3.97g、26.5mmol)、トルエン(25ml)お
よびメチルアクリレート(2.38ml、26.5mmol)を投入した。その
後、トルエン(3ml)中の(シクロオクタジエン)パラジウム(メチル)クロ
ライドと予備混合されたトリシクロヘキシルホスフィン(14.6mg、53μ
mol)を添加し、続いてトルエン(3ml)中のリチウムテトラキス(ペンタ
フルオロフェニル)ボロン(36mg、53μmol)を添加した。得られた攪
拌溶液を50℃に加熱された油浴の中に合計24時間設置した。24時間後、得
られた反応混合物を過剰量のメタノール(300ml)に注ぎ込むことによって
ポリマーを沈殿させ、濾過し、過剰量のメタノールで洗浄して、80℃の真空下
において恒量になるまで乾燥させた。 この乾燥した白色の顆粒状のポリマーの重さは1.6gであった。プロトン核
磁気共鳴分析法によって、このポリマーには溶媒や未転化モノマーが含まれてい
ないことが明らかとなった。また、プロトン核磁気共鳴分析法によって、この生
成物は2種類のモノマー(93モル%のブチルノルボルネン、17モル%のメチ
ルアクリレート)のランダム共重合体であることが示された。
ルボルネンのt−ブチルエステル(5.15g、26.5mmol)、トルエン
(25ml)、2,6−ジ−t−ブチルピリジン(50mg、265μmol)
(エステル基の開裂およびそれに続くイソブチレンの遊離を防止するために添加
された)、およびメチルアクリレート(2.38ml、26.5mmol)を投
入した。その後、トルエン(3ml)中の(シクロオクタジエン)パラジウム(
メチル)クロライドと予備混合されたトリシクロヘキシルホスフィン(14.6
mg、53μmol)を添加し、続いてトルエン(3ml)中のリチウムテトラ
キス(ペンタフルオロフェニル)ボロン(36mg、53μmol)を添加した
。得られた攪拌溶液を50℃に加熱された油浴の中に合計18時間設置した。1
8時間後、得られた反応混合物を過剰量のメタノール(200ml)に注ぎ込む
ことによってポリマーを沈殿させ、濾過し、過剰量のメタノールで洗浄して、8
0℃の真空下において恒量になるまで乾燥させた。 この乾燥したポリマーの重さは0.5gであった。プロトン核磁気共鳴分析法
によって、このポリマーには溶媒や未転化モノマーが含まれていないことが明ら
かとなった。また、プロトン核磁気共鳴分析法によって、この生成物は2種類の
モノマー(86モル%のメチルアクリレート、14モル%のノルボルネンのt−
ブチルエステル)のランダム共重合体であることが示された。
ルボルネンのエチルエステル(4.4g、26.5mmol)、トルエン(25
ml)、およびメチルアクリレート(2.38ml、26.5mmol)を投入
した。その後、トルエン(3ml)中の(アリル)パラジウムクロライド二量体
と予備混合されたトリシクロヘキシルホスフィン(14.6mg、53μmol
)を添加し、続いてトルエン(3ml)中のリチウムテトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)ボロン(36mg、53μmol)を添加した。得られた攪拌溶液
を50℃に加熱された油浴の中に合計18時間設置した。18時間後、得られた
反応混合物を過剰量のメタノール(200ml)に注ぎ込むことによってポリマ
ーを沈殿させ、濾過し、過剰量のメタノールで洗浄して、80℃の真空下におい
て恒量になるまで乾燥させた。 この乾燥したポリマーの重さは0.4gであった。プロトン核磁気共鳴分析法
によって、このポリマーには溶媒や未転化モノマーが含まれていないことが明ら
かとなった。また、プロトン核磁気共鳴分析法によって、この生成物は2種類の
モノマー(63モル%のメチルアクリレート、37モル%のノルボルネンのエチ
ルエステル)のランダム共重合体であることが示された。
ルボルネン(2.5g、26.5mmol)、窒素で15分間浄化された脱イオ
ン水(25ml)およびメチルメタアクリレート(2.65g、26.5mmo
l)を投入した。その後、アリルパラジウムクロライド二量体(9.7mg、5
3μmol)、脱イオン水(3ml)、トリス(3−スルホナートフェニル)ホ
スフィンナトリウム塩(30.1mg、53μmol)、およびリチウムテトラ
キス(ペンタフルオロフェニル)ボロン(36mg、53μmol)を(超音波
装置内で窒素下において30分間)混合することによって得られた均質性の非常
に高い溶液を添加した。得られた懸濁液を攪拌し、50℃に加熱された油浴の中
に合計18時間設置した。18時間後、得られた水性ポリマースラリーを過剰量
のメタノール(500ml)に注ぎ込み、濾過し、過剰量のメタノールで洗浄し
て、80℃の真空下において恒量になるまで乾燥させた。 この乾燥した白色の顆粒状のポリマーの重さは3.9gであった。プロトン核
磁気共鳴分析法によって、このポリマーには溶媒や未転化モノマーが含まれてい
ないことが明らかとなった。また、プロトン核磁気共鳴分析法によって、この生
成物は2種類のモノマー(71モル%のノルボルネン、29モル%のメチルメタ
クリレート)のランダム共重合体であることが示された。
ルボルネン(2.5g、26.5mmol)、ジクロロエタン(35ml)およ
びメチルアクリレート(2.38ml、26.5mmol)を投入した。その後
、ジクロロエタン(2ml)に溶かされた触媒成分D(9mg、26μmol)
、トリスペンタフルオロフェニルボロン(234μmol)およびトリエチルア
ルミニウム(0.16ml(シクロヘキサン中の1.7モル規定)、260μm
ol)を添加した。得られた攪拌溶液を50℃に加熱された油浴の中に合計48
時間設置した。48時間後、得られた反応混合物を過剰量のメタノール(300
ml)に注ぎ込むことによってポリマーを沈殿させ、濾過し、過剰量のメタノー
ルで洗浄して、80℃の真空下において恒量になるまで乾燥させた。
磁気共鳴分析法によって、このポリマーには溶媒や未転化モノマーが含まれてい
ないことが明らかとなった。また、プロトン核磁気共鳴分析法によって、この生
成物は2種類のモノマー(71モル%のノルボルネン、29モル%のメチルアク
リレート)のランダム共重合体であることが示された。
MRスペクトルである。
MRスペクトルである。
D−NMRスペクトル(HSQC)である。
状(C2〜C10)アルケニル、直鎖状および分岐状(C2〜C10)アルキニル、(
C5〜C12)シクロアルキル、(C6〜C12)アリールおよび(C7〜C24)アラ
ルキル、並びにそれらのハロゲン置換基を表すか、あるいはR1とR4はそれらが
結合している2個の環員炭素原子と一緒になって炭素数4〜12の飽和もしくは
不飽和環式基、炭素数6〜14のアリール基、−(CH2)n−C−(O)OR5
、−(CH2)n−C(O)OR5、−(CH2)n−OR5、−(CH2)n−OC(
O)R5、−(CH2)n−C(O)R5、−(CH2)n−OC(O)OR5、−(
CH2)n−C(O)OR6を表し、ここでmは0〜5の整数を表し、nは0〜1
0の整数を表し、R5は独立に水素、直鎖状および分岐状(C1〜C10)アルキル
、直鎖状および分岐状(C2〜C10)アルケニル、直鎖状および分岐状(C2〜C 10 )アルキニル、(C5〜C12)シクロアルキル、(C6〜C12)アリール、(C 7 〜C24)アラルキルおよびそれらのハロゲン置換基を表し;R6は酸不安定性基
を表し;R8は水素またはメチルであり;R9は独立に水素、酸不安定性基、直鎖
状および分岐状(C1〜C10)アルキル、直鎖状および分岐状(C2〜C10)アル
ケニル、直鎖状および分岐状(C2〜C10)アルキニル、(C5〜C12)シクロア
ルキル、(C6〜C14)アリール、(C7〜C24)アラルキルおよびそれらのハロ
ゲン置換基から選ばれる。
、 から選ばれる請求項1または2の共重合体。
、直鎖状および分岐状(C2〜C10)アルケニル、直鎖状および分岐状(C2〜C 10 )アルキニル、(C5〜C12)シクロアルキル、(C6〜C12)アリールおよび
(C7〜C24)アラルキル、並びにそれらのハロゲン置換基を表すか、あるいは
R1とR4はそれらが結合している2個の環員炭素原子と一緒になって炭素数4〜
12の飽和もしくは不飽和環式基、炭素数6〜14のアリール基、−(CH2)n −C−(O)OR5、−(CH2)n−C(O)OR5、−(CH2)n−OR5、−
(CH2)n−OC(O)R5、−(CH2)n−C(O)R5、−(CH2)n−OC
(O)OR5、−(CH2)n−C(O)OR6を表し、ここでmは0〜5の整数を
表し、nは0〜10の整数を表し、R5は独立に水素、直鎖状および分岐状(C1 〜C10)アルキル、直鎖状および分岐状(C2〜C10)アルケニル、直鎖状およ
び分岐状(C2〜C10)アルキニル、(C5〜C12)シクロアルキル、(C6〜C1 2 )アリール、(C7〜C24)アラルキルおよびそれらのハロゲン置換基を表し;
R6は酸不安定性基を表し;R8は水素またはメチルであり;R9は独立に水素、
酸不安定性基、直鎖状および分岐状(C1〜C10)アルキル、直鎖状および分岐
状(C2〜C10)アルケニル、直鎖状および分岐状(C2〜C10)アルキニル、(
C5〜C12)シクロアルキル、(C6〜C14)アリール、(C7〜C24)アラルキ
ルおよびそれらのハロゲン置換基から選ばれ;MはVIII族遷移金属を表し;Lは
ホスフィン、ホスファイトまたはビピリジル配位子を表し;X’は1つのσ結合
と0〜3つのπ結合を含有する配位子を表し;y’とz’はそれぞれ1であり;
CAは弱配位性カウンターアニオンを表し;そしてaはカウンターアニオンがカ
チオン錯体とバランスを取る倍数を表す数である。
は1〜5である、 で表されるテトラフェニルボレートから選ばれる弱配位性カウンターアニオンで
ある請求項17〜27の組成物。
Claims (1)
- 【請求項1】 式 【化1】 ここでR1〜R4は、独立に、−(CH2)nC(O)OR5、−(CH2)n−C(
O)OR5、−(CH2)n−OR5、−(CH2)n−OC(O)R5、−(CH2) n −C(O)R5、−(CH2)n−OC(O)OR5、および−(CH2)nC(O
)OR6から選択される基を表し、ここでmは0〜5の整数を表し、nは独立に
0〜10の整数を表し、R5は独立に水素、直鎖状および分岐状(C1〜C10)ア
ルキル、直鎖状および分岐状(C2〜C10)アルケニル、直鎖状および分岐状(
C2〜C10)アルキニル、(C5〜C12)シクロアルキル、(C6〜C14)アリー
ル、(C7〜C24)アラルキル、およびこれらのハロゲン化置換基を表し、R6は
酸不安定性部分を表し、R8は水素またはメチルを表し、およびR9は独立に、水
素、酸不安定性基、直鎖状および分岐状(C1〜C10)アルキル、直鎖状および
分岐状(C2〜C10)アルケニル、直鎖状および分岐状(C2〜C10)アルキニル
、(C5〜C12)シクロアルキル、(C6〜C14)アリール、(C7〜C24)アラ
ルキル、およびこれらのハロゲン化置換基から選択される、 の繰返し単位からなる共重合体組成物。
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