JP3946449B2 - フォトレジスト重合体、フォトレジスト組成物、及びフォトレジストパターン形成方法 - Google Patents
フォトレジスト重合体、フォトレジスト組成物、及びフォトレジストパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3946449B2 JP3946449B2 JP2001042125A JP2001042125A JP3946449B2 JP 3946449 B2 JP3946449 B2 JP 3946449B2 JP 2001042125 A JP2001042125 A JP 2001042125A JP 2001042125 A JP2001042125 A JP 2001042125A JP 3946449 B2 JP3946449 B2 JP 3946449B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- group
- monomer
- polymer
- photoresist polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 134
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 47
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 43
- -1 2-methyl tetrahydropyran-2-yl Chemical group 0.000 claims description 55
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 41
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 39
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 32
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 24
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 22
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 12
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 12
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 10
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 7
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 4
- JQCSUVJDBHJKNG-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-ethyl Chemical group C[CH]OC JQCSUVJDBHJKNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VUBUXALTYMBEQO-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoro-1-phenylpropan-1-one Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(=O)C1=CC=CC=C1 VUBUXALTYMBEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 125000004192 tetrahydrofuran-2-yl group Chemical group [H]C1([H])OC([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 3
- 125000004187 tetrahydropyran-2-yl group Chemical group [H]C1([H])OC([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 3
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 claims description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 2
- RUVINXPYWBROJD-UHFFFAOYSA-N para-methoxyphenyl Natural products COC1=CC=C(C=CC)C=C1 RUVINXPYWBROJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GRJHONXDTNBDTC-UHFFFAOYSA-N phenyl trifluoromethanesulfonate Chemical compound FC(F)(F)S(=O)(=O)OC1=CC=CC=C1 GRJHONXDTNBDTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 6
- BZBMBZJUNPMEBD-UHFFFAOYSA-N tert-butyl bicyclo[2.2.1]hept-2-ene-5-carboxylate Chemical compound C1C2C(C(=O)OC(C)(C)C)CC1C=C2 BZBMBZJUNPMEBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2,2'-azo-bis-isobutyronitrile Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229960004132 diethyl ether Drugs 0.000 description 5
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 5
- VBODKNIRHBYKGV-UHFFFAOYSA-N (2,5-dimethyl-5-prop-2-enoyloxyhexan-2-yl) prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC(C)(C)CCC(C)(C)OC(=O)C=C VBODKNIRHBYKGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001334 alicyclic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFUUEGAHYNUQTH-UHFFFAOYSA-N C1C2CCC1C=C2.CO[Si]1(C)O[SiH](C)O[SiH](C)O[SiH](C)O1 Chemical compound C1C2CCC1C=C2.CO[Si]1(C)O[SiH](C)O[SiH](C)O[SiH](C)O1 BFUUEGAHYNUQTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- ZQMIGQNCOMNODD-UHFFFAOYSA-N diacetyl peroxide Chemical compound CC(=O)OOC(C)=O ZQMIGQNCOMNODD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N methyl 1,3-benzoxazole-2-carboxylate Chemical compound C1=CC=C2OC(C(=O)OC)=NC2=C1 YDKNBNOOCSNPNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- ZLZZZUYVKRXMRS-UHFFFAOYSA-N (4-benzhydrylphenyl) trifluoromethanesulfonate Chemical compound O(S(=O)(=O)C(F)(F)F)C1=CC=C(C(C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C2)C=C1 ZLZZZUYVKRXMRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJYYHJOAZPZSQG-UHFFFAOYSA-N (4-methoxy-2,3-diphenylphenyl) trifluoromethanesulfonate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=1C(OC)=CC=C(OS(=O)(=O)C(F)(F)F)C=1C1=CC=CC=C1 WJYYHJOAZPZSQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGJCFVYMIJLQJO-UHFFFAOYSA-N 1-dodecylperoxydodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCOOCCCCCCCCCCCC LGJCFVYMIJLQJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLWVBXJOVBPMMP-UHFFFAOYSA-N 2-[(2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocan-2-yl)oxy]ethyl bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2-carboxylate Chemical compound C12C(CC(C=C1)C2)C(=O)OCCO[Si]2(O[SiH](O[SiH](O[SiH](O2)C)C)C)C JLWVBXJOVBPMMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTRXMHNLSZUQKU-UHFFFAOYSA-N 2-[(2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2,4,6,8-tetraoxatetrasilocan-2-yl)oxy]ethyl prop-2-enoate Chemical compound C(C=C)(=O)OCCO[Si]1(O[SiH](O[SiH](O[SiH](O1)C)C)C)C PTRXMHNLSZUQKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHSXOZKMZYKHLY-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl bicyclo[2.2.1]hept-2-ene-5-carboxylate Chemical compound C1C2C(C(=O)OCCO)CC1C=C2 PHSXOZKMZYKHLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUMNWCHHXDUKFI-UHFFFAOYSA-N 5-bicyclo[2.2.1]hept-2-enylmethanol Chemical compound C1C2C(CO)CC1C=C2 LUMNWCHHXDUKFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTPJAEDNQUIXAI-UHFFFAOYSA-N C[SiH]1O[SiH](O[SiH](O[SiH](O1)C)C)C.CO[Si]1(O[SiH](O[SiH](O[SiH](O1)C)C)C)C.C12CCC(C=C1)C2 Chemical compound C[SiH]1O[SiH](O[SiH](O[SiH](O1)C)C)C.CO[Si]1(O[SiH](O[SiH](O[SiH](O1)C)C)C)C.C12CCC(C=C1)C2 VTPJAEDNQUIXAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYJIAJHBQYSDNE-UHFFFAOYSA-N [4-(2-methylpropyl)-2,3-diphenylphenyl] trifluoromethanesulfonate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=1C(CC(C)C)=CC=C(OS(=O)(=O)C(F)(F)F)C=1C1=CC=CC=C1 CYJIAJHBQYSDNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000012662 bulk polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 125000005574 norbornylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
- G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F30/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal
- C08F30/04—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal
- C08F30/08—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal containing silicon
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F232/00—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
- C08F232/02—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having no condensed rings
- C08F232/04—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having no condensed rings having one carbon-to-carbon double bond
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/111—Polymer of unsaturated acid or ester
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/115—Cationic or anionic
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、二分子層レジスト(bilayer resist)に用いるに適したフォトレジスト単量体、及びこのような単量体を含む重合体に関し、具体的にシリコンが含まれた化合物、酸に敏感な保護基を有するアリサイクリック(alicyclic)化合物、及び架橋単量体であるジアクリレート系化合物等を含むフォトレジスト重合体、及びこれを利用したフォトレジスト組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
最近、超微細パターンを得るため主鎖又は側鎖にアリサイクリック系列の化合物が導入されたフォトレジスト共重合体が注目されている。しかし、このようなアリサイクリック系列化合物でなるフォトレジスト共重合体は重合収率が低く、合成単価が上昇する等の問題がある。その反面、アクリレート系の重合体は収率は良好であるがエッチング耐性が弱い欠点を有する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
一方、0.13μm以下の超微細パターン形成において既存のフォトレジストコーティング厚さでは、アスペクト比(aspect ratio)が高くパターンが崩壊する問題が発生しているが、コーティング厚さを低下すればエッチング時に耐性が無くなり後続工程が不可能である。したがって、最近は感光剤のコーティング厚さは低下させ感光剤の下層にハードマスク(hard mask)を導入するシンレジストハードマスク(thin resist-hard mask)工程と、感光剤自体にシリコン元素が含まれている二分子層レジスト(bilayer resist)を利用した工程が持ち上がっている。
二分子層レジストを利用した工程では反射防止用物質(BARC;bottom anti-reflective coating material)、g−ライン感光剤又はi−ライン感光剤を下部に先ず塗布し、その上にシリコンを含む感光剤を塗布したあと露光し、上層レジストを湿式現像して上層レジストパターンを形成した後、O2プラズマで下層レジストを乾式現像し下層レジストパターンを形成することにより、レジストパターンが崩壊する現象を防止することができる。
本発明者等は、二分子層レジスト工程に用いるに適したフォトレジストを開発するための研究の継続中、シリコンを含む化合物とともにアリサイクリック系列の化合物と、架橋単量体であるジアクリレート化合物等を導入した重合体が二分子層レジストに用いられるに適するだけでなく、重合収率も優れていることを見出し本発明を完成した。
本発明の目的は、二分子層レジストに用いるに適したフォトレジスト重合体、これを含むフォトレジスト組成物及びこれを利用してフォトレジストパターンを形成する方法を提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明ではシリコンが含まれた下記化学式(4)のグループを含む化合物、酸に敏感な保護基を有するアリサイクリック化合物、及び架橋単量体であるジアクリレート系化合物等を含むフォトレジスト重合体、及びこの重合体を利用したフォトレジスト組成物を提供する。
【0007】
請求項1に記載の発明は、下記化学式(1)〜(3)で示す化合物からなる群から選択される化合物の中の1以上を、第1単量体に含むことを特徴とするフォトレジスト重合体である。
【化22】
前記式で、
X1、X2、Y1、及びY2はそれぞれCH2又はCH2CH2であり、
R5は水素又はメチル基であり、
s及びtはそれぞれ0〜2の中から選択される整数であり、
nは1〜5の中から選択される整数であり、
Xは下記化学式(4)の置換基である。
【化23】
前記式で、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ水素、炭素数C1〜C10の直鎖又は側鎖アルキル、又はエーテルグループ(−O−)を含む炭素数C1〜C10の直鎖又は側鎖アルキルである。
【0008】
請求項2に記載の発明は、請求項1記載のフォトレジスト重合体において、前記第1単量体は、下記化学式(1a)、(2a)及び(3a)の化合物からなる群から選択されることを特徴とする。
【化24】
【0009】
請求項3に記載の発明は、請求項1記載のフォトレジスト重合体において、第2単量体として、下記化学式(5)の化合物をさらに含むことを特徴とする。
【化25】
前記式で、
V1及びV2はそれぞれCH2又はCH2CH2であり、
R6は酸に敏感な保護基であり、
pは0〜2の中から選択される整数である。
【0010】
請求項4に記載の発明は、請求項3記載のフォトレジスト重合体において、R6で示される酸に敏感な保護基はt−ブチル、テトラヒドロピラン−2−イル、2−メチル テトラヒドロピラン−2−イル、テトラヒドロフラン−2−イル、2−メチル テトラヒドロフラン−2−イル、1−メトキシプロピル、1−メトキシ−1−メチルエチル、1−エトキシプロピル、1−エトキシ−1−メチルエチル、1−メトキシエチル、1−エトキシエチル、t−ブトキシエチル、1−イソブトキシエチル、及び2−アセチルメント−1−イルからなる群から選択されることを特徴とする。
【0011】
請求項5に記載の発明は、請求項1記載のフォトレジスト重合体において、第3単量体として、下記化学式(6)の化合物をさらに含むことを特徴とする。
【化26】
前記式で、
W1及びW2はそれぞれCH2又はCH2CH2であり、
R7はエーテルグループ(−O−)又はヒドロキシ基を含む炭素数C1〜C12の直鎖又は側鎖アルキルであり、
qは0〜2の中から選択される整数である。
【0012】
請求項6に記載の発明は、請求項1記載のフォトレジスト重合体において、第4単量体として、下記化学式(7)の架橋単量体をさらに含むことを特徴とする。
【化27】
前記式で、
Yは酸素、炭素数C1〜C12の直鎖又は側鎖アルキレン、又はエーテルグループ(−O−)を含む炭素数C1〜C12の直鎖又は側鎖アルキレンであり、
R8及びR9はそれぞれH又はCH3であり、
R10、R11、R12及びR13はそれぞれH、炭素数C1〜C12の直鎖又は側鎖アルキル、又はエーテルグループ(−O−)を含む炭素数C1〜C12の直鎖又は側鎖アルキルである。
【0013】
請求項7に記載の発明は、請求項1記載のフォトレジスト重合体において、第5単量体として、無水マレイン酸をさらに含むことを特徴とする。
【0014】
請求項8に記載の発明は、請求項1記載のフォトレジスト重合体において、第6単量体として、下記化学式(8)の化合物をさらに含むことを特徴とする。
【化28】
前記式で、ZはCH2、CH2CH2又はOである。
【0015】
請求項9に記載の発明は、請求項1記載のフォトレジスト重合体において、下記化学式(9)〜化学式(11)の化合物からなる群から選択されたことを特徴とする。
【化29】
前記化学式(9)〜(11)で、
R1、R2、R3及びR4はそれぞれ水素、炭素数C1〜C10の直鎖又は側鎖アルキル、又はエーテルグループ(−O−)を含む炭素数C1〜C10の直鎖又は側鎖アルキルである。
R5、R8及びR9はそれぞれH又はCH3であり、
R6は酸に敏感な保護基であり、
R7はエーテルグループ(−O−)又はヒドロキシ基を含む炭素数C1〜C12の直鎖又は側鎖アルキルであり、
R10、R11、R12及びR13はそれぞれH、炭素数C1〜C12の直鎖又は側鎖アルキル、又はエーテルグループ(−O−)を含む炭素数C1〜C12の直鎖又は側鎖アルキルであり、
nは1〜5の中から選択される整数であり、
a、b、c、d、e及びfは各共単量体のモル比であり、a:b:c:d:e:fは0〜20モル%:0〜50モル%:0〜50モル%:0.1〜30モル%:0〜10モル%:0〜50モル%である。
【0016】
請求項10に記載の発明は、請求項9記載のフォトレジスト重合体において、下記化学式(9a)、(10a)及び(11a)の化合物からなる群から選択されたことを特徴とする。
【化30】
【0017】
請求項11に記載の発明は、請求項1記載のフォトレジスト重合体において、前記重合体の分子量は、3,000〜50,000であることを特徴とする。
【0021】
請求項12に記載の発明は、
(i)請求項1〜11のいずれか記載のフォトレジスト重合体と、
(ii)光酸発生剤と、
(iii)有機溶媒を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物である。
【0022】
請求項13に記載の発明は、請求項12記載のフォトレジスト組成物において、前記光酸発生剤は、ジフェニル沃素塩ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル沃素塩ヘキサフルオロアルセネート、ジフェニル沃素塩ヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルパラメトキシフェニルトリフレート、ジフェニルパラトルエニルトリフレート、ジフェニルパライソブチルフェニルトリフレート、ジフェニルパラ−t−ブチルフェニルトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、及びジブチルナフチルスルホニウムトリフレートからなるグループから選択された一つ、又は二つ以上を含むことを特徴とする。
【0023】
請求項14に記載の発明は、請求項12記載のフォトレジスト組成物において、前記光酸発生剤は、前記フォトレジスト重合体に対し0.05〜10重量%で用いられることを特徴とする。
【0024】
請求項15に記載の発明は、請求項12記載のフォトレジスト組成物において、前記有機溶媒は、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル 3−メトキシプロピオネート、エチル 3−エトキシプロピオネート、及びプロピレングリコールメチルエーテルアセテートからなる群から選択されたものであることを特徴とする。
【0025】
請求項16に記載の発明は、請求項12記載のフォトレジスト組成物において、前記有機溶媒は、前記フォトレジスト重合体に対し500〜2000重量%で用いられることを特徴とする。
【0026】
請求項17に記載の発明は、
(a)請求項12〜16のいずれか記載のフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する段階と、
(b)前記結果物を露光する段階と、
(c)前記フォトレジスト膜を現像する段階を含むことを特徴とするフォトレジストパターン形成方法である。
【0027】
請求項18に記載の発明は、請求項17記載のフォトレジストパターン形成方法において、前記(a)段階は、反射防止用物質(BARC;bottom anti-reflective coating material)又はg−ライン(g−line)感光剤又はi−ライン感光剤を半導体素子の基板上に塗布し、下部層(under layer)膜を形成した後、前記下部層膜上部に請求項12〜16のいずれか記載のフォトレジスト組成物を塗布し、上部層フォトレジスト膜を形成する段階であることを特徴とする。
【0028】
請求項19に記載の発明は、請求項18記載のフォトレジストパターン形成方法において、前記(a)段階において下部層膜を形成した後、ベーク工程を行う段階をさらに含むことを特徴とする。
請求項20に記載の発明は、請求項17記載のフォトレジストパターン形成方法において、前記(b)段階の前及び/又は後にベーク工程を行う段階をさらに含むことを特徴とする。
【0029】
請求項21に記載の発明は、請求項17記載のフォトレジストパターン形成方法において、前記(b)段階は、ArF(193nm)、KrF(248nm)、VUV(157nm)、EUV(13nm)、E−ビーム、X線光源を利用して行われることを特徴とする。
請求項22に記載の発明は、請求項17記載のフォトレジストパターン形成方法において、前記(c)段階は、アルカリ現像液を利用して行うことを特徴とする。
請求項23に記載の発明は、請求項18記載のフォトレジストパターン形成方法において、前記(c)段階は、上部層レジストをアルカリ現像液で現像し上部層レジストパターンを形成した後、このパターンを利用してO2プラズマで下部層レジストを乾式現像し、下部層レジストパターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする。
【0031】
【発明の実施の形態】
以下本発明を詳しく説明する。
本発明ではまず、下記化学式(1)〜化学式(3)からなる群から選択されるフォトレジスト単量体を提供する。
【化37】
前記式で、
X1、X2、Y1、及びY2はそれぞれCH2又はCH2CH2であり、
R5は水素又はメチル基であり、
s及びtはそれぞれ0〜2の中から選択される整数であり、
nは1〜5の中から選択される整数であり、
【0032】
上記化学式(1)〜(3)におけるXは下記化学式(4)の置換基である。
【化38】
前記式で、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ水素、炭素数C1〜C10の直鎖又は側鎖アルキル、又はエーテルグループ(−O−)を含む炭素数C1〜C10の直鎖又は側鎖アルキルである。
【0033】
前記フォトレジスト単量体の例には、下記化学式(1a)、(2a)及び(3a)の化合物がある。
【化39】
【0034】
さらに、本発明では前記化学式(1)〜(3)からなる群から選択された化合物中の1以上を、第1単量体に含むフォトレジスト重合体を提供する。
即ち、本発明のフォトレジスト重合体はSi元素を多量に含有する化学式(4)のグループを含む単量体を導入することにより、重合体全体重量に対しSi元素を7〜30重量%の適正量含み、酸素でエッチングするときエッチング耐性が卓越して強いという利点を有する。したがって、本発明のフォトレジスト組成物は二分子層レジストとして満足すべき性能を示すだけでなく、低い厚さでコーティングするとしても後続工程の推進が幾らでも可能である。
【0035】
本発明のフォトレジスト重合体は、酸に敏感な保護基を有する下記化学式(5)のアリサイクリック化合物を第2単量体としてさらに含む。
【化40】
前記式で、
V1及びV2はそれぞれCH2又はCH2CH2であり、
R6は酸に敏感な保護基であり、t−ブチル、テトラヒドロピラン−2−イル、2−メチル テトラヒドロピラン−2−イル、テトラヒドロフラン−2−イル、2−メチル テトラヒドロフラン−2−イル、1−メトキシプロピル、1−メトキシ−1−メチルエチル、1−エトキシプロピル、1−エトキシ−1−メチルエチル、1−メトキシエチル、1−エトキシエチル、t−ブトキシエチル、1−イソブトキシエチル、及び2−アセチルメント−1−イル等を例に挙げることができる。
pは0〜2の中から選択される整数である。
【0036】
さらに、本発明のフォトレジスト重合体は第3単量体として下記化学式(6)の化合物をさらに含むことができる。
【化41】
前記式で、
W1及びW2はそれぞれCH2又はCH2CH2であり、
R7はエーテルグループ(−O−)又はヒドロキシ基を含む炭素数C1〜C12の直鎖、又は側鎖アルキルであり、qは0〜2の中から選択される整数である。
【0037】
本発明のフォトレジスト重合体は、なお第4単量体として下記化学式(7)の架橋単量体をさらに含むことにより部分的に架橋化した構造を有する。
【化42】
前記式で、
Yは酸素、炭素数C1〜C12の直鎖又は側鎖アルキレン、又はエーテルグループ(−O−)を含む炭素数C1〜C12の直鎖又は側鎖アルキレンであり、
R8及びR9はそれぞれH又はCH3であり、
R10、R11、R12及びR13はそれぞれH、炭素数C1〜C12の直鎖又は側鎖アルキル、又はエーテルグループ(−O−)を含む炭素数C1〜C12の直鎖又は側鎖アルキルである。
【0038】
本発明では、前記化学式(7)のジアクリレート系架橋剤を用いることにより重合体の重合収率をさらに向上させることができる。なお、これら架橋剤の導入で感光剤は非露光部位では疎水性が大きく増加し現像液に溶解されなくなり、露光領域では効果的に断絶されることにより現像液によく溶解されることになり露光地域と非露光地域の間の対照比を大きく増加させる。
さらに本発明のフォトレジスト重合体は、第5単量体として無水マレイン酸をさらに含むことができる。無水マレイン酸もまた重合体の重合収率を向上させるに寄与する。
【0039】
本発明のフォトレジスト重合体は、第6単量体として下記化学式(8)の化合物をさらに含むことができる。本発明の重合体は立体的に大きい置換基グループを多数含んでいるため、共重合体の分子量を適切に調節し重合収率を向上させるため、相対的に立体的障害(steric hindrance)の小さい化学式(8)の化合物をスペーサモノマー(spacer monomer)として一定量添加するのが好ましい。
【化43】
前記式で、ZはCH2、CH2CH2又はOである。
【0040】
前記フォトレジスト重合体の例には、下記化学式(9)〜化学式(11)の化合物がある。
【化44】
前記化学式(9)〜(11)で、
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、nは前述の通りであり、
a、b、c、d、e及びfは各共単量体のモル比であり、このときdは0ではない。
前記a:b:c:d:e:fのモル比は0〜20モル%:0〜50モル%:0〜50モル%:0.1〜30モル%:0〜10モル%:0〜50モル%であるのが好ましく、a、b及びdが全て0でない場合、即ち第1、2及び3共単量体が全て含まれた場合がさらに好ましい。
【0041】
前記本発明のフォトレジスト重合体は、下記化学式(9a)、化学式(10a)及び化学式(11a)の化合物からなる群から選択されたものが好ましい。
【化45】
【0042】
前記重合体の分子量は、3,000〜50,000、好ましくは3,000〜20,000であるのが好ましい。
【0043】
本発明ではさらに、前記フォトレジスト重合体を製造する方法を提供するが、その製造過程は下記の段階を含む。
(a)(i)前記化学式(1)〜(3)の化合物からなる群から選択された第1単量体と、(ii)化学式(5)〜(8)で示す単量体と無水マレイン酸の中から選択される1以上の単量体を混合する段階と、
(b)前記結果物溶液に重合開始剤を添加し、重合反応を誘導する段階。
このとき重合工程は、通常のラジカル重合であるバルク重合又は溶液重合工程に従う。
【0044】
溶液重合を行う場合、前記(a)段階の混合はテトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、クロロホルム、エチルアセテート、アセトン、エチルメチルケトン、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、ベンゼン、トルエン及びキシレンでなる群から選択されたものを用いることができる。さらに、重合体を固体で得る場合、重合溶媒にはジエチルエーテル、石油エーテル(petroleum ether)、n−ヘキサン、シクロヘキサン、メタノール、エタノール、プロパノール又はイソプロピルアルコールを用い、好ましくはジエチルエーテル、石油エーテル、又はn−ヘキサンのような溶媒の中で行うのが好ましい。
【0045】
さらに、重合開始剤には2,2−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、t−ブチルパーオキサイド及びビスアザイド系化合物からなる群から選択されたものを用いるのが好ましい。
なお、前記(b)段階の重合反応は窒素又はアルゴンのような不活性気体の雰囲気下で50〜120℃、好ましくは50〜80℃で4〜24時間の間行うのが好ましい。
【0046】
本発明ではさらに、(i)前述の本発明のフォトレジスト重合体と、(ii)光酸発生剤と、(iii)有機溶媒を含むフォトレジスト組成物を提供する。
前記光酸発生剤はオニウム塩化合物、ハロゲン化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物及びスルホン酸化合物等の一般的な光酸発生剤を全て用いることができ、より好ましくは硫化塩及びヨードニウム塩を含むオニウム塩系化合物を用いるのが好ましい。その例には、ジフェニルヨード塩ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨード塩ヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨード塩ヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルパラメトキシフェニルトリフレート、ジフェニルパラトルエニルトリフレート、ジフェニルパライソブチルフェニルトリフレート、ジフェニルパラ−t−ブチルフェニルトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、及びジブチルナフチルスルホニウムトリフレートからなるグループから選択された一つ、又は二つ以上を用いることができる。
【0047】
前記光酸発生剤は、前記フォトレジスト重合体に対し0.05〜10重量%で用いられるのが好ましい。0.05重量%以下の量に用いられるときはフォトレジストの光に対する敏感度が弱くなり、10重量%以上用いるときは光酸発生剤が遠紫外線を多く吸収し、断面が不良なパターンを得ることになる。
さらに前記有機溶媒には、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル 3−メトキシプロピオネート、エチル 3−エトキシプロピオネート、及びプロピレングリコールメチルエーテルアセテート等の通常の有機溶媒を用いることができる。用いられる有機溶媒の量はフォトレジスト重合体に対し500〜2000重量%が好ましく、本発明の実験によれば溶媒の含量が重合体に対し1000重量%であるとき、フォトレジストの厚さは0.2μmになる。
【0048】
なお、本発明では前記フォトレジスト組成物を利用して下記の段階を含むフォトレジストパターン形成方法を提供する。
(a)本発明のフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する段階と、
(b)前記結果物を露光する段階と、
(c)前記フォトレジスト膜を現像する段階。
本発明のフォトレジスト組成物は、前記のような段階を経て単一層(single layer)レジストに用いることもでき、反射防止用物質(BARC;bottom anti-reflective coating material)、g−ライン(g−line)感光剤又はi−ライン感光剤を半導体素子の基板上に塗布し下部層(under layer)膜を形成した後、下部層膜の上部に本発明のフォトレジスト組成物を塗布し、上部層フォトレジスト膜を形成する(a)段階を行うことにより二分子層(bilayer)レジストに用いることもできる。
【0049】
前記工程で、前記(b)段階の前及び/又は後にベーク工程を行う段階をさらに含むことができ、二分子層レジスト工程では下部層膜を形成した後、(a)段階以前にベーク工程を行うことができる。
さらに、前記工程で(c)の現像段階はアルカリ現像液を利用して行われるが、二分子層レジスト工程では上部層レジストをアルカリ現像液を利用して湿式現像した後、下部層物質を乾式現像する方式で二分子層レジストパターンを形成することができる。二分子層レジスト工程を利用したフォトレジストパターン形成工程を図1に示した。このとき乾式現像は、O2プラズマ等を利用することができる。
【0050】
図1に示すように、ウェーハ11上部に反射防止用物質、g−ライン感光剤又はi−ラインの感光剤のような下部層物質13を塗布した後、前記下部層物質13上部に本発明のフォトレジスト組成物15を塗布し、前記上部層レジスト15を露光マスクを用いて選択露光する(A)。前記露光工程はArF(193nm)、KrF(248nm)、VUV(157nm)、EUV(13nm)、E−ビーム、又はX線光源を用いて行う。
その後、前記上部層レジスト15を0.1〜10wt%濃度のTMAH水溶液を利用して現像し、上部層レジスト15パターンを形成する(B)。
その次に、前記上部層レジスト15パターンを用いて前記下部層物質13をO2プラズマで乾式現像し、下部層物質13のパターンを形成する。このとき、前記O2プラズマを利用した乾式現像工程によりシリコンを含む本発明の組成物である上部層レジスト15パターンがシリコン酸化膜17を形成し、露出した下部層物質13は除去される(C)。次いで、前記シリコン酸化膜17を除去しレジストパターンを形成する(D)。
【0051】
即ち、本発明ではSi元素を多量含有するフォトレジスト単量体を用いてフォトレジスト組成物を製造し、これらはSi元素を適正量(フォトレジスト重合体重量に対し7−30重量%)含んでおり、酸素でエッチングするとき前述のようなシリコン酸化膜を形成することによりエッチング耐性が卓越して強いという利点を有する。したがって、下部層物質で廉価のg−ライン又はi−ライン感光剤や既存の商業用BARCをコーティングした後、その上に薄く本発明のフォトレジスト組成物をコーティングしても問題なく後続工程の推進が可能である。
本発明の組成物は薄くても後続工程(食刻)を行うのが容易であり、コーティング厚さを2000Å(オングストローム)以下に著しく低下させることができるため、極短波長光源及び電子ビームを採用するリソグラフィー工程でも吸光度が低いので使用可能である。
さらに、本発明では前述のパターン形成方法により製造された半導体素子を提供する。
【0052】
【実施例】
以下に、本発明を実施例に基づき詳しく説明する。但し、実施例は発明を例示するのみであり、本発明が下記実施例により限定されるものではない。
I.フォトレジスト単量体の製造
実施例1.エチレングリコール−2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサニル−エーテルアクリレートの製造
2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサン(1M)と、Zn(CH3CO2)2(0.01g)を含む混合溶液に2−ヒドロキシエチルアクリレート(1M)を徐々に添加し、反応混合物を12時間の間常温で攪拌させた。反応後混合物に200mlのベンゼンと200mlの冷水を添加した後抽出した。抽出後水層を除去してから冷水200mlを再び添加して再抽出し、水層を除去してZn(CH3CO2)2を完全に除去した。有機層にMgSO4を入れて完全に脱水した後ベンゼンを蒸留して除去し、前記化学式(1a)の純粋な標題化合物を得た(収率:97%)。
【0053】
実施例2.エチレングリコール−2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサニル−エーテル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレートの製造
2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサン(1M)と、Zn(CH3CO2)2(0.01g)を含む混合溶液に2−ヒドロキシエチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート(1M)を徐々に添加し、反応混合物を24時間の間常温で攪拌させた。反応後混合物に200mlのベンゼンと200mlの冷水を添加した後抽出した。抽出後水層を除去してから冷水200mlを再び添加して再抽出し、水層を除去してZn(CH3CO2)2を完全に除去した。有機層にMgSO4を入れて完全に脱水した後、ベンゼンを蒸留して除去し前記化学式(2a)の純粋な標題化合物を得た(収率:98%)。
【0054】
実施例3.(5−ノルボルネン−2−メトキシ)2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサンの製造
2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサン(1M)と、Zn(CH3CO2)2(0.01g)を含む混合溶液に5−ノルボルネン−2−メタノール(1M)を徐々に添加し、反応混合物を12時間の間常温で攪拌させた。反応後混合物に200mlのベンゼンと200mlの冷水を添加した後抽出した。抽出後水層を除去してから、冷水200mlを再び添加して再抽出し、水層を除去してZn(CH3CO2)2を完全に除去した。有機層にMgSO4を入れて完全に脱水した後、ベンゼンを蒸留して除去し前記化学式(3a)の純粋な標題化合物を得た(収率:98%)。
【0055】
II.フォトレジスト重合体の製造
実施例4.ポリ[5−ノルボルネン−2−(3−ヒドロキシメチル−3−エチル)ブチルカルボキシレート−3−カルボン酸/t−ブチル 5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/無水マレイン酸/ネオペンチルグリコールジアクリレート/エチレングリコール−2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサニル エーテルアクリレート]の製造
5−ノルボルネン−2−(3−ヒドロキシメチル−3−エチル)ブチルカルボキシレート−3−カルボン酸(0.1mole)、t−ブチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート(0.4mole)、無水マレイン酸(0.5mole)、ネオペンチルグリコールジアクリレート(0.01mole)、エチレングリコール−2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサニル−エーテルアクリレート(0.1mole)、AIBN(3g)をテトラヒドロフラン200mlに溶解した後、8時間の間65℃で反応させた。その次に、反応混合物を2Lの石油エーテル/ジエチルエーテル(diethylether)の2:1溶液に滴下してポリマーを精製した。ポリマーを乾燥させ前記化学式(9a)の標題重合体を得た(収率:62%)。
【0056】
実施例5.ポリ[5−ノルボルネン−2−(3−ヒドロキシメチル−3−エチル)ブチルカルボキシレート−3−カルボン酸/t−ブチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/無水マレイン酸/2,5−ジメチル−2,5−ヘキサンジオールジアクリレート/エチレングリコール−2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサニル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート]の製造
5−ノルボルネン−2−(3−ヒドロキシメチル−3−エチル)ブチルカルボキシレート−3−カルボン酸(0.1mole)、t−ブチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート(0.4mole)、無水マレイン酸(0.5mole)、2,5−ジメチル−2,5−ヘキサンジオールジアクリレート(0.01mole)、エチレングリコール−2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサニル−エーテル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート(0.1mole)、AIBN(3g)をテトラヒドロフラン200mlに溶解した後、8時間の間65℃で反応させた。その次に、反応混合物を2Lの石油エーテル/ジエチルエーテルの2:1溶液に滴下してポリマーを精製した。ポリマーを乾燥させ前記化学式(10a)の標題重合体を得た(収率:58%)。
【0057】
実施例6.ポリ[5−ノルボルネン−2−(3−ヒドロキシメチル−3−エチル)ブチルカルボキシレート−3−カルボン酸/t−ブチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/無水マレイン酸/2,5−ジメチル−2,5−ヘキサンジオールジアクリレート/(5−ノルボルネン−2−メトキシ)2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサン/ノルボルネン]の製造
5−ノルボルネン−2−(3−ヒドロキシメチル−3−エチル)ブチルカルボキシレート−3−カルボン酸(0.1mole)、t−ブチル 5−ノルボルネン−2−カルボキシレート(0.35mole)、無水マレイン酸(0.55mole)、2,5−ジメチル−2,5−ヘキサンジオールジアクリレート(0.01mole)、(5−ノルボルネン−2−メトキシ)2,4,6,8−テトラメチルシクロテトラシロキサン(0.1mole)、ノルボニレン(0.03mole)、AIBN(3g)をテトラヒドロフラン200mlに溶解した後、8時間の間65℃で反応させた。その次に、反応混合物を2Lの石油エーテル/ジエチルエーテルの2:1溶液に滴下してポリマーを精製した。ポリマーを乾燥させ前記化学式(11a)の標題重合体を得た(収率:61%)。
【0058】
III.フォトレジスト組成物及びフォトレジストパターンの製造
実施例7
実施例4で得られたフォトレジスト共重合体10gと、光酸発生剤にトリフェニルスルホニウムトリプレート0.12gをエチル−3−エトキシプロピオネート溶媒150gに溶解した後、0.1μmフィルターで濾過させフォトレジスト組成物を製造した。
シリコンウェーハ上に下部層(under layer)としてi−ライン感光剤を5000Å(オングストローム)の厚さに塗布した後ソフトベーキングを行う。次いで、前記本発明のフォトレジスト組成物(1ml)をシリコンウェーハ上にスピンコーティングした後、130℃で90秒間ベークする。ベーク後、ArFレーザ露光装備で露光し130℃で90秒間再びベークする[図1(A)参照]。ベーク完了後、2.38wt% TMAH水溶液で40秒間現像して上部層レジストパターンを形成し[図1(B)参照]、このパターンを用いて下部層レジストをO2プラズマで乾式現像し、下部層レジストパターンを形成する[図1(C)参照]。このとき、シリコンを含む上部層フォトレジストパターンはシリコン酸化膜17を形成し、露出する下部層物質13が除去される[図1(C)参照]。次いで、前記シリコン酸化膜17を除去し[図1(D)参照]0.12μmのL/Sパターンを得た(図2)。
【0059】
実施例8
実施例5で得られたフォトレジスト共重合体10gを用いることを除いては、前記実施例7と同様の方法でフォトレジスト組成物を製造し、このように得られたフォトレジスト組成物を用いて前記実施例7と同様のフォトリソグラフィー工程を行った結果、0.12μmのL/Sパターンを得た(図3)。
【0060】
実施例9
実施例6で得られたフォトレジスト共重合体10gを用いることを除いては、前記実施例7と同様の方法でフォトレジスト組成物を製造し、このように得られたフォトレジスト組成物を用いて前記実施例7と同様のフォトリソグラフィー工程を行った結果、0.13μmのL/Sパターンを得た(図4)。
【0061】
【発明の効果】
以上で検討してみたように、本発明ではSi元素を多量含有するフォトレジスト単量体を用いてフォトレジスト組成物を製造し、これらはSi元素を適正量(フォトレジスト重合体重量に対し7〜30重量%)含んでおり、酸素でエッチングするときシリコン酸化膜を形成することにより、エッチング耐性が卓越した強い利点を有する。したがって、下部層物質で廉価のg−ライン又はi−ライン感光剤や既存の商業用BARCをコーティングした後、その上に低い厚さで本発明のフォトレジスト組成物をコーティングしても問題なく後続工程の推進が可能であり、上部層レジストを湿式現像しO2プラズマで下部層レジストを乾式現像する式で二分子層レジストパターンを形成するため、レジストパターンの崩壊現象が発生しない微細パターンを形成することができ、それに伴う半導体素子の生産費用を大きく節減させることができる。
さらに、本発明の組成物は低い厚さでも後続工程(食刻)を行うことが容易であり、コーティング厚さを2000Å(オングストローム)以下に著しく低下させることができるため、極短波長光源及び電子ビームを採用するリソグラフィー工程でも吸光度が低いので使用可能である。
それだけでなく、本発明のフォトレジスト重合体は架橋単量体であるジアクリレート化合物を含むことにより重合収率が大きく増加し、部分的に架橋された構造を有することにより露光地域と非露光地域の対照比を向上させることができるという利点も有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るレジストパターンの製造工程図である。
【図2】実施例7で得られたフォトレジストパターンを示す写真である。
【図3】実施例8で得られたフォトレジストパターンを示す写真である。
【図4】実施例9で得られたフォトレジストパターンを示す写真である。
【符号の説明】
11 ウェーハ
13 下部層物質
15 上部層フォトレジスト
17 シリコン酸化膜
Claims (23)
- R6で示される酸に敏感な保護基はt−ブチル、テトラヒドロピラン−2−イル、2−メチル テトラヒドロピラン−2−イル、テトラヒドロフラン−2−イル、2−メチル テトラヒドロフラン−2−イル、1−メトキシプロピル、1−メトキシ−1−メチルエチル、1−エトキシプロピル、1−エトキシ−1−メチルエチル、1−メトキシエチル、1−エトキシエチル、t−ブトキシエチル、1−イソブトキシエチル、及び2−アセチルメント−1−イルからなる群から選択されることを特徴とする請求項3記載のフォトレジスト重合体。
- 第5単量体として、無水マレイン酸をさらに含むことを特徴とする請求項1記載のフォトレジスト重合体。
- 下記化学式(9)〜化学式(11)の化合物からなる群から選択されたことを特徴とする請求項1記載のフォトレジスト重合体。
R1、R2、R3及びR4はそれぞれ水素、炭素数C1〜C10の直鎖又は側鎖アルキル、又はエーテルグループ(−O−)を含む炭素数C1〜C10の直鎖又は側鎖アルキルである。
R5、R8及びR9はそれぞれH又はCH3であり、
R6は酸に敏感な保護基であり、
R7はエーテルグループ(−O−)又はヒドロキシ基を含む炭素数C1〜C12の直鎖又は側鎖アルキルであり、
R10、R11、R12及びR13はそれぞれH、炭素数C1〜C12の直鎖又は側鎖アルキル、又はエーテルグループ(−O−)を含む炭素数C1〜C12の直鎖又は側鎖アルキルであり、
nは1〜5の中から選択される整数であり、
a、b、c、d、e及びfは各共単量体のモル比であり、a:b:c:d:e:fは0〜20モル%:0〜50モル%:0〜50モル%:0.1〜30モル%:0〜10モル%:0〜50モル%である。 - 前記重合体の分子量は、3,000〜50,000であることを特徴とする請求項1記載のフォトレジスト重合体。
- (i)請求項1〜11のいずれか記載のフォトレジスト重合体と、
(ii)光酸発生剤と、
(iii)有機溶媒を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。 - 前記光酸発生剤は、ジフェニル沃素塩ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル沃素塩ヘキサフルオロアルセネート、ジフェニル沃素塩ヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルパラメトキシフェニルトリフレート、ジフェニルパラトルエニルトリフレート、ジフェニルパライソブチルフェニルトリフレート、ジフェニルパラ−t−ブチルフェニルトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、及びジブチルナフチルスルホニウムトリフレートからなるグループから選択された一つ、又は二つ以上を含むことを特徴とする請求項12記載のフォトレジスト組成物。
- 前記光酸発生剤は、前記フォトレジスト重合体に対し0.05〜10重量%で用いられることを特徴とする請求項12記載のフォトレジスト組成物。
- 前記有機溶媒は、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル 3−メトキシプロピオネート、エチル 3−エトキシプロピオネート、及びプロピレングリコールメチルエーテルアセテートからなる群から選択されたものであることを特徴とする請求項12記載のフォトレジスト組成物。
- 前記有機溶媒は、前記フォトレジスト重合体に対し500〜2000重量%で用いられることを特徴とする請求項12記載のフォトレジスト組成物。
- (a)請求項12〜16のいずれか記載のフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する段階と、
(b)前記結果物を露光する段階と、
(c)前記フォトレジスト膜を現像する段階を含むことを特徴とするフォトレジストパターン形成方法。 - 前記(a)段階は、反射防止用物質(BARC;bottom anti-reflective coating material)又はg−ライン(g−line)感光剤又はi−ライン感光剤を半導体素子の基板上に塗布し、下部層(under layer)膜を形成した後、前記下部層膜上部に請求項12〜16のいずれか記載のフォトレジスト組成物を塗布し、上部層フォトレジスト膜を形成する段階であることを特徴とする請求項17記載のフォトレジストパターン形成方法。
- 前記(a)段階において下部層膜を形成した後、ベーク工程を行う段階をさらに含むことを特徴とする請求項18記載のフォトレジストパターン形成方法。
- 前記(b)段階の前及び/又は後にベーク工程を行う段階をさらに含むことを特徴とする請求項17記載のフォトレジストパターン形成方法。
- 前記(b)段階は、ArF(193nm)、KrF(248nm)、VUV(157nm)、EUV(13nm)、E−ビーム、X線光源を利用して行われることを特徴とする請求項17記載のフォトレジストパターン形成方法。
- 前記(c)段階は、アルカリ現像液を利用して行うことを特徴とする請求項17記載のフォトレジストパターン形成方法。
- 前記(c)段階は、上部層レジストをアルカリ現像液で現像し上部層レジストパターンを形成した後、このパターンを利用してO2プラズマで下部層レジストを乾式現像し、下部層レジストパターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項18記載のフォトレジストパターン形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2000-0007853A KR100520188B1 (ko) | 2000-02-18 | 2000-02-18 | 부분적으로 가교화된 2층 포토레지스트용 중합체 |
KR2000P-7853 | 2000-02-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001233920A JP2001233920A (ja) | 2001-08-28 |
JP3946449B2 true JP3946449B2 (ja) | 2007-07-18 |
Family
ID=19647782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001042125A Expired - Fee Related JP3946449B2 (ja) | 2000-02-18 | 2001-02-19 | フォトレジスト重合体、フォトレジスト組成物、及びフォトレジストパターン形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6589707B2 (ja) |
JP (1) | JP3946449B2 (ja) |
KR (1) | KR100520188B1 (ja) |
TW (1) | TW550436B (ja) |
Families Citing this family (330)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7208260B2 (en) * | 1998-12-31 | 2007-04-24 | Hynix Semiconductor Inc. | Cross-linking monomers for photoresist, and process for preparing photoresist polymers using the same |
KR100535149B1 (ko) * | 1999-08-17 | 2005-12-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규의 포토레지스트용 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트조성물 |
JP3965547B2 (ja) * | 1999-12-01 | 2007-08-29 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
KR100520188B1 (ko) * | 2000-02-18 | 2005-10-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 부분적으로 가교화된 2층 포토레지스트용 중합체 |
KR100520186B1 (ko) * | 2000-06-21 | 2005-10-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 부분적으로 가교화된 2층 포토레지스트용 중합체 |
EP1229390A4 (en) * | 2000-06-22 | 2004-06-02 | Toray Industries | POSITIVE RADIOSENSITIVE COMPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING STRUCTURES USING THE SAME |
JP3830777B2 (ja) * | 2001-06-14 | 2006-10-11 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7232638B2 (en) * | 2002-05-02 | 2007-06-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
US6743734B2 (en) * | 2002-07-17 | 2004-06-01 | Macronix International Co., Ltd. | Bi-layer resist process |
AU2003302990A1 (en) * | 2002-12-02 | 2004-07-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemical amplification type silicone base positive photoresist composition |
US7674847B2 (en) * | 2003-02-21 | 2010-03-09 | Promerus Llc | Vinyl addition polycyclic olefin polymers prepared with non-olefinic chain transfer agents and uses thereof |
US6900123B2 (en) * | 2003-03-20 | 2005-05-31 | Texas Instruments Incorporated | BARC etch comprising a selective etch chemistry and a high polymerizing gas for CD control |
US7049052B2 (en) * | 2003-05-09 | 2006-05-23 | Lam Research Corporation | Method providing an improved bi-layer photoresist pattern |
US6974774B1 (en) * | 2004-07-22 | 2005-12-13 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a contact opening in a semiconductor assembly using a disposable hard mask |
DE102004037527A1 (de) * | 2004-07-29 | 2006-03-23 | Infineon Technologies Ag | Siliziumhaltiges Resistsystem für Lithographieverfahren |
TW200736855A (en) * | 2006-03-22 | 2007-10-01 | Quanta Display Inc | Method of fabricating photoresist thinner |
JP2008009269A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
JP6136491B2 (ja) * | 2012-04-24 | 2017-05-31 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法 |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
KR102099712B1 (ko) | 2013-01-15 | 2020-04-10 | 삼성전자주식회사 | 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10340141B2 (en) * | 2017-04-28 | 2019-07-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Patterning method for semiconductor device and structures resulting therefrom |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
TWI728456B (zh) | 2018-09-11 | 2021-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 相對於基板的薄膜沉積方法 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TWI838458B (zh) | 2019-02-20 | 2024-04-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
JP2021111783A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
JP2021177545A (ja) | 2020-05-04 | 2021-11-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板を処理するための基板処理システム |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59161827A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 絶縁膜加工法 |
WO1986001219A1 (en) * | 1984-08-17 | 1986-02-27 | Mc Carry, John, D. | Alkylsilane contact lens and polymer |
JPS6273250A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成用材料およびパタ−ン形成方法 |
US5338818A (en) * | 1992-09-10 | 1994-08-16 | International Business Machines Corporation | Silicon containing positive resist for DUV lithography |
KR100520188B1 (ko) * | 2000-02-18 | 2005-10-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 부분적으로 가교화된 2층 포토레지스트용 중합체 |
KR100520186B1 (ko) * | 2000-06-21 | 2005-10-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 부분적으로 가교화된 2층 포토레지스트용 중합체 |
-
2000
- 2000-02-18 KR KR10-2000-0007853A patent/KR100520188B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-02-15 US US09/788,181 patent/US6589707B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-16 TW TW090103512A patent/TW550436B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-02-19 JP JP2001042125A patent/JP3946449B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-05-12 US US10/436,742 patent/US6811960B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010081753A (ko) | 2001-08-29 |
TW550436B (en) | 2003-09-01 |
US20010031420A1 (en) | 2001-10-18 |
US6589707B2 (en) | 2003-07-08 |
US6811960B2 (en) | 2004-11-02 |
KR100520188B1 (ko) | 2005-10-10 |
US20030207205A1 (en) | 2003-11-06 |
JP2001233920A (ja) | 2001-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3946449B2 (ja) | フォトレジスト重合体、フォトレジスト組成物、及びフォトレジストパターン形成方法 | |
US7361447B2 (en) | Photoresist polymer and photoresist composition containing the same | |
JP4663075B2 (ja) | フォトレジスト用単量体とその製造方法、フォトレジスト用共重合体とその製造方法及びフォトレジスト組成物 | |
JP3688222B2 (ja) | フォトレジスト重合体とその製造方法、これを利用したフォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び、半導体素子 | |
JP3990146B2 (ja) | シリコンを含有する感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物 | |
JP2002088124A (ja) | 縮合環の芳香族環を含む保護基を有する感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物 | |
US6368771B1 (en) | Photoresist polymers and photoresist compositions containing the same | |
KR20020038283A (ko) | 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 | |
KR100647379B1 (ko) | 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 이용한포토레지스트 조성물 | |
JP3943445B2 (ja) | フォトレジスト重合体及びフォトレジスト組成物 | |
KR100557555B1 (ko) | 불소가 치환된 벤질 카르복실레이트 그룹을 포함하는단량체 및 이를 함유한 포토레지스트 중합체 | |
US20030215758A1 (en) | Photosensitive polymer and chemically amplified resist composition comprising the same | |
JP4288025B2 (ja) | フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子 | |
KR100673097B1 (ko) | 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 | |
KR20050002384A (ko) | 실리콘계 화합물을 포함하는 2층 포토레지스트용 중합체및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법 | |
KR20020096257A (ko) | 신규의 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를함유하는 포토레지스트 조성물 | |
KR100583096B1 (ko) | 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 | |
US6720129B2 (en) | Maleimide-photoresist polymers containing fluorine and photoresist compositions comprising the same | |
KR100362936B1 (ko) | 신규한포토레지스트의중합체및그를이용한포토레지스트조성물 | |
KR100557610B1 (ko) | 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 | |
KR20030055875A (ko) | 선형 또는 고리형 알콜을 갖는 비닐 에테르 유도체, 이를이용한 감광성 고분자 및 이 감광성 고분자를 이용한포토레지스트 조성물 | |
KR100680406B1 (ko) | 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 | |
KR100732285B1 (ko) | 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 | |
KR20060002054A (ko) | 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 | |
KR20050003605A (ko) | 포토레지스트 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041110 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070403 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070411 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |