JP2004320005A - 有機シリカ多孔性膜製造のための化学気相成長方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 90
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 31
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 title abstract description 19
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 156
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 68
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 44
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 36
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 15
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 118
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 107
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 98
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 91
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 64
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 63
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 claims description 56
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 50
- -1 peroxide compound Chemical class 0.000 claims description 49
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 36
- NBBQQQJUOYRZCA-UHFFFAOYSA-N diethoxymethylsilane Chemical group CCOC([SiH3])OCC NBBQQQJUOYRZCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 28
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 25
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 claims description 24
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 22
- 125000002619 bicyclic group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 claims description 13
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 13
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 13
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 12
- YHQGMYUVUMAZJR-UHFFFAOYSA-N alpha-terpinene Natural products CC(C)C1=CC=C(C)CC1 YHQGMYUVUMAZJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 10
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WSTYNZDAOAEEKG-UHFFFAOYSA-N Mayol Natural products CC1=C(O)C(=O)C=C2C(CCC3(C4CC(C(CC4(CCC33C)C)=O)C)C)(C)C3=CC=C21 WSTYNZDAOAEEKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CRPUJAZIXJMDBK-UHFFFAOYSA-N camphene Chemical compound C1CC2C(=C)C(C)(C)C1C2 CRPUJAZIXJMDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 6
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 5
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- LMWRZXGRVUIGGC-UHFFFAOYSA-N bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]methylsilane Chemical compound CC(C)(C)OC([SiH3])OC(C)(C)C LMWRZXGRVUIGGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 claims description 4
- RYOGZVTWMZNTGL-UDRCNDPASA-N (1z,5z)-1,5-dimethylcycloocta-1,5-diene Chemical compound C\C1=C\CC\C(C)=C/CC1 RYOGZVTWMZNTGL-UDRCNDPASA-N 0.000 claims description 3
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PXRCIOIWVGAZEP-UHFFFAOYSA-N Primaeres Camphenhydrat Natural products C1CC2C(O)(C)C(C)(C)C1C2 PXRCIOIWVGAZEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XCPQUQHBVVXMRQ-UHFFFAOYSA-N alpha-Fenchene Natural products C1CC2C(=C)CC1C2(C)C XCPQUQHBVVXMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229930006739 camphene Natural products 0.000 claims description 3
- ZYPYEBYNXWUCEA-UHFFFAOYSA-N camphenilone Natural products C1CC2C(=O)C(C)(C)C1C2 ZYPYEBYNXWUCEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XYYQWMDBQFSCPB-UHFFFAOYSA-N dimethoxymethylsilane Chemical compound COC([SiH3])OC XYYQWMDBQFSCPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940087305 limonene Drugs 0.000 claims description 3
- 235000001510 limonene Nutrition 0.000 claims description 3
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims description 3
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JZTYABBFHFUJSS-UHFFFAOYSA-N CC(C)OC([SiH3])OC(C)C Chemical compound CC(C)OC([SiH3])OC(C)C JZTYABBFHFUJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 claims description 2
- BGPNEHJZZDIFND-UHFFFAOYSA-N dimethyl-bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](C)(C)OC(C)(C)C BGPNEHJZZDIFND-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BPXCAJONOPIXJI-UHFFFAOYSA-N dimethyl-di(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](C)(C)OC(C)C BPXCAJONOPIXJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AHAREKHAZNPPMI-UHFFFAOYSA-N hexa-1,3-diene Chemical compound CCC=CC=C AHAREKHAZNPPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HLXDKGBELJJMHR-UHFFFAOYSA-N methyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](C)(OC(C)C)OC(C)C HLXDKGBELJJMHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 2
- VCJPCEVERINRSG-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trimethylcyclohexane Chemical compound CC1CCC(C)C(C)C1 VCJPCEVERINRSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- SDJHPPZKZZWAKF-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbuta-1,3-diene Chemical compound CC(=C)C(C)=C SDJHPPZKZZWAKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 125000001595 alpha-terpinene group Chemical group 0.000 claims 1
- CJSBUWDGPXGFGA-UHFFFAOYSA-N dimethyl-butadiene Natural products CC(C)=CC=C CJSBUWDGPXGFGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims 1
- AHQDZKRRVNGIQL-UHFFFAOYSA-N methyl-tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C AHQDZKRRVNGIQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 106
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 abstract description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 abstract 3
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 abstract 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 179
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 99
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 24
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 239000003361 porogen Substances 0.000 description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 241000894007 species Species 0.000 description 15
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 10
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 9
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 7
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 6
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 6
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 5
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 5
- DZPCYXCBXGQBRN-UHFFFAOYSA-N 2,5-Dimethyl-2,4-hexadiene Chemical compound CC(C)=CC=C(C)C DZPCYXCBXGQBRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RQVFGTYFBUVGOP-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy(dimethyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(C)OC(C)=O RQVFGTYFBUVGOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OPARTXXEFXPWJL-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy-bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C OPARTXXEFXPWJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 4
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 4
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 4
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 3
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- MEBONNVPKOBPEA-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trimethylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1(C)C MEBONNVPKOBPEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SDRZFSPCVYEJTP-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylcyclohexene Chemical compound C=CC1=CCCCC1 SDRZFSPCVYEJTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNRMPXKDFBEGFZ-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylbutane Chemical compound CCC(C)(C)C HNRMPXKDFBEGFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N 2-butyne Chemical group CC#CC XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBVJWOMJGCHRRW-UHFFFAOYSA-N 3,7,7-Trimethylbicyclo[4.1.0]hept-2-ene Chemical compound C1CC(C)=CC2C(C)(C)C12 IBVJWOMJGCHRRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001157 Fourier transform infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- BQOFWKZOCNGFEC-UHFFFAOYSA-N carene Chemical compound C1C(C)=CCC2C(C)(C)C12 BQOFWKZOCNGFEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229940104869 fluorosilicate Drugs 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 2
- YKFLAYDHMOASIY-UHFFFAOYSA-N γ-terpinene Chemical compound CC(C)C1=CCC(C)=CC1 YKFLAYDHMOASIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZXLUFQJSMQSMTR-AATRIKPKSA-N (4e)-2-methylhepta-2,4-diene Chemical compound CC\C=C\C=C(C)C ZXLUFQJSMQSMTR-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
- AFVDZBIIBXWASR-AATRIKPKSA-N (E)-1,3,5-hexatriene Chemical compound C=C\C=C\C=C AFVDZBIIBXWASR-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
- TXNWMICHNKMOBR-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylcyclohexene Chemical compound CC1=C(C)CCCC1 TXNWMICHNKMOBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUVALSXEYCDMFJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylcycloocta-1,3-diene Chemical compound CC1=C(C)C=CCCCC1 MUVALSXEYCDMFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQBKAYONUCKYKT-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butylcyclohexene Chemical compound CC(C)(C)C1=CCCCC1 GQBKAYONUCKYKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSAYAFZWRDYBQY-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylhexa-1,5-diene Chemical compound CC(=C)CCC(C)=C DSAYAFZWRDYBQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBVJWOMJGCHRRW-DTWKUNHWSA-N 2-Carene Natural products C1CC(C)=C[C@H]2C(C)(C)[C@@H]12 IBVJWOMJGCHRRW-DTWKUNHWSA-N 0.000 description 1
- PKXHXOTZMFCXSH-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylbut-1-ene Chemical compound CC(C)(C)C=C PKXHXOTZMFCXSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000025470 Clusia rosea Species 0.000 description 1
- 239000004131 EU approved raising agent Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004200 TaSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008482 TiSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- PDPXHRBRYUQCQA-SFOWXEAESA-N [(1s)-1-fluoro-2-(hydroxyamino)-2-oxoethyl]phosphonic acid Chemical compound ONC(=O)[C@@H](F)P(O)(O)=O PDPXHRBRYUQCQA-SFOWXEAESA-N 0.000 description 1
- TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(methyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(OC(C)=O)OC(C)=O TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- HZXFQABHGXHWKC-UHFFFAOYSA-N bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[SiH2]OC(C)(C)C HZXFQABHGXHWKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- ZZHNUBIHHLQNHX-UHFFFAOYSA-N butoxysilane Chemical compound CCCCO[SiH3] ZZHNUBIHHLQNHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229930006737 car-3-ene Natural products 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000012707 chemical precursor Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N cyclooctane Chemical compound C1CCCCCCC1 WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004914 cyclooctane Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- LIJGEAYWEYERTL-UHFFFAOYSA-N dimethoxysilylmethyl(dimethoxy)silane Chemical compound CO[SiH](OC)C[SiH](OC)OC LIJGEAYWEYERTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N ethenylcyclohexane Chemical compound C=CC1CCCCC1 LDLDYFCCDKENPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMXGQGAYTQGRNN-UHFFFAOYSA-N ethoxy-methyl-silyloxysilane Chemical compound CCO[SiH](C)O[SiH3] KMXGQGAYTQGRNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N isoniazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=NC=C1 QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical compound C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POCNHGFJLGYFIK-UHFFFAOYSA-N methylcyclooctane Chemical compound CC1CCCCCCC1 POCNHGFJLGYFIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 125000005244 neohexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- SJYNFBVQFBRSIB-UHFFFAOYSA-N norbornadiene Chemical compound C1=CC2C=CC1C2 SJYNFBVQFBRSIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N norbornane Chemical compound C1C[C@H]2CC[C@@H]1C2 UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N p-menthane Chemical compound CC(C)C1CCC(C)CC1 CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930004008 p-menthane Natural products 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000007634 remodeling Methods 0.000 description 1
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- DJYGUVIGOGFJOF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(trimethoxysilylmethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C[Si](OC)(OC)OC DJYGUVIGOGFJOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】有機種を含む膜の化学気相成長を増進する方法であって、反応チャンバー内に基材を供給し、反応チャンバー中に、炭素と水素の結合を有する有機前駆体と速度上昇剤とを含むガス状化学薬剤を導入し、この速度上昇剤は、酸素含有化合物、式R1OOR2を有する過酸化化合物、式R3C(O)OC(O)R4を有する過酸化合物、フッ素含有化合物、および重い不活性ガスよりなる群から選択される少なくとも1つのものであり、そして薬剤の反応を誘発しかつ基材の少なくとも一部の上に膜を被着させるのに充分なエネルギーを反応チャンバー中の化学薬剤に適用することを含む方法が提供される。
【選択図】 なし
Description
例としては、シクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、1−メチル−4−(1−メチルエチル)シクロヘキサン、シクロオクタン、メチルシクロオクタンなどがある。
例としては、エチレン、プロピレン、アセチレン、ネオヘキサン、ブタジエン、2,5−ジメチル−2,4−ヘキサジエン、ヘキサトリエン、ジメチルアセチレン、ネオヘキセンなどがある。
例としては、シクロヘキセン、ビニルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキセン、t−ブチルシクロヘキセン、α−テルピネン、ピネン、1,5−ジメチル−1,5−シクロオクタジエン、ビニル−シクロヘキセンなどがある。
例としては、ノルボルナン、スピロノナン、デカヒドロナフタレンなどがある。
例としては、カンフェン、ノルボルネン、ノルボルナジエンなどがある。
例としては、アダマンタンがある。
二酸化炭素キャリアガスを使用して、有機前駆体デカヒドロナフタレン(DHN)と有機ケイ素前駆体ジエトキシメチルシラン(DEMS)との80:20混合物(500mg/mn)のプラズマ化学気相成長(PECVD)により、シリコンウエハ上に、1つは水素源なしで被着し、1つは水素源(プロピレン)ありで被着した、2つの多相有機シリカガラス(OSG)膜を作製した。8torr、600Wプラズマパワー、そして上方電極と基材との間隔400ミリインチ(ミル)で、被着を行った。二酸化炭素キャリアガスの流量は、最初の膜について250sccmであった。第2の膜については、二酸化炭素キャリアガスの流量は150sccmであり、プロピレンの流量は300sccmであった。被着中の基材温度は250℃に維持した。
有機前駆体2,5−ジメチル−2,4−ヘキサジエン(DMHD)(1100mg/分、224sccm)と二酸化炭素キャリアガス(300sccm)、および表Iに示す種々の流量の亜酸化窒素(N2O)速度上昇剤のプラズマ化学気相成長(PECVD)により、シリコンウエハ上に一連の有機ポリマー膜を形成した。8torr、600Wプラズマパワー、そして上方電極と基材との間隔300ミリインチ(ミル)で、被着を行った。被着中の基材温度は250℃に維持した。各膜の被着速度、N2O/DMDH比、および屈折率を表Iに示す。
有機ケイ素前駆体ジエトキシメチルシラン(DEMS)(1000mg/分、167sccm)と二酸化炭素キャリアガス(300sccm)、および表IIに示す種々の流量の亜酸化窒素(N2O)速度上昇剤のプラズマ化学気相成長(PECVD)により、シリコンウエハ上に一連の高密度有機シリカガラス(OSG)膜を形成した。8torr、600Wプラズマパワー、そして上方電極と基材との間隔300ミリインチ(ミル)で、被着を行った。被着中の基材温度は250℃に維持した。各膜の被着速度、N2O/DEMS比、屈折率および誘電率を表IIに示す。
有機ケイ素前駆体ジエトキシメチルシラン(DEMS)(1500mg/分、3200sccm)とヘリウムキャリアガス(150sccm)、および表IIIaとIIIbに示す種々の流量の亜酸化窒素(N2O)または酸素(O2)速度上昇剤のプラズマ化学気相成長(PECVD)により、シリコンウエハ上に一連の高密度有機シリカガラス(OSG)膜を作製した。6torr、700Wプラズマパワー、そして上方電極と基材との間隔300ミリインチ(ミル)で、被着を行った。被着中の基材温度は425℃に維持した。各膜の被着速度、N2O/DEMS比、屈折率および誘電率を表IIIaとIIIbに示す。
有機ケイ素前駆体ジエトキシメチルシラン(DEMS)(200mg/分、33sccm)、有機前駆体2,5−ジメチル−1,5−ヘキサジエン(DMHD)(1100mg/分、224sccm)、二酸化炭素キャリアガス(300sccm)、および表IVに示す種々の流量の亜酸化窒素(N2O)速度上昇剤のプラズマ化学気相成長(PECVD)により、シリコンウエハ上に一連の多孔性有機シリカガラス(OSG)膜を形成した。8torr、600Wプラズマパワー、そして上方電極と基材との間隔300ミリインチ(ミル)で、被着を行った。被着中の基材温度は250℃に維持した。各膜の被着速度、屈折率、誘電率および厚さの損失を表IVに示す。
有機ケイ素前駆体ジエトキシメチルシラン(DEMS)(200mg/分、33sccm)、有機前駆体2,5−ジメチル−1,5−ヘキサジエン(DMHD)(1100mg/分、224sccm)、二酸化炭素キャリアガス(300sccm)、および表Vに示す種々の流量の酸素(O2)速度上昇剤のプラズマ化学気相成長(PECVD)により、シリコンウエハ上に一連の多孔性有機シリカガラス(OSG)膜を形成した。8torr、600Wプラズマパワー、および上方電極と基材との間隔300ミリインチ(ミル)で、被着を行った。被着中の基材温度は250℃に維持した。各膜の被着速度、屈折率、誘電率および厚さの損失を表Vに示す。
有機前駆体α−テルピネン(ATRP)(560mg/分)と有機ケイ素前駆体ジエトキシメチルシラン(DEMS)(140mg/分)の80:20混合物、二酸化炭素キャリアガス(250sccm)、および表VIに示す種々の流量の亜酸化窒素または四フッ化シリカ速度上昇剤によるプラズマ化学気相成長(PECVD)により、シリコンウエハ上に一連の多孔性有機シリカガラス(OSG)膜を作製した。8torr、600Wプラズマパワー、および上方電極と基材との間隔350ミリインチ(ミル)で、被着を行った。被着中の基材温度を表VIに示す。各膜の被着速度、屈折率、誘電率および厚さの損失を表VIに示す。
表VIIに示す有機ケイ素および有機前駆体を用いるプラズマ化学気相成長(PECVD)により、二酸化炭素をキャリアガスとして使用して、シリコンウエハ上に2つの多孔性有機シリカガラス(OSG)膜を作製した。有機ケイ素前駆体は、ケイ素原子に結合した速度上昇剤種を含有するジアセトキシジメチルシランか、またはジエトキシメチルシラン(DEMS)であった。両方の膜の有機前駆体はATRPであった。8torr、600Wプラズマパワー、および上方電極と基材との間隔400ミリインチ(ミル)で、被着を行った。被着中の基材温度は250℃であった。使用した前駆体、流量、各膜の厚さと誘電率を表VIIに示す。
Claims (42)
- 式SivOwCxHyFz(この式中、v+w+x+y+z=100%、vは10〜35原子%、wは10〜65原子%、xは5〜30原子%、yは10〜50原子%、そしてzは0〜15原子%である)で表される有機シリカ多孔性膜を製造するための化学気相成長方法であって、
反応チャンバー内に基材を供給すること、
反応チャンバー中に、少なくとも1つの有機ケイ素前駆体、有機前駆体、および速度上昇剤を含む、ガス状の化学薬剤を導入すること、
反応させて上記基材の少なくとも一部の上に、少なくとも1つの構造形成相と少なくとも1つの気孔形成相とを含む多相膜を被着させるのに充分なエネルギーを、反応チャンバー中の化学薬剤に適用すること、および、
当該多相膜に含まれる気孔形成相を実質的に除去し、複数の気孔を含み誘電率が2.6以下の多孔性有機シリカ膜を提供するのに充分なエネルギー供給源に、当該多相膜を暴露すること、
を含む、有機シリカ多孔性膜製造のための化学気相成長方法。 - 熱エネルギー、プラズマエネルギー、光子エネルギー、電子エネルギー、マイクロ波エネルギー、化学物質、およびこれらの組み合わせよりなる群から選択される少なくとも1つの後処理作用源で前記多孔性膜を処理することをさらに含む、請求項1記載の方法。
- 前記処理の工程を前記暴露の工程完了後に行う、請求項2記載の方法。
- 前記処理の工程を前記暴露の工程の少なくとも一部の間に行う、請求項2記載の方法。
- 前記少なくとも1つの後処理作用源が電子線により供給される電子エネルギーである、請求項2記載の方法。
- 前記少なくとも1つの後処理作用源が超臨界流体である、請求項2記載の方法。
- 前記多孔性膜の誘電率が1.9以下である、請求項1記載の方法。
- vが20〜30原子%、wが20〜45原子%、xが5〜20原子%、yが15〜40原子%、そしてzが0である、請求項1記載の方法。
- 前記適用の工程の温度が25〜450℃の範囲である、請求項1記載の方法。
- 前記適用の工程の温度が200〜450℃の範囲である、請求項9記載の方法。
- 前記速度上昇剤の化合物が、酸素(O2)、オゾン(O3)、亜酸化窒素(N2O)、過酸化水素(H2O2)、二酸化窒素(NO2)よりなる群から選択される少なくとも1つの酸素含有化合物である、請求項1記載の方法。
- 前記速度上昇剤の化合物が、フッ素(F2)、四フッ化ケイ素(SiF4)、三フッ化窒素(NF3)、式CnF2n+2(この式のnは1〜4の範囲の数である)の化合物、および六フッ化イオウ(SF6)よりなる群から選択される少なくとも1つのフッ素含有化合物である、請求項1記載の方法。
- 前記速度上昇剤の化合物が、Ar、Xe、およびKrよりなる群から選択される少なくとも1つの重い不活性ガスである、請求項1記載の方法。
- 前記速度上昇剤の化合物が、式R1OOR2(この式のR1とR2はそれぞれ独立に、水素原子、1〜6個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基、またはアリール基である)を有する過酸化化合物である、請求項1記載の方法。
- 前記速度上昇剤の化合物が、式R3C(O)OC(O)R4(この式のR3とR4はそれぞれ独立に、水素原子、1〜6個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基、またはアリール基である)を有する過酸化合物である、請求項1記載の方法。
- 前記速度上昇剤と前記少なくとも1つの有機ケイ素前駆体が同じ化合物を含む、請求項1記載の方法。
- 前記少なくとも1つの有機ケイ素前駆体が、式R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si(この式のR1は独立に、Hであるか、またはC1〜C4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R2は独立に、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R3は独立に、H、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、そしてnは1〜3、pは0〜3である)により表される、請求項1記載の方法。
- 前記少なくとも1つの有機ケイ素前駆体が、式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi−O−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q(この式のR1とR3は独立に、Hであるか、またはC1〜C4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R2とR6は独立に、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R4とR5は独立に、H、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、そしてnは0〜3であり、mは0〜3であり、qは0〜3であり、pは0〜3であるが、ただしn+m≧1、n+p≦3、およびm+q≦3である)で表される、請求項1記載の方法。
- 前記少なくとも1つの有機ケイ素前駆体が、式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q(この式のR1とR3は独立に、Hであるか、またはC1〜C4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R2とR6は独立に、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R4とR5は独立に、H、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、そしてnは0〜3であり、mは0〜3であり、qは0〜3であり、pは0〜3であるが、ただしn+m≧1、n+p≦3、およびm+q≦3である)により表される、請求項1記載の方法。
- 前記少なくとも1つの有機ケイ素前駆体が、式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi−R7−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q(この式のR1とR3は独立に、Hであるか、またはC1〜C4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R2、R6およびR7は独立に、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R4とR5は独立に、H、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、そしてnは0〜3であり、mは0〜3であり、qは0〜3であり、pは0〜3であるが、ただしn+m≧1、n+p≦3、およびm+q≦3である)により表される、請求項1記載の方法。
- 前記少なくとも1つの有機ケイ素前駆体が、式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tCH4-t(この式のR1は独立に、Hであるか、またはC1〜C4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R2は独立に、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R3は独立に、H、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、そしてnは1〜3であり、pは0〜3であり、tは2〜4であるが、ただしn+p≦4である)により表される、請求項1記載の方法。
- 前記少なくとも1つの有機ケイ素前駆体が、式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tNH3-t(この式のR1は独立に、Hであるか、またはC1〜C4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R2は独立に、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R3は独立に、H、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、そしてnは1〜3であり、pは0〜3であり、tは1〜3であるが、ただしn+p≦4である)により表される、請求項1記載の方法。
- 前記少なくとも1つの有機ケイ素前駆体が、式(OSiR1R3)x(この式のR1とR3は独立に、H、直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化されたC1〜C4であり、そしてxは2〜8の任意の整数でよい)により表される、請求項1記載の方法。
- 前記少なくとも1つの前駆体が、式(NR1SiR1R3)x(この式のR1とR3は独立に、H、直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化されたC1〜C4であり、そしてxは2〜8の任意の整数でよい)により表される、請求項1記載の方法。
- 前記少なくとも1つの前駆体が、式(CR1R3SiR1R3)x(この式のR1とR3は独立に、H、直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つもしくは複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化されたC1〜C4であり、そしてxは2〜8の任意の整数でよい)により表される、請求項1記載の方法。
- 前記少なくとも1つの有機ケイ素前駆体が、2つ以下のSi−O結合を有する第1の有機ケイ素前駆体と、3つ以上のSi−O結合を有する第2の有機ケイ素前駆体とを含む混合物である、請求項1記載の方法。
- 前記少なくとも1つの有機ケイ素前駆体が、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジ−イソプロポキシメチルシラン、ジ−t−ブトキシメチルシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリ−t−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−イソプロポキシシラン、ジメチルジ−t−ブトキシシラン、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチル−シクロテトラシロキサン、テトラエトキシシラン、およびそれらの混合物よりなる群から選択されたものである、請求項1記載の方法。
- 前記有機前駆体が、以下に示される群、すなわち、
(a)環状構造と式CnH2nとを有する少なくとも1つの環状炭化水素(この式のnは4〜14であり、当該環状構造中の炭素の数は4〜10であり、当該少なくとも1つの環状炭化水素は、環状構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素を随意に含有する)、
(b)式CnH(2n+2)-2y(この式のn=2〜20であり、y=0〜nである)を有する少なくとも1つの直鎖または分岐鎖の、飽和した、部分的にもしくは複数の不飽和のある炭化水素、
(c)環状構造と式CnH2n-2xとを有する少なくとも1つの、不飽和が1つもしくは複数の環状炭化水素(この式のxは不飽和部位の数であり、nは4〜14であり、環状構造中の炭素の数は4〜10であり、当該少なくとも1つの、不飽和が1つもしくは複数の環状炭化水素は、環状構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素置換基を随意に含有し、かつ環内にまたは炭化水素置換基の1つに不飽和を有する)、
(d)2環式構造と式CnH2n-2とを有する少なくとも1つの2環式炭化水素(この式のnは4〜14であり、当該2環式構造中の炭素の数は4〜12であり、当該少なくとも1つの2環式炭化水素は、環状構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素を随意に含有する)、
(e)2環式構造と式CnH2n-(2+2x)とを有する少なくとも1つの、不飽和が複数の2環式炭化水素(この式のxは不飽和部位の数であり、nは4〜14であり、当該2環式構造中の炭素の数は4〜12であり、当該少なくとも1つの、不飽和が複数の2環式炭化水素は、2環式構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素置換基を随意に含有し、かつ環内にまたは炭化水素置換基の1つに不飽和を有する)、
(f)3環式構造と式CnH2n-4とを有する少なくとも1つの3環式炭化水素(この式のnは4〜14であり、3環式構造中の炭素の数は4〜12であり、当該少なくとも1つの3環式炭化水素は、環状構造に置換された複数の単純なもしくは分岐した炭化水素を随意に含有する)、
およびこれらの混合物、
の群から選択される少なくとも1つのものである、請求項1記載の方法。 - 前記有機前駆体が、α−テルピネン、リモネン、シクロヘキサン、1,2,4−トリメチルシクロヘキサン、1,5−ジメチル−1,5−シクロオクタジエン、カンフェン、アダマンタン、1,3−ブタジエン、置換ジエン、デカヒドロナフタレン、ジメチルブタジエン、ヘキサジエン、およびこれらの混合物よりなる群から選択される少なくとも1つのものである、請求項1記載の方法。
- 前記少なくとも1つの有機ケイ素前駆体と前記速度上昇剤が同じ化合物を含む、請求項1記載の方法。
- 有機種を含む膜の化学気相成長を増進する方法であって、
反応チャンバー内に基材を供給すること、
当該反応チャンバー中に、炭素と水素の結合を有する有機前駆体と速度上昇剤化合物とを含むガス状化学薬剤を導入し、ここで、当該速度上昇剤は、酸素含有化合物、式R1OOR2(この式のR1とR2は独立に、水素、1〜6個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基、またはアリール基である)を有する過酸化化合物、式R3C(O)OC(O)R4(この式のR3とR4は独立に、水素、1〜6個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基、またはアリール基である)を有する過酸化合物、フッ素含有化合物、および重い不活性ガス化合物よりなる群から選択される少なくとも1つのものであること、そして、
上記薬剤の反応を誘発し、かつ上記基材の少なくとも一部の上に膜を被着させるのに充分なエネルギーを当該反応チャンバー中の当該化学薬剤に適用すること、
を含む、化学気相成長増進方法。 - 前記化学薬剤が少なくとも1つの有機ケイ素前駆体をさらに含む、請求項31記載の方法。
- 前記速度上昇剤化合物が、酸素(O2)、オゾン(O3)、亜酸化窒素(N2O)、過酸化水素(H2O2)、二酸化窒素(NO2)よりなる群から選択される少なくとも1つの酸素含有化合物である、請求項31記載の方法。
- 前記速度上昇剤化合物が、フッ素(F2)、四フッ化ケイ素(SiF4)、三フッ化窒素(NF3)、式CnF2n+2(この式のnは1〜4の範囲の数である)の化合物、および六フッ化イオウ(SF6)よりなる群から選択される少なくとも1つのフッ素含有化合物である、請求項31記載の方法。
- 前記速度上昇剤化合物が、Ar、Xe、およびKrよりなる群から選択される少なくとも1つの重い不活性ガスである、請求項31記載の方法。
- 前記速度上昇剤化合物が、式R1OOR2(この式のR1とR2はそれぞれ独立に、水素原子、1〜6個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基、またはアリール基である)を有する過酸化化合物である、請求項31記載の方法。
- 前記速度上昇剤化合物が、式R3C(O)OC(O)R4(この式のR3とR4はそれぞれ独立に、水素原子、1〜6個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基、またはアリール基である)を有する過酸化合物である、請求項31記載の方法。
- 前記速度上昇剤と前記少なくとも1つの有機ケイ素前駆体が同じ化合物を含む、請求項31記載の方法。
- 多孔性有機シリカガラス膜を形成する方法であって、
反応チャンバー内に基材を供給すること、
当該反応チャンバー内に、少なくとも1つの有機ケイ素前駆体を含む第1の化学薬剤を流し入れること、
第1の化学薬剤とは別個の少なくとも1つの有機前駆体と速度上昇剤とを含む第2の化学薬剤を当該反応チャンバー内に流し入れること、
第1および第2の化学薬剤の反応を誘発して、上記基材の少なくとも一部の上に、少なくとも1つの構造形成相と少なくとも1つの気孔形成相とを含む多相膜を形成するのに充分なエネルギーを、当該反応チャンバー中の化学薬剤に適用すること、そして、
当該多相膜から上記少なくとも1つの気孔形成相の実質的にすべてを除去して多孔性有機シリカガラス膜を提供すること
を含む、多孔性有機シリカガラス膜形成方法。 - 最初の流し入れの工程を2番目の流し入れの工程の前および/またはその少なくとも一部の最中に行う、請求項39記載の方法。
- 最初の流し入れの工程と2番目の流し入れの工程を交互にする、請求項39記載の方法。
- 下記のものを含む組成物。
(A)以下の(a)〜(i)よりなる群から選択される少なくとも1つの有機ケイ素前駆体
(a)式R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Siの化合物(この式のR1は独立に、Hであるか、またはC1〜C4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R2は独立に、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R3は独立に、H、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、nは1〜3であり、pは0〜3である)
(b)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi−O−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-qの化合物(この式のR1とR3は独立に、Hであるか、またはC1〜C4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R2とR6は独立に、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R4とR5は独立に、H、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、nは0〜3であり、mは0〜3であり、qは0〜3であり、そしてpは0〜3であるが、ただしn+m≧1、n+p≦3、およびm+q≦3である)
(c)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-qの化合物(この式のR1とR3は独立に、Hであるか、またはC1〜C4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R2とR6は独立に、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R4とR5は独立に、H、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、nは0〜3であり、mは0〜3であり、qは0〜3であり、そしてpは0〜3であるが、ただしn+m≧1、n+p≦3、およびm+q≦3である)
(d)式R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi−R7−SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-qの化合物(この式のR1とR3は独立に、Hであるか、またはC1〜C4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R2、R6およびR7は独立に、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R4とR5は独立に、H、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、nは0〜3であり、mは0〜3であり、qは0〜3であり、そしてpは0〜3であるが、ただしn+m≧1、n+p≦3、およびm+q≦3である)
(e)式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tCH4-tの化合物(この式のR1は独立に、Hであるか、またはC1〜C4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R2は独立に、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R3は独立に、H、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、nは1〜3であり、pは0〜3であり、そしてtは2〜4であるが、ただしn+p≦4である)
(f)式(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tNH3-tの化合物(この式のR1は独立に、Hであるか、またはC1〜C4の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R2は独立に、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、R3は独立に、H、C1〜C6の直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、芳香族の、部分的もしくは完全にフッ素化した炭化水素であり、nは1〜3であり、pは0〜3であり、そしてtは1〜3であるが、ただしn+p≦4である)
(g)式(OSiR1R3)xの環状シロキサン(この式のR1とR3は独立に、H、直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状で、部分的もしくは完全にフッ素化されたC1〜C4であり、xは2〜8の任意の整数でよい)
(h)式(NR1SiR1R3)xの環状シラザン(この式のR1とR3は独立に、H、直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化されたC1〜C4であり、xは2〜8の任意の整数でよい)
(i)式(CR1R3SiR1R3)xの環状カルボシラン(この式のR1とR3は独立に、H、直鎖もしくは分岐鎖の、飽和した、不飽和が1つ又は複数の、環状の、部分的もしくは完全にフッ素化されたC1〜C4であり、xは2〜8の任意の整数でよい)
(B)以下の(a)〜(f)よりなる群から選択される少なくとも1つの有機前駆体
(a)環状構造と式CnH2nとを有する少なくとも1つの環状炭化水素(この式のn=4〜14であり、当該環状構造中の炭素の数は4〜10であり、当該少なくとも1つの環状炭化水素は当該環状構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素を随意に含有する)
(b)一般式CnH(2n+2)-2yの少なくとも1つの直鎖または分岐鎖の、飽和した、一部にもしくは複数の不飽和のある炭化水素(この式のn=2〜20であり、y=0〜nである)
(c)環状構造と式CnH2n-2xとを有する少なくとも1つの、不飽和が1つ又は複数の環状炭化水素(この式のxは不飽和部位の数であり、nは4〜14であり、当該環状構造中の炭素の数は4〜10であり、当該少なくとも1つの、不飽和が1つ又は複数の環状炭化水素は、当該環状構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素置換基を随意に含有し、かつ環内に不飽和を有しまたは当該炭化水素置換基の1つに不飽和を有する)
(d)2環式構造と式CnH2n-2とを有する少なくとも1つの2環式炭化水素(この式のnは4〜14であり、当該2環式構造中の炭素の数は4〜12であり、当該少なくとも1つの2環式炭化水素は、2環式構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素を随意に含有する)
(e)2環式構造と式CnH2n-(2+2x)とを有する少なくとも1つの、複数の不飽和のある2環式炭化水素(この式のxは不飽和部位の数であり、nは4〜14であり、当該2環式構造中の炭素の数は4〜12であり、当該少なくとも1つの、複数の不飽和のある2環式炭化水素は、当該2環式構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素置換基を随意に含有し、かつ環内に不飽和を有しまたは当該炭化水素置換基の1つに不飽和を有する)
(f)3環式構造と式CnH2n-4とを有する少なくとも1つの3環式炭化水素(この式のnは4〜14であり、当該3環式構造中の炭素の数は4〜12であり、当該少なくとも1つの3環式炭化水素は、当該環状構造に置換した複数の単純なもしくは分岐した炭化水素を随意に含有する)
(C)随意に、以下のものよりなる群から選択される速度上昇剤化合物
(a)式R1OOR2を有する過酸化化合物(この式のR1とR2はそれぞれ独立に、水素原子、1〜6個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基、またはアリール基である)
(b)式R3C(O)OC(O)R4を有する過酸化合物(この式のR3とR4はそれぞれ独立に、水素原子、1〜6個の炭素原子を有する直鎖または分岐鎖のアルキル基、またはアリール基である)
(c)例えばアルゴン(Ar)、キセノン(Xe)、クリプトン(Kr)等の重い不活性ガス
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/404,190 US20040197474A1 (en) | 2003-04-01 | 2003-04-01 | Method for enhancing deposition rate of chemical vapor deposition films |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004320005A true JP2004320005A (ja) | 2004-11-11 |
JP2004320005A5 JP2004320005A5 (ja) | 2005-06-09 |
Family
ID=32850584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004105545A Pending JP2004320005A (ja) | 2003-04-01 | 2004-03-31 | 有機シリカ多孔性膜製造のための化学気相成長方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040197474A1 (ja) |
EP (2) | EP1795627A1 (ja) |
JP (1) | JP2004320005A (ja) |
KR (1) | KR100767246B1 (ja) |
TW (1) | TWI241354B (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006216541A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 誘電体材料、相互接続構造、電子構造、電子センシング構造および該製作方法(改良された靭性および改良されたSi−C結合を有するSiCOH誘電体材料、該誘電体材料を含む半導体デバイスおよび該誘電体材料の製作方法) |
JP2007073914A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Rohm Co Ltd | 多孔質薄膜の製造方法、多孔質薄膜およびこれを用いた半導体装置 |
JP2007318067A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-12-06 | National Institute For Materials Science | 絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 |
JP2008010877A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Air Products & Chemicals Inc | 還元性雰囲気下における絶縁膜の硬化 |
JP2008544533A (ja) * | 2005-06-21 | 2008-12-04 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 誘電体膜の形成方法及び該方法を実施するための新規な前駆体 |
US7569498B2 (en) | 2007-01-26 | 2009-08-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of semiconductor device |
JP2012084912A (ja) * | 2008-05-05 | 2012-04-26 | Air Products & Chemicals Inc | ポロゲン、ポロゲン化前駆体、及び低誘電定数を有する多孔性有機シリカガラスフィルムを得るためにそれらを用いる方法 |
JP2012129545A (ja) * | 2008-05-28 | 2012-07-05 | Air Products & Chemicals Inc | 置換フェノール安定剤を用いるnbdeの安定化改良法 |
JP2013062530A (ja) * | 2008-12-11 | 2013-04-04 | Air Products & Chemicals Inc | 有機シリケート材料からの炭素の除去方法 |
KR20130139188A (ko) * | 2012-06-12 | 2013-12-20 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | SiOC 부류의 막들의 원격 플라즈마 기반 증착 |
US8951342B2 (en) | 2002-04-17 | 2015-02-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for using porogens for low k porous organosilica glass films |
US9061317B2 (en) | 2002-04-17 | 2015-06-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
JP2016040829A (ja) * | 2010-12-15 | 2016-03-24 | 東ソー株式会社 | 炭素含有酸化ケイ素膜、封止膜及びその用途 |
CN104141112B (zh) * | 2008-05-07 | 2017-09-19 | 普林斯顿大学理事会 | 用于电子器件或其他物品上的涂层中的混合层 |
JP2019528580A (ja) * | 2016-08-30 | 2019-10-10 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | 表面フィーチャを充填する低k膜を作るための前駆体および流動性CVD法 |
US10832904B2 (en) | 2012-06-12 | 2020-11-10 | Lam Research Corporation | Remote plasma based deposition of oxygen doped silicon carbide films |
US11017998B2 (en) | 2016-08-30 | 2021-05-25 | Versum Materials Us, Llc | Precursors and flowable CVD methods for making low-K films to fill surface features |
US11049716B2 (en) | 2015-04-21 | 2021-06-29 | Lam Research Corporation | Gap fill using carbon-based films |
US11264234B2 (en) | 2012-06-12 | 2022-03-01 | Novellus Systems, Inc. | Conformal deposition of silicon carbide films |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6627532B1 (en) * | 1998-02-11 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition |
US6800571B2 (en) * | 1998-09-29 | 2004-10-05 | Applied Materials Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
US6541367B1 (en) * | 2000-01-18 | 2003-04-01 | Applied Materials, Inc. | Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films |
KR20030002993A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 학교법인 포항공과대학교 | 저유전체 박막의 제조방법 |
US6815373B2 (en) * | 2002-04-16 | 2004-11-09 | Applied Materials Inc. | Use of cyclic siloxanes for hardness improvement of low k dielectric films |
US7056560B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-06-06 | Applies Materials Inc. | Ultra low dielectric materials based on hybrid system of linear silicon precursor and organic porogen by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) |
US6936551B2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-08-30 | Applied Materials Inc. | Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices |
US7098149B2 (en) * | 2003-03-04 | 2006-08-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure |
TWI240959B (en) * | 2003-03-04 | 2005-10-01 | Air Prod & Chem | Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure |
US7288292B2 (en) * | 2003-03-18 | 2007-10-30 | International Business Machines Corporation | Ultra low k (ULK) SiCOH film and method |
JP4194508B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2008-12-10 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7611996B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-11-03 | Applied Materials, Inc. | Multi-stage curing of low K nano-porous films |
US20050227502A1 (en) * | 2004-04-12 | 2005-10-13 | Applied Materials, Inc. | Method for forming an ultra low dielectric film by forming an organosilicon matrix and large porogens as a template for increased porosity |
US7581549B2 (en) * | 2004-07-23 | 2009-09-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for removing carbon-containing residues from a substrate |
US7622193B2 (en) * | 2004-08-18 | 2009-11-24 | Dow Corning Corporation | Coated substrates and methods for their preparation |
JP4987717B2 (ja) * | 2004-08-18 | 2012-07-25 | ダウ・コーニング・コーポレイション | コーティングを有する基板及びその調製方法 |
US7332445B2 (en) * | 2004-09-28 | 2008-02-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porous low dielectric constant compositions and methods for making and using same |
US7727401B2 (en) * | 2004-11-09 | 2010-06-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Selective purification of mono-terpenes for removal of oxygen containing species |
US7892648B2 (en) * | 2005-01-21 | 2011-02-22 | International Business Machines Corporation | SiCOH dielectric material with improved toughness and improved Si-C bonding |
US20070134435A1 (en) * | 2005-12-13 | 2007-06-14 | Ahn Sang H | Method to improve the ashing/wet etch damage resistance and integration stability of low dielectric constant films |
US7297376B1 (en) | 2006-07-07 | 2007-11-20 | Applied Materials, Inc. | Method to reduce gas-phase reactions in a PECVD process with silicon and organic precursors to deposit defect-free initial layers |
FR2906402A1 (fr) * | 2006-09-21 | 2008-03-28 | Air Liquide | Couche barriere a base de silicium et de carbone pour semiconducteur |
US7410916B2 (en) * | 2006-11-21 | 2008-08-12 | Applied Materials, Inc. | Method of improving initiation layer for low-k dielectric film by digital liquid flow meter |
JP2008201982A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 多環脂環式化合物を前駆体物質とする薄膜、及びその製造方法 |
JP2009016782A (ja) * | 2007-06-04 | 2009-01-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
US7662726B2 (en) * | 2007-09-13 | 2010-02-16 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device having a gas-phase deposited insulation layer |
KR100962044B1 (ko) * | 2007-12-06 | 2010-06-08 | 성균관대학교산학협력단 | 저유전 플라즈마 중합체 박막 및 그 제조 방법 |
US20090258487A1 (en) * | 2008-04-14 | 2009-10-15 | Keng-Chu Lin | Method for Improving the Reliability of Low-k Dielectric Materials |
US8637396B2 (en) * | 2008-12-01 | 2014-01-28 | Air Products And Chemicals, Inc. | Dielectric barrier deposition using oxygen containing precursor |
US9212420B2 (en) * | 2009-03-24 | 2015-12-15 | Tokyo Electron Limited | Chemical vapor deposition method |
BRPI0924862A2 (pt) | 2009-06-12 | 2016-08-23 | Abb Technology Ag | meio de isolação dielétrica |
DE202009009305U1 (de) | 2009-06-17 | 2009-11-05 | Ormazabal Gmbh | Schalteinrichtung für Mittel-, Hoch- oder Höchstspannung mit einem Füllmedium |
US8460753B2 (en) * | 2010-12-09 | 2013-06-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for depositing silicon dioxide or silicon oxide films using aminovinylsilanes |
CA2821156A1 (en) | 2010-12-14 | 2012-06-21 | Abb Technology Ag | Dielectric insulation medium |
RU2567754C2 (ru) * | 2010-12-16 | 2015-11-10 | Абб Текнолоджи Аг | Диэлектрическая изолирующая среда |
KR101324025B1 (ko) * | 2011-11-01 | 2013-11-01 | 광주과학기술원 | 고분자 전해질 연료전지용 양면 초발수성 기체확산층, 그 제조방법 및 이를 포함하는 고분자 전해질 연료전지 |
WO2013087700A1 (en) | 2011-12-13 | 2013-06-20 | Abb Technology Ag | Sealed and gas insulated high voltage converter environment for offshore platforms |
KR101381244B1 (ko) * | 2011-12-21 | 2014-04-04 | 광주과학기술원 | 소수성 고분자 박막의 표면 개질 방법 및 표면 개질된 소수성 고분자 박막 |
JP2013143392A (ja) * | 2012-01-06 | 2013-07-22 | Renesas Electronics Corp | 多孔質膜の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
US20140329027A1 (en) * | 2013-05-02 | 2014-11-06 | Applied Materials, Inc. | Low temperature flowable curing for stress accommodation |
US10297442B2 (en) * | 2013-05-31 | 2019-05-21 | Lam Research Corporation | Remote plasma based deposition of graded or multi-layered silicon carbide film |
US20150179915A1 (en) * | 2013-12-23 | 2015-06-25 | Intermolecular, Inc. | Fluorine Passivation During Deposition of Dielectrics for Superconducting Electronics |
CN103996654B (zh) * | 2014-06-09 | 2017-01-25 | 苏州大学 | 多相低介电常数材料层的制造方法 |
US10361137B2 (en) | 2017-07-31 | 2019-07-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and method |
CN111295465B (zh) * | 2017-09-14 | 2022-12-09 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于沉积含硅膜的组合物和方法 |
US11848199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-12-19 | Lam Research Corporation | Doped or undoped silicon carbide deposition and remote hydrogen plasma exposure for gapfill |
US11756786B2 (en) * | 2019-01-18 | 2023-09-12 | International Business Machines Corporation | Forming high carbon content flowable dielectric film with low processing damage |
CN110158052B (zh) | 2019-05-17 | 2021-05-14 | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 | 低介电常数膜及其制备方法 |
CN110129769B (zh) * | 2019-05-17 | 2021-05-14 | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 | 疏水性的低介电常数膜及其制备方法 |
KR20220061161A (ko) * | 2019-09-13 | 2022-05-12 | 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 | 모노알콕시실란 및 디알콕시실란과 이로부터 제조된 고밀도 오가노실리카 필름 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6068884A (en) * | 1998-04-28 | 2000-05-30 | Silcon Valley Group Thermal Systems, Llc | Method of making low κ dielectric inorganic/organic hybrid films |
US6427076B2 (en) * | 1998-09-30 | 2002-07-30 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Method and system for manipulating subscriber data |
US6171945B1 (en) | 1998-10-22 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | CVD nanoporous silica low dielectric constant films |
US6245690B1 (en) * | 1998-11-04 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Method of improving moisture resistance of low dielectric constant films |
US6312793B1 (en) | 1999-05-26 | 2001-11-06 | International Business Machines Corporation | Multiphase low dielectric constant material |
DE69939899D1 (de) * | 1999-08-17 | 2008-12-24 | Applied Materials Inc | Methode und Apparat zur Verbesserung der Eigenschaften eines niedrig-k Si-O-C Filmes |
US6541367B1 (en) | 2000-01-18 | 2003-04-01 | Applied Materials, Inc. | Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films |
FI117979B (fi) * | 2000-04-14 | 2007-05-15 | Asm Int | Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi |
EP1172847A3 (en) * | 2000-07-10 | 2004-07-28 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | A method to produce a porous oxygen-silicon layer |
US6319858B1 (en) * | 2000-07-11 | 2001-11-20 | Nano-Architect Research Corporation | Methods for reducing a dielectric constant of a dielectric film and for forming a low dielectric constant porous film |
KR100615410B1 (ko) * | 2000-08-02 | 2006-08-25 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 저 유전 상수 다상 물질 및 그 증착 방법 |
WO2002013119A2 (en) * | 2000-08-08 | 2002-02-14 | Retx.Com, Inc. | Load management dispatch system and methods |
SG137695A1 (en) * | 2000-10-25 | 2007-12-28 | Ibm | Method for fabricating an ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dieletric in a semiconductor device |
US6632478B2 (en) * | 2001-02-22 | 2003-10-14 | Applied Materials, Inc. | Process for forming a low dielectric constant carbon-containing film |
KR100926722B1 (ko) * | 2001-04-06 | 2009-11-16 | 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 | 반도체 기판상의 실록산 중합체막 및 그 제조방법 |
KR20030002993A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 학교법인 포항공과대학교 | 저유전체 박막의 제조방법 |
US20030064154A1 (en) * | 2001-08-06 | 2003-04-03 | Laxman Ravi K. | Low-K dielectric thin films and chemical vapor deposition method of making same |
ATE499458T1 (de) * | 2002-04-17 | 2011-03-15 | Air Prod & Chem | Verfahren zur herstellung einer porösen sioch- schicht |
US7384471B2 (en) * | 2002-04-17 | 2008-06-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
EP1504138A2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-02-09 | Applied Materials, Inc. | Method for using low dielectric constant film by electron beam |
US20050048795A1 (en) * | 2003-08-27 | 2005-03-03 | Chung-Chi Ko | Method for ultra low-K dielectric deposition |
-
2003
- 2003-04-01 US US10/404,190 patent/US20040197474A1/en not_active Abandoned
-
2004
- 2004-03-29 EP EP07000816A patent/EP1795627A1/en not_active Withdrawn
- 2004-03-29 TW TW093108575A patent/TWI241354B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-03-29 EP EP04007571A patent/EP1464726A3/en not_active Withdrawn
- 2004-03-31 JP JP2004105545A patent/JP2004320005A/ja active Pending
- 2004-03-31 KR KR1020040022134A patent/KR100767246B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8951342B2 (en) | 2002-04-17 | 2015-02-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for using porogens for low k porous organosilica glass films |
US9061317B2 (en) | 2002-04-17 | 2015-06-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
JP2006216541A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 誘電体材料、相互接続構造、電子構造、電子センシング構造および該製作方法(改良された靭性および改良されたSi−C結合を有するSiCOH誘電体材料、該誘電体材料を含む半導体デバイスおよび該誘電体材料の製作方法) |
JP2008544533A (ja) * | 2005-06-21 | 2008-12-04 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 誘電体膜の形成方法及び該方法を実施するための新規な前駆体 |
JP2007073914A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Rohm Co Ltd | 多孔質薄膜の製造方法、多孔質薄膜およびこれを用いた半導体装置 |
JP4657859B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2011-03-23 | ローム株式会社 | 多孔質薄膜の製造方法、多孔質薄膜およびこれを用いた半導体装置 |
JP2007318067A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-12-06 | National Institute For Materials Science | 絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 |
JP2008010877A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Air Products & Chemicals Inc | 還元性雰囲気下における絶縁膜の硬化 |
US7569498B2 (en) | 2007-01-26 | 2009-08-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of semiconductor device |
JP2012084912A (ja) * | 2008-05-05 | 2012-04-26 | Air Products & Chemicals Inc | ポロゲン、ポロゲン化前駆体、及び低誘電定数を有する多孔性有機シリカガラスフィルムを得るためにそれらを用いる方法 |
US9882167B2 (en) | 2008-05-07 | 2018-01-30 | The Trustees Of Princeton University | Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles |
CN104141112B (zh) * | 2008-05-07 | 2017-09-19 | 普林斯顿大学理事会 | 用于电子器件或其他物品上的涂层中的混合层 |
JP2012129545A (ja) * | 2008-05-28 | 2012-07-05 | Air Products & Chemicals Inc | 置換フェノール安定剤を用いるnbdeの安定化改良法 |
JP2013062530A (ja) * | 2008-12-11 | 2013-04-04 | Air Products & Chemicals Inc | 有機シリケート材料からの炭素の除去方法 |
JP2016040829A (ja) * | 2010-12-15 | 2016-03-24 | 東ソー株式会社 | 炭素含有酸化ケイ素膜、封止膜及びその用途 |
KR20130139188A (ko) * | 2012-06-12 | 2013-12-20 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | SiOC 부류의 막들의 원격 플라즈마 기반 증착 |
KR102094553B1 (ko) | 2012-06-12 | 2020-03-30 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | SiOC 부류의 막들의 원격 플라즈마 기반 증착 |
US10832904B2 (en) | 2012-06-12 | 2020-11-10 | Lam Research Corporation | Remote plasma based deposition of oxygen doped silicon carbide films |
US11264234B2 (en) | 2012-06-12 | 2022-03-01 | Novellus Systems, Inc. | Conformal deposition of silicon carbide films |
US11049716B2 (en) | 2015-04-21 | 2021-06-29 | Lam Research Corporation | Gap fill using carbon-based films |
JP2019528580A (ja) * | 2016-08-30 | 2019-10-10 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | 表面フィーチャを充填する低k膜を作るための前駆体および流動性CVD法 |
US11017998B2 (en) | 2016-08-30 | 2021-05-25 | Versum Materials Us, Llc | Precursors and flowable CVD methods for making low-K films to fill surface features |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040088362A (ko) | 2004-10-16 |
EP1795627A1 (en) | 2007-06-13 |
TWI241354B (en) | 2005-10-11 |
EP1464726A2 (en) | 2004-10-06 |
KR100767246B1 (ko) | 2007-10-17 |
EP1464726A3 (en) | 2006-02-01 |
US20040197474A1 (en) | 2004-10-07 |
TW200420748A (en) | 2004-10-16 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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|
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