JP2012522378A - 化学気相成長法 - Google Patents
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Abstract
Description
− R1 n(OR2)3-nSi-O-SiR3 m(OR4)3-m。R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。R2とR4は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。n=1〜3で、かつm=1〜3である。
− R1 n(OR2)3-nSi-SiR3 m(OR4)3-m。R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。R2とR4は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。n=1〜3で、かつm=1〜3である。
− R1 n(O(O)CR2)4-nSi。R1は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。R2は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。n=1〜3である。
− R1 n(O(O)CR2)3-nSi-O-SiR3 m(O(O)CR4)3-m。R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。R2とR4は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。n=1〜3で、かつm=1〜3である。
− R1 n(O(O)CR2)3-nSi-SiR3 m(O(O)CR4)3-m。R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。R2とR4は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。n=1〜3で、かつm=1〜3である。
− R1 n(O(O)CR2)3-nSi-O-SiR3 m(OR4)3-m。R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。R2は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。R4は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。n=1〜3で、かつm=1〜3である。
− R1 n(O(O)CR2)3-nSi-SiR3 m(OR4)3-m。R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。R2は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。R4は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。n=1〜3で、かつm=1〜3である。
− R1 n(OR2)p(O(O)CR4)4-(n+p)Si。R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。R2は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。R4は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。n=1〜3で、かつp=1〜3である。
− R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-O-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q。R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。R2とR6は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。R4とR5は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。n=1〜3で、m=1〜3で、p=1〜3で、かつq=1〜3である。
− R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q。R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。R2とR6は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。R4とR5は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。n=1〜3で、m=1〜3で、p=1〜3で、かつq=1〜3である。
− (OSiR1R2)xで表される環状シロキサン。R1とR2は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良い。xは2〜8の範囲の任意の整数であって良い。
上記全ての前駆体基に対する条件は、1)ポロゲンは反応混合物に加えられる、及び2)硬化(たとえばアニール)工程は、2.6未満の誘電率kを得るため、堆積された材料から含まれる実質的にすべてのポロゲンを除去するのに用いられることである。
以下は、本発明による個々のポロゲンとの併用に適したあるSi含有化学前駆体を表す別の化学式である。
2) 一般式CnH(2n+2)-2yの線形若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和炭化水素。n=2〜20で、y=0〜nである。
3) 一般式CnH2n-2xの単価又は多価不飽和環状炭化水素。Xは分子中の不飽和サイト数で、n=4〜14で、環状構造中の炭素数は4〜10で、かつ環状構造上で置換された複数の単純又は分岐状の炭化水素が存在して良い。不飽和は、環内部又は環状構造への炭化水素置換物のうちの1つに存在して良い。
4) 一般式CnH2n-2の二環式炭化水素。n=4〜14で、二環式構造中の炭素数は4〜12で、かつ、環状構造上で置換された複数の単純又は分岐状の炭化水素が存在して良い。
5) 一般式CnH2n-(2+2x)の多価不飽和二環式炭化水素。Xは分子中の不飽和サイト数で、n=4〜14で、二環式構造中での炭素数は4〜12で、かつ環状構造中上で置換された複数の単純又は分岐状の炭化水素が存在して良い。不飽和は、環内部又は環状構造への炭化水素置換物のうちの1つに存在して良い。
6) 一般式CnH2n-4の三環式炭化水素。n=4〜14で、三環式構造中の炭素数は4〜12で、かつ環状構造中上で置換された複数の単純又は分岐状の炭化水素が存在して良い。
処理気体は、不活性ガス−たとえば希ガス−をさらに有して良い。処理気体は酸化剤を含まなくて良い。あるいはその代わりに処理気体は酸化剤を含んでも良い。さらに処理気体は開始剤を含まなくて良い。あるいはその代わりに処理気体は開始剤を含んでも良い。またさらに処理気体は、酸化剤と開始剤の両方を有しても良い。開始剤は、連鎖重合を引き起こす材料であって良い。連鎖重合においては、開始剤は、モノマーを侵襲する活性種を生成する。活性種は、フリーラジカル、アニオン、又はカチオンであって良い。たとえば開始剤は過酸化物を有して良い。それに加えてたとえば、開始剤は、有機過酸化物−たとえばジターブチル過酸化物、ジターアミル過酸化物、又はターブチル過酸化ベンゾネート−、アゾ化合物−たとえば2,2’-アゾビスイソブチロニトリル−、又は他のモノマー−たとえばペルフルオロオクタンスルホニルフルオライド−を有して良い。
他の例によると、Si含有材料−特にオルガノシリケートガラス(OSG)−は、上述のフィラメント支援CVD法(FACVD)を用いて堆積される。典型的なFACVD法では、Si含有化学前駆体はメチルトリオキシシランを有し、ポロゲンはヘリウム(He)流に導入されるパラシメンを有し、かつ処理条件は、Si含有化学前駆体の流速は約30mg/分〜約100mg/分で、ポロゲンの流速は約70mg/分〜約300mg/分で、キャリアガスの流速は約25sccm(標準状態でのcm3/分)〜約50sccmで、熱源(つまりNi-Cr合金(たとえばニクロム(登録商標))加熱素子)の温度は約715℃〜895℃で、圧力は約4Torr〜約12Torrで、基板ホルダの温度は約61℃〜約198℃で、かつ熱源と基板との間の距離は約19mm〜約44mmである。
Claims (34)
- 表面上に薄膜を堆積するための化学気相成長法であって:
処理チャンバ内の基板ホルダ上に基板を設ける工程;
Si含有化学前駆体及び有機前駆体からなる群から選ばれた1種類以上の化学前駆体を有する処理気体を前記処理チャンバへ導入する工程;
前記基板ホルダから分離した非電離熱源に前記1種類以上の化学前駆体を曝露することで、前記1種類以上の化学前駆体の分解を起こす工程;
前記1種類以上の化学前駆体の分解物に前記基板を曝露する工程;
Si含有材料、有機材料、組成傾斜オルガノシリコン含有材料、又はこれら2種類以上の混合物からなる群から選ばれた材料を含む薄膜を前記基板上に堆積する工程;
を有する方法。 - 前記Si含有材料が、堆積された状態で3.0未満の誘電率を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記基板を20℃乃至350℃の範囲の基板温度に維持する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 前記基板温度が150℃乃至230℃の範囲である、請求項3に記載の方法。
- 前記Si含有化学前駆体が、Si含有の構造形成分子及び孔生成分子を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記孔生成分子は、側鎖基として前記Siを含有する構造形成分子と弱く結合し、又は、前記孔生成分子は、前記Siを含有する構造形成分子しない、請求項5に記載の方法。
- 前記Si含有材料をエネルギー源に曝露することで、前記Si含有材料から前記孔生成材料を部分的又は全体的に除去する工程をさらに有する、請求項5に記載の方法。
- 前記のSi含有材料をエネルギー源に曝露する工程は、前記のSi含有材料を堆積する工程中及び/又は該工程後に実行される、請求項7に記載の方法。
- 前記Si含有材料が、前記のSi含有材料をエネルギー源に曝露する工程後において、2.7以下の誘電率を有する、請求項7に記載の方法。
- 前記Si含有材料が、前記のSi含有材料をエネルギー源に曝露する工程後において、体積にして少なくとも5%の有孔率を有する、請求項7に記載の方法。
- 前記エネルギー源が、コヒーレントな電磁放射線源及び/又は非コヒーレントな電磁放射線源を有する、請求項7に記載の方法。
- 前記エネルギー源が、光子源、電子源、プラズマ源、マイクロ波放射線源、紫外(UV)放射線源、赤外(IR)放射線源、可視放射線源、熱エネルギー源、又は上記2つ以上を組み合わせたものを有する、請求項7に記載の方法。
- 前記Si含有化学前駆体が:
R1は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、R2は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、n=1〜3であるときの、R1 n(OR2)4-nSi;
R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、R2とR4は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、n=1〜3で、かつm=1〜3であるときの、R1 n(OR2)3-nSi-O-SiR3 m(OR4)3-m;
R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、R2とR4は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、n=1〜3で、かつm=1〜3であるときの、R1 n(OR2)3-nSi-SiR3 m(OR4)3-m;
R1は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、R2は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、n=1〜3であるときの、R1 n(O(O)CR2)4-nSi;
R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、R2とR4は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、n=1〜3で、かつm=1〜3であるときの、R1 n(O(O)CR2)3-nSi-O-SiR3 m(O(O)CR4)3-m;
R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、R2とR4は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、n=1〜3で、かつm=1〜3であるときの、R1 n(O(O)CR2)3-nSi-SiR3 m(O(O)CR4)3-m;
R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、R2は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、R4は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、n=1〜3で、かつm=1〜3であるときの、R1 n(O(O)CR2)3-nSi-O-SiR3 m(OR4)3-m;
R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、R2は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、R4は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、n=1〜3で、かつm=1〜3であるときの、R1 n(O(O)CR2)3-nSi-SiR3 m(OR4)3-m;
R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、R2は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、R4は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、n=1〜3で、かつp=1〜3であるときの、R1 n(OR2)p(O(O)CR4)4-(n+p)Si;
R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、R2とR6は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、R4とR5は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、n=1〜3で、m=1〜3で、p=1〜3で、かつq=1〜3であるときの、R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-O-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q;
R1とR3は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、R2とR6は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、R4とR5は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、n=1〜3で、m=1〜3で、p=1〜3で、かつq=1〜3であるときの、R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q;
R1とR2は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、xは2〜8の範囲の任意の整数であって良いときに、(OSiR1R2)xで表される環状シロキサン;
R1は、独立したH若しくはC1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、R2は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、R3は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、n=1〜3で、かつp=0〜3であるときの、R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si;
R1とR3は、独立したH若しくはC1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、R2とR6は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、R4とR5は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、n=0〜3で、m=0〜3で、p=0〜3で、かつq=0〜3で、n+m≧1、n+p≦3、及びm+q≦3であるときの、R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-O-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q;
R1とR3は、独立したH若しくはC1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、R2とR6は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、R4とR5は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、n=0〜3で、m=0〜3で、p=0〜3で、かつq=0〜3で、n+m≧1、n+p≦3、及びm+q≦3であるときの、R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q;
R1とR3は、独立したH若しくはC1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、R2とR6とR7は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、R4とR5は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、n=0〜3で、m=0〜3で、p=0〜3で、かつq=0〜3で、n+m≧1、n+p≦3、及びm+q≦3であるときの、R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-R7-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q;
R1は、独立したH若しくはC1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、R2は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、R3は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、n=1〜3で、p=0〜3で、かつt=2〜4で、n+p≦4であるときの、(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tCH4-t;
R1は、独立したH若しくはC1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、R2は、独立したC1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、R3は、独立したH、C1〜C6で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、芳香族で、部分的若しくは全体的にフッ化した炭化水素で、n=1〜3で、p=0〜3で、かつt=1〜3で、n+p≦4であるときの、(R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tNH3-t;
R1とR2は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、xは2〜8の範囲の任意の整数であって良いときの、(OSiR1R2)xの環状シロキサン;
R1とR2は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、xは2〜8の範囲の任意の整数であって良いときの、(NR1SiR1R2)xの環状シラザン;
R1とR2は、独立したH、C1〜C4で、直線状若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和で、環状で、部分的若しくは全体的にフッ化して良く、xは2〜8の範囲の任意の整数であって良いときの、[(CR1R2)(SiR1R2)]xの環状カルボシラン;
上記2種類以上の混合物;
を有する、請求項1に記載の方法。 - 前記Si含有化学前駆体がポロゲンと混合し、かつ/又は、
前記Si含有化学前駆体は、該Si含有化学前駆体に付着するポロゲンを有する、
請求項1に記載の方法。 - 前記Si含有化学前駆体が:
ジエトシキメチルシラン;
ジメチルジメトキシシラン;
ジメチルトリエトキシシラン;
1,3-ジメチル-1,3-ジエトキシジシロキサン;
1,2-ジメチル-1,1,2,2-テトラエトキシジシラン;
ジメチルジアセトキシシラン;
1,3-ジメチル-1,3-ジアセトキシジシロキサン;
1,2-ジメチル-1,1,2,2-テトラアセトキシジシラン;
1,3-ジメチル-1-アセトキシ-3-エトキシジシロキサン;
1,2-ジメチル-1-アセトシキ-2-エトキシジシラン;
ジ-t-ブトキシメチルシラン;
メチルアセトキシ-t-ブトキシシラン;
1,3-ジメチル-1,3-ジアセトキシ-1,3-ジエトキシジシロキサン;
1,2-ジメチル-1,2-ジアセトキシ-1,2-ジエトキシジシラン;
1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン;若しくは、
オクタメチルシクロテトラシロキサン;又は、
上記2種類以上の混合物;
を有する、請求項1に記載の方法。 - 前記Si含有化学前駆体がSi含有の構造形成分子及び孔生成分子を有し、
前記孔生成分子が:
n=4〜14で、環状構造中の炭素数は4〜10で、かつ、環状構造上で置換された複数の単純又は分岐状の炭化水素が存在して良い、一般式CnH2nの環状炭化水素;
n=2〜20で、y=0〜nである、一般式CnH(2n+2)-2yの線形若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和炭化水素;
xは分子中の不飽和サイト数で、n=4〜14で、環状構造中の炭素数は4〜10で、かつ環状構造上で置換された複数の単純又は分岐状の炭化水素が存在して良く、不飽和は、環内部又は環状構造への炭化水素置換物のうちの1つに存在して良い、一般式CnH2n-2xの単価又は多価不飽和環状炭化水素;
n=4〜14で、二環式構造中の炭素数は4〜12で、かつ、環状構造上で置換された複数の単純又は分岐状の炭化水素が存在して良い、一般式CnH2n-2の二環式炭化水素;
xは分子中の不飽和サイト数で、n=4〜14で、二環式構造中での炭素数は4〜12で、かつ環状構造中上で置換された複数の単純又は分岐状の炭化水素が存在して良く、不飽和は、環内部又は環状構造への炭化水素置換物のうちの1つに存在して良い、一般式CnH2n-(2+2x)の多価不飽和二環式炭化水素;
n=4〜14で、三環式構造中の炭素数は4〜12で、かつ環状構造中上で置換された複数の単純又は分岐状の炭化水素が存在して良い、一般式CnH2n-4の三環式炭化水素;
R’とR’’が1〜3の炭素種から独立に選ばれうる、一般式C6HnR’xR’’6-(n+x)の置換アルキル芳香族構造;
置換芳香族種;又は
上記2種類以上の混合物;
を有する、請求項1に記載の方法。 - 前記孔生成分子が:
メチルイソプロピルベンゼン;
パラシメン;
エチルトルエン;
パラエチルトルエン;
パラキシレン;
メタキシレン;
オルトキシレン;
エチルベンゼン;
プロピルベンゼン;
トルエン;
ジエチルベンゼン;
シクロヘキサン;
トリメチルシクロヘキサン;
1-メチル-4(1-メチルエチル)シクロヘキサン;
シクロオクタン;
メチルシクロオクタン;
シクロオクタジエン;
デカヒドロナフタレン;
エチレン;
プロピレン;
アセチレン;
ネオヘキサン;
シクロヘキサン;
ビニルシクロヘキサン;
ジメチルシクロヘキサン;
t-ブチルシクロヘキサン;
α-ターピネン;
ピネン;
リモネン;
1,5-ジメチル-2,4-ヘキサジエン;
ビニルシクロヘキサン;
ビシクロヘプタジエン;
ノルボルナン;
スピロノナン;
カンフェン;
ノルボルネン;
ノルボルナジエン;
アダマンタン;又は
上記2種類以上の混合物;
を有する、請求項1に記載の方法。 - 前記処理気体が、酸化ガス及び/又は開始剤を含まない、請求項1に記載の方法。
- 前記処理気体が、不活性ガスをさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 前記処理気体が、不活性ガス並びに酸化ガス及び/又は開始剤をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 前記開始剤がジターブチル過酸化物を有する、請求項20に記載の方法。
- 前記非電離熱源が、前記基板の表面付近又は上方に取り付けられた抵抗加熱導電性フィラメントを有し、かつ
前記処理気体は前記処理チャンバへ導入されることで、前記1種類以上の化学前駆体は、前記抵抗加熱導電性フィラメント全体又は付近を流れる、
請求項1に記載の方法。 - 前記非電離熱源の温度が500℃〜1500℃の範囲である、請求項22に記載の方法。
- 前記基板上に堆積された材料を硬化する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 前記有機材料が分解可能な有機材料を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記有機材料をエネルギー源に曝露することで、前記の有機材料の堆積後、前記有機材料を部分的又は全体的に除去する工程をさらに有する、請求項25に記載の方法。
- 前記エネルギー源が、コヒーレントな電磁放射線源及び/又は非コヒーレントな電磁放射線源を有する、請求項26に記載の方法。
- 前記エネルギー源が、光子源、電子源、プラズマ源、マイクロ波放射線源、紫外(UV)放射線源、赤外(IR)放射線源、可視放射線源、熱エネルギー源、又は上記2つ以上を組み合わせたものを有する、請求項26に記載の方法。
- 前記の有機材料をエネルギー源に曝露する工程が、質量にして、前記有機材料の90%以上を除去する、請求項26に記載の方法。
- 前記基板を、80℃〜200℃の基板温度に維持する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 前記基板温度が110℃〜180℃の範囲である、請求項30に記載の方法。
- 前記有機化学前駆体が:
n=4〜14で、環状構造中の炭素数は4〜10で、かつ、環状構造上で置換された複数の単純又は分岐状の炭化水素が存在して良い、一般式CnH2nの環状炭化水素;
n=2〜20で、y=0〜nである、一般式CnH(2n+2)-2yの線形若しくは分岐状で、飽和し、単価若しくは多価不飽和炭化水素;
xは分子中の不飽和サイト数で、n=4〜14で、環状構造中の炭素数は4〜10で、かつ環状構造上で置換された複数の単純又は分岐状の炭化水素が存在して良く、不飽和は、環内部又は環状構造への炭化水素置換物のうちの1つに存在して良い、一般式CnH2n-2xの単価又は多価不飽和環状炭化水素;
n=4〜14で、二環式構造中の炭素数は4〜12で、かつ、環状構造上で置換された複数の単純又は分岐状の炭化水素が存在して良い、一般式CnH2n-2の二環式炭化水素;
xは分子中の不飽和サイト数で、n=4〜14で、二環式構造中での炭素数は4〜12で、かつ環状構造中上で置換された複数の単純又は分岐状の炭化水素が存在して良く、不飽和は、環内部又は環状構造への炭化水素置換物のうちの1つに存在して良い、一般式CnH2n-(2+2x)の多価不飽和二環式炭化水素;
n=4〜14で、三環式構造中の炭素数は4〜12で、かつ環状構造中上で置換された複数の単純又は分岐状の炭化水素が存在して良い、一般式CnH2n-4の三環式炭化水素;
R’とR’’が1〜3の炭素種から独立に選ばれうる、一般式C6HnR’xR’’6-(n+x)の置換アルキル芳香族構造;
置換芳香族種;又は
上記2種類以上の混合物;
を有する、請求項1に記載の方法。 - 前記有機化学前駆体が:
メチルイソプロピルベンゼン;
パラシメン;
エチルトルエン;
パラエチルトルエン;
パラキシレン;
メタキシレン;
オルトキシレン;
エチルベンゼン;
プロピルベンゼン;
トルエン;
ジエチルベンゼン;
シクロヘキサン;
トリメチルシクロヘキサン;
1-メチル-4(1-メチルエチル)シクロヘキサン;
シクロオクタン;
メチルシクロオクタン;
シクロオクタジエン;
デカヒドロナフタレン;
エチレン;
プロピレン;
アセチレン;
ネオヘキサン;
シクロヘキサン;
ビニルシクロヘキサン;
ジメチルシクロヘキサン;
t-ブチルシクロヘキサン;
α-ターピネン;
ピネン;
リモネン;
1,5-ジメチル-2,4-ヘキサジエン;
ビニルシクロヘキサン;
ビシクロヘプタジエン;
ノルボルナン;
スピロノナン;
カンフェン;
ノルボルネン;
ノルボルナジエン;
アダマンタン;又は
上記2種類以上の混合物;
を有する、請求項1に記載の方法。 - 前記有機化学前駆体の量に対する前記Si含有化学前駆体の量を調節することで、前記組成傾斜オルガノシリコン含有材料の厚さ全体にわたるSi含有材料と有機材料の相対濃度の空間的に変化させる工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
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