JP2002043167A - チップ型電子部品及びその製造方法 - Google Patents
チップ型電子部品及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
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-
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラスコート層のひび割れが発生しにくく、
セラミック素体の絶縁抵抗が劣化しにくいチップ型電子
部品及びその製造方法を提供する。 【解決方法】 セラミックグリーンシートを積層してな
る積層体１１と、そのグリーンシート上に印刷された内
部電極１２，１３と、該積層体１１の両端部に設けた外
部電極１４，１５と、積層体１１の外部電極形成面以外
の表面を被覆するガラスコート層１６からなる積層コン
デンサ。ガラスコート層１６は、その表面近傍から内部
に向かって、ケイ素元素の含有量に対するアルカリ金属
元素の含有量の原子比が暫増している。この積層コンデ
ンサは、積層体１１の表面に、ケイ素元素の含有量に対
するアルカリ金属元素の含有量の原子比が０．３以上の
アルカリ金属を含むガラスコート層１６を施した後、酸
性水溶液中に浸漬して得る。
セラミック素体の絶縁抵抗が劣化しにくいチップ型電子
部品及びその製造方法を提供する。 【解決方法】 セラミックグリーンシートを積層してな
る積層体１１と、そのグリーンシート上に印刷された内
部電極１２，１３と、該積層体１１の両端部に設けた外
部電極１４，１５と、積層体１１の外部電極形成面以外
の表面を被覆するガラスコート層１６からなる積層コン
デンサ。ガラスコート層１６は、その表面近傍から内部
に向かって、ケイ素元素の含有量に対するアルカリ金属
元素の含有量の原子比が暫増している。この積層コンデ
ンサは、積層体１１の表面に、ケイ素元素の含有量に対
するアルカリ金属元素の含有量の原子比が０．３以上の
アルカリ金属を含むガラスコート層１６を施した後、酸
性水溶液中に浸漬して得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型電子部
品、特に、セラミックからなる素体を有するチップ型電
子部品及びその製造方法に関する。
品、特に、セラミックからなる素体を有するチップ型電
子部品及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】積層コンデンサをはじめ電子部品の多く
がチップ化されている。しかし、それらは、セラミック
が表面に露出しているため、耐湿性などの信頼性が低
い。そこで、高い信頼性を得るため、特開平３−２５０
６０３号公報には、露出しているセラミック表面をガラ
スコート層で被うことが開示されている。
がチップ化されている。しかし、それらは、セラミック
が表面に露出しているため、耐湿性などの信頼性が低
い。そこで、高い信頼性を得るため、特開平３−２５０
６０３号公報には、露出しているセラミック表面をガラ
スコート層で被うことが開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記セ
ラミック製チップ型電子部品では、ガラスコート層にひ
び割れが生じたり、セラミック素体の絶縁抵抗の劣化が
生じたりしていた。
ラミック製チップ型電子部品では、ガラスコート層にひ
び割れが生じたり、セラミック素体の絶縁抵抗の劣化が
生じたりしていた。
【０００４】そこで、本発明の目的は、ガラスコート層
のひび割れが発生しにくく、セラミック素体の絶縁抵抗
が劣化しにくいチップ型電子部品及びその製造方法を提
供することにある。
のひび割れが発生しにくく、セラミック素体の絶縁抵抗
が劣化しにくいチップ型電子部品及びその製造方法を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】前記目的を達成
するため、本発明に係るチップ型電子部品は、セラミッ
クからなる素体の表面にガラスコート層を施したチップ
型電子部品において、前記ガラスコート層の表面近傍か
ら内部に向かって、ケイ素元素の含有量に対するアルカ
リ金属元素の含有量の原子比が暫増していることを特徴
とする。ここで、表面近傍とは、ガラスコート層におい
て、該ガラスコート層の表面からの大気中の水分付着及
び二酸化炭素吸着の影響を受けなくなる境目を意味す
る。
するため、本発明に係るチップ型電子部品は、セラミッ
クからなる素体の表面にガラスコート層を施したチップ
型電子部品において、前記ガラスコート層の表面近傍か
ら内部に向かって、ケイ素元素の含有量に対するアルカ
リ金属元素の含有量の原子比が暫増していることを特徴
とする。ここで、表面近傍とは、ガラスコート層におい
て、該ガラスコート層の表面からの大気中の水分付着及
び二酸化炭素吸着の影響を受けなくなる境目を意味す
る。
【０００６】以上の構成からなるチップ型電子部品にお
いては、ガラスコート層の表面近傍から内部に向かっ
て、ケイ素元素の含有量に対するアルカリ金属元素の含
有量の原子比が暫増しているため、ガラスコート層のひ
び割れが発生しにくく、セラミック素体の絶縁抵抗が劣
化しにくくなる。
いては、ガラスコート層の表面近傍から内部に向かっ
て、ケイ素元素の含有量に対するアルカリ金属元素の含
有量の原子比が暫増しているため、ガラスコート層のひ
び割れが発生しにくく、セラミック素体の絶縁抵抗が劣
化しにくくなる。
【０００７】このようなセラミック電子部品は、セラミ
ックからなる素体の表面に、ケイ素元素の含有量に対す
るアルカリ金属元素の含有量の原子比が０．３以上のア
ルカリ金属を含むガラスコート層を施した後、ガラスコ
ート層を有する素体を酸性水溶液中に浸漬することによ
り得ることができる。
ックからなる素体の表面に、ケイ素元素の含有量に対す
るアルカリ金属元素の含有量の原子比が０．３以上のア
ルカリ金属を含むガラスコート層を施した後、ガラスコ
ート層を有する素体を酸性水溶液中に浸漬することによ
り得ることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るチップ型電
子部品及びその製造方法の実施の形態について説明す
る。本実施形態ではチップ型電子部品として積層コンデ
ンサを例にして説明する。なお、本発明の効果を比較す
るために、本発明に係る製造方法で製作したものを実施
例１とし、比較するために製作したものを比較例１、比
較例２として説明する。
子部品及びその製造方法の実施の形態について説明す
る。本実施形態ではチップ型電子部品として積層コンデ
ンサを例にして説明する。なお、本発明の効果を比較す
るために、本発明に係る製造方法で製作したものを実施
例１とし、比較するために製作したものを比較例１、比
較例２として説明する。
【０００９】本発明に係る積層コンデンサ１０は、図１
に示すように、セラミックグリーンシートを積層してな
る積層体１１と、該グリーンシート上に印刷された内部
電極１２，１３と、該積層体１１の両端部に設けた外部
電極１４，１５と、積層体１１の外部電極形成面以外の
表面を被覆するガラスコート層１６から構成されてい
る。なお、積層コンデンサ１０の製作方法は実施例１で
説明する。
に示すように、セラミックグリーンシートを積層してな
る積層体１１と、該グリーンシート上に印刷された内部
電極１２，１３と、該積層体１１の両端部に設けた外部
電極１４，１５と、積層体１１の外部電極形成面以外の
表面を被覆するガラスコート層１６から構成されてい
る。なお、積層コンデンサ１０の製作方法は実施例１で
説明する。
【００１０】本発明の効果を調べるために、まず、実施
例１として、以下の本発明に係る製造方法で積層コンデ
ンサ１０を製作し、試料とした。
例１として、以下の本発明に係る製造方法で積層コンデ
ンサ１０を製作し、試料とした。
【００１１】まず、ＢａＣＯ3，ＣａＣＯ3，ＴｉＯ2を
原料として（Ｂａ0.80Ｃａ0.20）1.0 05ＴｉＯ3となるよ
うに調合した。
原料として（Ｂａ0.80Ｃａ0.20）1.0 05ＴｉＯ3となるよ
うに調合した。
【００１２】次に、得られた粉体に純水を加えてジルコ
ニアボールとともに５時間混合粉砕し、乾燥後、１１０
０℃で２時間仮焼した。この仮焼粉に、有機バインダ、
分散剤及び水を加えて、ジルコニアボールとともに数時
間混合した後、グリーンシートに形成した。
ニアボールとともに５時間混合粉砕し、乾燥後、１１０
０℃で２時間仮焼した。この仮焼粉に、有機バインダ、
分散剤及び水を加えて、ジルコニアボールとともに数時
間混合した後、グリーンシートに形成した。
【００１３】次に、そのグリーンシート上に、印刷法等
の手法によりＮｉペーストを塗布し、内部電極を形成し
た。その後、内部電極がグリーンシートを介して対向す
るようにグリーンシートを積み重ね、さらに、保護用グ
リーンシートを上下に配設して圧着し、一定の寸法に切
断し、Ｈ2ガスとＮ2ガスの混合ガス中で１３００℃の還
元焼成をして、図１に示す内部電極１２，１３を有した
焼結積層体１１を得た。その後、浸漬法等により焼結積
層体１１の両端部に電極ペーストを付着させ、乾燥、焼
付けをして、外部電極１４，１５を形成した。
の手法によりＮｉペーストを塗布し、内部電極を形成し
た。その後、内部電極がグリーンシートを介して対向す
るようにグリーンシートを積み重ね、さらに、保護用グ
リーンシートを上下に配設して圧着し、一定の寸法に切
断し、Ｈ2ガスとＮ2ガスの混合ガス中で１３００℃の還
元焼成をして、図１に示す内部電極１２，１３を有した
焼結積層体１１を得た。その後、浸漬法等により焼結積
層体１１の両端部に電極ペーストを付着させ、乾燥、焼
付けをして、外部電極１４，１５を形成した。
【００１４】これを１５ｗｔ％のケイ酸ナトリウム水溶
液（Ｎａ／Ｓｉ＝０．６）に１０分間浸漬し、その後、
５００℃で焼付けをして、ケイ素元素の含有量に対する
アルカリ金属元素の含有量の原子比が０．３以上のガラ
スコート層１６を施した。さらに、酸処理としてｐＨ
４．０の硫酸水溶液中に１時間浸漬して、積層コンデン
サ１０を得た。
液（Ｎａ／Ｓｉ＝０．６）に１０分間浸漬し、その後、
５００℃で焼付けをして、ケイ素元素の含有量に対する
アルカリ金属元素の含有量の原子比が０．３以上のガラ
スコート層１６を施した。さらに、酸処理としてｐＨ
４．０の硫酸水溶液中に１時間浸漬して、積層コンデン
サ１０を得た。
【００１５】また、本発明の効果と比較するために、比
較例１として、実施例１において、ｐＨ４．０の硫酸水
溶液中に１時間浸漬する酸処理のみを省いて得た積層コ
ンデンサを試料とした。
較例１として、実施例１において、ｐＨ４．０の硫酸水
溶液中に１時間浸漬する酸処理のみを省いて得た積層コ
ンデンサを試料とした。
【００１６】さらに、本発明の効果と比較するために、
比較例２として、実施例１において、１５ｗｔ％のケイ
酸ナトリウム水溶液（Ｎａ／Ｓｉ＝０．６）に浸漬させ
る代わりに、アルカリ金属元素を含まないシリカゾルの
水溶液に浸漬させて得た積層コンデンサを試料とした。
比較例２として、実施例１において、１５ｗｔ％のケイ
酸ナトリウム水溶液（Ｎａ／Ｓｉ＝０．６）に浸漬させ
る代わりに、アルカリ金属元素を含まないシリカゾルの
水溶液に浸漬させて得た積層コンデンサを試料とした。
【００１７】以上の実施例１、比較例１及び比較例２で
得たそれぞれの積層コンデンサについて、絶縁抵抗の測
定を行うとともに、ガラスコート層の状態を走査型電子
顕微鏡（ＳＥＭ）により調べた。測定結果を表１に示
す。比較例１は、セラミック素体の絶縁抵抗の劣化が生
じた。比較例２は、ガラスコート層にひび割れが生じ
た。
得たそれぞれの積層コンデンサについて、絶縁抵抗の測
定を行うとともに、ガラスコート層の状態を走査型電子
顕微鏡（ＳＥＭ）により調べた。測定結果を表１に示
す。比較例１は、セラミック素体の絶縁抵抗の劣化が生
じた。比較例２は、ガラスコート層にひび割れが生じ
た。
【００１８】
【表１】
【００１９】次に、図２に、実施例１と比較例１で得た
それぞれの積層コンデンサをオージェ電子分光で測定
し、それぞれのガラスコート層のケイ素元素の含有量に
対するアルカリ金属元素の含有量の濃度勾配（Ｎａ／Ｓ
ｉ原子比）のデータを示す。実施例１では、Ｎａ／Ｓｉ
原子比が表面近傍から内部に向かって暫増している。比
較例１では、表面近傍より内部側のＮａ／Ｓｉ原子比は
一定である。
それぞれの積層コンデンサをオージェ電子分光で測定
し、それぞれのガラスコート層のケイ素元素の含有量に
対するアルカリ金属元素の含有量の濃度勾配（Ｎａ／Ｓ
ｉ原子比）のデータを示す。実施例１では、Ｎａ／Ｓｉ
原子比が表面近傍から内部に向かって暫増している。比
較例１では、表面近傍より内部側のＮａ／Ｓｉ原子比は
一定である。
【００２０】なお、ガラスコート層の表面から表面近傍
までの範囲は、いずれもＮａの含有量が多いが、ガラス
コート層の表面からの大気中の水分吸着及び二酸化炭素
吸着の影響でＮａが表面に析出したものであり、本発明
において本質的な意味をもつものではない。また、実施
例１と比較例１で得たそれぞれの積層コンデンサの表面
近傍は、いずれもガラスコート層の表面から約０．０２
μｍの深さであった。
までの範囲は、いずれもＮａの含有量が多いが、ガラス
コート層の表面からの大気中の水分吸着及び二酸化炭素
吸着の影響でＮａが表面に析出したものであり、本発明
において本質的な意味をもつものではない。また、実施
例１と比較例１で得たそれぞれの積層コンデンサの表面
近傍は、いずれもガラスコート層の表面から約０．０２
μｍの深さであった。
【００２１】なお、本発明に係るチップ型電子部品及び
その製造方法は、前記実施形態や実施例に限定されるも
のではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することが
できる。特に、チップ型電子部品としては前記積層コン
デンサ以外に、例えば、ＰＴＣサーミスタ、バリスタ、
フェライト等のチップ形のセラミック電子部品及びその
製造方法にも適用することができる。
その製造方法は、前記実施形態や実施例に限定されるも
のではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することが
できる。特に、チップ型電子部品としては前記積層コン
デンサ以外に、例えば、ＰＴＣサーミスタ、バリスタ、
フェライト等のチップ形のセラミック電子部品及びその
製造方法にも適用することができる。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、セラミックからなる素体の表面に設けたガラス
コート層がその表面近傍から内部に向かって、ケイ素元
素の含有量に対するアルカリ金属元素の含有量の原子比
が暫増しているため、ガラスコート層にひび割れが生じ
にくく、セラミック素体の絶縁抵抗が劣化することを抑
制することができる。
よれば、セラミックからなる素体の表面に設けたガラス
コート層がその表面近傍から内部に向かって、ケイ素元
素の含有量に対するアルカリ金属元素の含有量の原子比
が暫増しているため、ガラスコート層にひび割れが生じ
にくく、セラミック素体の絶縁抵抗が劣化することを抑
制することができる。
【図１】本発明に係るチップ型電子部品の一実施形態を
示す断面図。
示す断面図。
【図２】実施例１と比較例１のケイ素元素の含有量に対
するアルカリ金属元素の含有量の原子比濃度勾配を示す
グラフ。
するアルカリ金属元素の含有量の原子比濃度勾配を示す
グラフ。
１０…積層コンデンサ １１…積層体 １２，１３…内部電極 １４，１５…外部電極 １６…ガラスコート層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｇ 4/12 ４４５ Ｈ０１Ｇ 4/12 ４４８ ４４８ Ｈ０１Ｌ 37/00 Ｈ０１Ｌ 37/00 Ｈ０１Ｇ 1/02 Ｊ (72)発明者 新見 秀明 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AC09 AE00 AE02 AE03 AF06 AG00 AH00 AH01 AH06 AH09 AJ04 5E082 AA01 AB03 BC19 BC35 BC40 EE04 EE23 EE35 FG06 FG26 FG27 FG54 GG10 GG28 HH26 HH43 JJ03 JJ23 LL02 LL03 PP03
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミックからなる素体の表面にガラス
コート層を施したチップ型電子部品において、 前記ガラスコート層の表面近傍から内部に向かって、ケ
イ素元素の含有量に対するアルカリ金属元素の含有量の
原子比が暫増していること、 を特徴とするチップ型電子部品。 - 【請求項２】 前記素体がセラミックグリーンシートを
積層した積層体からなることを特徴とする請求項１記載
のチップ型電子部品。 - 【請求項３】 セラミックからなる素体の表面に、ケイ
素元素の含有量に対するアルカリ金属元素の含有量の原
子比が０．３以上のアルカリ金属を含むガラスコート層
を施す工程と、 前記ガラスコート層を有する素体を酸性水溶液中に浸漬
する工程と、 を備えたこと特徴とするチップ型電子部品の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000220694A JP3460683B2 (ja) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | チップ型電子部品及びその製造方法 |
| TW090117569A TW505932B (en) | 2000-07-21 | 2001-07-18 | Chip-type electronic component and manufacturing method therefor |
| DE10135319A DE10135319B4 (de) | 2000-07-21 | 2001-07-19 | Elektrisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US09/910,122 US6545857B2 (en) | 2000-07-21 | 2001-07-20 | Chip-type electronic component and manufacturing method therefor |
| CNB011244070A CN1198295C (zh) | 2000-07-21 | 2001-07-20 | 片式电子元件及其制造方法 |
| KR10-2001-0043770A KR100405153B1 (ko) | 2000-07-21 | 2001-07-20 | 칩형 전자부품 및 이의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000220694A JP3460683B2 (ja) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | チップ型電子部品及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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