JP2019091800A - セラミック電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、積層セラミックコンデンサについて説明する。図1は、積層セラミックコンデンサ100の部分断面斜視図である。図1で例示するように、積層セラミックコンデンサ100は、直方体形状を有する積層チップ(セラミック本体)10と、積層チップ10のいずれかの対向する2端面に設けられた外部電極20a,20bとを備える。なお、積層チップ10の当該2端面以外の4面を側面と称する。外部電極20a,20bは、4つの側面に延在している。ただし、外部電極20a,20bは、4つの側面において互いに離間している。
まず、誘電体層11の主成分であるセラミック材料の粉末に、目的に応じて所定の添加化合物を添加する。添加化合物としては、Mg(マグネシウム),Mn(マンガン),V(バナジウム),Cr(クロム),希土類元素(Y(イットリウム),Sm(サマリウム),Eu(ユウロピウム),Gd(ガドリニウム),Tb(テルビウム),Dy(ジスプロシウム),Ho(ホロミウム),Er(エルビウム),Tm(ツリウム)およびYb(イッテルビウム))の酸化物、並びに、Co(コバルト),Ni,Li(リチウム),B,Na(ナトリウム),K(カリウム)およびSiの酸化物もしくはガラスが挙げられる。例えば、まず、セラミック材料の粉末に添加化合物を含む化合物を混合して仮焼を行う。続いて、得られたセラミック材料の粒子を添加化合物とともに湿式混合し、乾燥および粉砕してセラミック材料の粉末を調製する。
次に、得られたセラミック材料の粉末に、ポリビニルブチラール(PVB)樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、フタル酸ジオクチル(DOP)等の可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリーを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に例えば厚み0.8μm以下の帯状の誘電体グリーンシートを塗工して乾燥させる。
このようにして得られたセラミック積層体を、250〜500℃のN2雰囲気中で脱バインダした後に、還元雰囲気中で1100〜1300℃で10分〜2時間焼成することで、誘電体グリーンシートを構成する各化合物が焼結して粒成長する。このようにして、内部に焼結体からなる誘電体層11と内部電極層12とが交互に積層されてなる積層チップ10と、積層方向上下の最外層として形成されるカバー層13とを有する積層セラミックコンデンサ100が得られる。
その後、N2ガス雰囲気中で600℃〜1000℃で再酸化処理を行ってもよい。
次に、積層チップ10の表面を改質し、積層チップ10の表面の濡れ性(水に対する接触角)を100°以上とする。具体的には、積層チップ10を、所望の濃度で建浴したシリコン系離型剤又はフッ素系離型剤等の処理液に浸漬させた後、脱水、熱処理する。熱処理温度及び熱処理時間は、例えば、処理液がシリコン系離型剤の場合、150℃及び30分であり、処理液がフッ素系離型剤の場合100℃及び5分である。積層チップ10表面の改質前の水に対する接触角は、一般的に50〜100°であるが、上記表面処理工程により水に対する接触角が100°以上である積層チップ10が得られる。例えば、シリコン系離型剤により表面処理を行った場合、積層チップ10表面の水に対する接触角は、例えば、108°となり、フッ素系離型剤により表面処理を行った場合、積層チップ10表面の水に対する接触角は、例えば、122°となる。
次に、積層チップ10に外部電極20a,20bを形成する。
外部電極を形成せずに焼成した積層チップ10を用意した。用意した積層チップ10のサイズは、長さ0.6mm×幅0.3mm×高さ0.3mmであり、外部電極20a,20bが形成される2端面の間隔は1mm以下である。
実施例1〜3並びに比較例1〜2の各サンプルについて、図7(a)に示す距離L3、図7(b)に示す積層チップ10の角部(コバ部)における下地層21の厚みT1、及び、周面部における下地層21の厚みT2を計測した。図7(b)は、図7(a)のB−B断面図であり、積層チップ10の端面に相当する位置における断面図である。なお、図7(a)では、断面を表すハッチを省略している。
導電性金属ペーストの粘度又はチクソ比を変えて、下地層21を形成した。実施例4では、導電性金属ペーストの粘度を25[Pa・s]とし、実施例5では、導電性金属ペーストの粘度を100[Pa・s]とし、実施例6では、導電性金属ペーストの粘度を60[Pa・s]とし、チクソ比を5.4とした。なお、実施例4〜6において、積層チップ10として、シリコン系離型剤により表面処理を行った積層チップ10を用いた。また、積層チップ10を導電性金属ペーストへ浸漬させる速度(浸漬速度)を250[μm/sec]とし、積層チップ10を導電性金属ペーストへ停滞させる時間(停滞時間)を0秒とし、積層チップ10を導電性金属ペーストから引き上げる速度(引上げ速度)を1000[μm/sec]とした。
積層チップ10を導電性金属ペーストへ浸漬させる速度を変えて、下地層21を形成した。実施例7では、積層チップ10を導電性金属ペーストへ浸漬させる速度(浸漬速度)を2000[μm/sec]とし、実施例8では10000[μm/sec]とした。なお、実施例7〜8において、積層チップ10として、シリコン系離型剤により表面処理を行った積層チップ10を用い、導電性金属ペーストは、実施例1と同一とした。
11 誘電体層
12 内部電極層
20a,20b 外部電極
21 下地層
22 めっき層
100 積層セラミックコンデンサ
Claims (7)
- 内部に導電性金属層を有し、対向する2つの端面に前記導電性金属層の一部が引き出された略直方体形状を有するセラミック本体と、
前記対向する2つの端面から前記セラミック本体の少なくともいずれかの側面にかけて形成され、前記側面上の側端部間の間隔が中央部間の間隔よりも短い1対の外部電極と、
を備えることを特徴とするセラミック電子部品。 - 前記2つの端面の間隔は1mm以下であることを特徴とする請求項1に記載のセラミック電子部品。
- 前記1対の外部電極は、前記セラミック本体の角部上の厚みが1μm以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のセラミック電子部品。
- 前記1対の外部電極は、前記側面上の厚みが10μm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 内部に導電性金属層を有し、対向する2つの端面に前記導電性金属層の一部が引き出された略直方体形状を有するセラミック本体において、
前記対向する2つの端面から前記セラミック本体の少なくともいずれかの側面にかけて、前記側面上の側端部間の間隔が中央部間の間隔よりも短い1対の外部電極を形成する工程を含むことを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。 - 前記外部電極を形成する工程は、
前記セラミック本体の表面を改質する工程と、
改質された前記セラミック本体を導電性金属ペーストに浸漬することにより前記導電性金属ペーストを塗布し、焼き付けることにより下地層を形成する工程と、
前記下地層上にめっき層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項5に記載のセラミック電子部品の製造方法。 - 前記改質する工程は、前記セラミック本体の表面の水に対する接触角を100°以上とする工程を含む、ことを特徴とする請求項6に記載のセラミック電子部品の製造方法。
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