JP2003051423A - 電子部品 - Google Patents
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
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- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
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- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子部品のＥＳＬを大幅に低減する。
【解決手段】 誘電体素体の左側と右側との間で細長く
延びる内部電極２１が配置されるだけでなく、誘電体素
体の左側と右側との間で細長く延びる内部電極２２が配
置される。内部電極２１の右側部分に、誘電体素体の三
つの側面１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄに跨がって引き出され
る引出部２１Ａが形成されることで、内部電極２１に１
つの引出部２１Ａが附属して設けられる。内部電極２２
の左側部分に、誘電体素体の三つの側面１２Ｂ、１２
Ｄ、１２Ｅに跨がって引き出される引出部２２Ａが形成
されることで、内部電極２２に１つの引出部２２Ａが附
属して設けられる。これら引出部２１Ａ、２２Ａに接続
されるように、二つの端子電極が誘電体素体の三つの側
面に跨がった形で誘電体素体の外側に配置される。
延びる内部電極２１が配置されるだけでなく、誘電体素
体の左側と右側との間で細長く延びる内部電極２２が配
置される。内部電極２１の右側部分に、誘電体素体の三
つの側面１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄに跨がって引き出され
る引出部２１Ａが形成されることで、内部電極２１に１
つの引出部２１Ａが附属して設けられる。内部電極２２
の左側部分に、誘電体素体の三つの側面１２Ｂ、１２
Ｄ、１２Ｅに跨がって引き出される引出部２２Ａが形成
されることで、内部電極２２に１つの引出部２２Ａが附
属して設けられる。これら引出部２１Ａ、２２Ａに接続
されるように、二つの端子電極が誘電体素体の三つの側
面に跨がった形で誘電体素体の外側に配置される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、等価直列インタク
タンス（ＥＳＬ）を大幅に低減した電子部品に係り、特
にデカップリングコンデンサとして用いられる積層セラ
ミックコンデンサに好適なものである。
タンス（ＥＳＬ）を大幅に低減した電子部品に係り、特
にデカップリングコンデンサとして用いられる積層セラ
ミックコンデンサに好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩなどの集積回路に供給用の
電源においては低電圧化が進む一方で負荷電流は増大し
ている。従って、負荷電流の急激な変化に対して電源電
圧の変動を許容値内に抑えることが非常に困難になった
為、図８に示すように、デカップリングコンデンサと呼
ばれる例えば２端子構造の積層セラミックコンデンサ１
００が電源１０２に接続されるようになった。そして、
負荷電流の過渡的な変動時にこの積層セラミックコンデ
ンサ１００からＣＰＵ等のＬＳＩ１０４に電流を供給し
て、電源電圧の変動を抑えるようにしている。
電源においては低電圧化が進む一方で負荷電流は増大し
ている。従って、負荷電流の急激な変化に対して電源電
圧の変動を許容値内に抑えることが非常に困難になった
為、図８に示すように、デカップリングコンデンサと呼
ばれる例えば２端子構造の積層セラミックコンデンサ１
００が電源１０２に接続されるようになった。そして、
負荷電流の過渡的な変動時にこの積層セラミックコンデ
ンサ１００からＣＰＵ等のＬＳＩ１０４に電流を供給し
て、電源電圧の変動を抑えるようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、今日のＣＰＵ
の動作周波数の一層の高周波数化に伴って、負荷電流の
変動はより高速且つ大きなものとなり、図８に示す積層
セラミックコンデンサ１００自身が有している等価直列
インタクタンス（ＥＳＬ）が、電源電圧の変動に大きく
影響するようになった。
の動作周波数の一層の高周波数化に伴って、負荷電流の
変動はより高速且つ大きなものとなり、図８に示す積層
セラミックコンデンサ１００自身が有している等価直列
インタクタンス（ＥＳＬ）が、電源電圧の変動に大きく
影響するようになった。
【０００４】つまり、従来の積層セラミックコンデンサ
１００ではＥＳＬが高いことから、図９に示す負荷電流
ｉの変動に伴って、上記と同様に電源電圧Ｖの変動が大
きくなり易かった。これは、負荷電流の過渡時における
電圧変動が下記の式１で近似され、ＥＳＬの高低が電源
電圧の変動の大きさと関係するからである。そして、こ
の式１からＥＳＬの低減が電源電圧を安定化することに
繋がるとも言える。 ｄＶ＝ＥＳＬ・ｄｉ／ｄｔ…式１ ここで、ｄＶは過渡時の電圧変動（Ｖ）であり、ｉは電
流変動量（Ａ）であり、ｔは変動時間（秒）である。
１００ではＥＳＬが高いことから、図９に示す負荷電流
ｉの変動に伴って、上記と同様に電源電圧Ｖの変動が大
きくなり易かった。これは、負荷電流の過渡時における
電圧変動が下記の式１で近似され、ＥＳＬの高低が電源
電圧の変動の大きさと関係するからである。そして、こ
の式１からＥＳＬの低減が電源電圧を安定化することに
繋がるとも言える。 ｄＶ＝ＥＳＬ・ｄｉ／ｄｔ…式１ ここで、ｄＶは過渡時の電圧変動（Ｖ）であり、ｉは電
流変動量（Ａ）であり、ｔは変動時間（秒）である。
【０００５】一方、図１０に示す従来の積層セラミック
コンデンサでは、図１１に示す二種類の内部導体１１
４、１１６をそれぞれ設置したセラミック層１１２Ａが
交互に積層されて、誘電体素体１１２が形成される構造
となっていて、誘電体素体１１２の相互に対向する二つ
の側面１１２Ｂ、１１２Ｄにそれぞれ引き出される形に
これら内部導体１１４、１１６は形成されていた。
コンデンサでは、図１１に示す二種類の内部導体１１
４、１１６をそれぞれ設置したセラミック層１１２Ａが
交互に積層されて、誘電体素体１１２が形成される構造
となっていて、誘電体素体１１２の相互に対向する二つ
の側面１１２Ｂ、１１２Ｄにそれぞれ引き出される形に
これら内部導体１１４、１１６は形成されていた。
【０００６】さらに、このような構造の積層セラミック
コンデンサにおいて、ＥＳＬを低減する一般的な手法と
して、図１０に示すように、それぞれ積層セラミックコ
ンデンサの外寸である寸法Ｌと寸法Ｗとの間の寸法比を
Ｌ／Ｗ＜０．７５とした構造とし、面積の大きい側面１
１２Ｂ、１１２Ｄに端子電極１１８、１２０をそれぞれ
配置することで、電流の流路を短くして内部導体１１
４、１１６のインダクタンスを低減するようにしてき
た。しかし、この構造では積層セラミックコンデンサの
製造上及び実装上の限界があり、インダクタンスを十分
に低減出来なかった。
コンデンサにおいて、ＥＳＬを低減する一般的な手法と
して、図１０に示すように、それぞれ積層セラミックコ
ンデンサの外寸である寸法Ｌと寸法Ｗとの間の寸法比を
Ｌ／Ｗ＜０．７５とした構造とし、面積の大きい側面１
１２Ｂ、１１２Ｄに端子電極１１８、１２０をそれぞれ
配置することで、電流の流路を短くして内部導体１１
４、１１６のインダクタンスを低減するようにしてき
た。しかし、この構造では積層セラミックコンデンサの
製造上及び実装上の限界があり、インダクタンスを十分
に低減出来なかった。
【０００７】尚、ここで寸法Ｌは、二種類の内部導体１
１４、１１６が引き出されている誘電体素体１１２の側
面１１２Ｂ、１１２Ｄ間の距離であり、寸法Ｗは、これ
ら内部導体１１４、１１６が引き出された誘電体素体１
１２の側面１１２Ｂ、１１２Ｄに対して直交する側面１
１２Ｃ、１１２Ｅ間の距離である。本発明は上記事実を
考慮し、ＥＳＬを大幅に低減した電子部品を提供するこ
とを目的とする。
１４、１１６が引き出されている誘電体素体１１２の側
面１１２Ｂ、１１２Ｄ間の距離であり、寸法Ｗは、これ
ら内部導体１１４、１１６が引き出された誘電体素体１
１２の側面１１２Ｂ、１１２Ｄに対して直交する側面１
１２Ｃ、１１２Ｅ間の距離である。本発明は上記事実を
考慮し、ＥＳＬを大幅に低減した電子部品を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１による電子部品
は、複数の誘電体シートが積層されて形成される誘電体
素体と、誘電体シート間に挟まれる形で誘電体素体内に
配置され且つそれぞれ誘電体素体の三つの側面に跨がっ
て引き出される二種類の内部導体と、それぞれ誘電体素
体の三つの側面に跨がって誘電体素体の外側に配置され
且つ二種類の内部導体の何れか一方にそれぞれ接続され
る二つの端子電極と、を有することを特徴とする。
は、複数の誘電体シートが積層されて形成される誘電体
素体と、誘電体シート間に挟まれる形で誘電体素体内に
配置され且つそれぞれ誘電体素体の三つの側面に跨がっ
て引き出される二種類の内部導体と、それぞれ誘電体素
体の三つの側面に跨がって誘電体素体の外側に配置され
且つ二種類の内部導体の何れか一方にそれぞれ接続され
る二つの端子電極と、を有することを特徴とする。
【０００９】請求項１に係る電子部品によれば、複数の
誘電体シートが積層されて形成される誘電体素体内に、
それぞれ誘電体シート間に挟まれる形で二種類の内部導
体が配置されている。そして、これら二種類の内部導体
は、それぞれ誘電体素体の三つの側面に跨がって引き出
される構造とされている。また、二つの端子電極が、そ
れぞれ誘電体素体の三つの側面に跨がって誘電体素体の
外側に配置されていて、二種類の内部導体の何れか一方
にこれら二つの端子電極がそれぞれ接続されている。
誘電体シートが積層されて形成される誘電体素体内に、
それぞれ誘電体シート間に挟まれる形で二種類の内部導
体が配置されている。そして、これら二種類の内部導体
は、それぞれ誘電体素体の三つの側面に跨がって引き出
される構造とされている。また、二つの端子電極が、そ
れぞれ誘電体素体の三つの側面に跨がって誘電体素体の
外側に配置されていて、二種類の内部導体の何れか一方
にこれら二つの端子電極がそれぞれ接続されている。
【００１０】従って、それぞれ誘電体素体の三つの側面
に跨がる二つの端子電極と二種類の内部導体とがそれぞ
れ相互に接続されることで、二種類の内部導体内におい
て、電流が相互に逆向きに流れる個所がそれぞれ存在す
るようになる。この為、電流が逆向きに流れる個所で磁
界を相殺する作用が生じ、これに伴って、電子部品自体
が持つ寄生インダクタンスを少なくでき、等価直列イン
ダクタンスを低減する効果が生じるようになる。以上よ
り、本請求項に係る電子部品によれば、デカップリング
コンデンサとして好適なように電子部品の大幅な低ＥＳ
Ｌ化が図られて、電源電圧の振動を抑制できるようにな
る。
に跨がる二つの端子電極と二種類の内部導体とがそれぞ
れ相互に接続されることで、二種類の内部導体内におい
て、電流が相互に逆向きに流れる個所がそれぞれ存在す
るようになる。この為、電流が逆向きに流れる個所で磁
界を相殺する作用が生じ、これに伴って、電子部品自体
が持つ寄生インダクタンスを少なくでき、等価直列イン
ダクタンスを低減する効果が生じるようになる。以上よ
り、本請求項に係る電子部品によれば、デカップリング
コンデンサとして好適なように電子部品の大幅な低ＥＳ
Ｌ化が図られて、電源電圧の振動を抑制できるようにな
る。
【００１１】請求項２に係る電子部品によれば、請求項
１の電子部品と同様の構成の他に、誘電体素体が直方体
形状に形成されるという構成を有している。つまり、誘
電体シートがそれぞれ長方形等の四辺形に形成され、こ
れら誘電体シートが積層されることで、直方体形状に誘
電体素体が形成されるようになる。この為、生産性の観
点から最適な四つの側面を有する直方体形状に形成され
た誘電体素体の三つの側面に跨がって端子電極及び内部
導体の引き出し部分が設けられる形になるので、ＥＳＬ
が低減される効果が最大限に発揮されるようになる。
１の電子部品と同様の構成の他に、誘電体素体が直方体
形状に形成されるという構成を有している。つまり、誘
電体シートがそれぞれ長方形等の四辺形に形成され、こ
れら誘電体シートが積層されることで、直方体形状に誘
電体素体が形成されるようになる。この為、生産性の観
点から最適な四つの側面を有する直方体形状に形成され
た誘電体素体の三つの側面に跨がって端子電極及び内部
導体の引き出し部分が設けられる形になるので、ＥＳＬ
が低減される効果が最大限に発揮されるようになる。
【００１２】請求項３に係る電子部品によれば、請求項
１及び請求項２の電子部品と同様の構成の他に、誘電体
素体の側面にそれぞれ引き出された二種類の内部導体の
部分が、誘電体シートの積層方向に投影して相互に重な
らない位置関係になるように、誘電体素体の三つの側面
に跨がって配置されるという構成を有している。つま
り、二種類の内部導体のそれぞれ引き出された部分を本
請求項のような位置関係とすることにより、二つの端子
電極が相互に短絡することなく、それぞれ誘電体素体の
三つの側面に跨がって誘電体素体の外側に確実に配置可
能となる。
１及び請求項２の電子部品と同様の構成の他に、誘電体
素体の側面にそれぞれ引き出された二種類の内部導体の
部分が、誘電体シートの積層方向に投影して相互に重な
らない位置関係になるように、誘電体素体の三つの側面
に跨がって配置されるという構成を有している。つま
り、二種類の内部導体のそれぞれ引き出された部分を本
請求項のような位置関係とすることにより、二つの端子
電極が相互に短絡することなく、それぞれ誘電体素体の
三つの側面に跨がって誘電体素体の外側に確実に配置可
能となる。
【００１３】請求項４に係る電子部品によれば、請求項
１から請求項３の電子部品と同様の構成の他に、二種類
の内部導体がそれぞれ誘電体素体内に複数配置されると
いう構成を有している。従って、二種類の内部導体をそ
れぞれ誘電体素体内に複数配置することで、本請求項に
係る電子部品が例えば積層セラミックコンデンサであれ
ば、静電容量が高まるだけでなく磁界を相殺する作用が
さらに大きくなり、インダクタンスがより大幅に減少し
てＥＳＬが一層低減されるようになる。
１から請求項３の電子部品と同様の構成の他に、二種類
の内部導体がそれぞれ誘電体素体内に複数配置されると
いう構成を有している。従って、二種類の内部導体をそ
れぞれ誘電体素体内に複数配置することで、本請求項に
係る電子部品が例えば積層セラミックコンデンサであれ
ば、静電容量が高まるだけでなく磁界を相殺する作用が
さらに大きくなり、インダクタンスがより大幅に減少し
てＥＳＬが一層低減されるようになる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電子部品の第
１の実施の形態を図面に基づき説明する。本実施の形態
に係る電子部品である積層セラミックコンデンサ（以下
単に、積層コンデンサと言う）１０を図１から図３に示
す。これらの図に示すように、誘電体シートであるセラ
ミックグリーンシートを複数枚積層した積層体を焼成す
ることで得られた直方体状の焼結体である誘電体素体１
２を主要部として、この積層コンデンサ１０が構成され
ている。
１の実施の形態を図面に基づき説明する。本実施の形態
に係る電子部品である積層セラミックコンデンサ（以下
単に、積層コンデンサと言う）１０を図１から図３に示
す。これらの図に示すように、誘電体シートであるセラ
ミックグリーンシートを複数枚積層した積層体を焼成す
ることで得られた直方体状の焼結体である誘電体素体１
２を主要部として、この積層コンデンサ１０が構成され
ている。
【００１５】この誘電体素体１２内には、誘電体素体１
２の左側と右側との間で細長く延びる第１種類目の内部
導体である内部電極２１が配置されているだけでなく、
同じく誘電体素体１２の左側と右側との間で細長く延び
る第２種類目の内部導体である内部電極２２が配置され
ている。そして、これら内部電極２１及び内部電極２２
は、図１及び図３に示すように、例えば４枚づつ交互に
配置される形で、誘電体素体１２内にそれぞれ存在して
いて、それぞれの内部電極２１と内部電極２２との間に
は、セラミック層１２Ａが配置されている。
２の左側と右側との間で細長く延びる第１種類目の内部
導体である内部電極２１が配置されているだけでなく、
同じく誘電体素体１２の左側と右側との間で細長く延び
る第２種類目の内部導体である内部電極２２が配置され
ている。そして、これら内部電極２１及び内部電極２２
は、図１及び図３に示すように、例えば４枚づつ交互に
配置される形で、誘電体素体１２内にそれぞれ存在して
いて、それぞれの内部電極２１と内部電極２２との間に
は、セラミック層１２Ａが配置されている。
【００１６】以上より、本実施の形態では、焼成後の誘
電体シートであるセラミック層１２Ａが間に挟まれる形
で、誘電体素体１２内に４枚づつの内部電極２１、２２
が交互に配置されている。尚、これら内部電極２１、２
２の材質としては、卑金属材料であるニッケル、ニッケ
ル合金、銅或いは、銅合金が考えられるだけでなく、こ
れらの金属を主成分とする材料が考えられる。
電体シートであるセラミック層１２Ａが間に挟まれる形
で、誘電体素体１２内に４枚づつの内部電極２１、２２
が交互に配置されている。尚、これら内部電極２１、２
２の材質としては、卑金属材料であるニッケル、ニッケ
ル合金、銅或いは、銅合金が考えられるだけでなく、こ
れらの金属を主成分とする材料が考えられる。
【００１７】さらに、図１に示すように、内部電極２１
の右側部分に、誘電体素体１２の三つの側面１２Ｂ、１
２Ｃ、１２Ｄに跨がって引き出される引出部２１Ａが形
成されることで、内部電極２１に１つの引出部２１Ａが
附属して設けられている。但し、この引出部２１Ａは、
誘電体素体１２の手前側と奥側の側面１２Ｂ、１２Ｄに
おいて、これらの側面１２Ｂ、１２Ｄの中央より若干右
側寄りの部分までしか形成されていない。
の右側部分に、誘電体素体１２の三つの側面１２Ｂ、１
２Ｃ、１２Ｄに跨がって引き出される引出部２１Ａが形
成されることで、内部電極２１に１つの引出部２１Ａが
附属して設けられている。但し、この引出部２１Ａは、
誘電体素体１２の手前側と奥側の側面１２Ｂ、１２Ｄに
おいて、これらの側面１２Ｂ、１２Ｄの中央より若干右
側寄りの部分までしか形成されていない。
【００１８】また、内部電極２２の左側部分に、誘電体
素体１２の三つの側面１２Ｂ、１２Ｄ、１２Ｅに跨がっ
て引き出される引出部２２Ａが形成されることで、内部
電極２２に１つの引出部２２Ａが附属して設けられてい
る。但し、この引出部２２Ａは、誘電体素体１２の手前
側と奥側の側面１２Ｂ、１２Ｄにおいて、これらの側面
１２Ｂ、１２Ｄの中央より若干左側寄りの部分までしか
形成されていない。
素体１２の三つの側面１２Ｂ、１２Ｄ、１２Ｅに跨がっ
て引き出される引出部２２Ａが形成されることで、内部
電極２２に１つの引出部２２Ａが附属して設けられてい
る。但し、この引出部２２Ａは、誘電体素体１２の手前
側と奥側の側面１２Ｂ、１２Ｄにおいて、これらの側面
１２Ｂ、１２Ｄの中央より若干左側寄りの部分までしか
形成されていない。
【００１９】従って、本実施の形態では、二種類の内部
電極２１、２２の引出部２１Ａ、２２Ａが、誘電体シー
トの図１及び図２の矢印Ｚで示す積層方向に投影して相
互に重ならない位置関係になるように、それぞれ誘電体
素体１２の三つの側面に跨がって配置されていることに
なる。
電極２１、２２の引出部２１Ａ、２２Ａが、誘電体シー
トの図１及び図２の矢印Ｚで示す積層方向に投影して相
互に重ならない位置関係になるように、それぞれ誘電体
素体１２の三つの側面に跨がって配置されていることに
なる。
【００２０】さらに、内部電極２１の引出部２１Ａに接
続されるように、図２及び図３に示す端子電極３１が誘
電体素体１２の三つの側面１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄに跨
がった形で誘電体素体１２の外側に配置されており、ま
た、内部電極２２の引出部２２Ａに接続されるように、
同じく図２及び図３に示す端子電極３２が誘電体素体１
２の三つの側面１２Ｂ、１２Ｄ、１２Ｅに跨がった形で
誘電体素体１２の外側に配置されている。
続されるように、図２及び図３に示す端子電極３１が誘
電体素体１２の三つの側面１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄに跨
がった形で誘電体素体１２の外側に配置されており、ま
た、内部電極２２の引出部２２Ａに接続されるように、
同じく図２及び図３に示す端子電極３２が誘電体素体１
２の三つの側面１２Ｂ、１２Ｄ、１２Ｅに跨がった形で
誘電体素体１２の外側に配置されている。
【００２１】以上より、本実施の形態では、内部電極２
１、２２がコンデンサの相互に対向する電極を構成し、
積層コンデンサ１０の右側寄りにこの内部電極２１に接
続される端子電極３１が配置され、積層コンデンサ１０
の左側寄りにこの内部電極２２に接続される端子電極３
２が配置されている。この為、本実施の形態に係る積層
コンデンサ１０は、直方体である六面体形状とされる誘
電体素体１２の四つの側面１２Ｂ〜１２Ｅ全てに、端子
電極３１、３２がそれぞれ配置される２端子構造の積層
コンデンサになっている。
１、２２がコンデンサの相互に対向する電極を構成し、
積層コンデンサ１０の右側寄りにこの内部電極２１に接
続される端子電極３１が配置され、積層コンデンサ１０
の左側寄りにこの内部電極２２に接続される端子電極３
２が配置されている。この為、本実施の形態に係る積層
コンデンサ１０は、直方体である六面体形状とされる誘
電体素体１２の四つの側面１２Ｂ〜１２Ｅ全てに、端子
電極３１、３２がそれぞれ配置される２端子構造の積層
コンデンサになっている。
【００２２】次に、本実施の形態に係る積層コンデンサ
１０の作用を説明する。本実施の形態に係る積層コンデ
ンサ１０によれば、複数の誘電体シートが積層されて直
方体形状に形成される誘電体素体１２内に、それぞれ誘
電体シート間に挟まれる形で、二種類の内部電極２１、
２２が複数枚づつ配置されている。これら二種類の内部
電極２１、２２は、誘電体シートの積層方向に投影して
相互に重ならない位置関係で、それぞれ誘電体素体１２
の三つの側面に跨がって引き出される構造とされてい
る。また、二つの端子電極３１、３２が、それぞれ誘電
体素体１２の三つの側面に跨がって誘電体素体１２の外
側に配置されていて、二種類の内部電極２１、２２の何
れか一方にこれら二つの端子電極３１、３２がそれぞれ
接続されている。
１０の作用を説明する。本実施の形態に係る積層コンデ
ンサ１０によれば、複数の誘電体シートが積層されて直
方体形状に形成される誘電体素体１２内に、それぞれ誘
電体シート間に挟まれる形で、二種類の内部電極２１、
２２が複数枚づつ配置されている。これら二種類の内部
電極２１、２２は、誘電体シートの積層方向に投影して
相互に重ならない位置関係で、それぞれ誘電体素体１２
の三つの側面に跨がって引き出される構造とされてい
る。また、二つの端子電極３１、３２が、それぞれ誘電
体素体１２の三つの側面に跨がって誘電体素体１２の外
側に配置されていて、二種類の内部電極２１、２２の何
れか一方にこれら二つの端子電極３１、３２がそれぞれ
接続されている。
【００２３】従って、それぞれ誘電体素体１２の三つの
側面に跨がる二つの端子電極３１、３２と二種類の内部
電極２１、２２の引出部２１Ａ、２２Ａとがそれぞれ相
互に接続されることで、二種類の内部電極２１、２２内
において、図１の矢印Ｘで示す主要な電流の流れの他
に、矢印Ｙで示す相互に逆向きの電流が生じる個所が、
それぞれ存在するようになる。
側面に跨がる二つの端子電極３１、３２と二種類の内部
電極２１、２２の引出部２１Ａ、２２Ａとがそれぞれ相
互に接続されることで、二種類の内部電極２１、２２内
において、図１の矢印Ｘで示す主要な電流の流れの他
に、矢印Ｙで示す相互に逆向きの電流が生じる個所が、
それぞれ存在するようになる。
【００２４】この為、電流が逆向きに流れる個所で磁界
を相殺する作用が生じ、これに伴って、積層コンデンサ
１０自体が持つ寄生インダクタンスを少なくでき、等価
直列インダクタンスを低減する効果が生じるようにな
る。以上より、本実施の形態に係る積層コンデンサ１０
によれば、デカップリングコンデンサとして好適なよう
に積層コンデンサ１０の大幅な低ＥＳＬ化が図られて、
電源電圧の振動を抑制できるようになる。
を相殺する作用が生じ、これに伴って、積層コンデンサ
１０自体が持つ寄生インダクタンスを少なくでき、等価
直列インダクタンスを低減する効果が生じるようにな
る。以上より、本実施の形態に係る積層コンデンサ１０
によれば、デカップリングコンデンサとして好適なよう
に積層コンデンサ１０の大幅な低ＥＳＬ化が図られて、
電源電圧の振動を抑制できるようになる。
【００２５】また、二種類の内部電極２１、２２がそれ
ぞれ誘電体素体１２内に複数配置されることで、静電容
量が高まるだけでなく、磁界を相殺する作用が大きくな
り、インダクタンスがより大幅に減少してＥＳＬが一層
低減された積層コンデンサ１０となる。
ぞれ誘電体素体１２内に複数配置されることで、静電容
量が高まるだけでなく、磁界を相殺する作用が大きくな
り、インダクタンスがより大幅に減少してＥＳＬが一層
低減された積層コンデンサ１０となる。
【００２６】一方、本実施の形態に係る積層コンデンサ
１０の製造に際して、それぞれ長方形等の四辺形に形成
された誘電体シートを積層することで、誘電体素体１２
を直方体形状に形成した。この結果、誘電体素体１２
が、生産性の観点から最適な四つの側面１２Ｂ〜１２Ｅ
を有する直方体形状に形成され、この誘電体素体１２の
三つの側面に跨がって端子電極３１、３２及び内部電極
２１、２２が形成される形となるので、ＥＳＬが低減さ
れる効果が本実施の形態によれば最大限に発揮されるよ
うになる。
１０の製造に際して、それぞれ長方形等の四辺形に形成
された誘電体シートを積層することで、誘電体素体１２
を直方体形状に形成した。この結果、誘電体素体１２
が、生産性の観点から最適な四つの側面１２Ｂ〜１２Ｅ
を有する直方体形状に形成され、この誘電体素体１２の
三つの側面に跨がって端子電極３１、３２及び内部電極
２１、２２が形成される形となるので、ＥＳＬが低減さ
れる効果が本実施の形態によれば最大限に発揮されるよ
うになる。
【００２７】さらに、本実施の形態のように、誘電体シ
ートの積層方向に投影して相互に重ならない位置関係に
なるように、誘電体素体１２の三つの側面に跨がって二
種類の内部電極２１、２２の引出部２１Ａ、２２Ａをそ
れぞれ形成することにより、二つの端子電極３１、３２
が相互に短絡することなく、誘電体素体１２の三つの側
面に跨がって誘電体素体１２の外側に確実に配置可能と
なる。
ートの積層方向に投影して相互に重ならない位置関係に
なるように、誘電体素体１２の三つの側面に跨がって二
種類の内部電極２１、２２の引出部２１Ａ、２２Ａをそ
れぞれ形成することにより、二つの端子電極３１、３２
が相互に短絡することなく、誘電体素体１２の三つの側
面に跨がって誘電体素体１２の外側に確実に配置可能と
なる。
【００２８】次に、本発明に係る電子部品の第２の実施
の形態を図４及び図５に基づき説明する。尚、第１の実
施の形態で説明した部材と同一の部材には同一の符号を
付して、重複した説明を省略する。第１の実施の形態で
は、誘電体素体１２の左右の側面１２Ｃ、１２Ｅを中心
としてそれぞれ二つの端子電極３１、３２及び内部電極
２１、２２の引出部２１Ａ、２２Ａが、手前側の側面１
２Ｂと奥側の側面１２Ｄにまで延びる形とされていた。
の形態を図４及び図５に基づき説明する。尚、第１の実
施の形態で説明した部材と同一の部材には同一の符号を
付して、重複した説明を省略する。第１の実施の形態で
は、誘電体素体１２の左右の側面１２Ｃ、１２Ｅを中心
としてそれぞれ二つの端子電極３１、３２及び内部電極
２１、２２の引出部２１Ａ、２２Ａが、手前側の側面１
２Ｂと奥側の側面１２Ｄにまで延びる形とされていた。
【００２９】これに対して本実施の形態では、図４及び
図５に示すように、第１種類目の内部導体である内部電
極２１が、奥側の側面１２Ｄを挟んで左右の側面１２
Ｃ、１２Ｅに拡がる形で延びる引出部２１Ａを有してい
る。また、第２種類目の内部導体である内部電極２２
が、手前側の側面１２Ｂを挟んで左右の側面１２Ｃ、１
２Ｅに拡がる形で延びる引出部２１Ａを有している。そ
してこれに伴って、端子電極３１が奥側の側面１２Ｄを
中心として左右の側面１２Ｃ、１２Ｅに延びており、ま
た、端子電極３２が手前側の側面１２Ｂを中心として左
右の側面１２Ｃ、１２Ｅに延びている。
図５に示すように、第１種類目の内部導体である内部電
極２１が、奥側の側面１２Ｄを挟んで左右の側面１２
Ｃ、１２Ｅに拡がる形で延びる引出部２１Ａを有してい
る。また、第２種類目の内部導体である内部電極２２
が、手前側の側面１２Ｂを挟んで左右の側面１２Ｃ、１
２Ｅに拡がる形で延びる引出部２１Ａを有している。そ
してこれに伴って、端子電極３１が奥側の側面１２Ｄを
中心として左右の側面１２Ｃ、１２Ｅに延びており、ま
た、端子電極３２が手前側の側面１２Ｂを中心として左
右の側面１２Ｃ、１２Ｅに延びている。
【００３０】以上より、本実施の形態によれば、主要な
電流の流れが図４の矢印Ｙで示す方向とされて、第１の
実施の形態より短くなることで、より一層ＥＳＬが低減
された積層コンデンサ１０となる。
電流の流れが図４の矢印Ｙで示す方向とされて、第１の
実施の形態より短くなることで、より一層ＥＳＬが低減
された積層コンデンサ１０となる。
【００３１】次に、ネットワークアナライザを使用し
て、Ｓパラメータからインピーダンスヘ換算し、以下の
各試料のＥＳＬをそれぞれ求めた。まず、各試料となる
サンプルの内容を説明する。つまり、コンデンサとして
一般的な２端子型積層コンデンサをサンプル１とし、図
１０に示す従来の低ＥＳＬ化した２端子型積層コンデン
サをサンプル２とし、図５に示す実施の形態に係る２端
子型積層コンデンサをサンプル３とし、ＥＳＬをそれぞ
れ求めた。
て、Ｓパラメータからインピーダンスヘ換算し、以下の
各試料のＥＳＬをそれぞれ求めた。まず、各試料となる
サンプルの内容を説明する。つまり、コンデンサとして
一般的な２端子型積層コンデンサをサンプル１とし、図
１０に示す従来の低ＥＳＬ化した２端子型積層コンデン
サをサンプル２とし、図５に示す実施の形態に係る２端
子型積層コンデンサをサンプル３とし、ＥＳＬをそれぞ
れ求めた。
【００３２】そして、この結果として、各サンプルのイ
ンピーダンス特性を測定したデータを示す図６のグラフ
のように、サンプル１、２、３の順でインピーダンスの
最小値は小さくなり、これに伴って、サンプル１ではＥ
ＳＬが１４２０ｐＨであり、サンプル２ではＥＳＬが３
８０ｐＨであるのに対して、サンプル３ではＥＳＬが１
７２ｐＨであった。つまり、本発明の実施の形態による
サンプル３により、ＥＳＬが大幅に低減されることが確
認された。
ンピーダンス特性を測定したデータを示す図６のグラフ
のように、サンプル１、２、３の順でインピーダンスの
最小値は小さくなり、これに伴って、サンプル１ではＥ
ＳＬが１４２０ｐＨであり、サンプル２ではＥＳＬが３
８０ｐＨであるのに対して、サンプル３ではＥＳＬが１
７２ｐＨであった。つまり、本発明の実施の形態による
サンプル３により、ＥＳＬが大幅に低減されることが確
認された。
【００３３】尚、このＥＳＬは、２πｆ0 ＝１／√（Ｅ
ＳＬ・Ｃ）の式より求められるものであり、ｆ0 は自己
共振周波数でＣは静電容量である。また、自己共振周波
数ｆ 0 における等価直列抵抗（ＥＳＲ）との関係が図７
に示されている。
ＳＬ・Ｃ）の式より求められるものであり、ｆ0 は自己
共振周波数でＣは静電容量である。また、自己共振周波
数ｆ 0 における等価直列抵抗（ＥＳＲ）との関係が図７
に示されている。
【００３４】ここで用いた各試料の寸法としては、二種
類の内部導体が引き出されている誘電体素体の側面間の
距離を寸法Ｌとし、内部導体が引き出された誘電体素体
の側面に対して直交する側面間の距離を寸法Ｗとした時
に、サンプル１がＬ＝３．２ｍｍでＷ＝ｌ．６ｍｍであ
った。また、サンプル２及びサンプル３は、Ｌ＝１．６
ｍｍでＷ＝３．２ｍｍであった。さらに、静電容量とし
ては、サンプル１が１．０６μＦであり、サンプル２が
１．０１μＦであり、サンプル３が１．０２μＦであっ
た。
類の内部導体が引き出されている誘電体素体の側面間の
距離を寸法Ｌとし、内部導体が引き出された誘電体素体
の側面に対して直交する側面間の距離を寸法Ｗとした時
に、サンプル１がＬ＝３．２ｍｍでＷ＝ｌ．６ｍｍであ
った。また、サンプル２及びサンプル３は、Ｌ＝１．６
ｍｍでＷ＝３．２ｍｍであった。さらに、静電容量とし
ては、サンプル１が１．０６μＦであり、サンプル２が
１．０１μＦであり、サンプル３が１．０２μＦであっ
た。
【００３５】尚、上記実施の形態に係る積層コンデンサ
１０では、４枚づつの計８枚の内部電極を有する構造と
されているものの、内部電極の枚数はこれらの数に限定
されずさらに多数とし、例えば層数及び内部電極の枚数
を例えば数十或いは数百としても良い。
１０では、４枚づつの計８枚の内部電極を有する構造と
されているものの、内部電極の枚数はこれらの数に限定
されずさらに多数とし、例えば層数及び内部電極の枚数
を例えば数十或いは数百としても良い。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、ＥＳＬを大幅に低減し
た電子部品を提供することが可能となる。
た電子部品を提供することが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る積層コンデン
サの分解斜視図である。
サの分解斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る積層コンデン
サを示す斜視図である。
サを示す斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る積層コンデン
サを示す断面図であって、図２の３−３矢視線断面に対
応する図である。
サを示す断面図であって、図２の３−３矢視線断面に対
応する図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る積層コンデン
サの分解斜視図である。
サの分解斜視図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る積層コンデン
サを示す斜視図である。
サを示す斜視図である。
【図６】各サンプルのインピーダンス特性を表すグラフ
を示した図である。
を示した図である。
【図７】コンデンサのインピーダンス特性を表すグラフ
を示した図である。
を示した図である。
【図８】従来例の積層セラミックコンデンサを採用した
回路図である。
回路図である。
【図９】従来例の積層セラミックコンデンサを採用した
回路における負荷電流と電源電圧との関係を表すグラフ
を示した図である。
回路における負荷電流と電源電圧との関係を表すグラフ
を示した図である。
【図１０】従来例に係る積層コンデンサを示す斜視図で
ある。
ある。
【図１１】従来例に係る積層コンデンサの内部導体の部
分を示す分解斜視図であって、（Ａ）は一方の内部導体
を示す図であり、（Ｂ）は他方の内部導体を示す図であ
る。
分を示す分解斜視図であって、（Ａ）は一方の内部導体
を示す図であり、（Ｂ）は他方の内部導体を示す図であ
る。
１０ 積層コンデンサ（電子部品）
１２ 誘電体素体
１２Ｂ 側面
１２Ｃ 側面
１２Ｄ 側面
１２Ｅ 側面
２１、２２ 内部電極
３１、３２ 端子電極
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の誘電体シートが積層されて形成さ
れる誘電体素体と、 誘電体シート間に挟まれる形で誘電体素体内に配置され
且つそれぞれ誘電体素体の三つの側面に跨がって引き出
される二種類の内部導体と、 それぞれ誘電体素体の三つの側面に跨がって誘電体素体
の外側に配置され且つ二種類の内部導体の何れか一方に
それぞれ接続される二つの端子電極と、 を有することを特徴とする電子部品。 - 【請求項２】 誘電体素体が直方体形状に形成されたこ
とを特徴とする請求項１記載の電子部品。 - 【請求項３】 誘電体素体の側面にそれぞれ引き出され
た二種類の内部導体の部分が、誘電体シートの積層方向
に投影して相互に重ならない位置関係になるように、誘
電体素体の三つの側面に跨がって配置されたことを特徴
とする請求項１或いは請求項２記載の電子部品。 - 【請求項４】 二種類の内部導体が、それぞれ誘電体素
体内に複数配置されたことを特徴とする請求項１から請
求項３の何れかに記載の電子部品。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001236807A JP2003051423A (ja) | 2001-08-03 | 2001-08-03 | 電子部品 |
| US10/207,406 US6661641B2 (en) | 1998-12-15 | 2002-07-26 | Monolithic ceramic capacitor |
| US10/207,066 US6661640B2 (en) | 2001-08-03 | 2002-07-30 | Multilayer ceramic electronic device |
| TW091117228A TW569253B (en) | 2001-08-03 | 2002-07-31 | Multilayer ceramic electronic device |
| CNB021318980A CN100458990C (zh) | 2001-08-03 | 2002-08-03 | 多层陶瓷电子器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001236807A JP2003051423A (ja) | 2001-08-03 | 2001-08-03 | 電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003051423A true JP2003051423A (ja) | 2003-02-21 |
Family
ID=19068009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001236807A Pending JP2003051423A (ja) | 1998-12-15 | 2001-08-03 | 電子部品 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6661640B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003051423A (ja) |
| CN (1) | CN100458990C (ja) |
| TW (1) | TW569253B (ja) |
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