JP2004103884A - 積層コンデンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】ＥＳＬを大幅に低減する。
【解決手段】誘電体素体内に、内部導体２１、内部導体２３、内部導体２２及び内部導体２４が、上から順に配置される。内部導体２１、２２は、誘電体素体の相互に対向する二側面にそれぞれ引き出される。内部導体２１、２２がそれぞれ引き出された相互に対向する二側面と異なる誘電体素体の相互に対向する二側面に、一対の内部導体２３、２４がそれぞれ引き出される。これら４つの内部導体２１〜２４にそれぞれ接続されるように、誘電体素体の４側面にそれぞれ端子電極が配置される。
【選択図】 図１
【解決手段】誘電体素体内に、内部導体２１、内部導体２３、内部導体２２及び内部導体２４が、上から順に配置される。内部導体２１、２２は、誘電体素体の相互に対向する二側面にそれぞれ引き出される。内部導体２１、２２がそれぞれ引き出された相互に対向する二側面と異なる誘電体素体の相互に対向する二側面に、一対の内部導体２３、２４がそれぞれ引き出される。これら４つの内部導体２１〜２４にそれぞれ接続されるように、誘電体素体の４側面にそれぞれ端子電極が配置される。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を大幅に低減した積層コンデンサに係り、特にデカップリングコンデンサとして用いられる積層セラミックコンデンサに好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報処理装置に用いられるＣＰＵ（主演算処理装置）は、処理スピードの向上及び高集積化によって、動作周波数が高くなる共に消費電流が著しく増加している。そしてこれに伴い、消費電力の低減化によって動作電圧が減少する傾向にあった。従って、ＣＰＵに電力を供給する為の電源では、より高速で大きな電流変動が生じるようになり、この電流変動に伴う電圧変動をこの電源の許容値内に抑えることが非常に困難になった。
【０００３】
この為、図１３に示すように、デカップリングコンデンサと呼ばれる積層コンデンサ１００が電源１０２に接続される形で、電源の安定化対策に頻繁に使用されるようになった。そして、電流の高速で過渡的な変動時に素早い充放電によって、この積層コンデンサ１００からＣＰＵ１０４に電流を供給して、電源１０２の電圧変動を抑えるようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、今日のＣＰＵの動作周波数の一層の高周波数化に伴って、電流変動はより高速且つ大きなものとなり、図１３に示す積層コンデンサ１００自身が有している等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）が、電源の電圧変動に大きく影響するようになった。
【０００５】
つまり、図１３に示すＣＰＵ１０４の電源回路に用いられる従来の積層コンデンサ１００では、その等価回路を表す図１５に示された寄生成分であるＥＳＬが高いことから、図１４に示す電流Ｉの変動に伴って、このＥＳＬが積層コンデンサ１００の充放電を阻害するようになる。この為、上記と同様に電源の電圧Ｖの変動が図１４のように大きくなり易く、今後のＣＰＵの高速化には適応できなくなりつつあった。
【０００６】
この理由は、電流の過渡時である充放電時における電圧変動が下記の式１で近似され、ＥＳＬの高低が電源の電圧変動の大きさと関係するからである。
ｄＶ＝ＥＳＬ・ｄｉ／ｄｔ…式１
ここで、ｄＶは過渡時の電圧変動（Ｖ）であり、ｉは電流変動量（Ａ）であり、ｔは変動時間（秒）である。
【０００７】
尚、図１６に示す従来の積層コンデンサは、図１７に示す二種類の内部導体１１４、１１６をそれぞれ設置した一対のセラミック層１１２Ａが交互に積層されて、誘電体素体１１２が形成される構造となっている。また、二種類の内部導体１１４、１１６は、誘電体素体１１２の相互に対向する二つの側面１１２Ｂ、１１２Ｃにそれぞれ引き出され、誘電体素体１１２の外部に配置された端子電極１１８、１２０にそれぞれ接続される形になっていた。
本発明は上記事実を考慮し、ＥＳＬを大幅に低減した積層コンデンサを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１による積層コンデンサは、複数の誘電体シートが積層されて形成される誘電体素体内に、誘電体シート間に挟まれる形で複数の内部導体がそれぞれ配置される積層コンデンサであって、
誘電体素体の相互に対向する二側面にそれぞれ引き出される一対の第１内部導体と、
一対の第１内部導体が引き出された二側面と異なる誘電体素体の相互に対向する二側面にそれぞれ引き出される一対の第２内部導体と、
で上記複数の内部導体が構成され、
一対の第１内部導体及び一対の第２内部導体の内の一方の内部導体間に他方の内部導体の何れか一つが配置されたことを特徴とする。
【０００９】
請求項１に係る積層コンデンサによれば、複数の誘電体シートが積層されて形成される誘電体素体内に、誘電体シート間に挟まれる形で複数の内部導体がそれぞれ配置される構成を有している。また、誘電体素体の相互に対向する二側面に一対の第１内部導体がそれぞれ引き出され、これら一対の第１内部導体が引き出された二側面と異なる誘電体素体の相互に対向する二側面に一対の第２内部導体がそれぞれ引き出されている。
つまり、これら一対の第１内部導体及び一対の第２内部導体により上記複数の内部導体が構成されており、一対の第１内部導体及び一対の第２内部導体の内の一方の内部導体間に他方の内部導体の何れか一つが配置されている。
【００１０】
例えば、一つの第２内部導体が間に挟まれていることで、一対の第１内部導体同士が相互に同極となり且つ、これら一対の第１内部導体がそれぞれ誘電体素体の対向する二側面にそれぞれ引き出される構造となっているので、これら一対の第１内部導体内において、電流が相互に逆向きに流れるようになる。この一方、一対の第２内部導体においても、同様の理由から電流が相互に逆向きに流れるようになる。
【００１１】
従って、一対の第１内部導体間で電流が逆向きに流れることで、磁界を相殺する作用が生じるだけでなく、一対の第２内部導体間で電流が逆向きに流れることでも、磁界を相殺する作用が生じる。そして、これら各内部導体間での磁界の相殺作用が生じるのに伴って、積層コンデンサ自体が持つ寄生インダクタンスを少なくでき、等価直列インダクタンスを低減する効果が生じるようになる。
【００１２】
以上より、本請求項に係る積層コンデンサによれば、デカップリングコンデンサとして好適なように積層コンデンサの大幅な低ＥＳＬ化が図られて、高周波数帯域での減衰量が大きくなるのに伴い、電源の電圧変動を抑制できるようになり、ＣＰＵの電源においてより高い効果を得ることができる。
【００１３】
請求項２に係る積層コンデンサによれば、請求項１の積層コンデンサと同様の構成の他に、誘電体素体の相互に対向する二側面にそれぞれ配置され且つ一対の第１内部導体にそれぞれ接続される少なくとも一対の第１端子電極と、第１端子電極が配置される側面と異なる誘電体素体の相互に対向する二側面にそれぞれ配置され且つ一対の第２内部導体にそれぞれ接続される一対の第２端子電極と、を有するという構成を有している。
【００１４】
つまり、相互に対向する一対の第１端子電極が相互に同極性を有する形に積層コンデンサの外部に接続され、また、相互に対向する一対の第２端子電極が相互に同極性を有する形に積層コンデンサの外部に接続されることで、一対の第１内部導体同士が相互に同極となると共に、一対の第２内部導体同士が相互に同極となり、請求項１の作用効果をより確実に達成できるようになる。
【００１５】
請求項３に係る積層コンデンサによれば、請求項１及び請求項２の積層コンデンサと同様の構成の他に、第１内部導体及び第２内部導体の少なくとも何れかが、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体の相互に対向する二側面に交互に突き出される複数の分割導体とされるという構成を有している。
【００１６】
つまり、一対の第１内部導体をそれぞれ分割した複数対の分割導体同士間で電流が逆向きに流れ、また、一対の第２内部導体をそれぞれ分割した複数対の分割導体同士間で電流が逆向きに流れて、それぞれ磁界を相殺する作用が生じるだけでなく、それぞれ同一面上で相互に並んで延びて隣り合う分割導体同士間でも、電流が逆向きに流れることで、磁界を相殺する作用が生じる。
この結果として、これら各分割導体間での磁界の相殺作用が生じるのに伴って、積層コンデンサ自体が持つ寄生インダクタンスをより一層少なくでき、等価直列インダクタンスを低減する効果が増大するようになる。
【００１７】
請求項４に係る積層コンデンサによれば、請求項１及び請求項３の積層コンデンサと同様の構成の他に、誘電体素体が直方体形状に形成されるという構成を有している。
つまり、誘電体シートがそれぞれ長方形等の四辺形に形成され、これら誘電体シートが積層されることで、直方体形状に誘電体素体が形成されるようになる。この為、それぞれ誘電体素体の二側面づつに引き出されている一対の第１内部導体及び一対の第２内部導体を有していることから、生産性の観点から最適な四つの側面を有する直方体形状に形成された誘電体素体の全ての側面に内部導体の引き出し部分が設けられる形になるので、ＥＳＬが低減される効果が最大限に発揮されるようになる。
【００１８】
請求項５に係る積層コンデンサによれば、請求項１から請求項４の積層コンデンサと同様の構成の他に、第１内部導体及び第２内部導体が、それぞれ誘電体素体内に複数対づつ配置されるという構成を有している。
従って、第１内部導体及び第２内部導体をそれぞれ誘電体素体内に複数対づつ配置することで、本請求項に係る積層コンデンサの静電容量が高まるだけでなく磁界を相殺する作用がさらに大きくなり、インダクタンスがより大幅に減少してＥＳＬが一層低減されるようになる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る積層コンデンサの第１の実施の形態を図面に基づき説明する。
本実施の形態に係る積層コンデンサである積層セラミックコンデンサ（以下単に、積層コンデンサと言う）１０を図１から図４に示す。これらの図に示すように、誘電体シートであるセラミックグリーンシートを複数枚積層した積層体を焼成することで得られた直方体状の焼結体である誘電体素体１２を主要部として、この積層コンデンサ１０が構成されている。この誘電体素体１２内には、それぞれ略正方形に形成された内部導体２１、内部導体２３、内部導体２２及び内部導体２４が、上から順に配置されていて、それぞれの内部導体間には、セラミック層１２Ａがそれぞれ配置されている。
【００２０】
以上より、本実施の形態では、焼成後の誘電体シートであるセラミック層１２Ａがそれぞれの間に挟まれつつ、誘電体素体１２内に４種類の内部導体２１、２３、２２、２４が順に配置されており、さらに内部導体２４の下側には、図３に示すように、上記と同じ順序でこれら４種類の内部導体２１、２３、２２、２４が繰返されてこれらの組が、例えば計二組配置されている。尚、これら内部導体２１〜２４の材質としては、卑金属材料であるニッケル、ニッケル合金、銅或いは、銅合金が考えられるだけでなく、これらの金属を主成分とする材料が考えられる。
【００２１】
さらに、図１から図３に示すように、内部導体２１の左側部分には、誘電体素体１２の左側の側面１２Ｂ（図２に示す）に引き出される引出部２１Ａが形成されていて、この引き出された側面１２Ｂから対向する側面１２Ｄ（図２に示す）に向かってこの内部導体２１が延びる形となっている。
この内部導体２１の下側に配置されている内部導体２３の手前側部分には、誘電体素体１２の手前側の側面１２Ｃ（図２に示す）に引き出される引出部２３Ａが形成されていて、この引き出された側面１２Ｃから対向する側面１２Ｅ（図２に示す）に向かってこの内部導体２３が延びる形となっている。
【００２２】
この内部導体２３の下側に配置されている内部導体２２の右側部分には、誘電体素体１２の右側の側面１２Ｄに引き出される引出部２２Ａが形成されていて、この引き出された側面１２Ｄから対向する側面１２Ｂに向かってこの内部導体２２が延びる形となっている。
この内部導体２２の下側に配置されている内部導体２４の奥側部分には、誘電体素体１２の奥側の側面１２Ｅに引き出される引出部２４Ａが形成されていて、この引き出された側面１２Ｅから対向する側面１２Ｃに向かってこの内部導体２４が延びる形となっている。
【００２３】
つまり、図１及び図３において、一対の第１内部導体を構成する内部導体２１と内部導体２２との間に内部導体２３が配置され、また、一対の第２内部導体を構成する内部導体２３と内部導体２４との間に内部導体２２が配置される構造になっている。そして、この内部導体２４の下側にも、上記と同様に図３に示す４種類の内部導体２１、２３、２２、２４が順次配置されている。
【００２４】
従って、本実施の形態では、内部導体２１、２２が、誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄにそれぞれ引き出されており、また、内部導体２３、２４が、内部導体２１、２２の引き出された二側面１２Ｂ、１２Ｄと異なる誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅにそれぞれ引き出されている。つまり、これら４種類の内部導体２１、２３、２２、２４の引出部２１Ａ、２３Ａ、２２Ａ、２４Ａが、誘電体シートの図１及び図２の矢印Ｚで示す積層方向に投影して相互に重ならない位置関係になるように、それぞれ誘電体素体１２の各側面に配置されていることになる。
【００２５】
他方、内部導体２１の引出部２１Ａに接続されるように、図２及び図３に示す端子電極３１が誘電体素体１２の側面１２Ｂに位置する形で誘電体素体１２の外側に配置されており、また、内部導体２２の引出部２２Ａに接続されるように、同じく端子電極３２が誘電体素体１２の側面１２Ｄに位置する形で誘電体素体１２の外側に配置されている。
【００２６】
さらに、内部導体２３の引出部２３Ａに接続されるように、端子電極３３が誘電体素体１２の側面１２Ｃに位置する形で誘電体素体１２の外側に配置されており、また、内部導体２４の引出部２４Ａに接続されるように、同じく端子電極３４が誘電体素体１２の側面１２Ｅに位置する形で誘電体素体１２の外側に配置されている。
【００２７】
つまり、本実施の形態では、一対の第１端子電極である端子電極３１及び端子電極３２が、誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄにそれぞれ配置されており、また、一対の第２端子電極である端子電極３３及び端子電極３４が、端子電極３１及び端子電極３２の配置される二側面１２Ｂ、１２Ｄと異なる誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅにそれぞれ配置されている。
【００２８】
以上より、本実施の形態では、内部導体２１〜２４がコンデンサの相互に対向する電極を構成し、積層コンデンサ１０の側面１２Ｂ〜１２Ｅにこの内部導体２１〜２４に接続される端子電極３１〜３４が配置されて、図４に示すような等価回路を構成している。この為、本実施の形態に係る積層コンデンサ１０は、直方体である六面体形状とされる誘電体素体１２の四つの側面１２Ｂ〜１２Ｅ全てに、端子電極３１〜３４がそれぞれ配置される構造になっている。
【００２９】
次に、本実施の形態に係る積層コンデンサ１０の作用を説明する。
本実施の形態に係る積層コンデンサ１０によれば、それぞれセラミック層１２Ａとなる複数の誘電体シートが積層されて直方体形状に形成される誘電体素体１２内に、これらセラミック層１２Ａ間に挟まれる形で複数の内部導体がそれぞれ配置される構成を有している。
【００３０】
また、誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄに一対の内部導体２１、２２がそれぞれ引き出され、これら一対の内部導体２１、２２が引き出された二側面１２Ｂ、１２Ｄと異なる誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅに一対の内部導体２３、２４がそれぞれ引き出されている。
つまり、これら一対の内部導体２１、２２及び一対の内部導体２３、２４により上記複数の内部導体が構成されており、本実施の形態では、内部導体２１、２２間に内部導体２３が配置され、また内部導体２３、２４間に内部導体２２が配置されている。
【００３１】
さらに、本実施の形態では、誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄにそれぞれ配置される一対の端子電極３１、３２が、上記の一対の内部導体２１、２２にそれぞれ接続されている。また、この端子電極３１、３２が配置される側面１２Ｂ、１２Ｄと異なる誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅにそれぞれ配置される一対の端子電極３３、３４が、上記の一対の内部導体２３、２４にそれぞれ接続されている。
【００３２】
つまり、例えば一対の内部導体２１、２２が、それぞれ誘電体素体１２の対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄにそれぞれ引き出されて、相互に対向する一対の端子電極３１、３２とそれぞれ接続されるだけでなく、上記のように一つの内部導体２３がこれら内部導体２１、２２の間に挟まれる構造となっている。そして、コンデンサとしての機能を発揮するように、これら一対の端子電極３１、３２が相互に同極性を有する形に積層コンデンサ１０の外部の配線等に接続されれば、これら一対の内部導体２１、２２内において、図１の矢印で示す形に電流が相互に逆向きに流れつつ、一対の内部導体２１、２２同士が相互に同極となる。
【００３３】
この一方、一対の内部導体２３、２４においても、相互に対向する一対の端子電極３３、３４が相互に同極性を有する形に積層コンデンサ１０の外部の配線等に接続されれば、これら一対の内部導体２３、２４内において、同様の理由から図１の矢印で示す形に電流が相互に逆向きに流れつつ、一対の内部導体２３、２４同士が相互に同極となる。
【００３４】
従って、一対の内部導体２１、２２間で電流が逆向きに流れることで、磁界を相殺する作用が生じるだけでなく、一対の内部導体２３、２４間で電流が逆向きに流れることでも、磁界を相殺する作用が生じることになる。そして、これら各内部導体間での磁界の相殺作用が生じるのに伴って、積層コンデンサ１０自体が持つ寄生インダクタンスを少なくでき、等価直列インダクタンスを低減する効果が生じるようになる。
【００３５】
以上より、本実施の形態に係る積層コンデンサ１０によれば、デカップリングコンデンサとして好適なように積層コンデンサ１０の大幅な低ＥＳＬ化が図られて、高周波数帯域での減衰量が大きくなるのに伴い、電源の電圧変動を抑制できるようになり、ＣＰＵの電源においてより高い効果を得ることができる。
【００３６】
また、第１内部導体である内部導体２１、２２及び、第２内部導体である内部導体２３、２４が、それぞれ誘電体素体１２内に複数対づつ配置されることで、本実施の形態に係る積層コンデンサ１０の静電容量が高まるだけでなく、磁界を相殺する作用がさらに大きくなり、インダクタンスがより大幅に減少してＥＳＬが一層低減された積層コンデンサ１０となる。
【００３７】
一方、本実施の形態に係る積層コンデンサ１０の製造に際して、それぞれ長方形等の四辺形に形成された誘電体シートを積層することで、誘電体素体１２を直方体形状に形成した。
この結果として、本実施の形態ではそれぞれ誘電体素体１２の二側面づつに引き出されている一対の内部導体２１、２２及び一対の内部導体２３、２４を有していることから、生産性の観点から最適な四つの側面１２Ｂ〜１２Ｅを有する直方体形状に形成された誘電体素体１２の全ての側面１２Ｂ〜１２Ｅに内部導体２１〜２４の引き出し部分が設けられる形になるので、ＥＳＬが低減される効果が最大限に発揮されるようになる。
【００３８】
次に、本発明に係る積層コンデンサの第２の実施の形態を図５及び図６に基づき説明する。尚、第１の実施の形態で説明した部材と同一の部材には同一の符号を付して、重複した説明を省略する。
上記の第１の実施の形態では、各内部導体がそれぞれ一体的に形成されていたのに対して本実施の形態では、図５及び図６に示すように、第１の実施の形態の内部導体２１が、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄ（図２に示す）に交互に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体４１、４２とされている。また、第１の実施の形態の内部導体２２が、同様に相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄに交互であって、上記と逆に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体４３、４４とされている。
【００３９】
つまり、積層方向で相互に対向して位置した分割導体４１と分割導体４３とが、相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄにそれぞれ引き出される形とされており、同じく積層方向で相互に対向して位置した分割導体４２と分割導体４４とが、相互に対向する二側面１２Ｄ、１２Ｂにそれぞれ引き出される形とされている。この為、本実施の形態では、分割導体４１及び分割導体４４が図２に示す端子電極３１にそれぞれ接続されており、分割導体４２及び分割導体４３が同じく図２に示す端子電極３２にそれぞれ接続されていることになる。
【００４０】
一方、第１の実施の形態の内部導体２３も、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅ（図２に示す）に交互に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体４５、４６とされている。また、第１の実施の形態の内部導体２４も、同様に相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅに交互であって、上記と逆に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体４７、４８とされている。
【００４１】
つまり、積層方向で相互に対向して位置した分割導体４５と分割導体４７とが、相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅにそれぞれ引き出される形とされており、同じく積層方向で相互に対向して位置した分割導体４６と分割導体４８とが、相互に対向する二側面１２Ｅ、１２Ｃにそれぞれ引き出される形とされている。この為、本実施の形態では、分割導体４５及び分割導体４８が図２に示す端子電極３３にそれぞれ接続されており、分割導体４６及び分割導体４７が同じく図２に示す端子電極３４にそれぞれ接続されていることになる。
【００４２】
以上より、分割導体４１、４２と分割導体４３、４４との間で、図５の矢印で示す形に電流が逆向きに流れ、また、分割導体４５、４６と分割導体４７、４８との間で、図５の矢印で示す形に電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じるだけでなく、それぞれ同一面上で相互に並んで延びて隣り合う分割導体４１、４２同士、分割導体４３、４４同士、分割導体４５、４６同士及び、分割導体４７、４８同士でも、電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じる。
【００４３】
この結果として、これら各内部導体間での磁界の相殺作用が生じるのに伴って、積層コンデンサ１０自体が持つ寄生インダクタンスをより一層少なくでき、等価直列インダクタンスを低減する効果が増大するようになる。
【００４４】
次に、本発明に係る積層コンデンサの第３の実施の形態を図７に基づき説明する。尚、第１の実施の形態で説明した部材と同一の部材には同一の符号を付して、重複した説明を省略する。
本実施の形態では、図７に示すように、第１の実施の形態の内部導体２１が、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄ（図２に示す）に交互に引き出される複数（本形態では３つ）の分割導体５１、５２、５３とされている。
【００４５】
また、第１の実施の形態の内部導体２２が、同様に相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄに交互であって、上記と逆に引き出される複数（本形態では３つ）の分割導体５４、５５、５６とされている。
【００４６】
つまり、積層方向で相互に対向して位置した分割導体５１と分割導体５４とが、相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄにそれぞれ引き出される形とされており、同じく積層方向で相互に対向して位置した分割導体５２と分割導体５５とが、相互に対向する二側面１２Ｄ、１２Ｂにそれぞれ引き出される形とされており、同じく積層方向で相互に対向して位置した分割導体５３と分割導体５６とが、相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄにそれぞれ引き出される形とされている。
この為、本実施の形態では、分割導体５１、５３、５５が図２に示す端子電極３１にそれぞれ接続されており、分割導体５２、５４、５６が同じく図２に示す端子電極３２にそれぞれ接続されていることになる。
【００４７】
一方、第１の実施の形態の内部導体２３も、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅ（図２に示す）に交互に引き出される複数（本形態では３つ）の分割導体５７、５８、５９とされている。また、第１の実施の形態の内部導体２４も、同様に相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅに交互であって、上記と逆に引き出される複数（本形態では３つ）の分割導体６０、６１、６２とされている。
【００４８】
つまり、積層方向で相互に対向して位置した分割導体５７と分割導体６０とが、相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅにそれぞれ引き出される形とされており、同じく積層方向で相互に対向して位置した分割導体５８と分割導体６１とが、相互に対向する二側面１２Ｅ、１２Ｃにそれぞれ引き出される形とされており、同じく積層方向で相互に対向して位置した分割導体５９と分割導体６２とが、相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅにそれぞれ引き出される形とされている。
この為、本実施の形態では、分割導体５８、６０、６２が図２に示す端子電極３３にそれぞれ接続されており、分割導体５７、５９、６１が同じく図２に示す端子電極３４にそれぞれ接続されていることになる。
【００４９】
以上より、分割導体５１、５２、５３と分割導体５４、５５、５６との間で、図７の矢印で示す形に電流が逆向きに流れ、また、分割導体５７、５８、５９と分割導体６０、６１、６２との間で、図７の矢印で示す形に電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じるようになる。さらに、それぞれ同一面上で相互に並んで延びる分割導体５１、５２、５３同士、分割導体５４、５５、５６同士、分割導体５７、５８、５９同士及び、分割導体６０、６１、６２同士でも、隣り合う分割導体同士間で電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じる。
【００５０】
この結果として、第２の実施の形態と同様に積層コンデンサ１０自体が持つ寄生インダクタンスをより一層少なくでき、等価直列インダクタンスを低減する効果が増大するようになる。
【００５１】
次に、本発明に係る積層コンデンサの第４の実施の形態を図８に基づき説明する。尚、第１の実施の形態で説明した部材と同一の部材には同一の符号を付して、重複した説明を省略する。
本実施の形態では、図８に示すように、第１の実施の形態の内部導体２１が、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄ（図２に示す）に交互に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体７１、７２とされている。但し、本実施の形態では、分割導体７１がＵ字形に形成され、また分割導体７２がＴ字形に形成されていて、分割導体７１の図８における左右方向にそれぞれ延びる先端側部分間に、分割導体７２の先端側部分が入り込む形となっている。
【００５２】
また、第１の実施の形態の内部導体２２が、同様に相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄに交互であって、上記と逆に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体７３、７４とされている。但し、本実施の形態では、分割導体７３がＵ字形に形成され、また分割導体７４がＴ字形に形成されていて、分割導体７３の図８における左右方向にそれぞれ延びる先端側部分間に、分割導体７４の先端側部分が入り込む形となっている。
【００５３】
一方、第１の実施の形態の内部導体２３も、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅ（図２に示す）に交互に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体７５、７６とされている。但し、本実施の形態では、分割導体７５がＵ字形に形成され、また分割導体７６がＴ字形に形成されていて、分割導体７５の図８における手前側から奥側にそれぞれ延びる先端側部分間に、分割導体７６の先端側部分が入り込む形となっている。
【００５４】
また、第１の実施の形態の内部導体２４も、同様に相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅに交互であって、上記と逆に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体７７、７８とされている。但し、本実施の形態では、分割導体７７がＵ字形に形成され、また分割導体７８がＴ字形に形成されていて、分割導体７７の図８における奥側から手前側にそれぞれ延びる先端側部分間に、分割導体７８の先端側部分が入り込む形となっている。
【００５５】
そして、これら分割導体７１、７４が端子電極３１に接続され、分割導体７２、７３が端子電極３２に接続され、分割導体７５、７８が端子電極３３に接続され、分割導体７６、７７が端子電極３４に接続される形で、各分割導体７１〜７８が、第２の実施の形態と同様に図２に示す各端子電極３１〜３４にそれぞれ接続されるようになる。
【００５６】
以上より、積層方向で相互に対向して位置した分割導体７１と分割導体７３との間で、図８の矢印で示す形に電流が逆向きに流れると共に、同様に位置した分割導体７２と分割導体７４との間で同様に電流が逆向きに流れ、また、積層方向で相互に対向して位置した分割導体７５と分割導体７７との間で、図８の矢印で示す形に電流が逆向きに流れると共に、同様に位置した分割導体７６と分割導体７８との間で同様に電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じるようになる。
【００５７】
さらに、Ｔ字形の分割導体７２がＵ字形の分割導体７１の間に入り込む形で、同一面上で相互に並んで延びて隣り合う分割導体７１、７２同士でも、電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じる。また、同様の構造となっている分割導体７３、７４同士、分割導体７５、７６同士及び、分割導体７７、７８同士でも、電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じる。
【００５８】
この結果として、第２の実施の形態と同様に積層コンデンサ１０自体が持つ寄生インダクタンスをより一層少なくでき、等価直列インダクタンスを低減する効果が増大するようになる。
【００５９】
次に、本発明に係る積層コンデンサの第５の実施の形態を図９に基づき説明する。尚、第１の実施の形態で説明した部材と同一の部材には同一の符号を付して、重複した説明を省略する。
本実施の形態では、図９に示すように、第１の実施の形態の内部導体２１が、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄ（図２に示す）に交互に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体８１、８２とされている。但し、本実施の形態では、これら分割導体８１及び分割導体８２がそれぞれ略三角形に形成されている。
【００６０】
また、第１の実施の形態の内部導体２２が、同様に相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄに交互であって、上記と逆に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体８３、８４とされている。但し、本実施の形態では、これら分割導体８３及び分割導体８４がそれぞれ略三角形に形成されている。
【００６１】
一方、第１の実施の形態の内部導体２３も、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅ（図２に示す）に交互に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体８５、８６とされている。但し、本実施の形態では、これら分割導体８５及び分割導体８６がそれぞれ略三角形に形成されている。
【００６２】
また、第１の実施の形態の内部導体２４も、同様に相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅに交互であって、上記と逆に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体８７、８８とされている。但し、本実施の形態では、これら分割導体８７及び分割導体８８がそれぞれ略三角形に形成されている。
【００６３】
そして、これら分割導体８１、８４が端子電極３１に接続され、分割導体８２、８３が端子電極３２に接続され、分割導体８５、８８が端子電極３３に接続され、分割導体８６、８７が端子電極３４に接続される形で、各分割導体８１〜８８が、第２の実施の形態と同様に図２に示す各端子電極３１〜３４にそれぞれ接続されるようになる。
【００６４】
以上より、積層方向で相互に対向して位置した分割導体８１と分割導体８３との間で、図９の矢印で示す形に電流が逆向きに流れると共に、同様に位置した分割導体８２と分割導体８４との間で同様に電流が逆向きに流れ、また、積層方向で相互に対向して位置した分割導体８５と分割導体８７との間で、図９の矢印で示す形に電流が逆向きに流れると共に、同様に位置した分割導体８６と分割導体８８との間で同様に電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じるようになる。
【００６５】
さらに、それぞれ同一面上で相互に並んで延びて隣り合う分割導体８１、８２同士、分割導体８３、８４同士、分割導体８５、８６同士及び、分割導体８７、８８同士でも、電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じる。
この結果として、第２の実施の形態と同様に積層コンデンサ１０自体が持つ寄生インダクタンスをより一層少なくでき、等価直列インダクタンスを低減する効果が増大するようになる。
【００６６】
次に、本発明に係る積層コンデンサの第６の実施の形態を図１０に基づき説明する。尚、第１の実施の形態で説明した部材と同一の部材には同一の符号を付して、重複した説明を省略する。
本実施の形態では、図１０に示すように、一対の第１内部導体が、第１の実施の形態と略同様に形成された内部導体９１及び内部導体９２とされている。この一方、一対の第２内部導体が、第３の実施の形態と同様に分割して形成された、３つの分割導体５７、５８、５９及び３つの分割導体６０、６１、６２とされている。
【００６７】
この為、本実施の形態では、内部導体９１が端子電極３１に接続されており、内部導体９２が端子電極３２に接続されている。また、分割導体５８、６０、６２が端子電極３３にそれぞれ接続されており、分割導体５７、５９、６１が端子電極３４にそれぞれ接続されている。
【００６８】
以上より、積層方向で相互に対向して位置した内部導体９１と内部導体９２との間で、図１０の矢印で示す形に電流が逆向きに流れ、また、同様に位置した分割導体５７、５８、５９と分割導体６０、６１、６２との間で同様に電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じるだけでなく、それぞれ同一面上で相互に並んで延びる分割導体５７、５８、５９同士及び、分割導体６０、６１、６２同士でも、隣り合う分割導体同士間で電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じる。
【００６９】
この結果として、第２の実施の形態と同様に積層コンデンサ１０自体が持つ寄生インダクタンスをより一層少なくでき、等価直列インダクタンスを低減する効果が増大するようになる。
【００７０】
次に、ネットワークアナライザを用いて、以下の各試料のＳパラメータのＳ２１特性を測定し、各試料の減衰特性をそれぞれ求めた。まず、各試料となるサンプルの内容を説明する。つまり、コンデンサとして一般的な図１６及び図１７に示す２端子型積層コンデンサを従来例とし、図５及び図６に示す第２の実施の形態に係る４端子型積層コンデンサを実施例とした。そして、ネットワークアナライザのＰｏｒｔ１及びＰｏｒｔ２に、この従来例を図１１（Ａ）に示すように接続し、また、同じくこの実施例を図１１（Ｂ）に示すように接続して、それぞれ測定した。
【００７１】
ここで、減衰特性の実測値と図１５に示す等価回路の減衰量とが合致するように、等価回路の定数を算出した。そして、図１２に示す各試料の減衰特性のデータから、２０ＭＨｚ以上の高周波数の帯域における実施例の減衰量が、従来例に比べて約１５ｄＢほど増えていることが分かる。この為、このデータによって高周波特性の改善が実施例に見られることが理解できる。
他方、算出して表１に表すＥＳＬに関しても、従来例に比べて実施例は大幅に低減されており、本発明の効果がこの表１によっても実証されることが確認できた。
【００７２】
【表１】
【００７３】
この表１で、Ｃは静電容量であり、ＥＳＲは等価直列抵抗である。また、ここで用いた各試料の寸法としては、図１６及び図２に示すように、一対の内部導体が引き出されている誘電体素体の側面間の距離を寸法Ｌとし、一対の内部導体が引き出された誘電体素体の側面に対して直交する側面間の距離を寸法Ｗとした時に、従来例がＬ＝２．０ｍｍでＷ＝ｌ．２５ｍｍであった。また、実施例は、Ｌ＝１．６ｍｍでＷ＝１．６ｍｍであった。
【００７４】
尚、上記実施の形態に係る積層コンデンサ１０では、４層づつで二組の計８層を有する構造とされているものの、層数はこれらの数に限定されずさらに多数とし、例えば層数を例えば数十或いは数百としても良い。また、上記実施の形態の内の第２の実施の形態以降には、分割導体がそれぞれ２つづつ或いは３つづつ配置される構造が示されているが、これら分割導体を４つづつ以上配置するようにしても良い。
【００７５】
【発明の効果】
本発明によれば、ＥＳＬを大幅に低減した積層コンデンサを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る積層コンデンサの分解斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る積層コンデンサを示す斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る積層コンデンサを示す断面図であって、図２の３−３矢視線断面に対応する図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る積層コンデンサの等価回路図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る積層コンデンサの分解斜視図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る積層コンデンサを示す断面図であって、図２の３−３矢視線断面に対応する図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る積層コンデンサの分解斜視図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態に係る積層コンデンサの分解斜視図である。
【図９】本発明の第５の実施の形態に係る積層コンデンサの分解斜視図である。
【図１０】本発明の第６の実施の形態に係る積層コンデンサの分解斜視図である。
【図１１】ネットワークアナライザへの各試料の接続を示す回路図であって、（Ａ）は従来例の接続を示す図であり、（Ｂ）は実施例の接続を示す図である。
【図１２】各試料の減衰特性を表すグラフを示した図である。
【図１３】従来例の積層コンデンサを採用した回路図である。
【図１４】従来例の積層コンデンサを採用した回路における電流変動と電圧変動との関係を表すグラフを示した図である。
【図１５】従来例に係る積層コンデンサの等価回路図である。
【図１６】従来例に係る積層コンデンサを示す斜視図である。
【図１７】従来例に係る積層コンデンサの内部導体の部分を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
１０ 積層コンデンサ
１２ 誘電体素体
１２Ｂ 側面
１２Ｃ 側面
１２Ｄ 側面
１２Ｅ 側面
２１、２２ 内部電極（第１内部導体）
２３、２４ 内部電極（第２内部導体）
３１、３２ 端子電極（第１端子電極）
３３、３４ 端子電極（第２端子電極）
４１〜４４ 分割導体（第１内部導体）
４５〜４８ 分割導体（第２内部導体）
５１〜５６ 分割導体（第１内部導体）
５７〜６２ 分割導体（第２内部導体）
７１〜７４ 分割導体（第１内部導体）
７５〜７８ 分割導体（第２内部導体）
８１〜８４ 分割導体（第１内部導体）
８５〜８８ 分割導体（第２内部導体）
９１、９２ 内部電極（第１内部導体）
【発明の属する技術分野】
本発明は、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を大幅に低減した積層コンデンサに係り、特にデカップリングコンデンサとして用いられる積層セラミックコンデンサに好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報処理装置に用いられるＣＰＵ（主演算処理装置）は、処理スピードの向上及び高集積化によって、動作周波数が高くなる共に消費電流が著しく増加している。そしてこれに伴い、消費電力の低減化によって動作電圧が減少する傾向にあった。従って、ＣＰＵに電力を供給する為の電源では、より高速で大きな電流変動が生じるようになり、この電流変動に伴う電圧変動をこの電源の許容値内に抑えることが非常に困難になった。
【０００３】
この為、図１３に示すように、デカップリングコンデンサと呼ばれる積層コンデンサ１００が電源１０２に接続される形で、電源の安定化対策に頻繁に使用されるようになった。そして、電流の高速で過渡的な変動時に素早い充放電によって、この積層コンデンサ１００からＣＰＵ１０４に電流を供給して、電源１０２の電圧変動を抑えるようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、今日のＣＰＵの動作周波数の一層の高周波数化に伴って、電流変動はより高速且つ大きなものとなり、図１３に示す積層コンデンサ１００自身が有している等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）が、電源の電圧変動に大きく影響するようになった。
【０００５】
つまり、図１３に示すＣＰＵ１０４の電源回路に用いられる従来の積層コンデンサ１００では、その等価回路を表す図１５に示された寄生成分であるＥＳＬが高いことから、図１４に示す電流Ｉの変動に伴って、このＥＳＬが積層コンデンサ１００の充放電を阻害するようになる。この為、上記と同様に電源の電圧Ｖの変動が図１４のように大きくなり易く、今後のＣＰＵの高速化には適応できなくなりつつあった。
【０００６】
この理由は、電流の過渡時である充放電時における電圧変動が下記の式１で近似され、ＥＳＬの高低が電源の電圧変動の大きさと関係するからである。
ｄＶ＝ＥＳＬ・ｄｉ／ｄｔ…式１
ここで、ｄＶは過渡時の電圧変動（Ｖ）であり、ｉは電流変動量（Ａ）であり、ｔは変動時間（秒）である。
【０００７】
尚、図１６に示す従来の積層コンデンサは、図１７に示す二種類の内部導体１１４、１１６をそれぞれ設置した一対のセラミック層１１２Ａが交互に積層されて、誘電体素体１１２が形成される構造となっている。また、二種類の内部導体１１４、１１６は、誘電体素体１１２の相互に対向する二つの側面１１２Ｂ、１１２Ｃにそれぞれ引き出され、誘電体素体１１２の外部に配置された端子電極１１８、１２０にそれぞれ接続される形になっていた。
本発明は上記事実を考慮し、ＥＳＬを大幅に低減した積層コンデンサを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１による積層コンデンサは、複数の誘電体シートが積層されて形成される誘電体素体内に、誘電体シート間に挟まれる形で複数の内部導体がそれぞれ配置される積層コンデンサであって、
誘電体素体の相互に対向する二側面にそれぞれ引き出される一対の第１内部導体と、
一対の第１内部導体が引き出された二側面と異なる誘電体素体の相互に対向する二側面にそれぞれ引き出される一対の第２内部導体と、
で上記複数の内部導体が構成され、
一対の第１内部導体及び一対の第２内部導体の内の一方の内部導体間に他方の内部導体の何れか一つが配置されたことを特徴とする。
【０００９】
請求項１に係る積層コンデンサによれば、複数の誘電体シートが積層されて形成される誘電体素体内に、誘電体シート間に挟まれる形で複数の内部導体がそれぞれ配置される構成を有している。また、誘電体素体の相互に対向する二側面に一対の第１内部導体がそれぞれ引き出され、これら一対の第１内部導体が引き出された二側面と異なる誘電体素体の相互に対向する二側面に一対の第２内部導体がそれぞれ引き出されている。
つまり、これら一対の第１内部導体及び一対の第２内部導体により上記複数の内部導体が構成されており、一対の第１内部導体及び一対の第２内部導体の内の一方の内部導体間に他方の内部導体の何れか一つが配置されている。
【００１０】
例えば、一つの第２内部導体が間に挟まれていることで、一対の第１内部導体同士が相互に同極となり且つ、これら一対の第１内部導体がそれぞれ誘電体素体の対向する二側面にそれぞれ引き出される構造となっているので、これら一対の第１内部導体内において、電流が相互に逆向きに流れるようになる。この一方、一対の第２内部導体においても、同様の理由から電流が相互に逆向きに流れるようになる。
【００１１】
従って、一対の第１内部導体間で電流が逆向きに流れることで、磁界を相殺する作用が生じるだけでなく、一対の第２内部導体間で電流が逆向きに流れることでも、磁界を相殺する作用が生じる。そして、これら各内部導体間での磁界の相殺作用が生じるのに伴って、積層コンデンサ自体が持つ寄生インダクタンスを少なくでき、等価直列インダクタンスを低減する効果が生じるようになる。
【００１２】
以上より、本請求項に係る積層コンデンサによれば、デカップリングコンデンサとして好適なように積層コンデンサの大幅な低ＥＳＬ化が図られて、高周波数帯域での減衰量が大きくなるのに伴い、電源の電圧変動を抑制できるようになり、ＣＰＵの電源においてより高い効果を得ることができる。
【００１３】
請求項２に係る積層コンデンサによれば、請求項１の積層コンデンサと同様の構成の他に、誘電体素体の相互に対向する二側面にそれぞれ配置され且つ一対の第１内部導体にそれぞれ接続される少なくとも一対の第１端子電極と、第１端子電極が配置される側面と異なる誘電体素体の相互に対向する二側面にそれぞれ配置され且つ一対の第２内部導体にそれぞれ接続される一対の第２端子電極と、を有するという構成を有している。
【００１４】
つまり、相互に対向する一対の第１端子電極が相互に同極性を有する形に積層コンデンサの外部に接続され、また、相互に対向する一対の第２端子電極が相互に同極性を有する形に積層コンデンサの外部に接続されることで、一対の第１内部導体同士が相互に同極となると共に、一対の第２内部導体同士が相互に同極となり、請求項１の作用効果をより確実に達成できるようになる。
【００１５】
請求項３に係る積層コンデンサによれば、請求項１及び請求項２の積層コンデンサと同様の構成の他に、第１内部導体及び第２内部導体の少なくとも何れかが、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体の相互に対向する二側面に交互に突き出される複数の分割導体とされるという構成を有している。
【００１６】
つまり、一対の第１内部導体をそれぞれ分割した複数対の分割導体同士間で電流が逆向きに流れ、また、一対の第２内部導体をそれぞれ分割した複数対の分割導体同士間で電流が逆向きに流れて、それぞれ磁界を相殺する作用が生じるだけでなく、それぞれ同一面上で相互に並んで延びて隣り合う分割導体同士間でも、電流が逆向きに流れることで、磁界を相殺する作用が生じる。
この結果として、これら各分割導体間での磁界の相殺作用が生じるのに伴って、積層コンデンサ自体が持つ寄生インダクタンスをより一層少なくでき、等価直列インダクタンスを低減する効果が増大するようになる。
【００１７】
請求項４に係る積層コンデンサによれば、請求項１及び請求項３の積層コンデンサと同様の構成の他に、誘電体素体が直方体形状に形成されるという構成を有している。
つまり、誘電体シートがそれぞれ長方形等の四辺形に形成され、これら誘電体シートが積層されることで、直方体形状に誘電体素体が形成されるようになる。この為、それぞれ誘電体素体の二側面づつに引き出されている一対の第１内部導体及び一対の第２内部導体を有していることから、生産性の観点から最適な四つの側面を有する直方体形状に形成された誘電体素体の全ての側面に内部導体の引き出し部分が設けられる形になるので、ＥＳＬが低減される効果が最大限に発揮されるようになる。
【００１８】
請求項５に係る積層コンデンサによれば、請求項１から請求項４の積層コンデンサと同様の構成の他に、第１内部導体及び第２内部導体が、それぞれ誘電体素体内に複数対づつ配置されるという構成を有している。
従って、第１内部導体及び第２内部導体をそれぞれ誘電体素体内に複数対づつ配置することで、本請求項に係る積層コンデンサの静電容量が高まるだけでなく磁界を相殺する作用がさらに大きくなり、インダクタンスがより大幅に減少してＥＳＬが一層低減されるようになる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る積層コンデンサの第１の実施の形態を図面に基づき説明する。
本実施の形態に係る積層コンデンサである積層セラミックコンデンサ（以下単に、積層コンデンサと言う）１０を図１から図４に示す。これらの図に示すように、誘電体シートであるセラミックグリーンシートを複数枚積層した積層体を焼成することで得られた直方体状の焼結体である誘電体素体１２を主要部として、この積層コンデンサ１０が構成されている。この誘電体素体１２内には、それぞれ略正方形に形成された内部導体２１、内部導体２３、内部導体２２及び内部導体２４が、上から順に配置されていて、それぞれの内部導体間には、セラミック層１２Ａがそれぞれ配置されている。
【００２０】
以上より、本実施の形態では、焼成後の誘電体シートであるセラミック層１２Ａがそれぞれの間に挟まれつつ、誘電体素体１２内に４種類の内部導体２１、２３、２２、２４が順に配置されており、さらに内部導体２４の下側には、図３に示すように、上記と同じ順序でこれら４種類の内部導体２１、２３、２２、２４が繰返されてこれらの組が、例えば計二組配置されている。尚、これら内部導体２１〜２４の材質としては、卑金属材料であるニッケル、ニッケル合金、銅或いは、銅合金が考えられるだけでなく、これらの金属を主成分とする材料が考えられる。
【００２１】
さらに、図１から図３に示すように、内部導体２１の左側部分には、誘電体素体１２の左側の側面１２Ｂ（図２に示す）に引き出される引出部２１Ａが形成されていて、この引き出された側面１２Ｂから対向する側面１２Ｄ（図２に示す）に向かってこの内部導体２１が延びる形となっている。
この内部導体２１の下側に配置されている内部導体２３の手前側部分には、誘電体素体１２の手前側の側面１２Ｃ（図２に示す）に引き出される引出部２３Ａが形成されていて、この引き出された側面１２Ｃから対向する側面１２Ｅ（図２に示す）に向かってこの内部導体２３が延びる形となっている。
【００２２】
この内部導体２３の下側に配置されている内部導体２２の右側部分には、誘電体素体１２の右側の側面１２Ｄに引き出される引出部２２Ａが形成されていて、この引き出された側面１２Ｄから対向する側面１２Ｂに向かってこの内部導体２２が延びる形となっている。
この内部導体２２の下側に配置されている内部導体２４の奥側部分には、誘電体素体１２の奥側の側面１２Ｅに引き出される引出部２４Ａが形成されていて、この引き出された側面１２Ｅから対向する側面１２Ｃに向かってこの内部導体２４が延びる形となっている。
【００２３】
つまり、図１及び図３において、一対の第１内部導体を構成する内部導体２１と内部導体２２との間に内部導体２３が配置され、また、一対の第２内部導体を構成する内部導体２３と内部導体２４との間に内部導体２２が配置される構造になっている。そして、この内部導体２４の下側にも、上記と同様に図３に示す４種類の内部導体２１、２３、２２、２４が順次配置されている。
【００２４】
従って、本実施の形態では、内部導体２１、２２が、誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄにそれぞれ引き出されており、また、内部導体２３、２４が、内部導体２１、２２の引き出された二側面１２Ｂ、１２Ｄと異なる誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅにそれぞれ引き出されている。つまり、これら４種類の内部導体２１、２３、２２、２４の引出部２１Ａ、２３Ａ、２２Ａ、２４Ａが、誘電体シートの図１及び図２の矢印Ｚで示す積層方向に投影して相互に重ならない位置関係になるように、それぞれ誘電体素体１２の各側面に配置されていることになる。
【００２５】
他方、内部導体２１の引出部２１Ａに接続されるように、図２及び図３に示す端子電極３１が誘電体素体１２の側面１２Ｂに位置する形で誘電体素体１２の外側に配置されており、また、内部導体２２の引出部２２Ａに接続されるように、同じく端子電極３２が誘電体素体１２の側面１２Ｄに位置する形で誘電体素体１２の外側に配置されている。
【００２６】
さらに、内部導体２３の引出部２３Ａに接続されるように、端子電極３３が誘電体素体１２の側面１２Ｃに位置する形で誘電体素体１２の外側に配置されており、また、内部導体２４の引出部２４Ａに接続されるように、同じく端子電極３４が誘電体素体１２の側面１２Ｅに位置する形で誘電体素体１２の外側に配置されている。
【００２７】
つまり、本実施の形態では、一対の第１端子電極である端子電極３１及び端子電極３２が、誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄにそれぞれ配置されており、また、一対の第２端子電極である端子電極３３及び端子電極３４が、端子電極３１及び端子電極３２の配置される二側面１２Ｂ、１２Ｄと異なる誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅにそれぞれ配置されている。
【００２８】
以上より、本実施の形態では、内部導体２１〜２４がコンデンサの相互に対向する電極を構成し、積層コンデンサ１０の側面１２Ｂ〜１２Ｅにこの内部導体２１〜２４に接続される端子電極３１〜３４が配置されて、図４に示すような等価回路を構成している。この為、本実施の形態に係る積層コンデンサ１０は、直方体である六面体形状とされる誘電体素体１２の四つの側面１２Ｂ〜１２Ｅ全てに、端子電極３１〜３４がそれぞれ配置される構造になっている。
【００２９】
次に、本実施の形態に係る積層コンデンサ１０の作用を説明する。
本実施の形態に係る積層コンデンサ１０によれば、それぞれセラミック層１２Ａとなる複数の誘電体シートが積層されて直方体形状に形成される誘電体素体１２内に、これらセラミック層１２Ａ間に挟まれる形で複数の内部導体がそれぞれ配置される構成を有している。
【００３０】
また、誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄに一対の内部導体２１、２２がそれぞれ引き出され、これら一対の内部導体２１、２２が引き出された二側面１２Ｂ、１２Ｄと異なる誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅに一対の内部導体２３、２４がそれぞれ引き出されている。
つまり、これら一対の内部導体２１、２２及び一対の内部導体２３、２４により上記複数の内部導体が構成されており、本実施の形態では、内部導体２１、２２間に内部導体２３が配置され、また内部導体２３、２４間に内部導体２２が配置されている。
【００３１】
さらに、本実施の形態では、誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄにそれぞれ配置される一対の端子電極３１、３２が、上記の一対の内部導体２１、２２にそれぞれ接続されている。また、この端子電極３１、３２が配置される側面１２Ｂ、１２Ｄと異なる誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅにそれぞれ配置される一対の端子電極３３、３４が、上記の一対の内部導体２３、２４にそれぞれ接続されている。
【００３２】
つまり、例えば一対の内部導体２１、２２が、それぞれ誘電体素体１２の対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄにそれぞれ引き出されて、相互に対向する一対の端子電極３１、３２とそれぞれ接続されるだけでなく、上記のように一つの内部導体２３がこれら内部導体２１、２２の間に挟まれる構造となっている。そして、コンデンサとしての機能を発揮するように、これら一対の端子電極３１、３２が相互に同極性を有する形に積層コンデンサ１０の外部の配線等に接続されれば、これら一対の内部導体２１、２２内において、図１の矢印で示す形に電流が相互に逆向きに流れつつ、一対の内部導体２１、２２同士が相互に同極となる。
【００３３】
この一方、一対の内部導体２３、２４においても、相互に対向する一対の端子電極３３、３４が相互に同極性を有する形に積層コンデンサ１０の外部の配線等に接続されれば、これら一対の内部導体２３、２４内において、同様の理由から図１の矢印で示す形に電流が相互に逆向きに流れつつ、一対の内部導体２３、２４同士が相互に同極となる。
【００３４】
従って、一対の内部導体２１、２２間で電流が逆向きに流れることで、磁界を相殺する作用が生じるだけでなく、一対の内部導体２３、２４間で電流が逆向きに流れることでも、磁界を相殺する作用が生じることになる。そして、これら各内部導体間での磁界の相殺作用が生じるのに伴って、積層コンデンサ１０自体が持つ寄生インダクタンスを少なくでき、等価直列インダクタンスを低減する効果が生じるようになる。
【００３５】
以上より、本実施の形態に係る積層コンデンサ１０によれば、デカップリングコンデンサとして好適なように積層コンデンサ１０の大幅な低ＥＳＬ化が図られて、高周波数帯域での減衰量が大きくなるのに伴い、電源の電圧変動を抑制できるようになり、ＣＰＵの電源においてより高い効果を得ることができる。
【００３６】
また、第１内部導体である内部導体２１、２２及び、第２内部導体である内部導体２３、２４が、それぞれ誘電体素体１２内に複数対づつ配置されることで、本実施の形態に係る積層コンデンサ１０の静電容量が高まるだけでなく、磁界を相殺する作用がさらに大きくなり、インダクタンスがより大幅に減少してＥＳＬが一層低減された積層コンデンサ１０となる。
【００３７】
一方、本実施の形態に係る積層コンデンサ１０の製造に際して、それぞれ長方形等の四辺形に形成された誘電体シートを積層することで、誘電体素体１２を直方体形状に形成した。
この結果として、本実施の形態ではそれぞれ誘電体素体１２の二側面づつに引き出されている一対の内部導体２１、２２及び一対の内部導体２３、２４を有していることから、生産性の観点から最適な四つの側面１２Ｂ〜１２Ｅを有する直方体形状に形成された誘電体素体１２の全ての側面１２Ｂ〜１２Ｅに内部導体２１〜２４の引き出し部分が設けられる形になるので、ＥＳＬが低減される効果が最大限に発揮されるようになる。
【００３８】
次に、本発明に係る積層コンデンサの第２の実施の形態を図５及び図６に基づき説明する。尚、第１の実施の形態で説明した部材と同一の部材には同一の符号を付して、重複した説明を省略する。
上記の第１の実施の形態では、各内部導体がそれぞれ一体的に形成されていたのに対して本実施の形態では、図５及び図６に示すように、第１の実施の形態の内部導体２１が、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄ（図２に示す）に交互に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体４１、４２とされている。また、第１の実施の形態の内部導体２２が、同様に相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄに交互であって、上記と逆に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体４３、４４とされている。
【００３９】
つまり、積層方向で相互に対向して位置した分割導体４１と分割導体４３とが、相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄにそれぞれ引き出される形とされており、同じく積層方向で相互に対向して位置した分割導体４２と分割導体４４とが、相互に対向する二側面１２Ｄ、１２Ｂにそれぞれ引き出される形とされている。この為、本実施の形態では、分割導体４１及び分割導体４４が図２に示す端子電極３１にそれぞれ接続されており、分割導体４２及び分割導体４３が同じく図２に示す端子電極３２にそれぞれ接続されていることになる。
【００４０】
一方、第１の実施の形態の内部導体２３も、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅ（図２に示す）に交互に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体４５、４６とされている。また、第１の実施の形態の内部導体２４も、同様に相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅに交互であって、上記と逆に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体４７、４８とされている。
【００４１】
つまり、積層方向で相互に対向して位置した分割導体４５と分割導体４７とが、相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅにそれぞれ引き出される形とされており、同じく積層方向で相互に対向して位置した分割導体４６と分割導体４８とが、相互に対向する二側面１２Ｅ、１２Ｃにそれぞれ引き出される形とされている。この為、本実施の形態では、分割導体４５及び分割導体４８が図２に示す端子電極３３にそれぞれ接続されており、分割導体４６及び分割導体４７が同じく図２に示す端子電極３４にそれぞれ接続されていることになる。
【００４２】
以上より、分割導体４１、４２と分割導体４３、４４との間で、図５の矢印で示す形に電流が逆向きに流れ、また、分割導体４５、４６と分割導体４７、４８との間で、図５の矢印で示す形に電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じるだけでなく、それぞれ同一面上で相互に並んで延びて隣り合う分割導体４１、４２同士、分割導体４３、４４同士、分割導体４５、４６同士及び、分割導体４７、４８同士でも、電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じる。
【００４３】
この結果として、これら各内部導体間での磁界の相殺作用が生じるのに伴って、積層コンデンサ１０自体が持つ寄生インダクタンスをより一層少なくでき、等価直列インダクタンスを低減する効果が増大するようになる。
【００４４】
次に、本発明に係る積層コンデンサの第３の実施の形態を図７に基づき説明する。尚、第１の実施の形態で説明した部材と同一の部材には同一の符号を付して、重複した説明を省略する。
本実施の形態では、図７に示すように、第１の実施の形態の内部導体２１が、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄ（図２に示す）に交互に引き出される複数（本形態では３つ）の分割導体５１、５２、５３とされている。
【００４５】
また、第１の実施の形態の内部導体２２が、同様に相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄに交互であって、上記と逆に引き出される複数（本形態では３つ）の分割導体５４、５５、５６とされている。
【００４６】
つまり、積層方向で相互に対向して位置した分割導体５１と分割導体５４とが、相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄにそれぞれ引き出される形とされており、同じく積層方向で相互に対向して位置した分割導体５２と分割導体５５とが、相互に対向する二側面１２Ｄ、１２Ｂにそれぞれ引き出される形とされており、同じく積層方向で相互に対向して位置した分割導体５３と分割導体５６とが、相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄにそれぞれ引き出される形とされている。
この為、本実施の形態では、分割導体５１、５３、５５が図２に示す端子電極３１にそれぞれ接続されており、分割導体５２、５４、５６が同じく図２に示す端子電極３２にそれぞれ接続されていることになる。
【００４７】
一方、第１の実施の形態の内部導体２３も、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅ（図２に示す）に交互に引き出される複数（本形態では３つ）の分割導体５７、５８、５９とされている。また、第１の実施の形態の内部導体２４も、同様に相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅに交互であって、上記と逆に引き出される複数（本形態では３つ）の分割導体６０、６１、６２とされている。
【００４８】
つまり、積層方向で相互に対向して位置した分割導体５７と分割導体６０とが、相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅにそれぞれ引き出される形とされており、同じく積層方向で相互に対向して位置した分割導体５８と分割導体６１とが、相互に対向する二側面１２Ｅ、１２Ｃにそれぞれ引き出される形とされており、同じく積層方向で相互に対向して位置した分割導体５９と分割導体６２とが、相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅにそれぞれ引き出される形とされている。
この為、本実施の形態では、分割導体５８、６０、６２が図２に示す端子電極３３にそれぞれ接続されており、分割導体５７、５９、６１が同じく図２に示す端子電極３４にそれぞれ接続されていることになる。
【００４９】
以上より、分割導体５１、５２、５３と分割導体５４、５５、５６との間で、図７の矢印で示す形に電流が逆向きに流れ、また、分割導体５７、５８、５９と分割導体６０、６１、６２との間で、図７の矢印で示す形に電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じるようになる。さらに、それぞれ同一面上で相互に並んで延びる分割導体５１、５２、５３同士、分割導体５４、５５、５６同士、分割導体５７、５８、５９同士及び、分割導体６０、６１、６２同士でも、隣り合う分割導体同士間で電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じる。
【００５０】
この結果として、第２の実施の形態と同様に積層コンデンサ１０自体が持つ寄生インダクタンスをより一層少なくでき、等価直列インダクタンスを低減する効果が増大するようになる。
【００５１】
次に、本発明に係る積層コンデンサの第４の実施の形態を図８に基づき説明する。尚、第１の実施の形態で説明した部材と同一の部材には同一の符号を付して、重複した説明を省略する。
本実施の形態では、図８に示すように、第１の実施の形態の内部導体２１が、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄ（図２に示す）に交互に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体７１、７２とされている。但し、本実施の形態では、分割導体７１がＵ字形に形成され、また分割導体７２がＴ字形に形成されていて、分割導体７１の図８における左右方向にそれぞれ延びる先端側部分間に、分割導体７２の先端側部分が入り込む形となっている。
【００５２】
また、第１の実施の形態の内部導体２２が、同様に相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄに交互であって、上記と逆に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体７３、７４とされている。但し、本実施の形態では、分割導体７３がＵ字形に形成され、また分割導体７４がＴ字形に形成されていて、分割導体７３の図８における左右方向にそれぞれ延びる先端側部分間に、分割導体７４の先端側部分が入り込む形となっている。
【００５３】
一方、第１の実施の形態の内部導体２３も、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅ（図２に示す）に交互に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体７５、７６とされている。但し、本実施の形態では、分割導体７５がＵ字形に形成され、また分割導体７６がＴ字形に形成されていて、分割導体７５の図８における手前側から奥側にそれぞれ延びる先端側部分間に、分割導体７６の先端側部分が入り込む形となっている。
【００５４】
また、第１の実施の形態の内部導体２４も、同様に相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅに交互であって、上記と逆に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体７７、７８とされている。但し、本実施の形態では、分割導体７７がＵ字形に形成され、また分割導体７８がＴ字形に形成されていて、分割導体７７の図８における奥側から手前側にそれぞれ延びる先端側部分間に、分割導体７８の先端側部分が入り込む形となっている。
【００５５】
そして、これら分割導体７１、７４が端子電極３１に接続され、分割導体７２、７３が端子電極３２に接続され、分割導体７５、７８が端子電極３３に接続され、分割導体７６、７７が端子電極３４に接続される形で、各分割導体７１〜７８が、第２の実施の形態と同様に図２に示す各端子電極３１〜３４にそれぞれ接続されるようになる。
【００５６】
以上より、積層方向で相互に対向して位置した分割導体７１と分割導体７３との間で、図８の矢印で示す形に電流が逆向きに流れると共に、同様に位置した分割導体７２と分割導体７４との間で同様に電流が逆向きに流れ、また、積層方向で相互に対向して位置した分割導体７５と分割導体７７との間で、図８の矢印で示す形に電流が逆向きに流れると共に、同様に位置した分割導体７６と分割導体７８との間で同様に電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じるようになる。
【００５７】
さらに、Ｔ字形の分割導体７２がＵ字形の分割導体７１の間に入り込む形で、同一面上で相互に並んで延びて隣り合う分割導体７１、７２同士でも、電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じる。また、同様の構造となっている分割導体７３、７４同士、分割導体７５、７６同士及び、分割導体７７、７８同士でも、電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じる。
【００５８】
この結果として、第２の実施の形態と同様に積層コンデンサ１０自体が持つ寄生インダクタンスをより一層少なくでき、等価直列インダクタンスを低減する効果が増大するようになる。
【００５９】
次に、本発明に係る積層コンデンサの第５の実施の形態を図９に基づき説明する。尚、第１の実施の形態で説明した部材と同一の部材には同一の符号を付して、重複した説明を省略する。
本実施の形態では、図９に示すように、第１の実施の形態の内部導体２１が、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄ（図２に示す）に交互に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体８１、８２とされている。但し、本実施の形態では、これら分割導体８１及び分割導体８２がそれぞれ略三角形に形成されている。
【００６０】
また、第１の実施の形態の内部導体２２が、同様に相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｂ、１２Ｄに交互であって、上記と逆に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体８３、８４とされている。但し、本実施の形態では、これら分割導体８３及び分割導体８４がそれぞれ略三角形に形成されている。
【００６１】
一方、第１の実施の形態の内部導体２３も、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅ（図２に示す）に交互に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体８５、８６とされている。但し、本実施の形態では、これら分割導体８５及び分割導体８６がそれぞれ略三角形に形成されている。
【００６２】
また、第１の実施の形態の内部導体２４も、同様に相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体１２の相互に対向する二側面１２Ｃ、１２Ｅに交互であって、上記と逆に引き出される複数（本形態では２つ）の分割導体８７、８８とされている。但し、本実施の形態では、これら分割導体８７及び分割導体８８がそれぞれ略三角形に形成されている。
【００６３】
そして、これら分割導体８１、８４が端子電極３１に接続され、分割導体８２、８３が端子電極３２に接続され、分割導体８５、８８が端子電極３３に接続され、分割導体８６、８７が端子電極３４に接続される形で、各分割導体８１〜８８が、第２の実施の形態と同様に図２に示す各端子電極３１〜３４にそれぞれ接続されるようになる。
【００６４】
以上より、積層方向で相互に対向して位置した分割導体８１と分割導体８３との間で、図９の矢印で示す形に電流が逆向きに流れると共に、同様に位置した分割導体８２と分割導体８４との間で同様に電流が逆向きに流れ、また、積層方向で相互に対向して位置した分割導体８５と分割導体８７との間で、図９の矢印で示す形に電流が逆向きに流れると共に、同様に位置した分割導体８６と分割導体８８との間で同様に電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じるようになる。
【００６５】
さらに、それぞれ同一面上で相互に並んで延びて隣り合う分割導体８１、８２同士、分割導体８３、８４同士、分割導体８５、８６同士及び、分割導体８７、８８同士でも、電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じる。
この結果として、第２の実施の形態と同様に積層コンデンサ１０自体が持つ寄生インダクタンスをより一層少なくでき、等価直列インダクタンスを低減する効果が増大するようになる。
【００６６】
次に、本発明に係る積層コンデンサの第６の実施の形態を図１０に基づき説明する。尚、第１の実施の形態で説明した部材と同一の部材には同一の符号を付して、重複した説明を省略する。
本実施の形態では、図１０に示すように、一対の第１内部導体が、第１の実施の形態と略同様に形成された内部導体９１及び内部導体９２とされている。この一方、一対の第２内部導体が、第３の実施の形態と同様に分割して形成された、３つの分割導体５７、５８、５９及び３つの分割導体６０、６１、６２とされている。
【００６７】
この為、本実施の形態では、内部導体９１が端子電極３１に接続されており、内部導体９２が端子電極３２に接続されている。また、分割導体５８、６０、６２が端子電極３３にそれぞれ接続されており、分割導体５７、５９、６１が端子電極３４にそれぞれ接続されている。
【００６８】
以上より、積層方向で相互に対向して位置した内部導体９１と内部導体９２との間で、図１０の矢印で示す形に電流が逆向きに流れ、また、同様に位置した分割導体５７、５８、５９と分割導体６０、６１、６２との間で同様に電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じるだけでなく、それぞれ同一面上で相互に並んで延びる分割導体５７、５８、５９同士及び、分割導体６０、６１、６２同士でも、隣り合う分割導体同士間で電流が逆向きに流れることで、それぞれ磁界を相殺する作用が生じる。
【００６９】
この結果として、第２の実施の形態と同様に積層コンデンサ１０自体が持つ寄生インダクタンスをより一層少なくでき、等価直列インダクタンスを低減する効果が増大するようになる。
【００７０】
次に、ネットワークアナライザを用いて、以下の各試料のＳパラメータのＳ２１特性を測定し、各試料の減衰特性をそれぞれ求めた。まず、各試料となるサンプルの内容を説明する。つまり、コンデンサとして一般的な図１６及び図１７に示す２端子型積層コンデンサを従来例とし、図５及び図６に示す第２の実施の形態に係る４端子型積層コンデンサを実施例とした。そして、ネットワークアナライザのＰｏｒｔ１及びＰｏｒｔ２に、この従来例を図１１（Ａ）に示すように接続し、また、同じくこの実施例を図１１（Ｂ）に示すように接続して、それぞれ測定した。
【００７１】
ここで、減衰特性の実測値と図１５に示す等価回路の減衰量とが合致するように、等価回路の定数を算出した。そして、図１２に示す各試料の減衰特性のデータから、２０ＭＨｚ以上の高周波数の帯域における実施例の減衰量が、従来例に比べて約１５ｄＢほど増えていることが分かる。この為、このデータによって高周波特性の改善が実施例に見られることが理解できる。
他方、算出して表１に表すＥＳＬに関しても、従来例に比べて実施例は大幅に低減されており、本発明の効果がこの表１によっても実証されることが確認できた。
【００７２】
【表１】
この表１で、Ｃは静電容量であり、ＥＳＲは等価直列抵抗である。また、ここで用いた各試料の寸法としては、図１６及び図２に示すように、一対の内部導体が引き出されている誘電体素体の側面間の距離を寸法Ｌとし、一対の内部導体が引き出された誘電体素体の側面に対して直交する側面間の距離を寸法Ｗとした時に、従来例がＬ＝２．０ｍｍでＷ＝ｌ．２５ｍｍであった。また、実施例は、Ｌ＝１．６ｍｍでＷ＝１．６ｍｍであった。
【００７４】
尚、上記実施の形態に係る積層コンデンサ１０では、４層づつで二組の計８層を有する構造とされているものの、層数はこれらの数に限定されずさらに多数とし、例えば層数を例えば数十或いは数百としても良い。また、上記実施の形態の内の第２の実施の形態以降には、分割導体がそれぞれ２つづつ或いは３つづつ配置される構造が示されているが、これら分割導体を４つづつ以上配置するようにしても良い。
【００７５】
【発明の効果】
本発明によれば、ＥＳＬを大幅に低減した積層コンデンサを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る積層コンデンサの分解斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る積層コンデンサを示す斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る積層コンデンサを示す断面図であって、図２の３−３矢視線断面に対応する図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る積層コンデンサの等価回路図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る積層コンデンサの分解斜視図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る積層コンデンサを示す断面図であって、図２の３−３矢視線断面に対応する図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る積層コンデンサの分解斜視図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態に係る積層コンデンサの分解斜視図である。
【図９】本発明の第５の実施の形態に係る積層コンデンサの分解斜視図である。
【図１０】本発明の第６の実施の形態に係る積層コンデンサの分解斜視図である。
【図１１】ネットワークアナライザへの各試料の接続を示す回路図であって、（Ａ）は従来例の接続を示す図であり、（Ｂ）は実施例の接続を示す図である。
【図１２】各試料の減衰特性を表すグラフを示した図である。
【図１３】従来例の積層コンデンサを採用した回路図である。
【図１４】従来例の積層コンデンサを採用した回路における電流変動と電圧変動との関係を表すグラフを示した図である。
【図１５】従来例に係る積層コンデンサの等価回路図である。
【図１６】従来例に係る積層コンデンサを示す斜視図である。
【図１７】従来例に係る積層コンデンサの内部導体の部分を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
１０ 積層コンデンサ
１２ 誘電体素体
１２Ｂ 側面
１２Ｃ 側面
１２Ｄ 側面
１２Ｅ 側面
２１、２２ 内部電極（第１内部導体）
２３、２４ 内部電極（第２内部導体）
３１、３２ 端子電極（第１端子電極）
３３、３４ 端子電極（第２端子電極）
４１〜４４ 分割導体（第１内部導体）
４５〜４８ 分割導体（第２内部導体）
５１〜５６ 分割導体（第１内部導体）
５７〜６２ 分割導体（第２内部導体）
７１〜７４ 分割導体（第１内部導体）
７５〜７８ 分割導体（第２内部導体）
８１〜８４ 分割導体（第１内部導体）
８５〜８８ 分割導体（第２内部導体）
９１、９２ 内部電極（第１内部導体）
Claims (5)
- 複数の誘電体シートが積層されて形成される誘電体素体内に、誘電体シート間に挟まれる形で複数の内部導体がそれぞれ配置される積層コンデンサであって、
誘電体素体の相互に対向する二側面にそれぞれ引き出される一対の第１内部導体と、
一対の第１内部導体が引き出された二側面と異なる誘電体素体の相互に対向する二側面にそれぞれ引き出される一対の第２内部導体と、
で上記複数の内部導体が構成され、
一対の第１内部導体及び一対の第２内部導体の内の一方の内部導体間に他方の内部導体の何れか一つが配置されたことを特徴とする積層コンデンサ。 - 誘電体素体の相互に対向する二側面にそれぞれ配置され且つ一対の第１内部導体にそれぞれ接続される少なくとも一対の第１端子電極と、
第１端子電極が配置される二側面と異なる誘電体素体の相互に対向する二側面にそれぞれ配置され且つ一対の第２内部導体にそれぞれ接続される一対の第２端子電極と、
を備えることを特徴とする請求項１記載の積層コンデンサ。 - 第１内部導体及び第２内部導体の少なくとも何れかが、相互に並んで延びる形で分割されて誘電体素体の相互に対向する二側面に交互に突き出される複数の分割導体とされることを特徴とする請求項１或いは請求項２に記載の積層コンデンサ。
- 誘電体素体が直方体形状に形成されたことを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の積層コンデンサ。
- 第１内部導体及び第２内部導体が、それぞれ誘電体素体内に複数対づつ配置されたことを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の積層コンデンサ。
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