JPS61236110A - 積層セラミツクコンデンサ - Google Patents
積層セラミツクコンデンサInfo
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- JPS61236110A JPS61236110A JP60078179A JP7817985A JPS61236110A JP S61236110 A JPS61236110 A JP S61236110A JP 60078179 A JP60078179 A JP 60078179A JP 7817985 A JP7817985 A JP 7817985A JP S61236110 A JPS61236110 A JP S61236110A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
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- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
- H01G4/302—Stacked capacitors obtained by injection of metal in cavities formed in a ceramic body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、セラミックスに空隙層を設けておき、当該
空隙層に溶融状態の鉛または鉛合金を注入することによ
って内部電極が形成されている構造の積層セラミックコ
ンデンサに関する。
空隙層に溶融状態の鉛または鉛合金を注入することによ
って内部電極が形成されている構造の積層セラミックコ
ンデンサに関する。
（従来の技術〕
内部電極に安価°な卑金属である鉛または鉛合金を用い
た積層セラミックコンデンサの構造を第４図に示す。こ
の積層セラミックコンデンサにおいては、セラミックス
１と内部電極２とが交互に多数枚積み重ねられており、
当該内部電極２の所定のものに２層構造の外部電極３ａ
、４ａ及び３ｂ、４ｂがそれぞれ接続されている。
た積層セラミックコンデンサの構造を第４図に示す。こ
の積層セラミックコンデンサにおいては、セラミックス
１と内部電極２とが交互に多数枚積み重ねられており、
当該内部電極２の所定のものに２層構造の外部電極３ａ
、４ａ及び３ｂ、４ｂがそれぞれ接続されている。
このような積層セラミックコンデンサの製法の一例を第
５図ないし第７図を参照して説明する。
５図ないし第７図を参照して説明する。
例えば厚さ５０〜１１００ｕ程度のセラミック生シート
１１をドレターブレード法で作成し、しかる後に当該セ
ラミック生シート１１の表面にカーボン粉末とセラミッ
ク粉末を混合したものから成るカーボンペースト２１を
印刷する。これによって得られた第５図（Ａ）及び（Ｂ
）のような２種類のセラミック生シート１１を複数枚交
互に積み重ね、圧力により一体化させる。これによって
第６図のような生の（つまり焼成前の）セラミックチッ
プ１２が得られる。次にこのセラミックチップ１２を１
ｏｏｏ℃以上の温度で焼成し、セラミックスを焼結させ
ると共に、印刷したカーボンペースト２１中のカーボン
粉末を焼失させ、内部電極２となるべき部分にセラミッ
ク粉末がポーラス状になった多孔質の空隙層を形成する
。しかる後に第７図に示すように多孔質の外部電極３ａ
、３ｂを付与する。この外部電極３ａ、３ｂは、例えば
ニッケルを主成分としてそれにガラスフリットを混合し
たペーストを焼き付けることにより得られる。このよう
にして得られたチップを、高温、高圧容器内に入れ、減
圧しつつ３３０℃〜３６０℃程度の溶融鉛中に浸漬し、
次いで１０気圧程度に加圧することで多孔質の外部電極
３ａ、３ｂを通してセラミックチップ１２内の空隙層に
溶融鉛を注入（圧入）する。次に、溶融船中に浸漬され
ていたチップを引き上げ、冷却した後に常圧に戻すこと
によって鉛の内部電極２が形成される。その後必要に応
じて、外部電極３ａ、３ｂの表面に半田付は性の優れた
外部電極４ａ、４ｂを付与する。
１１をドレターブレード法で作成し、しかる後に当該セ
ラミック生シート１１の表面にカーボン粉末とセラミッ
ク粉末を混合したものから成るカーボンペースト２１を
印刷する。これによって得られた第５図（Ａ）及び（Ｂ
）のような２種類のセラミック生シート１１を複数枚交
互に積み重ね、圧力により一体化させる。これによって
第６図のような生の（つまり焼成前の）セラミックチッ
プ１２が得られる。次にこのセラミックチップ１２を１
ｏｏｏ℃以上の温度で焼成し、セラミックスを焼結させ
ると共に、印刷したカーボンペースト２１中のカーボン
粉末を焼失させ、内部電極２となるべき部分にセラミッ
ク粉末がポーラス状になった多孔質の空隙層を形成する
。しかる後に第７図に示すように多孔質の外部電極３ａ
、３ｂを付与する。この外部電極３ａ、３ｂは、例えば
ニッケルを主成分としてそれにガラスフリットを混合し
たペーストを焼き付けることにより得られる。このよう
にして得られたチップを、高温、高圧容器内に入れ、減
圧しつつ３３０℃〜３６０℃程度の溶融鉛中に浸漬し、
次いで１０気圧程度に加圧することで多孔質の外部電極
３ａ、３ｂを通してセラミックチップ１２内の空隙層に
溶融鉛を注入（圧入）する。次に、溶融船中に浸漬され
ていたチップを引き上げ、冷却した後に常圧に戻すこと
によって鉛の内部電極２が形成される。その後必要に応
じて、外部電極３ａ、３ｂの表面に半田付は性の優れた
外部電極４ａ、４ｂを付与する。
上述のような積層セラミックコンデンサの製造に当たっ
て、多孔質の外部電極３ａ、３ｂを内部電極２の注入に
先立って形成するのは、その注入後にチップを溶融鉛か
ら引き上げる際にセラミックチップ１２内の空隙層から
の鉛の流失を防止するためである。この場合、鉛と反応
しにくいニッケルを主成分とする多孔質の外部電極３ａ
、３ｂのセラミックスｌへの（即ちセラミックチップ１
２への）密着強度は、ペースト中のガラスフリット量に
依存しており、ガラスフリフト量を増やすと密着強度は
向上する。しかしながらそのようにすると反面、外部電
極３ａ、３ｂの空孔率が低下してそこを圧入鉛が通過し
にくくなると共に、内部空隙層の入口をガラス成分が塞
いで鉛の内部浸入を阻害することになる。このため十分
な圧力で加圧しても設計値どおりの静電容量がでないと
いう問題が生じる。
て、多孔質の外部電極３ａ、３ｂを内部電極２の注入に
先立って形成するのは、その注入後にチップを溶融鉛か
ら引き上げる際にセラミックチップ１２内の空隙層から
の鉛の流失を防止するためである。この場合、鉛と反応
しにくいニッケルを主成分とする多孔質の外部電極３ａ
、３ｂのセラミックスｌへの（即ちセラミックチップ１
２への）密着強度は、ペースト中のガラスフリット量に
依存しており、ガラスフリフト量を増やすと密着強度は
向上する。しかしながらそのようにすると反面、外部電
極３ａ、３ｂの空孔率が低下してそこを圧入鉛が通過し
にくくなると共に、内部空隙層の入口をガラス成分が塞
いで鉛の内部浸入を阻害することになる。このため十分
な圧力で加圧しても設計値どおりの静電容量がでないと
いう問題が生じる。
従ってこの発明は、外部電極の密着強度が高くしかも静
電容量の設計値からの低下の少ない積層セラミックコン
デンサを提供することを目的とする。
電容量の設計値からの低下の少ない積層セラミックコン
デンサを提供することを目的とする。
この発明の積層セラミックコンデンサは、セラミックチ
ップ内の各空隙層の一部分がセラミックチップの側面に
通じていて、当該空隙層の部分がらも溶融金属が注入さ
れて成ることを特徴とする。
ップ内の各空隙層の一部分がセラミックチップの側面に
通じていて、当該空隙層の部分がらも溶融金属が注入さ
れて成ることを特徴とする。
セラミックチップの側面に通じている空隙層の部分から
も溶融金属が内部に注入されるので、外部電極中のガラ
スフリフト量を増加させても空隙層の中に溶融金属が十
分に注入される。これによって、外部電極の密着強度が
高くしかも静電容量の設計値からの低下の少ない積層セ
ラミックコンデンサが得られる。
も溶融金属が内部に注入されるので、外部電極中のガラ
スフリフト量を増加させても空隙層の中に溶融金属が十
分に注入される。これによって、外部電極の密着強度が
高くしかも静電容量の設計値からの低下の少ない積層セ
ラミックコンデンサが得られる。
この発明の実施例を第１図ないし第３図を参照して説明
する。
する。
例えば誘電率１９００のチタン酸バリウム系セラミック
誘電体より成る厚みが６０μｍのセラミック生シート１
１に、第２図（Ａ）及び（Ｂ）に示すようにカーボンペ
ースト２１を印刷した。尚、この実施例と比較のために
、従来例として第５図（Ａ）及び（Ｂ）に示すようにカ
ーボンペースト２１を印刷したセラミック生シート１１
も同一条件で作り、その後の加工も同一条件で行った。
誘電体より成る厚みが６０μｍのセラミック生シート１
１に、第２図（Ａ）及び（Ｂ）に示すようにカーボンペ
ースト２１を印刷した。尚、この実施例と比較のために
、従来例として第５図（Ａ）及び（Ｂ）に示すようにカ
ーボンペースト２１を印刷したセラミック生シート１１
も同一条件で作り、その後の加工も同一条件で行った。
但し以下においては必要のない限りこの実施例の方のみ
を説明する。このカーボンペースト２１には、誘電体粉
末が約５％添加してあり、これによってセラミックスの
焼結の際に空隙層が潰されるのを防ぐようにしている。
を説明する。このカーボンペースト２１には、誘電体粉
末が約５％添加してあり、これによってセラミックスの
焼結の際に空隙層が潰されるのを防ぐようにしている。
従来例のセラミック生シート１１においては、カーボン
ペースト２１は第５図（Ａ）及び（Ｂ）に示すようにセ
ラミック生シート１１の３辺に余白１１１を設けた長方
形をしているのに対して、この実施例のセラミック生シ
ート１１においては、第２図（Ａ）及び（Ｂ）に示すよ
うに、余白１１２以外に外部取出し端辺の中央部にも余
白１１３を設けている。換言すれば、カーボンペースト
２１は、外部取出し端辺の両側に露出部２１１を有する
と共に、側端面の一部にも露出部２１２を有する。
ペースト２１は第５図（Ａ）及び（Ｂ）に示すようにセ
ラミック生シート１１の３辺に余白１１１を設けた長方
形をしているのに対して、この実施例のセラミック生シ
ート１１においては、第２図（Ａ）及び（Ｂ）に示すよ
うに、余白１１２以外に外部取出し端辺の中央部にも余
白１１３を設けている。換言すれば、カーボンペースト
２１は、外部取出し端辺の両側に露出部２１１を有する
と共に、側端面の一部にも露出部２１２を有する。
上述のようなカーボンペースト２１が印刷されたセラミ
ック生シートｌＩを、電極取出し辺が交互になるように
して３２枚積み重ね、更にその上下にカーボンペースト
２１が印刷されていないセラミック生シートを各３枚ず
つ付加して、１ ｔｏｎ／ｃｍ”の圧力で圧着して一体
化した。その結果、この実施例のものとして第３図に示
すような生の（焼成前の）セラミックチップ１３が得ら
れ、従来例のものとして第６図に示すような生のセラミ
ックチップ１２が得られた。第３図に示すように、この
実施例のセラミックチップ１３においては、端面の両側
にカーボンペースト２１の露出部２１１が表れており、
かつ側面の両側にもカーボンペースト２１の露出部２１
２が表れている。但し端面の中央部１３１にはカーボン
ペースト２１は露出していない。
ック生シートｌＩを、電極取出し辺が交互になるように
して３２枚積み重ね、更にその上下にカーボンペースト
２１が印刷されていないセラミック生シートを各３枚ず
つ付加して、１ ｔｏｎ／ｃｍ”の圧力で圧着して一体
化した。その結果、この実施例のものとして第３図に示
すような生の（焼成前の）セラミックチップ１３が得ら
れ、従来例のものとして第６図に示すような生のセラミ
ックチップ１２が得られた。第３図に示すように、この
実施例のセラミックチップ１３においては、端面の両側
にカーボンペースト２１の露出部２１１が表れており、
かつ側面の両側にもカーボンペースト２１の露出部２１
２が表れている。但し端面の中央部１３１にはカーボン
ペースト２１は露出していない。
次にこれらのセラミックチップ１３及び１２を１３２０
℃で２時間焼成し、セラミックスを焼結させると同時に
印刷したカーボンペースト２１中のカーボン粉末を焼失
させ、内部電極となるべき部分にセラミック粉末がポー
ラス状になった多孔質の空隙層を形成した。焼成後のセ
ラミックチップ１３においては、上述したカーボンペー
スト２１の露出部２１１及び２１２の部分も空隙層２１
１′及び２１２′となる。換言すれば、焼成後のセラミ
ックチツプエ３においては、その内部にその両端面のい
ずれかに交互に通じる複数の空隙層がセラミックスを介
して積層されており、しかも各空隙層の一部分、即ち空
隙層２１２′の部分がチップの側面に通じている（露出
している）。
℃で２時間焼成し、セラミックスを焼結させると同時に
印刷したカーボンペースト２１中のカーボン粉末を焼失
させ、内部電極となるべき部分にセラミック粉末がポー
ラス状になった多孔質の空隙層を形成した。焼成後のセ
ラミックチップ１３においては、上述したカーボンペー
スト２１の露出部２１１及び２１２の部分も空隙層２１
１′及び２１２′となる。換言すれば、焼成後のセラミ
ックチツプエ３においては、その内部にその両端面のい
ずれかに交互に通じる複数の空隙層がセラミックスを介
して積層されており、しかも各空隙層の一部分、即ち空
隙層２１２′の部分がチップの側面に通じている（露出
している）。
上述のようなセラミックチップ１３及び１２の両端部に
、第１図及び第７図に示したような多孔質の外部電極３
ａ、３ｂを６００℃で焼き付けた。
、第１図及び第７図に示したような多孔質の外部電極３
ａ、３ｂを６００℃で焼き付けた。
この外部電極３ａ、３ｂはニッケルを主体としたもので
、ガラスフリフトとしてのホウ硅酸鉛の量を下記の表に
示すように１重量％から１０重景％まで変化させた。
、ガラスフリフトとしてのホウ硅酸鉛の量を下記の表に
示すように１重量％から１０重景％まで変化させた。
このようにして得られたチップを高圧容器内の溶融した
船種の中に入れ、１０ｎ＋ｍＨｇに減圧後約１０気圧で
加圧してセラミックチップ１３内の空隙層に溶融鉛を注
入した後、チップを船種から引き上げ冷却した。その後
高圧容器を常圧に戻してそこからチップを取り出した。
船種の中に入れ、１０ｎ＋ｍＨｇに減圧後約１０気圧で
加圧してセラミックチップ１３内の空隙層に溶融鉛を注
入した後、チップを船種から引き上げ冷却した。その後
高圧容器を常圧に戻してそこからチップを取り出した。
これによって、セラミックチップ１３内の各空隙層の部
分に、外部電極３ａ、３ｂにそれぞれ接続された複数の
内部電極が形成された積層セラミックコンデンサが得ら
れた。
分に、外部電極３ａ、３ｂにそれぞれ接続された複数の
内部電極が形成された積層セラミックコンデンサが得ら
れた。
尚、外部電極３ａ、３ｂは主成分であるニッケルにガラ
スが含まれているため半田付きが悪く、そのままでは特
性評価試料として不都合となり、その後その表面にＮｉ
−３ｎの電解メッキを行った。実際の製品においても、
溶融金属注入後に外部電極３ａ、３ｂの表面を半田付は
性の優れた金属層、例えば銀、銅、錫、ニッケルまたは
鉛を主成分とする金属層で覆っても良い。
スが含まれているため半田付きが悪く、そのままでは特
性評価試料として不都合となり、その後その表面にＮｉ
−３ｎの電解メッキを行った。実際の製品においても、
溶融金属注入後に外部電極３ａ、３ｂの表面を半田付は
性の優れた金属層、例えば銀、銅、錫、ニッケルまたは
鉛を主成分とする金属層で覆っても良い。
下記の表に、外部電極３ａ、３ｂ中のガラスフリット量
を変えた場合の外部電極３ａ、３ｂの引張強度と静電容
量をこの実施例のコンデンサと従来例のコンデンサとの
両方に付いて各１５個ずつの値を示す。
を変えた場合の外部電極３ａ、３ｂの引張強度と静電容
量をこの実施例のコンデンサと従来例のコンデンサとの
両方に付いて各１５個ずつの値を示す。
（以下余白）
実施例のコンデンサは、ガラスフリット量が２％上にお
いて引張強度は１．５Ｋｇ以上あり、これは要求性能を
満足する値である。しかも静電容量は本サンプルの設計
値である１５０ｎＦをほぼ満足する値を示している。こ
れに対して従来例のコンデンサでは、ガラスフリフト量
が６％以上で引張強度は１．５Ｋｇを越すが、ガラスフ
リフト量が増すに従って静電容量が著しく低下し、ガラ
スフリット量が６％以上になると静電容量は殆ど設計値
の１％以下しか出ていない。
いて引張強度は１．５Ｋｇ以上あり、これは要求性能を
満足する値である。しかも静電容量は本サンプルの設計
値である１５０ｎＦをほぼ満足する値を示している。こ
れに対して従来例のコンデンサでは、ガラスフリフト量
が６％以上で引張強度は１．５Ｋｇを越すが、ガラスフ
リフト量が増すに従って静電容量が著しく低下し、ガラ
スフリット量が６％以上になると静電容量は殆ど設計値
の１％以下しか出ていない。
これらから、実施例の構造では外部電極３ａ、３ｂの引
張強度が強（かつ静電容量も低下せずにほぼ設計値通り
の値が得られるのに対して、従来例の構造ではガラスフ
リフト量を増して引張強度を上げると静電容量が著しく
低下することが分かる。
張強度が強（かつ静電容量も低下せずにほぼ設計値通り
の値が得られるのに対して、従来例の構造ではガラスフ
リフト量を増して引張強度を上げると静電容量が著しく
低下することが分かる。
これは、従来例ではガラスフリフト量が増すと、外部電
極３ａ、３ｂの空孔率が低下してそこを鉛が通過しにく
くなると共に、外部電極３ａ、３ｂを焼き付けた時にセ
ラミックチップ１２内の空隙層へガラスが浸入して鉛の
注入口を塞ぎ、十分な鉛の注入がなされず内部電極の形
成が十分にできないためである。これに対して実施例で
は、外部電極３ａ、３ｂの空孔率が低下したり外部電極
３ａ、３ｂ中のガラスがその下の空隙層の入口を塞いだ
としても、第１図に示すようにセラミックチップ１３の
両側面に通じた（露出した）空隙層２１２′を通して溶
融鉛がセラミックチップ１３内に容易に注入されて内部
電極が十分に形成される。
極３ａ、３ｂの空孔率が低下してそこを鉛が通過しにく
くなると共に、外部電極３ａ、３ｂを焼き付けた時にセ
ラミックチップ１２内の空隙層へガラスが浸入して鉛の
注入口を塞ぎ、十分な鉛の注入がなされず内部電極の形
成が十分にできないためである。これに対して実施例で
は、外部電極３ａ、３ｂの空孔率が低下したり外部電極
３ａ、３ｂ中のガラスがその下の空隙層の入口を塞いだ
としても、第１図に示すようにセラミックチップ１３の
両側面に通じた（露出した）空隙層２１２′を通して溶
融鉛がセラミックチップ１３内に容易に注入されて内部
電極が十分に形成される。
しかも外部電極３ａ、３ｂと空隙層２１２′との接合点
５においても内部電極と外部電極３ａ、３ｂとが接合さ
れるため、チップを溶融鉛中から引き上げた時に空隙層
の入口近傍の鉛が流失したとしても全体の静電容量に大
きな影響はない。これらによって、この実施例において
は静電容量の低下が防止されている。
５においても内部電極と外部電極３ａ、３ｂとが接合さ
れるため、チップを溶融鉛中から引き上げた時に空隙層
の入口近傍の鉛が流失したとしても全体の静電容量に大
きな影響はない。これらによって、この実施例において
は静電容量の低下が防止されている。
また、この実施例のようにセラミックチップ１３の両端
面（即ち外部電極３ａ、３ｂの付与面）の中央部１３１
に空隙層が通じていない（即ち内部電極が露出していな
い）部分を形成すると（第３図参照）、外部電極３ａ、
３ｂとセラミックチップ１３との接触面積が増大して密
着強度がより大きくなり、その結果外部電極３ａ、３ｂ
の引張り強度がより大きくなる。
面（即ち外部電極３ａ、３ｂの付与面）の中央部１３１
に空隙層が通じていない（即ち内部電極が露出していな
い）部分を形成すると（第３図参照）、外部電極３ａ、
３ｂとセラミックチップ１３との接触面積が増大して密
着強度がより大きくなり、その結果外部電極３ａ、３ｂ
の引張り強度がより大きくなる。
尚、この実施例のコンデンサを樹脂等で外装せずに使用
する場合においては、溶融金属注入後に、セラミックチ
ップ１３の側面に露出した空隙層２１２′の部分を絶縁
性封止材、例えば絶縁性の樹脂（例えばエポキシ）やシ
リコンゴム、ガラス等を塗布することによって封じても
良く、そうすれば内部への湿気やガスの浸入を防止して
耐候性を更に向上させることができる。
する場合においては、溶融金属注入後に、セラミックチ
ップ１３の側面に露出した空隙層２１２′の部分を絶縁
性封止材、例えば絶縁性の樹脂（例えばエポキシ）やシ
リコンゴム、ガラス等を塗布することによって封じても
良く、そうすれば内部への湿気やガスの浸入を防止して
耐候性を更に向上させることができる。
以上のようにこの発明によれば、外部電極の密着強度が
強くしかも静電容量の設計値からの低下の少ない積層セ
ラミックコンデンサが得られる。
強くしかも静電容量の設計値からの低下の少ない積層セ
ラミックコンデンサが得られる。
第１図は、この発明の一実施例に係る積層セラミックコ
ンデンサの製作途中段階を示す斜視図である。第２図（
Ａ）及び（Ｂ）は、第１図の積層セラミックコンデンサ
に用いられるセラミック生シートにカーボンペーストを
印刷した状態を示す平面図である。第３図は、第２図（
Δ）及びくＢ）のセラミック生シートを複数枚ずつ積層
、圧着して一体化してできた焼成前のセラミックチップ
を示す斜視図である。第４図は、従来の積層セラミック
コンデンサを示す断面図である。第５図（Ａ）及び（Ｂ
）は、第４図の積層セラミックコンデンサに用いられる
セラミック生シートにカーボンペーストを印刷した状態
を示す平面図である。 第６図は、第５図（Ａ）及び（Ｂ）のセラミック生シー
トを複数枚ずつ積層、圧着して一体化してできた焼成前
のセラミックチップを示す斜視図である。第７図は、第
６図のセラミックチップを焼成した後に外部電極を付与
した状態を示す斜視図である。 ３ａ、３ｂ・・・外部電極、１１・・・セラミック生シ
ート、１３・・・セラミックチップ、２１・・・カーボ
ンペースト、２１１’、２１２’・・・空隙＠ １ 図 １１ｔ２１ ２１７ 第４図 第５図 第６図 第７図 ｂ
ンデンサの製作途中段階を示す斜視図である。第２図（
Ａ）及び（Ｂ）は、第１図の積層セラミックコンデンサ
に用いられるセラミック生シートにカーボンペーストを
印刷した状態を示す平面図である。第３図は、第２図（
Δ）及びくＢ）のセラミック生シートを複数枚ずつ積層
、圧着して一体化してできた焼成前のセラミックチップ
を示す斜視図である。第４図は、従来の積層セラミック
コンデンサを示す断面図である。第５図（Ａ）及び（Ｂ
）は、第４図の積層セラミックコンデンサに用いられる
セラミック生シートにカーボンペーストを印刷した状態
を示す平面図である。 第６図は、第５図（Ａ）及び（Ｂ）のセラミック生シー
トを複数枚ずつ積層、圧着して一体化してできた焼成前
のセラミックチップを示す斜視図である。第７図は、第
６図のセラミックチップを焼成した後に外部電極を付与
した状態を示す斜視図である。 ３ａ、３ｂ・・・外部電極、１１・・・セラミック生シ
ート、１３・・・セラミックチップ、２１・・・カーボ
ンペースト、２１１’、２１２’・・・空隙＠ １ 図 １１ｔ２１ ２１７ 第４図 第５図 第６図 第７図 ｂ
Claims (4)
- （１）焼成されたセラミックチップであってその内部に
その両端面のいずれかに交互に通じる複数の空隙層がセ
ラミックスを介して積層されているものの両端部に、一
対の多孔質の外部電極をそれぞれ付与し、前記各空隙層
に鉛または鉛合金から成る溶融金属を注入することによ
って、そこに外部電極にそれぞれ接続された複数の内部
電極を形成して成る積層セラミックコンデンサにおいて
、前記各空隙層の一部分がセラミックチップの側面に通
じていて、当該空隙層の部分からも前記溶融金属が注入
されて成ることを特徴とする積層セラミックコンデンサ
。 - （２）前記セラミックチップの両端面の中央部には、前
記空隙層が通じていない部分が設けられている特許請求
の範囲第１項記載の積層セラミックコンデンサ。 - （３）前記セラミックチップの側面に通じた空隙層の部
分が、溶融金属注入後に絶縁性封止材で封じられている
特許請求の範囲第１項または第２項記載の積層セラミッ
クコンデンサ。 - （４）前記外部電極の表面が、溶融金属注入後に半田付
け性の優れた金属層で覆われている特許請求の範囲第１
項ないし第３項のいずれかに記載の積層セラミックコン
デンサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60078179A JPS61236110A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 積層セラミツクコンデンサ |
| US06/843,100 US4658328A (en) | 1985-04-11 | 1986-03-24 | Monolithic ceramic capacitor |
| CA000505460A CA1246171A (en) | 1985-04-11 | 1986-03-27 | Monolithic ceramic capacitor |
| DE19863612084 DE3612084A1 (de) | 1985-04-11 | 1986-04-10 | Monolithischer keramikkondensator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60078179A JPS61236110A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 積層セラミツクコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61236110A true JPS61236110A (ja) | 1986-10-21 |
Family
ID=13654736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60078179A Pending JPS61236110A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 積層セラミツクコンデンサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4658328A (ja) |
| JP (1) | JPS61236110A (ja) |
| CA (1) | CA1246171A (ja) |
| DE (1) | DE3612084A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH05211110A (ja) * | 1991-09-11 | 1993-08-20 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | 積層セラミックキャパシタの製造方法 |
| JP2012028689A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Tdk Corp | 端子電極、及びそれを備えるセラミック電子部品 |
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| ATE78950T1 (de) * | 1987-07-31 | 1992-08-15 | Siemens Ag | Fuellschichtbauteil mit einem gesinterten, monolithischen keramikkoerper und verfahren zu dessen herstellung. |
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| KR20190116171A (ko) * | 2019-09-17 | 2019-10-14 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
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1985
- 1985-04-11 JP JP60078179A patent/JPS61236110A/ja active Pending
-
1986
- 1986-03-24 US US06/843,100 patent/US4658328A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-03-27 CA CA000505460A patent/CA1246171A/en not_active Expired
- 1986-04-10 DE DE19863612084 patent/DE3612084A1/de active Granted
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| JP2012028689A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Tdk Corp | 端子電極、及びそれを備えるセラミック電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1246171A (en) | 1988-12-06 |
| US4658328A (en) | 1987-04-14 |
| DE3612084A1 (de) | 1986-10-23 |
| DE3612084C2 (ja) | 1992-11-12 |
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