JPS61236110A - 積層セラミツクコンデンサ - Google Patents
積層セラミツクコンデンサInfo
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- JPS61236110A JPS61236110A JP60078179A JP7817985A JPS61236110A JP S61236110 A JPS61236110 A JP S61236110A JP 60078179 A JP60078179 A JP 60078179A JP 7817985 A JP7817985 A JP 7817985A JP S61236110 A JPS61236110 A JP S61236110A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
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- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
- H01G4/302—Stacked capacitors obtained by injection of metal in cavities formed in a ceramic body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、セラミックスに空隙層を設けておき、当該
空隙層に溶融状態の鉛または鉛合金を注入することによ
って内部電極が形成されている構造の積層セラミックコ
ンデンサに関する。
空隙層に溶融状態の鉛または鉛合金を注入することによ
って内部電極が形成されている構造の積層セラミックコ
ンデンサに関する。
(従来の技術〕
内部電極に安価°な卑金属である鉛または鉛合金を用い
た積層セラミックコンデンサの構造を第4図に示す。こ
の積層セラミックコンデンサにおいては、セラミックス
1と内部電極2とが交互に多数枚積み重ねられており、
当該内部電極2の所定のものに2層構造の外部電極3a
、4a及び3b、4bがそれぞれ接続されている。
た積層セラミックコンデンサの構造を第4図に示す。こ
の積層セラミックコンデンサにおいては、セラミックス
1と内部電極2とが交互に多数枚積み重ねられており、
当該内部電極2の所定のものに2層構造の外部電極3a
、4a及び3b、4bがそれぞれ接続されている。
このような積層セラミックコンデンサの製法の一例を第
5図ないし第7図を参照して説明する。
5図ないし第7図を参照して説明する。
例えば厚さ50〜1100u程度のセラミック生シート
11をドレターブレード法で作成し、しかる後に当該セ
ラミック生シート11の表面にカーボン粉末とセラミッ
ク粉末を混合したものから成るカーボンペースト21を
印刷する。これによって得られた第5図(A)及び(B
)のような2種類のセラミック生シート11を複数枚交
互に積み重ね、圧力により一体化させる。これによって
第6図のような生の(つまり焼成前の)セラミックチッ
プ12が得られる。次にこのセラミックチップ12を1
ooo℃以上の温度で焼成し、セラミックスを焼結させ
ると共に、印刷したカーボンペースト21中のカーボン
粉末を焼失させ、内部電極2となるべき部分にセラミッ
ク粉末がポーラス状になった多孔質の空隙層を形成する
。しかる後に第7図に示すように多孔質の外部電極3a
、3bを付与する。この外部電極3a、3bは、例えば
ニッケルを主成分としてそれにガラスフリットを混合し
たペーストを焼き付けることにより得られる。このよう
にして得られたチップを、高温、高圧容器内に入れ、減
圧しつつ330℃〜360℃程度の溶融鉛中に浸漬し、
次いで10気圧程度に加圧することで多孔質の外部電極
3a、3bを通してセラミックチップ12内の空隙層に
溶融鉛を注入(圧入)する。次に、溶融船中に浸漬され
ていたチップを引き上げ、冷却した後に常圧に戻すこと
によって鉛の内部電極2が形成される。その後必要に応
じて、外部電極3a、3bの表面に半田付は性の優れた
外部電極4a、4bを付与する。
11をドレターブレード法で作成し、しかる後に当該セ
ラミック生シート11の表面にカーボン粉末とセラミッ
ク粉末を混合したものから成るカーボンペースト21を
印刷する。これによって得られた第5図(A)及び(B
)のような2種類のセラミック生シート11を複数枚交
互に積み重ね、圧力により一体化させる。これによって
第6図のような生の(つまり焼成前の)セラミックチッ
プ12が得られる。次にこのセラミックチップ12を1
ooo℃以上の温度で焼成し、セラミックスを焼結させ
ると共に、印刷したカーボンペースト21中のカーボン
粉末を焼失させ、内部電極2となるべき部分にセラミッ
ク粉末がポーラス状になった多孔質の空隙層を形成する
。しかる後に第7図に示すように多孔質の外部電極3a
、3bを付与する。この外部電極3a、3bは、例えば
ニッケルを主成分としてそれにガラスフリットを混合し
たペーストを焼き付けることにより得られる。このよう
にして得られたチップを、高温、高圧容器内に入れ、減
圧しつつ330℃〜360℃程度の溶融鉛中に浸漬し、
次いで10気圧程度に加圧することで多孔質の外部電極
3a、3bを通してセラミックチップ12内の空隙層に
溶融鉛を注入(圧入)する。次に、溶融船中に浸漬され
ていたチップを引き上げ、冷却した後に常圧に戻すこと
によって鉛の内部電極2が形成される。その後必要に応
じて、外部電極3a、3bの表面に半田付は性の優れた
外部電極4a、4bを付与する。
上述のような積層セラミックコンデンサの製造に当たっ
て、多孔質の外部電極3a、3bを内部電極2の注入に
先立って形成するのは、その注入後にチップを溶融鉛か
ら引き上げる際にセラミックチップ12内の空隙層から
の鉛の流失を防止するためである。この場合、鉛と反応
しにくいニッケルを主成分とする多孔質の外部電極3a
、3bのセラミックスlへの(即ちセラミックチップ1
2への)密着強度は、ペースト中のガラスフリット量に
依存しており、ガラスフリフト量を増やすと密着強度は
向上する。しかしながらそのようにすると反面、外部電
極3a、3bの空孔率が低下してそこを圧入鉛が通過し
にくくなると共に、内部空隙層の入口をガラス成分が塞
いで鉛の内部浸入を阻害することになる。このため十分
な圧力で加圧しても設計値どおりの静電容量がでないと
いう問題が生じる。
て、多孔質の外部電極3a、3bを内部電極2の注入に
先立って形成するのは、その注入後にチップを溶融鉛か
ら引き上げる際にセラミックチップ12内の空隙層から
の鉛の流失を防止するためである。この場合、鉛と反応
しにくいニッケルを主成分とする多孔質の外部電極3a
、3bのセラミックスlへの(即ちセラミックチップ1
2への)密着強度は、ペースト中のガラスフリット量に
依存しており、ガラスフリフト量を増やすと密着強度は
向上する。しかしながらそのようにすると反面、外部電
極3a、3bの空孔率が低下してそこを圧入鉛が通過し
にくくなると共に、内部空隙層の入口をガラス成分が塞
いで鉛の内部浸入を阻害することになる。このため十分
な圧力で加圧しても設計値どおりの静電容量がでないと
いう問題が生じる。
従ってこの発明は、外部電極の密着強度が高くしかも静
電容量の設計値からの低下の少ない積層セラミックコン
デンサを提供することを目的とする。
電容量の設計値からの低下の少ない積層セラミックコン
デンサを提供することを目的とする。
この発明の積層セラミックコンデンサは、セラミックチ
ップ内の各空隙層の一部分がセラミックチップの側面に
通じていて、当該空隙層の部分がらも溶融金属が注入さ
れて成ることを特徴とする。
ップ内の各空隙層の一部分がセラミックチップの側面に
通じていて、当該空隙層の部分がらも溶融金属が注入さ
れて成ることを特徴とする。
セラミックチップの側面に通じている空隙層の部分から
も溶融金属が内部に注入されるので、外部電極中のガラ
スフリフト量を増加させても空隙層の中に溶融金属が十
分に注入される。これによって、外部電極の密着強度が
高くしかも静電容量の設計値からの低下の少ない積層セ
ラミックコンデンサが得られる。
も溶融金属が内部に注入されるので、外部電極中のガラ
スフリフト量を増加させても空隙層の中に溶融金属が十
分に注入される。これによって、外部電極の密着強度が
高くしかも静電容量の設計値からの低下の少ない積層セ
ラミックコンデンサが得られる。
この発明の実施例を第1図ないし第3図を参照して説明
する。
する。
例えば誘電率1900のチタン酸バリウム系セラミック
誘電体より成る厚みが60μmのセラミック生シート1
1に、第2図(A)及び(B)に示すようにカーボンペ
ースト21を印刷した。尚、この実施例と比較のために
、従来例として第5図(A)及び(B)に示すようにカ
ーボンペースト21を印刷したセラミック生シート11
も同一条件で作り、その後の加工も同一条件で行った。
誘電体より成る厚みが60μmのセラミック生シート1
1に、第2図(A)及び(B)に示すようにカーボンペ
ースト21を印刷した。尚、この実施例と比較のために
、従来例として第5図(A)及び(B)に示すようにカ
ーボンペースト21を印刷したセラミック生シート11
も同一条件で作り、その後の加工も同一条件で行った。
但し以下においては必要のない限りこの実施例の方のみ
を説明する。このカーボンペースト21には、誘電体粉
末が約5%添加してあり、これによってセラミックスの
焼結の際に空隙層が潰されるのを防ぐようにしている。
を説明する。このカーボンペースト21には、誘電体粉
末が約5%添加してあり、これによってセラミックスの
焼結の際に空隙層が潰されるのを防ぐようにしている。
従来例のセラミック生シート11においては、カーボン
ペースト21は第5図(A)及び(B)に示すようにセ
ラミック生シート11の3辺に余白111を設けた長方
形をしているのに対して、この実施例のセラミック生シ
ート11においては、第2図(A)及び(B)に示すよ
うに、余白112以外に外部取出し端辺の中央部にも余
白113を設けている。換言すれば、カーボンペースト
21は、外部取出し端辺の両側に露出部211を有する
と共に、側端面の一部にも露出部212を有する。
ペースト21は第5図(A)及び(B)に示すようにセ
ラミック生シート11の3辺に余白111を設けた長方
形をしているのに対して、この実施例のセラミック生シ
ート11においては、第2図(A)及び(B)に示すよ
うに、余白112以外に外部取出し端辺の中央部にも余
白113を設けている。換言すれば、カーボンペースト
21は、外部取出し端辺の両側に露出部211を有する
と共に、側端面の一部にも露出部212を有する。
上述のようなカーボンペースト21が印刷されたセラミ
ック生シートlIを、電極取出し辺が交互になるように
して32枚積み重ね、更にその上下にカーボンペースト
21が印刷されていないセラミック生シートを各3枚ず
つ付加して、1 ton/cm”の圧力で圧着して一体
化した。その結果、この実施例のものとして第3図に示
すような生の(焼成前の)セラミックチップ13が得ら
れ、従来例のものとして第6図に示すような生のセラミ
ックチップ12が得られた。第3図に示すように、この
実施例のセラミックチップ13においては、端面の両側
にカーボンペースト21の露出部211が表れており、
かつ側面の両側にもカーボンペースト21の露出部21
2が表れている。但し端面の中央部131にはカーボン
ペースト21は露出していない。
ック生シートlIを、電極取出し辺が交互になるように
して32枚積み重ね、更にその上下にカーボンペースト
21が印刷されていないセラミック生シートを各3枚ず
つ付加して、1 ton/cm”の圧力で圧着して一体
化した。その結果、この実施例のものとして第3図に示
すような生の(焼成前の)セラミックチップ13が得ら
れ、従来例のものとして第6図に示すような生のセラミ
ックチップ12が得られた。第3図に示すように、この
実施例のセラミックチップ13においては、端面の両側
にカーボンペースト21の露出部211が表れており、
かつ側面の両側にもカーボンペースト21の露出部21
2が表れている。但し端面の中央部131にはカーボン
ペースト21は露出していない。
次にこれらのセラミックチップ13及び12を1320
℃で2時間焼成し、セラミックスを焼結させると同時に
印刷したカーボンペースト21中のカーボン粉末を焼失
させ、内部電極となるべき部分にセラミック粉末がポー
ラス状になった多孔質の空隙層を形成した。焼成後のセ
ラミックチップ13においては、上述したカーボンペー
スト21の露出部211及び212の部分も空隙層21
1′及び212′となる。換言すれば、焼成後のセラミ
ックチツプエ3においては、その内部にその両端面のい
ずれかに交互に通じる複数の空隙層がセラミックスを介
して積層されており、しかも各空隙層の一部分、即ち空
隙層212′の部分がチップの側面に通じている(露出
している)。
℃で2時間焼成し、セラミックスを焼結させると同時に
印刷したカーボンペースト21中のカーボン粉末を焼失
させ、内部電極となるべき部分にセラミック粉末がポー
ラス状になった多孔質の空隙層を形成した。焼成後のセ
ラミックチップ13においては、上述したカーボンペー
スト21の露出部211及び212の部分も空隙層21
1′及び212′となる。換言すれば、焼成後のセラミ
ックチツプエ3においては、その内部にその両端面のい
ずれかに交互に通じる複数の空隙層がセラミックスを介
して積層されており、しかも各空隙層の一部分、即ち空
隙層212′の部分がチップの側面に通じている(露出
している)。
上述のようなセラミックチップ13及び12の両端部に
、第1図及び第7図に示したような多孔質の外部電極3
a、3bを600℃で焼き付けた。
、第1図及び第7図に示したような多孔質の外部電極3
a、3bを600℃で焼き付けた。
この外部電極3a、3bはニッケルを主体としたもので
、ガラスフリフトとしてのホウ硅酸鉛の量を下記の表に
示すように1重量%から10重景%まで変化させた。
、ガラスフリフトとしてのホウ硅酸鉛の量を下記の表に
示すように1重量%から10重景%まで変化させた。
このようにして得られたチップを高圧容器内の溶融した
船種の中に入れ、10n+mHgに減圧後約10気圧で
加圧してセラミックチップ13内の空隙層に溶融鉛を注
入した後、チップを船種から引き上げ冷却した。その後
高圧容器を常圧に戻してそこからチップを取り出した。
船種の中に入れ、10n+mHgに減圧後約10気圧で
加圧してセラミックチップ13内の空隙層に溶融鉛を注
入した後、チップを船種から引き上げ冷却した。その後
高圧容器を常圧に戻してそこからチップを取り出した。
これによって、セラミックチップ13内の各空隙層の部
分に、外部電極3a、3bにそれぞれ接続された複数の
内部電極が形成された積層セラミックコンデンサが得ら
れた。
分に、外部電極3a、3bにそれぞれ接続された複数の
内部電極が形成された積層セラミックコンデンサが得ら
れた。
尚、外部電極3a、3bは主成分であるニッケルにガラ
スが含まれているため半田付きが悪く、そのままでは特
性評価試料として不都合となり、その後その表面にNi
−3nの電解メッキを行った。実際の製品においても、
溶融金属注入後に外部電極3a、3bの表面を半田付は
性の優れた金属層、例えば銀、銅、錫、ニッケルまたは
鉛を主成分とする金属層で覆っても良い。
スが含まれているため半田付きが悪く、そのままでは特
性評価試料として不都合となり、その後その表面にNi
−3nの電解メッキを行った。実際の製品においても、
溶融金属注入後に外部電極3a、3bの表面を半田付は
性の優れた金属層、例えば銀、銅、錫、ニッケルまたは
鉛を主成分とする金属層で覆っても良い。
下記の表に、外部電極3a、3b中のガラスフリット量
を変えた場合の外部電極3a、3bの引張強度と静電容
量をこの実施例のコンデンサと従来例のコンデンサとの
両方に付いて各15個ずつの値を示す。
を変えた場合の外部電極3a、3bの引張強度と静電容
量をこの実施例のコンデンサと従来例のコンデンサとの
両方に付いて各15個ずつの値を示す。
(以下余白)
実施例のコンデンサは、ガラスフリット量が2%上にお
いて引張強度は1.5Kg以上あり、これは要求性能を
満足する値である。しかも静電容量は本サンプルの設計
値である150nFをほぼ満足する値を示している。こ
れに対して従来例のコンデンサでは、ガラスフリフト量
が6%以上で引張強度は1.5Kgを越すが、ガラスフ
リフト量が増すに従って静電容量が著しく低下し、ガラ
スフリット量が6%以上になると静電容量は殆ど設計値
の1%以下しか出ていない。
いて引張強度は1.5Kg以上あり、これは要求性能を
満足する値である。しかも静電容量は本サンプルの設計
値である150nFをほぼ満足する値を示している。こ
れに対して従来例のコンデンサでは、ガラスフリフト量
が6%以上で引張強度は1.5Kgを越すが、ガラスフ
リフト量が増すに従って静電容量が著しく低下し、ガラ
スフリット量が6%以上になると静電容量は殆ど設計値
の1%以下しか出ていない。
これらから、実施例の構造では外部電極3a、3bの引
張強度が強(かつ静電容量も低下せずにほぼ設計値通り
の値が得られるのに対して、従来例の構造ではガラスフ
リフト量を増して引張強度を上げると静電容量が著しく
低下することが分かる。
張強度が強(かつ静電容量も低下せずにほぼ設計値通り
の値が得られるのに対して、従来例の構造ではガラスフ
リフト量を増して引張強度を上げると静電容量が著しく
低下することが分かる。
これは、従来例ではガラスフリフト量が増すと、外部電
極3a、3bの空孔率が低下してそこを鉛が通過しにく
くなると共に、外部電極3a、3bを焼き付けた時にセ
ラミックチップ12内の空隙層へガラスが浸入して鉛の
注入口を塞ぎ、十分な鉛の注入がなされず内部電極の形
成が十分にできないためである。これに対して実施例で
は、外部電極3a、3bの空孔率が低下したり外部電極
3a、3b中のガラスがその下の空隙層の入口を塞いだ
としても、第1図に示すようにセラミックチップ13の
両側面に通じた(露出した)空隙層212′を通して溶
融鉛がセラミックチップ13内に容易に注入されて内部
電極が十分に形成される。
極3a、3bの空孔率が低下してそこを鉛が通過しにく
くなると共に、外部電極3a、3bを焼き付けた時にセ
ラミックチップ12内の空隙層へガラスが浸入して鉛の
注入口を塞ぎ、十分な鉛の注入がなされず内部電極の形
成が十分にできないためである。これに対して実施例で
は、外部電極3a、3bの空孔率が低下したり外部電極
3a、3b中のガラスがその下の空隙層の入口を塞いだ
としても、第1図に示すようにセラミックチップ13の
両側面に通じた(露出した)空隙層212′を通して溶
融鉛がセラミックチップ13内に容易に注入されて内部
電極が十分に形成される。
しかも外部電極3a、3bと空隙層212′との接合点
5においても内部電極と外部電極3a、3bとが接合さ
れるため、チップを溶融鉛中から引き上げた時に空隙層
の入口近傍の鉛が流失したとしても全体の静電容量に大
きな影響はない。これらによって、この実施例において
は静電容量の低下が防止されている。
5においても内部電極と外部電極3a、3bとが接合さ
れるため、チップを溶融鉛中から引き上げた時に空隙層
の入口近傍の鉛が流失したとしても全体の静電容量に大
きな影響はない。これらによって、この実施例において
は静電容量の低下が防止されている。
また、この実施例のようにセラミックチップ13の両端
面(即ち外部電極3a、3bの付与面)の中央部131
に空隙層が通じていない(即ち内部電極が露出していな
い)部分を形成すると(第3図参照)、外部電極3a、
3bとセラミックチップ13との接触面積が増大して密
着強度がより大きくなり、その結果外部電極3a、3b
の引張り強度がより大きくなる。
面(即ち外部電極3a、3bの付与面)の中央部131
に空隙層が通じていない(即ち内部電極が露出していな
い)部分を形成すると(第3図参照)、外部電極3a、
3bとセラミックチップ13との接触面積が増大して密
着強度がより大きくなり、その結果外部電極3a、3b
の引張り強度がより大きくなる。
尚、この実施例のコンデンサを樹脂等で外装せずに使用
する場合においては、溶融金属注入後に、セラミックチ
ップ13の側面に露出した空隙層212′の部分を絶縁
性封止材、例えば絶縁性の樹脂(例えばエポキシ)やシ
リコンゴム、ガラス等を塗布することによって封じても
良く、そうすれば内部への湿気やガスの浸入を防止して
耐候性を更に向上させることができる。
する場合においては、溶融金属注入後に、セラミックチ
ップ13の側面に露出した空隙層212′の部分を絶縁
性封止材、例えば絶縁性の樹脂(例えばエポキシ)やシ
リコンゴム、ガラス等を塗布することによって封じても
良く、そうすれば内部への湿気やガスの浸入を防止して
耐候性を更に向上させることができる。
以上のようにこの発明によれば、外部電極の密着強度が
強くしかも静電容量の設計値からの低下の少ない積層セ
ラミックコンデンサが得られる。
強くしかも静電容量の設計値からの低下の少ない積層セ
ラミックコンデンサが得られる。
第1図は、この発明の一実施例に係る積層セラミックコ
ンデンサの製作途中段階を示す斜視図である。第2図(
A)及び(B)は、第1図の積層セラミックコンデンサ
に用いられるセラミック生シートにカーボンペーストを
印刷した状態を示す平面図である。第3図は、第2図(
Δ)及びくB)のセラミック生シートを複数枚ずつ積層
、圧着して一体化してできた焼成前のセラミックチップ
を示す斜視図である。第4図は、従来の積層セラミック
コンデンサを示す断面図である。第5図(A)及び(B
)は、第4図の積層セラミックコンデンサに用いられる
セラミック生シートにカーボンペーストを印刷した状態
を示す平面図である。 第6図は、第5図(A)及び(B)のセラミック生シー
トを複数枚ずつ積層、圧着して一体化してできた焼成前
のセラミックチップを示す斜視図である。第7図は、第
6図のセラミックチップを焼成した後に外部電極を付与
した状態を示す斜視図である。 3a、3b・・・外部電極、11・・・セラミック生シ
ート、13・・・セラミックチップ、21・・・カーボ
ンペースト、211’、212’・・・空隙@ 1 図 11t21 217 第4図 第5図 第6図 第7図 b
ンデンサの製作途中段階を示す斜視図である。第2図(
A)及び(B)は、第1図の積層セラミックコンデンサ
に用いられるセラミック生シートにカーボンペーストを
印刷した状態を示す平面図である。第3図は、第2図(
Δ)及びくB)のセラミック生シートを複数枚ずつ積層
、圧着して一体化してできた焼成前のセラミックチップ
を示す斜視図である。第4図は、従来の積層セラミック
コンデンサを示す断面図である。第5図(A)及び(B
)は、第4図の積層セラミックコンデンサに用いられる
セラミック生シートにカーボンペーストを印刷した状態
を示す平面図である。 第6図は、第5図(A)及び(B)のセラミック生シー
トを複数枚ずつ積層、圧着して一体化してできた焼成前
のセラミックチップを示す斜視図である。第7図は、第
6図のセラミックチップを焼成した後に外部電極を付与
した状態を示す斜視図である。 3a、3b・・・外部電極、11・・・セラミック生シ
ート、13・・・セラミックチップ、21・・・カーボ
ンペースト、211’、212’・・・空隙@ 1 図 11t21 217 第4図 第5図 第6図 第7図 b
Claims (4)
- (1)焼成されたセラミックチップであってその内部に
その両端面のいずれかに交互に通じる複数の空隙層がセ
ラミックスを介して積層されているものの両端部に、一
対の多孔質の外部電極をそれぞれ付与し、前記各空隙層
に鉛または鉛合金から成る溶融金属を注入することによ
って、そこに外部電極にそれぞれ接続された複数の内部
電極を形成して成る積層セラミックコンデンサにおいて
、前記各空隙層の一部分がセラミックチップの側面に通
じていて、当該空隙層の部分からも前記溶融金属が注入
されて成ることを特徴とする積層セラミックコンデンサ
。 - (2)前記セラミックチップの両端面の中央部には、前
記空隙層が通じていない部分が設けられている特許請求
の範囲第1項記載の積層セラミックコンデンサ。 - (3)前記セラミックチップの側面に通じた空隙層の部
分が、溶融金属注入後に絶縁性封止材で封じられている
特許請求の範囲第1項または第2項記載の積層セラミッ
クコンデンサ。 - (4)前記外部電極の表面が、溶融金属注入後に半田付
け性の優れた金属層で覆われている特許請求の範囲第1
項ないし第3項のいずれかに記載の積層セラミックコン
デンサ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60078179A JPS61236110A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 積層セラミツクコンデンサ |
US06/843,100 US4658328A (en) | 1985-04-11 | 1986-03-24 | Monolithic ceramic capacitor |
CA000505460A CA1246171A (en) | 1985-04-11 | 1986-03-27 | Monolithic ceramic capacitor |
DE19863612084 DE3612084A1 (de) | 1985-04-11 | 1986-04-10 | Monolithischer keramikkondensator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60078179A JPS61236110A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 積層セラミツクコンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61236110A true JPS61236110A (ja) | 1986-10-21 |
Family
ID=13654736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60078179A Pending JPS61236110A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 積層セラミツクコンデンサ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4658328A (ja) |
JP (1) | JPS61236110A (ja) |
CA (1) | CA1246171A (ja) |
DE (1) | DE3612084A1 (ja) |
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1985
- 1985-04-11 JP JP60078179A patent/JPS61236110A/ja active Pending
-
1986
- 1986-03-24 US US06/843,100 patent/US4658328A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-03-27 CA CA000505460A patent/CA1246171A/en not_active Expired
- 1986-04-10 DE DE19863612084 patent/DE3612084A1/de active Granted
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---|---|
DE3612084A1 (de) | 1986-10-23 |
US4658328A (en) | 1987-04-14 |
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