JP2022170162A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】容易に製造することができ、しかも信頼性に優れた電子部品を提供すること。【解決手段】周方向に沿って複数の側面５ａ～５ｄを持つ素子本体４を有する電子部品である。素子本体４は、周方向に沿って複数の側面５ａ～５ｄを連続的に覆う絶縁層１６ａ～１６ｄを有し、絶縁層１６ａ～１６ｄの融点は、素子本体４の誘電体層１０，１１の融点よりも低い。絶縁層の主成分は、ガラスである。【選択図】図２Ａ

Description

本発明は、たとえば積層セラミックコンデンサなどの電子部品に関する。

たとえば特許文献１に示す積層セラミックコンデンサなどの電子部品では、電子部品の小型化を図りつつ内部電極層の面積を大きくするために、内部電極層の側部が露出する素子本体の側面に誘電体から成るサイドギャップ絶縁層を形成している。

しかしながら、特許文献１では、積層セラミックコンデンサの２つの側面のみをサイドギャップ絶縁層で被覆しており、サイドギャップ絶縁層の端部と素子本体の側面との界面から湿気などが入り込み易く、信頼性に課題がある。

特開昭６２－２３７７１４号公報

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、容易に製造することができ、しかも信頼性に優れた電子部品を提供することである。

上記目的を達成するために、本発明に係る電子部品は、
周方向に沿って複数の側面を持つ素子本体を有する電子部品であって、
前記素子本体は、周方向に沿って複数の側面を連続的に覆う絶縁層を有し、
前記絶縁層の融点は、前記素子本体のセラミック層の融点よりも低いことを特徴とする。

本発明の電子部品における絶縁層は、周方向に沿って複数の側面を連続的に覆う絶縁層であるために、サイドギャップ絶縁層以外の部分でも、略一定厚みで形成される。特に、素子本体の側面の角部においても、一定厚みの絶縁層となる。

本発明の電子部品では、素子本体の側面の角部近くでも、他の部位に比べて一定厚みの絶縁層が形成され、従来とは異なり、厚みの薄い絶縁層の端縁が角部近くに形成されることはない。そのため、湿気の侵入などを有効に防止することができ、電子部品の耐湿性および信頼性が向上する。

好ましくは、前記絶縁層は、ガラスから成る主成分を有する。ガラスを主成分とする絶縁層は、誘電特性を重視する誘電体層などで構成されるセラミック層に比較して、高密度であり、耐湿性に優れている。そのため、絶縁層により、素子本体の側面における内部電極層の露出端部を有効に保護することが可能であり、信頼性がさらに向上する。

好ましくは、前記絶縁層は、前記素子本体の周方向に沿って連続する全ての側面を覆う。このように構成することで、素子本体の側面の全周にわたり、絶縁層と素子本体との界面への侵入経路を塞ぐことができるので、電子部品の耐湿性および信頼性がさらに向上する。

なお、前記絶縁層は、前記素子本体の周方向に沿って連続する全ての側面を完全には覆わなくとも、前記素子本体の全ての側面の内の一つの側面では、前記絶縁層に隙間があってもよい。すなわち、素子本体の全ての側面の内の一つの側面では、素子本体の角部から遠い側面の中央付近に、周方向と垂直な方向に沿って絶縁層の端縁が位置しており、その端縁同士の隙間から、素子本体の側面の一部が露出していてもよい。

好ましくは、前記絶縁層の組成は、前記周方向に沿って略均一である。絶縁層の組成が均一であることで、耐湿性も周方向に沿って均一であり、耐湿性を低下させる起点が減少し、電子部品の信頼性が向上する。

好ましくは、前記絶縁層の厚さは３μｍ～４０μｍである。また、好ましくは、前記絶縁層の厚さは、前記周方向に沿って実質的に均一である。絶縁層の厚さを均一にすることで、耐湿性を低下させる起点が減少し、電子部品の耐湿性が向上し、信頼性も向上する。絶縁層は、転がし転写法により形成することができるため、絶縁層の厚さは、周方向に沿って実質的に均一となりやすい。

好ましくは、前記素子本体の角部での前記絶縁層の厚さは、前記角部に繋がる前記素子本体の２つの側面のうち少なくとも一方の側面での前記絶縁層の厚さと、実質的に同じである。特に、素子本体の角部において、絶縁層の厚みを、他の部分と同じにすることで、電子部品の耐湿性が向上し、信頼性も向上する。絶縁層は、転がし転写法により形成することができるため、素子本体の角部においても、絶縁層の厚さは、他の部分に比較して実質的に均一となりやすい。

前記素子本体は、前記セラミック層と内部電極層とが積層してある積層構造を有していてもよい。また、前記素子本体の前記側面に交差する端面には、前記内部電極層の露出端部に接続する端子電極が形成してあってもよい。さらに、好ましくは、前記端子電極の端縁は、前記絶縁層の端部を覆っている。このように構成することで、さらに湿気が素子本体の内部に入り込み難くなり、電子部品の耐湿性が向上すると共に、信頼性も向上する。

図１は、本発明の実施形態に係る積層セラミックコンデンサの概略断面図である。 図２Ａは、図１に示すIIＡ‐IIＡ線に沿う断面図である。 図２Ａａは、図２Ａに示す断面図の一部拡大図である。 図２Ａｂは、図２Ａａに示す一部拡大図の変形例である。 図２Ｂは、図１に示すIIＢ‐IIＢ線に沿う断面図である。 図３Ａは、本発明の他の実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。 図３Ｂは、本発明のさらに他の実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。 図３Ｃは、本発明のさらに他の実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。 図４Ａは、図１に示す積層セラミックコンデンサの製造過程におけるグリーンシートの積層工程を示すＸ軸およびＺ軸に平行な概略断面図である。 図４Ｂは、図４Ａに示すグリーンシートの積層工程を示すＹ軸およびＺ軸に平行な概略断面図である。 図５Ａは、図４Ａおよび図４Ｂに示す積層工程後の切断工程後の積層体の概略斜視図である。 図５Ｂは、本発明の他の実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造過程に係る切断工程後の積層体の概略斜視図である。 図６Ａは、本発明の積層セラミックコンデンサの製造過程を示す概略斜視図である。 図６Ｂは、図６Ａに示す工程の続きを示す概略斜視図である。 図６Ｃは、図６Ｂに示す工程の続きを示す概略斜視図である。 図６Ｄは、図６Ｃに示す工程の続きを示す概略斜視図である。 図６Ｅは、図６Ｄに示す工程の続きを示す概略斜視図である。 図６Ｆは、図６Ｅに示す工程の続きを示す概略斜視図である。 図６Ｇは、図６Ｆに示す工程の続きを示す概略斜視図である。 図６Ｈは、図６Ｇに示す工程後にシートから切り離した積層体の概略斜視図である。 図７Ａは、本発明の変形例に係る積層セラミックコンデンサの製造過程を示す概略斜視図である。 図７Ｂは、図７Ａに示す工程の続きを示す概略斜視図である。 図７Ｃは、図７Ｂに示す工程の続きを示す概略斜視図である。 図７Ｄは、図７Ｃに示す工程の続きを示す概略斜視図である。 図７Ｅは、図７Ｄに示す工程の続きを示す概略斜視図である。 図７Ｆは、図７Ｅに示す工程の続きを示す概略斜視図である。 図８Ａは、本発明の他の変形例に係る積層セラミックコンデンサの製造過程を示す概略斜視図である。 図８Ｂは、図８Ａに示す工程の続きを示す概略斜視図である。 図８Ｃは、図８Ｂに示す工程の続きを示す概略斜視図である。 図８Ｄは、図８Ｃに示す工程の続きを示す概略斜視図である。 図８Ｅは、図８Ｄに示す工程の続きを示す概略斜視図である。 図８Ｆは、図８Ｅに示す工程の続きを示す概略斜視図である。 図８Ｇは、図８Ｆに示す工程後にシートから切り離した積層体の概略斜視図である。 図９Ａは、積層体の表面をクリーニングする工程を示す概略斜視図である。 図９Ｂは、図９Ａに示す工程の続きを示す概略斜視図である。

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。

第１実施形態
（積層セラミックコンデンサの全体構成）
本実施形態に係る電子部品の一実施形態として、積層セラミックコンデンサの全体構成について説明する。

図１に示すように、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２は、セラミック焼結体から成る積層体（素子本体）４と、第１端子電極６と、第２端子電極８とを有する。

図１に示すように、積層体４は、Ｘ軸およびＹ軸を含む平面に実質的に平行な内側誘電体層（セラミック層）１０と内部電極層１２とを有し、内側誘電体層１０の間に内部電極層１２がＺ軸の方向に沿って交互に積層してある。ここで、「実質的に平行」とは、ほとんどの部分が平行であるが、多少平行でない部分を有していてもよいことを意味し、内部電極層１２と内側誘電体層１０は、多少、凹凸があったり、傾いていたりしてもよいという趣旨である。なお、図において、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、相互に略垂直である。

内側誘電体層１０と内部電極層１２とが交互に積層される部分が内装領域１３である。また、積層体４は、その積層方向Ｚ（Ｚ軸）の両端面に、外装領域１１を有する。外装領域１１は、外側誘電体層を単数または複数積層して形成してある。なお、以下では、「内側誘電体層１０」および「外側誘電体層」をまとめて、「誘電体層（セラミック層）」と記載する場合がある。

内側誘電体層１０および外装領域１１を構成する誘電体層の材質は、同じでも異なっていてもよく、特に限定されず、たとえば、ＡＢＯ_３ などのペロブスカイト構造の誘電体材料やニオブ酸アルカリ系セラミックを主成分として構成される。ＡＢＯ_３ において、Ａは、たとえばＣａ、Ｂａ、Ｓｒ、などの少なくとも一種、Ｂは、Ｔｉ、Ｚｒなどの少なくとも一種である。Ａ／Ｂのモル比は、特に限定されず０．９８０～１．０２０である。

内側誘電体層１０および外側誘電体層の積層数は、用途等に応じて適宜決定すればよい。図２Ａに示す内側誘電体層１０の厚みｔｄは、たとえば０．１μｍ～４０μｍである。内側誘電体層１０の厚みｔｄと内部電極層１２の厚みｔｅの比は、特に限定されないが、ｔｄ／ｔｅが２～０．５であることが好ましい。また、外装領域１１の厚みｔ０（図１参照）と素子３の高さＨ０（図２Ａ参照）の比は、特に限定されないが、ｔ０／Ｈ０が０．０１～０．１であることが好ましい。

素子３の形状やサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、Ｘ軸方向の幅Ｗ０は０．１ｍｍ～３．２ｍｍ、Ｙ軸方向の長さＬ０は０．２ｍｍ～３．２ｍｍ、Ｚ軸方向の高さＨ０は０．１ｍｍ～３．２ｍｍであることが好ましい。なお、素子３に第１端子電極６および第２端子電極８を含めた積層セラミックコンデンサ２も、この範囲であることが好ましい。

図１に示すように、交互に積層される一方の内部電極層１２は、積層体４のＹ軸方向の一方の端面５ｅに形成してある第１端子電極６の内側に対して電気的に接続してある引出部１２αを有する。また、交互に積層される他方の内部電極層１２は、積層体４のＹ軸方向の他方の端面５ｆに形成してある第２端子電極８の内側に対して電気的に接続してある引出部１２βを有する。

内装領域１３は、容量領域１４と引出領域１５Ａ，１５Ｂとを有する。容量領域１４は、積層方向に沿って内部電極層１２が内側誘電体層１０を挟んで積層する領域である。引出領域１５Ａは、端子電極６に接続する内部電極層１２の引出部１２αの間に位置する領域である。引出領域１５Ｂは、端子電極８に接続する内部電極層１２の引出部１２βの間に位置する領域である。

内部電極層１２に含有される導電材は特に限定されず、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｐｔなどの金属、またはそれらの合金を用いることができる。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。内部電極層１２は、市販の電極用ペーストを使用して形成してもよく、内部電極層１２の厚みは用途等に応じて適宜決定すればよい。

本実施形態では、図２Ａに示すように、素子本体としての積層体４の４つの側面５ａ～５ｄは、周方向に沿って連続する絶縁層１６ａ～１６ｄにより連続的に覆われている。すなわち、積層体４のＺ軸に沿って両側に位置する側面５ａ，５ｃと、積層体４のＸ軸に沿って両側に位置する側面５ｂ，５ｄとには、それぞれの側面５ａ～５ｄを覆うように絶縁層１６ａ～１６ｄが周方向に沿って各々連続して形成してある。なお、本明細書では、側面５ａ～５ｄを含め、積層体のＹ軸の回りを周方向または外周方向ということがある。

なお、本実施形態では、絶縁層１６ａ～１６ｄのそれぞれの構成は実質的に同一であり、以下では、説明の容易化のために、特に言及がない限り、絶縁層１６ａおよび絶縁層１６ｂについて説明し、絶縁層１６ｃおよび絶縁層１６ｄについての説明は省略する。

図２Ａａに示すように、積層体４のＺ軸に沿って上側に位置する側面５ａに形成されている絶縁層１６ａは、Ｚ軸方向に実質的に均一な厚さｔｚを有している。ここで、厚さｔｚとは、Ｘ－Ｙ平面に略平行な絶縁層１６ａの外周面１６ａ１から積層体４の側面５ａまでの最短距離をいう。また、積層体４のＸ軸に沿って片側に位置する側面５ｂに形成されている絶縁層１６ｂは、Ｘ軸方向に実質的に均一な厚さｔｘを有している。ここで、厚さｔｘとは、Ｙ－Ｚ平面に略平行な絶縁層１６ｂの外周面１６ｂ１から積層体４の側面５ｂまでの最短距離をいう。本実施形態では、厚さｔｘと厚さｔｚは実質的に同じである。

また、本実施形態では、側面５ａと側面５ｂとが交差する側面同士の角部１７には、所定の曲率半径のＲ部が形成してあることが好ましく、角部１７での絶縁層１６ｐの厚さｔｐは、厚さｔｘおよび厚さｔｚの少なくともいずれか一方、好ましくは双方と実質的に同じである。なお、本明細書では、絶縁層１６ａ～１６ｄには、角部１７での絶縁層１６ｐを含めた意味で用いることもある。

ここで、角部１７とは、積層体４と絶縁層１６ａ，１６ｂとの界面が明確に分かる場合には、積層体４の側面５ａと側面５ｂとが交差する側面同士の角部を意味する。すなわち、角部１７は、積層体４の側面５ａと側面５ｂとによって挟まれている。また、積層体４と絶縁層１６ａ，１６ｂとの界面が明確に分からない場合には、絶縁層１６ａの外周面１６ａ１と絶縁層１６ｂの外周面１６ｂ１とが交差する外周面同士の角部を意味する。

たとえば絶縁層１６ａの外周面１６ａ１の延長面が成すＸ－Ｙ平面と、絶縁層１６ｂの外周面１６ｂ１の延長線が成すＹ－Ｚ平面との交線Ｐ０から最も近い絶縁層の外周面上の線Ｐ１を中心とする領域を角部と定義する。また、角部１７での絶縁層の厚さｔｐは、Ｐ１から積層体４までの最短距離として定義される。

なお、「角部１７での絶縁層の厚さｔｐが、厚さｔｘおよび厚さｔｚの少なくともいずれか一方、好ましくは双方と実質的に同じである」とは、たとえば以下のようにして判断する。

角部１７での絶縁層の厚さｔｐを、Ｙ軸方向に異なる断面で１０点以上測定し、その平均値ｔｐｍとバラツキσｐｍを求める。また、積層体４のＸ軸方向に沿った中央位置で、絶縁層１６ａのｔｚを、Ｙ軸方向に異なる断面で１０点以上測定し、その平均値ｔｚｍとバラツキσｚｍを求める。また同様にして、積層体４のＺ軸方向に沿った中央位置で、絶縁層１６ｂのｔｘを、Ｙ軸方向に異なる断面で１０点以上測定し、その平均値ｔｘｍとバラツキσｘｍを求める。

角部１７での絶縁層の厚みの平均値ｔｐｍと、絶縁層１６ａの厚み１６ａ１の厚みの平均値ｔｚｍとの差異が、ｔｚｍの１０分の１μｍ以下である場合に、これらは実質的に同一であると判断する。また、角部１７での絶縁層の厚みの平均値ｔｐｍと、絶縁層１６ｂの厚み１６ｂ１の厚みの平均値ｔｘｍとの差異も同様にして判断することができる。

本実施形態では、絶縁層１６ａと絶縁層１６ｂとは、角部１７において、滑らかに一様に連続して繋がっており、絶縁層１６ａから絶縁層１６ｂにわたって、実質的に隙間がなく、絶縁層１６ａと絶縁層１６ｂとの界面がない。

本実施形態では、各絶縁層１６ａ～１６ｄの各厚みと、それぞれの角部１７での絶縁層１６ｐの厚み（平均およびバラツキ）も、上記と同様にして求めることができ、それらの全ての厚みを実質的に同一とすることができる。

絶縁層１６ａ～１６ｄおよび１６ｐの厚さは、好ましくは、５μｍ～３０μｍの範囲内であり、均一な厚みとすることができる。これにより、絶縁層の熱膨張係数の影響が小さくなり、積層体４と絶縁層の熱膨張係数差による構造欠陥を抑制することもできる。また、本実施形態では、絶縁層１６ｂ，１６ｄが、サイドギャップ絶縁層となり、内部電極層１２のＸ軸方向の露出端部を絶縁層１６ｂ，１６ｄで覆うことができ、十分な保護機能を有する。また、本実施形態では、各絶縁層１６ａ～１６ｄおよび１６ｐの厚みのバラツキも小さい。

なお、本実施形態では、角部１７での絶縁層１６ｐの外周面は、Ｒ状でなくてもよい。たとえば、図２Ａｂに示すように、角部１７において、積層体４の角部１７にＣ面取りが施されている場合には、絶縁層１６ｐの外周面が積層体４のＣ面に沿って平面状となる。この場合には、Ｐ１は、Ｃ面に沿っている平面である絶縁層１６ｐの外周面に位置することになる。また、本実施形態の他の実施形態では、角部１７には、Ｒ部もＣ面取り部も実質的になくてもよく、その場合には、Ｐ０とＰ１とが限りなく近づく。

図１に示すように、絶縁層１６ａ，１６ｃ（図示しない絶縁層１６ｂ，１６ｄも同様／以下省略）は、積層体４のＹ軸方向の両端に位置する端面５ｅ，５ｆを実質的に覆わないことが好ましい。すなわち、絶縁層１６ａ，１６ｃは、積層体４のＹ軸方向の両端に位置する端面５ｅ，５ｆに露出する内部電極層１２の引出部１２αまたは１２βの接続端を覆わないことが好ましい。積層体４のＹ軸方向の両端に位置する外面５ｅ，５ｆには、端子電極６，８が形成されて内部電極層１２の引出部１２αまたは１２βと接続される必要があるからである。

本実施形態の絶縁層１６ａ～１６ｄ（１６ｐも含む／以下同様）は、素子本体４の誘電体層１０，１１の融点よりも低い材質で構成してあり、絶縁層１６ａ～１６ｄの主成分は、好ましくは、Ｓｉを２５重量％以上含むガラスで構成されている。

絶縁層１６ａ～１６ｄの主成分がガラスであることで、端子電極６，８の剥れを抑制できる効果が高められる。これは、絶縁層の主成分のガラスに含まれるＳｉが多いほど、絶縁層の耐めっき性が向上し、めっきによる劣化を抑制できるためであると考えられる。また、絶縁層１６ａ～１６ｄの主成分のガラスに含まれるＳｉを２５重量％以上とすることで、Ｓｉが拡散した拡散層を形成できる。これにより、絶縁層１６ａ～１６ｄと端子電極６，８の接合が強くなる。したがって、本実施形態の絶縁層１６ａ～１６ｄの主成分は、Ｓｉを２５重量％～７０重量％含むガラスで構成されていることが好ましい。

なお、絶縁層の主成分とは、絶縁層に、４０ｖｏｌ％以上含まれる成分を言い、好ましくは、絶縁層の主成分とは、絶縁層に、６０ｖｏｌ％以上含まれる成分を言う。

本実施形態の絶縁層１６ａ～１６ｄには、Ｓｉの他、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂ、Ｐ、Ｚｎ、Ａｌ等を含んでいてもよい。

また、絶縁層をガラス成分で構成することにより、絶縁層１６ａ～１６ｄと積層体４との固着強度が良好になる。これは、ガラスと積層体４との界面に反応相が形成されるため、ガラスと積層体４の密着性が他の絶縁性物質に比べて優れているためであると考えられる。

さらに、ガラスはセラミックに比べて絶縁性が高い。このため、絶縁層１６ａ～１６ｄの主成分がセラミックの場合に比べて、絶縁層の主成分がガラスで構成されている場合は、向かい合う端子電極６，８の距離を短くしても、ショート発生率を低くできる。

本実施形態の絶縁層１６ａ～１６ｄに含まれるガラスの融点（軟化点）は、６００℃～９５０℃であることが好ましい。これにより、絶縁層１６ａ～１６ｄを焼き付けする際に、誘電体層のセラミック粒子の粒成長を防ぐことができ、信頼性などの特性の劣化を抑制することができる。上記の観点から、本実施形態の絶縁層１６ａ～１６ｄに含まれるガラスの融点（軟化点）は、６００℃～８５０℃であることがより好ましい。

本実施形態の絶縁層１６ａ～１６ｄに含まれるガラス以外の成分は特に限定されず、たとえば、セラミックフィラーを含んでいてもよく、ＢａＴｉＯ_３ 、ＣａＴｉＯ_３ 、Ａｌ_２ Ｏ_３ 、ＣａＺｒＯ_３ 、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２ 、Ｃｒ_２ Ｏ_３ 、ＣｏＯなどを含んでいてもよい。

絶縁層１６ａ～１６ｄの主成分がガラスで構成されている場合には、セラミックで構成されている場合に比べて、端子電極６，８が積層体４のＸ軸方向端面のＹ軸方向端部およびＺ軸方向端面のＹ軸方向端部を広く覆う構成にしてもショート発生率を低くできる。

本実施形態では、絶縁層１６ａ～１６ｄと誘電体層１０，１１との界面に、絶縁層１６ａ～１６ｄの構成成分の少なくとも一つが誘電体層１０，１１に拡散した反応相が形成されていてもよい。絶縁層１６ａ～１６ｄと内側誘電体層１０との界面に反応相を有することで、積層体４の側面５ａ～５ｄがガラスで埋められ、界面の空隙率を最小限に抑えることができる。これにより、積層体４の側面の絶縁性が向上し、耐電圧性を向上できる。

また、誘電体層と絶縁層１６ａ～１６ｄの界面に反応相を有することで、誘電体層と絶縁層１６ａ～１６ｄの界面の接着性を向上させることができる。これにより、積層体４と絶縁層１６ａ～１６ｄのデラミネーションを抑制し、その抗折強度を高めることができる。

反応相の認定については、例えば、積層体４の誘電体層と絶縁層１６ａ～１６ｄの界面について、Ｓｉ元素のＳＴＥＭ－ＥＤＳ分析を行い、Ｓｉ元素のマッピングデータを得て、Ｓｉ元素が存在する箇所を反応相と認定できる。

本実施形態では、図１に示すように、端子電極６，８のＺ軸方向の両端は、絶縁層１６ａ，１６ｃのＹ軸方向の両端も覆うように形成してある。また、図２Ｂに示すように、端子電極６，８のＸ軸方向の両端が、絶縁層１６ｂ，１６ｄのＹ軸方向の両端も覆うように形成してある。

このように構成することで、積層体４の端面５ｅ，５ｆにおいて、端子電極６，８が、絶縁層１６ａ～１６ｄと積層体４との界面の端部を完全に被覆できるため、より耐久性、耐湿性を向上させることができる。

端子電極６，８の厚みは、用途等に応じて適宜決定すればよい。

本実施形態では、絶縁層１６ａ～１６ｄのガラスに含まれるＳｉの平均重量比率をＧＳｉとして、端子電極６，８のガラスに含まれるＳｉの平均重量比率をＴＳｉとした場合に、ＧＳｉ／ＴＳｉが、１．０＜ＧＳｉ／ＴＳｉ≦１５．０を満たすことが好ましい。

ＧＳｉ／ＴＳｉが１．０＜ＧＳｉ／ＴＳｉ≦１５．０の場合、Ｓｉが拡散する拡散層を存在させることができ、ＧＳｉ／ＴＳｉが１．０以下の場合に比べて、静電容量を高くでき、端子電極の強度を良好にできる。また、ＧＳｉ／ＴＳｉが１．０＜ＧＳｉ／ＴＳｉ≦１５．０の場合、ＧＳｉ／ＴＳｉが１５．０より大きい場合に比べて、静電容量を高くでき、限界たわみ試験の結果を良好にできる。ＧＳｉ／ＴＳｉは、２．０～８．０であることがより好ましい。

本実施形態の端子電極６，８は、素子３に接触している図示しない焼付層とその上に形成される図示しないめっき層からなる。焼付層としてＣｕ金属，Ｎｉ金属等が用いられる。この焼付層は、端面５ｅおよび絶縁層１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄの一部を覆うように形成される。また、めっき層は、Ｎｉめっき、Ｃｕめっき、Ｓｎめっきなどが挙げらる。本実施形態においては、Ｃｕ焼付層の上にＮｉめっき層が形成され、Ｎｉめっき層の上にＳｎめっき層が形成された端子構造を有する。

（積層セラミックコンデンサの製造方法）
次に、本発明の一実施形態としての積層セラミックコンデンサ２の製造方法について具体的に説明する。

（積層体の製造工程）
まず、素子本体となる積層体４の製造工程について説明する。焼成後に図１に示す内側誘電体層１０を構成することになる図４Ａに示す内側グリーンシート１０ａと、図１に示す外装領域１１を構成することになる図４Ａに示す外側グリーンシート１１ａを準備する。

これらのグリーンシート１０ａおよび１１ａを形成するために、まず、それぞれ内側グリーンシート用ペーストおよび外側グリーンシート用ペーストを準備する。内側グリーンシート用ペーストおよび外側グリーンシート用ペーストは、通常、セラミック粉末と有機ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系ペースト、または水系ペーストで構成される。

セラミック粉末の原料としては、複合酸化物や酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択され、混合して用いることができる。セラミック粉末の原料は、本実施形態では、平均粒子径が０．４５μｍ以下、好ましくは０．０５～０．３μｍ程度の粉体として用いられる。なお、内側グリーンシートをきわめて薄いものとするためには、グリーンシート厚みよりも細かい粉体を使用することが望ましい。

次に、焼成後に図１に示す内部電極層１２を構成することになる図４Ａに示す内部電極パターン層１２ａを形成する。そのために、内部電極層用ペーストを準備する。内部電極層用ペーストは、上記した各種導電性金属や合金からなる導電材と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。焼成後に図１に示す端子電極６，８を構成することになる金属ペースト（端子電極用ペースト）は、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。

上記にて調整した内側グリーンシート用ペーストおよび内部電極層用ペーストを使用して、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、内側グリーンシート１０ａと、内部電極パターン層１２ａと、を交互に積層し、内部積層体を製造する。そして、内部積層体を製造した後に、外側グリーンシート用ペーストを使用して、外側グリーンシート１１ａを形成し、積層方向に加圧してグリーン積層体を得る。

なお、グリーン積層体の製造方法としては、上記の他、外側グリーンシート１１ａに直接内側グリーンシート１０ａと内部電極パターン層１２ａとを交互に所定数積層して、積層方向に加圧してグリーン積層体を得てもよい。

次に、図４Ａおよび図４ＢのＣ１切断面およびＣ２切断面に沿って、グリーン積層体を切断してグリーンチップ４ａを得る。Ｃ１は、Ｙ‐Ｚ軸平面に平行な切断面であり、Ｃ２は、Ｚ‐Ｘ軸平面に平行な切断面である。

図４Ｂに示すように、ｎ層目において内部電極パターン層１２ａを切断するＣ２切断面の両隣のＣ２切断面は、内部電極パターン層１２ａの隙間を切断する。また、ｎ層目において内部電極パターン層１２ａを切断したＣ２切断面は、ｎ＋１層目においては内部電極パターン層１２ａの隙間を切断する。

このような切断方法により、図５Ａに示すグリーンチップ４ａを得ることで、グリーンチップ４ａのｎ層目の内部電極パターン層１２ａは、グリーンチップ４ａのＹ軸方向の一方の端面５ｅでは露出し、他方の端面５ｆでは露出しない構成となる。また、グリーンチップ４ａのｎ＋１層目の内部電極パターン層１２ａは、逆に、グリーンチップ４ａのＹ軸方向の一方の底面５ｅでは露出せず、他方の底面５ｆでは露出する構成となる。

さらに、図４Ａに示すグリーンチップ４ａのＣ１切断面、すなわち図５Ａに示すグリーンチップ４ａのＸ軸方向に対向する側面５ｂ，５ｄにおいては、全ての層で内部電極パターン層１２ａが露出する構成となる。なお、内部電極パターン層１２ａの形成方法としては、特に限定されず、印刷法、転写法の他、蒸着、スパッタリングなどの薄膜形成方法により形成されていてもよい。

グリーンチップ４ａは、固化乾燥により可塑剤が除去され固化される。乾燥後のグリーンチップ４ａに対して、脱バインダ工程、焼成工程、必要に応じて行われるアニール工程を行うことにより、図２Ａに示す絶縁層１６ａ～１６ｄが形成される前の積層体４が得られる。また、この積層体４には、図１に示す端子電極６および８も形成されていない。絶縁層や端子電極が形成される前の積層体４の斜視図は、図５Ａに示すように、グリーンチップ４ａの斜視図と同様である。

本実施形態において、脱バインダ工程は、たとえば、保持温度を２００℃～４００℃とすればよい。焼成工程は、たとえば還元雰囲気で行い、アニール工程は、中性、または弱酸化性雰囲気で行えばよい。その他の焼成条件またはアニール条件としては、たとえば、焼成の保持温度は１０００℃～１３００℃であり、アニールの保持温度は５００℃～１１００℃である。脱バインダ工程、焼成工程およびアニール工程は、連続して行なっても、独立して行なってもよい。

なお、上述した実施形態では、図４Ａおよび図４Ｂに示すグリーン積層体をグリーンチップ４ａに個片化してから、グリーンチップ４ａを焼成して積層体４を形成しているが、図４Ａおよび図４Ｂに示すグリーン積層体を焼成して焼結体としてから、焼結体を切断して個々の積層体４を形成してもよい。

上記のようにして得られた積層体４の角に、バレルなどにより面取りを行い、図２Ａａに示すようなＲ面、または図２Ａｂに示すようなＣ面を形成してもよい。また、積層体４の端面５ｅ，５ｆに、必要に応じて、例えばバレル研磨、サンドブラストなどにより研磨する。

（絶縁層の形成工程）
次に、素子本体となる積層体４の外周に絶縁層を形成する工程について説明する。

図６Ａに示すように、第１転動部材２０の上面には巻き付け用ガラスシート２４が載置してあり、第２転動部材２２の下面に粘着シート２６が具備してある。図６Ｂに示すように、第１転動部材２０と第２転動部材２２との間に、単一または複数の積層体４が挟まれて、本実施形態では、最初に、積層体４の側面５ａが粘着シート２６に貼り付き、粘着層２６ａが形成されるようになっている。なお、図６Ａでは、積層体４が第２転動部材２２の下面の粘着シート２６に付着してあるように描いてあるが、それに限らず、積層体４は、最初は、第１転動部材２０のシート２４の上に載置してあるのみでよい。

第１転動部材２０および第２転動部材２２は、相互に同じ材質であってもよく、あるいは異なる材質であってもよい。これらの第１転動部材２０および第２転動部材２２としては、たとえばある程度の剛性を持つ板状部材またはシート状部材であればよく、その材質としては、特に限定されず、金属、セラミックまたはプラスチックなどのいずれでもよい。

巻き付け用ガラスシート２４としては、熱処理後に図２Ａに示す絶縁層１６ａ～１６ｄとなるシートであれば、特に限定されず、たとえばガラス粉末が分散してある樹脂シート、あるいは半硬化ガラスシートなどが例示される。

たとえばガラスシート２４は、前述したガラス成分を構成するガラス粉末原料と、バインダと分散媒とを混練してガラススラリーを作り、ガラススラリーをシート化することで形成することができる。ガラスシート２４は、第１転動部材２０の表面に、剥離可能にしかも横ずれ移動しないように設置される。

また、粘着層２６ａは、第２転動部材２２の下面に、剥離可能にしかも横ずれ移動しないように設置される。粘着層２６としては、たとえば両面粘着シートなどで構成されてもよく、第２転動部材２２の下面に対する粘着力よりも、積層体４への粘着力が高くなっていることが好ましい。粘着層２６は、たとえばポリビニルブチラール、アクリル、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、エポキシなどの合成高分子、ロジン、テルペンなどの天然高分子などの樹脂で構成される。

図６Ｂに示すように、第１転動部材２０に対して相対的に第２転動部材２２を下方におろし、第２転動部材２２で積層体４を第１転動部材２０の方向に押しつける。その結果、粘着層２６の一部は、積層体４の側面５ａに転写されて粘着膜２６ａとなる。次に、図６Ｃに示すように、第２転動部材２２で積層体４を第１転動部材２０に相対的（逆でもよい趣旨／以下同様）に押さえつけながら、第２転動部材２２を、第１転動部材２０に対して相対的に平行にズレる方向（矢印の方向）に移動させる。

第１転動部材２０に対する第２転動部材２２の移動に従って、第１転動部材２０（もしくは第２転動部材２２）の上で積層体４を側面５ａ～５ｄの周方向に転がすことができる。なお、積層体４を転がす際には、第１転動部材２０に対する第２転動部材２２の相対距離は、積層体４の転がり回転半径の変化と共に変化してもよい。すなわ、積層体４は、転がる最中に、第１転動部材と第２転動部材との間で両者に常に接触していることが好ましい。

図６Ｃに示すように、積層体４の転動に従って、積層体４の側面５ａに形成されている粘着層２６ａが第２転動部材２２の下面から切り離されて転写される。また、同時に、積層体４の側面５ｂに粘着シート２６が貼り付き、粘着層２６ｂが形成される。なお、巻き付け用ガラスシート２４には切り込み２５が形成してあってもよく、切り込み２５の位置は、第１転動部材２０の表面での積層体４の側面５ａの転がり始点位置と一致していることが好ましい。

さらに第２転動部材２２を同じ方向（矢印の方向）に移動させると、図６Ｄに示すように、積層体４が転動し、積層体４の側面５ａに形成された粘着層２６ａが巻き付け用ガラスシート２４に貼り付き、絶縁層１６ａとなる外周膜２４ａが形成される。また、積層体４の側面５ｃに粘着シート２６が貼り付き、粘着層２６ｃが形成される。

さらに第２転動部材２２を同じ方向（矢印の方向）に移動させると、図６Ｅに示すように、ガラスシート２４は、切り込み２５で、第１転動部材２０の表面に位置するガラスシート２４から切り離されて積層体４の側面５ａに転写されて外周膜２４ａが形成される。なお、外周膜２４ａが積層体４の側面５ａに転写されることができれば、ガラスシート２４の切り込み２５は必ずしも必要ではない。

さらに第２転動部材２２を同じ方向に相対移動させると、図６Ｆに示すように、積層体４の側面５ｂに形成された粘着層２６ｂが巻き付け用ガラスシート２４に貼り付き、絶縁層となる外周膜２４ｂが形成される。また、積層体４の側面５ｄに粘着シート２６が貼り付き、粘着層２６ｄが形成される。

同様に、第２転動部材２２を同じ方向に移動させ、積層体４を転動させることで、図６Ｇに示すように、積層体４の側面５ｃの粘着層２６ｃに巻き付け用ガラスシート２４が貼り付き、絶縁層となる外周膜２４ｃが形成される。さらに積層体４の側面５ｄの粘着層２６ｄに巻き付け用ガラスシート２４が貼り付き、絶縁層となる外周膜２４ｄが形成される。

さらに、積層体４が貼り付いている第２転動部材２２の上部から、積層体４を第１転動部材２０側に押さえつけることなどで、外周膜２４ｄを、第１転動部材２０上に位置するガラスシート２４から切り離すことができる。このようにすることで、外周膜２４ａの端部と外周膜２４ｄの端部とが接合し、図６Ｈに示すように、外周膜２４ａ～２４ｄが巻き付いた積層体４を得る。

次に、外周膜２４ａ～２４ｄが巻き付いた積層体４を、必要に応じて乾燥および脱バインダ処理を行った後に、焼き付け処理を行い、図２Ａに示す絶縁層１６ａ～１６ｄが形成された積層体４を得る。なお、外周膜２４ａ～２４ｄの焼き付け温度は、絶縁層１６ａ～１６ｄに含まれているガラスの融点（軟化点）より好ましくは０℃～１５０℃、より好ましくは１０℃～５０℃高い温度で行うことが好ましい。

なお、焼き付け処理の前に、必要に応じて、外周膜２４ａ～２４ｄが巻き付いた積層体４を、第１転動部材２０および第２転動部材２２の間で、さらに上述した転動を行い、外周膜２４ａ～２４ｄの上に、さらに同様な外周膜２４ａ～２４ｄを、１層以上で形成してもよい。また、焼き付け処理の前に、必要に応じて、外周膜２４ａ～２４ｄが巻き付いた積層体４を、バレル処理などでバリ取りを行ってもよい。

絶縁層１６ａ～１６ｄが形成された積層体４を形成した後には、図１に示すように、積層体４のＹ軸端面５ｅ，５ｆに端子電極６および８を各々形成する。端子電極６および８を形成するために、積層体４のＹ軸方向の両端面に、金属ペーストを塗布して焼き付けし、端子電極６，８の電極膜となる金属ペースト焼き付け膜を形成する。端子電極６，８の電極膜の形成方法については特に限定されず、金属ペーストの塗布・焼き付け、メッキ、蒸着、スパッタリングなどの適宜の方法を用いることができる。

なお、金属ペーストを積層体４のＹ軸方向の端面にディップによって塗布する際には、積層体４のＸ軸方向の端面およびＺ軸方向の端面にも金属ペーストが濡れ広がるように行うことが好ましい。Ｙ軸方向への濡れ広がり幅は、好ましくは５０μｍ～２００μｍである。濡れ広がり幅は、金属ペーストの粘度やディップ条件を調整することにより制御できる。金属ペーストの焼き付け温度は、端子電極６，８に含まれるガラスの融点（軟化点）より０℃～５０℃高い温度であることが好ましい。

端子電極６，８の電極膜の表面に、めっきやスパッタ処理などにより被覆層を形成してもよい。端子電極６，８の形成については、絶縁層１６ａ～１６ｄの形成後に行う。

（実施形態のまとめ）

本実施形態では、図６Ａ～図６Ｇに示す粘着シート２６の厚さは、０．３μｍ～４μｍであり、ガラスシート２４の厚みの１／５～１／２０程度であることが好ましい。この程度の厚さの粘着シート２６は十分に薄いため、図６Ｇに示すように、粘着シート２６が邪魔することなく、ガラスシート２４から成る外周膜２４ａの端部と外周膜２４ｄの端部とが接合して外周膜２４ａ～２４ｄが連続して切れ目なく巻き付いた積層体４を得ることができる。そのため、形成される絶縁層１６ａと絶縁層１６ｄとの間には実質的に隙間が生じることがなく、クラックの起点となることも抑制される。

上述したように、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２の製造方法は、たとえば一定厚みのガラスシート（転写層）２４の上で、積層体４の側面５ａ～５ｄを次々に連続して接触するように転がし、積層体４の側面に外周膜２４ａ～２４ｄを連続して付着させる工程（転がし転写法）を有する。そのため、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２を、きわめて容易に製造することができる。

ガラスシート２４は、たとえば焼成後の積層体４の側面５ａ～５ｄに付着されて焼き付け処理されて絶縁層１６ａ～１６ｄとなり、その一部が、サイドギャップ絶縁層と成る。絶縁層１６ａ～１６ｄは、積層体４の誘電体層１０，１１の融点よりも低い材料で構成してあるために、積層体４の焼成温度よりも焼付温度が低い。このため絶縁層１６ａ～１６ｄを形成するための焼き付け温度による積層体４への影響も少ない。

また、本実施形態では、サイドギャップ絶縁層を転がし転写法により形成するため、塗布法とは異なり、不要な部分には絶縁層が形成されない。そのため、端子電極６，８が形成されて内部電極層１２と接続する積層体４の端面５ｅ，５ｆには、絶縁層１６ａ～１６ｅが実質的に形成されない。その結果、素子本体としての積層体４を小型化しても端子電極６，８と内部電極層１２との接続信頼性も向上する。なお、「積層体４の端面５ｅ，５ｆに絶縁層１６ａ～１６ｅが実質的に形成されない」とは、塗布法に比較してほとんど形成されないことを意味する。

本実施形態の積層セラミックコンデンサ２における絶縁層１６ａ～１６ｄは、周方向に沿って複数の側面５ａ～５ｄを連続的に覆う絶縁層であるために、サイドギャップ絶縁層以外の部分でも、略一定厚みで形成される。特に、図２Ａａまたは図２Ａｂに示すように、積層体４の側面５ａ，５ｂの角部１７においても、一定厚みｔｐの絶縁層１６ｐとなる。また、塗布法により形成される絶縁層の端縁と異なり、本実施形態の積層セラミックコンデンサ２では、積層体４の角部１７近くに絶縁層の端縁を位置させる必要がない。

従来の積層セラミックコンデンサでは、塗布法により形成される絶縁層の端縁は、端子電極６，８との接続端面となる積層体４の端面５ｅ，５ｆの面積を狭めないように、積層体４の角部１７近くに絶縁層の端縁を位置させる必要がある。これに対して、本実施形態の積層セラミックコンデンサ２では、絶縁層１６ａ～１６ｄが転がし転写法で形成されることができるために、積層体４の角部１７近くでも、他の部位に比べて一定厚みの絶縁層１６ｐが形成され、従来とは異なり、厚みの薄い絶縁層の端縁が角部１７近くに形成されることはない。そのため、湿気の侵入などを有効に防止することができ、積層セラミックコンデンサ２の耐湿性および信頼性が向上する。

また絶縁層１６ａ～１６ｄ（１６ｐ含む／以下同様）は、ガラスから成る主成分を有する。ガラスを主成分とする絶縁層１６ａ～１６ｄは、誘電特性を重視する誘電体層１０，１１などで構成されるセラミック層に比較して、高密度であり、耐湿性に優れている。そのため、絶縁層１６ａ～１６ｄにより、積層体４の側面における内部電極層１２の露出端部を有効に保護することが可能であり、信頼性がさらに向上する。

さらに、絶縁層１６ａ～１６ｄは、積層体４の周方向に沿って連続する全ての側面５ａ～５ｄを覆う。このように構成することで、積層体４の側面５ａ～５ｄの全周にわたり、絶縁層１６ａ～１６ｄと積層体４との界面への侵入経路を塞ぐことができるので、積層セラミックコンデンサ２の耐湿性および信頼性がさらに向上する。

なお、絶縁層１６ａ～１６ｄは、積層体４の周方向に沿って連続する全ての側面５ａ～５ｄを完全には覆わなくとも、全ての側面５ａ～５ｄの内の一つの側面、たとえば側面５ａでは、絶縁層１６ａに隙間があってもよい。すなわち、積層体４の全ての側面５ａ～５ｄの内の一つの側面（たとえば５ａ）では、積層体４の角部から遠い側面５ａのＸ軸方向の中央付近に、周方向と垂直な方向に沿って絶縁層１６ａの端縁が位置しており、その端縁同士の隙間から、積層体４の側面５ａの一部が露出していてもよい。

そのような絶縁層を積層体４の側面回りに形成するためには、積層体４の側面５ａにおけるＸ軸方向の中央付近からガラスシート２４を巻き始めて、同じ積層体４の側面５ａにおけるＸ軸方向の中央付近で巻き終わればよい。

本実施形態では、絶縁層１６ａ～１６ｄの組成は、周方向に沿って略均一とすることができる。絶縁層１６ａ～１６ｄの組成が均一であることで、耐湿性も周方向に沿って均一であり、耐湿性を低下させる起点が減少し、積層セラミックコンデンサ２の信頼性が向上する。なお、転がし転写法により絶縁層１６ａ～１６ｄを形成することで、周方向に沿って略均一な組成の絶縁層１６ａ～１６ｄを形成しやすい。

また本実施形態では、絶縁層１６ａ～１６ｄの厚さは、１層巻または２層巻以上のガラスシート２４を焼き付け処理することで形成することができ、たとえば３μｍ～４０μｍとすることができる。均一厚みのガラスシートから絶縁層１６ａ～１６ｄを形成するために、絶縁層１６ａ～１６ｄの厚さは、周方向に沿って実質的に均一である。絶縁層１６ａ～１６ｄの厚さを均一にすることで、耐湿性を低下させる起点が減少し、積層セラミックコンデンサ２の耐湿性が向上し、信頼性も向上する。絶縁層１６ａ～１６ｄは、転がし転写法により形成することができるため、絶縁層１６ａ～１６ｄの厚さは、周方向に沿って実質的に均一となりやすい。

さらに本実施形態では、図２Ａａまたは図２ａｂに示すように、積層体４の角部１７での絶縁層１６ｂの厚さｔｐは、角部１７に繋がる積層体４の２つの側面５ａ，５ｂのうち少なくとも一方の側面での絶縁層１６ａ，１６ｂの厚さｔｚまたはｔｘと、実質的に同じにすることができる。特に、素子３の角部１７において、絶縁層１６ｐの厚みｔｐを、他の部分の厚みｔｚまたはｔｘと同じにすることで、積層セラミックコンデンサ２の耐湿性が向上し、信頼性も向上する。絶縁層１６ｐは、転がし転写法により形成することができるため、素子３の角部１７においても、絶縁層１６ｐの厚さｔｐは、他の部分の厚さｔｚまたはｔｘに比較して実質的に均一となりやすい。

本実施形態では、積層体４の外周を完全に絶縁層１６ａ～１６ｄが覆っているため、絶縁層１６ａ～１６ｄと積層体４との界面の端部を外気から完全に覆うことができ、よりいっそう耐久性、耐湿性を向上させることができる。

さらに、図１および図２Ｂに示すように、本実施形態では、積層体４の端面５ｅ，５ｆには、端子電極６，８が形成してあり、端子電極６，８の端縁は、積層体４の外面５ａ～５ｄに位置する絶縁層１６ａ～１６ｄの一部を覆っている。そのため、積層体４の端面５ｅ，５ｆにおいて、端子電極６，８が絶縁層１６ａ～１６ｄと積層体４との界面の端部を被覆でき、より耐久性、耐湿性を向上させることができる。

本実施形態では、焼成後の積層体４に巻き付けたガラスシートを焼き付けることにより、積層体４に絶縁層を形成してある。このように絶縁層を形成することで、電子部品の耐湿性を良好にし、熱衝撃や物理的な衝撃などの外部環境変化に対する耐久性を向上させることができる。

絶縁層１６ａ～１６ｄは、１枚の巻き付け用ガラスシート２４から形成されており、それぞれが連続しており、絶縁層１６ａ～１６ｄと積層体４との界面が外部に露出していない。そのため、界面に湿気などが入り込み難く、界面を起点としたクラックなどが生じるのを効果的に抑制することができる。

また、本実施形態では、図２Ａに示す断面において、積層体４の内部電極層１０のＸ軸方向端の配置のバラツキは、たとえば５μｍ以内とすることができる。

第２実施形態
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、積層体４の外周に絶縁層を形成する方法が第１実施形態と異なるのみであり、共通する部分の説明は省略し、以下、異なる部分について主として詳細に説明する。以下において説明しない部分は、第１実施形態の説明と同様である。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、図７Ａ～図７Ｆに示すように、積層体４の側面５ａ～５ｄの外周に絶縁層１６ａ～１６ｄを形成する工程が、第１実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法と異なる。

図７Ａに示すように、第１転動部材２０の上面には、巻き付け用ガラスシート２４が敷かれており、その巻き付け用ガラスシート２４の上面に粘着シート２６が貼り付けられている。本実施形態では、第１実施形態とは異なり、第２転動部材２２には、粘着層が形成されていないが、第２転動部材２２自体が粘着性を有していてもよい。

粘着性を有する第２転動部材２２としては、特に限定されず、たとえば発泡シート、シリコーンなどのゴムシート、アクリル系テープ、ＵＶテープ（ＵＶ照射により粘着力が弱くなるようなテープ）などのように、シート素材の表面自体が粘着面となるシートであってもよい。発泡シートを構成する樹脂としては、たとえばウレタン、アクリル、シリコーン、ポリエステル、ポリウレタンなどが例示される。

図７Ｂに示すように、第２転動部材２２を下方におろし、第２転動部材２２で積層体４を第１転動部材２０に押さえつける。積層体４の側面５ａが粘着シート２６に貼り付き、粘着層２６ａおよび絶縁層１６ａとなる外周膜２４ａが形成される。また、巻き付け用ガラスシート２４には切り込み２５が形成してあってもよく、切り込み２５の位置は、積層体４の側面５ｄの端縁位置と一致している。

図７Ｃに示すように、第２転動部材２２で積層体４を第１転動部材２０に押さえつけながら、第２転動部材２２を、第１実施形態と同様にして矢印の方向に移動させると、積層体４が転動し、外周膜２４ａが切り込み２５で巻き付け用ガラスシート２４から切り離される。

さらに第２転動部材２２を前記と同じ方向に移動させると、図７Ｄに示すように、積層体４が転動し、積層体の側面５ｂに粘着シート２６がシート２４と共に貼り付き、粘着層２６ｂおよび絶縁層１６ｂとなる外周膜２４ｂが形成される。

さらに第２転動部材２２を前記と同じ方向に移動させると、図７Ｅに示すように、積層体４が転動し、積層体の側面５ｃに粘着シート２６がシート２４と共に貼り付き、粘着層２６ｃおよび絶縁層１６ｃとなる外周膜２４ｃが形成される。

さらに積層体４を転動させることで、図７Ｆに示すように、積層体４が転動し、積層体の側面５ｄに粘着シート２６が貼り付き、粘着層２６ｄおよび絶縁層１６ｄとなる外周膜２４ｄが形成される。

さらに、図７Ｆに示すように、積層体４が貼り付いている第２転動部材２２の上部から、積層体４を第１転動部材２０側に押さえつけることで、外周膜２４ｄを、巻き付け用ガラスシート２４から切り離すことができる。このようにすることで、外周膜２４ａの端部と外周膜２４ｄとが接合し、図６Ｈに示す外周膜２４ａ～２４ｄが巻き付けられ積層体４を得ることができる。図６Ｈに示す外周膜２４ａ～２４ｄは、焼き付け処理後に図２Ａに示す絶縁層１６ａ～１６ｄとなる。

第３実施形態
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、積層体４の外周に絶縁層を形成する方法が第１実施形態または第２実施形態と異なるのみであり、共通する部分の説明は省略し、以下、異なる部分について主として詳細に説明する。以下において説明しない部分は、上述した実施形態の説明と同様である。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、図８Ａ～図８Ｆに示すように、積層体４の外周に絶縁層を形成する工程において、ガラスシートの構成が、第１実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法と異なる。

図８Ａに示すように、第１転動部材２０の上面には巻き付け用粘着性ガラスシート２８が敷かれている。巻き付け用粘着性ガラスシート２８は、第１実施形態のガラスシート２４と同様にして製造することが可能であり、たとえばバインダおよび／または分散媒やそれ以外の粘着付与成分の含有量または成分を調整することで、ガラスシート２８に粘着性を持たせることができる。

バインダとしては、たとえばエチルセルロース、ポリビニルブチラールなどを用いることができ、その含有量を第１実施形態よりも多めにすることが好ましい。また、分散媒としては、たとえばターピネオール、アセトンなどが例示され、それ以外の粘着付与成分としてはポリビニルブチラール，アクリル，ポリビニルアルコール，ポリビニルアセテート，エポキシなどの合成高分子，ロジン，テルペンなどの天然高分子，ジオクチルフタル酸などの可塑剤などが例示され，その含有量を第1実施形態よりも多めにすることが好ましい。

図８Ｂに示すように、第２転動部材２２を下方におろし、第２転動部材２２で積層体４を第１転動部材２０に押さえつける。積層体４の側面５ａが巻き付け用粘着性ガラスシート２８に貼り付き、絶縁層１６ａとなる外周膜２８ａが形成される。また、巻き付け用粘着性ガラスシート２８には切り込み２９が形成してあってもよい。

図８Ｃに示すように、第２転動部材２２で積層体４を第１転動部材２０に押さえつけながら、第２転動部材２２を、前述した実施形態と同様にして矢印の方向に移動させると、積層体４が転動し、外周膜２８ａが積層体４に付着して、第１転動部材２０の表面から引き離される。

さらに第２転動部材２２を前記と同じ方向に移動させると、図８Ｄに示すように、積層体４が転動し、積層体の側面５ｂに巻き付け用粘着性ガラスシート２８が貼り付き、絶縁層１６ｂとなる外周膜２８ｂが形成される。さらに第２転動部材２２を矢印の方向に移動させると、図８Ｅに示すように、積層体４が転動し、積層体の側面５ｃに巻き付け用粘着性ガラスシート２８が貼り付き、外周層１６ｃとなる外周膜２８ｃが形成される。さらに積層体４を転動させることで、図８Ｆに示すように、積層体４が転動し、積層体の側面５ｄに巻き付け用粘着性ガラスシート２８が貼り付き、外周層１６ｄとなる外周膜２８ｄが形成される。

さらに、図８Ｆに示すように、積層体４が貼り付いている第２転動部材２２の上部から、積層体４を第１転動部材２０側に押さえつけることで、外周膜２８ｄを、巻き付け用粘着性ガラスシート２８から切り離すことができる。このようにすることで、外周膜２８ａの端部と外周膜２８ｄとが接合し、図８Ｇに示すように、外周膜２８ａ～２８ｄが巻き付けられ積層体４を得ることができる。図８Ｇに示す外周膜２８ａ～２８ｄは、焼き付け処理後に図２Ａに示す絶縁層１６ａ～１６ｄとなる。

なお、本実施形態では、外周膜２８ａ～２８ｄが巻き付けられ積層体４を形成する前に、積層体４の側面５ａ～５ｄおよび／または端面５ｅ，５ｆをクリーニング処理してもよい。

クリーニング処理を行う場合には、第１転動部材２０および第２転動部材２２の表面は、粘着性を有していることが好ましい。粘着性を有する第１転動部材２０および第２転動部材２２としては、相互に同じ材質であってもよく、あるいは異なる材質であってもよい。

これらの第１転動部材２０および第２転動部材２２としては、特に限定されず、たとえば発泡シート、シリコーンなどのゴムシート、アクリル系テープ、ＵＶテープ（ＵＶ照射により粘着力が弱くなるようなテープ）などのように、シート素材の表面自体が粘着面となるシートであってもよい。発泡シートを構成する樹脂としては、たとえばウレタン、アクリル、シリコーン、ポリエステル、ポリウレタンなどが例示される。

まず、図９Ａに示すように、第２転動部材２２を下方におろし、第２転動部材２２で積層体４を第１転動部材２０の巻き付け用粘着性ガラスシート２８が敷かれていない部分に押さえつける。次に図９Ｂに示すように、第２転動部材２２を、前述した実施形態と同様にして矢印の方向に移動させると、積層体４が転動し、粘着性を有する第１転動部材２０に付着していた積層体４の側面５ａと第２転動部材２２に付着していた積層体４の側面５ｃが、第１転動部材２０の上面および第２転動部材２２の下面から剥がれる。その際に、積層体４の側面５ａと側面５ｃの表面からゴミなどが第１転動部材２０または第２転動部材２２の接触表面に移し取られ、側面５ａ，５ｃをクリーニングすることができる。

さらに第２転動部材２２を矢印の方向に移動させると、積層体４が転動し、積層体４の側面５ｂが第１転動部材２０に付着すると共に、積層体４の側面５ｄが第２転動部材２２に付着する。このとき、積層体４の側面５ｃの位置が、巻き付け用粘着性ガラスシート２８の端部の位置と一致している。

さらに第２転動部材２２を矢印の方向に移動させると、積層体４が転動し、第１転動部材２０に付着していた積層体４の側面５ｂと第２転動部材２２に付着していた積層体４の側面５ｄが、第１転動部材２０の上面および第２転動部材２２の下面から剥がれる。その際に、積層体４の側面５ｂと側面５ｄの表面からゴミなどが第１転動部材２０または第２転動部材２２の接触表面に移し取られ、側面５ｂ，５ｄをクリーニングすることができる。

すなわち、積層体４の側面４ａ～４ｄが第１転動部材２０の上面および第２転動部材２２の下面から剥がれる過程において、積層体４の側面５ａ～５ｄに付着していた切削くずやゴミ（たとえば焼成時に付着したセッターかす）などを、第１転動部材２０の上面および第２転動部材２２の下面に付着させて除去することができる。

図９Ｂにおいて、さらに第２転動部材２２を、前記と同じ方向に移動させると、積層体４が転動し、積層体４の側面５ｃが巻き付け用粘着性ガラスシート２８に付着し、絶縁層１６ｃが形成される。この状態は、図８Ｂの積層体４の上下が反対になった状態であり、そのまま第２転動部材２２を矢印の方向に移動させることで、積層体４のクリーニング処理に連続して積層体４の側面５ａ～５ｄの外周に絶縁層１６ａ～１６ｄを形成する工程を行うことができる。

また、図９Ａの状態から、第２転動部材２２をＹ軸方向に移動させることで、積層体４を２回転動させることで、積層体４の端面５ｅ，５ｆをクリーニングすることも可能である。

なお、本実施形態では、第１転動部材２０と第２転動部材２２のいずれもが、粘着性を有しているが、第１転動部材２０は粘着性を有していなくてもよい。その場合は、積層体４を第１転動部材２０に押さえつける位置を巻き付け用粘着性ガラスシート２８の端部から離し、転動回数を増やすことで、積層体４のすべての側面５ａ～５ｄをクリーニングすることができる。また、転動させる方向を変えることで、積層体４の端面５ｅ，５ｆもクリーニングすることができる。

第４実施形態
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、図３Ａに示すように、積層体４の外装領域１１の構成が第１～第３実施形態と異なるのみであり、共通する部分の説明は省略し、以下、異なる部分について主として詳細に説明する。以下において説明しない部分は、上述した実施形態の説明と同様である。

本実施形態での外装領域１１は、内側誘電体層１０と同じ誘電体を、外側誘電体層として１層または複数設けて、図２Ａに示す外装領域１１の厚みよりも極端に薄くしてある。また、本実施形態では、図３Ａに示す外装領域１１を全く形成しなくてもよい。

すなわち、素子本体４では、各層の積層方向（Ｚ軸方向）の外装領域１１が側面を形成しており、外装領域１１の側面５ａ，５ｄに絶縁層１６ａ，１６ｄが形成してある。本実施形態では外装領域１１の厚さが、内装領域１３を形成するセラミック層１０と同程度の厚さである。なお、絶縁層１６ａ～１６ｐの融点は、外装領域１１の融点よりも低い。

本実施形態では、外装領域１１が内側誘電体層１０と同程度の厚さ、あるいは外装領域１１が無くとも、絶縁層１６ａ～１６ｄが、積層体４の側面５ａ～５ｄを被覆しているため、十分な保護機能と強度を有し、積層セラミックコンデンサ２の耐久性、耐湿性を向上させ、長期にわたる使用の信頼性を向上させることが可能になる。

第５実施形態
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、図３Ｂに示すように、内側誘電体層１０および内部電極層１２の端部の構成が、第１～第４実施形態と異なるのみであり、共通する部分の説明は省略し、以下、異なる部分について主として詳細に説明する。以下において説明しない部分は、上述した実施形態の説明と同様である。

本実施形態では、内側誘電体層１０および内部電極層１２のＸ軸方向の両端部に誘電体ギャップ部１８ｂ，１８ｄが形成されている。すなわち、誘電体ギャップ１８ｂ，１８ｄのＸ軸方向の外側が、積層体４の側面５ｂ，５ｄを形成している。このように、誘電体ギャップ部１８ｂ，１８ｄが形成されていることで、内部電極層の端部が誘電体ギャップ１８ｂ，１８ｄで覆われるため、積層セラミックコンデンサ２の耐久性、耐湿性を向上させ、長期にわたる使用の信頼性を向上させることが可能になる。

本実施形態の積層体４は、図５Ｂに示すグリーンチップ４ａを焼成して、上述の絶縁層１６ａ～１６ｄの形成工程を経ることで得られる。図５Ｂに示すグリーンチップ４ａは、上述の積層体の製造工程での内部電極パターン層１２ａのパターン形状を変更し、図４Ａに示すＣ１断面で内部電極パターン層１２ａが途切れるパターン形状とすることで得られる。

なお、図３Ｃは、図３Ｂの外装領域１１（誘電体ギャップ１８ｂ，１８ｄを含む。）の厚さを、内装領域を形成する誘電体層１０と同程度の厚さにした積層体４の外周に絶縁層が形成されている。このような構造であっても、本実施形態と同様である。

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。

たとえば、図１に示す第１実施形態の積層セラミックコンデンサ２において、外側誘電体層１１，１１の少なくともいずれかは無くても良い。また、上述した実施形態において、絶縁層１６ａ～１６ｄの主成分は、ガラス以外で構成されてもよく、積層体４の誘電体層１０，１２の融点よりも低い材料で構成されている材料であればよい。たとえば、絶縁層１６ａ～１６ｄは、セラミック，アルミニウム，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂などで構成されていてもよい。

さらに、本発明に係る電子部品は、積層セラミックコンデンサに限らず、その他の電子部品に適用することが可能である。その他の電子部品としては、素子本体の側面（端子電極が形成される外面以外の外面）に機能部が形成される全ての電子部品が例示され、たとえばバンドパスフィルタ、チップインダクタ、積層三端子フィルタ、圧電素子、チップサーミスタ、チップバリスタ、チップ抵抗、その他の表面実装（ＳＭＤ）チップ型電子部品などが例示される。

２… 積層セラミックコンデンサ
３… 素子
４… 積層体（素子本体）
４ａ… グリーンチップ
５ａ～５ｄ… 側面
５ｅ，５ｆ… 端面
６… 第１端子電極
６ａ… 電極ペースト膜
８… 第２端子電極
１０… 内側誘電体層（セラミック層）
１０ａ… 内側グリーンシート
１１… 外装領域（セラミック層）
１１ａ… 外側グリーンシート
１２… 内部電極層
１２α，１２β… 引出部
１２ａ… 内部電極パターン層
１３… 内装領域
１４… 容量領域
１５Ａ，１５Ｂ…引出領域
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，１６ｐ… 絶縁層
１６ａ１，１６ｂ１，１６ｃ１，１６ｄ１…外周面
１７…角部
１８ｂ，１８ｄ… 誘電体ギャップ部
２０… 第１転動部材
２２… 第２転動部材
２４… ガラスシート
２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ…外周膜
２５…切り込み
２６… 粘着シート
２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ…粘着膜
２８…粘着性ガラスシート
２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄ…外周膜
２９…切り込み

Claims (18)

1. 周方向に沿って複数の側面を持つ素子本体を有する電子部品であって、
   前記素子本体は、周方向に沿って複数の側面を連続的に覆う絶縁層を有し、
   前記絶縁層の融点は、前記素子本体のセラミック層の融点よりも低い電子部品。
2. 前記絶縁層は、ガラスから成る主成分を有する請求項１に記載の電子部品。
3. 前記絶縁層は、前記素子本体の周方向に沿って連続する全ての側面を覆う請求項１または２に記載の電子部品。
4. 前記素子本体のすべての側面の内の一つ側面では、前記絶縁層に隙間がある請求項１または２に記載の電子部品。
5. 前記絶縁層の組成は、前記周方向に沿って略均一である請求項１～４のいずれかに記載の電子部品。
6. 前記絶縁層の厚さは３μｍ～４０μｍである請求項１～５のいずれかに記載の電子部品。
7. 前記絶縁層の厚さは、前記周方向に沿って実質的に均一である請求項１～６のいずれかに記載の電子部品。
8. 前記素子本体の角部での前記絶縁層の厚さは、前記角部に繋がる前記素子本体の２つの側面のうち少なくとも一方の側面での前記絶縁層の厚さと、実質的に同じである請求項１～７のいずれかに記載の電子部品。
9. 前記素子本体は、前記セラミック層と内部電極層とが積層してある積層構造を有する請求項１～８のいずれかに記載の電子部品。
10. 前記素子本体では、各層の積層方向の外装領域が側面を形成しており、前記外装領域の側面に前記絶縁層が形成してある請求項９に記載の電子部品。
11. 前記外装領域が、内装領域を形成する前記セラミック層よりも厚く形成されている請求項１０に記載の電子部品。
12. 前記外装領域の厚さが、内装領域を形成する前記セラミック層と同程度の厚さである請求項１０または１１に記載の電子部品。
13. 前記外装領域が、前記素子本体の前記積層方向に垂直な方向にも形成してある請求項１０～１２のいずれかに記載の電子部品。
14. 前記セラミック層が、前記外装領域を形成している請求項１０～１３のいずれかに記載の電子部品。
15. 前記絶縁層の融点は、前記外装領域の融点よりも低い請求項１０～１４のいずれかに記載の電子部品。
16. 前記素子本体の前記側面に交差する端面には、前記内部電極層の露出端部に接続する端子電極が形成してある請求項９～１５のいずれかに記載の電子部品。
17. 前記端子電極の端縁は、前記絶縁層の端部を覆っている請求項１６に記載の電子部品。
18. 前記セラミック層および前記内部電極層が各々複数であり、
    前記素子本体の前記側面には、複数の前記内部電極層の露出側部を覆うように前記絶縁層が形成してあり、
    前記絶縁層に接触する複数の前記内部電極層の露出側部の位置バラツキは、所定範囲以内であることを特徴とする請求項９～１７のいずれかに記載の電子部品。

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