CN1315003C - 电子器件及其制造方法、溅射靶 - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3940385B2 (ja) 2002-12-19 2007-07-04 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスおよびその製法
JP2005086118A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Renesas Technology Corp 半導体装置
TWI298351B (en) * 2004-03-25 2008-07-01 Mitsui Mining & Smelting Co Bonded structure for a thin-film circuit
JP2005303003A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Kobe Steel Ltd 表示デバイスおよびその製法
KR100590270B1 (ko) * 2004-05-11 2006-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
JP4541787B2 (ja) * 2004-07-06 2010-09-08 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス
JP4974493B2 (ja) * 2004-08-20 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
KR101136026B1 (ko) * 2004-09-24 2012-04-18 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트용 박리제 및 상기 박리제를 이용한 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법
CN100523923C (zh) 2004-10-06 2009-08-05 夏普株式会社 液晶显示器
US20060081464A1 (en) * 2004-10-19 2006-04-20 Kobelco Research Institute, Inc. Backing plates for sputtering targets
JP4330517B2 (ja) * 2004-11-02 2009-09-16 株式会社神戸製鋼所 Cu合金薄膜およびCu合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ
WO2006075483A1 (ja) * 2005-01-12 2006-07-20 Idemitsu Kosan Co., Ltd. TFT基板及びその製造方法、及び、Al配線を備えた透明導電膜積層基板及びその製造方法、及び、Al配線を備えた透明導電膜積層回路基板及びその製造方法、及び、酸化物透明導電膜材料
JP2006195077A (ja) * 2005-01-12 2006-07-27 Idemitsu Kosan Co Ltd Al配線を備えた透明導電膜積層基板及びその製造方法。
JP4579709B2 (ja) * 2005-02-15 2010-11-10 株式会社神戸製鋼所 Al−Ni−希土類元素合金スパッタリングターゲット
JP4117001B2 (ja) 2005-02-17 2008-07-09 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット
JP2008124499A (ja) * 2005-02-17 2008-05-29 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット
CN101281913A (zh) * 2005-02-17 2008-10-08 株式会社神户制钢所 显示器和用于制备该显示器的溅射靶
JP2006236839A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Mitsubishi Electric Corp 有機電界発光型表示装置
JP2006316339A (ja) * 2005-04-12 2006-11-24 Kobe Steel Ltd Al系スパッタリングターゲット
WO2006117884A1 (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Al-Ni-B合金配線材料及びそれを用いた素子構造
JP3979605B2 (ja) * 2005-04-26 2007-09-19 三井金属鉱業株式会社 Al−Ni−B合金配線材料及びそれを用いた素子構造
WO2006117954A1 (ja) 2005-04-26 2006-11-09 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Al-Ni-B合金配線材料及びそれを用いた素子構造
JP2007186779A (ja) * 2005-04-26 2007-07-26 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Al−Ni−B合金配線材料及びそれを用いた素子構造
JP4542008B2 (ja) * 2005-06-07 2010-09-08 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス
JP2008010801A (ja) * 2005-08-17 2008-01-17 Kobe Steel Ltd ソース−ドレイン電極、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示デバイス
JP2009016862A (ja) * 2005-08-17 2009-01-22 Kobe Steel Ltd ソース−ドレイン電極、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示デバイス
US7683370B2 (en) 2005-08-17 2010-03-23 Kobe Steel, Ltd. Source/drain electrodes, transistor substrates and manufacture methods, thereof, and display devices
JP2007081385A (ja) * 2005-08-17 2007-03-29 Kobe Steel Ltd ソース−ドレイン電極、トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示デバイス
US7411298B2 (en) * 2005-08-17 2008-08-12 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Source/drain electrodes, thin-film transistor substrates, manufacture methods thereof, and display devices
JP2007073848A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 表示デバイスの製造方法
JP2007109916A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 素子の製造方法
JP2007123672A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Mitsubishi Electric Corp 導電体構造、導電体構造の製造方法、素子基板および素子基板の製造方法
JP4117002B2 (ja) 2005-12-02 2008-07-09 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
US20070161165A1 (en) * 2006-01-12 2007-07-12 Toppoly Optoelectronics Corp. Systems and methods involving thin film transistors
US20090008786A1 (en) * 2006-03-06 2009-01-08 Tosoh Smd, Inc. Sputtering Target
WO2007102988A2 (en) * 2006-03-06 2007-09-13 Tosoh Smd, Inc. Electronic device, method of manufacture of same and sputtering target
US8097100B2 (en) * 2006-04-03 2012-01-17 Praxair Technology, Inc. Ternary aluminum alloy films and targets for manufacturing flat panel displays
JP4728170B2 (ja) 2006-05-26 2011-07-20 三菱電機株式会社 半導体デバイスおよびアクティブマトリクス型表示装置
US7781767B2 (en) 2006-05-31 2010-08-24 Kobe Steel, Ltd. Thin film transistor substrate and display device
JP5214858B2 (ja) * 2006-06-22 2013-06-19 三菱電機株式会社 Tftアレイ基板及びその製造方法
JP5000937B2 (ja) 2006-06-30 2012-08-15 三菱電機株式会社 半導体デバイスの製造方法
WO2008018478A1 (fr) * 2006-08-09 2008-02-14 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Structure de jonction de dispositif
JP2008098611A (ja) * 2006-09-15 2008-04-24 Kobe Steel Ltd 表示装置
JP4280277B2 (ja) * 2006-09-28 2009-06-17 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスの製法
WO2008047726A1 (fr) 2006-10-13 2008-04-24 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Substrat de transistor en film mince et dispositif d'affichage
KR20090031441A (ko) * 2006-10-16 2009-03-25 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 배선용 적층막 및 배선 회로
CN101365816B (zh) * 2006-10-16 2010-10-06 三井金属鉱业株式会社 反射膜用Al-Ni-B合金材料
JP2008127623A (ja) 2006-11-20 2008-06-05 Kobelco Kaken:Kk Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4377906B2 (ja) 2006-11-20 2009-12-02 株式会社コベルコ科研 Al−Ni−La系Al基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法
JP4170367B2 (ja) 2006-11-30 2008-10-22 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス用Al合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット
JP4355743B2 (ja) 2006-12-04 2009-11-04 株式会社神戸製鋼所 Cu合金配線膜とそのCu合金配線膜を用いたフラットパネルディスプレイ用TFT素子、及びそのCu合金配線膜を作製するためのCu合金スパッタリングターゲット
JP2008172051A (ja) * 2007-01-12 2008-07-24 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4705062B2 (ja) * 2007-03-01 2011-06-22 株式会社神戸製鋼所 配線構造およびその作製方法
KR100853545B1 (ko) 2007-05-15 2008-08-21 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
JP2009004518A (ja) 2007-06-20 2009-01-08 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板、および表示デバイス
JP2009008770A (ja) 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 積層構造およびその製造方法
JP2009008768A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 表示装置の製造方法
JP2009010051A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 表示装置の製造方法
US20090001373A1 (en) * 2007-06-26 2009-01-01 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd.) Electrode of aluminum-alloy film with low contact resistance, method for production thereof, and display unit
JP2009010052A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 表示装置の製造方法
JP5143649B2 (ja) 2007-07-24 2013-02-13 株式会社コベルコ科研 Al−Ni−La−Si系Al合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP5215620B2 (ja) 2007-09-12 2013-06-19 三菱電機株式会社 半導体デバイス、表示装置及び半導体デバイスの製造方法
JP2009076536A (ja) 2007-09-19 2009-04-09 Mitsubishi Electric Corp Al合金膜、電子デバイス及び電気光学表示装置用アクティブマトリックス基板
JP2009111201A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Mitsubishi Electric Corp 積層導電膜、電気光学表示装置及びその製造方法
JP2008124483A (ja) * 2007-12-03 2008-05-29 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
JP4611417B2 (ja) * 2007-12-26 2011-01-12 株式会社神戸製鋼所 反射電極、表示デバイス、および表示デバイスの製造方法
JP4611418B2 (ja) * 2007-12-26 2011-01-12 株式会社神戸製鋼所 表示装置の製造方法
JP4469913B2 (ja) 2008-01-16 2010-06-02 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
JP5007246B2 (ja) 2008-01-31 2012-08-22 三菱電機株式会社 有機電界発光型表示装置及びその製造方法
WO2009104769A1 (ja) * 2008-02-22 2009-08-27 株式会社神戸製鋼所 タッチパネルセンサー
JP2010123754A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Kobe Steel Ltd 表示装置およびその製造方法
JP2009282504A (ja) * 2008-03-31 2009-12-03 Kobe Steel Ltd 表示デバイス
WO2009123217A1 (ja) * 2008-03-31 2009-10-08 株式会社神戸製鋼所 表示装置、その製造方法およびスパッタリングターゲット
JP5432550B2 (ja) * 2008-03-31 2014-03-05 株式会社コベルコ科研 Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP5139134B2 (ja) 2008-03-31 2013-02-06 株式会社コベルコ科研 Al−Ni−La−Cu系Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP5475260B2 (ja) * 2008-04-18 2014-04-16 株式会社神戸製鋼所 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置
KR20100127290A (ko) 2008-04-23 2010-12-03 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 표시 장치용 Al 합금막, 표시 장치 및 스퍼터링 타깃
JP2009282514A (ja) * 2008-04-24 2009-12-03 Kobe Steel Ltd 表示装置用Al合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
WO2010001998A1 (ja) * 2008-07-03 2010-01-07 株式会社神戸製鋼所 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置
JP4684367B2 (ja) * 2008-07-07 2011-05-18 三井金属鉱業株式会社 Al−Ni系合金配線電極材料
JP2010065317A (ja) * 2008-08-14 2010-03-25 Kobe Steel Ltd 表示装置およびこれに用いるCu合金膜
US9082857B2 (en) 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
JP5368806B2 (ja) * 2009-01-13 2013-12-18 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Al合金膜および表示装置
JP5357515B2 (ja) * 2008-11-05 2013-12-04 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Al合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
JP2010134458A (ja) * 2008-11-05 2010-06-17 Kobe Steel Ltd 表示装置用Al合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
KR20110065564A (ko) * 2008-11-05 2011-06-15 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 표시 장치용 Al 합금막, 표시 장치 및 스퍼터링 타깃
JP2010135300A (ja) * 2008-11-10 2010-06-17 Kobe Steel Ltd 有機elディスプレイ用の反射アノード電極およびその製造方法
JP2009105424A (ja) * 2008-12-12 2009-05-14 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
JP4567091B1 (ja) 2009-01-16 2010-10-20 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Cu合金膜および表示装置
JP2010181839A (ja) * 2009-02-09 2010-08-19 Kobe Steel Ltd 表示デバイスの製造方法
CN102473732B (zh) * 2009-07-27 2015-09-16 株式会社神户制钢所 布线结构以及具备布线结构的显示装置
JP2011035153A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
CN102483549A (zh) * 2009-08-21 2012-05-30 夏普株式会社 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
JP5235011B2 (ja) * 2009-11-16 2013-07-10 株式会社神戸製鋼所 有機elディスプレイ用の反射アノード電極
JP5179604B2 (ja) * 2010-02-16 2013-04-10 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Al合金膜
JP2011222567A (ja) 2010-04-02 2011-11-04 Kobe Steel Ltd 配線構造、表示装置、および半導体装置
JP2012027159A (ja) 2010-07-21 2012-02-09 Kobe Steel Ltd 表示装置
EP2426720A1 (en) * 2010-09-03 2012-03-07 Applied Materials, Inc. Staggered thin film transistor and method of forming the same
JP5416683B2 (ja) * 2010-12-01 2014-02-12 株式会社神戸製鋼所 タッチパネルセンサーおよびその製造方法
JP5416682B2 (ja) * 2010-12-01 2014-02-12 株式会社神戸製鋼所 タッチパネルセンサーおよびその製造方法
JP5416681B2 (ja) * 2010-12-01 2014-02-12 株式会社神戸製鋼所 タッチパネルセンサーおよびその製造方法
CN102485946A (zh) * 2010-12-02 2012-06-06 比亚迪股份有限公司 用于后视镜的靶材、后视镜及其制造方法
JP2012180540A (ja) 2011-02-28 2012-09-20 Kobe Steel Ltd 表示装置および半導体装置用Al合金膜
JP5524905B2 (ja) 2011-05-17 2014-06-18 株式会社神戸製鋼所 パワー半導体素子用Al合金膜
JP5303008B2 (ja) * 2011-07-19 2013-10-02 株式会社神戸製鋼所 半導体素子及び半導体素子の製造方法
JP2013084907A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Kobe Steel Ltd 表示装置用配線構造
JP2013083758A (ja) * 2011-10-07 2013-05-09 Sony Corp 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器
CN103959470B (zh) 2012-01-17 2016-08-24 株式会社日本有机雷特显示器 薄膜晶体管阵列装置以及使用它的el显示装置
CN102707349B (zh) * 2012-03-31 2015-07-29 深圳市华星光电技术有限公司 反射型液晶显示器的反射层的制造方法
CN104185365B (zh) * 2013-05-23 2018-06-26 比亚迪股份有限公司 一种线路板及其制备方法
CN103441129A (zh) * 2013-08-23 2013-12-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置
CN105511679B (zh) * 2015-12-25 2019-04-30 上海天马微电子有限公司 玻璃基板、触控显示屏及触控压力计算方法
CN105586576A (zh) * 2016-02-04 2016-05-18 东莞沙头朝日五金电子制品有限公司 一种镀制pvd防菌膜的方法
JP6647898B2 (ja) * 2016-02-05 2020-02-14 株式会社コベルコ科研 紫外線反射膜およびスパッタリングターゲット
JP2018032601A (ja) * 2016-08-26 2018-03-01 株式会社神戸製鋼所 反射電極およびAl合金スパッタリングターゲット
US11261533B2 (en) * 2017-02-10 2022-03-01 Applied Materials, Inc. Aluminum plating at low temperature with high efficiency
CN106981426B (zh) * 2017-04-06 2020-04-03 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管的制备方法、显示装置
CN107369706A (zh) * 2017-07-17 2017-11-21 华南理工大学 一种显示用电子器件铜合金电极及其制备方法
JP2019102896A (ja) * 2017-11-29 2019-06-24 株式会社神戸製鋼所 アルミニウム合金膜
WO2020003667A1 (ja) * 2018-06-28 2020-01-02 株式会社アルバック アルミニウム合金膜、その製造方法、及び薄膜トランジスタ
KR102329427B1 (ko) 2020-01-03 2021-11-24 와이엠씨 주식회사 배선전극용 합금 조성물 및 그의 제조방법
KR102329426B1 (ko) 2020-01-03 2021-11-24 와이엠씨 주식회사 배선전극용 합금 조성물 및 그의 제조방법
JP2022094534A (ja) * 2020-12-15 2022-06-27 富士通株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
CN115000083B (zh) * 2022-05-17 2025-04-29 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板和显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11337976A (ja) * 1998-03-26 1999-12-10 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板及びこのアレイ基板を備えた平面表示装置
JP2001018557A (ja) * 1999-07-09 2001-01-23 Toppan Forms Co Ltd カード付き重ね合わせ葉書
US6218206B1 (en) * 1998-03-31 2001-04-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for producing thin film transistor and thin film transistor using the same
US6252247B1 (en) * 1998-03-31 2001-06-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Thin film transistor, a method for producing the thin film transistor, and a liquid crystal display using a TFT array substrate
JP2001345445A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Nec Corp 半導体装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US294219A (en) * 1884-02-26 Oscillating engine
US292780A (en) * 1884-02-05 William w
US294221A (en) * 1884-02-26 Circular saw mill
US3716469A (en) * 1970-12-17 1973-02-13 Cogar Corp Fabrication method for making an aluminum alloy having a high resistance to electromigration
JPH04116829A (ja) * 1990-09-06 1992-04-17 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
KR940006186A (ko) 1992-06-03 1994-03-23 에또 다께또시 스퍼터링 타겟, 전자장치용 배선방법 및 전자장치
WO1995002900A1 (en) * 1993-07-15 1995-01-26 Astarix, Inc. Aluminum-palladium alloy for initiation of electroless plating
JP2733006B2 (ja) * 1993-07-27 1998-03-30 株式会社神戸製鋼所 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット
JP3213196B2 (ja) * 1995-03-08 2001-10-02 日本アイ・ビー・エム株式会社 配線材料、金属配線層の形成方法
JP4137182B2 (ja) * 1995-10-12 2008-08-20 株式会社東芝 配線膜形成用スパッタターゲット
KR100381828B1 (ko) * 1996-06-06 2003-08-25 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박막트랜지스터제조방법,그것을사용한액정표시장치및전자기기
JP3365954B2 (ja) * 1997-04-14 2003-01-14 株式会社神戸製鋼所 半導体電極用Al−Ni−Y 合金薄膜および半導体電極用Al−Ni−Y 合金薄膜形成用スパッタリングターゲット
US5849639A (en) * 1997-11-26 1998-12-15 Lucent Technologies Inc. Method for removing etching residues and contaminants
JP2000150652A (ja) * 1998-09-03 2000-05-30 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3825191B2 (ja) * 1998-12-28 2006-09-20 株式会社神戸製鋼所 アルミニウム合金スパッタリングターゲット材料
JP2000294556A (ja) 1999-04-05 2000-10-20 Hitachi Metals Ltd ドライエッチング性に優れたAl合金配線膜およびAl合金配線膜形成用ターゲット
KR100367711B1 (ko) * 1999-08-19 2003-01-10 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 알루미늄합금 박막 및, 타겟재(材)와 그것을 사용한 박막형성방법
JP2001350159A (ja) 2000-06-06 2001-12-21 Hitachi Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP2002296804A (ja) * 2001-03-30 2002-10-09 Nippon Zeon Co Ltd レジスト用剥離液およびこれを用いたレジスト剥離方法
JP4783525B2 (ja) 2001-08-31 2011-09-28 株式会社アルバック 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット
JP2003089864A (ja) 2001-09-18 2003-03-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材
JP3940385B2 (ja) 2002-12-19 2007-07-04 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスおよびその製法
JP4280277B2 (ja) * 2006-09-28 2009-06-17 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスの製法
JP2008127623A (ja) * 2006-11-20 2008-06-05 Kobelco Kaken:Kk Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4377906B2 (ja) * 2006-11-20 2009-12-02 株式会社コベルコ科研 Al−Ni−La系Al基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11337976A (ja) * 1998-03-26 1999-12-10 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板及びこのアレイ基板を備えた平面表示装置
US6218206B1 (en) * 1998-03-31 2001-04-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for producing thin film transistor and thin film transistor using the same
US6252247B1 (en) * 1998-03-31 2001-06-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Thin film transistor, a method for producing the thin film transistor, and a liquid crystal display using a TFT array substrate
JP2001018557A (ja) * 1999-07-09 2001-01-23 Toppan Forms Co Ltd カード付き重ね合わせ葉書
JP2001345445A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Nec Corp 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
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US7154180B2 (en) 2006-12-26
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JP3940385B2 (ja) 2007-07-04

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