JP2007073848A - 表示デバイスの製造方法 - Google Patents
表示デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007073848A JP2007073848A JP2005261395A JP2005261395A JP2007073848A JP 2007073848 A JP2007073848 A JP 2007073848A JP 2005261395 A JP2005261395 A JP 2005261395A JP 2005261395 A JP2005261395 A JP 2005261395A JP 2007073848 A JP2007073848 A JP 2007073848A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact hole
- display device
- aluminum alloy
- gas
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【課題】 アルミニウム合金層と透明電極層とがコンタクトホールを介して直接接合された構造を有する表示デバイスにおいて、そのコンタクト抵抗値を増加させることのない、表示デバイスの製造技術を提案する。
【解決手段】 基板に形成されたアルミニウム合金層上に、絶縁層を形成し、該絶縁層にレジストを被覆してドライエッチングにてコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールを介して透明電極層と前記アルミニウム合金層とを直接接合させる工程を備える表示デバイスの製造方法において、コンタクトホールの形成に用いるドライエッチングガスは、ガスを構成する全元素数に対するフッ素元素数の割合が80%以下であるフッ素系ガスを含有しているものとした。
【選択図】 なし
【解決手段】 基板に形成されたアルミニウム合金層上に、絶縁層を形成し、該絶縁層にレジストを被覆してドライエッチングにてコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールを介して透明電極層と前記アルミニウム合金層とを直接接合させる工程を備える表示デバイスの製造方法において、コンタクトホールの形成に用いるドライエッチングガスは、ガスを構成する全元素数に対するフッ素元素数の割合が80%以下であるフッ素系ガスを含有しているものとした。
【選択図】 なし
Description
本発明は、液晶ディスプレイなどの表示デバイスの製造方法に関し、特に、アルミニウム合金層と透明電極層とがコンタクトホールを介して直接接合された構造を有する表示デバイスの製造技術に関する。
近年、液晶ディスプレイは、様々な電子機器の表示に使用されており、この液晶ディスプレイを構成する表示デバイスの開発は目覚ましく進行している。この液晶ディスプレイの表示デバイスとしては、例えば薄膜トランジスター(Thin Film Transistor、以下、TFTと略称する)が知られており、このTFTを構成する配線材料としては、アルミニウム(Al)合金が用いられている。
TFTなどの表示デバイスを製造する場合、配線又は電極を構成する電極はアルミニウム合金薄膜により形成されるが、このアルミニウム合金薄膜による電極(以下、アルミニウム合金層と称す)を形成する際には、従来、ITOやIZOなどの透明電極層とアルミニウム合金層との接合界面に、MoやCrなどから形成される、いわゆるコンタクトバリアー層(或いは、キャップ層と呼ばれる)が設けられていた(例えば、非特許文献1参照)。
内田龍男 編著,「次世代液晶ディスプレイ技術」,初版,株式会社 工業調査会,1994年11月1日,p.36−38
内田龍男 編著,「次世代液晶ディスプレイ技術」,初版,株式会社 工業調査会,1994年11月1日,p.36−38
このコンタクトバリアー層を介在させると、アルミニウム合金層と透明電極層との酸化還元電位値の相違により生じる、電気化学的反応を抑制し、接合界面の破壊やコンタクト抵抗値の増加を防止できるのである。しかし、このコンタクトバリアー層を設ける場合、表示デバイス構造が自ずと複雑になり、生産コストの増加に繋がる傾向となる。また、最近は、コンタクトバリアー層を構成する材料の中のCrの使用を排除する市場動向もあり、コンタクトバリアー層の形成技術に大きな制約が生じ始めている。
そのため、最近では、コンタクトバリアー層を省略し、アルミニウム合金層と透明電極層との直接接合が可能となる、表示デバイス構造が提案されている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)
特開2004−214606号公報
特開2003−89864号公報
しかしながら、例えば、特許文献1に開示された表示デバイス構造においては、直接接合した際のコンタクト抵抗値がやや大きく、実用上的には更に改善する余地がある。また、本出願人の提案した特許文献2に開示された先行技術についても同様に、コンタクトバリアー層を省略した際の問題、つまり、透明電極層とアルミニウム合金層とを直接接合するための製造工程上の問題については、具体的な検討が十分にされていないのが現状である。
本発明は、以上のような事情を背景になされたものであり、アルミニウム合金層と透明電極層とがコンタクトホールを介して直接接合された構造を有する表示デバイスにおいて、そのコンタクト抵抗値を増加させることのない、表示デバイスの製造技術を提案することが目的である。
本発明者らは、上記課題を解決すべく、透明電極層との直接接合が可能なアルミニウム合金を用いたアルミニウム合金層上に形成したSiNxなどの絶縁層にコンタクトホールを形成する際のドライエッチング処理や、絶縁層に被覆したレジストの剥離処理に関し、種々の検討を行った。その結果、コンタクトホール形成時のドライエッチングガスとレジストの剥離液を工夫することで、コンタクトホールを介した直接接合におけるコンタクト抵抗値を確実に低い状態にできることを見出し、本発明を想到した。
本発明は、基板に形成されたアルミニウム合金層上に、絶縁層を形成し、該絶縁層にレジストを被覆してドライエッチングにてコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールを介して透明電極層と前記アルミニウム合金層とを直接接合させる工程を備える表示デバイスの製造方法において、コンタクトホールの形成に用いるドライエッチングガスは、ガスを構成する全元素数に対するフッ素元素数の割合が80%以下であるフッ素系ガスを含有しているものとした。
アルミニウム合金層は、主成分であるアルミニウムが非常に活性な特性を有するため、絶縁層にコンタクトホールを形成するときに用いるドライエッチングガスと接触すると、アルミニウム合金層の表面にガスとの反応で生じるアルミニウム化合物が形成される。特に、TFTなどの表示デバイスの製造においては、フッ素を含むパーフルオロカーボン(以下、PFC略す)系ガスやハイドロフルオロカーボン(HFC)系ガスが多用されているが、このようなドライエッチングガスを用いると、コンタクトホールを形成した際の露出したアルミニウム合金層の表面にはフッ化アルミニウムが形成されることが知られている。このようなフッ化物は、透明電極層との直接接合した際に、その接合界面に存在することになり、これがコンタクト抵抗値の増大と考えられた。
そこで、本発明者等は、ドライエッチング時のガス成分に着目し、ガス中のフッ素の割合がなるべく少なく、フッ化アルミニウムの形成が少ないドライエッチングガスとして、ガスを構成する全元素数に対するフッ素元素数の割合が80%以下であるフッ素系ガスを使用したところ、コンタクト抵抗値を非常に低い状態の表示デバイスが製造できたのである。
本発明のドライエッチングガスである、ガスを構成する全元素数に対するフッ素元素数の割合が80%以下であるフッ素系ガスとしては具体的には、CF4、C2F6、C3F8、C4F8、C5F12、C2F4、C3F6、C5F8などのPFC系ガスを用いることができる。無機ハロゲンガスSF6(ガスの構成全元素数に対するフッ素元素数の割合が80%超えている)のような、ドライエッチングガスを用いると、コンタクト抵抗値が増加する傾向が著しくなる。尚、本発明に係る表示デバイスの製造方法において、ドライエッチングガス中に、酸素、窒素、水素、アルゴンなどのガスを含有させて、ガス濃度の均一性を維持し、コンタクトホールの形成能力を制御することは適宜対応することができる。
本発明におけるフッ素系ガスとしてはPFC系ガスが好ましく、実用上CF4ガスであることが特に望ましい。コンタクト抵抗値を確実に低い値に維持できることが確認されたからである。
また、本発明に係る表示デバイスの製造方法においては、コンタクトホール形成後に行うレジストの剥離は、有機アミンおよび/または極性溶剤を含む剥離液を用いることが好ましい。
コンタクトホール形成後においては、絶縁層に被覆されたレジストの剥離処理を行うが、コンタクトホール内には、ドライエッチングにより生じたレジストや絶縁層の反応生成物が残存し、このような残渣を確実に除去することが低コンタクト抵抗値を実現するために必要となる。そして、レジストの剥離処理の際には、コンタクトホール内のアルミニウム合金層表面に大きなダメージを与えないことも低コンタクト抵抗値を実現するために必要であると考えられる。
そこで、種々のレジスト剥離液を検討したところ、有機アミン或いは極性溶剤を含む剥離液が、低コンタクト抵抗値を実現するのに、非常に好適であることが判明した。この有機アミンとしては、アルカノールアミン、2−アミノエタノールなどが挙げられ、極性溶剤としては、ジメチルスルフォキシド、アセトンなどが挙げられる。そして、この有機アミンと極性溶剤とは、ともに混在していても、それぞれ単独で含有されている剥離液でも構わない。
本発明に係る表示デバイスの製造方法においては、実用上、極性溶剤としてジメチルスルフォキシド(以下、DMSOと略す)を用いることが好ましい。DMSOを含む剥離液であると、コンタクト抵抗値を確実に低い値に維持できることが確認されたからである。また、極性溶媒としてのDMSOを含む剥離液については、液中のDMSO濃度が5wt%以上であることが望ましい。
上述した本発明に係る表示デバイスの製造方法は、アルミニウム合金層がAl−Ni系合金からなる場合に特に有効である。アルミニウムに、ニッケルを含有したAl−Ni系合金は、透明電極層と直接接合した際の接合特性に優れており、本発明の製法によりコンタクトホールを形成し該コンタクトホールを介して透明電極層と前記アルミニウム合金層とを直接接合させても、低いコンタクト抵抗値を確実に実現できるからである。
以上のように、本発明によれば、アルミニウム合金層と透明電極層とがコンタクトホールを介して直接接合された構造を有する表示デバイスにおいて、コンタクトホールを介した直接接合におけるコンタクト抵抗値が低い表示デバイスを容易に製造可能となる。
以下、本発明に関する最良の実施形態について説明する。
第一実施形態:この第一実施形態では、コンタクトホール形成後の剥離液の相違によるコンタクト抵抗値について調べた結果について説明する。本実施形態では、アルミニウム合金層としてAl−0.4at%B−5.0at%NiのAl−Ni系合金を用い、透明電極層としてITO(組成In2O3−10wt%SnO2)を採用した。また、コンタクトホール形成は次のようにして行った。
第一実施形態:この第一実施形態では、コンタクトホール形成後の剥離液の相違によるコンタクト抵抗値について調べた結果について説明する。本実施形態では、アルミニウム合金層としてAl−0.4at%B−5.0at%NiのAl−Ni系合金を用い、透明電極層としてITO(組成In2O3−10wt%SnO2)を採用した。また、コンタクトホール形成は次のようにして行った。
まず、ガラス基板上に、前記組成のAl合金ターゲットを用い、スパッタリング条件、投入電力3.0Watt/cm2、アルゴンガス流量100ccm、アルゴン圧力0.5Paとしてマグネトロン・スパッタリング装置を用い、厚み2000Åのアルミニウム合金層を形成した。そして、アルミニウム合金層表面にレジスト(OFPR800:東京応化工業(株))を被覆し、20μm幅回路形成用パターンフィルムを配置して露光処理をし、濃度2.38%、液温23℃のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含むアルカリ現像液(以下、TMAH現像液と略す)で現像処理をした。現像処理後、リン酸系混酸エッチング液(関東化学(株)社製)により回路形成を行い、剥離液(DMSO100wt%)によりレジストの除去を行って、20μm幅のアルミニウム合金層回路を形成した。
20μm幅のアルミニウム合金層回路を形成した基板を、純水洗浄、乾燥処理を行い、その表面にSiNxの絶縁層(厚み4200Å)を形成した。この絶縁層の成膜は、スパッタリング装置を用い、投入電力RF3.0Watt/cm2、アルゴンガス流量90ccm、窒素ガス流量10ccm、圧力0.5Pa、基板温度300℃のスパッタ条件により行った。
続いて、絶縁層表面にポジ型レジスト(東京応化工業(株)社製:TFR−970)を被覆し、10μm×10μm角のコンタクトホール開口用パターンフィルムを配置して露光処理をし、TMAH現像液により現像処理をした。そして、CF4またはSF6のドライエッチングガスを用いて、コンタクトホールを形成した。コンタクトホール形成条件は、CF4ガスの場合、CF4ガス流量50ccm、酸素ガス流量5ccm、圧力4.0Pa、出力150Wであり、SF6ガスの場合、SF6ガス流量60ccm、酸素ガス流量5ccm、圧力4.0Pa、出力125Wとした。コンタクトホール形成後、以下に示す剥離液1〜3をそれぞれ用いてレジストの除去を行った。
レジストの剥離処理
剥離液1:アセトン
剥離条件 室温、5min
剥離液2:DMSO(100wt%)
剥離条件 液温40℃、5min
剥離液3:DMSO(30wt%)+2−アミノエタノール(70wt%)
剥離条件 液温60℃、5min
剥離液1:アセトン
剥離条件 室温、5min
剥離液2:DMSO(100wt%)
剥離条件 液温40℃、5min
剥離液3:DMSO(30wt%)+2−アミノエタノール(70wt%)
剥離条件 液温60℃、5min
上記した剥離液1及び2によりレジストの剥離処理を行った各評価サンプルは、残存する剥離液を水洗除去した後、乾燥処理を行った。剥離液3によりレジストの剥離処理を行った各評価サンプルついては、イソプロピルアルコールを用いて残存する剥離液を除去した後、水洗、乾燥処理を行った。
そして、このレジストの剥離処理が終了した各サンプルに対し、ITOターゲット(組成In2O3−10wt%SnO2)を用いて、コンタクトホール内及びその周囲にITOの透明電極層を形成した。透明電極層の形成は、スパッタリング(基板温度70℃、投入電力1.8Watt/cm2、アルゴンガス流量80ccm、酸素ガス流量0.7ccm、圧力0.37Pa)を行い、厚み1000ÅのITO膜を形成した。
このITO膜表面にレジスト(OFPR800:東京応化工業(株)社製)を被覆し、パターンフィルムを配置して露光処理をし、濃度2.38%、液温23℃のTMAH現像液で現像処理をし、しゅう酸系混酸エッチング液(関東化学(株)社製ITO05N)により20μm幅回路の形成を行った。ITO膜回路形成後、剥離液(DMSO100wt%)によりレジストを除去した。
以上のような手順により、コンタクトホールを形成し、コンタクトホールを介してアルミニウム合金層と透明電極層とが直接接合された評価サンプルについて、そのコンタクト抵抗値を測定した。その測定結果を表1に示す。このコンタクト抵抗値の測定法は、図1に示すような四端子法に基づき、評価サンプルである素子を大気中、250℃、30minのアニール処理後、各評価サンプルの抵抗値測定を行った。尚、このコンタクト抵抗値については、同一条件で、4個の評価サンプルを製造し、それぞれについて測定した。
表1には、2種のドライエッチングガスに関し、剥離液1〜3を用いた場合の全ての結果を示している。表1で示すように、ドライエッチングガスがSF6の場合、明らかにCF4ガスに比べて、コンタクト抵抗値が大きくなる傾向が確認された。一方、PFC系ガスであるCF4の場合、コンタクト抵抗値は基本的に低い状態であることが認められ、特に、DMSOを含有する剥離液を使用した場合には、非常に小さな値のコンタクト抵抗値を実現できることが判明した。
続いて、アルミニウム合金層組成について調べた結果を説明する。上記したAl−Ni系合金のアルミニウム合金層と比較するため、Al−2.0at%Nd合金を用い、透明電極層としてITO(組成In2O3−10wt%SnO2)を採用して、コンタクトホールを形成し、アニール後のコンタクト抵抗値の測定を行った。成膜条件、コンタクトホールの形成条件、剥離条件、抵抗値の測定は上記条件と同様にした。また、このAl−Nd合金のアルミニウム合金層については、上記剥離液3、ドライエッチングガスCF4におけるコンタクト抵抗値の測定を行った。
その結果、Al−Nd合金のアルミニウム合金層の場合(剥離液3、CF4)、4個の評価サンプルのコンタクト抵抗値は、531Ω、17100Ω、467Ω、2870Ωであり、平均5242Ωであった。表1に示すAl−Ni系合金のアルミニウム合金層の結果(剥離液3、CF4)に比べ、かなり大きな値のコンタクト抵抗値となっていた。Al−Ni系合金に比べAl−Nd合金のコンタクト抵抗値が大きくなった理由は、Al−Nd合金のアルミニウム合金層とITOの透明電極層との直接接合においてはオーミック接合とならず、ダイオード特性を示す接合状態になっており、素子のアニール処理を行った際に、接合界面においてITO側の酸素をAl−Nd合金が奪い、接合界面に酸化層を形成し、MIM(金属−絶縁物−金属)構造を形成するためと推測される。
第二実施形態:この第二実施形態では、透明電極層を形成するITO膜組織の違いによるコンタクト抵抗値について調査した結果を説明する。本実施形態の透明電極層としては、非結晶ITO(AMO−ITO)、多結晶ITO(Poly−ITO)の二種類の組織について調べた。アルミニウム合金層としては、第一実施形態と同様のAl−0.4at%B−5.0at%Ni合金を用いた。コンタクトホール形成条件については、第一実施形態と基本的に同じである。但し、AMO−ITOの形成条件は、スパッタリング(基板温度100℃、投入電力1.8Watt/cm2、アルゴンガス流量80ccm、酸素ガス流量0.7ccm、圧力0.37Pa)とした。また、Poly−ITOの形成条件は、スパッタリング(基板温度250℃、投入電力1.8Watt/cm2、アルゴンガス流量80ccm、酸素ガス流量1.9ccm、圧力0.37Pa)とした。また、コンタクトホール形成後のレジスト剥離処理は、上記第一実施形態の剥離液2を用いた。尚、その他各成膜条件、厚み、回路幅、フォトリソグラフィー処理、コンタクト抵抗値の測定などについては、第一実施形態の場合と同様である。表2にコンタクト抵抗値の測定結果を示す。
表2に示すように、ITO膜の組織の相違により、コンタクト抵抗値が変化することが判明した。特に、ITO膜が非晶質のもの、即ちアモルファスのITO膜であると、コンタクト抵抗値が小さくなることが判明した。
Claims (5)
- 基板に形成されたアルミニウム合金層上に、絶縁層を形成し、該絶縁層にレジストを被覆してドライエッチングにてコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールを介して透明電極層と前記アルミニウム合金層とを直接接合させる工程を備える表示デバイスの製造方法において、
コンタクトホールの形成に用いるドライエッチングガスは、ガスを構成する全元素数に対するフッ素元素数の割合が80%以下であるフッ素系ガスを含有していることを特徴とする表示デバイスの製造方法。 - フッ素系ガスは、CF4ガスである請求項1に記載の表示デバイスの製造方法。
- コンタクトホール形成後に行うレジストの剥離は、有機アミンおよび/または極性溶剤を含む剥離液を用いる請求項1又は請求項2に記載の表示デバイスの製造方法。
- 極性溶剤が、ジメチルスルフォキシド(DMSO)である請求項3に記載の表示デバイスの製造方法。
- アルミニウム合金層は、Al−Ni系合金からなる請求項1〜請求項4いずれかに記載の表示デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005261395A JP2007073848A (ja) | 2005-09-08 | 2005-09-08 | 表示デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005261395A JP2007073848A (ja) | 2005-09-08 | 2005-09-08 | 表示デバイスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007073848A true JP2007073848A (ja) | 2007-03-22 |
Family
ID=37935018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005261395A Pending JP2007073848A (ja) | 2005-09-08 | 2005-09-08 | 表示デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007073848A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009245746A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Teijin Ltd | 導電性積層体 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05304129A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | シリコン酸化膜ドライエッチングの後処理方法 |
JP2004214606A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-29 | Kobe Steel Ltd | 表示デバイスおよびその製法、ならびにスパッタリングターゲット |
-
2005
- 2005-09-08 JP JP2005261395A patent/JP2007073848A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05304129A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | シリコン酸化膜ドライエッチングの後処理方法 |
JP2004214606A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-29 | Kobe Steel Ltd | 表示デバイスおよびその製法、ならびにスパッタリングターゲット |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009245746A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Teijin Ltd | 導電性積層体 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI583776B (zh) | 蝕刻劑組合物、金屬圖案的形成方法和陣列基板的製法 | |
JP2019165240A (ja) | エッチング液組成物 | |
TW200820352A (en) | Method of manufacturing a thin-film transistor substrate | |
WO2010016350A1 (ja) | 残渣剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の洗浄方法 | |
TWI586838B (zh) | 金屬圖案的形成方法和陣列基板的製法 | |
JP4180102B2 (ja) | 反射膜用Al−Ni−B合金材料 | |
KR101647838B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법 | |
JP4657882B2 (ja) | 表示デバイスの素子構造 | |
JP5022364B2 (ja) | 配線用積層膜及び配線回路 | |
US20210225903A1 (en) | Etching method, manufacturing method of thin film transistor, process device and display device | |
JP4800236B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置 | |
WO2020147575A1 (zh) | 薄膜晶体管的制备方法及显示装置 | |
JP2007072325A (ja) | 表示デバイスの製造方法 | |
JP2007073848A (ja) | 表示デバイスの製造方法 | |
JPWO2008050710A1 (ja) | 表示デバイスの素子構造及びその製造方法 | |
JP2007109916A (ja) | 素子の製造方法 | |
JP4122971B2 (ja) | ウエットエッチング剤組成物 | |
JP2007258553A (ja) | 表示デバイスの製造方法 | |
WO2021102661A1 (zh) | 一种光阻剥离液的隔离结构、tft阵列及其制备方法 | |
KR20110047130A (ko) | 식각액 조성물 | |
JP2008078243A (ja) | 素子の接合構造 | |
JPWO2007086280A1 (ja) | 積層構造及びそれを用いた電気回路用電極 | |
KR101151952B1 (ko) | 인듐산화막의 식각용액 및 그 식각방법 | |
KR101406671B1 (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법 | |
TWI730911B (zh) | 阻劑剝離液 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080318 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100219 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100924 |