CN1315003C - 电子器件及其制造方法、溅射靶 - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3940385B2 (ja) 2002-12-19 2007-07-04 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスおよびその製法
JP2005086118A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP4646912B2 (ja) * 2004-03-25 2011-03-09 三井金属鉱業株式会社 薄膜回路の接合構造
JP2005303003A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Kobe Steel Ltd 表示デバイスおよびその製法
KR100590270B1 (ko) * 2004-05-11 2006-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
JP4541787B2 (ja) * 2004-07-06 2010-09-08 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス
JP4974493B2 (ja) * 2004-08-20 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
KR101136026B1 (ko) * 2004-09-24 2012-04-18 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트용 박리제 및 상기 박리제를 이용한 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법
CN100523923C (zh) * 2004-10-06 2009-08-05 夏普株式会社 液晶显示器
US20060081464A1 (en) * 2004-10-19 2006-04-20 Kobelco Research Institute, Inc. Backing plates for sputtering targets
JP4330517B2 (ja) * 2004-11-02 2009-09-16 株式会社神戸製鋼所 Ｃｕ合金薄膜およびＣｕ合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ
KR101351198B1 (ko) * 2005-01-12 2014-01-14 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 Ａｌ배선을 구비한 투명 도전막 적층 회로 기판 및 그의 제조 방법, 및 산화물 투명 도전막 재료
JP2006195077A (ja) * 2005-01-12 2006-07-27 Idemitsu Kosan Co Ltd Ａｌ配線を備えた透明導電膜積層基板及びその製造方法。
JP4579709B2 (ja) 2005-02-15 2010-11-10 株式会社神戸製鋼所 Ａｌ−Ｎｉ−希土類元素合金スパッタリングターゲット
JP2008124499A (ja) * 2005-02-17 2008-05-29 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット
JP4117001B2 (ja) 2005-02-17 2008-07-09 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット
CN100511687C (zh) * 2005-02-17 2009-07-08 株式会社神户制钢所 显示器和用于制备该显示器的溅射靶
JP2006236839A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Mitsubishi Electric Corp 有機電界発光型表示装置
JP2006316339A (ja) * 2005-04-12 2006-11-24 Kobe Steel Ltd Ａｌ系スパッタリングターゲット
JP2007186779A (ja) * 2005-04-26 2007-07-26 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Ａｌ−Ｎｉ−Ｂ合金配線材料及びそれを用いた素子構造
WO2006117884A1 (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Ａｌ－Ｎｉ－Ｂ合金配線材料及びそれを用いた素子構造
JP3979605B2 (ja) * 2005-04-26 2007-09-19 三井金属鉱業株式会社 Ａｌ−Ｎｉ−Ｂ合金配線材料及びそれを用いた素子構造
WO2006117954A1 (ja) 2005-04-26 2006-11-09 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Ａｌ－Ｎｉ－Ｂ合金配線材料及びそれを用いた素子構造
JP4542008B2 (ja) * 2005-06-07 2010-09-08 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス
US7683370B2 (en) 2005-08-17 2010-03-23 Kobe Steel, Ltd. Source/drain electrodes, transistor substrates and manufacture methods, thereof, and display devices
JP2009016862A (ja) * 2005-08-17 2009-01-22 Kobe Steel Ltd ソース−ドレイン電極、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示デバイス
JP2008010801A (ja) * 2005-08-17 2008-01-17 Kobe Steel Ltd ソース−ドレイン電極、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示デバイス
JP2007081385A (ja) * 2005-08-17 2007-03-29 Kobe Steel Ltd ソース−ドレイン電極、トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示デバイス
US7411298B2 (en) * 2005-08-17 2008-08-12 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Source/drain electrodes, thin-film transistor substrates, manufacture methods thereof, and display devices
JP2007073848A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 表示デバイスの製造方法
JP2007109916A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 素子の製造方法
JP2007123672A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Mitsubishi Electric Corp 導電体構造、導電体構造の製造方法、素子基板および素子基板の製造方法
JP4117002B2 (ja) 2005-12-02 2008-07-09 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
US20070161165A1 (en) * 2006-01-12 2007-07-12 Toppoly Optoelectronics Corp. Systems and methods involving thin film transistors
US20090022982A1 (en) * 2006-03-06 2009-01-22 Tosoh Smd, Inc. Electronic Device, Method of Manufacture of Same and Sputtering Target
CN101395296B (zh) 2006-03-06 2012-03-28 陶斯摩有限公司 溅射靶
US8097100B2 (en) * 2006-04-03 2012-01-17 Praxair Technology, Inc. Ternary aluminum alloy films and targets for manufacturing flat panel displays
JP4728170B2 (ja) 2006-05-26 2011-07-20 三菱電機株式会社 半導体デバイスおよびアクティブマトリクス型表示装置
US7781767B2 (en) 2006-05-31 2010-08-24 Kobe Steel, Ltd. Thin film transistor substrate and display device
JP5214858B2 (ja) * 2006-06-22 2013-06-19 三菱電機株式会社 Ｔｆｔアレイ基板及びその製造方法
JP5000937B2 (ja) 2006-06-30 2012-08-15 三菱電機株式会社 半導体デバイスの製造方法
JPWO2008018478A1 (ja) * 2006-08-09 2009-12-24 三井金属鉱業株式会社 素子の接合構造
JP2008098611A (ja) * 2006-09-15 2008-04-24 Kobe Steel Ltd 表示装置
JP4280277B2 (ja) * 2006-09-28 2009-06-17 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスの製法
KR101043508B1 (ko) 2006-10-13 2011-06-23 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 박막 트랜지스터 기판 및 표시 디바이스
WO2008047667A1 (fr) * 2006-10-16 2008-04-24 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Film multicouche pour câblage et réalisation câblée
US8003218B2 (en) 2006-10-16 2011-08-23 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd Al-Ni-B alloy material for reflective film
JP2008127623A (ja) 2006-11-20 2008-06-05 Kobelco Kaken:Kk Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4377906B2 (ja) 2006-11-20 2009-12-02 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法
JP4170367B2 (ja) 2006-11-30 2008-10-22 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス用Ａｌ合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット
JP4355743B2 (ja) * 2006-12-04 2009-11-04 株式会社神戸製鋼所 Ｃｕ合金配線膜とそのＣｕ合金配線膜を用いたフラットパネルディスプレイ用ＴＦＴ素子、及びそのＣｕ合金配線膜を作製するためのＣｕ合金スパッタリングターゲット
JP2008172051A (ja) * 2007-01-12 2008-07-24 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4705062B2 (ja) * 2007-03-01 2011-06-22 株式会社神戸製鋼所 配線構造およびその作製方法
KR100853545B1 (ko) 2007-05-15 2008-08-21 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
JP2009004518A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板、および表示デバイス
JP2009010052A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 表示装置の製造方法
JP2009008768A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 表示装置の製造方法
JP2009008770A (ja) 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 積層構造およびその製造方法
US20090001373A1 (en) * 2007-06-26 2009-01-01 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd.) Electrode of aluminum-alloy film with low contact resistance, method for production thereof, and display unit
JP2009010051A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 表示装置の製造方法
JP5143649B2 (ja) 2007-07-24 2013-02-13 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP5215620B2 (ja) 2007-09-12 2013-06-19 三菱電機株式会社 半導体デバイス、表示装置及び半導体デバイスの製造方法
JP2009076536A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Mitsubishi Electric Corp Ａｌ合金膜、電子デバイス及び電気光学表示装置用アクティブマトリックス基板
JP2009111201A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Mitsubishi Electric Corp 積層導電膜、電気光学表示装置及びその製造方法
JP2008124483A (ja) * 2007-12-03 2008-05-29 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
JP4611418B2 (ja) * 2007-12-26 2011-01-12 株式会社神戸製鋼所 表示装置の製造方法
JP4611417B2 (ja) 2007-12-26 2011-01-12 株式会社神戸製鋼所 反射電極、表示デバイス、および表示デバイスの製造方法
JP4469913B2 (ja) 2008-01-16 2010-06-02 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
JP5007246B2 (ja) 2008-01-31 2012-08-22 三菱電機株式会社 有機電界発光型表示装置及びその製造方法
CN101911232B (zh) * 2008-02-22 2014-03-12 株式会社神户制钢所 触摸屏传感器
JP2009282504A (ja) * 2008-03-31 2009-12-03 Kobe Steel Ltd 表示デバイス
JP5139134B2 (ja) 2008-03-31 2013-02-06 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
US20110008640A1 (en) * 2008-03-31 2011-01-13 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd.) Display device, process for producing the display device, and sputtering target
JP5432550B2 (ja) * 2008-03-31 2014-03-05 株式会社コベルコ科研 Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2010123754A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Kobe Steel Ltd 表示装置およびその製造方法
JP5475260B2 (ja) * 2008-04-18 2014-04-16 株式会社神戸製鋼所 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置
TWI395333B (zh) 2008-04-23 2013-05-01 神戶製鋼所股份有限公司 An aluminum alloy film for a display device, a display device, and a sputtering target
JP2009282514A (ja) * 2008-04-24 2009-12-03 Kobe Steel Ltd 表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
JP5584436B2 (ja) * 2008-07-03 2014-09-03 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板の製造方法
WO2010004783A1 (ja) * 2008-07-07 2010-01-14 三井金属鉱業株式会社 Ａｌ－Ｎｉ系合金配線電極材料
JP2010065317A (ja) * 2008-08-14 2010-03-25 Kobe Steel Ltd 表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜
US9082857B2 (en) 2008-09-01 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer
JP5368806B2 (ja) * 2009-01-13 2013-12-18 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ａｌ合金膜および表示装置
JP2010134458A (ja) * 2008-11-05 2010-06-17 Kobe Steel Ltd 表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
CN102197335A (zh) * 2008-11-05 2011-09-21 株式会社神户制钢所 显示装置用Al合金膜、显示装置和溅射靶
JP5357515B2 (ja) * 2008-11-05 2013-12-04 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
JP2010135300A (ja) * 2008-11-10 2010-06-17 Kobe Steel Ltd 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極およびその製造方法
JP2009105424A (ja) * 2008-12-12 2009-05-14 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
JP4567091B1 (ja) 2009-01-16 2010-10-20 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ｃｕ合金膜および表示装置
JP2010181839A (ja) * 2009-02-09 2010-08-19 Kobe Steel Ltd 表示デバイスの製造方法
TWI437697B (zh) * 2009-07-27 2014-05-11 神戶製鋼所股份有限公司 Wiring structure and a display device having a wiring structure
JP2011035153A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
WO2011021439A1 (ja) 2009-08-21 2011-02-24 シャープ株式会社 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
JP5235011B2 (ja) * 2009-11-16 2013-07-10 株式会社神戸製鋼所 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極
JP5179604B2 (ja) * 2010-02-16 2013-04-10 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ａｌ合金膜
JP2011222567A (ja) 2010-04-02 2011-11-04 Kobe Steel Ltd 配線構造、表示装置、および半導体装置
JP2012027159A (ja) 2010-07-21 2012-02-09 Kobe Steel Ltd 表示装置
EP2426720A1 (en) * 2010-09-03 2012-03-07 Applied Materials, Inc. Staggered thin film transistor and method of forming the same
JP5416681B2 (ja) * 2010-12-01 2014-02-12 株式会社神戸製鋼所 タッチパネルセンサーおよびその製造方法
JP5416683B2 (ja) * 2010-12-01 2014-02-12 株式会社神戸製鋼所 タッチパネルセンサーおよびその製造方法
JP5416682B2 (ja) * 2010-12-01 2014-02-12 株式会社神戸製鋼所 タッチパネルセンサーおよびその製造方法
CN102485946A (zh) * 2010-12-02 2012-06-06 比亚迪股份有限公司 用于后视镜的靶材、后视镜及其制造方法
JP2012180540A (ja) 2011-02-28 2012-09-20 Kobe Steel Ltd 表示装置および半導体装置用Ａｌ合金膜
JP5524905B2 (ja) 2011-05-17 2014-06-18 株式会社神戸製鋼所 パワー半導体素子用Ａｌ合金膜
JP5303008B2 (ja) * 2011-07-19 2013-10-02 株式会社神戸製鋼所 半導体素子及び半導体素子の製造方法
JP2013084907A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Kobe Steel Ltd 表示装置用配線構造
JP2013083758A (ja) * 2011-10-07 2013-05-09 Sony Corp 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器
CN103959470B (zh) 2012-01-17 2016-08-24 株式会社日本有机雷特显示器 薄膜晶体管阵列装置以及使用它的el显示装置
CN102707349B (zh) * 2012-03-31 2015-07-29 深圳市华星光电技术有限公司 反射型液晶显示器的反射层的制造方法
CN104185365B (zh) * 2013-05-23 2018-06-26 比亚迪股份有限公司 一种线路板及其制备方法
US9735177B2 (en) 2013-08-23 2017-08-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, method for manufacturing the same and display device
CN103441129A (zh) * 2013-08-23 2013-12-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置
CN105511679B (zh) * 2015-12-25 2019-04-30 上海天马微电子有限公司 玻璃基板、触控显示屏及触控压力计算方法
CN105586576A (zh) * 2016-02-04 2016-05-18 东莞沙头朝日五金电子制品有限公司 一种镀制pvd防菌膜的方法
JP6647898B2 (ja) * 2016-02-05 2020-02-14 株式会社コベルコ科研 紫外線反射膜およびスパッタリングターゲット
JP2018032601A (ja) * 2016-08-26 2018-03-01 株式会社神戸製鋼所 反射電極およびＡｌ合金スパッタリングターゲット
US11261533B2 (en) * 2017-02-10 2022-03-01 Applied Materials, Inc. Aluminum plating at low temperature with high efficiency
CN106981426B (zh) * 2017-04-06 2020-04-03 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管的制备方法、显示装置
CN107369706A (zh) * 2017-07-17 2017-11-21 华南理工大学 一种显示用电子器件铜合金电极及其制备方法
JP2019102896A (ja) * 2017-11-29 2019-06-24 株式会社神戸製鋼所 アルミニウム合金膜
JP6842562B2 (ja) * 2018-06-28 2021-03-17 株式会社アルバック アルミニウム合金膜、その製造方法、及び薄膜トランジスタ
KR102329426B1 (ko) 2020-01-03 2021-11-24 와이엠씨 주식회사 배선전극용 합금 조성물 및 그의 제조방법
KR102329427B1 (ko) 2020-01-03 2021-11-24 와이엠씨 주식회사 배선전극용 합금 조성물 및 그의 제조방법
JP2022094534A (ja) * 2020-12-15 2022-06-27 富士通株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
CN115000083B (zh) * 2022-05-17 2025-04-29 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板和显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11337976A (ja) * 1998-03-26 1999-12-10 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板及びこのアレイ基板を備えた平面表示装置
JP2001018557A (ja) * 1999-07-09 2001-01-23 Toppan Forms Co Ltd カード付き重ね合わせ葉書
US6218206B1 (en) * 1998-03-31 2001-04-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for producing thin film transistor and thin film transistor using the same
US6252247B1 (en) * 1998-03-31 2001-06-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Thin film transistor, a method for producing the thin film transistor, and a liquid crystal display using a TFT array substrate
JP2001345445A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Nec Corp 半導体装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US294219A (en) * 1884-02-26 Oscillating engine
US294221A (en) * 1884-02-26 Circular saw mill
US292780A (en) * 1884-02-05 William w
US3716469A (en) * 1970-12-17 1973-02-13 Cogar Corp Fabrication method for making an aluminum alloy having a high resistance to electromigration
JPH04116829A (ja) * 1990-09-06 1992-04-17 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
EP0573002A1 (en) 1992-06-03 1993-12-08 Ryoka Matthey Corporation Sputtering target, wiring method for electronic devices and electronic device
WO1995002900A1 (en) * 1993-07-15 1995-01-26 Astarix, Inc. Aluminum-palladium alloy for initiation of electroless plating
JP2733006B2 (ja) * 1993-07-27 1998-03-30 株式会社神戸製鋼所 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット
JP3213196B2 (ja) 1995-03-08 2001-10-02 日本アイ・ビー・エム株式会社 配線材料、金属配線層の形成方法
EP0855451A4 (en) 1995-10-12 1999-10-06 Toshiba Kk WIRE FILM, SPUTTER TARGET FOR THE PRODUCTION OF THE WIRE FILM AND ELECTRONIC PARTS USING THIS
CN100392867C (zh) * 1996-06-06 2008-06-04 精工爱普生株式会社 薄膜晶体管的制造方法、使用该方法的液晶显示装置和电子设备
JP3365954B2 (ja) * 1997-04-14 2003-01-14 株式会社神戸製鋼所 半導体電極用Ａｌ−Ｎｉ−Ｙ 合金薄膜および半導体電極用Ａｌ−Ｎｉ−Ｙ 合金薄膜形成用スパッタリングターゲット
US5849639A (en) * 1997-11-26 1998-12-15 Lucent Technologies Inc. Method for removing etching residues and contaminants
JP2000150652A (ja) * 1998-09-03 2000-05-30 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3825191B2 (ja) * 1998-12-28 2006-09-20 株式会社神戸製鋼所 アルミニウム合金スパッタリングターゲット材料
JP2000294556A (ja) 1999-04-05 2000-10-20 Hitachi Metals Ltd ドライエッチング性に優れたＡｌ合金配線膜およびＡｌ合金配線膜形成用ターゲット
JP3619192B2 (ja) * 1999-08-19 2005-02-09 三井金属鉱業株式会社 アルミニウム合金薄膜及びターゲット材並びにそれを用いた薄膜形成方法
JP2001350159A (ja) 2000-06-06 2001-12-21 Hitachi Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP2002296804A (ja) * 2001-03-30 2002-10-09 Nippon Zeon Co Ltd レジスト用剥離液およびこれを用いたレジスト剥離方法
JP4783525B2 (ja) * 2001-08-31 2011-09-28 株式会社アルバック 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット
JP2003089864A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材
JP3940385B2 (ja) 2002-12-19 2007-07-04 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスおよびその製法
JP4280277B2 (ja) 2006-09-28 2009-06-17 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスの製法
JP2008127623A (ja) 2006-11-20 2008-06-05 Kobelco Kaken:Kk Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4377906B2 (ja) 2006-11-20 2009-12-02 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11337976A (ja) * 1998-03-26 1999-12-10 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板及びこのアレイ基板を備えた平面表示装置
US6218206B1 (en) * 1998-03-31 2001-04-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for producing thin film transistor and thin film transistor using the same
US6252247B1 (en) * 1998-03-31 2001-06-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Thin film transistor, a method for producing the thin film transistor, and a liquid crystal display using a TFT array substrate
JP2001018557A (ja) * 1999-07-09 2001-01-23 Toppan Forms Co Ltd カード付き重ね合わせ葉書
JP2001345445A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Nec Corp 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US7154180B2 (en) 2006-12-26
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KR20040054590A (ko) 2004-06-25
US20060237849A1 (en) 2006-10-26

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