CN1287428C - 保护带条的粘贴方法与装置 - Google Patents

保护带条的粘贴方法与装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1287428C
CN1287428C CNB031027393A CN03102739A CN1287428C CN 1287428 C CN1287428 C CN 1287428C CN B031027393 A CNB031027393 A CN B031027393A CN 03102739 A CN03102739 A CN 03102739A CN 1287428 C CN1287428 C CN 1287428C
Authority
CN
China
Prior art keywords
protection tape
tape
semiconductor wafer
wafer
diameter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB031027393A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1433055A (zh
Inventor
山本雅之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN1433055A publication Critical patent/CN1433055A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1287428C publication Critical patent/CN1287428C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386Separation by peeling
    • H01L2221/68395Separation by peeling using peeling wheel
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/12Surface bonding means and/or assembly means with cutting, punching, piercing, severing or tearing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

一保护带条被粘贴到由夹具台支承的晶片的表面上。一切割单元的刀刃尖端插入到晶片的周边的夹具台中形成的凹槽内,以使切割出直径比晶片大的保护带条。粘贴有保护带条的晶片经过背部磨削加工。随后,在一分离步骤中,通过粘贴到保护带条表面的一分离带条分离保护带条。

Description

保护带条的粘贴方法与装置
技术领域
本发明涉及一种用于将保护带条粘贴到其上形成有图形的晶片表面以及用于分离保护带条的技术。
技术背景
在一种传统的生产半导体晶片的工艺中,使用了诸如磨削或抛光之类的机械方法,或包括蚀刻的化学方法来处理半导体晶片(以下简称为“晶片”)的背面,以减小晶片的厚度。当使用这些方法来加工晶片时,为了保护其上形成有布线图的正面,需向晶片的正面粘贴一保护带条。
当晶片被送去进行背部磨削处理时,正面(有线路图的表面)由一夹具台吸附支承,而其背面由一磨床进行磨削加工。此时,一保护带条被粘贴在正面上,从而可避免由于对正面产生的磨削应力而损坏线路图,并且可避免线路图被污染。
如图1所示,粘贴在晶片表面上的保护带条的尺寸比半导体晶片的直径小。这样做是为了例如在背部磨削加工的情况下避免保护带条的凸部颤动而损坏晶片的边缘。
在背部磨削加工之后,以这种方式粘贴到晶片表面的保护带条在一分离步骤中分离。
然而,粘有保护带条并经过背部磨削加工的半导体晶片存在下列问题。
如图2所示,通过背部磨削加工而修薄的半导体晶片具有从由保护带条覆盖的部分突出的锋利的边缘。因此,当晶片被贮存在一盒子中时,这些边缘会戳入盒子的内壁。当晶片在这种状态下从盒子中取出时,晶片的边缘可能断裂,或者可能引起一个拿取误差(fetching error)。
发明内容
本发明是根据上述技术状态而作出的,其主要目的在于提供一种保护带条粘贴方法和装置以及一种保护带条分离方法,这些方法和装置可用于以便于操纵半导体晶片的方法粘贴保护带条,以及用于有效地分离粘贴的保护带条。
目前,随着高密度的安装,半导体晶片的市场已趋向于减小晶片的厚度发展。也就是说,晶片的边缘变得锋利。在传统的保护带条粘贴方法(将直径小于晶片的保护带条粘贴到晶片的表面的方法)中,晶片的边缘会戳入盒子的内壁而断裂,这使得操纵困难。发明人加强寻求一种便于操纵晶片的方法,并且注意到了保护带条的尺寸。
在传统方法中,当直径比半导体晶片大的保护带条粘贴到晶片表面并进行一背部磨削处理时,保护带条的突出部分会颤动并损坏晶片的边缘。因此,在本工业领域中,常规地是向晶片表面粘贴一直径比背部磨削加工之前的晶片小的保护带条。
然而,发明人进行了一项实验,对晶片表面上粘贴有直径较大的保护带条的晶片进行背部磨削加工,发现即使保护带条从晶片突出,保护带条也不会损坏晶片的边缘。
根据本发明,上述是通过一种用于将保护带条粘贴到其上形成有一图形的半导体晶片的表面的保护带条粘贴方法而实现的,该方法包括在为将半导体晶片作得更薄而加工所述半导体晶片的背面的步骤之前,通过将直径比所述半导体晶片大的至少一条保护带条粘贴到半导体晶片的表面上而形成多层,所述保护带条的长度直径大于修薄加工前半导体晶片的直径,从半导体晶片外边缘突出的长度在2mm之内。
在根据本发明的保护带条粘贴方法中,直径比半导体晶片大的保护带条被粘贴到半导体晶片的表面。从而,可以防止半导体晶片的边缘直径与其它物体接触。
保护带条可以通过重复这样一个过程而以多层形式粘贴上去,即,将薄片状的各保护带条大致切成半导体晶片的形状,随后,将带条粘贴到半导体晶片上。以多层形式粘贴的保护带条可以为预先大致切成半导体晶片形状的标签的形式。当薄片状的保护带条以多层形式进行切割和粘贴时,例如,首先粘贴的一层保护带条可以具有比修薄加工之前的半导体晶片小的直径,而第二层保护带条可以具有比修薄加工之前的半导体晶片大的直径。或者,保护带条的直径可以与修薄加工之前的半导体晶片的相等或比其更大。在粘贴的保护带条为预先大致切成半导体晶片形状的背面有粘胶的标签形式的情况下,首先粘贴的一层保护带条具有的直径可以比修薄加工之前的半导体晶片小,而第二层保护带条具有的直径可以比修薄加工之前的半导体晶片大。首先粘贴的一层标签形式的保护带条可以具有比修薄加工之前的半导体晶片大的直径,而第二层保护带条可以具有比修薄加工之前的半导体晶片小的直径。背面有粘胶的标签形式的保护带条的直径可以与修薄加工之前的半导体晶片相等或比其大。
通过向半导体晶片上粘贴直径比修薄加工之前的半导体晶片大的保护带条,可以防止半导体晶片的边缘直径与其它物体接触。这将便于薄形的半导体晶片的操纵,从而实现操作效率的提高。以多层形式粘贴的保护带条为半导体晶片提供了刚性,从而将进一步有利于对晶片的操纵。
根据本发明的另一个方面,上述目的是通过一种用于向其上形成有图形的半导体晶片的表面粘贴保护带条的装置而实现的,该装置包括:
一支承装置,该装置用于接纳和支承半导体晶片;
一带条进给装置,该装置用于以薄片形式向被支承的半导体晶片进给保护带条;
一粘贴装置,该装置用于使进给的保护带条粘贴到半导体晶片表面上;
一切割单元,用于重复使用所述粘贴装置将保护带条粘贴到所述半导体晶片的表面并单独切割保护带条的操作,在此过程中,该切割单元可对粘贴到半导体晶片的保护带条进行切割,以将其直径切成比半导体晶片大的尺寸;
一分离装置,该分离装置用于使切下的保护带条的不需要部分分离;以及
一收集件,该收集件可收集分离出的不需要部分。
以根据本发明的保护带条粘贴装置,保护带条可粘贴到由支承装置支承的半导体晶片的表面上。保护带条由切割单元切成直径比半导体晶片更大的尺寸。从半导体晶片突出的保护带条可用作防止半导体晶片边缘戳入盒子内壁的缓冲垫。这将保护半导体晶片的边缘以防其被损坏,并且便于对半导体晶片的操纵,从而可实现操纵效率的提高。
较佳地,支承装置具有一个与置于支承装置上的半导体晶片同一水平面的周边部分,而保护带条可被粘贴到周边部分和半导体晶片上。
由于保护带条被粘贴到支承装置的周边部分和半导体晶片上,因此,保护带条暴露出的距离减小。因此,在切割保护带条时,保护带条偏斜程度减小,由此可提高切割保护带条的精度。
根据本发明的又一个方面,上述目的是通过一种用于分离由上述保护带条粘贴方法粘贴到半导体晶片表面的保护带条的分离方法而实现的,该方法包括这样一个步骤:将分离带条粘贴到粘在所述半导体晶片表面上的保护带条上,然后,通过所述分离带条使保护带条从半导体晶片表面上分离。
在根据本发明的保护带条分离方法中,分离带条被粘贴到从半导体晶片直径突出的保护带条的表面上。通过分离此分离带条,保护带条将被一同分离。也就是说,保护带条的一凸部被折回以便于保护带条的分离。
本说明书揭示了下列方案:
(1)一种用于将半导体晶片贮存在盒子中的半导体晶片贮存方法,该方法包括这样一个步骤:在盒子中贮存粘贴有直径比半导体晶片大的保护带条的半导体晶片。
半导体晶片的生产过程中,通过使用诸如磨削法或抛光法的机械方法或者诸如蚀刻之类的化学方法来对各个半导体晶片的背面进行处理以减小晶片厚度。此时,将粘贴一保护带条以保护形成在半导体晶片(以下简称为“晶片”)表面上形成的图形。该保护带条直径比晶片小。
然而,由于薄形的晶片边缘是锋利的,因此,当它被贮存在盒子中时,晶片的边缘可能戳入盒子的内壁。当这种状态的晶片从盒子中取出时,晶片可能断裂,或者可能引起一个拿取误差。
根据上述本发明(1),表面粘贴有直径比半导体晶片大的保护带条的半导体晶片被贮存在盒子中。突出于晶片的保护带条的部分可用作缓冲垫,以防止晶片边缘戳入盒子内壁。
(2)一种用于将保护带条粘贴到其上形成有图形的半导体晶片表面的保护带条粘贴方法,该方法包括:
一支承步骤,该步骤可将半导体晶片支承在支承装置上;
一带条进给步骤,该步骤可朝被支承的半导体晶片进给保护带条;
一粘贴步骤,该步骤用于将来自带条进给步骤的保护带条粘贴到支承装置的周边部分和半导体晶片的表面上;
一切割步骤,该步骤用于以一切割单元沿保护带条的一外边缘切割粘贴的保护带条;
一分离步骤,当保护带条被切割之后,该步骤用于分离留下的不需要的带条;以及
一收集步骤,该收集步骤用于收集分离的不需要的带条。
例如,当半导体晶片通过背部加工而修薄时,预先粘贴上一层保护带条以防半导体晶片表面上的图形被污染及损坏。在粘贴保护带条的步骤中,保护带条可在有张力的情况下进行切割,而张力是通过由沿带条进给方向设置的夹持辊之类的装置夹持住保护带条而向其上施加的,这样,保护带条可以均匀地粘贴到晶片表面上。
然而,如果夹持辊设置在离晶片端部的距离(保护带条的暴露距离)较远处的话,即使当通过夹持辊向保护带条施加张力时,切割单元的刀刃尖端在切割保护带条时向保护带条的暴露部分施加一压力,也会使保护带条偏斜一个较大的角度。这将会导致切割保护带条困难。
根据上述本发明(2),保护带条被粘贴到支承装置的周边部分和半导体晶片上,以减小保护带条的暴露距离。因此,在切割保护带条时保护带条偏斜的角度较小,由此提高了切割保护带条的精度。
附图说明
为了说明本发明,附图中示出了目前若干种较佳形式,然而,需理解的是,本发明不仅限于示出的确定的配置结构和手段。
图1为示出了在背部磨削加工之前带有粘贴在其上的保护带条的晶片的局部放大视图;
图2为示出了在背部磨削加工之后状态下带有粘贴在其上的保护带条的晶片的局部放大视图;
图3为示出了根据本发明的一种带条粘贴装置的轮廓的局部剖视图;
图4为示出了在背部磨削加工之前粘贴有保护带条的晶片的局部放大视图;
图5为说明一带条粘贴过程的正视图;
图6为说明带条粘贴过程的正视图;
图7为说明带条粘贴过程的正视图;
图8为示出了其上粘贴有保护带条的晶片的剖视图;
图9为示出了在背部磨削加工之后粘贴有保护带条的晶片的局部放大视图;
图10为一种带条分离装置的轮廓的正视图;
图11为说明带条分离过程的正视图;
图12为说明带条分离过程的正视图;
图13为示出保护带条分离操作的局部放大视图;
图14为说明带条分离过程的正视图;
图15为示出一改进实施例中粘贴有多层保护带条的晶片的剖视图;以及
图16为示出一改进实施例中的一夹具台的剖视图。
具体实施方式
以下,将参照附图详细描述本发明的较佳实施例。
保护带条的粘贴方法
首先,将参照附图描述根据本发明的一种用于执行保护带条粘贴方法的带条粘贴装置。
图3为示出了带条粘贴装置的轮廓的局部剖视的视图,图4为示出了在背部磨削加工之前粘贴有保护带条的晶片的局部放大视图,而图5至图7为说明一种保护带条粘贴过程的正视图。
在本实施例中,用于向半导体晶片表面粘贴保护带条的装置1具有:一带盘2,该带盘2用于供给带有分离件S的保护带条T1;一分离件收集器5,该收集器5用于分离和收集自保护带条T1的分离件S;一夹具台7,该夹具台7上可吸附支承一半导体晶片W(以下简称为“晶片W”);一带条粘贴机构8,该机构用于将保护带条T1压至并粘贴到晶片W上;一切割单元10,该单元用于沿晶片W的周边切割晶片W上的保护带条T1;一带条分离机构11,该机构11用于从晶片W上分离不需要的带条T2;以及一带条收集件13,该收集件用于收集分离带条。
以下,将详细描述各机构的结构。
带盘2引导从带条卷筒3上抽出的带有分离件W的保护带条T1以卷绕的方式围绕一组导向辊4移动。带条卷筒3通过一垂直壁(未图示)支承,并且通过一制动机构之类的装置以阻止其转动。
分离件收集器5具有一个通过垂直壁(未图示)支承的收集卷筒6,并且它可操作地与诸如一电动机之类的一驱动装置相连。
夹具台7具有若干导销,它们用来参照一定位平面调节置于其上的晶片W的位置。凹槽7a形成在一个用于吸附支承晶片W的区域的周边,以接纳切割单元10的刀刃尖端。
带条粘贴机构8具有一个框架,该框架通过装置的主体的导轨保持并可操作地与诸如电动机之类的驱动装置(未图示)相连,以使机构8沿着带条运行方向滑动。框架旋转支承一个粘贴辊9,该粘贴辊通过气缸或之类装置(未图示)垂直摆动。因此,在粘贴辊9将保护带条T1涂敷到晶片W的表面上的同时,粘贴辊9在保护带条T1的表面上进行挤压及滚动。
切割单元10可以通过一提升机构(未图示)在一备用位置和一个用于切割保护带条T1的切割位置之间垂直移动。刀刃尖端插入到夹具台7中形成的凹槽7a内,以沿着凹槽7a切割保护带条T1。
带条分离机构11具有一个框架,该框架由装置主体的导轨保持并且可操作地与诸如电动机之类的驱动装置(未图示)相连,以使其沿带条运行方向滑动。框架转动支承一分离辊12,该分离辊通过气缸之类装置(未图示)而垂直摆动。该分离辊12设置成可使晶片W从当沿着晶片W的周边将带条切割下之后留在其上的不需要的带条T2上分离。
带条收集件13具有一个收集卷筒14,该卷筒由垂直壁(未图示)支承,并且它可操作地与诸如电动机之类的驱动装置相连。也就是说,预定量的保护带条T1从带盘2上抽出并进给到晶片W上。收集卷筒14是由驱动装置驱动的,以卷绕起切割操作之后留下的不需要的带条T2。
以下,将参照附图描述使用具有上述结构的带条粘贴装置将比晶片直径大的保护带条粘贴到晶片W表面上的方法。
本实施例使用的保护带条其表示硬度的张力系数在常温(23℃)下为500MPa。保护带条的硬度最好从50MPa至5000MPa。测量该保护带条的张力系数的条件为:样品为1平方厘米,拉动速率为50mm/min。
如图4中的晶片W的一端的放大视图所示,从晶片W的边缘突出的保护带条T1的部分Tb的长度如下。
在背部磨削加工之前凸部Tb的长度为2.0mm或更少,而在背部磨削加工之后凸部Tb′的长度为2.0mm+α(例如α=0.5mm)。α的值会根据在磨削之后晶片W的端部的倾斜产生的形状以及晶片W的厚度而适当变化。在背部磨削加工之前,凸部Tb的长度最好为1.0mm或更少。
当在背部磨削加工之前凸部Tb的长度为2.0mm或更少,而在背部磨削加工之后凸部Tb′的长度为2.0mm+α时,在背部磨削加工之前与之后从晶片W突出的保护带条T1的长度适当固定。这样,可以防止在晶片W的输送过程中晶片W的边缘与其它物体直接接触。
当凸部Tb的长度为2.0mm或更多时,凸部会在晶片W的背部磨削时颤动,由此妨碍均匀地磨削。
以下,将描述保护带条的粘贴方法。
首先,将保护带条T1设置在带条粘贴装置的带条卷筒3上。
晶片W置于带条粘贴装置的夹具台7上,并由夹具台7进行位置调节及吸附支承。此时,如图3所示,带条粘贴机构8和带条分离机构11处于左侧的初始位置中,而切割单元10处于上部的预备位置中。
在晶片W的位置调节之后,如图5所示,带条粘贴机构8的粘贴辊9向下摆动。而后,粘贴辊9沿与带条运行方向相反的方向(即,在图5中为从左到右)滚动。这样,保护带条T1可均匀地粘贴到晶片W的表面上。当带条粘贴机构8到达一终点位置时,粘贴辊9上升。
接着,如图6所示,切割单元10可下降到切割位置,并且刀刃尖端穿过保护带条T1。穿过保护带条T1的刀刃尖端沿形成在夹具台7中的凹槽7a移动。也就是说,对于直径比晶片W大且从晶片W突出的保护带条T1,保护带条T1将被切割成类似于晶片W的形状。此时,带条粘贴机构8和带条分离机构11向保护带条T1施加张力。
当切割出保护带条T1之后,切割单元10升回至如图7所示的预备位置。
接着,如图7所示,当带条分离机构11在晶片W上沿与带条运行方向相反的方向移动时,带条分离机构11可使留在晶片W上的不需要的带条T1拉起并使其分离。
当带条分离机构11到达分离操作的一终端位置时,带条分离机构11和带条粘贴机构8可沿带条运行方向移回如图3所示的初始位置。此时,不需要的带条T2由收集卷筒14卷绕起,而预定量的保护带条T2从带盘2中抽出。这样,在带条粘贴装置中将保护带条T1粘贴到晶片W上的操作结束。
如图4和图8所示,粘贴有保护带条T1的晶片W具有从其边缘突出的保护带条T1。
接着,粘贴有保护带条T1的晶片W在背部磨削过程中变薄。如图9所示,经过加工的晶片W具有粘贴在其表面且从边缘突出的保护带条T1。
例如,经过背部磨削加工的晶片W在一个盒子中被输送到一个晶片安装装置。当各晶片W被容纳在盒子中时,突出于晶片W的保护带条T1可用作缓冲垫以防止晶片W的边缘戳入盒子的内壁。
当盒子被装入晶片安装装置中时,通过机器臂一次一片地从盒子中取出晶片W,并且将其输送到一定位台。
每个被送到定位台的晶片W可根据定位平面之类的装置来定位。
在定位之后,晶片W通过由粘合带Tn粘贴到背面的环形框架f输送到一个安装框架准备单元,从而使晶片W支承在这样一个状态中,即,晶片W设置成如图10所示可进行分离步骤的状态。由环形框架f(以下简称为“安装框架F”)支承的晶片W被输送至分离阶段,并且被置于图10的夹具台19之上,这些将在下文中进行描述。
接着,将描述保护带条的分离方法。
首先,将参照附图描述执行本实施例中的保护带条分离方法的一种保护带条分离装置。
图10为带条分离装置的轮廓的正视图。图11、12和14为说明保护带条分离过程的示意图。图13为示出了保护带条分离操作的局部放大视图。
在本实施例中,一个用于从半导体晶片上分离出保护带条的装置15具有:一带盘16,该带盘用于供给分离带条Ts;一夹具台19,该夹具台用于吸附支承安装框架F;一分离机构20,该分离机构用于将分离带条Ts按压并粘贴到粘贴在晶片W表面的保护带条T1上,并且随着保护带条T1一起分离分离带Ts;以及一带条收集件22,该收集件用于收集从晶片W上分离的带条T1和Ts。
以下,将详细描述各机构的结构。
带盘16通过导向辊18将从带条卷筒17上抽出的分离带条Ts引向分离机构20。带条卷筒17由一垂直壁(未图示)支承。
夹具台19具有若干导销,这些导销用于调节转移到其上的安装框架F的位置。夹具台19被构造成可吸住安装框架F的背面。此外,夹具台19具有一框架,该框架通过装置的主体的一轨道保持并且可操作地与驱动装置(未图示)相连,从而可沿着分离带条Ts的运行方向滑动。
分离机构20具有一个分离辊21,该分离辊21由它的框架转动支承,并且可通过气缸之类装置(未图示)垂直摆动。分离辊21可操作成向保护带条T1的表面挤压和粘贴分离带条Ts。
带条收集件22具有一个由垂直壁(未图示)支承的收集卷筒23,并且该卷筒可操作地与诸如电动机之类的一驱动装置(未图示)相连。也就是说,可以将一预定量的分离带条Ts从带盘16上抽出并且进给到晶片W上。驱动装置驱动收集卷筒23卷绕起与保护带条T1相结合的分离带条Ts。
以下,将参照附图描述一种分离保护带条的方法,其中的保护带条以多层的方式粘贴到各晶片表面,该方法使用了具有上述结构的带条分离装置。
如图10所示,例如,一粘贴有保护带条的半导体晶片W和环形框架f通过粘合带Tn在背面结合起来形成安装框架F。该安装框架F被设置在夹具台19上。
所设置的安装框架F是可以进行位置调节并且被吸附支承的。这样,如图11所示,夹具台19被(在图11中向左)移至分离辊21与晶片W的周边部分接触的一个位置中。
当安装框架F的位置被调节之后,如图12所示,分离辊21向下摆动,而夹具台19沿分离带条Ts的方向移动。随着夹具台19的移动,分离辊21在晶片W上滚动,从而将分离带条Ts压在其上。也就是说,粘有分离带条Ts的保护带条T1可随着分离带条Ts一起被拉起并分离。
当保护带条分离开始时,保护带条T1从晶片W突出。因此,当分离辊21开始在晶片W上滚动挤压其上的分离带条Ts时,如图13所示,凸部Tb′折回,从而提供了一个保护带条分离的起点。
当夹具台19到达一终点位置时,如图14所示,分离辊21向上移动,而夹具台19沿与带条运行方向相反的方向移动至初始位置。此时,与分离带条Ts结合并随之分离的保护带条T1围绕收集卷筒23卷起,而预定量的分离带条Ts从带盘16上抽出。这样,使粘贴在晶片W表面的保护带条T1分离的操作结束。
如上所述,当保护带条T1的分离开始时,突出于晶片W的保护带条部分Tb折回以提供一个起始点。这使保护带条T1可有效地分离。
本发明不局限于上述实施例,而是可以作以下这些改进:
(1)在上述保护带条粘贴方法中,一层保护带条T1被粘贴到晶片W上。除此之外,也可以粘贴多层保护带条。例如,可以如下粘贴多层保护带条。
当薄片式的保护带条被供给到晶片W上并粘贴在其上,如图15所示,可以首先粘贴一层直径小于晶片W的保护带条,而后将一层直径大于晶片W的保护带条作为第二带条。
当像背面有粘胶的标签那样重叠的两层保护带条被粘贴到晶片W的表面上时,可以仅第一保护带条的直径比晶片W大,或者仅第二保护带条的直径比晶片W大。两层保护带条的直径都可以比晶片W大。
(2)以上实施例是以背部磨削加工来使晶片W变薄为例进行描述的。也可以采用抛光方法(CMP)以及蚀刻的方法。
(3)在上述实施例中,保护带条是在准备一个晶片安装框架之后去除的。保护带条也可以在对晶片W进行背面处理之后分离。
(4)在上述实施例中,保护带条粘贴在晶片表面上,而切割单元10是在带条粘贴机构8和带条分离机构11向保护带条施加张力时进行切割的。保护带条可以使用图16所示的夹具台7来切割。特殊地,在置于夹具台7上的晶片W的同样高度处,夹具台7可以具有一个周边部分7c,而保护带条T1处于周边部分7c和晶片W上的粘贴高度处。刀刃尖端可以沿凹槽7a移动以切下保护带条。
在不脱离本发明的精神或实质内容的前提下,本发明还可以具体表现为其它特定的形式,因此,应参照所附的权利要求书,而是不参照上述说明书,所述权利要求书将表明本发明的范围。

Claims (10)

1.一种用于将保护带条粘贴到其上形成有图形的半导体晶片表面的保护带条粘贴方法,该方法包括:
在为将半导体晶片作得更薄而加工所述半导体晶片的背面的步骤之前,通过将直径比所述半导体晶片大的至少一条保护带条粘贴到半导体晶片的表面上而形成多层,
所述保护带条的长度直径大于修薄加工前半导体晶片的直径,从半导体晶片外边缘突出的长度在2mm之内。
2.如权利要求1所述的保护带条粘贴方法,其特征在于,所述保护带条是通过重复这样一个操作而以多层形式粘贴的,即,将朝半导体晶片进给的薄片状的各保护带条大致切成半导体晶片的形状,并且将带条粘贴到半导体晶片上。
3.如权利要求2所述的保护带条粘贴方法,其特征在于,多层保护带条是这样粘贴的,即,首先粘贴的一层所述保护带条具有的直径比修薄加工之前的半导体晶片小,而第二层所述保护带条具有的直径比修薄加工之前的半导体晶片大。
4.如权利要求2所述的保护带条粘贴方法,其特征在于,以多层形式粘贴的所述保护带条的直径与修薄加工之前的半导体晶片的相等或比其更大。
5.如权利要求1所述的保护带条粘贴方法,其特征在于,所述保护带条预先制成成与半导体晶片形状大致相同的背面有粘胶的标签形式,粘贴所述保护带条以形成多层形式的保护带条。
6.如权利要求5所述的保护带条粘贴方法,其特征在于,标签形式的所述保护带条是这样以多层形式粘贴的,即,首先粘贴的一层所述保护带条具有的直径比修薄加工之前的半导体晶片小,而第二层所述保护带条具有的直径比修薄加工之前的半导体晶片大。
7.如权利要求5所述的保护带条粘贴方法,其特征在于,标签形式的所述保护带条是这样以多层形式粘贴的,即,首先粘贴的一层所述保护带条具有的直径比修薄加工之前的半导体晶片大,而第二层所述保护带条具有的直径比修薄加工之前的半导体晶片小。
8.如权利要求5所述的保护带条粘贴方法,其特征在于,多层形式的两层所述保护带条具有与半导体晶片相同的形状并预先制成背面有粘胶的标签形式,所述保护带条的直径与修薄加工之前的半导体晶片的相等或比其大。
9.一种用于将保护带条粘贴到其上形成有图形的半导体晶片表面的保护带条粘贴装置,所述装置包括:
接纳和支承所述半导体晶片的支承装置;
以薄片形式向被支承的所述半导体晶片进给保护带条的带条进给装置;
使进给的所述保护带条粘贴到半导体晶片表面的粘贴装置;
一切割单元,用于重复使用所述粘贴装置将保护带条粘贴到所述半导体晶片的表面并单独切割保护带条的操作,在此过程中,所述切割单元将粘贴在半导体晶片表面的所述保护带条的尺寸切成直径比半导体晶片大;
将切下的所述保护带条的不需要部分分离的分离装置;以及
一收集件,所述收集件收集分离出的所述不需要部分。
10.如权利要求9所述的保护带条粘贴装置,其特征在于,所述支承装置具有与置于支承装置上的半导体晶片同一个水平面的一周边部分,保护带条被粘贴在周边部分和半导体晶片上。
CNB031027393A 2002-01-15 2003-01-15 保护带条的粘贴方法与装置 Expired - Fee Related CN1287428C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002006013A JP2003209082A (ja) 2002-01-15 2002-01-15 保護テープの貼付方法およびその装置並びに保護テープの剥離方法
JP2002006013 2002-01-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1433055A CN1433055A (zh) 2003-07-30
CN1287428C true CN1287428C (zh) 2006-11-29

Family

ID=19191174

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031027393A Expired - Fee Related CN1287428C (zh) 2002-01-15 2003-01-15 保护带条的粘贴方法与装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6919284B2 (zh)
EP (1) EP1328011A2 (zh)
JP (1) JP2003209082A (zh)
KR (1) KR100868142B1 (zh)
CN (1) CN1287428C (zh)
TW (1) TWI263273B (zh)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002367931A (ja) * 2001-06-07 2002-12-20 Lintec Corp ダイボンディングシート貼着装置およびダイボンディングシートの貼着方法
US20040214432A1 (en) * 2003-04-24 2004-10-28 Mutsumi Masumoto Thinning of semiconductor wafers
JP2005086074A (ja) * 2003-09-10 2005-03-31 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの移し替え方法
JP4090416B2 (ja) 2003-09-30 2008-05-28 日東電工株式会社 粘着テープ付ワークの離脱方法及び離脱装置
JP4530638B2 (ja) 2003-10-07 2010-08-25 日東電工株式会社 半導体ウエハへの保護テープ貼付方法及び貼付装置
JP4136890B2 (ja) 2003-10-17 2008-08-20 日東電工株式会社 保護テープの切断方法及び切断装置
JP2005150177A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ裏面への粘着テープ貼付方法及び粘着テープ貼付装置
JP4416108B2 (ja) * 2003-11-17 2010-02-17 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの製造方法
JP4472316B2 (ja) * 2003-11-28 2010-06-02 日東電工株式会社 粘着テープ切断方法及び粘着テープ切断装置
JP4297829B2 (ja) * 2004-04-23 2009-07-15 リンテック株式会社 吸着装置
TW200539357A (en) * 2004-04-28 2005-12-01 Lintec Corp Adhering apparatus and adhering method
JP4540403B2 (ja) 2004-06-16 2010-09-08 株式会社東京精密 テープ貼付方法およびテープ貼付装置
JP2006272505A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Nitto Denko Corp 保護テープ切断方法およびこれを用いた装置
JP4285455B2 (ja) * 2005-07-11 2009-06-24 パナソニック株式会社 半導体チップの製造方法
JP4836557B2 (ja) 2005-11-25 2011-12-14 株式会社東京精密 ダイシングテープ貼付装置およびダイシングテープ貼付方法
JP4953764B2 (ja) 2005-11-29 2012-06-13 株式会社東京精密 剥離テープ貼付方法および剥離テープ貼付装置
JP2007214357A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Nitto Denko Corp ワーク貼付け支持方法およびこれを用いたワーク貼付け支持装置
US20070204520A1 (en) * 2006-03-01 2007-09-06 Calleja Michael J Self-elevating staging with rack-and-pinion posts
JP4953738B2 (ja) * 2006-09-07 2012-06-13 日東電工株式会社 粘着テープ切断方法およびこれを用いた粘着テープ貼付け装置
US7614848B2 (en) 2006-10-10 2009-11-10 United Technologies Corporation Fan exit guide vane repair method and apparatus
KR100775933B1 (ko) * 2006-12-14 2007-11-13 우리마이크론(주) 확산판 보호테이프 자동 부착장치
US7659140B2 (en) * 2007-03-30 2010-02-09 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit system with a debris trapping system
US20090264053A1 (en) * 2008-04-21 2009-10-22 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for using a polishing tape cassette
JP5160297B2 (ja) * 2008-05-02 2013-03-13 日東電工株式会社 カッタ刃の清掃方法およびカッタ刃の清掃装置、並びに、これを備えた粘着テープ貼付け装置
TWI410329B (zh) * 2009-03-09 2013-10-01 Ind Tech Res Inst 可撓式裝置的取下設備及其取下方法
US8069893B2 (en) * 2010-02-03 2011-12-06 Lai Chin-Sen Cutting mechanism for dry film laminator
JP5381821B2 (ja) 2010-03-10 2014-01-08 三菱電機株式会社 保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置
JP5607965B2 (ja) * 2010-03-23 2014-10-15 日東電工株式会社 半導体ウエハマウント方法および半導体ウエハマウント装置
US8574398B2 (en) 2010-05-27 2013-11-05 Suss Microtec Lithography, Gmbh Apparatus and method for detaping an adhesive layer from the surface of ultra thin wafers
JP6054622B2 (ja) * 2012-04-05 2016-12-27 信越ポリマー株式会社 半導体ウェーハ用保護テープ及びその貼り付け方法
JP6388331B2 (ja) * 2014-07-14 2018-09-12 Necプラットフォームズ株式会社 テープ貼付装置及びテープ貼付治具
JP6510393B2 (ja) * 2015-12-15 2019-05-08 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP6879840B2 (ja) * 2017-06-28 2021-06-02 株式会社ディスコ テープ貼り機及びテープ外し方法
JP7022560B2 (ja) * 2017-10-18 2022-02-18 リンテック株式会社 接着シート処理方法および接着シート処理装置
JP2020178103A (ja) * 2019-04-22 2020-10-29 リンテック株式会社 シート支持装置およびシート支持方法
JP7441734B2 (ja) 2020-06-05 2024-03-01 リンテック株式会社 転写装置および転写方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5476566A (en) * 1992-09-02 1995-12-19 Motorola, Inc. Method for thinning a semiconductor wafer
US5480842A (en) * 1994-04-11 1996-01-02 At&T Corp. Method for fabricating thin, strong, and flexible die for smart cards
KR970030225A (ko) * 1995-11-08 1997-06-26 김광호 자외선 테이프를 사용하여 웨이퍼의 후면을 연마하는 반도체 소장 제조방법
US6770805B2 (en) * 2001-01-08 2004-08-03 Randall L. May Carrier assembly for percussion instruments
JPH1140520A (ja) * 1997-07-23 1999-02-12 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP3171148B2 (ja) * 1997-09-01 2001-05-28 日本電気株式会社 ウエハ−マウント装置
KR20000029054A (ko) * 1998-10-15 2000-05-25 이데이 노부유끼 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP3560888B2 (ja) * 1999-02-09 2004-09-02 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2000331968A (ja) * 1999-05-21 2000-11-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ保護テープ
KR100467009B1 (ko) * 2000-08-04 2005-01-24 샤프 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼 표면의 오염을 방지할 수 있는 반도체웨이퍼의 박층화 방법 및 반도체 웨이퍼의 이면 연삭장치
JP2002075937A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの加工方法
WO2002026441A1 (en) * 2000-09-27 2002-04-04 Strasbaugh, Inc. Tool for applying resilient tape to chuck used for grinding or polishing wafers
US6506681B2 (en) * 2000-12-06 2003-01-14 Micron Technology, Inc. Thin flip—chip method
JP2003051473A (ja) * 2001-08-03 2003-02-21 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの裏面研削方法
JP3770820B2 (ja) * 2001-10-03 2006-04-26 日東電工株式会社 保護テープの貼付け方法
JP2003124147A (ja) * 2001-10-15 2003-04-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP3761444B2 (ja) * 2001-10-23 2006-03-29 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3880397B2 (ja) * 2001-12-27 2007-02-14 日東電工株式会社 保護テープの貼付・剥離方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100868142B1 (ko) 2008-11-10
EP1328011A2 (en) 2003-07-16
CN1433055A (zh) 2003-07-30
JP2003209082A (ja) 2003-07-25
KR20030062224A (ko) 2003-07-23
TW200302520A (en) 2003-08-01
US20030131929A1 (en) 2003-07-17
TWI263273B (en) 2006-10-01
US6919284B2 (en) 2005-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1287428C (zh) 保护带条的粘贴方法与装置
CN1287426C (zh) 保护带条的粘贴和分离方法
CN1287427C (zh) 切割保护带条的方法及使用该方法的保护带条粘贴设备
CN1189916C (zh) 晶片转移装置
CN1293610C (zh) 保护带的贴附和剥离方法
JP3737118B2 (ja) 半導体ウエハの保護粘着テープの剥離方法およびその装置
JP5595716B2 (ja) 光デバイスウエーハの加工方法
JP5047838B2 (ja) テープ貼り機
CN1649102A (zh) 保护带贴附方法和其装置以及保护带分离方法和其装置
CN101060068A (zh) 保护带剥离方法及采用该方法的装置
CN1855363A (zh) 支承板分离装置及使用该装置的支承板分离方法
TWI707818B (zh) 基板轉印方法及基板轉印裝置
CN1867506A (zh) 粘接带剥离装置
JP6247075B2 (ja) 保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置
JP2001319906A (ja) ウエハ表面保護テープの剥離装置
TWI305663B (en) Protective tape applying and separating method
CN1610071A (zh) 用于切割保护带的方法和设备
CN109148325B (zh) 带粘贴机和带取下方法
JP2009253083A (ja) シート貼付装置及び貼付方法
JP2006319233A (ja) 脆質部材の処理装置
JP4060641B2 (ja) テープ剥離方法
JP5784298B2 (ja) 加工方法及び加工装置
JP2005340859A (ja) 保護テープの剥離方法
TW201801240A (zh) 基板轉印方法及基板轉印裝置
JP2006344882A (ja) 貼付装置及び貼付方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20061129

Termination date: 20150115

EXPY Termination of patent right or utility model