KR20030062224A - 보호테이프의 접착방법과 그 장치 및 보호테이프의 박리방법 - Google Patents

보호테이프의 접착방법과 그 장치 및 보호테이프의 박리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20030062224A
KR20030062224A KR1020020086741A KR20020086741A KR20030062224A KR 20030062224 A KR20030062224 A KR 20030062224A KR 1020020086741 A KR1020020086741 A KR 1020020086741A KR 20020086741 A KR20020086741 A KR 20020086741A KR 20030062224 A KR20030062224 A KR 20030062224A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
protective tape
semiconductor wafer
tape
protective
diameter
Prior art date
Application number
KR1020020086741A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100868142B1 (ko
Inventor
야마모토마사유키
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20030062224A publication Critical patent/KR20030062224A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100868142B1 publication Critical patent/KR100868142B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386Separation by peeling
    • H01L2221/68395Separation by peeling using peeling wheel
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/12Surface bonding means and/or assembly means with cutting, punching, piercing, severing or tearing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

척 테이블에 유지된 웨이퍼(W)의 표면에 보호테이프를 접착하고, 웨이퍼 외주의 위치에 설치된 척 테이블의 홈에 커터 유닛의 날끝이 삽입되고, 보호테이프가 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경으로 오려내진다. 보호테이프가 접착된 웨이퍼는, 뒷면 가공처리가 실시된 후, 박리공정에서 보호테이프의 표면에 접착된 박리테이프를 개재하여 박리된다,

Description

보호테이프의 접착방법과 그 장치 및 보호테이프의 박리방법{PROTECTIVE TAPE APPLYING METHOD AND APPARATUS, AND PROTECTIVE TAPE SEPARATING METHOD}
본 발명은, 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에 보호테이프를 접착함과 동시에, 상기 보호테이프를 박리하는 기술에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼의 제조과정에 있어서, 연삭방법이나 연마방법 등의 기계적 방법, 또는 에칭을 이용한 화학적 방법 등을 이용하여 반도체 웨이퍼(이하, 단순히「웨이퍼」라고 한다)의 뒷면을 가공하고, 그 두께를 얇게 하고 있다. 이들 방법을 이용하여 웨이퍼를 가공할 때, 패턴이 형성된 표면을 보호하기 위하여, 그 표면에 보호테이프가 접착된다.
요컨대, 백그라인드공정으로 이동 재치된 웨이퍼는, 그 표면(패턴면)을 척 테이블로 흡착 유지하고, 뒷면을 숫돌로 연삭한다. 이 때, 웨이퍼의 표면에는 연삭에 의한 스트레스(stress)가 가해져 패턴이 파손되거나, 오염되거나 하는 염려가있으므로, 상기 표면에 보호테이프를 접착하고 있다.
웨이퍼의 표면에 접착되는 보호테이프의 크기는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 반도체 웨이퍼의 직경보다도 작은 직경의 것이 접착되어져 있다. 요컨대, 백그라인드 처리 등을 실시할 때에, 보호테이프의 삐어져 나온 부분이 달라붙어 웨이퍼의 원주단부(edge)가 파손되지 않도록 하고 있다.
이와 같이, 웨이퍼의 표면에 접착된 보호테이프는, 백그라인드 처리 후에 박리공정에서 박리되고 있다.
그러나, 보호테이프가 접착되어 백그라인드 처리 등이 실시된 반도체 웨이퍼에는 다음과 같은 문제가 있다.
즉, 백그라인드 처리 등에 의해서 얇게 가공된 반도체 웨이퍼는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 예리하게 된 엣지가 보호테이프로 덮힌 부분으로부터 돌출하고 있다. 그 때문에, 카세트에 웨이퍼를 수납하면, 엣지가 카세트의 내벽에 꽂혀버린다. 이와 같은 상태에서 카세트로부터 웨이퍼를 꺼내려고 하면, 웨이퍼의 엣지가 파손되거나, 취출에러가 발생하거나 하는 문제가 있다.
본 발명은, 이와 같은 사정을 고려하여 이루어 진 것으로, 반도체 웨이퍼의 취급이 용이하게 되도록 반도체 웨이퍼의 표면에 보호테이프를 접착함과 동시에, 상기 접착된 보호테이프를 효율좋게 박리할 수 있는 보호테이프의 접착방법과 그 장치 및 보호테이프의 박리방법을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.
도 1은, 종래방법에 의해서 보호테이프를 웨이퍼에 접착한 상태를 나타내는 부분 확대도로서, 백그라인드 처리 전의 상태를 나타내는 정면도,
도 2는, 종래방법에 의해서 보호테이프를 웨이퍼에 접착한 상태를 나타내는 부분 확대도로서, 백그라인드 처리 후의 상태를 나타내는 정면도,
도 3은, 본 발명의 실시예에 관한 테이프 접착장치의 개략구성을 나타내는 부분 단면도,
도 4는, 백그라인드 처리 전에 보호테이프를 접착한 웨이퍼의 상태를 나타내는 부분 확대도,
도 5는, 테이프 접착공정을 설명하는 개략정면도,
도 6은, 테이프 접착공정을 설명하는 개략정면도,
도 7은, 테이프 접착공정을 설명하는 개략정면도,
도 8은, 보호테이프를 웨이퍼에 접착한 상태를 나타내는 단면도,
도 9는, 백그라인드 처리 후의 보호테이프가 접착된 웨이퍼의 상태를 나타내는 부분 확대도,
도 10은, 테이프 박리장치의 개략 구성을 나타내는 정면도,
도 11은, 테이프 박리공정을 설명하는 개략정면도,
도 12는, 테이프 박리공정을 설명하는 개략정면도,
도 13은, 보호테이프 박리동작을 나타낸 부분 확대도,
도 14는, 테이프 박리공정을 설명하는 개략정면도,
도 15는, 변형예의 보호테이프를 다중으로 웨이퍼에 접착한 상태를 나타내는 단면도,
도 16은, 변형예의 척 테이블을 나타낸 단면도이다.
최근, 반도체 웨이퍼의 시장은, 고밀도 실장(實裝)에 따라, 그 두께가 얇게 되는 경향에 있다. 즉, 웨이퍼의 엣지가 예리하게 되어 있다. 그 때문에, 종래의 보호테이프 접착방법(웨이퍼의 직경보다도 작은 직경의 보호테이프를 웨이퍼 표면에 접착하는 방법)에서는 웨이퍼의 엣지가 카세트의 내벽에 꽂히거나 하여 파손하는 등, 취급이 곤란하게 되어 있다. 그래서 웨이퍼를 취급하는 데 알맞은 방법을 예의 검토한 결과, 보호테이프의 크기에 본 발명자는 착안했다.
종래의 방법에서는, 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경인 보호테이프를 웨이퍼의 표면에 접착하여 백그라인드 처리하면, 보호테이프의 삐어져 나온 부분이 달라붙어 웨이퍼의 엣지를 파손시킨다고 염려되고 있었다. 그 때문에, 백그라인드 처리 전에, 웨이퍼의 직경보다도 작은 직경으로 되는 보호테이프를 웨이퍼 표면에 접착하는 것이 당업계의 상식으로 되어 있다.
그러나, 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경인 보호테이프를 웨이퍼의 표면에 접착하여 백그라인드 처리를 실시하는 실험을 행한 바, 보호테이프가 웨이퍼로부터 삐어져 나와 있어도, 웨이퍼의 엣지 등을 파손시키지 않는다고 하는 사실을 본 발명자는 얻을 수 있었다.
본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 다음과 같은 구성을 채용한다.
본 발명의 보호테이프 접착방법은, 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에 보호테이프를 접착하는 보호테이프의 접착방법에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경인 보호테이프를 반도체 웨이퍼의 표면에 접착하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 보호테이프의 접착방법에 의하면, 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경인 보호테이프가 반도체 웨이퍼의 표면에 접착된다. 따라서, 반도체 웨이퍼의 엣지가, 다른 부재 등과 직접 접촉하는 것을 회피할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 보호테이프는, 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 반도체 웨이퍼의 표면에 복수매의 상기 보호테이프를 다중으로 되도록 접착한다. 상기 다중으로 접착되는 보호테이프로서는, 시트형상의 테이프를 대략 반도체 웨이퍼의 형상으로 절단하여 접착하는 동작을 개별적으로 반복해도 좋고, 미리 대략 반도체 웨이퍼의 형상을 한 라벨형상의 보호테이프를 접착해도 좋다. 시트형상의 보호테이프를 절단하여 다중으로 접착하는 경우, 예를 들면, 1매째로 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 작은 직경의 보호테이프를 접착하고, 2매째로 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경의 보호테이프를 접착해도 좋으며, 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경으로서 모두 동일 직경이 되도록 접착해도 좋다. 또한, 미리 대략 반도체 웨이퍼의 형상을 한 라벨형상의 보호테이프를 접착하는 경우, 1매째로 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 작은 직경인 라벨형상의 보호테이프를 접착하고, 2매째에 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경인 라벨형상의 보호테이프를 접착해도 좋으며, 1매째로 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경인 라벨형상의 보호테이프를 접착하고, 2매째로 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 작은 직경인 라벨형상의 보호테이프를 접착해도 좋으며, 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경으로서 모두 동일 직경의 것을 접착해도 좋다. 이들 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경인 상기 보호테이프는, 반도체 웨이퍼의 원주 테두리로부터 삐어져 나오는 부분의 길이가 2mm 이내인 것이 한층 더 바람직하다.
이와 같이, 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경인 보호테이프를 백그라인드 처리가 실시되기 전의 반도체 웨이퍼에 접착하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼의 엣지가, 다른 부재 등과 직접 접촉하는 것을 회피할 수 있다. 따라서, 얇게 가공된 반도체 웨이퍼의 취급이 용이하게 되고, 작업효율의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 보호테이프를 다중으로 접착하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼에 강성을 가질 수 있으며, 한층 취급이 용이하게 된다.
또한, 본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위하여 다음과 같은 구성도 채용한다.
패턴이 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에 보호테이프를 접착하는 보호테이프 접착장치에 있어서,
상기 반도체 웨이퍼를 재치하여 유지하는 유지수단과,
상기 유지된 반도체 웨이퍼를 향하여 보호테이프를 공급하는 테이프 공급수단과,
상기 공급된 보호테이프를 반도체 웨이퍼의 표면에 접착하는 접착수단과,
상기 반도체 웨이퍼의 표면에 접착된 보호테이프를, 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경으로 오려내는 커터 유닛과,
상기 오려낸 보호테이프의 불필요한 테이프를 박리하는 박리수단과,
상기 박리된 불필요한 테이프를 회수하는 회수부를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호테이프의 접착장치.
본 발명의 보호테이프 접착의 접착장치에 의하면, 유지수단으로 유지된 반도체 웨이퍼의 표면에 보호테이프가 접착된다. 상기 보호테이프는, 커터 유닛에 의해 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경으로 오려내진다. 상기 반도체 웨이퍼의 원주 테두리로부터 삐어져 나온 보호테이프가 완충재로서 작용하고, 반도체 웨이퍼의 원주 테두리(엣지)가 카세트의 내벽에 꽂히는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼 엣지의 파손을 회피할 수 있음과 동시에, 취급이 용이하게 되어, 작업효율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 유지수단은, 그 위에 반도체 웨이퍼를 재치한 때의 높이와 동일하게 되는 원주 테두리 부분을 구비하고
또한, 상기 원주 테두리 부분과 반도체 웨이퍼에 걸쳐서 보호테이프를 접착하는 것이 바람직하다.
유지수단의 원주 테두리 영역과 반도체 웨이퍼에 걸쳐서 보호테이프가 접착되므로, 보호테이프 노출거리를 짧게 할 수가 있다. 따라서, 보호테이프를 오려낼 때의 보호테이프의 처짐량을 적게 할 수 있고, 보호테이프를 오려내는 정밀도의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 다음과 같은 구성도채용한다.
보호테이프의 접착방법에 의해서 반도체 웨이퍼의 표면에 접착된 보호테이프를 박리하는 박리방법에 있어서,
상기 반도체 웨이퍼의 표면에 접착된 보호테이프의 위에 박리테이프를 접착하고, 상기 박리테이프를 개재하여 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 보호테이프를 박리하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 보호테이프의 박리방법에 의하면, 반도체 웨이퍼의 직경으로부터 삐어져 나온 보호테이프의 표면에 박리테이프가 접착되고, 상기 박리테이프를 박리하는 것에 의해 보호테이프가 함께 박리된다. 요컨대, 보호테이프의 삐어져 나온 부분이 접어 꺾어져서 보호테이프를 박리하기 쉽게 할 수 있다.
본 발명은 다음과 같은 해결수단도 개시하고 있다.
(1) 반도체 웨이퍼를 카세트에 수납하는 반도체 웨이퍼의 수납방법에 있어서,
상기 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경인 보호테이프가 표면에 접착된 반도체 웨이퍼를 카세트에 수납하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 수납방법.
반도체 웨이퍼의 제조과정에서는, 연삭방법이나 연마방법 등의 기계적 방법, 또는 엣칭 등을 이용한 화학적 방법을 이용하여 반도체 웨이퍼의 뒷면을 가공하고, 그 두께를 얇게 하고 있다. 이 때, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고 한다)의 표면에 형성된 패턴을 보호하기 위하여 보호테이프가 부착된다. 또한, 상기보호테이프는, 웨이퍼의 직경보다도 작은 직경의 것이 접착되어 있다.
그러나, 얇게 가공된 웨이퍼의 엣지는 예리하게 되므로, 그대로의 상태에서 카세트에 수납하면, 웨이퍼의 엣지가 카세트 내벽을 찌르는 경우가 있다. 이와 같은 상태의 웨이퍼를 카세트로부터 꺼낼 때, 웨이퍼가 파손하거나, 취출에러 등이 발생하거나 하는 문제가 있다.
상기 (1)의 발명에 의하면, 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경인 보호테이프가 접착된 웨이퍼를 카세트에 수납하는 것에 의해, 보호테이프가 삐어져 나오는 부분이 완충재로서 작용하고, 웨이퍼의 엣지가 카세트 내벽을 찌르는 것을 방지할 수 있다.
(2) 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에 보호테이프를 접착하는 보호테이프의 접착방법에 있어서,
상기 반도체 웨이퍼를 유지수단으로 유지하는 유지과정과,
상기 유지된 반도체 웨이퍼를 향하여 보호테이프를 공급하는 테이프 공급과정과,
상기 테이프 공급과정으로부터의 보호테이프를 유지수단인 원주 테두리 영역과 반도체 웨이퍼의 표면에 걸쳐서 접착하는 접착과정과,
상기 접착된 보호테이프를 그 외경을 따라서 커터 유닛으로 오려내는 과정과,
상기 보호테이프를 오려낸 후의 불필요한 테이프를 박리하는 박리과정과,
상기 박리된 불필요한 테이프를 회수하는 회수과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호테이프의 접착방법.
반도체 웨이퍼를 백그라인드 등에 의하여 얇게 가공할 때, 반도체 웨이퍼의 표면에 형성된 패턴이 오염되거나, 파손되지 않도록 미리 보호테이프가 접착된다. 예를 들면, 보호테이프를 접착하는 공정에서는, 보호테이프가 웨이퍼의 표면에 균일하게 접착되도록, 테이프 공급방향의 파지(把持)롤러 등에 의해 보호테이프를 파지하고, 보호테이프에 미리 텐션을 걸어 오려내고 있다.
그러나, 파지롤러로 보호테이프에 텐션을 걸어도, 웨이퍼 단부로부터 파지롤러까지의 거리(보호테이프 노출거리)가 길면, 보호테이프를 오려낼 때에 커터 유닛의 날끝의 누름력이 보호테이프 노출부에 가해져, 보호테이프의 휨량이 크게 된다. 그 결과, 보호테이프를 오려내기 어렵다고 하는 문제가 있다.
상기 (2)의 발명에 의하면, 유지수단인 원주 테두리 영역과 반도체 웨이퍼에 걸쳐서 보호테이프가 접착되므로, 보호테이프 노출거리를 짧게 할 수 있다. 따라서, 보호테이프를 오려 낼 때의 보호테이프의 휨량을 적게 할 수 있고, 보호테이프의 오려내기 정밀도의 향상을 도모할 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명의 알맞은 실시예를 도면에 기초하여 상세히 설명한다.
보호테이프의 접착방법
먼저, 본 실시예의 보호테이프의 접착방법을 설명하기 전에, 본 실시예에서 사용하는 일 실시예의 테이프 접착장치에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다.
도 3은, 테이프 접착장치의 개략구성을 나타내는 부분 단면도, 도 4는 백그라인드 처리 전에 보호테이프를 접착한 반도체 웨이퍼의 상태를 나타낸 부분 확대도, 및 도 5 내지 도 7은 테이프 접착공정을 나타낸 정면도이다.
실시예에 관한 반도체 웨이퍼의 보호테이프의 접착장치(1)는, 세퍼레이터(S)가 구비된 보호테이프(T1)를 공급하는 테이프 공급부(2)와, 상기 세퍼레이터(S)가 구비된 보호테이프(T1)로부터 세퍼레이터(S)를 박리 회수하는 세퍼레이터 회수부(5)와, 반도체 웨이퍼(W, 이하, 단순히 「웨이퍼(W)」라고 한다)를 흡착 재치하는 척 테이블(7)과, 보호테이프(T1)를 웨이퍼(W) 위에 누르면서 접착하는 테이프 접착기구(8)와, 웨이퍼(W)에 접착된 보호테이프(T1)를 웨이퍼(W)의 외주 형상에 따라서 오려내는 커터 유닛(10)과, 오려낸 후의 불필요한 테이프(T2)를 박리하는 테이프 박리기구(11)와, 박리된 테이프를 회수하는 테이프 회수부(13)를 구비하고 있다.
이하, 각 기구의 구조에 대하여 구체적으로 설명한다.
테이프 공급부(2)는, 테이프 보빈(3)으로부터 풀려 나온 세퍼레이터(S)가 구비된 보호테이프(T1)를 가이드 롤러(4)들로 감김 안내한다. 또한, 테이프 보빈(3)은 도시하지 않은 세로벽에 축 지지되고, 브레이크 기구 등을 개재하여 회전규제 되고 있다.
세퍼레이터 회수부(5)는, 도시하지 않은 세로벽에 회수보빈(6)이 축 지지되어 있고, 모터 등의 구동기구에 연동되게 연결되어 있다.
척 테이블(7)은, 가이드 핀 등을 구비하고 있으며, 이동 재치된 웨이퍼(W)의 오리엔테이션 플랫(orientation flat) 등을 기준으로 위치맞춤을 함과 동시에,뒷면을 흡착 유지하도록 되어 있다. 또한, 웨이퍼를 흡착 유지하는 영역의 외주부분에는, 커터 유닛(10)의 날끝이 삽입되는 홈(7a)이 형성되어 있다.
테이프 접착기구(8)는, 그 프레임이 테이프 주행방향으로 슬라이드 가능하게 되도록 장치본체의 레일에 파지되어, 도시하지 않은 모터 등의 구동부를 개재하여 연동되게 연결되어 있다. 또한, 프레임에는 접착롤러(9)가 회전가능하게 축 지지 되어 있음과 동시에, 상기 접착롤러(9)가 도시하지 않은 실린더 등에 의해 상하로 요동되게 구동하도록 되어 있다. 요컨대, 접착롤러(9)가 보호테이프(T1)의 표면을 눌러 전동하면서 웨이퍼(W) 표면에 보호테이프(T1)를 접착해 가도록 되어 있다.
커터 유닛(10)은, 도시하지 않은 승강기구에 의해 대기위치와, 보호테이프(T1)를 오려내는 절단작용 위치에 걸쳐 승강이동함과 동시에, 그 날끝이 척 테이블(7)에 형성된 홈(7a)에 삽입되고, 그 홈(7a)을 따라서 보호테이프(T1)를 오려내도록 되어 있다.
테이프 박리기구(11)는, 그 프레임이 테이프 주행방향으로 슬라이드 가능하게 되도록 장치본체의 레일에 파지되고, 도시하지 않은 모터 등의 구동부를 개재하여 연동되게 연결되어 있다. 또한, 프레임에는 박리롤러(12)가 회전가능하게 축 지지되어 있음과 동시에, 상기 박리롤러(12)가 도시하지 않은 실린더 등에 의해 상하로 요동되게 구동하도록 되어 있다. 박리롤러(12)는 웨이퍼(W)의 외주 테두리를 따라서 오려내진 후의 불필요한 테이프(T2)를 웨이퍼(W)로부터 박리하기 위한 것이다.
테이프 회수부(13)는, 도시하지 않은 세로벽에 회수보빈(14)이 축 지지되고,모터 등의 구동기구에 연동되게 연결되어 있다, 요컨대, 테이프 공급부(2)로부터 소정량의 보호테이프(T1)가 풀려 나와서 웨이퍼(W) 위에 공급됨과 동시에, 구동부가 작동하는 것에 의해 후술하는 오려내진 후의 불필요한 테이프(T2)가 회수보빈(14)에 권취되도록 되어 있다.
다음에, 웨이퍼(W)의 표면에 웨이퍼 직경보다도 큰 직경의 보호테이프를 접착해 가는 방법을, 전술한 구성을 가지는 테이프 접착장치를 사용하여 도면을 참조하면서 설명한다.
또한, 본 실시예에서는, 보호테이프의 경도로서의 인장 탄성율이 상온(23℃)에서 500㎫인 보호테이프를 사용한다. 또한, 보호테이프의 경도는, 바람직하게는 50㎫이상 5000㎫ 이하이다. 상기 보호테이프의 인장 탄성율의 측정조건은, 1 ㎠의 시료에서 인장속도 50mm/min이다.
또한, 도 4의 웨이퍼(W) 단부의 확대도에서 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 원주단(周端)으로부터 삐어져 나오는 보호테이프(T1)의 돌출부분(Tb)의 길이는, 이하와 같이 한다.
백그라인드 처리 전의 돌출부분Tb의 길이는 2.0mm 이내이고, 백그라인드 처리 후의 돌출부분 Tb′의 길이는 2.0mm + α(예를 들면 α = 0.5mm)로 한다. 상기 α의 값은, 웨이퍼 단부의 베벨링(bevelling)에 의한 형상 및 연삭 후의 웨이퍼(W)의 두께에 의해 적시에 변경된다. 또한 돌출부분(Tb)의 길이는 바람직하게는 백그라인드 처리전이 1.0mm 이내이다.
돌출부분(Tb)의 길이가 백그라인드 처리전에 2.0mm 이내, 백그라인드 처리후의 돌출부분(Tb′)의 길이가 2.0mm + α이면, 백그라인드 처리전후에 있어서 웨이퍼(W)로부터의 보호테이프(T1)의 돌출길이가 적당한 정도로 확보된다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 반송과정에 있어서 웨이퍼(W)의 엣지가, 다른 부재 등과 직접 접촉하는 것을 방지할 수 있다.
돌출부분(Tb)의 길이가 2.0mm 이상이면, 웨이퍼(W)를 백그라인드 처리 할 때에, 돌출부분이 달라붙어 연삭을 균등하게 행하기 어렵게 된다.
이하, 보호테이프의 접착방법에 대하여 설명한다.
먼저, 테이프 접착장치의 테이프 보빈(3)에는 보호테이프(T1)가 장착된다.
테이프 접착장치의 척 테이블(7)에 웨이퍼(W)가 재치되어 위치맞춤이 행해져, 흡착 유지된다. 이 때, 도 3에 나타내는 바와 같이, 테이프 접착기구(8)와 테이프 박리기구(11)는 왼쪽의 초기위치에, 그리고 카터 유닛(10)은 위쪽의 대기위치에 각각 위치한다.
웨이퍼(W)의 위치맞춤이 끝나면, 도 5에 나타내는 바와 같이, 테이프 접착기구(8)의 접착롤러(9)가 요동 강하하고, 상기 접착롤러(9)가 보호테이프(T1)를 누르면서 웨이퍼(W) 위를 테이프 주행방향과는 역방향(도 5에서는 왼쪽으로부터 오른쪽 방향)으로 전동하고, 보호테이프(T1)를 웨이퍼(W)의 표면 전체에 균일하게 접착한다. 테이프 접착기구(8)가 종료위치에 도달하면 접착롤러(9)가 상승한다.
다음에, 도 6에 나타내는 바와 같이, 카터 유닛(10)이 절단작용위치로 하강하고, 날끝이 보호테이프(T1)를 찔러 관통한다. 보호테이프를 관통한 날끝은, 척 테이블(7)에 형성된 홈(7a)을 따라서 이동, 즉, 웨이퍼(W)의 직경보다도 큰 경이며, 웨이퍼(W)로부터 보호테이프가 삐어져 나온 상태에서 대략 웨이퍼(W)의 형상으로 보호테이프(T1)를 오려낸다. 이 때, 테이프 접착기구(8)와 테이프 박리기구(11)에 의해, 보호테이프(T1)에 텐션이 걸려 있다.
보호테이프(T1)의 오려내기 종료후, 커터 유닛(10)은, 도 7에 나타내는 바와 같이, 상승하여 대기위치로 돌아간다.
다음에, 테이프 박리기구(11)가, 도 7에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W) 위를 테이프 주행방향과는 역방향으로 이동하면서, 웨이퍼(W) 위에서 오려낸 불필요한 테이프(T2)를 감아올려 박리한다.
테이프 박리기구(11)가 박리작업의 종료위치에 도달하면, 테이프 박리기구(11)와 테이프 접착기구(8)가 테이프 주행방향으로 이동하여, 도 3에 나타내는 초기위치로 복귀한다. 이 때, 불필요한 테이프(T2)가 회수보빈(14)에 권취됨과 동시에, 일정량의 보호테이프(T1)가 테이프 공급부(2)로부터 풀려 나온다. 이것으로 제 1 테이프 접착장치에서의 웨이퍼(W) 표면으로의 보호테이프(T1)의 접착동작이 종료한다.
보호테이프(T1)의 접착이 종료된 웨이퍼(W)는, 도 4 및 도 8에 나타내는 바와 같이, 그 원주단(周端)으로부터 보호테이프(T1)가 삐어져 나온 상태로 되어 있다.
계속하여, 보호테이프(T1)가 접착된 웨이퍼(W)는, 백그라인드 처리에 의해 얇게 가공된다. 가공후의 웨이퍼(W)는, 도 9에 나타내는 바와 같이, 그 표면에 접착된 보호테이프(T1)가 웨이퍼(W)의 원주단으로부터 삐어져 나와 있다.
백그라인드 처리가 실시된 웨이퍼(W)는, 예를 들면, 카세트에 수납되어 웨이퍼 마운트 장치에 반송된다. 웨이퍼(W)가 카세트에 수납될 때, 웨이퍼(W)로부터 삐어져 나온 보호테이프(T1)가 완충재로서 작용하고, 웨이퍼(W)의 엣지가 카세트의 내벽을 찌르는 것을 방지한다.
카세트가 웨이퍼 마운트장치에 장전되면, 로봇 암에 의해 카세트로부터 웨이퍼(W)가 1매씩 취출되어 얼라이먼트 스테이지로 이동하여 재치된다.
얼라이먼트 스테이지로 이동 재치된 웨이퍼(W)는, 오리엔테이션 플랫 등에 기초하여 위치맞춤이 행해진다.
위치맞춤이 종료한 웨이퍼(W)는, 마운트 프레임 작성부로 반송되고, 도 10에서 나타내는 박리공정에 웨이퍼(W)가 재치될 때의 상태, 즉 뒷면으로부터 점착테이프(Tn)를 개재하여 링형상 프레임(f)에 지지된다. 상기 링형상 프레임(f)에 지지된 웨이퍼(W)(이하, 단순히 「마운트 프레임(F)」이라고 한다)는, 박리공정으로 반송되고, 후술하는 도 10의 척 테이블(19)에 재치된다.
다음에, 보호테이프 박리방법에 대하여 설명한다.
먼저, 본 실시예의 보호테이프 박리방법에 사용하는 일 실시예의 보호테이프 박리장치에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다.
도 10은 테이프 박리장치의 개략적인 구성을 나타낸 정면도, 도 11, 도 12, 도 14는 보호테이프를 박리하는 공정을 나타낸 설명도, 그리고 도 13은 보호테이프 박리동작을 나타낸 부분 확대도이다.
실시예에 관한 반도체 웨이퍼의 보호테이프 박리장치(15)는, 박리테이프(Ts)를 공급하는 공급부(16)와, 마운트 프레임(F)을 흡착 재치하는 척 테이블(19)과, 웨이퍼(W)의 표면에 접착된 보호테이프(T1)를 누르면서 박리테이프(Ts)를 접착함과 동시에, 상기 박리테이프(Ts)를 보호테이프(T1)와 함께 박리하는 박리기구(20)와, 웨이퍼(W)로부터 박리한 양 테이프(T1, Ts)를 회수하는 테이프 회수부(22)를 구비하고 있다.
이하, 각 기구의 구조에 대하여 구체적으로 설명한다.
테이프 공급부(16)는, 테이프 보빈(17)으로부터 풀려 나온 박리테이프(Ts)를 가이드 롤러(18)로 안내하여, 박리기구(20)로 안내한다. 또한, 테이프 보빈(17)은 도시하지 않은 세로벽에 축 지지되어 있다.
척 테이블(19)은, 가이드 핀 등을 구비하고 있으며, 이동 재치된 마운트 프레임(F)의 위치맞춤을 행함과 동시에, 뒷면을 흡착 유지하도록 되어 있다. 또한, 척 테이블(19)은, 그 프레임이 박리테이프(Ts)의 주행방향으로 슬라이드 가능하도록 장치 본체의 레일에 파지되어, 도시하지 않은 구동부에 연동되게 연결되어 있다.
박리기구(20)는, 그 프레임에 박리롤러(21)가 회전가능하게 축 지지되어 있음과 동시에, 상기 박리롤러(21)가 도시하지 않은 실린더 등에 의해 상하로 요동되게 구동하도록 되어 있다. 요컨대, 박리테이프(Ts)를 보호테이프(T1)의 표면에 누르면서 접착하도록 되어 있다.
테이프 회수부(22)는, 도시하지 않은 세로벽에 회수보빈(23)이 축 지지되고, 상기 회수보빈(23)이 모터 등의 구동부에 연동되게 연결되어 있다. 요컨대, 테이프공급부(16)로부터 소정량의 박리테이프(Ts)가 풀려 나와서, 웨이퍼(W) 위에 공급됨과 동시에, 구동부가 작동하는 것에 의해 보호테이프(T1)와 일체로 된 박리테이프(Ts)가 회수보빈(23)에 권취되도록 되어 있다.
다음에, 웨이퍼의 표면에 접착된 보호테이프를 박리하는 방법을, 전술한 구성을 가지는 테이프 박리장치를 사용하여 도면을 참조하면서 설명한다.
예를 들면, 도 10에 나타내는 바와 같이, 보호테이프가 접착된 반도체 웨이퍼(W)와 링형상의 프레임(f)이, 뒷면으로부터 점착테이프(Tn)에 의해 접착되어 일체화된 마운트 프레임(F)으로 된다. 상기 마운트 프레임(F)은, 척 테이블(19)에 재치된다.
재치된 마운트 프레임(F)은 위치맞춤이 행해져, 흡착 유지된다. 이 때, 척 테이블(19)은, 도 11에 나타내는 바와 같이, 박리롤러(21)가 보호테이프(T1)의 원주 테두리부에 닿는 위치(도 11에서는 왼쪽)로 이동한다.
마운트 프레임(F)의 위치맞춤이 끝나면, 도 12에 나타내는 바와 같이, 박리롤러(21)가 요동 하강함과 동시에, 척 테이블(19)이 박리테이프(Ts)의 주행방향으로 이동한다. 상기 척 테이블(19)의 이동에 따라, 박리롤러(21)가 박리테이프(Ts)를 밀어 붙이면서 웨이퍼(W) 위를 전동한다. 요컨대, 보호테이프(T1) 위에 박리테이프(Ts)가 접착되어 감과 동시에, 박리테이프(Ts)가 접착된 상기 보호테이프(T1)는 박리테이프(Ts)와 함께 감아 올려져 박리된다.
상기 보호테이프의 박리 개시시점은, 보호테이프(T1)가 웨이퍼(W)로부터 삐어져 나와 있으므로, 박리롤러(21)가 박리테이프(Ts)를 누르면서 웨이퍼(W) 위를전동하기 시작하면, 도 13에 나타내는 바와 같이, 돌출부분(Tb′)가 되접어져, 보호테이프 박리의 기점으로 된다.
척 테이블(19)이 도 14에 나타내는 바와 같이, 종료위치에 도달하면, 도 14에 나타내는 바와 같이, 박리롤러(21)가 상승하고, 척 테이블(19)은 테이프 주행방향과 역방향으로 이동하여 초기위치로 복귀한다. 이 때, 박리되어 박리테이프(Ts)와 일체로 된 보호테이프(T1)는 회수보빈(23)에 권취됨과 동시에, 일정량의 박리테이프(Ts)가 테이프 공급부(16)로부터 풀려 나온다. 이것으로, 웨이퍼(W)의 표면에 접착된 보호테이프(T1)의 박리동작이 종료된다.
이상과 같이, 보호테이프(T1)의 박리를 개시하면, 웨이퍼(W)로부터 삐어져 나온 보호테이프 부분(Tb)이 되접어져 기점으로 되므로, 보호테이프(T1)의 박리를 효율좋게 행할 수 있다.
본 발명은, 상기의 실시예에 한정되지 않고, 다음과 같이 변형 실시할 수도 있다.
(1) 상기 보호테이프의 접착방법에서는, 1매의 보호테이프(T1)를 웨이퍼(W)에 접착하고 있으나, 복수매의 보호테이프를 접착해도 좋다. 예를 들면, 이하와 같은 보호테이프의 접착을 실시할 수 있다.
시트형상의 보호테이프를 웨이퍼(W)의 위쪽에 공급하여 접착하는 경우, 도 15에 나타내는 바와 같이, 1매째로 웨이퍼(W)의 직경보다도 작은 직경의 보호테이프를 접착하고, 2매째로 웨이퍼(W)의 직경보다도 큰 직경의 보호테이프를 접착하도록 해도 좋다.
미리 라벨형상으로 겹쳐진 2매의 보호테이프를 웨이퍼(W)의 표면에 접착하는 경우, 1매째의 보호테이프 직경만이 웨이퍼(W)의 직경보다도 큰 직경이라도 좋고, 2매째의 보호테이프 직경만이 웨이퍼(W)의 직경보다도 큰 직경이더라도 좋고, 2매의 보호테이프가 웨이퍼(W)의 직경보다도 큰 직경이더라도 좋다.
(2) 상기 실시예에서는, 웨이퍼(W)의 박형가공으로서 백그라인드 처리를 예로 들어 설명했으나, 연마방법(CMP)이나, 엣칭방법 등에도 적용할 수 있다.
(3) 상기 실시예에서는, 웨이퍼 마운트 프레임 작성후에 보호테이프를 제거하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 웨이퍼(W)의 뒷면을 가공후에 보호테이프를 박리해도 좋다.
(4) 상기 실시예에서는, 보호테이프를 웨이퍼의 표면에 접착하고, 테이프 접착기구(8)와 테이프 박리기구(11)에 의해, 보호테이프에 텐션을 걸면서 보호테이프를 커터 유닛(10)으로 오려내고 있으나, 도 16에 나타내는 척 테이블(7)을 사용하여 보호테이프의 오려내기를 해도 좋다. 구체적으로는, 척 테이블(7)의 원주 테두리부분(7c)의 높이를 척 테이블(7)에 웨이퍼(W)를 재치한 때의 높이와 동일하게 하고, 상기 원주 테두리부분(7c)과 웨이퍼(W)에 걸쳐서 보호테이프(T1)를 수평으로 접착하고, 홈(7a)을 따라서 날끝을 이동시켜서 보호테이프를 오려 내도록 해도 좋다.
본 발명의 보호테이프의 접착방법에 의하면, 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경인 보호테이프가 반도체 웨이퍼의 표면에 접착된다. 따라서, 반도체 웨이퍼의엣지가, 다른 부재 등과 직접 접촉하는 것을 회피할 수 있다.
또한, 이와 같이, 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경인 보호테이프를 백그라인드 처리가 실시되기 전의 반도체 웨이퍼에 접착하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼의 엣지가, 다른 부재 등과 직접 접촉하는 것을 회피할 수 있다. 따라서, 얇게 가공된 반도체 웨이퍼의 취급이 용이하게 되고, 작업효율의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 보호테이프를 다중으로 접착하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼에 강성을 가질 수 있으며, 한층 취급이 용이하게 된다.
또한, 본 발명의 보호테이프 접착의 접착장치에 의하면, 유지수단으로 유지된 반도체 웨이퍼의 표면에 보호테이프가 접착된다. 상기 보호테이프는, 커터 유닛에 의해 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경으로 오려내진다. 상기 반도체 웨이퍼의 원주 테두리로부터 삐어져 나온 보호테이프가 완충재로서 작용하고, 반도체 웨이퍼의 원주 테두리(엣지)가 카세트의 내벽에 꽂히는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼 엣지의 파손을 회피할 수 있음과 동시에, 취급이 용이하게 되어, 작업효율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 유지수단의 원주 테두리 영역과 반도체 웨이퍼에 걸쳐서 보호테이프가 접착되므로, 보호테이프 노출거리를 짧게 할 수가 있다. 따라서, 보호테이프를 오려낼 때의 보호테이프의 처짐량을 적게 할 수 있고, 보호테이프를 오려내는 정밀도의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 본 발명의 보호테이프의 박리방법에 의하면, 반도체 웨이퍼의 직경으로부터 삐어져 나온 보호테이프의 표면에 박리테이프가 접착되고, 상기 박리테이프를 박리하는 것에 의해 보호테이프가 함께 박리된다. 요컨대, 보호테이프의 삐어져 나온 부분이 접어 꺾어져서 보호테이프를 박리하기 쉽게 할 수 있다.

Claims (14)

  1. 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에 보호테이프를 접착하는 보호테이프의 접착방법에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경의 보호테이프를 반도체 웨이퍼의 표면에 접착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호테이프의 접착방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 보호테이프는, 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경인 것을 특징으로 하는 보호테이프의 접착방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼의 표면에 복수매의 상기 보호테이프를 다중으로 되도록 접착하는 것을 특징으로 하는 보호테이프의 접착방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 다중의 보호테이프는, 반도체 웨이퍼를 향하여 공급한 시트형상의 보호테이프를 대략 반도체 웨이퍼 형상으로 절단하여 접착하는 동작을 개별적으로 반복하여 행하는 것을 특징으로 하는 보호테이프의 접착방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 다중의 보호테이프는, 1매째로 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 작은 직경의 보호테이프를 접착하고, 2매째로 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경의 보호테이프를 접착하는 것을 특징으로 하는 보호테이프의 접착방법.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 다중으로 접착되는 2매의 보호테이프는, 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경으로서 모두 동일한 직경인 것을 특징으로 하는 보호테이프의 접착방법.
  7. 제 3항에 있어서,
    상기 다중의 보호테이프는, 미리 대략 반도체 웨이퍼 형상을 한 라벨형상의 보호테이프를 접착하는 것을 특징으로 하는 보호테이프의 접착방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 다중의 보호테이프는, 1매째로 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 작은 직경인 라벨형상의 보호테이프를 접착하고, 2매째로 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경인 라벨형상의 보호테이프를 접착하는 것을 특징으로 하는 보호테이프의 접착방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 다중의 보호테이프는, 1매째로 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경인 라벨형상의 보호테이프를 접착하고, 2매째로 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 작은 직경인 라벨형상의 보호테이프를 접착하는 것을 특징으로 하는 보호테이프의 접착방법.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 다중으로 접착하는 대략 반도체 웨이퍼 형상을 한 라벨형상의 2매의 보호테이프는, 얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경으로서 모두 동일한 직경인 것을 특징으로 하는 보호테이프의 접착방법.
  11. 제 1항에 있어서,
    얇게 가공하기 전의 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경인 상기 보호테이프는, 반도체 웨이퍼의 원주 테두리로부터 삐어져 나온 부분의 길이가 2mm 이내인 것을 특징으로 하는 보호테이프의 접착방법.
  12. 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼의 표면에 보호테이프를 접착하는 보호테이프의 접착장치에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼를 재치하여 유지하는 유지수단과,
    상기 유지된 반도체 웨이퍼를 향하여 보호테이프를 공급하는 테이프 공급수단과,
    상기 공급된 보호테이프를 반도체 웨이퍼의 표면에 접착하는 접착수단과,
    상기 반도체 웨이퍼의 표면에 접착된 보호테이프를, 반도체 웨이퍼의 직경보다도 큰 직경으로 오려내는 커터 유닛과,
    상기 오려내진 보호테이프의 불필요한 테이프를 박리하는 박리수단과,
    상기 박리된 불필요한 테이프를 회수하는 회수부를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호테이프의 접착장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 유지수단은, 그 위에 반도체 웨이퍼를 재치한 때의 높이와 동일한 원주 테두리 부분을 구비하고
    또한, 상기 테두리부분과 반도체 웨이퍼에 걸쳐서 보호테이프를 접착하는 것을 특징으로 하는 보호테이프의 접착장치.
  14. 제 1항에 기재된 보호테이프의 접착방법에 의해서 반도체 웨이퍼의 표면에 접착된 보호테이프를 박리하는 박리방법에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼의 표면에 접착된 보호테이프 위에 박리테이프를 접착하고, 상기 박리테이프를 개재하여 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 보호테이프를 박리하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호테이프의 박리방법.
KR1020020086741A 2002-01-15 2002-12-30 보호테이프의 접착방법과 그 장치 및 보호테이프의 박리방법 KR100868142B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002006013A JP2003209082A (ja) 2002-01-15 2002-01-15 保護テープの貼付方法およびその装置並びに保護テープの剥離方法
JPJP-P-2002-00006013 2002-01-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030062224A true KR20030062224A (ko) 2003-07-23
KR100868142B1 KR100868142B1 (ko) 2008-11-10

Family

ID=19191174

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020086741A KR100868142B1 (ko) 2002-01-15 2002-12-30 보호테이프의 접착방법과 그 장치 및 보호테이프의 박리방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6919284B2 (ko)
EP (1) EP1328011A2 (ko)
JP (1) JP2003209082A (ko)
KR (1) KR100868142B1 (ko)
CN (1) CN1287428C (ko)
TW (1) TWI263273B (ko)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002367931A (ja) * 2001-06-07 2002-12-20 Lintec Corp ダイボンディングシート貼着装置およびダイボンディングシートの貼着方法
US20040214432A1 (en) * 2003-04-24 2004-10-28 Mutsumi Masumoto Thinning of semiconductor wafers
JP2005086074A (ja) * 2003-09-10 2005-03-31 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの移し替え方法
JP4090416B2 (ja) 2003-09-30 2008-05-28 日東電工株式会社 粘着テープ付ワークの離脱方法及び離脱装置
JP4530638B2 (ja) 2003-10-07 2010-08-25 日東電工株式会社 半導体ウエハへの保護テープ貼付方法及び貼付装置
JP4136890B2 (ja) 2003-10-17 2008-08-20 日東電工株式会社 保護テープの切断方法及び切断装置
JP2005150177A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ裏面への粘着テープ貼付方法及び粘着テープ貼付装置
JP4416108B2 (ja) * 2003-11-17 2010-02-17 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの製造方法
JP4472316B2 (ja) * 2003-11-28 2010-06-02 日東電工株式会社 粘着テープ切断方法及び粘着テープ切断装置
JP4297829B2 (ja) * 2004-04-23 2009-07-15 リンテック株式会社 吸着装置
TW200539357A (en) * 2004-04-28 2005-12-01 Lintec Corp Adhering apparatus and adhering method
JP4540403B2 (ja) 2004-06-16 2010-09-08 株式会社東京精密 テープ貼付方法およびテープ貼付装置
JP2006272505A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Nitto Denko Corp 保護テープ切断方法およびこれを用いた装置
JP4285455B2 (ja) * 2005-07-11 2009-06-24 パナソニック株式会社 半導体チップの製造方法
JP4836557B2 (ja) 2005-11-25 2011-12-14 株式会社東京精密 ダイシングテープ貼付装置およびダイシングテープ貼付方法
JP4953764B2 (ja) 2005-11-29 2012-06-13 株式会社東京精密 剥離テープ貼付方法および剥離テープ貼付装置
JP2007214357A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Nitto Denko Corp ワーク貼付け支持方法およびこれを用いたワーク貼付け支持装置
US20070204520A1 (en) * 2006-03-01 2007-09-06 Calleja Michael J Self-elevating staging with rack-and-pinion posts
JP4953738B2 (ja) * 2006-09-07 2012-06-13 日東電工株式会社 粘着テープ切断方法およびこれを用いた粘着テープ貼付け装置
US7614848B2 (en) 2006-10-10 2009-11-10 United Technologies Corporation Fan exit guide vane repair method and apparatus
KR100775933B1 (ko) * 2006-12-14 2007-11-13 우리마이크론(주) 확산판 보호테이프 자동 부착장치
US7659140B2 (en) * 2007-03-30 2010-02-09 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit system with a debris trapping system
US20090264053A1 (en) * 2008-04-21 2009-10-22 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for using a polishing tape cassette
JP5160297B2 (ja) * 2008-05-02 2013-03-13 日東電工株式会社 カッタ刃の清掃方法およびカッタ刃の清掃装置、並びに、これを備えた粘着テープ貼付け装置
TWI410329B (zh) * 2009-03-09 2013-10-01 Ind Tech Res Inst 可撓式裝置的取下設備及其取下方法
US8069893B2 (en) * 2010-02-03 2011-12-06 Lai Chin-Sen Cutting mechanism for dry film laminator
JP5381821B2 (ja) 2010-03-10 2014-01-08 三菱電機株式会社 保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置
JP5607965B2 (ja) * 2010-03-23 2014-10-15 日東電工株式会社 半導体ウエハマウント方法および半導体ウエハマウント装置
US8574398B2 (en) 2010-05-27 2013-11-05 Suss Microtec Lithography, Gmbh Apparatus and method for detaping an adhesive layer from the surface of ultra thin wafers
JP6054622B2 (ja) * 2012-04-05 2016-12-27 信越ポリマー株式会社 半導体ウェーハ用保護テープ及びその貼り付け方法
JP6388331B2 (ja) * 2014-07-14 2018-09-12 Necプラットフォームズ株式会社 テープ貼付装置及びテープ貼付治具
JP6510393B2 (ja) * 2015-12-15 2019-05-08 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP6879840B2 (ja) * 2017-06-28 2021-06-02 株式会社ディスコ テープ貼り機及びテープ外し方法
JP7022560B2 (ja) * 2017-10-18 2022-02-18 リンテック株式会社 接着シート処理方法および接着シート処理装置
JP2020178103A (ja) * 2019-04-22 2020-10-29 リンテック株式会社 シート支持装置およびシート支持方法
JP7441734B2 (ja) 2020-06-05 2024-03-01 リンテック株式会社 転写装置および転写方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5476566A (en) * 1992-09-02 1995-12-19 Motorola, Inc. Method for thinning a semiconductor wafer
US5480842A (en) * 1994-04-11 1996-01-02 At&T Corp. Method for fabricating thin, strong, and flexible die for smart cards
KR970030225A (ko) * 1995-11-08 1997-06-26 김광호 자외선 테이프를 사용하여 웨이퍼의 후면을 연마하는 반도체 소장 제조방법
US6770805B2 (en) * 2001-01-08 2004-08-03 Randall L. May Carrier assembly for percussion instruments
JPH1140520A (ja) * 1997-07-23 1999-02-12 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP3171148B2 (ja) * 1997-09-01 2001-05-28 日本電気株式会社 ウエハ−マウント装置
US6504241B1 (en) * 1998-10-15 2003-01-07 Sony Corporation Stackable semiconductor device and method for manufacturing the same
JP3560888B2 (ja) * 1999-02-09 2004-09-02 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2000331968A (ja) * 1999-05-21 2000-11-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ保護テープ
KR100467009B1 (ko) * 2000-08-04 2005-01-24 샤프 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼 표면의 오염을 방지할 수 있는 반도체웨이퍼의 박층화 방법 및 반도체 웨이퍼의 이면 연삭장치
JP2002075937A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの加工方法
CN1315615C (zh) * 2000-09-27 2007-05-16 斯特拉斯保 用于设置弹性带的工具及相关方法
US6506681B2 (en) * 2000-12-06 2003-01-14 Micron Technology, Inc. Thin flip—chip method
JP2003051473A (ja) * 2001-08-03 2003-02-21 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの裏面研削方法
JP3770820B2 (ja) * 2001-10-03 2006-04-26 日東電工株式会社 保護テープの貼付け方法
JP2003124147A (ja) * 2001-10-15 2003-04-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP3761444B2 (ja) * 2001-10-23 2006-03-29 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3880397B2 (ja) * 2001-12-27 2007-02-14 日東電工株式会社 保護テープの貼付・剥離方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI263273B (en) 2006-10-01
TW200302520A (en) 2003-08-01
US20030131929A1 (en) 2003-07-17
US6919284B2 (en) 2005-07-19
EP1328011A2 (en) 2003-07-16
CN1433055A (zh) 2003-07-30
CN1287428C (zh) 2006-11-29
KR100868142B1 (ko) 2008-11-10
JP2003209082A (ja) 2003-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100868142B1 (ko) 보호테이프의 접착방법과 그 장치 및 보호테이프의 박리방법
KR100915259B1 (ko) 보호테이프 접착방법 및 박리방법
JP4698519B2 (ja) 半導体ウエハマウント装置
TWI255500B (en) Method of cutting a protective tape and protective tape applying apparatus using the same method
JP5111938B2 (ja) 半導体ウエハの保持方法
JP5431053B2 (ja) 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置
JP4906518B2 (ja) 粘着テープ貼付け方法およびこれを用いた粘着テープ貼付け装置
JP3880397B2 (ja) 保護テープの貼付・剥離方法
WO1997008745A1 (fr) Procede et appareil de decollage de la bande de protection adhesive d'une tranche de semi-conducteurs
JPH1116862A (ja) シート剥離装置および方法
JP4953738B2 (ja) 粘着テープ切断方法およびこれを用いた粘着テープ貼付け装置
JP2007266364A (ja) ウエーハの処理方法および処理装置
TWI707818B (zh) 基板轉印方法及基板轉印裝置
TWI305663B (en) Protective tape applying and separating method
WO2011013348A1 (ja) 保護テープ貼付け方法およびそれに用いる保護テープ
JP2004047976A (ja) 保護テープ貼付方法およびその装置
JP2002057208A (ja) 保護テープ貼付け方法および保護テープ貼付け装置
JP2000331963A (ja) ウェーハフレームへのウェーハ取付方法と装置及びそれを組込んだ平面加工装置
KR101049000B1 (ko) 점착테이프의 접착방법 및 접착장치
JP4334420B2 (ja) 保護テープ貼付け方法および保護テープ貼付け装置
JP2001063908A (ja) 粘着テープ貼付け剥離装置
JP2005340859A (ja) 保護テープの剥離方法
TW201801240A (zh) 基板轉印方法及基板轉印裝置
KR20220131891A (ko) 박화 웨이퍼의 제조 방법 및 박화 웨이퍼의 제조 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121023

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131022

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee