KR20220131891A - 박화 웨이퍼의 제조 방법 및 박화 웨이퍼의 제조 장치 - Google Patents

박화 웨이퍼의 제조 방법 및 박화 웨이퍼의 제조 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220131891A
KR20220131891A KR1020227014060A KR20227014060A KR20220131891A KR 20220131891 A KR20220131891 A KR 20220131891A KR 1020227014060 A KR1020227014060 A KR 1020227014060A KR 20227014060 A KR20227014060 A KR 20227014060A KR 20220131891 A KR20220131891 A KR 20220131891A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
thinned
conveying
thinned wafer
conveying means
Prior art date
Application number
KR1020227014060A
Other languages
English (en)
Inventor
나오후미 이즈미
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Publication of KR20220131891A publication Critical patent/KR20220131891A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D7/00—Accessories specially adapted for use with machines or devices of the preceding groups
    • B28D7/04—Accessories specially adapted for use with machines or devices of the preceding groups for supporting or holding work or conveying or discharging work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

박화 웨이퍼가 파손되지 않도록 상기 박화 웨이퍼에 각종 공정을 실시할 수 있는 박화 웨이퍼의 제조 장치는, 기재(基材) 지지 수단(BS)에 의해 지지된 반도체 웨이퍼(WF)에 취약층(WL)을 형성하고, 상기 취약층(WL)을 경계로 하여 반도체 웨이퍼(WF)를 박화 웨이퍼(WF1)와 잔여 웨이퍼(WF2)로 구분하고, 상기 잔여 웨이퍼(WF2)를 박화 웨이퍼(WF1)로부터 분리하는 분리 수단(10)과, 분리 수단(10)에 의해 잔여 웨이퍼(WF2)가 분리된 박화 웨이퍼(WF1)를 반송하는 제1 반송 수단(20)과, 제1 반송 수단(20)에 의해 반송된 박화 웨이퍼(WF1)에 소정의 처리를 실시하는 처리 수단(30)과, 처리 수단(30)에 의해 소정의 처리가 실시된 박화 웨이퍼(WF1)를 반송하는 제2 반송 수단(40)과, 제2 반송 수단(40)에 의해 반송된 박화 웨이퍼(WF1)에 보강 부재(AS)를 첩부하는 보강 부재 첩부 수단(50)을 구비하고, 제1 반송 수단(20) 및 제2 반송 수단(40)은, 기재 지지 수단(BS)과 함께 박화 웨이퍼(WF1)를 반송한다.

Description

박화 웨이퍼의 제조 방법 및 박화 웨이퍼의 제조 장치
본 발명은 박화 웨이퍼의 제조 방법 및 박화 웨이퍼의 제조 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고도 함)에 취약층을 형성하여 상기 웨이퍼로부터 박화 웨이퍼를 형성하는 박화 웨이퍼의 제조 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
일본 특허공개 2016-35965호 공보
그러나, 특허문헌 1에 기재된 바와 같은 종래의 판상(板狀) 부재의 분할 방법(박화 웨이퍼의 제조 방법)에서는, 웨이퍼(WF)(웨이퍼)로 형성된 하반 웨이퍼(WF1)나 상반 웨이퍼(WF2)(박화 웨이퍼)가 아무런 보호되지 않는 상태로, 도시하지 않은 반송 수단에 의한 전달 공정이나, 연삭 수단(90)에 의한 연삭 공정 등의 각종 공정이 행해지기 때문에, 상기 각종 공정의 진동 등에 의해 파손될 가능성이 있다.
본 발명의 목적은, 박화 웨이퍼가 파손되지 않도록 상기 박화 웨이퍼에 각종 공정을 실시할 수 있는 박화 웨이퍼의 제조 방법 및 박화 웨이퍼의 제조 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명은 청구항에 기재한 구성을 채용했다.
본 발명에 따르면, 박화 웨이퍼는, 보강 부재가 첩부(貼付)될 때까지의 공정에서는, 기재(基材) 지지 수단에 의해 보호되고, 기재 지지 수단이 제거되어도, 그 후의 공정에서는, 보강 부재에 의해 보호되므로, 박화 웨이퍼가 파손되지 않도록 상기 박화 웨이퍼에 각종 공정을 실시할 수 있다.
도 1의 (A)는 본 발명의 실시형태에 따른 박화 웨이퍼의 제조 장치의 설명도이며, (B)는 변형예의 설명도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 따른 박화 웨이퍼의 제조 장치의 설명도.
이하, 본 발명의 일 실시형태를 도면에 의거하여 설명한다.
또, 본 실시형태에 있어서의 X축, Y축, Z축은, 각각이 직교하는 관계에 있으며, X축 및 Y축은, 소정 평면 내의 축으로 하고, Z축은, 상기 소정 평면에 직교하는 축으로 한다. 또한, 본 실시형태에서는, 도 1의 (A)에 나타내는 Y축과 평행한 화살표 BD 방향에서 봤을 경우를 기준으로 하여, 도면을 지정하는 일 없이 방향을 나타냈을 경우, 「상」이 Z축의 화살표 방향이고 「하」가 그 역방향, 「좌」가 X축의 화살표 방향이고 「우」가 그 역방향, 「전」이 Y축과 평행한 도 1 중 앞쪽 방향이고 「후」가 그 역방향으로 한다.
본 발명의 박화 웨이퍼의 제조 장치(EA)는, 기재 지지 수단(BS)에 의해 지지된 웨이퍼(WF)에 취약층(WL)을 형성하고, 상기 취약층(WL)을 경계로 하여 웨이퍼(WF)를 박화 웨이퍼(WF1)와 잔여 웨이퍼(WF2)로 구분하고, 상기 잔여 웨이퍼(WF2)를 박화 웨이퍼(WF1)로부터 분리하는 분리 수단(10)과, 분리 수단(10)에 의해 잔여 웨이퍼(WF2)가 분리된 박화 웨이퍼(WF1)를 반송하는 제1 반송 수단(20)과, 제1 반송 수단(20)에 의해 반송된 박화 웨이퍼(WF1)에 소정의 처리를 실시하는 처리 수단(30)과, 처리 수단(30)에 의해 소정의 처리가 실시된 박화 웨이퍼(WF1)를 반송하는 제2 반송 수단(40)과, 제2 반송 수단(40)에 의해 반송된 박화 웨이퍼(WF1)에 보강 부재로서의 접착 시트(AS)(도 2의 (D) 참조)를 첩부하는 보강 부재 첩부 수단으로서의 시트 첩부 수단(50)을 구비하고 있다.
또, 웨이퍼(WF)는, 일방의 면(WFA)에 도시하지 않은 소정의 회로가 형성되어 있으며, 지지 보조재로서의 에너지선 경화형의 도시하지 않은 양면 접착 시트를 통해 일방의 면(WFA)에 기재 지지 수단(BS)이 첩부되어 있다.
분리 수단(10)은, 웨이퍼(WF)를 지지하는 웨이퍼 지지 수단(11)과, 웨이퍼(WF)에 취약층(WL)을 형성하는 취약층 형성 수단(12)과, 잔여 웨이퍼(WF2)를 반송하는 잔여 웨이퍼 반송 수단(13)을 구비하고 있다.
웨이퍼 지지 수단(11)은, 구동 기기로서의 리니어 모터(11A)의 슬라이더(11B)에 지지된 구동 기기로서의 회동 모터(11C)와, 회동 모터(11C)의 출력축(11D)에 지지되고, 감압 펌프나 진공 이젝터 등의 도시하지 않은 감압 수단(유지 수단)에 의해 흡착 유지가 가능한 지지면(11E)을 갖는 분리 테이블(11F)을 구비하고 있다.
취약층 형성 수단(12)은, 구동 기기로서의 리니어 모터(12A)의 슬라이더 (12B)에 지지되고, 레이저광(LB)을 조사 가능한 레이저 조사 장치(12C)를 구비하고 있다. 레이저 조사 장치(12C)는, 웨이퍼(WF) 내부의 소정의 위치에 초점을 맞추고, 상기 초점이 된 위치에 취약한 취약층(WL)을 형성하도록 되어 있다. 본 실시형태의 경우, 레이저 조사 장치(12C)는, 복수의 초점이 좌우 방향으로 나열되도록 그 출력부가 구성되어 있다.
잔여 웨이퍼 반송 수단(13)은, 구동 기기로서의 리니어 모터(13A)의 슬라이더(13B)에 지지된 구동 기기로서의 직동 모터(13C)와, 직동 모터(13C)의 출력축(13D)에 지지되고, 감압 펌프나 진공 이젝터 등의 도시하지 않은 감압 수단(유지 수단)에 의해 흡착 유지가 가능한 흡착면(13E)을 갖는 흡착 테이블(13F)과, 잔여 웨이퍼(WF2)를 회수하는 회수 상자(13G)를 구비하고 있다.
제1 반송 수단(20)(제2 반송 수단(40))은, 복수의 암(arm)에 의해 구성되고, 그 작업 범위 내에서, 작업부인 선단 암(21A(41A))으로 지지한 것을 어느 위치, 어느 각도로도 변위 가능한 구동 기기로서의 소위 다관절 로봇(21(41))과, 선단 암(21A(41A))에 지지되고, 감압 펌프나 진공 이젝터 등의 도시하지 않은 감압 수단(유지 수단)에 의해 흡착 유지가 가능한 흡착부(22A(42A))를 갖는 반송 암(22(42))을 구비하고, 기재 지지 수단(BS)과 함께 박화 웨이퍼(WF1)를 반송하는 구성 즉, 박화 웨이퍼(WF1)가 기재 지지 수단(BS)에 지지된 상태에서 함께 반송하는 구성으로 되어 있다.
또, 제1 반송 수단(20)의 구성 설명에서, 부호 부분을 괄호 안의 기재로 변경함으로써, 제2 반송 수단(40)의 구성 설명으로 한다.
처리 수단(30)은, 본 실시형태의 경우, 박화 웨이퍼(WF1)에 있어서의 취약층(WL) 측의 면을 연마하는 것이며, 구동 기기로서의 회동 모터(31)와, 회동 모터(31)의 출력축(31A)에 지지되고, 감압 펌프나 진공 이젝터 등의 도시하지 않은 감압 수단(유지 수단)에 의해 흡착 유지가 가능한 지지면(32A)을 갖는 처리 테이블(32)과, 구동 기기로서의 리니어 모터(33)의 슬라이더(33A)에 지지되고, 출력축(34A)의 직동과 회동이 가능한 구동 기기로서의 직동 회동 모터(34)와, 출력축(34A)에 지지되고, 박화 웨이퍼(WF1)에 있어서의 취약층(WL) 측의 면을 연마하는 연마 부재(35)를 구비하고 있다.
시트 첩부 수단(50)은, 링 프레임(RF)을 반송하는 프레임 반송 수단(51)과, 박화 웨이퍼(WF1) 및 링 프레임(RF)을 반송하는 피착체 지지 수단(52)과, 접착 시트(AS)를 공급하여 첩부하는 시트 공급 수단(53)을 구비하고 있다.
프레임 반송 수단(51)은, 구동 기기로서의 리니어 모터(51A)의 슬라이더(51B)에 지지된 구동 기기로서의 직동 모터(51C)와, 직동 모터(51C)의 출력축(51D)에 지지되고, 감압 펌프나 진공 이젝터 등의 도시하지 않은 감압 수단(유지 수단)에 의해 흡착 유지가 가능한 흡착부(51E)를 갖는 흡착 암(51F)과, 링 프레임(RF)을 스톡하는 스톡커(51G)를 구비하고 있다.
피착체 지지 수단(52)은, 구동 기기로서의 리니어 모터(52A)의 슬라이더(52B)에 지지되고, 프레임 재치면(52C)에서 링 프레임(RF)을 지지 가능하게 마련됨과 함께, 감압 펌프나 진공 이젝터 등의 도시하지 않은 감압 수단(유지 수단)에 의해 흡착 유지가 가능한 지지면(52D)을 갖는 첩부 테이블(52E)을 구비하고 있다.
시트 공급 수단(53)은, 접착 시트(AS)가 띠상(帶狀)의 박리 시트(RL)에 가착된 원반(RS)을 지지하는 지지 롤러(53A)와, 원반(RS)을 안내하는 가이드 롤러(53B)와, 박리 가장자리(53C)에서 박리 시트(RL)를 되접어, 상기 박리 시트(RL)로부터 접착 시트(AS)를 박리하는 박리 수단으로서의 박리판(53D)과, 링 프레임(RF) 및 박화 웨이퍼(WF1)에 접착 시트(AS)를 압압(押壓)하여 첩부하는 압압 수단으로서의 압압 롤러(53E)와, 구동 기기로서의 회동 모터(53F)의 도시하지 않은 출력축에 지지되고, 핀치 롤러(53G)로 박리 시트(RL)를 끼워 넣는 구동 롤러(53H)와, 도시하지 않은 구동 기기의 출력축에 지지되고, 박화 웨이퍼의 제조 장치(EA)의 자동 운전이 행해지고 있는 동안, 핀치 롤러(53G)와의 사이에 존재하는 박리 시트(RL)에 항상 소정의 장력을 부여하고, 상기 박리 시트(RL)를 회수하는 회수 수단으로서의 회수 롤러(53J)를 구비하고 있다.
이상의 박화 웨이퍼의 제조 장치(EA)의 동작을 설명한다.
우선, 각 도면 중 실선으로 나타내는 초기 위치에 각 부재가 배치된 박화 웨이퍼의 제조 장치(EA)에 대해, 상기 박화 웨이퍼의 제조 장치(EA)의 사용자(이하, 단순히 「사용자」라고 함)가 도 2의 (D)에 나타내는 바와 같이 원반(RS)을 세트한 후, 조작 패널이나 퍼스널 컴퓨터 등의 도시하지 않은 조작 수단을 통해 자동 운전 개시의 신호를 입력한다. 그러면, 시트 첩부 수단(50)이 회동 모터(53F)를 구동하여, 원반(RS)을 조출(繰出)하고, 선두의 접착 시트(AS)의 조출 방향 선단부가 박리판(53D)의 박리 가장자리(53C)에서 소정 길이 박리되면, 회동 모터(53F)의 구동을 정지한다. 그 다음에, 사용자 또는 다관절 로봇이나 벨트 컨베이어 등의 도시하지 않은 반송 수단이, 도 2의 (A)에 나타내는 바와 같이, 분리 테이블(11F) 상에 기재 지지 수단(BS)에 의해 지지된 웨이퍼(WF)를 재치하면, 분리 수단(10)이 도시하지 않은 감압 수단을 구동하여, 지지면(11E)에서의 기판 지지 수단(BS)의 흡착 유지를 개시한다. 그 후, 분리 수단(10)이 리니어 모터(11A)를 구동하여, 분리 테이블(11F)을 전후 방향으로 이동시키고, X축 방향에서 본 측면시에 있어서, 웨이퍼(WF)의 전후 방향의 중심 위치가 레이저 조사 장치(12C)의 전후 방향의 중심 위치에 도달하면, 리니어 모터(11A)의 구동을 정지한다.
다음으로, 분리 수단(10)이 회동 모터(11C), 리니어 모터(12A) 및 레이저 조사 장치(12C)를 구동하여, 웨이퍼(WF)를 회전시키면서 상기 웨이퍼(WF)의 외연(外緣) 측으로부터 중앙을 향하여 레이저 조사 장치(12C)를 이동시킨다. 이에 따라, 레이저 조사 장치(12C)의 초점 위치가 되고 있는 웨이퍼(WF)의 내부에, XY 평면과 평행한 취약층(WL)이 형성된다. 그리고, 웨이퍼(WF)의 내부에서의 레이저 조사 장치(12C)의 초점 위치 전체에 취약층(WL)이 형성되고, 상기 웨이퍼(WF)가 박화 웨이퍼(WF1)와 잔여 웨이퍼(WF2)로 구분되면, 분리 수단(10)이 회동 모터(11C) 및 레이저 조사 장치(12C)의 구동을 정지한 후, 리니어 모터(12A)를 구동하여, 레이저 조사 장치(12C)를 초기 위치로 복귀시킨다.
그 다음에, 분리 수단(10)이 리니어 모터(11A)를 구동하여, 분리 테이블(11F)을 후방으로 이동시키고, 측면시에 있어서, 웨이퍼(WF)의 전후 방향의 중심 위치가 흡착 테이블(13F)의 전후 방향의 중심 위치에 도달하면, 리니어 모터(11A)의 구동을 정지한다. 그 후, 분리 수단(10)이 직동 모터(13C)를 구동하여, 도 2의 (A) 중 이점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 흡착면(13E)을 잔여 웨이퍼(WF2)의 상면에 당접시킨 후, 도시하지 않은 감압 수단을 구동하여, 상기 흡착면(13E)에서의 잔여 웨이퍼(WF2)의 흡착 유지를 개시한다. 다음으로, 분리 수단(10)이 리니어 모터(13A) 및 직동 모터(13C)를 구동하여, 흡착 테이블(13F)을 상승시켜 잔여 웨이퍼(WF2)를 박화 웨이퍼(WF1)로부터 분리한 후, 도 2의 (A) 중 이점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 잔여 웨이퍼(WF2)를 회수 상자(13G) 내로 반송한다. 그리고, 분리 수단(10)이 도시하지 않은 감압 수단의 구동을 정지하여, 흡착면(13E)에서의 잔여 웨이퍼(WF)의 흡착 유지를 해제한 후, 리니어 모터(13A) 및 직동 모터(13C)를 구동하여, 흡착 테이블(13F)을 초기 위치로 복귀시킴과 함께, 리니어 모터(11A)를 구동하여, 분리 테이블(11F)을 초기 위치로 복귀시킨다.
그 다음에, 제1 반송 수단(20)이 다관절 로봇(21)을 구동하여, 도 2의 (B) 중 이점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 분리 테이블(11F)에 지지되어 있는 기재 지지 수단(BS)의 상면에 흡착부(22A)를 당접시킨 후, 도시하지 않은 감압 수단을 구동하여, 상기 흡착부(22A)에서의 기재 지지 수단(BS)의 흡착 유지를 개시한다. 그 후, 분리 수단(10)이 도시하지 않은 감압 수단의 구동을 정지하여, 지지면(11E)에서의 기재 지지 수단(BS)의 흡착 유지를 해제한 후, 제1 반송 수단(20)이 다관절 로봇(21)을 구동하여, 기재 지지 수단(BS)에 의해 지지된 박화 웨이퍼(WF1)를 처리 테이블(32) 상에 재치한다. 다음으로, 처리 수단(30)이 도시하지 않은 감압 수단을 구동하여, 지지면(32A)에서의 기재 지지 수단(BS)의 흡착 유지를 개시하면, 제1 반송 수단(20)이 도시하지 않은 감압 수단의 구동을 정지하여, 흡착부(22A)에서의 기재 지지 수단(BS)의 흡착 유지를 해제한 후, 다관절 로봇(21)을 구동하여, 반송 암(22)을 초기 위치로 복귀시킨다.
그리고, 처리 수단(30)이 회동 모터(31), 리니어 모터(33) 및 직동 회동 모터(34)를 구동하여, 도 2의 (C) 중 이점 쇠선으로 나타내는 바와 같이, 박화 웨이퍼(WF1)를 회전시키면서, 상기 박화 웨이퍼(WF1)의 외연 측으로부터 중앙을 향하여 회전하는 연마 부재(35)를 이동시킨다. 이때, 처리 수단(30)이 직동 회동 모터(34)를 구동하여, 박화 웨이퍼(WF1)의 두께가 소정의 두께가 되도록, 연마 부재(35)의 높이 위치를 조정한다. 박화 웨이퍼(WF1)의 상면 전체가 연마되면, 처리 수단(30)이 회동 모터(31) 및 직동 회동 모터(34)의 구동을 정지한 후, 리니어 모터(33) 및 직동 회동 모터(34)를 구동하여, 연마 부재(35)를 초기 위치로 복귀시킨다.
그 다음에, 제2 반송 수단(40)이 다관절 로봇(41)을 구동하여, 도 2의 (B) 중 이점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 처리 테이블(32)에 지지되어 있는 기재 지지 수단(BS)의 상면에 흡착부(42A)를 당접시킨 후, 도시하지 않은 감압 수단을 구동하여, 상기 흡착부(42A)에서의 기재 지지 수단(BS)의 흡착 유지를 개시한다. 그 후, 처리 수단(30)이 도시하지 않은 감압 수단의 구동을 정지하여, 지지면(32A)에서의 기재 지지 수단(BS)의 흡착 유지를 해제한 후, 제2 반송 수단(40)이 다관절 로봇(41)을 구동하여, 도 2의 (D)에 나타내는 바와 같이, 기재 지지 수단(BS)에 의해 지지된 박화 웨이퍼(WF1)를 첩부 테이블(52E) 상에 재치한다. 다음으로, 시트 첩부 수단(50)이 도시하지 않은 감압 수단을 구동하여, 지지면(52D)에서의 기재 지지 수단(BS)의 흡착 유지를 개시하면, 제2 반송 수단(40)이 도시하지 않은 감압 수단의 구동을 정지하여, 흡착부(42A)에서의 기재 지지 수단(BS)의 흡착 유지를 해제한 후, 다관절 로봇(41)을 구동하여, 반송 암(42)을 초기 위치로 복귀시킨다.
그리고, 시트 첩부 수단(50)이 리니어 모터(52A)를 구동하여, 첩부 테이블(52E)을 전후 방향으로 이동시키고, 측면시에 있어서, 박화 웨이퍼(WF1)의 전후 방향의 중심 위치가 흡착 암(51F)의 전후 방향의 중심 위치에 도달하면, 리니어 모터(52A)의 구동을 정지한다. 그 다음에, 시트 첩부 수단(50)이 직동 모터(51C)를 구동하여, 도 2의 (D) 중 이점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 흡착부(51E)를 스톡커(51G) 내의 링 프레임(RF)의 상면에 당접시킨 후, 도시하지 않은 감압 수단을 구동하여, 상기 흡착부(51E)에서의 링 프레임(RF)의 흡착 유지를 개시한다. 그 후, 시트 첩부 수단(50)이 리니어 모터(51A) 및 직동 모터(51C)를 구동하여, 흡착 유지한 링 프레임(RF)을 프레임 재치면(52C) 상에 재치하면, 도시하지 않은 감압 수단의 구동을 정지하여, 흡착부(51E)에서의 링 프레임(RF)의 흡착 유지를 해제한 후, 리니어 모터(51A) 및 직동 모터(51C)를 구동하여, 흡착 암(51F)을 초기 위치로 복귀시킨다.
다음으로, 시트 첩부 수단(50)이 리니어 모터(52A)를 구동하여, 첩부 테이블(52E)을 후방으로 이동시키고, 상기 첩부 테이블(52E)이 소정의 위치에 도달하면, 회동 모터(53F)를 구동하여, 첩부 테이블(52E)의 이동 속도에 맞춰 원반(RS)을 조출한다. 이에 따라, 접착 시트(AS)가 박리 시트(RL)로부터 박리되고, 상기 박리 시트(RL)로부터 박리된 접착 시트(AS)는, 도 2의 (D) 중 이점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 압압 롤러(53E)에 의해 링 프레임(RF) 및 박화 웨이퍼(WF1)에 압압되어 첩부된다. 그리고, 선두의 접착 시트(AS) 전체가 링 프레임(RF) 및 박화 웨이퍼(WF1)에 첩부되어 일체물(UP)이 형성되고, 선두의 접착 시트(AS)에 이은 다음 접착 시트(AS)의 조출 방향 선단부가 박리판(53D)의 박리 가장자리(53C)에서 소정 길이 박리되면, 시트 첩부 수단(50)이 회동 모터(53F)의 구동을 정지한다. 그 다음에, 일체물(UP)이 압압 롤러(53E)의 후방 소정 위치에 도달하면, 시트 첩부 수단(50)이 리니어 모터(52A)의 구동을 정지한 후, 도시하지 않은 감압 수단의 구동을 정지하여, 지지면(52D)에서의 기재 지지 수단(BS)의 흡착 유지를 해제한다. 그 후, 사용자 또는 도시하지 않은 반송 수단이 일체물(UP)을 다음 공정으로 반송하면, 시트 첩부 수단(50)이 리니어 모터(52A)를 구동하여, 첩부 테이블(52E)을 초기 위치로 복귀시키고, 이후 상기 마찬가지의 동작이 반복된다.
또, 다음 공정으로 반송된 박화 웨이퍼(WF1)는, 상기 박화 웨이퍼(WF1)에 표면 처리를 실시하는 표면 처리 장치, 박화 웨이퍼(WF1)에 노치를 형성하여 개편화하는 개편화 장치, 박화 웨이퍼(WF1)를 세정하는 세정 장치 등의 각종 장치에 보내진다. 또한, 일체물(UP)을 첩부 테이블(52E)로부터 제거한 후, 사람 손이나 도시하지 않은 제거 수단으로 일체물(UP)로부터 기재 지지 수단(BS)을 제거해도 좋다. 일체물(UP)로부터 기재 지지 수단(BS)을 제거할 경우, 그 전단(前段)에서 에너지선 경화형의 도시하지 않은 양면 접착 시트에 에너지선을 조사하여, 상기 도시하지 않은 양면 접착 시트의 접착력을 저하시키면 된다.
이상과 같은 실시형태에 따르면, 박화 웨이퍼(WF1)는, 접착 시트(AS)가 첩부될 때까지의 공정에서는, 기재 지지 수단(BS)에 의해 보호되고, 기재 지지 수단(BS)이 제거되어도, 그 후의 공정에서는, 접착 시트(AS)에 의해 보호되므로, 박화 웨이퍼(WF1)가 파손되지 않도록 상기 박화 웨이퍼(WF1)에 각종 공정을 실시할 수 있다.
본 발명에 있어서의 수단 및 공정은, 그들 수단 및 공정에 대해서 설명한 동작, 기능 또는 공정을 완수할 수 있는 한 하등 한정되지 않고, 나아가, 상기 실시형태에서 나타낸 단순한 일 실시형태의 구성물이나 공정에 전혀 한정되지 않는다. 예를 들면, 처리 수단은, 제1 반송 수단에 의해 반송된 박화 웨이퍼에 있어서의 취약층 측의 면을 처리 가능한 것이면, 어떤 것이어도 좋고, 출원 당초의 기술 상식에 비추어 볼 때 그 기술 범위 내의 것이면 하등 한정되지 않는다(그 외의 수단 및 공정도 동일).
분리 수단(10)은, X, Y 방향의 직교 2축 방향 및 그들 성분을 포함하는 방향으로 분리 테이블(11F)이나 흡착 테이블(13F)을 이동 가능한 소위 XY 테이블이나 다관절 로봇 등의 다축 방향 이동 수단을 채용하여, 웨이퍼(WF)에 취약층(WL)을 형성할 때나, 잔여 웨이퍼(WF2)를 박화 웨이퍼(WF1)로부터 분리할 때에, 상기 웨이퍼(WF)를 X, Y 평면 내에서 이동시키는 구성으로 하거나, 웨이퍼(WF)나 박화 웨이퍼(WF1)의 위치 결정을 행하는 구성으로 해도 좋고, 초점이 점상, 선상 또는 면상이 되는 레이저 조사 장치(12C)를 채용해도 좋고, 레이저 이외에 예를 들면, 전자파, 진동, 열, 약품, 화학 물질 등의 부여에 의해, 웨이퍼(WF)의 특성, 특질, 성질, 재질, 조성, 구성, 치수 등을 변경함으로써, 웨이퍼(WF)에 취약층(WL)을 형성하는 것을 채용해도 좋고, XY 평면에 대하여 경사진 취약층(WL)을 형성해도 좋고, 웨이퍼(WF)를 3개 이상으로 구분할 수 있는 취약층(WL)을 형성해도 좋고, 예를 들면, 일방의 면(WFA)을 2분할 또는 3분할 이상으로 분할할 수 있도록, 상하 방향 또는 상하 방향에 대하여 경사진 예를 들면 평면시 격자상(格子狀)이나 그 외 형상 등의 취약층(WL)을 형성해도 좋고, 박화 웨이퍼(WF1)와 잔여 웨이퍼(WF2)가 완전히 이간(離間)한 취약층(WL)을 형성해도 좋고, 박화 웨이퍼(WF1)와 잔여 웨이퍼(WF2)가 부분적으로 이간한 취약층(WL)을 형성해도 좋고, 취약층(WL)의 면 내에서 박화 웨이퍼(WF1)와 잔여 웨이퍼(WF2)를 상대 회전시키면서, 또는, 상대 회전시키고 나서 그들을 분리해도 좋고, 박화 웨이퍼(WF1)나 잔여 웨이퍼(WF2)에 진동을 부여하면서, 또는, 진동을 부여하고 나서 그들을 분리해도 좋다. 이와 같이, 박화 웨이퍼(WF1)나 잔여 웨이퍼(WF2)를 상대 회전시키거나, 박화 웨이퍼(WF1)나 잔여 웨이퍼(WF2)에 진동을 부여할 경우, 잔여 웨이퍼 반송 수단(13) 측을 회전시키거나, 잔여 웨이퍼 반송 수단(13) 측에서 진동을 부여해도 좋고, 웨이퍼 지지 수단(11) 측을 회전시키거나, 웨이퍼 지지 수단(11) 측에서 진동을 부여해도 좋다.
분리 수단(10)은, 흡착 테이블(13F) 대신에 접착 시트나 점착 시트 등의 접착체를 잔여 웨이퍼(WF2)의 상면에 접착한 후, 상기 접착체를 통해 장력을 부여하고, 잔여 웨이퍼(WF2)를 박화 웨이퍼(WF1)로부터 분리해도 좋다.
제1, 제2 반송 수단(20, 40)은, 흡착부(22A, 42A)에서 박화 웨이퍼(WF1)를 흡착 유지해도 좋고, 흡착부(22A, 42A)에서 기재 지지 수단(BS) 및 박화 웨이퍼(WF1) 양방을 흡착 유지해도 좋고, 카메라나 투영기 등의 촬상 수단이나, 광학 센서나 초음파 센서 등의 각종 센서 등의 검지 수단을 채용하여, 상기 검지 수단으로 웨이퍼(WF)나 박화 웨이퍼(WF1)의 위치 결정을 행하고 나서, 그들을 분리 테이블(11F), 처리 테이블(32) 또는 첩부 테이블(52E) 상의 소정의 위치에 재치하는 구성으로 해도 좋다.
제1 반송 수단(20)이 웨이퍼(WF)를 분리 테이블(11F) 상에 재치하는 구성으로 해도 좋고, 도 1의 (B)에 나타내는 바와 같이, 제1 반송 수단(20)이 제2 반송 수단(40)을 겸용해도 좋고, 이 경우, 동(同) 도면 중 이점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 리니어 모터(23)의 슬라이더(23A)로 다관절 로봇(21(41))을 지지하고, 상기 다관절 로봇(21(41))을 이동시켜도 좋다.
처리 수단(30)은, 케미컬 메카니컬 폴리시, 드라이 폴리시, 웨트 에칭, 드라이 에칭 등의 연마 수단이어도 좋고, 예를 들면, 박화 웨이퍼(WF1)를 깎거나 깨뜨리는 연삭 수단, 박화 웨이퍼(WF1)에 보호재나 피복재 등의 도료를 도장(塗裝)하는 도장 수단, 박화 웨이퍼(WF1)에 접착제나 가공물 등의 첨가물을 도포하는 도포 수단, 박화 웨이퍼(WF1)에 금속이나 비금속 등의 피막을 형성하는 도금 수단, 박화 웨이퍼(WF1)에 접착 시트나 단자(전극) 등의 적층물을 적층하는 적층 수단, 박화 웨이퍼(WF1)에 노치를 형성하여 절단하는 절단 수단, 박화 웨이퍼(WF1)에 선상의 취약층을 형성하고, 상기 박화 웨이퍼(WF1)에 장력을 부여하여 개편화하는 개편화 수단, 개편화된 편상체의 간격을 넓히는 익스팬드 장치 등 어떠한 처리를 행하는 것이어도 좋고, 그들이 1개여도 좋고, 2개 이상이어도 좋다.
시트 첩부 수단(50)은, 감압 펌프나 진공 이젝터 등의 도시하지 않은 감압 수단(유지 수단)에 의해 프레임 재치면(52C)에서 링 프레임(RF)을 흡착 유지가 가능한 구성으로 해도 좋고, 프레임 부재로서의 링 프레임(RF) 이외에 예를 들면, 환상(環狀) 또는 환상이 아닌 부재를 채용해도 좋고, 박리 시트(RL)에 가착된 띠상의 접착 시트 기재에 폐루프상 또는 단치수 폭 방향 전체의 노치가 형성됨으로써, 그 노치에 의해 구획된 소정의 영역이 접착 시트(AS)로 된 원반을 조출해도 좋고, 띠상의 접착 시트 기재가 박리 시트(RL)에 가착된 원반을 채용하여, 접착 시트 기재에 폐루프상 또는 단치수 폭 방향 전체의 노치를 절단 수단으로 형성하고, 그 노치에 의해 구획된 소정의 영역을 접착 시트(AS)로 해도 좋고, 띠상의 접착 시트 기재를 박화 웨이퍼(WF1) 및 링 프레임(RF)에 첩부하는 구성이어도 좋고, 접착 시트(AS)를 박리 시트(RL)로부터 박리할 때, 원반(RS)에 소정의 장력이 부여되도록 회동 모터(53F)의 토크 제어를 행해도 좋고, 지지 롤러(53A)나 가이드 롤러(53B) 등의 각 롤러 대신에 판상 부재나 샤프트 부재 등으로 원반(RS)이나 박리 시트(RL)를 지지하거나 안내해도 좋고, 원반(RS)을 권회(卷回)하는 일 없이, 예를 들면 팬폴드로 접힌 원반(RS)으로부터 상기 원반(RS)을 인출(引出)하도록 지지해도 좋고, 구동 기기로서의 직동 모터의 출력축에 지지되고, 감압 펌프나 진공 이젝터 등의 도시하지 않은 감압 수단에 의해 흡착 유지가 가능한 유지 부재로 접착 시트(AS)를 유지하고, 상기 유지 부재로 유지한 접착 시트(AS)를 박화 웨이퍼(WF1) 및 링 프레임(RF)에 압압하여 첩부하는 구성의 압압 수단을 채용해도 좋고, 박리 시트(RL)를 권회하는 일 없이 예를 들면 팬폴드로 접거나, 슈레더 등으로 잘게 잘라 회수해도 좋고, 권회하거나 팬폴드로 접는 일 없이 단순히 집적하여 박리 시트(RL)를 회수해도 좋고, 박리 시트(RL)를 회수하지 않아도 좋고, 박화 웨이퍼(WF1) 및 링 프레임(RF)을 이동시키지 않거나 또는 이동시키면서, 시트 공급 수단(53)을 이동시켜 박화 웨이퍼(WF1) 및 링 프레임(RF)에 접착 시트(AS)를 첩부해도 좋고, 박리 시트(RL)가 가착되어 있지 않은 접착 시트(AS)를 조출하여 박화 웨이퍼(WF1) 및 링 프레임(RF)에 접착 시트(AS)를 첩부해도 좋고, 천지 반전하여 배치하거나 가로로 배치하여, 박화 웨이퍼(WF1) 및 링 프레임(RF)에 접착 시트(AS)를 첩부하도록 구성해도 좋다.
보강 부재 첩부 수단은, 유리나 철판 등의 경질 부재를 보강 부재로서 채용하여, 양면 접착 시트나 접착제 등의 접착 수단을 통해 상기 경질 부재를 박화 웨이퍼(WF1)에 첩부하는 구성으로 해도 좋고, 이러한 경우나, 접착 시트(AS)에 적절한 강성(剛性)이 있을 경우, 프레임 반송 수단(51)이 구비되어 있지 않아도 좋다.
웨이퍼(WF)는, 일방의 면(WFA) 및 타방의 면 중 적어도 일방에 회로가 형성되어 있어도 좋고, 일방의 면(WFA)과 타방의 면 양방에 회로가 형성되어 있지 않아도 좋고, 일방의 면(WFA) 및 타방의 면 중 적어도 일방에 보호 테이프가 첩부되어 있어도 좋고, 일방의 면(WFA)과 타방의 면 양방에 보호 테이프가 첩부되어 있지 않아도 좋다.
기재 지지 수단(BS)은, 유리나 철판 등의 경질 부재나, 수지나 접착 시트 등, 박화 웨이퍼(WF1)를 보호할 수 있으면 어떠한 것이어도 좋고, 예를 들면, 분리 테이블(11F)이나 처리 테이블(32)과 같이, 감압 펌프나 진공 이젝터 등의 도시하지 않은 감압 수단(유지 수단)에 의해 흡착 유지가 가능한 것이나, 정전 척에 의해 유지가 가능한 것이어도 좋고, 이 경우 지지 보조재는 없어도 좋다.
지지 보조재는, 에너지선 경화형이 아닌 양면 접착 시트가 채용되어도 좋고, 에너지선 경화형 또는 에너지선 경화형이 아닌 접착제나 점착제가 채용되어도 좋다.
박화 웨이퍼의 제조 장치(EA)는, 분리 수단(10)에 의해 박화 웨이퍼(WF1)로부터 분리한 잔여 웨이퍼(WF2)도 박화 웨이퍼로 할 수 있고, 처리 수단(30)에 의해 잔여 웨이퍼(WF2)에 소정의 처리를 실시하고, 시트 첩부 수단(50)에 의해 잔여 웨이퍼(WF2) 및 링 프레임(RF)에 접착 시트(AS)를 첩부해도 좋다. 이 경우, 잔여 웨이퍼(WF2) 측이 기재 지지 수단에 의해 지지되어 있으면 좋다.
박화 웨이퍼의 제조 장치(EA)는, 잔여 웨이퍼(WF2)도 박화 웨이퍼로 할 경우, 분리 수단(10)에 의해 잔여 웨이퍼(WF2)에 취약층(WL)을 형성하고, 상기 취약층(WL)을 경계로 하여 잔여 웨이퍼(WF2)를 도시하지 않은 박화 웨이퍼와 도시하지 않은 잔여 웨이퍼로 구분한 후, 상기와 마찬가지로 하여 도시하지 않은 박화 웨이퍼 및 도시하지 않은 링 프레임(RF)에 접착 시트(AS)를 첩부해도 좋다. 이 경우에도, 잔여 웨이퍼(WF2) 측이 기재 지지 수단에 의해 지지되어 있으면 좋다.
박화 웨이퍼의 제조 장치(EA)는, 도시하지 않은 제거 수단이 구비되어 있어도 좋고, 구비되어 있지 않아도 좋고, 일방의 면(WFA) 및 타방의 면 중 적어도 일방에 보호 테이프가 첩부되어 있을 경우, 상기 보호 테이프를 박리하는 박리 수단이 구비되어 있어도 좋다.
본 발명에 있어서의 접착 시트(AS), 웨이퍼(WF), 박화 웨이퍼(WF1) 및 잔여 웨이퍼(WF2)의 재질, 종별, 형상 등은, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 접착 시트(AS), 웨이퍼(WF), 박화 웨이퍼(WF1) 및 잔여 웨이퍼(WF2)는, 원형, 타원형, 삼각형이나 사각형 등의 다각형, 그 외의 형상이어도 좋고, 접착 시트(AS)는, 감압 접착성, 감열 접착성 등의 접착 형태의 것이어도 좋고, 감열 접착성의 접착 시트(AS)가 채용되었을 경우에는, 상기 접착 시트(AS)를 가열하는 적절한 코일 히터나 히트 파이프의 가열 측 등의 가열 수단을 마련하는 등의 적절한 방법으로 접착되면 좋다. 또한, 이러한 접착 시트(AS)는, 예를 들면, 접착제층만의 단층의 것, 접착 시트 기재와 접착제층 사이에 중간층을 갖는 것, 접착 시트 기재의 상면에 커버층을 갖는 등 3층 이상의 것, 나아가서는, 접착 시트 기재를 접착제층으로부터 박리할 수 있는 소위 양면 접착 시트와 같은 것이어도 좋고, 양면 접착 시트는, 단층 또는 복층의 중간층을 갖는 것이나, 중간층이 없는 단층 또는 복층인 것이어도 좋다. 또한, 웨이퍼(WF), 박화 웨이퍼(WF1) 및 잔여 웨이퍼(WF2)로서는, 예를 들면, 실리콘 반도체 웨이퍼나 화합물 반도체 웨이퍼 등이어도 좋다. 또, 접착 시트(AS)는, 기능적, 용도적인 판독법으로 바꾸어, 예를 들면, 정보 기재용 라벨, 장식용 라벨, 보호 시트, 다이싱 테이프, 다이 어태치 필름, 다이 본딩 테이프, 기록층 형성 수지 시트 등의 임의의 시트, 필름, 테이프 등이어도 좋다.
상기 실시형태에 있어서의 구동 기기는, 회동 모터, 직동 모터, 리니어 모터, 단축 로봇, 2축 또는 3축 이상의 관절을 구비한 다관절 로봇 등의 전동 기기, 에어 실린더, 유압 실린더, 로드리스 실린더 및 로터리 실린더 등의 액추에이터 등을 채용할 수 있으며, 그들을 직접적 또는 간접적으로 조합한 것을 채용할 수도 있다.
상기 실시형태에 있어서, 롤러 등의 회전 부재가 채용되고 있을 경우, 상기 회전 부재를 회전 구동시키는 구동 기기를 구비해도 좋고, 회전 부재의 표면이나 회전 부재 자체를 고무나 수지 등의 변형 가능한 부재로 구성해도 좋고, 회전 부재의 표면이나 회전 부재 자체를 변형하지 않는 부재로 구성해도 좋고, 롤러 대신에 회전하거나 또는 회전하지 않는 샤프트나 블레이드 등의 다른 부재를 채용해도 좋고, 압압 롤러나 압압 헤드 등의 압압 수단이나 압압 부재와 같은 피압압물을 압압하는 것이 채용되고 있을 경우, 상기에서 예시한 것을 대신하거나 또는 병용하여, 롤러, 환봉(丸棒), 블레이드재, 고무, 수지, 스펀지 등의 부재를 채용하거나, 대기나 가스 등의 기체의 분사에 의해 압압하는 구성을 채용해도 좋고, 압압하는 것을 고무나 수지 등의 변형 가능한 부재로 구성해도 좋고, 변형하지 않는 부재로 구성해도 좋고, 박리판이나 박리 롤러 등의 박리 수단이나 박리 부재와 같은 피박리물을 박리하는 것이 채용되고 있을 경우, 상기에서 예시한 것을 대신하거나 또는 병용하여, 판상 부재, 환봉, 롤러 등의 부재를 채용해도 좋고, 박리하는 것을 고무나 수지 등의 변형 가능한 부재로 구성해도 좋고, 변형하지 않는 부재로 구성해도 좋고, 지지(유지) 수단이나 지지(유지) 부재 등의 피지지 부재(피유지 부재)를 지지(유지)하는 것이 채용되고 있을 경우, 메카척이나 척 실린더 등의 파지 수단, 쿨롱력, 접착제(접착 시트, 접착 테이프), 점착제(점착 시트, 점착 테이프), 자력, 베르누이 흡착, 흡인 흡착, 구동 기기 등으로 피지지 부재를 지지(유지)하는 구성을 채용해도 좋고, 절단 수단이나 절단 부재 등의 피절단 부재를 절단 또는, 피절단 부재에 노치나 절단선을 형성하는 것이 채용되고 있을 경우, 상기에서 예시한 것을 대신하거나 또는 병용하여, 커터 블레이드, 레이저 커터, 이온 빔, 화력, 열, 수압, 전열선, 기체나 액체 등의 분사 등으로 절단하는 것을 채용하거나, 적절한 구동 기기를 조합한 것으로 절단하는 것을 이동시켜 절단하도록 해도 좋다.
EA: 박화 웨이퍼의 제조 장치
10: 분리 수단
20: 제1 반송 수단
30: 처리 수단
40: 제2 반송 수단
50: 시트 첩부 수단
AS: 보강 부재(접착 시트)
BS: 기재 지지 수단
WF: 반도체 웨이퍼
WF1: 박화 웨이퍼
WF2: 잔여 웨이퍼
WL: 취약층

Claims (4)

  1. 기재(基材) 지지 수단에 의해 지지된 반도체 웨이퍼에 취약층을 형성하고, 상기 취약층을 경계로 하여 상기 반도체 웨이퍼를 박화 웨이퍼와 잔여 웨이퍼로 구분하고, 상기 잔여 웨이퍼를 상기 박화 웨이퍼로부터 분리하는 분리 공정과,
    상기 분리 공정에서 잔여 웨이퍼가 분리된 상기 박화 웨이퍼를 제1 반송 수단으로 반송하는 제1 반송 공정과,
    상기 제1 반송 공정에서 반송된 상기 박화 웨이퍼에 소정의 처리를 실시하는 처리 공정과,
    상기 처리 공정에서 소정의 처리가 실시된 박화 웨이퍼를 제2 반송 수단으로 반송하는 제2 반송 공정과,
    상기 제2 반송 공정에서 반송된 상기 박화 웨이퍼에 보강 부재를 첩부(貼付)하는 보강 부재 첩부 공정을 실시하고,
    상기 제1 반송 공정 및 제2 반송 공정에서는, 상기 기재 지지 수단과 함께 상기 박화 웨이퍼를 반송하는 것을 특징으로 하는, 박화 웨이퍼의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반송 수단은 제2 반송 수단을 겸용하는 것을 특징으로 하는, 박화 웨이퍼의 제조 방법.
  3. 기재 지지 수단에 의해 지지된 반도체 웨이퍼에 취약층을 형성하고, 상기 취약층을 경계로 하여 상기 반도체 웨이퍼를 박화 웨이퍼와 잔여 웨이퍼로 구분하고, 상기 잔여 웨이퍼를 상기 박화 웨이퍼로부터 분리하는 분리 수단과,
    상기 분리 수단에 의해 잔여 웨이퍼가 분리된 상기 박화 웨이퍼를 반송하는 제1 반송 수단과,
    상기 제1 반송 수단에 의해 반송된 상기 박화 웨이퍼에 소정의 처리를 실시하는 처리 수단과,
    상기 처리 수단에 의해 소정의 처리가 실시된 박화 웨이퍼를 반송하는 제2 반송 수단과,
    상기 제2 반송 수단에 의해 반송된 상기 박화 웨이퍼에 보강 부재를 첩부하는 보강 부재 첩부 수단을 구비하고,
    상기 제1 반송 수단 및 제2 반송 수단은, 상기 기재 지지 수단과 함께 상기 박화 웨이퍼를 반송하는 것을 특징으로 하는, 박화 웨이퍼의 제조 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 반송 수단은 제2 반송 수단을 겸용하는 것을 특징으로 하는, 박화 웨이퍼의 제조 장치.
KR1020227014060A 2020-01-27 2021-01-15 박화 웨이퍼의 제조 방법 및 박화 웨이퍼의 제조 장치 KR20220131891A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2020-011040 2020-01-27
JP2020011040 2020-01-27
PCT/JP2021/001165 WO2021153265A1 (ja) 2020-01-27 2021-01-15 薄化ウエハの製造方法および薄化ウエハの製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220131891A true KR20220131891A (ko) 2022-09-29

Family

ID=77078866

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227014060A KR20220131891A (ko) 2020-01-27 2021-01-15 박화 웨이퍼의 제조 방법 및 박화 웨이퍼의 제조 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20220351991A1 (ko)
JP (1) JPWO2021153265A1 (ko)
KR (1) KR20220131891A (ko)
CN (1) CN114667595A (ko)
TW (1) TW202145331A (ko)
WO (1) WO2021153265A1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016035965A (ja) 2014-08-01 2016-03-17 リンテック株式会社 板状部材の分割装置および板状部材の分割方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6955919B2 (ja) * 2017-07-06 2021-10-27 リンテック株式会社 除去装置および除去方法
JP2019016691A (ja) * 2017-07-06 2019-01-31 リンテック株式会社 除去装置および除去方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016035965A (ja) 2014-08-01 2016-03-17 リンテック株式会社 板状部材の分割装置および板状部材の分割方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202145331A (zh) 2021-12-01
US20220351991A1 (en) 2022-11-03
JPWO2021153265A1 (ko) 2021-08-05
CN114667595A (zh) 2022-06-24
WO2021153265A1 (ja) 2021-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4401322B2 (ja) 支持板分離装置およびこれを用いた支持板分離方法
KR100868142B1 (ko) 보호테이프의 접착방법과 그 장치 및 보호테이프의 박리방법
CN108666234B (zh) 片材粘贴装置及粘贴方法
JP2007305628A (ja) 加工装置および加工方法
KR20050107775A (ko) 보호 테이프의 부착·박리방법
JP2017137115A (ja) シート供給装置および供給方法
KR20220131891A (ko) 박화 웨이퍼의 제조 방법 및 박화 웨이퍼의 제조 장치
JP6438796B2 (ja) シート剥離装置および剥離方法
WO2021153264A1 (ja) 薄化ウエハの製造方法および薄化ウエハの製造装置
JP5534923B2 (ja) シート剥離装置及び剥離方法
TWI735578B (zh) 薄片貼附裝置及貼附方法
JP5453035B2 (ja) シート剥離装置及び剥離方法
JP7458245B2 (ja) 転写装置および転写方法
JP7441734B2 (ja) 転写装置および転写方法
WO2021193060A1 (ja) 薄化ウエハの製造方法および薄化ウエハの製造装置
JP6857763B2 (ja) シート貼付装置および貼付方法
JP2024085425A (ja) シート剥離装置およびシート剥離方法
JP2022186182A (ja) 半導体チップの製造方法および半導体チップの製造装置
JP2016157790A (ja) シート貼付装置およびシート貼付方法
JP2021090000A (ja) シート剥離装置およびシート剥離方法
JP2023050392A (ja) シート貼付装置およびシート貼付方法
JP2023163814A (ja) シート貼付装置およびシート貼付方法
JP2024029591A (ja) シート貼付装置およびシート貼付方法
JP2021192419A (ja) 転写装置および転写方法
JP2022030571A (ja) シート供給装置およびシート供給方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination