CN113795923A - 不同发光结构在同一基板上的单片集成 - Google Patents

不同发光结构在同一基板上的单片集成 Download PDF

Info

Publication number
CN113795923A
CN113795923A CN202080028261.8A CN202080028261A CN113795923A CN 113795923 A CN113795923 A CN 113795923A CN 202080028261 A CN202080028261 A CN 202080028261A CN 113795923 A CN113795923 A CN 113795923A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
light
emitting structures
active region
contact layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080028261.8A
Other languages
English (en)
Inventor
甘·何
希拉·荷特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Google LLC
Original Assignee
Lashoum Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lashoum Ltd filed Critical Lashoum Ltd
Publication of CN113795923A publication Critical patent/CN113795923A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen characterised by the doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating

Abstract

本公开描述了在同一基板上单片集成不同发光结构的各个方面。在一个方面，描述了一种用于光产生的器件，其具有基板，该基板具有由包括GaN的材料制成的一个或多个缓冲层。该器件还包括在基板的顶部缓冲层的同一表面上外延生长的发光结构，其中每个发光结构具有平行于该表面并侧向终止的有源区，并且其中不同发光结构的有源区被配置为直接产生不同颜色的光。该器件还包括设置在每个发光结构的有源区上并由包括GaN的p掺杂材料制成的p掺杂层。该器件可以是光场显示器的一部分，并且可以连接到光场显示器的背板。

Description

不同发光结构在同一基板上的单片集成
相关申请的交叉引用
本专利申请要求2020年4月6日提交的名称为“MONOLITHIC INTEGRATION OFDIFFERENT LIGHT EMITTING STRUCTURES ON A SAME SUBSTRATE”的美国非临时申请No.16/841,119和2019年4月12日提交的名称为“MONOLITHIC INTEGRATION OF DIFFERENTLIGHT EMITTING STRUCTURES ON A SAME SUBSTRATE”的美国临时申请No.62/833,072的优先权，其全部内容通过引用并入到本文中。
技术领域
本公开的方面总体上涉及发光结构，例如在各种类型的显示器中使用的发光元件的结构，并且更具体地，涉及在同一基板上单片集成产生不同颜色光的发光结构。
背景技术
随着显示器中使用的发光元件(例如，像素)的数量持续增加以提供更好的用户体验并实现新的应用，从设计和制造的角度来看，添加越来越多的发光元件成为一个挑战。实现越来越小的发光元件以增加数量和密度使得小型发光二极管(LED)的潜在使用更具吸引力；然而，用于制造大量、高密度并且能够产生彩色显示器所需的不同颜色(例如，红色、绿色、蓝色)的小型LED的有效且高效的技术并不广泛可用，并且那些确实存在的技术往往是麻烦的、耗时的和昂贵的。此外，在对性能和尺寸都有更严格要求的更复杂的显示架构(如光场显示器)中使用这些小型LED变成相当难做的事情。
因此，通过在同一基板上单片集成产生不同颜色光的半导体结构(例如，单个集成半导体器件)，能够有效和高效地设计和制作大量小型发光元件的技术和器件是合乎需要的。
发明内容
以下呈现了一个或多个方面的简化概述，以便提供对这些方面的基本理解。该概述不是所有预期方面的广泛综述，并且既不旨在标识所有方面的关键或重要元素，也不旨在描绘任何或所有方面的范围。其目的是以简化的形式呈现一个或多个方面的一些概念，作为稍后呈现的更详细描述的序言。
在本公开的一个方面，描述了一种用于光产生的器件，其具有基板，该基板具有由包括GaN的材料制成的一个或多个缓冲层。该器件还包括在基板的顶部缓冲层的同一表面上外延生长的发光结构，其中每个发光结构具有平行于该表面并侧向终止的有源区，并且其中不同发光结构的有源区被配置为直接产生不同颜色的光。该器件还包括设置在每个发光结构的有源区上并由包括GaN的p掺杂材料制成的p掺杂层。该器件可以是光场显示器的一部分，并且可以连接到光场显示器的背板。
附图说明
附图仅说明了一些实施方式，因此不应被认为是对范围的限制。
图1说明了根据本公开的方面的显示器和显示器的内容源的示例。
图2A说明了根据本公开的方面的具有多个像素的显示器的示例。
图2B和图2C说明了根据本公开的方面的具有多个图像元素的光场显示器的示例。
图2D说明了根据本公开的方面的光场显示器的一部分的截面图的示例。
图3说明了根据本公开的方面与发光元件阵列集成的背板的示例。
图4A说明了根据本公开的方面的图像元素中发光元件阵列的示例。
图4B说明了根据本公开的方面的具有亚图像元素的图像元素的示例。
图5A说明了根据本公开的方面的单片集成在基板上的多个发光结构的示例的截面图。
图5B说明了根据本公开的方面的单片集成在基板上的多个发光结构的另一个示例的截面图。
图6A说明了根据本公开的方面的具有多个发光结构的器件的示例的截面图。
图6B说明了根据本公开的方面的连接到背板的图6A的器件的截面图。
图6C说明了根据本公开的方面的具有多个发光结构的器件的另一个示例的截面图。
图6D说明了根据本公开的方面的连接到背板的图6C的器件的截面图。
图7A-7C说明了根据本公开的方面的发光结构的示例的截面图。
图8A和8B说明了根据本公开的方面的一种类型的发光结构的阵列或组的截面图。
图8C和8D说明了根据本公开的方面的另一种类型的发光结构的阵列或组的截面图。
图9A和9B说明了根据本公开的方面的用于显示器中的光产生的器件的布置的不同示例的示图。
具体实施方式
下面结合附图阐述的详细描述旨在作为各种配置的描述，而不旨在代表可以实践这里描述的概念的唯一配置。详细描述包括具体细节，以便提供对各种概念的透彻理解。然而，对于本领域技术人员来说，显然这些概念可以在没有这些具体细节的情况下实施。在某些情况下，众所周知的部件以框图形式示出，以避免模糊这些概念。
如上文所提到的，随着对显示器中发光元件(例如，像素)数量不断增加以提供更好的用户体验并实现新应用的需求，增加越来越多的发光元件成为一个挑战。实现越来越小的发光元件以增加数量和密度，使得小型LED(例如，微型LED)的潜在使用更具吸引力，但是用于制造大量、高密度并且能够产生不同颜色(例如，红色、绿色、蓝色)的小型LED的少数技术目前是麻烦的、耗时的和昂贵的。更复杂的显示器架构，例如用于光场显示器的架构，可以受益于小型LED的使用，但是这种显示器的要求使得实现小型LED变成相当难做的事情。因此，允许在同一基板上单片集成产生不同颜色光的大量小型发光结构的新技术和器件(例如，单个集成半导体器件)是合乎需要的。
结合下面描述的附图，本公开提供了这种技术和器件的示例。例如，图1-4B描述了关于其中可以实施单片集成发光结构的显示器的示例的一般信息，而图5A-9B描述了这种单片集成发光结构的示例的各个方面。
如在本公开中所使用的，术语“发光结构”和“发光元件”可以互换使用，其中术语“发光结构”可以用于描述被配置为产生特定颜色的光的单个部件的结构布置(例如，材料、层、配置)，并且术语“发光元件”、“光发射器”或简称“发射器”可以用于更一般地指代单个部件。
图1示出了说明从源120接收内容/数据125(例如，图像内容、视频内容或两者)的显示器110的示例的示图100。显示器110可以包括一个或多个面板150(示出了一个)，其中显示器110中的每个面板150是发光面板或反射式面板。该面板不仅可以在一些布置或阵列中包括发光或光反射元件，还可以包括用于驱动发光或光反射元件的背板。当使用发光面板时，它们可以包括多个发光元件(例如，参见图2A中的发光元件220)。这些发光元件可以是由一种或多种半导体材料制成的LED。LED可以是无机LED。LED可以是例如微型LED，也称为microLED、mLED或μLED。可以制造发光元件的其他显示技术包括液晶显示(LCD)技术或有机LED(OLED)技术。此外，产生不同颜色光的LED可以单片集成到同一半导体基板中，以便高效制作。
显示器110可以具有包括超高分辨率功能(例如，支持8K及更高的分辨率)、高动态范围(对比度)功能、或光场功能、或这些功能的组合的功能。当显示器110具有光场功能并且可以作为光场显示器操作时，显示器110可以包括多个图像元素(例如，超raxel)，其中每个图像元素具有相应的光导引光学元件和单片集成在同一半导体基板上的发光元件(例如，亚raxel)的阵列，并且其中阵列中的发光元件被布置成单独的组(例如，raxel)，以提供由光场显示器支持的多个视图(例如，参见图2B-3)。此外，对于光场显示器，发光元件的数量和它们的密度可以比常规显示器，甚至高分辨率显示器大几个数量级。
源120可以向集成在显示器110内的显示处理单元130提供内容/数据125。显示处理单元130可以被配置为修改内容/数据125中的图像或视频内容，以便由显示器110呈现。还示出了显示存储器135，其存储显示处理单元130用于处置图像或视频内容所使用的信息。显示存储器135或其一部分可以与显示处理单元130集成在一起。可以由显示处理单元130执行的任务集可以包括与用于光场应用的颜色管理、数据转换和/或多视图处理操作相关联的任务。显示处理单元130可以向定时器控制器(TCON)140提供处理后的内容/数据，定时器控制器140又向面板150提供适当的显示信息。如上面所提到的，面板150(也称为显示面板)可以包括用于驱动面板150中的发光或光反射元件的背板。
图2A中的示图200a示出了具有多个发光元件220(通常称为像素或显示像素)的显示器210。如上面所提到的，这些发光元件可以由某些结构(例如，半导体结构)制成，这些结构允许产生不同颜色的发光元件单片集成在同一基板上。发光元件220尽管出于说明的目的被示为彼此分离，但是通常形成为阵列并且彼此相邻，以提供显示器210的更高分辨率。显示器210a可以是示图100中的显示器110的示例。
在图2A所示的示例中，发光元件220可以被组织或定位成N×M阵列，其中N是阵列中像素的行数，M是阵列中像素的列数。这种阵列的放大部分在显示器210的右边示出。对于小型显示器，阵列尺寸的示例可以包括N≥10和M≥10以及N≥100和M≥100。对于更大的显示器，阵列尺寸的示例可以包括N≥500和M≥500，N≥1000和M≥1000，N≥5000和M≥5000，N≥10000和M≥10000，甚至更大的阵列尺寸也是可能的。
尽管未示出，除了发光元件220的阵列之外，显示器210还可以包括用于驱动阵列的背板。背板可以被配置为实现低功耗和高带宽操作。
图2B中的示图200b示出了具有多个图像元素或超raxel 225的光场显示器210a。在本公开中，术语“图像元素”和术语“超raxel”可以互换使用，以描述光场显示器中的类似结构单元。光场显示器210a可以是示图100中具有光场功能的显示器110的示例。光场显示器210a可以用于不同类型的应用，并且其尺寸可以相应地变化。例如，光场显示器210a在用作手表、近眼应用、电话、平板电脑、膝上型电脑、监视器、电视和广告牌等的显示器时，可以具有不同的尺寸。因此，根据应用，光场显示器210a中的图像元素225可以被组织成不同尺寸的阵列、栅格或其他类型的有序布置。光场显示器210a的图像元素225可以分布在一个或多个显示面板上。
在图2B所示的示例中，图像元素225可以被组织或定位成P×Q阵列，其中P是阵列中图像元素的行数，Q是阵列中图像元素的列数。这种阵列的放大部分在光场显示器210a的右边示出。对于小型显示器，阵列尺寸的示例可以包括P≥10和Q≥10以及P≥100和Q≥100。对于较大的显示器，阵列尺寸的示例可以包括P≥500和Q≥500，P≥1000和Q≥1000，P≥5000和Q≥5000，以及P≥10000和Q≥10000。
阵列中的每个图像元素225本身具有发光元件220或亚raxel的阵列或栅格(如更右边处所示)。换句话说，每个图像元素225包括多个发光元件220，并且这些发光元件225中的每一个包括相应的发光结构。当图像元素225包括在同一半导体基板上的产生不同颜色的光，例如红色(R)光、绿色(G)光和蓝色(B)光的不同LED作为发光元件220时，光场显示器210a可以说是由单片集成的RGB LED超raxel制成的。
光场显示器210a中的图像元素225中每一个，包括其相对应的光导引光学元件215(图2C中的示图200c中所示的一体式成像透镜)，可以表示由显示分辨率限制的最小图像元素尺寸。在这点上，图像元素225的发光元件220的阵列或栅格可以小于该图像元素的相对应光导引光学元件215。然而，在实践中，图像元素225的发光元件220的阵列或栅格的尺寸可能类似于相对应的光导引光学元件215的尺寸(例如，微透镜或小透镜的直径)，光导引光学元件215的尺寸又可以类似于或等同于图像元素225之间的间距230。
如上面所提到的，用于图像元素225的发光元件220阵列的放大版本在示图200b的右边示出。发光元件220的阵列可以是X×Y阵列，其中X是阵列中发光元件220的行数，Y是阵列中发光元件220的列数。阵列尺寸的示例可以包括X≥5和Y≥5，X≥8和Y≥8，X≥9和Y≥9，X≥10和Y≥10，X≥12和Y≥12，X≥20和Y≥20，以及X≥25和Y≥25。在一个示例中，X×Y阵列可以是包括81个发光元件或亚raxel 220的9×9阵列。
对于每个图像元素225，阵列中的发光元件220可以包括单独且不同的发光元件220组(例如，参见图2D中的发光元件组260)，这些发光元件组基于空间和角度接近度被分配或分组(例如，逻辑分组)，并且被配置为产生不同的光输出(例如，定向光输出)，这些光输出做贡献来产生由光场显示器210a提供给观察者的光场视图。亚raxel或发光元件220到raxel的分组不必是唯一的。例如，在组装或制造期间，可以将亚raxel映射到最佳地优化显示体验的特定raxel。类似的重新映射可以由显示器一旦部署就执行，以解决例如显示器的各种零件或元件的老化，包括不同颜色的发光元件的老化和/或光导引光学元件的老化的变化。在本公开中，术语“发光元件组”和术语“raxel”可以互换使用，以描述光场显示器中的类似结构单元。由各个发光元件组或raxel的贡献产生的光场视图可以被观察者感知为连续或非连续视图。如上面所提到的，产生不同颜色的光的各个发光元件的结构可以全部单片集成在同一半导体基板上，这将在下面更详细地描述。
发光元件220阵列中的发光元件220组中的每一个(图2B中的示图200b的最右边)包括产生至少三种不同颜色的光(例如，红光、绿光、蓝光，或许还有白光)的发光元件。在一个示例中，这些组或raxel中的每一个包括至少一个产生红光的发光元件220、一个产生绿光的发光元件220和一个产生蓝光的发光元件220。替代地，也可以包括至少一个产生白光的发光元件220。
在图2C中，示图200c示出了光场显示器210a的另一个示例，其说明了具有如上面所描述的相对应光导引光学元件215的图像元素225阵列的一部分的放大视图。间距230可以表示图像元素225之间的间隔或距离，并且可以是大约光导引光学元件215的尺寸(例如，微透镜或小透镜的尺寸)。
图2D中的示图200d示出了光场显示器(例如，光场显示器210a)的一部分的截面图，以说明当图1中的显示器110被配置为光场显示器时在本公开中描述的结构单元中的一些结构单元。例如，示图200d示出了三个相邻的图像元素或超raxel 225a，每个图像元素或超raxel具有相对应的光导引光学元件215。在这个示例中，光导引光学元件215可以被认为与图像元素220a分离，但是在其他情况下，光导引光学元件215可以被认为是图像元素的一部分。
如图2D所示，每个图像元素225a包括多个发光元件220(例如，多个亚raxel)，其中不同类型的几个发光元件220(例如，几个亚raxel)可以一起分组到组260中(例如，分组到raxel中)。组或raxel可以产生对特定光线元素255有贡献的各种分量，如中间图像元素225a中最右边的组或raxel所示。应当理解，由不同图像元素中的不同组或raxel产生的光线元素255可以对远离光场显示器的观察者感知到的视图做贡献。
图2D中描述的附加结构单元是亚图像元素270的概念，其表示图像元素225a的相同类型(例如，产生相同颜色的光)的发光元件220的分组。
图2D还支持以下概念：配置为产生不同颜色的光的各种发光元件220(或至少它们被配置为产生光的相应结构)，无论是在图像元素225(超raxel)、组260(raxel)还是亚图像元素270中，都单片集成在同一或单个半导体基板上。
图3中的示图300说明了与发光元件阵列集成的背板的示例。示图300示出了类似于图2D中示图200d的截面图。示图300示出了发光光学元件(亚raxel)220、发光元件组(raxel)260、图像元素(超raxel)225a和光导引光学元件215。还示出了来自不同图像元素的各个光线255可以如何做贡献来产生不同的视图，例如视图A和视图B。此外，图像元素225a的发光元件220形成更大的阵列330(例如，显示面板)，该阵列然后通过连接部320连接到背板310，该背板310又被配置为驱动发光元件220中的每一个。
图4A示出了描述图像元素225的一个实施方式的各种细节的示图400a。例如，图像元素225(例如，超raxel)具有相应的光导引光学元件215(用虚线示出)，并且包括单片集成在同一半导体基板上的发光元件220(例如，亚raxel)的阵列或栅格410。光导引光学元件215可以具有与阵列410相同或类似的尺寸，或者可以比所示的阵列410稍大。应当理解，出于说明的目的，在本公开的附图中示出的一些尺寸被夸大了，并且不需要被认为是实际或相对尺寸的精确表示。
阵列410中的发光元件220包括不同类型的发光元件以产生不同颜色的光，并且被布置成单独的组260(例如，单独的raxel)，其为光场显示器产生的多个视图提供不同的贡献。阵列410中的发光元件220中的每一个可以单片集成在同一半导体基板上。
如图4A所示，阵列410具有几何布置，以允许两个或更多个图像元素的相邻或接近放置。几何布置可以是六边形(如图4A所示)、正方形或矩形中的一种。
尽管未示出，图4A中的图像元素225可以具有相对应的电子装置(例如，在背板中)，该电子装置包括被配置为驱动图像元素225中的发光元件220的多个驱动电路。
图4B示出了描述图像元素225的另一实施方式的各种细节的示图400b。例如，图4B中的图像元素225(例如，超raxel)包括单片集成在同一半导体基板上的多个亚图像元素270。每个亚图像元素270具有相应的光导引光学元件215(用虚线示出)，并且包括产生相同颜色光的发光元件220(例如，亚raxel)的阵列或栅格410a。光导引光学元件215可以具有与阵列410a相同或类似的尺寸，或者可以比所示的阵列410a稍大。对于图像元素225，亚图像元素270之一的光导引光学元件215被配置为优化由该亚图像元素720中的发光元件220产生的光的颜色的色散。此外，光导引光学元件215可以对准并结合到相应亚图像元素270的阵列410a。
亚图像元素720的发光元件220被布置成单独的组260(例如raxel)。如图4B所示，在一个示例中，每个组260可以包括来自亚图像元素270中每一个的并置发光元件220(例如，每个亚图像元素中的相同位置)。然而，如上面所提到的，各种发光元件220到不同组260的映射可以在制造和/或操作期间变化。各种亚图像元素270中的发光元件220中每一个可以单片集成在同一半导体基板上。
如图4B所示，阵列410a具有几何布置，以允许两个或更多个亚图像元素相邻放置。几何布置可以是六边形(如图4B所示)、正方形或矩形中的一种。
尽管未示出，图4B中的图像元素225可以具有相对应的电子装置(例如，在背板中)，该电子装置包括被配置为驱动图像元素225中的发光元件220的多个驱动电路。在一些示例中，一个或多个公共驱动电路可以用于亚图像元素270中的每一个。
如上面所提到的，图1-4B描述了关于其中可以实施单片集成发光结构(例如，发光元件220的结构)的显示器的示例的一般信息。下面对图5A-9B的描述提供了关于这种单片集成发光结构的示例的各个方面的细节。
图5A中的示图500a说明了发光结构520a、520b和520c单片集成在基板510(例如，半导体基板)上的示例的截面图。基板510可以是器件的一部分，并且可以由多个层制成。在一个示例中，基板510可以包括底层503(例如，由蓝宝石制成的层)和设置在底层上的一个或多个缓冲层或起始层505。缓冲层505可以包括例如由未掺杂的GaN制成的第一缓冲层505和由n掺杂的GaN制成的第二缓冲层505，后两者形成基板510的顶层。在一些示例中，第二缓冲层505可以比第一缓冲层505更厚。尽管基板510的底层不必是半导体层，但是基板510可以被称为半导体基板，因为顶层(例如，缓冲层或起始层505)中的一个或多个是半导体层。
在基板510的顶表面上(例如，在顶部缓冲层505的表面上)，在可选的示例中，可以沉积电介质(未示出)，该电介质限定要生长的各种发光结构520a、520b和520c的放置或定位。在这样的示例中，电介质可以用于在上面结合图2A、图2B、图2D、图3、图4A和图4B描述的实施方式类型中配置或布置发光结构520。
发光结构520a可以被配置为产生第一颜色光的发光元件(例如，发光元件220)的一部分或对应于该发光元件，而发光结构520b和520c可以被配置为分别产生第二颜色光和第三颜色光的发光元件的一部分或对应于这样的发光元件。虽然未示出，但是也可以包括其他发光结构来产生附加颜色的光。
发光结构的层、组件或配置的附加细节在图5A的示图500a中结合中间所示的发光结构520b提供。例如，同样可以是发光元件的一部分或可以对应于发光元件的发光结构可以包括具有有源区(例如，用于产生光的区)的外延生长区域530、沉积在区域530上的高掺杂层540(例如，由p++掺杂材料制成)以及沉积在高掺杂层540上的导电接触层550(例如，金属或透明导体，也称为p接触部或p接触层)。还可以有钝化层560沉积在高掺杂层540的侧部上(并且可能部分沉积在高掺杂层540的顶部上)。区域530中的有源区可以包括至少一个量子阱，无论是区域530内的个别量子阱结构还是多量子阱(MQW)结构的形式。附加地或替代地，区域530中的有源区可以包括一种或多种稀土，稀土的选择取决于要产生的光的颜色。应当理解，发光结构520a和520b被类似地构造，然而，每一个可以具有不同的区域530(并且因此具有不同的有源区)以产生不同颜色的光。因此，发光结构520a、520b和520c被认为是单片集成在单个基板510上。
在该示例中，导电接触层550仅覆盖高掺杂层540的顶部部分。这可以通过例如在导电接触层550之前沉积钝化层560来实现。
发光结构520a、520b和520c的侧部可以是带刻面的，也就是说，可以不是竖直的，而是具有角度或倾斜度。这反映在区域530、高掺杂层540和钝化层560的侧部或侧壁的配置中。
图5B中的示图500b说明了另一个示例的截面图，其中发光结构520e、520d和520f单片集成在基板510(例如，半导体基板)上。基板510可以是器件的一部分，并且可以与图5A中的示图500a所示的相同或类似，并且可以包括底层503和一个或多个缓冲层或起始层505。各种发光结构520d、520e和520f可以通过使用不同的半导体制作技术生长在特定的位置或地方，允许发光结构以上面结合图2A、图2B、图2D、图3、图4A和图4B描述的实施方式类型来配置或布置。
发光结构520d可以被配置为产生第一颜色光的发光元件(例如，发光元件220)的一部分或对应于该发光元件，而发光结构520e和520f可以被配置为分别产生第二颜色光和第三颜色光的发光元件的一部分或对应于这样的发光元件。虽然未示出，但是也可以包括其他发光结构来产生附加颜色的光。
发光结构的层、组件或配置的附加细节在图5B的示图500b中结合中间所示的发光结构520e提供。例如，同样可以是发光元件的一部分或可以对应于发光元件的发光结构可以包括具有有源区的外延生长区域530、高掺杂层540和导电接触层550。还可以有钝化层560沉积在发光结构的侧部上(并且可能部分沉积在顶部上)。区域530中的有源区可以包括至少一个量子阱，无论是区域530内的个别量子阱结构还是多量子阱(MQW)结构的形式。附加地或替代地，区域530中的有源区可以包括一种或多种稀土，稀土的选择取决于要产生的光的颜色。应当理解，发光结构520d和520f被类似地构造，然而，每一个可以具有不同的区域530(并且因此具有不同的有源区)以产生不同颜色的光。因此，发光结构520d、520e和520f被认为是单片集成在单个基板510上。发光结构520d、520e和520f的侧部或侧壁可以是竖直的，这可以通过不同的半导体制作技术并根据用于制造该结构的工艺来实现。
图6A中的示图600a说明了使用以上结合图5A描述的发光结构520a、520b和520c的器件的示例的截面图。该示例中的器件可以用在显示面板中，并且包括沉积在发光结构之间的钝化层620(例如，对应于钝化层560)，以及在器件端部(最右侧)的接触金属610(例如，n接触金属)。钝化层620不覆盖发光结构中每一个中的导电接触层550的顶部部分，以使得能够与结构进行电接触，如图6B中的示图600b所示。在示图600b中，背板310(例如参见图3)可以通过连接部320连接到图6A中的器件。在该示例中，连接部320可以包括与导电层550接触的显示面板连接部320a，以及背板310上的相对应的背板连接部320b。虽然显示面板连接部320a和背板连接部320b被示为凸块，但是也可以使用其他类型的连接部来允许背板310与发光结构520a、520b和520c中每一个之间通过它们相应的导电接触层550进行电连接。
图6C中的示图600c说明了使用上面结合图5B描述的发光结构520d、520e和520f的器件的示例的截面图。该示例中的器件可以用在显示面板中，并且包括沉积在发光结构之间的钝化层620(对应于钝化层560)，以及在器件端部(最右侧)的接触金属610(例如，n接触金属)。钝化层620不覆盖发光结构中每一个中的导电接触层550的顶部部分，以使得能够与结构进行电接触，如图6D中的示图600d所示。在示图600d中，背板310可以通过连接部320连接到图6C中的器件。在该示例中，连接部320可以包括与导电层550接触的显示面板连接部320a，以及背板310上的相对应背板连接部320b。虽然显示面板连接部320a和背板连接部320b被示为凸块，但是也可以使用其他类型的连接部来允许背板310和发光结构520d、520e和520f中每一个之间通过它们相应的导电接触层550进行电连接。
图7A-7C说明了示图700a、700b和700c，其示出了根据本公开的方面的发光结构的示例的截面图。例如，示图700a示出了包括多个层的发光结构。发光结构可以包括n型层750、n型层750上的有源区730、有源区730上的p型层720以及p型层720上的导电层710。有源区730可以包括一个或多个量子阱，无论是以个别量子阱结构的形式还是作为MQW结构的一部分，以产生适当颜色的光。附加地或替代地，有源区730可以包括一种或多种稀土以产生适当颜色的光。有源区730可以对应于区域530的有源区，p型层720可以对应于高掺杂层540，导电层710可以对应于上面描述的导电接触层550。n型层750和有源区730可以是上面也描述的区域530的一部分。示图700a中的发光结构可以是上面结合图5B、6C和6D描述的具有竖直侧壁，例如竖直侧壁740的发光结构520d、520e和520f的示例。
示图700b示出了也包括多个层的不同发光结构。该示例中的发光结构包括n型层750、n型层750上的有源区730、有源区730上的p型层720以及p型层720上的导电层710。与示图700a中的示例不同，这些层以这样的方式生长或沉积，使得它们在结构的端部处向下弯曲。有源区730可以包括一个或多个量子阱，无论是以个别量子阱结构的形式还是作为MQW结构的一部分，以产生适当颜色的光。一个或多个量子阱也可以以这样的方式构造，使得它们在有源区730内的结构端部处向下弯曲。附加地或替代地，有源区730可以包括一种或多种稀土以产生适当颜色的光。有源区730可以对应于区域530的有源区，p型层720可以对应于高掺杂层540，导电层710可以对应于上面描述的导电接触层550。n型层750和有源区730可以是上面也描述的区域530的一部分。由于其有刻面或倾斜的端部，示图700b中的发光结构可以不同于上面结合图5B、6C和6D描述的具有竖直侧壁的发光结构520d、520e和520f。
示图700c示出了与示图700a中的示例类似的示例。然而，在这种情况下，可以执行材料再生长以将再生长部760添加到发光结构的侧部。再生长部760可以基于由指示再生长部760形状的不同虚线所示的工艺特性而变化。
图8A和8B分别说明了示图800a和800b，其示出了一种类型的发光结构的阵列或组的截面图。例如，示图800a中的器件可以具有产生第一颜色光的发光结构的第一阵列810a、产生第二颜色光的发光结构的第二阵列810b和产生第三颜色光的发光结构的第三阵列810c。在一个示例中，这些发光结构可以类似于图5A中的示图500a中的发光结构的类型(例如，发光结构520a、520b和520c)。尽管仅示出了三种不同的发光结构，因此示出了三种不同类型的颜色，但是应当理解，发光结构的数量可以大于或小于三个。在该示例中，可以将产生相同颜色光的发光结构放置在一起以形成阵列。这些阵列可以与例如图4B中的示图400b中描述的亚图像元素的布置一致。在示图800a中的示例中，公共接触部820可以用于各种阵列810a、810b和810c中的所有发光结构。
示图800b中的器件可以具有产生第一颜色光的第一组发光结构830a、产生第二颜色光的第二组发光结构830b和产生第三颜色光的第三组发光结构830c。在一个示例中，这些发光结构可以类似于图5A中的示图500a中的发光结构的类型(例如，发光结构520a、520b和520c)。尽管仅示出了三种不同的发光结构，因此示出了三种不同类型的颜色，但是应当理解，发光结构的数量可以大于或小于三个。在该示例中，产生相同颜色光的发光结构可以以某种序列(例如，二维序列或布置)放置。这些组可以与例如图4A中的示图400a中描述的raxel和超raxel的布局或布置一致。在图800b中的示例中，公共接触部820可以用于各个组830a、830b和830c中的所有发光结构。
图8C和8D分别说明了示图800c和800d，其示出了另一种类型的发光结构的阵列或组的截面图。示图800c类似于示图800a，并且包括具有产生第一颜色光的发光结构的第一阵列810d、产生第二颜色光的发光结构的第二阵列810e和产生第三颜色光的发光结构的第三阵列810f的器件。这些阵列中的发光结构可以类似于图5B中的示图500b中的发光结构的类型(例如，发光结构520d、520e和520f)，并且这些阵列可以与例如图4B中的示图400b中描述的亚图像元素的布置一致。
示图800d类似于示图800b，并且包括具有产生第一颜色光的第一组发光结构830d、产生第二颜色光的第二组发光结构830e和产生第三颜色光的第三组发光结构830f的器件。这些组中的发光结构可以类似于图5B中的示图500b中的发光结构的类型(例如，发光结构520d、520e和520f)，并且这些组可以与例如图4A中的示图400a中描述的raxel和超raxel的布局或布置一致。
在单个基板上具有单片集成发光结构的上述器件(例如，在图5A-6D、图7A-7C和图8A-8D中)可以是例如显示面板的一部分，显示面板为例如图1中的示图100中的面板150。当该器件能够具有显示器所需的所有发光结构(发光元件)时，则单个器件(例如，单个基板)就足够了。否则，可能需要将多个器件组合(例如，缝合在一起)以提供显示器所需的发光结构(发光元件)的数量和/或密度。
图9A和9B分别说明了显示器中用于光产生的器件的不同布置示例的示图900a和900bm。在示图900a中，单个器件910(例如，图5A-6D、7A-7C和8A-8D中的器件之一)可以具有足够数量和/或密度的单片集成发光结构，以提供显示器110适当操作所需的发光元件。在示图900b中，单个器件910没有足够数量和/或密度的单片集成发光结构来提供显示器110适当操作所需的发光元件。在这种情况下，多个器件910可能需要组合在一起。多个器件910可以具有相同的尺寸或不同的尺寸，只要它们的组合具有足够数量和/或密度的单片集成发光结构，以提供显示器110适当操作所需的发光元件。
结合以上图1-9B的描述，本公开描述了一种用于光产生的器件，其包括具有一个或多个缓冲层(例如，一个或多个缓冲层或起始层505)的基板(例如，基板510)，缓冲层或起始层至少部分地由包括GaN的材料制成。该器件还可以包括外延生长在一个或多个缓冲层中顶部缓冲层的同一表面上的发光结构(例如，发光结构520a，…，520f)，每个发光结构具有平行于该表面并侧向终止的有源区(例如，有源区730)，并且不同发光结构的有源区被配置为直接产生不同颜色的光。直接产生可以指通过在有源区内或者在有源区与物理耦接到发光结构的另一结构之间发生的转变或类似效应来产生光。该器件还可以包括p掺杂层(例如，高掺杂层540、p型层720)，其设置在发光结构中每一个的有源区上，并且至少部分由包括GaN的p掺杂材料制成。在本公开中，例如，包括GaN的材料也可以指包括GaN合金的材料。有源区域也可以被竖直约束。
在用于光产生的器件的另一方面，该器件还可以包括设置在p掺杂层上的接触层(例如，导电接触层550、导电接触层710)。接触层可以是导电层，并且是金属接触层或透明接触层之一。在一个示例中，透明接触部由氧化铟锡(ITO)、镍(Ni)和金(Au)的合金、或者用氧(O)退火的镍和金的合金制成。
在用于光产生的器件的另一方面，一个或多个缓冲层可以外延生长在基板上。制造一个或多个缓冲层中的顶部缓冲层的材料包括GaN。制造一个或多个缓冲层的材料包括GaN合金。制造p掺杂层的p掺杂材料包括GaN合金。在一些情况下，制造一个或多个缓冲层的材料和制造p掺杂层的p掺杂材料是相同的材料。
在用于光产生的器件的另一方面，不同的发光结构可以包括：一个或多个发光结构，其有源区由包括InGaN的材料制成，该包括InGaN的材料具有被配置为直接产生蓝光的带隙；一个或多个发光结构，其有源区由包括具有InGaN的材料制成，该包括InGaN的材料具有被配置为直接产生绿光的带隙；以及一个或多个发光结构，其有源区由该包括InGaN的材料制成，该包括InGaN的材料具有被配置为直接产生红光的带隙。不同的发光结构可以进一步包括一个或多个发光结构，其有源区由包括InGaN的材料制成，该包括InGaN的材料具有被配置为直接产生不同于蓝光、绿光和红光的光的带隙。
在用于光产生的器件的另一方面，不同发光结构可以包括：一个或多个发光结构，该发光结构在其有源区中具有被配置为直接产生蓝光的至少一个量子阱；一个或多个发光结构，该发光结构在其有源区中具有被配置为直接产生绿光的至少一个量子阱；以及一个或多个发光结构，该发光结构在其有源区中具有被配置为直接产生红光的至少一个量子阱。不同发光结构可以进一步包括一个或多个发光结构，该发光结构在其有源区中具有被配置为直接产生不同于蓝光、绿光和红光的光的至少一个量子阱。
在用于光产生的器件的另一方面，不同发光结构包括：一个或多个发光结构，该发光结构在其有源区中具有一种或多种稀土，使得有源区被配置为产生蓝光；一个或多个发光结构，该发光结构在其有源区中具有一种或多种稀土，使得有源区被配置为产生绿光，以及一个或多个发光结构，该发光结构在其有源区中具有一种或多种稀土，使得有源区被配置为产生红光。不同发光结构可以进一步包括在其有源区中具有一种或多种稀土的一个或多个发光结构，使得有源区被配置为产生不同于蓝光、绿光和红光的光。一种或多种稀土包括Eu、Er、Tm、Gd或Pr中的一种或多种(例如，Eu3+、Er3+、Tm3+、Gd+3、Pr+3或这些材料的其他带电状态)。
在用于光产生的器件的另一方面，发光结构以栅格状图案布置(参见例如图4A和图4B)。例如，栅格状图案可以是正方形图案、矩形图案或六边形图案。栅格状图案可以包括不同发光结构的一个或多个重复序列。
在用于光产生的器件的另一方面，有源区包括体有源区。有源区可以掺杂有一种或多种稀土。一种或多种稀土的示例包括Eu、Er、Tm、Gd或Pr中的一种或多种。在一个示例中，可以使用Eu3+、Er3+、Tm3+、Gd+3或Pr+3中的任何一种。这些带电状态仅作为举例说明提供，也可以使用其他带电状态。所用的带电状态可能取决于其中嵌入稀土的基质。一种或多种稀土可以包含在有源区或体有源区中的超晶格中。有源区可以由竖直侧壁(例如，竖直侧壁740)侧向终止。
在用于光产生的器件的另一方面，有源区包括平行于一个或多个缓冲层中的顶部缓冲层的表面的至少一个量子阱。至少一个量子阱可以具有均匀的厚度。
在用于光产生的器件的另一方面，每个发光结构具有刻面侧壁(例如，发光结构520a、520b、520c的侧部或侧壁，以及图7B中的示图700b中的发光结构)。这些类型的发光结构中的有源区可以包括至少一个量子阱。刻面侧壁位于与垂直于发光结构生长方向的平面不同的平面上。
在用于光产生的器件的另一方面，有源区可以由外延再生长钝化部侧向终止(例如，参见图7C中的示图700c中的发光结构)。
在用于光产生的器件的另一方面，每个发光结构具有侧壁，并且钝化材料(例如，钝化层560、620)邻近侧壁设置。钝化材料可以具有比GaN的带隙更宽的带隙。钝化材料可以包括Ga2O3或Al2O3。有源区可以包括至少一个量子阱，并且钝化材料可以具有比至少一个量子阱的带隙更宽的带隙。钝化材料可以具有与发光结构的相对应部分的掺杂相反的掺杂。钝化材料可以具有在室温或操作温度下不电离的禁带中间状态(midgap state)或深能级。在这种情况下，侧壁可以是竖直侧壁。
在用于光产生的器件的另一方面，每个发光结构具有侧壁，以及邻近侧壁设置的电介质钝化部(例如，钝化层560、620)。电介质钝化部材料的带隙可以高于GaN或InGaN的带隙。在这种情况下，侧壁可以是竖直侧壁。
在用于光产生的器件的另一方面，每个发光结构的宽度或相邻发光结构之间的间距在以下范围之一：小于1微米、在1微米与5微米之间或大于5微米。
在用于光产生的器件的另一方面，接触层(例如，导电接触层550)可以设置在p掺杂层上；并且连接部(例如，连接部520)可以设置在接触层上，并且被配置为将器件中的发光结构中的每一个电连接到显示背板(例如，背板310)。设置在p掺杂层上的接触层可以是导电层，并且是金属接触层或透明接触层之一，而连接部可以是金属凸块。
在用于光产生的器件的另一方面，发光结构可以基于不同颜色的光布置成不同的阵列或组，该器件还包括设置在p掺杂层上的第一接触层(例如，p型接触部，导电接触层550)和设置在顶部缓冲层上的第二接触层(例如，n型接触部，接触部820)。
在用于光产生的器件的另一方面，发光结构可以基于不同颜色的光布置成不同的阵列或组，该器件还包括设置在p掺杂层上的第一接触层(例如，p型接触部，导电接触层550)，设置在顶部缓冲层上的第二接触层(例如，n型接触部，接触部820)，以及限定在一个或多个缓冲层中以隔离所述发光结构中的至少一些发光结构的一个或多个沟槽。
在用于光产生的器件的另一方面，发光结构被布置成不同的阵列或组，每个阵列或组包含混合颜色的光发射，该器件还包括设置在p掺杂层上的第一接触层(例如，p型接触部，导电接触层550)和设置在顶部缓冲层上的第二接触层(例如，n型接触部，接触部820)。
在用于光产生的器件的另一方面，发光结构被布置成不同的阵列或组，每个阵列或组包含混合颜色的光发射，该器件还包括设置在p掺杂层上的第一接触层(例如，p型接触部，导电接触层550)，设置在顶部缓冲层上的第二接触层(例如，n型接触部，接触部820)，以及限定在一个或多个缓冲层中以隔离所述发光结构中的至少一些发光结构的一个或多个沟槽。
在用于光产生的器件的另一方面，发光结构是微型发光器件或微型LED。
在用于光产生的器件的另一方面，该器件是光场显示器(例如，光场显示器210a)的一部分，并且连接到光场显示器的背板(例如，背板310)。
在用于光产生的器件的另一方面，该器件是第一器件(例如，图9A和9B中的器件910)，第二器件基本上类似于第一器件，并且第一器件和第二器件是显示器的一部分，例如光场显示器。
本公开描述了能够在同一基板上单片集成产生不同颜色的光的发光结构的各种技术和器件。
因此，尽管已经根据所示的实施方式提供了本公开，但是本领域普通技术人员将容易认识到，可以对实施例进行变化，并且这些变化将在本公开的范围内。因此，在不脱离所附权利要求的范围的情况下，本领域普通技术人员可以进行许多修改。

Claims (48)

1.一种用于光产生的器件，包括：
基板，其具有至少部分地由包括GaN的材料制成的一个或多个缓冲层；
发光结构，其在所述一个或多个缓冲层中的顶部缓冲层的同一表面上外延生长，每个发光结构具有平行于所述表面并侧向终止的有源区，并且不同发光结构的有源区被配置为直接产生不同颜色的光；和
p掺杂层，其设置在所述发光结构中每一个的有源区上，并且至少部分地由包括GaN的p掺杂材料制成。
2.根据权利要求1所述的器件，还包括设置在所述p掺杂层上的接触层。
3.根据权利要求2所述的器件，其中设置在所述p掺杂层上的所述接触层是导电层，并且是金属接触层或透明接触层之一。
4.根据权利要求3所述的器件，其中所述透明接触部由氧化铟锡(ITO)、镍(Ni)和金(Au)的合金或用氧(O)退火的镍和金的合金制成。
5.根据权利要求1所述的器件，其中所述一个或多个缓冲层在所述基板上外延生长。
6.根据权利要求1所述的器件，其中制造所述一个或多个缓冲层中的所述顶部缓冲层的材料包括GaN。
7.根据权利要求1所述的器件，其中制造所述一个或多个缓冲层的材料包括GaN合金。
8.根据权利要求1所述的器件，其中制造所述p掺杂层的所述p掺杂材料包括GaN合金。
9.根据权利要求1所述的器件，其中制造所述一个或多个缓冲层的材料和制造所述p掺杂层的p掺杂材料是相同的材料。
10.根据权利要求1所述的器件，其中所述不同发光结构包括：
一个或多个发光结构，其有源区由包括InGaN的材料制成，所述包括InGaN的材料具有被配置为直接产生蓝光的带隙，
一个或多个发光结构，其有源区由包括InGaN的材料制成，所述包括InGaN的材料具有被配置为直接产生绿光的带隙，以及
一个或多个发光结构，其有源区由所述包括InGaN的材料制成，所述包括InGaN的材料具有被配置为直接产生红光的带隙。
11.根据权利要求1所述的器件，其中所述不同发光结构还包括一个或多个发光结构，所述一个或多个发光结构的有源区由包括InGaN的材料制成，所述包括InGaN的材料具有被配置为直接产生不同于蓝光、绿光和红光的光的带隙。
12.根据权利要求1所述的器件，其中所述不同发光结构包括：
一个或多个发光结构，在其有源区中具有一种或多种稀土，使得所述有源区被配置为产生蓝光，
一个或多个发光结构，在其有源区中具有一种或多种稀土，使得所述有源区被配置为产生绿光，以及
一个或多个发光结构，在其有源区中具有一种或多种稀土，使得所述有源区被配置为产生红光。
13.根据权利要求12所述的器件，其中所述不同发光结构还包括一个或多个发光结构，在其有源区中具有一种或多种稀土，使得所述有源区被配置为产生不同于蓝光、绿光和红光的光。
14.根据权利要求1所述的器件，其中所述发光结构被布置为栅格状图案。
15.根据权利要求14所述的器件，其中所述栅格状图案包括正方形图案、矩形图案或六边形图案。
16.根据权利要求14所述的器件，其中所述栅格状图案包括所述不同发光结构的一个或多个重复序列。
17.根据权利要求1所述的器件，其中所述有源区包括体有源区。
18.根据权利要求1所述的器件，其中所述有源区掺杂有一种或多种稀土。
19.根据权利要求18所述的器件，其中所述一种或多种稀土包括Eu、Er、Tm、Gd或Pr中的一种或多种。
20.根据权利要求18所述的器件，其中所述一种或多种稀土包括在超晶格或体有源区中。
21.根据权利要求1所述的器件，其中所述有源区由竖直侧壁侧向终止。
22.根据权利要求1所述的器件，其中所述有源区包括平行于所述一个或多个缓冲层中的所述顶部缓冲层的所述表面的至少一个量子阱。
23.根据权利要求22所述的器件，其中所述至少一个量子阱具有均匀的厚度。
24.根据权利要求1所述的器件，其中每个发光结构具有刻面侧壁。
25.根据权利要求24所述的器件，其中所述有源区包括至少一个量子阱。
26.根据权利要求24所述的器件，其中所述刻面侧壁在与垂直于所述发光结构的生长方向的平面不同的平面上。
27.根据权利要求1所述的器件，其中所述有源区由外延再生长钝化部侧向终止。
28.根据权利要求1所述的器件，其中：
每个发光结构具有侧壁，并且
钝化材料邻近所述侧壁设置。
29.根据权利要求28所述的器件，其中所述钝化材料的带隙比GaN的带隙更宽。
30.根据权利要求28所述的器件，其中所述钝化材料包括Ga2O3或Al2O3。
31.根据权利要求28所述的器件，其中：
所述有源区包括至少一个量子阱，并且
所述钝化材料的带隙比所述至少一个量子阱的带隙更宽。
32.根据权利要求28所述的器件，其中所述钝化材料具有与所述发光结构的相对应部分的掺杂相反的掺杂。
33.根据权利要求28所述的器件，其中所述钝化材料具有在室温或操作温度下不被电离的禁带中间状态或深能级。
34.根据权利要求28所述的器件，其中所述侧壁是竖直侧壁。
35.根据权利要求1所述的器件，其中：
每个发光结构具有侧壁，并且
每个发光结构还包括邻近所述侧壁设置的电介质钝化部。
36.根据权利要求35所述的器件，其中所述电介质钝化部的材料的带隙高于GaN或InGaN的带隙。
37.根据权利要求35所述的器件，其中所述侧壁是竖直侧壁。
38.根据权利要求1所述的器件，其中所述有源区被竖直约束。
39.根据权利要求1所述的器件，其中每个发光结构的宽度或相邻发光结构之间的间距在以下范围之一内：
小于1微米，
在1微米与5微米之间，或者
大于5微米。
40.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：
接触层，其设置在所述p掺杂层上；和
连接部，其设置在所述接触层上并被配置为将所述器件中的所述发光结构中的每一个电连接到显示背板。
41.根据权利要求40所述的器件，其中：
设置在所述p掺杂层上的所述接触层是导电层，并且是金属接触层或透明接触层之一，并且
所述连接部是金属凸块。
42.根据权利要求1所述的器件，其中所述发光结构基于所述不同颜色的光被布置成不同的阵列，所述器件还包括：
设置在所述p掺杂层上的第一接触层；和
设置在所述顶部缓冲层上的第二接触层。
43.根据权利要求1所述的器件，其中所述发光结构基于所述不同颜色的光被布置成不同的阵列，所述器件还包括：
设置在所述p掺杂层上的第一接触层；
设置在所述顶部缓冲层上的第二接触层；和
限定在所述一个或多个缓冲层中以隔离所述发光结构中的至少一些发光结构的一个或多个沟槽。
44.根据权利要求1所述的器件，其中所述发光结构被布置成不同的阵列，每个阵列包含混合颜色的光发射，所述器件还包括：
设置在所述p掺杂层上的第一接触层；和
设置在所述顶部缓冲层上的第二接触层。
45.根据权利要求1所述的器件，其中所述发光结构被布置成不同的阵列，每个阵列包含混合颜色的光发射，所述器件还包括：
设置在所述p掺杂层上的第一接触层；
设置在所述顶部缓冲层上的第二接触层；和
限定在所述一个或多个缓冲层中以隔离所述发光结构中的至少一些发光结构的一个或多个沟槽。
46.根据权利要求1所述的器件，其中所述发光结构是微型发光器件或微型LED。
47.根据权利要求1所述的器件，其中所述器件是光场显示器的一部分，并且连接到所述光场显示器的背板。
48.根据权利要求1所述的器件，其中：
所述器件是第一器件，
第二器件基本上类似于所述第一器件，并且
所述第一器件和所述第二器件是光场显示器的一部分。
CN202080028261.8A 2019-04-12 2020-04-10 不同发光结构在同一基板上的单片集成 Pending CN113795923A (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962833072P 2019-04-12 2019-04-12
US62/833,072 2019-04-12
US16/841,119 2020-04-06
US16/841,119 US11637219B2 (en) 2019-04-12 2020-04-06 Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate
PCT/US2020/027574 WO2020210563A1 (en) 2019-04-12 2020-04-10 Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113795923A true CN113795923A (zh) 2021-12-14

Family

ID=72748145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080028261.8A Pending CN113795923A (zh) 2019-04-12 2020-04-10 不同发光结构在同一基板上的单片集成

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11637219B2 (zh)
JP (1) JP2022526676A (zh)
KR (1) KR20220019666A (zh)
CN (1) CN113795923A (zh)
TW (1) TW202107696A (zh)
WO (1) WO2020210563A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018132542A1 (de) * 2018-12-17 2020-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische leuchtvorrichtung und herstellungsverfahren
KR20230053028A (ko) 2021-10-13 2023-04-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치와 그의 제조 방법
KR20230053031A (ko) 2021-10-13 2023-04-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치와 그의 제조 방법
WO2023137476A1 (en) * 2022-01-14 2023-07-20 Google Llc Trichrome pixel layout
US20230410727A1 (en) * 2022-06-15 2023-12-21 Brendan Jude Moran Sparse led array applications

Family Cites Families (410)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2403731A (en) 1943-04-01 1946-07-09 Eastman Kodak Co Beam splitter
US3936817A (en) 1974-06-06 1976-02-03 Sidney Levy Thermoelectric display device
EP0034796B1 (en) 1980-02-22 1987-09-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device
US4923285A (en) 1985-04-22 1990-05-08 Canon Kabushiki Kaisha Drive apparatus having a temperature detector
US4825201A (en) 1985-10-01 1989-04-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Display device with panels compared to form correction signals
US5189406A (en) 1986-09-20 1993-02-23 Thorn Emi Plc Display device
JPH079560B2 (ja) 1988-07-08 1995-02-01 工業技術院長 マッチドフィルタリング方法
US5157387A (en) 1988-09-07 1992-10-20 Seiko Epson Corporation Method and apparatus for activating a liquid crystal display
US4996523A (en) 1988-10-20 1991-02-26 Eastman Kodak Company Electroluminescent storage display with improved intensity driver circuits
DE69022891T2 (de) 1989-06-15 1996-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Gerät zur Kompensierung von Videosignalen.
TW227005B (zh) 1990-11-14 1994-07-21 Hoechst Ag
JP2932686B2 (ja) 1990-11-28 1999-08-09 日本電気株式会社 プラズマディスプレイパネルの駆動方法
US5144418A (en) 1990-12-18 1992-09-01 General Electric Company Crystal stabilization of amplitude of light valve horizontal sweep
NL9002808A (nl) 1990-12-19 1992-07-16 Philips Nv Inrichting ten behoeve van projectieweergave.
US5548347A (en) 1990-12-27 1996-08-20 Philips Electronics North America Corporation Single panel color projection video display having improved scanning
US5300788A (en) 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
JP2829149B2 (ja) 1991-04-10 1998-11-25 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3230755B2 (ja) 1991-11-01 2001-11-19 富士写真フイルム株式会社 平面型表示デバイスのマトリックス駆動方法
US5473338A (en) 1993-06-16 1995-12-05 In Focus Systems, Inc. Addressing method and system having minimal crosstalk effects
JP3005115B2 (ja) 1992-06-19 2000-01-31 シャープ株式会社 半導体発光素子
DE69333436T2 (de) 1992-10-15 2005-01-13 Texas Instruments Inc., Dallas Anzeigevorrichtung
US5376580A (en) 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
US5471225A (en) 1993-04-28 1995-11-28 Dell Usa, L.P. Liquid crystal display with integrated frame buffer
JP3102666B2 (ja) 1993-06-28 2000-10-23 シャープ株式会社 画像表示装置
US5537128A (en) 1993-08-04 1996-07-16 Cirrus Logic, Inc. Shared memory for split-panel LCD display systems
JP2639311B2 (ja) 1993-08-09 1997-08-13 日本電気株式会社 プラズマディスプレイパネルの駆動方法
CA2137723C (en) 1993-12-14 1996-11-26 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus
JP3476241B2 (ja) 1994-02-25 2003-12-10 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置の表示方法
GB9407116D0 (en) 1994-04-11 1994-06-01 Secr Defence Ferroelectric liquid crystal display with greyscale
US5936604A (en) 1994-04-21 1999-08-10 Casio Computer Co., Ltd. Color liquid crystal display apparatus and method for driving the same
US5497172A (en) 1994-06-13 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated Pulse width modulation for spatial light modulator with split reset addressing
US5619228A (en) 1994-07-25 1997-04-08 Texas Instruments Incorporated Method for reducing temporal artifacts in digital video systems
FR2726126A1 (fr) 1994-10-24 1996-04-26 Mitsubishi Electric Corp Procede de fabrication de dispositifs a diodes electroluminescentes a lumiere visible
US5757348A (en) 1994-12-22 1998-05-26 Displaytech, Inc. Active matrix liquid crystal image generator with hybrid writing scheme
JPH08234703A (ja) 1995-02-28 1996-09-13 Sony Corp 表示装置
US5623181A (en) 1995-03-23 1997-04-22 Iwasaki Electric Co., Ltd. Multi-layer type light emitting device
US5751264A (en) 1995-06-27 1998-05-12 Philips Electronics North America Corporation Distributed duty-cycle operation of digital light-modulators
US5959598A (en) 1995-07-20 1999-09-28 The Regents Of The University Of Colorado Pixel buffer circuits for implementing improved methods of displaying grey-scale or color images
US6201521B1 (en) 1995-09-29 2001-03-13 Texas Instruments Incorporated Divided reset for addressing spatial light modulator
JP3834086B2 (ja) 1995-11-06 2006-10-18 シャープ株式会社 マトリックス型表示装置およびその駆動方法
US5945972A (en) 1995-11-30 1999-08-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Display device
US5936603A (en) 1996-01-29 1999-08-10 Delco Electronics Corporation Liquid crystal display with temperature compensated voltage
US5731802A (en) 1996-04-22 1998-03-24 Silicon Light Machines Time-interleaved bit-plane, pulse-width-modulation digital display system
US6127991A (en) 1996-11-12 2000-10-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of driving flat panel display apparatus for multi-gradation display
JPH10164750A (ja) 1996-11-26 1998-06-19 Nec Corp 出力電圧可変方式
US6046716A (en) 1996-12-19 2000-04-04 Colorado Microdisplay, Inc. Display system having electrode modulation to alter a state of an electro-optic layer
US5926162A (en) 1996-12-31 1999-07-20 Honeywell, Inc. Common electrode voltage driving circuit for a liquid crystal display
US6020687A (en) 1997-03-18 2000-02-01 Fujitsu Limited Method for driving a plasma display panel
US6369782B2 (en) 1997-04-26 2002-04-09 Pioneer Electric Corporation Method for driving a plasma display panel
JP3378465B2 (ja) 1997-05-16 2003-02-17 株式会社東芝 発光装置
JP3750889B2 (ja) 1997-07-02 2006-03-01 パイオニア株式会社 ディスプレイパネルの中間調表示方法
GB2327798B (en) 1997-07-23 2001-08-29 Sharp Kk Display device using time division grey scale display method
US6518945B1 (en) 1997-07-25 2003-02-11 Aurora Systems, Inc. Replacing defective circuit elements by column and row shifting in a flat-panel display
JPH1174566A (ja) 1997-08-29 1999-03-16 Mitsubishi Materials Corp 多色発光素子
US6144356A (en) 1997-11-14 2000-11-07 Aurora Systems, Inc. System and method for data planarization
JP3279238B2 (ja) 1997-12-01 2002-04-30 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6034659A (en) 1998-02-02 2000-03-07 Wald; Steven F. Active matrix electroluminescent grey scale display
US6151011A (en) 1998-02-27 2000-11-21 Aurora Systems, Inc. System and method for using compound data words to reduce the data phase difference between adjacent pixel electrodes
KR100624042B1 (ko) 1998-05-04 2006-09-18 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 디스플레이 장치
US6067065A (en) 1998-05-08 2000-05-23 Aurora Systems, Inc. Method for modulating a multiplexed pixel display
US6285360B1 (en) 1998-05-08 2001-09-04 Aurora Systems, Inc. Redundant row decoder
US6005558A (en) 1998-05-08 1999-12-21 Aurora Systems, Inc. Display with multiplexed pixels for achieving modulation between saturation and threshold voltages
US6121948A (en) 1998-05-08 2000-09-19 Aurora Systems, Inc. System and method for reducing inter-pixel distortion by dynamic redefinition of display segment boundaries
KR100298205B1 (ko) 1998-05-21 2001-08-07 오길록 고집적삼색발광소자및그제조방법
WO2000003379A1 (en) 1998-07-10 2000-01-20 Orion Electric Co., Ltd. A driving method of a plasma display panel of alternating current for creation of gray level gradations
WO2000016411A1 (fr) 1998-09-10 2000-03-23 Rohm Co., Ltd. Del a semi-conducteur et son procede de fabrication
JP2994632B1 (ja) 1998-09-25 1999-12-27 松下電器産業株式会社 発光中心変動防止のためのｐｄｐ表示の駆動パルス制御装置
US6262703B1 (en) 1998-11-18 2001-07-17 Agilent Technologies, Inc. Pixel cell with integrated DC balance circuit
GB9827964D0 (en) 1998-12-19 1999-02-10 Secr Defence Active backplane circuitry
GB9827944D0 (en) 1998-12-19 1999-02-10 Secr Defence Displays based on multiple digital bit planes
KR100375806B1 (ko) 1999-02-01 2003-03-15 가부시끼가이샤 도시바 색 얼룩 보정 장치 및 휘도 얼룩 보정 장치
US6556261B1 (en) 1999-02-15 2003-04-29 Rainbow Displays, Inc. Method for assembling a tiled, flat-panel microdisplay array having reflective microdisplay tiles and attaching thermally-conductive substrate
JP2000322024A (ja) 1999-05-11 2000-11-24 Nec Corp プラズマディスプレイ駆動方法及び駆動装置
WO2000070376A1 (en) 1999-05-14 2000-11-23 Colorlink, Inc. Optical system for producing a modulated color image
US6642915B1 (en) 1999-07-13 2003-11-04 Intel Corporation Display panel
US7379039B2 (en) 1999-07-14 2008-05-27 Sony Corporation Current drive circuit and display device using same pixel circuit, and drive method
KR100682563B1 (ko) 1999-07-26 2007-02-15 라보 스피아 가부시키가이샤 벌크형 렌즈, 발광체, 조명 기구 및 광 정보 시스템
JP3665515B2 (ja) 1999-08-26 2005-06-29 セイコーエプソン株式会社 画像表示装置
JP3433406B2 (ja) 1999-10-18 2003-08-04 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ホワイトポイント調整方法、カラー画像処理方法、ホワイトポイント調整装置、および液晶表示装置
JP3606138B2 (ja) 1999-11-05 2005-01-05 セイコーエプソン株式会社 ドライバｉｃ、電気光学装置及び電子機器
US6771325B1 (en) 1999-11-05 2004-08-03 Texas Instruments Incorporated Color recapture for display systems
JP3840856B2 (ja) 1999-11-10 2006-11-01 セイコーエプソン株式会社 液晶パネルの駆動方法、液晶装置および電子機器
EP1229510B1 (en) 1999-12-27 2012-04-25 Toshiba Mobile Display Co., Ltd Liquid crystal display apparatus and method for driving the same by performing a transition from an initial state to a display state
EP1187087A4 (en) 2000-01-14 2002-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd DISPLAY DEVICE WITH ACTIVE MATRIX AND CONTROL METHOD THEREFOR
WO2001056004A1 (en) 2000-01-31 2001-08-02 Three-Five Systems, Inc. Methods and apparatus for driving a display
TW497277B (en) 2000-03-10 2002-08-01 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
JP3558959B2 (ja) 2000-05-25 2004-08-25 シャープ株式会社 温度検出回路およびそれを用いる液晶駆動装置
JP2001352098A (ja) 2000-06-07 2001-12-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
JP3769463B2 (ja) 2000-07-06 2006-04-26 株式会社日立製作所 表示装置、表示装置を備えた画像再生装置及びその駆動方法
EP1305939A1 (en) 2000-07-28 2003-05-02 Smal Camera Technologies, INC. Precise mos imager transfer function control for expanded dynamic range imaging
JP3664059B2 (ja) 2000-09-06 2005-06-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の駆動方法、駆動回路及び電気光学装置並びに電子機器
US6525464B1 (en) 2000-09-08 2003-02-25 Unity Opto Technology Co., Ltd. Stacked light-mixing LED
TW482991B (en) 2000-09-13 2002-04-11 Acer Display Tech Inc Power-saving driving circuit for plasma display panel
GB2367413A (en) 2000-09-28 2002-04-03 Seiko Epson Corp Organic electroluminescent display device
US7184014B2 (en) 2000-10-05 2007-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2002116741A (ja) 2000-10-10 2002-04-19 Optrex Corp 液晶表示素子の表示輝度の調整方法および液晶表示装置
US6777253B2 (en) 2000-12-20 2004-08-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor, method for fabricating semiconductor substrate, and semiconductor light emitting device
JP4552069B2 (ja) 2001-01-04 2010-09-29 株式会社日立製作所 画像表示装置およびその駆動方法
JP2002215095A (ja) 2001-01-22 2002-07-31 Pioneer Electronic Corp 発光ディスプレイの画素駆動回路
JP2002244202A (ja) 2001-02-14 2002-08-30 Sony Corp 液晶プロジェクタ装置および液晶プロジェクタ装置の駆動方法
JP4663896B2 (ja) 2001-03-30 2011-04-06 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US6690432B2 (en) 2001-04-12 2004-02-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Alignment of the optical and the electrical scan in a scrolling color projector
JP2002335015A (ja) 2001-05-09 2002-11-22 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP3940596B2 (ja) 2001-05-24 2007-07-04 松下電器産業株式会社 照明光源
US6918946B2 (en) 2001-07-02 2005-07-19 Board Of Regents, The University Of Texas System Applications of light-emitting nanoparticles
US6744415B2 (en) 2001-07-25 2004-06-01 Brillian Corporation System and method for providing voltages for a liquid crystal display
JP3659407B2 (ja) 2001-08-03 2005-06-15 ソニー株式会社 発光装置
TW522534B (en) 2001-09-11 2003-03-01 Hsiu-Hen Chang Light source of full color LED using die bonding and packaging technology
US7576734B2 (en) 2001-10-30 2009-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal line driving circuit, light emitting device, and method for driving the same
FR2832843A1 (fr) 2001-11-29 2003-05-30 Thomson Licensing Sa Procede pour ameliorer le rendement lumineux d'un afficheur matriciel a affichage sequentiel des couleurs
US7279718B2 (en) 2002-01-28 2007-10-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED including photonic crystal structure
US6762739B2 (en) 2002-02-14 2004-07-13 Aurora Systems, Inc. System and method for reducing the intensity output rise time in a liquid crystal display
US20070137698A1 (en) 2002-02-27 2007-06-21 Wanlass Mark W Monolithic photovoltaic energy conversion device
US20030189215A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
US9583031B2 (en) 2002-05-10 2017-02-28 Jasper Display Corp. Modulation scheme for driving digital display systems
US8421828B2 (en) 2002-05-10 2013-04-16 Jasper Display Corp. Modulation scheme for driving digital display systems
US7129920B2 (en) 2002-05-17 2006-10-31 Elcos Mircrodisplay Technology, Inc. Method and apparatus for reducing the visual effects of nonuniformities in display systems
US6781737B2 (en) 2002-08-13 2004-08-24 Thomson Licensing S.A. Pulse width modulated display with hybrid coding
US20050052437A1 (en) 2002-08-14 2005-03-10 Elcos Microdisplay Technology, Inc. Temperature sensor circuit for microdisplays
US7468717B2 (en) 2002-12-26 2008-12-23 Elcos Microdisplay Technology, Inc. Method and device for driving liquid crystal on silicon display systems
US7088329B2 (en) 2002-08-14 2006-08-08 Elcos Microdisplay Technology, Inc. Pixel cell voltage control and simplified circuit for prior to frame display data loading
US7136042B2 (en) 2002-10-29 2006-11-14 Microsoft Corporation Display controller permitting connection of multiple displays with a single video cable
US6784898B2 (en) 2002-11-07 2004-08-31 Duke University Mixed mode grayscale method for display system
US8040311B2 (en) 2002-12-26 2011-10-18 Jasper Display Corp. Simplified pixel cell capable of modulating a full range of brightness
US7443374B2 (en) 2002-12-26 2008-10-28 Elcos Microdisplay Technology, Inc. Pixel cell design with enhanced voltage control
TW591811B (en) 2003-01-02 2004-06-11 Epitech Technology Corp Ltd Color mixing light emitting diode
GB0302580D0 (en) 2003-02-05 2003-03-12 Univ Strathclyde MICRO LEDs
TW594634B (en) 2003-02-21 2004-06-21 Toppoly Optoelectronics Corp Data driver
DE10307525B4 (de) 2003-02-21 2006-03-16 Litef Gmbh Verfahren und Einrichtung zur Erhöhung der Auflösung eines digitalen Phasenmodulators für eine faseroptische Signalübertragungs- oder Messeinrichtung
US7283105B2 (en) 2003-04-24 2007-10-16 Displaytech, Inc. Microdisplay and interface on single chip
JP3918770B2 (ja) 2003-04-25 2007-05-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
EP1620842B1 (en) 2003-04-25 2013-04-10 TPO Displays Corp. Method and device for driving an active matrix display panel
JP3870933B2 (ja) 2003-06-24 2007-01-24 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法
ITMI20031518A1 (it) 2003-07-24 2005-01-25 Dora Spa Metodo di pilotaggio di moduli lcd a basso consumo
JP2007534146A (ja) 2003-09-05 2007-11-22 ザ・ユニバーシティ・オブ・ノース・カロライナ・アット・シャーロット ナノスケールでエピタキシャル横方向成長させた量子ドット光電子デバイスおよびその製造方法
US20050062765A1 (en) 2003-09-23 2005-03-24 Elcos Microdisplay Technology, Inc. Temporally dispersed modulation method
US8228595B2 (en) 2003-11-01 2012-07-24 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Sequence and timing control of writing and rewriting pixel memories with substantially lower data rate
US20080007576A1 (en) 2003-11-01 2008-01-10 Fusao Ishii Image display device with gray scales controlled by oscillating and positioning states
US8081371B2 (en) 2003-11-01 2011-12-20 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Spatial light modulator and display apparatus
KR100987451B1 (ko) 2003-12-04 2010-10-13 엘지전자 주식회사 면발광 소자
US7397068B2 (en) 2003-12-23 2008-07-08 Tessera, Inc. Solid state lighting device
US20050146270A1 (en) 2003-12-29 2005-07-07 Ying-Ming Ho Stacked light emitting diode
US7132677B2 (en) 2004-02-13 2006-11-07 Dongguk University Super bright light emitting diode of nanorod array structure having InGaN quantum well and method for manufacturing the same
US7502411B2 (en) 2004-03-05 2009-03-10 Silicon Image, Inc. Method and circuit for adaptive equalization of multiple signals in response to a control signal generated from one of the equalized signals
KR100664980B1 (ko) * 2004-03-11 2007-01-09 삼성전기주식회사 모노리식 백색 발광소자
KR100624419B1 (ko) 2004-04-07 2006-09-19 삼성전자주식회사 나노와이어 발광소자 및 그 제조방법
KR100552707B1 (ko) 2004-04-07 2006-02-20 삼성전자주식회사 나노와이어 발광소자 및 그 제조방법
US7301172B2 (en) 2004-04-07 2007-11-27 California Institute Of Technology Sequentially charged nanocrystal light emitting device
US6989555B2 (en) 2004-04-21 2006-01-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Strain-controlled III-nitride light emitting device
KR20050112363A (ko) 2004-05-25 2005-11-30 삼성전자주식회사 표시 장치
US7397980B2 (en) 2004-06-14 2008-07-08 Optium Australia Pty Limited Dual-source optical wavelength processor
TWI228744B (en) 2004-07-12 2005-03-01 Au Optronics Corp Plasma display panel and method for driving thereof
TWI253050B (en) 2004-07-14 2006-04-11 Au Optronics Corp Method of multiple-frame scanning for a display
US7067853B1 (en) 2004-08-26 2006-06-27 Jie Yao Image intensifier using high-sensitivity high-resolution photodetector array
TWI302382B (en) 2004-09-15 2008-10-21 Yu Nung Shen Light emitting diode package and its packaging method
US7309144B2 (en) 2004-09-21 2007-12-18 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd Stacked light source
US20060066645A1 (en) 2004-09-24 2006-03-30 Ng Sunny Y Method and apparatus for providing a pulse width modulation sequence in a liquid crystal display
US7393710B2 (en) 2004-10-26 2008-07-01 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd Fabrication method of multi-wavelength semiconductor laser device
KR101170401B1 (ko) 2004-11-19 2012-08-02 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 복합 발광 다이오드 모듈
WO2006060599A2 (en) 2004-12-02 2006-06-08 The Regents Of The University Of California Semiconductor devices based on coalesced nano-rod arrays
US7535028B2 (en) 2005-02-03 2009-05-19 Ac Led Lighting, L.Lc. Micro-LED based high voltage AC/DC indicator lamp
CA2496642A1 (en) 2005-02-10 2006-08-10 Ignis Innovation Inc. Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming
KR100612894B1 (ko) 2005-05-02 2006-08-14 삼성전자주식회사 나노와이어 소자 및 그 제조방법
JP4636501B2 (ja) 2005-05-12 2011-02-23 株式会社沖データ 半導体装置、プリントヘッド及び画像形成装置
KR100691177B1 (ko) 2005-05-31 2007-03-09 삼성전기주식회사 백색 발광소자
US8339428B2 (en) 2005-06-16 2012-12-25 Omnivision Technologies, Inc. Asynchronous display driving scheme and display
US7545396B2 (en) 2005-06-16 2009-06-09 Aurora Systems, Inc. Asynchronous display driving scheme and display
US8163575B2 (en) 2005-06-17 2012-04-24 Philips Lumileds Lighting Company Llc Grown photonic crystals in semiconductor light emitting devices
KR101186683B1 (ko) 2005-06-25 2012-09-28 서울옵토디바이스주식회사 질화물 양자웰을 갖는 나노 구조체 및 그것을 채택한발광다이오드
WO2007001099A1 (en) 2005-06-27 2007-01-04 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode of a nanorod array structure having a nitride-based multi quantum well
US7922352B2 (en) 2005-07-21 2011-04-12 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for emitting output light using multiple light sources with photoluminescent material
US20070018189A1 (en) 2005-07-22 2007-01-25 Unity Opto Technology Co., Ltd. Light emitting diode
KR100750933B1 (ko) 2005-08-14 2007-08-22 삼성전자주식회사 희토류 금속이 도핑된 투명 전도성 아연산화물의나노구조를 사용한 탑에미트형 질화물계 백색광 발광소자및 그 제조방법
JP2007095844A (ja) 2005-09-27 2007-04-12 Oki Data Corp 半導体発光複合装置
WO2007065005A2 (en) 2005-12-02 2007-06-07 The Regents Of University Of California Improved horizontal emitting, vertical emitting, beam shaped, distributed feedback (dfb) lasers fabricated by growth over a patterned substrate with multiple overgrowth
US8174032B2 (en) 2006-03-16 2012-05-08 Light Engines Corporation Semiconductor white light sources
JP4908041B2 (ja) 2006-03-31 2012-04-04 株式会社沖データ 発光ダイオードアレイ、ｌｅｄヘッド及び画像記録装置
US8111271B2 (en) 2006-04-27 2012-02-07 Jasper Display Corporation Gray scale drive sequences for pulse width modulated displays
US7852307B2 (en) 2006-04-28 2010-12-14 Jasper Display Corp. Multi-mode pulse width modulated displays
US20090315045A1 (en) * 2006-05-01 2009-12-24 Mitsubishi Chemical Corporation Integrated semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
JP2007305708A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Rohm Co Ltd 半導体発光素子アレイおよびこれを用いた照明用器具
US7741647B2 (en) 2006-05-22 2010-06-22 Hewlett-Packard Development Company Utilizing nanowire for different applications
JP2007335462A (ja) 2006-06-12 2007-12-27 Stanley Electric Co Ltd 半導体複合素子およびその製造方法
MX2009001039A (es) 2006-07-28 2009-03-25 Tir Technology Lp Fuente luminosa que comprende elementos emisores de iluminacion por los bordes.
US20080121902A1 (en) 2006-09-07 2008-05-29 Gelcore Llc Small footprint high power light emitting package with plurality of light emitting diode chips
WO2008030183A1 (en) 2006-09-08 2008-03-13 Agency For Science, Technology And Research Tunable wavelength light emitting diode
DE102006051745B4 (de) 2006-09-28 2024-02-08 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers
WO2008066712A2 (en) 2006-11-15 2008-06-05 The Regents Of The University Of California High light extraction efficiency light emitting diode (led) with emitters within structured materials
US7663148B2 (en) 2006-12-22 2010-02-16 Philips Lumileds Lighting Company, Llc III-nitride light emitting device with reduced strain light emitting layer
KR20090096704A (ko) 2006-12-22 2009-09-14 큐나노 에이비 직립 나노와이어 구조를 갖는 ｌｅｄ 및 이를 제조하는 방법
US20080158437A1 (en) 2006-12-27 2008-07-03 Kazuma Arai Method for displaying digital image data and digital color display apparatus
TWI349371B (en) 2007-02-13 2011-09-21 Epistar Corp An optoelectronical semiconductor device having a bonding structure
TW200836368A (en) 2007-02-16 2008-09-01 Yu-Nung Shen Packaging body for light source
US20080246782A1 (en) 2007-03-02 2008-10-09 Taro Endo Color display system
DE102007011637A1 (de) 2007-03-09 2008-09-18 Ivoclar Vivadent Ag Lichtemissionsvorrichtung
JP2008263127A (ja) 2007-04-13 2008-10-30 Toshiba Corp Ｌｅｄ装置
DE102007030129A1 (de) 2007-06-29 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
US8223179B2 (en) 2007-07-27 2012-07-17 Omnivision Technologies, Inc. Display device and driving method based on the number of pixel rows in the display
US8441018B2 (en) 2007-08-16 2013-05-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Direct bandgap substrates and methods of making and using
US7616272B2 (en) 2007-08-17 2009-11-10 Group Iv Semiconductor Inc. Electroluminescent films for backlighting liquid crystal displays
DE102007041896A1 (de) 2007-09-04 2009-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
US7994524B1 (en) 2007-09-12 2011-08-09 David Yaunien Chung Vertically structured LED array light source
US7623560B2 (en) 2007-09-27 2009-11-24 Ostendo Technologies, Inc. Quantum photonic imagers and methods of fabrication thereof
JP2010541295A (ja) 2007-10-08 2010-12-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半導体波長コンバータが接合された発光ダイオード
KR101404143B1 (ko) 2007-10-12 2014-06-05 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 인이 함유되지 않은 레드 및 화이트 질소 기반 ｌｅｄ 제조
DE102007051520B4 (de) 2007-10-19 2021-01-14 Seereal Technologies S.A. Komplexwertiger räumlicher Lichtmodulator, räumliche Lichtmodulationseinrichtung und Verfahren zur Modulation eines Wellenfeldes
US7777233B2 (en) 2007-10-30 2010-08-17 Eastman Kodak Company Device containing non-blinking quantum dots
US8120555B2 (en) 2007-11-02 2012-02-21 Global Oled Technology Llc LED display with control circuit
CN101889238B (zh) 2007-12-05 2012-11-07 浜松光子学株式会社 相位调制装置以及相位调制方法
DE102008013030A1 (de) 2007-12-14 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
US8399895B2 (en) 2008-01-11 2013-03-19 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
DE102008006988A1 (de) 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
GB2459251A (en) 2008-04-01 2009-10-21 Sharp Kk Semiconductor nanowire devices
TW200950162A (en) * 2008-04-04 2009-12-01 Univ California Method for fabrication of semipolar (Al, In, Ga, B)N based light emitting diodes
DE102009002987B4 (de) 2008-05-16 2018-11-08 Seereal Technologies S.A. Steuerbare Vorrichtung zur Phasenmodulation
KR101101133B1 (ko) 2008-06-03 2012-01-05 삼성엘이디 주식회사 질화물 단결정 성장 방법 및 질화물 반도체 발광소자제조방법
US9024964B2 (en) 2008-06-06 2015-05-05 Omnivision Technologies, Inc. System and method for dithering video data
US20090309127A1 (en) 2008-06-13 2009-12-17 Soraa, Inc. Selective area epitaxy growth method and structure
US8847249B2 (en) 2008-06-16 2014-09-30 Soraa, Inc. Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions
US8779445B2 (en) 2008-07-02 2014-07-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Stress-alleviation layer for LED structures
KR20110039313A (ko) 2008-07-07 2011-04-15 글로 에이비 나노구조 ｌｅｄ
GB2462411B (en) 2008-07-30 2013-05-22 Photonstar Led Ltd Tunable colour led module
JP4555880B2 (ja) 2008-09-04 2010-10-06 株式会社沖データ 積層半導体発光装置及び画像形成装置
US20110254019A1 (en) 2008-09-26 2011-10-20 Hsu Chen Adapted semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
TWI389346B (zh) 2008-10-01 2013-03-11 Epistar Corp 光電元件
TW201017863A (en) 2008-10-03 2010-05-01 Versitech Ltd Semiconductor color-tunable broadband light sources and full-color microdisplays
US8421058B2 (en) 2008-11-21 2013-04-16 Agency For Science, Technology And Research Light emitting diode structure having superlattice with reduced electron kinetic energy therein
KR101471859B1 (ko) 2008-11-27 2014-12-11 삼성전자주식회사 발광 다이오드
US20100148147A1 (en) 2008-12-17 2010-06-17 Palo Alto Research Center Incorporated Monolithic white and full-color light emitting diodes using selective area growth
KR20110099761A (ko) 2008-12-24 2011-09-08 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 양면 파장 변환기 및 이를 이용하는 광 발생 소자를 제조하는 방법
US8446309B2 (en) 2009-02-19 2013-05-21 Cmosis Nv Analog-to-digital conversion in pixel arrays
WO2010100942A1 (ja) 2009-03-05 2010-09-10 株式会社小糸製作所 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
US9047818B1 (en) 2009-03-23 2015-06-02 Iii-N Technology, Inc. CMOS IC for micro-emitter based microdisplay
KR20100106053A (ko) 2009-03-23 2010-10-01 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법
KR101603777B1 (ko) 2009-04-16 2016-03-15 삼성전자주식회사 백색 발광 다이오드
US20100321640A1 (en) 2009-06-22 2010-12-23 Industrial Technology Research Institute Projection display chip
CN102341740B (zh) 2009-06-22 2015-09-16 财团法人工业技术研究院 发光单元阵列、其制造方法和投影设备
EP2449609A1 (en) 2009-06-30 2012-05-09 3M Innovative Properties Company Cadmium-free re-emitting semiconductor construction
CN102473382B (zh) 2009-07-23 2015-08-12 杜比实验室特许公司 降低功率的显示器
KR101163838B1 (ko) 2009-10-19 2012-07-09 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101611412B1 (ko) 2009-10-28 2016-04-11 삼성전자주식회사 발광 소자
US8283967B2 (en) 2009-11-12 2012-10-09 Ignis Innovation Inc. Stable current source for system integration to display substrate
KR101622308B1 (ko) 2009-11-17 2016-05-18 삼성전자주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8563395B2 (en) 2009-11-30 2013-10-22 The Royal Institute For The Advancement Of Learning/Mcgill University Method of growing uniform semiconductor nanowires without foreign metal catalyst and devices thereof
US8605015B2 (en) 2009-12-23 2013-12-10 Syndiant, Inc. Spatial light modulator with masking-comparators
KR100993074B1 (ko) 2009-12-29 2010-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
US20130016494A1 (en) 2010-01-11 2013-01-17 Ingo Speier Package for light emitting and receiving devices
JP2011171376A (ja) 2010-02-16 2011-09-01 Olympus Corp 発光装置
US20110204376A1 (en) 2010-02-23 2011-08-25 Applied Materials, Inc. Growth of multi-junction led film stacks with multi-chambered epitaxy system
KR101072193B1 (ko) 2010-04-01 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 제조방법, 및 발광소자 패키지
KR101643757B1 (ko) 2010-06-01 2016-07-29 삼성전자주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8710533B2 (en) 2010-06-04 2014-04-29 3M Innovative Properties Company Multicolored light converting LED with minimal absorption
US8431817B2 (en) 2010-06-08 2013-04-30 Sundiode Inc. Multi-junction solar cell having sidewall bi-layer electrical interconnect
US8476637B2 (en) 2010-06-08 2013-07-02 Sundiode Inc. Nanostructure optoelectronic device having sidewall electrical contact
US8659037B2 (en) 2010-06-08 2014-02-25 Sundiode Inc. Nanostructure optoelectronic device with independently controllable junctions
JP5703598B2 (ja) 2010-06-11 2015-04-22 セイコーエプソン株式会社 発光装置、およびプロジェクター
JP5589580B2 (ja) 2010-06-11 2014-09-17 セイコーエプソン株式会社 発光装置、およびプロジェクター
JP5981426B2 (ja) 2010-06-24 2016-08-31 グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ 配向されたナノワイヤー成長用のバッファ層を有する基板
JP5527049B2 (ja) 2010-06-30 2014-06-18 セイコーエプソン株式会社 発光装置、およびプロジェクター
US8669128B2 (en) 2010-07-29 2014-03-11 National Tsing Hua University Method of producing III-nitride light-emitting diode
TW201208114A (en) 2010-08-02 2012-02-16 Foxsemicon Integrated Tech Inc Lighting-emitting diode structure
US8198109B2 (en) 2010-08-27 2012-06-12 Quarkstar Llc Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination
WO2012035243A1 (fr) 2010-09-14 2012-03-22 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif optoelectronique a base de nanofils pour l'émission de lumière
DE102010046792A1 (de) 2010-09-28 2012-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
TW201216249A (en) 2010-10-07 2012-04-16 Jasper Display Corp Improved pixel circuit and display system comprising same
US8283215B2 (en) 2010-10-13 2012-10-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices
DE102010051286A1 (de) 2010-11-12 2012-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
TWI490832B (zh) 2010-12-16 2015-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 自發光顯示器及其製作方法
US8735913B2 (en) 2011-04-01 2014-05-27 Visera Technologies Company Limited Light emitting semiconductor structure
TW201248945A (en) 2011-05-31 2012-12-01 Chi Mei Lighting Tech Corp Light-emitting diode device and method for manufacturing the same
TWI452671B (zh) 2011-06-10 2014-09-11 Univ Chang Gung Production Method and Device of Stereo Stacked Light Emitting Diode
US20130020582A1 (en) 2011-07-21 2013-01-24 Zimmerman Scott M Rapid fabrication methods for forming nitride based semiconductors based on freestanding nitride growth substrates
JP5970758B2 (ja) 2011-08-10 2016-08-17 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
US8645878B1 (en) 2011-08-23 2014-02-04 Suvolta, Inc. Porting a circuit design from a first semiconductor process to a second semiconductor process
CA2883101A1 (en) 2011-09-06 2013-03-14 Trilogy Environmental Systems Inc. Hybrid desalination system
US9070613B2 (en) 2011-09-07 2015-06-30 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
DE102011056140A1 (de) 2011-12-07 2013-06-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
KR101265727B1 (ko) 2011-12-16 2013-05-20 한국과학기술원 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 패널 및 그 제조방법
US8648328B2 (en) 2011-12-27 2014-02-11 Sharp Laboratories Of America, Inc. Light emitting diode (LED) using three-dimensional gallium nitride (GaN) pillar structures with planar surfaces
EP2618388B1 (en) 2012-01-20 2019-10-02 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Light-emitting diode chip
TW201334235A (zh) 2012-02-09 2013-08-16 Wintek Corp 光學結構體以及發光裝置
US9000464B2 (en) 2012-03-01 2015-04-07 Design Express Limited Semiconductor structure for substrate separation and method for manufacturing the same
KR20130106690A (ko) 2012-03-20 2013-09-30 삼성전자주식회사 백색 발광 다이오드
CN103367570B (zh) 2012-03-30 2016-01-20 清华大学 白光led
US8906713B2 (en) 2012-03-30 2014-12-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. LED lamp using blue and cyan LEDs and a phosphor
WO2013147946A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 The Regents Of The University Of Michigan Gan-based quantum dot visible laser
US20130264587A1 (en) 2012-04-04 2013-10-10 Phostek, Inc. Stacked led device using oxide bonding
US20130270514A1 (en) 2012-04-16 2013-10-17 Adam William Saxler Low resistance bidirectional junctions in wide bandgap semiconductor materials
US8835948B2 (en) 2012-04-19 2014-09-16 Phostek, Inc. Stacked LED device with diagonal bonding pads
US20130285010A1 (en) 2012-04-27 2013-10-31 Phostek, Inc. Stacked led device with posts in adhesive layer
DE202013012940U1 (de) 2012-05-04 2023-01-19 Soraa, Inc. LED-Lampen mit verbesserter Lichtqualität
US8963944B2 (en) 2012-05-15 2015-02-24 Omnivision Technologies, Inc. Method, apparatus and system to provide video data for buffering
CN104396028B (zh) 2012-05-24 2018-01-19 香港大学 不需要颜色转换的白色纳米发光二极管
US9024292B2 (en) 2012-06-02 2015-05-05 Xiaohang Li Monolithic semiconductor light emitting devices and methods of making the same
US8745556B2 (en) 2012-06-28 2014-06-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Layout method and system for multi-patterning integrated circuits
US9793439B2 (en) 2012-07-12 2017-10-17 Sensor Electronic Technology, Inc. Metallic contact for optoelectronic semiconductor device
CN104769732A (zh) 2012-09-18 2015-07-08 Glo公司 纳米角锥体大小的光电子结构及其制造方法
US8970827B2 (en) 2012-09-24 2015-03-03 Alces Technology, Inc. Structured light and time of flight depth capture with a MEMS ribbon linear array spatial light modulator
TWI458139B (zh) 2012-11-23 2014-10-21 Unity Opto Technology Co Ltd White light emitting diode module
KR101898679B1 (ko) 2012-12-14 2018-10-04 삼성전자주식회사 나노구조 발광소자
DE102013200509A1 (de) 2013-01-15 2014-07-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
CN105027683A (zh) 2013-01-30 2015-11-04 卢米娜拉全球有限责任公司 用于控制多个电蜡烛的系统和方法
US9142535B2 (en) 2013-01-31 2015-09-22 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Vertically printing LEDs in series
KR20140099399A (ko) * 2013-02-01 2014-08-12 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
WO2014129134A1 (ja) 2013-02-19 2014-08-28 パナソニック株式会社 画像表示装置
JP2014175427A (ja) 2013-03-07 2014-09-22 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
WO2014144993A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Ostendo Technologies, Inc. Enhanced performance active pixel array and epitaxial growth method for achieving the same
WO2014145200A2 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Thomas Brindisi Volumetric three-dimensional display with evenly-spaced elements
US8872420B2 (en) 2013-03-15 2014-10-28 Thomas J. Brindisi Volumetric three-dimensional display with evenly-spaced elements
US9406269B2 (en) 2013-03-15 2016-08-02 Jasper Display Corp. System and method for pulse width modulating a scrolling color display
FR3004000B1 (fr) 2013-03-28 2016-07-15 Aledia Dispositif electroluminescent avec capteur integre et procede de controle de l'emission du dispositif
EP3005429B1 (en) 2013-06-07 2020-05-27 Glo Ab Multicolor led and method of fabricating thereof
US9082926B2 (en) 2013-06-18 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor optical emitting device with metallized sidewalls
JP2015012044A (ja) 2013-06-26 2015-01-19 株式会社東芝 半導体発光素子
US10311773B2 (en) 2013-07-26 2019-06-04 Darwin Hu Circuitry for increasing perceived display resolutions from an input image
US9142745B2 (en) 2013-08-27 2015-09-22 Glo Ab Packaged LED device with castellations
US8999737B2 (en) 2013-08-27 2015-04-07 Glo Ab Method of making molded LED package
US9257616B2 (en) 2013-08-27 2016-02-09 Glo Ab Molded LED package and method of making same
US9390650B2 (en) 2013-08-30 2016-07-12 L-3 Communications Corporation Night vision compatible display
TW201516541A (zh) 2013-09-23 2015-05-01 Glo Ab 整合背光單元
FR3011388B1 (fr) 2013-09-30 2016-11-25 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes
US10043942B2 (en) 2013-10-17 2018-08-07 Luminus Devices, Inc. Vertical multi-junction light emitting diode
US9455421B2 (en) 2013-11-21 2016-09-27 Atom Nanoelectronics, Inc. Devices, structures, materials and methods for vertical light emitting transistors and light emitting displays
WO2015077612A1 (en) 2013-11-22 2015-05-28 Glo Ab Method of stress induced cleaving of semiconductor devices
WO2015077609A1 (en) 2013-11-22 2015-05-28 Glo Ab Methods of locating differently shaped or differently sized led die in a submount
US9287468B2 (en) 2013-11-22 2016-03-15 Glo Ab LED submount with integrated interconnects
US9356204B2 (en) 2013-12-05 2016-05-31 Vizio Inc Using quantum dots for extending the color gamut of LCD displays
US9720163B2 (en) 2013-12-09 2017-08-01 Glo Ab Optical display system
TWI621278B (zh) 2013-12-17 2018-04-11 瑞典商Ｇｌｏ公司 具有應變改質表面活性區域之第三族氮化物奈米線ｌｅｄ及其製造方法
GB2522406A (en) 2014-01-13 2015-07-29 Seren Photonics Ltd Semiconductor devices and fabrication methods
US9299725B2 (en) 2014-01-31 2016-03-29 Sharp Laboratories Of America, Inc. Fabrication process using circuit-on-wire
US9589514B2 (en) 2014-02-21 2017-03-07 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus for reduced bandwidth pulse width modulation
KR101452801B1 (ko) 2014-03-25 2014-10-22 광주과학기술원 발광다이오드 및 이의 제조방법
KR102145207B1 (ko) 2014-04-17 2020-08-19 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
US9379281B2 (en) 2014-04-29 2016-06-28 Raymond SARKISSIAN Fabrication of thin, flexible, and efficient light emitting diodes
CN106663182B (zh) 2014-05-08 2020-06-09 得利捷Ip科技有限公司 成像器型线性光学信息阅读器和用于对齐成像器型光学信息阅读器的方法
US9918053B2 (en) 2014-05-14 2018-03-13 Jasper Display Corp. System and method for pulse-width modulating a phase-only spatial light modulator
KR102439708B1 (ko) 2014-05-27 2022-09-02 실라나 유브이 테크놀로지스 피티이 리미티드 광전자 디바이스
US10050351B2 (en) 2014-06-18 2018-08-14 X-Celeprint Limited Multilayer printed capacitors
CN113013150B (zh) 2014-06-18 2022-04-19 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装led显示器
KR102188499B1 (ko) 2014-07-11 2020-12-09 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102227771B1 (ko) 2014-08-25 2021-03-16 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
WO2016030422A1 (en) 2014-08-26 2016-03-03 X-Celeprint Limited Micro assembled hybrid displays and lighting elements
KR102164796B1 (ko) 2014-08-28 2020-10-14 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102337405B1 (ko) 2014-09-05 2021-12-13 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
US9507143B2 (en) 2014-09-19 2016-11-29 Intel Corporation Compact illumination system
US9991163B2 (en) 2014-09-25 2018-06-05 X-Celeprint Limited Small-aperture-ratio display with electrical component
US9818725B2 (en) 2015-06-01 2017-11-14 X-Celeprint Limited Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
WO2016049507A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Glo Ab Monolithic image chip for near-to-eye display
JP2016085968A (ja) 2014-10-24 2016-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
US20170236807A1 (en) 2014-10-28 2017-08-17 The Regents Of The University Of California Iii-v micro-led arrays and methods for preparing the same
US10090449B2 (en) 2014-11-18 2018-10-02 PlayNitride Inc. Light emitting device
GB201420452D0 (en) 2014-11-18 2014-12-31 Mled Ltd Integrated colour led micro-display
US9698134B2 (en) 2014-11-27 2017-07-04 Sct Technology, Ltd. Method for manufacturing a light emitted diode display
US20160163940A1 (en) 2014-12-05 2016-06-09 Industrial Technology Research Institute Package structure for light emitting device
US9653642B1 (en) 2014-12-23 2017-05-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB display based on thin film gallium and nitrogen containing light emitting diodes
US9557954B2 (en) 2014-12-23 2017-01-31 X Development Llc Display panel using direct emission pixel arrays
US20160203801A1 (en) 2015-01-08 2016-07-14 Pixtronix, Inc. Low capacitance display address selector architecture
US9721931B2 (en) 2015-01-15 2017-08-01 Industrial Technology Research Institute Semiconductor light emitting device and fabricating method thereof
US10134803B2 (en) 2015-01-23 2018-11-20 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate
US9484332B2 (en) 2015-03-18 2016-11-01 Intel Corporation Micro solar cell powered micro LED display
US9793252B2 (en) 2015-03-30 2017-10-17 Emagin Corporation Method of integrating inorganic light emitting diode with oxide thin film transistor for display applications
US20160336482A1 (en) 2015-05-12 2016-11-17 Epistar Corporation Light-emitting device
US20160359086A1 (en) 2015-06-05 2016-12-08 Ostendo Technologies, Inc. Light Emitting Structures with Multiple Uniformly Populated Active Layers
US10133426B2 (en) 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
US11061276B2 (en) 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
CN106299065B (zh) 2015-06-25 2018-11-27 光州科学技术院 基板、其制造方法及利用其的发光二极管
US10255834B2 (en) 2015-07-23 2019-04-09 X-Celeprint Limited Parallel redundant chiplet system for controlling display pixels
US9640108B2 (en) 2015-08-25 2017-05-02 X-Celeprint Limited Bit-plane pulse width modulated digital display system
KR102357585B1 (ko) 2015-08-18 2022-02-04 삼성전자주식회사 반도체 자외선 발광소자
KR102465382B1 (ko) 2015-08-31 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
US9472734B1 (en) 2015-09-07 2016-10-18 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Light-emitting diode display
TWI590433B (zh) 2015-10-12 2017-07-01 財團法人工業技術研究院 發光元件以及顯示器的製作方法
US10693035B2 (en) 2015-10-23 2020-06-23 Sensor Electronic Technology, Inc. Optoelectronic device with a nanowire semiconductor layer
WO2017099905A1 (en) * 2015-12-07 2017-06-15 Glo Ab Laser lift-off on isolated iii-nitride light islands for inter-substrate led transfer
US11322652B2 (en) 2015-12-14 2022-05-03 Ostendo Technologies, Inc. Methods for producing composite GaN nanocolumns and light emitting structures made from the methods
US9928771B2 (en) 2015-12-24 2018-03-27 X-Celeprint Limited Distributed pulse width modulation control
US20170213934A1 (en) 2016-01-25 2017-07-27 Google Inc. High-efficiency light emitting diode
KR102608421B1 (ko) 2016-02-23 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
KR102595920B1 (ko) 2016-03-10 2023-10-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102537440B1 (ko) 2016-03-18 2023-05-30 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102562627B1 (ko) 2016-03-21 2023-08-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102513080B1 (ko) 2016-04-04 2023-03-24 삼성전자주식회사 Led 광원 모듈 및 디스플레이 장치
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
US9893041B2 (en) 2016-04-15 2018-02-13 Glo Ab Method of forming an array of a multi-device unit cell
KR20180133436A (ko) 2016-05-04 2018-12-14 글로 에이비 상이한 색상의 led를 포함하는 일체형 다색 직시형 디스플레이와 이의 제조 방법
US10360846B2 (en) 2016-05-10 2019-07-23 X-Celeprint Limited Distributed pulse-width modulation system with multi-bit digital storage and output device
KR102617466B1 (ko) 2016-07-18 2023-12-26 주식회사 루멘스 마이크로 led 어레이 디스플레이 장치
US10663756B2 (en) 2016-07-18 2020-05-26 Lumens Co., Ltd. Display apparatus
CN113611714A (zh) 2016-08-03 2021-11-05 朱夏青 显示面板
US10480719B2 (en) 2016-08-16 2019-11-19 King Abdullah University Of Science And Technology Ultrabroad linewidth orange-emitting nanowires LED for high CRI laser-based white lighting and gigahertz communications
US10304375B2 (en) 2016-09-23 2019-05-28 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Micro display panels with integrated micro-reflectors
US10356858B2 (en) 2016-09-26 2019-07-16 Prilit Optronics, Inc. MicroLED display panel
US10177195B2 (en) 2016-09-30 2019-01-08 Intel Corporation Micro-LED displays
US10964862B2 (en) 2016-09-30 2021-03-30 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor heterostructure with multiple active regions
WO2018063391A1 (en) 2016-09-30 2018-04-05 Intel Corporation High performance light emitting diode and monolithic multi-color pixel
US20180198029A1 (en) * 2017-01-09 2018-07-12 Glo Ab Semiconductor light emitting device including reflective element and method of making same
US10490599B2 (en) 2017-07-13 2019-11-26 Applied Materials, Inc. Collimated, directional micro-LED light field display
WO2019055271A1 (en) 2017-09-15 2019-03-21 Glo Ab OPTICAL EXTENSION IMPROVEMENT OF LIGHT-EMITTING DIODE SUB-PIXELS
US10629153B2 (en) 2017-10-13 2020-04-21 Jasper Display Corp. Backplane suitable to form part of an emissive pixel array and system and methods of modulating same
US11030942B2 (en) 2017-10-13 2021-06-08 Jasper Display Corporation Backplane adaptable to drive emissive pixel arrays of differing pitches
US10437402B1 (en) 2018-03-27 2019-10-08 Shaoher Pan Integrated light-emitting pixel arrays based devices by bonding
US10431717B1 (en) 2018-03-29 2019-10-01 Intel Corporation Light-emitting diode (LED) and micro LED substrates and methods for making the same
US10909926B2 (en) 2018-05-08 2021-02-02 Apple Inc. Pixel circuitry and operation for memory-containing electronic display
KR102651547B1 (ko) * 2018-09-07 2024-03-28 삼성전자주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US10943532B2 (en) * 2018-12-11 2021-03-09 The Hong Kong University Of Science And Technology Monolithic full-color light-emitting diode display panel
WO2020121904A1 (ja) * 2018-12-14 2020-06-18 国立大学法人大阪大学 表示装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11637219B2 (en) 2023-04-25
KR20220019666A (ko) 2022-02-17
US20230387348A1 (en) 2023-11-30
JP2022526676A (ja) 2022-05-25
TW202107696A (zh) 2021-02-16
US20200328327A1 (en) 2020-10-15
WO2020210563A1 (en) 2020-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11637219B2 (en) Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate
US20220115568A1 (en) Light emitting device and display apparatus including the same
KR102476136B1 (ko) Led를 이용한 디스플레이 장치
KR102481524B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
RU2617917C1 (ru) Устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство
KR20200026845A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
JP2021536036A (ja) ライトフィールドディスプレイにおける発光素子のための構造
KR20200014868A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
US11134237B2 (en) Three-dimensional display system and method
US20230387179A1 (en) Light emitting device for display and display apparatus having the same
JP2021522558A (ja) ライトフィールドディスプレイにおける発光素子のための構造
KR20200023328A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
Templier et al. High-resolution active-matrix 10-um pixel-pitch GaN LED microdisplays for augmented reality applications
US20230005886A1 (en) Display device using micro led
US20220238759A1 (en) Display device using micro led
KR102190064B1 (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
JP7198347B2 (ja) 部分的なライトフィールドディスプレイ構造
KR102147443B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US20230328903A1 (en) Display device
KR20200018521A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN116096148A (zh) 显示装置
US20220416126A1 (en) Display device using semiconductor light emitting element, and method for manufacturing same
US20230197693A1 (en) Micro led display apparatus and method of manufacturing the same
CN115706138A (zh) 显示装置及用于制造显示装置的方法
CN115274743A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20221008

Address after: California, USA

Applicant after: Google Inc.

Address before: California, USA

Applicant before: Lashoum Ltd.

TA01 Transfer of patent application right