JP3558959B2 - 温度検出回路およびそれを用いる液晶駆動装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、温度検出回路に関し、特に、半導体集積回路中の回路素子の温度−電圧特性を利用して温度検出を行なう温度検出回路に関し、またその検出結果に基づいて液晶素子の温度特性を駆動電圧で補償する液晶駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
前記半導体集積回路中の回路素子の温度−電圧特性を利用して温度検出を行なう回路として、典型的な従来技術は、特開平３−４８７３７号公報に示されている。図７は、その従来技術の温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。この従来技術では、電源ライン１，２間に、定電流源ｆ１と複数段のダイオードｄ１１，…，ｄ１ｎとの直列回路が接続されて構成される第１のバイアス電圧源ｂ１と、前記電源ライン１，２間に、定電流源ｆ２と複数段のダイオードｄ２１，…，ｄ２ｍとの直列回路が接続されて構成される第２のバイアス電圧源ｂ２と、前記第１および第２のバイアス電圧源ｂ１，ｂ２からの第１および第２のバイアス電圧の差を増幅して出力する増幅器３とを備えて構成される。前記定電流源ｆ１とダイオードｄ１ｎとの接続点が第１のバイアス電圧の出力端となって前記増幅器３の一方の入力端に与えられ、前記定電流源ｆ２とダイオードｄ２ｍとの接続点が第２のバイアス電圧の出力端となって前記増幅器３の他方の入力端に与えられる。
【０００３】
ｎ≠ｍであるので、定電流源ｆ１，ｆ２の電流値が相互に等しいとき、ダイオード１個当りのアノード−カソード間の電圧をＶａｃ〔Ｖ〕とし、電源ライン１の電位を基準とすると、増幅器３の一方の入力端には−ｎ×Ｖａｃ〔Ｖ〕の電圧が生じ、他方の入力端には−ｍ×Ｖａｃ〔Ｖ〕の電圧が生じる。したがって、２つの入力端間には（ｍ−ｎ）×Ｖａｃ〔Ｖ〕のオフセットを生じることになる。したがって、ダイオード１個当りのアノード−カソード間の電圧の温度依存を△Ｖａｃ〔Ｖ／℃〕とすると、温度がＴ〔℃〕変動した場合、増幅器３の入力端間のオフセットはＴ×（ｍ−ｎ）×△Ｖａｃ〔Ｖ〕変動し、該増幅器３の利得をＡとすると、Ａ×Ｔ×（ｍ−ｎ）×△Ｖａｃ〔Ｖ〕が得られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような従来技術では、第１のバイアス電圧源ｂ１のダイオードｄ１１〜ｄ１ｎの端子間電圧と、第２のバイアス電圧源ｂ２のダイオードｄ２１〜ｄ２ｍの端子間電圧との差を検出温度の出力としているので、それぞれのダイオードｄ１１〜ｄ１ｎ；ｄ２１〜ｄ２ｍの素子特性が揃っていれば、略前記第１および第２のバイアス電圧源ｂ１，ｂ２の相対精度で温度検出を行うことができ、個々の素子に高い精度を必要とすることなく、高い精度で温度検出を行うことができる。
【０００５】
しかしながら、温度検出感度を任意に調整することができず、また所望とする出力電圧に増幅できないという問題がある。特に、液晶パネルは、周囲温度によって、液晶材料の印加電圧−光透過特性の傾きや閾値電圧Ｖｔｈ等の特性が大きく変動するので、常に最適なコントラストで表示させるためには、駆動電圧を前記周囲温度に適応して変化させる必要がある。また、使用する液晶素子の材料によっても前記閾値電圧Ｖｔｈ等の特性が異なり、さらに同じ材料であっても液晶層の厚さによって前記特性が異なることになる。
【０００６】
本発明の目的は、さまざまな温度特性および出力ダイナミックレンジに対応することができる温度検出回路を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の温度検出回路は、相対的に急峻な温度特性を有する第１のバイアス電圧源からの第１のバイアス電圧と、相対的に緩やかな温度特性を有する第２のバイアス電圧源からの第２のバイアス電圧とに対して、反転増幅器がそれらの差に対応した電圧を出力することで、略前記第１および第２のバイアス電圧源の相対精度で温度検出を行うことができる温度検出回路であって、前記第１のバイアス電圧を前記反転増幅器の反転入力端に与える第１の抵抗と、前記反転増幅器の前記反転入力端と出力端との間に介在される第２の抵抗と、前記反転増幅器の出力が非反転入力端に与えられる非反転増幅器と、予め定める基準電位を前記非反転増幅器の反転入力端に与える第３の抵抗と、前記非反転増幅器の前記反転入力端と出力端との間に介在される第４の抵抗とを含むことを特徴とする。
【０００８】
上記の構成によれば、相対的に急峻な温度特性を有する第１のバイアス電圧源からの第１のバイアス電圧Ｖｉｎを反転増幅器の反転入力端に与え、相対的に緩やかな温度特性を有する第２のバイアス電圧源からの第２のバイアス電圧Ｖｂｉａｓを反転増幅器の非反転入力端に与え、前記第１のバイアス電圧源と反転入力端との間に第１の抵抗Ｒ１を介在し、該反転入力端と出力端との間に第２の抵抗Ｒ２を介在することで、反転増幅器の出力電圧Ｖｏｕｔ１は、
Ｖｏｕｔ１＝−（Ｖｉｎ−Ｖｂｉａｓ）×Ｒ２／Ｒ１＋Ｖｂｉａｓ
となり、相対的に緩やかな温度勾配の第２のバイアス電圧Ｖｂｉａｓに、第２および第１のバイアス電圧Ｖｂｉａｓ，Ｖｉｎの差が第２および第１の抵抗比倍されて加算されることになる。したがって、略前記第１および第２のバイアス電圧源の相対精度で温度検出を行うことができる。そして、前記第１および第２の抵抗の抵抗値を適宜設定することで、所望の温度特性を得ることができる。
【０００９】
また、前記反転増幅器の出力電圧Ｖｏｕｔ１を、反転入力端に第３の抵抗を介して基準電位が与えられるとともに第４の抵抗を介して出力が帰還される非反転増幅器の非反転入力端に与えて増幅する。
【００１０】
したがって、前記第３および第４の抵抗の抵抗値を適宜設定することで、前記反転増幅器で得られた温度特性を所望の出力電圧値とすることができる。
【００１１】
また、本発明の温度検出回路では、前記第１および第２のバイアス電圧源は、それぞれ、定電流源と、１または複数段のダイオードとの直列回路が電源ライン間に接続され、前記定電流源とダイオードとの接続点から前記反転増幅器の入力端へバイアス電圧を与えるように構成され、前記温度特性の差を前記ダイオードの素子面積の差によって生じさせることを特徴とする。
【００１２】
上記の構成によれば、ダイオード１個当りの面積を、前記第１のバイアス電圧源と第２のバイアス電圧源とで異なるように形成したり、同じ面積のダイオードの並列接続段数を、前記第１のバイアス電圧源と第２のバイアス電圧源とで異なるように形成するなどして作成した電流能力の相互に異なるダイオードに、定電流源からの一定電流によって動作点を固定し、動作させることで、相互に異なる温度特性とすることができ、同じ半導体集積回路内に、容易に形成することができる。
【００１３】
さらにまた、本発明の液晶駆動装置は、前記請求項１または２記載の温度検出回路を搭載し、前記非反転増幅器の出力電圧が液晶素子の駆動に用いられる液晶駆動装置であって、前記第１および第２の抵抗によって決定される反転増幅器のゲインを液晶パネルの温度特性に適合させ、前記第３および第４の抵抗ならびに基準電位によって決定される出力電圧レベルを液晶素子の駆動に必要な電圧に適合させることを特徴とする。
【００１４】
上記の構成によれば、液晶素子の材料や液晶層の厚さによって異なる印加電圧−光透過特性の傾きや閾値電圧Ｖｔｈ等の液晶パネルの温度特性に、第１および第２の抵抗の抵抗値を設定することで反転増幅器のゲインを適合させ、第３および第４の抵抗ならびに基準電位を設定することで、出力電圧レベルを液晶素子の駆動に必要な電圧に適合させる。
【００１５】
したがって、第１〜第４の抵抗ならびに基準電位を設定することで、使用される液晶パネルに適合した任意の温度特性で、任意の駆動電圧を得ることができ、常に最適なコントラストで表示させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態について、図１および図２に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００１７】
図１は、本発明の実施の一形態の温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。この温度検出回路は、大略的に、温度勾配を発生する第１および第２のバイアス電圧源Ｂ１，Ｂ２と、前記バイアス電圧源Ｂ１，Ｂ２からの第１および第２のバイアス電圧Ｖｉｎ，Ｖｂｉａｓの差を増幅して出力する反転増幅器１１および非反転増幅器１２と、前記反転増幅器１１のゲイン設定のための第１および第２の抵抗Ｒ１，Ｒ２と、前記非反転増幅器１２のゲイン設定および基準電位設定のための第３および第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４とを備えて構成され、半導体集積回路内に作込まれる。
【００１８】
前記バイアス電圧源Ｂ１は、電源ライン１３，１４間に、第１の定電流源Ｆ１と複数段のダイオードＤ１１，…，Ｄ１ｎとの直列回路が接続されて構成され、前記定電流源Ｆ１とダイオードＤ１１との接続点Ｐ１が第１のバイアス電圧Ｖｉｎの出力端となる。前記第２のバイアス電圧源Ｂ２は、前記電源ライン１３，１４間に、第２の定電流源Ｆ２と複数段のダイオードＤ２１，…，Ｄ２ｍとの直列回路が接続されて構成され、前記定電流源Ｆ２とダイオードＤ２１との接続点Ｐ２が第２のバイアス電圧Ｖｂｉａｓの出力端となる。ダイオードＤ１１〜Ｄ１ｎ；Ｄ２１〜Ｄ２ｍと、定電流源Ｆ１，Ｆ２とは、相互に入替えられてもよい。
【００１９】
ここで、ダイオードＤ１１〜Ｄ１ｎとダイオードＤ２１〜Ｄ２ｍとの素子特性および素子面積は相互に等しく、かつｎ＞ｍである。したがって、図２で示すように、素子数の多いバイアス電圧源Ｂ１からのバイアス電圧Ｖｉｎは相対的に急峻な温度特性を有し、素子数の少ないバイアス電圧源Ｂ２からのバイアス電圧Ｖｂｉａｓは相対的に緩やかな温度特性を有することになる。
【００２０】
前記バイアス電圧Ｖｉｎは、抵抗Ｒ１を介して反転増幅器１１の反転入力端に与えられ、前記バイアス電圧Ｖｂｉａｓは、直接、反転増幅器１１の非反転入力端に与えられる。反転増幅器１１の出力電圧Ｖｏｕｔ１は、直接、非反転増幅器１２の非反転入力端に与えられるとともに、帰還用の抵抗Ｒ２を介して前記反転入力端に与えられている。前記非反転増幅器１２の反転入力端には、抵抗Ｒ３を介して予め定める基準電位（図１の例では接地電位）が与えられるとともに、帰還用の抵抗Ｒ４を介してその出力電圧Ｖｏｕｔ２が与えられる。
【００２１】
したがって、定電流源Ｆ１，Ｆ２の電流値が相互に等しいとき、ダイオード１個当りのアノード−カソード間の電圧をＶａｃ〔Ｖ〕とし、電源ライン１４の電位を基準とすると、反転増幅器１１の反転入力端にはｎ×Ｖａｃ〔Ｖ〕の電圧が生じ、非反転入力端にはｍ×Ｖａｃ〔Ｖ〕の電圧が生じる。したがって、２つの入力端間には（ｎ−ｍ）×Ｖａｃ〔Ｖ〕のオフセットを生じることになる。したがって、ダイオード１個当りのアノード−カソード間の電圧の温度依存を△Ｖａｃ〔Ｖ／℃〕とすると、温度がＴ〔℃〕変動した場合、反転増幅器１１の入力端間のオフセットはＴ×（ｎ−ｍ）×△Ｖａｃ〔Ｖ〕変動し、該反転増幅器１１の利得をＡ（＝Ｒ２／Ｒ１）とすると、Ａ×Ｔ×（ｎ−ｍ）×△Ｖａｃ〔Ｖ〕が得られる。また、前記出力電圧Ｖｏｕｔ１は、
Ｖｏｕｔ１＝−（Ｖｉｎ−Ｖｂｉａｓ）×Ｒ２／Ｒ１＋Ｖｂｉａｓ
となり、相対的に緩やかな温度勾配の第２のバイアス電圧Ｖｂｉａｓに、第２および第１のバイアス電圧Ｖｂｉａｓ，Ｖｉｎの差が第２および第１の抵抗比倍されて加算されることになる。したがって、略前記第１および第２のバイアス電圧源Ｂ１，Ｂ２の相対精度で温度検出を行うことができる。そして、前記第１および第２の抵抗の抵抗値Ｒ１，Ｒ２を適宜設定することで、所望の温度特性（温度勾配）を得ることができる。
【００２２】
また、前記反転増幅器１１の出力電圧Ｖｏｕｔ１を、反転入力端に第３の抵抗を介して基準電位が与えられるとともに第４の抵抗を介して出力が帰還される非反転増幅器１２の非反転入力端に与えて増幅するので、非反転増幅器１２の出力電圧Ｖｏｕｔ２は、
Ｖｏｕｔ２＝〔（１＋Ｒ３／Ｒ４）〕×Ｖｏｕｔ１
Ｖｏｕｔ２＝−〔（１＋Ｒ３／Ｒ４）〕×（Ｖｉｎ−Ｖｂｉａｓ）×Ｒ２／Ｒ１＋〔（１＋Ｒ３／Ｒ４）〕×Ｖｂｉａｓ〕
となり、前記第３および第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４の抵抗値を適宜設定することで、前記反転増幅器１１で得られた温度特性を所望の出力電圧値とすることができる。
【００２３】
なお、ダイオードＤ１１〜Ｄ１ｎ；Ｄ２１〜Ｄ２ｍの素子面積をそのままとし、定電流源Ｆ１，Ｆ２の電流値を相互に異なるようにすると、前記図２で示すバイアス電圧Ｖｉｎ，Ｖｂｉａｓの温度勾配は一定のままで、電圧レベルを変化することができ、たとえば定電流源Ｆ１の電流値を大きくすると、前記図２において参照符Ｖｉｎａで示すようになり、前記反転増幅器１１の入力端間のオフセットを拡大することができる。また、ダイオードに代えて、前記図２で示すような線形の温度特性を有する他の素子が用いられてもよい。ダイオードは、半導体集積回路内に容易に作成することができ、ダイオードを用いることによって、該温度検出回路の１チップ化が容易である。
【００２４】
本発明の実施の他の形態について、図３に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００２５】
図３は、本発明の実施の他の形態の温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。この温度検出回路は、前述の図１で示す温度検出回路に類似し、対応する部分には、同一の参照符号を付して、その説明を省略する。注目すべきは、この温度検出回路では、バイアス電圧源Ｂ１ａとバイアス電圧源Ｂ２とは、ダイオードの直列段数はｍ個で相互に等しく、かつバイアス電圧源Ｂ１ａ側とバイアス電圧源Ｂ２側との素子面積が相互に異なることである。この図３の例では、バイアス電圧源Ｂ１ａには、前記ダイオードＤ１１〜Ｄ１ｍとそれぞれ並列に、ダイオードＤ１１ａ〜Ｄ１ｍａが設けられている。ダイオードＤ１１〜Ｄ１ｍ，Ｄ１１ａ〜Ｄ１ｍａ；Ｄ２１〜Ｄ２ｍの素子面積は相互に等しく、したがってバイアス電圧源Ｂ１ａ側はバイアス電圧源Ｂ２側の２倍の素子面積となっている。
【００２６】
このように作成された電流能力の相互に異なるダイオードＤ１１〜Ｄ１ｍ，Ｄ１１ａ〜Ｄ１ｍａ；Ｄ２１〜Ｄ２ｍに、定電流源Ｆ１，Ｆ２からの一定電流によって動作点を固定し、動作させることで、相互に異なる温度特性とすることができる。これによって、バイアス電圧源Ｂ１ａ側では前記ダイオード１段当りのアノード−カソード間の電圧の温度依存△Ｖａｃ〔Ｖ／℃〕が大きくなり、前述の図１で示す温度検出回路と同様に、該バイアス電圧源Ｂ１ａの温度特性を比較的急峻にすることができる。
【００２７】
このように素子面積の差で温度特性を異ならせることによって、同じ半導体集積回路内に、温度特性の相互に異なるバイアス電圧源Ｂ１ａ，Ｂ２を容易に形成することができる。
【００２８】
なお、上記のように同じ面積のダイオードの並列接続段数でダイオード１段当りの素子面積を異なるようにするのではなく、ダオード１個当りの面積を、前記第１のバイアス電圧源Ｂ１と第２のバイアス電圧源Ｂ２とで異なるように形成してもよい。
【００２９】
本発明の実施のさらに他の形態について、図４〜図６に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００３０】
図４は、本発明の実施のさらに他の形態の温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。この温度検出回路は、前述の図１および図３で示す温度検出回路に類似し、対応する部分には、同一の参照符号を付して、その説明を省略する。注目すべきは、この温度検出回路では、前記抵抗Ｒ１，Ｒ２および抵抗Ｒ３，Ｒ４が、それぞれ多段に接続された直列抵抗Ｒ１０，Ｒ１１，…，Ｒ１ｉおよび直列抵抗Ｒ２０，Ｒ２１，…，Ｒ２ｊで構成され、各直列抵抗Ｒ１０〜Ｒ１ｉ；Ｒ２０〜Ｒ１ｊの接続点間に、スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜Ｓ１ｊが設けられていることである。
【００３１】
この温度検出回路は、液晶駆動装置における電源回路として実現され、前記スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜Ｓ１ｊは、使用する液晶パネルの種類などに適合して、図示しない外部機器によって増幅率調整レジスタ２１に設定された増幅率データ（スイッチングデータ）がデコーダ２２でデコードされて、前記スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉの内の何れか１つ、および前記スイッチＳ２０〜Ｓ２ｊの内の何れか１つがＯＮされる。
【００３２】
たとえば、スイッチＳ１２とスイッチＳ２ｊとがＯＮされると、Ｒ１＝Ｒ１０＋Ｒ１１、Ｒ２＝Ｒ１２＋…＋Ｒ１ｉ、Ｒ３＝Ｒ２０＋…＋Ｒ２ｊ−１、Ｒ４＝Ｒ２ｊとなる。スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜Ｓ２ｊは、たとえばＭＯＳトランジスタやトランスミッションゲート等のアナログスイッチで実現され、制御端子が前記デコーダ２２からのハイレベルまたはローレベルの出力でＯＮ／ＯＦＦ制御される。
【００３３】
前記スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜Ｓ２ｊは、前記バイアス電圧源Ｂ１，Ｂ２等とともに半導体集積回路内に形成可能であるけれども、外付けとされてもよい。また、前記増幅率調整レジスタ２１は、前記増幅率データをラッチしておくために設けられ、前記増幅率データは、前記スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜Ｓ２ｊの数に対応したビット数のパラレルデータまたはシリアルデータの何れであってもよい（図４はパラレルで示している）。
【００３４】
図５および図６は、上述のような温度検出回路を前記液晶駆動装置における電源回路として搭載する液晶表示装置を説明するための図である。図５の例は、パーソナルコンピュータ等に搭載される大画面の液晶表示装置であり、図６の例は、携帯電話の端末装置等に搭載される小画面の液晶表示装置である。図５の例では、液晶パネル３１を駆動する駆動回路３２，３３に電源供給を行う電源回路３４として、該温度検出回路が用いられている。図６の例では、液晶パネル４１にＴＣＰ４２が接続され、そのＴＣＰ４２上に実装される駆動回路４３内に、前記のように１チップ化に好適な該温度検出回路が、電源回路４４として用いられている。
【００３５】
前記液晶パネル３１，４１における液晶素子の材料や液晶層の厚さによって異なる印加電圧−光透過特性の傾きや閾値電圧Ｖｔｈ等の液晶パネルの温度特性に対応して抵抗Ｒ１〜Ｒ４の抵抗値を設定することによって、さまざまな温度特性の液晶パネルに対応することができ、常に最適なコントラストで表示させることができる。
【００３６】
【発明の効果】
本発明の温度検出回路は、以上のように、相互に異なる２つの温度特性のバイアス電圧源からのバイアス電圧の差に対応した電圧を出力するようにした温度検出回路において、前記バイアス電圧の差を求める反転増幅器に対して、第１のバイアス電圧を反転入力端に与える第１の抵抗と、前記反転入力端と出力端との間に介在される第２の抵抗とを設け、前記反転増幅器の出力を増幅する非反転増幅器と、予め定める基準電位をその反転入力端に与える第３の抵抗と、反転入力端と出力端との間に介在される第４の抵抗とを設ける。
【００３７】
それゆえ、前記第１および第２の抵抗の抵抗値を適宜設定することで所望の温度特性を得ることができ、また第３および第４の抵抗の抵抗値を適宜設定することで所望の出力電圧値を得ることができる。
【００３８】
また、本発明の温度検出回路は、以上のように、前記２つのバイアス電圧源を、それぞれ、定電流源と、１または複数段のダイオードとの直列回路で構成し、前記温度特性の差を前記ダイオードの素子面積の差によって生じさせる。
【００３９】
それゆえ、同じ半導体集積回路内に、容易に形成することができる。
【００４０】
さらにまた、本発明の液晶駆動装置は、以上のように、前記請求項１または２記載の温度検出回路を搭載し、前記非反転増幅器の出力電圧が液晶素子の駆動に用いられる液晶駆動装置であって、前記第１および第２の抵抗によって決定される反転増幅器のゲインを液晶パネルの温度特性に適合させ、前記第３および第４の抵抗ならびに基準電位によって決定される出力電圧レベルを液晶素子の駆動に必要な電圧に適合させる。
【００４１】
それゆえ、前記第１〜第４の抵抗ならびに基準電位を設定することで、使用される液晶パネルに適合した任意の温度特性で、任意の駆動電圧を得ることができ、常に最適なコントラストで表示させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態の温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】図１で示す温度検出回路に用いられる２つのバイアス電圧源からのバイアス電圧の温度特性を示すグラフである。
【図３】本発明の実施の他の形態の温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の実施のさらに他の形態の温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。
【図５】上述のような温度検出回路を液晶駆動装置における電源回路として搭載した大画面の液晶表示装置を説明するための図である。
【図６】上述のような温度検出回路を液晶駆動装置における電源回路として搭載した小画面の液晶表示装置を説明するための図である。
【図７】典型的な従来技術の温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１１ 反転増幅器
１２ 非反転増幅器
１３，１４ 電源ライン
２１ 増幅率調整レジスタ
２２ デコーダ
３１ 液晶パネル
３２，３３ 駆動回路
３４ 電源回路
４１ 液晶パネル
４２ ＴＣＰ
４３ 駆動回路
４４ 電源回路
Ｂ１，Ｂ１ａ 第１のバイアス電圧源
Ｂ２ 第２のバイアス電圧源
Ｄ１１，…，Ｄ１ｎ；Ｄ２１，…，Ｄ２ｍ ダイオード
Ｄ１１ａ〜Ｄ１ｍａ ダイオード
Ｆ１ 第１の定電流源
Ｆ２ 第２の定電流源
Ｐ１，Ｐ２ 接続点
Ｒ１ 第１の抵抗
Ｒ２ 第２の抵抗
Ｒ３ 第３の抵抗
Ｒ４ 第４の抵抗
Ｓ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜Ｓ１ｊ スイッチ
【発明の属する技術分野】
本発明は、温度検出回路に関し、特に、半導体集積回路中の回路素子の温度−電圧特性を利用して温度検出を行なう温度検出回路に関し、またその検出結果に基づいて液晶素子の温度特性を駆動電圧で補償する液晶駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
前記半導体集積回路中の回路素子の温度−電圧特性を利用して温度検出を行なう回路として、典型的な従来技術は、特開平３−４８７３７号公報に示されている。図７は、その従来技術の温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。この従来技術では、電源ライン１，２間に、定電流源ｆ１と複数段のダイオードｄ１１，…，ｄ１ｎとの直列回路が接続されて構成される第１のバイアス電圧源ｂ１と、前記電源ライン１，２間に、定電流源ｆ２と複数段のダイオードｄ２１，…，ｄ２ｍとの直列回路が接続されて構成される第２のバイアス電圧源ｂ２と、前記第１および第２のバイアス電圧源ｂ１，ｂ２からの第１および第２のバイアス電圧の差を増幅して出力する増幅器３とを備えて構成される。前記定電流源ｆ１とダイオードｄ１ｎとの接続点が第１のバイアス電圧の出力端となって前記増幅器３の一方の入力端に与えられ、前記定電流源ｆ２とダイオードｄ２ｍとの接続点が第２のバイアス電圧の出力端となって前記増幅器３の他方の入力端に与えられる。
【０００３】
ｎ≠ｍであるので、定電流源ｆ１，ｆ２の電流値が相互に等しいとき、ダイオード１個当りのアノード−カソード間の電圧をＶａｃ〔Ｖ〕とし、電源ライン１の電位を基準とすると、増幅器３の一方の入力端には−ｎ×Ｖａｃ〔Ｖ〕の電圧が生じ、他方の入力端には−ｍ×Ｖａｃ〔Ｖ〕の電圧が生じる。したがって、２つの入力端間には（ｍ−ｎ）×Ｖａｃ〔Ｖ〕のオフセットを生じることになる。したがって、ダイオード１個当りのアノード−カソード間の電圧の温度依存を△Ｖａｃ〔Ｖ／℃〕とすると、温度がＴ〔℃〕変動した場合、増幅器３の入力端間のオフセットはＴ×（ｍ−ｎ）×△Ｖａｃ〔Ｖ〕変動し、該増幅器３の利得をＡとすると、Ａ×Ｔ×（ｍ−ｎ）×△Ｖａｃ〔Ｖ〕が得られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような従来技術では、第１のバイアス電圧源ｂ１のダイオードｄ１１〜ｄ１ｎの端子間電圧と、第２のバイアス電圧源ｂ２のダイオードｄ２１〜ｄ２ｍの端子間電圧との差を検出温度の出力としているので、それぞれのダイオードｄ１１〜ｄ１ｎ；ｄ２１〜ｄ２ｍの素子特性が揃っていれば、略前記第１および第２のバイアス電圧源ｂ１，ｂ２の相対精度で温度検出を行うことができ、個々の素子に高い精度を必要とすることなく、高い精度で温度検出を行うことができる。
【０００５】
しかしながら、温度検出感度を任意に調整することができず、また所望とする出力電圧に増幅できないという問題がある。特に、液晶パネルは、周囲温度によって、液晶材料の印加電圧−光透過特性の傾きや閾値電圧Ｖｔｈ等の特性が大きく変動するので、常に最適なコントラストで表示させるためには、駆動電圧を前記周囲温度に適応して変化させる必要がある。また、使用する液晶素子の材料によっても前記閾値電圧Ｖｔｈ等の特性が異なり、さらに同じ材料であっても液晶層の厚さによって前記特性が異なることになる。
【０００６】
本発明の目的は、さまざまな温度特性および出力ダイナミックレンジに対応することができる温度検出回路を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の温度検出回路は、相対的に急峻な温度特性を有する第１のバイアス電圧源からの第１のバイアス電圧と、相対的に緩やかな温度特性を有する第２のバイアス電圧源からの第２のバイアス電圧とに対して、反転増幅器がそれらの差に対応した電圧を出力することで、略前記第１および第２のバイアス電圧源の相対精度で温度検出を行うことができる温度検出回路であって、前記第１のバイアス電圧を前記反転増幅器の反転入力端に与える第１の抵抗と、前記反転増幅器の前記反転入力端と出力端との間に介在される第２の抵抗と、前記反転増幅器の出力が非反転入力端に与えられる非反転増幅器と、予め定める基準電位を前記非反転増幅器の反転入力端に与える第３の抵抗と、前記非反転増幅器の前記反転入力端と出力端との間に介在される第４の抵抗とを含むことを特徴とする。
【０００８】
上記の構成によれば、相対的に急峻な温度特性を有する第１のバイアス電圧源からの第１のバイアス電圧Ｖｉｎを反転増幅器の反転入力端に与え、相対的に緩やかな温度特性を有する第２のバイアス電圧源からの第２のバイアス電圧Ｖｂｉａｓを反転増幅器の非反転入力端に与え、前記第１のバイアス電圧源と反転入力端との間に第１の抵抗Ｒ１を介在し、該反転入力端と出力端との間に第２の抵抗Ｒ２を介在することで、反転増幅器の出力電圧Ｖｏｕｔ１は、
Ｖｏｕｔ１＝−（Ｖｉｎ−Ｖｂｉａｓ）×Ｒ２／Ｒ１＋Ｖｂｉａｓ
となり、相対的に緩やかな温度勾配の第２のバイアス電圧Ｖｂｉａｓに、第２および第１のバイアス電圧Ｖｂｉａｓ，Ｖｉｎの差が第２および第１の抵抗比倍されて加算されることになる。したがって、略前記第１および第２のバイアス電圧源の相対精度で温度検出を行うことができる。そして、前記第１および第２の抵抗の抵抗値を適宜設定することで、所望の温度特性を得ることができる。
【０００９】
また、前記反転増幅器の出力電圧Ｖｏｕｔ１を、反転入力端に第３の抵抗を介して基準電位が与えられるとともに第４の抵抗を介して出力が帰還される非反転増幅器の非反転入力端に与えて増幅する。
【００１０】
したがって、前記第３および第４の抵抗の抵抗値を適宜設定することで、前記反転増幅器で得られた温度特性を所望の出力電圧値とすることができる。
【００１１】
また、本発明の温度検出回路では、前記第１および第２のバイアス電圧源は、それぞれ、定電流源と、１または複数段のダイオードとの直列回路が電源ライン間に接続され、前記定電流源とダイオードとの接続点から前記反転増幅器の入力端へバイアス電圧を与えるように構成され、前記温度特性の差を前記ダイオードの素子面積の差によって生じさせることを特徴とする。
【００１２】
上記の構成によれば、ダイオード１個当りの面積を、前記第１のバイアス電圧源と第２のバイアス電圧源とで異なるように形成したり、同じ面積のダイオードの並列接続段数を、前記第１のバイアス電圧源と第２のバイアス電圧源とで異なるように形成するなどして作成した電流能力の相互に異なるダイオードに、定電流源からの一定電流によって動作点を固定し、動作させることで、相互に異なる温度特性とすることができ、同じ半導体集積回路内に、容易に形成することができる。
【００１３】
さらにまた、本発明の液晶駆動装置は、前記請求項１または２記載の温度検出回路を搭載し、前記非反転増幅器の出力電圧が液晶素子の駆動に用いられる液晶駆動装置であって、前記第１および第２の抵抗によって決定される反転増幅器のゲインを液晶パネルの温度特性に適合させ、前記第３および第４の抵抗ならびに基準電位によって決定される出力電圧レベルを液晶素子の駆動に必要な電圧に適合させることを特徴とする。
【００１４】
上記の構成によれば、液晶素子の材料や液晶層の厚さによって異なる印加電圧−光透過特性の傾きや閾値電圧Ｖｔｈ等の液晶パネルの温度特性に、第１および第２の抵抗の抵抗値を設定することで反転増幅器のゲインを適合させ、第３および第４の抵抗ならびに基準電位を設定することで、出力電圧レベルを液晶素子の駆動に必要な電圧に適合させる。
【００１５】
したがって、第１〜第４の抵抗ならびに基準電位を設定することで、使用される液晶パネルに適合した任意の温度特性で、任意の駆動電圧を得ることができ、常に最適なコントラストで表示させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態について、図１および図２に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００１７】
図１は、本発明の実施の一形態の温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。この温度検出回路は、大略的に、温度勾配を発生する第１および第２のバイアス電圧源Ｂ１，Ｂ２と、前記バイアス電圧源Ｂ１，Ｂ２からの第１および第２のバイアス電圧Ｖｉｎ，Ｖｂｉａｓの差を増幅して出力する反転増幅器１１および非反転増幅器１２と、前記反転増幅器１１のゲイン設定のための第１および第２の抵抗Ｒ１，Ｒ２と、前記非反転増幅器１２のゲイン設定および基準電位設定のための第３および第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４とを備えて構成され、半導体集積回路内に作込まれる。
【００１８】
前記バイアス電圧源Ｂ１は、電源ライン１３，１４間に、第１の定電流源Ｆ１と複数段のダイオードＤ１１，…，Ｄ１ｎとの直列回路が接続されて構成され、前記定電流源Ｆ１とダイオードＤ１１との接続点Ｐ１が第１のバイアス電圧Ｖｉｎの出力端となる。前記第２のバイアス電圧源Ｂ２は、前記電源ライン１３，１４間に、第２の定電流源Ｆ２と複数段のダイオードＤ２１，…，Ｄ２ｍとの直列回路が接続されて構成され、前記定電流源Ｆ２とダイオードＤ２１との接続点Ｐ２が第２のバイアス電圧Ｖｂｉａｓの出力端となる。ダイオードＤ１１〜Ｄ１ｎ；Ｄ２１〜Ｄ２ｍと、定電流源Ｆ１，Ｆ２とは、相互に入替えられてもよい。
【００１９】
ここで、ダイオードＤ１１〜Ｄ１ｎとダイオードＤ２１〜Ｄ２ｍとの素子特性および素子面積は相互に等しく、かつｎ＞ｍである。したがって、図２で示すように、素子数の多いバイアス電圧源Ｂ１からのバイアス電圧Ｖｉｎは相対的に急峻な温度特性を有し、素子数の少ないバイアス電圧源Ｂ２からのバイアス電圧Ｖｂｉａｓは相対的に緩やかな温度特性を有することになる。
【００２０】
前記バイアス電圧Ｖｉｎは、抵抗Ｒ１を介して反転増幅器１１の反転入力端に与えられ、前記バイアス電圧Ｖｂｉａｓは、直接、反転増幅器１１の非反転入力端に与えられる。反転増幅器１１の出力電圧Ｖｏｕｔ１は、直接、非反転増幅器１２の非反転入力端に与えられるとともに、帰還用の抵抗Ｒ２を介して前記反転入力端に与えられている。前記非反転増幅器１２の反転入力端には、抵抗Ｒ３を介して予め定める基準電位（図１の例では接地電位）が与えられるとともに、帰還用の抵抗Ｒ４を介してその出力電圧Ｖｏｕｔ２が与えられる。
【００２１】
したがって、定電流源Ｆ１，Ｆ２の電流値が相互に等しいとき、ダイオード１個当りのアノード−カソード間の電圧をＶａｃ〔Ｖ〕とし、電源ライン１４の電位を基準とすると、反転増幅器１１の反転入力端にはｎ×Ｖａｃ〔Ｖ〕の電圧が生じ、非反転入力端にはｍ×Ｖａｃ〔Ｖ〕の電圧が生じる。したがって、２つの入力端間には（ｎ−ｍ）×Ｖａｃ〔Ｖ〕のオフセットを生じることになる。したがって、ダイオード１個当りのアノード−カソード間の電圧の温度依存を△Ｖａｃ〔Ｖ／℃〕とすると、温度がＴ〔℃〕変動した場合、反転増幅器１１の入力端間のオフセットはＴ×（ｎ−ｍ）×△Ｖａｃ〔Ｖ〕変動し、該反転増幅器１１の利得をＡ（＝Ｒ２／Ｒ１）とすると、Ａ×Ｔ×（ｎ−ｍ）×△Ｖａｃ〔Ｖ〕が得られる。また、前記出力電圧Ｖｏｕｔ１は、
Ｖｏｕｔ１＝−（Ｖｉｎ−Ｖｂｉａｓ）×Ｒ２／Ｒ１＋Ｖｂｉａｓ
となり、相対的に緩やかな温度勾配の第２のバイアス電圧Ｖｂｉａｓに、第２および第１のバイアス電圧Ｖｂｉａｓ，Ｖｉｎの差が第２および第１の抵抗比倍されて加算されることになる。したがって、略前記第１および第２のバイアス電圧源Ｂ１，Ｂ２の相対精度で温度検出を行うことができる。そして、前記第１および第２の抵抗の抵抗値Ｒ１，Ｒ２を適宜設定することで、所望の温度特性（温度勾配）を得ることができる。
【００２２】
また、前記反転増幅器１１の出力電圧Ｖｏｕｔ１を、反転入力端に第３の抵抗を介して基準電位が与えられるとともに第４の抵抗を介して出力が帰還される非反転増幅器１２の非反転入力端に与えて増幅するので、非反転増幅器１２の出力電圧Ｖｏｕｔ２は、
Ｖｏｕｔ２＝〔（１＋Ｒ３／Ｒ４）〕×Ｖｏｕｔ１
Ｖｏｕｔ２＝−〔（１＋Ｒ３／Ｒ４）〕×（Ｖｉｎ−Ｖｂｉａｓ）×Ｒ２／Ｒ１＋〔（１＋Ｒ３／Ｒ４）〕×Ｖｂｉａｓ〕
となり、前記第３および第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４の抵抗値を適宜設定することで、前記反転増幅器１１で得られた温度特性を所望の出力電圧値とすることができる。
【００２３】
なお、ダイオードＤ１１〜Ｄ１ｎ；Ｄ２１〜Ｄ２ｍの素子面積をそのままとし、定電流源Ｆ１，Ｆ２の電流値を相互に異なるようにすると、前記図２で示すバイアス電圧Ｖｉｎ，Ｖｂｉａｓの温度勾配は一定のままで、電圧レベルを変化することができ、たとえば定電流源Ｆ１の電流値を大きくすると、前記図２において参照符Ｖｉｎａで示すようになり、前記反転増幅器１１の入力端間のオフセットを拡大することができる。また、ダイオードに代えて、前記図２で示すような線形の温度特性を有する他の素子が用いられてもよい。ダイオードは、半導体集積回路内に容易に作成することができ、ダイオードを用いることによって、該温度検出回路の１チップ化が容易である。
【００２４】
本発明の実施の他の形態について、図３に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００２５】
図３は、本発明の実施の他の形態の温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。この温度検出回路は、前述の図１で示す温度検出回路に類似し、対応する部分には、同一の参照符号を付して、その説明を省略する。注目すべきは、この温度検出回路では、バイアス電圧源Ｂ１ａとバイアス電圧源Ｂ２とは、ダイオードの直列段数はｍ個で相互に等しく、かつバイアス電圧源Ｂ１ａ側とバイアス電圧源Ｂ２側との素子面積が相互に異なることである。この図３の例では、バイアス電圧源Ｂ１ａには、前記ダイオードＤ１１〜Ｄ１ｍとそれぞれ並列に、ダイオードＤ１１ａ〜Ｄ１ｍａが設けられている。ダイオードＤ１１〜Ｄ１ｍ，Ｄ１１ａ〜Ｄ１ｍａ；Ｄ２１〜Ｄ２ｍの素子面積は相互に等しく、したがってバイアス電圧源Ｂ１ａ側はバイアス電圧源Ｂ２側の２倍の素子面積となっている。
【００２６】
このように作成された電流能力の相互に異なるダイオードＤ１１〜Ｄ１ｍ，Ｄ１１ａ〜Ｄ１ｍａ；Ｄ２１〜Ｄ２ｍに、定電流源Ｆ１，Ｆ２からの一定電流によって動作点を固定し、動作させることで、相互に異なる温度特性とすることができる。これによって、バイアス電圧源Ｂ１ａ側では前記ダイオード１段当りのアノード−カソード間の電圧の温度依存△Ｖａｃ〔Ｖ／℃〕が大きくなり、前述の図１で示す温度検出回路と同様に、該バイアス電圧源Ｂ１ａの温度特性を比較的急峻にすることができる。
【００２７】
このように素子面積の差で温度特性を異ならせることによって、同じ半導体集積回路内に、温度特性の相互に異なるバイアス電圧源Ｂ１ａ，Ｂ２を容易に形成することができる。
【００２８】
なお、上記のように同じ面積のダイオードの並列接続段数でダイオード１段当りの素子面積を異なるようにするのではなく、ダオード１個当りの面積を、前記第１のバイアス電圧源Ｂ１と第２のバイアス電圧源Ｂ２とで異なるように形成してもよい。
【００２９】
本発明の実施のさらに他の形態について、図４〜図６に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００３０】
図４は、本発明の実施のさらに他の形態の温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。この温度検出回路は、前述の図１および図３で示す温度検出回路に類似し、対応する部分には、同一の参照符号を付して、その説明を省略する。注目すべきは、この温度検出回路では、前記抵抗Ｒ１，Ｒ２および抵抗Ｒ３，Ｒ４が、それぞれ多段に接続された直列抵抗Ｒ１０，Ｒ１１，…，Ｒ１ｉおよび直列抵抗Ｒ２０，Ｒ２１，…，Ｒ２ｊで構成され、各直列抵抗Ｒ１０〜Ｒ１ｉ；Ｒ２０〜Ｒ１ｊの接続点間に、スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜Ｓ１ｊが設けられていることである。
【００３１】
この温度検出回路は、液晶駆動装置における電源回路として実現され、前記スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜Ｓ１ｊは、使用する液晶パネルの種類などに適合して、図示しない外部機器によって増幅率調整レジスタ２１に設定された増幅率データ（スイッチングデータ）がデコーダ２２でデコードされて、前記スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉの内の何れか１つ、および前記スイッチＳ２０〜Ｓ２ｊの内の何れか１つがＯＮされる。
【００３２】
たとえば、スイッチＳ１２とスイッチＳ２ｊとがＯＮされると、Ｒ１＝Ｒ１０＋Ｒ１１、Ｒ２＝Ｒ１２＋…＋Ｒ１ｉ、Ｒ３＝Ｒ２０＋…＋Ｒ２ｊ−１、Ｒ４＝Ｒ２ｊとなる。スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜Ｓ２ｊは、たとえばＭＯＳトランジスタやトランスミッションゲート等のアナログスイッチで実現され、制御端子が前記デコーダ２２からのハイレベルまたはローレベルの出力でＯＮ／ＯＦＦ制御される。
【００３３】
前記スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜Ｓ２ｊは、前記バイアス電圧源Ｂ１，Ｂ２等とともに半導体集積回路内に形成可能であるけれども、外付けとされてもよい。また、前記増幅率調整レジスタ２１は、前記増幅率データをラッチしておくために設けられ、前記増幅率データは、前記スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜Ｓ２ｊの数に対応したビット数のパラレルデータまたはシリアルデータの何れであってもよい（図４はパラレルで示している）。
【００３４】
図５および図６は、上述のような温度検出回路を前記液晶駆動装置における電源回路として搭載する液晶表示装置を説明するための図である。図５の例は、パーソナルコンピュータ等に搭載される大画面の液晶表示装置であり、図６の例は、携帯電話の端末装置等に搭載される小画面の液晶表示装置である。図５の例では、液晶パネル３１を駆動する駆動回路３２，３３に電源供給を行う電源回路３４として、該温度検出回路が用いられている。図６の例では、液晶パネル４１にＴＣＰ４２が接続され、そのＴＣＰ４２上に実装される駆動回路４３内に、前記のように１チップ化に好適な該温度検出回路が、電源回路４４として用いられている。
【００３５】
前記液晶パネル３１，４１における液晶素子の材料や液晶層の厚さによって異なる印加電圧−光透過特性の傾きや閾値電圧Ｖｔｈ等の液晶パネルの温度特性に対応して抵抗Ｒ１〜Ｒ４の抵抗値を設定することによって、さまざまな温度特性の液晶パネルに対応することができ、常に最適なコントラストで表示させることができる。
【００３６】
【発明の効果】
本発明の温度検出回路は、以上のように、相互に異なる２つの温度特性のバイアス電圧源からのバイアス電圧の差に対応した電圧を出力するようにした温度検出回路において、前記バイアス電圧の差を求める反転増幅器に対して、第１のバイアス電圧を反転入力端に与える第１の抵抗と、前記反転入力端と出力端との間に介在される第２の抵抗とを設け、前記反転増幅器の出力を増幅する非反転増幅器と、予め定める基準電位をその反転入力端に与える第３の抵抗と、反転入力端と出力端との間に介在される第４の抵抗とを設ける。
【００３７】
それゆえ、前記第１および第２の抵抗の抵抗値を適宜設定することで所望の温度特性を得ることができ、また第３および第４の抵抗の抵抗値を適宜設定することで所望の出力電圧値を得ることができる。
【００３８】
また、本発明の温度検出回路は、以上のように、前記２つのバイアス電圧源を、それぞれ、定電流源と、１または複数段のダイオードとの直列回路で構成し、前記温度特性の差を前記ダイオードの素子面積の差によって生じさせる。
【００３９】
それゆえ、同じ半導体集積回路内に、容易に形成することができる。
【００４０】
さらにまた、本発明の液晶駆動装置は、以上のように、前記請求項１または２記載の温度検出回路を搭載し、前記非反転増幅器の出力電圧が液晶素子の駆動に用いられる液晶駆動装置であって、前記第１および第２の抵抗によって決定される反転増幅器のゲインを液晶パネルの温度特性に適合させ、前記第３および第４の抵抗ならびに基準電位によって決定される出力電圧レベルを液晶素子の駆動に必要な電圧に適合させる。
【００４１】
それゆえ、前記第１〜第４の抵抗ならびに基準電位を設定することで、使用される液晶パネルに適合した任意の温度特性で、任意の駆動電圧を得ることができ、常に最適なコントラストで表示させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態の温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】図１で示す温度検出回路に用いられる２つのバイアス電圧源からのバイアス電圧の温度特性を示すグラフである。
【図３】本発明の実施の他の形態の温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の実施のさらに他の形態の温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。
【図５】上述のような温度検出回路を液晶駆動装置における電源回路として搭載した大画面の液晶表示装置を説明するための図である。
【図６】上述のような温度検出回路を液晶駆動装置における電源回路として搭載した小画面の液晶表示装置を説明するための図である。
【図７】典型的な従来技術の温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１１ 反転増幅器
１２ 非反転増幅器
１３，１４ 電源ライン
２１ 増幅率調整レジスタ
２２ デコーダ
３１ 液晶パネル
３２，３３ 駆動回路
３４ 電源回路
４１ 液晶パネル
４２ ＴＣＰ
４３ 駆動回路
４４ 電源回路
Ｂ１，Ｂ１ａ 第１のバイアス電圧源
Ｂ２ 第２のバイアス電圧源
Ｄ１１，…，Ｄ１ｎ；Ｄ２１，…，Ｄ２ｍ ダイオード
Ｄ１１ａ〜Ｄ１ｍａ ダイオード
Ｆ１ 第１の定電流源
Ｆ２ 第２の定電流源
Ｐ１，Ｐ２ 接続点
Ｒ１ 第１の抵抗
Ｒ２ 第２の抵抗
Ｒ３ 第３の抵抗
Ｒ４ 第４の抵抗
Ｓ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜Ｓ１ｊ スイッチ
Claims (3)
- 相対的に急峻な温度特性を有する第１のバイアス電圧源からの第１のバイアス電圧と、相対的に緩やかな温度特性を有する第２のバイアス電圧源からの第２のバイアス電圧とに対して、反転増幅器がそれらの差に対応した電圧を出力することで、略前記第１および第２のバイアス電圧源の相対精度で温度検出を行うことができる温度検出回路であって、
前記第１のバイアス電圧を前記反転増幅器の反転入力端に与える第１の抵抗と、
前記反転増幅器の前記反転入力端と出力端との間に介在される第２の抵抗と、
前記反転増幅器の出力が非反転入力端に与えられる非反転増幅器と、
予め定める基準電位を前記非反転増幅器の反転入力端に与える第３の抵抗と、
前記非反転増幅器の前記反転入力端と出力端との間に介在される第４の抵抗とを含み、
前記第１の抵抗および第２の抵抗が多段に接続された第１の直列抵抗で、前記第３の抵抗および第４の抵抗が多段に接続された第２の直列抵抗で構成され、
前記第１の直列抵抗における各直列抵抗の接続点の何れか１つと、前記反転増幅器の反転入力端とを接続する第１のスイッチと、
前記第２の直列抵抗における各直列抵抗の接続点の何れか１つと、前記非反転増幅器の反転入力端とを接続する第２のスイッチとを備えることを特徴とする温度検出回路。 - 前記第１および第２のバイアス電圧源は、それぞれ、定電流源と、１または複数段のダイオードとの直列回路が電源ライン間に接続され、前記定電流源とダイオードとの接続点から前記反転増幅器の入力端へバイアス電圧を与えるように構成され、前記温度特性の差を前記ダイオードの素子面積の差によって生じさせることを特徴とする請求項１記載の温度検出回路。
- 前記請求項１または２記載の温度検出回路を搭載し、前記非反転増幅器の出力電圧が液晶素子の駆動に用いられる液晶駆動装置であって、
前記第１および第２の抵抗によって決定される反転増幅器のゲインを液晶パネルの温度特性に適合させ、前記第３および第４の抵抗ならびに基準電位によって決定される出力電圧レベルを液晶素子の駆動に必要な電圧に適合させることを特徴とする液晶駆動装置。
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