JPS62102231A

JPS62102231A - 液晶光シャッタの温度制御装置

Info

Publication number: JPS62102231A
Application number: JP60243743A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Inoue; 秀昭井上
Original assignee: Casio Computer Co Ltd; Casio Electronics Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd; Casio Electronics Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1985-10-29
Filing date: 1985-10-29
Publication date: 1987-05-12
Also published as: KR870003872A; KR900002679B1; JPH045367B2; US4721363A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は、液晶の電気光学効果を利用した光記録方式の
記録装置、更に詳しくはその記録装置に記録ヘッドとし
て使用される液晶光シャッタの温度制御装置に関する。

〔従　来　技　術〕

近年、インパクトプリンタに代わる記録装置として、レ
ーザ、ＯＦＴ、ＬＥＤ、ＬＣＤなどの光変換素子を用い
た光記録方式の記録装置が種々開発されている。その中
でも液晶光シャンクを使用した記録装置が、高印字品質
、高速、低雑音といった利点を有するために、特に注目
されている。

その記録装置は、液晶光シャッタを記録ヘッドとして用
い、記録信号に応じて光シャッタを選択開閉することに
より、光源からの光を選択透過させることで、感光体に
光書込みを行うというものである。

ところで、液晶光シャッタの駆動方法としては、液晶の
誘電異方性が電場の周波数の変化によって反転する性質
を利用した二周波駆動方式が知られている。即ち、第１
０図に示すように、液晶は交差周波数ｆｃより低い周波
数では誘電異方性は正となり、また周波数がｆｃより高
くなると誘電異方性が負に反転するという性質を有する
。そして電場の周波数としてｆｃより低い周波数ｆＬを
印加すると、液晶分子が電場に平行に配列し、光シャッ
タとして用いた場合、シャツタ開の状態とすることがで
きる。またｆｃより高い周波数ｆＨを印加すると、液晶
分子は電場に垂直に配列し、シャツタ開の状態となり、
この開閉機能を制御することによって、感光体への記録
ヘッドとして好適に使用することができる。

しかしながら、液晶の誘電異方性は、粘度に敏感であり
、従って温度変化によって大き←変化するという傾向を
有する。粘度が変わると「Ｃが変化し、例えば温度が２
０℃から４０°Ｃまで上昇すると、ｆｃは５ＫＨｚから
４６　Ｋ　Ｈｚへと１桁近くも変化するために、光シャ
ッタとして機能しな（なる。そのため、液晶光シャッタ
を使用する場合は、温度を一定に制御することが要求さ
れ、また低粘度であれば液晶分子の働きが速まり高速応
答が期待されるため、ある程度温度を上げて用いられる
。

第１１図にその液晶光シャフタの温度制御装置の一例と
して二位置制御方式の温度制御装置を示す。

図中Ｈは液晶光シャック（図示せず）に設けたヒータで
あり、比較回路Ｑ１の出力によりトランジスタＱ８のス
イッチ動作を制御することでヒータＨへの通電を制御し
、液晶光シャッタの温度を制御するように構成されてい
る。即ち、比較回路ＱＡの非反転端子Ｉ９に液晶光シャ
ッタに取り付けたサーミスタＴＨと抵抗器ＲＡとで電源
電圧Ｖ＋ｏを分割した電圧ＶＮを入力し、これによって
液晶光シャッタの温度を検知すると共に、他方の反転端
子■ｌに基準電圧として電源電圧■ｌＯを抵抗器Ｒ８と
Ｒｃとで分割した電圧ｖ１が入力されている。そして、
液晶光シャッタの温度が低いときは、サーミスタＴＨの
抵抗値が大きくなり、ｖＮ＞ｖｒとなったときに比較回
路Ｑ、の出力がハイレベルとなり、これによってトラン
ジスタＱ８がオンしてヒータＨに通電し、液晶光シャッ
タが加熱される。また液晶光シャッタの温度が高くなる
と、サーミスタＴＨの抵抗値は小さくなり、Ｖ、＜Ｖｌ
になったときに比較回路ＱＡの出力はローレベルとなり
、これによってトランジスタＱ８がオフし、ヒータＨへ
の通電が停止され同ヒータＨの発熱が停止される。

〔従来技術の問題点〕

しかし、上記のような温度制御装置では、液晶光シャッ
タの温度が設定温度より低くなったときにヒータＨに通
電し、設定温度より高くなるとヒータへの通電を停止す
るだけであるために、第１２図に示すように、温度制御
の精度が十分でない。特に雰囲気温度が変化したときに
安定性が維持できない。そのため、液晶光シャフタの動
作特性、叩ちシャフタの開口率が不安定となり、感光体
に光書込みを行う場合に潜像電位を不均一とし、現像時
において画像濃度にバラツキを生じ、印字品質を悪化さ
せる。

“またサーミスタＴＨ及びヒータＨは、液晶光シャッタ
を構成する例えばガラス基板に密着して取り付けており
、電源投入時にヒータＨが密着したガラス基板の温度よ
り、サーミスタＴ　Ｈが検出する温度が低くなり、両者
が同じになるまで時間差がある。即ち、ヒータＨにより
ガラス基板が温められ、その熱がサーミスタＴＨに伝わ
るまでに時間差が生じ、この傾向は液晶光シャッタの雰
囲気温度が低い程長くなる。そのためサーミスタＴＨが
適温を検出したときは、ヒータＨが密着した部分のガラ
ス基板は適温をはるかに越えており、第１２図にＦとし
て示すようにオーバシュートとなって現れ、安定した温
度制御ができないという欠点があった。

〔発明の目的〕

本発明は上記欠点に鑑み、雰囲気温度が変化しても液晶
光シャッタを高精度で制御することができ、それによっ
て印字品質を良好に維持できると共に、オーバシュート
をも有効に防止することができる液晶光シャッタの温度
制御装置を提供することを目的とする。

〔発明の要旨〕

本発明は上記目的を達成するために、加熱手段が設けら
れ、複数のマイクロシャッタの選択開閉により、光源の
光を選択透過させ感光体に光書込みを行う液晶光シャ、
夕の温度制御装置において、上記液晶光シャック近傍の
温度を検出する温度検出手段を設けると共に、該温度検
出手段の出力に基づき上記加熱手段への通電率を変化さ
せる第１の制御手段を設け、且つ上記温度検出手段の出
力に基づき上記第１の制御手段とは異なる通電率で加熱
手段への通電を制御する第２の制御手段を設けたことを
特徴とする。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。まず、液晶光シャッタを用いた記録装置の構成を説明
する。第６図にその記録装置の構成図を示す。

同図において、感光体１の表面はあらかしめ帯電器２に
て均一に帯電されている。液晶光ツヤツタ部３は記録情
報を受けてタイミングなどを制御する記録制御部４によ
り駆動され、情報の電気光学変換を行い、感光体１の表
面に光書込みを行う。

このようにして形成された静電潜像は現＠嘉５にてトナ
ーにより現像され可視像化される。また、転写紙６は給
紙ロール７により給送され、待機ロール８にて上記転写
紙６の先端と上述のトナー像の先端とが一致するように
同期をとられて転写器９において転写ＩＥ６にトナー像
が転写される。転写紙６は分離部１０にて感光体ｌより
分離されサーミスタｌｌａと定着用ヒータで一定温度に
温度制御された定着器１１で熱定着され、排紙ロール１
２により機外に搬出される。一方、転写器９で完全に転
写されなかったトナーが感光体１の表面に残留している
ため、除電器１３で残留トナーの電荷を除電した後、ク
リーニング部１４により清掃され、イレーザ１５で感光
体１の表面を除電した後、次の露光に備えて帯電器２に
より再び一様な電荷が感光体１の表面に付与される。

このような記録工程に用いられる液晶光シャンク部３の
構成を第７図により説明する。

同図に示すように、液晶光シャッタ部３は光源１６、光
源用ヒータ１７、液晶光シャ・７り１８、液晶用ヒータ
１９、結像レンズ２０及び制御用基板２１ａ、２１ｂに
より主に構成されている。光源１６には蛍光灯が用いら
れ、光源用ヒータ１７の一端には光源用ヒータ１７の温
度を検出するサーミスタ２２が取り付けられ、また液晶
シャンク部３のほぼ中央部には、後述する液晶光シャッ
タ１８の雰囲気温度を検出するためのサーミスタ３０が
取り付けられている。また液晶光シャッタ１８はゲスト
ホスト型の液晶光シャッタでその構造は、第８図、第９
図に示すように、２枚のガラス基板２３．２４の間に液
晶混合物を封入してなり、ガラス基板２３には、信号電
極２５が交互に備わっており、ガラス基板２４には共通
電極２６が備わっている。マイクロシャッタ２７は信号
電極２５と共通電極２６の交わる部分に必要な大きさで
、必要な形状だけ酸化インジウム（ｌｎ２０３）や酸化
スズ（Ｓｎ０２）等の透明電極により構成される。この
ように構成された液晶パネル２８に少なくとも１枚の偏
光板及び液晶用ヒータ１９を配することにより、液晶光
シャッタ１８は構成されている。また、液晶光シャッタ
１８にも後述する液晶光シャンク１８の温度を検出する
ためのサーミスタ２９が取り付けられている。

感光体ｌへの光書込みは、信号電極２５と共通電極２６
に制御用基Ｆｉ＜２１ａ、２１ｂより駆動信号を与える
ことにより、液晶光シャッタ１８の各マイクロシャッタ
２７を開閉制御し、開状態のマイクロシャッタ２７を透
過した光源１６の光を感光体ｌの表面に照射することに
より行われる。

第１図は本発明の一実施例を示したもので、上記液晶光
シャ、り１８の温度制御装置を示したものである。

第１図において、３１は液晶光シャッタに取り付けたサ
ーミスタ２９により温度を検出し、この温度出力によっ
てヒータ１９への通電を制御する加熱制御部である。こ
の加熱制御部３１は、比較回路Ｑ１の非反転端子（十人
力）に電源電圧Ｖ＋。

を抵抗器Ｒ１とサーミスタ１９で分割した電圧Ｖ８を入
力し、他方の反転端子（−人力）に抵抗器Ｒ２と抵抗器
Ｒ３及び可変抵抗器ＶＲ＋で分割した電圧Ｖｒを入力し
て、Ｖ、＞Ｖ、となったときに比較回路Ｑ１の出力がハ
イレベルとなり、これによって出力トランジスタＱ２が
オンし、ヒータ１９に通電を行う。記録装置の電源投入
時には液晶光シャッタが冷えた状態であるために、サー
ミスタ２９の抵抗値は大きく、ＶＨ＞Ｖｒとなって比較
回路Ｑ＋はハイレベルを維持する。これにより出力トラ
ンジスタＱ２がオンしつづけ、ヒータ１９に連続的に通
電して液晶光シャッタを加熱し、第２図（ａ）に示すよ
うに電源投入時のへの時間領域を加熱制御部３１の制御
動作によって加熱を行う。本実施例では、可変抵抗器Ｖ
Ｒ＋を調整することによって、液晶光シャンクを４０℃
まで加熱するように設定した。従って、液晶光シャ・ツ
タの温度が４０℃を越えると、Ｖ、＜Ｖｌとなるために
、第２図（ｂｌに示すように、比較回路Ｑ＋の出力がロ
ーレベルとなり、出力トランジスタＱ２がオフし、ヒー
タ１９への通電を停止する。なお、本実施例では制御系
の電源はＶ＋ｏとして示すＩＯＶの電源を使用し、ヒー
タ１９の電源はＶ　２１１として示す２４Ｖの電源を使
用している。

３２は液晶光シャッタの温度が設定温度を越えた場合に
、ヒータ１９への通電を停止する温度制限部であり、比
較回路Ｑ３の非反転端子に上記比較回路Ｑ１と同じく抵
抗器Ｒ１とサーミスタ２９の分割電圧を入力し、他方の
反転端子に抵抗器Ｒ７と抵抗器Ｒ８及び可変抵抗器ＶＲ
２の分割電圧を入力している。そして、可変抵抗器ＶＲ
２を調整することによって、液晶光シャッタの温度が４
５℃以上になると第２図（Ｃ）に示すように、比較回路
Ｑ３の出力がローレベルとなり、これにより後述する第
１の温度制御部３４の比較回路Ｑ４出力を強制的にロー
レベルとして、ヒータ１９への通電を禁止して液晶光シ
ャッタの温度制御を行う。

３３は上記温度制限部３２の比較回路Ｑ３出力がローレ
ベルになったとき、即ち液晶光シャッタの温度が４５℃
以上になったときに、比較回路Ｑ３出力に接続されたダ
イオードＤ６のアノードをローレベルに保持するラッチ
部である。

比較回路Ｑ３の出力がローレベルになると、ラッチ回路
を構成するトランジスタＱ６及びＱ７がそれぞれオンし
、且つそのオン状態を保持するために、ダイオードＤ６
のアノードはローレベルを保持する。またトランジスタ
Ｑ６のオン信号を後述する第１の温度制御部３４に出力
し、トランジスタＱ７のオン信号を後述する第２の温度
制御部３５に出力する。

３４は液晶光シャッタの温度を設定温度に維持するよう
に制御する第１の温度制御部であり、同制御部３４は鋸
歯状波発振器であると同時に、上記の如く液晶シャッタ
部の中央部に取り付けたサーミスタ３０により雰囲気温
度を検出して液晶光シャッタの温度を設定温度に制御す
る。本実施例では、設定温度を液晶光シャッタを高速応
答で使用できる最適温度条件として４５℃に設定した。

又第２図（ａｌに示すように第１′の温度制御部は、液
晶光シャッタが４５℃に立上った後のＣとして示す領域
を制御する。以下にその動作を詳細に説明する。

比較回路Ｑ４の非反転端子には、基準電圧として抵抗器
Ｒ９とＲｈｏで分割した電圧を入力し、他方の反転端子
にはサーミスタ３０、可変抵抗器ＶＲ３とコンデンサＣ
とで構成した時定数回路の出力を入力している。なお、
ＤｌはコンデンサＣのサーミスタ３０側への放電を阻止
するダイオードである。まず初期状態ではコンデンサＣ
の電圧はＯ■であるので、電源を投入するとコンデンサ
Ｃの電圧は時定数回路の時定数で指数関数的に上界し、
この電圧が抵抗器Ｒ９とＲｈｏで定めた基準電圧Ｖ２＝
Ｖ＋ｏ・　（ＲＩＯ／Ｒ９＋Ｒ１ｏ）より高くなると、
比較回路Ｑ４の出力がハイレベルからローレベルに反転
する。次いで同比較回路Ｑ４の出力がローレベルになる
ために、コンデンサＣの電荷が、抵抗器Ｒ１１及びダイ
オードＤ３を通して放電する。このとき比較回路Ｑ４の
基準電圧側の非反転端子の電圧は、抵抗器Ｒ９と抵抗器
Ｒ１ｏ、Ｒ１２の並列抵抗との分割電圧■１＝ＶＩｏ・
　（Ｒ／Ｒ９＋Ｒ）（但し、Ｒ＝Ｒ＋　ｏ−Ｒ＋　２／ＲＩ　Ｏ＋Ｒ１２）
となっており、コンデンサＣの電圧がＶｌより低くなる
と、比較回路Ｑ４の出力はハイレベルに反転し、非反転
端子の電圧は■２になる。なお、コンデンサＣの放電時
にはダイオードＤ２のカソード側がローレベルとなるた
めに、サーミスタ３０゜可変抵抗器ＶＲＩからコンデン
サＣへの充電は行われない。この後、コンデンサＣは再
び充電を開始し、上記と同様にコンデンサＣの電圧が■
２より高くなると比較回路Ｑ４の出力はローレベルとな
り、更にこれから放電を開始してコンデンサＣの電圧が
ｖｌより低くなると、比較回路Ｑ４の出力はハイレベル
となって発振動作を繰り返し行う。

そして、比較回路Ｑ４の出力がハイレベルのとき、出力
トランジスタＱ５がオンし、ヒータ１９に通電して液晶
光シャッタを加熱し、また出力がローレベルになると出
力トランジスタＱ５がオフしてヒータ１９への通電を停
止する。なお、トランジスタＱ５の駆動回路を構成する
抵抗器Ｒ１３に直列に上述のランチ部３３のトランジス
タＱ６を接続しているために、第２図Ｆｄｌに示すよう
に、トランジスタＱ６がオンしたときだけトランジスタ
Ｑ５のスイッチ動作を制御することができる。これによ
り、液晶光シャッタが４５℃の設定温度に達する前は第
１の温度制御部３４の制御動作を禁止している。

比較回路Ｑ４の出力がハイレベルとなり、出力トランジ
スタＱ５がオンしてヒータ１９へ通電する時間は、コン
デンサＣの電圧が■１から■２まで充電する時間であり
、時定数回路の時定数によって定まる。コンデンサＣが
充電する場合、その時定数はサーミスタ３０、可変抵抗
器ＶＲ３及びコンデンサＣの容量で定まり、サーミスタ
３０によって雰囲気温度を検出している為に、サーミス
タ３０の抵抗値はその雰囲気温度により変化する。

従って、比較回路Ｑ４の出力がハイレベルとなり、ヒー
タ１９に通電する時間は、雰囲気温度に応じて変化する
。

一方、比較回路Ｑ４の出力がローレベルになり、ヒータ
１９への通電を停止する時間は、コンデンサＣの電荷が
放電してその電圧が■２からｖｌまで減少する時間であ
る。コンデンサＣの電荷が放電する場合、その時定数は
コンデンサＣの容量と抵抗器Ｒ１１の抵抗値によって定
まるために、雰囲気温度によって変化することはなく、
常に一定となる。

従って、雰囲気温度が低い場合は、サーミスタ３０の抵
抗値が大きくなっているために、第３図（ａ）に示すよ
うに、コンデンサＣが■１から■２まで充電する時間Ｔ
Ｃ＋は長くなる。一方、コンデンサＣの電荷が■２から
■１まで放電する時間ＴＤは一定であるので、第３図（
ｂ）に示すように比較口ｇｌｌ　Ｑ　ａの出力がハイレ
ベルになる時間が長くなり、ヒータ１９に通電する通電
率は高いものとなる。又雰囲気温度が低くなるとサーミ
スタ３０の抵抗値は小さくなり、第４図（ａｌに示すよ
うに充電カーブは急になり、Ｔｅ３として示すコンデン
サＣの■１から■２までの充電時間は短くなる。

これにより、第４図（ｂ）に示すように、比較回路Ｑ４
の出力がハイレベルになる時間が短くなり、他方のロー
レベルの時間ＴＤは一定であるために、ヒータ１９への
通電率は低くなる。以上のように雰囲気温度が変化する
と、その変化分をヒータ１９への通電時間が変化し、一
方ヒータ１９への通電停止時間は一定であるために、温
度に応してヒータ１９への通電率（ＴＣ／ＴＤ＋ＴＣ）
が無段階に変化する。即ち、雰囲気温度が低いときは、
熱放散も多（なるので高通電率で保温し、雰囲気温度が
高いときは熱放散が少なくなるので、低通電率で保温す
ることができる。しかも第１の温度制御部３４の発振周
期毎に号−ミスタ３０により液晶光シャッタの雰囲気温
度を検出し、その検出値を第１の温度制御部３４に一周
期毎に帰還する構成であるために、従来に比較して格段
の精密制御を行うことができ、第２図＋ａ）に示すよう
に雰囲気温塵に関係なく極めて安定した温度制御を行う
ことができる。

３５は上述の如く第２図（ａ）にＢとして示す時間領域
、即ち加熱制御部３１により液晶光シャックを加熱した
後、液晶光シャッタの温度が４５℃の設定温度に達する
までの時間領域を制御する第２の温度制御部である。

第２の温度制御部３５は、上記第１の温度制御部３４の
比較回路Ｑ４出力を反転する反転回路ＱＢと、この反転
回路Ｑｅの出力と上記ラッチ部３３のトランジスタＱ７
の出力とアンドをとる論理積回路Ｑ９より構成している
。ラッチ部３３のトランジスタＱ７は上述の如く温度が
４５℃になるとオン状態を保持するために、液晶光シャ
フタの温度が設定温度になったときは、第２図ｆｅ）に
示すように、論理積回路Ｑ９の出力はローレベルとなる
。これにより、第２の温度制御部３５の出力トランジス
タＱ＋ｏは４５℃以下においてスイッチ動作を行うこと
ができ、４５℃以上ではスイッチ動作が禁止される。

上記第１の温度制御部３４は、実際には電源投入と同時
に始動し、サーミスタ３０により検出した温度に応じて
比較回路Ｑ４の出力は変化する。

（但し、第２図ｆａ）のＡ領域は加熱制御部３１の出力
トランジスタＱ２がオンしつづけるので、第１の温度制
御部３４は制御動作を行わない）この場合、液晶光シャ
ッタ自身はヒータ１９によって加熱されるものの、液晶
光シャッタの雰囲気温度はまだ低い状態にあるため、サ
ーミスタ３０の抵抗値は大きくなっている。この状態で
は、第１の温度制御部３４の出力はヒータ１９への通電
時間を長くし、通電率を高（するよう作用する。従って
、第２の温度制御部３５の論理積回路Ｑ９の出力は、比
較回路Ｑ４の出力を反転回路Ｑθにより反転しているた
め、第１の温度制御部３４の出力とは逆になる。即ち、
ヒータ１９への通電時間が上述の第１の温度制御部３４
の通電停止時間ＴＤとなり、一方通電停止時間が上述の
如くサーミスタ３０の抵抗値が高いために長くなり、こ
れにより通電率はＴＤ／ＴＣ＋ＴＤとなって、通電率を
低くする。

従って、雰囲気温度が低い場合は、第５図（ａｌにＤと
して示す第２の温度制御部３５の制御動作範囲では、出
力トランジスタＱ＋ｏがオンしてヒータ１９へ通電する
時間ＴＤは一定となり、通電停止時間ＴＣ３が長くなっ
て通電率は小さくなる。第５図（ｂ）は雰囲気温度が高
い場合であり第５図（ａ）と較べＤ領域は高通電率、Ｅ
領域は低通電率となる。

このように、液晶光シャッタの温度が設定温度に達する
前に、強制的に通電率を雰囲気温度に応じて制御するた
め、液晶光シャックは適正な通電率で徐々に加熱される
ことになり、このことは電源投入時に急激に加熱したと
きに生じるオーバシュートを完全に防止することができ
るという効果をもたらす。

この後、設定温度に達すると、上述の如くランチ部３２
の比較回路Ｑ３の出力がローレベルとなり、これによっ
て論理積回路Ｑ９出力がローレベルとなるためにトラン
ジスタＱＩＱがオフし、第２の温度制御部３５の作動を
停止する。これにより、液晶光シャッタが設定温度に達
した以降は、第５図（ｂ）にＥとして示すようにサーミ
スタ３ｏの温度出力に応じて第１の温度制御部３４がヒ
ータ１９への通電率を制御することで、液晶光シャッタ
を設定温度に制御する。

以上により、記録装置の電源投入時には、加熱制御部３
１の制御動作によって、液晶光シャッタ温度を４３℃ま
でヒータ１９に連続的に通電するために、液晶光シャッ
タを短時間で加熱することができ、ウオームアツプ時間
を短縮することができる。また第２の温度制御部３５に
より液晶光シャッタの温度が設定温度に達する前に、ヒ
ータへの通電率を低くするために、液晶光シャンクを急
激に昇温したときに生じるオーバシュートを完全に防止
することができ、その分、ウオームアツプ時間を更に短
縮することができる。更に液晶光シャッタが設定温度（
４５”Ｃ）に立上った後は、上記のように第１の温度制
御部３４により精密制御を行い、且つ設定温度を越えた
場合は温度制限部３２により、ヒータ１９への通電を強
制的に停止するために、液晶光シャッタの温度を安定し
た温度に維持することができる。従って液晶光シャック
の動作特性、即ちシャッタの開口率を安定したものとし
、感光体に光書込みを行う場合に潜像電位が不均一にな
ることを防止することができ、それによって現像時にお
ける画像濃度のバラツキを防止することができる。

なお、実施例では、ヒータへの通電停止時間を一定とし
、雰囲気温度に応してヒータへの通電時間を変化させる
例あるいは、ヒータへの通電時間を一定として、雰囲気
温度に応じてヒータへの通電停止時間を変化させる例を
示したが、これに限ることなく、例えば周期を一定とし
、ヒータへの通電時間を温度に応じて変化させるもので
あってもよいことはもちろんである。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、加熱手段への通電
率を雰囲気温度に応じて変化させるようにしたので、液
晶光シャッタを雰囲気温度に関係なく極めて安定した温
度に制御することができる。

また液晶光シャッタの温度が安定するために、液晶光シ
ャッタの動作特性を安定させることができ、それによっ
て感光体に光書込みを行う場合に潜像電位を均一にする
ことができるので、現像時において生しる画像１度のバ
ラツキを防止し、印字品質を良好に維持することができ
る。

更に液晶光シャッタが設定温度に達する前に、ヒータへ
の通電率を低くするようにしたので、電源投入時に生し
るオーバシュートを完全に防止することができ、それに
よってウオームアツプ時間を短縮することができるとい
う効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図は上記実施例の動作を示すタイムチャート、第３図は雰囲気温度が低い場合の第１の温度制御部の動
作を示すタイムチャート、第４図は雰囲気温度が高い場合の第１の温度制御部の動
作を示すタイムチャート、第５図は第２の温度制御部の動作を示すタイムチャート
、第６図は記録装置の概略構成図、第７図は液晶光シャッタ部の断面図、第８図は液晶光シャッタの平面図、第９図は液晶光シャッタの斜視図、第１０図は液晶の誘導異方性の特性図、第１１図は従来
例の温度制御装置の回路図、第１２図はその第１１図の
温度制御装置の特性図である。３・・・液晶光シャッタ部、１８・・・液晶光シャッタ、１９・・・ヒータ、２９．３０・・・サーミスタ、３１・・・加熱制御部、３２、・・・温度制限部、３３・・・ラッチ部、３４・・・第１の温度制御部、３５・・・第２の温度制御部、Ｑ；、Ｑ３．Ｑａ・・・比較回路、Ｑ２．Ｑ５．Ｑｌ　ｏ・・・出力トランジスタ、Ｑ［Ｉ
・・・反転回路、Ｑ９・・・論理積回路。特許　出願人　　　カシオ計算機株式会社同　　　　上
　　　カシオ電子工業株式会社第２図第３図第４図（ｂ）第５図第６図第７図第８図第１１図第１２図　　Ｊｌ’ｌＦ＋ｉｌ

Claims

【特許請求の範囲】１）加熱手段が設けられ、複数のマイクロシャッタの選
択開閉により、光源の光を選択透過させ感光体に光書込
みを行う液晶光シャッタの温度制御装置において、上記
液晶光シャッタ近傍の温度を検出する温度検出手段を設
けると共に、該温度検出手段の出力に基づき上記加熱手
段への通電率を変化させる第１の制御手段を設け、且つ
上記温度検出手段の出力に基づき上記第１の制御手段と
は異なる通電率で加熱手段への通電を制御する第２の制
御手段を設けたことを特徴とする液晶光シャッタの温度
制御装置。２）上記第１の制御手段は、液晶光シャッタ近傍の温度
が高いときは、加熱手段の通電率を液晶光シャッタ近傍
の温度が低いときの通電率より低くすることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の液晶光シャッタの温度制
御装置。３）上記第２の制御手段は、液晶光シャッタ近傍の温度
が高いときは、加熱手段の通電率を液晶光シャッタ近傍
の温度が低いときの通電率より高くすることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の液晶光シャッタの温度制
御装置。