JP2001336987A - 温度検出回路およびそれを用いる液晶駆動装置 - Google Patents
温度検出回路およびそれを用いる液晶駆動装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 相互に異なる温度特性を有する２つのバイア
ス電圧Ｖｉｎ，Ｖｂｉａｓに対して、反転増幅器１１が
それらの差に対応した電圧を出力することで、略２つの
バイアス電圧源Ｂ１，Ｂ２の相対精度で温度検出を行う
ことができる温度検出回路であって、さまざまな温度特
性および出力Ｄレンジに対応可能とする。 【解決手段】 温度特性の急峻なバイアス電圧Ｖｉｎを
反転増幅器１１の反転入力端に抵抗Ｒ１を介して与え、
反転増幅器１１の反転入力端と出力端との間には抵抗Ｒ
２を介在し、出力を非反転増幅器１２の非反転入力端に
与え、その反転入力端は抵抗Ｒ３を介して基準電位に接
続するとともに抵抗Ｒ４を介して出力端と接続する。し
たがって、抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値を適宜設定すること
で、所望の温度特性を得ることができ、抵抗Ｒ３，Ｒ４
の抵抗値を適宜設定することで、前記反転増幅器１１で
得られた温度特性を所望の出力電圧値とすることができ
る。
ス電圧Ｖｉｎ，Ｖｂｉａｓに対して、反転増幅器１１が
それらの差に対応した電圧を出力することで、略２つの
バイアス電圧源Ｂ１，Ｂ２の相対精度で温度検出を行う
ことができる温度検出回路であって、さまざまな温度特
性および出力Ｄレンジに対応可能とする。 【解決手段】 温度特性の急峻なバイアス電圧Ｖｉｎを
反転増幅器１１の反転入力端に抵抗Ｒ１を介して与え、
反転増幅器１１の反転入力端と出力端との間には抵抗Ｒ
２を介在し、出力を非反転増幅器１２の非反転入力端に
与え、その反転入力端は抵抗Ｒ３を介して基準電位に接
続するとともに抵抗Ｒ４を介して出力端と接続する。し
たがって、抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値を適宜設定すること
で、所望の温度特性を得ることができ、抵抗Ｒ３，Ｒ４
の抵抗値を適宜設定することで、前記反転増幅器１１で
得られた温度特性を所望の出力電圧値とすることができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、温度検出回路に関
し、特に、半導体集積回路中の回路素子の温度−電圧特
性を利用して温度検出を行なう温度検出回路に関し、ま
たその検出結果に基づいて液晶素子の温度特性を駆動電
圧で補償する液晶駆動装置に関する。
し、特に、半導体集積回路中の回路素子の温度−電圧特
性を利用して温度検出を行なう温度検出回路に関し、ま
たその検出結果に基づいて液晶素子の温度特性を駆動電
圧で補償する液晶駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】前記半導体集積回路中の回路素子の温度
−電圧特性を利用して温度検出を行なう回路として、典
型的な従来技術は、特開平３−４８７３７号公報に示さ
れている。図７は、その従来技術の温度検出回路の電気
的構成を示すブロック図である。この従来技術では、電
源ライン１，２間に、定電流源ｆ１と複数段のダイオー
ドｄ１１，…，ｄ１ｎとの直列回路が接続されて構成さ
れる第１のバイアス電圧源ｂ１と、前記電源ライン１，
２間に、定電流源ｆ２と複数段のダイオードｄ２１，
…，ｄ２ｍとの直列回路が接続されて構成される第２の
バイアス電圧源ｂ２と、前記第１および第２のバイアス
電圧源ｂ１，ｂ２からの第１および第２のバイアス電圧
の差を増幅して出力する増幅器３とを備えて構成され
る。前記定電流源ｆ１とダイオードｄ１ｎとの接続点が
第１のバイアス電圧の出力端となって前記増幅器３の一
方の入力端に与えられ、前記定電流源ｆ２とダイオード
ｄ２ｍとの接続点が第２のバイアス電圧の出力端となっ
て前記増幅器３の他方の入力端に与えられる。
−電圧特性を利用して温度検出を行なう回路として、典
型的な従来技術は、特開平３−４８７３７号公報に示さ
れている。図７は、その従来技術の温度検出回路の電気
的構成を示すブロック図である。この従来技術では、電
源ライン１，２間に、定電流源ｆ１と複数段のダイオー
ドｄ１１，…，ｄ１ｎとの直列回路が接続されて構成さ
れる第１のバイアス電圧源ｂ１と、前記電源ライン１，
２間に、定電流源ｆ２と複数段のダイオードｄ２１，
…，ｄ２ｍとの直列回路が接続されて構成される第２の
バイアス電圧源ｂ２と、前記第１および第２のバイアス
電圧源ｂ１，ｂ２からの第１および第２のバイアス電圧
の差を増幅して出力する増幅器３とを備えて構成され
る。前記定電流源ｆ１とダイオードｄ１ｎとの接続点が
第１のバイアス電圧の出力端となって前記増幅器３の一
方の入力端に与えられ、前記定電流源ｆ２とダイオード
ｄ２ｍとの接続点が第２のバイアス電圧の出力端となっ
て前記増幅器３の他方の入力端に与えられる。
【０００３】ｎ≠ｍであるので、定電流源ｆ１，ｆ２の
電流値が相互に等しいとき、ダイオード１個当りのアノ
ード−カソード間の電圧をＶａｃ〔Ｖ〕とし、電源ライ
ン１の電位を基準とすると、増幅器３の一方の入力端に
は−ｎ×Ｖａｃ〔Ｖ〕の電圧が生じ、他方の入力端には
−ｍ×Ｖａｃ〔Ｖ〕の電圧が生じる。したがって、２つ
の入力端間には（ｍ−ｎ）×Ｖａｃ〔Ｖ〕のオフセット
を生じることになる。したがって、ダイオード１個当り
のアノード−カソード間の電圧の温度依存を△Ｖａｃ
〔Ｖ／℃〕とすると、温度がＴ〔℃〕変動した場合、増
幅器３の入力端間のオフセットはＴ×（ｍ−ｎ）×△Ｖ
ａｃ〔Ｖ〕変動し、該増幅器３の利得をＡとすると、Ａ
×Ｔ×（ｍ−ｎ）×△Ｖａｃ〔Ｖ〕が得られている。
電流値が相互に等しいとき、ダイオード１個当りのアノ
ード−カソード間の電圧をＶａｃ〔Ｖ〕とし、電源ライ
ン１の電位を基準とすると、増幅器３の一方の入力端に
は−ｎ×Ｖａｃ〔Ｖ〕の電圧が生じ、他方の入力端には
−ｍ×Ｖａｃ〔Ｖ〕の電圧が生じる。したがって、２つ
の入力端間には（ｍ−ｎ）×Ｖａｃ〔Ｖ〕のオフセット
を生じることになる。したがって、ダイオード１個当り
のアノード−カソード間の電圧の温度依存を△Ｖａｃ
〔Ｖ／℃〕とすると、温度がＴ〔℃〕変動した場合、増
幅器３の入力端間のオフセットはＴ×（ｍ−ｎ）×△Ｖ
ａｃ〔Ｖ〕変動し、該増幅器３の利得をＡとすると、Ａ
×Ｔ×（ｍ−ｎ）×△Ｖａｃ〔Ｖ〕が得られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のような従来技術
では、第１のバイアス電圧源ｂ１のダイオードｄ１１〜
ｄ１ｎの端子間電圧と、第２のバイアス電圧源ｂ２のダ
イオードｄ２１〜ｄ２ｍの端子間電圧との差を検出温度
の出力としているので、それぞれのダイオードｄ１１〜
ｄ１ｎ；ｄ２１〜ｄ２ｍの素子特性が揃っていれば、略
前記第１および第２のバイアス電圧源ｂ１，ｂ２の相対
精度で温度検出を行うことができ、個々の素子に高い精
度を必要とすることなく、高い精度で温度検出を行うこ
とができる。
では、第１のバイアス電圧源ｂ１のダイオードｄ１１〜
ｄ１ｎの端子間電圧と、第２のバイアス電圧源ｂ２のダ
イオードｄ２１〜ｄ２ｍの端子間電圧との差を検出温度
の出力としているので、それぞれのダイオードｄ１１〜
ｄ１ｎ；ｄ２１〜ｄ２ｍの素子特性が揃っていれば、略
前記第１および第２のバイアス電圧源ｂ１，ｂ２の相対
精度で温度検出を行うことができ、個々の素子に高い精
度を必要とすることなく、高い精度で温度検出を行うこ
とができる。
【０００５】しかしながら、温度検出感度を任意に調整
することができず、また所望とする出力電圧に増幅でき
ないという問題がある。特に、液晶パネルは、周囲温度
によって、液晶材料の印加電圧−光透過特性の傾きや閾
値電圧Ｖｔｈ等の特性が大きく変動するので、常に最適
なコントラストで表示させるためには、駆動電圧を前記
周囲温度に適応して変化させる必要がある。また、使用
する液晶素子の材料によっても前記閾値電圧Ｖｔｈ等の
特性が異なり、さらに同じ材料であっても液晶層の厚さ
によって前記特性が異なることになる。
することができず、また所望とする出力電圧に増幅でき
ないという問題がある。特に、液晶パネルは、周囲温度
によって、液晶材料の印加電圧−光透過特性の傾きや閾
値電圧Ｖｔｈ等の特性が大きく変動するので、常に最適
なコントラストで表示させるためには、駆動電圧を前記
周囲温度に適応して変化させる必要がある。また、使用
する液晶素子の材料によっても前記閾値電圧Ｖｔｈ等の
特性が異なり、さらに同じ材料であっても液晶層の厚さ
によって前記特性が異なることになる。
【０００６】本発明の目的は、さまざまな温度特性およ
び出力ダイナミックレンジに対応することができる温度
検出回路を提供することである。
び出力ダイナミックレンジに対応することができる温度
検出回路を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の温度検出回路
は、相対的に急峻な温度特性を有する第１のバイアス電
圧源からの第１のバイアス電圧と、相対的に緩やかな温
度特性を有する第２のバイアス電圧源からの第２のバイ
アス電圧とに対して、反転増幅器がそれらの差に対応し
た電圧を出力することで、略前記第１および第２のバイ
アス電圧源の相対精度で温度検出を行うことができる温
度検出回路であって、前記第１のバイアス電圧を前記反
転増幅器の反転入力端に与える第１の抵抗と、前記反転
増幅器の前記反転入力端と出力端との間に介在される第
２の抵抗と、前記反転増幅器の出力が非反転入力端に与
えられる非反転増幅器と、予め定める基準電位を前記非
反転増幅器の反転入力端に与える第３の抵抗と、前記非
反転増幅器の前記反転入力端と出力端との間に介在され
る第４の抵抗とを含むことを特徴とする。
は、相対的に急峻な温度特性を有する第１のバイアス電
圧源からの第１のバイアス電圧と、相対的に緩やかな温
度特性を有する第２のバイアス電圧源からの第２のバイ
アス電圧とに対して、反転増幅器がそれらの差に対応し
た電圧を出力することで、略前記第１および第２のバイ
アス電圧源の相対精度で温度検出を行うことができる温
度検出回路であって、前記第１のバイアス電圧を前記反
転増幅器の反転入力端に与える第１の抵抗と、前記反転
増幅器の前記反転入力端と出力端との間に介在される第
２の抵抗と、前記反転増幅器の出力が非反転入力端に与
えられる非反転増幅器と、予め定める基準電位を前記非
反転増幅器の反転入力端に与える第３の抵抗と、前記非
反転増幅器の前記反転入力端と出力端との間に介在され
る第４の抵抗とを含むことを特徴とする。
【０００８】上記の構成によれば、相対的に急峻な温度
特性を有する第１のバイアス電圧源からの第１のバイア
ス電圧Ｖｉｎを反転増幅器の反転入力端に与え、相対的
に緩やかな温度特性を有する第２のバイアス電圧源から
の第２のバイアス電圧Ｖｂｉａｓを反転増幅器の非反転
入力端に与え、前記第１のバイアス電圧源と反転入力端
との間に第１の抵抗Ｒ１を介在し、該反転入力端と出力
端との間に第２の抵抗Ｒ２を介在することで、反転増幅
器の出力電圧Ｖｏｕｔ１は、 Ｖｏｕｔ１＝−（Ｖｉｎ−Ｖｂｉａｓ）×Ｒ２／Ｒ１＋
Ｖｂｉａｓ となり、相対的に緩やかな温度勾配の第２のバイアス電
圧Ｖｂｉａｓに、第２および第１のバイアス電圧Ｖｂｉ
ａｓ，Ｖｉｎの差が第２および第１の抵抗比倍されて加
算されることになる。したがって、略前記第１および第
２のバイアス電圧源の相対精度で温度検出を行うことが
できる。そして、前記第１および第２の抵抗の抵抗値を
適宜設定することで、所望の温度特性を得ることができ
る。
特性を有する第１のバイアス電圧源からの第１のバイア
ス電圧Ｖｉｎを反転増幅器の反転入力端に与え、相対的
に緩やかな温度特性を有する第２のバイアス電圧源から
の第２のバイアス電圧Ｖｂｉａｓを反転増幅器の非反転
入力端に与え、前記第１のバイアス電圧源と反転入力端
との間に第１の抵抗Ｒ１を介在し、該反転入力端と出力
端との間に第２の抵抗Ｒ２を介在することで、反転増幅
器の出力電圧Ｖｏｕｔ１は、 Ｖｏｕｔ１＝−（Ｖｉｎ−Ｖｂｉａｓ）×Ｒ２／Ｒ１＋
Ｖｂｉａｓ となり、相対的に緩やかな温度勾配の第２のバイアス電
圧Ｖｂｉａｓに、第２および第１のバイアス電圧Ｖｂｉ
ａｓ，Ｖｉｎの差が第２および第１の抵抗比倍されて加
算されることになる。したがって、略前記第１および第
２のバイアス電圧源の相対精度で温度検出を行うことが
できる。そして、前記第１および第２の抵抗の抵抗値を
適宜設定することで、所望の温度特性を得ることができ
る。
【０００９】また、前記反転増幅器の出力電圧Ｖｏｕｔ
１を、反転入力端に第３の抵抗を介して基準電位が与え
られるとともに第４の抵抗を介して出力が帰還される非
反転増幅器の非反転入力端に与えて増幅する。
１を、反転入力端に第３の抵抗を介して基準電位が与え
られるとともに第４の抵抗を介して出力が帰還される非
反転増幅器の非反転入力端に与えて増幅する。
【００１０】したがって、前記第３および第４の抵抗の
抵抗値を適宜設定することで、前記反転増幅器で得られ
た温度特性を所望の出力電圧値とすることができる。
抵抗値を適宜設定することで、前記反転増幅器で得られ
た温度特性を所望の出力電圧値とすることができる。
【００１１】また、本発明の温度検出回路では、前記第
１および第２のバイアス電圧源は、それぞれ、定電流源
と、１または複数段のダイオードとの直列回路が電源ラ
イン間に接続され、前記定電流源とダイオードとの接続
点から前記反転増幅器の入力端へバイアス電圧を与える
ように構成され、前記温度特性の差を前記ダイオードの
素子面積の差によって生じさせることを特徴とする。
１および第２のバイアス電圧源は、それぞれ、定電流源
と、１または複数段のダイオードとの直列回路が電源ラ
イン間に接続され、前記定電流源とダイオードとの接続
点から前記反転増幅器の入力端へバイアス電圧を与える
ように構成され、前記温度特性の差を前記ダイオードの
素子面積の差によって生じさせることを特徴とする。
【００１２】上記の構成によれば、ダイオード１個当り
の面積を、前記第１のバイアス電圧源と第２のバイアス
電圧源とで異なるように形成したり、同じ面積のダイオ
ードの並列接続段数を、前記第１のバイアス電圧源と第
２のバイアス電圧源とで異なるように形成するなどして
作成した電流能力の相互に異なるダイオードに、定電流
源からの一定電流によって動作点を固定し、動作させる
ことで、相互に異なる温度特性とすることができ、同じ
半導体集積回路内に、容易に形成することができる。
の面積を、前記第１のバイアス電圧源と第２のバイアス
電圧源とで異なるように形成したり、同じ面積のダイオ
ードの並列接続段数を、前記第１のバイアス電圧源と第
２のバイアス電圧源とで異なるように形成するなどして
作成した電流能力の相互に異なるダイオードに、定電流
源からの一定電流によって動作点を固定し、動作させる
ことで、相互に異なる温度特性とすることができ、同じ
半導体集積回路内に、容易に形成することができる。
【００１３】さらにまた、本発明の液晶駆動装置は、前
記請求項１または２記載の温度検出回路を搭載し、前記
非反転増幅器の出力電圧が液晶素子の駆動に用いられる
液晶駆動装置であって、前記第１および第２の抵抗によ
って決定される反転増幅器のゲインを液晶パネルの温度
特性に適合させ、前記第３および第４の抵抗ならびに基
準電位によって決定される出力電圧レベルを液晶素子の
駆動に必要な電圧に適合させることを特徴とする。
記請求項１または２記載の温度検出回路を搭載し、前記
非反転増幅器の出力電圧が液晶素子の駆動に用いられる
液晶駆動装置であって、前記第１および第２の抵抗によ
って決定される反転増幅器のゲインを液晶パネルの温度
特性に適合させ、前記第３および第４の抵抗ならびに基
準電位によって決定される出力電圧レベルを液晶素子の
駆動に必要な電圧に適合させることを特徴とする。
【００１４】上記の構成によれば、液晶素子の材料や液
晶層の厚さによって異なる印加電圧−光透過特性の傾き
や閾値電圧Ｖｔｈ等の液晶パネルの温度特性に、第１お
よび第２の抵抗の抵抗値を設定することで反転増幅器の
ゲインを適合させ、第３および第４の抵抗ならびに基準
電位を設定することで、出力電圧レベルを液晶素子の駆
動に必要な電圧に適合させる。
晶層の厚さによって異なる印加電圧−光透過特性の傾き
や閾値電圧Ｖｔｈ等の液晶パネルの温度特性に、第１お
よび第２の抵抗の抵抗値を設定することで反転増幅器の
ゲインを適合させ、第３および第４の抵抗ならびに基準
電位を設定することで、出力電圧レベルを液晶素子の駆
動に必要な電圧に適合させる。
【００１５】したがって、第１〜第４の抵抗ならびに基
準電位を設定することで、使用される液晶パネルに適合
した任意の温度特性で、任意の駆動電圧を得ることがで
き、常に最適なコントラストで表示させることができ
る。
準電位を設定することで、使用される液晶パネルに適合
した任意の温度特性で、任意の駆動電圧を得ることがで
き、常に最適なコントラストで表示させることができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について、
図１および図２に基づいて説明すれば、以下のとおりで
ある。
図１および図２に基づいて説明すれば、以下のとおりで
ある。
【００１７】図１は、本発明の実施の一形態の温度検出
回路の電気的構成を示すブロック図である。この温度検
出回路は、大略的に、温度勾配を発生する第１および第
２のバイアス電圧源Ｂ１，Ｂ２と、前記バイアス電圧源
Ｂ１，Ｂ２からの第１および第２のバイアス電圧Ｖｉ
ｎ，Ｖｂｉａｓの差を増幅して出力する反転増幅器１１
および非反転増幅器１２と、前記反転増幅器１１のゲイ
ン設定のための第１および第２の抵抗Ｒ１，Ｒ２と、前
記非反転増幅器１２のゲイン設定および基準電位設定の
ための第３および第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４とを備えて構成
され、半導体集積回路内に作込まれる。
回路の電気的構成を示すブロック図である。この温度検
出回路は、大略的に、温度勾配を発生する第１および第
２のバイアス電圧源Ｂ１，Ｂ２と、前記バイアス電圧源
Ｂ１，Ｂ２からの第１および第２のバイアス電圧Ｖｉ
ｎ，Ｖｂｉａｓの差を増幅して出力する反転増幅器１１
および非反転増幅器１２と、前記反転増幅器１１のゲイ
ン設定のための第１および第２の抵抗Ｒ１，Ｒ２と、前
記非反転増幅器１２のゲイン設定および基準電位設定の
ための第３および第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４とを備えて構成
され、半導体集積回路内に作込まれる。
【００１８】前記バイアス電圧源Ｂ１は、電源ライン１
３，１４間に、第１の定電流源Ｆ１と複数段のダイオー
ドＤ１１，…，Ｄ１ｎとの直列回路が接続されて構成さ
れ、前記定電流源Ｆ１とダイオードＤ１１との接続点Ｐ
１が第１のバイアス電圧Ｖｉｎの出力端となる。前記第
２のバイアス電圧源Ｂ２は、前記電源ライン１３，１４
間に、第２の定電流源Ｆ２と複数段のダイオードＤ２
１，…，Ｄ２ｍとの直列回路が接続されて構成され、前
記定電流源Ｆ２とダイオードＤ２１との接続点Ｐ２が第
２のバイアス電圧Ｖｂｉａｓの出力端となる。ダイオー
ドＤ１１〜Ｄ１ｎ；Ｄ２１〜Ｄ２ｍと、定電流源Ｆ１，
Ｆ２とは、相互に入替えられてもよい。
３，１４間に、第１の定電流源Ｆ１と複数段のダイオー
ドＤ１１，…，Ｄ１ｎとの直列回路が接続されて構成さ
れ、前記定電流源Ｆ１とダイオードＤ１１との接続点Ｐ
１が第１のバイアス電圧Ｖｉｎの出力端となる。前記第
２のバイアス電圧源Ｂ２は、前記電源ライン１３，１４
間に、第２の定電流源Ｆ２と複数段のダイオードＤ２
１，…，Ｄ２ｍとの直列回路が接続されて構成され、前
記定電流源Ｆ２とダイオードＤ２１との接続点Ｐ２が第
２のバイアス電圧Ｖｂｉａｓの出力端となる。ダイオー
ドＤ１１〜Ｄ１ｎ；Ｄ２１〜Ｄ２ｍと、定電流源Ｆ１，
Ｆ２とは、相互に入替えられてもよい。
【００１９】ここで、ダイオードＤ１１〜Ｄ１ｎとダイ
オードＤ２１〜Ｄ２ｍとの素子特性および素子面積は相
互に等しく、かつｎ＞ｍである。したがって、図２で示
すように、素子数の多いバイアス電圧源Ｂ１からのバイ
アス電圧Ｖｉｎは相対的に急峻な温度特性を有し、素子
数の少ないバイアス電圧源Ｂ２からのバイアス電圧Ｖｂ
ｉａｓは相対的に緩やかな温度特性を有することにな
る。
オードＤ２１〜Ｄ２ｍとの素子特性および素子面積は相
互に等しく、かつｎ＞ｍである。したがって、図２で示
すように、素子数の多いバイアス電圧源Ｂ１からのバイ
アス電圧Ｖｉｎは相対的に急峻な温度特性を有し、素子
数の少ないバイアス電圧源Ｂ２からのバイアス電圧Ｖｂ
ｉａｓは相対的に緩やかな温度特性を有することにな
る。
【００２０】前記バイアス電圧Ｖｉｎは、抵抗Ｒ１を介
して反転増幅器１１の反転入力端に与えられ、前記バイ
アス電圧Ｖｂｉａｓは、直接、反転増幅器１１の非反転
入力端に与えられる。反転増幅器１１の出力電圧Ｖｏｕ
ｔ１は、直接、非反転増幅器１２の非反転入力端に与え
られるとともに、帰還用の抵抗Ｒ２を介して前記反転入
力端に与えられている。前記非反転増幅器１２の反転入
力端には、抵抗Ｒ３を介して予め定める基準電位（図１
の例では接地電位）が与えられるとともに、帰還用の抵
抗Ｒ４を介してその出力電圧Ｖｏｕｔ２が与えられる。
して反転増幅器１１の反転入力端に与えられ、前記バイ
アス電圧Ｖｂｉａｓは、直接、反転増幅器１１の非反転
入力端に与えられる。反転増幅器１１の出力電圧Ｖｏｕ
ｔ１は、直接、非反転増幅器１２の非反転入力端に与え
られるとともに、帰還用の抵抗Ｒ２を介して前記反転入
力端に与えられている。前記非反転増幅器１２の反転入
力端には、抵抗Ｒ３を介して予め定める基準電位（図１
の例では接地電位）が与えられるとともに、帰還用の抵
抗Ｒ４を介してその出力電圧Ｖｏｕｔ２が与えられる。
【００２１】したがって、定電流源Ｆ１，Ｆ２の電流値
が相互に等しいとき、ダイオード１個当りのアノード−
カソード間の電圧をＶａｃ〔Ｖ〕とし、電源ライン１４
の電位を基準とすると、反転増幅器１１の反転入力端に
はｎ×Ｖａｃ〔Ｖ〕の電圧が生じ、非反転入力端にはｍ
×Ｖａｃ〔Ｖ〕の電圧が生じる。したがって、２つの入
力端間には（ｎ−ｍ）×Ｖａｃ〔Ｖ〕のオフセットを生
じることになる。したがって、ダイオード１個当りのア
ノード−カソード間の電圧の温度依存を△Ｖａｃ〔Ｖ／
℃〕とすると、温度がＴ〔℃〕変動した場合、反転増幅
器１１の入力端間のオフセットはＴ×（ｎ−ｍ）×△Ｖ
ａｃ〔Ｖ〕変動し、該反転増幅器１１の利得をＡ（＝Ｒ
２／Ｒ１）とすると、Ａ×Ｔ×（ｎ−ｍ）×△Ｖａｃ
〔Ｖ〕が得られる。また、前記出力電圧Ｖｏｕｔ１は、 Ｖｏｕｔ１＝−（Ｖｉｎ−Ｖｂｉａｓ）×Ｒ２／Ｒ１＋
Ｖｂｉａｓ となり、相対的に緩やかな温度勾配の第２のバイアス電
圧Ｖｂｉａｓに、第２および第１のバイアス電圧Ｖｂｉ
ａｓ，Ｖｉｎの差が第２および第１の抵抗比倍されて加
算されることになる。したがって、略前記第１および第
２のバイアス電圧源Ｂ１，Ｂ２の相対精度で温度検出を
行うことができる。そして、前記第１および第２の抵抗
の抵抗値Ｒ１，Ｒ２を適宜設定することで、所望の温度
特性（温度勾配）を得ることができる。
が相互に等しいとき、ダイオード１個当りのアノード−
カソード間の電圧をＶａｃ〔Ｖ〕とし、電源ライン１４
の電位を基準とすると、反転増幅器１１の反転入力端に
はｎ×Ｖａｃ〔Ｖ〕の電圧が生じ、非反転入力端にはｍ
×Ｖａｃ〔Ｖ〕の電圧が生じる。したがって、２つの入
力端間には（ｎ−ｍ）×Ｖａｃ〔Ｖ〕のオフセットを生
じることになる。したがって、ダイオード１個当りのア
ノード−カソード間の電圧の温度依存を△Ｖａｃ〔Ｖ／
℃〕とすると、温度がＴ〔℃〕変動した場合、反転増幅
器１１の入力端間のオフセットはＴ×（ｎ−ｍ）×△Ｖ
ａｃ〔Ｖ〕変動し、該反転増幅器１１の利得をＡ（＝Ｒ
２／Ｒ１）とすると、Ａ×Ｔ×（ｎ−ｍ）×△Ｖａｃ
〔Ｖ〕が得られる。また、前記出力電圧Ｖｏｕｔ１は、 Ｖｏｕｔ１＝−（Ｖｉｎ−Ｖｂｉａｓ）×Ｒ２／Ｒ１＋
Ｖｂｉａｓ となり、相対的に緩やかな温度勾配の第２のバイアス電
圧Ｖｂｉａｓに、第２および第１のバイアス電圧Ｖｂｉ
ａｓ，Ｖｉｎの差が第２および第１の抵抗比倍されて加
算されることになる。したがって、略前記第１および第
２のバイアス電圧源Ｂ１，Ｂ２の相対精度で温度検出を
行うことができる。そして、前記第１および第２の抵抗
の抵抗値Ｒ１，Ｒ２を適宜設定することで、所望の温度
特性（温度勾配）を得ることができる。
【００２２】また、前記反転増幅器１１の出力電圧Ｖｏ
ｕｔ１を、反転入力端に第３の抵抗を介して基準電位が
与えられるとともに第４の抵抗を介して出力が帰還され
る非反転増幅器１２の非反転入力端に与えて増幅するの
で、非反転増幅器１２の出力電圧Ｖｏｕｔ２は、 Ｖｏｕｔ２＝〔（１＋Ｒ３／Ｒ４）〕×Ｖｏｕｔ１ Ｖｏｕｔ２＝−〔（１＋Ｒ３／Ｒ４）〕×（Ｖｉｎ−Ｖ
ｂｉａｓ）×Ｒ２／Ｒ１＋〔（１＋Ｒ３／Ｒ４）〕×Ｖ
ｂｉａｓ〕 となり、前記第３および第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４の抵抗値
を適宜設定することで、前記反転増幅器１１で得られた
温度特性を所望の出力電圧値とすることができる。
ｕｔ１を、反転入力端に第３の抵抗を介して基準電位が
与えられるとともに第４の抵抗を介して出力が帰還され
る非反転増幅器１２の非反転入力端に与えて増幅するの
で、非反転増幅器１２の出力電圧Ｖｏｕｔ２は、 Ｖｏｕｔ２＝〔（１＋Ｒ３／Ｒ４）〕×Ｖｏｕｔ１ Ｖｏｕｔ２＝−〔（１＋Ｒ３／Ｒ４）〕×（Ｖｉｎ−Ｖ
ｂｉａｓ）×Ｒ２／Ｒ１＋〔（１＋Ｒ３／Ｒ４）〕×Ｖ
ｂｉａｓ〕 となり、前記第３および第４の抵抗Ｒ３，Ｒ４の抵抗値
を適宜設定することで、前記反転増幅器１１で得られた
温度特性を所望の出力電圧値とすることができる。
【００２３】なお、ダイオードＤ１１〜Ｄ１ｎ；Ｄ２１
〜Ｄ２ｍの素子面積をそのままとし、定電流源Ｆ１，Ｆ
２の電流値を相互に異なるようにすると、前記図２で示
すバイアス電圧Ｖｉｎ，Ｖｂｉａｓの温度勾配は一定の
ままで、電圧レベルを変化することができ、たとえば定
電流源Ｆ１の電流値を大きくすると、前記図２において
参照符Ｖｉｎａで示すようになり、前記反転増幅器１１
の入力端間のオフセットを拡大することができる。ま
た、ダイオードに代えて、前記図２で示すような線形の
温度特性を有する他の素子が用いられてもよい。ダイオ
ードは、半導体集積回路内に容易に作成することがで
き、ダイオードを用いることによって、該温度検出回路
の１チップ化が容易である。
〜Ｄ２ｍの素子面積をそのままとし、定電流源Ｆ１，Ｆ
２の電流値を相互に異なるようにすると、前記図２で示
すバイアス電圧Ｖｉｎ，Ｖｂｉａｓの温度勾配は一定の
ままで、電圧レベルを変化することができ、たとえば定
電流源Ｆ１の電流値を大きくすると、前記図２において
参照符Ｖｉｎａで示すようになり、前記反転増幅器１１
の入力端間のオフセットを拡大することができる。ま
た、ダイオードに代えて、前記図２で示すような線形の
温度特性を有する他の素子が用いられてもよい。ダイオ
ードは、半導体集積回路内に容易に作成することがで
き、ダイオードを用いることによって、該温度検出回路
の１チップ化が容易である。
【００２４】本発明の実施の他の形態について、図３に
基づいて説明すれば、以下のとおりである。
基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【００２５】図３は、本発明の実施の他の形態の温度検
出回路の電気的構成を示すブロック図である。この温度
検出回路は、前述の図１で示す温度検出回路に類似し、
対応する部分には、同一の参照符号を付して、その説明
を省略する。注目すべきは、この温度検出回路では、バ
イアス電圧源Ｂ１ａとバイアス電圧源Ｂ２とは、ダイオ
ードの直列段数はｍ個で相互に等しく、かつバイアス電
圧源Ｂ１ａ側とバイアス電圧源Ｂ２側との素子面積が相
互に異なることである。この図３の例では、バイアス電
圧源Ｂ１ａには、前記ダイオードＤ１１〜Ｄ１ｍとそれ
ぞれ並列に、ダイオードＤ１１ａ〜Ｄ１ｍａが設けられ
ている。ダイオードＤ１１〜Ｄ１ｍ，Ｄ１１ａ〜Ｄ１ｍ
ａ；Ｄ２１〜Ｄ２ｍの素子面積は相互に等しく、したが
ってバイアス電圧源Ｂ１ａ側はバイアス電圧源Ｂ２側の
２倍の素子面積となっている。
出回路の電気的構成を示すブロック図である。この温度
検出回路は、前述の図１で示す温度検出回路に類似し、
対応する部分には、同一の参照符号を付して、その説明
を省略する。注目すべきは、この温度検出回路では、バ
イアス電圧源Ｂ１ａとバイアス電圧源Ｂ２とは、ダイオ
ードの直列段数はｍ個で相互に等しく、かつバイアス電
圧源Ｂ１ａ側とバイアス電圧源Ｂ２側との素子面積が相
互に異なることである。この図３の例では、バイアス電
圧源Ｂ１ａには、前記ダイオードＤ１１〜Ｄ１ｍとそれ
ぞれ並列に、ダイオードＤ１１ａ〜Ｄ１ｍａが設けられ
ている。ダイオードＤ１１〜Ｄ１ｍ，Ｄ１１ａ〜Ｄ１ｍ
ａ；Ｄ２１〜Ｄ２ｍの素子面積は相互に等しく、したが
ってバイアス電圧源Ｂ１ａ側はバイアス電圧源Ｂ２側の
２倍の素子面積となっている。
【００２６】このように作成された電流能力の相互に異
なるダイオードＤ１１〜Ｄ１ｍ，Ｄ１１ａ〜Ｄ１ｍａ；
Ｄ２１〜Ｄ２ｍに、定電流源Ｆ１，Ｆ２からの一定電流
によって動作点を固定し、動作させることで、相互に異
なる温度特性とすることができる。これによって、バイ
アス電圧源Ｂ１ａ側では前記ダイオード１段当りのアノ
ード−カソード間の電圧の温度依存△Ｖａｃ〔Ｖ／℃〕
が大きくなり、前述の図１で示す温度検出回路と同様
に、該バイアス電圧源Ｂ１ａの温度特性を比較的急峻に
することができる。
なるダイオードＤ１１〜Ｄ１ｍ，Ｄ１１ａ〜Ｄ１ｍａ；
Ｄ２１〜Ｄ２ｍに、定電流源Ｆ１，Ｆ２からの一定電流
によって動作点を固定し、動作させることで、相互に異
なる温度特性とすることができる。これによって、バイ
アス電圧源Ｂ１ａ側では前記ダイオード１段当りのアノ
ード−カソード間の電圧の温度依存△Ｖａｃ〔Ｖ／℃〕
が大きくなり、前述の図１で示す温度検出回路と同様
に、該バイアス電圧源Ｂ１ａの温度特性を比較的急峻に
することができる。
【００２７】このように素子面積の差で温度特性を異な
らせることによって、同じ半導体集積回路内に、温度特
性の相互に異なるバイアス電圧源Ｂ１ａ，Ｂ２を容易に
形成することができる。
らせることによって、同じ半導体集積回路内に、温度特
性の相互に異なるバイアス電圧源Ｂ１ａ，Ｂ２を容易に
形成することができる。
【００２８】なお、上記のように同じ面積のダイオード
の並列接続段数でダイオード１段当りの素子面積を異な
るようにするのではなく、ダオード１個当りの面積を、
前記第１のバイアス電圧源Ｂ１と第２のバイアス電圧源
Ｂ２とで異なるように形成してもよい。
の並列接続段数でダイオード１段当りの素子面積を異な
るようにするのではなく、ダオード１個当りの面積を、
前記第１のバイアス電圧源Ｂ１と第２のバイアス電圧源
Ｂ２とで異なるように形成してもよい。
【００２９】本発明の実施のさらに他の形態について、
図４〜図６に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。
図４〜図６に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。
【００３０】図４は、本発明の実施のさらに他の形態の
温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。こ
の温度検出回路は、前述の図１および図３で示す温度検
出回路に類似し、対応する部分には、同一の参照符号を
付して、その説明を省略する。注目すべきは、この温度
検出回路では、前記抵抗Ｒ１，Ｒ２および抵抗Ｒ３，Ｒ
４が、それぞれ多段に接続された直列抵抗Ｒ１０，Ｒ１
１，…，Ｒ１ｉおよび直列抵抗Ｒ２０，Ｒ２１，…，Ｒ
２ｊで構成され、各直列抵抗Ｒ１０〜Ｒ１ｉ；Ｒ２０〜
Ｒ１ｊの接続点間に、スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０
〜Ｓ１ｊが設けられていることである。
温度検出回路の電気的構成を示すブロック図である。こ
の温度検出回路は、前述の図１および図３で示す温度検
出回路に類似し、対応する部分には、同一の参照符号を
付して、その説明を省略する。注目すべきは、この温度
検出回路では、前記抵抗Ｒ１，Ｒ２および抵抗Ｒ３，Ｒ
４が、それぞれ多段に接続された直列抵抗Ｒ１０，Ｒ１
１，…，Ｒ１ｉおよび直列抵抗Ｒ２０，Ｒ２１，…，Ｒ
２ｊで構成され、各直列抵抗Ｒ１０〜Ｒ１ｉ；Ｒ２０〜
Ｒ１ｊの接続点間に、スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０
〜Ｓ１ｊが設けられていることである。
【００３１】この温度検出回路は、液晶駆動装置におけ
る電源回路として実現され、前記スイッチＳ１０〜Ｓ１
ｉ；Ｓ２０〜Ｓ１ｊは、使用する液晶パネルの種類など
に適合して、図示しない外部機器によって増幅率調整レ
ジスタ２１に設定された増幅率データ（スイッチングデ
ータ）がデコーダ２２でデコードされて、前記スイッチ
Ｓ１０〜Ｓ１ｉの内の何れか１つ、および前記スイッチ
Ｓ２０〜Ｓ２ｊの内の何れか１つがＯＮされる。
る電源回路として実現され、前記スイッチＳ１０〜Ｓ１
ｉ；Ｓ２０〜Ｓ１ｊは、使用する液晶パネルの種類など
に適合して、図示しない外部機器によって増幅率調整レ
ジスタ２１に設定された増幅率データ（スイッチングデ
ータ）がデコーダ２２でデコードされて、前記スイッチ
Ｓ１０〜Ｓ１ｉの内の何れか１つ、および前記スイッチ
Ｓ２０〜Ｓ２ｊの内の何れか１つがＯＮされる。
【００３２】たとえば、スイッチＳ１２とスイッチＳ２
ｊとがＯＮされると、Ｒ１＝Ｒ１０＋Ｒ１１、Ｒ２＝Ｒ
１２＋…＋Ｒ１ｉ、Ｒ３＝Ｒ２０＋…＋Ｒ２ｊ−１、Ｒ
４＝Ｒ２ｊとなる。スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜
Ｓ２ｊは、たとえばＭＯＳトランジスタやトランスミッ
ションゲート等のアナログスイッチで実現され、制御端
子が前記デコーダ２２からのハイレベルまたはローレベ
ルの出力でＯＮ／ＯＦＦ制御される。
ｊとがＯＮされると、Ｒ１＝Ｒ１０＋Ｒ１１、Ｒ２＝Ｒ
１２＋…＋Ｒ１ｉ、Ｒ３＝Ｒ２０＋…＋Ｒ２ｊ−１、Ｒ
４＝Ｒ２ｊとなる。スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜
Ｓ２ｊは、たとえばＭＯＳトランジスタやトランスミッ
ションゲート等のアナログスイッチで実現され、制御端
子が前記デコーダ２２からのハイレベルまたはローレベ
ルの出力でＯＮ／ＯＦＦ制御される。
【００３３】前記スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜Ｓ
２ｊは、前記バイアス電圧源Ｂ１，Ｂ２等とともに半導
体集積回路内に形成可能であるけれども、外付けとされ
てもよい。また、前記増幅率調整レジスタ２１は、前記
増幅率データをラッチしておくために設けられ、前記増
幅率データは、前記スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜
Ｓ２ｊの数に対応したビット数のパラレルデータまたは
シリアルデータの何れであってもよい（図４はパラレル
で示している）。
２ｊは、前記バイアス電圧源Ｂ１，Ｂ２等とともに半導
体集積回路内に形成可能であるけれども、外付けとされ
てもよい。また、前記増幅率調整レジスタ２１は、前記
増幅率データをラッチしておくために設けられ、前記増
幅率データは、前記スイッチＳ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜
Ｓ２ｊの数に対応したビット数のパラレルデータまたは
シリアルデータの何れであってもよい（図４はパラレル
で示している）。
【００３４】図５および図６は、上述のような温度検出
回路を前記液晶駆動装置における電源回路として搭載す
る液晶表示装置を説明するための図である。図５の例
は、パーソナルコンピュータ等に搭載される大画面の液
晶表示装置であり、図６の例は、携帯電話の端末装置等
に搭載される小画面の液晶表示装置である。図５の例で
は、液晶パネル３１を駆動する駆動回路３２，３３に電
源供給を行う電源回路３４として、該温度検出回路が用
いられている。図６の例では、液晶パネル４１にＴＣＰ
４２が接続され、そのＴＣＰ４２上に実装される駆動回
路４３内に、前記のように１チップ化に好適な該温度検
出回路が、電源回路４４として用いられている。
回路を前記液晶駆動装置における電源回路として搭載す
る液晶表示装置を説明するための図である。図５の例
は、パーソナルコンピュータ等に搭載される大画面の液
晶表示装置であり、図６の例は、携帯電話の端末装置等
に搭載される小画面の液晶表示装置である。図５の例で
は、液晶パネル３１を駆動する駆動回路３２，３３に電
源供給を行う電源回路３４として、該温度検出回路が用
いられている。図６の例では、液晶パネル４１にＴＣＰ
４２が接続され、そのＴＣＰ４２上に実装される駆動回
路４３内に、前記のように１チップ化に好適な該温度検
出回路が、電源回路４４として用いられている。
【００３５】前記液晶パネル３１，４１における液晶素
子の材料や液晶層の厚さによって異なる印加電圧−光透
過特性の傾きや閾値電圧Ｖｔｈ等の液晶パネルの温度特
性に対応して抵抗Ｒ１〜Ｒ４の抵抗値を設定することに
よって、さまざまな温度特性の液晶パネルに対応するこ
とができ、常に最適なコントラストで表示させることが
できる。
子の材料や液晶層の厚さによって異なる印加電圧−光透
過特性の傾きや閾値電圧Ｖｔｈ等の液晶パネルの温度特
性に対応して抵抗Ｒ１〜Ｒ４の抵抗値を設定することに
よって、さまざまな温度特性の液晶パネルに対応するこ
とができ、常に最適なコントラストで表示させることが
できる。
【００３６】
【発明の効果】本発明の温度検出回路は、以上のよう
に、相互に異なる２つの温度特性のバイアス電圧源から
のバイアス電圧の差に対応した電圧を出力するようにし
た温度検出回路において、前記バイアス電圧の差を求め
る反転増幅器に対して、第１のバイアス電圧を反転入力
端に与える第１の抵抗と、前記反転入力端と出力端との
間に介在される第２の抵抗とを設け、前記反転増幅器の
出力を増幅する非反転増幅器と、予め定める基準電位を
その反転入力端に与える第３の抵抗と、反転入力端と出
力端との間に介在される第４の抵抗とを設ける。
に、相互に異なる２つの温度特性のバイアス電圧源から
のバイアス電圧の差に対応した電圧を出力するようにし
た温度検出回路において、前記バイアス電圧の差を求め
る反転増幅器に対して、第１のバイアス電圧を反転入力
端に与える第１の抵抗と、前記反転入力端と出力端との
間に介在される第２の抵抗とを設け、前記反転増幅器の
出力を増幅する非反転増幅器と、予め定める基準電位を
その反転入力端に与える第３の抵抗と、反転入力端と出
力端との間に介在される第４の抵抗とを設ける。
【００３７】それゆえ、前記第１および第２の抵抗の抵
抗値を適宜設定することで所望の温度特性を得ることが
でき、また第３および第４の抵抗の抵抗値を適宜設定す
ることで所望の出力電圧値を得ることができる。
抗値を適宜設定することで所望の温度特性を得ることが
でき、また第３および第４の抵抗の抵抗値を適宜設定す
ることで所望の出力電圧値を得ることができる。
【００３８】また、本発明の温度検出回路は、以上のよ
うに、前記２つのバイアス電圧源を、それぞれ、定電流
源と、１または複数段のダイオードとの直列回路で構成
し、前記温度特性の差を前記ダイオードの素子面積の差
によって生じさせる。
うに、前記２つのバイアス電圧源を、それぞれ、定電流
源と、１または複数段のダイオードとの直列回路で構成
し、前記温度特性の差を前記ダイオードの素子面積の差
によって生じさせる。
【００３９】それゆえ、同じ半導体集積回路内に、容易
に形成することができる。
に形成することができる。
【００４０】さらにまた、本発明の液晶駆動装置は、以
上のように、前記請求項１または２記載の温度検出回路
を搭載し、前記非反転増幅器の出力電圧が液晶素子の駆
動に用いられる液晶駆動装置であって、前記第１および
第２の抵抗によって決定される反転増幅器のゲインを液
晶パネルの温度特性に適合させ、前記第３および第４の
抵抗ならびに基準電位によって決定される出力電圧レベ
ルを液晶素子の駆動に必要な電圧に適合させる。
上のように、前記請求項１または２記載の温度検出回路
を搭載し、前記非反転増幅器の出力電圧が液晶素子の駆
動に用いられる液晶駆動装置であって、前記第１および
第２の抵抗によって決定される反転増幅器のゲインを液
晶パネルの温度特性に適合させ、前記第３および第４の
抵抗ならびに基準電位によって決定される出力電圧レベ
ルを液晶素子の駆動に必要な電圧に適合させる。
【００４１】それゆえ、前記第１〜第４の抵抗ならびに
基準電位を設定することで、使用される液晶パネルに適
合した任意の温度特性で、任意の駆動電圧を得ることが
でき、常に最適なコントラストで表示させることができ
る。
基準電位を設定することで、使用される液晶パネルに適
合した任意の温度特性で、任意の駆動電圧を得ることが
でき、常に最適なコントラストで表示させることができ
る。
【図１】本発明の実施の一形態の温度検出回路の電気的
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図２】図１で示す温度検出回路に用いられる２つのバ
イアス電圧源からのバイアス電圧の温度特性を示すグラ
フである。
イアス電圧源からのバイアス電圧の温度特性を示すグラ
フである。
【図３】本発明の実施の他の形態の温度検出回路の電気
的構成を示すブロック図である。
的構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の実施のさらに他の形態の温度検出回路
の電気的構成を示すブロック図である。
の電気的構成を示すブロック図である。
【図５】上述のような温度検出回路を液晶駆動装置にお
ける電源回路として搭載した大画面の液晶表示装置を説
明するための図である。
ける電源回路として搭載した大画面の液晶表示装置を説
明するための図である。
【図６】上述のような温度検出回路を液晶駆動装置にお
ける電源回路として搭載した小画面の液晶表示装置を説
明するための図である。
ける電源回路として搭載した小画面の液晶表示装置を説
明するための図である。
【図７】典型的な従来技術の温度検出回路の電気的構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
１１ 反転増幅器 １２ 非反転増幅器 １３，１４ 電源ライン ２１ 増幅率調整レジスタ ２２ デコーダ ３１ 液晶パネル ３２，３３ 駆動回路 ３４ 電源回路 ４１ 液晶パネル ４２ ＴＣＰ ４３ 駆動回路 ４４ 電源回路 Ｂ１，Ｂ１ａ 第１のバイアス電圧源 Ｂ２ 第２のバイアス電圧源 Ｄ１１，…，Ｄ１ｎ；Ｄ２１，…，Ｄ２ｍ ダイオー
ド Ｄ１１ａ〜Ｄ１ｍａ ダイオード Ｆ１ 第１の定電流源 Ｆ２ 第２の定電流源 Ｐ１，Ｐ２ 接続点 Ｒ１ 第１の抵抗 Ｒ２ 第２の抵抗 Ｒ３ 第３の抵抗 Ｒ４ 第４の抵抗 Ｓ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜Ｓ１ｊ スイッチ
ド Ｄ１１ａ〜Ｄ１ｍａ ダイオード Ｆ１ 第１の定電流源 Ｆ２ 第２の定電流源 Ｐ１，Ｐ２ 接続点 Ｒ１ 第１の抵抗 Ｒ２ 第２の抵抗 Ｒ３ 第３の抵抗 Ｒ４ 第４の抵抗 Ｓ１０〜Ｓ１ｉ；Ｓ２０〜Ｓ１ｊ スイッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 Ｇ０９Ｇ 3/20 Ｊ 3/36 3/36 Ｇ０１Ｋ 7/00 ３９１Ｃ Ｆターム(参考） 2F056 JT01 JT08 2H093 NC57 NC63 ND02 ND44 5C006 AF51 AF52 AF53 AF54 AF78 BB01 BB11 BF25 BF36 BF42 FA19 5C080 AA10 BB01 BB05 DD20 FF01 FF03 JJ01 JJ02 JJ03 JJ05
Claims (3)
- 【請求項１】相対的に急峻な温度特性を有する第１のバ
イアス電圧源からの第１のバイアス電圧と、相対的に緩
やかな温度特性を有する第２のバイアス電圧源からの第
２のバイアス電圧とに対して、反転増幅器がそれらの差
に対応した電圧を出力することで、略前記第１および第
２のバイアス電圧源の相対精度で温度検出を行うことが
できる温度検出回路であって、 前記第１のバイアス電圧を前記反転増幅器の反転入力端
に与える第１の抵抗と、 前記反転増幅器の前記反転入力端と出力端との間に介在
される第２の抵抗と、 前記反転増幅器の出力が非反転入力端に与えられる非反
転増幅器と、 予め定める基準電位を前記非反転増幅器の反転入力端に
与える第３の抵抗と、 前記非反転増幅器の前記反転入力端と出力端との間に介
在される第４の抵抗とを含むことを特徴とする温度検出
回路。 - 【請求項２】前記第１および第２のバイアス電圧源は、
それぞれ、定電流源と、１または複数段のダイオードと
の直列回路が電源ライン間に接続され、前記定電流源と
ダイオードとの接続点から前記反転増幅器の入力端へバ
イアス電圧を与えるように構成され、前記温度特性の差
を前記ダイオードの素子面積の差によって生じさせるこ
とを特徴とする請求項１記載の温度検出回路。 - 【請求項３】前記請求項１または２記載の温度検出回路
を搭載し、前記非反転増幅器の出力電圧が液晶素子の駆
動に用いられる液晶駆動装置であって、 前記第１および第２の抵抗によって決定される反転増幅
器のゲインを液晶パネルの温度特性に適合させ、前記第
３および第４の抵抗ならびに基準電位によって決定され
る出力電圧レベルを液晶素子の駆動に必要な電圧に適合
させることを特徴とする液晶駆動装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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