CN113884208B - 一种高精度过温检测电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种高精度过温检测电路，用于检测待测设备是否过温，包括偏置模块、转换模块、电阻模块和比较模块，偏置模块的第一输入端连接参考电压，偏置模块根据参考电压产生偏置电压；转换模块的第一输入端连接偏置模块的输出端，转换模块的第二输入端连接电阻模块的第一输入端；转换模块根据偏置电压和检测电阻转换输出电流信号；电阻模块包括检测电阻，电阻模块的第一输入端连接偏置模块的第二输入端，电阻模块的第二输入端连接转换模块的输出端；电阻模块产生阈值电压和检测电压；比较模块连接电阻模块的输出端；比较模块对阈值电压和检测电压进行处理输出是否过温的逻辑信号。本发明高精度过温检测电路对待测设备进行检测的结果更加精准。

Description

一种高精度过温检测电路

技术领域

本发明涉及一种检测电路，特别是涉及一种高精度过温检测电路。

背景技术

当下的便携设备中普遍采用锂离子电池，为了保障锂离子的特性而引起的安全以及维持其电芯使用寿命的问题。在使用锂离子电池的过程中，需要限定电池在一定温度范围内进行充放电，所以需要对电池温度或是PCB上功率器件进行实时温度检测，如专利申请公布号为GB2409359A的专利申请，如图1所示，用于对电池1的温度进行检测，电路包括传感器2、固定电阻3、时序电路9、采样保持电路8和迟滞比较器12，传感器2采样电阻器NTC，电阻器NTC阻值会随着检测的电池温度产生非线性的变化；具体是通过传感器2对电池1的温度进行检测，然后利用传感器2的NTC电阻和固定电阻3组成的电阻分压支路对电源电压进行分压，通过NTC电阻和固定电阻3之间的分压节点6输出分压信号；时序电路9为根据外部信号输出固定频率的时钟信号，用于控制电阻分压支路上的第一联动开关7和与分压节点6连接的第二联动开关10的开闭状态，即通过外部输入的固定频率的时钟信号控制分压节点6是否向采样保持电路8输出分压信号；采样保持电路8的运算放大器对分压信号进行放大输出检测电压，迟滞比较器13对检测电压和固定参考电压进行比较判断，输出过温的检测信号。

上述过程在实现过温的比较判断过程时，采样外部预先设置的固定频率信号来控制电阻器NTC接入检测电路，并输出分压信号给采样保持电路。该过程一方面对电源电压进行分压，由于电源电压的变化会干扰温度检测的精度；另一方面，待测设备实际温度变化的速度是比较慢的，检测电阻检测的电压随时间的斜率也很小，而且比较器的增益有限，再考虑检测电阻连线的寄生电阻和干扰环境下就会造成比较器在比较过程中容易误翻转造成比较不准确。因此，亟需一种解决技术问题的技术方案。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种高精度过温检测电路，用于解决现有技术中过温检测电路检测结果精度低的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种高精度过温检测电路，用于检测待测设备是否过温，所述高精度过温检测电路包括偏置模块、转换模块、电阻模块和比较模块：

所述偏置模块的第一输入端连接参考电压，所述偏置模块根据所述参考电压产生偏置电压；所述参考电压为所述高精度过温检测电路所在芯片的内部电压；

所述转换模块的第一输入端连接所述偏置模块的输出端，所述转换模块的第二输入端连接所述电阻模块的第一输入端；所述转换模块根据所述偏置电压和所述检测电阻转换输出电流信号；

所述电阻模块包括检测电阻，所述电阻模块的第一输入端连接所述偏置模块的第二输入端，所述电阻模块的第二输入端连接所述转换模块的输出端；所述电阻模块根据所述检测电阻产生检测电压，所述电阻模块根据所述电流信号产生阈值电压，所述阈值电压对应于所述待测设备过温的温度值，所述检测电压对应于通过所述检测电阻感应到的所述待测设备的实时温度值；

所述比较模块连接所述电阻模块的输出端；所述比较模块对所述阈值电压和所述检测电压进行处理以输出是否过温的逻辑信号。

优选地，所述电阻模块还包括：

第一电阻支路，所述第一电阻支路的第一端连接所述偏置模块的第二输入端，所述第一电阻支路的第二端连接所述检测电阻的第一端，所述检测电阻的第二端连接公共接地端；第一电阻支路用于产生所述检测电压；

第二电阻支路，所述第二电阻支路的第一端连接所述转换模块的输出端，所述第二电阻支路的第二端连接公共接地端；所述第二电阻支路用于产生所述阈值电压。

优选地，所述转换模块包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极和连接所述偏置模块的输出端；所述第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极连接所述高精度过温检测电路的供电电压；所述第一PMOS管的漏极连接所述第一电阻支路的第一端；所述第二PMOS管的漏极为所述转换模块的输出端。

优选地，所述转换单元包括第一PMOS管、第二PMOS管和NMOS管；所述NMOS管的栅极连接所述偏置模块的输出端，所述NMOS管的源极连接所述偏置模块的第二输入端；所述NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极、所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极；所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接所述高精度过温检测电路的供电电压；所述第二PMOS管的漏极连接为所述转换模块的输出端。

优选地，所述电阻模块的输出端包括：

第一分压点，所述第一分压点为所述第一电阻支路的第二端，通过所述第一分压点产生所述检测电压；

第二分压点，所述第二电阻支路包括至少两个电阻，选择所述第二电阻支路上的任一电阻的端电压作为所述第二分压点，所述第二分压点的电压不为零，通过第二分压点产生所述阈值电压。

优选地，所述比较模块的第一输入端连接第一分压点，所述比较模块的第二输入端连接第二分压点。

优选地，所述高精度过温检测电路还包括RC电路，所述RC电路包括：

滤波电阻，所述滤波电阻的一端连接所述比较模块的第二输入端，所述滤波电阻的另一端连接所述第二分压点；

第二电容，所述第二电容的上极板连接所述比较模块的第二输入端，所述第二电容的下极板连接公共接地端。

优选地，所述高精度过温检测电路还包括第一电容，所述第一电容的上极板连接所述偏置模块的第二输入端，所述第一电容的下极板连接公共接地端。

优选地，所述偏置模块包括运算放大器，所述运算放大器的反相输入端连接所述参考电压，所述运算放大器的正相输入端连接电阻模块的第一输入端，所述运算放大器的输出端连接所述转换模块的第一输入端。

优选地，所述高精度过温检测电路还包括偏置电流，所述偏置电流的正极连接所述转换模块的输出端，所述偏置电流的负极连接公共接地端。

如上所述，本发明的一种高精度过温检测电路，具有以下有益效果：

本发明提供的一种高精度过温检测电路，用于检测待测设备是否过温，包括：偏置模块、转换模块、电阻模块和比较模块，偏置模块的第一输入端连接参考电压，偏置模块根据参考电压产生偏置电压；转换模块的第一输入端连接偏置模块的输出端，转换模块的第二输入端连接电阻模块的第一输入端；转换模块根据偏置电压和检测电阻转换输出电流信号；电阻模块包括检测电阻，电阻模块的第一输入端连接偏置模块的第二输入端，电阻模块的第二输入端连接转换模块的输出端；电阻模块产生阈值电压和检测电压；比较模块连接电阻模块的输出端；比较模块对阈值电压和检测电压进行处理以输出是否过温的逻辑信号。本发明的偏置模块根据电路内部芯片的电压作为参考电压输出偏置电压，能够减少电源的供电电压变化产生的电压波纹干扰；同时电阻模块通过检测电阻产生阈值电压和检测电压，能够避免比较模块发生无翻转造成的比较错误，从而提高检测结果的精度。

附图说明

图1显示为现有技术中过温检测的电路结构示意图。

图2显示为本发明高精度过温检测电路的原理图。

图3显示为本发明实施例一中的高精度过温检测电路的一种结构示意图。

图4显示为本发明实施例一中的高精度过温检测电路的另一结构示意图。

图5显示为本发明实施例二中的高精度过温检测电路的第一种结构示意图。

图6显示为本发明实施例二中的高精度过温检测电路的第二种结构示意图。

图7显示为本发明实施例二中的高精度过温检测电路的第三种结构示意图。

图8显示为本发明实施例三中的高精度过温检测电路的结构示意图。

元件标号说明

1 电池

2 传感器

3 固定电阻

6 分压节点

7 第一联动开关

8 采样保持电路

9 时序电路

10 第二联动开关

12 运算放大器

13 迟滞比较器

100 偏置模块

200 转换模块

300 电阻模块

400 比较模块

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图2-8。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

实施例一：

本发明提出一种高精度过温检测电路，用于检测待测设备是否过温，所述高精度过温检测电路包括偏置模块100、转换模块200、电阻模块300和比较模块400：

所述偏置模块100的第一输入端连接参考电压，所述偏置模块100根据所述参考电压产生偏置电压；所述参考电压为所述高精度过温检测电路所在芯片的内部电压；

所述转换模块200的第一端连接所述偏置模块100的输出端，所述转换模块200的第二端连接所述电阻模块300的第一端；所述转换模块200根据所述偏置电压和所述检测电阻转换输出电流信号；

所述电阻模块300包括检测电阻，所述电阻模块300的第一端连接所述偏置模块100的第二输入端，所述电阻模块300的第二端连接所述转换模块200的输出端；所述电阻模块300根据所述检测电阻产生检测电压，所述电阻模块300根据所述电流信号产生阈值电压，所述阈值电压对应于所述待测设备过温的温度值，所述检测电压对应于通过所述检测电阻感应到的所述待测设备的实时温度值；

所述比较模块400连接所述电阻模块300的输出端；所述比较模块400对所述阈值电压和所述检测电压进行处理以输出是否过温的逻辑信号。

本发明的偏置模块100根据电路内部芯片的电压作为参考电压输出偏置电压，相较于外部电源的供电电压作为参考电压，能够减少电源的供电电压变化产生的电压波纹干扰；同时电阻模块300通过检测电阻产生阈值电压和检测电压，能够避免比较模块400发生无翻转造成的比较错误，从而提高检测结果的精度。

如图2所示为本发明高精度过温检测电路的原理示意图；以下结合图2对本发明的技术进行详细的描述。

本发明实施例中，电阻模块300还包括第一电阻支路和第二电阻支路；所述第一电阻支路的第一端连接所述偏置模块100的第二输入端，所述第一电阻支路的第二端连接所述检测电阻的第一端，所述检测电阻的第二端连接公共接地端；第一电阻支路用于产生所述检测电压；所述第二电阻支路的第一端连接所述转换模块200的输出端，所述第二电阻支路的第二端连接公共接地端；所述第二电阻支路用于产生所述阈值电压。

相对应的，电阻模块300的输出端包括第一分压点和第二分压点，所述第一分压点为所述第一电阻支路的第二端，通过所述第一分压点产生所述检测电压；所述第二电阻支路包括至少两个电阻，选择所述第二电阻支路上的任一电阻的端电压作为所述第二分压点，所述第二分压点的电压不为零，通过第二分压点产生所述阈值电压。

在本发明实施例中，所述比较模块400的第一输入端连接第一分压点，所述比较模块400的第二输入端连接第二分压点。比较模块400包括比较器，通过比较器对阈值电压和检测电压进行比较输出是否过温的逻辑信号。

本发明的转换模块200根据检测电阻得到正比于温度的电流信号，再根据电流信号，通过第二电阻支路得到阈值电压，阈值电压可以根据第二分压点的选取方式适用于多种不同阻值的检测电阻R_NTC。并且，对检测电阻R_NTC的长连线(图中虚线，在实际检测时，检测电阻相对过温检测电路而言，需要延长比较长的线路才能靠近待测设备)的寄生电阻不敏感、抗干扰能力强。

本发明电阻模块300中的第一电阻支路基于检测电阻在其上的第一分压点产生检测电压，第二电阻支路基于检测电阻在其上的第二分压点产生阈值电压，也就是说，阈值电压和检测电压都是根据检测电阻产生的，而检测电阻靠近待测设备，用于感应待测设备的温度，而比较模块400根据检测电阻得到的阈值电压和检测电压进行比较能够输出的过温保护信号更加准确。

基于上述对结构的描述，本发明高精度过温检测电路的工作过程为：首先偏置模块100根据参考电压输出偏置电压，转换模块200根据偏置电压和电阻模块300的检测电阻产生一个随温度变化的电流信号，电阻模块300根据电流信号产生阈值电压，同时，电阻模块300还根据检测电阻产生检测电压，最后，比较模块400对阈值电压和检测电压进行处理输出是否过温的逻辑信号。

根据本发明的技术构思，给出如图3所示的一种高精度过温检测电路的结构示意图，以下对图3的高精度过温检测电路的结构进行详细的描述。

在本发明实施例中，所述偏置模块100包括运算放大器BUFF，所述运算放大器BUFF的反相输入端(偏置模块100的第一输入端)连接所述参考电压VREF，所述运算放大器的正相输入端(偏置模块100的第二输入端)连接电阻模块300的第一端，所述运算放大器的输出端(偏置模块100的输出端)连接所述转换模块200的第一端。运算放大器BUFF的对参考电压和电阻模块300第一端的电压的差值进行放大之后，从偏置模块的输出端输出偏置电压提供给转换模块200。本发明实施例中使用运算放大器BUFF可以隔离电源噪声保证比较输出的精度。

在本发明实施例中，所述转换模块200包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2和NMOS管MN1；所述NMOS管MN1的栅极连接所述偏置模块100的输出端，所述NMOS管MN1的源极连接所述偏置模块100的第二输入端；所述NMOS管MN1的漏极连接所述第一PMOS管MP1的漏极、所述第一PMOS管MP1的栅极和所述第二PMOS管MP2的栅极；所述第一PMOS管MP1的源极和所述第二PMOS管MP2的源极连接所述高精度过温检测电路的供电电压；所述第二PMOS管MP2的漏极为所述转换模块200的输出端。

本发明的转换模块200将检测电阻的转换为正比于待测设备的实时温度值的电信号，换句话讲，就是利用检测电阻来产生一个正温度系数的电流信号，以利于电阻模块300产生的阈值电压和检测电压均与待测设备的温度相关。

在本发明实施例中，电阻模块300的第一电阻支路包括一个电阻，第二电阻支路包括至少两个电阻，检测电阻为采样阻值具有负温度系数的热敏电阻器R_NTC；具体的，

第一电阻支路包括固定电阻Rs，固定电阻Rs的上端(第一电阻支路的第一端)连接运算放大器BUFF的正相输入端，固定电阻Rs的下端(第一电阻支路的第二端)连接检测电阻R_NTC的上端，检测电阻R_NTC的下端接地；第一电阻支路上仅有一个电阻，因此，固定电阻Rs的下端(第一电阻支路的第二端)就作为了电阻桥的第一分压点，那么，固定电阻Rs的下端的端电压为检测电压。

第二电阻支路至少包括依次串联的第一电阻R1、第二电阻R2……第n电阻Rn，选择上第一电阻R1的上端(第二电阻支路的第一端)作为第二分压点，那么，第一电阻R1的上端的端电压为阈值电压。

由于第二分压点为第二电阻支路上的任一非零电压，作为其他实施方式，如图4所示，第二分压点为第一电阻R1和第二电阻R2的中间连接点。

对于第二分压点的确定，在本发明实施例中是直接给出的示例；作为其他实施方式，第二分压点的确定可以通过增设选择模块进行确定，例如选择模块可以为开关结构，具体选择模块的结构不在本发明实施例中详细介绍，只要满足能够控制使第二电阻支路上的任一非零电压的连接点与比较模块400的第一端连接即可。

在本发明实施例中，比较模块400包括比较器，比较器的第一输入端连接第一分压点，

具体的，本发明的高精度过温检测电路首先利用运算放大器BUFF对参考电压进行放大产生随温度变化的电压信号和电流信号，电压信号是指检测电阻R_NTC上端的节点电压VSENSE为VREF*(R_NTC/(Rs+R_NTC)，该电压信号反比于待测设备的温度；然后转换模块200将该节点电压VSENSE转换为电流信号，电流信号流过第一PMOS管MP1时，第一PMOS管MP1的电流为I_MP1＝VREF/(Rs+R_NTC)，第一PMOS管MP1的电流正比于待测设备的温度；最后，经转换模块200输出的电流流经第二电阻支路，产生正比于温度的电压，即阈值电压为VREF/(Rs+R_NTC)*(R1+R2+……+Rn)，由于阈值电压的计算中，电阻同时出现在分子和分母上，其电阻的工艺偏差可以相互抵消，从而提高阈值电压的准确性，进一步提高比较结果的更加准确。

根据对具体过程的分析可知，本发明是用正温度系数的阈值电压和负温度系数的检测电压进行比较，在设定温度检测点的电压变化率为-1*⊿[VREF*(R_NTC/(Rs+R_NTC))]/⊿T+⊿[VREF/(Rs+R_NTC)*(R1+R2+……+Rn)]/⊿T，因此具有更高的灵敏度和抗噪声能力，能够提高检测的精度。

实施例二：

本实施例的电路结构与实施例一的区别在于，高精度过温检测电路还包括降噪功能，以进一步提高检测结果的精度。

为实现降噪目的，本发明实施例中，如图5所示，高精度过温检测电路还包括RC电路，所述RC电路包括：

滤波电阻Rc，所述滤波电阻的一端连接所述比较模块400的第二输入端，所述滤波电阻的另一端连接所述第二分压点；

第二电容C2，所述第二电容C2的上极板连接所述比较模块400的第二输入端，所述第二电容C2的下极板连接公共接地端。

本发明实施例中，RC电路是为检测电压降噪，具体是滤除检测电阻R_NTC上长连线(图中虚线，在实际检测时，检测电阻相对过温检测电路而言，需要延长比较长的线路才能靠近待测设备)的噪声。

为进一步提高降噪效果，本发明实施例中，所述高精度过温检测电路还包括第一电容C1，所述第一电容C1的上极板连接所述偏置模块100的第二输入端，所述第一电容C1的下极板连接公共接地端。本发明通过设置的第一电容C1，能够为电阻模块300的第一端(电源端)降噪，从而提高阈值电压的准确性。

由于检测电阻R_NTC上长连线(图中虚线，在实际检测时，检测电阻相对过温检测电路而言，需要延长比较长的线路才能靠近待测设备)很容易被噪声干扰，因此，设置第一电容C1、第二电容C2和滤波电阻Rc，通常情况下，固定电阻Rs远大于长连线的寄生电阻，通过第一电容C1、第二电容C2和滤波电阻Rc能够有效滤除干扰、提高噪声能力，使通过检测电阻R_NTC输出的节点电压VSENSE更加准确，从而使比较器输出的比较结果精度更高。

在本发明实施例中，如图6所示，转换模块200还包括微电阻Rx，微电阻Rx的上端连接高精度过温检测电路的供电电压，微电阻Rx的下端连接第一PMOS管MP1的源极。通过微电阻Rx、第一PMOS管MP1和第二PMOS管MP2组成电流镜结构，能够非线性改变电流镜的比例。

在本发明实施例中，如图7所示，高精度过温检测电路还包括偏置电流，所述偏置电流的正极连接所述转换模块200的输出端，所述偏置电流的负极连接公共接地端。

本发明的偏置电流可以是固定电流，也可以是带温度系数的电流，用于调整比较的温度点，通过采用偏置电流改变输出比例电流的温度系数，从而提高阈值电压的精度。

实施例三：

本实施例的电路结构与实施例一、实施例二的区别在于，转换模块200的具体结构不同，如图8所示，所述转换模块200包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极和连接所述偏置模块100的输出端；所述第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极连接所述高精度过温检测电路的供电电压；所述第一PMOS管的漏极连接所述第一电阻支路的第一端；所述第二PMOS管的漏极为所述转换模块200的输出端。

综上所述，本发明提供的一种用于检测待测设备是否过温的高精度过温检测电路，包括偏置模块、转换模块、电阻模块和比较模块，偏置模块的第一输入端连接参考电压，偏置模块根据参考电压产生偏置电压；转换模块的第一输入端连接偏置模块的输出端，转换模块的第二输入端连接电阻模块的第一输入端；转换模块根据偏置电压和检测电阻转换输出电流信号；电阻模块包括检测电阻，电阻模块的第一输入端连接偏置模块的第二输入端，电阻模块的第二输入端连接转换模块的输出端；电阻模块产生阈值电压和检测电压；比较模块连接电阻模块的输出端；比较模块对阈值电压和检测电压进行处理以输出是否过温的逻辑信号。本发明的偏置模块根据电路内部芯片的电压作为参考电压输出偏置电压，能够减少电源的供电电压变化产生的电压波纹干扰；同时电阻模块通过检测电阻产生阈值电压和检测电压，能够避免比较模块发生误翻转造成的比较错误，从而提高检测结果的精度；另外，增设的电容和电阻可以滤除噪声，提高电路的抗干扰能力，因此，本发明的高精度过温检测电路能够输出更加精准的比较结果。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (7)

1.一种高精度过温检测电路，用于检测待测设备是否过温，其特征在于，所述高精度过温检测电路包括偏置模块、转换模块、电阻模块和比较模块：

所述偏置模块的第一输入端连接参考电压，所述偏置模块根据所述参考电压产生偏置电压；所述参考电压为所述高精度过温检测电路所在芯片的内部电压；

所述转换模块的第一输入端连接所述偏置模块的输出端，所述转换模块的第二输入端连接所述电阻模块的第一输入端；所述转换模块根据所述偏置电压和检测电阻转换输出电流信号；

所述电阻模块包括检测电阻，所述电阻模块的第一输入端连接所述偏置模块的第二输入端，所述电阻模块的第二输入端连接所述转换模块的输出端；所述电阻模块根据所述检测电阻产生检测电压，所述电阻模块根据所述电流信号产生阈值电压，所述阈值电压对应于所述待测设备过温的温度值，所述检测电压对应于通过所述检测电阻感应到的所述待测设备的实时温度值；

所述比较模块连接所述电阻模块的输出端；所述比较模块对所述阈值电压和所述检测电压进行处理以输出是否过温的逻辑信号；

所述电阻模块还包括：

第一电阻支路，所述第一电阻支路的第一端连接所述偏置模块的第二输入端，所述第一电阻支路的第二端连接所述检测电阻的第一端，所述检测电阻的第二端连接公共接地端；第一电阻支路用于产生所述检测电压；

第二电阻支路，所述第二电阻支路的第一端连接所述转换模块的输出端，所述第二电阻支路的第二端连接公共接地端；所述第二电阻支路用于产生所述阈值电压；

所述电阻模块的输出端包括：

第一分压点，所述第一分压点为所述第一电阻支路的第二端，通过所述第一分压点产生所述检测电压；

第二分压点，所述第二电阻支路包括至少两个电阻，选择所述第二电阻支路上的任一电阻的端电压作为所述第二分压点，所述第二分压点的电压不为零，通过第二分压点产生所述阈值电压；

所述偏置模块包括运算放大器，所述运算放大器的反相输入端连接所述参考电压，所述运算放大器的正相输入端连接电阻模块的第一输入端，所述运算放大器的输出端连接所述转换模块的第一输入端。

2.根据权利要求1所述的高精度过温检测电路，其特征在于：所述转换模块包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极并连接所述偏置模块的输出端；所述第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极连接所述高精度过温检测电路的供电电压；所述第一PMOS管的漏极连接所述第一电阻支路的第一端；所述第二PMOS管的漏极为所述转换模块的输出端。

3.根据权利要求1所述的高精度过温检测电路，其特征在于：所述转换模块包括第一PMOS管、第二PMOS管和NMOS管；所述NMOS管的栅极连接所述偏置模块的输出端，所述NMOS管的源极连接所述偏置模块的第二输入端；所述NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极、所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极；所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接所述高精度过温检测电路的供电电压；所述第二PMOS管的漏极为所述转换模块的输出端。

4.根据权利要求1所述的高精度过温检测电路，其特征在于：所述比较模块的第一输入端连接第一分压点，所述比较模块的第二输入端连接第二分压点。

5.根据权利要求4所述的高精度过温检测电路，其特征在于：所述高精度过温检测电路还包括RC电路，所述RC电路包括：

滤波电阻，所述滤波电阻的一端连接所述比较模块的第二输入端，所述滤波电阻的另一端连接所述第二分压点；

第二电容，所述第二电容的上极板连接所述比较模块的第二输入端，所述第二电容的下极板连接公共接地端。

6.根据权利要求1所述的高精度过温检测电路，其特征在于：所述高精度过温检测电路还包括第一电容，所述第一电容的上极板连接所述偏置模块的第二输入端，所述第一电容的下极板连接公共接地端。

7.根据权利要求1所述的高精度过温检测电路，其特征在于：所述高精度过温检测电路还包括偏置电流，所述偏置电流的正极连接所述转换模块的输出端，所述偏置电流的负极连接公共接地端。