KR20010107561A

KR20010107561A - 온도검출회로 및 이를 사용한 액정구동장치

Info

Publication number: KR20010107561A
Application number: KR1020010023470A
Authority: KR
Inventors: 나카무라토시히로; 모노모시마사히코
Original assignee: 마찌다 가쯔히꼬; 샤프 가부시키가이샤
Priority date: 2000-05-25
Filing date: 2001-04-30
Publication date: 2001-12-07
Also published as: US6831626B2; JP2001336987A; JP3558959B2; US20010048421A1; TW526326B; KR100386812B1

Abstract

본 발명의 온도검출회로에서, 상대적으로 급증하는 온도특성을 갖는 바어스 전압(Vin)은 저항(R1)을 통해 반전증폭기의 반전입력단에 공급되며, 저항(R2)은 반전증폭기의 반전입력단과 출력단 사이에 개재되며, 반전 증폭기의 출력은 비반전 증폭기의 비반전 입력단에 공급되고, 비반전 증폭기의 반전 입력단은 저항(R3)을 통해 레퍼런스 전위의 소스(source)에 접속되며, 저항(R4)을 통해 출력단에도 접속된다. 저항(R1,R2)의 저항치를 적절히 설정함으로써 소망의 온도특성을 얻을 수 있는 반면, 저항(R3,R4)의 저항치를 적절히 설정함으로써 반전증폭기에 의해 얻어지는 온도특성에 대해 소망의 출력전압치를 얻을 수 있다. 이로써, 서로 다른 온도특성을 갖는 2개의 바이어스 전압(Vin,Vbias)간의 차에 따른 전압을 출력하기 위한 반전 증폭기에 의해, 상대적으로 정확히 2개의 바이어스 전압원간의 온도를 검출할 수 있으며, 상기 온도검출회로를 다양한 온도특성에 적합하게 함으로써 동적 범위를 출력할 수 있다.

Description

온도검출회로 및 이를 사용한 액정구동장치{TEMPERATURE DETECTING CIRCUIT AND LIQUID CRYSTAL DRIVING DEVICE USING SAME}

본 발명은 온도검출회로에 관한 것으로, 특히 반도체집적회로에 있는 회로소자의 온도-전압 특성을 이용하여 온도검출을 행하는 온도검출회로에 관한 것이며, 상기 검출결과에 따라 액정소자의 온도특성을 구동전압으로 보상하는 액정구동장치에 관한 것이다.

반도체집적회로에 있는 회로소자의 온도-전압특성을 이용하여 온도를 검출하는 상기 회로로서, 전형적인 종래 기술은 일본국 공개특허공보 제91-48737호(공개일 1991년 3월 1일)에 개시되어 있다. 도7은, 종래 기술의 온도검출회로의 전기적 구성을 나타내는 블록도이다. 상기 종래 기술에는 제1 바이어스 전압원(b1), 제2 바이어스 전압원(b2), 및 증폭기(3)가 제공된다. 상기 제1 바이어스 전압원(b1)은 전원선(1)과 전원선(2) 사이에 정전류원(f1)과 복수의 다이오드(d11∼d1n)를 포함하는, 직렬 회로를 접속함으로써 구성되는 반면, 상기 제2 바이어스 전압원(b2)은, 전원선(1)과 전원선(2) 사이에 정전류원(f2)과 복수의 다이오드(d21∼d2m)를 포함하는, 직렬회로를 접속함으로써 구성된다. 상기 증폭기(3)는 제1 및 제2 바이어스 전압원(b1,b2)으로부터의 제1 및 제2 바이어스간의 전압차를 각각 증폭하여 출력하기 위한 것이다. 상기 정전류원(f1)과 상기 다이오드(d1n)간의 접속점은 제1의 바이어스 전압의 출력단으로, 상기 증폭기(3)의 2개의 입력단중 하나에 접속되는 반면, 상기 정전류원(f2)과 다이오드(d2m)간의 접속점은 제2의 바이어스 전압용 출력단으로, 상기 증폭기(3)의 타 입력단에 접속된다.

n≠m 이므로, 정전류원(f1,f2)의 전류치가 서로 같을 때, 단일 다이오드의애노드(anode)와 캐소드(cathode)간 전압이 Vac[V]이고, 전원선(1)의 전위가 레퍼런스라면, 증폭기(3)의 입력단중 하나에는 - n × Vac[V]의 전압이 생성되는 반면, 다른 입력단에서는 - m × Vac[V]의 전압이 생성된다. 그 결과, 상기 2개의 입력단 사이에는 (m-n) × Vac[V]의 오프셋(offset)이 생성된다. 따라서, 단일 다이오드의 애노드와 캐소드간 전압의 온도 의존성이 △Vac[V/℃]일 때, T[℃]만큼의 온도 변화는 증폭기(3) 입력단간의 오프셋을 T × (m-n) × △Vac[V]만큼 변동시킨다. 따라서, A가 상기 증폭기(3)의 이득일 때, A × T (m-n) × △Vac[V]를 얻는다.

상기 종래 기술에서, 두 전압간의 차, 즉 제1 바이어스 전압원(b1)의 다이오드(d11∼d1n)로부터의 전압과 제2 바이어스 전압원(b2)의 다이오드(d21∼d2m)로부터의 전압간의 차가 검출된 온도로 출력되기 때문에, 각각의 다이오드(d11∼d1n, d21∼d2m)의 소자특성이 동일한 한, 제1 및 제2 바이어스 전압원(b1,b2)간 온도검출을 상대적으로 정밀하게 할 수 있다. 따라서, 각각의 소자에 높은 정밀도를 요구하지 않고, 온도검출을 매우 정확하게 할 수 있다.

상기 종래 기술의 문제점은 온도검출감도를 임의로 조절할 수 없고, 소망의 레벨로 출력전압이 증폭될 수 없다는 점이다. 특히, 액정패널은 주위온도에 따라, 액정재료의 인가전압-광투과 특성의 관계 및 임계전압(Vth) 특성 등과 같이 크게 변동하는 일부 특성을 가진다. 따라서, 가장 적합한 콘트라스트로 일정하게 표시하기 위해서는 구동전압을 주위온도에 따라 변화시킬 필요가 있다. 또한, 액정소자의 다른 유형의 재료, 또는 액정층의 다른 두께를 가진 동일 재료이더라도 임계전압(Vth)과 같은 특성에 있어서 약간의 차이점을 나타낸다.

본 발명의 목적은 각종 온도특성에 적합하고 동적 범위를 출력할 수 있는 온도검출회로를 제공하는 것이다.

본 발명의 온도검출회로는 상대적으로 급증하는 온도특성을 갖는 제1 바이어스 전압원으로부터의 제1의 바이어스 전압과, 상대적으로 완만한 온도특성을 갖는 제2 바이어스 전압원으로부터의 제2 바이어스 전압간의 차에 따른 전압을 출력하기 위한 반전증폭기를 포함하며, 상기 반전증폭기는 제1 바이어스 전압과 제2 바이어스 전압간의 차에 따른 전압을 출력하여 상기 제1 및 제2 바이어스 전압원간의 온도검출을 상대적으로 정확히 행하고, 상기 온도검출회로는, 상기 제1 바이어스 전압을 상기 반전 증폭기의 반전 입력단에 공급하기 위한 제1 저항, 상기 반전 증폭기의 반전 입력단과 출력단 사이에 개재되는 제2 저항, 상기 반전 증폭기로부터 출력을 수신하기 위한 비반전 입력단을 갖는 비반전 증폭기, 소정의 레퍼런스 전위를 상기 비반전 증폭기의 반전 입력단에 공급하기 위한 제3 저항, 및 상기 비반전 증폭기의 반전 입력단과 출력단 사이에 개재되는 제4 저항을 포함한다.

상기 구성에서, 상대적으로 급증하는 온도특성을 갖는 제1 바이어스 전압원으로부터의 제1 바이어스 전압(Vin)은 반전 증폭기의 반전 입력단에 공급되는 반면, 상대적으로 완만한 온도특성을 갖는 제2 바이어스 전압원으로부터의 제2 바이어스 전압(Vbias)은 상기 반전 증폭기의 비반전 입력단에 공급되고, 상기 제1 바이어스 전압원과 반전 입력단 사이에 제1 저항(R1)을 위치시키고 상기 반전 입력단과 출력단 사이에 제2 저항(R2)을 위치시킴으로써, 반전 증폭기로부터의출력전압(Vout1)은 다음과 같다:

Vout1 = - (Vin - Vbias) × R2/Rl + Vbias.

따라서, 제2(Vbias) 및 제1(Vin) 바이어스 전압간의 차는 제1 저항에 대한 제2 저항의 비율로 곱한 후, 상대적으로 완만한 온도경사를 갖는 제2바이어스 전압(Vbias)에 가산된다. 따라서, 상기 제1 및 제2 바이어스 전압원간의 온도검출을 상대적으로 정확히 행할 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 저항의 저항치를 적절히 설정함으로써, 소망의 온도특성을 얻을 수 있다.

또한, 반전 증폭기로부터의 출력전압(Vout1)은, 반전 입력단에서 제3 저항을 통한 레퍼런스 전위와 제4 저항을 통한 피드백 출력을 수신하는, 비반전 증폭기의 비반전 입력단에 공급됨으로써 증폭된다.

따라서, 상기 반전 증폭기로 얻어지는 온도특성은, 상기 제3 및 제4 저항의 저항치를 적절히 설정함으로써 소망의 출력 전압치를 가질 수 있다.

또한, 본 발명의 온도검출회로는, 제1 및 제2 바이어스 전압원을 포함하며, 상기 제1 및 제2 바이어스 전압원은, 전원선 사이에 정전류원과 단일 다이오드 또는 복수단의 다이오드들을 접속한 직렬 회로를 각각 포함하고, 상기 정전류원과 단일 다이오드 또는 복수단의 다이오드들 사이의 각각의 접속점으로부터, 바이어스 전압을 상기 반전 증폭기의 입력단에 공급하여, 각각의 바이어스 전압원의 다이오드 사이의 소자면적 차에 의한 온도특성간의 차를 생성한다.

상기 구성에서, 상기 제1 및 제2 바이어스 전압원 사이의 다이오드마다 다른 면적을 갖거나, 또는 상기 제1 및 제2 바이어스 전압원 사이에 동일 면적을 갖는다이오드의 서로 다른 수의 병렬접속점을 갖도록 준비되는, 서로 다른 전류능력을 갖는 다이오드는, 정전류원으로부터의 정전류에 의해 동작점을 고정함으로써 동작되고, 따라서 다른 온도특성을 가지며 단일 반도체집적회로 내에 다이오드들을 용이하게 형성할 수 있다.

또한, 본 발명의 액정구동장치는 온도검출회로를 포함하고, 비반전 증폭기의 출력전압을 액정소자의 구동에 이용하며, 상기 액정구동장치는, 제1 및 제2 저항에 의해 결정되어 액정패널의 온도특성에 적합하게 되는 반전 증폭기의 이득을 가지며, 제3 및 제4 저항과 레퍼런스 전위에 의해 결정되어 액정소자를 구동하는데 필요한 전압에 적합하게 되는 출력전압레벨을 갖는다.

상기 구성에서, 반전 증폭기의 이득은, 제1 및 제2 저항의 저항치를 설정함으로써, 액정소자의 재료 유형이나 액정층의 두께에 따라 변하는, 인가전압-광투과 특성의 관계 또는 임계전압(Vth) 등과 같은, 액정패널의 온도특성에 적합하게 되며, 출력전압레벨은, 제3 및 제4 저항과 레퍼런스 전위를 설정함으로써 액정소자를 구동하는데 필요한 전압에 적합하게 된다.

따라서, 제1 내지 제4 저항 및 레퍼런스 전위를 설정함으로써, 사용중인 액정패널에 적합한 온도특성을 가진 임의의 구동전압을 얻을 수 있고, 따라서 최적의 콘트라스트로 일정하게 표시를 할 수 있다.

본 발명의 본질과 장점을 더 완전히 이해하기 위해서는, 첨부도면과 결부된 이하의 상세한 설명을 참조해야 한다.

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 온도검출회로의 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.

도2는 도1에 도시된 온도검출회로에서 이용되는 2개의 바이어스 전압원으로부터 바이어스 전압의 온도특성을 나타내는 그래프이다.

도3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 온도검출회로의 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.

도4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 온도검출회로의 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.

도5는 상기와 같은 온도검출회로가, 액정구동장치의 전원공급회로로서 제공되는 대형화면 액정표시장치를 나타내는 도면이다.

도6은 상기와 같은 온도검출회로가, 액정구동장치의 전원공급회로로서 제공되는 소형화면 액정표시장치를 나타내는 도면이다.

도7은 전형적인 종래 온도검출회로의 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.

도1 및 도2를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예를 설명한다.

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 온도검출회로의 전기적 구성을 나타내는 블록도이다. 상기 온도검출회로는, 대략, 반도체집적회로에 내장된 소자들, 즉: 온도경사를 생성하는 제1 및 제2 바이어스 전압원(B1,B2), 상기 바이어스 전압원(Bl,B2)으로부터의 제1 및 제2 바이어스 전압(Vin,Vbias)간의 차를 증폭하여 출력하는 반전 증폭기(11) 및 비반전 증폭기(12), 상기 반전 증폭기(11)의 이득을 설정하는 제1 및 제2 저항(R1,R2), 상기 비반전 증폭기(12)의 이득 및 레퍼런스 전위를 설정하는 제3 및 제4 저항(R3,R4)으로 각각 구성된다.

바이어스 전압원(B1)은, 전원선(13)과 전원선(14) 사이에 제1 정전류원(F1)과 복수의 다이오드(D11∼D1n)를 접속하는 직렬 회로에 의해 구성된다. 정전류원(F1)과 다이오드(D11) 사이의 접속점(P1)은 제1 바이어스 전압(Vin)의 출력단(반전 증폭기(11)에 대해서는 입력단(제1 입력단))이다. 제2 바이어스 전압원(B2)은, 전원선(13)과 전원선(14) 사이에 제2 정전류원(F2)과 복수의 다이오드(D21∼D2m)를 접속하는 직렬 회로에 의해 구성된다. 정전류원(F2)과 다이오드(D21) 사이의 접속점(P2)은 제2 바이어스 전압(Vbias)의 출력단(반전 증폭기(11)에 대해서는 입력단(제2 입력단))이다. 다이오드(D11∼D1n)는 정전류원(F1)과 위치를 교환할 수 있는 반면, 다이오드(D21∼D2m)의 위치 또한 정전류원(F2)과 교환 가능하다.

각각의 다이오드(D11∼D1n)와 각각의 다이오드(D21∼D2m)는 동일한 소자특성 및 소자면적을 가지며, 여기서 n은 m보다 크다. 따라서, 도2에 도시된 바와 같이,보다 많은 소자를 가진 바이어스 전압원(B1)으로부터의 바이어스 전압(Vin)은 상대적으로 급증하는 온도특성을 가지는 반면, 보다 적은 소자를 가진 바이어스 전압원(B2)으로부터의 바이어스 전압(Vbias)은 상대적으로 완만한 온도특성을 갖는다.

바이어스 전압(Vin)은, 저항(R1)을 통해 반전 증폭기(11)의 반전 입력단에 공급되는 반면, 바이어스 전압(Vbias)은 반전 증폭기(11)의 비반전 입력단에 직접 공급된다. 반전 증폭기(11)의 출력전압(Vout1)은 비반전 증폭기(12)의 비반전 입력단에 직접 공급되고, 피드백용 저항(R2)을 통해 반전 증폭기(11)의 반전 입력단에 공급된다. 출력전압(Vout)이 출력되는 반전 증폭기(11)부는 출력단이다. 비반전 증폭기(12)의 반전 입력단은, 저항(R3)을 통해 도1에 도시된 예의 접지전위인 소정의 레퍼런스 전위, 및 피드백용 저항(R4)을 통해 비반전 증폭기(12)의 출력전압(Vout2)을 수신한다. 상기 접지전위가 입력되는 부위는 제3 입력단인 반면, 출력전압(Vout2)이 출력되는 부위는 비반전 증폭기(12)의 출력단이다.

따라서, 정전류원(F1,F2)의 전류치가 서로 같을 때, Vac[V]가 단일 다이오드의 애노드와 캐소드간 전압이고, 전원선(14)의 전위가 레퍼런스 전위라면, n × Vac[V]의 전압은 반전 증폭기(11)의 반전 입력단에서 생성되는 반면, m × Vac[V]의 전압은 비반전 입력단에서 생성된다. 따라서, (n-m) × Vac[V]의 오프셋은 2개의 입력단 사이에 생긴다. 따라서, 단일 다이오드의 애노드와 캐소드간 전압의 온도 의존성이 △Vac[V/℃] 라면, 온도가 T[℃]만큼 변동될 때 반전 증폭기(11) 입력단간의 오프셋은 T × (n-m) × △Vac[V]만큼 변동하는 반면, A (= R2/R1)가 반전증폭기(11)의 이득이라면 A × T × (n-m) × △Vac[V] 가 얻어진다. 또한, 출력전압 (Vout1)은,

Vout1 = - (Vin - Vbias) × R2/R1 + Vbias

이다. 제2 및 제1 바이어스 전압(Vbias,Vin)간의 차는, 제1 저항에 대한 제2 저항의 비율로 곱해진 후, 상대적으로 완만한 온도경사를 갖는 제2 바이어스 전압(Vbias)에 가산된다. 따라서, 제1 및 제2 바이어스 전압원(B1,B2)간의 온도검출을 상대적으로 정밀하게 할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 저항(R1,R2)의 저항치를 적절히 설정함으로써 소망의 온도특성(온도경사)을 얻을 수 있다.

또한, 반전 증폭기(11)의 출력전압(Vout1)은, 반전 입력단이 제3 저항을 통한 레퍼런스 전위와 제4 저항을 통한 출력 피드백을 수신하는 비반전 증폭기(12)의 비반전 입력단에 공급된 후 증폭된다. 따라서, 비반전 증폭기(12)의 출력전압(Vout2)은,

Vout2 = [(1 + R3/R4)] × Vout1

Vout2 = - [(1 + R3/R4)] × (Vin-Vbias) × R2/R1 + [(1 + R3/R4)] × Vbias]

이다. 따라서, 제3 및 제4 저항(R3,R4)의 저항치를 적절히 설정함으로써, 반전 증폭기(11)에서 얻어진 온도특성은 소망의 출력 전압치로 변환될 수 있다.

다이오드(D11∼D1n,D21∼D2m)의 소자면적을 변경하지 않고 정전류원(Fl,F2)의 전류치가 서로 다르게 변경될 때, 전압레벨은, 도2에 도시된 바이어스 전압(Vin,Vbias)의 온도경사를 변경하지 않고 변경될 수 있다. 예컨대, 도2에서Vina라고 명명된 선으로 나타낸 바와 같이, 반전 증폭기(11)의 입력단 사이의 오프셋은 정전류원(F1)의 전류치를 증가시킴으로써 증가될 수 있다. 다이오드는, 도2에 도시된 바와 같은 선형 온도특성을 갖는 다른 소자로 대체될 수 있다. 온도검출회로는 반도체집적회로 내에 용이하게 내장될 수 있는 다이오드를 사용함으로써 단일 칩으로 용이하게 형성될 수 있다.

도3을 참조하여, 본 발명의 다른 실시예를 이하 설명한다.

도3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 온도검출회로의 전기적 구성을 나타내는 블록도이다. 상기 온도검출회로는, 도1에 도시된 온도검출회로와 일부 유사하기 때문에, 동일 방식으로 명명된 대응 부위에 대한 설명은 반복되지 않는다. 온도검출회로는, m개의 직렬단 다이오드 또는 다이오드들이 동일하게 제공되는 바이어스 전압원(B1a,B2)을 포함하는 반면, 소자면적은 서로 다르다. 도3에 도시된 상기 예에서, 바이어스 전압원(B1a)에는 다이오드(D11a∼D1ma)와 병렬로 각각 접속된 다이오드(D11∼D1m)가 제공된다. 다이오드(D11∼D1m, D11a∼D1ma, D21∼D2m)의 소자면적간의 차이는 없다. 따라서, 바이어스 전압원(B1a)은 바이어스 전압원(B2)보다 2배 큰 소자면적을 갖는다.

2개의 바이어스 전압원(B1a,B2)간의 온도특성은, 정전류원(F1,F2)으로부터 정전류를 사용하여 동작점을 고정함으로써, 다른 전류능력을 가진 2개의 다이오드 그룹, 즉 (1) 다이오드(D11∼D1m,D11a∼D1ma), 및 (2) 다이오드(D21∼D2m)를 준비하여 동작함으로써 서로 다를 수 있다. 이로써, 바이어스 전압원(B1a)내의 1단의 다이오드 또는 다이오드들의 애노드와 캐소드간 전압의 온도 의존성 △Vac[V/℃]는증가한다. 따라서, 도1에 도시된 온도검출회로에서와 같이, 바이어스 전압원(Bla)은 상대적으로 급증하는 온도 특성을 얻는다.

반도체집적회로에는, 소자면적의 차에 의해 서로 다른 온도특성을 가짐으로써, 서로 다른 온도특성을 갖는 바이어스 전압원(B1a,B2)이 제공될 수 있다.

1단에서 다이오드 그룹 소자면적간의 차가 동일 소자면적을 갖는 다이오드의 병렬접속 수에 의해 생성되는 상기 예 외에도, 제1 바이어스 전압원(B1)과 제2 바이어스 전압원(B2)에 다이오드마다 다른 소자면적을 갖는 다이오드를 제공함으로써 상기 차가 형성될 수 있다.

도4 내지 도6을 참조하여, 본 발명의 또 다른 실시예를 이하 설명한다.

도4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 온도검출회로의 전기적 구성을 나타내는 블록도이다. 상기 온도검출회로는, 도1 및 도3에 도시된 온도검출회로와 유사하기 때문에, 동일 방식으로 명명된 대응 부위에 대한 설명은 반복되지 않는다. 상기 온도검출회로에서, 저항(R1,R2) 및 저항(R3,R4)은 다단으로 접속된 직렬저항(R10,R11∼R1i)(제l 저항군) 및 직렬저항(R20,R21∼R2j)(제2 저항군)으로 각각 구성되며, 각각의 직렬저항(R10∼R1i; R20∼R2j)의 접속점간에, 제1 스위치(S10∼S1i) 및 제2 스위치(S20∼S2j)가 각각 제공된다.

온도검출회로는 액정구동장치의 전원회로로서 이용된다. 스위치(S10∼S1i)중 하나와 스위치(S20∼S2j)중 하나가, 사용중인 액정패널의 유형에 따라 온이 되도록, 도시되지 않은 외부 유닛에 의해 증폭율 조정 레지스터(21)에서 설정된 증폭율 데이터(스위칭 데이터)는, 디코더(22)에서 디코드된다.

예컨대, 스위치(S12,S2j)가 온이 될 때, 저항(R1,R2,R3,R4)은 각각, R1 = R10+R11, R2 = R12+ … +R1i, R3 = R20+ … +R2j-1, 및 R4 = R2j이다. 스위치(S10∼S1i,S20∼S2j)는 MOS 트랜지스터 또는 전송 게이트 등과 같은 아날로그 스위치이며, 디코더(22)로부터의 하이레벨 또는 로우레벨 출력에 의해 온/오프가 제어되는 제어단자를 포함한다.

스위치(S10∼S1i,S20∼S2j)는 단일 반도체집적회로에서 바이어스 전압원(Bl,B2)과 같은 다른 소자들과 함께 설정될 수도 있으며, 또한 외부에서 제공될 수도 있다. 또한, 증폭율 조정 레지스터(21)는, 스위치(S10∼S1i,S20∼S2j)의 스위치 수에 해당하는 비트 수의 병렬 데이터 또는 직렬 데이터중의 하나인 증폭율 데이터를 래치하기 위해 제공된다(병렬 데이터는 도4에 도시된다).

도5 및 6은, 상기와 같은 온도검출회로가 액정구동장치의 전원회로로서 제공되는 액정표시장치를 나타내는 도면이다. 도5의 예는, 예컨대, 개인용 컴퓨터에 사용되는 대형화면 액정표시장치인 반면, 도6의 예는, 예컨대, 휴대전화의 단말장치에 사용되는 소형화면 액정표시장치이다. 도5에서, 온도검출회로는 액정패널(31)을 구동하는 구동회로(32,33)에 전원을 공급하는 전원회로(34)로서 사용된다. 도6에서, 상기와 같은 단일 칩 패키지에 적합한 온도검출회로는, 액정패널(41)에 접속된 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package)(TCP)(42)에 설치되는 구동회로(43)의 전원회로(44)로서 사용된다.

예컨대, 도5의 액정표시장치에서, 온도검출회로의 출력전압(Vout2)은, 전원회로(34)로부터의 출력전압레벨로서 사용된다. 전원회로(34)로부터의 출력전압레벨은, 구동회로(33)상에 표시되는 화상 데이터에 따라 액정패널(31)의 액정소자 계조특성에 따라 분리되어, 액정소자로 전송된다.

즉, 온도검출회로의 출력전압(Vout2)은 액정패널(31)을 구동하도록 액정패널(31)에 전송되는 액정구동전압을 발생시키기 위해 이용되는, 액정 구동용 기준 전압이 된다. 따라서, 상기 액정 구동용 기준전압을 근거로 분리되는 전압레벨은, 전원회로(34)로부터 구동회로(32,33)로 공급된다. 온도검출회로는 임의의 패널, 예컨대, STN 액정패널 또는 TFD 액정패널에 적용될 수 있는 반면, TFT 액정패널은 도5에 도시된다.

저항(R1∼R4)의 저항치는, 액정패널(31,41)의 액정소자 재료 유형 또는 액정층의 두께에 따라 변하는 인가전압-광투과 특성의 관계와 임계전압(Vth) 등과 같은 액정패널의 온도특성에 따라, 각종 온도특성을 갖는 액정패널에 적합하도록 설정되며, 따라서 최적의 콘트라스트로 일정하게 표시를 행할 수 있다. 특히, 반전 증폭기(11)의 이득은, 저항(R1,R2)의 저항치를 설정함으로써 인가전압-광투과 특성의 관계 및 임계전압(Vth) 등과 같은 액정패널의 온도특성에 적합하게 되는 반면, 출력전압레벨은 저항(R3,R4)의 저항치와 레퍼런스 전위를 설정함으로써 액정소자를 구동하는데 요구되는 전압에 적합하게 된다.

상기와 같이, 서로 다른 온도특성을 갖는 2개의 바이어스 전압원으로부터 바이어스 전압간의 차에 해당하는 전압을 출력하는 온도검출회로인 본 발명의 온도검출회로에는, 상기 바이어스 전압간의 차를 얻기 위한 반전 증폭기가 제공되며, 상기 반전 증폭기에는 반전 입력단에 제1 바이어스 전압을 공급하기 위한 제1 저항, 및 반전 증폭기의 반전 입력단과 출력단 사이에 위치한 제2 저항이 제공된다. 상기 온도검출회로는, 반전 증폭기로부터의 출력을 증폭하는 비반전 증폭기, 상기 비반전 증폭기의 반전 입력단에 소정의 레퍼런스 전위를 공급하기 위한 제3 저항, 및 상기 비반전 증폭기의 반전 입력단과 출력단 사이에 위치한 제4 저항을 더 포함한다.

따라서, 소망의 온도 특성은 제1 및 제2 저항의 저항치를 적절히 설정함으로써 얻을 수 있는 반면, 소망의 출력 전압치는 제3 및 제4 저항의 저항치를 적절히 설정함으로써 얻을 수 있다.

또한, 본 발명의 온도검출회로는 정전류원과 단일 다이오드 또는 복수단의 다이오드들을 포함하는 직렬 회로로 각각 구성되는 2개의 바이어스 전압원을 포함하며, 온도특성간의 차는 다이오드의 소자면적 차에 의해 형성된다.

따라서, 바이어스 전압원은 단일 반도체집적회로에서 용이하게 설치될 수 있다.

또한, 본 발명의 액정구동장치는 온도검출회로를 포함하며, 비반전 증폭기로부터의 출력전압을 액정소자 구동에 이용하고, 또한 상기 액정구동장치는 제1 및 제2 저항에 의해 결정되어 액정패널의 온도특성에 적합하게 되는 반전 증폭기의 이득을 가지며, 제3 및 제4 저항과 레퍼런스 전위에 의해 결정되어 액정소자를 구동하는데 필요한 전압에 적합하게 되는 출력전압레벨을 갖는다.

따라서, 제1 내지 제4 저항과 기준전위를 설정함으로써 사용중인 액정패널에적합한 임의의 온도특성으로 임의의 구동전압을 얻을 수 있고, 따라서 최적의 콘트라스트로 균일한 표시를 행할 수 있다.

본 발명이 상기와 같으므로, 동일 방식으로 다양하게 변경될 수 있음은 자명하다. 이러한 변경은 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으며, 당업자에게 명백한 상기 모든 변경은 청구항의 범위에 포함된다.

Claims

상대적으로 급증하는 온도특성을 갖는 제1 바이어스 전압원으로부터의 제1 바이어스 전압과 상대적으로 완만한 온도특성을 갖는 제2 바이어스 전압원으로부터의 제2 바이어스 전압간의 차에 따른 전압을 출력하기 위한 반전 증폭기를 포함하며, 상기 반전 증폭기는 상기 제1 바이어스 전압과 상기 제2 바이어스 전압간의 차에 따른 전압을 출력하여 상기 제1 및 제2 바이어스 전압원간의 온도검출을 상대적으로 정확히 할 수 있는 온도검출회로로서,

상기 반전 증폭기의 반전 입력단에 제1 바이어스 전압을 공급하기 위한 제1 저항;

상기 반전 증폭기의 반전 입력단과 출력단간에 위치한 제2 저항;

상기 반전 증폭기로부터의 출력을 수신하기 위한 비반전 입력단을 갖는 비반전 증폭기;

상기 비반전 증폭기의 반전 입력단에 소정의 레퍼런스 전위를 공급하기 위한 제3 저항; 및

상기 비반전 증폭기의 반전 입력단과 출력단간에 위치한 제4 저항을 포함하는, 온도검출회로.
제1항에 있어서, 제1 및 제2 바이어스 전압원을 포함하며, 상기 제1 및 제2 바이어스 전압원은 전원선 사이에 정전류원과 단일 다이오드 또는 복수단의 다이오드들을 접속하는 직렬 회로를 각각 가지며, 상기 정전류원과 단일 다이오드 또는 복수단의 다이오드들 사이에 각각의 접속점으로부터 반전 증폭기의 입력단에 바이어스 전압을 공급하여, 상기 각각의 바이어스 전압원의 다이오드 사이의 소자면적 차에 의한 온도특성간의 차를 생성하는, 온도검출회로.
제2항에 있어서, 상기 정전류원에 직렬로 접속된 다이오드 수는 상기 제1 바이어스 전압원과 제2 바이어스 전압원간에 서로 다른, 온도검출회로.
제2항에 있어서, 상기 정전류원에 직렬로 접속된 다이오드들의 다이오드 1개당 면적은 상기 제1 바이어스 전압원과 제2 바이어스 전압원간에 서로 다른, 온도검출회로.
제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 바이어스 전압원중 적어도 하나에서 상기 정전류원에 직렬로 접속된 다이오드들은 다른 다이오드들과 각각 병렬로 접속되며, 상기 전류원에 직렬로 접속된 다이오드들에 각각 병렬로 접속된 다이오드들의 수는 상기 제1 바이어스 전압원과 제2 바이어스 전압원간에 서로 다른, 온도검출회로.
제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 바이어스 전압원에 각각 제공된 다이오드들은 단일 반도체집적회로내에 형성되는, 온도검출회로.
비반전 증폭기로부터의 출력전압을 액정소자를 구동하는데 이용하며, 제1항의 온도검출회로를 포함하는 액정구동장치로서,

상기 제1 및 제2 저항에 의해 결정되어 액정패널의 온도특성에 적합하게 되는 반전 증폭기의 이득을 가지며, 상기 제3 및 제4 저항과 레퍼런스 전위에 의해 결정되어 상기 액정소자를 구동하는데 필요한 전압에 적합하게 되는 출력전압레벨을 갖는, 액정구동장치.
온도변화에 따라 다르게 변하는 제1 및 제2 바이어스 전압을 수신하기 위한 제1 및 제2 입력단;

소정의 레퍼런스 전위를 수신하기 위한 제3 입력단;

상기 제1 입력단에 접속된 반전 입력단, 상기 제2 입력단에 접속된 비반전 입력단, 및 (a) 상기 반전 입력단의 전압과 (b) 상기 비반전 입력단의 전압간의 차에 해당하는 전압을 출력하기 위한 출력단을 포함하는 반전 증폭기;

상기 반전 증폭기의 출력단에 접속된 비반전 입력단, 상기 제3 입력단에 접속된 반전 입력단, 및 (a) 상기 비반전 입력단의 전압과 (b) 상기 반전 입력단의 전압간의 차에 해당하는 전압을 출력하기 위한 출력단을 포함하는 비반전 증폭기;

상기 제1 입력단과 상기 반전 증폭기의 반전 입력단 사이에 위치한 제1 저항;

상기 반전 증폭기의 출력단과 상기 반전 증폭기의 반전 입력단 사이를 접속하는 제2 저항;

상기 제3 입력단과 상기 비반전 증폭기의 반전 입력단 사이에 위치한 제3 저항; 및

상기 비반전 증폭기의 출력단과 상기 비반전 증폭기의 반전 입력단 사이를 접속하는 제4 저항을 포함하는, 온도검출회로.
온도변화에 따라 다르게 변하는 제1 및 제2 바이어스 전압이 입력되는 제1 및 제2 입력단;

소정의 레퍼런스 전위가 입력되는 제3 입력단;

반전 입력단, 비반전 입력단, 및 출력단을 포함하며, 상기 비반전 입력단은 상기 제2 입력단에 접속되는 반전 증폭기;

반전 입력단, 비반전 입력단, 및 출력단을 포함하며, 상기 비반전 입력단은 상기 반전 증폭기의 상기 출력단에 접속되는 비반전 증폭기;

상기 반전 증폭기의 출력단과 상기 제1 입력단 사이를 접속하는 복수의 직렬 접속된 저항을 포함하는 제1 저항군;

상기 반전 증폭기의 반전 입력단과 상기 제1 저항군의 각각의 저항 사이를 선택적으로 접속 또는 단선하기 위한 제1 스위치;

상기 비반전 증폭기의 상기 출력단과 상기 제3 입력단 사이를 접속하는 복수의 직렬 접속된 저항을 포함하는 제2 저항군; 및

상기 비반전 증폭기의 반전 입력단과 상기 제2 저항군의 각각의 저항 사이를 선택적으로 접속 또는 단선하기 위한 제2 스위치를 포함하는, 온도검출회로.
제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 바이어스 전압을 각각 생성하는 제1 및 제2 바이어스 전압원을 포함하며,

상기 제1 및 제2 바이어스 전압원은, 각각, 정전류원과 상기 정전류원에 직렬로 접속된 단일 다이오드 또는 복수단의 다이오드들, 및 상기 정전류원과 상기 단일 다이오드 또는 복수단의 다이오드들 사이의 접속점으로 구성되며,

상기 제1 및 상기 제2 바이어스 전압원의 각각의 접속점은, 상기 제1 및 제2 입력단에 각각 접속되고,

상기 제1 및 제2 바이어스 전압은, 상기 제1 및 제2 바이어스 전압원 각각의 다이오드들의 소자 면적의 차에 의한 온도 변화에 따라 다르게 변하는, 온도검출회로.