JP2006058058A - 光検出回路及び自動調光回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 この光検出回路は、光電変換素子11と、光電変換素子から出力される検出電流に比例する電圧を参照電圧に加算して出力する第1の増幅手段12〜13と、制御信号が第1の状態であるときに、第1の増幅手段から出力される電圧と参照電圧との差を第1の増幅率で増幅して参照電圧に加算して検出電圧を生成すると共に、制御信号が第2の状態であるときに、第1の増幅手段から出力される電圧と参照電圧との差を第2の増幅率で増幅して参照電圧に加算して検出電圧を生成する第2の増幅手段21〜25とを具備する。
【選択図】 図1
Description
VPD=RPD×IPD ・・・(1)
しかしながら、この光検出回路はバイアス依存性が大きく、電源電位VDDが変化すると検出電圧VPDも変化してしまうので、外光の明るさを正確に検出することができない。
VPD=RPD×hFE×IPD ・・・(2)
しかしながら、この光検出回路も逆バイアス依存性が大きく、さらに、トランジスタの直流電流増幅率hFEは製造ばらつきや温度によって変化するので、外光の明るさを正確に検出することができない。
VPD=RPD×IPD+VREF ・・・(3)
しかしながら、この光検出回路も、以下のような課題を抱えている。
図1は、本発明の一実施形態に係る光検出回路の構成を示す回路図である。本発明に係る光検出回路においては、光電変換素子としてフォトダイオードやフォトトランジスタ等を用いることができるが、本実施形態においては、光電変換素子としてフォトダイオードが用いられている。図1に示すフォトダイオード11は、PN接合に逆方向のバイアス電圧が印加された状態において、光が照射されることによって起電力を発生し、検出電流IPDを出力する。
V1=RPD×IPD+VREF ・・・(4)
アンプ切換制御信号がハイレベルであるときには、オペアンプ24が非活性化されているので、図2に示すように、オペアンプ22の出力電位V2が、抵抗25を介して出力される。ここで、抵抗21及び23の抵抗値をそれぞれR1及びR2とすると、光検出回路110の検出電圧VPDは次式(5)で表される。
VPD=−R2/R1×RPD×IPD+VREF ・・・(5)
VPD=−R3/(R1+R2)×RPD×IPD+VREF ・・・(6)
ここで、例えば、R2/R1=20×R3/(R1+R2)となるように抵抗値R1〜R3を設定することにより、20倍の比を有する2つの増幅率を実現することができる。
図4は、本発明の一実施形態に係る自動調光回路及びその周辺部を示すブロック図である。自動調光回路100は、先に説明した本発明の一実施形態に係る光検出回路110と、外光の明るさ(周囲照度)を判定するために用いられる判定基準電圧VBを設定すると共に、光検出回路110及びバックライト駆動用基準電圧作成部200を制御する制御部120と、制御部120から出力される判定基準電圧VBに基づいてアナログ演算を行うことにより比較用電圧VCOMPを生成するアナログ演算部130と、光検出回路110から出力される検出電圧VPDとアナログ演算部130から出力される比較用電圧VCOMPとに基づいて外光の明るさを判定する判定部140とを有している。
VCOMP=−R7/R6×VB
+{R5/(R4+R5)}{(R6+R7)/R6}×VREF ・・・(7)
ここで、R5/(R4+R5)=R6/(R6+R7)を満たすように抵抗値R4及びR5を定めると、次式(8)が成立する。
VCOMP=−R7/R6×VB+VREF ・・・(8)
このように、式(8)においては、参照電圧VREFの項の係数が「1」となっている。
VPD=−A1×RPD×IPD+VREF (アンプ切換制御信号がハイレベルのとき)
VPD=−A2×RPD×IPD+VREF (アンプ切換制御信号がローレベルのとき)
Claims (5)
- 光が照射されることによって検出電流を出力する光電変換素子と、
前記光電変換素子から出力される検出電流に比例する電圧を参照電圧に加算して出力する第1の増幅手段と、
制御信号が第1の状態であるときに、前記第1の増幅手段から出力される電圧と前記参照電圧との差を第1の増幅率で増幅して、増幅された電圧を前記参照電圧に加算して検出電圧を生成すると共に、制御信号が第2の状態であるときに、前記第1の増幅手段から出力される電圧と前記参照電圧との差を第1の増幅率と絶対値が異なる第2の増幅率で増幅して、増幅された電圧を前記参照電圧に加算して検出電圧を生成する第2の増幅手段と、
を具備する光検出回路。 - 前記光電変換素子が、フォトダイオードを含み、
前記第1の増幅手段が、前記フォトダイオードのカソードに接続された反転入力端子と前記参照電圧が印加される非反転入力端子とを有するオペアンプと、前記オペアンプの出力端子と反転入力端子との間に接続された帰還用の抵抗とを含み、
前記フォトダイオードのカソード・アノード間に、前記参照電圧が逆方向バイアス電圧として印加される、請求項1記載の光検出回路。 - 前記第2の増幅手段が、
前記第1の増幅手段の出力端子に接続された第2の抵抗と、
前記第1の増幅手段の出力端子に前記第2の抵抗を介して接続された反転入力端子と前記参照電圧が印加される非反転入力端子とを有し、制御信号が第1の状態であるときに活性化される第2のオペアンプと、
前記第2のオペアンプの出力端子と反転入力端子との間に接続された第3の抵抗と、
前記第2のオペアンプの出力端子に接続された反転入力端子と前記参照電圧が印加される非反転入力端子とを有し、制御信号が第2の状態であるときに活性化される第3のオペアンプと、
前記第3のオペアンプの出力端子と反転入力端子との間に接続された第4の抵抗と、
を含み、前記第3のオペアンプの出力端子と前記第4の抵抗との接続点から前記検出電圧を出力する、請求項2記載の光検出回路。 - 請求項1〜3のいずれか1項記載の光検出回路と、
判定基準電圧に対してアナログ演算処理を施すことにより、前記判定基準電圧に比例する電圧を前記参照電圧に加算して比較用電圧を生成するアナログ演算処理手段と、
前記光検出回路から出力される検出電圧を前記アナログ演算処理手段から出力される比較用電圧と比較して比較結果を求める比較手段と、
前記判定基準電圧を変化させながら前記比較手段によって求められた比較結果に基づいて、液晶表示パネルにおけるバックライトの調光を制御するために用いられる信号を生成する制御手段と、
を具備する自動調光回路。 - 請求項1〜3のいずれか1項記載の光検出回路と、
前記光検出回路から出力される検出電圧を比較用電圧と比較して比較結果を求める比較手段と、
前記第2の増幅手段の増幅率を第1の増幅率に設定するように前記光検出回路に制御信号を出力し、前記比較手段に前記検出電圧を複数の異なる比較用電圧と順次比較させて、比較結果が反転したことに基づいて、液晶表示パネルにおけるバックライトの調光を制御するために用いられる信号を生成すると共に、比較結果が反転しなかった場合に、前記第2の増幅手段の増幅率を第2の増幅率に設定するように前記光検出回路に制御信号を出力し、前記比較手段に前記検出電圧を複数の異なる比較用電圧と順次比較させて、比較結果が反転したことに基づいて、液晶表示パネルにおけるバックライトの調光を制御するために用いられる信号を生成する制御手段と、
を具備する自動調光回路。
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