CN116009641B - 一种电流镜电路、保护电路、偏置电路及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种电流镜电路、保护电路、偏置电路及电子设备，其中，所述电流镜电路至少包括第一支路、第二支路、第三支路、控制电路和电流源；所述第一支路的第一端和第二端均与所述电流源电连接，所述第一支路的第一端分别与所述第二支路的第一端和所述第三支路的第一端电连接；所述第二支路的第二端和所述第三支路的第二端分别与所述控制电路电连接；所述第一支路的第三端、所述第二支路的第三端和所述第三支路的第三端分别与电源电连接；所述第二支路和所述第三支路工作在线性区或饱和区，以使从所述第二支路的第三端看向所述电流镜电路为低阻。

Description

一种电流镜电路、保护电路、偏置电路及电子设备

技术领域

本申请实施例涉及模拟集成电路技术领域，涉及但不限于一种电流镜电路、保护电路、偏置电路及电子设备。

背景技术

电流镜电路是模拟电路的重要电路模块，用于负载将原始的电流精确复制成一路或者多路电流，为后级的单个或者多个电路模块提供与原始电流成比例的精确电流。

目前，常规场效应晶体管电流镜电路工作在饱和区，双极晶体管电流镜工作在线性区，在一些应用中，从电流镜电路的输出端向上看需要看到一个低电阻，而工作在饱和区或放大区的电流镜电路看进去为高阻，不符合应用要求，需要进行转换。

因此，场效应晶体管电流镜电路需要工作在线性区，双极晶体管电流镜需要工作在饱和区，但是此时电流镜受电压影响较大，无法准确地实现电流镜的功能，因此，如何使场效应晶体管电流镜电路在线性区、双极晶体管电流镜需要工作在饱和区，也能精确的进行电流复制，是当前急需解决的问题。

发明内容

基于相关技术中的问题，本申请实施例提供一种电流镜电路、保护电路、偏置电路及电子设备。

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供一种电流镜电路，所述电流镜电路至少包括第一支路、第二支路、第三支路、控制电路和电流源；

所述第一支路的第一端和第二端均与所述电流源电连接，所述第一支路的第一端分别与所述第二支路的第一端和所述第三支路的第一端电连接；

所述第二支路的第二端和所述第三支路的第二端分别与所述控制电路电连接；

所述第一支路的第三端、所述第二支路的第三端和所述第三支路的第三端分别与电源电连接；

所述第二支路和所述第三支路工作在线性区或饱和区，以使从所述第二支路的第三端看向所述电流镜电路为低阻。

在一些实施例中，所述控制电路，用于控制所述第二支路的第二端的电压与所述第三支路的第二端的电压相同，以使得工作在线性区或饱和区的所述第二支路和所述第三支路保持相同的状态以达到电流镜像复制。

在一些实施例中，所述第一支路至少包括第一晶体管，第二支路至少包括第二晶体管，所述第三支路至少包括第三晶体管；

所述第一晶体管的第一端分别与所述第二晶体管的第一端和所述第三晶体管的第一端电连接；

所述第一晶体管的第三端、所述第二晶体管的第三端和所述第三晶体管的第三端分别与电源电连接；

其中，所述第一晶体管第一端与第三端之间的电压、所述第二晶体管第一端与第三端之间的电压和所述第三晶体管第一端与第三端之间的电压均相同。

在一些实施例中，所述电流源，用于为所述第一晶体管的第二端提供输入电流；

所述电流源还用于为所述第一晶体管的第一端、所述第二晶体管的第一端和所述第三晶体管的第一端提供偏置电流。

在一些实施例中，所述控制电路至少包括运放电路；所述运放电路，用于控制所述第二晶体管的第二端和所述第三晶体管的第二端的电压相同，以控制所述第二晶体管和所述第三晶体管处于相同的状态；

所述第二晶体管的第二端用于根据所述输入电流输出第一镜像电流，所述第三晶体管的第二端用于根据所述输入电流输出第二镜像电流。

在一些实施例中，所述第一镜像电流与所述输入电流成第一镜像比例，所述第二镜像电流与所述输入电流成第二镜像比例。

在一些实施例中，所述电流镜电路与功率放大器电连接；

所述电流镜电路通过所述第二晶体管的第二端与所述功率放大器电连接，为所述功率放大器提供偏置电流。

在一些实施例中，所述控制电路至少包括运放电路；所述运放电路至少包括第一输入端和第二输入端；

所述第二晶体管的第二端与所述第一输入端电连接，所述第三晶体管的第二端与所述第二输入端电连接，形成负反馈电路；其中，所述负反馈电路使所述第二晶体管的第二端的电压与所述第三晶体管的第二端的电压相同。

在一些实施例中，所述电流镜电路还包括控制晶体管；

所述控制晶体管的第一端与控制电源电连接，所述控制晶体管的第二端接地，所述控制晶体管的第三端与所述第一晶体管的第二端电连接，所述控制晶体管用于对所述第一晶体管的第二端的输入电流进行调节。

本申请实施例提供一种保护电路，所述保护电路包括上述电流镜电路。

本申请实施例提供一种射频芯片，所述射频芯片包括上述电流镜电路或保护电路。

本申请实施例提供一种偏置电路，所述偏置电路包括上述的电流镜电路及偏置晶体管，所述电流镜电路的所述第二支路的输出端用于为所述偏置晶体管馈电。

本申请实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括上述的电流镜电路或保护电路或射频芯片。

本申请实施例提供的电流镜电路、保护电路、偏置电路及电子设备，通过第一支路、第二支路和第三支路，形成两个电流镜，通过运放电路使第二支路的第二端的电压与第三支路的第二端的电压相同，以使得工作在线性区或饱和区的第二支路和第三支路保持相同的状态以达到电流镜像复制，且由于第二支路第二端电压与第三支路的第二端电压相同，使得在线性区工作的电流镜电流不受电压影响，保证了电流镜可以按照预设比例进行镜像，如此可以使得第二支路和第三支路的支路电流均满足镜像比例关系。

附图说明

图1是本申请实施例提供的电流镜电路的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的电流镜电路的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的电流镜电路的结构示意图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述，所描述的实施例不应视为对本申请的限制，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在以下的描述中，涉及到“一些实施例”，其描述了所有可能实施例的子集，但是可以理解，“一些实施例”可以是所有可能实施例的相同子集或不同子集，并且可以在不冲突的情况下相互结合。除非另有定义，本申请实施例所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请实施例的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本申请实施例所使用的术语只是为了描述本申请实施例的目的，不是旨在限制本申请。

电流镜电路是模拟集成电路中最基本的单元，利用电流镜电路可以构成电流模式的基本模块电路，如电流模式传输器、微分器、积分器等，也可以构成电流模式集成电路，如连续时间滤波器、A/D转换器等。

在相关技术中，常规场效应晶体管电流镜工作在饱和区，双极晶体管电流镜工作在线性区，对一些应用来说，从电流镜输出端向上看需要看到一个低电阻，而工作在场效应晶体管电流镜饱和区或工作在双极晶体管电流镜线性区的电流镜看进去为高阻，因此本申请实施例令场效应晶体管电流镜工作在线性区，或者双极晶体管电流镜工作在饱和区。但是，此时电流镜电流受电压影响较大，并且有可能不同的晶体管处于不同工作状态，比如其中一个为线性区，另一个为饱和区，为了保证电流镜可以按照预设比例进行镜像，需要令不同的晶体管的漏极电压相同，才能保证电流镜电路的功能。

请参阅图1，图1是本申请实施例提供的电流镜电路的结构示意图。如图1所示，所述电流镜电路包括所述电流镜电路至少包括第一支路101、第二支路102、第三支路103、电流源104和控制电路105。其中，所述第一支路101的第一端和第二端均与所述电流源104电连接，所述第一支路101的第一端分别与所述第二支路102的第一端和所述第三支路103的第一端电连接。所述第二支路102的第二端和所述第三支路103的第二端分别与所述控制电路105电连接；所述第一支路101的第三端、所述第二支路102的第三端和所述第三支路103的第三端分别与电源VDD电连接；所述第二支路102和所述第三支路103工作在线性区或饱和区，以使从所述第二支路102的第三端看向所述电流镜电路为低阻。

所述控制电路105，用于控制所述第二支路102的第二端的电压与所述第三支路103的第二端的电压相同，以使得工作在线性区或饱和区的所述第二支路102和所述第三支路103保持相同的状态以达到电流镜像复制。

在一些实施例中，如图2所示，所述第一支路101至少包括第一晶体管MP1，第二支路102至少包括第二晶体管MP2，所述第三支路103至少包括第三晶体管MP3。所述第一晶体管MP1的第一端分别与所述第二晶体管MP2的第一端和所述第三晶体管MP3的第一端电连接；所述第一晶体管MP1的第三端、所述第二晶体管MP2的第三端和所述第三晶体管MP3的第三端分别与电源电连接。

这里，第一端可以是指晶体管的栅极，第二端可以是指晶体管的漏极，第三端可以是指晶体管的源极。根据上述连接关系可知，所述第一晶体管MP1第一端与第三端之间的电压、所述第二晶体管MP2第一端与第三端之间的电压和所述第三晶体管MP3第一端与第三端之间的电压均相同，即第一晶体管MP1栅源之间的电压、所述第二晶体管MP2栅源之间的电压和所述第三晶体管MP3栅源之间的电压均相同。

在本申请实施例中，为了从所述第二支路的第三端看向所述电流镜电路为低阻，场效应晶体管电流镜电路需要工作在线性区，双极晶体管电流镜需要工作在饱和区。因此，当第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管为场效应晶体管时，电流镜电路需要工作在线性区；当第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管为双极晶体管时，电流镜电路需要工作在饱和区。下述实施例不再对晶体管的具体类型和工作状态进行描述。

在本申请实施例中，如图2所示，电流源I_LIMIT的一端接地，另一端与所述第一晶体管MP1的第二端电连接，用于为所述第一晶体管MP1的第二端提供输入电流，即第一晶体管MP1的支路电流，另一端还与所述第一晶体管MP1的第一端电连接，第一晶体管MP1的第一端还分别与第二晶体管MP3的第一端和第三晶体管MP3的第一端电连接，因此，电流源I_LIMIT还用于分别为所述第一晶体管MP1的第一端、所述第二晶体管MP2的第一端和所述第三晶体管MP3的第一端提供偏置电流。所述电流源I_LIMIT的内阻相对负载阻抗很大，负载阻抗波动不会改变电流大小。

这里，电流源I_LIMIT与第一晶体管MP1的第一端和第二端电连接，在第一晶体管MP1的栅极和漏极之间产生偏置电压V_gate。

在一些实施例中，第一晶体管MP1、第二晶体管MP2和第三晶体管MP3的第一端均接入固定电压V_gate，使得第一晶体管MP1、第二晶体管MP2和第三晶体管MP3的栅极电压相同。

在一些实施例中，控制电路105至少包括运放电路OPAMP，运放电路OP AMP包括第一输入端VN、第二输入端VP和输出端V_out。

在一些实施例中，如图3所示，所述第二晶体管MP2的第二端和所述第三晶体管MP3的第二端分别与所述运放电路OPAMP电连接，所述运放电路控制所述第二晶体管MP2的第二端电压与所述第三晶体管MP3的第二端电压相同，即第二晶体管MP2与所述第三晶体管MP3的漏极电压相同，基于第二晶体管MP2与所述第三晶体管MP3的栅极电压V_gate，使所述第二晶体管MP2和所述第三晶体管MP3均工作于线性区或饱和区。

且由于镜像电路中第一晶体管MP1、第二晶体管MP2和第三晶体管MP3的栅极电压相同，第一晶体管MP1、第二晶体管MP2和第三晶体管MP3的源极均与VDD连接，使得第一晶体管MP1、第二晶体管MP2和第三晶体管MP3的源极电压相同，通过运放电路使得第二晶体管MP2和第三晶体管MP3的漏极电压相同，使得第二晶体管MP2和第三晶体管MP3能够保持相同的状态。从而使得栅极相连的第一晶体管MP1、第二晶体管MP2和第三晶体管MP3，栅源之间的电压相同，第二晶体管MP2的漏极和第三晶体管MP3的漏极对第一晶体管MP1的漏极进行电流复制，以达到电流镜像复制。

在一些实施例中，第一晶体管MP1、第二晶体管MP2和第三晶体管MP3可以是PMOS型晶体管，也可以是NMOS型晶体管。

在一些实施例中，所述第一晶体管MP1的第二端用于接收所述电流源I_{LIM IT}的输入电流I₁。所述第二晶体管MP2的第二端根据所述输入电流I₁输出第一镜像电流I₂，所述第三晶体管MP3的第二端根据所述输入电流I₁输出第二镜像电流I₃。

在一些实施例中，电流镜电路用于将输入电流转换成一个或多个相等或成倍数的镜像电流。所述第一镜像电流I₂与所述输入电流I₁成第一镜像比例，所述第二镜像电流I₃与所述输入电流I₁成第二镜像比例。镜像比例可以是1或1的倍数。所述镜像比例与所述第一晶体管MP1、第二晶体管MP2和第三晶体管MP3的尺寸比例相关，即与晶体管的沟道长度和沟道宽度之间的尺寸比例有关。当所有工艺参数都相等时，输入电流和镜像电流仅是两个晶体管沟道宽长比的函数。

在一些实施例中，在电流源I_LIMIT的输入电流I₁流经所述第一晶体管MP1时，在所述第一晶体管MP1的第一端和第二端之间产生偏置电压V_gate，即在第一晶体管MP1的栅极和漏极之间产生偏置电压V_gate，通过该偏置电压对第二晶体管MP2和第三晶体管MP3进行偏置，使得第二晶体管MP2和第三晶体管MP3处于线性区或饱和区。

在一些实施例中，当MOS晶体管的栅极电压和阈值电压的差值被决定后，MOS晶体管漏极电流仅有由其宽长比决定。因此，一些实施例可以通过调节第二晶体管MP2和第三晶体管MP3的沟道宽长比，来控制第二晶体管MP2输出的第一镜像电流I₂和第三晶体管MP3输出的第二镜像电流I₃。

在一些实施例中，输入电流与镜像电流的比值通过公式(1)和(2)进行计算：

其中，H为第一镜像比例；S为第二镜像比例；I_MP1是第一晶体管的支路电流；I_MP2是第二晶体管的支路电流；I_MP3是第三晶体管的支路电流；W_MP1、W_{M P1}和W_MP3分别是第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的沟道宽度；L_MP1、L_MP1和L_MP3分别是第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的沟道长度。

在一些实施例中，第二晶体管MP2和第三晶体管MP3可以是完全相同的晶体管，使得第二晶体管MP2和第三晶体管MP3的支路电流相同，即I₂和I₃相同。

在一些实施例中，I₁、I₂和I₃可以相等，即第一镜像比例和第二镜像比例为1，实现了电流复制。

接下来请参照图3，本申请实施例提供的所述电流镜电路可以位于无线收发机系统的保护电路中，电流镜电路可以与所述功率放大器PA连接，功率放大器PA的输出端与滤波器连接，滤波器图2未显示。所述电流镜电路通过所述第二晶体管MP2的第二端HBT与所述功率放大器连接，为所述功率放大器提供偏置电流，即第二晶体管MP2的第一镜像电流I₁。

如图3所示，运放电路OPAMP包括第一输入端V_N、第二输入端V_P和输出端V_out；所述第二晶体管MP2的第二端与所述第一输入端V_N电连接，所述第三晶体管MP3的第二端与所述第二输入端V_P电连接，形成负反馈电路。所述负反馈电路使所述第二晶体管MP2的第二端的电压与所述第三晶体管MP3的第二端的电压相同，即A点与HBT输出端的电压相同。这样，可以保证第二晶体管MP2和第三晶体管MP3的漏极电压相同，即工作状态相同，进而令第二晶体管MP2和第三晶体管MP3所处的两个支路电流都满足镜像比例关系，从而能够实现电流的镜像复制，使得晶体管工作在线性区也能实现电流的成比例复制。

本申请实施例提供了MP1-MP2和MP1-MP3两个电流镜，通过运放电路(即运算放大器)的两个输入端保证MP2和MP3的漏极端电压相同。在一些实施例中还可以有三个电流镜或更多电流镜，此时可以采用多输入运算放大器的多个输入端来保证多个需要电流复制的晶体管的漏极电压相同，或者通过多个具有两个输入端的运算放大器来保证多个需要电流复制的晶体管的漏极电压相同，进而实现在线性区的晶体管也能准确进行电流复制的目的。

在一些实施例中，输出端Vout与其他模拟电路连接，本申请实施例未示出。

在一些实施例中，运放电路OPAMP分别与第二晶体管MP2的第二端和所述第三晶体管MP3的第二端连接，以使电流镜电路可以按照预设比例进行镜像，使得电流镜电路中MP1的输入电流按照预设倍数放大，进而使得第二晶体管MP2和第三晶体管MP3输出放大后的镜像电流。

本申请实施例中利用运放电路控制第二晶体管第二端的电压与第三晶体管第二端的电压相同，使第二晶体管和第三晶体管工作在线性区或饱和区仍然能够很好的镜像电流。

在一些实施例中，所述电流镜电路还包括控制晶体管MN1；所述控制晶体管MN1的第一端与控制电源V_COMP电连接，所述控制晶体管MN1的第二端接地，所述控制晶体管MN1的第三端与所述第一晶体管MP1的第二端连接。

在一些实施例中，所述控制晶体管MN1的第一端与控制电源VCOMP电连接，当控制电源VCOMP给控制晶体管MN1的第一端高电平时，V_gate电压较低，第一晶体管MP1、第二晶体管MP2和第三晶体管MP3均工作在线性区。当控制晶体管MN1的第一端电压转换为低电平，第一晶体管MP1的电流被限定在I_limit(即电流源提供的电流内)，则第二晶体管MP2和第三晶体管MP3镜像后的电流输出最大值被限定在M*I_limit。

在一些实施例中，控制电源V_COMP用于改变控制晶体管MN1的漏极电流，进而用于对所述第一晶体管MP1的第二端的输入电流进行调节，进而可以调节所述第二晶体管MP2输出的第一镜像电流和所述第三晶体管MP3输出的第二镜像电流。

在一些实施例中，本申请实施例提供的电流镜电路位于与功率放大器连接的保护电路中，保护电路和功率放大器通过HBT端口连接。

传统的电流镜MOS管一般工作在饱和区，以减小漏极电压对电流复制的影响。而本申请实施例提供的电流镜电路，使得电流镜电路工作在了线性区，也能实现电流镜电路的精确放大。

本申请实施例提供的电流镜电路中，第一晶体管MP1分别与第二晶体管MP2和第三晶体管MP3形成两个电流镜，从而控制第二晶体管MP2和第三晶体管MP3的输出电流，具体地通过控制晶体管MN1的控制端对电流进行调节。

本申请实施例的电流镜电路可以工作在线性区，而相关技术中的常规电流镜工作在饱和区。对于功率放大器PA来说，从输出端HBT向上看需要看到一个低电阻，而工作在饱和区的电流镜看进去为高阻，因此本申请实施例令电流镜电路工作在线性区。但是在线性区工作的电流镜电流受电压影响较大，并且第二晶体管MP2和第三晶体管MP3有可能处于不同工作状态，其中一个为线性区，另一个为饱和区，为了保证电流镜可以按照预设比例进行镜像，需要令第二晶体管MP2和第三晶体管MP3的漏极端电压相同，才能保证其电流镜的功能。

因此，本申请实施例通过运放电路OPAMP保证运放两个输入端的电压相同，基通过电路OPAMP的负反馈保证第二晶体管MP2和第三晶体管MP3的漏极电压相同，即A点与HBT输出端电压相同。这样，可以保证第二晶体管MP2和第三晶体管MP3的漏极电压相同，从而使得工作状态相同，进而令第二晶体管MP2和第三晶体管MP3所处的两个支路电流都满足比例关系。

本申请实施例通过一个负反馈运放电路，使得第二晶体管MP2和第三晶体管MP3的漏极电压相同，从而能够实现电流的镜像检测，使得晶体管工作在线性区也能形成电流的成比例复制。

以上所述，仅为本申请的实施例而已，并非用于限定本申请的保护范围。凡在本申请的精神和范围之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均包含在本申请的保护范围之内。

应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。以上所述，仅为本申请的实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种电流镜电路，其特征在于，所述电流镜电路至少包括第一支路、第二支路、第三支路、控制电路、控制晶体管和电流源；

所述第一支路的第一端和第二端均与所述电流源电连接，所述第一支路的第一端分别与所述第二支路的第一端和所述第三支路的第一端电连接；

所述第二支路的第二端和所述第三支路的第二端分别与所述控制电路电连接；

所述第一支路的第三端、所述第二支路的第三端和所述第三支路的第三端分别与电源电连接；所述控制晶体管的第一端与控制电源电连接，所述控制晶体管的第二端接地，所述控制晶体管的第三端与所述第一支路的第二端电连接；所述控制晶体管用于对所述第一支路的第二端的输入电流进行调节；

响应于所述第二支路和所述第三支路中的晶体管为场效应晶体管，所述第二支路和所述第三支路工作在线性区，或响应于所述第二支路和所述第三支路中的晶体管为双极晶体管，所述第二支路和所述第三支路工作在饱和区，以使从所述第二支路、所述第三支路的第三端看向所述电流镜电路为低阻。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述控制电路，用于控制所述第二支路的第二端的电压与所述第三支路的第二端的电压相同，以使得工作在线性区或饱和区的所述第二支路和所述第三支路保持相同的状态以达到电流镜像复制。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一支路至少包括第一晶体管，第二支路至少包括第二晶体管，所述第三支路至少包括第三晶体管；

所述第一晶体管的第一端分别与所述第二晶体管的第一端和所述第三晶体管的第一端电连接；

所述第一晶体管的第三端、所述第二晶体管的第三端和所述第三晶体管的第三端分别与电源电连接；

其中，所述第一晶体管第一端与第三端之间的电压、所述第二晶体管第一端与第三端之间的电压和所述第三晶体管第一端与第三端之间的电压均相同。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，

所述电流源，用于为所述第一晶体管的第二端提供输入电流；

所述电流源还用于分别为所述第一晶体管的第一端、所述第二晶体管的第一端和所述第三晶体管的第一端提供偏置电流。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述控制电路至少包括运放电路；

所述运放电路，用于控制所述第二晶体管的第二端的电压和所述第三晶体管的第二端的电压相同，以控制所述第二晶体管和所述第三晶体管处于相同的状态；

所述第二晶体管的第二端用于根据所述输入电流输出第一镜像电流，所述第三晶体管的第二端用于根据所述输入电流输出第二镜像电流；

其中，所述第一镜像电流与所述输入电流成第一镜像比例，所述第二镜像电流与所述输入电流成第二镜像比例。

6.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电流镜电路与功率放大器电连接；

所述电流镜电路通过所述第二晶体管的第二端与所述功率放大器电连接，为所述功率放大器提供偏置电流。

7.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述控制电路至少包括运放电路；所述运放电路至少包括第一输入端和第二输入端；

所述第二晶体管的第二端与所述第一输入端电连接，所述第三晶体管的第二端与所述第二输入端电连接，形成负反馈电路；其中，所述负反馈电路使所述第二晶体管的第二端的电压与所述第三晶体管的第二端的电压相同。

8.一种保护电路，其特征在于，所述保护电路包括权利要求1至7任一项所述的电流镜电路。

9.一种偏置电路，其特征在于，所述偏置电路包括权利要求1至7任一项所述的电流镜电路及偏置晶体管，所述电流镜电路的第二支路的输出端用于为所述偏置晶体管馈电。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求1至7任一项所述的电流镜电路。