CN100419987C - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法，其目的在于，通过把第1交接台的基板运送至能够最早进行处理的处理块中，而缩短总计的处理时间。基板处理装置，具备：第1运送机构(22)，向基板承载体(C)进行晶片(W)的交接；和第2运送机构(23)，在多个处理块(B3-B5)和第1运送机构(22)之间经由第1交接台(24)进行晶片(W)的交接，并向处理块(B3-B5)进行晶片(W)的运送。在该装置中，基于来自处理块(B3-B5)的晶片(W)的处理信息，来确定晶片(W)不存在或该处理块内的最后的晶片(W)最早完成最后工序的处理块，并利用上述第2运送机构(23)将第1交接台(24)的晶片(W)运送至该处理块，所以可以顺利进行晶片(W)向处理块的运送。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及向例如半导体晶片或LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等基板表面供给处理液并进行既定的基板处理、例如抗蚀剂液的涂敷和曝光后的显影处理等的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
在半导体设备的制造过程中，使用以下光蚀刻技术：通过在半导体晶片(以下称为晶片)等基板上涂敷抗蚀剂液，使用光掩模使该抗蚀剂膜曝光，进而显影，由此在基板上制作所希望的抗蚀剂图形。这样的处理，一般使用在进行抗蚀剂液的涂敷·显影的涂敷·显影装置上连接有曝光装置的基板处理装置来进行。
基板处理装置，为了确保高生产量同时实现装置占有面积的小容量化，将对基板进行涂敷处理、显影处理、加热·冷却处理等多个不同处理的处理装置分别单元化，组装这些每个处理所需的数目的单元，进而在各处理单元上设置用于运入运出基板的运送机构。
关于这样的基板处理装置的一个例子，参照专利文献1的构成进行说明。图16中11是运入运出例如收纳有25片晶片W的承载体10的承载台11，在该承载台11上，连接有例如3个处理块12A、12B、12C，在第3处理块12C上经由接口块12D连接有曝光装置E。处理块12A、12B、12C，分别在中央具备运送机构13A、13B、13C，并且在该周围，第1和第2处理块12A、12B中设有用于向晶片涂敷涂敷液的涂敷单元14A、14B，在第3处理块12C中设有用于对曝光后的晶片进行显影处理的显影单元15，在全部的处理块12A-12C中，设有用于在涂敷单元14和显影单元15的处理前后，对晶片进行既定的加热处理和冷却处理的具备加热单元、冷却单元或交接单元等的搁板单元16A-16G。
在该装置中，用交接臂17把承载台11的承载体10内的晶片取出，经由搁板单元16A的交接单元运送至第1处理块12A，然后以既定顺序依次运送至第1和第2处理块12A、12B的空闲的处理单元并进行了抗蚀剂液的涂敷处理后，经由处理块12C、接口块12D运送至曝光装置12E，在这里进行既定的曝光处理。这之后，再次以既定顺序运送至第3处理块12C的空闲的处理单元并进行显影处理。此外，在涂敷处理和显影处理前后，在空闲的处理单元中进行加热处理或冷却处理。在此，在第1处理块12A和第2处理块12B之间、第2处理块12B和第3处理块12C之间、第3处理块12C和接口块12D之间，分别经由搁板单元16C、16E、16G的交接单元进行晶片的交接。
专利文献1：特开平2000-124124号公报(参照图2)
发明内容
另外，在上述的基板处理装置中，在第1-第3的处理块12A-12C全体中进行一连串的处理，预先依照对晶片W进行处理的方法，确定使用的处理单元、和处理单元的运送顺序。再者，在该装置中，作出以下运送程序很难：第n个运入第1-第3的处理块12A-12C的晶片Wn，被该晶片Wn的下一个运入的第(n+1)个晶片Wn+1超过，制作后发的晶片Wn+1比先发的晶片Wn先进行处理，所以不能进行这样的晶片W超越。
因此在现状的装置中，如果假定在从承载体C把处理花费长时间的群A的晶片WA交出至处理块后，从承载体C把处理时间比群A短的群B的晶片WB交出至处理块的情况，则如果在群A的晶片WA的交出时机连续交出群B的晶片WB，则出现晶片WB追上晶片WA，晶片WB直至晶片WA的处理结束为止都在处理块内待机的情形。这时为了不使晶片WB在处理块内待机，在晶片WA后交出晶片WB时，需要在比群A的晶片WA的交出时间晚的时刻交出晶片WB。这样，如果使晶片WB在处理块内等待向下一个工序的单元的运送，或延迟晶片WB的交出时机，则总计的处理时间变长，处理效率降低。
本发明基于这样的问题，其目的在于提供一种基板处理装置及基板处理方法，通过把第1交接台的基板运送至能够最早进行处理的处理块中，而可以缩短总计的处理时间，实现生产量的提高。
因此本发明的基板处理装置，具备：承载块，包括：承载体载置部，运入运出收纳有多片基板的基板承载体；和第1运送机构，相对于载置在该承载体载置部上的基板承载体进行基板的交接；第2运送机构，与该承载块邻接地设置，沿横向延伸的直线状的运送路运送基板；第1交接台，用于在第1运送机构和第2运送机构之间进行基板的交接；多个处理块，具备：多个处理单元，用于对基板进行既定处理；第3运送机构，在这些处理单元之间运送基板；和第2交接台，用于在第2运送机构和第3运送机构之间进行基板的交接，并且沿各运送路排列地设在装置主体上，且以处理块为单位对基板进行一连串的基板处理；处理块控制部，控制第3运送机构和各处理单元的动作，以便基于既定的方法在这些处理块中分别对基板进行既定的处理，并且输出该处理块内的基板的处理信息；和控制第2运送机构的机构，以便在基板从第1交接台交接至第2运送机构之前，基于来自处理块控制部的基板的处理信息，来确定不存在基板或该处理块内的最后的基板最早完成最后工序的处理块，并将第1交接台的基板运送至该处理块。
在此，控制第2运送机构的机构，可以控制第2运送机构，以便关于依照基板的种类而分配的基板批次，在其批次最前面的基板从第1交接台交接至第2运送机构之前，基于来自处理块控制部的基板的处理信息，来确定不存在基板或在该处理块内进行处理的先前的基板批次的最后的基板最早完成最后工序的处理块，并将第1交接台的后续批次的最前面的基板运送至该处理块。
在这样的基板处理装置中，具备：第1运送机构，相对于收纳有多片基板的基板承载体进行基板的交接；第2运送机构，相对于该第1运送机构经由第1交接台进行基板的交接；多个处理块，包含：多个处理单元，用于对基板进行既定处理；第3运送机构，在这些处理单元之间运送基板；和第2交接台，用于在第2运送机构和第3运送机构之间进行基板的交接；在相对于基板承载体内的基板在处理块中以处理块为单位进行一连串的基板处理的基板处理方法中，实施包含以下工序的基板处理方法：第1运送机构把基板承载体内的基板运送至第1交接台的工序；在第2运送机构接受第1交接台的基板之前，基于各处理块的基板的处理信息，来确定不存在基板或该处理块内的最后的基板最早完成最后工序的处理块的工序；然后第2运送机构接受载置在第1交接台上的基板，并将该基板运送至确定的处理块中的工序。
在这样的构成中，由于可以把第1交接台的基板，运送至能够最早进行处理的处理块中，所以可以缩短总计的处理时间，并实现生产量的提高。
在此，基板处理装置可以构成为，例如在运送路中连接有承载块的一侧的相反侧，连接有连接曝光装置的接口部，也可以构成为，在运送路中连接有处理块的一侧的相反侧，连接有连接曝光装置的接口部。
此外，处理块包含：涂敷单元，例如用于将抗蚀剂液涂敷在基板上；显影单元，用于对曝光后的基板进行显影处理；加热单元，用于加热基板；第3运送机构，在这些单元之间运送基板；和第2交接台，用于在第2运送机构和第3运送机构之间进行基板的交接，以各处理块为单位对基板进行抗蚀剂液的涂敷以及/或者曝光后的显影处理。这时，处理块控制部可以构成为，具备基于基板的处理方法，来选择进行处理的涂敷单元、显影单元和加热单元的装置。
再者，各处理块可以构成为，包含：液体处理单元，用药液对基板进行处理；加热单元，用于加热基板；第3运送机构，在这些单元之间运送基板；和第2交接台，用于在第2运送机构和第3运送机构之间进行基板的交接，以各处理块为单位对基板进行一连串的处理，这时，处理块控制部可以构成为，具备基于基板的处理方法，来选择液体处理单元和加热单元的功能。
进而，液体处理单元，可以进行形成涂敷膜的处理，也可以在基板上涂敷含有绝缘膜的前驱物的药液。进而，多个处理块形成为平面大小相同，第2运送机构设在沿成排的多个处理块延伸的运送块上，各处理块构成为相对于运送块可以装拆。
根据本发明的基板处理装置，通过把第1交接台的基板，运送至能够最早进行处理的处理块中，可以缩短总计的处理时间，并实现生产量的提高。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的基板处理装置的俯视图。
图2是表示本发明的实施方式的基板处理装置的立体图。
图3是表示基板处理装置的侧剖视图。
图4是表示基板处理装置的侧剖视图。
图5是表示基板处理装置的处理块的内部的立体图。
图6是表示设在基板处理装置上的涂敷单元的剖视图。
图7是表示设在基板处理装置上的加热单元(PEB)的剖视图。
图8是表示设在基板处理装置上的第3运送机构的立体图。
图9是用于说明本发明的基板处理装置的控制系统的块图。
图10是用于说明本发明的基板处理装置的作用的俯视图。
图11是表示本发明的基板处理装置的其他实施方式的俯视图。
图12是表示基板处理装置的侧剖视图。
图13是表示基板处理装置的侧剖视图。
图14是表示本发明的基板处理装置的其他实施方式的俯视图。
图15A是表示本发明的基板处理装置的其他实施方式的俯视图。
图15B是表示本发明的基板处理装置的其他实施方式的俯视图。
图16是表示现有的基板处理装置的俯视图。
图17是表示本发明的基板处理装置的其他实施方式的俯视图。
符号说明
B1-承载块；B2-运送块；B3-第1处理块；B4-第2处理块；B5-第3处理块；B6-接口部；B7-曝光装置；C-基板承载体；22第1运送机构；23第2运送机构；24第1交接台；31第3运送机构；32涂敷单元；33显影单元；81系统控制部；82A-82C处理块控制部；83运送块控制部
具体实施方式
以下说明本发明的基板处理装置的一个实施方式。在此，图1是表示基板处理装置的一个实施方式的整体构成的俯视图，图2是其概略立体图。图中B1是承载块，用于运入运出收纳有例如25片基板例如半导体晶片W的基板承载体C，该承载块B1具备：载置基板承载体C的承载体载置部21和第1运送机构22。
在该承载块B1的例如一侧，例如从承载体载置部21侧观看的左端侧，设有运送块B2，具备在横向、即与承载体C的排列方向大致垂直的方向上直线状延伸的运送路，且和承载块B1连接。另外，承载块B1的第1运送机构22构成为左右、前后移动自如，升降自如，绕铅直轴旋转自如，以便从基板承载体C取出基板W，并把取出的基板W交接至运送块B2的第2运送机构23。
在此，在承载块B1的连接有运送块B2的区域附近，设置第1交接台24，用于在承载块B1的第1运送机构22和运送块B2的第2运送机构23之间进行晶片W的交接。该交接台24构成为两层，例如在把晶片W运入运送块B2时使用的运入用交接台和在把晶片W运出运送块B2时使用的运出用交接台。此外，交接台24可以设置在运送块B2内且第1运送机构22能够进入的区域，也可以是在相对于运送块B2运入运出晶片W时使用共用的交接台的一层构成。例如，交接台构成为能够由背面支承3个基板的结构，并且第1运送机构22和第2运送机构23的各自的臂部不干涉。
在运送块B2上，以沿横向直线状延伸的方式设置成为运送路的导轨25，第2运送机构23具备例如用于保持晶片的2个臂，并且构成为沿导轨25横向移动自如，升降自如，进退自如，绕铅直轴旋转自如。此外，运送机构23的臂也可以是1个。
再者，在运送块B2上，沿运送路排列的多个例如3个处理块B3、B4、B5设置成相对于成为装置主体的运送块B2装拆自如。在该例中，第1-第3处理块B3-B5包括各部分配置布局在内同样地构成。即，处理块B3-B5形成为同一大小，并且配设在处理块B3-B5上的处理单元的种类和个数、布局设定为同一构成。
具体来讲，以第1处理块B3为例也参照图3-图5进行说明，在处理块B3的中央设置第3运送机构31，在例如从承载块B1观看内侧以将其包围的例如右侧，配置液体处理单元组U1，多层例如五层堆起例如3个涂敷类单元(COT)32、和2个显影单元(DEV)33；在左侧的面前侧、内侧，配置多层例如在该例中分别为例如6层、10层堆起加热·冷却类单元等的搁板单元U2、U3。
涂敷类单元32、和显影单元33分别是液体处理单元，涂敷类单元32含有：用于例如向晶片W进行涂敷抗蚀剂液的处理的单元、和反射防止膜形成单元，在涂敷抗蚀剂液之前或之后，在晶片表面涂敷反射防止膜形成用药液，形成下层侧反射防止膜或上层侧反射防止膜，显影单元33是例如在曝光后的基板上盛放显影液，在既定时间保持该状态来进行显影处理的单元。
搁板单元U2、U3构成为，在运送块B2的第2运送机构23能够进入的区域堆积多个单元，例如在该例中，除了在涂敷单元和反射防止膜形成单元等中的液体处理后，用于去除涂敷液中含有的溶剂的例如3个减压干燥单元(VD)、用于在抗蚀剂液涂敷前对晶片W进行既定的加热处理，或用于显影后的加热处理的例如4个加热单元(LHP)、用于在抗蚀剂液涂敷后进行晶片的加热处理的称为预烘焙单元等的例如一个加热单元(PAB)、加热处理曝光后的晶片W的称为曝光后烘焙单元等的例如2个加热单元(PEB)、用于把晶片W调节至既定温度的作为调温单元的例如3个调温单元(CPL)、用于对晶片表面进行疏水化处理的疏水化处理单元(ADH)以外，还上下分配有用于把晶片W运入处理块B3的例如1个交接单元(TR S1)、和用于从处理部S1运出晶片W的例如1个交接单元(TR S2)等。
交接单元TR S1、TR S2相当于本发明的第2交接台。图3-图5表示这些单元的布局的一个例子，但是单元的种类和数量并不局限于此，在该例中也可以使交接单元为1个，在把晶片W运入处理块B3时和从处理块B3运出晶片W时可以都使用该交接单元。再者，可以本着降低晶片温度的目的在交接单元(TR S2)上附加调温功能，例如，在加热单元(PAB)中的处理后，进行显影处理后的加热处理后运出时等，可以利用该调温功能降低晶片W的温度。
第3运送机构31，如后面说明的那样，构成为升降自如，进退自如和绕铅直轴旋转自如，具有在液体处理单元组U1、和搁板单元U2、U3之间运送基板W的作用。不过在图2中，为了方便没有画出第2运送机构23。再者，第2运送机构23如已经说明的那样构成.把从第1运送机构22交接来的晶片W交接至处理块B3的交接单元TRS1(TRS2)。
再者在该例中，在运送块B2的上方侧和处理块B3的设有第3运送机构31的区域的上方侧，设置风扇过滤器单元(FFU)35，由带有旋转翼的风扇和ULPA过滤器或化学过滤器等构成，把利用该风扇过滤器单元35去除颗粒和氨成分而洁净化了的空气，分别供给运送块B2内的下方侧和设有第3运送机构31的区域的下方侧。进而在处理块B3内设有搁板单元U2、U3的区域的上方侧、和处理块B3内设有液体处理单元组U1的区域的上方侧，分别设置电装品容纳部36，其中，容纳有连接于运送机构等马达的驱动器、连接于各单元的I/O板、或控制各单元的控制部等。
在液体处理单元组U1的下方侧的地面附近，设置化学单元U4，收纳有显影液或反射防止膜形成液等涂敷液等的药液、调温用流体、显影液、惰性气体等的各个箱体等，并且在搁板单元U2、U3的下方侧的地面附近，设置具备用于从外部取入能源的多个能源线的第1能源单元U5。另一方面，在运送块B2上，设置对应于第1能源单元U5的外部侧的第2能源单元U6，构成为在将处理块B3压入运送块B2侧时，第1和第2能源单元U5、U6相互连接。
第3处理块B5的与第1处理块B3相反的一侧经由接口部B6与曝光装置B7相连。再者接口部B6设定为和运送块B2连接于承载块B1侧的相反侧连接。接口部B6具备交接机构26，该交接机构26构成为例如升降自如、左右、前后移动自如并且绕铅直轴旋转自如，以便在运送块B2的第2运送机构23和曝光装置B7之间进行基板W的交接。在此，在接口部B6的连接有运送块B2的区域附近，设置例如2层构成的交接台27，用于在接口部B6的交接机构26和运送块B2的运送机构23之间进行晶片W的交接。此外交接台27可以设置在运送块B2内部且第2运送机构23和接口部B6的交接机构26能够进入的区域，可以具备用于使基板温度一定的调温装置，可以为1级构成，也可以为多级构成。
接下来简单说明设在处理块B3～B5上的涂敷类单元32和加热单元(PEB)等的构成。首先使用图6说明涂敷单元或反射防止膜形成单元等的涂敷类单元32。在此，作为涂敷类单元，如后面说明的那样可以使用旋回涂敷式构成，向基板上供给处理液，旋转使液体扩散，但是在这里以扫描式涂敷装置为例进行说明。
晶片W的周缘部，一部分切掉，设有表示晶片W朝向的凹口N。图中51是基板保持部，包括吸附晶片W的背面侧并保持为大致水平的吸附部51a、使吸附部51a升降自如、绕铅直轴转动自如，并且在X方向可以移动的驱动基体52，驱动基体52其下端被移动体53支承。
在该移动体53的底面附近设置马达M1驱动的丝杠部54，通过马达M1使丝杠部54旋转，移动体53被未图示的轨道引导而沿图中Y方向移动。再者在移动体53的上表面设置沿X方向引导驱动基体52的未图示的轨道，构成为利用驱动基体52和移动体53的作用，保持于基板保持部51的晶片W可以分别向X和Y方向的任意位置移动。利用这些移动体53、未图示的轨道、丝杠部54和马达M1，使晶片W相对于涂敷液喷嘴55沿前后方向相对移动，即、使晶片W沿图6中的Y轴方向移动，其中涂敷液喷嘴55设在晶片W上方侧，用于供给抗蚀剂液和反射防止膜的药液等涂敷液。
涂敷液喷嘴55构成为，利用未图示的驱动带轮和从动带轮、挂在这些各带轮上的环形带、组装有使驱动带轮旋转的马达M2等，且沿X方向延伸的长方形驱动基体56，沿X方向移动自如。图中57(57a、57b)是一对液体接受部，用于接住从上方落下来的涂敷液，并防止向晶片W的外缘附近区域供给涂敷液。
在该涂敷类单元32中，如果涂敷液喷嘴55从晶片的一端面移动至另一端面，则与该时机一致地将晶片W向与其交叉的方向间歇送出。通过反复这样的动作，以所谓的一笔划的要领把涂敷液涂敷在晶片W上。
再者作为涂敷类单元32的下一个工序的处理单元的减压干燥单元(VD)构成为，例如在密闭容器内，通过一边减压为既定的真空度一边把晶片W加热至既定温度，使涂敷膜中的溶剂蒸发，由此形成涂敷膜。进而显影单元33，从供给喷嘴向晶片W的中央部沿晶片W的直径方向的宽度供给显影液，并且使晶片W半旋转，由此把显影液盛放到晶片W上，在既定时间保持这样把显影液在晶片W上盛放的状态来进行既定的显影处理。
再者借助图7说明作为加热单元的曝光后烘焙单元(PEB)。在壳体6中，台60的上面，在前方侧设置冷却板61，在后方侧设置具备加热器62a的加热板62。冷却板61具有以下作用：在经由具备门63a的开口部63进入壳体6内的第3运送机构31、和加热板62之间进行晶片W的交接，并且在运送时粗冷却(进行粗去热)加热了的晶片W。因此如图所示，脚部61a构成为可以沿未图示的引导机构在Y方向进退，由此冷却板61可以从开口部63的侧方位置移动至加热板62的上方位置。再者在冷却板61的背面侧设置未图示的冷却流路。
在台60中的第3运送机构31和冷却板61交接晶片W的位置、以及加热板62和冷却板61交接晶片W的位置，分别突没自如地设置支承销64，在冷却板61上，形成未图示的狭缝，以便可以在这些支承销64上升时打通该冷却板61并举起晶片W。图中66是经由风扇66a连通的通气室，图中67是具备风扇67a的通气口。
在这样的加热单元(PEB)中，晶片W从第3运送机构31交接到冷却板61上，然后用冷却板61交接到加热板62上，在此进行既定的加热处理。加热处理后的晶片，从加热板62再次接受至冷却板61，在这里粗冷却后，接受至第3运送机构，运送至下一个工序。
再者加热单元(LHP)、(PAB)分别是只具备用于把晶片W加热至既定温度的加热板的构成，调温单元(CPL)是只具备用于把晶片W调节至既定温度的冷却板的构成。
再者，如果借助图8说明第3运送机构31，则该运送机构31具备：保持晶片W的例如3个臂部71；进退自如地支承该臂部71的基台72；升降自如地支承该基台72的一对导轨73a、73b；分别连结这些导轨73a、73b的上端和下端的连结部件74a、74b；为了绕铅直轴旋转自如地驱动由导轨73a、73b和连结部件74a、74b构成的框体而一体安装在导轨下端的连结部件74b上的旋转驱动部75；和设在导轨上端的连结部件74a上的旋转轴部76。
臂部71为3级构成而分别能够保持晶片W，臂部71的基端部沿基台的纵长方向能够滑动移动。其滑动引起的臂部71的进退移动，利用未图示的驱动机构驱动控制。再者基台72的升降移动，利用未图示的其他驱动机构驱动控制。这样臂部71绕铅直轴旋转自如、升降自如且进退自如地被驱动。
在这样的基板处理装置中，如图1和图9所示，装置主体由系统控制部81控制，关于各处理块B3-B5，对每个处理块B3-B5分别利用处理块控制部82(82A-82C)基于来自系统控制部81的指令进行控制，利用运送块控制部83基于来自系统控制部81的指令控制运送块B2。系统控制部81，例如具备：方法存储部81a、存储对收纳于基板承载体的每个基板在处理块B3-B5中进行的处理的方法；方法作成部81b，进行方法的变更和编辑等；和用于从存储在方法存储部中的多个方法中选择既定方法的方法选择部81c等。
再者，处理块控制部82A(82B、82C)具备：第1程序82a，基于从系统控制部81送来的既定方法，选择该方法的处理所需的处理单元，并控制处理单元B3(B4、B5)以在既定的处理条件下进行处理；和第2程序82b，掌握处理块B3(B4、B5)内的晶片的处理状态，并将其输出至系统控制部81。这样在处理块控制部82A(82B、82C)中，由于实时识别处理块B3(B4、B5)内的晶片的处理状态，并通知系统控制部81，所以在系统控制部81中，可以掌握在各处理块B3-B5中，在哪个处理单元中处理最后的晶片W，哪个处理块B3-B5，在最后工序的处理单元中最早完成晶片W的处理。
再者，运送块控制部83，是控制第2运送机构的控制机构，存储有运送程序83a，基于来自系统控制部81的指令，用于在第1交接台24、既定的处理块B3-B5的交接单元TRS1、TRS2、和接口部B6的交接台27之间，运送交接至第2运送机构23的晶片W。
如果简单说明这样的基板处理装置中的晶片的输送，则借助自动运送机器人(或者作业者)把收纳有例如25片晶片W的承载体C，从外部运入承载块B1的承载体载置部21。然后用第1运送机构22从这些承载体C内取出晶片W，并交接至承载块B1的交接台24。该交接台24的晶片W利用运送块B2的第2运送机构23，经由例如第1处理块B3的输入用交接单元TRS1而交接至既定的处理块、例如该处理块B3，在该处理块B3内，利用第3运送机构31，依次运送至既定的处理单元，在该例中，例如以块为单位进行抗蚀剂液的涂敷处理。
然后，涂敷有抗蚀剂液的晶片W，经由输出用交接单元TRS2而交接至运送块B2的第2运送机构23，运送至接口部B6的交接台27。然后借助接口部B6的交接机构26把晶片W运送至曝光装置B7，进行既定的曝光处理。
曝光后的晶片W，再次经由接口部B6的交接机构26、交接台27、运送块B2的第2运送机构23，然后经由涂敷抗蚀剂液的原来的处理块即第1处理块B3的输入用交接单元TRS1运送至该处理块B3，在此利用第3运送机构31，运送至既定的处理单元，例如在进行了既定的显影处理后，经由输出用交接单元TRS2交接至运送块B2的第2运送机构23。然后经由承载块B1的交接台24、第1交接机构22返回至例如原来的承载体C内。这样在该例中，在第1-第3处理块B3-B5中，分别以块为单位进行一个品种的涂敷膜的形成，在各个处理块B3-B5内完成涂敷膜的形成。
接下来参照图10说明本发明的特征构成。在这里，以运送依照晶片种类来分配的多个基板的批次的基板的情况，在第1处理块B3中有2片品种A的晶片WA，在第2处理块B4中有2片品种B的晶片WB，在第3处理块B5中有2片品种C的晶片WC，从承载体C中交出品种D的晶片WD的情况为例进行说明。基板的批次，在同一基板承载体C内收纳进行品种不同的处理的晶片的情况等时，可以在同一基板承载体内分配多个批次，也可以对不同的基板承载体C分别分配。
在各处理块B3-B5的处理块控制部82A-82C中，掌握各处理块B3-B5内的晶片WA-WC的处理状态，并将该信息实时送出至系统控制部81。由此在系统控制部81中，经由处理块控制部82A-82C，识别最后的晶片WA-WC前进到哪个步骤。
另一方面，后续的批次的最前面的晶片WD从承载体C借助第1交接机构22交出并运送至第1交接台24，但是运送块B2的第2运送机构23基于运送块控制部83的运送程序被驱动，在由运送程序确定的时机去接受交接台24上的晶片WD时，询问系统控制部81运送至哪个处理块B3-B5为宜。
在系统控制部81中，判断那时的处理块B3-B5的空闲状态，并向运送块控制部83输出指令，以便将晶片WD运送至空闲的处理块B3-B5。在这里所谓的空闲的处理块B3-B5，除了先前的基板批次的最后的晶片W不存在于处理块B3-B5的情况，还包括最后的晶片W最早完成该处理块B3-B5的最后工序的处理块B3-B5。
这样，在第2运送机构23从第1交接台24交接后续的批次的最前面的晶片WD之前，基于各处理块B3-B5内的晶片WA-WC的处理信息，确定处理块B3-B5内的晶片的处理最早完成的处理块B3-B5，并将该信息作为指令向运送块控制部83输出，借助第2运送机构23，将晶片WD运送至确定的处理块B3-B5。在此关于晶片WD，在系统控制部81中存储对该晶片WD进行的处理的方法，如果确定运送晶片WD的处理块B3(B4、B5)，则从系统控制部81向该处理块B3(B4、B5)的处理块控制部82A(82B、82C)，送出该晶片WD的处理方法，在处理块B3(B4、B5)中，基于该处理方法，选择使用的处理单元，在各处理单元中以既定的处理条件进行处理。
这样关于该晶片WD后续的晶片W也同样，运送至既定的处理块B3-B5，进行既定的处理。在该情况下，在这里以运送不同批次的最前面的批次的晶片的情况为例进行说明，但是运送同一批次的晶片的情况也一样，选择处理块B3-B5，进行既定的处理。
在这里关于在各处理块B3-B5中进行的晶片的处理的具体例子，以例如在同一基板承载体C内收纳进行第1处理的晶片WA、进行第2处理的晶片WB、和进行第3处理的晶片WC的情况为例说明。在该例中，第1处理是对晶片在抗蚀剂膜的下层侧和上层侧分别形成反射防止膜的处理，第2处理是对晶片在抗蚀剂膜的上层侧形成反射防止膜的处理，第3处理是对晶片在抗蚀剂膜的下层侧形成反射防止膜的处理。
这时，在承载体C内的晶片是进行第1处理的晶片WA的情况下，如果确定运送该晶片WA的处理块例如第1处理块B3，则从系统控制部81将晶片WA的处理方法送至该处理块B3的处理块控制部82A。在处理块控制部82A中，如已经说明的那样，基于该处理方法选择使用的处理单元，在各处理单元中以既定的处理条件进行处理。具体来讲，在该第1处理中，首先经由交接单元TRS1运入的晶片WA，以调温单元(CPL)→用于形成下层侧反射防止膜的涂敷类单元(COT)→加热单元(LHP)或减压干燥单元(VD)→调温单元(CPL)→涂敷单元(COT)→加热单元(PAB)或减压干燥单元(VD)→调温单元(CPL)→上层侧反射防止膜形成单元(COT)→加热单元(LHP)或减压干燥单元(VD)的顺序运送，在下层侧反射防止膜(Bottom-ARC)、抗蚀剂液的液膜和上层侧反射防止膜(Top-ARC)从下侧以该顺序形成后，经由交接单元TRS2运出，并在曝光装置B7中进行曝光处理。在此涂敷类单元(COT)的下一个工序，可以使用电热板式的加热单元(LHP、PAB)、减压干燥单元(VD)的某一个进行处理。
然后曝光后的晶片WA，以已经说明的路径，经由涂敷抗蚀剂液的原来的处理块的输入用交接单元TRS1，运送至该处理块B3，在此按加热单元(PEB)→调温单元(CPL)→显影单元(DEV)运送，进行了既定的显影处理后，由加热单元(LHP)调节至既定温度，并经由交接单元TRS2运出。这样进行形成下层侧反射防止膜、抗蚀剂膜和上层侧反射防止膜的第1处理。因此在运送进行第1处理的晶片WA的处理块中，选择上述处理单元，在各处理单元中进行既定的处理。
再者，在承载体C内的晶片是进行第2处理的晶片WB的情况下，如果确定运送该晶片WB的处理块例如第2处理块B4，则从系统控制部81将晶片WB的处理方法送至该处理块B4的处理块控制部82B。在处理块控制部82B中，如已经说明的那样，基于该处理方法选择使用的处理单元，在各处理单元中以既定的处理条件进行处理。具体来讲，在该第2处理中，例如以疏水化处理单元(ADH)→调温单元(CPL)→涂敷单元(COT)→减压干燥单元(VD)的顺序运送，进行抗蚀剂液的涂敷处理后，以加热单元(PAB)→调温单元(CPL)→上层侧反射防止膜形成单元(COT)→减压干燥单元(VD)→加热单元(LHP)的顺序运送，并形成上层侧反射防止膜(Top-ARC)，之后如已经说明的那样，运送至曝光装置B7，并在此进行既定的曝光处理。
然后曝光后的晶片WB，以已经说明的路径，运送至涂敷抗蚀剂液和形成上层侧反射防止膜的处理块B4，与上述第1处理同样，进行了既定的显影处理后，这样形成抗蚀剂膜和上层侧反射防止膜。因此在运送进行第2处理的晶片WB的处理块中，选择上述处理单元，在各处理单元中进行既定的处理。
进而，在承载体C内的晶片是进行第3处理的晶片WC的情况下，如果确定运送该晶片WC的处理块例如第3处理块B5，则从系统控制部81将晶片WC的处理方法送至该处理块B5的处理块控制部82C。在处理块控制部82C中，如已经说明的那样，基于该处理方法选择使用的处理单元，在各处理单元中以既定的处理条件进行处理。具体来讲，在该第3处理中，例如以调温单元(CPL)→下层侧反射防止膜形成单元(COT)→减压干燥单元(VD)→加热单元(LHP)的顺序运送，形成下层侧反射防止膜后，以调温单元(CPL)→涂敷单元(COT)→减压干燥单元(VD)→加热单元(PAB)的顺序运送，并进行抗蚀剂液的涂敷处理。之后如已经说明的那样，运送至曝光装置B7，并在此进行既定的曝光处理。
然后曝光后的晶片WC，以和上述第1处理、第2处理同样的路径，运送至涂敷抗蚀剂液和形成下层侧反射防止膜的处理块B5，进行了既定的显影处理后，这样形成下层侧反射防止膜和抗蚀剂膜。因此在运送进行第3处理的晶片WC的处理块B5中，选择上述处理单元，在各处理单元中进行既定的处理。
这样，在该实施方式中，在各处理块B3-B5内进行不同种类的处理，但是没有在一个处理块中同时实施两种不同的方法，在一种处理结束后，实行下一种处理。
在这样的构成中，设置运送块B2，利用该运送块B2的第2运送机构23，进行承载块B1和各处理块B3-B5彼此之间、或各处理块B3-B5和接口部B6彼此之间的晶片W的交接。再者，在各处理块B3-B5中在每个块中进行并列处理。即，各处理块B3-B5的第3运送机构31只担当该处理块B3-B5内的晶片W的运送即可，与现有技术相比，该运送机构31的负担减轻。由此不易发生处理后的晶片W等待运送机构31进行的运送的情形，可以实现运送时间的缩短，并且从整个装置看可以实现生产量的提高。
再者，由于各处理块B3-B5装拆自如地设在运送块B2(装置主体)上，并且以多个处理块为单位完成不同种类的一连串的处理，所以在进行处理种类增加的情况下，通过追加与新品种对应的处理块就可以应对，由该装置进行的处理的自由度较大。由此，如上述实施方式中说明的那样，可以应对例如在同一承载体C内搭载进行不同种类的处理的晶片的情况等的少量多品种生产。
进而，在第1-第3的各处理块B3-B5中，每个处理块独立进行一连串的处理，再者，在从基板承载体C向第1交接台24交出晶片W，运送块B2的第2运送机构23去取该晶片W时，由于识别第1-第3的处理块B3-B5内的晶片W的处理状态，掌握晶片W不存在或最早完成处理的处理块，并利用第2运送机构23把晶片W运送至该处理块，所以可以顺利进行晶片W从第1交接台24向处理块的运送。
即、在现有技术中，由于即使存在多个处理块，全部处理块也整体进行一连串的处理，所以如现有技术栏中也记载的那样，在处理时间长的晶片WA后交出处理时间短的晶片WB的情况下，在某一个工序中晶片WB追上晶片WA，晶片WB的运送不能顺利进行而使生产量下降，但是在本发明的构成中，由于多个处理块的每一个独立进行一连串的处理，所以根据晶片W向处理块运入的时机、处理的种类，对于每个处理块来说最后的晶片W的处理状态不同。因此，如果掌握各处理块内的晶片W的处理状态，在运送新交出的晶片W的时机，根据处理块的空闲状态，来确定运送目的地的处理块，则可以将在第1交接台24中的晶片W的待机时间抑制到最短，可以顺利进行晶片W向处理块的运送。由此，可以缩短总计的处理时间，并提高处理整体的生产量。
这时，例如在基板承载体C内收纳进行种类不同的处理的晶片的情况等少量多品种的生产，第1种群的晶片WA的交出结束后，进行第2种群的晶片WB的交出，其中第2品种的处理时间比第1品种处理时间短的情况下，由于预先掌握处理块的状态并确定运送目的地，所以可以抑制在处理中途后发的晶片WB追上先发的晶片WA，晶片WB等待向下一个工序运送的状态的发生，可以抑制生产量的下降，较为有效。
此外，在各处理块内，预先准备与预定的处理对应的数量的处理单元，在该例中准备涂敷类单元32、显影类单元33、减压干燥单元(VD)、加热单元(PEB、PAB、LHP)、疏水化单元(ADH)、调温单元(CPL)等，对应于运送到该处理块中的晶片的处理方法，借助处理块控制部82，选择与该方法对应的涂敷类单元32、显影类单元33、加热单元等的处理单元，设定处理条件以进行既定的处理，从而可以用一个处理块进行不同品种的多个处理，提高在装置中进行处理的自由度。
再者，如果这样自由组合处理块内的处理单元来进行处理，则在系统控制部81和处理块控制部82A-82C中，假如在处理块内，处理单元中出现故障等问题时，通过存储进行运送至代替的处理单元的控制的程序，在这样的问题时也可以不立即停止处理，进行存在该问题的处理单元的检查或更换，从而抑制生产量的下降。
进而在该例中，可以实现晶片的处理方法或运送方法的作成的简易化。即、现有的装置，如已经说明的那样，在晶片的处理方法中，与处理流一起，也指定那时使用的处理单元自身。与此相对，在本发明的手法中，由于在由系统控制部81管理的晶片W的处理方法中，只指定处理流，关于使用的处理单元，在第2运送机构23接受第1交接台24上的晶片W前确定即可，所以无需在处理方法中指定使用的处理单元，相应地，处理方法或运送方法的作成变得容易。
在该实施方式中，关于在第1-第3处理块B3-B5中进行不同品种的处理的情况进行了说明，但是也可以在第1-第3处理块B3-B5的每个中进行相同品种的处理，在第1-第3处理块B3-B5内的两个处理块中进行相同品种的处理，在剩余的一个处理块中进行不同品种的处理。再者，在第1-第3处理块B3-B5的每个中使用相同的处理单元来进行处理的情况下，可以在各处理块B3-B5上只搭载需要的处理单元，在该情况下，处理块控制部的第1程序，具备控制第3运送机构和各处理单元的动作的功能即可，以便在处理块内基于既定的方法对基板进行既定的处理。
接下来使用图11-图13说明本发明的基板处理装置的其它例子。该例的基板处理装置与上述例子的不同点，只是第1-第3处理块B3-B5的内部构成。这些处理块B3-B5形成为同样大小，配设在各处理块内的处理单元的布局相同地构成。
即、在从承载块B1观看的面前侧设置2个液体处理单元组91A、91B，多级例如五级排列有液体处理类的处理单元，在该内侧设置2个搁板单元93A、93B，夹有第3运送机构92，并多级例如10级和6级排列有加热·冷却类的处理单元，利用第3运送机构92，在液体处理单元组93A、93B、和搁板单元93A、93B之间进行晶片W的交接。再者，运送块B2侧的搁板单元93A，在运送块B2的第2运送机构23能够进入的位置，具备成为交接台的交接单元(TRS1、TRS2)，用于在第2运送机构23和第3运送机构92之间进行晶片W的交接。
这样在各处理块B3-B5内，例如与上述实施方式同样，除了设置例如3个涂敷类单元(COT)32、2个显影单元(DEV)33、3个减压干燥单元(VD)、4个加热单元(LHP)、一个预烘焙用的加热单元(PAB)、2个曝光后烘焙用的加热单元(PEB)、3个调温单元(CPL)、和1个疏水化处理单元(ADH)以外，还设有2个交接单元(TRS1、TRS2)。
在该例中，与上述实施方式同样，以多个处理块为单位进行并完成一连串的处理，掌握各处理块内的晶片W的处理状态，并利用第2运送机构23把第1交接台24上的晶片W运送至最后的晶片W不存在或最后的晶片W最早完成最后工序的处理块。
进而，本发明的基板处理装置，除了在运送块B2连接于承载块B1侧的相反侧，经由接口部B6连接曝光装置B7的构成以外，还可以例如图14所示构成为，在运送块B2连接于第1-第3处理块B3-B5一侧的相反侧，经由接口部B6连接曝光装置B7。在该情况下，例如图14所示，在接口部B6上，设置交接台95，用于在运送块B2的第2运送机构23和接口部B6的交接机构94之间进行晶片W的交接。在此处理块的内部，可以如图1所示布局，也可以如图10所示布局。
本发明的涂敷类单元，除了上述图6所示的装置以外，还可以使用以下构成：载置在基板保持部上，其中该基板保持部绕铅直轴旋转自如地保持晶片W，从涂敷液喷嘴向该晶片W的旋转中心附近位置供给涂敷液，并且使晶片W旋转，利用旋转的离心力使涂敷液在晶片表面伸展。在该情况下，由于不需要涂敷液涂敷后的减压干燥工序，所以最好在处理块上，代替减压干燥单元(VD)而搭载其它单元，例如加热单元(LHP)。
再者在本发明中，除了曝光装置连接于处理块的构成以外，也可以是把曝光装置和处理块分开，而设在其它位置的构成。在该情况下，把承载块B1的承载体C内的晶片W，经由第1运送机构22、和第2运送机构23运送至既定的处理块，在这里进行了例如抗蚀剂液的涂敷处理后，经由第2运送机构23、和第1运送机构22再次返回至承载块B1，这之后把该晶片W运送至设在其他位置的曝光装置并进行既定的曝光处理。然后进行了曝光处理的晶片W，再次经由承载块B1、第1运送机构22、和第2运送机构23返回至涂敷抗蚀剂液的原来的处理块，在此进行了既定的显影处理后，再次利用第2运送机构23、和第1运送机构22，返回至承载块B1内的原来的承载体C内。
进而，在本发明的基板处理装置中，在接口部B6内搭载加热单元(PEB)，例如使用化学增幅型的抗蚀剂液的情况等，必须使曝光处理和其后的加热单元(PEB)中的加热处理之间的时间一定的情况下，可以把在曝光装置B7中进行了曝光处理后的晶片W，借助交接机构26在既定时间内优先运送至加热单元(PEB)。在该情况下，例如图15A以及图15B所示，在接口部B6内，除了交接机构26，还可以具备专用的副运送臂96，用于进行曝光装置B7→加热单元(PEB)的运送。
在图15A以及图15B所示的例子中，在交接机构26和副运送臂96之间，设置搁板单元U7，设有周边曝光装置(WEE)、缓冲盒(BUF)、调温单元(CPL)、和加热单元(PEB)，例如利用交接机构26，以交接台27→周边曝光装置(WEE)→缓冲盒(BUF)→调温单元(CPL)的顺序运送晶片W，然后利用副运送臂96以曝光装置B7→加热单元(PEB)的顺序运送调温单元(CPL)的晶片W，这之后再次利用交接机构26，以缓冲盒(BUF)→交接台27的顺序运送加热单元(PEB)的晶片W。再者，也可以是不设置周边曝光装置的构成，在该情况下除了不进行周边曝光装置中的处理以外，也如已经说明的那样进行晶片W的运送。
进而，在本发明的基板处理装置中，如果是每个处理块完成一连串的处理，经由运送块B2的第2运送机构23把承载块B1内的晶片W运送至处理块并进行既定处理的构成，则不限于上述构成。再者，多个处理块，如果平面大小相同，则各个处理块，内部处理单元的种类、个数、布局分别不同也可以。再者，如已经说明的那样，在多个处理块中，可以进行同一品种的处理，也可以进行不同品种的处理。进而，本发明不仅适用于运送不同批次的最前面的晶片的情况，也适用于同一批次的后续晶片，在该情况下由于也确定空闲的处理块B3-B5，并将晶片运送至此，所以可以抑制等待向处理块B3-B5运送的状态，可以实现生产量的提高。
即，控制第2运送机构的机构(83)，控制第2运送机构(23)，使在基板承载体(C)中，收纳由多个作为基板的晶片W构成的第1和第2批次，在第1批次中最后的晶片在处理块B3、B4、B5的某一个中进行处理时，如果其他处理块B3、B4、B5没在进行晶片的处理，则把第2批次中最前面的晶片W运送至没在进行其处理的处理块B3、B4、B5并在其中进行晶片W的处理。
再者，本发明也可以是不包含曝光装置的构成，也可以适用于例如形成层间绝缘膜的处理或在基板上形成SOG(Spin On Glass)膜的处理。再者在本发明中，基板不限于半导体晶片，例如液晶显示器用玻璃基板或光掩模基板等也可以。
进而也可以是包含多个曝光装置的构成。图17是用于共有曝光装置的实施例。曝光装置B7包含ArF曝光机、和KrF曝光机，2个曝光装置B7之间的距离L在1000mm以上。两个曝光装置B7借助接口部B6与涂敷显影装置连接。曝光装置B7之间确保能够操作、维修的空间。曝光机可以同时处理，并连接具有为此的涂敷显影的PRB的处理块B3、B4、B5。在面向少量多品种生产而连接EB(电子束)曝光机作为曝光装置B7的情况下，利用曝光机的并行处理可以实现TP(生产量)的提高。此外，在图17中，把成批的晶片从运送路700导入具有承载站CS的承载块B1，并经由内设于系泊站DS的第2运送机构23导入处理块B3、B4、B5。

Claims (15)

1. 一种基板处理装置，具备：承载块(B1)，包括：承载体载置部(21)，运入运出收纳有多片基板的基板承载体(C)；和第1运送机构(22)，相对于载置在该承载体载置部(21)上的基板承载体(C)进行基板的交接；
第2运送机构(23)，与该承载块(B1)邻接地设置，沿横向延伸的直线状的运送路运送基板；
第1交接台(24)，用于在上述第1运送机构(22)和第2运送机构(23)之间进行基板的交接；
多个处理块(B3、B4、B5)，具备：多个处理单元(U1、U2、U3)，用于对基板进行既定处理；第3运送机构(31)，在这些处理单元(U1、U2、U3)之间运送基板；和第2交接台(TRS1、TRS2)，用于在上述第2运送机构(23)和第3运送机构(31)之间进行基板的交接，并且，上述处理块沿上述运送路排列地相对于装置主体设置，且以处理块(B3、B4、B5)为单位对基板进行一连串的基板处理；
处理块控制部(82A、82B、82C)，控制上述第3运送机构(31)和各处理单元(U1、U2、U3)的动作，以便基于既定的方法在这些处理块(B3、B4、B5)中分别对基板进行既定的处理，并且输出该处理块(B3、B4、B5)内的基板的处理信息；
和控制第2运送机构的机构(83)，在基板从第1交接台(24)交接至第2运送机构(23)之前，基于来自处理块控制部(82A、82B、82C)的基板的处理信息，来确定不存在基板或该处理块(B3、B4、B5)内的最后的基板最早完成最后工序的处理块(B3、B4、B5)，将上述第1交接台(24)的基板运送至该处理块(B3、B4、B5)，
上述处理块(B3、B4、B5)，包含：涂敷单元(32)，用于在基板上涂敷抗蚀剂液；显影单元(33)，用于对曝光后的基板进行显影处理；加热单元(PEB、LHP、PAB)，用于加热基板；以各处理块(B3、B4、B5)为单位对基板进行抗蚀剂液的涂敷及/或曝光后的显影处理。
2. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，控制上述第2运送机构的机构(83)控制第2运送机构(23)，以使在上述基板承载体(C)中收纳由多个基板构成的第1和第2批次，在上述第1批次中最后的基板在上述处理块(B3、B4、B5)的某一个中进行处理时，如果其他处理块(B3、B4、B5)没在进行基板的处理，则把第2批次中最前面的基板运送至该没在进行处理的处理块，并在该处理块进行基板的处理。
3. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述运送路中连接有承载块(B1)的一侧的相反侧，连接有连接曝光装置(B7)的接口部(B6)。
4. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述运送路中连接有处理块(B3、B4、B5)的一侧的相反侧，连接有连接曝光装置(B7)的接口部(B6)。
5. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理块(B3、B4、B5)，包含：多个涂敷单元(32)、多个显影单元(33)和多个加热单元(PEB、LHP、PAB)，上述处理块控制部(82A、82B、82C)还具备以下功能：基于基板的处理方法，选择进行处理的涂敷单元(32)、显影单元(33)和加热单元(PEB、LHP、PAB)。
6. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，各处理块(B3、B4、B5)，包含：液体处理单元(U1)，用药液对基板进行处理。
7. 如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理块(B3、B4、B5)，包含：多个液体处理单元(U1)、和多个加热单元(PEB、LHP、PAB)，上述处理块控制部(82A、82B、82C)还具备以下功能：基于基板的处理方法，选择进行处理的液体处理单元(U1)和加热单元(PEB、LHP、PAB)。
8. 如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，上述液体处理单元(U1)进行形成涂敷膜的处理。
9. 如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，上述液体处理单元(U1)，在基板上涂敷含有绝缘膜的前驱物的药液。
10. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述多个处理块(B3、B4、B5)的平面大小形成为相互相同。
11. 如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述第2运送机构(23)，设在沿成排的多个处理块(B3、B4、B5)延伸的运送块上，各处理块(B3、B4、B5)构成为相对于运送块可以装拆。
12. 一种基板处理方法，在基板处理装置中，具备：第1运送机构(22)，相对于收纳有多片基板的基板承载体(C)进行基板的交接；第2运送机构(23)，相对于该第1运送机构(22)经由第1交接台(24)进行基板的交接；和多个处理块(B3、B4、B5)，所述多个处理块(B3、B4、B5)包含：多个处理单元(U1、U2、U3)，用于对基板进行既定处理；第3运送机构(31)，在这些处理单元(U1、U2、U3)之间运送基板；和第2交接台(TRS1、TRS2)，用于在上述第2运送机构(23)和第3运送机构(31)之间进行基板的交接；涂敷单元(32)，用于在基板上涂敷抗蚀剂液；显影单元(33)，用于对曝光后的基板进行显影处理；加热单元(PEB、LHP、PAB)，用于加热基板；以各处理块(B3、B4、B5)为单位对基板进行抗蚀剂液的涂敷及/或曝光后的显影处理，该基板处理方法对于上述基板承载体(C)内的基板在上述处理块(B3、B4、B5)中以处理块(B3、B4、B5)为单位进行一连串的基板处理，包含以下工序：
由第1运送机构(22)把基板承载体(C)内的基板运送至第1交接台(24)的工序；
在第2运送机构(23)接受第1交接台(24)的基板之前，基于各处理块(B3、B4、B5)的基板的处理信息，来确定不存在基板或该处理块(B3、B4、B5)内的最后的基板最早完成最后工序的处理块(B3、B4、B5)的工序；
然后第2运送机构(23)接受载置在上述第1交接台(24)上的基板，并将该基板运送至上述被确定的处理块(B3、B4、B5)中的工序。
13. 如权利要求12所述的基板处理方法，其特征在于，上述处理块(B3、B4、B5)，包含：多个涂敷单元(32)、多个显影单元(33)和多个加热单元(PEB、LHP、PAB)，如果确定运送载置在上述第1交接台(24)上的基板的处理块(B3、B4、B5)，则在该处理块(B3、B4、B5)中，选择进行上述基板处理的涂敷单元(32)、显影单元(33)和加热单元(PEB、LHP、PAB)，以各处理块(B3、B4、B5)为单位对基板进行抗蚀剂液的涂敷及/或曝光后的显影处理。
14. 如权利要求12所述的基板处理方法，其特征在于，各处理块(B3、B4、B5)，包含：液体处理单元(U1)，用药液对基板进行处理。
15. 如权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于，上述处理块(B3、B4、B5)，包含：多个液体处理单元(U1)、多个加热单元(PEB、LHP、PAB)，如果确定运送载置在上述第1交接台(24)上的基板的处理块(B3、B4、B5)，则在该处理块(B3、B4、B5)中，选择进行上述基板处理的液体处理单元(U1)和加热单元(PEB、LHP、PAB)，以各处理块(B3、B4、B5)为单位对基板进行既定的基板处理。
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Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4667252B2 (ja) * 2006-01-16 2011-04-06 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2007268385A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Fujifilm Corp 塗布装置、塗布方法、および光学フィルムの製造方法
JP4614455B2 (ja) 2006-04-19 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置
US20070254493A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Applied Materials, Inc. Integrated thermal unit having vertically arranged bake and chill plates
KR100784389B1 (ko) * 2006-06-22 2007-12-11 삼성전자주식회사 포토 리소그래피 시스템 및 방법
US8450193B2 (en) * 2006-08-15 2013-05-28 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for temperature-controlled ion implantation
JP2008072016A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2008078366A (ja) * 2006-09-21 2008-04-03 Toppan Printing Co Ltd ネガ型現像装置とポジ型現像装置を並列した現像装置
JP5004612B2 (ja) 2007-02-15 2012-08-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2008258208A (ja) 2007-03-30 2008-10-23 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体
JP4687682B2 (ja) * 2007-03-30 2011-05-25 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4828503B2 (ja) * 2007-10-16 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板搬送方法、コンピュータプログラムおよび記憶媒体
JP5160204B2 (ja) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5458633B2 (ja) * 2008-06-20 2014-04-02 株式会社Ｉｈｉ 処理設備及び搬送制御方法
US9214372B2 (en) * 2008-08-28 2015-12-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Substrate processing system, carrying device and coating device
US8919756B2 (en) * 2008-08-28 2014-12-30 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Substrate processing system, carrying device, and coating device
CN101794710B (zh) 2009-01-30 2012-10-03 细美事有限公司 用于处理基板的系统及方法
JP2010177673A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Semes Co Ltd 基板処理設備及び基板処理方法
JP2010192559A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム
JP5427455B2 (ja) * 2009-03-31 2014-02-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
US20110081617A1 (en) * 2009-10-05 2011-04-07 Chia-Fang Lin Integrated lithography equipment and lithography process thereof
JP5392190B2 (ja) * 2010-06-01 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
JP5713081B2 (ja) * 2010-07-09 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP5562189B2 (ja) * 2010-09-22 2014-07-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5616205B2 (ja) 2010-11-29 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US9048271B2 (en) 2011-09-29 2015-06-02 Asm International N.V. Modular semiconductor processing system
JP5472275B2 (ja) * 2011-12-14 2014-04-16 株式会社村田製作所 エキスパンド装置及び部品の製造方法
TWI462177B (zh) * 2012-02-17 2014-11-21 Inotera Memories Inc 逐步升溫式旋轉塗佈介電質製程
US8903532B2 (en) * 2012-03-26 2014-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Litho cluster and modulization to enhance productivity
US9196515B2 (en) 2012-03-26 2015-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Litho cluster and modulization to enhance productivity
JP6045946B2 (ja) * 2012-07-13 2016-12-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、プログラムおよび記録媒体
JP6058999B2 (ja) * 2012-12-11 2017-01-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
JP5741616B2 (ja) * 2013-03-18 2015-07-01 株式会社安川電機 生産システム及び製品の生産方法
JP6003859B2 (ja) * 2013-09-18 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
CN104733283A (zh) * 2013-12-23 2015-06-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件表面预清洁方法
JP6123740B2 (ja) * 2014-06-17 2017-05-10 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造ライン及び半導体装置の製造方法
JP6562803B2 (ja) * 2015-09-30 2019-08-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システム
JP6626392B2 (ja) 2016-03-30 2019-12-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6404303B2 (ja) * 2016-12-08 2018-10-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
US11747742B2 (en) * 2017-04-11 2023-09-05 Visera Technologies Company Limited Apparatus and method for removing photoresist layer from alignment mark
JP2019004179A (ja) * 2018-09-21 2019-01-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6655689B1 (ja) * 2018-09-21 2020-02-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7133451B2 (ja) * 2018-11-30 2022-09-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102334200B1 (ko) * 2020-06-03 2021-12-02 한국고요써모시스템(주) 열처리 장치의 기판 반송 유닛
JP7074176B2 (ja) * 2020-10-30 2022-05-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08162514A (ja) * 1994-12-07 1996-06-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JPH11163079A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Miyagi Oki Denki Kk 半導体装置の製造装置への搬送制御方法及びその装置
US6024502A (en) * 1996-11-01 2000-02-15 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for processing substrate
US6161969A (en) * 1998-10-20 2000-12-19 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing a substrate
CN1333552A (zh) * 2000-07-12 2002-01-30 东京毅力科创株式会社 基板处理装置及基板处理方法
US20040002224A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-01 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate processing method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3312748B2 (ja) 1992-06-05 2002-08-12 株式会社東京精密 ウエハ検査装置及びウエハ検査方法
JPH10144765A (ja) 1996-11-11 1998-05-29 Canon Sales Co Inc 基板処理システム
US6168667B1 (en) * 1997-05-30 2001-01-02 Tokyo Electron Limited Resist-processing apparatus
JP3462426B2 (ja) * 1999-05-24 2003-11-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR100616293B1 (ko) * 1999-11-11 2006-08-28 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
JP4233285B2 (ja) * 2002-08-23 2009-03-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4356936B2 (ja) * 2005-01-21 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08162514A (ja) * 1994-12-07 1996-06-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US6024502A (en) * 1996-11-01 2000-02-15 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for processing substrate
JPH11163079A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Miyagi Oki Denki Kk 半導体装置の製造装置への搬送制御方法及びその装置
US6161969A (en) * 1998-10-20 2000-12-19 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing a substrate
CN1333552A (zh) * 2000-07-12 2002-01-30 东京毅力科创株式会社 基板处理装置及基板处理方法
US20040002224A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-01 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate processing method

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Publication number Publication date
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US20110014562A1 (en) 2011-01-20
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JP2005203635A (ja) 2005-07-28
TWI253115B (en) 2006-04-11
WO2005069365A1 (ja) 2005-07-28
TW200539349A (en) 2005-12-01
KR101058662B1 (ko) 2011-08-22
US8268384B2 (en) 2012-09-18

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