1253115 九、發明說明： C务明所屬才支冬衧領 技術領域 本發明係有關於一種於例如半導體晶圓或LCD基板 5 (液晶顯示用基板）等基板表面供給處理液並進行預定之基 板處理，例如塗布抗蝕液或曝光後之顯像處理等之基板處 理裝置及基板處理方法。 L先前技術3 背景技術 10 半導體顯示器之製造過程係使用於半導體晶圓（以下 稱作晶圓）等基板塗布抗I虫液，並使用光罩使該抗I虫膜曝光 且顯像，藉此於基板上製作所需之抗蝕圖案之光微影成像 技術。 基板處理裝置為了確保高生產量並減少裝置佔有面 15 積，係將對基板進行塗布處理、顯像處理、加熱、冷卻處 理等不同處理之處理裝置分別單元化，並組裝對該等每一 處理必要之數量之單元，且設有用以將基板搬出搬入各處 理單元之搬送機構。 針對如前述之基板處理裝置之一例，參照專利文獻丄 20 之結構進行說明。第16圖中，11係用以搬運收納有例如25 片晶圓w之承載體10之運送台，且該運送台11連接例如3個 處理系統12A、12B、12C，並且於第3處理系統12C透過介 面系統12D連接曝光裝置12E。於處理系統12A、12B、12C 之中央分別設有搬送機構13A、13B、13C，且於第1及第2 1253115 處理系統12A、12B之周邊設有用以對晶圓塗布塗布液之塗 布單元MA、MB、並於第3處理單元12C之周邊設有用以對 曝光後之晶圓進行顯像處理之顯像單元15，此外，於所有 的處理系統12A〜12C設有架單元16A〜16G，且該架單元 5 16A〜16G具有可於塗布單元14或顯像單元15之處理前後對 晶圓進行預定之加熱處理或冷卻處理之加熱單元、冷卻單 元或輸送單元。 於該裝置中，運送台11之承載體1〇内之晶圓係藉傳送 臂17取出，並透過架單元16A之傳送單元搬送至第丨處理系 10統12A，並且以預定之順序依次搬送至第丨及第2處理系統 12A、12B之空處理單元並進行抗餘液之塗布處理後，透過 處理系統12C、介面系統12D搬送至曝光裝置12E，於此進 行預疋之曝光處理。接著，再以預定順序搬送至第3處理系 統12C之空處理單元以進行顯像處理。此外，於塗布處理或 15顯像處理前後’於空處理單元進行加熱處理或冷卻處理。 其中，於第1處理系統12A與第2處理系統12B之間、第2處 理系統12B與第3處理系統12C之間、第3處理系統12C與第4
處理系統12D之間，係透過各個架單元16C、16E、及16G 之傳送單元進行晶圓之傳送。 2〇 【專利文獻1]曰本專利公開公報20〇(M24124號(參照 第2圖） 因此，於前述基板裝置中 12A〜12C全體進行一連串之處理， 行處理之方法， ’在第1〜第3處理系旅 並事先依照對晶圓W進 決定使用之處理單元或處理單元之搬送順 1253115 序。又’於該裝置中，不易製作使於晶圓Wn搬入第丨〜第3 處理系統12A〜12C後接著搬入之第（n+ 個晶圓Wn+ 1超 越該晶圓Wn，使後來之晶圓Wn+丨較前面之晶圓Wn更先進 行處理之搬送程式，如前述之晶圓…之超越是無法進行的。 5 因此，假设現今之裝置係於處理花費很多時間之於群 組A之晶圓WA由承載體C傳送至處理系統後，再使處理時 間較群組A之處理時間更短之群組B之晶圓WB由承載體c 傳送至處理系統之狀況下，若於群組A之晶圓WAi傳送之 時間點連續地傳送群組B之晶圓WB，則晶圓WB會趕上晶圓 10 WA’會有晶i]WB於晶圓a處理結束前在處理系統内等待之 f月况赉生。此日可，為了不要讓晶圓WB在處理系統内等待， 必須於曰曰圓WA後傳送晶圓WB時，於較群組a之晶圓wa之 傳达之k間點更慢之時間點傳送晶圓卿。如前述般使晶圓 WB於處理系統内等待搬送至下_步驟之單元，或使晶圓 15 WB之傳送時間點慢時，會增加整體處理時間，使處理效率 降低。 L号务明内容 發明揭示 本發明係根據前述情況作成者，其目的在於提供一種 20藉使第1輸送台之基板搬送至可最快地進行處理之處理系 統，可縮短總體之處理時間，並提昇生產量之基板處理裝 置及基板處理方法。 本發明之基板處理裝置，包含有：承載系統，包括承 载體載置部與第谈送機構，前述承載體載置部係用以搬出 1253115 搬入收納有多片基板之基板載置體者，而前述第1搬送機構 則用以對已載置於該承載體載置部之基板承載體進行基板 之傳达者；第2搬送機構，係與前述承載系統鄰接設置，並 可沿朝橫向延伸之直線狀搬送路徑搬送基板者；第1傳送 5台’係用以於前述第1搬送機構與第2搬送機構之間進行基 板之傳送者；多數處理系統，包括多數處理單元、第3搬送 機構及第2傳送台，而前述多數處理單元係用以對基板進 行預定之處理者，且前述第3搬送機構係用以於該等處理單 凡之間搬送基板者，並且前述第2傳送台係用以於前述第2 1〇搬送機構與第3搬送機構之間進行基板之傳送者，又，前述 多數處理系統係各自沿前述搬送路徑排列地設置於裝置本 體，亚以處理系統單元對基板進行一連串之基板處理；處 理系統控制部，係用以控制前述第3搬送機構及各處理單元 之動作，以於前述各個處理系統中根據預定之方法對基板 15進行預定之處理，且該處理系統控制部可輸出該處理系統 内之基板之處理資訊；及控制機構，係用以在基板由第^專 运台傳运至第2搬送機構之前，根據來自前述處理系統控制 部之基板之處理資訊，決定不存有基板或該處理系統内之 最後之基板最早結束最後步驟之處理系統，並控制前述第2 2〇搬送機構，將前述第！傳送台之基板搬送至該處理系統者。 其中，用以控制前述第2搬送機構之機構，亦可針對配 合基板之類別分配之基板之群組，於其群組之前頭之基板 由第1傳达台傳送至第2搬送機構之前，根據來自前述處理 系統控制部之基板處理資訊，決定不存有基板或於該處理 1253115 系統内進行之先前之基板之群組之最後之基板最早結束最 後步驟之處理系統，並控制前述第2搬送機構將前述第1傳 送台之後續之群組之前頭之基板搬送至該處理系統。 使用於如前述之基板處理裝置之基板處理方法，係設 5 置：第1搬送機構，係用以對收納有多片基板之基板承載體 進行基板之傳送者；第2搬送機構，係用以對該第1搬送機 構透過第1傳送台進行基板之傳送者；及多數處理系統，包 括多數處理單元、第3搬送機構及第2傳送台，前述多數處 理單元係用以對基板進行預定處理者，前述第3搬送機構係 10 用以於前述處理單元之間搬送基板者，前述第2傳送台係用 以於前述第2搬送機構與第3搬送機構之間進行基板之傳送 者，且，於前述處理系統中以前述處理系統單元對前述基 板承載體内之基板進行一連串之基板處理者，又，前述基 板處理方法包括：以前述第1搬送機構將前述基板承載體内 15 之基板搬送至第1傳送台之步驟；於前述第2搬送機構收到 前述第1傳送台之基板之前，根據前述各處理系統之基板之 處理資訊，決定不存有基板或該處理系統内之最後之基板 最早結束最後步驟之處理系統之步驟；及以前述第2搬送機 構接收載置於前述第1傳送台之基板，並將該基板搬送至前 20 述業經決定之處理系統之步驟。 如前述之結構中，由於可將前述第1傳送台之基板搬送 至可最早進行處理之處理系統，因此，可縮短總處理時間， 並可提昇生產量。 其中，前述基板處理裝置可於例如搬送路徑中與連接 Ϊ253115 ⑴迷載置系統之齡反之側，更連接—與曝光裝置連接之 介面部，且亦可於前述搬送路徑中與連接前述處理系統之 側相反之=，更連接—與曝光裝置連接之介面部。 又刖迷處理系統包括··塗布單元，係用以對基板塗 布抗钱液者，顯像單元，係用以對曝光後之基板進行顯像 處理者’加熱單几’係用以加熱基板者；第3搬送機構，係 二以於該等單^之間搬送基板者’·及第2傳送台，係用以於 前述^ 2搬送機構與第3搬送機構之間進行基板之傳送者， 又，刖述處理系統係以各處理系統單元對基板進行抗钱液 H)之塗布及/或曝光後之顯像處理。此時，前述處理系統控制 部可更包含有根據基板之處ί£方法選擇進行處理之塗布單 元、顯像單元、及加熱單元之機能。 又，前述各處理單元亦可包括：液處理單元，係用以 對基板藉藥液進行處理者；加熱單元，係用以加熱基板者； 15第3搬送單元，係用以於該等單元間搬送基板者；及第2傳 送台，係用以於前述第2搬送機構與第3搬送機構之間進行 基板之傳送者，且前述各處理系統可以各處理系統單元對 基板進行一連串之處理，此時，前述處理系統控制部可更 具有根據基板之處理方法選擇前述液處理單元與加熱單元 20 之機構。 且，前述液處理單元可為形成塗布膜之處理，亦可為 對基板塗布含有絕緣膜之先驅物之藥液者。又，前述多數 處理系統形成為平面大小相同者，又，前述第2搬送機構設 置於沿前述多數處理系統之排列延伸之搬送系統，且前述 1253115 各處理系統構成為可對前述搬送系統進行裝卸。 圖式簡單說明 第1圖係顯示本發明之實施形態之基板處理裝置之平 面圖。 5 第2圖係顯示本發明之實施形態之基板處理裝置之立 體圖。 第3圖係顯示基板處理裝置之側部截面圖。 第4圖係顯示基板處理裝置之侧部截面圖。 第5圖係顯示基板處理裝置之處理系統内部之立體圖。 10 第6圖係顯示設置於基板處理裝置之塗布單元之截面 圖。 第7圖係顯示設置於基板處理裝置之加熱單元(PEB)之 截面圖。 第8圖係顯示設置於基板處理裝置之第3搬送機構之立 15 體圖。 第9圖係用以說明本發明之基板處理裝置之控制系統 之方塊圖。 第10圖係用以說明本發明之基板處理裝置之作用之平 面圖。 20 第11圖係顯示本發明之基板處理裝置之其他實施形態 之平面圖。 第12圖係顯示基板處理裝置之側部截面圖。 第13圖係顯示基板處理裝置之側部截面圖。 第14圖係顯示本發明之基板處理裝置之其他實施形態 1253115 之平面圖。 第15A圖係顯示本發明之基板處理裝置之其他實施形 態之平面圖。 第15B圖係顯示本發明之基板處理裝置之其他實施形 5 恶之平面圖。 第16圖係顯示習知基板處理裝置之平面圖。 第17圖係顯示本發明之基板處理裝置之其他實施形態 之平面圖。 【實施方式3 10較佳實施例之詳細說明 以下，針對本發明之基板處理裝置之一實施形態進行 ό兒明。於此，第1圖係顯示基板處理裝置之一實施形態之全 體結構之平面圖，第2圖係其概略截面圖。圖中，B1係用以 搬出搬入收納有例如25片基板之例如半導體晶圓之基板承 15載體C之承載系統，該承載系統B1具有載置基板承載體& 承載體載置部21與第1搬送機構22。 於该承載系統Β1之例如-邊側，例如由承載體載置部 21側觀看之左端側，設有具有朝橫向即朝與承載紅之排列 方向大致垂直之方向直線狀地延伸之搬送路徑之搬送系統 2〇 Β2使其與承載系統B1連接。且，承載系統m之第】搬送機 構22構成為可左右前後自由移動，自由升降，自由繞垂直 轴旋轉，以由基板承載體C取出晶圓％，並將取出之晶圓w 傳送至搬送系統B2之第2搬送機構23。 其中，於承載系統B1之連接搬送系統幻之領域附近， 12 1253115 連接第1傳送台24，該第1傳送台24係用以於承載系統Bit 第1搬送機構22與搬送系統B2之第2搬送機構23之間進行晶 圓W之傳送者。該傳送台24構成為2層結構，前述2層結構 包括例如將晶圓W搬入搬送系統B2時所使用之搬入用傳送 5 台與將晶圓W由搬送系統B2搬出時所使用之搬出用傳送 台。此外，傳送台24亦可設置於搬送系統B2内且第1搬送機 構22可接觸之領域中，且亦可為1層結構，於將晶圓搬出搬 入搬送系統B2時作為共通傳送台使用。傳送台構成為例如 為由3個基板由裡面支持之構造，且不干擾第1搬送機構22 10 與第2搬送機構23之各個臂。 於搬送系統B2設有構成搬送路徑之導引軌25使其朝橫 向直線狀延伸，第2搬送機構23具有例如用以固持晶圓之2 個臂，且構成為可沿導引軌朝橫向自由移動，自由升降， 自由進退，及自由環繞垂直軸旋轉。此外，搬送機構23之 15 臂亦可為1個。 又’於搬送系統B2設有多個，例如3個之沿搬送路徑排 列，且可對構成裝置本體之搬送系統B2自由安裝或拆除之 處理系統B3、B4、B5。該例中，第i〜第3處理系統B3〜B5 包括各部分之配置之佈局在内，都構成為相同結構。即， 2〇處理系統B3〜B5形成為相同大小，且配設於處理系統B3〜；B5 之處理單元之種類或個數、及佈局都設定成同一結構。 具體而言，以第1處理系統B3為例，並參照第3圖〜第5 圖進行說明時，於處理系統B3之中央設有第3搬送機構31， 亚於其周圍在例如由承載系統扪看内部時，在例如右側處 1253115 配置液處理單元群υι，該液處理單元群由設置成多層 例如疊成5層之例如3個塗布單元（COT)32、2個顯像單元 (DEV)33構成，且於左側之靠近自己這一側、裡側配置架單 元U2、U3，前述架單元U2、U3s由重疊成多層，例如於 5該例中分別重疊成例如6層、10層之加熱、冷卻系統之單元 等構成。 由塗布單元32、顯像單元33構成各個液處理單元，且 塗布單tg32包含塗布單元與反射防止膜形成單元，前述塗 布單το係例如進行對晶圓W塗布抗蝕液之處理之塗布單 1〇元，前述反射防止膜形成單元是於塗布抗蝕液前後，在晶 圓表面塗布形成反射防止膜形成用之藥液，以形成下層側 反射防止膜或上層側反射防止膜者，顯像單元係例如於曝 光後之基板盛滿顯像液，並以預定時間於該狀態下進行顯 像處理之單元。 15 架單元U2、U3係於搬送系統B2之第2搬送機構23可接 觸之7員域堆積多數單元所構成，例如於該例中分配成上下 之用以於塗布單元或反射防止膜形成單元等之液處理後， 除去塗布液所含之溶劑之例如3個減壓乾燥單元(VD)、用以 於抗姓液塗布前對晶圓w進行預定之加熱處理，或使用於 20顯像後之加熱處理之例如4個加熱單元（LHP)、用以於抗蝕 液之皇布後進行晶圓W之加熱處理之稱作預烤單元等之例 如1個加熱單元(PAB)、用以對曝光後之晶圓W進行加熱處 理之稱作後暴露烘烤單元等之例如2個加熱單元(PEB)、用 以將晶圓W調整至預定溫度之調整溫度單元之例如3個調 1253115 整溫度單元(CPL)、用以對晶圓表面進行疏水化處理之疏水 化處理單元（ADH)，及用以將晶圓W搬入處理方塊B3之例 如1個傳送單元(TRS1)、或用以由處理部S1搬出晶圓W之例 如1個傳送單元(TRS2)等。 5 傳送單元TRA1、TRS2相當於本發明之第2傳送台。第 3圖〜第5圖係顯示該等單元之佈局之一例，然而單元之種類 或數量並不限定於此，於該例中亦可使傳送單元為丨個，且 可使用該傳送單元將晶圓W搬入處理系統B3，並將晶圓W 由處理系統B3搬出。又，亦可使傳送單元(trs2)增加調整 10 溫度機能以降低晶圓W之溫度，例如亦可於加熱單元(PAB) 處理後，及於進行顯像處理後之加熱處理後搬出時等，藉 該調整溫度機能降低晶圓W之溫度。 第3搬送機構31，如後述構成為可自由升降，自由進 退’自由環繞垂直軸旋轉，且具有於液處理單元群Ui、架 15單元U2、U3間搬送晶圓W之功能。然而，第2圖中為了方 便起見，沒有晝出第2搬送機構23。又，第2搬送機構23如 前述般，係用以將由第1搬送機構22接收之晶圓…傳送至處 理系統B3之傳送單元TRsi(TRS2)者。 又，該例係於搬送系統B2之上方側與處理系統B3之設 20有第3搬送機構31之上方側，設有由具有旋轉翼之扇、業界 最高集塵濾網或化學過濾網等構成之風機過濾機組 (FFU)35，並將藉該風機過濾機組35除去粒子及氨成分之空 氣分別供給至搬送系統B2内下方側及設有第3搬送機構31 之領域下方侧。且再於處理系統B3内之設有架單元U2、U3 15 1253115 之領域之上方側，與處理系統B3内之設有液處理單元群111 之領域之上方側，分別設有電裝品儲存部36，並於其中儲 存有搬送機構等連接馬達之驅動器，或連接各單元之1/〇板 或控制各單元之控制部。 5 於液處理單元群U1之下方側之靠近地面處，設有化學 單元U4，該化學單元U4具有各個槽，且於前述各個槽裝有 顯像液或反射防止膜形成液等塗布液等之藥液或溫度調整 用流體、顯像液、惰性氣體等，並且於架單元^^、U3之下 方側之近地面處設有第；1作用力單元U5，前述第“乍用力單 10 70具有用以由外部取入作用力之多數作用力線。另外，於 搬送系統B2設有對應第1作用力單元U5之外部側之第2作 用力單元U6，且，當處理系統B3壓入搬送系統B2側時，第 1及第2作用力單元U5、U6會連接。 於第3處理系統B5之與第1處理系統幻相反之側透過 介面抑6連接曝光裝置B7。又，介面部別設定成與搬送系 統B2之連接承載系統61之側之相反側連接。介面部66具有 傳送機構26，該傳送機構26構成為例如可自由升降，可自 由月ίι後、左右移動且可環繞垂直軸旋轉，以於搬送系統B2 之第2搬送機構23與曝光裝置Β7之間進行晶圓w之傳送。其 2〇中，於介面部B6之連接搬送系統於之領域附近 ，設有用以 於”面部B6之傳送機構26與搬送系統B2之搬送機構23之 間進打晶圓w之傳送之例如構成為2層之傳送台27。此外， 傳运台27亦可设置於搬送系統B2内部，且於第2搬送機構23 與介面部B6之傳送機構26可接觸之領域，又，亦可具有用 16 ^53115 Μ使基板溫度化之溫度調整機構，且亦可為—層或多 層。 接著，針對設置於各處理系統Β3、64之塗布系統單元 $ 32或加熱單元(ΡΕΒ)等之結構進行簡單之說明。首先，針對 5塗布單元或反射防止膜形成單元等之塗布系統單元^以第 6圖作說明。其中’塗布系單元亦可使用如後述般於基板上 供給處理液，並旋轉使液擴散之旋轉塗布式之結構，然而 於此，係以掃描式塗布裝置為例進行說明。 晶圓W之周緣部有一部份欠缺，並設有顯示晶圓狀 方向之缺πΝ。圖中’ 51係基板固持部，包括吸著部仙與 驅動基體52，前述吸著部51a係吸著晶圓歡裡面側使其保 持大致水平者，前述基體52可使吸著部5u自由升降及 可環繞垂直軸自由旋動’且驅動基體52可朝奸向移動，又 驅動基體52之下端由移動體53支持。 15 L動體53之底面附近設有藉馬達Ml驅動之滾珠 螺桿部54，藉馬達M1使滾珠螺桿部54旋轉，移動體^由圖 未示之軌引導而朝圖中之γ方向移動。又，於移動體Μ之上 面設有引導驅動基體52似方向之圖未示之軌，藉驅動基體 52及移動體53之動作，由基板固持部51固持之晶圓w可分 別朝X方向及Y方向之任意之位置移動。藉該等移動體幻刀、 20 圖未示之轨、滾珠·54及馬達M1，使晶_與設置於晶 圓W上方側之用以供給抗歸或反射防止n夜等塗布 液之塗布液噴嘴55相對地朝前後方向移動，即，使晶㈣ 朝第6圖中之Y軸方向移動。 17 1253115 基二… 圖未示m、 述‘輯基體56組裝有 • 雜與從動滑輪特輪之環狀皮 5 10 叫吏驅動滑輪旋轉之馬達M2。圖中，57(57a、57b)係一 對用以接收由上方落下之塗布液，並防止塗 圓W之外_近領域之液触部。 —
於該塗布液單元32中，塗布液噴嘴55由晶圓W之一端 面朝另一端面移動時，使晶圓…配合其時間點朝與其交錯 之方向間歇運送。藉反覆如前述之動作，以所謂一筆劃之 要領將塗布液塗布於晶圓W。
又，塗布系統單元32之下一步驟之處理單元之減壓乾 餘單元(VD)，係例如於密閉容器内減壓至預定之真空度並 使晶圓W加熱至預定溫度，藉此使塗布膜中之溶劑蒸發， 藉以形成塗布膜。且，顯像單元33係由供給喷嘴由晶圓W 15 之中央部沿晶圓W之直徑方向之寬供給顯像液，且使晶圓 W半旋轉，藉此於晶圓W上盛滿顯像液，並於預定時間内 晶圓W上盛滿顯像液之狀態下，進行預定之顯像處理。 又，針對加熱早元之後暴露供烤早元(PEB)措弟7圖作 說明。於筐體6中，在台60之上面分別在前方側設有冷卻板 20 61，於後方側設有具有加熱器62a之加熱板62。冷卻板61除 了於筐體6内在透過具有開閉器63a之開口部63進入之第3 搬送機構31與加熱板62之間進行晶圓w之傳送以外，於搬 送時可初冷卻已加熱之晶圓W (進行一次冷卻）。因此，如圖 示，腳部61a可沿圖未示之引導機構朝Y方向自由進退，藉 18 1253115 此冷卻板61可由開口部63之側邊位置移動至加熱板62之上 方位置。又，於冷卻板61之裡面側設有圖未示之冷卻流路。 分別於台60中之第3搬送機構31與冷卻板61之晶圓w 之傳送位置，及加熱板62與冷卻板61之晶圓w之傳送位 5 置，設有可自由突出隱沒之支持銷64，並於冷卻板61設有 圖未示之狹縫，以使該等支持銷64於上升時可穿過該冷卻 板並舉起晶圓W。圖中，66係可透過扇66a連通之通氣室， 且圖中67係具有扇67a之通氣口。 如前述之加熱單元(PEB)中，晶圓W係由第3搬送機構 10 31傳送至冷卻板61上，再藉冷卻板61傳送至加熱板62上， 並於此進行預定之加熱處理。加熱處理後之晶圓由加熱板 62再傳送至冷卻板61，並於此初冷卻後，由第3搬送機構接 收並搬送至下一步驟。 又，加熱單元(LHP)、（PAB)分別僅具有用以將晶圓w 15加熱至預定溫度之加熱板，且，溫度調整單元(CPL)則僅具 有將晶圓W調整至預定溫度之冷卻板。 又，針對第3搬送機構31以第8圖進行說明。該搬送機 構31包括·用以固持晶之例如3個臂71 ;用以支持前述 臂71使其可自由進退之基台72 ; 一對支持該基台72使其可 2〇自由升山降之導引執73a、73b ;分別連接該等導引執73a、73b 之上端及下端之連接構件7如、7仙；為了驅動由導引執 73a、73^)及連接構件7如、⑽構成之框體使其可自由環繞 垂直轴旋轉’而安裝於導引軌下端之連接構件74b並與其形 成一體之旋轉驅動部75 ;及設置於導引軌上端之連接構件 19 1253115 74a之旋轉轴部76。 臂71構麵场以可固持各個晶圓，抑之底端部可沿 二IS滑動。臂71藉圖未示之驅動機構驅動控制滑動 末進U夕動。x ’基台72之升降移動由圖未示 動機構驅動控制。如此-來，f71可環㈣錄自由旋= 並可自由升降且自由進退。 如前述之基板處理裝置中，如第1圖及第9圖所示，裝 置整體由系統控制部81控制，各處理系脚也根據來: 系統控制部81之指令，於每一個處理系脚，藉處理系、 · 10統控制部82(82A~82C)控制，且，搬送系統B2根據來自系统 控制部之指令藉搬送系統83控制。系統控制部8ι具有方 法儲存部82a、方法作成部81b、及方法選擇部81c，而前述 方法儲存部82a係用以儲存例如儲存於基板承載體之每一 基板於處理系統B3〜B5進行處理之方法者’且前述方法作 15成部81b係用以進行方法之改變或編輯等，又，前述方法選 擇部81c係用以由儲存於前述方法儲存部之多數方法選擇 預定之方法者。 · 又’處理系統控制部82A(82B、82C)具有第1程式82a 與第2程式82b，而前述第1程式82a係用以控制處理單元 20 B3(B4、B5)，以根據由系統控制部81送來之預定之方法選 擇對該方法之處理必要之處理單元，並以預定之處理條件 進行處理，且前述第2程式82b可掌控處理單元B3(B4、B5) 中之晶圓之處理狀態，並輸出至系統控制部81。如前述， 於處理系統控制部82A(82B、82C)中，由於以真實時間辨識 20 1253115 處理系統B3(B4、B5)内之晶圓W之處理狀態，並通知系統 控制部81，因此可藉系統控制部81掌控於各個處理系統 B3〜B5中’最後之晶圓由哪一處理單元處理，及哪一處理 系統B3〜B5於最後步驟之處理單元中最早結束晶圓w之處 5 理。 又，搬送系統控制部83係用以控制第2搬送機構之控制 機構，並儲存有搬送程式83a，該搬送程式83a係根據來自 系統控制部之指令，使傳送至第2搬送機構23之晶圓w於第 1傳送台24與預定之處理系統B3〜B5之傳送單元TRS1、 10 TRS2、及介面部B6之傳送台27之間搬送。 以下，針對如前述之基板處理裝置中之晶圓之流程進 行簡單之說明，藉自動搬送機器人（或作業員）將儲存有例如 25片晶圓W之承載體C由外部搬入承載系統m之承載體載 置部21。接著，藉第丨搬送機構22由該等承載體c内取出晶 15圓W，並傳送至承載系統B1之傳送台24。該傳送台24之晶 圓W藉搬送系統B2之帛2搬送機構23，對預定之處理系統， 例如對第1處理系統B3，透過該處理系統]83之輸入用傳送 單元TRS1傳送，且，於該處理系統扪内，藉第3搬送機構 31依序搬送至預定之處理單元，於該例中，例如以系統單 20 元進行抗姓液之塗布處理。 接著，已塗布抗蝕液之晶圓W透過輸出用之傳送單元 TRS2傳送至搬送系統B2之第2搬送機構23，且搬送至介面 部B6之傳送台27。然後，晶圓W藉介面部恥之傳送機構26 搬送至曝光裝置B7，進行預定之曝光處理。 21 1253115 曝光後之晶圓w，再度透過介面部B6之傳送機構26、 傳送台27、搬送系統B2之第2搬送機構23，藉由進行抗蝕液 塗布之原來之處理系統，即第1處理系統輸入用傳送單 元TRS1搬送至該處理系統B3，並於此藉第3搬送機構31搬 5送至預定之處理單元，進行例如預定之顯像處理後，透過 輸出用傳送單元TRS2傳送至搬送系統…之第2搬送機構 23。接著，透過承載體B1之傳送台、第丨搬送機構22回到例 如原來之承載體C内。如前述，該例係分別於第丨〜第3處理 系統B3〜B5中以系統單元進行i品種之塗布膜之形成，且於 10 各個處理系統B3〜B5内結束塗布膜之形成。 接著，芩照第10圖說明本發明之特徵結構。此係搬送 依照晶圓之種類分成多數基板之群組之基板之情況，且於 第1處理系統B3具有2片品種A之晶圓WA、於第2處理系統 B4具有2片品種B之晶圓WB、且於第3處理系統B5具有2片 15品種C之晶圓WC，並舉品種D之晶圓WD由承載體C傳送出 之情況為例進行說明。基板之群組於同一基板承載體c内收 納有進行不同品種之處理之晶圓之情況等，可於同一基板 承載體内分成多數群組’亦可分配至每一個不同之基板承 載體C。 20 由各處理系統B3〜B5之處理系統控制部82A〜82C掌控 各處理系統B3〜B5内之晶圓WA〜WC之處理狀態，並將該情 況以真實時間送至系統控制部81。藉此，於系統控制部81 透過處理系統控制部82A〜82C，辨識最後之晶圓WA〜WC已 進入哪一程序。 22 1253115 另外，後續之群組之前頭之晶圓WD由承載體C藉第1 搬送機構搬出並搬送至第1傳送台24，而搬送系統B2之第2 搬送機構23由搬送系統控制部83之搬送系統驅動，並在藉 搬送系統決定之時間點接收傳送台24上之晶圓界〇時，詢問 5系統控制部81要搬送至哪一處理系統B3〜B5較好。 系統控制部81判定此時之處理系統B3〜B5之空狀態， 並對搬送系統控制部83下指令，將晶圓WD搬送至空處理系 統B3〜B5。其中，所謂空處理系統B3〜B5，除了前頭之基板 之群組之最後之晶圓w不存在於處理系統B3〜B5之情況以 10外’亦包含最後之晶圓W最早結束該處理系統B3〜B5之處理 糸統B3〜B5。 如此一來，於後續之群組之前頭之晶圓WD由第1傳送 台24傳送至第2搬送機構之前，根據各處理系統B3〜B5内之 晶圓WA〜WC之處理資訊，決定處理系統B3〜B5内之晶圓最 15 早結束之處理系統B3〜B5，並以該資訊對搬送系統控制部 83下指令，藉第2搬送機構23搬送晶圓WD至已決定之處理 系統B3〜B5。其中，就晶圓WD而言，已於系統控制部81存 有對該晶圓WD進行處理之方法，當已決定晶圓WD之搬送 之處理系統B3(B4、B5)時，由系統控制部81對該處理系統 20 B3(B4、B5)之處理系統控制部82A(82B、82C)發送該晶圓 WD之處理方法，並於處理系統B3(B4、B5)根據該方法選擇 使用之處理單元，且於各個處理單元以預定處理條件進行 處理。 且，對於接續該晶圓WD之後之晶圓W亦同樣地搬送至 23 1253115 預定之處理系統B3〜B5，並進行預定之處理。於此，係以 搬送不同群組之前頭之群組之晶圓的情況為例進行說明， 然而搬送同一群組之晶圓時，亦係同樣地選擇處理系統 B3〜B5，並進行預定之處理。 : 5 於此，針對在各處理系統B3〜B5進行晶圓處理之具體 . 例’以例如在同一基板承載體C具有進行第1處理之晶圓
WA、進行第2處理之晶圓WB、及進行第3處理之晶圓WC 之情況為例進行說明。該例中，第1處理係對晶圓W在抗餘 膜之下層側與上層側分別形成反射防止膜之處理，第2處理 馨 10係對晶圓…在抗蝕膜之上層側形成反射防止膜之處理，而 第3處理係對晶圓在抗蝕膜之下層側形成反射防止膜之處 理。 此時，承載體C内之晶圓為進行第1處理之晶圓WA時， 當決定搬送該晶圓WA之處理系統例如為第！處理系統B3 15日守，對5玄處理糸統B3之處理系統控制部82A由系統控制部 發送晶圓WA之處理方法。於處理系統控制部82A中，如前 述，根據該處理方法選擇使用之處理單元，並於各個處理 鲁 單元以預定之處理條件進行處理。具體而言，於該第i處理 中，首先透過傳送單元TRS1搬入之晶圓WA，係以調整溫 、 20度單元（CPL)—用以形成下層侧之反射防止膜塗布系單元 . (COT)—加熱單TL (LHP)或減壓乾燥單元溫度調整 單兀(CPL)—塗布單元(COT)—加熱單元(pAB)或減壓乾燥 單元（VD)—溫度調整單元（CPL)—上層反射防止膜形成單 元（COT)—加熱單元（LHP)或減壓乾燥單元（VD)之順序搬 24 1253115 送，且由下側起以該順序形成下層側反射防止膜 (Bottm-ARC)與抗蝕液之液膜與上層側反射防止膜 (Top-ARC)後，透過傳送單元丁尺以搬出，並藉曝光裝置67 進行曝光處理。其中，塗布液單元(c〇T)之下一步驟，可使 5用熱板式之加熱單元(lhp、pab)、減壓乾燥單元(VD)中之 任一者進行處理。 接著，曝光後之晶圓WA以前述路徑，透過塗布抗蝕液 之原來之處理系統之輸入用傳送單元TRS1搬送至該處理 系統S1，並於此搬送至加熱單元(peb)—溫度調整單元(cpL) 10 —顯像單元(DEV)，進行預定之顯像處理後，於加熱單元 (LHP)調整至預定溫度，再透過傳送單元TRS2搬出。如前 述，進行形成下層反射防止膜與抗蝕膜與上層反射防止膜 之第1處理。因此，於搬送進行第丨處理之晶圓^之處理系 統中，選擇前述處理系統，並於各處理系統中進行預定之 15 處理。 又，承載體C内之晶圓為進行第2處理之晶圓WB時，當 決定搬送該晶圓WB之處理系統例如為第2處理系統64時， 對該處理系統B 4之處理系統控制部8 2 B由系統控制部8 i傳 送晶圓WB之處理方法。於處理系統控制部82β中，如前述， 2〇根據該處理方法選擇使用之處理單元，並於各個處理單元 進行以預定之處理條件進行處理。具體而言，係以例如疏 水化處理單元（ADH)->溫度調整單元（CPL)—塗布單元 (COT)—減壓乾燥單元(VD)之順序搬送並進行抗蝕液之塗 布處理後，再以加熱單元(PAB)s溫度調整單元(cpL)—上 25 1253115 層侧反射防止膜形成單元(C0T)—減壓乾燥單元(VD)—加 熱單元（LHP)之順序搬送並形成上層反射防止膜 (Top-ARC)，接著如前述般搬送至曝光裝置B7，並於此進行 預定之曝光處理。 5 接著，曝光後之晶圓WB以前述路徑搬送至抗蝕膜塗布 及形成上層側反射防止膜之處理系統，並與前述第1處理 相同地進行預定之顯像處理後，形成抗蝕膜及上層反射防 止膜。因此，於搬送進行第2處理之晶圓WB之處理系統中， 選擇前述處理系統’並於各處理單元進行預定處理。 10 且，承載體C内之晶圓為進行第3處理之晶圓W(：時，當 決定搬送該晶圓WC之處理系統例如為第3處理系統B5時， 對该處理糸統B5之處理系統控制部82C由系統控制部81發 送晶圓WC之處理方法。於處理系統控制部82c中，如前述， 根據該處理方法選擇使用之處理單元，並於各個處理單元 15以預定之處理條件進行處理。具體而言，係以例如溫度調 整單元(CPL)—下層側反射防止膜形成單元(cot)—減壓乾 燥單元（VD)—加熱單元(LHP)之順序搬送並形成下層側反 射防止膜後，再以溫度調整單元(CPL)—塗布單元(COT)— 減壓乾燥單元（VD)->加熱單元(PAB)之順序搬送並進行抗 2〇 蝕液之塗步。接著如前述般搬送至曝光裝置B7，並於此進 行預定之曝光處理。 接著，曝光後之晶圓W以與前述第1處理、第2處理相 同之路徑搬送至抗姓膜塗布及形成下層側反射防止膜之處 理系統B5，並於進行預定之顯像處理後，形成抗蝕膜及下 26 1253115 層反射防止膜。因此，於搬送進行第3處理之晶圓WC之處 理系統B5中，選擇前述處理系統，並於各處理單元進行預 定處理。 如前述，於該實施形態係於各處理系統B3〜B5内進行 5 不同品種之處理，然而並不是於一個處理系統中同時實施 兩個不同之方法，而是於1個品種之處理結束後，再進行下 一品種之處理。 如前述之結構中，設有搬送系統B2，並藉該搬送系統 B2之第2搬送機構23於承載系統B1與各處理系統B3〜B5組 1〇 間，或於各處理系統B3〜B4與介面部B6組間進行晶圓w之 搬送。又，於各處理系統B3〜B5中，每一系統係進行並列 處理。即，各處理系統B3〜B5之第3搬送機構31可於該處理 系統B3〜B5中僅負責晶圓W之搬送，比習知更減輕了該搬送 機構31之負擔。藉此，不易發生處理後之晶圓…等待由搬 15送機構31搬送之情況，搬送時間可縮短，且，由裝置整體 看可增加生產量。 又，由於各處理系統B3〜B5係可自由襞卸地安裝於搬 送系統B2(裝置本體），且以多數處理系統單元結束不同品 種之一連串之處理，因此，於進行品種之擴張時，可藉追 加對應新品種之處理系統來加以配合，於該襄置中進行之 處理之自由度大。藉此，可對應如於前述實施形態中所說 明之’例如於同-承載體C中搭載不同品種之將進行處理之 晶圓時等之少量多品種之生產。 且’於第U3之各處理系統幻.中，每—處理系統 27 1253115 係獨立地進行一連串之處理，又，晶圓w由基板承载體 送至第1傳送台24，並由搬送系統B2之第2搬送機構23接收 該晶圓W時，由於係辨識第1〜第3處理系統B3〜B5内之晶圓 W之處理狀態，來掌握晶圓W不存在或最早結束處理之處 5 理系統，並藉第2搬送機構23將晶圓W搬送至該處理系統， 因此，可使晶圓W順暢地由第1傳送台24搬送至處理系统。 即，以往，即使具有多數處理系統，亦以所有之處王里 系統全體進行一連串之處理，因此，如習知技術之欄所記 載的，於處理時間長之晶圓WA後傳送處理時間短之晶圓 10 WB時，於任一步驟中晶圓WB都會追上晶圓WA，無法順利 進行晶圓WB之搬送，造成生產量降低，然而於本發明之择 構中，由於每一多數處理系統係獨立地進行一連串之處 理，因此依搬入晶圓W之處理系統之時間點，或處理之種 類不同，每一處理系統之最終之晶圓…之處理狀態都不 15同。因此，掌握各處理系統内之晶圓W之處理狀態，於搬 送新傳送出之晶圓W之時間點，藉處理系統之空狀態決定 搬送目的地之處理系統時，可使於第丨傳送台24之晶圓…之 等待時間減少至最短，而可使晶圓W順暢地搬送至處理系 統。藉此，總搬送時間縮短，處理整體之生產量可提升。 20 此時，即使係於例如在基板承載體C内收納有品種不同 之將進行處理之晶圓時之少量多品種之生產，於第1品種之 群組之晶圓WA之傳送結束後，傳送處理時間較第1品種之 處理時間更短之第2品種之群組之晶圓WB之情況下，亦可 事先掌握處理系統之狀態並決定搬送目的地，因此可有效 28 1253115 地於處理途中防止後來之晶圓WB趕上先前之晶圓WA，造 成晶圓WB等待搬送至下一步驟之狀態發生，可防止生產量 降低。 又’於各處理系統内準備對應事先設定好之多數處理 5單兀，該例中有塗布系統單元32或顯像單元33、減壓乾燥 單元(VD)、加熱單元(PEB、PAB、LHp)、疏水化單元(ADH)、 μ度调整單元(CPL)等，配合搬送至該處理系統之晶圓之處 理方法，藉處理系統控制部82，選擇對應該方法之塗布系 統單元32或顯像單元33、加熱單元等處理單元，並設定處 1〇理條件以進行預定之處理，藉此可利用一個處理系統進行 不同品種之多數之處理，可提高以裝置進行處理之自由度。 又，於如前述般自由組合處理系統内之處理單元來進 行處理之情況下，假設於處理系統内處理單元發生故障等 Ρ早礙日寸，系統控制部81或處理系統控制部82Α〜82C可藉儲 15存進行搬送至替代之處理單元之控制之程式，於遇到如前 述之障礙時立即停止處理，即使不檢查或不替換該具有障 礙之處理單元也無所謂，可防止生產量降低。 且，於該例中，可使晶圓之處理方法或搬送方法之作 成簡易化。即，習知之裝置如前述般於晶圓之處理方法中， 2〇除了指定處理流程，亦指定此時使用之處理單元本身。相 對於此，本發明之方法係於由系統控制部81管理之晶圓w 之處理方法中僅指定流程，而有關於使用之處理單元，只 要在第2搬送機構23接收第1傳送台24上之晶圓w之前決定 即可，因此，不必指定處理方法所使用之處理單元，因此， 29 1253115 可輕易地作成處理方法或搬送方法。 於'亥只施形恶中，針對於第1〜第3處理系統B3〜B5中進 行不同品種之處理之情况進行說明，然而亦可於幻〜第3 處理系統B3〜B5中分別進行同一品種之處理，且亦可於第 5 1〜第3處理系統B3〜B5内之2個處理系統中進行同一品種之 處理，亚於剩下之1個4理系統中進行不同品種之處理。 又，於在第1〜第3處理系統幻〜Μ分別使用不同之處理單元 進行處理時，可於各處理系統B3〜B5僅搭載必要之處理單 元，此時，處理系統控制部之第〗程式只要具有可控制第3 10搬送機構及各處理單元之動作之機能，以於處理系統中對 基板根據預定之方法進行預定之處理即可。 接著，針對本發明之基板處理褒置之另一例，使用第 11圖〜第13圖作說明。該例之基板處理裝置與前述之例之不 同點僅在於弟1〜弟3處理糸統b3〜B5之内部結構。該等處理 15糸統B3〜B5係形成為相同大小者，且配設於各系統内之處 理單元之佈局相同。 即，由承載系統B1側觀看，於靠近自己這一側，設有2 個排列有多層例如5層之液處理系統之處理單元之液處理 單元群91A、91B，並於裡側設有分別排列成多層，例如1〇 20 層、6層之加熱、冷卻系統處理單元之架單元93A、93B， 且於其中夾有第3搬送機構92，並藉第3搬送機構92於液處 理單元群91A、91B、架單元93A、93B之間進行晶圓w之傳 送。又，搬送系統B2側之架早元93A於藉搬送系統B2之第2 搬送機構23可接觸之位置，具有用以於第2搬送機構23與第 30 1253115 3搬送機構92之間傳送晶圓W之傳送台之傳送單元(TRSl、 TRS2)。 如前述，於各處理系統B3〜B5内，除了與例如前述實 施形態同樣地設有例如3個塗布系統單元(COT)32、2個顯像 : 5 單元(；DEV)33、3個減壓乾燥單元（VD)、4個加熱單元 · (LHP)、1個預烘烤用之加熱單元(PAB)、2個後暴露烘烤用 加熱單元(PEB)、3個溫度調整單元(CPL)、1個疏水化處理 單元(ADH)以外，還設有2個傳送單元(TRSl、TRS2)。 於該例中，亦與前述實施形態相同地以多數處理單元 馨 10結束並進行一連串之處理，並掌握各處理系統内之晶圓w 之處理狀態，藉第2搬送機構23將第1傳送台24上之晶圓W 搬送至具有最後之晶圓W，或最後之晶圓W最早結束最後 步驟之處理系統。 且，本發明之基板處理裝置除了於搬送系統B2之連接 15承載系統B1之側相反之側透過介面部B6連接曝光裝置B7 以外，亦可例如第14圖所示，於與搬送系統B2連接第丨〜第3 處理系統B3〜B5之側相反之側透過介面部B6連接曝光裝置 鲁 B7。此日守，例如第14圖所示，於介面部B6*設有於搬送系 統B2之第2搬送機構23與介面部]36之傳送機構94之間用以 、 20傳迗晶圓W之傳送台95。其中，處理系統之内部可如第丨圖 所示般佈置，亦可如第1〇圖所示般佈置。 本發明之塗布系統單元，除了前述第6圖所示之裝置以 夕卜’亦可使用載置於用以固持基板w使其可環繞旋轉轴自 由旋轉之基板固持部，並於該晶圓w之旋轉中心 附近位置 31 ^53115 以塗布液喷嘴供給塗布液，且藉由使晶圓W旋轉之旋轉离隹 心力使塗布液伸展至晶圓表面之結構者。此時，由於並不 一定需要塗布液之塗布後之減壓乾燥步驟，因此最好於處 理系統搭載其他單元，例如以加熱單元(LHP)替代減壓乾燥 5 單元(VD)。 又，於本發明中，除了使曝光裝置連接處理系統以外， 亦可使曝光裝置與處理系統分開，並設置於其他地方。此 時，透過第1搬送機構22、第2搬送機構23將承載系統扪之 承載體C内之晶圓W搬送至預定之處理系統，並於此進行例 10如塗布液之塗布處理後，透過第2搬送機構23、第1搬送機 構22再次搬回承載系統B1，接著，再將該晶圓界搬送至設 置於另外之地點之曝光裝置以進行預定之曝光處理。接 著’透過第1搬送機構22、第2搬送機構23將已進行曝光處 理之晶圓W再度送回塗布抗蝕液之原來之處理系統，並於 15此進行預定之顯像處理後，再次藉第2搬送機構23、第1搬 迗機構22送回承載系統B1内之原來之承載體C内。 且’本發明之基板處理裝置於在介面部B6内搭載加熱 單兀(PEB) ’並使用例如化學放大型之抗蝕液時等，而使曝 光處理與之後之加熱單元（p E B)中之加熱處理之間之時間 2〇必須一疋時，亦可將於曝光裝置B7進行曝光處理後之晶圓 W藉傳运機構26於預定時間内優先地搬送至加熱單元 (PEB)此日守，例如第15圖所示，除了傳送機構26以外，亦 可於介面部B6内設置曝光裝置B7—用以進行加熱單元 (PEB)之搬送之專用的副搬送臂96。 32 1253115 第15圖所示之例中，於傳送機構26與副搬送臂93之 間，設有設置周邊曝光裝置(WEE)與緩衝匣（BUF)、溫度調 整單元(CPL)、及加熱單元(PEB)之架單元U7，並以例如藉 傳送機構26傳送之傳送台27—周邊曝光裝置(wee)->緩衝 5 匣（BUF)—溫度調整單元(CPL)之順序搬送晶圓w，接著， 再藉副搬送臂96將溫度調整單元（CPL)之晶圓W以曝光裝 置B7—加熱單元(PEB)之順序搬送，並且再度藉傳送機構26 將加熱單元(PEB)之晶圓W以緩衝匣（BUF)—傳送台27之順 序搬送。又，亦可不設置周邊曝光裝置，此時除了不進行 10周邊曝光裝置中之處理以外，都如前述般進行晶圓w之搬 送0 且，本發明之基板處理裝置中，只要每一處理系統結 束一連串之處理，並透過搬送系統B2之第2搬送機構23將承 載系統B1内之晶圓W搬送至處理系統並進行預定之處理結 15構即可，並不限定為前述結構。又，多數之處理系統只要 平面大小相同即可，各個處理系統之内部之處理單元之種 類或個數、佈局亦可不同。又，如前述，可於多數處理系 統中進行同一品種之處理，亦可進行不同品種之處理。且， 本發明不僅適用於搬送不同群組之前頭之晶圓之情況，亦 20適用於同一群組之後續之晶圓，此時，由於係決定空處理 系統B3〜B5，再將晶圓搬送至其，因此，可防止等待搬送 至處理系統B3〜B5之狀態發生，可提升生產量。 即，基板承载體(C)中收納有藉多數基板之晶圓w構成 之第1及第2群組，於第丨群組中之最後之晶圓正在處理系統 33 1253115 B3、B4、B5中任一者進行處理時，若其他處理系統B3、B4、 沒有正在進行處理，用以控制第2搬送機構之機構(83)就 會控制第2搬送機構(23)，將第2群組中之前頭之晶圓W搬送 至沒在進行該處理之處理系統B3、B4、B5，並於該處理系 5 統B3、B4、B5進行晶圓W之處理， 又’本發明亦可為不具有曝光裝置之結構，例如亦可 適用於形成例如層間絕緣膜之處理或於基板形成s〇G(Spin 〇n Glass)膜之處理。又，本發明中，基板並不限定為半導 體晶圓，亦可為例如液晶顯示器用之玻璃基板或光罩基板 10 等。 且，亦可為包含有多數曝光裝置之結構。第17圖係可 共有曝光裝置之實施例。曝光裝置B7含有ArF曝光機、KrF 曝光機，且，2個曝光裝置B7間之距離L為1000mm以上。兩 個曝光裝置藉介面部別與塗布顯像裝置連接。於曝光裝 置門t保可知作維修之空間。曝光機可同時進行處理， 且與具有用以進行處理之塗布顯像之pRB之處理系_、 …5連接。以少量多品種生產為目標而連接EB(電子束） 曝光機作為曝光裝置37時，藉曝光機之並行處理可提升 TP(生產量）。此外，第17圖中，晶圓之群組由搬入路徑· 20導入至具有承载體台cs之承載系_，並經由内建於底座 DS之第2搬送機構23導入處理系統B3、B4、B5。 【圖式簡單說明】 弟1圖係顯示本發明之實施形態之基板處理裝置之平 34 1253115 第2圖係顯示本發明之實施形態之基板處理裝置之立 體圖。 第3圖係顯示基板處理裝置之側部截面圖。 第4圖係顯示基板處理裝置之側部截面圖。 5 第5圖係顯示基板處理裝置之處理系統之内部之立體 圖。 第6圖係顯示設置於基板處理裝置之塗布單元之截面 圖。 第7圖係顯示設置於基板處理裝置之加熱單元(PEB)之 10 截面圖。 第8圖係顯示設置於基板處理裝置之第3搬送機構之立 體圖。 第9圖係用以說明本發明之基板處理裝置之控制系統 之方塊圖。 15 第10圖係用以說明本發明之基板處理裝置之作用之平 面圖。 第11圖係顯示本發明之基板處理裝置之其他實施形態 之平面圖。 第12圖係顯示基板處理裝置之側部截面圖。 20 第13圖係顯示基板處理裝置之側部截面圖。 第14圖係顯示本發明之基板處理裝置之其他實施形態 之平面圖。 第15A圖係顯示本發明之基板處理裝置之其他實施形 態之平面圖。 35 1253115 第15B圖係顯示本發明之基板處理裝置之其他實施形 態之平面圖。 第16圖係顯示習知基板處理裝置之平面圖。 第17圖係顯示本發明之基板處理裝置之其他實施形態 5 之平面圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 6...筐體 33…顯像單元 10...承載體 35...風機過濾機組 11...運送台 36·.·電裝品儲存部 12A〜12E...處理系統 51...基板固持部 13八，133，13(：...搬送機構 51a.··吸著部 14A，14B···塗布單元 52,56...驅動基體 15…顯像單元 53...移動體 16A 〜16G，93A，93B，U2，U3，U7 54...滾珠螺桿部 ...架單元 55...塗布液喷嘴 21...承載體載置部 57a，57b...液接收部 22…第1搬送機構 60···台 23...第2搬送機構 61...冷卻板 24…第1傳送台 61a...腳部 25,73a,73b...導引軌 62...加熱板 26...傳送機構 62a...加熱器 27...傳送台 63...開口部 31...第3搬送機構 63a…開閉器 32…塗布單元 64...支持銷
36 1253115 66.. .通氣室 66a，67a···扇 67.. .通氣口 71···臂 72.. .基台 74a,74b…連接構件 75.. .旋轉驅動部 76.. .旋轉軸部 81.. .系統控制部 81a〜81c...方法儲存部 82a···第1程式 82b...第2程式 82A〜82C...處理系統控制部 83.. .搬送系統控制部 83a...搬送程式 91A，91B,U1...液處理單元群 92.. .第3搬送機構 94··.傳送機構 95.. .傳送台 96.. .副搬送臂 700.. .搬入路徑 B1...承載系統 B2...搬送系統 B3...第1處理系統 B4...第2處理系統 B5.··第3處理系統 B6...介面部 B7...曝光裝置 C...承載體 S1...處理部 M1,M2...馬達 N···缺口 U4...化學單元 U5...第1作用力單元 U6···第2作用力單元 W...晶圓
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