KR20060126562A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서 제 1 수수스테이의 기판을 가장 빨리 처리하는 것이 가능한 처리블럭에 반송하는 것에 의해 토탈 처리시간을 단축하는 것을 목적으로 한다. 기판처리장치는 기판 캐리어(C)내에 대해서 웨이퍼(W)의 수수를 행하는 제 1 반송수단 (22)와 복수의 처리블럭 (B3~B5)와 제 1 반송수단 (22)의 사이에서 제 1 수수스테이지 (24)를 개재하여 웨이퍼(W)의 수수를 행하고, 처리블럭 (B3~B5)에 대해서 웨이퍼 (W)의 반송을 행하는 제 2 반송수단 (23)을 구비하고 있다. 상기 장치에서는 처리블럭 (B3~B5)로부터의 웨이퍼 (W)의 처리정보에 의거하여 웨이퍼 (W)가 존재하지 않는지 또는 상기 처리블럭내의 최종 웨이퍼 (W)가 최종공정을 가장 빨리 종료하는 처리블럭이 결정되고 상기 처리블럭에 상기 제 2 반송수단 (23)으로 제 1 수수스테이지 (24)의 웨이퍼 (W)가 반송되므로 처리블럭으로의 웨이퍼 (W)의 반송을 유연하게 행할 수 있는 기술이 제공된다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은 예를 들면 반도체 웨이퍼나 LCD 기판(액정 디스플레이용 유리 기판) 등의 기판의 표면에 처리액을 공급해 소정의 기판 처리 예를 들면 레지스트액의 도포나 노광 후의 현상 처리 등을 실시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 한다) 등의 기판에 레지스트액을 도포해 포토마스크를 이용해 그 레지스트막을 노광하고 또한 현상하는 것에 의해 원하는 레지스트 패턴을 기판상에 제작하는 포트리소그래피 기술이 이용되고 있다. 이러한 처리는 일반적으로 레지스트액의 도포·현상을 실시하는 도포·현상 장치에 노광 장치를 접속한 기판 처리 장치를 이용해 행해진다.
기판 처리 장치는 높은 수율을 확보하면서 장치 점유 면적의 소용량화를 도모하기 위해서 도포 처리 현상 처리 가열·냉각 처리 등 기판에 대해서 복수의 다른 처리를 실시하는 처리 장치를 각각 유니트화해 이들의 각 처리마다 필요한 수의 유니트가 조립되어 구성되고 있고 또한 각 처리 유니트에 기판을 반입출하기 위한 반송 수단이 설치되고 있다.
이러한 기판 처리 장치의 일례에 대해서 특허 문헌 1의 구성을 참조해 설명한다. 도 16중 11은 예를 들면 웨이퍼(W)를 25매 수납한 캐리어 (10)이 반출입되는 캐리어 스테이지 (11)이고 이 캐리어 스테이지 (11)에는 예를 들면 3개의 처리 블럭 (12A, 12B, 12C)가 접속되고 제3의 처리 블럭 (12C)에는 인터페이스 블럭 (12D)를 개재하여 노광장치 (12E)가 접속되고 있다. 처리 블럭 (12A, 12B, 12C)는 각각 중앙에 반송 수단 (13A, 13B, 13C)를 구비함과 동시에 이 주위에 제 1 및 제 2의 처리 블럭 (12A, 12B)에서는 웨이퍼에 도포액을 도포하기 위한 도포 유니트 (14A, 14B); 제3의 처리 블럭 (12C)에서는 노광 후의 웨이퍼에 현상 처리를 행하기 위한 현상 유니트 (15)가 각각 설치되고 있어 모든 처리 블럭 (12A∼12C)에서는 도포 유니트 (14)나 현상 유니트 (15)의 처리의 전후에 웨이퍼에 대해서 소정의 가열 처리나 냉각 처리를 행하기 위한 가열 유니트 ·냉각 유니트나 수수 유니트 등을 구비한 선반 유니트 (16A∼16G)가 설치되고 있다.
이 장치에서는 캐리어 스테이지 (11)의 캐리어 (10)내의 웨이퍼는 수수 아암 (17)에 의해 꺼내져 선반 유니트 (16A)의 수수 유니트를 개재하여 제1의 처리 블럭 (12A)에 반송되어 차례로 제 1 및 제2의 처리 블럭 (12A, 12B)가 비어 있는 처리 유니트에 소정의 순서로 반송되어 레지스트액의 도포 처리를 한 후 처리 블럭 (12C) ·인터페이스 블럭 (12D)를 개재하여 노광 장치 (12E)에 반송되어 여기서 소정의 노광 처리를 한다. 이 후 다시 제3의 처리 블럭 (12C)가 비어 있는 처리 유니트에 소정의 순서로 반송되어 현상 처리를 한다. 또한 도포 처리나 현상 처리의 전 후에는 비어 있는 처리 유니트에서 가열 처리나 냉각 처리를 한다. 여기서 제1의 처리 블럭 (12A)와 제2의 처리 블럭 (12B)의 사이 ·제2의 처리 블럭 (12B)와 제3의 처리 블럭 (12C)의 사이· 제3의 처리 블럭 (12C)와 인터페이스 블럭 (12D)의 사이에서는 각각 선반 유니트 (16C, 16E, 16G)의 수수 유니트를 개재하여 웨이퍼의 수수가 행해진다.
특허 문헌1: 일본국 특개평2000-124124호 공보(도 2 참조)
그런데 상술의 기판 처리 장치에서는 제1~ 제 3의 처리 블럭 (12A∼12C) 전체에서 일련의 처리를 실시하고 있어 미리 웨이퍼(W)에 실시하는 처리의 레시피에 따라서 사용하는 처리 유니트나 처리 유니트의 반송 차례가 결정되고 있다. 또한 이 장치에서는 제1∼제 3의 처리 블럭 (12A∼12C)에 n번째에 반입된 웨이퍼 (Wn)를 이 웨이퍼(Wn)의 다음에 반입된 (n+1)번째의 웨이퍼 (Wn+1)이 추월해 후발의 웨이퍼 (Wn+1)이 선발의 웨이퍼(Wn)보다 먼저 처리를 실시한다고 하는 반송 프로그램을 제작하는 것은 지극히 곤란하고 이러한 웨이퍼(W)의 추월은 실시할 수가 없다.
이 때문에 현상의 장치에서는 처리에 긴 시간이 걸리는 그룹 A의 웨이퍼 (WA)를 캐리어 (C)로부터 처리 블럭에 배출한 후 그룹 A의 처리 시간보다 처리 시간이 짧은 그룹 B의 웨이퍼 (WB)를 캐리어 (C)로부터 처리 블럭에 배출하는 경우를 가정하면 그룹 A의 웨이퍼 (WA)의 배출의 타이밍에 연속적으로 그룹 B의 웨이퍼(WB)를 배출하면 웨이퍼(WB)가 웨이퍼 (WA)를 따라 잡아 버려 웨이퍼(WB)가 웨이퍼 (WA)의 처리가 종료할 때까지 처리 블럭내에서 대기하는 사태가 생긴다. 이 때 웨이퍼(WB)를 처리 블럭내에서 대기하지 않게 하기에는 웨이퍼 (WA)의 다음에 웨이퍼(WB)를 배출할 때 그룹 A의 웨이퍼 (WA)의 배출의 타이밍보다 늦은 타이밍으로 웨이퍼(WB)를 배출할 필요가 있다. 이와 같이 웨이퍼(WB)를 처리 블럭내에서 다음 공정으로의 유니트로의 반송을 대기시키거나 웨이퍼(WB)의 배출의 타이밍을 늦게 하거나 하면 토탈의 처리 시간이 길어져 처리 효율이 낮아져 버린다.
본 발명은 이러한 사정 아래에 이루어진 것이고 그 목적은 제1의 수수 스테이지의 기판을 가장 빨리 처리를 실시할 수가 있는 처리 블럭에 반송함으로써 토탈의 처리 시간을 단축해 수율의 향상을 도모할 수가 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것에 있다.
이 때문에 본 발명의 기판 처리 장치는 복수매의 기판이 수납된 기판 캐리어가 반입출되는 캐리어 재치부와 이 캐리어 재치부에 재치된 기판 캐리어에 대해서 기판의 수수를 실시하는 제1의 반송 수단을 포함한 캐리어 블럭과 이 캐리어 블럭에 인접해 설치되어 횡방향으로 연장하는 직선 형상의 반송로를 따라 기판을 반송하는 제2의 반송 수단과 ;제1의 반송 수단과 제2의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 1의 수수 스테이지와 ;기판에 대해서 소정의 처리를 행하기 위한 복수의 처리 유니트와;이들 처리 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 ;제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 구비함과 동시에 각각 반송로를 따라 배열되도록 장치 본체에 대해서 설치되어 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 일련의 기판 처리를 실시하는 복수의 처리 블럭과 ;이들 처리 블럭의 각각에 있어서 기판에 대해서 소정의 레시피에 근거해 소정의 처리가 행해지도록 제3의 반송 수단 및 각 처리 유니트의 동작을 제어함과 동시에 해당 처리 블럭내의 기판의 처리 정보를 출력하는 처리 블럭 제어부와; 기판이 제1의 수수 스테이지로부터 제2의 반송 수단에 수수되기까지 처리 블럭 제어부로부터의 기판의 처리 정보에 근거해 기판이 존재하지 않는지 또는 해당 처리 블럭내의 최종의 기판이 최종 공정을 가장 빨리 종료하는 처리 블럭을 결정해 이 처리 블럭에 제1의 수수 스테이지의 기판을 반송하도록) 제2의 반송 수단을 제어하는 수단을 갖춘다.
여기서 제2의 반송 수단을 제어하는 수단은 기판의 종별에 따라 할당할 수 있었던 기판의 로트에 대해서 그 로트의 선두의 기판이 제1의 수수 스테이지로부터 제2의 반송 수단에 수수되기까지 처리 블럭 제어부로부터의 기판의 처리 정보에 근거해 기판이 존재하지 않는지 또는 해당 처리 블럭내에서 행해지고 있는 앞의 기판의 로트의 최종의 기판이 최종 공정을 가장 빨리 종료하는 처리 블럭을 결정해 이 처리 블럭에 제1의 수수 스테이지의 후속의 로트의 선두의 기판을 반송하도록 제2의 반송 수단을 제어하는 것으로서도 좋다.
이러한 기판 처리 장치에서는 복수매의 기판이 수납된 기판 캐리어에 대해서 기판의 수수를 실시하는 제1의 반송 수단과 ;이 제1의 반송 수단에 대해서 제1의 수수 스테이지를 개재하여 기판의 수수를 실시하는 제2의 반송 수단과; 기판에 대해서 소정의 처리를 행하기 위한 복수의 처리 유니트와; 이들 처리 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과; 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 포함한 복수의 처리 블럭을 구비하고 기판 캐리어내의 기판에 대해서 처리 블럭에 있어서 처리 블럭 단위로 일련의 기판 처리를 실시하는 기판 처리 방법에 있어 제1의 반송 수단이 기판 캐리어내의 기판을 제1의 수수 스테이지에 반송하는 공정과 제2의 반송 수단이 제1의 수수 스테이지의 기판을 수취하기까지 각 처리 블럭의 기판의 처리 정보에 근거해 기판이 존재하지 않는지 또는 해당 처리 블럭내의 최종의 기판이 최종 공정을 가장 빨리 종료하는 처리 블럭을 결정하는 공정과 그 다음에 제2의 반송 수단이 제1의 수수 스테이지에 재치된 기판을 수취하고 해당 기판을 결정된 처리 블럭에 반송하는 공정을 포함한 기판 처리 방법이 실시된다.
이러한 구성에서는 제1의 수수 스테이지의 기판을 가장 빨리 처리를 실시할 수가 있는 처리 블럭에 반송할 수가 있으므로 토탈의 처리 시간이 단축되어 수율의 향상을 도모할 수가 있다.
여기서 기판 처리 장치는 예를 들면 반송로에 있어서의 캐리어 블럭이 접속된 측의 반대 측에는 노광 장치가 접속되는 인터페이스부가 접속되도록 구성해도 괜찮고 반송로에 있어서의 처리 블럭이 접속된 측의 반대 측에는 노광 장치가 접속되는 인터페이스부가 접속되도록 구성해도 괜찮다.
또 처리 블럭은 예를 들면 레지스트액을 기판에 도포하기 위한 도포 유니트와 노광 후의 기판에 대해서 현상 처리를 행하기 위한 현상 유니트와 기판을 가열하기 위한 가열 유니트와 이들 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 포함해 각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 레지스트액의 도포 및/또는 노광 후의 현상 처리를 실시하는 것이다. 이 때 처리 블럭 제어부는 기판의 처리 레시피에 근거해 처리를 실시하는 도포 유니트와 현상 유니트와 가열 유니트를 선택하는 기능을 갖추도록 구성해도 괜찮다.
또 각 처리 블럭은 기판에 대해서 약액에 의해 처리를 실시하는 액처리 유니트와 기판을 가열하기 위한 가열 유니트와 이들 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 포함해 각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 일련의 처리를 실시하도록 구성해도 좋고 이 때 처리 블럭 제어부는 기판의 처리 레시피에 근거해 액처리 유니트와 가열 유니트를 선택하는 기구를 구비하도록 구성해도 괜찮다.
또한 액처리 유니트는 도포막을 형성하는 처리로서도 좋고 절연막의 전구물질을 포함한 약액을 기판에 도포하는 것으로서도 좋다. 또한 또 복수의 처리 블럭은 평면적인 크기가 동일하게 형성되고 있고 제2의 반송 수단은 복수의 처리 블럭의 및 따라 연장하는 반송 블럭에 설치되어 각 처리 블럭은 반송 블럭에 대해서 착탈할 수 있도록 구성되고 있다.
도 1은 본 발명의 실시의 형태와 관련되는 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시의 형태와 관련되는 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이다.
도 3은 기판 처리 장치를 나타내는 측부 단면도이다.
도 4는 기판 처리 장치를 나타내는 측부 단면도이다.
도 5는 기판 처리 장치의 처리 블럭의 내부를 나타내는 사시도이다.
도 6은 기판 처리 장치에 설치되는 도포 유니트를 나타내는 단면도이다.
도 7은 기판 처리 장치에 설치되는 가열 유니트(PEB)를 나타내는 단면도이다.
도 8은 기판 처리 장치에 설치되는 제3의 반송 수단을 나타내는 사시도이다.
도 9는 본 발명의 기판 처리 장치의 제어계를 설명하기 위한 블럭도이다.
도 10은 본 발명의 기판 처리 장치의 작용을 설명하기 위한 평면도이다.
도 11은 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 실시의 형태를 나타내는 평면도이다.
도 12는 기판 처리 장치를 나타내는 측부 단면도이다.
도 13은 기판 처리 장치를 나타내는 측부 단면도이다.
도 14는 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 실시의 형태를 나타내는 평면도이다.
도 15A는 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 실시의 형태를 나타내는 평면도이다.
도 15B는 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 실시의 형태를 나타내는 평면도이다.
도 16은 종래의 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 17은 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 실시의 형태를 나타내는 평면도이다.
**주요 부위를 나타내는 도면부호의 설명**
B1 캐리어 블럭
B2 반송 블럭
B3 제 1의 처리 블럭
B4 제 2의 처리 블럭
B5 제 3의 처리 블럭
B6 인터페이스부
B7 노광 장치
C 기판 캐리어
22 제 1의 반송 수단
23 제 2의 반송 수단
24 제 1의 수수 스테이지
31 제 3의 반송 수단
32 도포 유니트
33 현상 유니트
81 시스템 제어부
82A~82C처리 블럭 제어부
83 반송 블럭 제어부
이하에 본 발명의 기판 처리 장치의 일실시의 형태에 대해서 설명한다. 여기서 도 1은 기판 처리 장치의 일실시의 형태와 관련되는 전체 구성을 나타내는 평면도 으로서 도 2는 그 개략 사시도이다. 도중 B1은 예를 들면 25매의 기판 예를 들면 반도체 웨이퍼(W)가 수납된 기판 캐리어 (C)를 반입출 하기 위한 캐리어 블럭이고 이 캐리어 블럭 (B1)은 기판 캐리어 (C)를 재치하는 캐리어 재치부 (21)과 제1의 반송 수단 (22)를 구비하고 있다.
이 캐리어 블럭 (B1)의 예를 들면 한쪽측 예를 들면 캐리어 재치부 (21)측에서 볼 때 좌단 측에는 횡방향 즉 캐리어 (C)의 배열 방향으로 대략 직교하는 방향으로 직선 형상으로 연장하는 반송로를 구비한 반송 블럭 (B2)가 캐리어 블럭 (B1)과 접속하도록 설치되고 있다. 그리고 캐리어 블럭 (B1)의 제1의 반송 수단 (22)는 기판 캐리어 (C)로부터 웨이퍼(W)를 취출한 웨이퍼(W)를 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 수수하도록 좌우 전후에 이동 자유· 승강 자유· 수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되고 있다.
여기서 캐리어 블럭 (B1)의 반송 블럭 (B2)가 접속된 영역의 근방에는 캐리어 블럭 (B1)의 제1의 반송 수단 (22)와 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)과의 사이에 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 제 1의 수수 스테이지 (24)가 설치되고 있다. 이 수수 스테이지 (24)는 예를 들면 반송 블럭 (B2)에 웨이퍼(W)를 반입하는 경우에 이용하는 반입용 수수 스테이지와 반송 블럭 (B2)에 웨이퍼(W)를 반출하는 경우에 이용하는 반출용 수수 스테이지의 2단 구성으로 되어 있다. 또한 수수 스테 이지 (24)는 반송 블럭 (B2)내에 있어 제1의 반송 수단 (22)를 액세스 할 수 있는 영역에 설치하도록 해도 괜찮고 반송 블럭 (B2)에 대해서 웨이퍼(W)를 반출입할 때에 공통의 수수 스테이지를 이용하도록 한 1단 구성의 것으로서도 좋다. 예를 들면 수수 스테이지는 3개의 기판을 이면에서 지지할 수 있는 구조로서 또한 제1의 반송 수단 (22)와 제2의 반송 수단 (23)의 각각의 아암과 간섭하지 않게 구성되고 있다.
반송 블럭 (B2)에는 횡방향에 직선 형상으로 연장하도록 반송로를 이루는 가이드 레일 (25)가 설치되고 있어 제2의 반송 수단 (23)은 예를 들면 웨이퍼를 보지하기 위한 2개의 아암을 구비하고 있어 가이드 레일 (25)를 따라 횡방향에 이동 자유 ·승강 자유 ·진퇴 자유· 수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되고 있다. 또한 반송 수단 (23)의 아암은 1개로서도 좋다.
또 반송 블럭 (B2)에는 반송로를 따라 배열된 복수개 예를 들면 3개의 처리 블럭 (B3,B4,B5)가 장치 본체를 이루는 반송 블럭 (B2)에 대해서 착탈 자유롭게 설치되고 있다. 이 예에서는 제1∼제 3의 처리 블럭 (B3~B5)는 각 부분의 배치 레이아웃도 포함해 동일한 구성으로 구성되고 있다. 즉 처리 블럭 (B3~B5)는 같은 크기로 형성됨과 동시에 처리 블럭 (B3~B5)에 배치되는 처리 유니트의 종류나 개수 레이아웃이 동일한 구성으로 설정되어 있다.
구체적으로 제1의 처리 블럭 (B3)을 예로 해 도 3~도 5도 참조해 설명하면 처리블럭 (B3)의 중앙에는 제3의 반송 수단 (31)이 설치되고 있어 이것을 둘러싸도록 예를 들면 캐리어 블럭 (B1)로부터 안쪽을 볼 때 예를 들면 우측에는 예를 들면 3개의 도포계 유니트 (COT, 32)와 2개의 현상 유니트 (DEV, 33)을 다단 예를 들면 5단으로 겹쳐 쌓은 액처리 유니트군 (U1)이 좌측의 앞측· 안쪽 측에는 가열·냉각계의 유니트 등을 다단 예를 들면 이 예에서는 각각 예를 들면 6단· 10단으로 겹쳐 쌓은 선반 유니트 (U2 ·U3)가 각각 배치되고 있다.
도포계 유니트 (32)· 현상 유니트 (33)은 각각 액처리 유니트를 이루는 것이고 도포계 유니트 (32)는 예를 들면 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하는 처리를 실시하는 도포 유니트나 레지스트액을 도포하기 전이나 후에 웨이퍼 표면에 반사 방지막 형성용의 약액을 도포해 하층측 반사 방지막이나 상층측 반사 방지막을 형성하는 반사 방지막 형성 유니트를 포함하고 현상 유니트 (33)은 예를 들면 노광 후의 기판에 현상액을 액활성해 소정 시간 그대로의 상태로 해 현상 처리를 실시하는 유니트이다.
선반 유니트 (U2 ·U3)는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)을 액세스 할 수 있는 영역에 복수의 유니트를 쌓아올려 구성되고 예를 들면 이 예에서는 도포 유니트나 반사 방지막 형성 유니트등에서의 액처리의 뒤에 도포액에 포함되는 용매를 제거하기 위한 예를 들면 3개의 감압 건조 유니트(VD)· 레지스트액의 도포전에 웨이퍼(W)에 소정의 가열 처리이거나 현상 후의 가열 처리에 사용하기 위한 예를 들면 4개의 가열 유니트(LHP)· 레지스트액의 도포 후에 웨이퍼의 가열 처리를 행하기 위한 프리베이킹 유니트등으로 불리고 있는 예를 들면 1개의 가열 유니트(PAB)· 노광 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트 익스포져 베이킹 유니트등으로 불리고 있는 예를 들면 2개의 가열 유니트(PEB)· 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 온조유니트인 예를 들면 3개의 온조유니트(CPL)· 웨이퍼 표면에 대 해서 소수화 처리를 행하기 위한 소수화 처리 (ADH) 외 ·처리 블럭 (B3)에 웨이퍼(W)를 반입하기 위한 예를 들면 1개의 수수 유니트 (TRS1)이나 처리부 (S1)로부터 웨이퍼(W)를 반출하기 위한 예를 들면 1개의 수수 유니트 (TRS2) 등이 상하에 할당되어 있다.
수수 유니트 (TRA1,TRS2)는 본 발명의 제2의 수수 스테이지에 상당하는 것이다. 도 3~도 5는 이들 유니트의 레이아웃의 일례를 나타내고 있지만 유니트의 종류나 수는 이것에 한정되는 것은 아니고 이 예에 있어서도 수수 유니트를 1개로 해 해당 수수 유니트를 웨이퍼(W)를 처리 블럭 (B3)에 반입하는 경우에도 처리 블럭 (B3)로부터 웨이퍼(W)를 반출하는 경우에도 이용하도록 해도 괜찮다. 또 웨이퍼의 온도를 내리는 목적으로 수수 유니트는 TRS2로 온조기능을 부가하도록 해도 좋고 예를 들면 가열 유니트(PAB)에 있어서의 처리 후도 현상 처리 후의 가열 처리를 행한 후에 반출할 때 등에 이 온조기능에 의해 웨이퍼(W)의 온도를 내리도록 해도 괜찮다.
제3의 반송 수단 (31)은 후술 하는 바와 같이 승강 자유· 진퇴 자유 및 수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되어 액처리 유니트군 (U1)· 선반 유니트 (U2 ·U3)의 사이에 웨이퍼(W)를 반송하는 역할을 가지고 있다. 단 도 2에서는 편의상 제 2의 반송 수단 (23)은 그리지 않았다. 또 제2의 반송 수단 (23)은 기술과 같이 구성되어 제1의 반송 수단 (22)로부터 수수되어진 웨이퍼(W)를 처리 블럭 (B3)의 수수 유니트 (TRS1,TRS2)로 수수하도록 되어 있다.
또 이 예에서는 반송 블럭 (B2)의 윗쪽측과 처리 블럭 (B3)의 제3의 반송 수 단 (31)이 설치되고 있는 영역의 윗쪽 측에는 회전날개가 달린 팬과 ULPA 필터나 화학 필터 등에 의해 구성된 팬 필터 유니트(FFU, 35)가 설치되어 이 팬 필터 유니트 (35)에 의해 파티클 및 암모니아 성분이 제거되어 청정화된 공기가 반송 블럭 (B2)내의 하부측 및 제3의 반송 수단 (31)이 설치되고 있는 영역의 하부 측에 각각 공급되게 되어 있다. 또한 처리 블럭 (B3)내의 선반 유니트 (U2 ·U3)가 설치되고 있는 영역의 윗쪽측과 처리 블럭 (B3)내의 액처리 유니트군 (U1)이 설치되고 있는 영역의 윗쪽측에는 각각 전장품 격납부 (36)이 설치되어 이 안에는 반송 수단등의 모터에 접속되는 드라이버나 각 유니트에 접속되는 I/0 포트나 각 유니트를 제어하는 제어부 등이 격납되고 있다.
액처리 유니트군 (U1)의 하부측의 바닥면 가까운 곳에는 현상액이나 반사 방지막 형성액 등의 도포액 등의 약액이나 온도 조절용 유체· 현상액 ·불활성 가스 등의 각각의 탱크 등을 수납한 화학 유니트 (U4)가 설치됨과 동시에 선반 유니트 (U2 ·U3)의 하부측의 바닥면 가까운 곳에는 외부에서 용력을 취입하기 위한 복수의 용력라인을 구비한 제1의 용력 유닛트 (U5)가 설치되고 있다. 한편 반송 블럭 (B2)에는 제1의 용력 유닛트 (U5)에 대응하는 외부측의 제2의 용력 유닛트 (U6)가 설치되고 있어 처리 블럭 (B3)을 반송 블럭 (B2)측에 밀어 넣었을 때에 제 1 및 제2의 용력 유닛트 (U5·U6)가 접속되도록 구성되고 있다.
제3의 처리 블럭 (B5)의 제1의 처리 블럭 (B3)의 반대측은 인터페이스부 (B6)를 개재하여 노광 장치 (B7)과 접속되고 있다. 또 인터페이스부 (B6)은 반송 블럭 (B2)의 캐리어 블럭 (B1)에 접속된 측의 반대측과 접속하도록 설정되어 있다. 인터페이스부 (B6)은 수수 수단 (26)을 구비하고 있고 이 수수 수단 (26)은 예를 들면 승강 자유· 좌우 전후에 이동 자유 또한 수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되어 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)과 노광 장치 (B7)의 사이에 웨이퍼(W)의 수수를 실시하게 되어 있다. 여기서 인터페이스부 (B6)의 반송 블럭 (B2)가 접속된 영역의 근방에는 인터페이스부 (B6)의 수수 수단 (26)과 반송 블럭 (B2)의 반송 수단 (23)의 사이에 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 예를 들면 2단으로 구성된 수수 스테이지 (27)이 설치되고 있다. 또한 수수 스테이지 (27)은 반송 블럭 (B2) 내부로서 제2의 반송 수단 (23)과 인터페이스부 (B6)의 수수 수단 (26)이 액세스 할 수 있는 영역에 설치하도록 해도 좋고 기판 온도를 일정화 시키기 위한 온조기구를 구비한 것으로서도 좋고 1단 구성의 것으로서도 복수단으로서도 좋다.
이어서 각 처리 블럭 (B3,B4)에 설치되는 도포계 유니트 (32)나 가열 유니트(PEB) 등의 구성에 대해서 간단하게 설명한다. 먼저 도포 유니트나 반사 방지막형성 유니트 등의 도포계 유니트 (32)에 대해서 도 6을 이용해 설명한다. 여기서 도포계 유니트로서는 후술 하는 바와 같이 기판상에 처리액을 공급해 회전시켜 액을 펼치는 스핀 도포식의 구성을 이용해도 괜찮지만 여기에서는 스캔식 도포 장치를 예로 해 설명한다.
웨이퍼(W)의 주변부는 일부 노치되어 있어 웨이퍼(W)의 방향을 나타내는 노치 (N)이 설치되고 있다. 도 중 51은 기판 보지부이고 웨이퍼(W)의 이면측을 흡착해 대략 수평 로 유지하는 흡착부 (51A)와 흡착부 (51A)를 승강 자유 및 수직축 주위에 회동 자유롭게 함과 동시에 X방향으로 이동 가능한 구동 기체 (52)로 구성되 어 구동 기체 (52)는 그 하단을 이동체 (53)에 의해 지지를 받고 있다.
이 이동체 (53)의 저면 근방에는 모터 (M1)에 의해 구동되는 볼 나사부 (54)가 설치되고 모터 (M1)이 볼 나사부 (54)를 회전시키는 것으로 이동체 (53)은 도시하지 않은 레일로 가이드되어 도중 Y방향으로 이동하도록 되어 있다. 또 이동체 (53)의 상면에는 구동 기체 (52)를 X방향으로 가이드 하는 도시하지 않은 레일이 설치되고 있고 구동 기체 (52) 및 이동체 (53)의 기능에 의해 기판 보지부 (51)에 보지되는 웨이퍼(W)가 각각 X 및 Y방향의 임의의 위치로 이동 가능하게 구성되고 있다. 이들 이동체 (53) ·도시하지 않은 레일 · 볼 나사부 (54) 및 모터 (M1)에 의해 웨이퍼(W)를 웨이퍼(W)의 윗쪽 측에 설치된 레지스트액이나 반사 방지막의 약액 등의 도포액을 공급하기 위한 도포액 노즐 (55)에 대해서 상대적으로 전후방향으로 이동시킨다. 즉 웨이퍼(W)를 도 6에 있어서의 Y축 방향으로 이동시키게 되어 있다.
도포액 노즐 (55)는 도시하지 않는 구동 풀리와 종동 풀리와 이들 각 풀리 에 걸리는 엔드레스 벨트와 구동 풀리를 회전시키는 모터 (M2) 등이 조립되어 X방향으로 연장하는 직사각형 형상의 구동 기체 (56)에 의해 X방향으로 이동 자유롭게 구성되고 있다. 도중 57(57a· 57b)은 윗쪽으로부터 낙하해 오는 도포액을 받아들여 웨이퍼(W)의 바깥 틀 근방 영역으로의 도포액의 공급을 막기 위한 한 쌍의 액받이부이다.
이 도포계 유니트 (32)에 있어서는 도포액노즐 (55)가 웨이퍼의 일단면으로부터 타단면으로 이동하면 그 타이밍에 맞추어 웨이퍼(W)가 거기에 교차하는 방향 으로 간헐적으로 보낸다. 이러한 동작을 반복하는 것으로 이른바 한번에 도포되는 요령으로 도포액이 웨이퍼(W)에 도포되게 되어 있다.
또 도포계 유니트 (32)의 다음 공정의 처리 유니트인 감압 건조 유니트(VD)는 예를 들면 밀폐 용기내에서 소정의 진공도로 감압하면서 웨이퍼(W)를 소정 온도에 가열함으로써 도포막안의 용매를 증발시켜 이것에 의해 도포막을 형성하도록 구성되고 있다. 또한 현상 유니트 (33)은 공급 노즐로부터 웨이퍼(W)의 중앙부에 웨이퍼(W)의 지름 방향의 폭을 따라 현상액을 공급함과 동시에 웨이퍼(W)를 반회전시키는 것으로 웨이퍼(W)상에 현상액을 액활성해 이렇게 해 웨이퍼(W)상에 현상액을 소정 시간 액활성한 채로의 상태로 해 소정의 현상 처리를 실시하게 되어 있다.
또 가열 유니트인 포스트 익스포져 베이킹 유니트(PEB)에 대해서 도 7에 의해 설명한다. 프레임체 (6)안에는 스테이지 (60)의 상면에 전방 측에 냉각 플레이트 (61)이 ;후방 측에 히터 (62A)를 구비한 가열 플레이트 (62)가 각각 설치되고 있다. 냉각 플레이트 (61)은 프레임체 (6)내에 셔터 (63a)를 구비한 개구부 (63)을 개재하여 진입해 오는 제3의 반송 수단 (31)과 가열 플레이트 (62)의 사이에 웨이퍼(W)의 수수를 실시함과 동시에 반송시에 있어서는 가열된 웨이퍼(W)를 결점 냉각하는(조열잡기를 실시한다) 역할을 가지는 것이다. 이 때문에 도에 나타나는 바와 같이 다리부 (61a)가 도시하지 않는 가이드 수단을 따라 Y방향으로 진퇴 가능하게 구성되고 있고 이것에 의해 냉각 플레이트 (61)이 개구부 (63)의 측쪽위치나 가열 플레이트 (62)의 윗쪽 위치까지 이동할 수 있게 되어 있다. 또 냉각 플레이트 (61)의 이면 측에는 도시하지 않는 냉각 유로가 설치되고 있다.
스테이지 (60)에 있어서의 제3의 반송 수단 (31)과 냉각 플레이트 (61)의 웨이퍼(W)의 수수 위치 및 가열 플레이트 (62)와 냉각 플레이트 (61)의 웨이퍼(W)의 수수 위치의 각각에는 지지 핀 (64)가 돌출 자유롭게 설치되고 있고 냉각 플레이트 (61)에는 이들 지지 핀 (64)가 상승했을 때에 해당 냉각 플레이트 (61)을 관통해 웨이퍼(W)를 들어 올릴 수가 있도록 도시하지 않는 슬릿이 형성되고 있다. 도중 66은 팬 (66a)를 개재하여 연통하는 환기실이고 도중 67은 팬 (67a)를 구비한 환기구이다.
이러한 가열 유니트(PEB)에서는 웨이퍼(W)는 제3의 반송 수단 (31)으로부터 냉각 플레이트 (61)상에 수수되고 그 다음에 냉각 플레이트 (61)에 의해 가열 플레이트 (62)상에 수수되고 여기서 소정의 가열 처리를 한다. 가열 처리 후의 웨이퍼는 가열 플레이트 (62)로부터 다시 냉각 플레이트 (61)에 수취되어 여기서 결점 냉각된 후 제3의 반송 수단에 수취되어 다음 공정에 반송된다.
또 가열 유니트(LHP·PAB)는 각각 웨이퍼(W)를 소정 온도까지 가열하기 위한 가열 플레이트만을 구비하는 구성이고 온조유니트 (CPL)는 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 냉각 플레이트만을 구비하는 구성이다.
또 제3의 반송 수단 (31)에 대해서 도 8에 의해 설명하면 이 반송 수단 (31)은 웨이퍼(W)를 보지하는 예를 들면 3매의 아암 (71)과 이 아암 (71)을 진퇴 자유롭게 지지하는 기초대 (72)와 이 기초대 (72)를 승강 자유롭게 지지하는 한 쌍의 안내 레일 (73a, 73b)와 이들 안내 레일 (73a, 73b)의 상단 및 하단을 각각 연결하는 연결 부재 (74a, 74b)와 안내 레일 (73a, 73b) 및 연결 부재 (74a, 74b)로 이루 어지는 틀을 수직축 주위에 회전 자유롭게 구동하기 위해서 안내 레일 하단의 연결 부재 (74b)에 일체적으로 장착된 회전 구동부 (75)와 안내 레일 상단의 연결 부재 (74a)에 설치된 회전축부 (76)을 구비하고 있다.
아암 (71)은 각각 웨이퍼(W)를 보지할 수 있도록 3단 구성으로 되어 있어 아암 (71)의 기단부는 기초대의 긴 방향을 따라 슬라이드 이동할 수 있게 되어 있다. 그 슬라이드 이동에 의한 아암 (71)의 진퇴 이동은 도시하지 않는 구동 수단에 의해 구동 제어된다. 또 기초대 (72)의 승강 이동은 도시하지 않는 다른 구동 수단에 의해 구동 제어된다. 이와 같이 해 아암 (71)은 수직축 주위에 회전 자유 또한 승강 자유 또한 진퇴 자유롭게 구동되도록 되어 있다.
이러한 기판 처리 장치에서는 도 1 및 도 9에 나타나는 바와 같이 장치 전체는 시스템 제어부 (81)에서 제어되어 각 처리 블럭 (B3~B5)는 시스템 제어부 (81)로부터의 지령에 근거해 각각의 처리 블럭 (B3~B5)마다 처리 블럭 제어부 (82,82A~82C)에 의해 제어되고 반송 블럭 (B2)는 시스템 제어부 (81)로부터의 지령에 근거해 반송 블럭 제어부 (83)에 의해 제어되도록 되어 있다. 시스템 제어부 (81)은 예를 들면 기판 캐리어에 수납된 기판마다 처리 블럭 (B3~B5)에서 행해지는 처리의 레시피를 격납하는 레시피 격납부 (81a)나 레시피의 변경이나 편집 등을 실시하는 레시피 작성부 (81b)· 레시피 격납부에 격납된 복수의 레시피로부터 소정의 레시피를 선택하기 위한 레시피 선택부 (81c)등을 구비하고 있다.
또 처리 블럭 제어부 (82A)(82B, 82C)는 시스템 제어부 (81)로부터 보내진 소정의 레시피에 근거해 해당 레시피의 처리에 필요한 처리 유니트를 선택해 소정 의 처리 조건으로 처리가 행해지도록 처리 유니트 B3((B4,B5)를 제어하는 제1의 프로그램 (82a)와 처리 블럭 (B3, B4,B5) 내에 있어서의 웨이퍼의 처리 상태를 파악해 시스템 제어부 (81)에 출력하는 제2의 프로그램 (82B)를 구비하고 있다. 이와 같이 처리 블럭 제어부 (82A)(82B, 82C)에서는 처리 블럭 (B3, B4,B5) 내에 있어서의 웨이퍼의 처리 상태를 리얼타임으로 인식해 시스템 제어부 (81)에 알리고 있으므로 시스템 제어부 (81)에서는 각각 처리 블럭 (B3~B5) 에 있어서 최종의 웨이퍼(W)가 어느 처리 유니트에서 처리되고 있고 어느 처리 블럭 (B3~B5)가 최종 공정의 처리 유니트로 가장 빨리 웨이퍼(W)의 처리가 종료할지를 파악할 수 있게 된다.
또 반송 블럭 제어부 (83)은 제2의 반송 수단을 제어하는 제어 수단을 이루는 것이고 시스템 제어부 (81)으로부터의 지령에 근거해 제2의 반송 수단 (23)에 수수되어진 웨이퍼(W)를 제1의 수수 스테이지 (24)와 소정의 처리 블럭 (B3~B5)의 수수 유니트 (TRS1, TRS2)와 인터페이스부 (B6)의 수수 스테이지 (27)의 사이에 반송하기 위한 반송 프로그램 (83A)를 격납 하고 있다.
이러한 기판 처리 장치에 있어서의 웨이퍼의 흐름에 대해서 간단하게 설명하면 자동 반송 로보트(혹은 작업자)에 의해 예를 들면 25매의 웨이퍼(W)를 수납한 캐리어 (C)가 외부로부터 캐리어 블럭 (B1)의 캐리어 재치부 (21)에 반입된다. 그 다음에 제1의 반송 수단 (22)에 의해 이들 캐리어 (C)내로부터 웨이퍼(W)가 꺼내져 캐리어 블럭 (B1)의 수수 스테이지 (24)에 수수되어진다. 이 수수 스테이지 (24)의 웨이퍼(W)는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 의해 소정의 처리 블럭 예를 들면 제1의 처리 블럭 (B3)에 대해서 해당 처리 블럭 (B3)의 입력용 수수 유니 트 (TRS1)를 개재하여 수수되고 해당 처리 블럭 (B3)내에서는 제3의 반송 수단 (31)에 의해 소정의 처리 유니트에 차례로 반송되고 이 예에서는 예를 들면 레지스트액의 도포 처리가 블럭 단위로 행해진다.
계속되어 레지스트액이 도포된 웨이퍼(W)는 출력용의 수수 유니트 (TRS2)를 개재하여 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 수수되고 인터페이스부 (B6)의 수수 스테이지 (27)에 반송된다. 그 다음에 웨이퍼(W)는 인터페이스부 (B6)의 수수 수단 (26)에 의해 노광 장치 (B7)에 반송되어 소정의 노광 처리가 행해진다.
노광 후의 웨이퍼(W)는 다시 인터페이스부 (B6)의 수수 수단 (26)· 수수 스테이지 (27)· 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)을 개재하여 레지스트액이 도포된 원래의 처리 블럭 즉 제1의 처리 블럭 (B3)의 입력용 수수 유니트 (TRS1)를 개재하여 해당 처리 블럭 (B3)에 반송되어 여기서 제3의 반송 수단 (31)에 의해 소정의 처리 유니트에 반송되어 예를 들면 소정의 현상 처리가 행해진 후 출력용 수수 유니트 (TRS2)를 개재하여 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 수수되어진다. 그리고 캐리어 블럭 (B1)의 수수 스테이지 (24) 제1의 반송 수단 (22)를 개재하여 예를 들면 원래의 캐리어 (C)내에 되돌려진다. 이와 같이 이 예에서는 제1∼제 3의 처리 블럭 (B3~B5)의 각각에 있어서 블럭 단위로 1개의 품종의 도포막의 형성이 행해지고 각각의 처리 블럭 (B3~B5)내에서 도포막의 형성이 완결하도록 되어 있다.
이어서 본 발명의 특징적인 구성에 대해서 도 10을 참조해 설명한다. 여기에서는 웨이퍼의 종별에 따라 할당할 수 있었던 복수의 기판의 로트의 기판을 반송하 는 경우로서 제1의 처리 블럭 (B3)에 품종A의 웨이퍼 (WA)가 2매; 제2의 처리 블럭(B4)에 품종B의 웨이퍼(WB)가 2매; 제3의 처리 블럭 (B5)에 품종C의 웨이퍼(WC)가 2매 들어가 있는 경우로서 품종 D의 웨이퍼(WD)가 캐리어 (C)로부터 배출되는 경우를 예로 해 설명한다. 기판의 로트는 동일한 기판 캐리어 (C)내에 품종이 다른 처리가 행해지는 웨이퍼가 수납되고 있는 경우등 동일한 기판 캐리어내에 복수의 로트를 할당할 수 있는 것으로서도 좋고 다른 기판 캐리어 (C)마다 할당될 수 있어 좋다.
각 처리 블럭 (B3~B5)의 처리 블럭 제어부 (82A∼82C)에서는 각 처리 블럭 (B3~B5)내의 웨이퍼 (WA~WC)의 처리 상태를 파악하고 있어 이 정보를 리얼타임으로시스템 제어부 (81)에 반송하고 있다. 이것에 의해 시스템 제어부 (81)에서는 처리 블럭 제어부 (82A∼82C)를 개재하여 최종의 웨이퍼 (WA~WC)가 어느 프로세스까지 진행되고 있을지를 인식할 수 있게 된다.
한편 후속의 로트의 선두의 웨이퍼(WD)는 캐리어 (C)로부터 제1의 반송 수단 (22)에 의해 배출되어 제1의 수수 스테이지 (24)에 반송되지만 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)은 반송 블럭 제어부 (83)의 반송 프로그램에 근거해 구동되고 있어 반송 프로그램에 의해 결정할 수 있던 타이밍에 수수 스테이지 (24)상의 웨이퍼(WD)를 수취하고 갈 때 시스템 제어부 (81)에 어느 처리 블럭 (B3~B5)에 반송하면 좋은가를 문의 한다.
시스템 제어부 (81)에서는 그 때의 처리 블럭 (B3~B5)의 빈 상태를 판단해 비어 있는 처리 블럭 (B3~B5)에 웨이퍼(WD)를 반송하도록 반송 블럭 제어부 (83)에 지령을 내린다. 여기서 비어 있는 처리 블럭 (B3~B5)라는 것은 앞의 기판의 로트의 최종의 웨이퍼(W)가 처리 블럭 (B3~B5)에 존재하지 않는 경우의 외 최종의 웨이퍼(W)가 해당 처리 블럭 (B3~B5)의 최종 공정을 제일 빨리 종료하는 처리 블럭 (B3~B5)도 포함하는 것으로 한다.
이렇게 해 제1의 수수 스테이지 (24)로부터 후속의 로트의 선두의 웨이퍼(WD)가 제2의 반송 수단 (23)이 수수되기까지 각 처리 블럭 (B3~B5)내의 웨이퍼 (WA~WC)의 처리 정보에 근거해 처리 블럭 (B3~B5)내의 웨이퍼의 처리가 가장 빨리 종료하는 처리 블럭 (B3~B5)를 결정해 이 정보를 반송 블럭 제어부 (83)에 지령을 내려 제2의 반송 수단 (23)에 의해 결정된 처리 블럭 (B3~B5)에 웨이퍼(WD)를 반송한다. 여기서 웨이퍼(WD)에 대해서는 시스템 제어부 (81)에 해당 웨이퍼(WD)에 대해서 행해지는 처리 레시피가 격납되고 있어 웨이퍼 (WD)가 반송되는 처리 블럭 (B3, B4,B5)가 결정되면(자) 시스템 제어부 (81)로부터 해당 처리 블럭 (B3, B4,B5)의 처리 블럭 제어부 (82A)(82B, 82C)에 해당 웨이퍼(WD)의 처리 레시피가 보내져 처리 블럭 (B3, B4,B5)에서는 이 처리 레시피에 근거해 사용되는 처리 유니트가 선택되어 각각의 처리 유니트에서는 소정의 처리 조건으로 처리가 행해진다.
이렇게 해 해당 웨이퍼(WD)에 후속하는 웨이퍼(W)에 대해서도 같이 소정의 처리 블럭 (B3~B5)에 반송되어 소정의 처리를 한다. 이 경우 여기에서는 다른 로트의 선두의 로트의 웨이퍼를 반송하는 경우를 예로 해 설명했지만 같은 로트의 웨이퍼를 반송하는 경우에도 똑같이 처리 블럭 (B3~B5)가 선택되어 소정의 처리를 한다.
여기서 각 처리 블럭 (B3~B5)에서 행해지는 웨이퍼의 처리의 구체적인 예에 대해서 예를 들면 동일한 기판 캐리어 (C)내에 제1의 처리가 행해지는 웨이퍼 (WA)와 제2의 처리가 행해지는 웨이퍼(WB)와 제3의 처리가 행해지는 웨이퍼(WC)가 수납되고 있는 경우를 예로 해 설명한다. 이 예에서는 제1의 처리는 웨이퍼에 대해서 레지스트막의 하층측과 상층 측에 각각 반사 방지막을 형성하는 처리이고 제 2의 처리는 웨이퍼에 대해서 레지스트막의 상층 측에 반사 방지막을 형성하는 처리이고 제 3의 처리는 웨이퍼에 대해서 레지스트막의 하층 측에 반사 방지막을 형성하는 처리이다.
이 때 캐리어 (C)내의 웨이퍼가 제1의 처리를 실시하는 웨이퍼 (WA)인 경우에는 해당 웨이퍼 (WA)가 반송되는 처리 블럭 예를 들면 제1의 처리 블럭 (B3)을 결정할 수 있으면 이 처리 블럭 (B3)의 처리 블럭 제어부 (82A)에 시스템 제어부 (81)로부터 웨이퍼 (WA)의 처리 레시피가 보내진다. 처리 블럭 제어부 (82A)에서는 기술과 같이 이 처리 레시피에 근거해 사용하는 처리 유니트가 선택되어 각각의 처리 유니트에서는 소정의 처리 조건으로 처리가 행해진다. 구체적으로는 이 제1의 처리에서는 먼저 수수 유니트 (TRS1)를 개재하여 반입된 웨이퍼 (WA)는 온조유니트(CPL)→ 하층측의 반사 방지막을 형성하기 위한 도포계 유니트(COT)→ 가열 유니트(LHP) 혹은 감압 건조 유니트(VD)→온조유니트(CPL)→ 도포 유니트(COT)→ 가열 유니트(PAB) 혹은 감압 건조 유니트(VD)→온조유니트(CPL)→ 상층측 반사 방지막형성 유니트(COT)→ 가열 유니트(LHP) 혹은 감압 건조 유니트(VD)의 순서로 반송되어 하층측 반사 방지막(Bottom-ARC)과 레지스트액의 액막과 상층측 반사 방지막(Top- ARC)이 아래쪽으로부터 이 순서로 형성된 후 수수 유니트 (TRS2)를 개재하여 반출되어 노광 장치 (B7)에서 노광 처리가 행해진다. 여기서 도포액유니트(COT)의 다음 공정은 핫 플레이트식의 가열 유니트(LHP, PAB) ·감압 건조 유니트(VD)의 어느 쪽을 이용해 처리를 행해도 괜찮다.
그 다음에 노광 후의 웨이퍼 (WA)는 기술의 경로에서 레지스트액이 도포된 원래의 처리 블럭의 입력용 수수 유니트 (TRS1)를 개재하여 해당 처리 블럭 (S1)에 반송되어 여기서 가열 유니트(PEB)→온조유니트(CPL)→ 현상 유니트(DEV)에 반송되어 소정의 현상 처리가 행해진 후 가열 유니트(LHP)에서 소정 온도에 조정되어 수수 유니트 (TRS2)를 개재하여 반출된다. 이렇게 해 하층측 반사 방지막과 레지스트막과 상층측 반사 방지막이 형성되는 제1의 처리를 한다. 따라서 제1의 처리를 하는 웨이퍼 (WA)가 반송되는 처리 블럭에서는 상술의 처리 유니트가 선택되어 각 처리 유니트에서는 소정의 처리를 한다.
또 캐리어 (C)내의 웨이퍼가 제2의 처리를 실시하는 웨이퍼(WB)인 경우에는 해당 웨이퍼(WB)가 반송되는 처리 블럭 예를 들면 제2의 처리 블럭 (B4)가 결정되면 이 처리 블럭 (B4)의 처리 블럭 제어부 (82B)에 시스템 제어부 (81)으로부터 웨이퍼 (WB)의 처리 레시피가 보내진다. 처리 블럭 제어부 (82B)에서는 기술과 같이 이 처리 레시피에 근거해 사용하는 처리 유니트가 선택되어 각각의 처리 유니트에서는 소정의 처리 조건으로 처리가 행해진다. 구체적으로는 이 제2 처리에서는 예를 들면 소수화 처리 유니트(ADH)→온조유니트(CPL)→ 도포 유니트(COT)→ 감압 건조 유니트(VD)의 순서로 반송되어 레지스트액의 도포 처리가 행해진 후 가열 유니 트(PAB)→온조유니트(CPL)→ 상층측 반사 방지막형성 유니트(COT)→ 감압 건조 유니트(VD)→ 가열 유니트(LHP)의 순서로 반송되어 상층측 반사 방지막(Top-ARC)이 형성되어 이 후 기술과 같이 노광 장치 (B7)에 반송되어 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다.
그 다음에 노광 후의 웨이퍼(WB)는 기존의 경로에서 레지스트액의 도포와 상층측 반사 방지막이 형성된 처리 블럭 (B4)에 반송되어 상술의 제1의 처리와 동일하게 소정의 현상 처리를 한 후 이렇게 해 레지스트막과 상층측 반사 방지막이 형성된다. 따라서 제2의 처리를 하는 웨이퍼(WB)가 반송되는 처리 블럭에서는 상술의 처리 유니트가 선택되어 각 처리 유니트에서는 소정의 처리를 한다.
또한 캐리어 (C)내의 웨이퍼가 제3의 처리를 실시하는 웨이퍼(WC)인 경우에는 해당 웨이퍼 (WC)가 반송되는 처리 블럭 예를 들면 제3의 처리 블럭 (B5)를 결정되면 이 처리 블럭 (B5)의 처리 블럭 제어부 (82C)에 시스템 제어부 (81)으로부터 웨이퍼(WC)의 처리 레시피가 보내진다. 처리 블럭 제어부 (82C)에서는 기술과 같이 이 처리 레시피에 근거해 사용하는 처리 유니트가 선택되어 각각의 처리 유니트에서는 소정의 처리 조건으로 처리가 행해진다. 구체적으로는 이 제3의 처리에서는 예를 들면 온조유니트(CPL)→ 하층측 반사 방지막형성 유니트(COT)→ 감압 건조 유니트(VD)→ 가열 유니트(LHP)의 순서로 반송되고 하층측 반사 방지막이 형성된 후 온조유니트(CPL)→ 도포 유니트(COT)→ 감압 건조 유니트(VD)→ 가열 유니트(PAB)의 순서로 반송되어 레지스트액의 도포 처리가 행해진다. 그 다음에 기술과 같이 노광 장치 (B7)에 반송되어 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다.
그 다음에 노광 후의 웨이퍼(W)는 상술의 제1의 처리· 제2의 처리와 같은 경로에서 레지스트액의 도포와 하층측 반사 방지막이 형성된 처리 블럭 (B5)에 반송되어 소정의 현상 처리를 한 후 이렇게 해 하층측 반사 방지막과 레지스트막이 형성된다. 따라서 제3의 처리를 하는 웨이퍼 (WC)가 반송되는 처리 블럭 (B5)에서는 상술의 처리 유니트가 선택되어 각 처리 유니트에서는 소정의 처리를 한다.
이와 같이 이 실시의 형태에서는 각 처리 블럭 (B3~B5)내에서 다른 품종의 처리를 실시하는 것이지만 1개의 처리 블럭안에서 2개가 다른 레시피가 동시에 실시되는 경우는 없고 1개의 품종의 처리가 끝난 후 다음의 품종의 처리가 실행된다.
이러한 구성에서는 반송 블럭 (B2)가 설치되고 있어 해당 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 의해 캐리어 블럭 (B1)와 각 처리 블럭 (B3~B5) 끼리의 사이나 각 처리 블럭 (B3~B4)와 인터페이스부 (B6) 끼리의 사이에서의 웨이퍼(W)가 행해지도록 되어 있다. 또 각 처리 블럭 (B3~B5)에서는 블럭마다 병렬처리가 행해진다. 즉 각 처리 블럭 (B3~B5)의 제3의 반송 수단 (31)은 해당 처리 블럭 (B3~B5)내에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송만을 담당하면 좋고 종래에 비해 해당 반송 수단 (31)의 부담이 경감한다. 이것에 의해 처리 후의 웨이퍼(W)가 반송 수단 (31)에 의한 반송을 대기한다고 하는 사태가 일어나기 어렵고 반송 시간의 단축이 도모되고 장치 전체로부터 보면 수율의 향상을 도모할 수가 있다.
또 각 처리 블럭 (B3~B5)는 반송 블럭 (B2, 장치 본체)에 대해서 착탈 자유롭게 설치되고 있음과 동시에 복수의 처리 블럭 단위로 다른 품종의 일련의 처리가 완결하고 있으므로 예를 들면 품종의 확장을 실시하는 경우 새로운 품종에 대응한 처리 블럭을 추가함으로써 대응할 수 있어 해당 장치에서 행해지는 처리의 자유도가 크다. 이것에 의해 상술의 실시의 형태로 설명한 것처럼 예를 들면 같은 캐리어 (C)내에 품종이 다른 처리를 실시하는 웨이퍼를 탑재하는 경우등의 소량 다품종의 생산에 대응할 수 있다.
또한 제1∼제 3의 각 처리 블럭 (B3~B5)에서는 처리 블럭마다 일련의 처리를 독립해 행하고 있고 또 기판 캐리어 (C)로부터 웨이퍼(W)가 제1의 수수 스테이지 (24)에 배출되고 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)이 웨이퍼(W)를 수취하러 갈 때 제 1~제 3의 처리 블럭 (B3~B5)내의 웨이퍼(W)의 처리 상태를 인식해 웨이퍼(W)가 존재하지 않는지 또는 가장 처리가 빨리 종료하는 처리 블럭을 파악해 해당 처리 블럭에 제2의 반송 수단 (23)에 의해 웨이퍼(W)를 반송하도록 하고 있으므로 제1의 수수 스테이지 (24)로부터 처리 블럭으로의 웨이퍼(W)의 반송을 순조롭게 실시할 수가 있다.
즉 종래에서는 복수의 처리 블럭이 존재해도 모든 처리 블럭 전체로 일련의 처리를 행하고 있으므로 종래의 기술란에서도 기재한 것처럼 처리 시간이 긴 웨이퍼 (WA)의 뒤에 처리 시간이 짧은 웨이퍼(WB)가 배출된 경우 어느 쪽인가의 공정으로 웨이퍼(WB)가 웨이퍼 (WA)를 따라 잡아 버려 웨이퍼(WB)의 반송이 순조롭게 행해지지 않고 수율이 저하해 버리지만 본 발명의 구성에서는 복수의 처리 블럭마다 독립해 일련의 처리를 행하고 있으므로 웨이퍼(W)의 처리 블럭으로의 반입의 타이밍이나 처리의 종류에 의해 처리 블럭마다 최종의 웨이퍼(W)의 처리 상태가 다르다. 따라서 각 처리 블럭내의 웨이퍼(W)의 처리 상태를 파악해 새롭게 배출된 웨이 퍼(W)를 반송하는 타이밍으로 처리 블럭의 빈 상태에 의해 반송처의 처리 블럭을 결정하도록 하면 제1의 수수 스테이지 (24)에서의 웨이퍼(W)의 대기 시간을 최단으로 억제할 수가 있어 처리 블럭으로의 웨이퍼(W)의 반송을 순조롭게 실시할 수가 있다. 이것에 의해 토탈의 반송 시간이 단축되어 처리 전체의 수율을 높일 수가 있다.
이 때 예를 들면 기판 캐리어 (C)내에 품종이 다른 처리가 행해지는 웨이퍼가 수납되고 있는 경우 등의 소량 다품종의 생산 로서 제1의 품종의 그룹의 웨이퍼 (WA)의 배출이 종료한 후 제1의 품종의 처리 시간보다 처리 시간이 짧은 제2의 품종의 그룹의 웨이퍼(WB)의 배출을 실시하는 경우에는 미리 처리 블럭의 상태를 파악해 반송처를 결정하고 있으므로 처리 도중에서 후발의 웨이퍼(WB)가 선발의 웨이퍼 (WA)에 따라 부착되어 버려 웨이퍼 (WB)가 다음 공정으로의 반송을 대기하는 상태의 발생을 억제해 수율의 저하를 억제할 수가 있어 유효하다.
또 각 처리 블럭내에 미리 설정된 처리에 대응하는 수의 처리 유니트; 이 예에서는 도포계 유니트 (32)나 현상 유니트 (33) ·감압 건조 유니트(VD)· 가열 유니트(PEB,PAB, LHP)· 소수화 유니트(ADH)· 온조유니트(CPL) 등을 준비해 두어 해당 처리 블럭에 반송되는 웨이퍼의 처리 레시피에 따라 처리 블럭 제어부 (82)에 의해 해당 레시피에 대응하는 도포계 유니트 (32)나 현상 유니트 (33)·가열 유니트등의 처리 유니트를 선택해 소정의 처리가 실시하도록 처리 조건을 설정함으로써 1개의 처리 블럭에 의해 다른 품종의 복수의 처리를 실시할 수가 있어 장치에서 실시하는 처리의 자유도를 높일 수가 있다.
또 이와 같이 처리 블럭내의 처리 유니트를 자유롭게 조합해 처리를 실시하도록 하면 시스템 제어부 (81)이나 처리 블럭 제어부 (82A∼82C)에 있어서 만일 처리 블럭내에서 처리 유니트에 고장등의 트러블이 있었을 때는 대신의 처리 유니트에 반송한다고 하는 제어를 실시하는 프로그램을 격납함으로써 이러한 트러블시에 즉시 처리를 정지해 해당 트러블이 있는 처리 유니트의 점검이나 교환을 행하지 않아도 완료하여 수율의 저하가 억제된다.
또한 이 예에서는 웨이퍼의 처리 레시피나 반송 레시피의 작성의 간이화를 도모할 수가 있다. 즉 종래의 장치는 기술과 같이 웨이퍼의 처리 레시피에는 처리 플로우와 함께 그 때에 사용되는 처리 유니트 자체도 지정된다. 이것에 대해 본 발명의 수법에서는 시스템 제어부 (81)로 관리하는 웨이퍼(W)의 처리 레시피에는 처리 플로우만이 키지정되고 있어 사용되는 처리 유니트에 대해서는 제2의 반송 수단 (23)이 제1의 수수 스테이지 (24)상의 웨이퍼(W)를 수취하기까지 결정하면 좋기 때문에 처리 레시피에 사용하는 처리 유니트를 지정할 필요가 없고 그 만큼 처리 레시피나 반송 레시피의 작성이 용이하게 된다.
이 실시의 형태에서는 제1∼제 3의 처리 블럭 (B3~B5)에 있어서 다른 품종의 처리를 실시하는 경우에 대해서 설명했지만 제1∼제 3의 처리 블럭 (B3~B5)의 각각 에 있어서 같은 품종의 처리를 실시하도록 해도 괜찮고 제1∼제 3의 처리 블럭 (B3~B5) 중의 2개의 처리 블럭에서 같은 품종의 처리를 행해 나머지의 하나의 처리 블럭에서는 다른 품종의 처리를 실시하도록 해도 괜찮다. 또 제1∼제 3의 처리 블럭 (B3~B5)의 각각에 있어서 같은 처리 유니트를 이용해 처리를 실시하는 경우에는 각 처리 블럭 (B3~B5)에는 필요한 처리 유니트만을 탑재하도록 해도 좋고 이 경우 처리 블럭 제어부의 제1의 프로그램은 처리 블럭내에 있어서 기판에 대해서 소정의 레시피에 근거해 소정의 처리가 행해지도록 제3의 반송 수단 및 각 처리 유니트의 동작을 제어하는 기능을 구비한 것이면 좋다.
이어서 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 예에 대해서 도 11~도 13을 이용해 설명한다. 이 예의 기판 처리 장치가 상술의 예와 다른 점은 제1∼제 3의 처리 블럭 (B3~B5)의 내부의 구성뿐이다. 이들 처리 블럭 (B3~B5) 같은 크기로 형성되어 각 블럭내에 배치되는 처리 유니트의 레이아웃은 동일하게 구성되고 있다.
즉 캐리어 블럭 (B1)측에서 볼 때 앞측에 액처리계의 처리 유니트를 다단 예를 들면 5단에 배열한 2개의 액처리 유니트군 (91A, 91B) ;이 안쪽 측에는 제3의 반송 수단 (92)를 사이에 두어 가열·냉각계의 처리 유니트를 다단 예를 들면 10단과 6단으로 배열한 2개의 선반 유니트 (93A, 93B)가 각각 설치되고 있어 제3의 반송 수단 (92)에 의해 액처리 유니트군 (91A, 91B)· 선반 유니트 (93A, 93B)의 사이에 웨이퍼(W)의 수수를 하게 되어 있다. 또 반송 블럭 (B2)측의 선반 유니트 (93A)는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 의해 액세스 할 수 있는 위치에 제2의 반송 수단 (23)과 제3의 반송 수단 (92)와의 사이에 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 수수 스테이지를 이루는 수수 유니트(TRS1,TRS2)를 구비하고 있다.
이렇게 해 각 처리 블럭 (B3~B5)내에는 예를 들면 상술의 실시의 형태와 동일하게 예를 들면 3개의 도포계 유니트(COT, 32)와 2개의 현상 유니트(DEV, 33)과 3개의 감압 건조 유니트(VD); 4개의 가열 유니트(LHP); 1개의 프리베이킹용의 가열 유니트(PAB); 2개의 포스트익스포져 베이킹용의 가열 유니트(PEB); 3개의 온조유니트(CPL); 1개의 소수화 처리 유니트(ADH) 외 2개의 수수 유니트(TRS1,TRS2)가 설치되고 있다.
이 예에 있어서도 상술의 실시의 형태와 동일하게 복수의 처리 블럭 단위로 일련의 처리가 완결하여 행해지고 각 처리 블럭내의 웨이퍼(W)의 처리 상태를 파악해 최종의 웨이퍼(W)가 존재하지 않는지 또는 최종의 웨이퍼(W)가 최종 공정을 가장 빨리 종료하는 처리 블럭에 제2의 반송 수단 (23)에 의해 제1의 수수 스테이지 (24)상의 웨이퍼(W)를 반송한다.
또한 본 발명의 기판 처리 장치는 반송 블럭 (B2)의 캐리어 블럭 (B1)에 접속된 측의 반대 측에 인터페이스부 (B6)를 개재하여 노광 장치 (B7)를 접속하는 구성의 그 밖에 예를 들면 도 14에 나타나는 바와 같이 반송 블럭 (B2)의 제1∼제 3의 처리 블럭 (B3~B5)에 접속된 측의 반대 측에 인터페이스부 (B6)를 개재하여 노광 장치 (B7)를 접속하도록(듯이) 구성해도 괜찮다. 이 경우 예를 들면 도 14에 나타나는 바와 같이 인터페이스부 (B6)에는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)과 인터페이스부 (B6)의 수수 수단 (94)의 사이에 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위한 수수 스테이지 (95)가 설치된다. 여기서 처리 블럭의 내부는 도 1에 나타나는 바와 같이 레이아웃되어도 괜찮고 도 10에 나타나는 바와 같이 레이아웃되어도 괜찮다.
본 발명의 도포계 유니트는 상술의 도 6에 나타내는 장치의 그 밖에 웨이퍼(W)를 수직축 주위에 회전 자유롭게 보지하는 기판 보지부에 재치하고 이 웨이퍼(W)의 회전 중심 근방 위치에 도포액노즐로부터 도포액을 공급함과 동시에 웨이 퍼(W)를 회전시켜 회전의 원심력에 의해 도포액을 웨이퍼 표면에 신장시키는 구성의 것을 이용하도록 해도 괜찮다. 이 경우에는 도포액의 도포 뒤의 감압 건조 공정은 필요가 없기 때문에 처리 블럭에는 감압 건조 유니트(VD) 대신에 다른 유니트 예를 들면 가열 유니트(LHP)를 탑재하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서는 노광 장치를 처리 블럭에 접속하는 구성 외 노광 장치를 처리블럭과는 분리하여 다른 장소에 설치하는 구성으로서도 좋다. 이 경우에는 캐리어 블럭 (B1)의 캐리어 (C)내의 웨이퍼(W)를 제1의 반송 수단 (22); 제2의 반송 수단 (23)을 개재하여 소정의 처리 블럭에 반송해 여기서 예를 들면 레지스트액의 도포 처리를 행한 후 제2의 반송 수단 (23); 제1의 반송 수단 (22)를 개재하여 다시 캐리어 블럭 (B1)에 되돌려 이 후 해당 웨이퍼(W)를 다른 장소에 설치된 노광 장치에 반송해 소정의 노광 처리를 실시한다. 그 다음에 노광 처리가 행해진 웨이퍼(W)를 다시 캐리어 블럭 (B1); 제1의 반송수단 (22); 제2의 반송 수단 (23)을 개재하여 레지스트액이 도포된 원래의 처리 블럭에 되돌려 여기서 소정의 현상 처리를 행한 후 다시 제2의 반송 수단 (23);제1의 반송 수단 (22)에 의해 캐리어 블럭 (B1)내의 원래의 캐리어 (C)내에 되돌리는 것이 행해진다.
또한 본 발명의 기판 처리 장치에서는 인터페이스부 (B6)내에 가열 유니트(PEB)를 탑재해 예를 들면 화학 증폭형의 레지스트액을 이용하는 경우등 노광 처리와 그 후의 가열 유니트(PEB)에 있어서의 가열 처리와의 사이의 시간을 일정하게 하지 않으면 안 되는 경우에 노광 장치 (B7)에서 노광 처리한 후의 웨이퍼(W)를 수수 수단 (26)에 의해 소정 시간내에 우선적으로 가열유니트(PEB)에 반송하도록 해 도 괜찮다. 이 경우 예를 들면 도 15에 나타나는 바와 같이 인터페이스부 (B6)내에 수수 수단 (26)의 그 밖에 노광 장치 (B7)→가열 유니트(PEB)의 반송을 행하기 위한 전용의 부반송 아암 (96)을 구비하도록 해도 괜찮다.
도 15에 나타내는 예에서는 수수 수단 (26)과 부반송 아암 (93)의 사이에 주변 노광 장치(WEE)와 버퍼 카셋트(BUF)와 온조유니트(CPL)와 가열 유니트(PEB)가 설치된 선반 유니트 (U7)이 설치되고 있어 예를 들면 수수 수단 (26)에 의해 수수 스테이지 (27)→주변 노광 장치(WEE)→버퍼 카셋트(BUF)→온조유니트(CPL)의 순서로 웨이퍼(W)를 반송하고 다음에 온조유니트(CPL)의 웨이퍼(W)를 부반송 아암 (96)에 의해 노광 장치 (B7)→가열 유니트(PEB)의 순서로 반송해 이 후 다시 수수 수단 (26)에 의해 가열 유니트(PEB)의 웨이퍼(W)를 버퍼 카셋트(BUF)→ 수수 스테이지 (27)의 순서로 반송한다. 또한 주변노광장치를 설치하지 않는 구성이라고 해도 좋고 이 경우에도 주변노광장치에 있어서의 처리를 행하지 않는 외는 기술과 같이 웨이퍼(W)의 반송을 한다.
또한 또 본 발명의 기판 처리 장치에서는 처리 블럭마다 일련의 처리를 완결 해 캐리어 블럭 (B1)내의 웨이퍼(W)를 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)을 개재하여 처리 블럭에 반송해 소정의 처리를 실시하는 구성이면 상술의 구성에 한정되지 않는다. 또 복수의 처리 블럭은 평면적인 크기가 같으면 각각의 처리 블럭은 내부의 처리 유니트의 종류나 개수 레이아웃이 각각 다른 것으로서도 좋다. 또 기술과 같이 복수의 처리 블럭에 있어서 같은 품종의 처리를 실시하도록 해도 괜찮고 다른 품종의 처리를 행해도 괜찮다. 또한 본 발명은 다른 로트의 선두의 웨이퍼 를 반송하는 경우 뿐만 아니라 동일한 로트의 후속의 웨이퍼에 대해서도 적용되어 이 경우도 비어 있는 처리 블럭 (B3~B5)가 결정되어 여기에 웨이퍼를 반송하고 있으므로 처리 블럭 (B3~B5)으로의 반송을 대기하는 상태가 억제되고 수율의 향상을 도모할 수가 있다.
즉 기판 캐리어(C)에는 복수의 기판으로서의 웨이퍼(W)에 의해 구성되는 제1 및 제2의 로트가 수납되어 제1의 로트에 있어서의 마지막 웨이퍼가 처리 블럭 (B3,B4,B5)의 어느쪽이든 처리를 하고 있을 때 다른 처리 블럭 (B3,B4,B5)가 웨이퍼의 처리를 실시하고 있지 않으면 그 처리를 실시하고 있지 않은 처리 블럭 (B3,B4,B5)에 제2의 로트에 있어서의 선두의 웨이퍼(W)를 반송하고 그 처리 블럭 (B3,B4,B5)로 웨이퍼(W)의 처리를 실시하도록 제2의 반송 수단을 제어하는 수단(83)은 제2의 반송 수단(23)을 제어한다.
또 본 발명은 노광 장치를 포함하지 않는 구성으로서도 좋고 예를 들면 층간 절연막을 형성하는 처리나 기판에 SOG(Spin On Glass) 막을 형성하는 처리에도 적용할 수 있다. 또 본 발명에 있어서는 기판은 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고 예를 들면 액정 디스플레이용의 유리 기판이나 포토마스크 기판등으로 있어도 괜찮다.
또한 복수의 노광 장치를 포함한 구성으로 해도 좋다. 도 17은 노광 장치를 공유하기 위한 실시예이다. 노광 장치 (B7)은 ArF 노광기와 KrF 노광기를 포함해 2개의 노광 장치 (B7)의 사이의 거리 L은 1000mm 이상이 된다. 양쪽 모두의 노광 장치 (B7)는 인터페이스부 (B6)에 의해 도포 현상 장치와 접속된다. 노광 장치 (B7) 간은 오퍼레이션- 멘터넌스 가능한 스페이스를 확보하고 있다. 노광기는 동시에 처리가 가능하게 하고 그를 위한 도포 현상의 PRB를 가지는 처리 블럭 (B3,B4,B5)를 접속하고 있다. 소량 다품종 생산전용으로 노광 장치 (B7)로서 EB(전자빔) 노광기를 접속한 경우는 노광기의 병행처리에 의해 TP(수율)의 향상이 실현될 수 있다. 또한 도 17에서는 반입로 (700)으로부터 캐리어 스테이션 (CS)를 가지는 캐리어 블럭 (B1)에 웨이퍼의 로트가 도입되어 도킹 스테이션 (DS)에 내장되는 제2의 반송 수단 (23)을 경유해 처리 블럭 (B3,B4,B5)에 도입된다.
본 발명의 기판 처리 장치에 의하면 제1의 수수 스테이지의 기판을 가장 빨리 처리를 실시할 수가 있는 처리 블럭에 반송함으로써 토탈의 처리 시간을 단축해 수율의 향상을 도모할 수가 있다.

Claims (17)

  1. 복수매의 기판이 수납된 기판 캐리어가 반입출되는 캐리어 재치부와 상기 캐리어 재치부에 재치된 기판 캐리어에 대해서 기판의 수수를 실시하는 제1의 반송 수단을 포함한 캐리어 블럭과,
    상기 캐리어 블럭에 인접해 설치되어 횡방향에 연장하는 직선 형상의 반송로를 따라 기판을 반송하는 제2의 반송 수단과,
    상기 제1의 반송 수단과 제2의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 1의 수수 스테이지와,
    기판에 대해서 소정의 처리를 행하기 위한 복수의 처리 유니트와 이들 처리 유니트의 사이에서 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 상기 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 구비함과 동시에 각각 상기 반송로를 따라 배열되도록 장치 본체에 대해서 설치되어 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 일련의 기판 처리를 실시하는 복수의 처리 블럭과,
    이들 처리 블럭의 각각에 있어서 기판에 대해서 소정의 레시피에 근거해 소정의 처리가 행해지도록 상기 제3의 반송 수단 및 각 처리 유니트의 동작을 제어 함과 동시에 해당 처리 블럭내의 기판의 처리 정보를 출력하는 처리 블럭 제어부와,
    기판이 제1의 수수 스테이지로부터 제2의 반송 수단에 수수되기까지 처리 블럭 제어부로부터의 기판의 처리 정보에 근거해 기판이 존재하지 않는지 또는 해당 처리 블럭내의 최종의 기판이 최종 공정을 가장 빨리 종료하는 처리 블럭을 결정하고 상기 처리 블럭에 상기 제1의 수수 스테이지의 기판을 반송하도록 제2의 반송 수단을 제어하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판 캐리어에는 복수의 기판에 의해 구성되는 제1 및 제2의 로트가 수납되고, 상기 제1의 로트에 있어서의 마지막 기판이 상기 처리 블럭의 어느쪽에서 처리를 하고 있을 때 다른 처리 블럭이 기판의 처리를 실시하고 있지 않으면 그 처리를 실시하고 있지 않은 처리 블럭부에 제2의 로트에 있어서의 선두의 기판을 반송하고 상기 처리 블럭부에서 기판의 처리를 실시하도록 상기 제2의 반송 수단을 제어하는 수단은 제2의 반송 수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 반송로에 있어서의 캐리어 블럭이 접속된 측의 반대 측에는 노광 장치가 접속되는 인터페이스부가 접속되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 반송로에 있어서의 처리 블럭이 접속된 측의 반대 측에는 노광 장치가 접속되는 인터페이스부가 접속되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리 블럭은 레지스트액을 기판에 도포하기 위한 도포 유니트와 노광 후의 기판에 대해서 현상 처리를 행하기 위한 현상 유니트와 기판을 가열하기 위한 가열 유니트와 이들 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 상기 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 포함하고 각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 레지스트액의 도포 및/또는 노광 후의 현상 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 처리 블럭은 복수개의 도포 유니트와 복수개의 현상 유니트와 복수개의 가열 유니트를 포함하고 상기 처리 블럭 제어부는 기판의 처리 레시피에 근거해 처리를 실시하는 도포 유니트와 현상 유니트와 가열 유니트를 선택하는 기능을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    각 처리 블럭은 기판에 대해서 약액에 의해 처리를 실시하는 액처리 유니트와 기판을 가열하기 위한 가열 유니트와 이들 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 상기 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 포함해 각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 일련의 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 처리 블럭은 복수개의 액처리 유니트와 복수개의 가열 유니트를 포함하고 상기 처리 블럭 제어부는 기판의 처리 레시피에 근거해 처리를 실시하는 액처리 유니트와 가열 유니트를 선택하는 기능을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 액처리 유니트는 도포막을 형성하는 처리인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 액처리 유니트는 절연막의 전구 물질을 포함한 약액을 기판에 도포하는 것인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 처리 블럭은 평면적인 크기가 동일하게 형성되고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2의 반송 수단은 복수의 처리 블럭의 나열에 따라 연장하는 반송 블럭에 설치되고 각 처리 블럭은 반송 블럭에 대해서 착탈할 수 있도록 구성되고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 복수매의 기판이 수납된 기판 캐리어에 대해서 기판의 수수를 실시하는 제1의 반송 수단과 이 제1의 반송 수단에 대해서 제1의 수수 스테이지를 개재하여 기판의 수수를 실시하는 제2의 반송 수단과 기판에 대해서 소정의 처리를 행하기 위한 복수의 처리 유니트와 이들 처리 유니트의 사이에서 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 상기 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 포함한 복수의 처리 블럭을 구비하고, 상기 기판 캐리어내의 기판에 대해서 상기 처리 블럭에 있어서 처리 블럭 단위로 일련의 기판 처리를 실시하는 기판 처리 방법으로서,
    제1의 반송 수단이 기판 캐리어내의 기판을 제1의 수수 스테이지에 반송하는 공정과,
    제2의 반송 수단이 제1의 수수 스테이지의 기판을 수취하기까지 각 처리 블럭의 기판의 처리 정보에 근거해 기판이 존재하지 않는지 또는 해당 처리 블럭내의 최종의 기판이 최종 공정을 가장 빨리 종료하는 처리 블럭을 결정하는 공정과,
    다음에 제2의 반송 수단이 상기 제1의 수수 스테이지에 재치된 기판을 수취하고 해당 기판을 상기 결정된 처리 블럭에 반송하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 처리 블럭은 레지스트액을 기판에 도포하기 위한 도포 유니트와 노광 후의 기판에 대해서 현상 처리를 행하기 위한 현상 유니트와 기판을 가열하기 위한 가열 유니트와 이들 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 상기 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 포함하고, 각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 레지스트액의 도포 및/또는 노광 후의 현상 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 처리 블럭은 복수개의 도포 유니트와 복수개의 현상 유니트와 복수개의 가열 유니트를 포함하고, 상기 제1의 수수 스테이지에 재치된 기판이 반송되는 처리 블럭이 결정되면 이 처리 블럭에서는 상기 기판의 처리를 실시하는 도포 유니트와 현상 유니트와 가열 유니트가 선택되어 각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 레지스트액의 도포 및/또는 노광 후의 현상 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  16. 청구항 13에 있어서,
    각 처리 블럭은 기판에 대해서 약액에 의해 처리를 실시하는 액처리 유니트와 기판을 가열하기 위한 가열 유니트와 이들 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제 3의 반송 수단과 상기 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 포함하고 각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 일련의 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 처리 블럭은 복수개의 액처리 유니트와 복수개의 가열 유니트를 포함하고 상기 제1의 수수 스테이지에 재치된 기판이 반송되는 처리 블럭이 결정되면 이 처리 블럭에서는 상기 기판의 처리를 실시하는 액처리 유니트와 가열 유니트가 선택되어 각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 소정의 기판처리를 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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