CN1333552A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

Abstract

一种基板处理装置及基板处理方法,将收容盒工作站、具有涂布单元和显影单元的处理工作站、具有膜厚检查装置和缺陷检查装置的检查工作站配置成在与收容盒工作站的收容盒的排列方向大约垂直的方向上检查工作站设置在收容盒工作站与处理工作站之间。在这种结构中,由于是将检查工作站连接在处理工作站上,它们之间晶片的输送自动进行,因此能够简化从基板处理到检查的作业,缩短作业时间。

Description

基板处理装置及基板处理方法

技术领域

本发明涉及例如对半导体晶片或液晶显示器用的玻璃基板等基板进行例如抗蚀液涂布处理和显影处理等的基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，使用一种在半导体晶片等基板上涂布抗蚀液、使用光掩模对该抗蚀膜进行曝光、经显影在基板上制作出所希望的抗蚀图案的光蚀刻技术。

这种光蚀刻是在将曝光装置连接在涂布显影装置的图案形成系统中进行的。作为涂布显影装置，例如以对半导体晶片(以下称作晶片)进行处理为例，是由：输入输出晶片载体的载体工作台、从载置于该载体工作台上的载体中取出晶片的传递臂、处理组件、以及接口工作站等构成；并与曝光装置相连接。通过传递臂送入处理工作站中的晶片，经形成抗蚀膜、在曝光装置中曝光、之后返回处理工作站显影，最后通过传递臂被送回到载体上。

当处理结束后的晶片被放置到载体中后，由操作人员或自动输送机器人将载体从载体工作台中送出，送入与涂布显影装置位于不同区域中的检查单元中。在该检查单元中，对晶片上所形成的抗蚀图案的线宽、抗蚀图案与基底图案的重合度、抗蚀膜涂布不均匀度、以及显影缺陷等进行检查。将判定为合格的晶片送入下一道工序，而判定为不合格的晶片送入清洗单元将抗蚀膜溶解清除，使之恢复到进行该涂布、显影之前的状态。之后，将该晶片再次送入图案形成系统中，再次进行同样的处理。

但是，经图案形成系统处理后的晶片要送入设置在外部的检查单元进行图案检查之后才送入下一道工序，这是导致处理能力降低的原因之一。此外，当前述检查单元中正在对经其它图案形成系统处理的晶片进行检查时，必须等待，导致涂布显影装置的处理能力不能在整体处理中得到反映。再有，在该系统的操作人员需要了解图案检查结果时，必须到另外的场所取结果，因此，例如在需要根据检查结果研究处理方案等场合会感到不万便。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够在避免涂布显影装置等的处理能力降低的情况下进行基板的检查的基板处理装置和基板处理方法。

本发明的另一个目的是提供一种基板的抽样检查能够简单地进行的基板处理装置和基板处理方法。

为实现上述目的，本发明的主要观点所涉及的基板处理装置具备：收容盒工作站，该收容盒工作站包含用来载置收容有多个晶片的基板收容盒的载置部、以及相对于载置于该载置部上的基板收容盒进行基板的传递的传递部；处理工作站，该处理工作站包含有在自前述收容盒工作站送来的基板上涂布处理液的基板处理部；与前述处理工作站相连接的检查工作站、该检查工作站包含有对前述基板进行前述基板处理部之处理状况检查的检查部；以及在前述处理工作站与检查工作站之间进行基板的传递的基板输送部。

按照这样的构成，由于检查工作站与处理工作站二者相邻接地设置，在处理工作站与检查工作站之间自动输送基板，因此，操作人员不必进行输送作业，可缩短基板的输送时间。因而，可简化自基板处理到检查为止的整个作业，而且由于对处理状况能够进行实时检查，故能够进行高精度的检查，可缩短从处理到检查为止的整个时间。

本发明的另一个观点所涉及的基板处理装置为一种向基板涂布抗蚀液并使曝光后的基板显影的、与曝光装置相连接的装置，具备：载体工作站，该载体工作站包含供收容有多片基板的载体输入输出的载体输入输出部，以及相对于载置在该载体输入输出部上的载体进行基板的传递的传递部；处理工作站，该处理工作站与该载体工作站相邻接，包含有在基板上涂布抗蚀液的涂布部、使曝光后的基板显影的显影部、以及向涂布部和显影部输送基板并与前述传递部之间进行基板的传递的主输送部；检查工作站，该检查工作站与前述载体工作站相邻接，具有对处理后的基板进行检查的检查部；外部载体载置部，该外部载体载置部可供将收容有在外部进行处理后的基板的载体送入；模式选择部，该模式选择部能够在对经过前述处理工作站处理的基板以检查部进行检查的一般模式，以及对在外部进行处理后的基板以检查部进行检查的检查部专用模式之间进行模式选择。

外部载体载置部例如设置在载体工作站中，例如是载体输入输出部的一部分。作为本发明的更具体的构成例，可列举出：检查工作站具有与检查部之间进行基板的传递的辅助输送部，在载体工作站内或者检查工作站内或者横跨载体工作站与检查工作站的某一位置上设置用于临时载置基板的中间载置部，将经处理工作站进行显影处理后的基板以及载置于外部载体载置部上的载体内的基板通过载体工作站的传递部经中间载置部向前述辅助输送部传递。

根据本发明，由于能够在涂布显影装置中进行图案检查等检查，因此，处理能力得到提高，而且，即使在进行涂布、显影的处理工作站等进行维修时以及涂布、显影处理休停时，检查单元仍可以单独使用，仍能够对从外部送入的基板进行检查。

本发明的另一个观点所涉及的装置与上述发明的构成大体相同，但在外部载体载置部上所载置的载体与检查工作站之间进行基板的传递时，使用的是第2传递部，该第2传递部是相对于载体工作站内的传递部(第1传递部)另外设置的。

本发明的另一个观点所涉及的装置与上述发明的构成大体相同，但在检查工作站内设有外部载体载置部和辅助输送部。

本发明的又一个观点所涉及的基板处理装置具备：收容盒工作站，该收容盒工作站包含有用来载置收容有多个基板的基板收容盒的载置部，以及相对于载置于该载置部的基板收容盒进行基板的传递的传递部；处理工作站，该处理工作站与前述收容盒工作站相邻接，包含有在基板上涂布处理液的基板处理部、以及相对于该基板处理部按照前述基板收容盒的排列顺序进行基板的传递并且与前述传递部之间按照前述基板收容盒的排列顺序进行基板的传递的主基板输送部；检查部，该检查部用来对前述基板的前述基板处理部的处理状况进行检查；检查基板载置部，该检查基板载置部用来载置经前述基板处理部处理的、要以前述检查部进行检查的检查用基板；基板载置部，该基板载置部用来载置在基板收容盒内的排列顺序排在前述检查用基板之后的基板；以及基板输送部，该基板输送部用来将经过基板处理部处理的基板向前述检查基板载置部和前述基板载置部进行输送。

按照这样的构成，由于检查部组装在基板处理装置中，故与将检查部设置在外部相比，省去了基板输送操作，输送时间也缩短了，因此，处理能力得以提高。

而对于上述装置，例如可以实施以包含有以下工序为特征的基板处理方法，即：将收容有多个基板的基板收容盒中的基板按照基板收容盒的排列顺序向对基板进行处理液涂布的基板处理部输送，对该基板按照输送的顺序进行处理的工序；将经前述基板处理部处理后的基板从该基板处理部送出的工序；将前述基板处理部所送出的基板中的、基板收容盒的第n(n为1以上的整数)个检查用基板送向检查部，对基板处理部的处理状况进行检查的工序；在检查部的处理时间长于基板处理部的基板送出间隔的场合，直到检查部中检查用基板的检查结束之前，将在基板处理部中完成基板处理而自该基板处理部送出的、基板收容盒内的排列顺序排在前述检查用基板之后的基板按照在基板收容盒内的排列顺序依次向基板载置部输送，并按照该顺序进行载置的工序；将在前述检查部中完成了检查的检查用基板从检查部送出的工序；以及将前述检查用基板从检查部送出后，将载置于前述基板载置部上的基板按照基板收容盒内的排列顺序从基板载置部送出的工序。

作为本发明，即使在对经过基板处理部处理的基板进行抽样检查，而检查部的处理时间长于向基板处理部输送基板的间隔的场合，也能够做到在检查用基板进行检查期间，不进行检查的基板可在基板载置部待机，从而，不必预先准备烦琐的抽样检查用程序便能够将基板按照在基板收容盒内的排列顺序送回收容盒。

附图说明

图1是本发明的实施形式所涉及的涂布、显影装置的概略外观图。

图2是上述涂布、显影装置的示意俯视图。

图3是前述涂布、显影装置的检查工作站的立体图。

图4是检查部之一例的剖视图。

图5是上述检查工作站的剖视图。

图6是第1检查单元、货架单元和处理单元之一例的侧视图。

图7是涂布单元的剖视图。

图8是基板输送部的立体图。

图9是本发明的另一实施形式所涉及的涂布、显影装置的示意俯视图。

图10是本发明的又一实施形式所涉及的涂布、显影装置的示意俯视图。

图11是本发明的再一实施形式所涉及的涂布、显影装置的示意俯视图。

图12是本发明的另一其它实施形式所涉及的涂布、显影装置的示意俯视图。

图13是本发明的又一其它实施形式所涉及的涂布、显影装置的示意俯视图。

图14是本发明的另一实施形式的整体构成的示意俯视图。

图15是图14的实施形式的示意立体图。

图16是图14的实施形式的一部分的示意纵剖侧视图。

图17是上述实施形式中所使用的中间载置部之一例的立体图。

图18是上述实施形式中所使用的中间载置部之一例的立体图。

图19是上述实施形式的控制系统的框图。

图20是本发明的又一实施形式的整体构成的示意俯视图。

图21是图20的实施形式的示意立体图。

图22是本发明的再一实施形式的整体构成的示意俯视图。

图23是可使外部送来的载体载置于中间载置部上的构成之一例的立体图。

图24是本发明的另一其它实施形式的整体构成的示意俯视图。

图25是图24的实施形式的示意立体图。

图26是本发明的上述以外的实施形式的整体构成的示意俯视图。

图27是本发明所涉及的传递臂的结构的侧视图。

图28是本发明的另一实施形式所涉及的涂布、显影装置的示意俯视图。

图29是本发明的又一实施形式所涉及的涂布、显影装置的示意俯视图。

图30是本发明的再一实施形式所涉及的涂布、显影装置的示意俯视图。

图31是本发明的另一其它实施形式所涉及的涂布、显影装置的示意俯视图。

图32是本发明的又一其它实施形式所涉及的涂布、显影装置的示意俯视图。

图33是本发明的另一实施形式所涉及的收容盒工作站的俯视图。

图34是图33所示收容盒工作站的正面图。

图35是图33及图34所示实施形式中用于控制压力的机构的说明图。

图36是本发明的又一实施形式所涉及的涂布显影装置的概略外观图。

图37是图36所示涂布显影装置的示意俯视图。

图38是图36所示涂布显影装置的检查单元的立体图。

图39是图36所示检查单元的剖视图。

图40是图36所示货架单元与处理单元之一例的立体图。

图41A-图41D是对上述涂布显影装置中所实施的本发明的方法进行说明的工序图。

图42A-图42D是对上述涂布显影装置中所实施的本发明的方法进行说明的工序图。

具体实施方式

下面，对本发明的实施形式进行说明。

图1是将该实施形式的内部以透视形式示出的概略外观图，图2是示意俯视图，图中，S1是收容盒工作站，S2是对晶片W进行预定检查的检查工作站，S3是对晶片W进行涂布处理和显影处理等基板处理的处理工作站，S4是接口工作站，S5是曝光装置。

收容盒工作站S1具有：收容盒工作台21，该收容盒工作台21构成了载置部，用来载置构成收容有多个基板例如25片晶片W的例如4个基板收容盒的晶片收容盒(以下称作“收容盒”)22；收容盒工作台21上的收容盒22；传递臂23，该传递臂23构成了与后述的检查工作站S2的传递部33之间进行晶片W的传递的传递部。传递臂23可自由升降，能够在X、Y方向上自由移动，并能够以垂直轴为轴自由旋转。

检查工作站S2在与收容盒工作站S1的收容盒排列方向大约垂直的方向上与收容盒工作站S1相连接。此外，作为该检查工作站S2，如图2、图3(检查工作站S2的立体图)、图4(检查工作站S2的从处理工作站S3一侧看过去的剖视图)所示地构成，即，具有：构成了用来对多个基板的处理状况进行检查的检查部的检查装置，例如两个膜厚检查装置31(31A、31B)和例如两个缺陷检查装置32(32A、32B)，例如一个传递部33，例如一个构成收容部的化学单元C，例如一个构成收容部的电气单元E，以及例如一个基板输送部MA1；并且，例如可对抗蚀液涂布处理后以及显影处理后的晶片W就抗蚀膜的膜厚和显影线宽、抗蚀膜有无伤痕、抗蚀液涂布的不均匀度、显影处理后的显影缺陷等等预定的基板处理状况进行检查。

对这种检查工作站S2的布局的一个例子进行说明。在前述传递臂23的纵深侧，在例如从收容盒工作站S1向纵深看过去时的例如右侧设有多个检查装置，在这里，是具有两个膜厚检查装置31A、31B的第1检查单元U1。该检查单元U1在例如两个膜厚检查装置31A、31B之间具有传递部33，在该检查单元U1的下部分配有化学单元C。

前述膜厚检查装置31是例如如后所述地利用光干涉法以光学方式对基板上的基底膜例如氧化膜或多晶硅等之上涂布的抗蚀膜进行检查的装置。而传递部33这样构成：具有用来在收容盒工作站S1的传递臂23与基板输送部MA1之间进行晶片W的传递的传递台；通过例如可借助于升降机构而自由升降的升降销(未图示)与传递臂23或基板输送部MA1的协同工作，相对于该传递台进行晶片W的传递。

前述化学单元C是用来容纳在后述涂布单元等中使用的材料例如药液的供给系统的，例如容纳有：溶剂和抗蚀液等的储存罐、储存罐的开关阀等各种阀门、过滤器、阀门的驱动部、排液喷嘴的驱动系统等。

在例如从收容盒工作站S1向纵深看过去时的例如左侧设有多个检查装置，在这里，设置的是具有两个缺陷检查装置32A、32B的第2检查单元U2，在该检查单元U2的下部分配有电气单元E。

前述缺陷检查装置32是例如通过后述的CCD摄像机进行摄像而对抗蚀膜表面的伤痕、上层的抗蚀图案和下层的抗蚀图案的重合度、涂布抗蚀液时是否有异物混入、抗蚀液涂布不均匀度、显影处理后的显影缺陷等进行检查的装置。而电气单元E中，容纳有：前述膜厚检查装置31和缺陷检查装置32、前述基板输送部MA1和后述的涂布单元和显影单元中所使用的部件、例如它们的驱动系统的电源部、和对它们的电力进行控制等的控制器，用来向它们分配电力的配电盘等电气方面的设备。

下面，对缺陷检查装置32的一个例子结合图4进行说明。例如这样构成，即，具有：具有晶片W的输送口的框体100，设在该框体100内的、对晶片W进行水平支持并能够对其朝向进行调整的旋转载置台110，对该旋转载置台110上的晶片W的表面进行摄像的、可在X、Y、Z方向上自由移动的CCD摄像机120，以及照明部130；能够对由该CCD摄像机120得到的晶片W的图像以未图示的作为数据处理部的个人计算机等进行分析而进行检查。也可以这样构成，即，CCD摄像机120固定，而晶片W的载置台110能够在X、Y、Z方向上移动。

此外，上述膜厚检查装置31例如这样构成，即，在CCD摄像机120的侧方设置如图中虚线所示的、具有发光部和受光部的膜厚探头140，通过将光照射到晶片上以得出反射率，对其结果以计算机进行分析从而检测出膜厚。

在上述第1和第2检查单元U1、U2之间设置有例如可自由升降、可前后、左右自由移动且能够以垂直轴为轴自由旋转的基板输送部MA1，以在这些检查单元U1、U2的各部与后述的处理工作站S3的传递部46之间进行晶片W的传递。为了方便，图1中将基板输送部MA1省略。

在该例子中，以检查工作站S2具备化学单元C和电气单元E为例进行了说明，但并非必须具备化学单元C和电气单元E二者，既可以根据需要而具备其中的一个，也可以在检查工作站S2中仅配置像厚膜检查装置31和缺陷检查装置32那样的检查部。此外，配置于检查工作站S2中的检查部的数量也不受上述例子的限定，既可以是一个，也可以横跨3级或4级设置多个检查部。再有，就检查部的种类而言，既可以仅设置厚膜检查装置31或缺陷检查装置32，也可以将其它检查装置组合进来。

另外，该检查工作站S2是独立地构成的。即，例如如图3和图4所示，利用壁部34将该检查工作站S2与其它空间分隔开，在与收容盒工作站S1和处理工作站S3邻接的前述壁部34的、与检查工作站S2的传递部33相对应的位置上分别形成有旨在使传递臂23能够相对于传递部33进行晶片W的传递的传递口35，此外，在与收容盒工作站S1和处理工作站S3邻接的前述壁部34的、与处理工作站S3的传递部46相对应的位置上分别形成有旨在使基板输送部MA1能够相对于传递部46进行晶片W的传递的传递口(未图示)。

在如上所述以壁部34分隔开的检查工作站S2中，例如如图5所示，设有覆盖在上部的过滤单元F，可使得从化学单元C和电气单元E等的下部回收的氛围气体被排放到工厂排气系统中，同时，其一部分被引入构成调整部的过滤装置36、经该过滤装置36净化、调整到预定温度和预定湿度的空气，经由前述过滤单元F而成为下降气流向各部内吹出。前述过滤单元F例如具有用来对空气进行净化的过滤器和吸气风扇等；前述过滤装置具有用来除去杂质的杂质除去部、加热机构和加湿机构、将空气送出的送出部等。此外，也可以考虑不构成前面所记载的空气循环部，而分别向检查部供给调整到预定温度和预定湿度的空气，向收容盒工作站S1供给净化间的空气。

此外，在检查工作站S2中，将第1和第2检查单元U1、U2及基板输送部MA1以图2中单点划线所示的、将检查工作站S2在X方向上大致两等分的线L为对称轴而在图中的X方向上对称地进行配置。即，即使检查工作站S2旋转半周，使得第2检查单元U2从收容盒工作站S1一侧看过去时位于右侧时，收容盒工作站S2的传递臂23仍能够通过传递口35访问传递部33，检查工作站S1的基板输送部MA1仍能够通过未图示的传递口访问处理工作站S3的货架单元R1。

此外，作为处理工作站S3，在与收容盒工作站S1的收容盒的排列方向大约垂直的方向上与检查工作站S2相连接。并且这样构成，即，具有：例如两个构成基板处理部的显影单元41(41A、41B)，两个构成基板处理部的涂布单元42(42A、42B)，例如三个货架单元R(R1、R2、R3)，以及例如一个基板输送部MA2；可在检查工作站S2与接口工作站S4之间进行晶片W的传递，并且，在该工作站S3内可进行在晶片W上涂布抗蚀液的处理、晶片W的显影处理、在这些处理进行的前后将晶片W加热或冷却到预定温度的处理等。

下面，对这种处理工作站S3的布局的一个例子进行说明。在例如从收容盒工作站S1向纵深看过去时的例如右侧设置有跨两级设置的、具备显影单元41和涂布单元42等的处理单元U3。在以后的说明中，将收容盒工作站S1一侧称作前侧，曝光装置S5一侧称作纵深侧而进行叙述。

此外，在这些处理单元U3的从收容盒工作站S1看过去时的左侧设有用来在涂布单元42和显影单元41和货架单元R之间进行晶片W的传递的、例如可自由升降、可前后、左右自由移动且能够以垂直轴为轴自由旋转的基板输送部MA2。并且，在该基板输送部MA2的从收容盒工作站S1看过去时的前侧设有货架单元R1，在纵深侧设有货架单元R2，在左侧设有货架单元R3。在图1中，为了方便而将货架单元R3和基板输送部MA2省略。

由此可保证在该工作站S3的、与检查工作站S2的第1和第2检查单元U1、U2邻接的部位分别留出预定的空间，并经由这些空间分别配置处理单元U3和货架单元R3。

作为前述货架单元R，如图6中以货架单元R1为代表加以展示的，纵向排列有：加热晶片W用的加热部43，冷却晶片W用的冷却部44，晶片表面疏水化用的疏水化部45，用来在货架单元R1中在检查工作站S2的基板输送部MA1与该工作站S3的基板输送部MA2之间进行晶片W的传递、而且在货架单元R2中在该工作站S3的基板输送部MA2与后述的接口工作站S4的输送臂A之间进行晶片W的传递的、具备传递台的传递部46，以及用来在货架单元R1中对晶片W进行定位的定位部47等。

下面，对显影单元41例如结合图7进行说明。51是罩盖，在该罩盖51内设有具有真空吸附功能的可自由旋转的自旋吸嘴52。该自旋吸嘴52在升降机构53的驱动下可自由升降，当位于罩盖51的上侧时，与前述基板输送部MA1的后述的臂61之间能够进行晶片W的传递。

进行这种晶片W的传递时，自旋吸嘴52从下侧相对于罩盖51上升而在罩盖51的上侧接受壁61上的晶片W，而以与之相反的动作，从自旋吸嘴52传递到臂61上。54是处理液的排液喷嘴，55是处理液供给管，56是使喷嘴水平移动的支持臂。

前述排液喷嘴54以具有例如沿晶片W的径向排列的多个排液孔而构成，排液喷嘴54向自旋吸嘴52上的晶片W的表面排出显影液，将自旋吸嘴52旋转半周而使显影液在晶片W上铺满，从而形成显影液的液膜。

此外，涂布单元42的构成与显影单元41大致相同，但涂布单元C是以排液喷嘴54向例如晶片W的大致中心附近供给处理液的形式构成，排液喷嘴54将作为处理液的抗蚀液向下滴在自旋吸嘴52上的晶片W的表面上，旋转自旋吸嘴52使得抗蚀液在晶片W上扩散而完成涂布。

前述基板输送部MA(MA1、MA2)例如如图8所示地构成，即，具有：保持晶片W用的三片的臂61，支持该臂61使之可自由进退的底座62，支持该底座62使之能够自由升降的一对导轨63、64；通过以旋转驱动部65驱动这些导轨63、64旋转，而能够自由进退、自由升降、以垂直轴为轴自由旋转。

与处理工作站S3相邻地连接有接口工作站S4，在该接口工作站S4的纵深侧，连接有对已形成了抗蚀膜的晶片W进行曝光的曝光装置S5。接口工作站S4具有用来在处理工作站S3和曝光装置S5之间进行晶片W的传递的输送臂A，作为该输送臂A，为了能够在处理工作站S3的货架单元R2的传递部46与曝光装置S4之间进行晶片W的传递，例如以可自由升降、可前后、左右自由移动且能够以垂直轴为轴自由旋转的形式构成。

在这里，检查工作站S2应不大于上述收容盒工作站S1或检查工作站S2的排列方向上的宽度(图2中的Y方向，即收容盒工作站S1的收容盒22排列方向上的长度)，而且，这些收容盒工作站S1、检查工作站S2、处理工作站S3、接口工作站S4彼此间可自由进行连接与分离。即，如图3中以检查工作站S2为代表所示出的，彼此以壁部分隔开，可通过例如连接固定器具，螺钉、磁铁等连接部件相接合。因此，作为检查工作站S2，既可以像上述例子那样，配置在收容盒工作站S1与处理工作站S3之间，也可以配置在处理工作站S4与接口工作站S4之间。此外，作为检查工作站S2，为了便于对基板输送部MAi进行维修，例如在检查工作站S2的下部安装了自由转动轮，能够将其向前后方向(图中的Y方向)抽拉移动。

下面，对上述实施形式的工作原理进行说明。首先，通过自动输送机器人(或作业人员)将例如收容有25片晶片W的收容盒22送到收容盒工作台21上，通过传递臂23从收容盒22中取出晶片W，经由壁部34的传递口35放置在检查工作站S2的传递部33上。

然后，将该晶片W通过基板输送部MA1输送到检查工作站S2的厚膜检查装置31中，在这里对空白硅晶片的膜厚进行测定。继而，将该晶片W通过检查工作站S2的基板输送部MA1放置到处理工作站S3的货架单元R1的传递部46上，进而，通过处理工作站S3的基板输送部MA2，按照货架单元R的疏水化部45→货架单元R的冷却部44→涂布单元42的路径进行输送，晶片表面疏水化之后，冷却到预定温度以进行温度调整，在涂布单元42中以预定温度涂布抗蚀液。

将如上所述地涂布了抗蚀液的晶片W通过货架单元R1的传递部46传递到检查工作站S2的基板输送部MA1上，以膜厚检查装置31测定抗蚀膜的膜厚。将检测后的晶片W输送到处理工作站S3中，通过基板输送部MA2，经由货架单元R2的传递部46、接口工作站S4的输送臂A输送到曝光装置S5中，进行曝光。

将曝光后的晶片W经由曝光装置S5→接口工作站S4的输送臂A→处理工作站S3的货架单元R2的传递部46输送到处理工作站S3中，在这里通过基板输送部MA2按照货架单元R的加热部43→货架单元R的冷却部44→显影单元41的路径进行输送，对调整到预定温度的晶片W在显影单元41中以预定温度、例如作为显影液的涂布温度的23℃进行显影处理。

之后，将晶片W通过处理工作站S3的基板输送部MA2，按照货架单元R的加热部43→货架单元R的冷却部44→货架单元R1的传递部46的路径进行输送，该传递部46的晶片W由检查工作站S2的基板输送部MA1所接受。并且，在检查工作站S2中，通过基板输送部MA1输送到缺陷检查装置32中，进行显影线宽的测定、抗蚀膜表面有无伤痕、上层的抗蚀图案与下层的抗蚀图案二者的重合度、抗蚀液涂布时有无异物混入、抗蚀液涂布不均匀度、显影处理后的显影缺陷等对显影处理的处理状况进行检查。

其次，将经过预定检查的晶片W由基板输送部MA1输送到传递部33上，该传递部33的晶片W被传递臂23送回例如原来的收容盒22内。

在这里，在上述装置中，只要将晶片W这样进行输送即可：经由检查工作站S2的传递部33依次向膜厚检查装置31→处理工作站S2的货架单元R1的传递部46输送，进而按照空出的疏水化部45→空出的冷却部44→空出的涂布单元42→货架单元R1的传递部46→检查工作站S2的空出的膜厚检查装置31→处理工作站S2的货架单元R的传递部46→接口工作站S4的路径进行输送，而将曝光后的晶片W按照接口工作站S4→处理工作站S2的空出的加热部43→空出的冷却部44→显影单元41→空出的加热部43→空出的冷却部44→货架单元R1的传递部46的顺序进行输送，之后按照检查工作站S2的空出的缺陷检查装置32→传递部33的路径进行输送即可。

在上述实施形式中，由于构成有具备检查装置的工作站，将该工作站设置在收容盒工作站S1与处理工作站S3之间，因此，可以由一个操作人员对抗蚀液的涂布、曝光、显影、检查等进行监视。因此，不仅能够减少操作人员的数量，而且当通过检查发现某种缺陷时，能够迅速进行确定原因、排除起因等下一个行动。

此外，晶片W在处理工作站S3与检查工作站S2之间的输送全部是自动进行的，因此，省却了繁杂的输送作业，实现了从基板处理到检查为止的整个作业的简单化。而且这些工作站S2、S3之间晶片W的输送时间也很短，故不仅能够缩短从前述基板处理到检查为止的整个作业时间，还能够对显影处理的状况进行实时检查从而进行高精度的检查，并且能够早期发现各种缺陷。此外，检查装置是组装在涂布·显影装置的内部的，因此，可以共用降低微粒的设备。

此时，若如上述例子那样，将多个检查装置组合起来而构成检查工作站S2，则有助于在同一个工作站中对晶片W进行多种检查，而且各检查装置之间的输送时间相当短，故总的检查时间也能够缩短。

此外，由于使得检查工作站S2在与排列方向相垂直的方向上的宽度不大于收容盒工作站S1或检查工作站S2，因此，从收容盒工作站S1到接口工作站S4的范围内，不存在向图2中的Y方向突出的部分，故有利于进行布局。

而且，在另外准备宽度与收容盒工作站S1等对齐的检查工作站S2，将多个检查装置组合进去的场合，只要与检查装置的种类或大小相应地将检查工作站S2的排列方向上的宽度(图2中X方向上的长度)加大即可，因此，即使将多个检查装置组合进去，检查工作站S2中仍能够保证有预定的空间。即，可保证能够在第1和第2检查单元U1、U2的下方设置化学单元C和电气单元E。由于近年来抗蚀液的种类增加，因此，能够如上所述地保证药液系统和电气系统的收容空间，有助于相应地增加药液系统的数量。

再有，作为检查装置，当检查装置的周边环境温度达到例如30℃以上时，会对检查装置的检测精度产生不良影响，因此，最好不要与货架单元R的加热部43相邻地进行设置，但在上述实施形式中，其布局能够保证在处理工作站S3的与第1和第2检查单元U1、U2邻接的部分具有预定大小的空间，因此，具有组装进这些检查单元U1、U2中的各检查装置不容易受到处理工作站S3温度的影响的优点。

此时，即使假定布局成第1和第2检查单元U1、U2与货架单元R的加热部邻接，但由于检查工作站S2通过壁部34从处理工作站S3中分隔出来，因此，各检查装置不容易受到来自处理工作站S3的温度的影响，而且若采用能够以兼作温度调整装置的过滤装置36将检查工作站S2调整到预定的温度和湿度的结构，则作为各检查装置，因周边环境温度能够被调整在预定范围内，而能够不受周围温度湿度的影响而高精度地进行检查。在布局成第1和第2检查单元U1、U2与货架单元R的加热部相邻接的场合，也可以在检查单元U1、U2与加热部之间设置绝热部、例如绝热材料或流通温度调整用水的配管等。此外，进行某种检测时检查工作站S2内的温度、湿度等环境氛围也可以根据该检测的用途相应地进行调整，例如也可以调整为与进行涂布处理、显影处理和曝光处理中之某一种处理时相同的环境氛围。此外，收容盒工作站S1、检查工作站S2、处理工作站S3和安装该装置的净化间之间的压力关系最好是，处理工作站S3＞收容盒工作站S1＞检查工作站S2＞净化间。即，最好是，处理工作站S3为最高的正压，与之相比，检查工作站S2为较低、继而净化间为更低的负压状态。这样，在该装置中进行处理的过程中，能够尽可能避免异物混入晶片W。对上述压力的调整，可通过调整设置在各工作站内的FFU(风扇、过滤器、单元)和排风机构实现。在这种场合，例如可以在FFU或排气机构与各工作站之间插入冲孔金属板，而对该冲孔金属板的孔的数量或各孔的大小进行调整，或者，在多个FFU或排气机构与各工作站之间例如插入两片冲孔金属板，而对两片冲孔金属板的位置关系即孔的重合度进行调整，从而对上述压力进行调整。

以上，就上述实施形式中，作为检查部以检查工作站S2中具备膜厚检查装置31、缺陷检查装置32为例进行了说明，但也可以是检查工作站S2中仅具备缺陷检查装置32而构成，这种场合下，具有不必改变工作流程而能够将检查部组合在涂布·显影装置中的优点。即，在现有的涂布·显影装置中，晶片W的输送流向是一定的，若结合图2进行说明，则是：曝光前的晶片W从图中的收容盒工作站S1到曝光装置S5，是从X方向的左侧输送到右侧，而曝光后的晶片W则以相反的路径，即从曝光装置S5到收容盒工作站S1，是X方向的右侧输送到左侧。因此，在设置像缺陷检查装置32那样的、显影处理后进行预定的检查的检查部的场合，只要将检查工作站S2设置在收容盒工作站S1与处理工作站S3之间，便能够使上述晶片W的输送流向不发生逆转而在显影处理后进行预定的检查。

另外，在上述例子中，收容盒工作站S1、检查工作站S2、处理工作站S3、接口工作站S4是彼此间能够自由连接与分离地进行设置的，而且，即使检查工作站S2翻转180度，也能够与收容盒工作站S1、处理工作站S3之间进行访问，因此，提高了布局的变通性。即，不仅可以采用将检查工作站S2设置在收容盒工作站S1与处理工作站S3之间的布局，而且还可以如图9所示，采用在处理工作站S3与接口工作站S4之间进行设置的布局。

这种构成是为了对涂布抗蚀液后的晶片W进行预定的检查而采用的布局的例子，除了检查工作站S2的位置不同之外，其构成与图1所示的例子大体相同，但在处理工作站S3与检查工作站S2之间，是经由处理工作站S3的货架单元R2的传递部46以检查工作站S2的基板输送部MA1进行晶片W的传递，而在检查工作站S2与接口工作站S4之间，是经由检查工作站S2的传递部33以接口工作站S4的输送臂A再经由壁部34的传递口35进行晶片W的传递的。

还将晶片W以如下输送流向进行输送。即，将预先测定了空白硅晶片的膜厚的晶片W通过传递臂23放置在检查工作站S2的货架单元R1的传递部46上，然后，按照货架单元R的疏水化部45→货架单元R的冷却部44→涂布单元42的路径进行输送。涂布抗蚀液后的晶片W通过基板输送部MA2经货架单元R的加热部43→货架单元R的冷却部44→货架单元R2的传递部46输送，然后，通过检查工作站S2的基板输送部MA1输送到膜厚检查装置31和缺陷检查装置32等预定的检查装置中，进行抗蚀膜膜厚、抗蚀液涂布不均匀度、ERB裁切宽度等预定的检查。

经过以上检查后的晶片W通过基板输送部MA1输送到传递部33上，该晶片W被接口工作站S4的传递臂A所接受并输送到曝光装置S5中。然后，将曝光后的晶片W按照接口工作站S4的传递臂A→检查工作站S2的传递部33→基板输送部MA1→处理工作站S3的货架单元R2的传递部46→基板输送部MA2→货架单元R的加热部43→货架单元R的冷却部44→显影单元41→货架单元R的加热部43→货架单元R的冷却部44→货架单元R1的传递部46的路径进行输送。

此外，在该例中，也可以是将曝光后的晶片W从接口工作站S4向检查工作站S2输送，在这里进行曝光状况的检查，之后将晶片W输送到处理工作站S3中。

如上所述，在该例中，由于检查工作站S2以可自由连接和分离地设置，并设置在处理工作站S3与接口工作站S4之间，因此，如预先已对空白硅晶片的厚膜进行了测定，则能够在涂布抗蚀液后进行预定的检查而晶片W的输送流向不会逆转。相比之下，采用将上述检查工作站S2设置在收容盒工作站S1与处理工作站S3之间的布局时，在涂布抗蚀液后要进行预定的检查时，已经输送到处理工作站S3中的晶片W需要返回检查工作站S2，造成晶片W的流向逆转。

接下来，对涂布抗蚀液后和显影处理后分别进行预定检查这样一种布局的例子结合图10进行说明。该构成中，具有进行抗蚀液涂布的第1处理工作站S6和进行显影处理的第2处理工作站S7两个处理工作站，为了在第1和第2处理工作站S6、S7之间设置检查工作站S2，从收容盒工作站S1到曝光装置S5，按照收容盒工作站S1、第1处理工作站S6、检查工作站S2、第2处理工作站S7、接口工作站S4、曝光装置S5的顺序进行布置。

作为第1和第2处理工作站S6、S7，除了处理单元分别由例如4个构成第1基板处理部的涂布单元42、构成第2基板处理部的显影单元41构成之外，其它构成与上述检查工作站S2大体相同，而在第1处理工作站S6与检查工作站S2之间，经由前述处理工作站S6的货架单元R2的传递部46以检查工作站S2的基板输送部MA1进行晶片W的传递，在检查工作站S2与第2处理工作站S7之间，经由该第2处理工作站S7的传递部46以检查工作站S2的基板输送部MA1进行晶片W的传递。

在这样的构成中，将晶片W按照以下的输送流向进行输送。即，将预先测定了空白硅晶片的膜厚的晶片W通过传递壁23放置到第1处理工作站S6的货架单元R1的传递部46上，然后，通过基板输送部MA2按照货架单元R的疏水化部45→货架单元R的冷却部44→涂布单元42的路径进行输送。涂布抗蚀液后的晶片W通过基板输送部MA2按照货架单元R的加热部43→货架单元R的冷却部43→货架单元R2的传递部46的路径进行输送，然后，通过检查工作站S2的基板输送部MA1输送到该检查工作站S2中，以膜厚检查装置31和缺陷检查装置32等预定的检查装置进行业已叙述的预定的检查。

经过以上检查之后的晶片W通过基板输送部MA1输送到第2处理工作站S7的货架单元R1的传递部46上，该晶片W通过该工作站S7的基板输送部MA2经由货架单元R2的传递部46传递到接口工作站S4的传递臂A上，并输送到曝光装置S5中。然后，将曝光后的晶片W按照接口工作站S4的传递臂A→第2处理工作站S7的货架单元R2的传递部46→基板输送部MA2→货架单元R的加热部43→货架单元R的冷却部44→显影单元41→货架单元R的加热部43→货架单元R的冷却部44→货架单元R1的传递部46的路径进行输送。

之后，将晶片W通过检查工作站S2的基板输送部MA1输送到该工作站S2的膜厚检查装置31和缺陷检查装置32等预定的检查装置中，以各自的检查装置进行预定的检查。

检查结束后的晶片W通过检查工作站S2的基板输送部MA1输送到第1处理工作站S6的货架单元R2的传递部46上，然后，通过基板输送部MA2经由货架单元R1的传递部46例如输送到原来的收容盒22中。

如上所述，在该例中，由于检查工作站S2是可自由连接和分离地进行设置的，并设置在第1处理工作站S6与第2处理工作站S7之间，因此，只要预先对空白硅晶片的厚膜进行了测定，便能够在涂布抗蚀液后和显影处理后进行预定的检查而晶片W的输送流向不会逆转。

在上述情况中，作为本发明，也可以如图11所示，预先准备两个检查工作站，从收容盒工作站S1起沿X方向按照第1检查工作站S2-1、处理工作站S3、第2检查工作站S2-2、接口工作站S4、曝光装置S5的顺序排列。此时，对晶片W，首先以第1检查工作站S2-1的膜厚检查装置31测定空白硅晶片的膜厚，之后，在处理工作站S3中进行疏水化处理和抗蚀液涂布处理，在第2检查工作站S2-2中进行涂布抗蚀液后的预定的检查。

之后，晶片W经由接口工作站S4输送到曝光装置S5中，进行曝光，曝光后的晶片W经由接口工作站S4而在第2检查工作站S2-2中进行曝光状况的检查。然后，晶片W在处理工作站S3中进行显影处理，尔后在第1检查工作站S2-1中进行显影之后的预定的检查。在这样的构成中，晶片W是按照收容盒工作站S1→第1检查工作站S2-1→处理工作站S3→第2检查工作站S2-2→曝光装置S5→第2检查工作站S2-2→处理工作站S3→第1检查工作站S2-1→收容盒工作站S1的路径输送的，因此，能够在不会形成收容盒工作站S1→曝光装置S5→收容盒工作站S1这种晶片W输送流向逆转的情况下进行预定的检查。

此外，作为本发明，也可以如图12所示，预先准备三个检查工作站，从收容盒工作站S1起沿X方向按照第1检查工作站S2-1、进行抗蚀液涂布处理的第1处理工作站S6、第2检查工作站S2-2、进行显影处理的第2处理工作站S7、第3检查工作站S2-3、接口工作站S4、曝光装置S5的顺序进行排列。

此时，对晶片W，首先以第1检查工作站S2-1的膜厚检查装置31测定空白硅晶片的膜厚，然后在第1处理工作站S6中进行疏水化处理和抗蚀液涂布处理，在第2检查工作站S2-2(或者第3检查工作站S2-3中进行涂布抗蚀液后的预定的检查。

之后，晶片W经由第2处理工作站S7、接口工作站S4输送到曝光装置S5中进行曝光，曝光后的晶片W经由接口工作站S4在第3检查工作站S2-3中进行曝光状况的检查。然后，晶片W在第2处理工作站S7中进行显影处理，尔后在第2检查工作站S2-2(或者第1检查工作站S2-1)中进行显影后的预定的检查。在这样的构成中，也能够在晶片W的输送流向不会发生逆转的情况下进行预定的检查。

此外。作为本发明，也可以如图13所示，预先准备两个检查工作站，从收容盒工作站S1起沿X方向按照进行抗蚀液涂布处理的第1处理工作站S6、第1检查工作站S2-1、进行显影处理的第2处理工作站S7、第2检查工作站S2-2、接口工作站S4、曝光装置S5的顺序进行排列。

此时，将预先测定了空白硅晶片的膜厚的晶片W在第1处理工作站S6中进行疏水化处理和抗蚀液涂布处理，在第1检查工作站S2-1(或者第2检查工作站S2-2)中进行涂布抗蚀液后的预定的检查。

之后，晶片W经由第2处理工作站S7、接口工作站S4输送到曝光装置S5中进行曝光。曝光后的晶片W经由接口工作站S4在第2检查工作站S2-2中进行曝光状况的检查。然后，晶片W在第2处理工作站S7中进行显影处理，尔后在第1检查工作站S2-1中进行显影之后的预定的检查。在这样的构成中，也能够在晶片W的输送流向不会发生逆转的情况下进行预定的检查。

在上述情况下，作为本发明，只要其构成是：设置有收容盒工作站S1、处理工作站S3和检查工作站S2，在检查工作站S2中，对经处理工作站S3处理的晶片W进行抗蚀液涂布处理和显影处理的处理状况进行检查；则采用何种布局均可。

此时，检查工作站S2的检查装置既可以是一个，也可以是多个，作为检查装置的种类，除了可以具有膜厚测定装置和缺陷检查装置之外，还可以具有进行微粒计数、EBR宽度测定、WEE宽度测定、涂布不均匀度、显影不均匀度、未涂布部位、未显影部位、线宽测定、曝光失焦等项检查的装置。此外，作为利用检查工作站的空间而设置的收容部，可根据晶片W上所形成的膜的种类，全部作为化学单元C，也可以全部作为电气单元E使用。

此外，也可以是，检查工作站S2内不设置基板输送部MA1，该检查工作站S2内晶片W的输送通过收容盒工作站S1的传递臂23或检查工作站S2的基板输送部MA2进行。

此外，若检查工作站S2是与收容盒工作站S1或处理工作站S3等可自由连接与分离地进行设置的，则可以不采用通过壁部34与周围分隔开的结构，也不一定要将检查工作站S2内的氛围调整到预定的温度和湿度。

此外，对于上述例子中对晶片表面进行的疏水化处理也可以代之以防反射膜的形成，所说基板也不限于晶片，还可以是液晶显示器用的玻璃基板。在形成防反射膜的场合，只要在检查工作站中设置能够检测反射率的检查单元即可。可以是，在曝光前进行这种反射率检测并向曝光装置输送检测信息，曝光装置根据该信息将曝光量控制在一定程度。

如上所述，作为本发明，由于将具备检查部的检查工作站与处理工作站相连接而构成基板处理装置，因此，能够实现从基板处理到检查的作业的简单化，缩短作业时间。

下面，对本发明的另一实施形式进行说明。

图14是展示本发明的实施形式所涉及的涂布、显影装置200的内部以及在该装置200上连接曝光装置S5而成的图案形成系统的整体概况的俯视图，图15是大略示出涂布、显影装置200的立体图。涂布、显影装置200由载体工作站202、处理工作站203、接口工作站204以及检查工作站205等构成。

前述载体工作站202具有：载体输入输出部(载体工作台)221，该载体输入输出部221用来将构成了将多片、例如25片作为基板的晶片W呈货架状进行保持的输送容器的晶片载体(以下简称为“载体”)C相对于涂布、显影装置200送入和送出，例如以4个载体C被定位于各自预定位置上的状态沿X方向排列；作为第1传递部的第1传递臂222，该第1传递臂222用来相对于载置于该载体输入输出部221上的载体C进行晶片W的传递。第1传递臂222是在可在X、Z方向上自由移动且能够以垂直轴为轴自由旋转的底座上设置可自由进退的臂而构成的。在该例中，前述载体输入输出部221兼作如后所说地将装有在外部经过处理即形成有抗蚀膜图案的晶片的载体送入的外部载体载置部使用。

前述处理工作站203相对于前述载体工作站202在Y方向上邻接地进行设置，并且，中央具有被称作主输送臂的晶片输送部231(以下称作主输送臂)，在该主输送臂231的沿Y方向看过去时的前后，分别设有货架232、233。这些货架232、233由多个单元重叠而成，如图16所示，对晶片进行加热的加热单元301、冷却晶片的冷却单元302、用来使晶片对准位置的定位单元303、使晶片表面疏水化的疏水化单元304、具备进行晶片W的传递的工作台的传递单元305、306等被分配在这些单元中。图16所示单元的分配只是为了方便图形的绘制，并不表明以此分配方案为限。

在从载体工作站202向处理工作站203看过去时的、前述主输送臂231的右侧，在下段设有两个作为涂布部的涂布单元234，上段设有两个作为显影部的显影单元235。前述主输送臂231以能够自由升降、能够以垂直轴为轴自由旋转、可自由进退地构成，起着在货架232、233的各单元、涂布单元234及显影单元235之间传递晶片W的作用。

涂布单元234，例如是对晶片W以吸嘴进行保持并使之旋转、向晶片W的中心部位供给抗蚀液、利用离心力使之扩散从而在晶片W上涂布抗蚀液的单元。而显影单元235是在曝光后的晶片W的表面涂布显影液而进行显影的单元。

此外，接口工作站204具有：在前述货架233的传递单元306与曝光装置S5之间进行晶片W的传递的传递臂241、对曝光后的晶片W的周缘部分进行曝光的周缘曝光单元242、以及未图示的缓冲用的晶片保持架等。附着在晶片W周缘的抗蚀膜会剥离而成为微粒，而周缘曝光单元242，就是用来先对该周缘进行曝光以便之后以显影液将抗蚀膜除去，具有用来载置晶片W并可在X、Y方向上移动的X、Y工作台以及曝光机。

前述检查工作站205与前述载体工作站202在X方向上相邻接，上下排列有多个对处理后的晶片W进行检查的检查部206(多级设置)。该检查部206是用来检查涂布处理后晶片W上所涂布的抗蚀液的涂布状况、曝光处理后晶片W表面的曝光状况、显影处理后晶片W表面的曝光状况的，具体地说就是对抗蚀膜图案的线宽、抗蚀膜图案与底膜的重合情况、显影缺陷、抗蚀液的涂布及曝光状态等进行检查。

在该例中，检查部206设置的级数为3级，但也可以是2级或4级以上，而且还可以是单级。在下面的说明中，当将该检查部称作图案检查部时，图案检查部206具有例如图4所示的结构。

此外，前述检查工作站205具有：作为与前述图案检查部206之间进行晶片W的传递的辅助输送部的、在可在Z方向上自由移动且能够以垂直轴为轴自由旋转的底座上所设置的可自由进退的臂而成的辅助臂251，以及，在与该辅助臂251和前述载体工作站202的第1传递臂222之间进行晶片W的传递时、临时予以载置的中间载置部252。该检查工作站205作为其整体被框体所包围并且例如在底部安装未图示的脚轮的一个单元而构成，可相对于载体工作站202进行连接和分离。

前述中间载置部252例如如图17所示地构成，即，形成有可将多个、例如25片晶片W呈货架状保持的多个台阶部253，并且在两侧有开口，以便于传递臂222及辅助臂251进行访问(传递)。如上所述，通过使中间载置部252具有可收容多个晶片W的结构，使得能够在处理工作站203的处理能力大于检查工作站205的处理能力时发挥缓冲作用，避免整体处理能力因检查工作站205的处理能力而降低。

在该例中，传递臂222及辅助臂251能够访问中间载置部252之任何一级上的晶片W，因此，作为臂222、251一侧，需要获知在哪一级收容有晶片W，例如需要在臂222、251上设置由光反射传感器构成的映射传感器。作为中间载置部252，除了上述结构之外，还可以代之以：如图18所示，在作为载置部的载置台254上设置两级载置台，将下级作为专用于从传递臂222向辅助臂251进行检查前晶片W的传递的送入工作台255，将上级作为专用于从辅助臂251向传递臂222传递进行检查后的晶片W的送出工作台256。具体地说，晶片W放置在3根突起250上，在其下方保留有供臂222、251进入的空间。按照这种构成，辅助臂251取放晶片W的位置是确定的，故不必在辅助臂251上设置映射传感器。

此外，在前述载体工作站202的输入输出工作台221的下部以及检查工作站205的底部，如图15和图16所示，例如设有合计3个的化学单元223。该化学单元223包含有：从Y方向上看过去时的前侧和纵深侧能够启闭的框体224(参照图16)，以及收容在该框体224内的、内有前述涂布单元234要使用的抗蚀液或显影液或者显影单元235要使用的显影液的容器225，但还可以将抗蚀液(显影液)供给通路中的诸如泵、过滤器和阀门等收容在框体224内。涂布、显影装置被设计得体积尽可能小，因此，用来放置容纳处理液的容器的空间不易保证，故通常将容器配置在装置的外部，相比之下，将前述容器放置在检查工作站205的底部，可使空间得到有效利用，是一个很好的办法。

下面，对本实施形式所涉及的涂布、显影装置的控制系统结合图19进行说明。271是程序存放部271，存放一般处理用程序和检查部单独使用程序。272是模式选择部，可选择一般模式或检查部单独使用模式，例如组装在设置于涂布、显影装置的外表面的操作盘中。选择一般模式的场合，由数据处理部273读出一般处理用程序，使各工作站202、203、204、205工作；选择检查部单独使用模式的场合，由数据处理部273读出检查部单独使用程序，使载体工作站202和检查工作站205工作。270是总线。

下面，对上述实施形式的工作原理进行说明。首先，假设通过模式选择部272选择了一般模式。从外部将容纳有作为应当形成抗蚀膜图案的基板的例如25片晶片W的载体C送入载体工作站202的载体输入输出工作台221上，通过传递臂222从该载体C中取出晶片W。晶片W从传递臂222上经由货架232的传递单元305传递到主臂222上，进而依次输送到货架232(或233)的处理单元中，进行预定的处理例如疏水化处理、冷却处理等。之后，该晶片W在涂布单元234中涂布抗蚀液，进而经加热处理后，从货架233的传递单元306经由接口工作站204送入曝光装置S5中。

在曝光装置S5中曝光后的晶片W经相反的路径返回处理工作站203，通过主输送臂231输送到显影单元235中，进行显影处理。具体地说，晶片W在显影处理前进行加热处理和冷却处理。显影处理后的晶片W经与上述相反的路径传递到传递臂222上，之后被送到中间载置部252中。此时，若检查工作站205的某一个图案检查部206空出，则放置在中间载置部252中的晶片W被辅助臂251输送到图案检查部206中，但若所有的图案检查部206处于使用中，则辅助臂251待机，在完成了检查的晶片W被输送到中间载置部252中之后，将一直等待的中间载置部252上的晶片W输送到图案检查部206中。对送入图案检查部206中的晶片W进行图案的线宽、图案与基底膜二者的重合度、显影不均匀度和显影缺陷等检查，图案检查结果合格的晶片W经由辅助臂251、中间载置部252及传递臂222例如返回原来的载体C中。而不合格的晶片W，例如通过图案检查部206做上记号与合格品区分开后返回原来的载体C中，或者例如输送到检查工作站205内或载体工作站202内的未图示的不合格品回收用收容部中。在上述实施形式中，对于显影处理后对晶片W表面进行检查的场合进行了说明，但各种检查也可以酌情在涂布处理前、涂布处理后、曝光处理后等各处理工序的前后进行。

下面，对通过模式选择部272选择了检查部单独使用模式而以检查部单独使用程序进行运行的场合进行说明。在例如下列情况下选择这种模式：晶片W的抗蚀处理未进行、即处理工作站203未使用时，或者处理工作站203、接口工作站204或曝光装置S5正在进行维修时，等等。在该模式下，从本涂布、显影装置的外部将装有检查用晶片W的载体C送入输入输出工作台221中。该载体C的送入位置例如可以限定在图14的最靠近图案检查部206的载体C载置位置上，也可以做成可将其载置于输入输出工作台221的4个部位的任何一个部位上。这样，在载体C被送入输入输出工作台221中后，传递臂222从该载体C中取出晶片W，如已说明的那样送入图案检查部206中进行检查。即，在这种场合，利用载体工作站202使检查工作站205单独工作。

根据这样的实施形式，由于与载体工作站202相邻地连接检查工作站205，显影后的晶片W能够以所谓在线方式输送到图案检查部206中，因此，显影后的晶片W不必送到涂布、显影装置之外而能够在装置内部进行图案检查，因此，可以提高处理能力，此外，由于能够通过涂布、显影装置的操作部显示图案检查的结果，因此，还能够迅速采取诸如修改曝光装置S5和显影单元235的配方等措施。

此外，除了一般处理用程序之外，还备有检查部单独使用程序，因此，未进行涂布、显影处理的场合，例如处理工作站203进行维修时，能够利用载体工作站202的传递臂222使图案检查部206单独工作，能够将来自外部的晶片放入进行图案检查。并且，此时载体C的输入输出是通过输入输出工作台221进行的，因此，能够利用车间内移动于装置之间的自动输送机器人AGV从外部进行载体的输入输出。

此外，一般来说，曝光装置S5的X方向的长度要大于显影装置的X方向的长度，若将设置有涂布单元234的一侧表面对齐，则如图14所示，在相反一侧，曝光装置S5将突出出来，与突出的区域相对应的涂布、显影装置旁侧的区域成了死角空间，但通过在曝光装置S5的突出侧设置检查工作站205，可有效地利用死角空间。

有时，要对成品晶片的每一预定片数进行抗蚀膜膜厚的检查，或者将监控用晶片定期送入以检查抗蚀膜的厚度，或者要对晶片W上的薄膜、例如多晶硅或硅氧化膜的膜厚进行检查，为此，是将膜厚测定部例如组合在已述的周缘曝光单元242中进行设置的，但是，也可以将该厚膜测定部组装在图案检查部206中或者另外设置在检查工作站205内。在组装于图案检查部206内的场合，例如在图4所示的CCD摄像机120的旁边设置用来获得来自晶片W的反射光的频谱的膜厚传感器即可。

下面，就本发明的其它实施形式列举几个例子。图20和图21示出将第1传递臂222与辅助臂251之间的中间载置部252设置在载体工作站202一侧的例子，该例中，中间载置部252设置在比输入输出工作台221的载体C的排列高出一级的位置上。此时，作为传递臂222，在从中间载置部252中取出经过图案检查的晶片W之后下降，以向载体C输送，但具有检查工作站205的Y方向长度可以较短这样一个优点。图22示出将中间载置部252例如以与输入输出工作台221上的载体C相同的高度水平、横跨载体工作站202与检查工作站205进行设置的例子。

在以上的实施形式中，也可以如图23所示，在中间载置部252上设置由能够对载体C进行定位的导向部构成的外部载体载置部208，在检查部单独使用模式下，将装有在外部形成了抗蚀图案的晶片的载体C载置在该外部载体载置部208上。

此外，图24和图25示出在图案检查部206中，设置如图23所示地具有载体定位部的外部载体载置部208的例子。外部载体载置部208例如与载体输入输出工作台221同高，设置在临近自动输送机器人AGV的输送路线的位置上，可利用自动输送机器人AGV进行载体C的输入输出。在这种场合，载置于外部载体载置部208上的载体C内的晶片W由辅助臂252直接取出而送入图案检查部206。因此，该涂布、显影装置之外的例如同一净化间内的其它装置中的晶片W也能够以该装置进行检查。

至此所说明的例子的辅助臂251的示意俯视图是与传递臂222的图合在一起的，这是基于中间载置部252以多级载置台(参照图17)构成的场合需要有标识传感器，在设置有如图18所示的专用的送入工作台和送出工作台的场合，则可作为不载有标识传感器的输送机构构成中间载置部252。

此外，图26所示的实施形式中，在载体工作站202与检查工作站205之间，设有在图案检查部206单独使用时用来输入输出来自外部的晶片的、例如可自由拆装地设置的外部基板输入输出工作站209。该外部基板输入输出工作站209设置在临近自动输送机器人AGV的输送路线的位置上，具有：为了以自动输送机器人AGV进行载体C的输入输出而设置的外部载体载置部208，以及作为用来相对于该外部载体载置部208进行晶片W的传递的第2传递部的第2传递臂291。

前述检查工作站205具有为了在辅助臂251和前述第2传递臂291之间进行晶片传递的中间载置部258。作为该中间载置部258，可以如已述的图17或图18所示的结构构成，但在该例中，由于与图20和图21所示的例子同样，在载体工作站202内，例如设置有具备多级载置台的中间载置部252，因此，例如是由送入专用工作台和送出专用工作台构成。

该实施形式中，在一般模式下，各处理工序之后例如涂布后、曝光后、显影后的晶片W是按照第1传递臂222→中间载置部252→第2传递臂291→中间载置部258→辅助臂251→图案检查部206的路径进行输送，而在检查部单独使用模式下，载置于外部载体载置部208上的载体C中的晶片是按照第2传递臂291→中间载置部258→辅助臂251→图案检查部206的路径进行输送。

作为将处理工作站203中经过显影处理后的晶片向检查工作站205进行输送的手法，也可以不使用传递臂222，而代之以例如设置将晶片从处理工作站205直接向检查工作站205进行输送的输送机构。此外，作为基板并不限于晶片，也可以是液晶显示器用的玻璃基板。

此外，传递臂222的结构例如也可以如图27所示，具有上下两级的第1和第2臂401、402。并且，例如制成配置在上级的第1臂401的定心精度高于与第2臂402的机构。

其中，所说的定心精度，是指通过臂向装置(保持部)一侧进行传递时，能够传递到装置内所期望的位置上这样一种度。例如，通过提高构成臂的构件的精度，可使定心精度提高。

本实施形式中，是使用定心精度高的第1臂401将晶片W从中间载置部258送入图案检查部206中，反之，使用定心精度差的第2臂402将晶片W从图案检查部206送出到中间载置部258中。

因此，由于如图27所示传递臂222为二级臂结构，故能够在中间载置部258与图案检查部206之间高效率地、以很短的时间传递晶片W。此外，由于第1臂401的精度高于第2臂402，故能够进行精度更高的检查，而且能够更廉价地制造传递臂222。

如上所述，根据本发明，由于能够在涂布，显影装置中进行图案检查，因此，处理能力提高，而且，即使用来显影的处理工作站等进行维修而停止涂布、显影处理时，仍能够单独使用检查部，可对来自外部的基板进行图案检查等。

上述实施形式中，采用的是将检查工作站205连接在载体工作站202上的结构，但也可以如图28所示，将检查工作站205连接在处理工作站203上。还可以如图29所示，连接在接口工作站204上。此外，也可以是在将检查工作站205连接在载体工作站202上的结构的基础上，再将其它检查工作站连接在处理工作站203，或者将其它检查工作站连接在接口工作站204上。

此外，也可以如图30所示，将检查工作站205连接在例如具有图1所示结构的装置中的接口工作站S4上。

此外，也可以如图31所示，连接在例如具有图9所示结构的装置中的收容盒工作站S1上。

此外，还可以如图32所示，将检查工作站205连接在例如具有图11所示结构的装置中的接口工作站S4上。

除此之外，作为本发明，除了上述系统结构之外也可以考虑进行各种组合。

如上所述的检查装置除了可以设置在特别的工作站中之外，还能够设置在上述涂布、显影装置中的特定的位置上，或者替代各单元进行组合，当然，在这种情况下，可以与至此已说明的检查工作站并用。

图33和图34示出检查装置501配置在收容盒工作站S1内的例子。在收容盒工作站S1的上部设有FFU502，并且在下部设有排气机构503。这种场合下，配置于收容盒工作站S1内的检查装置501与其它排气机构504相连接。并且，这种场合下，收容盒工作站S1、检查装置501、处理工作站S3与安装该装置的净化间之间的压力关系也最好是，处理工作站S3＞收容盒工作站S1＞检查装置501＞净化间。即，最好是，处理工作站S3为最高的正压，与之相比，检查装置501为较低、继而净化间为更低的负压状态。这样，在该装置中进行处理的过程中，能够尽可能避免异物混入晶片W。对上述压力的调整，可通过调整设置在各工作站内的FFU(风扇、过滤器、单元)和排风机构进行。那时，例如可以在FFU或排气机构与各工作站之间插入冲孔金属板，而对该冲孔金属板的孔的数量或各孔的大小进行调整，或者，在多个FFU或排气机构与各工作站之间例如插入两片冲孔金属板，并如图35所示，对两片冲孔金属板701、702的位置关系、即孔703、704的重合度进行调整，从而对上述压力进行调整。

下面，对本发明的又一实施形式进行说明。

图36是示出该实施形式所涉及的涂布显影装置600连接在曝光装置S5上而成的涂布显影系统的整体概况的立体图，图37是该系统内部的俯视图，图中的601是收容盒工作站，602是处理工作站，603是接口工作站。

收容盒工作站601这样构成，即，可供构成了将多片、例如25片作为基板的晶片W呈货架状进行保持的基板收容盒的晶片收容盒(以下称为“收容盒”)C输入输出，具有：构成可载置例如4个收容盒C的载置部的收容盒工作台621，收容盒工作台621上的收容盒C，以及构成用来与后述的处理工作站602的传递部之间传递晶片W的传递部的传递臂622。传递臂622可自由升降、可在X、Z方向上自由移动且能够以垂直轴为轴自由旋转而构成。

处理工作站602这样设置：在与收容盒工作站601的收容盒排列方向大约垂直的方向(图中X方向)上与收容盒工作站601相连接。并且，具有：构成基板处理部的显影液631和涂布单元632，包含有用来检查基板的处理状况的多个检查部的检查单元604，主基板输送部MA，货架单元R；除了在收容盒工作站601与接口工作站603之间进行晶片W的传递之外，在该处理工作站602内，还可进行在晶片W上涂布抗蚀液的处理，晶片W的显影处理、在这些处理的前后进行的使晶片W达到预定温度的加热或冷却处理、以及例如对抗蚀液涂布处理后和显影处理后的晶片W进行预定的基板处理状况检查。

下面，对这种处理工作站602的布局之一例进行说明。例如在中央设有主基板输送部MA，在该主基板输送部MA的、从收容盒工作台621向纵深看过去时的前后，分别设有货架单元R1、R2。

此外，在从收容盒工作台621向纵深看过去时的例如右侧，设置有横跨两级设置的具有显影单元631、涂布单元632、检查单元604的处理单元U。该例中，在上级一侧设有一个显影单元631和一个检查单元604，下级一侧设有两个涂布单元632。前述主基板输送部MA的作用是在前述显影单元631、涂布单元632、检查单元604、货架单元R1、R2之间进行晶片W的传递，可如后所述地自由升降、前后、左右自由移动且以垂直轴为轴自由旋转。为了方便，在图36中将主基板输送部MA省略。

前述检查单元604例如如图38的立体图、图39的剖视图所示，具有：检查装置640，与前述主基板输送部MA之间进行晶片W的传递的传递工作站605，构成在该传递工作站605与检查装置640之间传递晶片W的专用的辅助基板输送部的辅助臂A。

前述传递工作站605构成了与前述主基板输送部MA之间进行晶片W的传递的检查用基板输送部，配置在主基板输送部MA可访问的位置上。此外，该传递工作站605例如这样构成，即，在其大小能够容纳晶片W的容器651的上部，设有：前述主基板输送部MA的后述的臂671，以及形成于下述位置上的多个、例如3个突部651a，即，当前述辅助臂A的臂A1进出于与该传递工作站605之间进行晶片W的传递的位置处时、不会与这些臂671、A1形成干涉的位置上。

并且，在该传递工作站605与主基板输送部MA及辅助臂A之间，保持着晶片W的臂671、A1能够从上方下降而将晶片W传递给突部651a，臂671、A1还能够从突部651a上的晶片W的下方上升而取下该651a上的晶片W。因此，作为突部651a的高度，为了在突部651a保持着晶片W时前述臂671、A1能够进退到该晶片W的下方，要相应地比671、A1的厚度厚出指定的量。

该传递工作站605的下部、即前述容器651是例如作为可将预定片数的晶片W呈货架状予以保持的晶片载置部650而构成。该晶片载置部650构成了基板载置部，为了与主基板输送部MA之间进行晶片W的传递，例如前述容器651的与主基板输送部MA相向的面开口，以使主基板输送部MA可对其进行访问，在该开口面的内部形成有在纵向上相隔预定间隔形成的货架部652，由此，晶片W能够以纵向排列的状态得到支持。

并且，在该晶片载置部650与主基板输送部MA之间，保持着晶片W的臂671能够从货架部652的上方下降而将晶片W传递给货架部652，而且臂671还能够从货架部652上的晶片W的下方上升而取下该货架部652上的晶片W。因此，货架部652的大小和排列间隔这样设定，即，在与前述臂671之间传递晶片W时，不会与该臂671形成干涉。而晶片载置部650的货架部652的数量是根据检查处理所需要的时间和涂布显影装置600中晶片W的输送间隔决定的。

作为前述检查装置640，在该例中具有多个、例如3个检查部641(641A、641B、641C)，它们被设置在辅助臂A能够访问的位置上。在图38中，为了便于绘图，所展示的是工作站605与检查装置640之间进行晶片W的传递的状态图。

在该例中，将3个检查部641例如分配为：检查显影线宽的线宽检查装置641A，检查上层的抗蚀膜图案与基底图案的重合度的重合检查装置641B，以及，对抗蚀膜表面的伤痕(擦痕检测)、涂布抗蚀液时有无异物混入(彗形物コメツト检测)、显影不均匀度、显影处理后的显影缺陷等进行检查的缺陷检查装置641C，各检查部641A、641B、641C与传递工作台650之间可通过辅助臂A分别经由晶片W的输入输出口642A、642B、642C进行晶片W的传递。

前述线宽检查装置641A、重合检查装置641B、缺陷检查装置641C例如是通过CCD摄像机摄像进行前述预定的检查的，这些装置例如像图4那样构成。

前述辅助臂A是例如用来在传递工作台与各检查部641之间进行晶片W的传递的，与传递臂622同样，臂A1可自由升降、可在X、Y方向上自由移动、能够以垂直轴为轴自由旋转。

在这里，检查单元640并非一定要组装在处理单元U中，只要其位置使主基板输送部MA能够访问传递工作站605，也可以布置在处理工作站602内的任何位置上。而检查单元640的构成只要能够经由传递工作站605在主基板输送部AM与检查部641之间进行晶片W的传递即可，检查部641的数量也可以是3个以上或3个以下。另外，检查部641的种类也不限于上述例子，例如可以将下列装置组装进去：膜厚检查装置、对因曝光而产生的图案的错位进行检查的散焦检查装置、对附着在晶片上的微粒数量进行检测的微粒检查装置、对从晶片表面飞出的抗蚀液的溶剂是否又附着到晶片上进行检查的溅返检查装置、对晶片表面的同一位置上以同一形状出现的共有缺陷进行检查的共有缺陷检查装置、对显影处理后的晶片上残留的抗蚀膜残渣进行检测的浮渣检查装置、夹圈检查装置、NO RESIST检查装置、NO DEVLOP检查装置等。此外还可以做成，不仅对传递工作站605，而且对各检查部641也是通过主基板输送部MA进行晶片W的传递。

前述货架单元R1这样构成，即，如图40所示，将加热晶片W的加热部661、冷却晶片W的冷却部662、使晶片表面疏水化的疏水化部663、具备用来在收容盒工作站601的传递臂622与该工作站602的主基板输送部MA之间传递晶片W的传递台的传递部664、以及使晶片W定位的定位部665等纵向排列而构成。此外，作为货架单元R2，纵向排列有：对晶片W进行加热、然后进行冷却的多个CHP装置666(Chilling Hot Plate Process Station)，以及具备用来在后述接口工作站603的传递臂与该工作站602的主基板输送部MA之间传递晶片W的传递台的传递部667等。图40所示的分配方案只是为了方便图形的绘制，并不表明以此分配方案为限，例如也可以将加热部和冷却部分在不同的货架中。此外，例如还可以在从收容盒工作台向纵深看过去时的左侧，设置能够沿导轨滑动的、与前述货架单元R1、R2同样的货架单元。

此外，显影单元631例如如图7所示地构成。前述主基板输送部MA例如如图8所示地构成。

这样构成的处理工作站602中，通过主基板输送部MA对涂布单元631、显影单元632、检查单元604的传递工作台605、货架单元R的各部进行访问，而对该访问的时序以及涂布单元631和显影单元632、检查单元604和货架单元R的各部中处理的开始及终了的时序等一系列的控制，是通过存放在未图示的控制部内的程序实施的。

与处理工作站602在X方向上相邻地连接有接口工作站603，在该接口工作站603的纵深一侧连接有对已形成了抗蚀膜的晶片W进行曝光的曝光装置S5。接口工作站603具有用来在处理工作站602和曝光装置S5之间传递晶片W的输送臂676，作为该输送臂676，为了能够在处理工作站602的货架单元R2的传递部667与曝光装置S5之间进行晶片W的传递，例如可自由升降、可前后、左右自由移动且能够以垂直轴为轴自由旋转地构成。

下面，就在上述装置中实施的本发明的方法，以对每一预定片数、例如每一收容盒C中的、收容盒C的第1片晶片W在显影处理后进行预定的检查，而检查部单元604的处理能力为60片/h，涂布显影装置600的处理能力为150片/h的场合为例进行说明。

该例中，检查部的处理时间与检查单元604的处理能力相当，基板自基板处理部的送出间隔与涂布显影装置600的处理能力相当，所说检查单元604的处理能力为60片/h是指检查处理一片晶片W所需的时间为60秒，所说涂布显影装置600的处理能力为150片/h是指涂布显影装置600的晶片W的输送间隔为24秒。

另外，在该例中，检查单元640的处理能力是对传递工作台605上的晶片W被依次送入线宽检查装置641A、重合检查装置641B、宏观缺陷检查装置641C中进行所有的处理后回到传递工作台605为止的时间进行估算而获得的。

首先，对涂布显影装置600中晶片W的流程进行说明，将容纳有处理前的例如25片晶片W的收容盒C通过自动输送机器人(或作业人员)送入收容盒工作台621，通过传递臂622从收容盒C中取出晶片W，按照收容盒C的排列顺序依次放置到处理工作站602的货架单元R1的传递部664上。

之后，将该晶片W传递到处理工作站602的主基板输送部MA上，向涂布单元632内输送，在这里涂布抗蚀液后，从该主基板输送部MA经由货架单元R2的传递部667及接口工作站603的传递臂676送入曝光装置S5内，进行曝光。

在涂布抗蚀液前，在货架单元R的各部中进行疏水化处理、冷却处理，在涂布抗蚀液后，进行加热处理和冷却处理。另外，根据抗蚀液的种类，替代疏水化处理而在未图示的单元中涂布防反射膜。

将曝光后的晶片W经相反路径送入处理工作站602，在显影单元631中进行显影处理。在显影处理的前后也通过货架单元R的CHP装置666和加热部661、冷却部662进行加热处理和冷却处理。

将这样进行了显影处理的晶片W之中的例如收容盒C的第1片晶片W通过主基板输送部MA经由检查单元604的传递工作台605、辅助臂A依次向检查装置640的各检查部641输送，在各部进行预定的检查。在该例中，所说从每一预定片数中选出检查用晶片W是每一收容盒C选择一片，例如在收容盒C中的排列顺序为第1的晶片W成为检查用晶片W。

在这里，作为本发明，在检查单元604中晶片W的输送方法上具有特征，接下来对该方法进行说明。将收容盒C的第1片检查用晶片W(相当于检查用基板)如图41(a)所示地在显影处理、加热处理及冷却处理进行之后，通过主基板输送部MA放置在检查单元604的传递工作站605上，然后如图41(b)所示，通过辅助臂A依次向各检查部641输送，依次在线宽检查装置641A中进行显影线宽检查、在重合检查装置641B中进行上层的抗蚀图案与基底图案二者重合度的检查、在宏观缺陷检查装置641C中进行显影不均匀度、显影缺陷的检查。

另一方面，作为收容盒C的第2片晶片W，由于晶片W1的检查处理所需时间为60秒，涂布显影装置600的晶片W输送间隔为24秒，因此，如图41(c)所示，在晶片W1进行检查期间，被主基板输送部MA送到晶片载置台650上。而作为同批量中的第3片晶片W3，由于晶片W1的检查未结束，故如图41(d)所示，在晶片W1检查期间由主基板输送部MA送到晶片载置台650上。

在这里，被主基板输送部MA送到晶片载置台650上的晶片W的数量由检查单元604的检查时间和涂布显影装置600的处理能力决定，在检查用晶片W1进行检查期间，凡进行检查之前的预定的处理结束并从检查单元604的前工序中送出的晶片W将全部按照收容盒C中的排列顺序被输送到晶片载置台650上。

结束了上述预定检查的晶片W1如图42(a)所示，通过辅助臂A输送到传递工作台605上，并如图42(b)所示，通过主基板输送部MA经由货架单元R的传递部送向收容盒工作台621，若检查结果合格，则送回原来的收容盒C中，若不合格则送入不合格用的收容盒C1中。也可以是将晶片W全部送回同一个原来的收容盒C中，检查结果的信息由软件掌握。

而作为第2片晶片W2及第3片晶片W3，由于第4片晶片W4是在第1片晶片W1之后滞后72秒输送的，故在主基板输送部MA输送了晶片W1之后、输送晶片W4之前，如图42(c)、(d)所示，通过主基板输送部MA，按照收容盒C中的排列顺序被送入与晶片W1相同的收容盒中。并且，从第4片晶片W4到最后一片晶片W，在进行显影处理、加热处理及冷却处理后，按照该顺序回到与晶片W1相同的收容盒中。

之后，将包含有检查合格的晶片W的收容盒C送入下一个工序，将包含有检查不合格的晶片W的收容盒C1例如送入未图示的清洗部，在那里将晶片W上的抗蚀膜溶解清除，使之恢复到送入涂布显影装置600之前的状态。

如上所述，作为本发明，由于检查单元4组装在涂布显影装置600中，因此，与检查单元设置在外部的场合相比，不必进行晶片W的输送，而且不必因等待在其它涂布显影装置600中处理的晶片W进行检查而待机，故可提高处理能力。

此外，能够由同一个操作人员监视涂布显影处理与检查处理，可实时获得检查结果，故当通过检查发现某种缺陷时，能够迅速采取确定原因、排除原因等下一个行动。

此外，作为本发明，由于检查单元604组装在处理工作站602内，因此，不仅在显影处理后进行检查的场合，就是在抗蚀液涂布处理后和曝光处理后进行预定的检查的场合，也不必改变过程流向便能够进行检查。即，现有的涂布显影装置中，晶片W的输送流向是确定的，曝光前的晶片W从图中的收容盒工作站601到曝光装置S5是在X方向上从左向右输送，而曝光后的晶片W其路径相反，从曝光装置S5到收容盒工作站601是在X方向上从右向左输送。

因此，在将检查单元604配备在处理工作站602内的场合，在抗蚀液涂布处理后进行检查时，按照抗蚀液涂布处理→检查→接口工作站603→曝光装置S5的路径输送晶片W，而在曝光后进行检查时，按照曝光装置S5→接口工作站603→处理工作站602的检查→显影处理的路径输送晶片W，显影处理后进行检查时，按照曝光装置S5→接口工作站603→处理工作站602内的显影处理→检查的路径输送晶片W，能够在晶片W的输送路径不发生逆转的情况下，在任何一种处理之后进行预定的检查。

在这里，作为抗蚀液涂布后的检查，有抗蚀液涂布不均匀度和抗蚀液膜厚的检查等，这些检查例如是在上述缺陷检查装置641和未图示的膜厚检查装置中进行。而作为曝光后的检查，有对在曝光装置中产生的抗蚀膜的错位进行检查的散焦检查等曝光状况检查等，该检查与前述各检查同样，可根据CCD摄像机摄取的图像进行。

此外，作为本发明，即使在对涂布显影装置600内处理过的晶片W进行抽样检查，而检查单元604的处理能力低于涂布显影装置600的处理能力的场合，不必准备烦琐的抽样检查用的输送程序，而能够使晶片W按照从收容盒C中送出的顺序返回收容盒C中。

即，在检查单元604中，将检查处理用晶片W1的传递工作台605和收容不进行检查的晶片W的晶片载置部650分别设置，在检查处理用的晶片W1在检查部641中接受检查期间，将相应于涂布显影装置600的晶片W输送间隔而通过主基板输送部MA从前工序输送来的晶片W、即自检查用晶片W1计起的第2片晶片W2等或第3片晶片W3向晶片W载置部50输送，在这里等待检查用晶片W1的检查结束，在检查用晶片W1的检查结束并将该晶片W1从检查单元604送出后，将这些待机的晶片W从检查单元604中送出，因此，能够在收容盒C内的顺序不受到破坏的情况下将晶片W从检查单元604中送出，由此而能够将晶片W按照原来的顺序送回收容盒C内。

在这里，像上述的例子那样，进行抽样检查的检查用晶片W是从处理过的晶片W内例如每三片以上中选出的，也可以每一个收容盒C选一片，还可以每一个收容盒C中选多片。此外，也可以多个收容盒C中选一片。

在以上情况下，本发明不仅适用于显影处理后对显影处理之处理状况进行检查的场合，而且在抗蚀液涂布后对抗蚀液处理之处理状况进行检查的场合和曝光后对曝光处理之处理状况进行检查的场合也适用。

此外，作为本发明的结构，既可以将传递工作台605与晶片载置部650二者单独设置；也可以做成将晶片载置部650的两个面开口从而使得辅助臂A能够从别的开口面访问主基板输送部MA，将晶片载置部650的一部分、例如最上面的货架或最下面的货架作为传递工作台605加以利用；还可以做成在传递工作台605上将送入用的工作台与送出的工作台分别进行设置。另外，晶片载置部650的结构只要是可载置晶片W的结构即可，例如可以是与传递工作台605相同的结构。

此外，也可以将与图37同样构成的检查单元604设置在接口工作站603中，在这种场合下，通过输送臂676将晶片W传递给传递工作站605和晶片载置部650。

此外，本发明也适用于对处理后的晶片W进行抽样检查、而检查单元604的处理能力高于涂布显影装置600的处理能力的场合，在这种场合下，不需要将晶片W送向晶片载置部650。此外，对处理后的晶片W全数进行检查的场合，可以将等待检查的晶片W送入晶片载置部650，在这种场合下，通过主基板输送部MA例如在传递工作台605与晶片载置部650之间进行晶片W的传递。

此时，作为检查部，除了可以具备线宽检查装置或重合检查装置、缺陷检查装置之外，还可以具备进行微粒计数、EBR宽度测定、WEE宽度测定、涂布不均匀度、显影不均匀度、未涂布部位、未显影部位、线宽测定、曝光失焦等检查的装置。

此外，作为被分配为处理单元U的基板处理部，除了可以是涂布单元632和显影单元631等之外，也可以是例如防反射膜形成单元等，它们的数量也可以自由设定。

另外，可以像上述的例子那样，进行防反射膜形成处理以代替对晶片表面进行的疏水化处理，作为基板，并不限于晶片，也可以是液晶显示器用的玻璃基板。

如以上所述，作为本发明，通过将检查部设置在基板处理装置中，可缩短自基板处理到检查为止的作业时间，提高处理能力。而作为其它发明，在对处理后的基板进行抽样检查的场合，不必准备烦琐的输送程序，即能够在检查后以在基板收容盒内排列的顺序进行输送。

Claims (53)

1.一种基板处理装置，其特征是，具备：

包含载置收容有多个基板的基板收容盒的载置部、以及相对于载置于所说载置部上的基板收容盒进行基板的传递的传递部的收容盒工作站，

包含在从所说收容盒工作站送来的基板上涂布处理液的基板处理部的处理工作站，

包含连接在所说处理工作站上、对所说基板进行所说基板处理部的处理状况检查的检查部的检查工作站，

在所说处理工作站与检查工作站之间进行基板的传递的基板输送部。

2.如权利要求1所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查工作站与处理工作站二者并排排列，所说检查工作站在与排列方向大约垂直的方向上的宽度为所说处理工作站在与排列方向大约垂直的方向上的宽度以下。

3.如权利要求1所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查工作站在与收容盒工作站的基板收容盒的排列方向大约垂直的方向上与所说处理工作站相连接。

4.如权利要求1所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查工作站这样构成，即，能够与所说收容盒工作站和所说处理工作站中的至少一方自由连接和分离。

5.如权利要求1所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查工作站包含有多个种类的检查部。

6.如权利要求1所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查工作站包含有所说基板处理部中所使用的材料的收容部。

7.如权利要求6所说的基板处理装置，其特征是，

所说基板处理部是向基板供给预定的液体的处理部，

所说收容部的材料是所说的液体。

8.如权利要求6所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查工作站包含有用来与处理工作站之间进行基板的传递的基板输送部。

9.如权利要求1所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查工作站包含有基板的传递部。

10.如权利要求1所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查工作站包含有用来在与所说收容盒工作站的传递部之间进行基板的传递的基板的传递部。

11.如权利要求1所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查工作站的所说检查部，以将该检查工作站在该检查工作站的排列方向上两等分的线为对称轴而对称地配置有多个。

12.如权利要求1所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查工作站具有用来对该检查工作站内部的温度和湿度中的至少一方进行调整的调整部。

13.如权利要求1所说的基板处理装置，其特征是，

所说收容盒工作站、所说处理工作站和所说检查工作站在与所说收容盒工作站的基板收容盒的排列方向大约垂直的方向上排列，

所说检查工作站设置在所说收容盒工作站与处理工作站之间。

14.如权利要求1所说的基板处理装置，其特征是，

所说收容盒工作站、所说处理工作站和所说检查工作站在与所说收容盒工作站的基板收容盒的排列方向大约垂直的方向上排列，

所说处理工作站设置在所说收容盒工作站与所说检查工作站之间。

15.如权利要求1所说的基板处理装置，其特征是，

所说处理工作站具有多个基板处理部，

所说基板处理部中的至少一个是用来在涂布抗蚀液并曝光后的基板上涂布显影液而进行显影的，

所说检查工作站具有多个检查装置，

所说检查装置中的至少一个是用来对基板进行显影处理之处理状况进行检查的，

所说收容盒工作站、所说处理工作站和所说检查工作站在与所说收容盒工作站的基板收容盒的排列方向大约垂直的方向上排列，

所说检查工作站设置在所说收容盒工作站与所说处理工作站之间。

16.如权利要求1所说的基板处理装置，其特征是，

所说处理工作站具有多个基板处理部，

所说基板处理部中的至少一个是用来在基板上涂布抗蚀液的，

所说检查工作站具有多个检查装置，

所说检查装置中的至少一个是用来对基板进行抗蚀液涂布状况进行检查的，

所说收容盒工作站、所说处理工作站和所说检查工作站在与所说收容盒工作站的基板收容盒的排列方向大约垂直的方向上排列，

所说处理工作站设置在所说收容盒工作站与所说检查工作站之间。

17.如权利要求1所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查部是用来测定形成于基板上的涂布膜的膜厚的。

18.如权利要求1所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查部是用来检查形成于基板上的涂布膜的表面状态的。

19.如权利要求1所说的基板处理装置，其特征是，

所说基板处理装置是配置在净化间内的，

当设所说处理工作站内的压力为第1压力、所说收容盒工作站内的压力为第2压力、所说检查工作站的压力为第3压力、所说净化间内的压力为第4压力时，具有如下关系，

所说第1压力＞所说第2压力＞所说第3压力＞所说第4压力。

20.一种基板处理装置，其特征是，

具有：

包含载置收容有多个基板的基板收容盒的载置部、以及相对于载置于所说载置部上的基板收容盒进行基板的传递的传递部的收容盒工作站，

包含在从所说收容盒工作站送来的基板上涂布第1处理液的第1基板处理部的第1处理工作站，

包含在从所说收容盒工作站送来的基板上涂布第2处理液的第2基板处理部的第2处理工作站，

设置在所说第1处理工作站与所说第2处理工作站之间的、包含对所说基板进行检查的第1检查部的第1检查工作站，

在所说第1和第2处理工作站与所说第1检查工作站之间进行基板的传递的基板输送部；

所说收容盒工作站、所说第1处理工作站、所说第2处理工作站和所说第1检站在与收容盒工作站的基板收容盒的排列方向大约垂直的方向上排列。

21.如权利要求20所说的基板处理装置，其特征是，还具有：

设置在所说收容盒工作站与第1处理工作站之间的、包含对所说基板进行检查的第2检查部的第2检查工作站。

22.如权利要求20所说的基板处理装置，其特征是，还具有：

用来与曝光装置之间进行基板的传递的接口工作站，

设置在所说第2处理工作站与所说接口工作站之间的、包含对所说基板进行检查的第3检查部的第3检查工作站。

23.一种基板处理装置，其特征是，具备：

包含载置收容有多个基板的基板收容盒的载置部、以及相对于载置于所说载置部上的基板收容盒进行基板的传递的传递部的收容盒工作站，

包含在从所说收容盒工作站送来的基板上涂布处理液的基板处理部的处理工作站，

用来与曝光装置之间进行基板的传递的接口工作站，

设置在所说收容盒工作站与所说处理工作站之间的、包含对所说基板进行检查的第1检查部的第1检查工作站，

设置在所说处理工作站与所说接口工作站之间的、包含对所说基板进行检查的第2检查部的第2检查工作站。

24.一种基板处理装置，其特征是，具备：

包含供收容有多片基板的载体输入输出的载体输入输出部、以及相对于载置于该载体输入输出部上的载体进行基板的传递的传递部的载体工作站，

与所说载体工作站相邻接地设置的、包含在基板上涂布抗蚀液的涂布部，对曝光后的基板进行显影的显影部，以及相对于涂布部及显影部进行基板的传递并与所说传递部之间进行基板的传递的主输送部的处理工作站，

与所说载体工作站相邻接地设置的、具有对基板进行检查的检查部的检查工作站。

25.如权利要求24所说的基板处理装置，其特征是，还具有：

供收容有在外部进行了处理的基板的载体进入的外部载体载置部，

在对所说处理工作站处理的基板以所说检查部进行检查的一般模式以及对在外部处理的基板以所说检查部进行检查的检查部单独使用模式之间进行模式选择的模式选择部。

26.如权利要求25所说的基板处理装置，其特征是，

所说外部载体载置部设置在所说载体工作站中。

27.如权利要求25所说的基板处理装置，其特征是，

所说外部载体载置部，是所说载体工作站中的载体输入输出部的一部分。

28.如权利要求25所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查工作站具有与所说检查部之间进行基板的传递的辅助输送部，

还具有在所说载体工作站的内部、检查工作站的内部以及横跨载体工作站与检查工作站位置的任意一处上所设置的、用来临时载置基板的中间载置部，

用来将经过所说处理工作站显影处理的基板及载置于所说外部载体载置部上的载体内的基板通过所说载体工作站的传递部经由所说中间载置部向所说辅助输送部传递。

29.如权利要求25所说的基板处理装置，其特征是，

为了将经过所说处理工作站显影处理的基板在向所说检查工作站进行输送之前临时予以载置，还具有可容纳多个基板的多级载置部。

30.如权利要求25所说的基板处理装置，其特征是，

所说多级载置部兼作在所说传递部与所说辅助输送部之间传递基板的中间载置部。

31.如权利要求25所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查部是多个上下层叠配置的。

32.一种基板处理装置，其特征是，具备：

包含供收容有多片基板的载体输入输出的载体输入输出部、以及相对于载置于该载体输入输出部上的载体进行基板的传递的第1传递部的的载体工作站，

与所说载体工作站相邻接地设置的、包含在基板上涂布抗蚀液的涂布部、对曝光后的基板进行显影的显影部、相对于涂布部及显影部进行基板的传递并与所说传递部之间进行基板的传递的主输送部的处理工作站，

与所说载体工作站相邻接地设置的、具有对处理后的基板进行检查的检查部的检查工作站，

供容纳有在外部进行了处理的基板的载体进入的外部载体载置部，

在载置于该外部载体载置部上的载体与检查工作站之间进行基板的传递的第2传递部，

在对所说处理工作站处理后的基板以检查部进行检查的一般模式以及对在外部进行处理后的基板以检查部进行检查的检查部单独使用模式之间进行模式选择的模式选择部。

33.如权利要求32所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查工作站具有与所说检查部之间进行基板的传递的辅助输送部。

34.如权利要求32所说的基板处理装置，其特征是，

所说外部载体载置部和所说第2传递部设置在所说载体工作站与所说检查工作站之间，在一般模式下，所说第2传递部在所说第1传递部与所说检查工作站的辅助输送部之间进行基板的传递。

35.如权利要求32所说的基板处理装置，其特征是，

为了将经过所说处理工作站显影处理的基板在向所说检查工作站的检查部输送之前临时予以载置，还具有可容纳多个基板的多级载置部。

36.一种基板处理装置，其特征是，具备：

包含供收容有多片基板的载体输入输出的载体输入输出部、以及相对于载置于该载体输入输出部上的载体进行基板的传递的第1传递部的的载体工作站，

与所说载体工作站相邻接地设置的、包含在基板上涂布抗蚀液的涂布部、对曝光后的基板进行显影的显影部、相对于涂布部及显影部进行基板的传递并与所说传递部之间进行基板的传递的主输送部的处理工作站，

与所说载体工作站相邻接地设置的、具有对处理后的基板进行检查的检查部、供容纳有在外部进行了处理的基板的载体进入的外部载体载置部、在所说传递部与检查部与外部载体载置部之间输送基板的辅助输送部的检查工作站，

在对所说处理工作站处理的基板以检查部进行检查的一般模式以及对在外部进行处理后的基板以检查部进行检查的检查部单独使用模式之间进行模式选择的模式选择部。

37.一种基板处理装置，其特征是，具备：

包含供收容有多片基板的载体输入输出的载体输入输出部、以及相对于载置于该载体输入输出部上的载体进行基板的传递的传递部的载体工作站，

与所说载体工作站相邻接地设置的、包含在基板上涂布抗蚀液的涂布部、对曝光后的基板进行显影的显影部、相对于涂布部及显影部进行基板的传递并与所说传递部之间进行基板的传递的主输送部的处理工作站，

与所说处理工作站相邻接地设置的、具有对处理后的基板进行检查的检查部的检查工作站。

38.一种基板处理装置，其特征是，具备：

包含供收容有多片基板的载体输入输出的载体输入输出部、以及相对于载置于该载体输入输出部上的载体进行基板的传递的传递部的载体工作站，

与所说载体工作站相邻接地设置的、包含在基板上涂布抗蚀液的涂布部、对曝光后的基板进行显影的显影部、相对于涂布部及显影部进行基板的传递并与所说传递部之间进行基板的传递的主输送部的处理工作站，

设置在曝光装置与所说处理工作站之间的、用来与所说曝光装置之间进行基板的传递的接口工作站，

与所说接口工作站相邻接地设置的、具有对基板进行检查的检查部的检查工作站。

39.一种基板处理装置，其特征是，具备：

包含载置收容有多片基板的基板收容盒的载置部、以及相对于载置于所说载置部上的基板收容盒进行基板的传递的传递部的收容盒工作站，

包含在从所说收容盒工作站送来的基板上涂布处理液的基板处理部的处理工作站，

与曝光装置相邻接地设置的、用来与所说曝光装置之间进行基板的传递的接口工作站，

配置在所说处理工作站与接口工作站之间的、包含对所说基板进行检查的第1检查部的第1检查工作站，

与所说收容盒工作站邻接地配置的、包含对所说基板进行检查的第2检查部的第2检查工作站。

40.一种基板处理装置，其特征是，具备：

包含载置收容有多片基板的基板收容盒的载置部、以及相对于载置于所说载置部上的基板收容盒进行基板的传递的传递部的收容盒工作站，

包含在从所说收容盒工作站送来的基板上涂布处理液的基板处理部的处理工作站，

配置在曝光装置与所说处理工作站之间的、用来与所说曝光装置之间进行基板的传递的接口工作站，

配置在所说收容盒工作站与所说处理工作站之间的、包含对所说基板进行检查的第1检查部的第1检查工作站，

与所说接口工作站相邻接地配置的、包含对所说基板进行检查的第2检查部的第2检查工作站。

41.一种基板处理装置，其特征是，具备：

包含载置收容有多片基板的基板收容盒的载置部、以及相对于载置于该载置部上的基板收容盒进行基板的传递的传递部的收容盒工作站，

与所说收容盒工作站相邻接地设置的、包含在基板上涂布处理液的基板处理部、以及相对于该基板处理部按照所说基板收容盒的排列顺序进行基板的传递并且与所说传递部之间按照所说基板收容盒的排列顺序进行基板的传递的主基板输送部的处理工作站，

对所说基板进行所说基板处理部的处理状况检查的检查部，

载置经过所说基板处理部处理的、要以所说检查部进行检查的检查用基板的检查基板载置部，

将经过所说基板处理部处理的、在基板收容盒中的排列顺序上在所说检查用基板之后的基板按照所说排列顺序予以载置的基板载置部，

向所说检查基板载置部与所说基板载置部输送经基板处理部处理的基板的基板输送部。

42.如权利要求41所说的基板处理装置，其特征是，还具有在所说检查部与所说检查基板载置部之间进行基板的传递的辅助基板输送部。

43.如权利要求41所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查部、所说检查基板载置部和所说基板载置部设置在处理工作站中，所说基板输送部由所说主基板输送部构成，通过该主基板输送部，相对于所说检查基板载置部进行经所说基板载置部处理的检查用基板的传递。

44.如权利要求41所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查部、所说检查基板载置部和所说基板载置部是与所说收容盒工作站相连接地设置的，所说基板输送部由所说传递部构成，通过该传递部，相对于所说检查基板载置部进行经所说基板载置部处理的检查用基板的传递。

45.如权利要求41所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查部可进行多种检查地多个上下层叠配置。

46.如权利要求41所说的基板处理装置，其特征是，

所说处理工作站的基板处理部中至少有一个是用来在涂布了抗蚀液并经过曝光的基板上涂布显影液而进行显影处理的，所说检查部中至少有一个是用来对基板进行显影处理的处理状况检查的。

47.如权利要求41所说的基板处理装置，其特征是，

所说处理工作站的基板处理部中至少有一个是用来在基板上涂布抗蚀液的，所说检查部中至少有一个是用来对基板进行抗蚀液涂布状况检查的。

48.如权利要求41所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查部对形成于基板上的抗蚀膜图案的线宽进行测定。

49.如权利要求41所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查部对形成于基板上的抗蚀膜图案与基底图案二者的重合度进行检查。

50.如权利要求46所说的基板处理装置，其特征是，

所说检查部对形成于基板上的涂布膜的表面状况进行检查。

51.一种基板处理方法，其特征是，具备：

将收容有多个基板的基板收容盒按照在基板收容盒中排列的顺序送入在基板上涂布处理液的基板处理部中，并对该基板以输送来的顺序进行处理的工序，

将经过所说基板处理部处理的基板从该基板处理部中送出的工序，

从自所说基板处理部送出的基板中的每一预定片数中选出的检查用基板送入检查部，对基板处理部的处理状况进行检查的工序。

在检查部的处理时间长于自基板处理部送出基板的间隔的场合下，一直到检查用基板在检查部中的检查结束之前，将结束了在基板处理部中的基板处理而从该基板处理部送出的、在基板收容盒中的排列顺序上在所说检查用基板之后的基板按照所说排列顺序依次向基板载置部输送并以该顺序予以载置的工序，

将在所说检查部中的检查结束后的检查用基板从检查部中送出的工序，

在将所说检查用基板从检查部送出后，将载置于所说基板载置部上的基板按照在基板收容盒中排列的顺序从基板载置部中送出的工序。

52.如权利要求51所说的基板处理方法，其特征是，

在所说基板处理部中，在涂布抗蚀液并曝光后的基板上涂布显影液而进行显影处理，在所说检查部中，对基板进行显影处理的处理状况的检查。

53.如权利要求51所说的基板处理方法，其特征是，

在所说基板处理部中，对基板进行涂布抗蚀液的处理，在所说检查部中，对基板进行抗蚀液涂布状况的检查。

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