WO2009084590A1 - 高分子発光素子、製造方法及び高分子発光ディスプレイ装置 - Google Patents

高分子発光素子、製造方法及び高分子発光ディスプレイ装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2009084590A1
WO2009084590A1 PCT/JP2008/073610 JP2008073610W WO2009084590A1 WO 2009084590 A1 WO2009084590 A1 WO 2009084590A1 JP 2008073610 W JP2008073610 W JP 2008073610W WO 2009084590 A1 WO2009084590 A1 WO 2009084590A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
electrode
light emitting
emitting device
polymer
Prior art date
Application number
PCT/JP2008/073610
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Shohgo Yamauchi
Original Assignee
Sumitomo Chemical Company, Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Company, Limited filed Critical Sumitomo Chemical Company, Limited
Priority to CN2008801227299A priority Critical patent/CN101911833A/zh
Priority to EP08868190.3A priority patent/EP2234459B1/en
Priority to US12/810,778 priority patent/US8895961B2/en
Publication of WO2009084590A1 publication Critical patent/WO2009084590A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/14—Macromolecular compounds
    • C09K2211/1408—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1416—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/14—Macromolecular compounds
    • C09K2211/1408—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1433—Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • the present invention relates to a polymer light emitting device, a method for producing the same, and a polymer light emitting display device having such a polymer light emitting device.
  • an organic light emitting element of an active matrix driving system when a so-called bottom emission element that emits light from the substrate side is used, a light emitting opening for each element is narrowed due to the existence of a driving circuit, so that a wide light emitting surface should be secured.
  • the so-called top emission type element that emits light from the opposite side of the substrate has been proposed, and is an organic light emitting element having a cathode composed of three layers, wherein the first layer and the third layer are oxide thin film layers.
  • an organic light-emitting element having a layer made of a thin film of metal selected from Au, Ag, Cu, Pd and Pt in the second layer for example, Patent Document 1).
  • the organic light emitting device has a problem of low luminous efficiency.
  • An object of the present invention is to provide a polymer light-emitting device, a polymer light-emitting display device and a planar light source having a wide light-emitting surface per device and high luminous efficiency, and a method for producing the polymer light-emitting device.
  • a polymer compound is used for the light emitting layer, and an electrode (first electrode) provided on the substrate side and a counter electrode (second electrode) provided on the opposite side with the light emitting layer interposed therebetween. ),
  • the inventors have found that the above problem can be solved by employing an electrode having a specific three layers, and have completed the present invention.
  • a polymer light emitting device having a first electrode, a second electrode, and a light emitting layer provided between the first electrode and the second electrode and containing a polymer compound
  • the second electrode is composed of three layers of a first layer, a second layer, and a third layer in order from the light emitting layer side, At least one of the materials included in the second layer has a reducing action on at least one of the materials included in the first layer, and the visible light transmittance of the third layer is 40% or more.
  • a polymer light-emitting device characterized by being.
  • a polymer light-emitting device having a first electrode, a second electrode, and a light-emitting layer provided between the first electrode and the second electrode and containing a polymer compound,
  • the second electrode is composed of three layers of a first layer, a second layer, and a third layer in order from the light emitting layer side,
  • the first layer comprises a material selected from the group consisting of metals, metal oxides, metal fluorides, and mixtures thereof;
  • the second layer comprises a metal selected from the group consisting of calcium, aluminum, magnesium, and mixtures thereof; and
  • the polymer light emitting device comprising a material selected from the group consisting of [9]
  • the third layer is made of a material selected from the group consisting of gold, silver, copper, tin, lead, nickel, indium, and alloys thereof, and has a thickness of 5 nm to 30 nm.
  • a polymer light-emitting display device comprising the polymer light-emitting device according to any one of [1] to [13] as a pixel unit.
  • a planar light source comprising the polymer light-emitting device according to any one of [1] to [13].
  • the polymer light-emitting device of the present invention and the polymer light-emitting display device of the present invention provided with the same have a wide light-emitting surface per device, high luminous efficiency, and can be easily made into a top emission type device and device. A good image with a wide light-emitting surface per element can be obtained.
  • the polymer light-emitting device of the present invention has a long luminance half-life. Therefore, the present invention can provide a device having a long lifetime as a display device. In the production method of the present invention, the polymer light-emitting device of the present invention can be easily produced.
  • the polymer light-emitting device of the present invention has a first electrode, a second electrode, and a light-emitting layer including a polymer compound provided between the first electrode and the second electrode.
  • the polymer light-emitting device of the present invention usually further comprises a substrate (support substrate) as an optional component, and the first electrode, the second electrode and the light-emitting layer on the surface of the substrate, and other components as necessary. Arbitrary components may be provided.
  • a sealing film or a sealing substrate that sandwiches the light emitting layer together with the support substrate and blocks the light emitting layer from the outside may be provided.
  • the polymer light emitting device of the present invention is usually configured such that light emitted from the light emitting layer is emitted from the second electrode side.
  • the polymer light-emitting device of the present invention can usually have a configuration in which a first electrode, a light-emitting layer, and a second electrode are laminated on a substrate in this order, directly or via other arbitrary components.
  • One of the first electrode and the second electrode is an anode, and the other is a cathode.
  • the first electrode is often used as an anode, but the present invention is not limited to this, and the second electrode may be used as an anode.
  • a 1st electrode is normally provided on a board
  • the first electrode may usually be provided as a reflective electrode that reflects light from the light emitting layer toward the second electrode.
  • the first electrode is preferably provided with a circuit for an active matrix driving method.
  • a circuit for the active matrix driving method is not particularly limited, and a known circuit can be adopted.
  • the first electrode preferably has a reflectance with respect to visible light of 80% or more. By having such a reflectance, it can be advantageously used as a reflective electrode in a top emission type display element.
  • the first electrode is preferably provided as an anode. From the viewpoint of the ability to supply holes to organic semiconductor materials used in hole injection layers, hole transport layers, interlayers, light emitting layers, etc., the work function of the light emitting layer side surface of the first electrode is 4.0 eV or more. It is preferable that As a material for the first electrode, a metal, an alloy, a metal oxide, a metal sulfide, an electrically conductive compound, a mixture thereof, or the like can be used.
  • conductive metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and molybdenum oxide, or metals such as gold, silver, chromium, and nickel Furthermore, a mixture of these conductive metal oxides and metals can be used.
  • a first electrode may have a single layer structure composed of one or more of these materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
  • the light-emitting layer is usually provided directly on the first electrode provided on the substrate or via another layer as necessary.
  • the light emitting layer used in the present invention is a light emitting layer containing a polymer compound. The material constituting the light emitting layer will be described later.
  • the second electrode is usually provided on the light emitting layer directly or as needed via another layer, and in order from the light emitting layer side, the first layer, the second layer, and the second layer It consists of three layers of three layers.
  • At least one material included in the second layer in the second electrode has a reducing action on at least one material included in the first layer.
  • all types of materials included in the second layer have a reducing action on all types of materials included in the first layer.
  • the first layer preferably includes a material selected from the group consisting of metals, metal oxides, metal fluorides, and mixtures thereof
  • the second layer includes calcium, aluminum, magnesium, And a metal selected from the group consisting of these and mixtures thereof.
  • the first layer of the second electrode comprises a material selected from the group consisting of metals, metal oxides, metal fluorides, and mixtures thereof, and the second layer is calcium, Including a metal selected from the group consisting of aluminum, magnesium, and mixtures thereof. More specifically, in this aspect, the following three modifications (a) to (c) are given.
  • the first layer contains a metal oxide and / or a metal fluoride, and the material contained in the second layer is a reducing agent for the material contained in the first layer.
  • the first layer contains a metal, and the material contained in the second layer is a reducing agent for the metal oxide contained in the first layer.
  • the first layer contains a metal, a metal oxide, and a metal fluoride, and the material contained in the second layer is a reducing agent for the material contained in the first layer.
  • the material contained in the second layer is a reducing agent for the material contained in the first layer.
  • (a) or (b) is more preferable.
  • the first layer when the first layer includes a material selected from the group consisting of metals, metal oxides, metal fluorides, and mixtures thereof, the first layer is a layer that is substantially composed of these materials.
  • metals metal oxides, metal fluorides, and mixtures thereof, metals are preferred.
  • an alkali metal and / or an alkaline-earth metal can be mentioned, for example.
  • lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium and the like can be mentioned, and barium, sodium and rubidium are particularly preferable.
  • the material which comprises a 2nd layer contains calcium or magnesium, it is preferable that the metal which comprises a 1st layer is a metal other than this.
  • the second layer comprises a metal selected from the group consisting of calcium, aluminum, magnesium, and mixtures thereof
  • the second layer is substantially composed of these metals, oxides of these metals, of these metals. It can be formed as a layer consisting essentially only of either fluoride or a mixture thereof. In particular, it is preferable to consist essentially only of these metals.
  • metals “consisting essentially of” means that other elements mixed in the manufacturing process such as vapor deposition and the process of oxidation during use may be included.
  • the state of “substantially consisting only of” these metals is specifically expressed as a numerical value when the metal content is, for example, 90 mol% or more, 95 mol% or more, or 98 mol% or more. obtain.
  • the material contained in the second layer is a reducing agent for the material contained in the first layer
  • the material contained in the second layer is a reducing agent for the metal oxide contained in the first layer
  • the second In the case where the material contained in the layer has a reducing action on the material contained in the first layer, the presence / absence / degree of the reducing ability between the materials is determined from, for example, the bond dissociation energy ( ⁇ rH °) between the compounds. Can do. That is, in the case of a combination in which the bond dissociation energy is positive in the reduction reaction of the material constituting the second layer to the material constituting the first layer, the material of the second layer is compared with the material of the first layer. It can be said that it has reducing ability.
  • the bond dissociation energy can be referred to, for example, in Electrochemical Handbook 5th edition (Maruzen, 2000), thermodynamic database MALT (Science and Technology, 1992), and the like.
  • BaF 2 + Ca ⁇ Ba + CaF 2 , ⁇ rH ° ⁇ 9.0 Since Ca is an endothermic reaction, Ca does not have a reducing ability for BaF 2 .
  • BaF 2 + Mg ⁇ Ba + MgF 2 , ⁇ rH ° 83.7 Since Mg is a heat dissipation reaction, Mg has a reducing ability for BaF 2 .
  • the unit of ⁇ rH ° is kJ / mol.
  • the left side material on the left side is the first layer material
  • the right side material on the left side is the second layer material
  • the right side material on the left side is the reducing agent for the left side material on the left side.
  • the metal contained in the first layer is not an oxide or fluoride but is a substance that can be oxidized or fluorinated, and the first layer is substantially composed of only such a metal. It may be designed as such. Even if the first layer is substantially composed only of a metal that is not an oxide or a fluoride in terms of design, in the manufacturing process, the element driving process, etc., the first layer is caused by a small amount of oxygen, moisture, etc. Oxides or fluorides of the material making up the layer can be produced. When the material of the second layer has a reducing action on the oxide or fluoride, the effect of the present invention can be obtained.
  • the second layer is used for any one or more of the oxide or fluoride of the metal.
  • the case where the material of the layer has a reducing action corresponds to the case where “the material of the second layer has a reducing action on the material of the first layer” in the present invention.
  • calcium, aluminum, and magnesium can be suitably used as the material for the second layer.
  • the third layer constituting the second electrode has a visible light transmittance of 40% or more, preferably 50% or more.
  • the second electrode can be a translucent electrode.
  • the material forming the third layer is preferably selected from the group consisting of gold, silver, copper, tin, lead, nickel, indium, and alloys thereof.
  • the thicknesses of the first to third layers constituting the second electrode are not particularly limited, but the first layer is 0.5 to 10 nm, the second layer is 0.5 to 10 nm, and the third layer is 5 to 30 nm. It is preferable that Moreover, it is preferable that the visible light transmittance of the light passing through all the layers of the second electrode is 40% or more when the second electrode is used as an electrode used for the light exit surface.
  • a vapor deposition method such as a vacuum vapor deposition method is preferable because damage to the light emitting layer and the like can be avoided.
  • a vapor deposition method such as a vacuum vapor deposition method is preferable because damage to the light emitting layer and the like can be avoided.
  • an antireflection layer can be provided on the third layer of the second electrode for the purpose of improving the light transmittance of the second electrode.
  • a material used for the antireflection layer for example, ZnS, ZnSe, etc. WO 3 and the like.
  • the film thickness of the antireflection layer varies depending on the combination of materials, but is usually in the range of 10 nm to 150 nm.
  • the second electrode has a structure in which Ba is 5 nm for the first layer, Al is 1 nm for the second layer, and Ag is 15 nm for the third layer
  • WO 3 is used as the antireflection layer in contact with the third layer.
  • 21 nm is laminated, the light transmittance from the light emitting layer side is improved by 10%.
  • the polymer light-emitting device of the present invention has one of the first electrode and the second electrode as an anode and the other as a cathode as described above, and has at least a light-emitting layer therebetween.
  • a component may be provided.
  • an optional hole injection layer may be provided between the anode and the organic light emitting layer.
  • the organic light emitting layer and the hole injection layer (when a hole injection layer is present) or the anode (hole injection) One or more of an interlayer and a hole transport layer may be optionally provided between the layer and the case where no layer is present.
  • an electron injection layer can optionally be provided between the cathode and the organic light emitting layer, and further, the organic light emitting layer and the electron injection layer (when an electron injection layer is present) or the cathode (there is no electron injection layer). 1) or more of the electron transport layer and the hole blocking layer.
  • the anode supplies holes to a hole injection layer, a hole transport layer, an interlayer, a light emitting layer, etc.
  • the cathode serves as an electron injection layer, an electron transport layer, a hole blocking layer, a light emitting layer.
  • Etc. to supply electrons.
  • the light-emitting layer is a function that can inject holes from the layer adjacent to the anode side when an electric field is applied, and can inject electrons from the layer adjacent to the cathode side, and the injected charge (electron and A layer having a function of moving holes) by the force of an electric field, a field of recombination of electrons and holes, and a function of connecting them to light emission.
  • the electron injection layer and the electron transport layer are layers having any of a function of injecting electrons from the cathode, a function of transporting electrons, and a function of blocking holes injected from the anode.
  • the hole blocking layer has a function of mainly blocking holes injected from the anode, and further has a function of injecting electrons from the cathode as needed or a function of transporting electrons.
  • the hole injection layer and the hole transport layer are any of a function of injecting holes from the anode, a function of transporting holes, a function of supplying holes to the light emitting layer, and a function of blocking electrons injected from the cathode.
  • This means a layer having The interlayer has at least one of a function of injecting holes from the anode, a function of transporting holes, a function of supplying holes to the light emitting layer, and a function of blocking electrons injected from the cathode.
  • the light emitting layer is disposed adjacent to the light emitting layer and serves to isolate the light emitting layer and the anode, or the light emitting layer and the hole injection layer or the hole transport layer.
  • the electron transport layer and the hole transport layer are collectively referred to as a charge transport layer.
  • the electron injection layer and the hole injection layer are collectively referred to as a charge injection layer.
  • the polymer light-emitting device of the present invention can have the following layer configuration (a), or from the layer configuration (a), a hole injection layer, a hole transport layer, an interlayer, a hole blocking layer, It is good also as a layer structure which abbreviate
  • Anode-hole injection layer- (hole transport layer and / or interlayer) -light emitting layer- (hole block layer and / or electron transport layer) -electron injection layer-cathode
  • (Hole transport layer and / or interlayer) means a layer consisting of only a hole transport layer, a layer consisting only of an interlayer, a layer structure of a hole transport layer-interlayer, an interlayer-hole transport layer A layer configuration or any other layer configuration including one or more hole transport layers and interlayers is shown.
  • (Hole blocking layer and / or electron transporting layer) means a layer consisting of only a hole blocking layer, a layer consisting only of an electron transporting layer, a layer configuration of a hole blocking layer-electron transporting layer, an electron transporting layer—positive The layer configuration of the hole blocking layer, or any other layer configuration including at least one hole blocking layer and one electron transporting layer is shown. The same applies to the description of the layer structure below.
  • the polymer light emitting device of the present invention can have two light emitting layers in one laminated structure.
  • the polymer light emitting device can have the following layer configuration (b), or from the layer configuration (b), a hole injection layer, a hole transport layer, an interlayer, a hole block layer, an electron transport. You may have the layer structure which abbreviate
  • the polymer light emitting device of the present invention can have three or more light emitting layers in one laminated structure.
  • the polymer light emitting device can have the following layer configuration (c), or from the layer configuration (c), a hole injection layer, a hole transport layer, an interlayer, a hole blocking layer, an electron transport.
  • a layer structure in which one or more of the layers, the electron injection layer, and the electrode are omitted may be employed.
  • the layer structure of the polymer light-emitting device of the present invention include the following.
  • (D) Anode-light-emitting layer-cathode e) Anode-hole transport layer-light-emitting layer-cathode
  • a layer configuration in which an interlayer is provided adjacent to the light emitting layer between the light emitting layer and the anode is also exemplified. That is, the following layer configurations (d ′) to (g ′) are exemplified.
  • e' Anode-hole transport layer-interlayer-light-emitting layer-cathode
  • f ' Anode-interlayer-light-emitting layer-electron transport layer-cathode
  • g ' Anode-hole transport layer-interlayer-light emitting layer-electron transport layer-cathode
  • a polymer light emitting device provided with a charge injection layer is a polymer light emitting device provided with a charge injection layer adjacent to the cathode, or a charge injection adjacent to the anode.
  • Examples thereof include a polymer light emitting device provided with a layer. Specifically, for example, the following layer configurations (h) to (s) are mentioned.
  • an insulating layer having a thickness of 2 nm or less is provided adjacent to the electrode in order to improve adhesion to the electrode and to improve injection of charges (that is, holes or electrons) from the electrode.
  • a thin buffer layer may be inserted at the interface of the charge transport layer (that is, the hole transport layer or the electron transport layer) or the light emitting layer in order to improve the adhesion at the interface or prevent mixing.
  • the order and number of layers to be laminated, and the thickness of each layer may be appropriately determined in consideration of the light emission efficiency and the luminance half life.
  • the substrate constituting the polymer light emitting device of the present invention may be any substrate as long as it does not change when an electrode is formed and an organic layer is formed, such as glass, plastic, polymer film, metal film, silicon substrate, and the like. A laminate of these is used.
  • a commercially available substrate is available as the substrate, or can be manufactured by a known method.
  • a pixel driving circuit may be provided on the substrate, or a flattening film is provided on the driving circuit. Also good.
  • a planarization film it is preferable that the centerline average roughness (Ra) of the planarization film satisfies Ra ⁇ 10 nm.
  • the first electrode is usually provided as a reflective electrode as described above.
  • the first electrode is preferably provided as an anode.
  • the materials used for the first electrode are as described above. Examples of the production method include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method, and the like.
  • the film thickness of the first electrode is usually 10 nm to 10 ⁇ m, preferably 20 nm to 1 ⁇ m, more preferably 50 nm to 500 nm.
  • the first electrode is provided as a reflective electrode and an anode
  • a multilayer structure in which a light reflective layer made of a highly light reflective metal and a high work function material layer made of a material having a work function of 4.0 eV or more is preferable.
  • Al Ag Ag-MoO 3 Alloy of Ag, Pd and Cu-ITO Alloy of Al and Nd-ITO Alloy of Mo and Cr-ITO Cr-Al-Cr-ITO Cr-Ag-Cr-ITO Cr-Ag-Cr-ITO-MoO 3 Alloy of Ag, Pd and Cu-IZO Alloy of Al and Nd-IZO Alloy of Mo and Cr-IZO Cr-Al-Cr-IZO Cr-Ag-Cr-IZO Cr-Ag-Cr-IZO-MoO 3 Etc. are exemplified.
  • the film thickness of the highly light-reflective metal layer such as Al, Ag, Al alloy, or Ag alloy is preferably 50 nm or more, and more preferably 80 nm or more.
  • the film thickness of the high work function material layer such as ITO or IZO is usually in the range of 5 nm to 500 nm.
  • the center line average roughness (Ra) of the light emitting layer side surface of the first electrode preferably satisfies Ra ⁇ 5 nm, more preferably Ra ⁇ 2 nm. is there.
  • Ra can be measured with reference to JIS-B0651 to JIS-B0656, JIS-B0671-1, and the like based on JIS-B0601-2001 of Japanese Industrial Standards.
  • the hole injection layer can be provided between the anode and the hole transport layer, between the anode and the interlayer, or between the anode and the light emitting layer.
  • the material for forming the hole injection layer includes carbazole or a derivative thereof, triazole or a derivative thereof, oxazole or a derivative thereof, oxadiazole or a derivative thereof, imidazole or a derivative thereof, and a polyarylalkane.
  • conductive polymer oligomers such as polyaniline, aniline-based copolymers, thiophene oligomers, and polythiophenes
  • organic conductive materials such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / polystyrenesulfonic acid, polypyrrole, and heavy metals containing them. Coalescence can be mentioned.
  • tetracyanoquinodimethane or a derivative thereof for example, 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane
  • 1,4-naphthoquinone or a derivative thereof diphenoquinone or a derivative thereof
  • An acceptor organic compound such as a derivative or a polynitro compound can also be suitably used.
  • the material may be a single component or a composition comprising a plurality of components.
  • the hole injection layer may have a single layer structure composed of one or more of the materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
  • materials listed as materials that can be used in the hole transport layer or the interlayer can also be used in the hole injection layer.
  • the film thickness of the hole injection layer is usually in the range of 1 nm to 150 nm, preferably 20 nm or more from the viewpoint of film flatness, and preferably 80 nm or less from the viewpoint of device driving voltage.
  • ⁇ Hole transport layer and interlayer> As a material constituting the hole transport layer and the interlayer, for example, carbazole or a derivative thereof, triazole or a derivative thereof, oxazole or a derivative thereof, oxadiazole or a derivative thereof, imidazole or a derivative thereof, polyarylalkane or a derivative thereof, Pyrazoline or derivative thereof, pyrazolone or derivative thereof, phenylenediamine or derivative thereof, arylamine or derivative thereof, amino-substituted chalcone or derivative thereof, styrylanthracene or derivative thereof, fluorenone or derivative thereof, hydrazone or derivative thereof, stilbene or derivative thereof, Silazane or its derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidins Compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N- vinylcarbazole) derivatives, organic silane derivatives, and polymers containing these structures.
  • examples include aniline-based copolymers, conductive polymer oligomers such as thiophene oligomers and polythiophenes, and organic conductive materials such as polypyrrole.
  • the material may be a single component or a composition comprising a plurality of components.
  • the hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the materials, or a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
  • a polymer containing a repeating unit containing the structure of an aromatic tertiary amine compound is preferably used.
  • repeating unit including the structure of the aromatic tertiary amine compound examples include a repeating unit represented by the following general formula (1).
  • Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 and Ar 4 are each independently an arylene group which may have a substituent or a divalent heterocyclic group which may have a substituent.
  • Ar 5 , Ar 6 and Ar 7 represent an aryl group which may have a substituent or a monovalent heterocyclic group which may have a substituent, and n and m are each independently, 0 or 1 is represented, and 0 ⁇ n + m ⁇ 2.
  • the hydrogen atom on the aromatic ring is a halogen atom, alkyl group, alkyloxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkyloxy group, arylalkylthio group, alkenyl.
  • Substituents include vinyl, ethenyl, butenyl, acryloyl, acrylate, acrylamide, methacryloyl, methacrylate, methacrylamide, vinyl ether, vinylamino, silanol, and small rings (eg, cyclo A propyl group, a cyclobutyl group, an epoxy group, an oxetanyl group, a diketene group, an episulfide group, etc.), a group having a lactone structure, a group having a lactam structure, or a group having a structure of siloxane or a derivative thereof. It may be.
  • combinations of groups capable of forming an ester bond or an amide bond for example, an ester group and an amino group, an ester group and a hydroxyl group, etc. can be used as a crosslinking group.
  • Ar 2 and Ar 3 may be bonded directly or via a divalent group such as —O— or —S—.
  • the arylene group include a phenylene group
  • examples of the divalent heterocyclic group include a pyridinediyl group. These groups may have a substituent.
  • examples of the aryl group include a phenyl group and a naphthyl group
  • examples of the monovalent heterocyclic group include a pyridyl group. These groups may have a substituent.
  • the polymer containing the repeating unit containing the structure of the aromatic tertiary amine compound may further have another repeating unit.
  • Other repeating units include arylene groups such as a phenylene group and a fluorenediyl group. Of these polymers, those containing a crosslinking group are more preferred.
  • the method for forming the hole transport layer and the interlayer there is no limitation on the method for forming the hole transport layer and the interlayer, but for the low molecular hole transport material, a method by film formation from a mixed solution with a polymer binder is exemplified. In the case of a polymer hole transport material, a method of film formation from a solution is exemplified.
  • the solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it can dissolve a hole transport material.
  • the solvent include chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, and dichloroethane; ether solvents such as tetrahydrofuran; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone; ethyl acetate, butyl acetate, An ester solvent such as ethyl cellosolve acetate is exemplified.
  • film formation methods from solution include spin coating from solution, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, slit coating method, capillary Coating methods such as coating methods, spray coating methods, nozzle coating methods, gravure printing methods, screen printing methods, flexographic printing methods, offset printing methods, reversal printing methods, inkjet printing methods, and other coating methods can be adopted.
  • a printing method such as a gravure printing method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, a reversal printing method, and an inkjet printing method is preferable in that the pattern formation is easy.
  • polymer binder to be mixed those not extremely disturbing charge transport are preferable, and those that do not strongly absorb visible light are suitably used.
  • the polymer binder include polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, and polysiloxane.
  • a hole transporting layer is formed using a vacuum deposition method. Can be formed.
  • these low molecular hole transport materials include poly (N-vinylcarbazole), polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, poly (2,5-thienylene vinylene).
  • the hole transport layer may be formed by a coating method using the mixed solution dispersed in the solution.
  • the previously formed layer is used as a coating solution used when forming the layer later.
  • a laminated structure cannot be prepared by dissolving in a solvent contained therein.
  • a method of making the lower layer solvent insoluble can be used.
  • a method for making the solvent insoluble a method in which a crosslinking group is synthetically attached to the polymer compound itself, a low molecular compound having a crosslinking group having an aromatic ring represented by aromatic bisazide is mixed as a crosslinking agent.
  • Cross-linking method a method of cross-linking by mixing a low molecular weight compound having a cross-linking group represented by an acrylate group as a cross-linking agent, and heating the lower layer to insolubilize it in an organic solvent used for making the upper layer And the like.
  • the heating temperature is usually about 150 ° C. to 300 ° C.
  • the time is usually about 1 minute to 1 hour.
  • the film thicknesses of the hole transport layer and the interlayer differ depending on the materials used, and may be selected so that the drive voltage and light emission efficiency are appropriate. If it is too thick, the driving voltage of the element may be increased. Accordingly, the thickness of the hole transport layer and the interlayer is, for example, 1 nm to 1 ⁇ m, preferably 2 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm.
  • the light emitting layer contains a polymer compound.
  • the light-emitting material can be a layer containing the following polymer material.
  • polymer material examples include polyfluorene or a derivative thereof (PF), polyparaphenylene vinylene or a derivative thereof (PPV), polyphenylene or a derivative thereof (PP), polyparaphenylene or a derivative thereof (PPP), polythiophene or a derivative thereof, Conjugated polymer compounds such as polydialkylfluorene (PDAF), polyfluorene benzothiadiazole (PFBT), and polyalkylthiophene (PAT) can be suitably used.
  • PF polyfluorene or a derivative thereof
  • PVP polyparaphenylene vinylene or a derivative thereof
  • PP polyparaphenylene or a derivative thereof
  • PPP polyparaphenylene or a derivative thereof
  • PAT polyalkylthiophene
  • the light-emitting layer made of these polymer light-emitting materials is composed of polymer dye compounds such as perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, rubrene, perylene, 9, 10- Low molecular dye compounds such as diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6 and quinacridone may be contained.
  • a metal complex that emits phosphorescence such as cyclopentadiene or a derivative thereof, tetraphenylbutadiene or a derivative thereof, or a metal complex such as Ir may be contained.
  • the light-emitting layer of the light-emitting element of the present invention includes a non-conjugated polymer compound [for example, polyvinyl carbazole, polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, Poly (N-vinylcarbazole), hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polyamide, ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resin, polyurethane, melamine resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, epoxy resin, silicone resin, carbazole or Derivatives thereof, triazoles or derivatives thereof, oxazoles or derivatives thereof, oxadiazoles or derivatives thereof, imidazoles or derivatives thereof, polyarylamines Can or its derivative, pyrazoline or its derivative, pyrazolone or its derivative, phenylenediamine
  • examples of the polymer luminescent material include WO99 / 13692, WO99 / 48160, GB2340304A, WO00 / 53656, WO01 / 19834, WO00 / 55927, GB23448316, WO00 / 46321, WO00 / 06665, WO99 / 54943, WO99 / 54385, US5777070, WO98 / 06773, WO97 / 05184, WO00 / 35987, WO00 / 53655, WO01 / 34722, WO99 / 24526, WO00 / 22027, WO00 / 22026, WO98 / 27136, WO98 / 21262, US5741921, WO97 / 09394, WO96 / 29356, WO96 / 10617, EP07007020, WO95 / 07955, JP20 1-181618, JP 2001-123156
  • fluorescent material of the low molecular weight compound include compounds described in JP-A-57-51781 and 59-194393.
  • Examples of the method for forming a light emitting layer containing a polymer light emitting material include the same method as the method for forming a hole transport layer, a method of applying a solution containing a light emitting material on or above a substrate, a vacuum deposition method, A transfer method or the like can be used.
  • Specific examples of the solvent used for the film formation from the solution include the same solvents as those for dissolving the hole transport material when forming the hole transport layer from the above solution.
  • a coating method can be used.
  • a printing method such as a gravure printing method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, a reversal printing method, and an ink jet printing method is preferable in that pattern formation and multi-coloring are easy.
  • a vacuum deposition method can be used.
  • a method of forming a light emitting layer only at a desired place by laser transfer or thermal transfer may be used.
  • the film thickness of the light emitting layer the optimum value varies depending on the material used, and it may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate values, but at least a thickness that does not cause pinholes is required, If it is too thick, the drive voltage of the element may be increased. Accordingly, the thickness of the light emitting layer is, for example, 1 nm to 1 ⁇ m, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 10 nm to 200 nm.
  • Electrode and hole blocking layer As materials constituting the electron transport layer and the hole blocking layer, known materials can be used, such as triazole or a derivative thereof, oxazole or a derivative thereof, oxadiazole or a derivative thereof, imidazole or a derivative thereof, fluorenone or a derivative, benzoquinone or Derivatives thereof, naphthoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, tetracyanoanthraquinodimethane or derivatives thereof, fluorenone or derivatives, diphenyldicyanoethylene or derivatives thereof, diphenoquinone or derivatives, anthraquinodimethane or derivatives thereof, anthrone or derivatives thereof Thiopyran dioxide or its derivatives, carbodiimide or its derivatives, fluorenylidene methane or its derivatives Derivatives, distyrylpyrazine or derivatives thereof, aromatic ring tetracarbox
  • the electron transport layer and the hole blocking layer may have a single layer structure composed of one or more of the materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. Good.
  • materials listed as materials that can be used in the electron injection layer can also be used in the hole injection layer.
  • oxadiazole or a derivative thereof benzoquinone or a derivative thereof, anthraquinone or a derivative thereof, or a metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof, polyquinoline or a derivative thereof, polyquinoxaline or a derivative thereof, polyfluorene or a derivative thereof 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline are preferred.
  • the method for forming the electron transport layer and the hole blocking layer there are no particular restrictions on the method for forming the electron transport layer and the hole blocking layer.
  • the film forming method of the electron transport layer and the hole blocking layer include, for example, a low molecular electron transport material, a vacuum deposition method from powder, or a method by film formation from a solution or a molten state.
  • the transport material include a method of forming a film from a solution or a molten state.
  • a polymer binder may be used in combination.
  • the method for forming the electron transport layer and the hole blocking layer from the solution include a film formation method similar to the method for forming the hole transport layer from the solution described above.
  • the film thicknesses of the electron transport layer and the hole blocking layer differ depending on the materials used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. If the thickness is too thick, the driving voltage of the element may be increased. Therefore, the thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm to 1 ⁇ m, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.
  • the electron injection layer is provided between the electron transport layer and the cathode or between the light emitting layer and the cathode.
  • materials listed as materials that can be used in the electron transport layer and the hole blocking layer can be used in the hole injection layer.
  • the electron injection layer may be a laminate of two or more layers.
  • the electron injection layer is formed by vapor deposition, sputtering, printing, or the like.
  • the thickness of the electron injection layer is preferably about 1 nm to 1 ⁇ m.
  • the insulating layer having a film thickness of 2 nm or less that the polymer light emitting device of the present invention can optionally have has a function of facilitating charge injection.
  • the material for the insulating layer include metal fluorides, metal oxides, and organic insulating materials.
  • an insulating layer having a thickness of 2 nm or less is provided adjacent to the cathode, and an insulating layer having a thickness of 2 nm or less is provided adjacent to the anode. Is mentioned.
  • the manufacturing method of the polymer light emitting device of the present invention is not particularly limited, and can be manufactured by sequentially laminating each layer on a substrate. Specifically, a first electrode is provided on a substrate, a layer such as a hole injection layer, a hole transport layer, or an interlayer is provided thereon as necessary, and a light emitting layer is provided thereon, on which A layer such as an electron transport layer and an electron injection layer may be provided as necessary, and further, the first layer, the second layer, and the third layer of the second electrode may be stacked thereon in this order.
  • the lamination of the first layer to the third layer is preferably performed by an evaporation method, and more preferably by a vacuum evaporation method.
  • the polymer light emitting device of the present invention can be a light emitting device equipped with the same. Examples of the light emitting device include a polymer light emitting display device and a planar light source.
  • the polymer light-emitting display device of the present invention includes the polymer light-emitting element of the present invention as a pixel unit.
  • the arrangement mode of the pixel unit is not particularly limited, and may be an arrangement that is usually employed in a display device such as a television, and may be an arrangement in which a large number of pixels are arranged on a common substrate.
  • the pixels arranged on the substrate may be formed in a pixel region defined by the bank, if necessary.
  • the second electrode is in an aspect in which it is electrically connected to the auxiliary electrode (electrode paired with the drive electrode).
  • the first electrode is preferably provided as a drive electrode with a circuit for the active matrix drive system, and is preferably a display device of the active matrix drive system.
  • the apparatus of the present invention can further include a sealing member on the side opposite to the substrate with the light emitting layer or the like interposed therebetween, as necessary. Further, if necessary, an optional component for configuring the display device such as a filter such as a color filter or a fluorescence conversion filter, a circuit and a wiring necessary for driving the pixel, and the like may be provided.
  • a filter such as a color filter or a fluorescence conversion filter, a circuit and a wiring necessary for driving the pixel, and the like may be provided.
  • the first electrode can be a reflective electrode and the second electrode can be a transmissive electrode, and can be a top emission type apparatus that emits light from the surface opposite to the substrate.
  • the first electrode is used as the drive electrode, and the light emission area can be increased while ensuring the freedom of design of the drive circuit.
  • the display quality, drive performance, brightness half-life, etc. are excellent Display device.
  • the device of the present invention is not necessarily limited to this, and for example, a device that emits light on both sides can be used by making both sides transparent or translucent electrodes.
  • the planar light source of the present invention is a light emitting device comprising the polymer light emitting element of the present invention.
  • the planar light source may be a device in which the polymer light emitting element is mounted on a planar substrate, or may be a device in which the polymer light emitting element is mounted on a curved substrate.
  • a curved surface light source for example, the polymer light emitting element is formed in a planar state on a flexible thin substrate, and the substrate is bent as appropriate after the polymer light emitting element is mounted on the substrate. Can be produced.
  • the planar light source can be used as various light sources such as an illumination light source, a backlight light source such as a liquid crystal display device, and a light source such as a scanner.
  • Example 1> Formation of anode and buffer layer
  • a silver layer having a thickness of 100 nm as a first electrode was formed on a glass substrate by vacuum deposition.
  • This silver layer is a light reflecting anode having a reflectance of 90%.
  • a 10 nm thick MoO 3 layer was further formed as a hole injection layer on the light reflecting anode while maintaining the vacuum.
  • the substrate having the anode and the hole injection layer obtained in (1-1) above is taken out from the vacuum apparatus, and a composition for forming a hole transport layer is applied onto the hole injection layer by a spin coating method.
  • a 20 nm thick coating film was obtained.
  • the substrate provided with this coating film was heated at 190 ° C. for 20 minutes to insolubilize the coating film, and then naturally cooled to room temperature to obtain a hole transport layer.
  • a composition for forming a light emitting layer was applied by a spin coating method. An 80 nm coating film was obtained. The substrate provided with this coating film was heated at 130 ° C. for 20 minutes to evaporate the solvent and then naturally cooled to room temperature to obtain a light emitting layer.
  • a 5 nm layer which is the first layer of the second electrode is formed by vacuum deposition.
  • the visible light transmittance of the third layer was 40% or more.
  • Example 2 A light emitting device 2 was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a 15 nm Cu layer was formed as the third cathode layer. The results are shown in Table 1. The visible light transmittance of the third layer was 40% or more.
  • Example 3 A light emitting device 3 was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1, except that a 1 nm Al layer was formed as the second layer of the cathode and a 15 nm Cu layer was formed as the third layer. The results are shown in Table 1. The visible light transmittance of the third layer was 40% or more.
  • Example 4 A light emitting device 4 was obtained and evaluated in the same manner as in Example 3 except that a 15 nm Ag layer was formed as the third cathode layer. The results are shown in Table 1. The visible light transmittance of the third layer was 40% or more.
  • Example 1 The same procedure as in Example 1 was performed except that the cathode Ca layer was not formed and a 15-nm Sn—Ag alloy layer was formed directly on the first layer, and the second electrode was formed of two layers. An element 5 was obtained and evaluated. The results are shown in Table 1.
  • Example 3 when a cathode composed of three layers of a first layer of Ba, a second layer of Ca, and a third layer of Sn—Ag alloy is used, the second layer Luminous efficiency was remarkably superior to that in the case of using a cathode composed of only two layers, that is, a Ba layer and a Sn—Ag alloy layer, omitting the layer. In addition, the luminance half life was remarkably excellent.
  • Example 3 and Comparative Example 2 when a cathode composed of three layers of a first layer of Ba, a second layer of Ca or Al, and a third layer of Cu is used.
  • the luminous efficiency was superior compared to the case where the second layer was omitted and a cathode composed of only two layers of the Ba layer and the Cu layer was used.
  • the luminance half-life was excellent.
  • Example 4 in addition to the first layer of Ba and the second layer of Al, when using a layer made of only Ag as the third layer, both the luminous efficiency and the luminance half-life, It was the best.
  • Example 5 The light emitting device 7 was operated in the same manner as in Example 1 except that a 3.5 nm LiF layer as the first cathode layer, a 4 nm Ca layer as the second layer, and a 15 nm Ag layer as the third layer were formed. Obtained and evaluated. The results are shown in Table 2. The visible light transmittance of the third layer was 40% or more.
  • Example 3 The same operation as in Example 1 was performed except that a 3.5 nm LiF layer was formed as the first cathode layer, a Ca layer was not formed, and a 15 nm Ag layer was formed directly on the first layer.
  • the light-emitting element 8 in which the second electrode was composed of two layers was obtained and evaluated. The results are shown in Table 2.
  • Example 5 and Comparative Example 3 when a cathode composed of three layers of the first layer of LiF, the second layer of Ca, and the third layer of Ag is used, the second layer is omitted. As compared with the case of using a cathode composed of only two layers of LiF and Ag, the luminous efficiency was remarkably excellent. In addition, the luminance half life was remarkably excellent.
  • a light emitting device 9 was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the Ag layer was formed. The results are shown in Table 3.
  • the visible light transmittance of the third layer was 40% or more.
  • the light emitting device 10 was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the Ag layer was formed. The results are shown in Table 3.
  • the visible light transmittance of the third layer was 40% or more.
  • the light emitting element 11 was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the Ag layer was formed. The results are shown in Table 3.
  • a light emitting device 12 was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the Ag layer was formed. The results are shown in Table 3.
  • the visible light transmittance of the third layer was 40% or more.
  • Example 1 except that a 3.8 nm NaF layer was formed as the first cathode layer, the Mg—Ag mixed layer was not formed, and a 15 nm Ag layer was formed directly on the first layer.
  • the light-emitting element 13 whose second electrode was composed of two layers was obtained and evaluated. The results are shown in Table 3.
  • Example 10> Formation of anode and buffer layer
  • a silver layer having a thickness of 100 nm as a first electrode was formed on a glass substrate by vacuum deposition.
  • This silver layer is a light reflecting anode having a reflectance of 90%.
  • a 10 nm thick MoO 3 layer was further formed as a hole injection layer on the light reflecting anode while maintaining the vacuum.
  • the hole transporting polymer material and xylene were mixed at a ratio of 0.7% by weight to obtain a composition for forming a hole transport layer.
  • the hole transporting polymer material represented by the following formula (2) the following compound exemplified as P1 in International Publication No. 2005/52027 pamphlet was used.
  • the hole-transporting polymer material was produced using the method of Scheme 1 of International Publication No. 2005/52027 pamphlet.
  • the substrate having the anode and the hole injection layer obtained in the above (2-1) is taken out from the vacuum deposition apparatus, the composition for forming the hole transport layer is applied onto the hole injection layer, and the film is formed by spin coating. A 20 nm thick coating film was obtained.
  • the substrate provided with this coating film was heated at 190 ° C. for 20 minutes to insolubilize the coating film, and then naturally cooled to room temperature to obtain a hole transport layer.
  • the light emitting polymer material and xylene were mixed at a ratio of 1.3% by weight to obtain a composition for forming a light emitting layer.
  • Lumination GP1300 manufactured by Summation Co., Ltd. was used as the light-emitting polymer material.
  • a light emitting element 15 was obtained and evaluated in the same manner as in Example 10 except that was formed. The results are shown in Table 4.
  • the visible light transmittance of the third layer was 40% or more.
  • Example 5 The same operation as in Example 10 was performed except that a 5 nm Ba layer was formed as the first cathode layer, an Al layer was not formed, and a 15 nm Ag layer was formed directly on the first layer.
  • the light emitting element 16 in which the second electrode was composed of two layers was obtained and evaluated. The results are shown in Table 4.
  • Example 10 except that a 3.8 nm NaF layer was formed as the first cathode layer, the Mg—Ag mixed layer was not formed, and a 15 nm Ag layer was formed directly on the first layer.
  • the light-emitting element 17 whose second electrode was composed of two layers was obtained and evaluated. The results are shown in Table 4.
  • Example 10 As is apparent from reference to Example 10 and Comparative Example 5, when Ba is used as the first layer of the cathode, when an Al layer is used as the second layer of the cathode, the second layer is omitted in Comparative Example 5. In comparison, the luminous efficiency was excellent and the luminance half life was excellent. As is apparent with reference to Example 11 and Comparative Example 6, when NaF was used as the first layer of the cathode, when a Mg—Ag mixed layer was used as the second layer of the cathode, a comparison was omitted in which the second layer was omitted. In Example 6, the light emission characteristics were remarkably superior to the result that electroluminescence was not obtained.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

　素子あたりの出光面が広く、発光効率が高く且つ寿命が長い高分子発光素子、高分子発光ディスプレイ装置および面状光源、ならびに当該高分子発光素子の製造方法を提供する。第一電極、第二電極、及び前記第一電極と第二電極との間に設けられ高分子化合物を含む発光層を有する高分子発光素子であって、前記第二電極が前記発光層側から順に、第１層、第２層及び第３層の３層からなり、前記第２層に含まれる材料の少なくとも１種類が前記第１層に含まれる材料の少なくとも１種類に対して還元作用を有し、且つ前記第３層の可視光の透過率が４０％以上であることを特徴とする高分子発光素子とする。

Description

高分子発光素子、製造方法及び高分子発光ディスプレイ装置
　本発明は、高分子発光素子、その製造方法、及びかかる高分子発光素子を有する高分子発光ディスプレイ装置に関する。
　アクティブマトリックス駆動方式の有機発光素子の場合、基板側から出光させる所謂ボトムエミッション方式の素子とすると、駆動回路の存在のために素子ごとの出光する開口が狭くなるため、広い出光面を確保すべく、基板の反対側から出光させる所謂トップエミッション方式の素子とすることが提案されており、３層からなる陰極を有する有機発光素子であって、第１層および第３層が酸化物薄膜層であり、第２層にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＰｄおよびＰｔから選択される金属の薄膜からなる層を有する有機発光素子が知られている（例えば特許文献１）。
　しかしながら前記有機発光素子は、発光効率が低いという課題がある。
特開２００４－７９４２２号公報
　本発明の目的は、素子あたりの出光面が広く、発光効率が高い高分子発光素子、高分子発光ディスプレイ装置および面状光源、ならびに当該高分子発光素子の製造方法を提供することにある。
　上記課題を解決するため本願発明者は鋭意検討した結果、高分子化合物を発光層に用い、基板側に備わる電極（第１電極）と発光層を挟んで反対側に設けられる対極（第２電極）として、特定の３つの層を有する電極を採用することにより上記課題を解決しうることを見出し、本発明を完成するに至った。
　即ち、本発明によれば、下記のものが提供される：
〔１〕第一電極、第二電極、及び前記第一電極と第二電極との間に設けられ高分子化合物を含む発光層を有する高分子発光素子であって、
　前記第二電極が前記発光層側から順に、第１層、第２層及び第３層の３層からなり、
　前記第２層に含まれる材料の少なくとも１種類が前記第１層に含まれる材料の少なくとも１種類に対して還元作用を有し、且つ　前記第３層の可視光の透過率が４０％以上であることを特徴とする高分子発光素子。
〔２〕前記第２層に含まれる材料材料の全種類がそれぞれ前記第１層に含まれる材料の全種類に対して還元作用を有する、上記〔１〕に記載の高分子発光素子。
〔３〕前記第１層が金属、金属酸化物、金属フッ化物、及びこれらの混合物からなる群より選択される材料を含む、上記〔１〕または〔２〕に記載の高分子発光素子。
〔４〕前記第２層が、カルシウム、アルミニウム、マグネシウム、及びこれらの混合物からなる群より選択される金属を含む、上記〔１〕～〔３〕のいずれか１項に記載の高分子発光素子。
〔５〕第一電極、第二電極、及び前記第一電極と第二電極との間に設けられ高分子化合物を含む発光層を有する高分子発光素子であって、
　前記第二電極が前記発光層側から順に、第１層、第２層及び第３層の３層からなり、
　前記第１層が金属、金属酸化物、金属フッ化物、及びこれらの混合物からなる群より選択される材料を含み、
　前記第２層がカルシウム、アルミニウム、マグネシウム、及びこれらの混合物からなる
群より選択される金属を含み、且つ、
　前記第３層の可視光の透過率が４０％以上であることを特徴とする高分子発光素子。
〔６〕前記第１層が金属酸化物および／または金属フッ化物を含み、前記第２層に含まれる材料が、前記第１層に含まれる材料に対する還元剤である上記〔５〕に記載の高分子発光素子。
〔７〕前記第１層が金属を含み、前記第２層に含まれる材料が、前記第１層に含まれる金属の酸化物に対する還元剤である上記〔５〕または〔６〕に記載の高分子発光素子。
〔８〕前記第１層が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属のフッ化物、アルカリ土類金属のフッ化物、及びこれらの混合物からなる群より選択される材料を含む、上記〔１〕～〔７〕のいずれか１項に記載の高分子発光素子。
〔９〕前記第１層がバリウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、及びこれらの混合物からなる群より選択される材料を含む上記〔８〕に記載の高分子発光素子。
〔１０〕前記第１層がナトリウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、及びこれらの混合物からなる群より選択される材料を含む上記〔８〕に記載の高分子発光素子。
〔１１〕前記第１層がルビジウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、及びこれらの混合物からなる群より選択される材料を含む上記〔８〕に記載の高分子発光素子。
〔１２〕前記第３層が、金、銀、銅、錫、鉛、ニッケル、インジウム、及びこれらの合金からなる群より選択される材料からなり、その膜厚が５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である上記〔１〕～〔１１〕のいずれか１項に記載の高分子発光素子。
〔１３〕前記第一電極の可視光に対する反射率が８０％以上である請求項１～１２のいずれか１項に記載の高分子発光素子。
〔１４〕上記〔１〕～〔１３〕のいずれか１項に記載の高分子発光素子の製造方法であって、　基板上に第一電極を設ける工程、第一電極の上に発光層を設ける工程、及び発光層の上に第二電極を設ける工程を含み、前記第二電極を設ける工程が、発光層の上に第１層を設ける工程、第１層の上に第２層を設ける工程、及び第２層の上に第３層を設ける工程を含むことを特徴とする製造方法。
〔１５〕前記発光層の上に第１層を設ける工程、第１層の上に第２層を設ける工程、及び第２層の上に第３層を設ける工程を、真空蒸着法により行なう上記〔１４〕に記載の製造方法。
〔１６〕上記〔１〕～〔１３〕のいずれか１項に記載の高分子発光素子を１画素単位として備える高分子発光ディスプレイ装置。
〔１７〕　請求項１～１３のいずれか１項に記載の高分子発光素子を有する面状光源。
　本発明の高分子発光素子及びそれを備える本発明の高分子発光ディスプレイ装置は、素子あたりの出光面が広く、発光効率が高く、しかも容易にトップエミッション方式の素子及び装置とすることができるため、素子当たりの出光面が広く良好な画像を得ることができる。また、本発明の高分子発光素子は輝度半減寿命が長くなる。そのため、本発明はディスプレイ装置としての寿命が長い装置を提供することが可能である。本発明の製造方法では、当該本発明の高分子発光素子を容易に製造することができる。
　本発明の高分子発光素子は、第一電極、第二電極、及び前記第一電極と第二電極との間に設けられ高分子化合物を含む発光層を有する。本発明の高分子発光素子は、通常任意の構成要素として基板（支持基板）をさらに有し、かかる基板の面上に前記第一電極、第二電極及び発光層、並びに必要に応じてその他の任意の構成要素を設けた構成とし得る。さらに任意の構成要素として、支持基板と共に発光層を挟み発光層を外界から遮断する封止膜（または封止基板）を設けてもよい。
　本発明の高分子発光素子は、通常、発光層から発光した光が第二電極側から出光する構成とされる。本発明の高分子発光素子は、通常、基板上に、第一電極、発光層及び第二電極がこの順に、直接又は他の任意の構成要素を介して積層された構成とし得る。第一電極及び第二電極の一方が陽極、他方が陰極となる。第一電極を陽極とすることが多いがこれに限られず第二電極を陽極としてもよい。
１．第一電極
　本発明において第一電極は、通常基板上に、直接又は必要に応じて他の層を介して設けられる。本発明においては、第一電極は通常、発光層からの光を第二電極側へ反射させる反射電極として設けてもよい。第一電極は、アクティブマトリックス駆動方式のための回路を伴って設けられることが好ましい。当該アクティブマトリックス駆動方式のための回路としては、特に限定されず公知の回路を採用し得る。
　第一電極は、可視光に対する反射率が８０％以上であることが好ましい。このような反射率を有することにより、トップエミッション方式の表示素子における反射電極として有利に用い得る。
　第一電極は、好ましくは陽極として設けられる。正孔注入層、正孔輸送層、インターレイヤー、発光層等で用いられる有機半導体材料への正孔供給性の観点からは、かかる第一電極の発光層側表面の仕事関数が４．０ｅＶ以上であることが好ましい。
　第一電極の材料には、金属、合金、金属酸化物、金属硫化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物等を用いる事が出来る。具体的には、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化モリブデン等の導電性金属酸化物、又は、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの導電性金属酸化物と金属との混合物等が挙げられる。
　かかる第一電極は、これら材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
２．発光層
　本発明において発光層は、通常、基板上に設けられた第一電極の上に、直接又は必要に応じて他の層を介して設けられる。本発明において用いられる発光層は、高分子化合物を含む発光層である。発光層を構成する材料については後述する。
３．第二電極
　本発明において第二電極は、通常、前記発光層の上に、直接又は必要に応じて他の層を介して設けられ、発光層側から順に、第１層、第２層及び第３層の３層からなる。
　本発明の一態様において、第２電極中の第２層に含まれる材料の少なくとも１種類は第１層に含まれる材料の少なくとも１種類に対して還元作用を有する。好ましくは、第２層に含まれる材料の全種類がそれぞれ第１層に含まれる材料の全種類に対して還元作用を有する。この態様において、第１層は、金属、金属酸化物、金属フッ化物、及びこれらの混合物からなる群より選択される材料を含むことが好ましく、また、第２層は、カルシウム、アルミニウム、マグネシウム、及びこれらの混合物からなる群より選択される金属を含むことが好ましい。
　本発明のさらに別の一態様において、第二電極の第１層は金属、金属酸化物、金属フッ化物、及びこれらの混合物からなる群より選択される材料を含み、且つ第２層はカルシウム、アルミニウム、マグネシウム、及びこれらの混合物からなる群より選択される金属を含む。この態様においては、より具体的には次の（ａ）から（ｃ）の３つの変形例が挙げられる。
（ａ）第１層が金属酸化物および／または金属フッ化物を含み、第２層に含まれる材料が、前記第１層に含まれる材料に対する還元剤である。
（ｂ）第１層が金属を含み、第２層に含まれる材料が、第１層に含まれる金属の酸化物に対する還元剤である。
（ｃ）第１層が、金属、金属酸化物および金属フッ化物を含み、第２層に含まれる材料が、第１層に含まれる材料に対する還元剤である。
　上記（ａ）～（ｃ）の変形例のうちでは、（ａ）または（ｂ）がより好ましい。
　前記の各態様において、第１層が金属、金属酸化物、金属フッ化物、及びこれらの混合物からなる群より選択される材料を含む場合、第１層は、これらの材料から実質的になる層として形成し得る。金属、金属酸化物、金属フッ化物、及びこれらの混合物の中では金属が好ましい。第１層に含まれる金属、金属酸化物、金属フッ化物、及びこれらの混合物を構成する金属としては、例えば、アルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属を挙げることができる。より具体的には例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等を挙げることができ、バリウム、ナトリウム、ルビジウムであることが特に好ましい。第２層を構成する材料がカルシウム又はマグネシウムを含む場合、第１層を構成する金属は、これ以外の金属であることが好ましい。
　第２層がカルシウム、アルミニウム、マグネシウム、及びこれらの混合物からなる群より選択される金属を含む場合、第２層は、実質的に、これらの金属、これらの金属の酸化物、これらの金属のフッ化物、又はこれらの混合物のいずれかのみから実質的になる層として形成し得る。特に、これらの金属のみから実質的になることが好ましい。
　これらの金属「のみから実質的になる」とは、蒸着等の製造工程、及び使用に際しての酸化等の過程において混入した他の元素が含まれてもよいことを意味する。これらの金属「のみから実質的になる」状態は、具体的に数値として示すと、金属の含有割合が、例えば９０モル％以上、９５モル％以上、または９８モル％以上などである場合として表し得る。
　第２層に含まれる材料が第１層に含まれる材料に対する還元剤である場合、第２層に含まれる材料が第１層に含まれる金属の酸化物に対する還元剤である場合、及び第２層に含まれる材料が第１層に含まれる材料に対して還元作用を有する場合において、材料間の還元能の有無・程度は、例えば、化合物間の結合解離エネルギー（ΔｒＨ°）から決定することができる。即ち、第２層を構成する材料による、第１層を構成する材料に対する還元反応において、結合解離エネルギーが正であるような組み合わせである場合、第２層の材料が第１層の材料に対して還元能を有するといえる。
　結合解離エネルギーは、例えば電気化学便覧第５版（丸善、２０００）、熱力学データベースＭＡＬＴ（科学技術社、１９９２）などで参照できる。例を挙げると、ＢａＦ２とＣａの組み合わせでは、
　ＢａＦ２＋Ｃａ→Ｂａ＋ＣａＦ２，　ΔｒＨ°＝－９．０
　となり、吸熱反応であることからＣａはＢａＦ２に対する還元能を有しない。また、ＢａＦ２とＭｇの組み合わせでは、
　ＢａＦ２＋Ｍｇ→Ｂａ＋ＭｇＦ２，　ΔｒＨ°＝８３．７
　となり、放熱反応であることからＭｇはＢａＦ２に対する還元能を有する。なお、式中、ΔｒＨ°の単位はｋＪ／ｍｏｌである。
　第２層の材料が第１層の材料に対して還元能を有する、第１層及び第２層の材料の組み合わせの例を以下に列挙する。以下の式においては、左辺の左側の材料が第１層の材料、左辺の右側の材料が第２層の材料であり、左辺の右側の材料が左辺の左側の材料に対する還元剤となる。
　（１）３ＢａＯ＋２Ａｌ→３Ｂａ＋Ａｌ２Ｏ３，　ΔｒＨ°＝３．０４
　（２）ＢａＯ＋Ｃａ→Ｂａ＋ＣａＯ，　ΔｒＨ°＝８１．５
　（３）３ＢａＦ２＋２Ａｌ→３Ｂａ＋２ＡｌＦ３，　ΔｒＨ°＝６１３．１
　（４）ＢａＦ２＋Ｍｇ→Ｂａ＋ＭｇＦ２，　ΔｒＨ°＝８３．７
　（５）３ＬｉＦ＋Ａｌ→３Ｌｉ＋ＡｌＦ３，　ΔｒＨ°＝３４３．８
　（６）３ＬｉＦ＋１．５Ｃａ→３Ｌｉ＋１．５ＣａＦ２，　ΔｒＨ°＝１８．５
　（７）２ＬｉＦ＋Ｍｇ→２Ｌｉ＋ＭｇＦ２，　ΔｒＨ°＝１０８．５
　（８）３ＮａＦ＋Ａｌ→３Ｎａ＋ＡｌＦ３，　ΔｒＨ゜＝２１６．８
　（９）２ＮａＦ＋Ｍｇ→２Ｎａ＋ＭｇＦ２，　ΔｒＨ゜＝２３．９
　（１０）３Ｎａ２ＣＯ３＋２Ａｌ→６Ｎａ＋Ａｌ２Ｏ３＋３ＣＯ２，　ΔｒＨ゜＝５５４．６
　（１１）Ｎａ２ＣＯ３＋Ｃａ→２Ｎａ＋ＣａＯ＋ＣＯ２，　ΔｒＨ゜＝１０２．１
　（１２）Ｎａ２ＣＯ３＋Ｍｇ→２Ｎａ＋ＭｇＯ＋ＣＯ２，　ΔｒＨ゜＝１３５．５
　（１３）３ＫＦ＋Ａｌ→３Ｋ＋ＡｌＦ３，　ΔｒＨ゜＝１９７．７
　（１４）２ＫＦ＋Ｃａ→２Ｋ＋ＣａＦ２，　ΔｒＨ゜＝９３．４
　（１５）２ＫＦ＋Ｍｇ→２Ｋ＋ＭｇＦ２，　ΔｒＨ゜＝１１．１
　（１６）３Ｋ２ＣＯ３＋２Ａｌ→６Ｋ＋Ａｌ２Ｏ３＋３ＣＯ２，　ΔｒＨ゜＝６１５．６
　（１７）Ｋ２ＣＯ３＋Ｃａ→２Ｋ＋ＣａＯ＋ＣＯ２，　ΔｒＨ゜＝１２２．４
　（１８）Ｋ２ＣＯ３＋Ｍｇ→２Ｋ＋ＭｇＯ＋ＣＯ２，　ΔｒＨ゜＝１５５．８
　（１９）３ＲｂＦ＋Ａｌ→３Ｒｂ＋ＡｌＦ３，　ΔｒＨ゜＝１６９．０
　（２０）２ＲｂＦ＋Ｃａ→２Ｒｂ＋ＣａＦ２，　ΔｒＨ゜＝５７．６
　（２１）２ＲｂＦ＋Ｍｇ→２Ｒｂ＋ＭｇＦ２，　ΔｒＨ゜＝１５３．８
　（２２）３Ｒｂ２ＣＯ３＋２Ａｌ→６Ｒｂ＋Ａｌ２ＣＯ３＋３ＣＯ２，　ΔｒＨ゜＝５７０．６
　（２３）３ＣｓＦ＋Ａｌ→３Ｃｓ＋ＡｌＦ３，　ΔｒＨ゜＝１５６．４
　（２４）２ＣｓＦ＋Ｃａ→２Ｃｓ＋ＣａＦ２，　ΔｒＨ゜＝４０．４
　（２５）２ＣｓＦ＋Ｍｇ→２Ｃｓ＋ＭｇＦ２，　ΔｒＨ゜＝１３６．６
　（２６）ＣｓＦ＋Ａｇ→Ｃｓ＋ＡｇＦ，　ΔｒＨ゜＝３４８．９
　（２７）３Ｃｓ２ＣＯ３＋２Ａｌ→６Ｃｓ＋Ａｌ２Ｏ３＋３ＣＯ２，　ΔｒＨ°＝５８１．７
　（２８）Ｃｓ２ＣＯ３＋Ｃａ→２Ｃｓ＋ＣａＯ＋ＣＯ２，　ΔｒＨ°＝１１１．１
　（２９）Ｃｓ２ＣＯ３＋Ｍｇ→２Ｃｓ＋ＭｇＯ＋ＣＯ２，　ΔｒＨ°＝１４４．５
　本発明の素子の一態様として、第１層に含まれる金属が酸化物又はフッ化物ではないが酸化またはフッ化され得る物質であり、且つ、第１層がそのような金属のみから実質的になるものとして設計される場合もあり得る。設計上は第１層が酸化物又はフッ化物ではない金属のみから実質的になる場合であっても、その製造過程や、素子の駆動過程などにおいては、微量の酸素、水分等によって、第１層を構成する材料の酸化物またはフッ化物が生じ得る。その酸化物またはフッ化物に対して、第２層の材料が還元作用を有する場合、本発明の効果を得ることができる。したがって、第１層の材料が、酸化物又はフッ化物などではない金属のみから実質的になる場合であっても、その金属の酸化物またはフッ化物のいずれか１種以上に対して、第２層の材料が還元作用を有する場合、本発明でいう「第２層の材料が第１層の材料に対して還元作用を有する」場合に該当するものとする。
　この場合、上記に列挙したように、カルシウム、アルミニウム、マグネシウムを第２層の材料として好適に用いることができる。
　本発明において、第二電極を構成する第３層は、その可視光透過率が４０％以上、好ましくは５０％以上である。このような可視光透過率とすることにより、第二電極を、半透明な電極とすることができる。
　第３層を構成する材料は、金、銀、銅、錫、鉛、ニッケル、インジウム、及びこれらの合金からなる群より選択されることが好ましい。
　第二電極を構成する第１層～第３層の厚さは、特に限定されないが、第１層が０．５～１０ｎｍ、第２層が０．５～１０ｎｍ、第３層が５～３０ｎｍであることが好ましい。また、第二電極の全層を通る光の可視光透過率は、４０％以上であることが、第二電極を出光面に用いる電極とする上で好ましい。
　第１層～第３層を形成する方法としては、真空蒸着法等の蒸着法が、発光層等へのダメージを避けることが可能であるため好ましい。真空蒸着法により第二電極を形成する場合、真空蒸着装置のチャンバー内に基板を設置して減圧し、第１層～第３層を、真空を保ったまま連続して形成することが、操作の簡便性、及び異物混入による品質低下の防止の観点から好ましい。
　また、第二電極の光透過率を向上させる事を目的として、第二電極の第３層上に反射防止層を設ける事もできる。反射防止層に用いられる材料としては屈折率がｎ＝１．８～３．０程度の物が好ましく、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＷＯ３などが挙げられる。反射防止層の膜厚は材料の組合せによって異なるが、通常１０ｎｍ～１５０ｎｍの範囲である。　例えば、第二電極として、第１層にＢａを５ｎｍ、第２層にＡｌを１ｎｍ、第３層にＡｇを１５ｎｍの構成を用いた場合、第３層に接して反射防止層としてＷＯ３を２１ｎｍ積層させると、発光層側からの光透過率は１０％向上する。
４．その他の構成要素
　本発明の高分子発光素子は、上記の通り第一電極及び第二電極の一方が陽極となり他方が陰極となり、その間に少なくとも発光層を有するが、これらに加えて、さらに任意の構成要素を備えてもよい。
　例えば、陽極と有機発光層との間には任意に正孔注入層を設けてもよく、さらに、有機発光層と正孔注入層（正孔注入層が存在する場合）又は陽極（正孔注入層が存在しない場合）との間に任意にインターレイヤー、正孔輸送層のうちの１層以上を設けてもよい。
　一方、陰極と有機発光層との間には任意に電子注入層を有する事ができ、さらに、有機発光層と電子注入層（電子注入層が存在する場合）又は陰極（電子注入層が存在しない場合）との間に電子輸送層、正孔ブロック層のうちの１層以上を設けてもよい。
　ここで、陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、インターレイヤー、発光層等に正孔を供給するものであり、陰極は、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、発光層等に電子を供給するものである。
　発光層とは、電界を印加した際に、陽極側に隣接する層より正孔を注入する事ができ、陰極側に隣接する層より電子を注入する事ができる機能、注入した電荷(電子と正孔)を電界の力で移動させる機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有する層をいう。
　電子注入層及び電子輸送層とは、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有する層をいう。また、正孔ブロック層とは、主に陽極から注入された正孔を障壁する機能を有し、さらに必要に応じて陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能のいずれかを有する層をいう。
　正孔注入層及び正孔輸送層とは、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、発光層へ正孔を供給する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有する層をいう。また、インターレイヤーとは、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、発光層へ正孔を供給する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能の少なくとも１つ以上を有し、通常、発光層に隣接して配置され、発光層と陽極、又は発光層と正孔注入層若しくは正孔輸送層とを隔離する役割をもつ。
　なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。また、電子注入層と正孔注入層を総称して電荷注入層と呼ぶ。
　即ち、本発明の高分子発光素子は下記の層構成（ａ）を有する事ができ、または、層構成（ａ）から、正孔注入層、正孔輸送層、インターレイヤー、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層の１層以上を省略した層構成としてもよい。
（ａ）陽極－正孔注入層－（正孔輸送層及び／又はインターレイヤー）－発光層－（正孔ブロック層及び／又は電子輸送層）－電子注入層－陰極
　ここで、符号「－」は各層が隣接して積層されている事を示す。
　「（正孔輸送層及び／又はインターレイヤー）」は、正孔輸送層のみからなる層、インターレイヤーのみからなる層、正孔輸送層－インターレイヤーの層構成、インターレイヤー－正孔輸送層の層構成、又はその他の、正孔輸送層及びインターレイヤーをそれぞれ１層以上含む任意の層構成を示す。
　「（正孔ブロック層及び／又は電子輸送層）」は、正孔ブロック層のみからなる層、電子輸送層のみからなる層、正孔ブロック層－電子輸送層の層構成、電子輸送層－正孔ブロック層の層構成、又はその他の、正孔ブロック層及び電子輸送層をそれぞれ１層以上含む任意の層構成を示す。以下の層構成の説明においても同様である。
　さらに、本発明の高分子発光素子は、１つの積層構造中に２層の発光層を有することができる。この場合、高分子発光素子は下記の層構成（ｂ）を有する事ができ、または、層構成（ｂ）から、正孔注入層、正孔輸送層、インターレイヤー、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、電極の１層以上を省略した層構成を有してもよい。
（ｂ）陽極－正孔注入層－（正孔輸送層及び／又はインターレイヤー）－発光層－（正孔ブロック層及び／又は電子輸送層）－電子注入層－電極－正孔注入層－（正孔輸送層及び／又はインターレイヤー）－発光層－（正孔ブロック層及び／又は電子輸送層）－電子注入層－陰極
　さらに、本発明の高分子発光素子は、１つの積層構造中に３層以上の発光層を有することができる。この場合、高分子発光素子は下記の層構成（ｃ）を有する事ができ、または、層構成（ｃ）から、正孔注入層、正孔輸送層、インターレイヤー、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、電極の１層以上を省略した層構成としてもよい。
（ｃ）陽極－正孔注入層－（正孔輸送層及び／又はインターレイヤー）－発光層－（正孔ブロック層及び／又は電子輸送層）－電子注入層－繰返し単位Ａ－繰返し単位Ａ・・・－陰極
　ここで、「繰返し単位Ａ」は、電極－正孔注入層－（正孔輸送層及び／又はインターレイヤー）－発光層－（正孔ブロック層及び／又は電子輸送層）－電子注入層の層構成の単位を示す。
　本発明の高分子発光素子の層構成の好ましい具体例としては、下記のものが挙げられる。
（ｄ）陽極－発光層－陰極
（ｅ）陽極－正孔輸送層－発光層－陰極
（ｆ）陽極－発光層－電子輸送層－陰極
（ｇ）陽極－正孔輸送層－発光層－電子輸送層－陰極
　またこれら層構成の各一について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤーを設ける層構成も例示される。すなわち、以下の（ｄ’）～（ｇ’）の層構成が例示される。
（ｄ’）陽極－インターレイヤー－発光層－陰極
（ｅ’）陽極－正孔輸送層－インターレイヤー－発光層－陰極
（ｆ’）陽極－インターレイヤー－発光層－電子輸送層－陰極
（ｇ’）陽極－正孔輸送層－インターレイヤー－発光層－電子輸送層－陰極
　本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子が挙げられる。具体的には、例えば、以下の（ｈ）～（ｓ）の層構成が挙げられる。
（ｈ）陽極－正孔注入層－発光層－陰極
（ｉ）陽極－発光層－電子注入層－陰極
（ｊ）陽極－正孔注入層－発光層－電子注入層－陰極
（ｋ）陽極－正孔注入層－正孔輸送層－発光層－陰極
（ｌ）陽極－正孔輸送層－発光層－電子注入層－陰極
（ｍ）陽極－正孔注入層－正孔輸送層－発光層－電子注入層－陰極
（ｎ）陽極－正孔注入層－発光層－電子輸送層－陰極
（ｏ）陽極－発光層－電子輸送層－電子注入層－陰極
（ｐ）陽極－正孔注入層－発光層－電子輸送層－電子注入層－陰極
（ｑ）陽極－正孔注入層－正孔輸送層－発光層－電子輸送層－陰極
（ｒ）陽極－正孔輸送層－発光層－電子輸送層－電子注入層－陰極
（ｓ）陽極－正孔注入層－正孔輸送層－発光層－電子輸送層－電子注入層－陰極
　また（ｄ’）～（ｇ’）と同様に、これら層構成（ｈ）～（ｓ）の各一について、発光層と陽極との間に、発光層に隣接してインターレイヤーを設ける層構成も例示される。なおこの場合、インターレイヤーが正孔注入層及び／又は正孔輸送層を兼ねてもよい。
　本発明の高分子発光素子は、さらに電極との密着性向上や電極からの電荷（即ち正孔又は電子）の注入の改善のために、電極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層（即ち正孔輸送層又は電子輸送層）又は発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
　積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や輝度半減寿命を勘案して適宜定めてよい。
５．各層を構成する材料
　次に、本発明の高分子発光素子を構成する各層の材料及び形成方法について、より具体的に説明する。
＜基板＞
　本発明の高分子発光素子を構成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、金属フィルム、シリコン基板、これらを積層したものなどが用いられる。前記基板としては、市販のものが入手可能であり、又は公知の方法により製造することができる。
　本発明の高分子発光素子がディスプレイ装置の画素を構成する際には、当該基板上に画素駆動用の回路が設けられていてもよいし、当該駆動回路上に平坦化膜が設けられていてもよい。平坦化膜が設けられる場合には、該平坦化膜の中心線平均粗さ（Ｒａ）がＲａ＜１０ｎｍを満たすことが好ましい。
＜第一電極＞
　本発明において第一電極は通常、上記の通り、反射電極として設けられる。第一電極は、好ましくは陽極として設けられる。かかる第一電極に用いられる材料は上記の通りである。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。
　第一電極の膜厚は、通常１０ｎｍ～１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ～１μｍであり、より好ましくは５０ｎｍ～５００ｎｍである。
　第一電極を反射電極かつ陽極として設ける場合には、高光反射性金属からなる光反射層と４．０ｅＶ以上の仕事関数を有する材料からなる高仕事関数材料層を組み合わせた多層構造が好ましい。
　このような第一電極の具体的な構成例としては、
　Ａｌ
　Ａｇ
　Ａｇ－ＭｏＯ３
　ＡｇとＰｄとＣｕとの合金－ＩＴＯ
　ＡｌとＮｄとの合金－ＩＴＯ
　ＭｏとＣｒとの合金－ＩＴＯ
　Ｃｒ－Ａｌ－Ｃｒ－ＩＴＯ
　Ｃｒ－Ａｇ－Ｃｒ－ＩＴＯ
　Ｃｒ－Ａｇ－Ｃｒ－ＩＴＯ－ＭｏＯ３
　ＡｇとＰｄとＣｕとの合金－ＩＺＯ
　ＡｌとＮｄとの合金－ＩＺＯ
　ＭｏとＣｒとの合金－ＩＺＯ
　Ｃｒ－Ａｌ－Ｃｒ－ＩＺＯ
　Ｃｒ－Ａｇ－Ｃｒ－ＩＺＯ
　Ｃｒ－Ａｇ－Ｃｒ－ＩＺＯ－ＭｏＯ３
　などが例示される。十分な光反射率を得る為に、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金などの高光反射性金属層の膜厚は５０ｎｍ以上である事が好ましく、より好ましくは８０ｎｍ以上である。ＩＴＯ、ＩＺＯなどの高仕事関数材料層の膜厚は通常、５ｎｍ～５００ｎｍの範囲である。
　また、短絡等の電気的接続の不良を防止する観点から、第一電極の発光層側表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）はＲａ＜５ｎｍを満たす事が望ましく、より好ましくはＲａ＜２ｎｍである。
　Ｒａは、日本工業規格ＪＩＳのＪＩＳ－Ｂ０６０１－２００１に基いて、ＪＩＳ－Ｂ０６５１からＪＩＳ－Ｂ０６５６およびＪＩＳ－Ｂ０６７１－１等を参考に計測できる。
＜正孔注入層＞
　正孔注入層は、陽極と正孔輸送層との間、陽極とインターレイヤーとの間、または陽極と発光層との間に設けることができる。
　本発明の高分子発光素子において、正孔注入層を形成する材料としては、カルバゾール若しくはその誘導体、トリアゾール若しくはその誘導体、オキサゾール若しくはその誘導体、オキサジアゾール若しくはその誘導体、イミダゾール若しくはその誘導体、ポリアリールアルカン若しくはその誘導体、ピラゾリン若しくはその誘導体、ピラゾロン若しくはその誘導体、フェニレンジアミン若しくはその誘導体、アリールアミン若しくはその誘導体、スターバースト型アミン、フタロシアニン若しくはその誘導体、アミノ置換カルコン若しくはその誘導体、スチリルアントラセン若しくはその誘導体、フルオレノン若しくはその誘導体、ヒドラゾン若しくはその誘導体、スチルベン若しくはその誘導体、シラザン若しくはその誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）若しくはその誘導体、有機シラン誘導体、およびこれらを含む重合体、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボンが挙げられる。また、ポリアニリン、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）・ポリスチレンスルフォン酸、ポリピロール等の有機導電性材料およびこれらを含む重合体を挙げることができる。さらに、テトラシアノキノジメタン若しくはその誘導体（例えば２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン）、１，４－ナフトキノン若しくはその誘導体、ジフェノキノン若しくはその誘導体、ポリニトロ化合物、などのアクセプター性有機化合物も好適に使用し得る。
　前記材料は単成分であってもあるいは複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記正孔注入層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、正孔輸送層あるいはインターレイヤーで用いることができる材料として列記する材料も正孔注入層で用い得る。
　正孔注入層の膜厚としては、通常、１ｎｍ～１５０ｎｍの範囲であり、膜の平坦性の観点からは２０ｎｍ以上が好ましく、素子の駆動電圧の観点からは８０ｎｍ以下が好ましい。
＜正孔輸送層およびインターレイヤー＞
　正孔輸送層およびインターレイヤーを構成する材料としては、例えば、カルバゾール若しくはその誘導体、トリアゾール若しくはその誘導体、オキサゾール若しくはその誘導体、オキサジアゾール若しくはその誘導体、イミダゾール若しくはその誘導体、ポリアリールアルカン若しくはその誘導体、ピラゾリン若しくはその誘導体、ピラゾロン若しくはその誘導体、フェニレンジアミン若しくはその誘導体、アリールアミン若しくはその誘導体、アミノ置換カルコン若しくはその誘導体、スチリルアントラセン若しくはその誘導体、フルオレノン若しくはその誘導体、ヒドラゾン若しくはその誘導体、スチルベン若しくはその誘導体、シラザン若しくはその誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、およびこれらの構造を含む重合体が挙げられる。また、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリピロール等の有機導電性材料も例として挙げることができる。前記材料は単成分であってもあるいは複数の成分からなる組成物であってもよい。また、前記正孔輸送層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
　具体的には、特開昭６３－７０２５７号公報、特開昭６３－１７５８６０号公報、特開平２－１３５３５９号公報、特開平２－１３５３６１号公報、特開平２－２０９９８８号公報、特開平３－３７９９２号公報、特開平３－１５２１８４号公報、特開平５－２６３０７３号公報、特開平６－１９７２号公報、国際公開第２００５／５２０２７号パンフレット、特開２００６－２９５２０３号公報、等に開示される化合物が正孔輸送性材料として使用できる。中でも、芳香族第三級アミン化合物の構造を含む繰返し単位を含む重合体が、好適に用いられる。
　芳香族第三級アミン化合物の構造を含む繰り返し単位としては、下記一般式（１）で表される繰り返し単位があげられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 　式（１）中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリーレン基または置換基を有していてもよい２価の複素環基を表し、Ａｒ５、Ａｒ６及びＡｒ７は置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい１価の複素環基を表し、ｎ及びｍはそれぞれ独立に、０又は１を表し、０≦ｎ＋ｍ≦２である。
　式（１）中、芳香環上の水素原子はハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基及びカルボキシル基などから選ばれる置換基で置換されていてもよい。
　また、置換基は、ビニル基、エテニル基、ブテニル基、アクリロイル基、アクリレート基、アクリルアミド基、メタクリロイル基、メタクリレート基、メタクリルアミド基、ビニルエーテル基、ビニルアミノ基、シラノール基、小員環（たとえばシクロプロピル基、シクロブチル基、エポキシ基、オキセタニル基、ジケテン基、エピスルフィド基等）を有する基、ラクトン構造を有する基、ラクタム構造を有する基、又はシロキサン若しくはその誘導体の構造を含有する基等の架橋基であってもよい。また、上記の基の他に、エステル結合やアミド結合を形成可能な基の組み合わせ（例えばエステル基とアミノ基、エステル基とヒドロキシル基など）なども架橋基として利用できる。
　さらに、式（１）中、Ａｒ２とＡｒ３が直接または、－Ｏ－、－Ｓ－等の２価の基を介して結合していてもよい。
　アリーレン基としては、フェニレン基等があげられ、２価の複素環基としては、ピリジンジイル基、等があげられ、これらの基は置換基を有していてもよい。
　アリール基としては、フェニル基、ナフチル基等があげられ、１価の複素環基としては、ピリジル基等があげられ、これらの基は置換基を有していてもよい。
　芳香族第三級アミン化合物の構造を含む繰返し単位を含む重合体は、さらに他の繰り返し単位を有していてもよい。他の繰り返し単位としては、フェニレン基、フルオレンジイル基等のアリーレン基があげられる。
　なお、この重合体の中では、架橋基を含んでいるものがより好ましい。
　正孔輸送層およびインターレイヤーの成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
　溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
　溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などのコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法等の塗布法を採用し得る。パターン形成が容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。
　混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
　正孔輸送性材料が、ピラゾリン若しくはその誘導体、アリールアミン若しくはその誘導体、スチルベン若しくはその誘導体、トリフェニルジアミン若しくはその誘導体、等の低分子化合物の場合には、真空蒸着法を用いて正孔輸送層を形成し得る。また、これら低分子正孔輸送性材料を、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、ポリ（２，５－チエニレンビニレン）若しくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン、等の電荷輸送を極度に阻害せず、且つ、可視光に対する吸収が強くない高分子化合物に分散させた混合溶液を用いて塗布法により正孔輸送層を形成してもよい。
　正孔輸送層およびインターレイヤーに続いて発光層を形成する場合、特に、両方の層を塗布法によって形成する場合には、先に形成した層が後から層を形成する際に用いる塗布液に含まれる溶媒に溶解して積層構造を作成できなくなる場合がある。この場合には、下層を溶媒不溶にする方法を用いることができる。溶媒不溶にする方法としては、高分子化合物自体に架橋基を合成的に付けて架橋する方法、芳香族ビスアジドに代表される芳香環を有する架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合させて架橋する方法、アクリレート基に代表される芳香環を有しない架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合させて架橋する方法、下層を加熱して上層作成に用いる有機溶媒に対して不溶化する方法、などが挙げられる。下層を加熱する場合の加熱の温度は通常１５０℃～３００℃程度であり、時間は通常１分～１時間程度である。
　また、架橋以外で下層を溶解させずに積層するその他の方法として、隣り合った層を形成するための溶液に異なる極性の溶液を用いる方法があり、たとえば、下層に極性溶媒に溶解しない高分子化合物を用い、上層の製造において高分子化合物と極性溶媒とを含む塗布液を塗布しても下層が溶解しないようにする方法などがある。
　正孔輸送層およびインターレイヤーの膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなるおそれがある。従って、該正孔輸送層およびインターレイヤーの膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍである。
＜発光層＞
　本発明において発光層は、高分子化合物を含む。具体的には、発光材料として下記の高分子系材料を含む層とすることができる。
　高分子系材料としては、ポリフルオレン若しくはその誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン若しくはその誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン若しくはその誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン若しくはその誘導体（ＰＰＰ）、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ）等の共役系高分子化合物を好適に用い得る。
　また、これら高分子発光材料から成る発光層は、前記共役高分子化合物の他に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系色素化合物や、ルブレン、ペリレン、９，１０－ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子色素化合物を含有しても良い。また、ナフタレン若しくはその誘導体、アントラセン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８－ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン若しくはその誘導体、又はテトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体、Ｉｒ等の金属錯体などの燐光を発光する金属錯体を含有してもよい。
　また、本発明の発光素子が有する発光層は、非共役系高分子化合物［例えば、ポリビニルカルバゾール、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂や、カルバゾール若しくはその誘導体、トリアゾール若しくはその誘導体、オキサゾール若しくはその誘導体、オキサジアゾール若しくはその誘導体、イミダゾール若しくはその誘導体、ポリアリールアルカン若しくはその誘導体、ピラゾリン若しくはその誘導体、ピラゾロン若しくはその誘導体、フェニレンジアミン若しくはその誘導体、アリールアミン若しくはその誘導体、アミノ置換カルコン若しくはその誘導体、スチリルアントラセン若しくはその誘導体、フルオレノン若しくはその誘導体、ヒドラゾン若しくはその誘導体、スチルベン若しくはその誘導体、シラザン若しくはその誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）若しくはその誘導体、有機シラン誘導体を含む重合体］と前記有機色素や金属錯体などの発光性有機化合物との混合組成物から構成されてもよい。
　このような化合物として、高分子発光性材料としては、ＷＯ９９／１３６９２、ＷＯ９９／４８１６０、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＷＯ００／５３６５６、ＷＯ０１／１９８３４、ＷＯ００／５５９２７、ＧＢ２３４８３１６、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ００／０６６６５、ＷＯ９９／５４９４３、ＷＯ９９／５４３８５、ＵＳ５７７７０７０、ＷＯ９８／０６７７３、ＷＯ９７／０５１８４、ＷＯ００／３５９８７、ＷＯ００／５３６５５、ＷＯ０１／３４７２２、ＷＯ９９／２４５２６、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ００／２２０２６、ＷＯ９８／２７１３６、ＷＯ９８／２１２６２、ＵＳ５７４１９２１、ＷＯ９７／０９３９４、ＷＯ９６／２９３５６、ＷＯ９６／１０６１７、ＥＰ０７０７０２０、ＷＯ９５／０７９５５、特開２００１－１８１６１８、特開２００１－１２３１５６、特開２００１－３０４５、特開２０００－３５１９６７、特開２０００－３０３０６６、特開２０００－２９９１８９、特開２０００－２５２０６５、特開２０００－１３６３７９、特開２０００－１０４０５７、特開２０００－８０１６７、特開平１０－３２４８７０、特開平１０－１１４８９１、特開平９－１１１２３３、特開平９－４５４７８等の番号で特定される各公報に開示されているポリフルオレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体及び共重合体、芳香族アミン及びその誘導体の（共）重合体が例示される。
　また、低分子化合物の蛍光性材料としては、例えば特開昭５７－５１７８１号公報、同５９－１９４３９３号公報等に記載されている化合物が例示される。
＜発光層の成膜方法＞
　高分子発光材料を含む発光層の成膜方法としては、正孔輸送層の成膜と同様の方法が挙げられ、発光材料を含む溶液を基体の上又は上方に塗布する方法、真空蒸着法、転写法などを用いることができる。溶液からの成膜に用いる溶媒の具体例としては、前述の溶液から正孔輸送層を成膜する際に正孔輸送材料を溶解させる溶媒と同様の溶媒があげられる。　発光材料を含む溶液を基体の上又は上方に塗布する方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、ノズルコート法などのコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の色分けが容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。また、昇華性の低分子化合物の場合は、真空蒸着法を用いることができる。さらには、レーザーによる転写や熱転写により、所望のところのみに発光層を形成する方法も用いてもよい。
　発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなるおそれがある。従って、発光層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ～２００ｎｍである。
＜電子輸送層および正孔ブロック層＞
　電子輸送層および正孔ブロック層を構成する材料としては、公知のものが使用でき、トリアゾール若しくはその誘導体、オキサゾール若しくはその誘導体、オキサジアゾール若しくはその誘導体、イミダゾール若しくはその誘導体、フルオレノン若しくは誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン若しくは誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン若しくは誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、アントロン若しくはその誘導体、チオピランジオキシド若しくはその誘導体、カルボジイミド若しくはその誘導体、フルオレニリデンメタン若しくはその誘導体、ジスチリルピラジン若しくはその誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン若しくはその誘導体、８－キノリノール若しくはその誘導体（８－ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体）の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体、有機シラン誘導体、などが挙げられる。また、前記電子輸送層および正孔ブロック層は、前記材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、電子注入層で用いることができる材料として列記する材料も正孔注入層で用い得る。
　これらのうち、オキサジアゾール若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、又は８－ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８－キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンが好ましい。
　電子輸送層および正孔ブロック層の成膜法としては特に制限はない。電子輸送層および正孔ブロック層の成膜法としては、例えば、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、又は溶液若しくは溶融状態からの成膜による方法などが挙げられ、高分子電子輸送材料では、溶液又は溶融状態からの成膜による方法などが挙げられる。溶液又は溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液から電子輸送層および正孔ブロック層を成膜する方法としては、例えば、前述の溶液から正孔輸送層を成膜する方法と同様の成膜法があげられる。
　電子輸送層および正孔ブロック層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなるおそれがある。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍである。
＜電子注入層＞
　電子注入層は、電子輸送層と陰極との間、または発光層と陰極との間に設けられる。電子注入層としては、電子輸送層および正孔ブロック層で用いることができる材料として列記した材料を正孔注入層で用いることができる。電子注入層は、２層以上を積層したものであってもよい。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法等により形成される。電子注入層の膜厚としては、１ｎｍ～１μｍ程度が好ましい。
＜絶縁層＞
　本発明の高分子発光素子が任意に有しうる、膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けたもの、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けたものが挙げられる。
６．製造方法
　本発明の高分子発光素子の製造方法は、特に限定されず、基板上に各層を順次積層することにより製造することができる。具体的には、基板上に第一電極を設け、その上に正孔注入層、正孔輸送層、インターレイヤー等の層を必要に応じて設け、その上に発光層を設け、その上に電子輸送層、電子注入層等の層を必要に応じて設け、さらにその上に、第二電極の第１層、第２層及び第３層をこの順に積層することにより製造することができる。ここで、第１層～第３層の積層は、蒸着法により行なうことが好ましく、真空蒸着法により行なうことがより好ましい。
７．ディスプレイ装置および面状光源
　本発明の高分子発光素子は、これを搭載した発光装置とすることができる。発光装置といしては、例えば高分子発光ディスプレイ装置および面状光源などが挙げられる。
　本発明の高分子発光ディスプレイ装置は、前記本発明の高分子発光素子を１画素単位として備える。画素単位の配列の態様は、特に限定されず、テレビ等のディスプレイ装置で通常採られる配列とすることができ、多数の画素が共通の基板上に配列された態様とすることができる。本発明の装置において、基板上に配列される画素は、必要に応じて、バンクで規定される画素領域内に形成してもよい。
　本発明の装置では、第二電極が補助電極（駆動電極と対になる電極）と電気的に接続された態様であることが好ましい。一方、第一電極はアクティブマトリックス駆動方式のための回路を伴った駆動電極として設けられ、アクティブマトリックス駆動方式のディスプレイ装置とすることが好ましい。
　本発明の装置は、さらに必要に応じて、発光層等を挟んで基板と反対側に、封止部材を有することができる。また、さらに必要に応じて、カラーフィルター又は蛍光変換フィルター等のフィルター、画素の駆動に必要な回路及び配線等の、ディスプレイ装置を構成するための任意の構成要素を備えてもよい。
　本発明の装置においては、第一電極が反射電極、第二電極が透過電極となり、基板と反対側の面から出光するトップエミッション方式の装置とし得る。当該構成を採用することにより、第一電極を駆動電極とし、駆動回路の設計の自由度を確保しながら出光面積を広くとることができ、その結果表示品質、駆動性能、輝度半減寿命などの優れた表示装置とし得る。ただし、本発明の装置は必ずしもこれには限られず、例えば両面を透明又は半透明の電極とし、両面に発光する装置とし得る。
　また、本発明の面状光源は、前記本発明の高分子発光素子を備える発光装置である。面状光源は、平面形状の基板に前記高分子発光素子を搭載させた装置としてもよいし、或いは曲面形状の基板に前記高分子発光素子を搭載させた装置としてもよい。曲面状の面状光源とする場合には、例えば、フレキシブルな薄型基板に平面形状の状態で前記高分子発光素子を形成し、前記高分子発光素子が基板に搭載された後にその基板を適宜曲げることによって作製し得る。面状光源は、例えば照明用光源、液晶表示装置などバックライト用光源、スキャナなどの光源等の様々な光源として用い得る。
　以下において、本発明を実施例及び比較例を参照してより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
　＜実施例１＞
　（１－１：陽極及びバッファ層の形成）
　ガラス基板上に、真空蒸着法にて、第一電極である厚さ１００ｎｍの銀層を成膜した。本銀層は反射率９０％の光反射陽極である。さらに、真空を保ったまま、光反射陽極上に、正孔注入層として、厚さ１０ｎｍのＭｏＯ３層をさらに成膜した。
　（１－２：正孔輸送層の形成）
　正孔輸送性高分子材料及びキシレンを０．７重量％の割合で混合し、正孔輸送層形成用組成物を得た。
　上記（１－１）で得た、陽極及び正孔注入層を有する基板を真空装置より取り出し、正孔注入層の上に、正孔輸送層形成用組成物をスピンコート法により塗布し、膜厚２０ｎｍの塗膜を得た。
　この塗膜を設けた基板を１９０℃で２０分間加熱し、塗膜を不溶化させた後、室温まで自然冷却させ、正孔輸送層を得た。
　（１－３：発光層の形成）
　発光高分子材料及びキシレンを１．４重量％の割合で混合し、発光層形成用組成物を得た。
　上記（１－２）で得た、陽極、正孔注入層、及び正孔輸送層を有する基板の正孔輸送層の上に、発光層形成用組成物をスピンコート法により塗布し、膜厚８０ｎｍの塗膜を得た。　この塗膜を設けた基板を１３０℃で２０分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、発光層を得た。
　（１－４：陰極の形成）
　上記（１－３）で得た、陽極、正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を有する基板の発光層の上に、真空蒸着法によって、第二電極の第１層である５ｎｍのＢａ層、第２層である５ｎｍのＣａ層、第３層である１５ｎｍのＳｎ－Ａｇ合金（モル比はＳｎ：Ａｇ＝９６：４）層を、連続的に成膜し、第１層～第３層からなる陰極を形成した。なお、第３層の可視光の透過率は４０％以上であった。
　（１－５：封止）
　上記（１－４）で得た、積層を有する基板を真空蒸着装置より取り出し、窒素雰囲気下で、封止ガラス及び２液混合エポキシ樹脂にて封止し、発光素子１を得た。
　（１－６：評価）
　上記（１－５）で得られた素子に、０Ｖ～１２Ｖまでの電圧を印加し、最大発光効率を測定した。また、輝度１０００ｃｄ／ｍ２時の駆動電圧を測定した。さらに、初期輝度６０００ｃｄ／ｍ２となる電流で通電し、一定電流を通電の下、輝度半減寿命を測定した。結果を表１に示す。
＜実施例２＞
　陰極の第３層として１５ｎｍのＣｕ層を成膜した他は、実施例１と同様に操作し、発光素子２を得て評価した。結果を表１に示す。なお、第３層の可視光の透過率は４０％以上であった。
＜実施例３＞
　陰極の第２層として１ｎｍのＡｌ層、第３層として１５ｎｍのＣｕ層を成膜した他は、実施例１と同様に操作し、発光素子３を得て評価した。結果を表１に示す。なお、第３層の可視光の透過率は４０％以上であった。
＜実施例４＞
　陰極の第３層として１５ｎｍのＡｇ層を成膜した他は、実施例３と同様に操作し、発光素子４を得て評価した。結果を表１に示す。なお、第３層の可視光の透過率は４０％以上であった。
＜比較例１＞
　陰極のＣａ層を成膜せず、第１層上に直接１５ｎｍのＳｎ－Ａｇ合金層を成膜した他は、実施例１と同様に操作し、その第２電極が２つの層からなる発光素子５を得て評価した。結果を表１に示す。
＜比較例２＞
　陰極のＣａ層を成膜せず、第１層上に直接１５ｎｍのＣｕ層を成膜した他は、実施例１と同様に操作し、その第２電極が２つの層からなる発光素子６を得て評価した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　実施例１と比較例１とを参照すれば明らかな通り、Ｂａの第１層、Ｃａの第２層、及びＳｎ－Ａｇ合金の第３層の３層からなる陰極を使用すると、かかる第２層を省略しＢａの層及びＳｎ－Ａｇ合金の層の２層のみからなる陰極を使用した場合に比べて、発光効率が顕著に優れていた。また、輝度半減寿命も顕著に優れていた。
　また、実施例２、実施例３及び比較例２を参照すれば明らかな通り、Ｂａの第１層、Ｃａ又はＡｌの第２層、及びＣｕの第３層の３層からなる陰極を使用すると、かかる第２層を省略しＢａの層及びＣｕの層の２層のみからなる陰極を使用した場合に比べて、発光効率が優れていた。また、輝度半減寿命も優れていた。
　さらに、実施例４に示される通り、Ｂａの第１層及びＡｌの第２層に加えて第３層としてＡｇのみからなる層を用いた場合が、発光効率及び輝度半減寿命のいずれにおいても、最も優れていた。
＜実施例５＞
　陰極の第１層として３．５ｎｍのＬｉＦ層、第２層として４ｎｍのＣａ層、第３層として１５ｎｍのＡｇ層を成膜した他は、実施例１と同様に操作し、発光素子７を得て評価した。結果を表２に示す。なお、第３層の可視光の透過率は４０％以上であった。
＜比較例３＞
　陰極の第１層として３．５ｎｍのＬｉＦ層を成膜し、Ｃａ層を成膜せず第１層上に直接１５ｎｍのＡｇ層を成膜した他は、実施例１と同様に操作し、その第２電極が２つの層からなる発光素子８を得て評価した。結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　実施例５と比較例３とを参照すれば明らかな通り、ＬｉＦの第１層、Ｃａの第２層、及びＡｇの第３層の３層からなる陰極を使用すると、かかる第２層を省略しＬｉＦの層及びＡｇの層の２層のみからなる陰極を使用した場合に比べて、発光効率が顕著に優れていた。また、輝度半減寿命も顕著に優れていた。
＜実施例６＞
　陰極の第１層として３．８ｎｍのＮａＦ層、第２層として共蒸着法を用いて１０ｎｍのＭｇ－Ａｇ混合層（混合モル比率、Ｍｇ：Ａｇ＝２：８）、第３層として５ｎｍのＡｇ層を成膜した他は、実施例１と同様に操作し、発光素子９を得て評価した。結果を表３に示す。なお、第３層の可視光の透過率は４０％以上であった。
＜実施例７＞
　陰極の第１層として３．８ｎｍのＮａＦ層、第２層として共蒸着法を用いて１０ｎｍのＭｇ－Ａｇ混合層（混合モル比率、Ｍｇ：Ａｇ＝３：７）、第３層として５ｎｍのＡｇ層を成膜した他は、実施例１と同様に操作し、発光素子１０を得て評価した。結果を表３に示す。なお、第３層の可視光の透過率は４０％以上であった。
＜実施例８＞
　陰極の第１層として３．８ｎｍのＮａＦ層、第２層として共蒸着法を用いて１０ｎｍのＭｇ－Ａｇ混合層（混合モル比率、Ｍｇ：Ａｇ＝５：５）、第３層として５ｎｍのＡｇ層を成膜した他は、実施例１と同様に操作し、発光素子１１を得て評価した。結果を表３に示す。なお、第３層の可視光の透過率は４０％以上であった。
＜実施例９＞
　陰極の第１層として３．８ｎｍのＮａＦ層、第２層として共蒸着法を用いて１０ｎｍのＭｇ－Ａｇ混合層（混合モル比率、Ｍｇ：Ａｇ＝８：２）、第３層として５ｎｍのＡｇ層を成膜した他は、実施例１と同様に操作し、発光素子１２を得て評価した。結果を表３に示す。なお、第３層の可視光の透過率は４０％以上であった。
＜比較例４＞
　陰極の第１層として３．８ｎｍのＮａＦ層を成膜し、Ｍｇ－Ａｇ混合層を成膜せず、第１層上に直接１５ｎｍのＡｇ層を成膜した他は、実施例１と同様に操作し、その第２電極が２つの層からなる発光素子１３を得て評価した。結果を表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表３を参照すれば明らかな通り、陰極の第１層としてＮａＦを用いた場合、陰極の第２層としてＭｇ－Ａｇ混合層を使用すると、かかる第２層を省略した比較例４では電界発光が得られない結果に対して、発光特性が顕著に優れていた。
　また、実施例６～９を参照すれば明らかな通り、陰極の第１層としてＮａＦを用いた場合、陰極の第２層として用いたＭｇ-Ａｇ混合層のＭｇモル割合が２０％～３０％である実施例６および７は、かかるＭｇモル割合が５０％以上の実施例８および９に較べて、発光効率および輝度半減寿命が優れていた。
　また、表３を参照すれば明らかな通り、陰極の第１層としてＮａＦを用いた実施例６～９は、かかる陰極第１層としてＢａを用いた実施例４と比較して、駆動電圧が低く、消費電力の観点で優れていた。
　＜実施例１０＞
　（２－１：陽極及びバッファ層の形成）
　ガラス基板上に、真空蒸着法にて、第一電極である厚さ１００ｎｍの銀層を成膜した。本銀層は反射率９０％の光反射陽極である。さらに、真空を保ったまま、光反射陽極上に、正孔注入層として、厚さ１０ｎｍのＭｏＯ３層をさらに成膜した。
　（２－２：正孔輸送層の形成）
　正孔輸送性高分子材料及びキシレンを０．７重量％の割合で混合し、正孔輸送層形成用組成物を得た。ここで下記式（２）で示される正孔輸送性高分子材料は、国際公開第２００５／５２０２７号パンフレットにおいて、Ｐ１として例示される下記化合物を用いた。該正孔輸送性高分子材料は国際公開第２００５／５２０２７号パンフレットのＳｃｈｅｍｅ１の方法を用いて製造した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　上記（２－１）で得た、陽極及び正孔注入層を有する基板を真空蒸着装置より取り出し、正孔注入層の上に正孔輸送層形成用組成物を塗布し、スピンコート法によって膜厚２０ｎｍの塗膜を得た。
　この塗膜を設けた基板を１９０℃で２０分間加熱し、塗膜を不溶化させた後、室温まで自然冷却させ、正孔輸送層を得た。
　（２－３：発光層の形成）
　発光高分子材料及びキシレンを１．３重量％の割合で混合し、発光層形成用組成物を得た。ここで発光高分子材料は、サメイション（株）製Ｌｕｍａｔｉｏｎ　ＧＰ１３００を用いた。
　上記（２－２）で得た、陽極、正孔注入層、及び正孔輸送層を有する基板の正孔輸送層の上に、発光層形成用組成物を塗布し、スピンコート法によって膜厚８０ｎｍの塗膜を得た。この塗膜を設けた基板を１３０℃で２０分間加熱し、溶媒を蒸発させた後、室温まで自然冷却させ、発光層を得た。
　（２－４：陰極の形成）
　上記（２－３）で得た、陽極、正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を有する基板の発光層の上に、真空蒸着法によって、第二電極の第１層である５ｎｍのＢａ層、第２層である１．５ｎｍのＡｌ層、第３層である１５ｎｍのＡｇ層を、連続的に成膜し、第１層～第３層からなる陰極を形成した。なお、第３層の可視光の透過率は４０％以上であった。
　（２－５：封止）
　上記（２－４）で得た、積層を有する基板を真空蒸着装置より取り出し、窒素雰囲気下で、封止ガラス及び２液混合エポキシ樹脂にて封止し、発光素子１４を得た。
　（２－６：評価）
　上記（２－５）で得られた素子を実施例１と同様に評価した。結果を表４に示す。
　＜実施例１１＞
　陰極の第１層として３ｎｍのＮａＦ層、第２層として共蒸着法を用いて１０ｎｍのＭｇ－Ａｇ混合層（混合モル比率、Ｍｇ：Ａｇ＝３：７）、第３層として５ｎｍのＡｇ層を成膜した他は、実施例１０と同様に操作し、発光素子１５を得て評価した。結果を表４に示す。なお、第３層の可視光の透過率は４０％以上であった。
＜比較例５＞
　陰極の第１層として５ｎｍのＢａ層を成膜し、Ａｌ層を成膜せず、第１層上に直接１５ｎｍのＡｇ層を成膜した他は、実施例１０と同様に操作し、その第２電極が２つの層からなる発光素子１６を得て評価した。結果を表４に示す。
＜比較例６＞
　陰極の第１層として３．８ｎｍのＮａＦ層を成膜し、Ｍｇ－Ａｇ混合層を成膜せず、第１層上に直接１５ｎｍのＡｇ層を成膜した他は、実施例１０と同様に操作し、その第２電極が２つの層からなる発光素子１７を得て評価した。結果を表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　実施例１０と比較例５を参照すれば明らかな通り、陰極の第１層としてＢａを用いた場合、陰極の第２層としてＡｌ層を使用すると、かかる第２層を省略した比較例５に較べ、発光効率が優れ、且つ、輝度半減寿命が優れていた。
　実施例１１と比較例６を参照すれば明らかな通り、陰極の第１層としてＮａＦを用いた場合、陰極の第２層としてＭｇ－Ａｇ混合層を使用すると、かかる第２層を省略した比較例６では電界発光が得られない結果に対して、発光特性が顕著に優れていた。

Claims (18)

  1. 　第一電極、第二電極、及び前記第一電極と第二電極との間に設けられ高分子化合物を含む発光層を有する高分子発光素子であって、
    　前記第二電極が前記発光層側から順に、第１層、第２層及び第３層の３層からなり、
    　前記第２層に含まれる材料の少なくとも１種類が前記第１層に含まれる材料の少なくとも１種類に対して還元作用を有し、且つ前記第３層の可視光の透過率が４０％以上であることを特徴とする高分子発光素子。
  2. 　前記第２層に含まれる材料の全種類がそれぞれ前記第１層に含まれる材料の全種類に対して還元作用を有する、請求項１に記載の高分子発光素子。
  3. 　前記第１層が金属、金属酸化物、金属フッ化物、及びこれらの混合物からなる群より選択される材料を含む、請求項１に記載の高分子発光素子。
  4. 　前記第２層が、カルシウム、アルミニウム、マグネシウム、及びこれらの混合物からなる群より選択される金属を含む、請求項１に記載の高分子発光素子。
  5. 　前記第１層が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属のフッ化物、アルカリ土類金属のフッ化物、及びこれらの混合物からなる群より選択される材料を含む、請求項１に記載の高分子発光素子。
  6. 　第一電極、第二電極、及び前記第一電極と第二電極との間に設けられ高分子化合物を含む発光層を有する高分子発光素子であって、
    　前記第二電極が前記発光層側から順に、第１層、第２層及び第３層の３層からなり、
    　前記第１層が金属、金属酸化物、金属フッ化物、及びこれらの混合物からなる群より選択される材料を含み、
    　前記第２層がカルシウム、アルミニウム、マグネシウム、及びこれらの混合物からなる
    群より選択される金属を含み、且つ、
    　前記第３層の可視光の透過率が４０％以上であることを特徴とする高分子発光素子。
  7. 　前記第１層が金属酸化物および／または金属フッ化物を含み、前記第２層に含まれる材料が、前記第１層に含まれる材料に対する還元剤である請求項６に記載の高分子発光素子。
  8. 　前記第１層が金属を含み、前記第２層に含まれる材料が、前記第１層に含まれる金属の酸化物に対する還元剤である請求項７に記載の高分子発光素子。
  9. 　前記第１層が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属のフッ化物、アルカリ土類金属のフッ化物、及びこれらの混合物からなる群より選択される材料を含む、請求項６に記載の高分子発光素子。
  10. 　前記第１層がバリウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、及びこれらの混合物からなる群より選択される材料を含む請求項９に記載の高分子発光素子。
  11. 　前記第１層がナトリウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、及びこれらの混合物からなる群より選択される材料を含む請求項９に記載の高分子発光素子。
  12. 　前記第１層がルビジウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、及びこれらの混合物からなる群より選択される材料を含む請求項９に記載の高分子発光素子。
  13. 　前記第３層が、金、銀、銅、錫、鉛、ニッケル、インジウム、及びこれらの合金からなる群より選択される材料からなり、その膜厚が５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である請求項１または６に記載の高分子発光素子。
  14. 　前記第一電極の可視光に対する反射率が８０％以上である請求項１または６に記載の高分子発光素子。
  15. 　請求項１または６に記載の高分子発光素子の製造方法であって、
    　基板上に第一電極を設ける工程、
    　第一電極の上に発光層を設ける工程、及び
    　発光層の上に第二電極を設ける工程を含み、
    　前記第二電極を設ける工程が、
    　発光層の上に第１層を設ける工程、
    　第１層の上に第２層を設ける工程、及び
    　第２層の上に第３層を設ける工程を含むことを特徴とする製造方法。
  16. 　前記発光層の上に第１層を設ける工程、第１層の上に第２層を設ける工程、及び第２層の上に第３層を設ける工程を、真空蒸着法により行なう請求項１５に記載の製造方法。
  17. 　請求項１または６に記載の高分子発光素子を１画素単位として備える高分子発光ディスプレイ装置。
  18. 　請求項１または６に記載の高分子発光素子を有する面状光源。
PCT/JP2008/073610 2007-12-28 2008-12-25 高分子発光素子、製造方法及び高分子発光ディスプレイ装置 WO2009084590A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008801227299A CN101911833A (zh) 2007-12-28 2008-12-25 高分子发光元件、制造方法以及高分子发光显示装置
EP08868190.3A EP2234459B1 (en) 2007-12-28 2008-12-25 Polymer light-emitting device, method for manufacturing the same and polymer light-emitting display device
US12/810,778 US8895961B2 (en) 2007-12-28 2008-12-25 Polymer light emitting element, method for manufacturing the same and polymer light emitting display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007341228 2007-12-28
JP2007-341228 2007-12-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2009084590A1 true WO2009084590A1 (ja) 2009-07-09

Family

ID=40824304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2008/073610 WO2009084590A1 (ja) 2007-12-28 2008-12-25 高分子発光素子、製造方法及び高分子発光ディスプレイ装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8895961B2 (ja)
EP (1) EP2234459B1 (ja)
JP (1) JP2009176730A (ja)
KR (1) KR20100106426A (ja)
CN (1) CN101911833A (ja)
TW (1) TWI578850B (ja)
WO (1) WO2009084590A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101710612A (zh) * 2009-11-13 2010-05-19 清华大学 一种有机电致发光器件
JP2010146895A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN101916830A (zh) * 2010-07-14 2010-12-15 中国科学院长春应用化学研究所 白色有机电致发光器件及其制备方法
CN102714902A (zh) * 2010-01-15 2012-10-03 住友化学株式会社 高分子发光元件
JP2014049696A (ja) * 2012-09-03 2014-03-17 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機電界発光素子
CN105489779A (zh) * 2014-10-01 2016-04-13 三星显示有限公司 有机发光元件以及包含该有机发光元件的有机发光装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110038513A (ko) * 2009-10-08 2011-04-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2011165653A (ja) * 2010-01-14 2011-08-25 Canon Inc 有機ｅｌ素子およびそれを用いた発光装置
CN102447072A (zh) * 2010-10-12 2012-05-09 西安文景光电科技有限公司 铝与氧化钼共混薄膜作为阳极的有机电致发光器件
JP5969216B2 (ja) * 2011-02-11 2016-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、表示装置、照明装置、及びこれらの作製方法
JP5939564B2 (ja) * 2012-02-06 2016-06-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子の製造方法
CN103296217A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
JP6945983B2 (ja) * 2016-10-06 2021-10-06 住友化学株式会社 有機ｅｌデバイス、表示素子及び有機ｅｌデバイスの製造方法
CN108281565A (zh) * 2017-01-05 2018-07-13 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种电极及应用其的有机电致发光器件
CN108281562B (zh) 2017-01-05 2020-06-19 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种电极及应用其的有机电致发光器件
CN114068826A (zh) * 2020-08-03 2022-02-18 湖南鼎一致远科技发展有限公司 一种空穴传输层和色带及其制备方法

Citations (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5751781A (en) 1980-07-17 1982-03-26 Eastman Kodak Co Organic electroluminiscent cell and method
JPS59194393A (ja) 1983-03-25 1984-11-05 イ−ストマン　コダツク　カンパニ− 改良された電力転換効率をもつ有機エレクトロルミネツセント装置
JPS6370257A (ja) 1986-09-12 1988-03-30 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用電荷輸送材料
JPH02135359A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135361A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02209988A (ja) 1989-02-10 1990-08-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JPH0337992A (ja) 1989-07-04 1991-02-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH03152184A (ja) 1989-11-08 1991-06-28 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
JPH05263073A (ja) 1992-03-17 1993-10-12 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH061972A (ja) 1991-06-05 1994-01-11 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1995007955A1 (de) 1993-09-15 1995-03-23 Hoechst Aktiengesellschaft Verwendung von polymeren mit isolierten chromophoren als elektrolumineszenzmaterialien
WO1996010617A1 (de) 1994-09-30 1996-04-11 Hoechst Aktiengesellschaft Poly(paraphenylenvinylen)-derivate und ihre verwendung als elektrolumineszenzmaterialien
EP0707020A2 (de) 1994-10-14 1996-04-17 Hoechst Aktiengesellschaft Konjugierte Polymere mit Spirozentren und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
WO1996029356A2 (de) 1995-03-20 1996-09-26 Hoechst Aktiengesellschaft OLIGO-p-PHENYLEN-EINHEITEN ENTHALTENDE POLYMERE, VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG SOWIE IHRE VERWENDUNG
WO1997005184A1 (en) 1995-07-28 1997-02-13 The Dow Chemical Company 2,7-aryl-9-substituted fluorenes and 9-substituted fluorene oligomers and polymers
JPH0945478A (ja) 1995-02-01 1997-02-14 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1997009394A1 (de) 1995-09-04 1997-03-13 Hoechst Research & Technology Deutschland Gmbh & Co. Kg Polymere mit triarylamin-einheiten als elektrolumineszenzmaterialien
JPH09111233A (ja) 1995-10-16 1997-04-28 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1998006773A1 (en) 1996-08-13 1998-02-19 The Dow Chemical Company Poly(arylamines) and films thereof
US5741921A (en) 1994-11-25 1998-04-21 Hoechst Aktiengesellschaft Conjugated polymers containing hetero-spiro atoms and their use as electroluminescence materials
JPH10114891A (ja) 1996-08-21 1998-05-06 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1998021262A1 (de) 1996-11-13 1998-05-22 Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg Geordnete poly(arylenvinylen)-terpolymere, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung als elektrolumineszenzmaterialien
WO1998027136A1 (de) 1996-12-16 1998-06-25 Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg ARYLSUBSTITUIERTE POLY(p-ARYLENVINYLENE), VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND DEREN VERWENDUNG IN ELEKTROLUMINESZENZBAUELEMENTEN
US5777070A (en) 1997-10-23 1998-07-07 The Dow Chemical Company Process for preparing conjugated polymers
JPH10324870A (ja) 1997-05-23 1998-12-08 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1999013692A1 (en) 1997-09-05 1999-03-18 Cambridge Display Technology Limited SELF-ASSEMBLED TRANSPORT LAYERS FOR OLEDs
WO1999024526A1 (de) 1997-11-05 1999-05-20 Axiva Gmbh Substituierte poly(arylenvinylene), verfahren zur herstellung und deren verwendung in elektrolumineszenzelementen
WO1999048160A1 (en) 1998-03-13 1999-09-23 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
WO1999054385A1 (en) 1998-04-21 1999-10-28 The Dow Chemical Company Fluorene-containing polymers and electroluminescent devices therefrom
WO1999054943A1 (en) 1998-04-21 1999-10-28 The Dow Chemical Company Organic electroluminescent devices with improved stability in air
WO2000006665A1 (en) 1998-07-28 2000-02-10 The Dow Chemical Company Organic electroluminescent devices
GB2340304A (en) 1998-08-21 2000-02-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic light emitters
JP2000068065A (ja) * 1998-08-13 2000-03-03 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2000080167A (ja) 1997-07-22 2000-03-21 Sumitomo Chem Co Ltd 正孔輸送性高分子とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000104057A (ja) 1998-07-27 2000-04-11 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および高分子発光素子
WO2000022026A1 (de) 1998-10-10 2000-04-20 Celanese Ventures Gmbh Konjugierte polymere, enthaltend spezielle fluoren-bausteine mit verbesserten eigenschaften
WO2000022027A1 (de) 1998-10-10 2000-04-20 Celanese Ventures Gmbh Konjugierte polymere enthaltend 2,7-fluorenyleinheiten mit verbesserten eigenschaften
JP2000136379A (ja) 1998-06-10 2000-05-16 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2000035987A1 (de) 1998-12-15 2000-06-22 Celanese Ventures Gmbh Verfahren zur herstellung von derivaten des polyarylenvinylen
WO2000046321A1 (en) 1999-02-04 2000-08-10 The Dow Chemical Company Fluorene copolymers and devices made therefrom
JP2000252065A (ja) 1999-02-25 2000-09-14 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子発光素子
WO2000053656A1 (en) 1999-03-05 2000-09-14 Cambridge Display Technology Limited Polymer preparation
WO2000053655A1 (de) 1998-02-13 2000-09-14 Celanese Ventures Gmbh Triptycen-polymere und -copolymere
WO2000055927A1 (en) 1999-03-12 2000-09-21 Cambridge Display Technology Limited Polymers, their preparation and uses
GB2348316A (en) 1999-03-26 2000-09-27 Cambridge Display Tech Ltd Organic opto-electronic device
JP2000299189A (ja) 1999-02-09 2000-10-24 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子発光素子ならびにそれを用いた表示装置および面状光源
JP2000303066A (ja) 1999-04-21 2000-10-31 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2000351967A (ja) 1999-04-09 2000-12-19 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2001003045A (ja) 1999-04-21 2001-01-09 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
WO2001019834A1 (en) 1999-09-16 2001-03-22 Cambridge Display Technology Limited Preparation of benzenediboronic acid via a disilylated aryl-intermediate
JP2001123156A (ja) 1999-08-03 2001-05-08 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
WO2001034722A1 (de) 1999-11-09 2001-05-17 Covion Organic Semiconductors Gmbh Substituierte poly(arylenvinylene), verfahren zur herstellung und deren verwendung in elektrolumineszenzvorrichtungen
JP2001181618A (ja) 1999-12-27 2001-07-03 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体の製造方法および高分子発光素子
JP2004079422A (ja) 2002-08-21 2004-03-11 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2005135624A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Sharp Corp 有機ｅｌ素子
WO2005052027A1 (en) 2003-11-17 2005-06-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Crosslinkable arylamine compounds and conjugated oligomers of polymers based thereon
WO2006049579A1 (en) * 2004-11-01 2006-05-11 Agency For Science, Technology And Research Poly(arylenevinylene) and poly(heteroarylenevinylene) light emitting polymers and polymer light-emitting devices
JP2006186317A (ja) * 2004-11-11 2006-07-13 Samsung Electronics Co Ltd 多層構造のナノ結晶およびその製造方法
JP2007129170A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Mitsubishi Chemicals Corp アルカリ金属原子及びフラーレン類を含有する層を有する有機電界発光素子及びその製造方法
JP2007265792A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007329054A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Toppoly Optoelectronics Corp 画像表示装置
JP2008041692A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69729394T2 (de) 1996-11-29 2005-06-02 Idemitsu Kosan Co. Ltd. Organische elektrolumineszente Vorrichtung
US7226966B2 (en) * 2001-08-03 2007-06-05 Nanogram Corporation Structures incorporating polymer-inorganic particle blends
JP2001338755A (ja) * 2000-03-21 2001-12-07 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
TW515223B (en) * 2000-07-24 2002-12-21 Tdk Corp Light emitting device
JP4060113B2 (ja) * 2002-04-05 2008-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
CN1320022C (zh) * 2002-12-25 2007-06-06 株式会社半导体能源研究所 高分子化合物、电致发光元件及发光装置
JP2004292436A (ja) * 2003-03-07 2004-10-21 Dainippon Printing Co Ltd 有機化合物、及び有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1607392A1 (en) * 2003-03-17 2005-12-21 Hirose Engineering Co., Ltd. Blue light-emitting compound, method for producing same and light-emitting device utilizing same
JP2004311403A (ja) 2003-03-27 2004-11-04 Seiko Epson Corp エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
JP4526776B2 (ja) * 2003-04-02 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
US7429822B2 (en) 2003-10-28 2008-09-30 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescence device having a cathode with a metal layer that includes a first metal and a low work function metal
JP4366686B2 (ja) 2003-10-29 2009-11-18 富士電機ホールディングス株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2005140275A (ja) 2003-11-07 2005-06-02 Nsk Ltd プラネタリギヤ装置
EP1712109A4 (en) 2003-12-30 2008-03-19 Agency Science Tech & Res FLEXIBLE ELECTROLUMINESCENT DEVICES
US7202504B2 (en) * 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
EP1753839B1 (en) * 2004-05-21 2011-07-20 Showa Denko K.K. Polymer light-emitting material and organic light emitting element
US20060199035A1 (en) * 2005-03-02 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Organic electroluminescent device
JP5017820B2 (ja) * 2005-09-01 2012-09-05 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
KR100645707B1 (ko) * 2006-01-27 2006-11-15 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
US20070290604A1 (en) 2006-06-16 2007-12-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescent device and method of producing the same
JP5326093B2 (ja) * 2006-11-22 2013-10-30 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5751781A (en) 1980-07-17 1982-03-26 Eastman Kodak Co Organic electroluminiscent cell and method
JPS59194393A (ja) 1983-03-25 1984-11-05 イ−ストマン　コダツク　カンパニ− 改良された電力転換効率をもつ有機エレクトロルミネツセント装置
JPS6370257A (ja) 1986-09-12 1988-03-30 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用電荷輸送材料
JPH02135359A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135361A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02209988A (ja) 1989-02-10 1990-08-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JPH0337992A (ja) 1989-07-04 1991-02-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH03152184A (ja) 1989-11-08 1991-06-28 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
JPH061972A (ja) 1991-06-05 1994-01-11 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH05263073A (ja) 1992-03-17 1993-10-12 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1995007955A1 (de) 1993-09-15 1995-03-23 Hoechst Aktiengesellschaft Verwendung von polymeren mit isolierten chromophoren als elektrolumineszenzmaterialien
WO1996010617A1 (de) 1994-09-30 1996-04-11 Hoechst Aktiengesellschaft Poly(paraphenylenvinylen)-derivate und ihre verwendung als elektrolumineszenzmaterialien
EP0707020A2 (de) 1994-10-14 1996-04-17 Hoechst Aktiengesellschaft Konjugierte Polymere mit Spirozentren und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
US5741921A (en) 1994-11-25 1998-04-21 Hoechst Aktiengesellschaft Conjugated polymers containing hetero-spiro atoms and their use as electroluminescence materials
JPH0945478A (ja) 1995-02-01 1997-02-14 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1996029356A2 (de) 1995-03-20 1996-09-26 Hoechst Aktiengesellschaft OLIGO-p-PHENYLEN-EINHEITEN ENTHALTENDE POLYMERE, VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG SOWIE IHRE VERWENDUNG
WO1997005184A1 (en) 1995-07-28 1997-02-13 The Dow Chemical Company 2,7-aryl-9-substituted fluorenes and 9-substituted fluorene oligomers and polymers
WO1997009394A1 (de) 1995-09-04 1997-03-13 Hoechst Research & Technology Deutschland Gmbh & Co. Kg Polymere mit triarylamin-einheiten als elektrolumineszenzmaterialien
JPH09111233A (ja) 1995-10-16 1997-04-28 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1998006773A1 (en) 1996-08-13 1998-02-19 The Dow Chemical Company Poly(arylamines) and films thereof
JPH10114891A (ja) 1996-08-21 1998-05-06 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1998021262A1 (de) 1996-11-13 1998-05-22 Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg Geordnete poly(arylenvinylen)-terpolymere, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung als elektrolumineszenzmaterialien
WO1998027136A1 (de) 1996-12-16 1998-06-25 Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg ARYLSUBSTITUIERTE POLY(p-ARYLENVINYLENE), VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND DEREN VERWENDUNG IN ELEKTROLUMINESZENZBAUELEMENTEN
JPH10324870A (ja) 1997-05-23 1998-12-08 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000080167A (ja) 1997-07-22 2000-03-21 Sumitomo Chem Co Ltd 正孔輸送性高分子とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1999013692A1 (en) 1997-09-05 1999-03-18 Cambridge Display Technology Limited SELF-ASSEMBLED TRANSPORT LAYERS FOR OLEDs
US5777070A (en) 1997-10-23 1998-07-07 The Dow Chemical Company Process for preparing conjugated polymers
WO1999024526A1 (de) 1997-11-05 1999-05-20 Axiva Gmbh Substituierte poly(arylenvinylene), verfahren zur herstellung und deren verwendung in elektrolumineszenzelementen
WO2000053655A1 (de) 1998-02-13 2000-09-14 Celanese Ventures Gmbh Triptycen-polymere und -copolymere
JP2006295203A (ja) 1998-03-13 2006-10-26 Cambridge Display Technol Ltd エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
WO1999048160A1 (en) 1998-03-13 1999-09-23 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
WO1999054385A1 (en) 1998-04-21 1999-10-28 The Dow Chemical Company Fluorene-containing polymers and electroluminescent devices therefrom
WO1999054943A1 (en) 1998-04-21 1999-10-28 The Dow Chemical Company Organic electroluminescent devices with improved stability in air
JP2000136379A (ja) 1998-06-10 2000-05-16 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000104057A (ja) 1998-07-27 2000-04-11 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および高分子発光素子
WO2000006665A1 (en) 1998-07-28 2000-02-10 The Dow Chemical Company Organic electroluminescent devices
JP2000068065A (ja) * 1998-08-13 2000-03-03 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
GB2340304A (en) 1998-08-21 2000-02-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic light emitters
WO2000022027A1 (de) 1998-10-10 2000-04-20 Celanese Ventures Gmbh Konjugierte polymere enthaltend 2,7-fluorenyleinheiten mit verbesserten eigenschaften
WO2000022026A1 (de) 1998-10-10 2000-04-20 Celanese Ventures Gmbh Konjugierte polymere, enthaltend spezielle fluoren-bausteine mit verbesserten eigenschaften
WO2000035987A1 (de) 1998-12-15 2000-06-22 Celanese Ventures Gmbh Verfahren zur herstellung von derivaten des polyarylenvinylen
WO2000046321A1 (en) 1999-02-04 2000-08-10 The Dow Chemical Company Fluorene copolymers and devices made therefrom
JP2000299189A (ja) 1999-02-09 2000-10-24 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子発光素子ならびにそれを用いた表示装置および面状光源
JP2000252065A (ja) 1999-02-25 2000-09-14 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子発光素子
WO2000053656A1 (en) 1999-03-05 2000-09-14 Cambridge Display Technology Limited Polymer preparation
WO2000055927A1 (en) 1999-03-12 2000-09-21 Cambridge Display Technology Limited Polymers, their preparation and uses
GB2348316A (en) 1999-03-26 2000-09-27 Cambridge Display Tech Ltd Organic opto-electronic device
JP2000351967A (ja) 1999-04-09 2000-12-19 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2001003045A (ja) 1999-04-21 2001-01-09 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2000303066A (ja) 1999-04-21 2000-10-31 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2001123156A (ja) 1999-08-03 2001-05-08 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
WO2001019834A1 (en) 1999-09-16 2001-03-22 Cambridge Display Technology Limited Preparation of benzenediboronic acid via a disilylated aryl-intermediate
WO2001034722A1 (de) 1999-11-09 2001-05-17 Covion Organic Semiconductors Gmbh Substituierte poly(arylenvinylene), verfahren zur herstellung und deren verwendung in elektrolumineszenzvorrichtungen
JP2001181618A (ja) 1999-12-27 2001-07-03 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体の製造方法および高分子発光素子
JP2004079422A (ja) 2002-08-21 2004-03-11 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2005135624A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Sharp Corp 有機ｅｌ素子
WO2005052027A1 (en) 2003-11-17 2005-06-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Crosslinkable arylamine compounds and conjugated oligomers of polymers based thereon
WO2006049579A1 (en) * 2004-11-01 2006-05-11 Agency For Science, Technology And Research Poly(arylenevinylene) and poly(heteroarylenevinylene) light emitting polymers and polymer light-emitting devices
JP2006186317A (ja) * 2004-11-11 2006-07-13 Samsung Electronics Co Ltd 多層構造のナノ結晶およびその製造方法
JP2007129170A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Mitsubishi Chemicals Corp アルカリ金属原子及びフラーレン類を含有する層を有する有機電界発光素子及びその製造方法
JP2007265792A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007329054A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Toppoly Optoelectronics Corp 画像表示装置
JP2008041692A (ja) * 2006-08-01 2008-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2234459A4

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010146895A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN101710612A (zh) * 2009-11-13 2010-05-19 清华大学 一种有机电致发光器件
CN101710612B (zh) * 2009-11-13 2013-03-27 清华大学 一种有机电致发光器件
CN102714902A (zh) * 2010-01-15 2012-10-03 住友化学株式会社 高分子发光元件
US20130033173A1 (en) * 2010-01-15 2013-02-07 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymer light emitting element
CN101916830A (zh) * 2010-07-14 2010-12-15 中国科学院长春应用化学研究所 白色有机电致发光器件及其制备方法
JP2014049696A (ja) * 2012-09-03 2014-03-17 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機電界発光素子
CN105489779A (zh) * 2014-10-01 2016-04-13 三星显示有限公司 有机发光元件以及包含该有机发光元件的有机发光装置
US10014486B2 (en) 2014-10-01 2018-07-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN101911833A (zh) 2010-12-08
JP2009176730A (ja) 2009-08-06
TW200948191A (en) 2009-11-16
KR20100106426A (ko) 2010-10-01
EP2234459B1 (en) 2018-01-31
EP2234459A4 (en) 2011-07-06
US8895961B2 (en) 2014-11-25
TWI578850B (zh) 2017-04-11
US20100270544A1 (en) 2010-10-28
EP2234459A1 (en) 2010-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2009084590A1 (ja) 高分子発光素子、製造方法及び高分子発光ディスプレイ装置
JP5293120B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
WO2009122876A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
WO2011013488A1 (ja) 高分子発光素子
WO2011087058A1 (ja) 高分子発光素子
JPWO2009142030A1 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子、表示装置及び照明装置
WO2012029936A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP5672705B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2009021104A (ja) 有機発光素子の製造方法
US9136491B2 (en) Organic electroluminescent element and method for producing the same
JP5320755B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、面状光源、照明装置ならびに表示装置
JP5249075B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2009205985A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2010146893A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法
JP2010146894A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5410774B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5174577B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法、照明装置、面状光源、表示装置
JP2010146895A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4315755B2 (ja) 有機ｅｌ装置
JP5446472B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4916102B2 (ja) 有機ｅｌ素子
JP2010027539A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2002352964A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2011205080A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200880122729.9

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 08868190

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20107014078

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12810778

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2008868190

Country of ref document: EP