JP2001181618A - 高分子蛍光体の製造方法および高分子発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高分子蛍光体に使用したときに、長寿命である
高分子蛍光体の製造方法および該製造方法により得た高
分子蛍光体を用いた長寿命な高分子ＬＥＤを提供する。 【解決手段】〔１〕固体状態で蛍光を有し、ポリスチレ
ン換算の数平均分子量が１×１０⁴〜１×１０⁸である高
分子蛍光体を酸で処理する工程を含む高分子蛍光体の製
造方法。〔２〕少なくとも一方が透明または半透明であ
る一対の陽極および陰極からなる電極間に、高分子蛍光
体を含む発光層を少なくとも一層有する高分子発光素子
において、該発光層に〔１〕の製造方法により製造され
た高分子蛍光体を含む高分子発光素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高分子蛍光体の製
造方法、および該方法により製造した高分子蛍光体を用
いた高分子発光素子（以下、高分子ＬＥＤということが
ある。）に関する。

【０００２】

【従来の技術】無機蛍光体を発光材料として用いた無機
エレクトロルミネッセンス素子（以下、無機ＥＬ素子と
いうことがある。）は、例えばバックライトとしての面
状光源やフラットパネルディスプレイ等の表示装置に用
いられているが、発光させるのに高電圧の交流が必要で
あった。

【０００３】近年、有機蛍光色素を発光層とし、これと
電子写真の感光体等に用いられている有機電荷輸送化合
物とを積層した二層構造を有する有機エレクトロルミネ
ッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ということがあ
る。）が報告されている（特開昭５９−１９４３９３号
公報）。有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子に比べ、低電圧
駆動、高輝度に加えて多数の色の発光が容易に得られる
という特徴があることから素子構造や有機蛍光色素、有
機電荷輸送化合物について多くの試みが報告されている
〔ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィ
ジックス（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）第２７
巻、Ｌ２６９頁（１９８８年）〕、〔ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．）第６５巻、３６１０頁（１９８９年）〕。

【０００４】また、主に低分子の有機化合物を用いる有
機ＥＬ素子とは別に、高分子量の発光材料を用いる高分
子ＬＥＤについては、ＷＯ９０１３１４８号公開明細
書、特開平３−２４４６３０号公報、アプライド・フィ
ジックス・レターズ（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．）第５８巻、１９８２頁（１９９１年）などで提案
されており、またＷＯ９０１３１４８号公開明細書に
は、可溶性前駆体を電極上に成膜し、熱処理を行うこと
により共役系高分子に変換されたポリ（ｐ−フェニレン
ビニレン）（以下、ＰＰＶということがある。）薄膜が
得られることおよびそれを用いた素子が記載されてい
る。

【０００５】さらに、特開平３−２４４６３０号公報に
は、それ自身が溶媒に可溶であり、熱処理が不要である
という特徴を有する共役系高分子が記載されている。ま
た、アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）第５８巻、１９８２頁（１９９
１年）には、溶媒に可溶な高分子発光材料およびそれを
用いて作成した高分子ＬＥＤが記載されている。

【０００６】高分子ＬＥＤは、塗布により容易に有機層
を製膜することができるので、低分子蛍光体を蒸着する
場合と比較して、大面積化や低コスト化に有利であり、
高分子であることから膜の機械的強度も優れていると考
えられる。

【０００７】従来、これら高分子ＬＥＤに用いられる高
分子蛍光体としては、上記ポリ（ｐ−フェニレンビニレ
ン）以外にも、ポリフルオレン（ジャパニーズ・ジャー
ナル・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊｐｎ．Ｊ．
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）第３０巻、Ｌ１９４１頁（１９
９１年））、ポリパラフェニレン誘導体（アドバンスト
・マテリアルズ（Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．）第４巻、３６
頁（１９９２年））などが報告されている。そして、高
分子ＬＥＤのさらなる長寿命化ができるような高分子蛍
光体の製造方法が求められていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は高分子
蛍光体に使用したときに、長寿命である高分子蛍光体の
製造方法および該製造方法により得た高分子蛍光体を用
いた長寿命な高分子ＬＥＤを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、このよう
な事情に鑑みて鋭意検討した結果、高分子蛍光体を酸で
処理する工程を含む製造方法により製造された高分子蛍
光体を用いることにより長寿命な高分子ＬＥＤ素子が得
られることを見出し、本発明に至った。すなわち本発明
は、〔１〕固体状態で蛍光を有し、ポリスチレン換算の
数平均分子量が１×１０⁴〜１×１０⁸である高分子蛍光
体を酸で処理する工程を含む高分子蛍光体の製造方法に
関する。また本発明は、〔２〕少なくとも一方が透明ま
たは半透明である一対の陽極および陰極からなる電極間
に、高分子蛍光体を含む発光層を少なくとも一層有する
高分子発光素子において、該発光層に〔１〕の製造方法
により製造された高分子蛍光体を含む高分子発光素子に
関する。さらに本発明は、〔３〕上記〔２〕の高分子発
光素子を用いた面状光源に関する。次いで本発明は、
〔４〕上記〔２〕の高分子発光素子を用いたセグメント
表示装置に関する。次に本発明は、〔５〕上記〔２〕の
高分子発光素子を用いたドットマトリックス表示装置に
関する。さらに本発明は、〔６〕上記〔３〕の面状光源
をバックライトとする液晶表示装置に関する。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の高分子蛍光体の製
造方法および該製造方法により製造された高分子蛍光体
を用いた高分子ＬＥＤについて詳細に説明する。

【００１１】本発明の高分子蛍光体の製造方法は、固体
状態で蛍光を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が
１×１０⁴〜１×１０⁸である高分子蛍光体（以下、原料
高分子蛍光体ということがある）を酸で処理する工程を
含むことを特徴とする。

【００１２】本発明において、酸とは、有機物、無機物
においてあらゆる意味で酸性を示すものであればよく、
例えば、有機酸、無機酸などであり、有機酸が処理の効
率が高いので好ましい。

【００１３】有機酸としては、アルカンカルボン酸、ア
ルケンカルボン酸、芳香族カルボン酸、複素環化合物カ
ルボン酸、芳香族アルコール、アルカンスルホン酸、ア
ルケンスルホン酸、芳香族スルホン酸、複素環化合物ス
ルホン酸、アルカンスルフィン酸、アルケンスルフィン
酸、芳香族スルフィン酸、複素環化合物スルフィン酸、
アルカンスルフェン酸、アルケンスルフェン酸、芳香族
スルフェン酸、複素環化合物スルフェン酸、アルカンホ
スホン酸、アルケンホスホン酸、芳香族ホスホン酸、複
素環化合物ホスホン酸、アルカンホスフェン酸、アルケ
ンホスフェン酸、芳香族ホスフェン酸、複素環化合物ホ
スフェン酸、アルカンホスフィン酸、アルケンホスフィ
ン酸、芳香族ホスフィン酸、複素環化合物ホスフィン酸
などが例示できる。

【００１４】また有機酸として具体的には、蟻酸、酢
酸、プロピオン酸、蓚酸、クエン酸、酒石酸、マレイン
酸、フタル酸、安息香酸、4-ピリジンカルボン酸、フェ
ノール、メタンスルホン酸、プロペンスルホン酸、トル
エンスルホン酸、2-チオフェンスルホン酸、エタンスル
フェン酸、1-ブテンスルフェン酸、トルエンスルフェン
酸、2-チオフェンスルフェン酸、エタンスルフィン酸、
1-ブテンスルフィン酸、トルエンスルフィン酸、2-チオ
フェンスルフィン酸、エチルホスホン酸、プロペンホス
ホン酸、ベンゼンホスホン酸、3-チオフェンホスホン
酸、エチルホスフェン酸、プロペンホスフェン酸、ベン
ゼンホスフェン酸、3-チオフェンホスフェン酸、エチル
ホスフィン酸、プロペンホスフィン酸、ベンゼンホスフ
ィン酸、3-チオフェンホスフィン酸などが例示でき、蟻
酸、酢酸、プロピオン酸、蓚酸、クエン酸、酒石酸がよ
り好ましく、蓚酸、クエン酸、酒石酸がさらに好まし
い。

【００１５】また、無機酸としては、ハロゲン化水素
酸、硫黄酸化物水素酸、燐酸化物水素酸、窒素酸化物水
素酸、金属酸化物水素酸などがあげられる。無機酸とし
て具体的には、硫酸、塩酸、硝酸、燐酸、炭酸、亜塩素
酸、亜硝酸、亜セレン酸、亜ヒ酸、亜燐酸、亜硫酸、過
ヨウ素酸、クロム酸、ケイ酸、次亜塩素酸、次亜燐酸、
シアン酸、セレン酸、チオシアン酸、チオ硫酸、二クロ
ム酸、二燐酸、バナジン酸、フッ化水素酸、ホウ酸、よ
う素酸などが例示でき、硫酸、塩酸、硝酸、燐酸が好ま
しい。酸で処理する工程においては、これらの酸の単一
物、あるいは二種類以上の酸の混合物を用いることがで
きる。

【００１６】本発明において、「酸で処理する工程」と
は、原料高分子蛍光体を、酸と接触させる工程のことを
いう。原料高分子蛍光体を酸で処理する方法としては、
例えば、 １）液体状態の原料高分子蛍光体と液体状態の酸を接触
させる方法 ２）固体状態の原料高分子蛍光体と液体状態の酸を接触
させる方法 ３）液体状態の原料高分子蛍光体を固体状態の酸と接触
させる方法 があげられる。これらの中では、原料高分子蛍光体と酸
との接触がよいため、１）が好ましい。ここで、液体状
態とは原料高分子蛍光体が、溶媒に溶解している状態な
どを含む。

【００１７】酸で処理する工程においては、攪拌、振と
う等を行うことが処理の効率を高めるため好ましい。ま
た、酸で処理する工程は二度以上含まれていてもよい。
さらに、酸で処理する工程が二度以上含まれている場合
にはその時に用いる酸の種類、濃度等を変えてもよい。

【００１８】また、本発明の高分子蛍光体の製造方法
は、必要に応じ、酸で処理する工程以外の工程を含んで
いてもよい。酸で処理する工程以外の工程とは、例え
ば、酸を除去する工程；溶媒を用いた場合には、溶媒を
除去する工程；相分離する溶媒を用いた場合には、分液
する工程；再沈殿、クロマトグラフィー等により精製す
る工程などがあげられる。これらの中で酸を除去する工
程および精製する工程を含むことは不要物を除くために
好ましい。

【００１９】上記１）の方法についてさらに詳しく説明
する。１）の方法としては、原料高分子蛍光体を酸で処
理する工程が、酸の溶液と、該高分子蛍光体を溶媒に溶
解してなる溶液とを接触させる工程であることが、処理
の効率が高いので好ましい。ここで酸の溶液に用いる溶
媒は、水でも、その他の溶媒であってもよい。一方、液
体状態の原料高分子蛍光体と液体状態の酸が相分離する
ものが、高分子蛍光体と酸との分離が容易なのでより好
ましい。

【００２０】原料高分子蛍光体と、酸の両方が、溶媒に
溶解して液体状態になっておりこれらを相分離させる方
法としては、酸が水に溶解して酸の水溶液となってお
り、原料高分子蛍光体が、酸の水溶液と相分離する溶媒
に溶解していることが好ましい。

【００２１】酸の水溶液の濃度としては、特に限定され
ないが、およそ０．１〜３０重量％に調整して用いられ
る。酸の水溶液の酸の強さとしては、強すぎると処理す
る高分子蛍光体が分解することが予想されることから、
ｐＨが０．１以上５．５以下の酸水溶液が好ましく、よ
り好ましくはｐＨが０．５以上４．５以下である。この
際、用いる水は、イオン等の不純物が少ないもの、例え
ば蒸留水、イオン交換水、純水、超純水が好ましい。こ
れらの中で純水や超純水が好ましく、超純水が特に好ま
しい。具体的な純水の純度の指標として、導電率があ
り、その値で１０μＳ／ｃｍ以下の水が好ましく、さら
に１μＳ／ｃｍ以下のものが好ましい。

【００２２】高分子蛍光体を溶解する溶媒としては、高
分子蛍光体をよく溶解する溶媒であればよく、特に制限
はないが、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタ
ン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系
溶媒、トルエン、キシレン、メシリレン、テトラリン、
デカリン、ｎ−ブチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶
媒が例示される。これらのなかで、酸の水溶液（または
水）と相分離するものが好ましく、クロロホルム、テト
ラヒドロフラン、トルエンが特に好ましい。酸で処理す
るときの温度は、特に制限はなく、室温から溶媒の沸点
未満の温度で処理することができるが、好ましくは室温
から５０゜Cの間の温度である。

【００２３】次に酸の水溶液と、該高分子蛍光体を該酸
の水溶液と相分離する溶媒に溶解してなる溶液とを接触
させる方法の一例について、具体的に説明する。まず、
高分子蛍光体をよく溶解し、酸の水溶液（または水）と
相分離する溶媒、例えばクロロホルムに原料高分子蛍光
体を溶解し、その溶液を酸の水溶液と、攪拌等しながら
接触させる（酸で処理する工程）。そして、静置したの
ち、酸の水溶液の相と、高分子蛍光体を含む相を分液分
離する。分液分離した高分子蛍光体を含む相は、さら
に、酸の水溶液と接触させて上記の酸で処理する工程を
適当回数繰り返す。その後、分液分離して得られた高分
子蛍光体を含む相を水と接触させて、高分子蛍光体を含
む相中に残存している酸を除去する。高分子蛍光体を含
む相の酸の除去を水相のｐＨが７になるまで繰り返すこ
とにより、高分子蛍光体の溶液を得る。この溶液を、高
分子蛍光体の溶解に対して貧溶媒である、例えば、メタ
ノールなどの中へ攪拌しながら滴下することにより、高
分子蛍光体の沈殿が生成する。この沈殿物をろ過しエタ
ノールで洗浄した後、減圧乾燥することにより、高分子
蛍光体が得られる。

【００２４】２）の方法としては、液体の酸を無溶媒で
固体粉末状の原料高分子蛍光体と混合し攪拌リパルプ型
の洗浄操作で処理する方法、酸を有機溶媒に溶かして固
体粉末状の高分子蛍光体と混合し攪拌リパルプ型の洗浄
操作で処理する方法等があげられる。本方法により固体
粉末状の原料高分子蛍光体を用いる場合には、酸で処理
した後、ろ過し固体粉末状の原料高分子蛍光体から酸そ
の他の不要成分を除去することができる。さらに、高分
子蛍光体中に残存している酸を有機溶媒や水などにより
攪拌リパルプ型の洗浄操作でも除去することができる。

【００２５】３）の方法としては、液体状態の原料高分
子蛍光体を、固体状態の酸を充填したカラムを通過させ
ることにより処理する方法等があげられる。

【００２６】上記酸で処理する工程を含みさらに、原料
高分子蛍光体材料中に含まれる金属、例えば、リチウ
ム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウ
ム、鉄、銅、マンガン、アルミニウム、亜鉛、ニッケ
ル、クロム、鉛など；または塩基成分、例えば、カリウ
ムターシャリーブトキサイドなど；が低減されることが
好ましい。

【００２７】本発明に使用する原料高分子蛍光体は、固
体状態で蛍光を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量
が１×１０⁴〜１×１０⁸である高分子蛍光体である。ま
た、本発明に使用する原料高分子蛍光体は、固体状態で
蛍光を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１
０⁴〜１×１０⁸であり、下式（１）で示される繰り返し
単位を少なくとも一種類含むことを特徴とする高分子蛍
光体が好ましい。

【化２】 −Ａｒ₁−（ＣＲ₁＝ＣＲ₂）_k− ・・・・・（１） 〔ここで、Ａｒ₁は、隣接する２つの基とそれぞれ炭素
−炭素結合を形成する２価の基であり、主鎖部分に含ま
れる炭素原子の数が６個以上６０個以下からなるアリー
レン基、または主鎖部分に含まれる炭素原子の数が４個
以上６０個以下からなる複素環化合物基であるものを示
し、アリーレン基、複素環化合物基は置換基を有してい
てもよい。Ｒ₁、Ｒ₂は、それぞれ独立に水素原子、炭素
数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜６０のアリール
基、炭素数４〜６０の複素環化合物基およびシアノ基か
らなる群から選ばれる基を示し、アリール基、複素環化
合物基は置換基を有していてもよい。ｋは０または１で
ある。〕

【００２８】さらに、本発明に使用する原料高分子蛍光
体としては、固体状態で蛍光を有し、ポリスチレン換算
の数平均分子量が１×１０⁴〜１×１０⁸であり、下記式
（２）、下記式（３）および下記式（４）で示される繰
り返し単位を少なくとも一種類含んでいることが好まし
く、より好ましくは式（２）、式（３）および式（４）
で示される繰り返し単位をそれぞれ少なくとも一種類含
んだものがあげられる。

【化３】 〔ここで、Ａｒ₂は、隣接する２つの基とそれぞれ炭素
−炭素結合を形成する２価の基であり、主鎖部分に含ま
れる炭素原子の数が６個以上６０個以下からなるアリー
レン基、または主鎖部分に含まれる炭素原子の数が４個
以上６０個以下からなる複素環化合物基であるものを示
す。Ａｒ₂は、−Ｘ−Ｒ₃以外に炭素数１〜２０のアルキ
ル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０
のアルキルチオ基、炭素数１〜６０のアルキルシリル
基、炭素数１〜４０のアルキルアミノ基、炭素数６〜６
０のアリール基、炭素数６〜６０のアリールオキシ基、
炭素数６〜６０のアリールアルキル基、炭素数６〜６０
のアリールアルコキシ基、炭素数６〜６０のアリールア
ミノ基、炭素数４〜６０の複素環化合物基、シアノ基か
らなる群から選ばれる置換基を有していてもよく、アリ
ール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリ
ールアルコキシ基、アリールアミノ基および複素環化合
物基はさらに置換基を有していてもよい。Ａｒ₂が複数
の置換基を有する場合、それらは同一であってもよい
し、それぞれ異なっていてもよい。Ｒ₃は、炭素数１〜
２０のアルキル基、炭素数６〜６０のアリール基、炭素
数７〜６０のアリールアルキル基、炭素数４〜６０の複
素環化合物基からなる群から選ばれる基を示し、アリー
ル基、アリールアルキル基および複素環化合物基は置換
基を有していてもよい。Ｘは−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＲ₆
Ｒ₇−，−ＳｉＲ₈Ｒ₉−，―ＮＲ ₁₀−，−ＣＯ−，−Ｃ
ＯＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＲ₁₁＝ＣＲ₁₂−、および−Ｃ
≡Ｃ−からなる群から選ばれる基を表す。ｍは1〜４の
整数である。Ｒ₄、Ｒ₅およびＲ₆〜Ｒ₁₂は、それぞれ独
立に水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６
〜２０のアリール基、炭素数４〜２０の複素環化合物基
およびシアノ基からなる群から選ばれる基を示し、アリ
ール基、複素環化合物基は置換基を有していてもよい。
ｎは０または１である。〕

【化４】 〔ここで、Ａｒ₃は、隣接する２つの基とそれぞれ炭素
−炭素結合を形成する２価の基であり、主鎖部分に含ま
れる炭素原子の数が６個以上６０個以下からなるアリー
レン基、または主鎖部分に含まれる炭素原子の数が４個
以上６０個以下からなる複素環化合物基であるものを示
す。ここで、該Ａｒ₃は、−Ａｒ₄以外に炭素数１〜２０
のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数
１〜２０のアルキルチオ基、炭素数１〜６０のアルキル
シリル基、炭素数１〜４０のアルキルアミノ基、炭素数
６〜６０のアリール基、炭素数６〜６０のアリールオキ
シ基、炭素数６〜６０のアリールアルキル基、炭素数６
〜６０のアリールアルコキシ基、炭素数６〜６０のアリ
ールアミノ基、炭素数４〜６０の複素環化合物基、シア
ノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよ
く、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル
基、アリールアルコキシ基、アリールアミノ基および複
素環化合物基はさらに置換基を有していてもよい。Ａｒ
₃が複数の置換基を有する場合、それらは同一であって
もよいし、それぞれ異なっていてもよい。Ａｒ₄は、炭
素数６〜６０のアリール基または炭素数４〜６０の複素
環化合物基を示し、アリール基、複素環化合物基は置換
基を有していてもよい。ｏは1〜４の整数である。
Ｒ₁₃、Ｒ₁₄は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２
０のアルキル基、炭素数６〜６０のアリール基、炭素数
４〜６０の複素環化合物基およびシアノ基からなる群か
ら選ばれる基を示し、アリール基、複素環化合物基は置
換基を有していてもよい。ｐは０または１である。〕

【化５】 〔ここで、Ａｒ₅は、隣接する２つの基とそれぞれ炭素
−炭素結合を形成する２価の基であり、主鎖部分に含ま
れる炭素原子の数が６個以上６０個以下からなるアリー
レン基、または主鎖部分に含まれる炭素原子の数が４個
以上６０個以下からなる複素環化合物基であるものを示
す。ここで、該Ａｒ₅は、−Ｒ₁₅以外に炭素数１〜２０
のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数
１〜２０のアルキルチオ基、炭素数１〜６０のアルキル
シリル基、炭素数１〜４０のアルキルアミノ基、炭素数
６〜６０のアリール基、炭素数６〜６０のアリールオキ
シ基、炭素数６〜６０のアリールアルキル基、炭素数６
〜６０のアリールアルコキシ基、炭素数６〜６０のアリ
ールアミノ基、炭素数４〜６０の複素環化合物基、シア
ノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよ
く、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル
基、アリールアルコキシ基、アリールアミノ基および複
素環化合物基はさらに置換基を有していてもよい。Ａｒ
₅が複数の置換基を有する場合、それらは同一であって
もよいし、それぞれ異なっていてもよい。Ｒ₁₅は炭素数
１〜２０のアルキル基、炭素数５〜１６の環状飽和炭化
水素基または炭素数４〜６０の飽和複素環化合物基を示
し、環状飽和炭化水素基、飽和複素環化合物基は置換基
を有していてもよい。ｑは1〜４の整数である。Ｒ₁₆、
Ｒ₁₇は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０のア
ルキル基、炭素数６〜６０のアリール基、炭素数４〜６
０の複素環化合物基およびシアノ基からなる群から選ば
れる基を示し、アリール基、複素環化合物基は置換基を
有していてもよい。ｒは０または１である。〕 さらに好ましくは、式（２）、式（３）および式（４）
で示される繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の５０
モル％以上であり、かつ式（２）、式（３）および式
（４）で示される繰り返し単位の合計に対して、式
（２）で示される繰り返し単位が０．１モル％以上３０
モル％以下、式（３）で示される繰り返し単位が３０モ
ル％以上７０モル％以下、式（４）で示される繰り返し
単位が３０モル％以上７０モル％以の高分子蛍光体であ
る。もっとも好ましくは、式（２）で示される繰り返し
単位が全繰り返し単位数に対して０．２モル％以上１０
モル％以下のものである。

【００２９】Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃およびＡｒ₅として
は、高分子蛍光体の蛍光特性を損なわないように選択す
れば良く、具体的な例としては下記化６〜化１５に例示
された二価の基が挙げられる。

【００３０】

【化６】

【化７】

【化８】

【化９】

【化１０】

【化１１】

【化１２】

【化１３】

【化１４】

【化１５】

【化１６】

【化１７】

【化１８】

【化１９】

【００３１】ここで、Ｒは、Ａｒ₂の場合には、−Ｘ−
Ｒ₃で示される置換基を１〜４個有するように選択さ
れ、Ａｒ₃の場合には、−Ａｒ₄で示される置換基を１〜
４個有するように選択され、またＡｒ₅の場合には、−
Ｒ₃で示される置換基を１〜４個有するように選択され
る。 残りのＲは、水素原子または、炭素数１〜２０の
アルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１
〜２０のアルキルチオ基、炭素数１〜６０のアルキルシ
リル基、炭素数１〜４０のアルキルアミノ基、炭素数６
〜６０のアリール基、炭素数６〜６０のアリールオキシ
基、炭素数６〜６０のアリールアルキル基、炭素数６〜
６０のアリールアルコキシ基、炭素数６〜６０のアリー
ルアミノ基、炭素数４〜６０の複素環化合物基、シアノ
基からなる群から選ばれる置換基をあらわし、アリール
基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリール
アルコキシ基、アリールアミノ基および複素環化合物基
はさらに置換基を有していてもよい。上記の例におい
て、１つの構造式中に複数のＲを有しているが、それら
は同一であってもよいし、異なる基であってもよく、そ
れぞれ独立に選択される。Ａｒ₁が複数の置換基を有す
る場合、それらは同一であってもよいし、それぞれ異な
っていてもよい。溶媒への溶解性を高めるためには、水
素原子でない置換基を少なくとも１つ以上有しているこ
とが好ましく、また置換基を含めた繰り返し単位の形状
の対称性が少ないことが好ましい。

【００３２】Ｘは−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＲ₆Ｒ₇−，−Ｓ
ｉＲ₈Ｒ₉−，―ＮＲ₁₀−，−ＣＯ−，−ＣＯＯ−、−Ｓ
Ｏ₂−、−ＣＲ₁₁＝ＣＲ₁₂−、および−Ｃ≡Ｃ−からな
る群から選ばれる基を示すが、−Ｏ−，−Ｓ−、−ＣＲ
₁₁＝ＣＲ₁₂−、および−Ｃ≡Ｃ−が好ましく、−Ｏ−が
さらに好ましい。Ｒ₆からＲ₁₂は、それぞれ独立に水素
原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜６０の
アリール基、炭素数４〜６０の複素環化合物基およびシ
アノ基からなる群から選ばれる基を示し、アリール基お
よび複素環化合物基はさらに置換基を有していてもよ
い。

【００３３】Ｒ₃，Ｒ₁₅の具体的な例として、炭素数１
〜２０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチ
ル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基な
どが挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、
デシル基が好ましい。

【００３４】Ｒ₃，Ａｒ₄の具体的な例として、炭素数６
〜６０のアリール基としては、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂
アルコキシフェニル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂は、炭素数が１〜１
２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ
₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル
基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ましい。

【００３５】Ｒ₃，Ａｒ₄の具体的な例として、炭素数７
〜６０のアリールアルキル基としては、フェニルメチル
基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、Ｃ₁〜Ｃ
₁₂アルコキシフェニルメチル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ
フェニルエチル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルプロ
ピル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルメチル基、Ｃ₁〜Ｃ
₁₂アルキルフェニルエチル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェ
ニルプロピル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル
基、ナフチルプロピル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ_{1 2}ア
ルコキシフェニルメチル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェ
ニルエチル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルプロピル
基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルメチル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂ア
ルキルフェニルエチル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル
プロピル基が好ましい。

【００３６】Ｒ₃，Ａｒ₄の具体的な例として、炭素数４
〜６０の複素環化合物基としては、チエニル基、Ｃ₁〜
Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリ
ジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基などが例示さ
れ、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリ
ジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。

【００３７】Ｒ₁₅の具体的な例として、炭素数５〜１６
の環状飽和炭化水素基としては、シクロプロピル基、シ
クロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、
シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル
基、シクロドデシル基などが例示され、シクロヘキシル
基が好ましい。

【００３８】Ｒ₁₅の具体的な例として、炭素数４〜６０
の飽和複素環化合物基としては、テトラヒドロフラニル
基、ピラニル基、ピロリジル基、ピペラジル基、チオラ
ニル基、チアニル基などが例示され、テトラヒドロフラ
ニル基、ピラニル基が好ましい。

【００３９】Ｒが、水素原子、シアノ基、−Ｘ−Ｒ₃、
−Ａｒ₄または−Ｒ₁₅で示される基以外の置換基である
場合について述べると、炭素数１〜２０のアルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノ
ニル基、デシル基、ラウリル基などが挙げられ、ペンチ
ル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基が好ましい。

【００４０】炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、
メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ
基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオ
キシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオ
キシ基、ラウリルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオ
キシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシル
オキシ基が好ましい。

【００４１】炭素数１〜２０のアルキルチオ基として
は、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブ
チルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチ
ルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ
基、ラウリルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、
ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基が好ま
しい。

【００４２】炭素数１〜６０のアルキルシリル基として
は、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプ
ロピルシリル基、トリブチルシリル基、トリペンチルシ
リル基、トリヘキシルシリル基、トリへプチルシリル
基、トリオクチルシリル基、トリノニルシリル基、トリ
デシルシリル基、トリラウリルシリル基、エチルジメチ
ルシリル基、プロピルジメチルシリル基、ブチルジメチ
ルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメ
チルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジ
メチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメ
チルシリル基、ラウリルジメチルシリル基などが挙げら
れ、トリペンチルシリル基、トリヘキシルシリル基、ト
リオクチルシリル基、トリデシルシリル基、ペンチルジ
メチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、オクチル
ジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基が好まし
い。

【００４３】炭素数１〜４０のアルキルアミノ基として
は、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ
基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミ
ノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、ノニルア
ミノ基、デシルアミノ基、ラウリルアミノ基、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジ
ブチルアミノ基、ジペンチルアミノ基、ジヘキシルアミ
ノ基、ジヘプチルアミノ基、ジオクチルアミノ基、ジノ
ニルアミノ基、ジデシルアミノ基、ジラウリルアミノ基
などが挙げられ、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ
基、オクチルアミノ基、デシルアミノ基、ジペンチルア
ミノ基、ジヘキシルアミノ基、ジオクチルアミノ基、ジ
デシルアミノ基が好ましい。

【００４４】炭素数６〜６０のアリール基としては、フ
ェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂
は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様であ
る。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル
基、２−ナフチル基などが例示され、 Ｃ₁〜Ｃ₁₂アル
コキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好
ましい。

【００４５】炭素数６〜６０のアリールオキシ基として
は、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ
基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオ
キシ基、２−ナフチルオキシ基などが例示され、 Ｃ₁
〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフ
ェノキシ基が好ましい。

【００４６】炭素数６〜６０のアリールアルキル基とし
ては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アル
コキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アル
キルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキ
ル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ
₁〜Ｃ₁₂アルキル基が好ましい。

【００４７】炭素数６〜６０のアリールアルコキシ基と
しては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂
アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ
₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナ
フチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜
Ｃ₁₂アルコキシ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキ
シフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキ
ルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ_{1 2}アルコキシ基が好ましい。

【００４８】炭素数６〜６０のアリールアミノ基として
は、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ
₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコ
キシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェ
ニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチル
アミノ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル
アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基
が好ましい。

【００４９】炭素数４〜６０の複素環化合物基として
は、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロ
リル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピ
リジル基などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アル
キルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリ
ジル基が好ましい。

【００５０】Ｒの例のうち、アルキル鎖を含む置換基に
おいては、それらは直鎖、分岐または環状のいずれかま
たはそれらの組み合わせであってもよく、直鎖でない場
合の例としては、イソアミル基、２−エチルヘキシル
基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロヘキシル基、
４−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシクロヘキシル基などが例示さ
れる。高分子蛍光体の溶媒への溶解性を高めるために
は、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₃またはＡｒ₅の置換基のうちの
１つ以上に環状または分岐のあるアルキル鎖が含まれる
ことが好ましい。

【００５１】上記式（１）において、k は０または１
であり、上記式（２）において、ｎは０または１であ
り、上記式（３）において、ｐ は０または１であり、
上記式（４）において、ｒ は０または１である。上記
式（１）におけるＲ₁、Ｒ₂、上記式（２）における
Ｒ₄、Ｒ₅、上記式（３）におけるＲ₁₃、Ｒ₁₄、上記式
（４）におけるＲ₁₆、Ｒ₁₇および上記Ｒ₆〜Ｒ₁₂は、そ
れぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、
炭素数６〜６０のアリール基、炭素数４〜６０の複素環
化合物基およびシアノ基からなる群から選ばれる基を示
し、アリール基、複素環化合物基は置換基を有していて
もよい。

【００５２】Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₄〜Ｒ₁₄、Ｒ₁₆およびＲ
₁₇が、水素原子またはシアノ基以外の置換基である場合
について述べると、炭素数１〜２０のアルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペン
チル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基、ラウリル基などが挙げられ、メチル基、
エチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オク
チル基が好ましい。

【００５３】炭素数６〜６０のアリール基としては、フ
ェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂
アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基
などが例示され、フェニル基、 Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフ
ェニル基が好ましい。

【００５４】炭素数４〜６０の複素環化合物基として
は、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロ
リル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピ
リジル基などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アル
キルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリ
ジル基が好ましい。

【００５５】また、高分子蛍光体の末端基は、重合活性
基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性
や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護さ
れていてもよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を
有しているものが好ましく、例えば、ビニレン基を介し
てアリール基または複素環化合物基と結合している構造
が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公
報の化１０に記載の置換基等が例示される。

【００５６】該原料高分子蛍光体の合成法としては、主
鎖にビニレン基を有する場合には、例えば特開平５−２
０２３５５号公報に記載の方法などが挙げられる。すな
わち、ジアルデヒド化合物とジホスホニウム塩化合物と
のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、ジビニル化合物とジハ
ロゲン化合物とのもしくはビニルハロゲン化合物単独で
のＨｅｃｋ反応による重合、ジアルデヒド化合物とジ亜
燐酸エステル化合物とのＨｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒ
ｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ法による重合、ハロゲン化メチル基
を２つ有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮
合、スルホニウム塩基を２つ有する化合物のスルホニウ
ム塩分解法による重縮合、ジアルデヒド化合物とジアセ
トニトリル化合物とのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応によ
る重合、ジアルデヒド化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応によ
る重合などの方法が例示される。

【００５７】また、主鎖にビニレン基を有しない場合に
は、例えば該当するモノマーからＳｕｚｕｋｉカップリ
ング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応に
より重合する方法、Ｎｉ（０）触媒により重合する方
法、ＦｅＣｌ₃等の酸化剤により重合する方法、電気化
学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱離基を有す
る中間体高分子の分解による方法などが例示される。

【００５８】なお、該原料高分子蛍光体および本発明の
方法で製造された高分子蛍光体は、蛍光特性や電荷輸送
特性を損なわない範囲で、式（１）、式（２）、式
（３）および式（４）で示される繰り返し単位以外の繰
り返し単位を含んでいてもよい。また、式（１）、式
（２）、式（３）および式（４）で示される繰り返し単
位や他の繰り返し単位が、非共役の単位で連結されてい
てもよいし、繰り返し単位にそれらの非共役部分が含ま
れていてもよい。結合構造としては、下記化１６に示す
もの、下記化１６に示すものとビニレン基を組み合わせ
たもの、および下記化１６に示すもののうち２つ以上を
組み合わせたものなどが例示される。ここで、Ｒは前記
のものと同じ置換基から選ばれる基であり、Ａｒは炭素
数６〜６０個の炭化水素基を示す。

【００５９】

【化２０】

【００６０】また、該高分子蛍光体は、ランダム、ブロ
ックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それら
の中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯
びたランダム共重合体であってもよい。蛍光の量子収率
の高い高分子蛍光体を得る観点からは完全なランダム共
重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロ
ックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分か
れがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも
含まれる。

【００６１】また、薄膜からの発光を利用するので該高
分子蛍光体は、固体状態で蛍光を有するものが好適に用
いられる。該高分子蛍光体に対する良溶媒としては、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒ
ドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラ
リン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示され
る。高分子蛍光体の構造や分子量にもよるが、通常はこ
れらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができ
る。

【００６２】また、本発明の方法により製造された高分
子蛍光体は、分子量がポリスチレン換算で１×１０⁴〜
１×１０⁸であり、それらの重合度は、繰り返し構造や
その割合によっても変わる。成膜性の点から一般には繰
り返し構造の合計数が、好ましくは３０〜１００００、
さらに好ましくは５０〜５０００である。

【００６３】本発明の方法により製造された高分子蛍光
体を高分子ＬＥＤの発光材料として用いる場合、その純
度が発光特性に影響を与えるため、原料高分子蛍光体を
製造する際に、重合前のモノマーを、蒸留、昇華精製、
再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好まし
い。また、原料高分子蛍光体の製造の段階または本発に
おいて、高分子蛍光体を、再沈精製、クロマトグラフィ
ーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。次
に、本発明の高分子ＬＥＤについて説明する。本発明の
高分子ＬＥＤの構造としては、少なくとも一方が透明ま
たは半透明である一対の陽極および陰極からなる電極間
に発光層を有する高分子ＬＥＤであり、本発明の高分子
蛍光体が、該発光層中に含まれる。また、本発明の高分
子ＬＥＤとしては、陰極と発光層との間に、電子輸送層
を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸
送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電
子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送
層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。例えば、具体
的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。 ａ）陽極／発光層／陰極 ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極 ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極 ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極 （ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示
す。以下同じ。）

【００６４】ここで、発光層とは、発光する機能を有す
る層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有
する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を
有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称
して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送
層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。

【００６５】また、電極に隣接して設けた電荷輸送層の
うち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、
素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷
注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれるこ
とがある。

【００６６】さらに電極との密着性向上や電極からの電
荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入
層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、
界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や
発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。積
層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発
光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。

【００６７】本発明において、電荷注入層（電子注入
層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極
に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣
接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
例えば、具体的には、以下のe)〜p）の構造が挙げられ
る。 e）陽極／電荷注入層／発光層／陰極 f）陽極／発光層／電荷注入層／陰極 g）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極 h）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極 i）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極 j）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入
層／陰極 k）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極 l）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極 m）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入
層／陰極 n）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送
層／陰極 ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入
層／陰極 ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送
層／電荷注入層／陰極

【００６８】電荷注入層の具体的な例としては、導電性
高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、
陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間
の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰
極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送
層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を
有する材料を含む層などが例示される。

【００６９】上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の
場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^-5Ｓ／ｃｍ
以上１０³Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画
素間のリーク電流を小さくするためには、１０^-5Ｓ／ｃ
ｍ以上１０²Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０^-5Ｓ／
ｃｍ以上１０¹Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。通常は
該導電性高分子の電気伝導度を１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０
³Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量の
イオンをドープする。

【００７０】ドープするイオンの種類は、正孔注入層で
あればアニオン、電子注入層であればカチオンである。
アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオ
ン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン
酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチ
ウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テト
ラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。電荷注
入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであ
り、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。

【００７１】電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接す
る層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリ
ンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導
体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビ
ニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよ
びその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキ
ノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖
または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタ
ロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが
例示される。

【００７２】膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易
にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料とし
ては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙
げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥ
Ｄとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を
設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の
絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。

【００７３】具体的には、例えば、以下のｑ)〜ab）の
構造が挙げられる。 ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極 ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極 ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎ
ｍ以下の絶縁層／陰極 ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光
層／陰極 u）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁
層／陰極 v）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光
層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極 w）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送
層／陰極 x）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁
層／陰極 y）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送
層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極 z）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光
層／電子輸送層／陰極 aa）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎ
ｍ以下の絶縁層／陰極 ab）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光
層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極

【００７４】高分子ＬＥＤ作成の際に、これらの有機溶
媒可溶性の高分子蛍光体を用いることにより、溶液から
成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去
するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合し
た場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常に
有利である。溶液からの成膜方法としては、スピンコー
ト法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、
グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワ
イアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコー
ト法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット
印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いる
ことができる。

【００７５】発光層の膜厚としては、用いる材料によっ
て最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値とな
るように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍで
あり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好
ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

【００７６】本願発明の高分子ＬＥＤにおいては、発光
層に上記高分子蛍光体以外の発光材料を混合して使用し
てもよい。また、本願発明の高分子ＬＥＤにおいては、
上記高分子蛍光体以外の発光材料を含む発光層が、上記
高分子蛍光体を含む発光層と積層されていてもよい。該
発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化
合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンも
しくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリ
メチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系など
の色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体
の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペン
タジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブ
タジエンもしくはその誘導体などを用いることができ
る。具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同
５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公
知のものが使用可能である。

【００７７】本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有す
る場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニル
カルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくは
その誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有する
ポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールア
ミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン
誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフ
ェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘
導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘
導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もし
くはその誘導体などが例示される。

【００７８】具体的には、該正孔輸送材料として、特開
昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公
報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６
１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９
２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されている
もの等が例示される。

【００７９】これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸
送材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘
導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主
鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導
体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェン
もしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）
もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレン
ビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料
が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール
もしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、
側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサ
ン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高
分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

【００８０】ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導
体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラ
ジカル重合によって得られる。

【００８１】ポリシランもしくはその誘導体としては、
ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、
１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９
６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方
法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特に
キッピング法が好適に用いられる。

【００８２】ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シ
ロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、
側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有す
るものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族ア
ミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。

【００８３】正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、
低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶
液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正
孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示され
る。

【００８４】溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正
孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。
該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロ
エタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテ
ル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶
媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、
酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート
等のエステル系溶媒が例示される。

【００８５】溶液からの成膜方法としては、溶液からの
スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビア
コート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコ
ート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、ス
プレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、
オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布
法を用いることができる。

【００８６】混合する高分子バインダーとしては、電荷
輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に
対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分
子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレ
ート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン
等が例示される。

【００８７】正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料に
よって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値
となるように選択すればよいが、少なくともピンホール
が発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、
素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正
孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであ
り、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ま
しくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

【００８８】本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有す
る場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが
使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメ
タンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘
導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノ
ンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメ
タンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェ
ニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキ
ノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはそ
の誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導
体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオ
レンもしくはその誘導体等が例示される。

【００８９】具体的には、特開昭６３−７０２５７号公
報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３
５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９
９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２
１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

【００９０】これらのうち、オキサジアゾール誘導体、
ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもし
くはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしく
はその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘
導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフル
オレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフ
ェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキ
ノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリ
キノリンがさらに好ましい。

【００９１】電子輸送層の成膜法としては特に制限はな
いが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着
法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法
が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの
成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融
状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用しても
よい。

【００９２】溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電
子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させ
るものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロ
ホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶
媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メ
チルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸
ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶
媒が例示される。

【００９３】溶液または溶融状態からの成膜方法として
は、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラ
ビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロー
ルコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート
法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印
刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等
の塗布法を用いることができる。

【００９４】混合する高分子バインダーとしては、電荷
輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光
に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高
分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾー
ル）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェ
ンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレ
ン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビ
ニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリ
アクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメ
タクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、または
ポリシロキサンなどが例示される。

【００９５】電子輸送層の膜厚としては、用いる材料に
よって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値
となるように選択すればよいが、少なくともピンホール
が発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、
素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電
子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであ
り、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ま
しくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

【００９６】本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、
電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないも
のであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子
フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基
板の場合には、反対の電極が透明または半透明であるこ
とが好ましい。

【００９７】本発明において、陽極側が透明または半透
明であることが好ましいが、該陽極の材料としては、導
電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられ
る。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化ス
ズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オ
キサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等
からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡ
など）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、イ
ンジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作
製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、
該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリ
チオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜
を用いてもよい。陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導
度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば
１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１
μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍで
ある。また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、
フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどか
らなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶
縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよ
い。

【００９８】本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料
としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、
リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウ
ム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロン
チウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナ
ジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、
サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウ
ムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あ
るいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マ
ンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、
錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラフ
ァイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、
マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合
金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀
合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネ
シウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−
アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の
積層構造としてもよい。陰極の膜厚は、電気伝導度や耐
久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば
１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１
μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍで
ある。

【００９９】陰極の作製方法としては、真空蒸着法、ス
パッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート
法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導
電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ
化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層
を設けても良く、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護す
る保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期
安定的に用いるためには、素子を外部から保護するため
に、保護層および／または保護カバーを装着することが
好ましい。

【０１００】該保護層としては、高分子化合物、金属酸
化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることが
できる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に
低透水率処理を施したプラスチック板などを用いること
ができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板
と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペ
ーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを
防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのよう
な不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止するこ
とができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に
設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタ
メージを与えるのを抑制することが容易となる。これら
のうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好まし
い。本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るた
めには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すれ
ばよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記
面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスク
を設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成
し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれ
か一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法
がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、
いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置
することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示で
きるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ド
ットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をと
もにストライプ状に形成して直交するように配置すれば
よい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り
分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィル
ターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラ
ー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッ
シブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてア
クティブ駆動しても良い。これらの表示素子は、コンピ
ュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーシ
ョン、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装
置として用いることができる。さらに、前記面状の発光
素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライ
ト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適
に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用
いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

【０１０１】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明するために
実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。ここで、数平均分子量については、クロロホルム
を溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー（ＧＰＣ）によりポリスチレン換算の数平均分子量を
求めた。

【０１０２】実施例１ ＜高分子蛍光体（１）の合成＞２、５−ビス（クロロメ
チル）−４’−（３，７−ジメチルオクチルオキシ）ビ
フェニル １２ｇと２−メトキシ−５−（２−エチルヘ
キシルオキシ）−ｐ−キシリレンジクロリド ０．２ｇ
とを、脱水１，４−ジオキサン ２１００ｇに溶解し
た。この溶液を、２０分間窒素バブリングすることで系
内を窒素置換した後、窒素雰囲気中、９５℃まで昇温し
た。この液に、あらかじめ、脱水１，４−ジオキサン
２１０ｇに、カリウムターシャリーブトキサイド１５．
５ｇを溶かした溶液を、およそ１０分間で滴下した。滴
下後、９７℃で２．５時間保温し重合させた。重合後、
重合液を５０℃まで冷却した後、酢酸を加えて中和し
た。室温まで冷却した後、この重合液を、イオン交換水
２５００ｇ中にそそぎ込み、生成した沈殿を回収した。
この沈殿を、メタノールで洗浄した後、減圧乾燥した。
得られた重合体 ７ｇを、ＴＨＦ１５００ｇに溶解し
た。この溶液を、メタノール ２０００ｇ中にそそぎ込
み、生成した沈殿を回収した。この沈殿を、エタノール
で洗浄した後、減圧乾燥して、重合体５ｇを得た。この
重合体を、高分子蛍光体（１）と呼ぶ。

【０１０３】＜精製高分子蛍光体２の合成＞ 酸洗浄実施例 高分子蛍光体（１）の酸洗浄操作 上記の方法で合成した高分子蛍光体（１）０．４ｇを、
クロロホルム２００ｇに溶解した。この溶液を、１％酒
石酸水溶液 ２００ｇで洗浄した後、分液することによ
り、クロロホルム層を回収した。この操作を３回繰り返
した後、クロロホルム溶液を、超純水２００ｇで、５回
繰り返し洗浄した。このクロロホルム溶液を、メタノー
ル中にそそぎ込み、生成した沈殿を回収した。この沈殿
をエタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、酸洗浄処理
した、精製高分子蛍光体（２）を得た。それぞれの高分
子蛍光体（１）、（２）について、ＩＣＰ発光分析法に
より金属元素を定量した結果を表１に示す。精製した高
分子蛍光体（２）では、カリウム、鉄が低減されてい
た。

【０１０４】

【表１】

【０１０５】実施例２ ＜素子の作成および評価＞スパッタ法により１５０ｎｍ
の厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（３，
４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフ
ォン酸（Ｂａｙｅｒ製、Bytron P TP AI 4083）の
懸濁液を０．５μｍメンブランフィルターで濾過した
後、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで成膜し、真空
オーブンで１２０゜C、１時間乾燥した。その後、高分子
蛍光体（２）の０．４ｗｔ％クロロホルム溶液を用いて
スピンコートにより７０ｎｍの厚みで発光層を成膜し
た。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、
陰極として、フッ化リチウムを約０．４ｎｍ相当、次い
でカルシウムを４０ｎｍ、さらにアルミニウムを７０ｎ
ｍ蒸着して、高分子ＬＥＤ素子を作製した。蒸着のとき
の真空度は、すべて８×１０^-6Ｔｏｒｒ以下であった。
得られた素子に電圧を３．０Ｖ印加したところ、電流密
度２．５ｍＡ／ｃｍ² の電流が流れ、輝度３２０ｃｄ
／ｍ²の黄色のＥＬ発光が観測された。このときの発光
効率は１３ｃｄ／Ａであり、また素子の発光スペクトル
は、５４８ｎｍにピークを有していた。窒素気流下で素
子を１時間エージングした後に２５ｍＡ／ｃｍ²の一定
電流で連続駆動したところ、２０００ｃｄ／ｍ²の発光
輝度が、約６０時間で半減した。

【０１０６】比較例 実施例２と同様にして、精製した高分子蛍光体（２）の
替わりに精製前の高分子蛍光体（１）を用いて、高分子
ＬＥＤを作製した。得られた素子に電圧を３．０Ｖ印加
したところ、電流密度１．０ｍＡ／ｃｍ² の電流が流
れ、輝度１１０ｃｄ／ｍ²の黄色のＥＬ発光が観測され
た。このときの発光効率は１１ｃｄ／Ａであり、また素
子の発光スペクトルは、５４８ｎｍにピークを有してい
た。窒素気流下で素子を１時間エージングした後に２５
ｍＡ／ｃｍ²の一定電流で連続駆動したところ、２１０
０ｃｄ／ｍ²の発光輝度が、約４５時間で半減し、実施
例２の素子よりも寿命が短かった。

【０１０７】

【発明の効果】本発明の方法により製造された高分子蛍
光体を用いた高分子ＬＥＤは、長寿命である。したがっ
て、該高分子ＬＥＤは、バックライトとしての曲面状や
面状光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリ
ックスのフラットパネルディスプレイ等の装置に好まし
く使用できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA43Z FA44Z FB02 FC01 LA01 3K007 AB00 AB13 BB01 BB04 BB05 CA00 CA01 CA05 CA06 CB01 CB03 DA00 DB03 EB00 FA01 4J032 BA03 BA04 BA08 BA09 BA12 BA13 BA14 BA18 BB01 BB03 BC03 BC12 BD07 CA01 CA04 CA07 CA12 CB01 CB03 CB07 CB08 CC01 CD01 CE03 CE22 CF06 CG03

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】固体状態で蛍光を有し、ポリスチレン換算
   の数平均分子量が１×１０⁴〜１×１０⁸である高分子蛍
   光体を酸で処理する工程を含むことを特徴とする高分子
   蛍光体の製造方法。
2. 【請求項２】固体状態で蛍光を有し、ポリスチレン換算
   の数平均分子量が１×１０⁴〜１×１０⁸である高分子蛍
   光体を酸で処理する工程を含み、かつ前記高分子蛍光体
   に含まれる金属が低減されることを特徴とする請求項１
   記載の高分子蛍光体の製造方法。
3. 【請求項３】固体状態で蛍光を有し、ポリスチレン換算
   の数平均分子量が１×１０⁴〜１×１０⁸である高分子蛍
   光体を酸で処理する工程を含み、かつ前記高分子蛍光体
   に含まれる塩基が低減されることを特徴とする請求項１
   に記載の高分子蛍光体の製造方法。
4. 【請求項４】酸が有機酸であることを特徴とする請求項
   １〜３のいずれかに記載の高分子蛍光体の製造方法。
5. 【請求項５】固体状態で蛍光を有し、ポリスチレン換算
   の数平均分子量が１×１０⁴〜１×１０⁸である高分子蛍
   光体を酸で処理する工程が、酸の溶液と、該高分子蛍光
   体を溶媒に溶解してなる溶液とを接触させる工程である
   ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の高分
   子蛍光体の製造方法。
6. 【請求項６】固体状態で蛍光を有し、ポリスチレン換算
   の数平均分子量が１×１０⁴〜１×１０⁸である高分子蛍
   光体が下式（１）で示される繰り返し単位を少なくとも
   一種類含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに
   記載の高分子蛍光体の製造方法。 【化１】 −Ａｒ₁−（ＣＲ₁＝ＣＲ₂）_k− ・・・・・（１） 〔ここで、Ａｒ₁は、隣接する２つの基とそれぞれ炭素
   −炭素結合を形成する２価の基であり、主鎖部分に含ま
   れる炭素原子の数が６個以上６０個以下からなるアリー
   レン基、または主鎖部分に含まれる炭素原子の数が４個
   以上６０個以下からなる複素環化合物基であるものを示
   し、アリーレン基、複素環化合物基は置換基を有してい
   てもよい。Ｒ₁、Ｒ₂は、それぞれ独立に水素原子、炭素
   数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜６０のアリール
   基、炭素数４〜６０の複素環化合物基およびシアノ基か
   らなる群から選ばれる基を示し、アリール基、複素環化
   合物基は置換基を有していてもよい。ｋは０または１で
   ある。〕
7. 【請求項７】少なくとも一方が透明または半透明である
   一対の陽極および陰極からなる電極間に、高分子蛍光体
   を含む発光層を少なくとも一層有する高分子発光素子に
   おいて、該発光層に請求項1〜６のいずれかに記載の製
   造方法により製造された高分子蛍光体を含むことを特徴
   とする高分子発光素子。
8. 【請求項８】請求項７記載の高分子発光素子を用いたこ
   とを特徴とする面状光源。
9. 【請求項９】請求項７記載の高分子発光素子を用いたこ
   とを特徴とするセグメント表示装置。
10. 【請求項１０】請求項７記載の高分子発光素子を用いた
    ことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
11. 【請求項１１】請求項８記載の面状光源をバックライト
    とすることを特徴とする液晶表示装置。