JP2001123156A - 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 より強い蛍光を有する高分子蛍光体を用い
て、低電圧、高効率で駆動できるＬＥＤを提供する。 【解決手段】固体状態で蛍光を有し、ポリスチレン換算
の数平均分子量が１０³〜１０⁸である高分子蛍光体にお
いて、下記式（１）及び式（２）で示される繰り返し単
位をそれぞれ１種類以上含み、これらの繰り返し単位が
（ａ）〜（ｃ）を満たす高分子蛍光体。（ａ）式（１）
及び式（２）で示される繰り返し単位の合計が全繰り返
し単位の５０モル％以上。（ｂ）式（１）及び式（２）
で示される繰り返し単位の合計に対して、式（２）で示
される繰り返し単位が０．１モル％以上９モル％以下。
（ｃ）式（１）で示される繰り返し単位のみからなるポ
リマーの吸収端波長をλ₁（ｎｍ）、式（２）で示され
る繰り返し単位のみからなるポリマーの吸収端波長をλ
₂（ｎｍ）としたとき、 １２３９／λ₁≧１２３９／λ₂＋０．０５

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高分子蛍光体およ
びそれを用いた高分子発光素子（以下、高分子ＬＥＤと
いうことがある。）に関する。

【０００２】

【従来の技術】無機蛍光体を発光材料として用いた無機
エレクトロルミネッセンス素子（以下、無機ＥＬ素子と
いうことがある。）は、例えばバックライトとしての面
状光源やフラットパネルディスプレイ等の表示装置に用
いられているが、発光させるのに高電圧の交流が必要で
あった。

【０００３】無機ＥＬ素子の改良の観点から、有機蛍光
体色素を発光層に用い、これと電子写真の感光体等に用
いられている有機電荷輸送化合物とを積層した二層構造
を有する有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有
機ＥＬ素子ということがある。）が開示されている（特
開昭５９−１９４３９３号公報）。有機ＥＬ素子は、無
機ＥＬ素子に比べ、低電圧駆動、高輝度に加えて多数の
色の発光が容易に得られるという特徴があることから素
子構造や有機蛍光色素、有機電荷輸送化合物について多
くの試みが報告されている〔ジャパニーズ・ジャーナル
・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．）第２７巻、Ｌ２６９頁（１９８８
年）〕、〔ジャーナル・オブ・アプライド・フィジック
ス（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）第６５巻、３６１０頁
（１９８９年）〕。

【０００４】また、蛍光体として主に低分子の有機化合
物を用いる有機ＥＬ素子とは別に、高分子量の蛍光体
（以下、高分子蛍光体ということがある）を用いる高分
子ＬＥＤについて、ＷＯ９０１３１４８号公開明細書、
特開平３−２４４６３０号公報、アプライド・フィジッ
クス・レターズ（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）第
５８巻、１９８２頁（１９９１年）などに記載されてい
る。またＷＯ９０１３１４８号公開明細書には、可溶性
前駆体を電極上に成膜し、熱処理を行うことにより共役
系高分子に変換されたポリ（ｐ−フェニレンビニレン）
（以下、ＰＰＶということがある。）薄膜が得られるこ
とおよびそれを用いた素子が開示されている。

【０００５】さらに、特開平３−２４４６３０号公報に
は、それ自身が溶媒に可溶であり、熱処理が不要である
という特徴を有する共役系高分子からなる高分子蛍光体
が記載されている。さらにアプライド・フィジックス・
レターズ（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）第５８
巻、１９８２頁（１９９１年）には、溶媒に可溶な高分
子蛍光体およびそれを用いて作成した高分子ＬＥＤが記
載されている。

【０００６】高分子ＬＥＤに用いる高分子蛍光体は、塗
布により容易に有機層を製膜することができるので、低
分子を蒸着してする製膜する場合と比較して、発光素子
の大面積化や低コスト化に有利であり、高分子であるこ
とから膜の機械的強度も優れている。

【０００７】従来、これら高分子ＬＥＤに用いられる高
分子蛍光体としては、上記ポリ（ｐ−フェニレンビニレ
ン）以外にも、ポリフルオレン（ジャパニーズ・ジャー
ナル・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊｐｎ．Ｊ．
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）第３０巻、Ｌ１９４１頁（１９
９１年））、ポリパラフェニレン誘導体（アドバンスト
・マテリアルズ（Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．）第４巻、３６
頁（１９９２年））などが報告されている。

【０００８】また、特開平５−２０２３５５号公報に
は、２種類以上のアリーレンビニレン繰り返し単位から
なる共重合体からなる高分子蛍光体が記載されており、
アリーレン基の例としてビフェニレン基やターフェニレ
ン基が例示されている。また、特開平１１−９７１７５
号公報には、２つ以上のアリール基または芳香族ヘテロ
環基で置換されたアリーレン基または芳香族ヘテロ環基
からなるポリアリーレンビニレンが記載されており、ア
リーレン基の例としてビフェニレン基やターフェニレン
基も例示されている。さらに、特開平１１−１４０１６
８号公報には、ポリ（置換ビフェニレンビニレン）とそ
の製造方法が記載されている。また、特表平１１−５０
２２４８号公報には、オリゴ−ｐ−フェニレン単位を含
むポリマーとその製造方法が記載されている。次に、特
開平１０−３６４８７号公報には、フルオレンビニレン
とアリーレンビニレンの交互共重合体が記載されてい
る。

【０００９】このように高分子ＬＥＤに用いる高分子蛍
光体として、様々なポリアリーレンビニレンやその共重
合体が開示されているが、さらに強い蛍光を示し得る高
分子蛍光体が求められていた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、より
強い蛍光を有する高分子蛍光体と、該高分子蛍光体を用
いて、低電圧、高効率で駆動できる高性能の高分子ＬＥ
Ｄを提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、このよう
な事情をみて鋭意検討した結果、２〜５個のアリーレン
基または複素環化合物基が連結してなる特定の基を含む
繰り返し単位と、特定のアリーレン基または複素環化合
物基を含む繰り返し単位とを特定の割合で含み、かつこ
れらの繰り返し単位のそれぞれのみからなるポリマーの
吸収端波長同士が特定の関係にある高分子蛍光体が、よ
り強い蛍光を有しており、該高分子蛍光体を用いること
により、低電圧、高効率で駆動できる高性能の高分子Ｌ
ＥＤが得られることを見出し、本発明に至った。

【００１２】すなわち本発明は、〔１〕固体状態で蛍光
を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１
０⁸である高分子蛍光体において、下記式（１）および
式（３）で示される繰り返し単位をそれぞれ１種類以上
含み、これらの繰り返し単位が以下の条件（ａ）〜
（ｃ）を満たす高分子蛍光体に関する。（ａ）式（１）
および式（３）で示される繰り返し単位の合計が全繰り
返し単位の５０モル％以上である。（ｂ）式（１）およ
び式（３）で示される繰り返し単位の合計に対して、式
（３）で示される繰り返し単位が０．１モル％以上９モ
ル％以下である。（ｃ）式（１）で示される繰り返し単
位のみからなるポリマーの吸収端波長をλ₁（ｎｍ）、
式（３）で示される繰り返し単位のみからなるポリマー
の吸収端波長をλ₂（ｎｍ）としたとき、 １２３９／λ₁≧１２３９／λ₂＋０．０５ が成り立つ。

【化６】 ・・・・・（１） 〔ここで、Ａｒ₁は、下記式（２）で示される基であ
る。Ｒ₁、Ｒ₂は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜
２０のアルキル基、炭素数６〜６０のアリール基、炭素
数４〜６０の複素環化合物基およびシアノ基からなる群
から選ばれる基を示す。ｎは０または１である。〕

【化７】 ・・・・・（２） 〔ここで、 Ａｒ₂〜Ａｒ₄はそれぞれ独立に、主鎖部分
に含まれる炭素原子数が６〜６０のアリーレン基、また
は主鎖部分に含まれる炭素原子数が４〜６０の２価の複
素環化合物基である。 Ａｒ₂〜Ａｒ₄のうち少なくとも
１つは、六員環以外の基であるか、または、少なくとも
１つは水素原子ではない置換基を有する。複数の置換基
を有する場合には、それらは同一であっても異なってい
てもよい。また、隣接する環どうしがそれぞれ互いに直
接または置換基を介して連結されて環を形成していても
よい。ｍは０〜３の整数である。ここで、 Ａｒ₂とＡｒ
₄とは、Ａｒ₂を平行移動してもＡｒ₄と完全に重なるこ
とがない構造を有する。〕

【化８】 ・・・・・（３） 〔ここで、Ａｒ₅は、主鎖部分に含まれる炭素原子数が
６〜６０のアリーレン基、または主鎖部分に含まれる炭
素原子数が４〜６０の２価の複素環化合物基である。Ｒ
₃、Ｒ₄は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の
アルキル基、炭素数６〜６０のアリール基、炭素数４〜
６０の複素環化合物基およびシアノ基からなる群から選
ばれる基を示す。ｌは０または１である。〕 また、本発明は、〔２〕固体状態で蛍光を有し、ポリス
チレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸である高分子
蛍光体において、前記式（１）、式（３）および下記式
（４）で示される繰り返し単位をそれぞれ１種類以上含
み、これらの繰り返し単位が以下の条件（ｄ）〜（ｆ）
を満たす高分子蛍光体に関する。（ｄ）式（１）で示さ
れる繰り返し単位が全繰り返し単位の１０モル％以上で
あり、かつ式（１）、式（３）および式（４）で示され
る繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の５０モル％以
上である。（ｅ）式（１）、式（３）および式（４）で
示される繰り返し単位の合計に対して、式（３）で示さ
れる繰り返し単位が０．１モル％以上９モル％以下であ
る。（ｆ）式（１）で示される繰り返し単位のみからな
るポリマーの吸収端波長をλ₁（ｎｍ）、式（３）で示
される繰り返し単位のみからなるポリマーの吸収端波長
をλ₂（ｎｍ）、式（４）で示される繰り返し単位のみ
からなるポリマーの吸収端波長をλ₃（ｎｍ）としたと
き、 １２３９／λ₁≧１２３９／λ₂＋０．０５ １２３９／λ₃≧１２３９／λ₂＋０．０５ が成り立つ。

【化９】 ・・・・・（４） 〔ここで、Ａｒ₆は、主鎖部分に含まれる炭素原子数が
６〜６０のアリーレン基、または主鎖部分に含まれる炭
素原子数が４〜６０の２価の複素環化合物基である。Ｒ
₅、Ｒ₆は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の
アルキル基、炭素数６〜６０のアリール基、炭素数４〜
６０の複素環化合物基およびシアノ基からなる群から選
ばれる基を示す。ｋは０または１である。〕 また、本発明は、〔３〕少なくとも一方が透明または半
透明である一対の陽極および陰極からなる電極間に、発
光層を有する高分子発光素子において、上記〔１〕また
は〔２〕の高分子蛍光体が、該発光層中に含まれる高分
子発光素子に係るものである。さらに、本発明は、
〔４〕上記〔３〕の高分子発光素子を用いた面状光源に
係るものである。次に、本発明は、〔５〕上記〔３〕の
高分子発光素子を用いたセグメント表示装置に係るもの
である。また、本発明は、〔６〕上記〔３〕の高分子発
光素子を用いたドットマトリックス表示装置に係るもの
である。さらに本発明は、〔７〕上記〔３〕の高分子発
光素子をバックライトとする液晶表示装置に係るもので
ある

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の高分子蛍光体およ
びそれを用いた高分子ＬＥＤについて詳細に説明する。
本発明の高分子蛍光体は、固体状態で蛍光を有し、ポリ
スチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸であり、前
記式（１）および式（３）で示される繰り返し単位をそ
れぞれ１種類以上含み、かつ以下の条件（ａ）〜（ｃ）
を満たすように繰り返し単位が選択されている高分子蛍
光体である。（ａ）式（１）および式（３）で示される
繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の５０モル％以上
である。（ｂ）式（１）および式（３）で示される繰り
返し単位の合計に対して、式（３）で示される繰り返し
単位が０．１モル％以上９モル％以下である。（ｃ）式
（１）で示される繰り返し単位のみからなるポリマーの
吸収端波長をλ₁（ｎｍ）、式（３）で示される繰り返
し単位のみからなるポリマーの吸収端波長をλ₂（ｎ
ｍ）としたとき、 １２３９／λ₁≧１２３９／λ₂＋０．０５ が成り立つ。ここで、ポリマーの吸収端波長は、該ポリ
マーの薄膜の吸収スペクトルを測定し、ベースラインか
ら吸収が立ち上がる波長を求める。具体的には、例えば
石英板上に高分子蛍光体の溶液をスピンコートして、厚
さ５０〜３００ｎｍ程度の薄膜を形成し、吸収スペクト
ルを求める。このスペクトルに対し、ベースライン、吸
収の立ち上がり部分にそれぞれ接する直線の交点の波長
を吸収端波長とする。また、吸収端波長（ｎｍ）の逆数
を取り、１２３９倍することにより、該ポリマーを励起
するのに必要な最も小さなエネルギーの大きさをエレク
トロンボルト（ｅＶ）単位で表した数字に変換すること
ができる。

【００１４】繰り返し単位の構造にもよるが、上記
（ａ）〜（ｃ）に加えて下記（ａ’）〜（ｃ’）のいず
れか１つ以上が成り立つことが好ましく、３つとも成り
立つことがより好ましい。（ａ’）式（１）および式
（３）で示される繰り返し単位の合計が全繰り返し単位
の７０モル％以上である。（ｂ’）式（１）および式
（３）で示される繰り返し単位の合計に対して、式
（３）で示される繰り返し単位が０．２モル％以上８モ
ル％以下である。 （ｃ’）１２３９／λ₁ ≧ １２３９／λ₂ ＋ ０．
０７ が成り立つ。

【００１５】また、本発明のもう１つの高分子蛍光体
は、固体状態で蛍光を有し、ポリスチレン換算の数平均
分子量が１０³〜１０⁸であり、前記式（１）、式（３）
および式（４）で示される繰り返し単位をそれぞれ１種
類以上含み、かつ以下の条件（ｄ）〜（ｆ）を満たすよ
うに繰り返し単位が選択されている高分子蛍光体であ
る。（ｄ）式（１）で示される繰り返し単位は全繰り返
し単位の１０モル％以上であり、かつ式（１）、式
（３）および式（４）で示される繰り返し単位の合計が
全繰り返し単位の５０モル％以上である。（ｅ）式
（１）、式（３）および式（４）で示される繰り返し単
位の合計に対して、式（３）で示される繰り返し単位が
０．１モル％以上９モル％以下である。（ｆ）式（１）
で示される繰り返し単位のみからなるポリマーの吸収端
波長をλ₁（ｎｍ）、式（３）で示される繰り返し単位
のみからなるポリマーの吸収端波長をλ₂（ｎｍ）、式
（４）で示される繰り返し単位のみからなるポリマーの
吸収端波長をλ₃（ｎｍ）としたとき、 １２３９／λ₁≧１２３９／λ₂＋０．０５ １２３９／λ₃≧１２３９／λ₂＋０．０５ が成り立つ。

【００１６】繰り返し単位の構造にもよるが、上記
（ｄ）〜（ｆ）に加えて下記（ｄ’）〜（ｆ’）のいず
れか１つ以上が成り立つことが好ましく、３つとも成り
立つことがより好ましい。（ｄ’）式（１）で示される
繰り返し単位は全繰り返し単位の２０モル％以上であ
り、かつ式（１）、式（３）および式（４）で示される
繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の７０モル％以上
である。（ｂ’）式（１）、式（３）および式（４）で
示される繰り返し単位の合計に対して、式（３）で示さ
れる繰り返し単位が０．２モル％以上８モル％以下であ
る。 （ｃ’）１２３９／λ₁ ≧ １２３９／λ₂ ＋ ０．
０７ および１２３９／λ₃ ≧ １２３９／λ₂ ＋ ０．０
７ が成り立つ。

【００１７】Ａｒ₁は、前記式（２）で示されるアリー
レン基または複素環化合物基が２〜５個連結した基であ
る。これらの基は、その両端のアリーレン基または複素
環化合物基における置換基の位置と結合の方向によって
特徴づけられており、Ａｒ₂とＡｒ₄とは、Ａｒ₂を主鎖
の方向に平行移動してもＡｒ₄と完全に重なることがな
い構造を有する。つまり、 Ａｒ₂とＡｒ₄とは、式
（２）において、 Ａｒ₂とＡｒ₄とを化学構造式同士で
比較したときに、並進対称性をもたない構造を有する。
一般に、適当な平行移動を行ったときに、移動前の図形
との違いがわからない図形は「並進対称性をもつ」という
（化学大辞典、東京化学同人、１９８９年）。すなわ
ち、両端の２個は互いに骨格となる環が異なるか、同一
の環であっても異なる置換基を有するか、同一の環が同
一の置換基を有していてもその結合数や位置が異なって
おり、主鎖の単結合が回転してもそれらが同じ構造と方
向となることはない。従って、１種類のアリーレン基ま
たは複素環化合物基が２〜５個組合わさったものとは異
なっている。好ましい例の１つとしては、下記式（５）
で示される２〜５個の六員環が１，４−位で互いに連結
した基である。

【化１０】 ・・・・・（５） これらの基は、置換基の位置、Ｎの有無および位置によ
って特徴づけられており、１種類の六員環が２〜５個組
合わさったものとは異なっている。

【００１８】上記式（１）におけるＡｒ₁が上記式
（５）で示される基である場合、２〜５個の六員環芳香
環が互いに連結してなる二価の基である。ここで、 Ｘ₁
〜Ｘ₁₂はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ₇またはＮであり、 Ｘ
₁〜Ｘ₁₂のうち少なくとも１つはＣ−Ｒ₇である。Ｒ
₇は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数
１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキルチ
オ基、炭素数１〜６０のアルキルシリル基、炭素数１〜
４０のアルキルアミノ基、炭素数６〜６０のアリール
基、炭素数６〜６０のアリールオキシ基、炭素数７〜６
０のアリールアルキル基、炭素数７〜６０のアリールア
ルコキシ基、炭素数８〜６０のアリールアルケニル基、
炭素数８〜６０のアリールアルキニル基、炭素数６〜６
０のアリールアミノ基、炭素数４〜６０の複素環化合物
基およびシアノ基からなる群から選ばれる基を示す。
Ｒ₇のうち少なくとも１つは水素原子以外の基である。
Ｒ₇が複数の場合には、それらは同一でも異なっていて
もよい。また、隣接する六員環どうしがそれぞれ互いに
直接または置換基を介して連結されて環を形成していて
もよい。ｊは０〜３の整数であり、 ｊ＝０であれば合
成が容易であり、好ましい。ここで、Ｘ₁とＸ₉、Ｘ₂と
Ｘ₁₀、Ｘ₃とＸ₁₁、Ｘ₄とＸ₁₂の４つの組がすべて同時に
それぞれ同一であることはなく、またＸ₁とＸ₁₂、Ｘ₂と
Ｘ₁₁、Ｘ₃とＸ₁₀、Ｘ₄とＸ₉の４つの組がすべて同時に
それぞれ同一であることはない。

【００１９】Ａｒ₁としては、高分子蛍光体の蛍光特性
を損なわないように選択すればよく、具体例としては、
下記化１１、化１２の基のなかで、上記式（２）におけ
るＡｒ₂とＡｒ₄の関係などの条件を満たすもの、および
下記化１２の基のなかで、上記式（５）におけるＸ₁と
Ｘ₉、Ｘ₂とＸ₁₀、Ｘ₃とＸ₁₁、Ｘ₄とＸ₁₂の４つの組の関
係およびＸ₁とＸ₁₂、Ｘ₂とＸ₁₁、Ｘ₃とＸ₁₀、Ｘ₄とＸ₉
の４つの組の関係を満たした基が挙げられる。ここで、
化１２のＲ₉が、上記式（５）におけるＲ₇に対応する場
合には、少なくとも１つは水素原子以外の基である。

【００２０】

【化１１】

【００２１】

【化１２】 ここで、 Ｒ₈、Ｒ₉は、それぞれ独立に、水素原子、ま
たは置換基を示す。置換基の例としては、炭素数１〜２
０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素
数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数１〜６０のアルキ
ルシリル基、炭素数１〜４０のアルキルアミノ基、炭素
数６〜６０のアリール基、炭素数６〜６０のアリールオ
キシ基、炭素数７〜６０のアリールアルキル基、炭素数
７〜６０のアリールアルコキシ基、炭素数８〜６０のア
リールアルケニル基、炭素数８〜６０のアリールアルキ
ニル基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数４
〜６０の複素環化合物基およびシアノ基が例示される。
上記の例において、１つの構造式中に複数のＲ₈または
Ｒ₉を有しているが、それらは同一であってもよいし、
異なる基であってもよく、それぞれ独立に選択される。

【００２２】Ａｒ₁の水素原子以外の基の置換態様に関
しては、例えば、下記化１３のものが挙げられる。化１
３において、Ｒ₁₀は、 Ｒ₈またはＲ₉について例示され
た基のうち水素原子ではない基を示す。

【００２３】

【化１３】

【００２４】Ａｒ₁のうちｍ＝０または１のものが好ま
しくｍ＝０のものがさらに好ましい。２個または３個の
六員環および縮合環が連結した基が好ましく、ｍ＝０の
もののなかでは、置換ビフェニレン基、置換ジナフタレ
ン基、置換ジアントラセン基、置換９，１０−ジヒドロ
フェナントレン基、置換ピリミジンジイル−フェニレン
基、置換フルオレン基がさらに好ましい。また、ｍ＝１
のもののなかでは、置換ターフェニレン基、置換ジフェ
ニルアントラセン基がさらに好ましい。これらのなか
で、置換ビフェニレン基、置換フルオレン基が特に好ま
しい。

【００２５】上記式（３）におけるＡｒ₂および上記式
（４）におけるＡｒ₃は、主鎖部分に含まれる炭素原子
数が６個以上６０個以下からなるアリーレン基、または
主鎖部分に含まれる炭素原子数が４個以上６０個以下か
らなる２価の複素環化合物基である。Ａｒ₂またはＡｒ₃
複数の置換基を有する場合、それらは同一であってもよ
いし、それぞれ異なっていてもよい。溶媒への溶解性を
高めるためには、水素原子でない置換基を少なくとも１
つ有していることが好ましく、また置換基を含めた繰り
返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましい。

【００２６】Ａｒ₂またはＡｒ₃としては、高分子蛍光体
の蛍光特性を損なわないように選択すればよく、具体的
な例としては下記化１４、化１５、化１６、化１７に例
示された二価の基が挙げられる。

【００２７】

【化１４】

【００２８】

【化１５】

【００２９】

【化１６】

【００３０】

【化１７】

【００３１】ここで、 Ｒは、それぞれ独立に、水素原
子または置換基を示す。置換基の例としては、炭素数１
〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、
炭素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数１〜６０のア
ルキルシリル基、炭素数１〜４０のアルキルアミノ基、
炭素数６〜６０のアリール基、炭素数６〜６０のアリー
ルオキシ基、炭素数７〜６０のアリールアルキル基、炭
素数７〜６０のアリールアルコキシ基、炭素数８〜６０
のアリールアルケニル基、炭素数８〜６０のアリールア
ルキニル基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素
数４〜６０の複素環化合物基およびシアノ基が例示され
る。上記の例において、１つの構造式中に複数のＲを有
しているが、それらは同一であってもよいし、異なる基
であってもよく、それぞれ独立に選択される。Ａｒ₂ま
たはＡｒ₃が複数の置換基を有する場合、それらは同一
であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。溶媒
への溶解性を高めるためには、水素原子でない置換基を
少なくとも１つ有していることが好ましく、また置換基
を含めた繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好
ましい。

【００３２】Ｒが、水素原子またはシアノ基以外の置換
基である場合について述べると、炭素数１〜２０のアル
キル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチ
ル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基などが挙げら
れ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基が
好ましい。

【００３３】炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、
メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ
基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオ
キシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオ
キシ基、ラウリルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオ
キシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシル
オキシ基が好ましい。

【００３４】炭素数１〜２０のアルキルチオ基として
は、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブ
チルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチ
ルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ
基、ラウリルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、
ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基が好ま
しい。

【００３５】炭素数１〜６０のアルキルシリル基として
は、メチルシリル基、エチルシリル基、プロピルシリル
基、ブチルシリル基、ペンチルシリル基、ヘキシルシリ
ル基、ヘプチルシリル基、オクチルシリル基、ノニルシ
リル基、デシルシリル基、ラウリルシリル基、トリメチ
ルシリル基、エチルジメチルシリル基、プロピルジメチ
ルシリル基、ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチ
ルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメ
チルシリル基、オクチルジメチルシリル基、ノニルジメ
チルシリル基、デシルジメチルシリル基、ラウリルジメ
チルシリル基などが挙げられ、ペンチルシリル基、ヘキ
シルシリル基、オクチルシリル基、デシルシリル基、ペ
ンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、
オクチルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基が
好ましい。

【００３６】炭素数１〜４０のアルキルアミノ基として
は、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ
基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ペンチルアミ
ノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチル
アミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、ラウリル
アミノ基などが挙げられ、ペンチルアミノ基、ヘキシル
アミノ基、オクチルアミノ基、デシルアミノ基が好まし
い。

【００３７】炭素数６〜６０のアリール基としては、フ
ェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂
は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様であ
る。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル
基、２−ナフチル基などが例示され、 Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコ
キシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ま
しい。

【００３８】炭素数６〜６０のアリールオキシ基として
は、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ
基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオ
キシ基、２−ナフチルオキシ基などが例示され、 Ｃ₁〜
Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェ
ノキシ基が好ましい。

【００３９】炭素数６〜６０のアリールアルキル基とし
ては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アル
コキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アル
キルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキ
ル基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−
Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ
₁〜Ｃ₁₂アルキル基が好ましい。

【００４０】炭素数６〜６０のアリールアルコキシ基と
しては、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂
アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ
₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナ
フチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜
Ｃ₁₂アルコキシ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキ
シフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキ
ルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ_{1 2}アルコキシ基が好ましい。

【００４１】炭素数６〜６０のアリールアミノ基として
は、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ
₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコ
キシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェ
ニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチル
アミノ基などが例示され、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル
アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基
が好ましい。

【００４２】炭素数４〜６０の複素環化合物基として
は、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロ
リル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピ
リジル基などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アル
キルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリ
ジル基が好ましい。

【００４３】Ｒの例のうち、アルキル鎖を含む置換基に
おいては、それらは直鎖、分岐枝付きまたは環状のいず
れかまたはそれらの組み合わせであってもよく、直鎖で
ない場合、例えば、イソアミル基、２−エチルヘキシル
基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロヘキシル基、
４−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシクロヘキシル基などが例示さ
れる。高分子蛍光体の溶媒への溶解性を高めるために
は、Ａｒ₁、Ａｒ₂またはＡｒ₃の置換基のうちの１つ以
上に環状または分岐のあるアルキル鎖が含まれることが
好ましい。

【００４４】上記式（１）において、ｎは０または１で
あり、上記式（３）において、ｌは０または１であり、
上記式（４）において、ｋは０または１である。上記式
（１）におけるＲ₁、Ｒ₂、上記式（３）におけるＲ₃、
Ｒ₄はおよび上記式（４）におけるＲ₅、Ｒ₆は、それぞ
れ独立に水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素
数６〜６０のアリール基、炭素数４〜６０の複素環化合
物基およびシアノ基からなる群から選ばれる基を示す。
Ｒ₁、Ｒ₂、 Ｒ₃、Ｒ₄、 Ｒ₅、Ｒ₆が、水素原子または
シアノ基以外の置換基である場合について述べると、炭
素数１〜２０のアルキル基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリ
ル基などが挙げられ、メチル基、エチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が好ましい。
炭素数６〜６０のアリール基としては、フェニル基、Ｃ
₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェ
ニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などが例示さ
れ、フェニル基、 Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基が好ま
しい。炭素数４〜６０の複素環化合物基としては、チエ
ニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、
フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基
などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエ
ニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が
好ましい。

【００４５】また、高分子蛍光体の末端基は、特に限定
されないが、重合活性基がそのまま残っていると、素子
にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるの
で、安定な基で保護されていることが好ましい。主鎖の
共役構造と連続した共役結合を有しているものがより好
ましく、例えば、ビニレン基を介してアリール基または
複素環化合物基と結合している構造が例示される。具体
的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の
置換基等が例示される。

【００４６】該高分子蛍光体の合成法としては、主鎖に
ビニレン基を有する場合には、例えば特開平５−２０２
３５５号公報に記載の方法が挙げられる。すなわち、ジ
アルデヒド化合物とジホスホニウム塩化合物とのＷｉｔ
ｔｉｇ反応による重合、ハロゲン化メチル基を２つ有す
る化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、スルホニ
ウム塩基を２つ有する化合物のスルホニウム塩分解法に
よる重縮合、ジアルデヒド化合物とジアセトニトリル化
合物とのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、ジビ
ニル化合物とジハロゲン化合物とのＨｅｃｋ反応などの
方法が例示される。

【００４７】また、主鎖にビニレン基を有しない場合に
は、例えば該当するモノマーからＳｕｚｕｋｉカップリ
ングにより重合する方法、ゼロ価ニッケル錯体を用いて
重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方
法、ＦｅＣｌ₃等の酸化剤により重合する方法、電気化
学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱離基を有す
る中間体高分子の分解による方法などが例示される。

【００４８】なお、該高分子蛍光体は、蛍光特性や電荷
輸送特性を損なわない範囲で、式（１）、式（３）また
は式（４）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位
を含んでいてもよい。また、式（１）、式（３）または
式（４）で示される繰り返し単位や他の繰り返し単位
が、エーテル基、エステル基、アミド基、イミド基など
を有する非共役の単位で連結されていてもよいし、繰り
返し単位にそれらの非共役部分が含まれていてもよい。
また、該高分子蛍光体は、ランダム、ブロックまたはグ
ラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構
造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム
共重合体であってもよい。蛍光の量子収率の高い高分子
蛍光体を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブ
ロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグ
ラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末
端部が３つ以上ある場合も含まれる。

【００４９】また、薄膜からの発光を利用するので該高
分子蛍光体は、固体状態で蛍光を有するものが好適に用
いられる。該高分子蛍光体に対する良溶媒としては、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒ
ドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、デカリ
ン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示される。高分子蛍光
体の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に
０．１重量％以上溶解させることができる。

【００５０】該高分子蛍光体は、数平均分子量がポリス
チレン換算で１０³〜１０⁸であり、溶解性および成膜性
の観点からは、１０⁴〜１０⁶が好ましく、５×１０⁴〜
１０⁶が特に好ましい。また、重量平均分子量と数平均
分子量の比は、１〜４０であることが好ましく、２〜２
０であることが特に好ましい。それらの重合度は、繰り
返し構造やその割合によっても変わる。成膜性の点から
一般には、繰り返し構造の合計数が、好ましくは２０〜
１００００、さらに好ましくは３０〜１００００、特に
好ましくは５０〜５０００である。

【００５１】これらの高分子蛍光体を高分子ＬＥＤの発
光材料として用いる場合、その純度が発光特性に影響を
与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結
晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましく、
また合成後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別
等の純化処理をすることが好ましい。

【００５２】次に、本発明の高分子ＬＥＤについて説明
する。本発明の高分子ＬＥＤの構造としては、少なくと
も一方が透明または半透明である一対の陽極および陰極
からなる電極間に発光層を有する高分子ＬＥＤにおい
て、本発明の高分子蛍光体が該発光層中に含まれる。ま
た、本発明の高分子ＬＥＤとしては、陰極と発光層との
間に電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層と
の間に正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層
との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に
正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。例え
ば、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示され
る。 ａ）陽極／発光層／陰極 ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極 ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極 ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極 （ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示
す。以下同じ。） ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であ
り、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層で
ある。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸
送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それ
ぞれ独立に２層以上用いてもよい。また、電極に隣接し
て設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を
改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有
するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入
層）と一般に呼ばれることがある。さらに電極との密着
性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣
接して前記の電荷注入層または膜厚２ｎｍ以下の絶縁層
を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止
等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー
層を挿入してもよい。積層する層の順番や数、および各
層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適
宜用いることができる。本発明において、電荷注入層
（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとし
ては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥ
Ｄ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが
挙げられる。例えば、具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の
構造が挙げられる。 ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極 ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極 ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極 ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極 ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極 ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入
層／陰極 ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／陰極 ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極 ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入
層／陰極 ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送
層／陰極 ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入
層／陰極 ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送
層／電荷注入層／陰極 電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む
層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正
孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン
化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送
層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる
電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を
含む層などが例示される。上記電荷注入層が導電性高分
子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１
０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³Ｓ／ｃｍ以下であることが好ま
しく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、
１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０²以下がより好ましく、１０^-5
Ｓ／ｃｍ以上１０¹以下がさらに好ましい。通常は該導
電性高分子の電気伝導度を１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³Ｓ
／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオ
ンをドープする。ドープするイオンの種類は、正孔注入
層であればアニオン、電子注入層であればカチオンであ
る。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イ
オン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホ
ン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リ
チウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テ
トラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。電荷
注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであ
り、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。

【００５３】電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接す
る層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリ
ンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導
体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビ
ニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよ
びその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキ
ノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖
または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタ
ロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが
例示される。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易
にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料とし
ては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙
げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥ
Ｄとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を
設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の
絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。具体的に
は、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。 ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極 ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極 ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎ
ｍ以下の絶縁層／陰極 ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光
層／陰極 ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁
層／陰極 ｖ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光
層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極 ｗ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送
層／陰極 ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁
層／陰極 ｙ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送
層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極 ｚ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光
層／電子輸送層／陰極 ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２
ｎｍ以下の絶縁層／陰極 ａｂ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発
光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極

【００５４】高分子ＬＥＤ作成の際に、これらの有機溶
媒可溶性の高分子蛍光体を用いることにより、溶液から
成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去
するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合し
た場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常に
有利である。溶液からの成膜方法としては、スピンコー
ト法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、
グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワ
イアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコー
ト法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット
印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いる
ことができる。

【００５５】発光層の膜厚としては、用いる高分子蛍光
体によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度
な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから
１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、
さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

【００５６】本発明の高分子ＬＥＤにおいては、発光層
に上記高分子蛍光体以外の発光材料を混合使用してもよ
い。また、本発明の高分子ＬＥＤにおいては、上記高分
子蛍光体以外の発光材料を含む発光層が、上記高分子蛍
光体を含む発光層と積層されていてもよい。該発光材料
としては、公知のものが使用できる。低分子化合物で
は、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくは
その誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン
系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素
類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属
錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエ
ンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエ
ンもしくはその誘導体などを用いることができる。

【００５７】具体的には、例えば特開昭５７−５１７８
１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているも
の等、公知のものが使用可能である。

【００５８】本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有す
る場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニル
カルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくは
その誘導体、側鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサ
ン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、
スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリ
アニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくは
その誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ
（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、また
はポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘
導体が例示される。

【００５９】具体的には、該正孔輸送材料として、特開
昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公
報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６
１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９
２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されている
もの等が例示される。

【００６０】これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸
送材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘
導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主
鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導
体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェン
もしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）
もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレン
ビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料
が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール
もしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、
側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサ
ン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高
分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

【００６１】ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導
体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラ
ジカル重合によって得られる。

【００６２】ポリシランもしくはその誘導体としては、
ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、
１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９
６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方
法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特に
キッピング法が好適に用いられる。

【００６３】ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シ
ロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、
側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有す
るものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族ア
ミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。

【００６４】正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、
低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶
液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正
孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示され
る。

【００６５】溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正
孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。
該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロ
エタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテ
ル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶
媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、
酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート
等のエステル系溶媒が例示される。

【００６６】溶液からの成膜方法としては、溶液からの
スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビア
コート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコ
ート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、ス
プレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、
オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布
法を用いることができる。

【００６７】混合する高分子バインダーとしては、電荷
輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に
対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分
子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレ
ート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン
等が例示される。

【００６８】正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料に
よって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値
となるように選択すればよいが、少なくともピンホール
が発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、
素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正
孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであ
り、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ま
しくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

【００６９】本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有す
る場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが
使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメ
タンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘
導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノ
ンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメ
タンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェ
ニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキ
ノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはそ
の誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導
体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオ
レンもしくはその誘導体等が例示される。

【００７０】具体的には、特開昭６３−７０２５７号公
報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３
５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９
９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２
１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

【００７１】これらのうち、オキサジアゾール誘導体、
ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもし
くはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしく
はその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘
導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフル
オレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフ
ェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキ
ノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウムがさら
に好ましい。

【００７２】電子輸送層の成膜法としては特に制限はな
いが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着
法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法
が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの
成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融
状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用しても
よい。

【００７３】溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電
子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させ
るものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロ
ホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶
媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メ
チルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸
ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶
媒が例示される。

【００７４】溶液または溶融状態からの成膜方法として
は、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラ
ビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロー
ルコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート
法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印
刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等
の塗布法を用いることができる。

【００７５】混合する高分子バインダーとしては、電荷
輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光
に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高
分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾー
ル）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェ
ンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレ
ン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビ
ニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリ
アクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメ
タクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、または
ポリシロキサンなどが例示される。

【００７６】電子輸送層の膜厚としては、用いる材料に
よって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値
となるように選択すればよいが、少なくともピンホール
が発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、
素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電
子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであ
り、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ま
しくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

【００７７】本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、
電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないも
のであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子
フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基
板の場合には、反対の電極が透明または半透明であるこ
とが好ましい。

【００７８】本発明において、陽極側が透明または半透
明であることが好ましいが、該陽極の材料としては、導
電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられ
る。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化ス
ズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オ
キサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等
からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡ
など）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、イ
ンジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作
製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、
該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリ
チオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜
を用いてもよい。陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導
度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば
１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１
μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍで
ある。また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、
フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどか
らなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶
縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよ
い。

【００７９】本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料
としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、
リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウ
ム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロン
チウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナ
ジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、
サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウ
ムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あ
るいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マ
ンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、
錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラフ
ァイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、
マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合
金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀
合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネ
シウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−
アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の
積層構造としてもよい。陰極の膜厚は、電気伝導度や耐
久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば
１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１
μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍで
ある。

【００８０】陰極の作製方法としては、真空蒸着法、ス
パッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート
法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導
電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ
化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層
を設けてもよく、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護す
る保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期
安定的に用いるためには、素子を外部から保護するため
に、保護層および／または保護カバーを装着することが
好ましい。

【００８１】該保護層としては、高分子化合物、金属酸
化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることが
できる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に
低透水率処理を施したプラスチック板などを用いること
ができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板
と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペ
ーサーを用いて空間を維持すれば、素子が傷つくのを防
ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような
不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止すること
ができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設
置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメ
ージを与えるのを抑制することが容易となる。これらの
うち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。

【００８２】本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光
を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように
配置すればよい。また、パターン状の発光を得るために
は、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設け
たマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に
厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極
のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成
する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを
形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるよ
うに配置することにより、数字や文字、簡単な記号など
を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。
更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と
陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配
置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光
体を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変
換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マ
ルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子
は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合
わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子
は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カー
ナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーな
どの表示装置として用いることができる。さらに、前記
面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置の
バックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源
として好適に用いることができる。また、フレキシブル
な基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使
用できる。

【００８３】

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明するために
実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。ここで、数平均分子量については、クロロホルム
を溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー（ＧＰＣ）によりポリスチレン換算の数平均分子量を
求めた。

【００８４】実施例１ ＜高分子蛍光体１の合成＞４，４’−ビスクロロメチル
−２、２’−ビス（３，７−ジメチルオクチルオキシ）
−１，１’−ビフェニレン０．９８ｇと２−メトキシ−
５−（２−エチルヘキシルオキシ）−ｐ−キシレンジク
ロリド０．０１２ｇと（モル比９８：２）を乾燥１，４
−ジオキサン２００ｇに溶解し、３０分間窒素でバブリ
ングし脱気した後、反応溶液を９５℃まで昇温した。こ
の溶液に、ｔ−ブトキシカリウム０．５５ｇ／乾燥１，
４−ジオキサン１５ｇの溶液を５分で滴下した。さらに
この溶液を９７℃に昇温した後、ｔ−ブトキシカリウム
０．４２ｇ／乾燥１，４−ジオキサン１２ｇの溶液を滴
下した。そのまま９８℃で２時間反応させた。反応後、
５０℃に冷却し、酢酸／１，４−ジオキサンの混合液を
加えて中和した。室温に放冷後、この反応液を攪拌した
イオン交換水中に注ぎこんだ。次に析出した沈殿をろ別
し、メタノールで洗浄した。これを減圧乾燥して重合体
を得た。次に、これをテトラヒドロフランに溶解し、こ
れをメタノール中にそそぎ込み、再沈精製した。この沈
殿をエタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、高分子蛍
光体１を０．０１ｇ得た。該高分子蛍光体１のポリスチ
レン換算の数平均分子量は、３．２×１０⁴、重量平均
分子量は、８．８×１０⁴であった。該高分子蛍光体１
の構造については、¹Ｈ−ＮＭＲにより、２、２’−ビ
ス（３，７−ジメチルオクチルオキシ）−４，４’−ビ
フェニレンビニレンと２−メトキシ−５−（２−エチル
ヘキシルオキシ）−ｐ−フェニレンビニレンとの共重合
体に相当するスペクトルが得られた。高分子蛍光体１の
繰り返し単位の構造式を下記に示す。

【化１８】

【化１９】 <吸収スペクトル、蛍光スペクトルの測定>上記高分子蛍
光体１と下記参考例１〜２で製造された高分子蛍光体２
〜３は、クロロホルムに溶解させることができた。その
０．２％クロロホルム溶液を石英板上にスピンコートし
て重合体の薄膜を作成した。この薄膜の紫外可視吸収ス
ペクトルと蛍光スペクトルを、それぞれ自記分光光度計
ＵＶ３６５（島津製作所製）、蛍光分光光度計８５０
（日立製作所製）を用いて測定した。吸収スペクトルか
ら、吸収端波長を求めた。また、３３０ｎｍまたは４１
０ｎｍで励起した時の蛍光スペクトルから、蛍光ピーク
波長を求めた。表１に示したとおり、実施例１の高分子
蛍光体１は、参考例１〜２の高分子蛍光体２〜３のいず
れとも異なる蛍光スペクトルを有していた。また、高分
子蛍光体２、３の吸収端波長をそれぞれ、λ_P2、λ_P3と
すると、 １２３９／λ_P2≧１２３９／λ_P3＋０．０５ の関係を満たしていた。従って、高分子蛍光体１におい
て、請求項１の（ｃ）の関係が成り立つことが確認でき
た。

【００８５】参考例１ ＜高分子蛍光体２の合成＞４，４’−ビスクロロメチル
−２、２’−ビス（３，７−ジメチルオクチルオキシ）
−１，１’−ビフェニレン１．０ｇを乾燥１，４−ジオ
キサン２００ｇに溶解し、３０分間窒素でバブリングし
脱気した後、反応溶液を９５℃まで昇温した。この溶液
に、ｔ−ブロキシカリウム０．５５ｇ／乾燥１，４−ジ
オキサン１５ｇの溶液を５分で滴下した。さらにこの溶
液を９７℃に昇温した後、ｔ−ブロキシカリウム０．４
２ｇ／乾燥１，４−ジオキサン１２ｇの溶液を滴下し
た。そのまま９８℃で２時間反応させた。反応後、５０
℃に冷却し、酢酸／１，４−ジオキサンの混合液を加え
て中和した。室温に放冷後、この反応液を攪拌したイオ
ン交換水中に注ぎこんだ。次に析出した沈殿をろ別し、
メタノールで洗浄した。これを減圧乾燥して重合体を得
た。次に、これをテトラヒドロフランに溶解し、これを
メタノール中にそそぎ込み、再沈精製した。この沈殿を
エタノールで洗浄した後、減圧乾燥して、高分子蛍光体
２を０．０２ｇ得た。該高分子蛍光体２のポリスチレン
換算の数平均分子量は、３．３×１０⁴であった。該高
分子蛍光体２の構造については、¹Ｈ−ＮＭＲにより、
ポリ｛２、２’−ビス（３，７−ジメチルオクチルオキ
シ）−４，４’−ビフェニレンビニレン｝に相当するス
ペクトルが得られた。高分子蛍光体２の繰り返し単位の
構造式を下記に示す。

【化２０】

【００８６】参考例２ ＜高分子蛍光体３の合成＞２−メトキシ−５−（２−エ
チルヘキシルオキシ）−ｐ−キシレンジクロリド３．３
２ｇを乾燥テトラヒドロフラン３００ｇに溶解し、１５
分間窒素でバブリングし脱気した後、ｔ−ブロキシカリ
ウム６．７２ｇを乾燥テトラヒドロフラン３０ｇに溶解
させた溶液を、室温で滴下した。引き続いて室温で７時
間反応させた。次に、この反応液を、氷酢酸３．５ｍｌ
を含むメタノール中に注ぎこみ、生成した赤色の沈殿
を、ろ過して回収した。次に、この沈殿をエタノールで
洗浄、続いて、エタノール／イオン交換水混合溶媒で繰
り返し洗浄し、最後に、エタノールで洗浄した。これを
減圧乾燥して、重合体１．３ｇを得た。次に、この重合
体をトルエンに溶解した。この重合体溶液をメタノール
中に注ぎこみ、再沈精製した。沈殿を回収した後、これ
を減圧乾燥して高分子蛍光体３を得た。該高分子蛍光体
３のポリスチレン換算の数平均分子量は、９．９×１０
⁴であった。該高分子蛍光体３の構造については、¹Ｈ−
ＮＭＲにより、ポリ｛２−メトキシ−５−（２−エチル
ヘキシルオキシ）−ｐ−フェニレンビニレン｝に相当す
るスペクトルが得られた。高分子蛍光体３の繰り返し単
位の構造式を下記に示す。

【化２１】

【００８７】

【表１】 ＊：約４６０ｎｍ付近に肩が存在。

【００８８】実施例２ ＜高分子蛍光体４の合成＞ ９，９−ビス（３，７−ジメ
チルオクチル）フルオレン−２，７−ビスほう酸０．５
８７ｇと２，７−ジブロモ−９，９−ビス（３，７−ジ
メチルオクチル）フルオレン０．５９２ｇと１，４−ジ
ブロモ−２，５−ビス（３，７−ジメチルオクチルオキ
シ）ベンゼン０．０１ｇと（モル比５０：４５：５）、
炭酸ナトリウム０．２３ｇをアルゴン雰囲気下のフラス
コに入れ、トルエン２ｍｌエタノール２．５ｍｌ、イオ
ン交換水１．２ｍｌを加えた。アルゴンで２５分間脱気
したのち、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム０．０８ｇを加えて、さらに５分間脱気した。こ
の反応溶液を９０℃に昇温し、１２時間反応させた。室
温に放冷後、反応溶液をメタノール／水にそそぎ込ん
だ。析出した沈殿をろ別し、水、メタノールの順に洗浄
した。次にテトラヒドロフランに溶解し、これをメタノ
ール中にそそぎ込み、再沈精製した。この沈殿を減圧乾
燥して、高分子蛍光体４を０．５９ｇ得た。該高分子蛍
光体４のポリスチレン換算の数平均分子量は１．６×１
０⁴、重量平均分子量は４．２×１０⁴であった。該高分
子蛍光体４の構造については、¹Ｈ−ＮＭＲにより、
９，９−ビス（３，７−ジメチルオクチル）フルオレン
−２，７−ジイルと２，５−ビス（３，７−ジメチルオ
クチルオキシ）−１，４−フェニレンとの共重合体に相
当するスペクトルが得られた。高分子蛍光体４の繰り返
し単位の構造式を下記に示す。

【化２２】

【化２３】 また、実施例１と同じ方法で、高分子蛍光体４の蛍光、
吸収スペクトルを測定したところ、蛍光ピーク波長は４
２６ｎｍ、吸収端波長は４３０ｎｍであった。

【００８９】実施例３ ＜素子の作成および評価＞スパッタ法により１５０ｎｍ
の厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、高分子蛍光体
４の１．０ｗｔ％クロロホルム溶液を用いてスピンコー
トにより１２０ｎｍの厚みで成膜した。さらに、これを
減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極として、フッ化
リチウムを約０．４ｎｍ相当、次いでカルシウムを４０
ｎｍ、さらにアルミニウムを７０ｎｍ蒸着して、高分子
ＬＥＤを作製した。蒸着のときの真空度は、すべて８×
１０^-6Ｔｏｒｒ以下であった。得られた素子に電圧を１
０Ｖ印加することにより、青色のＥＬ発光が観測され
た。素子の発光スペクトルは、高分子蛍光体４の蛍光ス
ペクトルと同じ位置にピークを有していた。

【００９０】実施例４ ＜高分子蛍光体５の合成＞２、２’−ビス｛４−（３，
７−ジメチルオクチルオキシ）フェニル｝−４，４’−
ビスクロロメチルビフェニレンと２−メトキシ−５−
（２−エチルヘキシルオキシ）−ｐ−キシレンジクロリ
ドとを９８：２のモル比で仕込み、ｔ−ブトキシカリウ
ムを用いて、脱ハロゲン化水素法により重合する。得ら
れる重合物を高分子蛍光体５と呼ぶ。高分子蛍光体５
は、２、２’−ビス｛４−（３，７−ジメチルオクチル
オキシ）フェニル｝−４，４’−ビフェニレンビニレン
と２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−
ｐ−フェニレンビニレンとが、ランダムに共重合したも
のである。高分子蛍光体５の繰り返し単位の構造式を下
記に示す。

【化２４】

【化２５】

【００９１】実施例５ ＜高分子蛍光体６の合成＞２，７−ビス（ブロモメチ
ル）−９，９−ビス（３，７−ジメチルオクチル）フル
オレンとトリフェニルホスフィンを反応させてホスホニ
ウム塩を得る。該ホスホニウム塩、２，７−ジホルミル
−９，９−ビス（３，７−ジメチルオクチル）フルオレ
ン、２，５−ビス（３，７−ジメチルオクチルオキシ）
テレフタルアルデヒドを１：０．９６：０．０４のモル
比で仕込み、Ｗｉｔｔｉｇ反応により重合する。得られ
る重合物を高分子蛍光体６と呼ぶ。高分子蛍光体６は、
９，９−ビス（３，７−ジメチルオクチル）フルオレン
ビニレンと２，５−ビス（３，７−ジメチルオクチルオ
キシ）フェニレンビニレンが、ランダムに共重合したも
のである。高分子蛍光体６の繰り返し単位の構造式を下
記に示す。

【化２６】

【化２７】

【００９２】実施例６ ＜高分子蛍光体７の合成＞２，２’−ビス（３，７−ジ
メチルオクチルオキシ）−４，４’−ビス（ブロモメチ
ル）ビフェニレンとトリフェニルホスフィンを反応させ
てホスホニウム塩を得る。該ホスホニウム塩、２，２’
−ビス（３，７−ジメチルオクチルオキシ）−４，４’
−ジホルミルビフェニレン、２，５−ビス（３，７−ジ
メチルオクチルオキシ）テレフタルアルデヒドを１：
０．９６：０．０４のモル比で仕込み、Ｗｉｔｔｉｇ反
応により重合する。得られる重合物を高分子蛍光体７と
呼ぶ。高分子蛍光体７は、２，２’−ビス（３，７−ジ
メチルオクチルオキシ）ビフェニレンビニレンと２，５
−ビス（３，７−ジメチルオクチルオキシ）フェニレン
ビニレンが、ランダムに共重合したものである。高分子
蛍光体７の繰り返し単位の構造式を下記に示す。

【化２８】

【化２９】

【００９３】実施例７ ＜高分子蛍光体８の合成＞２，２’−ビス｛４−（３，
７−ジメチルオクチルオキシ）フェニル｝−４，４’−
ビス（ブロモメチル）ビフェニレンとトリフェニルホス
フィンを反応させてホスホニウム塩を得る。該ホスホニ
ウム塩、２，２’−ビス｛４−（３，７−ジメチルオク
チルオキシ）フェニル｝−４，４’−ジホルミルビフェ
ニレン、２，５−ビス（３，７−ジメチルオクチルオキ
シ）テレフタルアルデヒドを１：０．９６：０．０４の
モル比で仕込み、Ｗｉｔｔｉｇ反応により重合する。得
られる重合物を高分子蛍光体８と呼ぶ。高分子蛍光体８
は、２，２’−ビス｛４−（３，７−ジメチルオクチル
オキシ）フェニル｝ビフェニレンビニレンと２，５−ビ
ス（３，７−ジメチルオクチルオキシ）フェニレンビニ
レンが、ランダムに共重合したものである。高分子蛍光
体８の繰り返し単位の構造式を下記に示す。

【化３０】

【化３１】

【００９４】実施例８ ＜高分子蛍光体９の合成＞９，１０−ビス（３，７−ジ
メチルオクチル）−２，７−ビス（ブロモメチル）ジヒ
ドロフェナントレンとトリフェニルホスフィンを反応さ
せてホスホニウム塩を得る。該ホスホニウム塩、９，１
０−ビス（３，７−ジメチルオクチル）−２，７−ジホ
ルミル−ジヒドロフェナントレン、２，５−ビス（３，
７−ジメチルオクチルオキシ）テレフタルアルデヒドを
１：０．９６：０．０４のモル比で仕込み、Ｗｉｔｔｉ
ｇ反応により重合する。得られる重合物を高分子蛍光体
９と呼ぶ。高分子蛍光体９は、９，１０−ビス（３，７
−ジメチルオクチル）ジヒドロフェナントレニレンビニ
レンと２，５−ビス（３，７−ジメチルオクチルオキ
シ）フェニレンビニレンが、ランダムに共重合したもの
である。高分子蛍光体９の繰り返し単位の構造式を下記
に示す。

【化３２】

【化３３】

【００９５】実施例９ ＜高分子蛍光体１０の合成＞９，１０、１１，１２−テ
トラキス（３，７−ジメチルオクチル）−２，７−ビス
（ブロモメチル）テトラヒドロピレンとトリフェニルホ
スフィンを反応させてホスホニウム塩を得る。該ホスホ
ニウム塩、９，１０、１１，１２−テトラキス（３，７
−ジメチルオクチル）−２，７−ジホルミル−テトラヒ
ドロピレン、２，５−ビス（３，７−ジメチルオクチル
オキシ）テレフタルアルデヒドを１：０．９６：０．０
４のモル比で仕込み、Ｗｉｔｔｉｇ反応により重合す
る。得られる重合物を高分子蛍光体１０と呼ぶ。高分子
蛍光体１０は、９，１０、１１，１２−テトラキス
（３，７−ジメチルオクチル）テトラヒドロピレニレン
ビニレンと２，５−ビス（３，７−ジメチルオクチルオ
キシ）フェニレンビニレンが、ランダムに共重合したも
のである。高分子蛍光体１０の繰り返し単位の構造式を
下記に示す。

【化３４】

【化３５】

【００９６】実施例１０ ＜高分子蛍光体１１の合成＞２，２’−ビス（３，７−
ジメチルオクチルオキシ）ビフェニレン−４，４’−ジ
ビニル、２，２’−ビス（３，７−ジメチルオクチルオ
キシ）−４，４’−ジブロモ−ビフェニレン、２，５−
ビス（３，７−ジメチルオクチルオキシ）−１，４−ジ
ブロモベンゼンを１：０．９６：０．０４のモル比で仕
込み、Ｈｅｃｋ反応により重合する。得られる重合物を
高分子蛍光体１１と呼ぶ。高分子蛍光体１１は、２，
２’−ビス（３，７−ジメチルオクチルオキシ）ビフェ
ニレンビニレンと２，５−ビス（３，７−ジメチルオク
チルオキシ）フェニレンビニレンが、ランダムに共重合
したものである。高分子蛍光体１１の繰り返し単位の構
造式を下記に示す。

【化３６】

【化３７】

【００９７】実施例１１ ＜高分子蛍光体１２の合成＞４，４’−ジブロモ−２，
２’−ビス（３，７−ジメチルオクチルオキシ）スチル
ベン、１，４−ビス｛４−ブロモ−２−（３，７−ジメ
チルオクチルオキシ）フェニルエテニル｝−２，５−ビ
ス（３，７−ジメチルオクチルオキシ）ベンゼン、９，
９−ビス（３，７−ジメチルオクチル）フルオレン−
２，７−ビスホウ酸プロピルエステルを０．９６：０．
０４：１のモル比で仕込み、Ｓｕｚｕｋｉカップリング
反応により重合する。得られる重合物を高分子蛍光体１
３と呼ぶ。高分子蛍光体１２は、３−（３，７−ジメチ
ルオクチルオキシ）フェニレン−９，９−ビス（３，７
−ジメチルオクチル）フルオレン−２，７−ジイル−２
−（３，７−ジメチルオクチルオキシ）と２，５−ビス
（３，７−ジメチルオクチルオキシ）フェニレンが、ラ
ンダムに共重合したものである。高分子蛍光体１２の繰
り返し単位の構造式を下記に示す。

【化３８】

【化３９】

【００９８】

【発明の効果】本発明の高分子蛍光体は、より強い蛍光
を有しており、高分子ＬＥＤやレーザー用色素として好
適に用いることができる。また、該高分子蛍光体を用い
た高分子ＬＥＤは、低電圧、高効率で駆動できる高性能
の高分子ＬＥＤである。したがって、該高分子ＬＥＤ
は、液晶ディスプレイのバックライトまたは照明用とし
ての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素
子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ
等の装置に好ましく使用できる。

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】固体状態で蛍光を有し、ポリスチレン換算
   の数平均分子量が１０³〜１０⁸である高分子蛍光体にお
   いて、下記式（１）および式（３）で示される繰り返し
   単位をそれぞれ１種類以上含み、これらの繰り返し単位
   が以下の条件（ａ）〜（ｃ）を満たすように繰り返し単
   位が選択されていることを特徴とする高分子蛍光体。
   （ａ）式（１）および式（３）で示される繰り返し単位
   の合計が全繰り返し単位の５０モル％以上である。
   （ｂ）式（１）および式（３）で示される繰り返し単位
   の合計に対して、式（３）で示される繰り返し単位が
   ０．１モル％以上９モル％以下である。（ｃ）式（１）
   で示される繰り返し単位のみからなるポリマーの吸収端
   波長をλ₁（ｎｍ）、式（３）で示される繰り返し単位
   のみからなるポリマーの吸収端波長をλ₂（ｎｍ）とし
   たとき、 １２３９／λ₁≧１２３９／λ₂＋０．０５ が成り立つ。 【化１】 ・・・・・（１） 〔ここで、Ａｒ₁は、下記式（２）で示される基であ
   る。Ｒ₁、Ｒ₂は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜
   ２０のアルキル基、炭素数６〜６０のアリール基、炭素
   数４〜６０の複素環化合物基およびシアノ基からなる群
   から選ばれる基を示す。ｎは０または１である。〕 【化２】 ・・・・・（２） 〔ここで、 Ａｒ₂〜Ａｒ₄はそれぞれ独立に、主鎖部分
   に含まれる炭素原子数が６〜６０のアリーレン基、また
   は主鎖部分に含まれる炭素原子数が４〜６０の２価の複
   素環化合物基である。Ａｒ₂〜Ａｒ₄のうち少なくとも１
   つは、六員環以外の基であるか、または、少なくとも１
   つは水素原子ではない置換基を有する。複数の置換基を
   有する場合には、それらは同一であっても異なっていて
   もよい。また、隣接する環どうしがそれぞれ互いに直接
   または置換基を介して連結されて環を形成していてもよ
   い。ｍは０〜３の整数である。ここで、 Ａｒ₂とＡｒ₄
   とは、Ａｒ₂を平行移動してもＡｒ₄と完全に重なること
   がない構造を有する。〕 【化３】 ・・・・・（３） 〔ここで、Ａｒ₅は、主鎖部分に含まれる炭素原子数が
   ６〜６０のアリーレン基、または主鎖部分に含まれる炭
   素原子数が４〜６０の２価の複素環化合物基である。Ｒ
   ₃、Ｒ₄は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の
   アルキル基、炭素数６〜６０のアリール基、炭素数４〜
   ６０の複素環化合物基およびシアノ基からなる群から選
   ばれる基を示す。ｌは０または１である。〕
2. 【請求項２】固体状態で蛍光を有し、ポリスチレン換算
   の数平均分子量が１０³〜１０⁸である高分子蛍光体にお
   いて、請求項１記載の式（１）、式（３）および下記式
   （４）で示される繰り返し単位をそれぞれ１種類以上含
   み、これらの繰り返し単位が以下の条件（ｄ）〜（ｆ）
   を満たすように繰り返し単位が選択されていることを特
   徴とする高分子蛍光体。（ｄ）式（１）で示される繰り
   返し単位が全繰り返し単位の１０モル％以上であり、か
   つ式（１）、式（３）および式（４）で示される繰り返
   し単位の合計が全繰り返し単位の５０モル％以上であ
   る。（ｅ）式（１）、式（３）および式（４）で示され
   る繰り返し単位の合計に対して、式（３）で示される繰
   り返し単位が０．１モル％以上９モル％以下である。
   （ｆ）式（１）で示される繰り返し単位のみからなるポ
   リマーの吸収端波長をλ₁（ｎｍ）、式（３）で示され
   る繰り返し単位のみからなるポリマーの吸収端波長をλ
   ₂（ｎｍ）、式（４）で示される繰り返し単位のみから
   なるポリマーの吸収端波長をλ₃（ｎｍ）としたとき、 １２３９／λ₁≧１２３９／λ₂＋０．０５ １２３９／λ₃≧１２３９／λ₂＋０．０５ が成り立つ。 【化４】 ・・・・・（４） 〔ここで、Ａｒ₆は、主鎖部分に含まれる炭素原子数が
   ６〜６０のアリーレン基、または主鎖部分に含まれる炭
   素原子数が４〜６０の２価の複素環化合物基である。Ｒ
   ₅、Ｒ₆は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の
   アルキル基、炭素数６〜６０のアリール基、炭素数４〜
   ６０の複素環化合物基およびシアノ基からなる群から選
   ばれる基を示す。ｋは０または１である。〕
3. 【請求項３】前記式（２）で示される基が、下記式
   （５）で示される基であることを特徴とする請求項１記
   載の高分子蛍光体。 【化５】 ・・・・・（５） 〔ここで、 Ｘ₁〜Ｘ₁₂はそれぞれ独立に、Ｃ−Ｒ₇また
   はＮであり、 Ｘ₁〜Ｘ₁₂のうち少なくとも１つはＣ−Ｒ
   ₇である。ここでＲ₇は、水素原子、炭素数１〜２０のア
   ルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜
   ２０のアルキルチオ基、炭素数１〜６０のアルキルシリ
   ル基、炭素数１〜４０のアルキルアミノ基、炭素数６〜
   ６０のアリール基、炭素数６〜６０のアリールオキシ
   基、炭素数７〜６０のアリールアルキル基、炭素数７〜
   ６０のアリールアルコキシ基、炭素数８〜６０のアリー
   ルアルケニル基、炭素数８〜６０のアリールアルキニル
   基、炭素数６〜６０のアリールアミノ基、炭素数４〜６
   ０の複素環化合物基およびシアノ基からなる群から選ば
   れる基を示す。 Ｒ₇のうち少なくとも１つは水素原子以
   外の基である。Ｒ₇が複数の場合には、それらは同一で
   も異なっていてもよい。式（５）で示される基は、少な
   くとも１つ以上は、水素原子ではない置換基を有し、複
   数の置換基を有する場合には、それらは同一であっても
   異なっていてもよい。また、隣接する六員環どうしがそ
   れぞれ互いに直接または置換基を介して連結されて環を
   形成していてもよい。ｊは０〜３の整数である。ここ
   で、Ｘ₁とＸ₉、Ｘ₂とＸ₁₀、Ｘ₃とＸ₁₁、Ｘ₄とＸ₁₂の４
   つの組がすべて同時にそれぞれ同一であることはなく、
   またＸ₁とＸ₁₂、Ｘ₂とＸ₁₁、Ｘ₃とＸ₁₀、Ｘ₄とＸ₉の４
   つの組がすべて同時にそれぞれ同一であることはな
   い。〕
4. 【請求項４】上記式（５）においてｊ＝０であることを
   特徴とする請求項３記載の高分子蛍光体。
5. 【請求項５】少なくとも一方が透明または半透明である
   一対の陽極および陰極からなる電極間に、少なくとも発
   光層を有する高分子発光素子において、請求項１〜４記
   載の高分子蛍光体が、該発光層中に含まれることを特徴
   とする高分子発光素子。
6. 【請求項６】少なくとも一方の電極と発光層との間に該
   電極に隣接して導電性高分子を含む層を設けたことを特
   徴とする請求項５記載の高分子発光素子。
7. 【請求項７】少なくとも一方の電極と発光層との間に該
   電極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けたことを
   特徴とする請求項５記載の高分子発光素子。
8. 【請求項８】陰極と発光層との間に、該発光層に隣接し
   て電子輸送性化合物からなる層を設けたことを特徴とす
   る請求項５〜７のいずれかに記載の高分子発光素子。
9. 【請求項９】陽極と発光層との間に、該発光層に隣接し
   て正孔輸送性化合物からなる層を設けたことを特徴とす
   る請求項５〜７のいずれかに記載の高分子発光素子。
10. 【請求項１０】陰極と発光層との間に、該発光層に隣接
    して電子輸送性化合物からなる層、および陽極と発光層
    との間に、該発光層に隣接して正孔輸送性化合物からな
    る層を設けたことを特徴とする請求項５〜７のいずれか
    に記載の高分子発光素子。
11. 【請求項１１】請求項５〜１０のいずれかに記載の高分
    子発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。
12. 【請求項１２】請求項５〜１０のいずれかに記載の高分
    子発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装
    置。
13. 【請求項１３】請求項５〜１０のいずれかに記載の高分
    子発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリック
    ス表示装置。
14. 【請求項１４】請求項５〜１０のいずれかに記載の高分
    子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶
    表示装置。