JP4916102B2 - 有機ｅｌ素子 - Google Patents
有機ｅｌ素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4916102B2 JP4916102B2 JP2004278035A JP2004278035A JP4916102B2 JP 4916102 B2 JP4916102 B2 JP 4916102B2 JP 2004278035 A JP2004278035 A JP 2004278035A JP 2004278035 A JP2004278035 A JP 2004278035A JP 4916102 B2 JP4916102 B2 JP 4916102B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- organic
- hole injection
- emitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 93
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 93
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 63
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 39
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 18
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 claims description 11
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 2
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 claims description 2
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 203
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 150000007980 azole derivatives Chemical class 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004057 1,4-benzoquinones Chemical class 0.000 description 1
- QKLPIYTUUFFRLV-YTEMWHBBSA-N 1,4-bis[(e)-2-(2-methylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1\C=C\C(C=C1)=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1C QKLPIYTUUFFRLV-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RINNIXRPLZSNJJ-UHFFFAOYSA-N 5-[3-tert-butyl-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)phenyl]-1h-1,2,4-triazole Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=1C(C(C)(C)C)=CC(C2=NNC=N2)=CC=1C(C=C1)=CC=C1C1=CC=CC=C1 RINNIXRPLZSNJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Chemical class 0.000 description 1
- 229920000286 Poly(2-decyloxy-1,4-phenylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000291 Poly(9,9-dioctylfluorene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- JXLHNMVSKXFWAO-UHFFFAOYSA-N azane;7-fluoro-2,1,3-benzoxadiazole-4-sulfonic acid Chemical compound N.OS(=O)(=O)C1=CC=C(F)C2=NON=C12 JXLHNMVSKXFWAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010411 electrocatalyst Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 229920001002 functional polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001088 polycarbazole Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子に関する。より詳しくは、電界発光素子により構成され、表示装置や照明装置等に好適な有機ＥＬ素子に関するものである。
電界発光素子（以下、「ＥＬ素子」、「ＥＬデバイス」ともいう。）は、自発光性による高い視認性や衝撃に強い等の特徴があり、有機ＥＬ素子や無機ＥＬ素子が各種の情報端末等のディスプレイ素子や照明装置として広く応用が期待されている。このようなＥＬ素子において、種々の優れた特性を有する有機ＥＬ素子が検討されているが、今後の技術課題の一つとして高分子型有機ＥＬ素子における寿命の向上が挙げられている。
従来、高分子型有機ＥＬ素子においては、正孔注入層と発光層からなる２層構成（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）が主流であり、正孔注入層としてＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンサルフォネイト）が、高発光効率、長寿命の点で一般的に用いられてきた。しかし、近年、発光層で生成された励起エネルギー（励起子）により、また、陰極から発光層を経て正孔注入層に漏れ出した電子と陽極からの正孔が、正孔注入層で再結合し生成した励起エネルギーにより、正孔注入層として用いられるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳが分解することが、高分子型有機ＥＬ素子の劣化の原因であると考えられるようになった（例えば、非特許文献１参照）。
この問題に対しての解決法の一つとして、近年、正孔（ホール）注入層と発光層の間に発光層よりバンドギャップの広い励起子防止層（インターレーヤー）を挿入して、励起エネルギーが発光層からホール輸送層に拡散することを防止することで寿命を向上させる技術が開発された（例えば、非特許文献２参照）。
この技術は、発光層より幅の広いバンドギャップの材料、すなわち吸収スペクトルが短波長の材料を励起子ブロッキング層として用いる必要がある。高分子型有機ＥＬ素子で、実際に、この技術をフルカラー化において赤、青、緑の発光素子に効果的に用いる場合、緑色発光素子や赤色発光素子では、緑色発光材料、赤色発光材料よりバンドギャップの広い材料は多くあることから充分に適用することができるが、青色発光素子の場合、青色発光材料よりバンドギャップが広く、かつ、正孔を効率良く陽極側から発光層に流す材料は、非常に少ない。これは、一般的に、バンドギャップの広い材料は、絶縁物であるためである。励起子ブロッキング層が絶縁物に近くなると、電流が流れにくくなり、高分子型有機ＥＬ素子の性能を低下させることになる。
この技術は、発光層より幅の広いバンドギャップの材料、すなわち吸収スペクトルが短波長の材料を励起子ブロッキング層として用いる必要がある。高分子型有機ＥＬ素子で、実際に、この技術をフルカラー化において赤、青、緑の発光素子に効果的に用いる場合、緑色発光素子や赤色発光素子では、緑色発光材料、赤色発光材料よりバンドギャップの広い材料は多くあることから充分に適用することができるが、青色発光素子の場合、青色発光材料よりバンドギャップが広く、かつ、正孔を効率良く陽極側から発光層に流す材料は、非常に少ない。これは、一般的に、バンドギャップの広い材料は、絶縁物であるためである。励起子ブロッキング層が絶縁物に近くなると、電流が流れにくくなり、高分子型有機ＥＬ素子の性能を低下させることになる。
ところで、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、電子輸送層、陰極が順次形成されており、発光層と正孔輸送層との間に設けられた電子ブロック層により、発光層から正孔輸送層への電子の注入が防止されている有機ＥＬ素子であって、発光層のエネルギーギャップＥｇ（ＥＭＬ）と正孔輸送層のエネルギーギャップＥｇ（ＨＴＬ）との関係が、Ｅｇ（ＥＭＬ）＞Ｅｇ（ＨＴＬ）−０．５（単位：ｅＶ）であることが開示されている（例えば、特許文献１参照。）。この有機ＥＬ素子については、Ｅｇ（ＨＴＬ）がＥｇ（ＥＭＬ）よりも大きくなる構成が開示され、また、電子ブロック層のエネルギーギャップの絶対値が３．０ｅＶ以上であることが開示されている。
また陽極、正孔輸送層、電子注入抑制層、発光層、正孔注入抑制層、電子輸送層及び陰極とから構成される有機エレクトロルミネッセンス素子であって、電子注入抑制層及び発光層が、｜Ｅａ(A) ｜≧｜Ｅａ(EBL) ｜かつ｜Ｅａ(EM)｜≧｜Ｅａ(EBL) ｜（式中、Ｅａ(A) はアクセプターの電子親和力、Ｅａ(EBL) は電子注入抑制層を構成する材料の電子親和力、Ｅａ(EM)は発光層を構成する材料の電子親和力）を満たす材料から構成されることが開示されている（例えば、特許文献２参照。）。この素子については、発光層のエネルギーギャップと正孔輸送層のエネルギーギャップとの関係が開示されていない。
これら従来の正孔注入層を有する有機ＥＬ素子においては、発光層で生成された励起エネルギーによる正孔注入層の劣化を防止して素子寿命を向上するために、励起エネルギーが発光層と陽極との間にある正孔注入層に到達することを防止するに際し、電流が流れにくくならないようにして正孔注入層の劣化防止をすることができる構成とするための工夫の余地があった。
「オーガニック・エレクトロニクス（Organic Electronics）」、（米国）、エルセビアーサイエンス(Elsevier Science)、２００２年、第３巻、ｐ．１１１−１１８ 「ジャーナル オブ ザ ソサイアティ フォア インフォメーション ディスプレイ（Journal of the Society for Information Display）」、（米国）、ソサイアティ フォア インフォメーション ディスプレイ（Society for Information Display, SID）、２００４年、ｐ．１５１７ 特開２００２−１７５８８７号公報（第１、２、５、６頁）
特開２０００−１９６１４０号公報（第１、２、９頁）
これら従来の正孔注入層を有する有機ＥＬ素子においては、発光層で生成された励起エネルギーによる正孔注入層の劣化を防止して素子寿命を向上するために、励起エネルギーが発光層と陽極との間にある正孔注入層に到達することを防止するに際し、電流が流れにくくならないようにして正孔注入層の劣化防止をすることができる構成とするための工夫の余地があった。
「オーガニック・エレクトロニクス（Organic Electronics）」、（米国）、エルセビアーサイエンス(Elsevier Science)、２００２年、第３巻、ｐ．１１１−１１８ 「ジャーナル オブ ザ ソサイアティ フォア インフォメーション ディスプレイ（Journal of the Society for Information Display）」、（米国）、ソサイアティ フォア インフォメーション ディスプレイ（Society for Information Display, SID）、２００４年、ｐ．１５１７
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、正孔注入層を有する有機ＥＬ素子であって、励起エネルギーが正孔注入層に到達することを防止し、また電子が正孔注入層に到達することを防止することにより素子寿命を向上することができ、しかも電流が流れにくくならないようにすることができる有機ＥＬ素子、それを備えた表示装置及び照明装置を提供することを目的とするものである。
本発明者らは、有機ＥＬ素子の寿命向上技術について種々検討したところ、陽極と発光層との間に正孔注入層を有する有機ＥＬ素子においては、発光層で生成された励起エネルギー（励起子）が正孔注入層に到達することにより正孔注入層が劣化することに着目した。
そして、正孔注入層と発光層との間に、発光層のバンドギャップより狭い材料からなる正孔輸送層を挿入することで、発光層で生成された励起エネルギー（励起子）が、正孔注入層へ移動する前に、正孔輸送層でクエンチング（補足され）されることで、発光層で生成された励起エネルギー（励起子）により、正孔注入層として用いられるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ等が分解することに伴う、有機ＥＬ素子の劣化の原因を防止でき、寿命を向上させることが可能となり、また発光層よりバンドギャップの広い励起子防止層を挿入する場合と比較して電流が流れにくくならないことを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。
そして、正孔注入層と発光層との間に、発光層のバンドギャップより狭い材料からなる正孔輸送層を挿入することで、発光層で生成された励起エネルギー（励起子）が、正孔注入層へ移動する前に、正孔輸送層でクエンチング（補足され）されることで、発光層で生成された励起エネルギー（励起子）により、正孔注入層として用いられるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ等が分解することに伴う、有機ＥＬ素子の劣化の原因を防止でき、寿命を向上させることが可能となり、また発光層よりバンドギャップの広い励起子防止層を挿入する場合と比較して電流が流れにくくならないことを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。
すなわち、本発明は、陽極、正孔注入層、発光層及び陰極がこの順に積層された構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、上記有機エレクトロルミネッセンス素子は、正孔注入層と発光層との間に正孔輸送層を有するものであり、かつ、正孔輸送層のバンドギャップエネルギー（Eg(HTL)）と発光層のバンドギャップエネルギー（Eg(EML)）とが下記関係式（１）を満たす有機エレクトロルミネッセンス素子である。
|Eg(HTL)|＜|Eg(EML)| （１）
|Eg(HTL)|＜|Eg(EML)| （１）
上記有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも、陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に形成された、正孔注入層、発光層からなる有機ＥＬデバイスであり、上記構成とすることにより、励起エネルギーが正孔注入層に到達することを防止して素子寿命を向上することになる。
また上記有機エレクトロルミネッセンス素子は、正孔注入層のバンドギャップエネルギー（Eg(HIL)）と発光層のバンドギャップエネルギー（Eg(EML)）とが下記関係式（２）を満たすことにより、励起エネルギーの正孔注入層への到達防止がより充分に行われることになる。
|Eg(HIL)|＜|Eg(EML)| （２）
また上記有機エレクトロルミネッセンス素子は、正孔注入層のバンドギャップエネルギー（Eg(HIL)）と発光層のバンドギャップエネルギー（Eg(EML)）とが下記関係式（２）を満たすことにより、励起エネルギーの正孔注入層への到達防止がより充分に行われることになる。
|Eg(HIL)|＜|Eg(EML)| （２）
上記正孔輸送層のバンドギャップエネルギー（Eg(HTL)）は、３．０ｅＶ以下であることが好ましい。有機ＥＬ素子から可視光を出すためには、例えば通常のディスプレイでは、発光層が、２．０〜３．０ｅＶのバンドギャップを持つことから、本発明の関係式（１）を満たすには、正孔輸送層のバンドギャップとして３．０ｅＶ以下とすることが適当である。
また上記正孔輸送層のバンドギャップエネルギー（Eg(HTL)）は、２．０ｅＶ以下であることが好ましい。これにより、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）それぞれの画素の色に対する正孔輸送層を共通化できるという利点を有することになる。
また上記正孔輸送層のバンドギャップエネルギー（Eg(HTL)）は、２．０ｅＶ以下であることが好ましい。これにより、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）それぞれの画素の色に対する正孔輸送層を共通化できるという利点を有することになる。
本発明はまた、陽極、正孔注入層、発光層及び陰極がこの順に積層された構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、上記有機エレクトロルミネッセンス素子は、正孔注入層と発光層との間に正孔輸送層を有するものであり、かつ、正孔輸送層の電子親和力（Ea(HTL)）と発光層の電子親和力（Ea(EML)）とが下記関係式（３）を満たす有機エレクトロルミネッセンス素子でもある。これにより、電子が正孔注入層に到達することを防止して素子寿命を向上することになる。
|Ea(HTL)|＜|Ea(EML)| （３）
|Ea(HTL)|＜|Ea(EML)| （３）
上記有機エレクトロルミネッセンス素子は、正孔注入層の電子親和力（Ea(HIL)）と発光層の電子親和力（Ea(EML)）とが下記関係式（４）を満たすことにより、電子の正孔注入層への到達防止がより充分に行われることになる。
|Ea(HIL)|＜|Ea(EML)| （４）
|Ea(HIL)|＜|Ea(EML)| （４）
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、上述したように、バンドギャップエネルギーに関し、(1)正孔輸送層のバンドギャップエネルギー（Eg(HTL)）と発光層のバンドギャップエネルギー（Eg(EML)）との関係を特定した形態、(2)前記(1)の関係を特定し、かつ正孔注入層のバンドギャップエネルギー（Eg(HIL)）と発光層のバンドギャップエネルギー（Eg(EML)）との関係を特定した形態、電子親和力に関し、(3)正孔輸送層の電子親和力（Ea(HTL)）と発光層の電子親和力（Ea(EML)）との関係を特定した形態、(4)前記(3)の関係を特定し、かつ正孔注入層の電子親和力（Ea(HIL)）と発光層の電子親和力（Ea(EML)）との関係を特定した形態の４つのうちのいずれかを満たすものである。
また本発明においては、上記(1)又は(2)のバンドギャップエネルギーに関する特性を満たしたうえで、上記(3)又は(4)の電子親和力に関する特性を満たすこともでき、これらの形態を組み合わせることが可能である。
また本発明においては、上記(1)又は(2)のバンドギャップエネルギーに関する特性を満たしたうえで、上記(3)又は(4)の電子親和力に関する特性を満たすこともでき、これらの形態を組み合わせることが可能である。
上記陽極、正孔注入層、発光層及び陰極がこの順に積層された構造を有する有機ＥＬ素子は、正孔注入層による特性を充分に発揮しつつ該正孔注入層の劣化を防止して素子寿命が向上され、有機ＥＬ素子として優れた基本性能を有するものであり、ディスプレイ素子や照明装置等に好適に適用されるものである。すなわち、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置や、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネッセンス照明装置もまた、本発明の一つである。
本発明の有機ＥＬ素子、表示装置及び照明装置の構成としては、上述した特徴を必須としてこれらの装置が通常有する構成要素を備えたものであればよく、その他の構成において特に限定されるものではない。
本発明の有機ＥＬ素子、表示装置及び照明装置の構成としては、上述した特徴を必須としてこれらの装置が通常有する構成要素を備えたものであればよく、その他の構成において特に限定されるものではない。
本発明の有機ＥＬ素子によれば、正孔注入層を有する有機ＥＬ素子において励起エネルギーが正孔注入層に到達することを防止し、また電子が正孔注入層に到達することを防止することにより、正孔注入層の劣化に起因する有機ＥＬ素子の劣化を防止して素子寿命を向上することができ、しかも電流が流れにくくなることを解消して正孔注入層の機能を充分に発揮することができることから、各種の情報端末等の表示装置や照明装置として好適に適用することができるものである。更に、有機ＥＬ素子に通常用いられる発光層に対して容易に適用することができ、またＲ，Ｇ，Ｂそれぞれの画素の色に対する正孔輸送層を共通化することも可能である。
以下に本発明を実施するための最良の形態として高分子有機ＥＬ素子に具現化させた例を掲げ、図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施の形態のみに限定されるものではない。
高分子有機ＥＬ素子の基板構成は、下記のとおりである。
本発明の高分子有機ＥＬ素子；陽極／正孔注入層／本発明の正孔輸送層／発光層／陰極
従来技術による高分子型有機ＥＬ素子１；陽極／正孔注入層／発光層／陰極
従来技術による高分子型有機ＥＬ素子２；陽極／正孔注入層／励起子ブロッキング層／発光層／陰極
これらの高分子有機ＥＬ素子は、基板上に上記に示される順に各層が積層された構造を有するものである。なお、本実施形態においては、上述した以外に発光層と陰極との間に電子輸送層や電子注入層を有する素子構成としてもよい。更に、表示装置とするために偏光板を備えた構成としてもよく、また水分や酸素の影響を遮断するために封止膜、封止基板により各層を封止した構成としてもよい。
以下に、本実施形態に適用可能である(1)基板、(2)電極、(3)発光層、(4)電荷注入層、(5)電荷輸送層、(6)偏光板、(7)封止膜、封止基板の構成について説明し、実施例と比較例を示す。
本発明の高分子有機ＥＬ素子；陽極／正孔注入層／本発明の正孔輸送層／発光層／陰極
従来技術による高分子型有機ＥＬ素子１；陽極／正孔注入層／発光層／陰極
従来技術による高分子型有機ＥＬ素子２；陽極／正孔注入層／励起子ブロッキング層／発光層／陰極
これらの高分子有機ＥＬ素子は、基板上に上記に示される順に各層が積層された構造を有するものである。なお、本実施形態においては、上述した以外に発光層と陰極との間に電子輸送層や電子注入層を有する素子構成としてもよい。更に、表示装置とするために偏光板を備えた構成としてもよく、また水分や酸素の影響を遮断するために封止膜、封止基板により各層を封止した構成としてもよい。
以下に、本実施形態に適用可能である(1)基板、(2)電極、(3)発光層、(4)電荷注入層、(5)電荷輸送層、(6)偏光板、(7)封止膜、封止基板の構成について説明し、実施例と比較例を示す。
１．基板
本実施形態に用いることができる基板としては、通常では絶縁性基板が用いられ、例えば、ガラス、石英等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート等のプラスティック材料、アルミナ等のセラミックス等の材料からなる基板；アルミニウム、鉄等の金属基板にＳｉＯ２、有機絶縁材料等の絶縁物をコートした基板；アルミニウム等の金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
基板構成としては、基板上には、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が形成されていてもよい。なお、低温プロセスで形成したポリシリコンＴＦＴを用いた薄膜トランジスタを形成するためには、５００℃以下の温度で融解せず、かつ、歪みが生じない基板を用いることが好適である。また、高温プロセスで形成したポリシリコンＴＦＴを用いた薄膜トランジスタを形成するためには、１０００℃以下の温度で融解せず、かつ、歪みが生じない基板を用いることが好ましい。
本実施形態に用いることができる基板としては、通常では絶縁性基板が用いられ、例えば、ガラス、石英等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート等のプラスティック材料、アルミナ等のセラミックス等の材料からなる基板；アルミニウム、鉄等の金属基板にＳｉＯ２、有機絶縁材料等の絶縁物をコートした基板；アルミニウム等の金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
基板構成としては、基板上には、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が形成されていてもよい。なお、低温プロセスで形成したポリシリコンＴＦＴを用いた薄膜トランジスタを形成するためには、５００℃以下の温度で融解せず、かつ、歪みが生じない基板を用いることが好適である。また、高温プロセスで形成したポリシリコンＴＦＴを用いた薄膜トランジスタを形成するためには、１０００℃以下の温度で融解せず、かつ、歪みが生じない基板を用いることが好ましい。
２．電極
本実施形態の電極としては、通常有機ＥＬ素子に使用できる電極材料を用いればよいが、特に限定されるものではない。陽極としては、効率よく正孔（ホール）を有機層に注入する目的で、仕事関数が高い金属（Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ等）、又は、発光を外部に取り出す目的では、透明電極（ＩＴＯ、ＩＤＩＸＯ、ＳｎＯ２等）を用いることが好ましい。陰極としては、効率よく電子を有機層に注入する目的で、仕事関数の低い金属と安定な金属とを積層した電極（Ｃａ／Ａｌ、Ｃｅ／Ａｌ、Ｃｓ／Ａｌ、Ｂａ／Ａｌ等）、仕事関数の低い金属を少なくとも含有するもの（Ｃａ：Ａｌ合金、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等）、薄膜の絶縁層と金属電極を組み合わせたもの（ＬｉＦ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＢａＦ２／Ｂａ／Ａｌ等）、又は、発光を外部に取り出す目的では、透明電極中に仕事関数の低い金属を含有したもの（ＩＴＯ：Ｃｓ、ＩＤＩＸＯ：Ｃｓ、ＳｎＯ２：Ｃｓ等）、透明電極と仕事関数の低い金属を積層したもの（Ｂａ／ＩＴＯ、Ｃａ／ＩＤＩＸＯ、Ｂａ／ＳｎＯ２等）が好ましい。これらの材料は、蒸着法、ＥＢ法、ＭＢＥ法、スパッタ法等のドライプロセス、又は、スピンコート法、印刷法、インクジェット法等のウエットプロセスを用いることが可能であるが、これも特に限定されるものではない。
本実施形態の電極としては、通常有機ＥＬ素子に使用できる電極材料を用いればよいが、特に限定されるものではない。陽極としては、効率よく正孔（ホール）を有機層に注入する目的で、仕事関数が高い金属（Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ等）、又は、発光を外部に取り出す目的では、透明電極（ＩＴＯ、ＩＤＩＸＯ、ＳｎＯ２等）を用いることが好ましい。陰極としては、効率よく電子を有機層に注入する目的で、仕事関数の低い金属と安定な金属とを積層した電極（Ｃａ／Ａｌ、Ｃｅ／Ａｌ、Ｃｓ／Ａｌ、Ｂａ／Ａｌ等）、仕事関数の低い金属を少なくとも含有するもの（Ｃａ：Ａｌ合金、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等）、薄膜の絶縁層と金属電極を組み合わせたもの（ＬｉＦ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＢａＦ２／Ｂａ／Ａｌ等）、又は、発光を外部に取り出す目的では、透明電極中に仕事関数の低い金属を含有したもの（ＩＴＯ：Ｃｓ、ＩＤＩＸＯ：Ｃｓ、ＳｎＯ２：Ｃｓ等）、透明電極と仕事関数の低い金属を積層したもの（Ｂａ／ＩＴＯ、Ｃａ／ＩＤＩＸＯ、Ｂａ／ＳｎＯ２等）が好ましい。これらの材料は、蒸着法、ＥＢ法、ＭＢＥ法、スパッタ法等のドライプロセス、又は、スピンコート法、印刷法、インクジェット法等のウエットプロセスを用いることが可能であるが、これも特に限定されるものではない。
３．発光層
本実施形態の発光層（有機発光層）は、発光材料を用いて成膜することにより形成することが可能であり、１層であってもよいし、多層構造であってもよく、特に限定されるものではない。
上記有機発光層は、１種類の発光材料をドライプロセスにより成膜しても、複数の発光材料をドライプロセスにより成膜してもよい。また、発光アシスト剤、正孔輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）、発光性のドーパント等が含有されていてもよい。
また上記有機発光層は、発光層形成用塗液からウエットプロセスにより成膜してもよい。発光層形成用塗液は、少なくとも発光材料を含有した溶液であり、１種類又は多種類の発光材料を含有していてもよく、結着用の樹脂や、その他に、レベリング剤、発光アシスト剤、正孔注入輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）、発光性のドーパント等が含有されていてもよい。
本実施形態の発光層（有機発光層）は、発光材料を用いて成膜することにより形成することが可能であり、１層であってもよいし、多層構造であってもよく、特に限定されるものではない。
上記有機発光層は、１種類の発光材料をドライプロセスにより成膜しても、複数の発光材料をドライプロセスにより成膜してもよい。また、発光アシスト剤、正孔輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）、発光性のドーパント等が含有されていてもよい。
また上記有機発光層は、発光層形成用塗液からウエットプロセスにより成膜してもよい。発光層形成用塗液は、少なくとも発光材料を含有した溶液であり、１種類又は多種類の発光材料を含有していてもよく、結着用の樹脂や、その他に、レベリング剤、発光アシスト剤、正孔注入輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）、発光性のドーパント等が含有されていてもよい。
上記発光材料としては、通常有機ＥＬ素子に使用できる発光材料であればよく、特に限定されるものではない。低分子発光材料としては、例えば、４，４′−ビス（２，２′−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリデェン化合物、５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾ−ル誘導体、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料、アゾメチン亜鉛錯体、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光性有機金属化合物等が挙げられ、高分子発光材料としては、例えば、ポリ（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン）ＤＯ−ＰＰＰ、ポリ［２，５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルアンモニウム）エトキシ］−１，４−フェニル−アルト−１，４−フェニレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−ＮＥｔ3+）、ポリ［２−（２′−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ［５−メトキシ−（２−プロパノキシサルフォニド）−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＰＳ−ＰＰＶ）、ポリ［２，５−ビス−（ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）］（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、ポリスピロ（ＰＳ）等が挙げられ、高分子発光材料の前駆体としては、例えば、ＰＰＶ前駆体、ＰＮＶ前駆体、ＰＰＰ前駆体等が挙げられる。
上記結着用樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステル等が挙げられる。
上記溶剤としては、発光材料を溶解又は分散できる溶剤であればよく、例えば、純水、メタノール、エタノール、ＴＨＦ、クロロホルム、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン等が挙げられる。成膜法として、インクジェット法等を用いる場合には、１５０℃以上の高沸点をもつ高沸点溶剤を含有させることが好ましい。
上記有機発光層の膜厚としては、通常では５Å〜１μｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍである。有機発光層の膜厚が１０ｎｍ未満であると、ピンホールが発生するおそれがあり、２００ｎｍを超えると、素子の抵抗が増加し、高い駆動電圧が必要となるおそれがある。
上記溶剤としては、発光材料を溶解又は分散できる溶剤であればよく、例えば、純水、メタノール、エタノール、ＴＨＦ、クロロホルム、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン等が挙げられる。成膜法として、インクジェット法等を用いる場合には、１５０℃以上の高沸点をもつ高沸点溶剤を含有させることが好ましい。
上記有機発光層の膜厚としては、通常では５Å〜１μｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍである。有機発光層の膜厚が１０ｎｍ未満であると、ピンホールが発生するおそれがあり、２００ｎｍを超えると、素子の抵抗が増加し、高い駆動電圧が必要となるおそれがある。
４．電荷注入層
本実施形態で用いることができる電荷注入層は、通常有機ＥＬ素子に使用できる電荷注入材料を用いて成膜することにより形成することが可能であり、１層であってもよいし、多層構造であってもよく、特に限定されるものではない。電荷注入層としては、正孔（ホール）注入層、電子注入層等が挙げられる。このような電荷注入層は、少なくも電荷注入材料をドライプロセスにより成膜することができる。
また電荷注入層形成用塗液からウエットプロセスにより成膜してもよい。電荷注入層形成用塗液は、少なくとも電荷注入材料を含有した溶液であり、１種類又は多種類の注入材料を含有していてもよく、結着用の樹脂や、その他にレベリング剤、添加剤（ドナー、アクセプター等）等が含有されていてもよい。
本実施形態で用いることができる電荷注入層は、通常有機ＥＬ素子に使用できる電荷注入材料を用いて成膜することにより形成することが可能であり、１層であってもよいし、多層構造であってもよく、特に限定されるものではない。電荷注入層としては、正孔（ホール）注入層、電子注入層等が挙げられる。このような電荷注入層は、少なくも電荷注入材料をドライプロセスにより成膜することができる。
また電荷注入層形成用塗液からウエットプロセスにより成膜してもよい。電荷注入層形成用塗液は、少なくとも電荷注入材料を含有した溶液であり、１種類又は多種類の注入材料を含有していてもよく、結着用の樹脂や、その他にレベリング剤、添加剤（ドナー、アクセプター等）等が含有されていてもよい。
上記正孔注入層を形成する正孔注入材料としては、有機ＥＬ用、有機光導電体用の正孔注入材料が使用可能であるが、特にこれらに限定されるものではなく、例えば、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等の金属フタロシアニン類やフタロシアニン類、４，４′，４′−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ′−(３−メチルフェニル)−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）等の低分子材料、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイト（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、ポリピロール、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）及びこれらの誘導体、ポリシラン及び誘導体、ポリシロキサン及び誘導体等に代表されるｐ型導電性高分子等が挙げられる。
上記電子注入層を形成する電子注入材料としても、有機ＥＬ用、有機光導電体用の電子注入材料が使用可能であるが、特にこれらに限定されるものではなく、例えば、低分子化合物として、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）１，２，４−トリアゾールに代表されるアゾール誘導体、１，３−ビス｛［４−（４−ジフェニルアミノ）］フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル｝ベンゼンに代表されるオキサジアゾール誘導体等が挙げられ、高分子電子注入材料として、ポリチオフェン等の電子親和性の高いｎ型電性高分子等が挙げられる。
上記結着用樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステル等が挙げられる。
上記溶剤としては、正孔注入材料を溶解又は分散できる溶剤であればよく、例えば、純水、メタノール、エタノール、ＴＨＦ、クロロホルム、キシレン、トリメチルベンゼン等が挙げられる。
上記電荷注入層の膜厚としては、通常では５Å〜１μｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍである。電荷注入層の膜厚が１０ｎｍ未満であると、ピンホールが発生するおそれがあり、２００ｎｍを超えると、素子の抵抗が増加し、高い駆動電圧が必要となるおそれがある。
上記溶剤としては、正孔注入材料を溶解又は分散できる溶剤であればよく、例えば、純水、メタノール、エタノール、ＴＨＦ、クロロホルム、キシレン、トリメチルベンゼン等が挙げられる。
上記電荷注入層の膜厚としては、通常では５Å〜１μｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍである。電荷注入層の膜厚が１０ｎｍ未満であると、ピンホールが発生するおそれがあり、２００ｎｍを超えると、素子の抵抗が増加し、高い駆動電圧が必要となるおそれがある。
５．電荷輸送層
本実施形態で用いることができる電荷輸送層は、通常有機ＥＬ素子に使用できる電荷輸送材料を用いて成膜することにより形成することが可能であり、１層であってもよいし、多層構造であってもよく、特に限定されるものではない。電荷輸送層としては、正孔（ホール）輸送層、電子輸送層等が挙げられる。このような電荷輸送層は、少なくも電荷輸送材料をドライプロセスにより成膜することができる。
また電荷輸送層形成用塗液からウエットプロセスにより成膜してもよい。電荷輸送層形成用塗液は、少なくとも電荷輸送材料を含有した溶液であり、１種類又は多種類の輸送材料を含有していてもよく、他の高分子材料や結着用の樹脂、その他に、レベリング剤、添加剤（ドナー、アクセプター等）等が含有されていてもよい。
本実施形態で用いることができる電荷輸送層は、通常有機ＥＬ素子に使用できる電荷輸送材料を用いて成膜することにより形成することが可能であり、１層であってもよいし、多層構造であってもよく、特に限定されるものではない。電荷輸送層としては、正孔（ホール）輸送層、電子輸送層等が挙げられる。このような電荷輸送層は、少なくも電荷輸送材料をドライプロセスにより成膜することができる。
また電荷輸送層形成用塗液からウエットプロセスにより成膜してもよい。電荷輸送層形成用塗液は、少なくとも電荷輸送材料を含有した溶液であり、１種類又は多種類の輸送材料を含有していてもよく、他の高分子材料や結着用の樹脂、その他に、レベリング剤、添加剤（ドナー、アクセプター等）等が含有されていてもよい。
上記正孔輸送層を形成する正孔輸送材料としては、例えば、４, ４′−ビス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル、１, ３, ５−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。
上記電子輸送層を形成する電子輸送材料としては、例えば、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）１，２，４−トリアゾールに代表されるアゾール誘導体、１，３−ビス｛［４−（４−ジフェニルアミノ）］フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル｝ベンゼンに代表されるオキサジアゾール誘導体が挙げられる。
上記高分子材料としては、例えば、ポリカルバゾール、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリシロキサン、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル等のビニル系重合体、ポリエーテルスルホン等が挙げられる。
上記電子輸送層を形成する電子輸送材料としては、例えば、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）１，２，４−トリアゾールに代表されるアゾール誘導体、１，３−ビス｛［４−（４−ジフェニルアミノ）］フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル｝ベンゼンに代表されるオキサジアゾール誘導体が挙げられる。
上記高分子材料としては、例えば、ポリカルバゾール、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリシロキサン、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル等のビニル系重合体、ポリエーテルスルホン等が挙げられる。
６．偏光板
本実施形態で用いることができる偏光板としては、通常用いられる直線偏向板と１／４λ板を組み合わせたものが好適である。これにより、コントラストを向上させることが可能である。
本実施形態で用いることができる偏光板としては、通常用いられる直線偏向板と１／４λ板を組み合わせたものが好適である。これにより、コントラストを向上させることが可能である。
７．封止膜、封止基板
本実施形態で用いることができる封止膜又は封止基板としては特に限定されるものではなく、通常、有機ＥＬ素子において封止に用いられる材料、封止方法を用いることが可能であり、例えば、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスをガラス、金属等で封止する方法、更に、不活性ガス中に酸化バリウム等の吸湿剤等を混入する方法をとることができる。また、対向電極上に樹脂を直接スピンコート、又は、貼り合わせて封止膜としてもよい。これにより、外部からの酸素、水分が素子内に混入するのを防止することが可能となり、寿命の向上に有効である。
本実施形態で用いることができる封止膜又は封止基板としては特に限定されるものではなく、通常、有機ＥＬ素子において封止に用いられる材料、封止方法を用いることが可能であり、例えば、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスをガラス、金属等で封止する方法、更に、不活性ガス中に酸化バリウム等の吸湿剤等を混入する方法をとることができる。また、対向電極上に樹脂を直接スピンコート、又は、貼り合わせて封止膜としてもよい。これにより、外部からの酸素、水分が素子内に混入するのを防止することが可能となり、寿命の向上に有効である。
本実施形態の有機ＥＬ素子により有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示パネル）を形成することができる。この有機ＥＬ表示パネルの駆動方法としては、通常の有機ＥＬ表示パネルの駆動方法を用いることが可能であるが、特に限定されるものではない。例えば、パッシブマトリックス駆動でもアクティブマトリックス駆動でもよい。
また本実施形態の有機ＥＬ素子から発光光源としての各種照明装置を形成することができる。
発光光源としては、例えば、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられる。
このように、本実施形態の有機ＥＬ素子は、各種情報端末等の表示装置として、また各種照明装置として好適なものである。
また本実施形態の有機ＥＬ素子から発光光源としての各種照明装置を形成することができる。
発光光源としては、例えば、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられる。
このように、本実施形態の有機ＥＬ素子は、各種情報端末等の表示装置として、また各種照明装置として好適なものである。
（実施例１）
実施例１の有機ＥＬデバイスは、２５×２５ｍｍ角のガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ電極が１９０ｎｍ成膜された上に、スピンコーターにより正孔注入材料（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）を用いて形成された正孔注入層、その上にスピンコーターにより正孔輸送材料（ポリフルオレン誘導体：バンドギャップ＝２．０ｅＶ）を用いて形成された正孔輸送層（励起子クエンチング層、厚さ：２０ｎｍ）、その上にスピンコーターにより高分子発光材料（緑色発光ポリフルオレン誘導体：バンドギャップ＝２．６ｅＶ）を用いて形成された発光層（厚さ：８０ｎｍ）、陰極としてカルシウム（膜厚１０ｎｍ）、アルミニウム（膜厚３００ｎｍ）が順次積層された構造を有している。
実施例１の有機ＥＬデバイスは、２５×２５ｍｍ角のガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ電極が１９０ｎｍ成膜された上に、スピンコーターにより正孔注入材料（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）を用いて形成された正孔注入層、その上にスピンコーターにより正孔輸送材料（ポリフルオレン誘導体：バンドギャップ＝２．０ｅＶ）を用いて形成された正孔輸送層（励起子クエンチング層、厚さ：２０ｎｍ）、その上にスピンコーターにより高分子発光材料（緑色発光ポリフルオレン誘導体：バンドギャップ＝２．６ｅＶ）を用いて形成された発光層（厚さ：８０ｎｍ）、陰極としてカルシウム（膜厚１０ｎｍ）、アルミニウム（膜厚３００ｎｍ）が順次積層された構造を有している。
実施例１の有機ＥＬデバイスにおける発光層のバンドギャップＥｇ（ＥＭＬ）は２．６ｅＶ、であり、正孔輸送層のバンドギャップＥｇ（ＨＴＬ）は２．０ｅＶである。
図１では、実施例１の有機ＥＬデバイスにおけるバンドギャップに関するエネルギーダイヤグラムが概念的に示されている。図中の左方向の矢印は、励起エネルギーが正孔注入層に到達することが妨げられていることを概念的に示したものである。
図１では、実施例１の有機ＥＬデバイスにおけるバンドギャップに関するエネルギーダイヤグラムが概念的に示されている。図中の左方向の矢印は、励起エネルギーが正孔注入層に到達することが妨げられていることを概念的に示したものである。
従って、図１に示されるように、実施例１の有機ＥＬデバイスは、本発明のバンドギャップの関係式|Eg(HTL)|＜|Eg(EML)|を満足しており、緑色発光層で生成された励起エネルギー（励起子）が、ホール注入層へ移動する前に、正孔輸送層でクエンチング（補足され）されることで、発光層で生成された励起エネルギー（励起子）により、ホール注入層として用いられるＰＥＤＯＴ−ＰＳＳが分解することに伴う、高分子型有機ＥＬ素子の劣化の原因を防止でき、後述する励起子クエンチング層を有していない素子（比較例１）より寿命が向上している。
実施例１の有機ＥＬデバイスは、本発明の正孔輸送層のバンドギャップエネルギー（Eg(HTL)）と発光層のバンドギャップエネルギー（Eg(EML)）との関係式|Eg(HTL)|＜|Eg(EML)|を満足するとともに、正孔注入層のバンドギャップエネルギー（Eg(HIL)）と発光層のバンドギャップエネルギー（Eg(EML)）との関係式|Eg(HIL)|＜|Eg(EML)|を満たすものであり、また正孔輸送層のバンドギャップエネルギー（Eg(HTL)）が２．０ｅＶ以下であることも満たしていることから、Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの画素の色に対する正孔輸送層を共通化することが可能である。
（比較例１）
比較例１の有機ＥＬデバイスは、２５×２５ｍｍ角のガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ電極が１９０ｎｍ成膜された上に、スピンコーターにより正孔注入材料（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ：バンドギャップ＝１．６ｅＶ）を用いて形成された正孔注入層、その上にスピンコーターにより青色高分子発光材料（緑色発光ポリフルオレン誘導体：バンドギャップ＝２．６ｅＶ）を用いて形成された発光層（厚さ：８０ｎｍ）、陰極としてカルシウム（膜厚１０ｎｍ）、アルミニウム（膜厚３００ｎｍ）が順次積層された構造を有している。
図２では、比較例１の有機ＥＬデバイスにおけるバンドギャップに関するエネルギーダイヤグラムが概念的に示されている。図中の左方向の矢印は、励起エネルギーが正孔注入層に到達してしまうことを概念的に示したものである。
比較例１の有機ＥＬデバイスは、２５×２５ｍｍ角のガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ電極が１９０ｎｍ成膜された上に、スピンコーターにより正孔注入材料（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ：バンドギャップ＝１．６ｅＶ）を用いて形成された正孔注入層、その上にスピンコーターにより青色高分子発光材料（緑色発光ポリフルオレン誘導体：バンドギャップ＝２．６ｅＶ）を用いて形成された発光層（厚さ：８０ｎｍ）、陰極としてカルシウム（膜厚１０ｎｍ）、アルミニウム（膜厚３００ｎｍ）が順次積層された構造を有している。
図２では、比較例１の有機ＥＬデバイスにおけるバンドギャップに関するエネルギーダイヤグラムが概念的に示されている。図中の左方向の矢印は、励起エネルギーが正孔注入層に到達してしまうことを概念的に示したものである。
（比較例２）
比較例２の有機ＥＬデバイスは、２５×２５ｍｍ角のガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ電極が１９０ｎｍ成膜された上に、スピンコーターにより正孔注入材料（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）を用いて形成された正孔注入層、その上にスピンコーターによりバンドギャップの広い高分子材料（ポリフルオレン誘導体：バンドギャップ＝２．９ｅＶ）を用いて形成された励起子ブロッキング層（厚さ：８０ｎｍ）とし、緑色高分子発光材料（緑色発光ポリフルオレン誘導体：バンドギャップ＝２．６ｅＶ）を用いて形成された発光層（厚さ：８０ｎｍ）、陰極としてカルシウム（膜厚１０ｎｍ）、アルミニウム（膜厚３００ｎｍ）が順次積層された構造を有している。
図４には、実施例１の輝度半減寿命が比較例１及び２に比べて向上されることが示されている。また、図５には、比較例２と実施例１を比較して、比較例２では、広いバンドギャップを持つ材料を用いているため、電流が流れにくいことが示されている。一般に、バンドギャップが広い材料は、絶縁物に近くなるので、電流が流れにくくなる。
比較例２の有機ＥＬデバイスは、２５×２５ｍｍ角のガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ電極が１９０ｎｍ成膜された上に、スピンコーターにより正孔注入材料（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）を用いて形成された正孔注入層、その上にスピンコーターによりバンドギャップの広い高分子材料（ポリフルオレン誘導体：バンドギャップ＝２．９ｅＶ）を用いて形成された励起子ブロッキング層（厚さ：８０ｎｍ）とし、緑色高分子発光材料（緑色発光ポリフルオレン誘導体：バンドギャップ＝２．６ｅＶ）を用いて形成された発光層（厚さ：８０ｎｍ）、陰極としてカルシウム（膜厚１０ｎｍ）、アルミニウム（膜厚３００ｎｍ）が順次積層された構造を有している。
図４には、実施例１の輝度半減寿命が比較例１及び２に比べて向上されることが示されている。また、図５には、比較例２と実施例１を比較して、比較例２では、広いバンドギャップを持つ材料を用いているため、電流が流れにくいことが示されている。一般に、バンドギャップが広い材料は、絶縁物に近くなるので、電流が流れにくくなる。
（実施例２）
実施例２の有機ＥＬデバイスは、２５×２５ｍｍ角のガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ電極が１９０ｎｍ成膜された上に、スピンコーターにより正孔注入材料（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ：電子親和力＝３．３ｅＶ）を用いて形成された正孔注入層、その上にスピンコーターにより正孔輸送材料（銅フタロシアニン：電子親和力＝３．１ｅＶ）を用いて形成された正孔輸送層（厚さ：２０ｎｍ）、その上にスピンコーターにより高分子発光材料（青色発光ポリフルオレン誘導体：電子親和力＝２．７ｅＶ）を用いて形成された発光層（厚さ：８０ｎｍ）、陰極としてカルシウム（膜厚１０ｎｍ）、アルミニウム（膜厚３００ｎｍ）６が順次積層された構造を有している。
実施例２の有機ＥＬデバイスは、正孔輸送層の電子親和力（Ea(HTL)）と発光層の電子親和力（Ea(EML)）との関係式|Ea(HTL)|＜|Ea(EML)| を満足するとともに、正孔注入層の電子親和力（Ea(HIL)）と発光層の電子親和力（Ea(EML)）との関係式|Ea(HIL)|＜|Ea(EML)| を満たすものである。
実施例２の有機ＥＬデバイスは、２５×２５ｍｍ角のガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ電極が１９０ｎｍ成膜された上に、スピンコーターにより正孔注入材料（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ：電子親和力＝３．３ｅＶ）を用いて形成された正孔注入層、その上にスピンコーターにより正孔輸送材料（銅フタロシアニン：電子親和力＝３．１ｅＶ）を用いて形成された正孔輸送層（厚さ：２０ｎｍ）、その上にスピンコーターにより高分子発光材料（青色発光ポリフルオレン誘導体：電子親和力＝２．７ｅＶ）を用いて形成された発光層（厚さ：８０ｎｍ）、陰極としてカルシウム（膜厚１０ｎｍ）、アルミニウム（膜厚３００ｎｍ）６が順次積層された構造を有している。
実施例２の有機ＥＬデバイスは、正孔輸送層の電子親和力（Ea(HTL)）と発光層の電子親和力（Ea(EML)）との関係式|Ea(HTL)|＜|Ea(EML)| を満足するとともに、正孔注入層の電子親和力（Ea(HIL)）と発光層の電子親和力（Ea(EML)）との関係式|Ea(HIL)|＜|Ea(EML)| を満たすものである。
Claims (3)
- 陽極、正孔注入層、発光層及び陰極がこの順に積層された構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
該有機エレクトロルミネッセンス素子は、正孔注入層と発光層との間に正孔輸送層を有するものであり、かつ、正孔輸送層のバンドギャップエネルギー（Eg(HTL)）と発光層のバンドギャップエネルギー（Eg(EML)）とが下記関係式（１）を満たし、かつ正孔注入層のバンドギャップエネルギー（Eg(HIL)）と発光層のバンドギャップエネルギー（Eg(EML)）とが下記関係式（２）を満たし、
該正孔注入層の材料は、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイトであり、
該正孔輸送層を形成する正孔輸送材料は、ポリフルオレン誘導体であり、
該発光層の材料は、発光ポリフルオレン誘導体である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
|Eg(HTL)|＜|Eg(EML)| （１）
|Eg(HIL)|＜|Eg(EML)| （２） - 請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス照明装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004278035A JP4916102B2 (ja) | 2004-09-24 | 2004-09-24 | 有機ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004278035A JP4916102B2 (ja) | 2004-09-24 | 2004-09-24 | 有機ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006093452A JP2006093452A (ja) | 2006-04-06 |
| JP4916102B2 true JP4916102B2 (ja) | 2012-04-11 |
Family
ID=36234119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004278035A Expired - Fee Related JP4916102B2 (ja) | 2004-09-24 | 2004-09-24 | 有機ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4916102B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111211249A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-05-29 | 桂林电子科技大学 | 一种基于强电子注入层的倒置结构oled器件及其制备方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9805476D0 (en) * | 1998-03-13 | 1998-05-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
| GB9813324D0 (en) * | 1998-06-19 | 1998-08-19 | Cambridge Display Tech Ltd | Light-emissive devices |
| JP2003123985A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-04-25 | Jsr Corp | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP4114477B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2008-07-09 | 株式会社デンソー | 有機ｅｌ素子 |
| GB0209513D0 (en) * | 2002-04-25 | 2002-06-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Display devices |
| JP4288895B2 (ja) * | 2002-06-04 | 2009-07-01 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスの製造方法 |
-
2004
- 2004-09-24 JP JP2004278035A patent/JP4916102B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006093452A (ja) | 2006-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4522416B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを備えた画像表示装置及び照明装置、電荷輸送材料、及びそれを含む電荷輸送層形成用インク | |
| WO2009142030A1 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
| WO2009084590A1 (ja) | 高分子発光素子、製造方法及び高分子発光ディスプレイ装置 | |
| KR20120022575A (ko) | 유기 ｅｌ 표시 장치 및 전자 기기 | |
| CN101783396B (zh) | 有机电致发光器件、显示器和电子装置 | |
| JP5672705B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| US7906901B2 (en) | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device | |
| CN104247074A (zh) | 有机电致发光单元及其制造方法和电子装置 | |
| US20090252863A1 (en) | Method of manufacturing protection film and method of manufacturing inorganic film | |
| TW200931700A (en) | Thin film active element group, thin film active element array, organic light emitting device, display device and method for manufacturing thin film active element group | |
| KR100888148B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| JP2010272271A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP5249075B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| US9136493B2 (en) | Organic EL element | |
| JP4916102B2 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2006128325A (ja) | 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ照明装置 | |
| JP2009205985A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JP4315755B2 (ja) | 有機ｅｌ装置 | |
| JP2008078036A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子及び有機エレクトロルミネセンスディスプレイ | |
| WO2009122960A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| JP4328883B2 (ja) | フォトクロミック表示素子 | |
| JP5410774B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2008234890A (ja) | 有機エレクトロルミネセンスパネル及び有機エレクトロルミネセンス表示装置 | |
| JP2010146895A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2007220351A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその用途 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060912 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091005 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091013 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091214 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091214 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101228 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111004 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111220 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120104 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120124 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120124 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4916102 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |