JPS59194393A - 改良された電力転換効率をもつ有機エレクトロルミネツセント装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、有機化合物を発光手段とする。電気信号に応
答して発光するエレクトロルミ不ンセント襞貿に関する
。

４ｉ１エレクトロルミネンセント鏝置がそれらの対抗品
と十分に対抗しつるものとなるためには、対抗しつるコ
ストにおいてそれらの電力転換効率が増大することが望
ましい。電力転換効率は入力に対する出力の比（通常は
Ｗ／Ｗｌと定義され、装置の駆動電圧のｔ場数である。

経済的な駆動回路部品を用いる駆動電圧、すなわち２５
ポルｉ越えない螺圧に−しては、にカ転換効塞は無機鏝
貢の場合１ｘ１０Ｗ／Ｗ以下に限定されている。１０　
Ｗ／Ｗ以との電力転換効率をもつ、厚いフィルム（〉５
μｍｌ　　または単結晶を用いる有機エレクトロルミネ
ッセント装置が開発されてはいる。しかしそれらの厚さ
が比較的大きいため、この種の装置を駆動させるのに要
する電圧はかなり高い、すなわち１００ボルトまたはそ
れ以とでるる。

駆動電圧を２５ボルト以Ｆに低下させるためには薄膜型
エレクトロルミネンセント装置が望ましい。これはここ
では有効な帯域または噛の厚さ７すなわち電極間にある
物′はの厚さが１μｍを越えない装置を意味する。ピン
ホールの問題を考えると薄膜の形態を達成することは特
に困難であった。ピンホールは電池をショートさせるの
で受入れられない。たとえばドレスナー、ＲＣＡレビュ
ー＋　ｖＯ／、３０．３２２ｆｆ頁（１９６９年６月）
、％に６２６画を参照されたい。ピンホールの形成を防
止するために、被覆用配合吻中に結合剤を使用すること
が好都合とされている。この種の結合剤の例には付７Ｊ
［１重合本たとえばポリスチレン、および縮合重合体た
とえばポリエステルがよまれる。電池のショートは僻け
られるが、結合剤を使用することは不満足な場合かめる
。このためには溶剤被覆加工法を用いる必要があり、あ
る層の浴剤は’Ｆ層の溶剤としても作用する可能性があ
り、これにより層間の明瞭な境界設定が妨げられる。結
合剤を必要とする１層を溶剤被覆したのち結合剤を必要
としないｌ＠（１嗜−または多層）を蒸着させる方法は
考えられるが、逆の順序すなわち発光層を溶剤被覆する
場合、溶剤が下層に影＃分与えた場合の実用性は証明さ
れていない。

米闇時許第４，５５６，４２９号明細譬に記載された電
池は、ｌＥ孔インジェクション帯域（ｈｏｌｅ　　ｉｎ
ｊｅｃｔｉｎｇ　ｚｏｎｅ　ｌとしてボ９フィリン系化
合′吻からなる層ヲもつ本発明のものと同゛じ型の装置
の一列である。

Ｌ記時許のセルは先行技術のセルよりも著しい改良を示
したが、望捷れている醒力転換効率、すなわち２５ボル
ト２越えない駆＠成圧を用いた場合に少なくとも９ｘ１
［５Ｗ／Ｗの水準を達成していない。正孔インジェクシ
ョン１脅内のポルフィリン系化合゛吻は有色であるため
、セルにより放出される光を若干吸収するという望まし
くない傾向を示す。またポルフィリン系化合物は有効に
発光するために必要な正孔および電子の有効、を発光的
再結合を妨げると思われる。

本発明の目的は、少なくとも１桁改良された、すなわち
少なくとも９ｘ１０Ｗ／Ｗに及ぶ電力転換効率をもつエ
レクトロルミネゾセント（以’Ｆ”ＥＬ″）装置を提供
することである。

本発明によれば、順次陽極、正孔インジェクション帯域
、有機発光帯域（これらの帯域を合わせた厚さは１μｍ
を越えない）、および陰極からなり。

これらの電極のうち少なくとも一方は４００　ｎｍ以と
の波長をもつ輻射線の少なくとも８０％を透過させるこ
とができ、かつ 少なくとも９　ｘ　１０　Ｗ／Ｗの車力転換効率をもク
エレクトロルミネノセント装置が提供される。

好ましくけこの装置の発光帯域は、１）２５ボルト以Ｆ
および１１）この装置の最大電力転換効率を与える鑞圧
以Ｆで駆動される試験装置に用いり場合、少なくとも５
ｘｉｏ　光子／電子のエレクトロルミ坏ソセント箪子効
率ヲ与える電子伝達化合物からなる。と記試験妄瞳は１
）木質的ＶＣ１，１−ビス（４−ジーｐ−）リルアミノ
フ工二ル）シクロヘキサンからなる正孔インジェクショ
ン帯域（この正孔インジェクション帯域とと記の発光帯
域を合わせた厚さは１μｍを越えない）、２１４００ｎ
ｍ以との波長をもつ輻射線の少なくとも８０係を透過さ
せる陽極、および３）インジウム製陰極から構収される
。

本発明の装置は必要とされる改良された成力転換効率を
示す。

本発明の装置において発光帯域または正孔インジェクシ
ョン帯域はそれぞれ電子伝達化合物からまたは正孔伝達
化合物から作５ｚされ、これは本発明の実施態様の多く
においてそれぞれの帯域に結合剤を用いずに行われる。

本発明のさらに他の有利な特色は、正孔インジェクショ
ン層用として１発せられた輻射線に対し実質的に透過性
である化合物が見出されたことである。

本発明の他の有利な詩色は添付の図面を考慮に入れて後
記の好ましい実施態様を参照することにより明らかＫな
るであろう。第１図は電源に接続した本発明装置の一部
の概略的断面図であり、 第２図は本発明に従って製造された装置に関する電力転
換効率対エレクトロルミ不ンセント量子効率を示す対数
一対数グラフである。

玉孔インジェクション吻質および発光物質は各帯域内に
存在するにの帯域が層であっても他のもので４５つでも
）。好ましいエレクトロルミオ・ソセント装置において
これらの物質は１項次重なった被膜ないしは層中に存在
する。

正孔インジェクション層は正孔伝達化合物からなり、−
万全光層は電子伝達化合物からなる。

本発明者らは、後記のように駆動および構成されるセル
に用いた場合に５×１０光子／電子を越えるＥＬ＠子効
不効率える怜定の電子伝達化合物があることを見出した
。電力転換効率とＥＬＬ子効率の間には直接的な関係が
あるので、これらの化合吻を用いると前記の駆＠電圧に
関して電力転換効率は少なくとも９　ｘ　１０　Ｗ／Ｗ
となることが保証される。これらの化合吻は容易に薄膜
の彫りで沈着するので、有効帯域を合わせた厚さが１μ
ｍを越えない薄膜型装置が容易に得られる。

本発明の埃直に用いられる隠子伝達化合Ｉ−１！Ｉは、
酸化還元反応において還元されつる化合吻でめる。本発
明において製に有用なものは、前記の試験に関して少な
くとも５ｘ１０　　ｇＬ緊子効率を与える電子伝達化合
物である。周知のようにＥＬ看壬子効率単純に外部回路
で測定される電子７秒に対する、セルから放出される光
子７秒の比に等しい。この効率を電力転換効率（Ｗ／Ｗ
の単位で定義される）と混同してはならない。

電子伝達化合物が少なくとも５ｘ１０　光子／電子（す
なわち０．０５係）のＥＬ晴子効率を与えるか否かを判
定するためには下記の試験を行う。

ＥＬセルは下記の順序で構成される＝ ４００　ｎｍ以北の波長をもつ輻射線の少なくとも８０
係を透過させる陽極〔たとえばネザトロン（Ｎｅｓａｔ
ｒｏｎ、商標）ガラス３１本質的に１．１−ビス（４−
ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサンからな
る正孔インジェクション層：問題の電子伝達化合物の層
：およびインジウム製陰極。ここで正孔インジェクショ
ン１餐と発光層ｌｄ：合わせて厚さ１μを越えない。駆
動電圧をかけ、最大電子転換効率または２５ボルトのい
ずれかに達するまで（いずれが先に起こるとしても）高
める。この電圧において最大ＥＬ凌壬子効率測定する。

表１には、Ｌ記のように構成され、かつＥ記の電圧で駆
動される装置において試験した揚台の若干の有用な電子
伝達化合物に関するＥＬＬ子効率を示す。これらの列の
それぞれにつき、最大ＥＬ喰壬子効率電圧は２５ボ／Ｌ
、　）の制限以下でめった。

ここで用いられる正孔インジェクション層の正孔伝達化
合吻は、電場を与えられた２個の電極間て配隨されて陽
極から正孔がインジェクトされ７ｊｓ合、正孔を適切に
陰極へ伝達することができる化合勿である。好ましい正
孔伝達化合た電極間に開力；配置された場合少なくとも
１０ｄ／ボルド一秒の正孔移動係数をもつ。最も好捷し
い正孔伝達化合物は容易にかつ可逆的に酸化されうる芳
香族アミンであることが見出された。

より好ましくは、正孔インジェクション層は不質的に無
色でるる。これは陽極に隣接した位百にるり、陽極は透
明な電極であることが好ましい。従って正孔伝達化合物
も４００　ｎｍ　　以との波侵において少なくとも９０
係透過性でらることが好ましい。

前記の光透過性をもつ有用な正孔伝達化合物の奸才しい
例には、室温で固体であり、かつ少なくとも１個の窒素
原子が置換基でトリ置換された（そのうち少なくとも１
個はアリール基または置換アリール基でるる）アミンが
作壕れる。

アリール基トの有用な置換基の例には、１〜５個の炭素
原子をもクアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基およびアミル基；ハロゲン原子、
たとえば壌素原子およびフン素原子：ならびに１〜５個
の炭素原子を有するアルコキシ基、たとえばメトキシ基
。

エトキシ基、プロポキシ基、ブチル基およびアミル基で
ある。

本発明に用いられる正孔伝達化合物のあるもの、および
電子伝達化合物のあるものけ、薄膜杉ＦＭ、性化合物で
あるという付＋Ｊ［］的な性質をもつことが注目される
。ここで用いられるようにある化合物がこの物質を電極
などの支持体ｔに０．５μｍ以下の厚さで施しｙｃｓ合
に″′薄膜形収性″である場合、これは尖質的にピンホ
ールを陰まな６層を形５Ｘ、ｆる。しかしある化合物が
薄膜杉ＦＮ、性であるということは必ずしも０．５μｍ
よりも多晴に存在しないということを意味するわけでは
ない。有効帯域の一方の層がこの種の薄膜杉ｌＪｙ性化
合吻である揚台１両層において結合剤を除くことがでさ
るという点でこの薄膜杉或１生は有用である。従うて本
発明の一実施態様ＶＣおいては５発光層および正孔イン
ジェクション帯域の双方が結合剤を含有しない。

あるいは他の場合には正孔と電子の発光的再結合を妨げ
な（Ａ結合剤も本発明に有用である。

前記のようｖｃ薄１莫を杉６ｘ、Ｌ、うる化合物の有用
な例會以Ｆに示す。宥に有用な列には複素環もしくけ炭
素１．および６飼以Ｅの炭素原子を有する脂肪族釦少な
くとも２個をき有するか、あるい′Ｊよ少なぐとも２個
の基すなわちそれぞれＯ）−重結合の囲りに回転しつる
基および伺少なくとも６１固の芳香族もしくは飽和炭素
環を含む基を言有する化合物がままれる。

たとえ−ば博１ｊｑ彰我ｆ生でめる正孔伝達化合物には
次式の溝潰倉もつものが言まれる。

＼Ｇ／ Ｌ記式中ＱおよびＱ　は別個に窒素原子および少なくと
も６個の炭素環（それらのうち少なくとも１個は芳香族
のもの、たとえばフェニル基である）を含有する基であ
る。炭素環は飽和された１、たとえばシクロヘキシル基
およびシクロヘプチル基であってもよく二〇は連結基、
たとえばシクロアルキレン基、たとえばシクロヘキシレ
ン基；アリーレン基たトエばフェニレン基；アルキレン
基たとえばメチレン基、エチレン基およびプロピレン基
：あるいはＣ−Ｃ結合である。構造ａ）の範囲内の１固
々の列には、裏にｆ記のものかぎまれる。次式の構造を
もり１．１−ビス（４−ジーｐｉリルアミノフェニルｌ
　−４−フェニル−シクロヘキサン：＼ノ １ 一＼、／ １．１−ビス（４−ジーｐ−）リルアミノフェニル）シ
クロヘキサン；および次式の構造をもつ化合物 （と記式中ｎは２〜４の整数でおる）、たとえば４．　
Ｐ−ビス（ジフェニルアミノ）クワトリフェニル。

さらに他の有用な正孔伝達化合物には米国特許第４，１
７５，９６０号明細誓１３欄１６行から１４欄４２行に
列挙されたもの、たとえばビス（４−ジメチルアミノ−
２−メチルフェニル）フェニルメタンおよびＮ、Ｎ、Ｎ
−トリＴＰ−トリル）アミンが含捷れる。

薄膜彰ｈ７．性の電子伝達化合物に関しては、好ましい
例には螢光増白剤が含まれる。最も好ましいものは次式
の構造をもつ螢光増白剤である。

これらの式中Ｒ、Ｒ、ＲおよびＲは別個に水素原子；１
〜１０個の炭素原子を有する飽和脂肪族残基、たとえば
プロピル基、ｔ−ブチル基およびヘプチル基；６〜１０
個の炭素原子を有するアリール基、たとえばフェニル基
およびナフチル基；あるいはハロゲン原子、たとえば塩
素原子およびフッ素原子であるか：あるいはＲとＲ１ま
たはＲとＲが一緒になって、１〜１０個の炭素原子を有
する飽和脂肪族残基（たとえばメチル基、エチル基およ
びプロピル基）少なくとも１個ヲヨんでいてもよい縮合
芳香族環を完成−するために必要な原子を構成し。

Ｒは１〜２０個の炭素原子を有する飽和脂肪族残渣、た
とえばメチル基、エチル基およびｎ−アイコシル基：６
〜１０個の炭素原子を有するアリール基、たとえばフェ
ニル基およびナフチル基：カルボキシル基；水素原子ニ
ジアノ基；めるいはハロゲン原子、たとえば塩素原子お
よびフン素原子であり：ｆＣだし式Ｃ）においてＲ，Ｒ
およびＲのうち少なくとも２１固は６〜１０個の炭素原
子を有する飽和脂肪族残基、たとえばプロピル基、ブチ
ル基またはへ、ブチル基でめり。

Ｚは一〇−、−ＮＨ−または−８−であり；Ｙは−Ｒ−
ｆ−ＣＨ＝ＣＨ＋−Ｒ−。

ｍけ０〜４の整数でめり； ｎｖ′ｉ［１，１，２または６でろり；Ｒは６〜１０個
の炭素原子を有するアリーレンｘ、　ｆｃとえはフェニ
レン基およびナフチレン基であり： Ｒ７は水素原子または６〜１０個の炭素原子を有するア
リール基であり；そして Ｚ′およびｌは８１Ｊ（固にＮまたはＣＨである。

と記の脂肪族残基は置換されていてもよい。置換された
脂肪族残基の鴨合の置換基には、１〜５個の炭素原子を
有するアルキル基、たとえばメチル基、エチλ基および
プロピル基；６〜１０貼の炭素原子を有するアリール基
、たとえばフェニル基およびナフチル基；ハロゲン原子
。

たとえば塩素原子およびフッ素原子：ニトロ基：ならび
に１〜５個の炭素原子を有するアルコキシ基、たとえば
メトキシ基、エトキシ基およびグロポキシ基がままれ−
る。

特に好ましい螢光増白剤の例には下記のものがよまれる
。２，５−ビス（５，７−ジーｔ−ペンチル−２−ベン
ゾキサゾリルｌ−１，３，４−チアジアゾール；４，４
’−ビス（５，７−ｔ−ペンチル−２−ベンゾキサゾリ
ル）スチルベン；２，５−ビス（５，７−ジーｔ−ペン
チルー２−ベンゾキサゾリル）チオフェン；　２，２′
−１ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾー
ル；　４．４’−ビス（２−ベンゾキサゾリル）ビフェ
ニル；２．５−ビス［５−＜σ、σ−ジメチルベンジル
）−２−ベンゾキサゾリルコチオフェン；４，４’−ビ
ス〔５，７−ジー（２−メチル−２−ブチル）−２−ベ
ンゾキサゾリル〕スチルベン；および２．５−ビス〔５
，７−ジー（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾキ
サゾリル］−３，４−ジフェニルチオフェン。

さらに他の有用な螢光増白剤はケミストリー・オブ・シ
ンセティック・ダイズ、１９７１，６２８〜６５７頁卦
よび６４０頁に列挙されている。

すでに薄膜形成性ではないものは、一端または両端の環
に脂肪族の基を結合させることによって薄膜形５′ｉ、
性にすることができる。この種のさらに有用な螢光増白
剤には、たとえば下記のものがよまれる。

［２−ｉ２−　［４−ｔ　２−ベンゾイミダゾリル）フ
ェニル１ビニル）ベンゾイミダゾール〕〔５−メチル−
２−（２〜Ｃ４−（５−メチル−２−ベンゾキサゾリル
）フェニル１ビニル）ベンゾキサゾール〕 〔２，５−ビスＣ５−メチル−２−ベンゾキサゾリル）
チオフェン〕 Ｃ２−Ｃ２−（４−カルボキシフェニル）ビニル〕ベン
ゾイミダゾール］ および ［２−［２−（４−−クロルフェニル）ビニル〕ナフト
［１，２−ｄ］オキサゾール〕 さらに他の有用な薄膜形成性の電子伝達化合物には８−
ヒドロキシキノリンの金属錯体が言まれ、その際金偏は
好ましくはＺｎ、Ａ１１９ＭｇまたはＬｉである。

有効層の一方が薄膜形成性でるる場合、咎易に認められ
るようにピンホールのため装置がショートすることｌｄ
ないので、他方は薄１１Ｗ杉匠性でめる必要はない。た
とえば亘用な裏随は、前記の薄膜形成性化合物からなる
旧札インジェクション層、および薄膜形ｌｆｆ１性でな
い化合物、たとえば１．１．４．４−テトラフェニル−
１，６−ブタジェンからなる発光層を才む。

前記の表１から明らかなように、有用な陽極電極にけ開
襟″坏ザトロン”のもと’／ＣＰ　Ｐ　Ｇインダストリ
ーズ社から得られる被覆ガラス陽極がぎ塘れ、有用な陽
極電極にはインジウムが才まれる。一般のいかなる陽極
卦よび陰極もそれが適切な仕事関数１直ｔもつならば便
用できる。

たとえば陽極は高い仕事関数をもつべきである。

他の有用な陽極のし１１にはいずれかの半透明な高い仕
事関数をもつ４覗性材料、たとえば酸化スズインジウム
、酸化スズ、ニソケルマ友は金で被覆したガラスが陰ま
れる。好ましくけ、この種の陽極は１０〜１０００オー
ム／スクエアー（ｏｈｍｓ／５ｑｕａｒｅ　ｌのシート
抵抗、および４００ｎｍ以七の波長に吋し８０係の光透
過率をもつ。

このように高い光透過率を少なくとも９０％という正孔
伝達化合物の透過率と合わせｆｃ場合に。

本発明に従って作成された装置のη色である卓越した１
直力転莫効率が保証される。

他の有用な陰極の例には低１ハ仕事関数をもつ他の金属
、たとえば銀、スズ、鉛、マグネシウム、マンガンおよ
びアルミニウムが陰捷れる。

全開が装置により発生するルミ坏ンセンスに対して−高
い透過率をもつか否かは関係ない。

第１図は本発明に従って製造されたエレクトロルミネン
セント伎＃ヲ′示す。これは酸化スズインジウムの半透
明被膜１６で被覆されたガラス製支持体１４からなる陽
極１２？言む。このＪ：に正孔インジェクション層１８
が配置される。

発光層２０は層１８ｋに配置される。ｖｊ１８および２
０の一方または双方が薄膜形成性化合物である。陰極２
２は層２０．１：に配置され、リードワイヤ２４が装置
を電源２６に接続する。電源２６を入れると陽極１２で
発生した正孔は層１８と２０の界面へ伝達され、ここで
陰極２２から伝達された電子と結合し、可視光線ｈνを
発する。

電源２６が装置１０の最大出力点の電圧たとえば１５〜
２５ボルトで操作される場合、最大成力転換効率は少な
くとも９　ｘ　Ｉ　Ｄ　Ｗ／Ｗである。ある場合にはこ
の効率が２×１０　に及ぶことが認められた。本発明の
装置は改良された電力転換効率の結果１７００ｃｄ／ｍ
　（５００フイートランベルト）に及ぶ最大輝度を生じ
ることが認められた。

本発明のＥＬ装置は常法により作成される。

すなわち正孔インジェクション層、発光層および陰極を
それぞれ溶液被覆法または蒸発により施す。正孔インジ
ェクション層が最初に形成されることが好ましい。発光
層に有用な溶剤が正札インジェ戸ツヨン層に対しても良
好な溶剤でめる場合、発光層を形成するためには蒸発が
好ましい。ここで用いられる”蒸発″には蒸気相からの
沈着のあらゆる形態がよまれ、真空下で行われるものも
よまれる。

■記の実施列により本発明をさらに説明する。

これらの実施例において最大輝度は不可逆的破壊を生じ
る威圧のすぐドの電圧で測定される。

若干の実施列において駆動電圧について２　’５　Ｖと
いう好ましい限変を越える輝蜜゛に関する電圧が示され
ているのけこのためである。

実施例１ ＠　１１！＠ｌのものと類似したエレクトロルミネンセ
ント装置（以Ｆ”セル”）を以下により製造した。

１）陽極を作成するため、洋ザトロンガラスをまず０．
０５μｍアルミナの研摩材で数分間研摩した、次いでイ
ソプロピルアルコールおよヒ蒸留水の１：１（Ｖ）混合
物中で超音波清浄した。次いでこれをイソプロピルアル
コールですすぎ、窒素で送風乾燥させた。最後に、使用
前にこれをトルエン中で超音波清浄し、窒素で送風乾燥
させた。

２１１．１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル
）シクロヘキサン（ＨＩ−１ｔｅｌ’トロンガラスＬに
一般的な真空蒸着法により沈着させた。すなわちＬ記吻
質を醒気的に０口熱されたタンタル製ボートから６２０
℃の亀変で５×１０トルの系内圧力において蒸発させた
。不ザトロンガラスに沈着した生ＩＮ、ＨＩ　−１フイ
ルムの厚さは７５ｎｍ　であった。

６）　次いで４．４′−ビス（５，７−シーｔ〜ベンチ
ｎｖ−２−ベンゾキサゾリル）スチルベン（Ｅｌ　）を
２）　に記載したと同じ手法を用いて、ただし供給源＠
２３５０℃を採用してＨＩ−１層の上部に沈着させた。

Ｅ１層の厚さも７５　ｎｍでありた、 ４）次いでインジウム’？Ｅ１フィルムの１部にシャド
ーマスクを介して沈着させた。ＩｎＫ極の面積は０．１
ｄであり、これもエレクトロルミネッセントセルの有効
面積を規定した。

出来上かったセルは不ザトロンガラス電極をプラスとし
てバイアスをかけた場合、青緑色の元を放出した。放出
された光は５２０ｎｍＶｃ最大放出を有していた。達成
された最大輝度は与えられた電圧が２２Ｖである場合、
底流密度１４０　ｍＡ／ｆｆｌ　Ｖｃおいて３４［１ｃ
ｄ／ｙｒ＋７でロッた。

２０Ｖで駆動した場合、最大電力転換効率は１、４　ｘ
　１０　　Ｗ／Ｗでめり、最大エレクトロルミ不ンセン
）ｆｔｉ−子効率は１．２ｘ１０　　光子／成子であ−
Ｉた。

実施例２ 薄膜形成性でない正孔インジェクション層の使用 実施例１に記載したようにエレクトロルミネッセントセ
ルを製造した。ただしＮ、Ｎ、Ｎ−トリ（ｐ−）リル）
アミンを正孔インジェクション層としてＨＩ−１の代わ
りに使用した。このアミンは次式の構造をもつ。

０１Ｈ・ セルは実施例１に記載したものと同じ方法で製造された
。ただしアミン蒸発のための供給源温度は１２０℃であ
った。厚さは７５　ｎｍでめった。このセルに３０Ｖを
かけた場合１区流密３４０　ｍＡ／ｃＴ／ｌおよび最大
輝度１０２　ｃｄ／ｍ　　が得られた。放出された光は
この場合も青緑色であり、５２０ｎｒｎ＆Ｃ最大放出を
有していた。

２０ポルトで駆動した場合、最大電力転換効率は８．１
　ｘ　１０　　Ｗ／Ｗ　でめり、最大ＥＬ量子効率は６
．９ｘ１０　　光子／量子でめった。

これらの結果は１発光層が薄膜形成性化合物からなるた
めピンホールを肴まないならは正孔インジェクション層
は薄膜形ＦｉＸ、性でなくてもよく、また結合剤を陰有
しなくてもよいことを証明している。

実施例６ 発光層用の他の物質 実施列１と同様にしてエレクトロルミネッセントセルを
製造した。ただし下記の螢光増白剤を艶元層として用い
た。

Ｃ，Ｈ，−Ｃ（ＣＬｌｔ　　　　　　Ｃ２Ｈ５−Ｃ（Ｃ
Ｈｓ　＋。

〔２，５−ビス（５，７−ジーｔ−ベンチルー２−ベン
ゾキサゾリルｌ−１，３，４−チアジアゾール〕実施例
１と同様にしてセルを製造した。ただし螢光増白剤の蒸
発のための供給源＠度は２６０℃であった。放出された
光は橙色であり、５９０ｎｍに最大放出を有していた。

得られた最大輝度は５ｏｖｂよび４０　ｍＡ／ｃＷＬに
おいて３４０ｃｄ／　ｍ”でめった。２０Ｖで駆動され
た場合、最大電力転換効率は１．５　ｘ　１０　Ｗ／Ｗ
　であり、最大ＥＬ置子効率は１．４ｘ１０　　光子／
量子であった。

実施例４ 発光層用の他の物質 実施例１と同様にしてエレクトロルミネッセントセルを
製造した。ただし２．２’−（ｐ−フェニレンジビニレ
ン）ビスベンゾチアゾール（Ｅ３１を発光層として用い
、６００℃で蒸発させた。

このセル（ネザトロン／ＨＩ−１／Ｅ３／Ｉｎｌは緑色
の光を故出し、これは５６０　ｎｍ　　に最大放出を有
していた。得られた最大輝度は１７．５Ｖおよび２００
　ｍＡ／ｆｆｌにおいて３４０　ｃ　ｄ／ｍ　　であっ
た。１５Ｖ″′Ｃ駆動した場合、最大電力転換効率は４
　ｘ　ｉ　ＯＷ／Ｗであり、最大エレクトロルミネッセ
ント電子効率け５×１０　光子／量子であった。

実施例５ 発光１脅用の他の物質 前記実施例１と同様にしてエレクトロルミネッセントセ
ルを製造した。ただし２−（４−ビフェニル１−６−フ
エニルベンソキサゾール（ＰＢＢＯＩを発光ｒ曽として
Ｅｌの代わりに用い、２００℃で蒸発させた。

ＢＢＵ このセル（不ザトロ７／ＨＩ’−１／ＰＢＢＯ／Ｉｎｌ
は白青色の光を放出した。得られた最大輝度は２５Ｖお
よび５０ｒｒＬＡ／Ｃｒ１ｔにおいて３４ｃｄ／ｙｒ？
であった。２０Ｖで駆動した場合、最大電力転換効率は
９．５ｘ１０Ｗ／Ｗであり、最大エレクトロルミ坏ツセ
ント量子効率は８×１０　光子／電子であった。

実施例 発光層用の他の物質 実施列１と同様にしてエレクトロルミネッセントセルを
製造した。ただし発光層けＥｌの代わりに２，５−ビス
〔５−（σ、σ−ジメチルベンジル）−２−ベンゾキサ
ゾリルコチオフェン（実施例６）および２，５−ビス〔
５，７−ジーを一ベンチルー２−ベンゾキサ７−　リル
］　−３，４−ジフェニルチオフェンからなり、６４０
℃の温度で蒸発させた。表Ｈに結果を示す。

実施例８ 薄膜形成性でない電子伝達化合物 実施例１と同様にしてエレクトロルミネッセントセルを
製造した。ただし、１．１．４．４−テトラフェニル−
１，６−ブタジェン（ＴＰＢＩを発光層として用いた。

ＴＰＢ昇華のための供給源温度は２１０℃であった。こ
のセルは青色の光を放出し、これけ４５０ｎｍＫ最大放
出を有していた。得られた輝度は２０Ｖおよび２００　
ｍＡ／ｃｆｆｌにおいて１０２ｃｄ／ｙ♂　であった。

１５Ｖで駆動した場合。

最大電力転換効率は２ｘ１０Ｗ／Ｗであり、最大エレク
トロルミネッセント電子効率は１．２ｘ１０光子／量子
であった。このセルは蒸発したＴＰＢ層の不均質なかつ
薄膜形成性でない性質にもかかわらず機１ヒした。’ｒ
　Ｐ　Ｂ　ＩＩｆは顕微境Ｆで見た場合小さなりラスタ
ーのモザイクの外観全英していた。

実施汐１１９および１０ 或子伝達化合吻として８−ヒドロキシキノリノの金属錯
体を使用 実施列１と同様にしてエレクトロルミネッセントセルを
製置した。ただしビス（８−ヒドロキシキノリノ）アル
ミニウムｆｌａ１Ｍｊ９）、および次式 ％式％ の構造をもつビスＣ８−ヒドロキシキノリノ）マグネシ
ウムをそれぞれ発光層として用いた。

操作条件は実施％＋１の記載と同様であった。、ｆｃだ
し金属錯体の供給源＠度はそれぞれ３３０　’Ｃ（実施
例９）および４１０℃（実施列１０）でめった。表Ｉｌ
ｌ　Ｋ結果を示す。

丘記各実施例に示した効率を便宜のため第２図にプロッ
トした。第２図の薇線は傾向を示すにすぎず、”のずれ
かの方法による最適なもの？表わすものではない。そこ
に示されたデータは関係式 ％式％ （１記式中には切片（１ｎｔｅｒｃｅｐｔｌ　　でめり
。

駆動電圧によって一部制例される係数でおる）に従うと
ほぼ直線状である。駆動電圧（＠１図の電源２６）の値
がＬがるのに伴って、第２図の曲線はＦ方へ移動するつ
匠ってより高い駆動電圧では、同一のＥＬ量子効率でも
、もはや希望する９ｘ１０Ｗ／Ｗ　の電力転換効率を与
えないようＫなるでろろう。

【図面の簡単な説明】

第１図（７：を電源に接続した本発明製置の一部の概略
的断面図であり、 第２図は本発明製置に関する成力転換効率対エレクトロ
ルミネッセント量子効率を示す対数一対数グラフである
。 図中の各記号は下記のものを表わす。 １０：エレクトロルミネンセント装置：１２：陽極：　
１４ニガラス製支持本；１６：半透明被膜： １８：Ｅ孔（７ジエクシヨンｉ；２０：発光層；２２：
陰極；　　２４：リードワイヤ；２６：電源。 ’ｌ［願人　イーストマンΦコダック会カンノくニー（
外４名）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 順次陽極、正孔インジェクション帯域、有機発光帯域（
   これらの帯域を合わせた厚さは１μｍを越えない）、お
   よび陰極からなり、 これらの電極のうち少なくとも一方は４００ｎｍ以との
   波長をもつ輻射線の少なくとも８０係を透過させること
   ができ、かつ 少なくとも９Ｘ１０Ｗ／Ｗ　　の電力転換効率をもクエ
   レクトロルミネンセント装置。