WO2005010962A1 - 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 - Google Patents

露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2005010962A1
WO2005010962A1 PCT/JP2004/010991 JP2004010991W WO2005010962A1 WO 2005010962 A1 WO2005010962 A1 WO 2005010962A1 JP 2004010991 W JP2004010991 W JP 2004010991W WO 2005010962 A1 WO2005010962 A1 WO 2005010962A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
liquid
substrate
exposure apparatus
optical system
exposure
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/010991
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Nobutaka Magome
Naoyuki Kobayashi
Yasuyuki Sakakibara
Hiroaki Takaiwa
Original Assignee
Nikon Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to KR1020187037957A priority Critical patent/KR20190002749A/ko
Application filed by Nikon Corporation filed Critical Nikon Corporation
Priority to KR1020137015069A priority patent/KR101414896B1/ko
Priority to KR1020117020276A priority patent/KR101298864B1/ko
Priority to KR1020177028137A priority patent/KR101935709B1/ko
Priority to KR1020147003636A priority patent/KR101599649B1/ko
Priority to EP04748150A priority patent/EP1653501B1/en
Priority to KR1020157020237A priority patent/KR101642670B1/ko
Priority to KR1020127010893A priority patent/KR101403117B1/ko
Priority to KR1020167019452A priority patent/KR101785707B1/ko
Priority to KR1020147026289A priority patent/KR101641011B1/ko
Publication of WO2005010962A1 publication Critical patent/WO2005010962A1/ja
Priority to US11/338,661 priority patent/US8451424B2/en
Priority to US11/366,743 priority patent/US7505115B2/en
Priority to HK06111843.0A priority patent/HK1090175A1/xx
Priority to US13/751,509 priority patent/US8749757B2/en
Priority to US14/264,711 priority patent/US9494871B2/en
Priority to US15/332,509 priority patent/US9760026B2/en
Priority to US15/689,321 priority patent/US10185232B2/en
Priority to US16/223,802 priority patent/US20190121246A1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70533Controlling abnormal operating mode, e.g. taking account of waiting time, decision to rework or rework flow
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/706843Metrology apparatus
    • G03F7/706851Detection branch, e.g. detector arrangements, polarisation control, wavelength control or dark/bright field detection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • G03F7/70725Stages control
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation

Definitions

  • the present invention relates to an exposure apparatus that exposes a substrate through a projection optical system and a liquid, a device manufacturing method using the exposure apparatus, and a control method of the exposure apparatus.
  • a semiconductor device or a liquid crystal display device is manufactured by a so-called photolithography technique in which a pattern formed on a mask is transferred onto a photosensitive substrate.
  • An exposure apparatus used in the photolithographic process has a mask stage for supporting a mask and a substrate stage for supporting a substrate. The mask stage and the substrate stage are sequentially moved, and the pattern of the mask is projected onto the projection optical system. Is transferred to the substrate via
  • further improvement in the resolution of the projection optical system has been desired in order to cope with higher integration of device patterns.
  • the resolution of the projection optical system increases as the exposure wavelength used decreases and as the numerical aperture of the projection optical system increases. For this reason, the exposure wavelength used in the exposure apparatus is becoming shorter year by year, and the numerical aperture of the projection optical system is also increasing.
  • the exposure wavelength of the mainstream is 248 nm of KrF excimer laser, but 193 nm of shorter wavelength ArF excimer laser is also being put to practical use.
  • the depth of focus (DOF) is as important as the resolution.
  • the resolution R and the depth of focus ⁇ 5 are respectively represented by the following equations.
  • is the exposure wavelength
  • ⁇ ⁇ is the numerical aperture of the projection optical system
  • k, k 2 are the process coefficients.
  • the space between the lower surface of the projection optical system and the substrate surface is filled with a liquid such as water or an organic solvent to form an immersion area, and the wavelength of the exposure light in the liquid is 1 /
  • the resolution is improved by utilizing the fact that n (n is the refractive index of the liquid is usually about 1.2 to 1.6), and the depth of focus is expanded to about n times.
  • n is the refractive index of the liquid is usually about 1.2 to 1.6
  • the depth of focus is expanded to about n times.
  • An object of the present invention is to provide an exposure apparatus and a device manufacturing method capable of performing processing, and a control method of the exposure apparatus. It is another object of the present invention to provide an exposure apparatus, a device manufacturing method, and a method of controlling an exposure apparatus, which can suppress the influence of leakage or infiltration of an exposure liquid and can perform favorable exposure processing.
  • the present invention employs the following configuration corresponding to FIGS. 1 to 22 shown in the embodiment.
  • a projection optical system (PL) for projecting the pattern image onto the substrate (P);
  • a liquid supply mechanism (10) for supplying a liquid (1) between the projection optical system (PL) and the substrate (P);
  • the liquid supply mechanism (10) is provided with an exposure apparatus (EX) for stopping the supply of the liquid (1) when an abnormality is detected.
  • EX exposure apparatus
  • the present invention when an abnormality is detected, the supply of the liquid by the liquid supply mechanism is stopped, so that it is possible to prevent leakage or intrusion of the liquid, or to prevent the damage from spreading. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of inconveniences such as the failure or commission of peripheral devices and members due to the liquid, or the fluctuation of the environment where the substrate is placed, or to reduce the influence of such inconveniences.
  • an exposure apparatus for exposing a substrate (P) by irradiating the substrate (P) with exposure light (EL) via a liquid (1) comprising:
  • a projection optical system (P L) for projecting the pattern image onto the substrate (P) via the liquid (1);
  • An exposure apparatus (EX) which stops power supply to the electric equipment (47, 48) when an abnormality is detected, in order to prevent electric leakage due to the adhesion of the liquid (1).
  • the power supply to the electric device is stopped to prevent the leakage due to the adhesion of the liquid. It is possible to suppress the occurrence of inconvenience such as failure of the equipment itself, or to reduce the damage due to it.
  • a projection optical system (P L) for projecting the pattern image onto the substrate (P) via the liquid (1);
  • an exposure apparatus (EX) which stops the intake from the intake port (42A, 66) when an abnormality is detected.
  • the exposure apparatus includes, for example, an intake port of an air bearing (a gas bearing) for supporting the stage apparatus in a non-contact manner with respect to the guide surface, and an intake port of a holder apparatus for sucking and holding a mask and a substrate.
  • various intake ports are provided, if liquid flows into these intake ports, the vacuum system (suction system) such as a vacuum pump that flows through those intake ports will fail.
  • abnormality is detected means that exposure of the substrate through the liquid, that is, detection of a situation that adversely affects the immersion exposure is detected. refers to not only the abnormality concerning the flow of the liquid, the substrate is moved with retained 'by such abnormality relating to operation of the stage is detected: related, also includes, in the et to be connected to an exposure apparatus This is a concept that also includes the detection of an abnormality in the device.
  • an exposure apparatus for exposing a substrate (P) by irradiating the substrate (P) with exposure light (EL) via a liquid (1):
  • a projection optical system (PL) for projecting the pattern image onto the substrate (P) via the liquid (1);
  • An exposure apparatus provided with 3, 72, 76
  • EX Exposure apparatus
  • a liquid is suctioned from the liquid suction port (recovery port) of the liquid recovery mechanism using a vacuum system
  • the collected liquid component flows into the vacuum system (suction system)
  • failure of the vacuum system may occur. Will cause.
  • the liquid and the gas sucked from the suction port are separated into gas and liquid by a separator, and the gas separated by the separator is further dried by a drier, so that the liquid component (wet (Including gas) can be prevented.
  • a substrate stage (PST) that can move while holding the substrate (P), the substrate stage (PST) having a first area (LA1) thereon;
  • the substrate stage is configured so as not to have a positional relationship where the liquid cannot be held between the first region and the second region.
  • a substrate stage (P ST) capable of holding and moving the substrate (P);
  • a second detector (80D) provided on the base member (41) for detecting the liquid (1);
  • An exposure apparatus including a control unit (CONT) for controlling the operation of an exposure apparatus according to detection results of a first detector (80C) and a second detector (80D) is provided.
  • the operation of the exposure apparatus is controlled in accordance with the detection results of the first detector and the second detector provided at mutually different positions.
  • Appropriate measures can be taken according to Therefore, it is possible to reduce the time required for the return work after the liquid leakage occurs, and to prevent a decrease in the operation rate of the exposure apparatus.
  • the controller determines that the diffusion range of the leaked liquid is relatively narrow, and for example, the liquid supply mechanism Take appropriate measures according to the range, such as stopping supply.
  • an exposure apparatus for exposing a substrate by irradiating the substrate with exposure light via a liquid comprising:
  • the controller controls the movement range of the stage when the liquid is held between the projection optical system and the stage, and the movement of the stage when the liquid is not held between the projection optical system and the stage.
  • An exposure apparatus is provided that limits the range to a smaller range.
  • the eighth aspect of the present invention for example, during exposure of the substrate on the stage, it is possible to keep the liquid between the projection optical system and the stage satisfactorily. If the liquid is not held during this time, other operations such as substrate exchange can be performed smoothly.
  • a ninth aspect of the present invention there is provided a device manufacturing method characterized by using the exposure apparatus (EX) of the above aspect.
  • a method for controlling an exposure apparatus (EX) for exposing a substrate by irradiating the substrate with exposure light via a liquid comprising: projecting a pattern image onto the substrate.
  • Optical system liquid supply mechanism (10) for supplying liquid (1) to the image plane side of the projection optical system, devices (47, 48) driven by electric energy, and gas suction
  • PL Optical system
  • liquid supply mechanism 10 for supplying liquid (1) to the image plane side of the projection optical system
  • devices 47, 48 driven by electric energy
  • gas suction A method for controlling an exposure apparatus, comprising components of an exposure apparatus including an apparatus (42, PH) having a function of performing the following, and being connected to an external related apparatus:
  • a method for controlling an exposure apparatus including: According to the control method of the exposure apparatus of the present invention, when an abnormality occurs in a related apparatus inside the exposure apparatus or outside the exposure apparatus, and the signal is a signal indicating an abnormality that affects the exposure of the substrate and the like.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a substrate stage.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing the vicinity of the distal end of the projection optical system, a liquid supply mechanism, and a liquid recovery mechanism.
  • FIG. 4 is a plan view showing the positional relationship between the projection area of the projection optical system and the liquid supply mechanism and the liquid recovery mechanism.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining the recovery device provided on the substrate stage.
  • FIG. 6 is a schematic diagram for explaining a detector including an optical fiber according to the second embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic diagram for explaining a detector including an optical fiber according to the second embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
  • FIG. 8 is a side view showing an example of the arrangement of detectors having optical fibers.
  • FIG. 9 is a plan view of FIG.
  • FIG. 10 is a side view showing another arrangement example of the detector having the optical fiber.
  • FIG. 11 is a plan view showing another embodiment of a detector provided with an optical fiber.
  • FIG. 12 is a perspective view showing another arrangement example of the detector including the optical fiber.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing another embodiment of the detector including the optical fiber.
  • FIG. 14 is a schematic diagram for explaining a detector including a prism according to the third embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
  • FIG. 15 is a schematic diagram for explaining a detector including a prism according to the third embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
  • FIG. 16 is a plan view showing an example of the arrangement of detectors having a prism.
  • FIG. 17 is a diagram illustrating another example of use of a detector including a prism.
  • FIG. 18 is a schematic configuration diagram showing another arrangement example of the detector having the prism.
  • FIGS. 19 (a) and (b) show another embodiment of a detector provided with an optical fiber.
  • FIGS. 20 (a) and (b) are views for explaining another embodiment of the present invention.
  • FIGS. 21 (a) and (b) are diagrams for explaining another embodiment of the present invention.
  • FIG. 22 is a flowchart showing an example of a semiconductor device manufacturing process.
  • FIG. 23 is a block diagram showing the connection relationship between the control device and related devices outside the exposure device and various devices inside the exposure device controlled by the control device based on detection signals from various detectors of the exposure device of the present invention. is there.
  • FIG. 24 is a flowchart showing the control contents of the control device of the exposure apparatus of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of the exposure apparatus of the present invention.
  • an exposure apparatus EX illuminates a mask stage MST supporting a mask M, a substrate stage PST supporting a substrate P, and a mask M supported by the mask stage MST with exposure light EL.
  • the projection optical system PL which projects and exposes the buttered image of the mask M illuminated with the illumination optical system I and the exposure light EL onto the substrate P supported by the substrate stage PST, and the overall operation of the exposure apparatus EX
  • a control device C 0 T for overall control is provided.
  • the control device CONT is connected to an alarm device K that issues an alarm when an abnormality occurs in the exposure processing.
  • the exposure apparatus EX includes a main column 3 that supports the mask stage MST and the projection optical system PL.
  • the main column 3 is set on a base plate 4 placed horizontally on the floor.
  • the main column 3 is formed with an upper step 3A and a lower step 3B protruding inward.
  • the control device is connected to various components constituting the exposure device and related devices outside the exposure device, and the control content of the control device will be described later.
  • the exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus to which the immersion method is applied to substantially shorten the exposure wavelength to improve the resolution and to substantially widen the depth of focus.
  • the exposure apparatus EX uses the liquid 1 supplied from the liquid supply mechanism 10 at least while the pattern image of the mask M is being transferred onto the substrate P to expose a part of the projection area AR 1 of the projection optical system PL on the substrate P. in the P specifically to form the liquid immersion area AR 2, the exposure apparatus EX, the liquid 1 filled between the optical element 2 and the substrate P on the surface of the end portion of the projection optical system PL (termination), this The substrate P is exposed by projecting a buttered image of the mask M onto the substrate P via the liquid 1 between the projection optical system PL and the substrate P and the projection optical system PL.
  • a scanning type exposure apparatus (a so-called “exposure apparatus”) that exposes a pattern formed on the mask M onto the substrate P while synchronously moving the mask M and the substrate P in directions different from each other (reverse direction) in the scanning direction.
  • an example will be described in which a scanning stepper is used.
  • the direction that coincides with the optical axis AX of the projection optical system PL is the Z-axis direction
  • the synchronous movement direction (scanning direction) between the mask M and the substrate P in a plane perpendicular to the Z-axis direction is the X-axis.
  • the direction perpendicular to the Z-axis direction and the X-axis direction is the Y-axis direction.
  • the directions of rotation (tilt) around the X axis, Y axis, and Z axis are defined as 0 °, ⁇ °, and directions, respectively.
  • the “substrate” includes a semiconductor wafer coated with a photoresist as a photosensitive material
  • the “mask” includes a reticle on which a device pattern to be reduced and projected on the substrate is formed.
  • the illumination optical system IL is supported by a support column 5 fixed above the main column 3.
  • the illumination optical system IL illuminates the mask M supported by the mask stage MST with the exposure light EL, and provides an exposure light source and an optical illuminator for equalizing the illuminance of a light beam emitted from the exposure light source. Equipped with a condenser lens that collects the exposure light EL from the evening and the optical integration, a relay lens system, and a variable field stop that sets the illumination area on the mask M with the exposure light EL in a slit shape. are doing. A predetermined illumination area on the mask M is illuminated by the illumination optical system IL with exposure light E having a uniform illuminance distribution.
  • the exposure light EL emitted from the illumination optical system IL includes, for example, ultraviolet bright lines (g-rays, h-rays, i-rays) emitted from a mercury lamp, and KrF excimer laser light (wavelength: 248 nm). Deep ultraviolet light (DUV light) or A r F Excimer laser beam (wavelength 1 9 3 nm) and F 2 laser beam (wavelength: 1 5 7 nm) vacuum ultraviolet light (VUV light) is used. In the present embodiment, ArF excimer laser light is used. In the present embodiment, pure water is used as the liquid 1.
  • Pure water is not only A r F excimer laser light, but also, for example, ultraviolet emission lines (9 lines, h lines, i lines) emitted from a mercury lamp and K r F excimer laser light (wavelength 248 nm). And other deep ultraviolet light (DUV light) can also be transmitted.
  • the mask stage MST supports the mask M, and has an opening 34A at the center thereof through which the pattern image of the mask M passes.
  • a mask surface plate 31 is supported on an upper step portion 3 A of the main column 3 via a vibration isolating unit 6.
  • An opening 34B through which the pattern image of the mask M passes is also formed at the center of the mask base 31.
  • a plurality of non-contact bearings (air bearings) 32 are provided on the lower surface of the mask stage MST.
  • the mask stage MST is supported in a non-contact manner with respect to the upper surface (guide surface) 31 of the mask surface plate 31 by ⁇ averaging 32 ⁇ .
  • the mask stage drive mechanism such as a linear motor drives the projection optical system PL. It can be moved two-dimensionally in a plane perpendicular to the optical axis AX, that is, in the XY plane, and can be slightly rotated in the 0 Z direction.
  • a movable mirror 35 that moves with respect to the projection optical system PL together with the mask stage MST is provided on the mask stage MST.
  • a laser interferometer 36 is provided at a position facing the movable mirror 35.
  • the position of the mask M on the mask stage MST in the two-dimensional direction and the rotation angle in the direction are measured in real time by the laser interferometer 36, and the measurement results are obtained. Is output to the control unit CONT.
  • the control device CONT controls the position of the mask M supported by the mask stage MST by driving the mask stage driving mechanism based on the measurement result of the laser interferometer 36.
  • the projection optical system PL projects and exposes the pattern of the mask M on the substrate P at a predetermined projection magnification / ?, and includes an optical element (lens) 2 provided at the tip of the substrate P side. It is composed of a plurality of optical elements, and these optical elements are supported by a barrel P ⁇ .
  • the projection optical system PL is a reduction system whose projection magnification 3 is, for example, 1/4 or 1/5.
  • the projection optical system PL may be either a unity magnification system or an enlargement system.
  • a flange portion FLG is provided on the outer peripheral portion of the lens barrel PK.
  • a lens barrel surface plate '8 is supported on a lower step portion 3B of the main column 3 via a vibration isolating unit 7.
  • the projection optical system PL is supported by the barrel base 8 by the engagement of the flange portion FLG of the projection optical system PL with the barrel base 8.
  • the optical element 2 at the distal end of the projection optical system PL according to the present embodiment is provided so as to be detachable (replaceable) from the lens barrel PK.
  • the liquid 1 in the liquid immersion area AR 2 is tangent to the optical element 2.
  • the optical element 2 is made of fluorite. Since fluorite has a high affinity for water, the liquid 1 can be brought into close contact with almost the entire liquid contact surface 2a of the optical element 2. That is, in the present embodiment, the liquid (water) 1 having a high affinity for the liquid contact surface 2a of the optical element 2 is supplied, so that the liquid contact surface 2a of the optical element 2 and the liquid The adhesiveness with the liquid 1 is high, and the optical path between the optical element 2 and the substrate P can be reliably filled with the liquid 1.
  • the optical element 2 may be quartz having a high affinity for water. Further, the liquid contact surface 2a of the optical element 2 may be subjected to a hydrophilic (lyophilic) treatment to increase the affinity with the liquid 1.
  • a plate member 2P is provided so as to surround the optical element 2. The surface (that is, the lower surface) of the plate member 2P facing the substrate P is a flat surface. The lower surface (liquid contact surface) 2a of the optical element 2 is also a flat surface, and the lower surface of the plate member 2P and the lower surface of the optical element 2 are almost flush. Thereby, the liquid immersion area AR2 can be favorably formed in a wide range.
  • the substrate stage (movable member) PST is provided so as to be movable by sucking and holding the substrate P via a substrate holder (substrate holding member) PH, and has a plurality of non-contact bearings, gas bearings (air) on its lower surface. Bearings) 42 are provided.
  • Base A substrate surface plate 41 is supported on the plate 4 via a vibration isolating unit 9.
  • the air bearing 42 has an outlet 42 B for blowing gas (air) to the upper surface (guide surface) 41 A of the substrate surface plate 41, a lower surface (bearing surface) of the substrate stage PST and a guide surface.
  • a suction port 42 A for sucking gas between 41 A is provided, and the substrate is balanced by the repulsion force of the gas blown out from the outlet 42 and the suction force by the suction port 42 A.
  • a certain gap is maintained between the lower surface of the stage PST and the guide surface 41A.
  • the substrate stage PST is supported in a non-contact manner with respect to the upper surface (guide surface) 41 A of the substrate surface plate (base member) 41 by an air bearing 42 and is driven by a substrate stage drive mechanism such as a linear motor. It can be two-dimensionally moved and slightly rotated in the direction perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL, that is, in the XY plane.
  • the substrate holder PH is provided so as to be movable in the Z-axis direction, the direction, and the direction.
  • the substrate stage driving mechanism is controlled by the controller CONT. That is, the substrate holder P H ′ controls the focus position (Z position) and the tilt angle of the substrate P so that the surface of the substrate P is aligned with the image plane of the projection optical system P by the smart focus method and the smart leveling method. And position the board P in the X-axis and Y-axis directions.
  • a movable mirror 45 that moves with respect to the projection optical system PL together with the substrate stage PST is provided on the substrate stage PST.
  • a laser interferometer 46 is provided at a position facing the movable mirror 45.
  • the two-dimensional position and rotation angle of the substrate P on the substrate stage PST are measured in real time by the laser interferometer 46, and the measurement results are output to the control device CONT.
  • the controller CONT drives the substrate stage drive mechanism including the linear motor based on the measurement result of the laser interferometer 46 to position the substrate P supported on the substrate stage PST.
  • An auxiliary plate 43 is provided on the substrate stage PST (substrate holder PH) so as to surround the substrate P (see FIG. 2).
  • the auxiliary plate 43 has a flat surface at almost the same height as the surface of the substrate P held by the substrate holder PH.
  • Substrate P When exposing the edge area, the liquid plate 1 can be held under the projection optical system PL by the auxiliary plate 43.
  • a collection port (suction port) 61 of a collection device 60 for collecting the liquid 1 flowing out of the substrate P is provided outside the auxiliary plate 43 in the substrate holder PH.
  • the recovery port 61 is an annular groove formed so as to surround the auxiliary plate 43, in which a liquid absorbing member 62 made of a sponge-like member, a porous body or the like is arranged.
  • FIG. 2 is a schematic perspective view showing the substrate stage PST and a substrate stage driving mechanism for driving the substrate stage PST.
  • the substrate stage PST is supported by an X guide stage 44 so as to be movable in the X-axis direction.
  • the substrate stage PST can be moved at a predetermined stroke in the X-axis direction by the X linear motors 4, 7 while being guided by the X 'guide stage 44.
  • the X linear motor 47 has a stator 47 A provided on the X guide stage 44 so as to extend in the X-axis direction, and is fixed to the substrate stage PST provided corresponding to the stator 4 77 ⁇ . Mover 47 B is provided. Then, when the mover 47B is driven with respect to the stator 47A, the substrate stage PST moves in the X-axis direction.
  • the substrate stage PST is supported in a non-contact manner by a magnetic guide composed of a magnet and an actuator that maintains a predetermined gap in the Z-axis direction with respect to the X guide stage 44.
  • the substrate stage PST is moved in the X-axis direction by the X linear motor 47 while being supported by the X guide stage 44 in a non-contact manner.
  • a pair of Y linear motors 48 that can move the X guide stage 44 in the Y axis direction together with the substrate stage PST are provided.
  • Each of the Y linear motors 48 includes a mover 48 B provided at both ends in the longitudinal direction of the X guide stage 44, and a stator 48 A provided corresponding to the mover 48 B. It has. Then, the mover 48 B is driven relative to the stator 48 A, so that the X guide stage 44 moves in the Y-axis direction together with the substrate stage PST. To do. By adjusting the drive of each of the Y linear motors 48, the X guide stage 44 can be rotated in the 0 ° direction.
  • the substrate stage PS can be moved substantially integrally with the X guide stage 44 in the axial direction and the 0 ° direction by the linear motor 48.
  • guide portions 49 formed in an L shape in a front view and guiding the movement of the X-guide stage 44 in the ⁇ -axis direction are provided. I have.
  • Guide part 49 is supported on base plate 4 (FIG. 1).
  • the ⁇ stator 48 ⁇ of the linear motor 48 is provided on the flat portion 49 # of the guide portion 49.
  • concave guide members 50 are provided at both ends in the longitudinal direction of the lower surface of the X guide stage 44.
  • Guide part 4 9 is a guided part
  • the upper surface (guide surface) 49 A of the guide portion 49 and the inner surface of the guided member 50 are provided so as to engage with 50.
  • a non-contact bearing gas bearing (air bearing) 51 is provided on the guide surface 4 : 9> A of the guide part 49, and the X guide stage 44 is provided on the guide surface 49A.
  • a gas bearing (air bearing) 52 which is a non-contact bearing is interposed between the stator 48 A of the Y linear motor 48 and the flat portion 49 B of the guide portion 49.
  • the stator 48A is non-contact supported by the air bearing 52 against the flat portion 49B of the guide portion 49.
  • FIG. 3 is an enlarged view showing the liquid supply mechanism 10, the liquid recovery mechanism 20, and the vicinity of the tip of the projection optical system PL.
  • the liquid supply mechanism 10 supplies the liquid 1 between the projection optical system PL and the substrate P, and includes a liquid supply unit 11 capable of sending the liquid 1 and a liquid supply unit 11.
  • a supply nozzle 14 is connected to the supply unit 11 via a supply pipe 15 and supplies the liquid 1 sent from the liquid supply unit 11 onto the substrate P.
  • the supply nozzle 14 is arranged close to the surface of the substrate P.
  • the liquid supply unit 11 includes a tank that stores the liquid 1, a pressure pump, and the like, and supplies the liquid 1 onto the substrate P via the supply pipe 15 and the supply nozzle 14.
  • the liquid supply operation of the liquid supply unit 11 is controlled by the controller CONT, and the controller CONT can control the amount of liquid supply per unit time on the substrate P by the liquid supply unit 11.
  • a flow meter 12 for measuring the amount of the liquid 1 supplied from the liquid supply section 11 onto the substrate P (liquid supply amount per unit time).
  • the flow meter 12 constantly monitors the amount of the liquid 1 supplied onto the substrate P, and outputs the measurement result to the control device CONT.
  • a valve 13 for opening and closing the flow path of the supply pipe 15 is provided between the flow meter 12 and the supply nozzle 14 in the supply pipe 15. The opening and closing operation of the valve 13 is controlled by the control device C ⁇ NT.
  • valve 13 in this embodiment is a so-called valve that mechanically closes the flow path of the supply pipe 15 when the drive source (power supply) of the exposure apparatus EX (controller CONT) stops due to, for example, a power failure. It is a one-off system.
  • the liquid recovery mechanism 20 is for recovering the liquid 1 on the substrate P supplied by the liquid supply mechanism 10, and includes a recovery nozzle (suction port) 21 arranged close to the surface of the substrate P.
  • a vacuum system (suction system) 25 connected to the collection nozzle 21 via a collection tube 24 is provided.
  • the vacuum system 25 includes a vacuum pump, and its operation is controlled by the controller CONT.
  • the liquid 1 on the substrate P is collected together with the surrounding gas (air) through the collection nozzle 21.
  • a vacuum system of a factory where the exposure apparatus EX is disposed may be used without providing a vacuum pump in the exposure apparatus.
  • a gas-liquid separator 22 that separates the liquid 1 and the gas sucked from the collection nozzle 21 is provided in the middle of the collection pipe 24.
  • the recovery nozzle From 2 1 the surrounding gas is recovered together with the liquid 1 on the substrate P.
  • the gas-liquid separator 22 separates the liquid 1 and the gas collected from the collection nozzle 21.
  • the collected liquid and gas are circulated through a pipe member having a plurality of holes, and the liquid and gas are separated by dropping the liquid through the holes by gravity. It is possible to adopt a gravity separation type device that separates and a centrifugal separation type device that separates the collected liquid and gas using centrifugal force. Then, the vacuum system 25 sucks the gas separated by the gas-liquid separator 22. A dryer 23 for drying the gas separated by the gas-liquid separator 22 is provided between the vacuum system 25 and the gas-liquid separator 22 in the recovery pipe 24.
  • the gas separated by the gas-liquid separator 22 contains a liquid component
  • the gas is dried by the dryer 23 and the dried gas is flown into the vacuum system 25 to obtain the liquid component. It is possible to prevent inconveniences such as failure of the vacuum system 25 caused by the inflow of water.
  • the dryer 23 for example, a device that removes liquid components by cooling gas supplied from the gas-liquid separator 22 (gas in which liquid components are mixed) to a temperature lower than the dew point of the liquid, for example, a cooler or a device that removes a liquid component by heating the liquid to a boiling point or higher, such as a heater, can be used.
  • the liquid 1 separated by the gas-liquid separator 22 is recovered by the liquid recovery unit 28 via the second recovery pipe 26.
  • the liquid recovery unit 28 includes a tank or the like for storing the recovered liquid 1.
  • the liquid 1 recovered in the liquid recovery unit 28 is, for example, discarded or cleaned, returned to the liquid supply unit 11 or the like, and reused.
  • the amount of collected liquid 1 (the amount of liquid recovered per unit time) is measured between the gas-liquid separator 22 and the liquid recovery unit 28 in the middle of the second collection pipe 26.
  • a flow meter 27 is provided. The flow meter 27 constantly monitors the amount of the liquid 1 collected from the substrate P, and outputs the measurement result to the control device CONT. As described above, the gas around the substrate P is also collected from the collection nozzle 21 together with the liquid 1 on the substrate P.
  • the exposure apparatus EX includes a focus detection system 56 that detects the position of the surface of the substrate P supported by the substrate stage PST.
  • the focus detection system 56 includes a light projecting unit 56 A that projects a detection light beam onto the substrate P from obliquely above via the liquid 1, and a light receiving unit that receives reflected light of the detection light beam reflected by the substrate P. 5 6 B '.
  • the light reception result of the focus detection system 56 (light receiving section 56 B) is output to the control device CONT.
  • the control device CONT can detect the position information of the surface of the substrate P in the Z-axis direction based on the detection result of the focus detection system 56. Further, by projecting a plurality of detection light beams from the light projecting unit 56A, tilt information of the substrate P in the 0X and 0Y directions can be detected.
  • the focus detection system 56 can detect not only the substrate P but also surface position information of an object placed on the image plane side of the projection optical system PL.
  • the focus detection system 56 detects the surface position information of the object (substrate P) via the liquid 1, but detects the object (substrate P) outside the liquid immersion area AR2 without the liquid 1.
  • a focus detection system that detects surface position information can also be employed. As shown in the partial cross-sectional view of FIG.
  • FIG. 4 is a plan view showing a positional relationship between the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 and the projection area AR1 of the projection optical system PL.
  • the projection area AR 1 of the projection optical system PL has a rectangular shape (slit shape) elongated in the Y-axis direction, and three supply nozzles 1 on the + X side so that the projection area AR 1 is sandwiched in the X-axis direction. 4 A to 14 C are arranged, and two collection nozzles 21 A and 21 B are arranged on the —X side.
  • the supply nozzles 14A to 14C are connected to the liquid supply unit 11 via a supply pipe 15, and the recovery nozzles 21A and 21B are connected to a vacuum system 25 via a recovery pipe 24. It is connected. Also supply nose The supply nozzles 14A 'to 14C' and the collection nozzles 21A 'and 21' are located at positions where the nozzles 14A to 14C and the collection nozzles 21A and 21B are rotated by approximately 180 °. 'And are arranged. The supply nozzles 14 ⁇ to 14C and the collection nozzles 21A 'and 21B' are arranged alternately in the axial direction, and the supply nozzles 14A 'to 14C' and the collection nozzles 21 ⁇ and 2 ⁇ .
  • FIG. 5 is a view showing a recovery device 60 for recovering the liquid 1 flowing out of the substrate ⁇ .
  • the supply nozzles 14A 'to 14C''' are connected to the liquid supply unit 11 via the supply pipe 15 '
  • the collection nozzles 21A' and 21 B ' is connected to a vacuum system 25 via a recovery pipe 24'.
  • a flow meter 12 ′ and a valve 13 ′ are provided similarly to the supply pipe 15.
  • a gas-liquid separator 22 ′ and a dryer 23 are provided in the middle of the recovery pipe 24 ′, similarly to the recovery pipe 24.
  • FIG. 5 is a view showing a recovery device 60 for recovering the liquid 1 flowing out of the substrate ⁇ .
  • a collecting device 60 is disposed at the collecting port (suction port) 61 formed in a ring shape so as to surround the auxiliary plate 43 on the substrate holder ⁇ ⁇ , and is disposed at the collecting port 61.
  • a liquid absorbing member 6 made of a porous material such as porous ceramics.
  • the liquid absorbing member 62 is an annular member having a predetermined width, and can hold a predetermined amount of the liquid 1.
  • a flow path 63 communicating with the recovery port 61 is formed inside the substrate holder ⁇ , and the bottom of the liquid absorbing member 62 arranged in the recovery port 61 is in contact with the flow path 63.
  • a plurality of liquid recovery holes 64 are provided between the substrate ⁇ on the substrate holder ⁇ and the auxiliary plate 43. These liquid recovery holes 64 are also connected to the channel 63.
  • a plurality of protrusions 65 for supporting the back surface of the substrate ⁇ are provided on the upper surface of the substrate holder (substrate holding member) ⁇ which holds the substrate ⁇ .
  • Each of the protrusions 65 is provided with a suction hole 66 for sucking and holding the substrate.
  • Each of the suction holes 66 is connected to a conduit 67 formed inside the substrate holder.
  • the flow path 63 connected to each of the recovery port 61 and the liquid recovery hole 64 is connected to one end of a pipe 68 provided outside the substrate holder PH.
  • the other end of the pipe 68 is connected to a vacuum system 70 including a vacuum pump.
  • a gas-liquid separator 71 is provided in the middle of the pipe 68, and a dryer 72 is provided between the gas-liquid separator 71 and the vacuum system 70.
  • the vacuum system 70 By driving the vacuum system 70, the liquid 1 is collected together with the surrounding gas from the collection port 61. Further, even if the liquid 1 penetrates from between the substrate P and the auxiliary plate 43 and flows around the back surface of the substrate P, the liquid is recovered from the recovery port 64 together with the surrounding gas.
  • the gas separated by the gas-liquid separator 71 and dried by the dryer 72 flows into the vacuum system 70.
  • the liquid 1 separated by the gas-liquid separator 71 flows into a liquid recovery unit 73 having a tank or the like capable of storing the liquid 1.
  • the liquid 1 collected in the liquid recovery section 73 is, for example, discarded or cleaned and returned to the liquid supply section 11 or the like for reuse.
  • the channel 67 is connected to one end of a channel 69 provided outside the substrate holder PH.
  • the other end of the conduit 69 is connected to a vacuum system 74 including a vacuum pump provided outside the substrate holder PH.
  • a gas-liquid separator 75 is provided in the middle of the pipe 69, and a dryer 76 is provided between the gas-liquid separator 75 and the vacuum system 74. Further, the gas-liquid separator 75 is connected to a liquid recovery unit 73 including a tank or the like capable of storing the liquid 1.
  • a procedure for exposing the pattern of the mask M to the substrate P using the above-described exposure apparatus EX will be described with reference to FIG.
  • the controller CONT drives the liquid supply section 11 of the liquid supply mechanism 10 to A predetermined amount of the liquid 1 is supplied onto the substrate P per unit time via the supply pipe 15 and the supply nozzle 14.
  • the controller CONT has a liquid supply mechanism 1
  • the vacuum system 25 of the liquid recovery mechanism 20 is driven in accordance with the supply of the liquid 1 by 0, and a predetermined amount of the liquid 1 is recovered per unit time via the recovery nozzle 21 and the recovery pipe 24.
  • a liquid immersion area AR 2 of the liquid 1 is formed between the optical element 2 at the tip of the projection optical system PL and the substrate P.
  • the controller CONT operates the liquid supply mechanism 1 so that the liquid supply amount on the substrate P and the liquid recovery amount from the substrate P become substantially the same. 0 and the liquid recovery mechanism 20 are each controlled.
  • the control unit CONT illuminates the mask M with the exposure light EL by the illumination optical system IL, and projects the pattern image of the mask M onto the substrate P via the projection optical system PL and the liquid 1.
  • a partial pattern image of the mask M is projected onto the projection area AR1, and is synchronized with the movement of the mask M in the -X direction (or + X direction) at a speed V with respect to the projection optical system PL.
  • the substrate P moves through the substrate stage PST in the + X direction (or -X direction) at a speed /? ⁇ V (3 is a projection magnification).
  • the liquid 1 is set to flow in the same direction as the moving direction of the substrate P, in parallel with the moving direction of the substrate P.
  • the supply pipe 15 and the supply nozzles 14A to 14C are collected.
  • the supply and recovery of the liquid 1 by the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 are performed by using the pipe 24 and the recovery nozzles 21A and 21B.
  • the liquid 1 is supplied between the projection optical system PL and the substrate P from the supply nozzle 14 (14A to 14C), and the collection nozzle 21 ( 2 1 A, 21 B)
  • the liquid 1 on the substrate P is collected together with the surrounding gas from the 1A, 21 B) and filled between the optical element 2 at the tip of the projection optical system PL and the substrate P—the liquid 1 in the X direction.
  • scanning exposure is performed by moving the substrate P in the scanning direction (+ X direction) indicated by the arrow Xb (see FIG.
  • the supply and recovery of liquid 1 is performed. That is, when the substrate P moves in the + X direction, the liquid 1 is supplied between the projection optical system P and the substrate P from the supply nozzles 14 ′ (14 A ′ to 14 C ′). At the same time, the liquid 1 on the substrate P is recovered together with the surrounding gas from the recovery nozzle 2 (21A ', 21B,), and the liquid between the substrate P and the optical element 2 at the tip of the projection optical system PL is collected. Liquid 1 flows in + X direction to fill.
  • the liquid 1 supplied via the supply nozzle 14 flows as it is drawn between the optical element 2 and the substrate P as the substrate P moves in the X direction.
  • the liquid 1 can be easily supplied between the optical element 2 and the substrate P even if the supply energy of 10 (liquid supply section 11) is small.
  • the liquid flows between the optical element 2 and the substrate P regardless of whether the substrate P is scanned in the + X direction or the 1X direction. 1, and exposure can be performed with high resolution and a wide depth of focus.
  • the measurement result of the flow meter 12 provided in the liquid supply mechanism 10 and the measurement result of the flow meter 27 provided in the liquid recovery mechanism 20 are always supplied to the control unit C and NT.
  • the controller CONT measures the measurement result of the flow meter 12, that is, the amount of liquid supplied onto the substrate P by the liquid supply mechanism 10, and the measurement result of the flow meter 27, that is, the liquid collection mechanism 20.
  • the amount of liquid collected from the substrate P is compared with the amount, and the valve 13 of the liquid supply mechanism 10 is controlled based on the comparison result.
  • the controller CONT calculates the difference between the liquid supply amount on the substrate P (measurement result of the flow meter 12) and the liquid recovery amount from the substrate P (measurement result of the flow meter 27).
  • the valve 13 is controlled based on the determination whether the obtained difference exceeds a preset allowable value (threshold).
  • the control device CONT controls the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 so that the liquid supply amount on the substrate P and the liquid recovery amount from the substrate P become almost the same. Since each is controlled, if the liquid supply operation by the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery operation by the liquid recovery mechanism 20 are normally performed, the difference obtained above is almost zero. It becomes. When the obtained difference is equal to or larger than the allowable value, that is, when the liquid recovery amount is extremely smaller than the liquid supply amount, the controller CONT generates an abnormality in the recovery operation of the liquid recovery mechanism 20 and sufficiently releases the liquid 1. Judge that it has not been collected.
  • the controller CONT determines that an abnormality such as a failure has occurred in the vacuum system 25 of the liquid recovery mechanism 20, for example, and causes the liquid recovery mechanism 20 to not recover the liquid 1 normally.
  • the valve 13 of the liquid supply mechanism 10 is operated to shut off the flow path of the supply pipe 15, and the supply of the liquid 1 to the substrate P by the liquid supply mechanism 10 is stopped.
  • the control device CONT compares the amount of liquid supplied from the liquid supply mechanism 10 onto the substrate with the amount of liquid collected by the liquid recovery mechanism 20, and based on the comparison result.
  • the liquid recovery mechanism 20 detects an abnormality in the recovery operation of the liquid recovery mechanism 20, and the supply of the liquid 1 becomes excessive.
  • the control device CONT configures the exposing device EX to prevent the leakage due to the adhesion of the leaked or infiltrated liquid 1 when the abnormality of the recovery operation of the liquid recovery mechanism 20 is detected. Stop power supply to electrical equipment.
  • the electric device include linear motors 47 and 48 for moving the substrate stage PST. Since these linear motors 47 and 48 are located at a position where the leaked liquid 1 easily adheres to and penetrates the outside of the substrate stage PST, the controller CONT stops supplying power to these linear motors 47 and 48. By doing so, it is possible to prevent electric leakage due to the adhesion of the liquid 1.
  • the electric equipment includes, for example, a sensor (e.g., a laser) provided on the substrate stage PST and receiving the exposure light EL for the substrate stage PST.
  • a sensor e.g., a laser
  • various actuators such as a piezo element for adjusting the position of the substrate holder PH in the Z-axis direction and the tilt direction can be cited.
  • the controller CONT when detecting an abnormality in the recovery operation of the liquid recovery mechanism 20, the controller CONT, for example, detects a linear motor, a piezo element used near 0 to 150 V, Stop power supply to electrical equipment (high-voltage equipment) such as photomultipliers (sensors) used near 0 V to prevent the occurrence of electrical leakage and reduce the effect on peripheral devices due to electrical leakage. Can be. Further, when detecting an abnormality of the liquid collecting mechanism 20 in the collecting operation, the controller CONT moves, for example, the substrate stage PST in a non-contact manner with respect to the guide surface 41 A of the substrate surface plate 41. Stop driving of air bearing 42.
  • the air bearing 42 blows out gas (air) to the upper surface (guide surface) 41 A of the substrate surface plate 41-an outlet 42B, the lower surface (bearing surface) of the substrate stage PST and the guide.
  • An intake port 42A for sucking gas between the surface 41A is provided. Although a certain gap is maintained between the lower surface of the substrate stage PST and the guide surface 41A, when the controller CONT detects an abnormality in the recovery operation of the liquid recovery mechanism 20, Stop the operation of the air bearing 42, especially the intake from the intake port 42A, to prevent the leaked liquid 1 from flowing into (penetrating into) the intake port 42A of the air bearing 42. .
  • the controller CONT controls the separate member.
  • the suction from the suction hole (suction port) for holding by suction may be stopped.
  • the control device CONT also activates an alarm when an abnormality is detected in the recovery operation of the liquid recovery mechanism 20. Drive K.
  • Alarm device K is used for warning light, alarm sound, display A warning is issued by using a light source or the like, whereby, for example, an operator can know that the liquid 1 has leaked or entered the exposure apparatus EX. Further, when detecting an abnormality in the recovery operation of the liquid recovery mechanism 20, the controller CONT increases the liquid recovery amount of the recovery device 60. Specifically, the driving amount (driving force) of the vacuum system 70 of the recovery device 60 is increased. Since the driving of the recovery device 60 (vacuum system 70) is a vibration source, it is preferable that the driving force of the recovery device 60 be reduced or stopped during the exposure processing.
  • the controller CONT raises the driving force of the recovery device 60 to move the outside of the substrate stage PST (substrate holder PH). It is possible to prevent the leakage of the liquid 1 to a small extent (outside the recovery port 61) or to prevent the leakage from spreading. Further, while exposing a shot area near the center of the substrate P, the liquid 1 supplied from the liquid supply mechanism 10 is recovered by the liquid recovery mechanism 20. On the other hand, as shown in FIG.
  • the liquid 1 that has flowed into the gap between the substrate P and the auxiliary plate 43 is recovered through the liquid recovery hole 64 along with the surrounding air through the flow path 63 and the conduit 68.
  • the gas-liquid separator 71 separates the liquid 1 and the gas recovered from the recovery port 61.
  • the gas separated by the gas-liquid separator 71 is dried in the dryer 72 and then flows into the vacuum system 70. This can prevent the inconvenience of the liquid component flowing into the vacuum system 70.
  • the liquid separated by the gas-liquid separator 71 is recovered by the liquid recovery unit 73.
  • the controller CONT compares the measurement results of the flow meter 12 of the liquid supply mechanism 10 and the flow meter 27 of the liquid recovery mechanism 20 even though the liquid 1 does not leak. Based on the result, it may be erroneously determined that an abnormality has occurred in the recovery operation of the liquid recovery mechanism 20.
  • a flow meter for measuring the amount of the collected liquid is provided between the gas-liquid separator 71 and the liquid collecting part 73 of the collecting device 60, and the control device C 0 NT is provided with the collecting device 6
  • the total liquid recovery amount is obtained, and the obtained total liquid recovery amount and the liquid supply mechanism 10 flow meter 12 Compare the measurement results.
  • the controller CONT determines whether or not an abnormality has occurred in the liquid and recovery operation of the liquid recovery mechanism 20, and based on the determined result, the liquid supply mechanism 10. Can stop the liquid supply operation, stop the power supply, and stop the suction operation from the intake port.
  • the control device CONT sends a large amount of the liquid 1 to the outside of the substrate P.
  • the liquid supply mechanism 10 may be stopped to judge that the liquid 1 is flowing out and to prevent the liquid 1 from leaking out of the substrate stage PST (substrate holder PH).
  • the liquid 1 flowing out of the substrate P may enter the gap between the substrate P and the auxiliary plate 43 and reach the back side of the substrate P. Then, there is a possibility that the liquid 1 that has entered the rear surface side of the substrate P flows into the suction holes (suction ports) 66 for holding the substrate P by suction.
  • the suction holes 66 provided in the substrate holder PH for holding the substrate P by suction are connected to the vacuum system 74 via the pipes 67 and 69, and in the middle thereof. Dry the gas separated by the gas-liquid separator 75 and the gas-liquid separator 75 A dryer 76 is provided. Therefore, even if the liquid 1 flows into the suction hole 66, the liquid 1 flowing from the suction hole 66 is collected by the liquid recovery part 73, thereby preventing the inconvenience of the liquid component flowing into the vacuum system 74. Can be.
  • the flow meter detects the intrusion of liquid from the suction hole 66, it is determined that an abnormal situation has occurred, and the liquid supply operation is stopped as described above, the power supply is stopped, At least one of stopping the intake from the intake port may be executed.
  • the vacuum system 74 suction system
  • the suction from the suction hole 66 is stopped. Is also good.
  • the gas-liquid separator By separating the liquid and separating the gas separated by the gas-liquid separator, the gas is further dried by a dryer, so that the inconvenience of liquid components (wet gas, etc.) flowing into the vacuum system can be prevented, and the liquid is supplied to the vacuum system. The influence can be suppressed.
  • the liquid is collected from the suction port together with the surrounding gas, but the amount of the collected liquid is accurately measured by separating the collected liquid and the gas by the gas-liquid separator. be able to.
  • a failure (operation abnormality) of the vacuum system 25 has been described as an example of the recovery operation of the liquid recovery mechanism 20.
  • An abnormal operation of the gas-liquid separator 22 is also included.
  • the control device CONT stops the liquid supply operation of the liquid supply mechanism 10 and collects the liquid. By stopping the liquid recovery operation of the mechanism 20 (vacuum system 2.5), it is possible to prevent the liquid 1 from leaking and to prevent the vacuum system 25 from malfunctioning.
  • the control device CONT operates the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery mechanism 20 so that the liquid supply amount on the substrate P and the liquid recovery amount on the substrate P are substantially the same. Each of which is controlled. Therefore, if the liquid supply operation by the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery operation by the liquid recovery mechanism 20 are normally performed, the difference obtained above is almost zero, and the allowable value is It is preset to a smaller value accordingly. On the other hand, for example, when the liquid 1 to be used has a high volatility, the liquid supply operation by the liquid supply mechanism 10 and the liquid recovery operation by the liquid recovery mechanism 20 are normally performed.
  • the controller CONT sets the above-mentioned tolerance in advance according to the liquid 1 (volatile) used or the environment where the substrate P is placed, and compares the set tolerance with the difference obtained above.
  • the valve 13 may be controlled based on the following equation.
  • the abnormality of the flow state of the liquid 1 is detected by comparing the amount of liquid supplied by the liquid supply mechanism 10 with the amount of liquid recovered by the liquid recovery mechanism 20.
  • each abnormality may be detected based only on the supply amount of the liquid supply mechanism 10 or only on the recovery by the liquid recovery mechanism 20. Further, not only the flow rate of the liquid, but also when a mechanical or electrical abnormality of the liquid supply mechanism 10 or the liquid recovery mechanism 20 is detected, the control device CONT controls the liquid supplied by the liquid supply mechanism 10. Measures such as stopping the supply operation, stopping the power supply, and stopping the intake operation from the intake port can be performed. In the present embodiment, since the recovery nozzle 21 also collects the liquid 1 and the surrounding gas, the liquid collected using the gas-liquid separator 22 is used to measure the liquid recovery amount more accurately. The gas is separated from the gas, and the amount of the separated liquid is measured by a flow meter 27.
  • the liquid amount measured by the flow meter 27 may vary depending on the gas-liquid separation capacity of the gas-liquid separator 22. Therefore, the controller C ON T can set the above-mentioned allowable value according to the gas-liquid separator 22 (gas-liquid separation capacity) to be used.
  • the liquid supply mechanism 10 stops the liquid supply operation, stops the power supply to the electric device, and although it has been described that all the suction operations from the intake port are stopped, a configuration in which at least one of the operations is executed may be employed.
  • the amount of liquid collected by the flow meter 27 can be accurately measured.
  • the liquid recovery mechanism 20 is configured to recover only the liquid 1 from the recovery nozzle 21, the gas and liquid are separated by using the gas-liquid separator 22. By measuring the pressure of the recovered liquid without separating the liquid and the gas with the separator 22, the amount of the recovered liquid can be obtained.
  • the liquid supply operation by the liquid supply mechanism 10 is stopped, the power supply to the electric device is stopped, or Although the suction operation from the mouth is stopped, the substrate stage (movable member) that can hold and move the substrate P (movable member)
  • the liquid At least one of the stop of the supply operation, the stop of the power supply, and the stop of the intake operation from the intake port may be executed.
  • the abnormal positional relationship between the substrate stage PST and the projection optical system PL refers to a state in which the liquid 1 cannot be held under the projection optical system PL, and at least one of the Z-axis direction and the XY direction. Includes positional errors. That is, even if the supply operation of the liquid supply mechanism 10 and the recovery operation of the liquid recovery mechanism 20 are normal, for example, an abnormality occurs in the operation of the substrate stage PST and the substrate stage PST If the liquid immersion area AR 2 of the liquid 1 cannot be formed well between the projection optical system PL and the substrate P held by the substrate stage PST if the liquid crystal device is placed at a position shifted in the XY direction with respect to the position. Liquid 1 cannot be held under the projection optical system PL).
  • the liquid 1 leaks to the outside of the substrate P or the outside of the substrate holder P H, or the movable mirror 45 of the substrate stage P ST (substrate holder P H) is flooded. Then, since the liquid recovery mechanism 20 cannot recover a predetermined amount of the liquid 1, the flow meter 27 of the liquid recovery mechanism 20 outputs a measurement result of a value smaller than the predetermined value to the controller C0NT.
  • the control device C ON T can detect an abnormality in the position of the substrate stage PST where leakage of the liquid 1 or the like occurs, based on the measurement result of the flow meter 27. Then, when detecting the abnormality, the control device CONT stops the liquid supply operation, stops the power supply, and stops the suction operation from the intake port.
  • the immersion area AR 2 is set to a distance between the projection optical system PL and the substrate P by a predetermined distance (0.1 mm to 1 mm) that can form the immersion area AR 2 by the surface tension of the liquid 1.
  • a predetermined distance 0.1 mm to 1 mm
  • the distance between the projection optical system PL and the substrate P on the substrate stage PST is large. Therefore, a situation may occur in which the liquid 1 cannot be held under the projection optical system PL.
  • the liquid recovery mechanism 20 cannot recover a predetermined amount of the liquid 1, so the flow meter 27 of the liquid recovery mechanism 20 has a smaller value than the predetermined value.
  • the measurement result of is output to the controller CONT.
  • the control device C ON T can detect an abnormality in the position of the substrate stage P ST at which the leakage of the liquid 1 occurs, based on the measurement result of the flow meter 27. Then, when detecting the abnormality, the control device CONT'T executes a stop of the liquid supply operation, a stop of the power supply, a stop of the suction operation from the suction port, and the like.
  • the XY direction position can be detected, and based on the position detection result, an abnormality in the positional relationship can be detected.
  • the control device CONT compares the substrate stage position detection result by the interferometer 46 with a preset allowable value, and when the stage position detection result of the interferometer 46 exceeds the allowable value, the liquid 1 The supply operation may be stopped or the like. Further, the position of the substrate stage PST in the Z-axis direction is detected by the focus detection system 56, and the result of the stage position detection by the focus detection system 56 is compared with a preset allowable value.
  • the control device CONT may execute a stop operation of the supply operation of the liquid 1 or the like.
  • the control device CONT detects an abnormality in the positional relationship between the projection optical system PL and the substrate stage PST based on the detection result of the substrate stage position detection device including the interferometer 46 and the focus detection system 56.
  • an abnormality is detected, it is possible to execute a stop of the liquid supply operation, a stop of the power supply to the electric device, a stop of the intake operation from the intake port, and the like.
  • the control device C CNT may stop the liquid supply operation by the liquid supply mechanism 10.
  • the error of the interferometer 46 means that the position of the substrate stage PST can be measured for some reason, such as a failure of the interferometer 46 itself or a foreign object placed on the optical path of the measurement light of the interferometer. Including lost status. If the interferometer 46 generates an error, the controller C O N T The position of the plate stage PST cannot be grasped, and at the same time, the position of the substrate stage PST cannot be controlled. In this case, an abnormality occurs in the positional relationship between the projection optical system PL and the substrate stage PS #, and the liquid 1 may leak or flow out. Therefore, when the interferometer 46 generates an error, the liquid supply by the liquid supply mechanism 10 is stopped to prevent the liquid 1 from leaking.
  • the control device CONT controls the liquid supply by the liquid supply mechanism 10 when the focus detection 56 generates an error. Can be stopped.
  • abnormalities in the positional relationship between the substrate stage PST (substrate holder PH) and the projection optical system PL in the Z-axis direction are not limited to the focus detection system 56, but also to non-optical detection systems such as capacitance sensors. It may be used.
  • the positional relationship between the image plane of the projection optical system PL and the surface of the substrate stage PST (substrate P) can be managed using an interferometer.
  • the use of an interferometer to manage the positional relationship with the surface is disclosed, for example, in US Pat. No. 6,020,966, and is permitted by the laws of the country designated or selected in this international application. To the extent possible, these disclosures are incorporated herein by reference. Further, in the above-described embodiment, the case where an abnormality occurs during the exposure operation has been described, but the same applies to the case where an abnormality occurs when the substrate P is not exposed.
  • the supply of the liquid is stopped when an abnormality is detected during the supply of the liquid.
  • the projection optical system PL and the base are used.
  • the start of liquid supply may be stopped even when an abnormality such as a positional relationship with the plate stage PST is detected.
  • the leakage of the liquid 1 to the outside of the substrate ⁇ or the substrate stage PST (substrate holder ⁇ ) is optically detected using a detector including an optical fiber, and the leakage of the liquid 1
  • a detector including an optical fiber When the intrusion is detected, at least one of the stop of the liquid supply operation by the liquid supply mechanism 10, the stop of the power supply to the electric device, and the stop of the suction operation from the suction port is executed.
  • the detection principle of the detector that detects the leakage of the liquid 1 will be described with reference to FIGS. 'In the present embodiment, an optical fiber is used as the detector.
  • FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing a general optical fiber.
  • the optical fiber 80 ′ includes a core portion 81 for transmitting light, and a cladding portion 82 provided around the core portion 81 and having a smaller refractive index than the core portion 81.
  • the light is confined and propagated in the core 81 having a higher refractive index than the cladding 82.
  • FIG. 7 is a schematic configuration diagram illustrating an optical fiber 80 according to the present embodiment.
  • an optical fiber 80 is an optical fiber (claddless fiber) having a core portion 81 for transmitting light and having no clad portion around the core portion 81.
  • the core portion 81 of the optical fiber 80 has a refractive index nc higher than the refractive index na of the surrounding gas (air in the present embodiment) and lower than the refractive index nw of the liquid (pure water in the present embodiment) 1.
  • na ⁇ nc ⁇ nw has a refractive index (na ⁇ nc ⁇ nw). Therefore, when the circumference of the optical fiber 80 is filled with air, the incident angle of light is 0. Is the total reflection condition s i n0. As long as it satisfies> na / nc, the light is confined and propagated in the core portion 81 having a higher refractive index nc than air.
  • the light incident from the incident end of the optical fiber 80 is emitted from the exit end without attenuating the light amount.
  • the liquid (pure water) 1 adheres to the surface of the optical fiber 80, the water adheres because nc ⁇ nw.
  • the total reflection condition s in 0 at any incident angle. nw / nc cannot be satisfied, and total reflection does not occur at the interface between the liquid 1 and the optical fiber 80, so that light leaks outside from the liquid-attached portion of the optical fiber 80. Therefore, the amount of light incident from the entrance end of the optical fiber 80 decreases when exiting from the exit end.
  • the optical fiber 80 is set at a predetermined position of the exposure apparatus EX; by measuring the light amount at the exit end of the optical fiber 80, the control device CONT is connected to the optical fiber 80. It is possible to detect whether or not liquid 1 has adhered, that is, whether or not liquid 1 has leaked. Since the refractive index of air is about 1 and the refractive index of water is about 1.4 to 1.6, the core 81 is made of a material having a refractive index of about 1.2 (quartz, specific composition, for example). Is preferred. Further, the amount of the liquid 1 adhering to the optical fiber 80 can be obtained from the amount of attenuation of the light emitted from the exit end of the optical fiber 80.
  • the amount of light attenuation depends on the area of the portion where the liquid 1 adheres to the optical fiber, and if a small amount of liquid 1 adheres around the optical fiber 80, the amount of light The attenuation is small, and when a large amount of liquid 1 adheres, the attenuation is large. Therefore, it is considered that the area of the portion where the liquid 1 adheres depends on the leakage amount of the liquid, so that the leakage amount of the liquid 1 can be obtained by measuring the light amount at the exit end of the optical fiber 80. . Furthermore, by comparing the measured value of the amount of light at the optical fiber emission end with a plurality of preset thresholds (reference values), a specific signal is emitted when each threshold is exceeded.
  • FIG. 8 is a side view showing a state where the optical fiber 80 of the above detector is arranged around the substrate stage PST (substrate holder PH).
  • FIG. 9 is a plan view. As shown in FIGS. 8 and 9, the optical fiber 80 is arranged so as to wind around the substrate stage PST (substrate holder PH).
  • a light projecting unit 83 capable of making light incident on the optical fiber 80 is connected to the incident end of the optical fiber 80, and the optical fiber 80 is connected to the emitting end of the optical fiber 80. Light that propagates and exits from the exit end can be received
  • Light receiving section 84 is connected.
  • the control device C 0 NT determines the input end of the optical fiber 80 based on the amount of light incident on the optical fiber 80 from the light emitting section 83 and the amount of light received by the light receiving section 84.
  • the light attenuating rate at the exit end for the part is determined, and based on the result, whether or not the liquid 1 has adhered to the optical fiber 80, that is, the liquid 1 leaks outside the substrate stage PST (substrate holder PH) Determine if you have done so.
  • the controller CONT determines that the liquid 1 has leaked, the controller CONT stops the liquid supply operation by the liquid supply mechanism 10, stops the power supply to the electric device, and stops the intake operation from the intake port. I do.
  • the optical fiber 80 may be placed on the upper surface of the substrate stage PST (substrate holder PH), especially around the collection port 61, or to check the movable mirror 45 for immersion (immersion liquid).
  • the moving mirror 45 may be arranged at or around the moving mirror.
  • Figure 10 shows the optical fiber 80 around the air bearing 42 provided on the lower surface of the substrate stage PST and around the substrate surface plate (base member) 41 that supports the substrate stage PST movably. It is a figure showing the example of arrangement. Since the optical fiber 80 can be bent arbitrarily, it should be wound around any position where the liquid 1 such as the substrate stage PST (substrate holder PH), the air bearing 42, and the substrate surface plate 41 can easily leak. And can be freely arranged and arranged in any form.
  • the optical fiber 80 by attaching the optical fiber 80 around the air bearing 42, it is possible to detect whether or not the liquid 1 has adhered (leaked) in the vicinity of the air bearing 42. The inconvenience of the liquid 1 flowing into the mouth 42A can be prevented.
  • the optical fiber 80 described above if the distance from the input end to the output end is long, it may be difficult to specify the position where the liquid 1 adheres to the optical fiber 80, that is, the leak position of the liquid 1. is there. Therefore, as shown in FIG. 11, by arranging a plurality of optical fibers 80 two-dimensionally in a matrix, the leakage position of the liquid 1 can be specified.
  • the detector 90 is in the first direction (Y-axis).
  • first optical fibers 8 OA provided in parallel in a second direction (X-axis direction) orthogonal to the first direction, and a second direction as a longitudinal direction.
  • second optical fibers 80B provided side by side in a plurality.
  • the plurality of first and second optical fibers 80A and 80B are arranged in a matrix (network).
  • the input ends of the plurality of first optical fibers 8OA are aggregated, and the aggregated portion and the emission end of the aggregate fiber 85A are connected.
  • the incident end of the collective fiber 85 A is connected to the light emitting section 83 A.
  • each of the plurality of first optical fibers 80A is connected to a light receiving section 84A composed of, for example, a one-dimensional CCD line sensor or the like.
  • the incident ends of the plurality of second optical fibers 80B are aggregated, and the aggregated portion and the exit end of the aggregate fiber 85B are connected.
  • the incident end of the collective fiber 85B is connected to the light emitting section 83B.
  • the emission end of each of the plurality of second optical fibers 80B is connected to a light receiving section 84B composed of, for example, a one-dimensional CCD line sensor or the like.
  • the light emitted from the light projecting unit 83 A propagates through the collective fiber 85 A, and is then branched into each of the plurality of first optical fibers 80 A.
  • the light incident from the incident end of each of the first optical fibers 80A propagates through the first optical fiber 80A, is emitted from the emission end, and is received by the light receiving unit 84A.
  • the light receiving section 84A detects each of the amounts of light emitted from the emission ends of the plurality of first optical fibers 80A.
  • the first optical fiber 80 The light intensity at the emission end of AL decreases.
  • the light receiving result of the light receiving section 84A is output to the control device C0NT.
  • the light emitted from the light projecting unit 83B propagates through the collective fiber 85B, and is branched into each of the plurality of second optical fibers 80B.
  • the light incident from the incident end of each of the second optical fibers 80B propagates through the second optical fiber 80B, exits from the exit end, and is received by the light receiving section 84B.
  • the light receiving section 84B detects each of the light amounts of the light emitted from the emission ends of the plurality of second optical fibers 80B.
  • the control device CONT determines whether the leak position of liquid 1 (the position where the leaked liquid 1 adheres to the detector 90) is the first optical fiber. It can be specified that it is near the intersection of the 8 OAL and the second optical fiber 80 BL. Fig.
  • FIG. 12 shows a linear motor 47 (stator 47A) in which a detector 90 having optical fibers 80A and 80B arranged in a matrix is an electromagnetic drive source for driving the substrate stage PST. It is a figure showing the example arranged in.
  • the position of the liquid 1 leaking outside the substrate stage PST and adhering to the linear motor 47 can be specified.
  • the position of the leaked liquid 1 for example, the work of removing the leaked liquid 1 can be performed efficiently.
  • water should be removed satisfactorily by performing the removal operation (wiping operation) using anhydrous alcohol.
  • the removal operation can be performed smoothly.
  • the position of the liquid 1 attached to the surface of the optical fiber 80 can be specified. .
  • the pulse light L1 incident from the incident end of the optical fiber 80 is reflected at the position where the liquid 1 is adhered, and the reflected light L2 is returned to the incident end.
  • an optical element such as a polarizing beam splitter is provided on the incident side, and the reflected light is guided to the light receiver by the optical element and detected.
  • the leak of the liquid 1 is optically detected using a detector including a prism (optical element), and when the leak of the liquid 1 is detected, the liquid supply operation by the liquid supply mechanism 10 is performed. Perform at least one of the following: stopping, stopping power supply to electrical equipment, and stopping suction operation from the intake port.
  • a prism is used as a detector.
  • FIG. 14 is a diagram showing a schematic configuration of a detector 100 using a prism.
  • a detector 100 includes a prism 101 and a light emitting unit 1 attached to the first surface 101 A of the prism 101 and projecting light to the prism 101.
  • the prism 101 has a higher refractive index than the surrounding gas (air in the present embodiment) and lower than the liquid (pure water in the present embodiment) 1.
  • the refractive index of the prism is selected.
  • FIG. 15 is a diagram showing a state in which the liquid 1 has adhered to the third surface 101 C of the prism 101 of the detector 100.
  • the light projected from the light emitting unit 102 to the third surface 101 C is not totally reflected by the third surface 101 C due to the presence of the liquid 1, but is partially (or entirely). Part) leaks to the outside from the liquid adhering portion of the prism 101.
  • the light amount of the light component reaching the second surface 101B out of the light emitted from the light emitting unit 102 is attenuated, so that the light receiving unit 103 sets the prism 10 based on the received light amount (optical information). It can be detected whether or not the liquid 1 has adhered to the third surface 101C of 1. Therefore, the detection device 00 equipped with the prism 101 is installed at a predetermined position of the exposure apparatus EX, so that the control unit CONT determines the prism 101 based on the light receiving result of the light receiving unit 103. It is possible to detect whether or not liquid 1 has adhered, that is, whether or not liquid 1 has leaked. FIG.
  • FIG. 16 is a plan view showing an example in which the detector 100 having the prism 101 is arranged around the substrate stage PST.
  • a plurality of detectors 110 are mounted at predetermined intervals around a substrate stage PST (substrate holder PH) with the third surface 101 C of the prism 101 facing upward.
  • the control unit SCONT calculates the prism 101 based on the amount of light incident on the prism 101 from the light emitting unit 102 of each detector 100 and the amount of light received by the light receiving unit 103.
  • the decay rate of the emitted light amount with respect to the incident light amount is calculated, and based on the obtained result, whether the liquid 1 has adhered to the prism 101, that is, the liquid 1 leaks outside the substrate stage PST (substrate holder PH) Determine if you have done it.
  • the control unit CONT stops the liquid supply operation by the liquid supply mechanism 10, stops the power supply to the electric device, and stops the suction operation from the intake port.
  • the controller CONT easily determines the leak position of the liquid 1 based on the detection results of the plurality of detectors 100 and the mounting position information of the detectors 100. Can be identified.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing an example in which a plurality of containers 100 are mounted side by side.
  • the wall of the tank 110 is transparent, and the detector 100 is mounted so that the third surface 101 C of the prism 101 is in contact with the wall of the tank 110.
  • the light-receiving signal of the detector 100 (light-receiving unit 103) that detected liquid 1 in the tank 110 is the detector that does not detect liquid 1.
  • the controller CONT determines the detection result (light receiving result) of each of the plurality of detectors 100 and the detection result of each of the plurality of detectors 100.
  • the liquid level (water level) of the liquid 1 in the tank 110 can be obtained based on the mounting position information with respect to the tank 110, and thus the liquid amount in the tank 110 can be obtained.
  • FIG. 18 is a schematic configuration diagram showing an example in which a tank 110 having a detector 100 constituting a water level gauge is applied to a part of a liquid recovery mechanism 20.
  • the liquid recovery mechanism 20 shown in FIG. 18 is provided in the middle of the recovery nozzle 21, a vacuum system 25 connected to the recovery nozzle 21 via the recovery pipe 24, and the recovery pipe 24.
  • a gas-liquid separator 22 and a dryer 23 are provided. Then, the liquid 1 separated by the gas-liquid separator 22 is stored in a tank 110 provided with a detector 100 via a second recovery pipe 26. That is, the present embodiment has a configuration in which a tank 110 is provided instead of the flow meter 27 of the liquid recovery mechanism 20 described with reference to FIG.
  • the detection result of the detector 100 can be completely output to the controller CONT, and the controller CONT determines the amount of liquid recovered through the recovery nozzle 21 based on the detection result of the detector 100. Then, the control device CONT detects an abnormality in the recovery operation of the liquid recovery mechanism 20 by comparing the amount of liquid recovered from the recovery nozzle 21 with the amount of liquid supplied from the liquid supply mechanism 10. be able to.
  • a liquid recovery unit 28 is connected to the tank 110 via a pipe 28A, and a valve 28B is provided in the pipe 28A. The control device CONT activates the valve 28B to open the flow path 28A when the tank 110 is filled with a predetermined amount or more (or periodically). The liquid 1 is collected in the liquid collecting section 28. Further, in the embodiment shown in FIG.
  • the detector 100 is attached to each of the supply pipe 15 and the recovery pipe 24.
  • each of the supply pipe 15 and the recovery pipe 24 is formed of a transparent material, and the detector 1100 is placed such that the detection surface 100 c of the detector 100 is in close contact with the outer surface of the pipe. 0 0 is attached.
  • the control unit CONT detects whether or not the liquid 1 is flowing through the supply pipe 15 based on the light reception result of the light receiving unit 103 of the detector 100 attached to the supply pipe 15. Can be. In other words, the value of the light receiving signal of the light receiving portion 103 is smaller when the liquid 1 is flowing than when the liquid 1 is not flowing through the supply pipe 15.
  • the controller CONT determines whether or not the liquid 1 is flowing through the collection pipe 24 based on the light reception result of the light receiving section 103 of the detector 100 attached to the collection pipe 24. That is, it is possible to detect whether or not the operation of the liquid recovery mechanism 20 is performed normally.
  • the detector 100 can also be used as a liquid / presence sensor that optically detects whether the liquid 1 is flowing through the supply pipe or the recovery pipe.
  • the projection optical system PL can be used by using the detector 100. It is also possible to detect whether or not the liquid 1 is filled between the substrate 1 and the substrate P. In the above embodiment, the leakage of the liquid 1 and the presence or absence of the liquid 1 are optically detected using the optical fiber 80 prism 101, but electrically detected using a capacitance sensor or the like. You may make it detect. If liquid 1 is water, it consists of two wires separated by a fixed distance, and a leak sensor that detects the leak of liquid 1 based on the presence or absence of continuity between the two wires causes the leak of liquid 1 and the discharge of liquid 1.
  • the presence or absence can also be detected electrically.
  • the water leakage sensor having the above configuration can be used.
  • the presence or absence of the liquid 1 cannot be detected by the water leakage sensor having the above configuration because the ultrapure water has no conductivity.
  • the coating of the two separated electric wires contains an electrolyte beforehand, the conductivity will be obtained when the ultrapure water infiltrates, so that the liquid 1 Can be detected.
  • optical fiber 80 it is possible to lay an optical fiber 80 around the linear motor and arrange a detector 100 having a prism 101 around the substrate stage PST (substrate holder PH).
  • Optical fibers and prisms may not be installed at all of the positions described above, and may be placed inside the substrate stage PST or an actuator such as a photoelectric detector or a piezo element.
  • the optical fiber 80 can be arranged so as to be wound around the substrate stage PST and the substrate platen 41. As shown in the side view of (b), the first optical fiber 80 C is provided around the substrate stage PST, and the second optical fiber 80 D is provided around the substrate surface plate 41. It is of course possible to provide them. Further, the optical fiber 80 (80 E) may be arranged inside the recovery port 61 provided on the substrate stage PST. As in the above-described embodiment, in FIG. 19, the substrate stage PST includes an auxiliary plate 43 formed so as to surround the periphery of the substrate P held by the substrate holder PH, and a collection port provided outside the auxiliary plate 43.
  • the auxiliary plate 43 is provided around the substrate P held by the substrate holder PH, and has a flat surface (flat portion) 43A substantially flush with the surface of the substrate P.
  • the flat surface 43 A is provided in an annular shape so as to surround the periphery of the substrate P.
  • a recovery port 61 is provided outside the auxiliary plate 43 (flat surface 43A).
  • Collection port 6 1 is connected to auxiliary plate 4 3 (substrate An annular groove formed so as to surround P).
  • no liquid absorbing member (62) is disposed inside the recovery port 61.
  • the optical fiber 80E is arranged over the entire circumference of the recovery port 61 formed in an annular shape.
  • the controller CONT takes appropriate measures such as stopping the liquid supply operation of the liquid supply mechanism 10 using the valve 13 or the like. This can prevent the liquid 1 from diffusing and leaking from the substrate stage PST.
  • the liquid absorbing member (62) may be disposed in the recovery port 61. Also, as shown in Fig. 19.
  • the control device C 0 NT may control the operation of the exposure device EX according to the detection results of the plurality of optical fibers 80.
  • the control device CONT stops the liquid supply by the liquid supply mechanism 10 and the power supply to the electric device in accordance with the position of the optical fiber 80 that has detected the liquid 1 among the plurality of optical fibers 80. At least one of the operations described above.
  • the controller CONT stops the liquid supply operation of the liquid supply mechanism 10 when the first optical fiber 80C provided on the substrate stage PST detects the presence of the liquid 1,
  • the second optical fiber 80D provided on the substrate surface plate 41 detects the presence of the liquid 1, the power supply to a predetermined electric device is stopped.
  • the predetermined electric device includes linear motors 47 and 48 for driving the substrate stage PST, an anti-vibration unit 9 for supporting the substrate surface plate 41 in an anti-vibration manner, and the like.
  • the first optical fiber 80C provided on the substrate stage PST detects the presence of the liquid 1
  • the second optical fiber 80D provided on the substrate surface plate 41 detects the presence of the liquid 1.
  • the control unit CONT determines that the leaked liquid 1 does not reach the linear motors 47 and 48 for driving the substrate stage PST and the vibration isolation unit 9. That is, the controller C 0 NT determines that the diffusion range of the leaked liquid 1 is a relatively narrow range. In this case, the control unit CONT stops the liquid supply operation of the liquid supply mechanism 10, but continues to supply power to the linear motors 47 and 48 and the vibration isolation unit 9. On the other hand, when the second optical fiber 80D provided on the substrate surface plate 41 detects the presence of the liquid 1, the controller CONT sends the liquid leaking to the linear motors 47 and 48 and the vibration isolating unit 9. Judge that 1 is reached. In other words, the controller CONT determines that the diffusion range of the leaked liquid 1 is relatively wide.
  • the control device CONT stops the liquid supply operation of the liquid supply mechanism 10 and stops the power supply to at least one of the linear motors 47 and 48 and the vibration isolation unit 9.
  • the control unit CONT stops the power supply to the linear motors 47 and 48 or the anti-vibration unit 9, but performs the exposure. It is preferable not to stop the power supply to the entire device EX. This is because if power supply to the entire exposure apparatus EX is stopped, it takes a long time for the restoring work and stabilization thereafter.
  • the operation of the exposure apparatus EX is controlled in accordance with the detection results of the first optical fiber 80C and the second optical fiber 80D provided at different positions from each other.
  • Appropriate measures can be taken according to the diffusion range of 1. Therefore, it is possible to reduce the time required for the return work after the leakage of the liquid 1, and to prevent a decrease in the operation rate of the exposure apparatus EX. Then, when the first optical fiber 80C provided on the substrate stage PS detects the presence of the liquid 1, the controller C0NT stops the liquid supply by the liquid supply mechanism 10, and the electric power to the electric device is stopped. By continuing the supply, the time required for restoration work and stabilization can be minimized. On the other hand, when the second optical fiber 80D provided on the substrate surface plate 41 detects the presence of the liquid 1, the control unit CONT controls the linear motors 47, 48 for driving the substrate stage PST and the vibration isolator. Stop supplying power to unit 9.
  • control device CONT may control the operation of the exposure device EX in accordance with the amount of the liquid 1 detected by the optical fiber 80.
  • the control device 'C 0 NT controls at least one of the stop of the liquid supply operation of the liquid supply mechanism 10 and the stop of the power supply to the electric device in accordance with the amount of the liquid 1 detected by the optical fiber 80. Select the action. Specifically, the control device CONT detects that at least one of the first optical fiber 80C and the second optical fiber 80D detects the liquid 1 in an amount equal to or more than a predetermined first reference value.
  • the linear motors 47 and 48 that drive the substrate stage PST when the amount of liquid 1 that is equal to or greater than the second reference value is detected, and the substrate surface plate 4 Stop the power supply to the electrical equipment such as the anti-vibration unit 9 that supports the anti-vibration 1.
  • the second reference value is larger than the first reference value.
  • the controller CONT detects that the amount of liquid 1 detected in at least one of the first optical fiber 80C and the second optical fiber 80D is greater than the first reference value and less than the second reference value. When it is determined that the amount of the liquid 1 that has leaked is determined to be relatively small. In this case, the control device COT stops the liquid supply operation of the liquid supply mechanism 10, but continues to supply power to the linear motors 47, 48 and the vibration isolating unit 9. On the other hand, when the controller CONT determines that the amount of the liquid 1 detected by at least one of the first optical fiber 80C and the second optical fiber 80D is not less than the second reference value. However, it is determined that the amount of the leaked liquid 1 is large.
  • the control device C 0 NT stops the liquid supply operation of the liquid supply mechanism 10 and stops the power supply to at least one of the linear motors 47, 48 and the vibration proof unit 9.
  • the control device C0NT supplies the electric power to the linear motors 47, 48 or the vibration isolating unit 9.
  • the power supply is stopped, but the power supply to the entire exposure system EX is not stopped. preferable. If the power supply to the entire exposure system EX is stopped, it takes a long time for the restoring work and stabilization. As described above, it is possible to control the operation of the exposure apparatus EX according to the amount of the liquid 1 detected by the optical fiber 80.
  • one optical fiber 80 is arranged so as to surround the substrate stage PST and the substrate surface plate 41.
  • the substrate stage PST and the substrate surface plate are constituted by a plurality of optical fibers. You can also surround the circumference of 4 1.
  • one optical fiber 80 can be placed on each of the four sides of the substrate surface plate 41, and the optical fiber 80 can be used to surround the substrate surface 41 with a total of four optical fibers. .
  • the leak location of the liquid 1 can be easily specified by checking which optical fiber is reacting. Further, as described above, when the positional relationship between the projection optical system PL and the substrate stage PST becomes abnormal, the liquid 1 cannot be held under the projection optical system PL, and the liquid 1 leaks. . Therefore, in order to prevent the liquid 1 from leaking, the movement range of the substrate stage PST may be limited. This will be described with reference to FIG. In FIG. 20, the substrate stage PST has a flat area including the surface of the substrate P (or dummy substrate DP) held by the substrate holder PH and the flat surface 43 A of the auxiliary plate 43 flush with the surface of the substrate P. Has a first area LA 1.
  • the position facing the first area LA 1 includes the image-side tip surface (lower surface) 2 a of the projection optical system PL and a part of the lower surface of the plate member 2 P flush with the lower surface 2 a.
  • a second area LA2, which is a flat area, is provided.
  • liquid 1 is on the substrate stage PST
  • the liquid immersion area AR2 is formed by being held between a first flat surface and a second flat surface including the front end surface 2a of the projection optical system PL and facing the first flat surface. Therefore, the first area LA 1 on the substrate stage PST and the second area LA 2 facing the first area LA 1 and including the tip end surface 2 a of the projection optical system PL are liquid holding areas.
  • the liquid 1 is held between the part of the first area LA1 and the second area LA2 to form the liquid immersion area AR2.
  • the first area LA1 and the second area LA2 do not necessarily have to be flat surfaces, and may have curved surfaces or irregularities as long as the liquid 1 can be retained.
  • the liquid 1 in the liquid immersion area AR 2 is supplied to the supply nozzle 14 having a liquid supply port 14 K arranged around the optical element 2 at the distal end of the projection optical system PL and a liquid recovery port. It is also in contact with a part of the recovery nozzle 21 having 21 K.
  • the second area LA 2 that can hold the liquid 1 is configured to include the liquid contact surfaces of the supply nozzle 14 and the recovery nozzles 21.
  • the control device CONT limits the movement of the substrate stage PST according to the positional relationship between the first area LA1 and the second area LA2. Specifically, as shown in FIG. 20 (a), when the liquid 1 is held between the first area LA1 and the second area LA2, the second liquid as shown in FIG. The liquid 1 can be held up to the positional relationship between the first area LA 1 and the second area LA 2. However, when the substrate stage PST moves in the + X direction from the positional relationship shown in FIG. 20 (b), a part of the liquid immersion area AR2 comes out of the first area LA1, A situation occurs in which liquid 1 cannot be retained between one area A 1 and the second area LA 2.
  • control device CONT determines that an abnormality has occurred in the positional relationship between first area LA1 and second area LA2, and limits the movement of substrate stage PST. Specifically, the control device CONT stops the movement of the substrate stage PST. Thereby, inconvenience such as outflow of the liquid 1 can be prevented.
  • the control device CONT can determine whether or not an abnormality has occurred in the positional relationship between the first area LA1 and the second area LA2 based on the measurement result of the interferometer 46.
  • the control device CONT detects the position of the substrate stage PST in the XY direction by the interferometer 46, and based on the position detection result, based on the position information of the first region LA1 with respect to the second region LA2, that is, the first region LA
  • the positional relationship between 1 and the second area LA 2 is obtained.
  • Information about the size of each of the first area LA1 and the second area LA2 is stored in the control device CONT in advance.
  • information on the size of the liquid immersion area AR2 formed between the first area LA1 and the second area LA2 is also obtained in advance by, for example, an experimental simulation, and is transmitted to the controller CONT. It is remembered.
  • an abnormal value relating to the positional relationship between the first area LA1 and the second area LA2 is previously obtained in the control device CONT, and is stored in the control device CONT.
  • the abnormal value is a value (relative distance) having a positional relationship in which the liquid 1 cannot be held between the first area LA 1 and the second area LA 2, and is relative to the second area LA 2. Therefore, when the first area LA1 exceeds the abnormal value, the liquid 1 cannot be held between the first area LA1 and the second area LA2.
  • the controller CONT restricts the movement of the substrate stage PS when the position of the first area LA1 with respect to the second area LA2 exceeds the abnormal value based on the measurement result of the interferometer 46 ( Stop.
  • the control device CONT is configured to stop moving the substrate stage PST when the position of the first area LA1 with respect to the second area LA2 exceeds the abnormal value.
  • the moving direction of the substrate stage PST may be changed. More specifically, in FIG. 20, when the substrate stage PST moves in the + X direction and the second area LA 2 has an abnormal positional relationship with the first area LA 1, the control device CONT Then, the substrate stage PST is moved, for example, in the X direction. This can also prevent inconvenience such as outflow of the liquid 1.
  • the controller CONT operates when an abnormality occurs in the positional relationship between the first area LA1 and the second area LA2, and the position of the first area LA1 with respect to the second area LA2 exceeds the abnormal value.
  • the operation of the liquid supply mechanism (10) may be restricted. Specifically, when an abnormality occurs in the positional relationship between the first area LA1 and the second area LA2, the control device CONT stops the liquid supply operation by the liquid supply mechanism (10). In this way, inconveniences such as outflow of the liquid 1 can be prevented.
  • the controller CONT supplies the liquid supply amount (liquid supply amount per unit time) by the liquid supply mechanism (10). To reduce.
  • the control unit CONT operates the linear motor (47, 48) or the vibration isolator.
  • the power supply to (9) may be stopped or the intake from the intake port (42A) may be stopped.
  • the liquid supply by the liquid supply mechanism (10) is stopped, and the liquid 1 on the substrate Pi (substrate stage PST) is recovered by the liquid recovery mechanism (20). Thereafter, the liquid 1 is not retained between the first area LA1 and the second area LA2.
  • the control unit CONT releases the restriction on the movement of the substrate stage PST. That is, while the liquid supply mechanism (10) supplies the liquid 1, the controller CONT moves the movement range of the substrate stage PST between the first area LA1 and the second area LA2. Liquid supply mechanism, limited to the first range that can hold liquid 1 between
  • the range is limited to a second range wider than the first range. That is, when holding the liquid 1 between the projection optical system PL and the substrate stage PST (substrate P), the control unit CONT limits the movement range of the substrate stage PST to the first range. When the liquid 1 is not held between the projection optical system PL and the substrate stage PST (substrate P), the movement of the substrate stage PST within the second range wider than the first range is allowed. . This makes it possible, for example, to keep the liquid 1 between the projection optical system PL and the substrate stage PST (substrate P) satisfactorily, for example, during exposure of the substrate P.
  • FIG. 21 is a view showing another embodiment of the present invention.
  • FIG. 21 (a) is a side view
  • FIG. 21 (b) is a plan view of the substrate stage as viewed from above.
  • a nozzle member 18 having a liquid supply port 14K and a liquid recovery port 21K is provided around the optical element 2 of the projection optical system PL.
  • the nozzle member 18 is an annular member provided so as to surround the side surface of the optical element 2 above the substrate P (substrate stage PST).
  • a gap is provided between the nozzle member 18 and the optical element 2, and the nozzle member 18 is supported by a predetermined support mechanism so as to be isolated from the vibration of the optical element 2.
  • the nozzle member 1.8 is provided above the substrate P (substrate stage PST), and has a liquid supply port 14K arranged so as to face the surface of the substrate P.
  • the nozzle member 18 has two liquid supply ports 14K.
  • the liquid supply port 14 K is provided on the lower surface 18 a of the nozzle member 18.
  • the nozzle member 18 is provided above the substrate P (substrate stage PST), and has a liquid recovery port 21K arranged so as to face the surface of the substrate P.
  • the nozzle member 18 has two liquid recovery ports 21K.
  • the liquid recovery port 21K is provided on the lower surface 18a of the nozzle member 18.
  • the liquid supply ports 14 K and 14 ⁇ are provided at respective positions on both sides in the X-axis direction across the projection area AR 1 of the projection optical system PL, and the liquid recovery ports 21 K and 21 ⁇ are The liquid supply ports 14 K and 14 K are provided outside the projection area AR 1 of the shadow optical system PL.
  • the projection area AR1 of the projection optical system PL in the present embodiment is set to have a rectangular shape in plan view with the Y-axis direction as the long direction and the X-axis direction as the short direction.
  • Lower surface of nozzle member 18 (surface facing substrate P side) 18 a is a flat surface, lower surface of optical element 2 (liquid contact surface) 2 a is also flat surface, and lower surface of nozzle member 18 18 a and the lower surface 2 a of the optical element 2 are almost flush. Thereby, the liquid immersion area AR2 can be satisfactorily formed in a wide range.
  • the second area LA 2 that can hold the liquid 1 is an area of the lower surface 2 a of the optical element 2 and the Byone surface 18 a of the nozzle member 18 that is inside the recovery port 21 K.
  • a recess 55 is provided on the substrate stage PST, and the substrate holder PH is arranged in the recess 55.
  • the upper surface 57 of the substrate stage PST other than the concave portion 55 has a flat surface (flat portion) which is substantially the same height (flat) as the surface of the substrate P held by the substrate holder PH. Has become.
  • the first area LA 1 capable of holding the liquid 1 is an area including the surface of the substrate P and the upper surface 57.
  • moving mirrors 45 are arranged on two mutually perpendicular edges of a substrate stage PST having a rectangular shape in plan view.
  • a reference member 300 is arranged at a predetermined position outside the substrate P.
  • the reference member 300 is provided with a reference mark PFM detected by a substrate alignment system (not shown) and a reference mark MFM detected by a mask alignment system in a predetermined positional relationship.
  • a substrate alignment system for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-65603, the substrate stage PST is stopped and white light or the like from a halogen lamp is placed on the mark.
  • An FIA (Field Image Alignment) system is adopted, in which illumination light is applied, the obtained mark image is picked up by an image pickup device within a predetermined field of view, and the position of the mark is measured by image processing. Have been.
  • FIA Field Image Alignment
  • the mark is irradiated with light, and the image of the mark captured by a CCD camera or the like is taken.
  • a VRA (Visual Reticle Alignment) method that detects mark positions by image processing data is used.
  • the upper surface 301 A of the reference member 300 is almost flat, and is set at substantially the same height (level) as the surface of the substrate P held on the substrate stage PST and the upper surface 57 of the substrate stage PST. Have been killed.
  • the upper surface 301A of the reference member 300 can also serve as a reference surface of the focus detection system 56.
  • the substrate alignment system also detects an alignment mark AM formed on the substrate P. As shown in FIG.
  • a plurality of shot areas S1 to S24 are formed on the substrate P, and the alignment mark AM is formed in the plurality of shot areas S1 to S24.
  • a plurality is provided on the substrate P correspondingly.
  • an illuminance unevenness sensor 40 as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-117238 is used as a measurement sensor. 0 is arranged.
  • the illuminance non-uniformity sensor 400 has a top plate 401 in a plan view.
  • the upper surface 401A of the upper plate 401 is almost flat, and is almost the same as the upper surface 57 of the substrate stage ⁇ , the surface of the substrate P held on the ST, and the substrate stages ⁇ , S, ⁇ . It is provided at the same height.
  • a pinhole portion 470 through which light can pass is provided on the upper surface 401 of the upper plate 401.
  • portions other than the pinhole portion 470 are covered with a light-shielding material such as chrome.
  • a spatial image measurement sensor such as that disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-14005 is used as a measurement sensor. 500 is provided.
  • the aerial image measurement sensor 500 includes an upper plate 501 having a rectangular shape in a plan view.
  • the upper surface 501 A of the upper plate 501 is a substantially flat surface, and is approximately the same height as the surface of the substrate P held by the substrate stage PST and the upper surface 57 of the substrate stage PST. It is provided in.
  • On the upper surface 501A of the upper plate 501 there is provided a slit section 570 through which light can pass. Of the upper surface 501A, portions other than the slit portion 570 are covered with a light-shielding material such as chrome.
  • an irradiation amount sensor (illuminance sensor) 600 as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • H11-16816 is also provided.
  • the upper surface of the upper plate 600 is held at the substrate stage PST It is provided at substantially the same height (level) as the surface of the substrate P and the upper surface 57 of the substrate stage PST.
  • a gutter member 89 is provided on a side surface of the substrate stage PS # so as to surround the substrate stage PS #.
  • the gutter member 89 is capable of collecting (holding) the liquid 1 leaking from above the substrate ⁇ and the substrate stage PS ⁇ , and is provided outside the upper surface (flat surface) 57 of the substrate stage PST.
  • An optical fiber 80 that can detect the presence or absence of the liquid 1 is disposed inside the gutter member 89.
  • the controller CONT When the optical fiber 80 of the gutter member 89 detects the presence of the liquid 1, the controller CONT performs an appropriate measure such as stopping the liquid supply operation of the liquid supply mechanism (10) as in the above-described embodiment. Apply.
  • the liquid immersion area AR 2 is formed on the substrate ⁇ ⁇ when the substrate ⁇ ⁇ is exposed, but also when a reference mark MFM of the reference member 300 is measured, or when the sensor
  • the liquid immersion area AR2 is formed on each of the upper plates 30 #, 401, 501, and 601. Then, measurement processing via the liquid 1 is performed.
  • the second area LA2 such as the area including the upper surface 301A of the reference member 300 in the first area LA1
  • the liquid 1 is filled between a part of the first area LA 1 and the second area LA 2.
  • the area including the upper surface 401A of the upper plate 401 of the first area LA1 and the second area LA2 face each other, and the first area Liquid 1 is filled between a part of LA 1 and the second area LA 2.
  • the region including the upper surfaces 501A and 601A of the upper plates 501 and 601 of the first region LA1 and the second region LA2 are opposed to each other, and liquid 1 is filled between a part of the first area LA 1 and the second area LA 2.
  • the control unit CONT supplies the substrate while the liquid supply mechanism (10) supplies the liquid 1 to form the immersion area AR2 on the substrate stage PST (on the first area LA1).
  • the movement range of the stage PST is limited to a first range SR 1 shown in FIG. 21 (b). In FIG.
  • the symbol LA 2a is the position where the second area LA 2 is located on the + Y side and the _X side of the first area LA 1 within the range in which the liquid 1 can be held. Is shown.
  • the optical axis AX of the projection optical system PL (second area LA2) moves with respect to the substrate stage PST (first area LA1). It will be described as an example.
  • the symbol LA 2b indicates a position when the second area LA 2 is arranged on the + Y side and + X side of the first area LA 1.
  • the sign LA2. Indicates a position when the second area LA 2 is arranged on the most ⁇ Y side and the + X side of the first area LA-1.
  • Reference sign LA 2 d indicates a position when the second area LA 2 is arranged at the most —Y side and —X side of the first area LA 1.
  • the inner area connecting the centers of the second areas LA 2a to A 2d is the first area SR 1.
  • the movement range of the substrate stage PST is limited to the first range SR1, so that the first area AL1 and the second area AL1 are always fixed.
  • the liquid 1 can be held between the area AL 2 and the inconvenience such as leakage of the liquid 1 can be prevented.
  • the controller CONT moves the movement range of the substrate stage PST to the second range SR 2 which is wider than the first range SR 1.
  • the first range SR 1 is included in the second range SR 2.
  • the liquid supply mechanism (10) stops supplying the liquid 1
  • the substrate stage is restricted by restricting to the second range SR2 larger than the first range SR1.
  • Predetermined operations such as the operation of the PST moving to the loading / unloading position of the substrate P can be smoothly performed.
  • each embodiment of the present invention has been specifically described. In the present invention, when an abnormality is detected by a control device provided in the exposure apparatus, the control apparatus controls an appropriate mechanism or apparatus of the exposure apparatus.
  • FIG. 23 summarizes the relationship between a detection part for detecting an abnormality, a control device, and a controlled part controlled by the control device.
  • the control device of the exposure apparatus is provided with various detection devices provided inside the exposure apparatus. For example, as described above, the supply-side flow meter or the recovery-side flow meter alone or an abnormality (liquid flow) due to a difference in flow rate between them.
  • Supply / recovery flowmeters that detect flow, stage interferometers that measure the stage position of the substrate stage to detect abnormal stage position (the occurrence of water leakage), and stage position abnormalities that measure the focus state of the substrate stage
  • Focus detection system that detects leaks (water leakage)
  • leak detectors 1 and 2 that detect water leaks (abnormalities) attached to optical fibers and prisms provided on the substrate stage and base plate
  • the water level of the recovery tank It is connected to various detection systems, such as a water level meter that detects an abnormality in the amount of water collected from the water.
  • the controller can receive abnormal signals from those detection systems. At this time, the control device can determine whether the signal is normal or abnormal by comparing the predetermined reference signal with the signal received from each detector.
  • the control device of the exposure apparatus is also connected to various related devices outside the exposure apparatus, such as a liquid (pure water) production device, a liquid (pure water) temperature control device, a developing device, and a substrate transfer device. Can be received. Further, the control device of the exposure apparatus can receive a signal indicating an abnormality in a factory where the exposure apparatus is installed. Abnormalities in factories where the exposure equipment is installed include abnormalities in the clean room where the exposure equipment is located, abnormalities in the capacity of pure water and power supplied to the exposure equipment, earthquakes and fires. The control device may determine whether the signal is normal or abnormal by comparing a predetermined reference signal with a signal received from each related device.
  • the control device of the exposure apparatus further includes a controlled device, for example, a liquid supply mechanism, a liquid recovery mechanism, a stage device, and particularly a stage air. It is connected to sensors such as bearings, stage linear motors, substrate holder suction systems, photomultipliers, and various other components such as vibration proof units and actuators. Can be received. If a sensor for detecting an earthquake is provided, the control device can also receive an abnormal signal from the earthquake sensor. If a water quality sensor for measuring the quality of liquid 1 (temperature, 'dissolved oxygen concentration, ratio of impurities such as organic matter) is provided, an abnormal signal can be received from the water quality sensor. The control operation of the control device will be briefly described with reference to FIG.
  • the control device receives a signal indicating an abnormality from a detection system inside the exposure apparatus or related devices 1 to 4 outside the exposure apparatus.
  • the signal indicating an abnormality is, for example, a signal that affects the flow of the liquid supplied (further collected) for immersion exposure.
  • the control device may compare the received signal with the reference signal to determine that the received signal is an abnormal signal.
  • the controller identifies the part where the abnormality has occurred from the abnormality signal.
  • the control device may issue an alarm using an alarm device.
  • the control device determines which device should be controlled according to the portion where the abnormality has occurred, and sends a control signal to the device to deal with the abnormal situation.
  • a leak detector 1 (such as an optical fiber) provided on the substrate stage detects a liquid leak
  • the control device responds to the detection signal to supply the liquid by the liquid supply device and to control the stage.
  • System, the stage air bearing and the suction by the substrate holder suction system, and the power supply to the stage linear motor, the substrate holder suction system, the sensor, the vibration isolator, and the actuator are all stopped. Only the liquid recovery of the recovery mechanism can be continued.
  • the control unit determines which device should be stopped according to the location of the liquid leak and its degree (signal magnitude).
  • electric equipment such as a stage linear motor or a sensor can be operated as it is, and only the operation of the liquid supply mechanism can be stopped.
  • pure water was used as the liquid 1 in the present embodiment. Pure water can be easily obtained in large quantities at semiconductor manufacturing factories, etc. There is an advantage that there is no adverse effect on optical elements (lenses). In addition, pure water has no adverse effect on the environment and has an extremely low impurity content, so that the surface of the substrate P and the surface of the optical element provided on the front end surface of the projection optical system PL are cleaned. Can also be expected. It is said that the refractive index n of pure water (water) with respect to the exposure light E having a wavelength of about 193 nm is about 1.44, and that the ArF excimer laser light is used as the light source of the exposure light EL.
  • the wavelength is shortened to 1 / n on the substrate P, that is, about 134 nm, and high resolution is obtained. Furthermore, since the depth of focus is expanded to about n times, or about 1.44 times, compared to that in the air, if it is sufficient to secure the same depth of focus as when using it in the air, The numerical aperture of the projection optical system PL can be further increased, and the resolution is also improved in this respect.
  • the optical element 2 is attached to the tip of the projection optical system PL.
  • the optical element to be attached to the tip of the projection optical system PL includes the optical characteristics of the projection optical system PL, such as aberration (spherical aberration).
  • a parallel plane plate that can transmit the exposure light EL may be used.
  • the transmittance of the projection optical system PL and the exposure on the substrate P during transportation, assembly, and adjustment of the exposure unit EX Even if a substance (for example, a silicon-based organic substance) that reduces the illuminance and uniformity of the illuminance distribution of the light EL adheres to the parallel flat plate, just replace the parallel flat plate immediately before supplying the liquid 1. This has the advantage that the replacement cost is lower than in the case where the optical element in contact with the liquid 1 is a lens.
  • the surface of the optical element that comes into contact with the liquid 1 due to scattering particles generated from the resist by the exposure of the exposure light EL, or the adhesion of impurities in the liquid 1, etc. becomes dirty.
  • this optical element an inexpensive parallel flat plate, the cost of replacement parts and the time required for replacement can be shortened compared to a lens, and maintenance costs ( An increase in running cost and a decrease in throughput can be suppressed.
  • the liquid 1 of the present embodiment is water, a liquid other than water may be, example, if the light source of the exposure light EL is an F 2 laser, this F 2 laser light passes through the water in Do Ino, in this case, it may be used fluorine-based liquid such as permeable as fluorine-based for oil Ya perfluoropolyether (PFPE) the F 2 laser light as the liquid 1.
  • PFPE perfluoropolyether
  • the liquid 1 also has a high refraction index as much as possible because it has transparency to the exposure light EL and is stable against the projection optical system PL and the photo resist applied to the surface of the substrate P. It is also possible to use other suitable materials (for example, Seda Oil).
  • the shape of the nozzle described above is not particularly limited.
  • supply or recovery of the liquid 1 may be performed with two pairs of nozzles on the long side of the projection area AR1.
  • the supply nozzle and the recovery nozzle are arranged vertically. May be.
  • the substrate P in each of the above embodiments is used not only for a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also for a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin-film magnetic head, or an exposure apparatus.
  • the exposure apparatus that locally fills the space between the projection optical system PL and the substrate P with the liquid is employed, but the stage holding the substrate to be exposed is moved in the liquid tank.
  • the present invention is also applicable to an immersion exposure apparatus for forming a liquid tank having a predetermined depth on a stage and holding a substrate therein.
  • the exposure apparatus EX includes a step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by synchronously moving the mask M and the substrate P, as well as the mask M and the substrate.
  • the present invention can also be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is exposed collectively while the substrate P is stationary and the substrate P is sequentially moved stepwise.
  • the present invention is also applicable to a step-and-stitch type exposure apparatus that transfers at least two patterns on the substrate P while partially overlapping each other.
  • the present invention can also be applied to a twin-stage type exposure apparatus including two stages capable of independently placing substrates to be processed such as wafers and moving independently in the X and Y directions.
  • a twin-stage type exposure apparatus including two stages capable of independently placing substrates to be processed such as wafers and moving independently in the X and Y directions.
  • the structure and exposure operation of a twin-stage type exposure apparatus are described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 10-16309 and 10-214783 (corresponding US Pat. Nos. 6,341,007, 6 ', 400,441,6). , 549, 269 and 6,590, 634), Table 2000-505958 (corresponding U.S. Patent 5,969,441) or U.S. Patent 6,208,407, which are designated or selected in this international application. To the extent permitted by applicable national law, these disclosures are incorporated by reference into the text.
  • the present invention is also applied to an exposure apparatus provided with a substrate stage for holding a substrate P and a measurement stage provided with various measurement members and sensors. Can be applied. In this case, it is possible to hold the liquid between the projection optical system and the upper surface of the measurement stage, and this measurement stage can also be provided with measures such as the above-described water leak detector.
  • the type of exposure equipment EX is not limited to semiconductor equipment manufacturing exposure equipment that exposes a semiconductor element pattern to the substrate P, but is used for liquid crystal display element manufacturing or display manufacturing.
  • the present invention can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a thin film magnetic head, an image sensor (CCD), a reticle or a mask, and the like.
  • each of the stages PST and MST may be of a type that moves along a guide or a guideless type that does not have a guide. Examples of using a linear motor for the stage are disclosed in U.S. Patent Nos. 5,623,853 and 5,528,118, each of which is permitted by the laws of the country designated or selected in this international application. To the extent possible, the contents of these documents are incorporated and incorporated as part of the text.
  • each stage PST, MST is such that a magnet unit with a two-dimensionally arranged magnet and an armature unit with a two-dimensionally arranged coil are opposed to each other, and each stage PST, MST is driven by electromagnetic force.
  • a planar motor for driving T may be used.
  • one of the magnet unit and the armature unit is connected to the stage PST and MST, and the other of the magnet unit and the armature unit is connected to the stage PST and the moving surface of the MS ⁇ . May be provided.
  • the reaction force generated by the movement of the substrate stage PST may be mechanically released to the floor (ground) using a frame member so as not to be transmitted to the projection optical system PL.
  • the exposure apparatus EX of the present embodiment is manufactured by assembling various subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Is done. To ensure these various precisions, before and after this assembly, adjustments to achieve optical precision for various optical systems, adjustments to achieve mechanical precision for various mechanical systems, various Electric systems will be adjusted to achieve electrical accuracy.
  • the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connections, wiring connections of electric circuits, and piping connections of pneumatic circuits between the various subsystems. It goes without saying that there is an individual assembly process for each subsystem before the assembly process from these various subsystems to the exposure apparatus.
  • the exposure apparatus be manufactured in a clean room in which the temperature, cleanliness, etc. are controlled. As shown in Fig.
  • a micro device such as a semiconductor device has a step 201 for designing the function and performance of the micro device, a step 202 for manufacturing a reticle (mask) based on this design step, Step 203 for manufacturing a substrate as a substrate of the device, Step 204 for exposing a reticle pattern to the substrate using the exposure apparatus EX of the above-described embodiment, Step for assembling a device (dicing step, bonding step) , Including the package process) 205, inspection step 206, etc.
  • INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, an abnormality in an internal apparatus of an exposure apparatus or an external related apparatus that affects immersion exposure is detected, and peripheral devices and members due to leakage or intrusion of an exposure liquid are detected. Dew Since the influence on the optical operation can be suppressed or reduced, the good condition of the expensive exposure apparatus can be maintained, and the liquid immersion exposure processing can be performed with high accuracy. Thereby, a device having desired performance can be manufactured.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

 露光装置EXは、投影光学系PLと液体1とを介してパターン像を基板P上に投影することによって基板Pを露光する。露光装置EXは、投影光学系PLと基板Pとの間へ液体1を供給する液体供給機構10を備えている。液体供給機構10は、異常が検出されたときに液体1の供給を停止する。液浸領域を形成する液体の漏洩により基板周辺の装置・部材が受ける影響を抑え、良好に露光処理できる。

Description

明細書 露光装置及びデバイス製造方法、 並びに露光装置の制御方法 技術分野
本発明は、 投影光学系と液体とを介して基板を露光する露光装置、 この露光装 置を用いるデバイス製造方法、 及び、 露光装置の制御方法に関するものである。 背景技術
半導体デノ 'ィスや液晶表示デノ 'イスは、 マスク上に形成されたパターンを感光' 性の基板上に転写する、 所謂フォトリソグラフィの手法により製造される。 この フォトリソグラフイエ程で使用される露光装置は、 マスクを支持するマスクステ —ジと基板を支持する基板ステージとを有し、 マスクステージ及び基板ステージ を逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するもの である。 近年、 デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光 学系の更なる高解像度化が望まれている。 投影光学系の解像度は、 使用する露光 波長が短いほど、 また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。 そのため、 露 光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、 投影光学系の開口数も増 大している。 そして、 現在主流の露光波長は K r Fエキシマレ一ザの 248 n m であるが、 更に短波長の A r Fエキシマレーザの 1 93 n mも実用化されつつあ る。 また、 露光を行う際には、 解像度と同様に焦点深度 (DOF) も重要となる。 解像度 R、 及び焦点深度 <5はそれぞれ以下の式で表される。
R = k, - λ/Ν A … ( 1 )
<5 = ± k2 ■ λ/Ν A2 … ( 2)
ここで、 λは露光波長、 Ν Αは投影光学系の開口数、 k,、 k 2はプロセス係数 である。 ( 1 ) 式、 ( 2) 式より、 解像度 Rを高めるために、 露光波長 λを短く して、 開口数 Ν Αを大きくすると、 焦点深度 <5が狭くなることが分かる。 焦点深度 <5が狭〈なり過ぎると、 投影光学系の像面に対して基板表面を合致さ せることが困難となり、 露光動作時のフォーカスマージンが不足するおそれがあ る。 そこで、 実質的に露光波長を短く して、 且つ焦点深度を広くする方法として、 例えば国際公開第 9 9 / 4 9 5 0 4号公報に開示されている液浸法が提案されて いる。 この液浸法は、 投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液 体で満たして液浸領域を形成し、 液体中での露光光の波長が空気中の 1 / n ( n は液体の屈折率で通常 1 . 2〜1 . 6程度) になることを利用して解像度を向上 するとともに、 焦点深度を約 n倍に拡大するというものである。 ころで、 液浸露光装置においては、 露光用の液体が漏洩あるいは浸入すると、 その液体により装置 ·部材の故障、 漏電あるいは請び等といった不都合を引き起 こす可能性がある。 また、 それによつて露光処理を良好に行うことができなくな る o , 発明の開示 本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、 液浸法を用いる場合 にも良好に露光処理できる露光装置及びデバイス製造方法、 並びに露光装置の制 御方法を提供することを目的とする。 また、 露光用の液体の漏洩や浸入による影 響を抑え、 良好に露光処理できる露光装置及びデバイス製造方法、 並びに露光装 置の制御方法を提供することを目的とする。 上記の課題を解決するため、 本発明は実施の形態に示す図 1〜図 2 2に対応付 けした以下の構成を採用している。 但し、 各要素に付した括弧付き符号はその要 素の例示に過ぎず、 各要素を限定するものではない。 本発明の第 1の態様に従えば、 液体 ( 1 ) を介して基板 (P ) に露光光 (E L ) を照射して基板 (P ) を露光する露光装置であって:
パターン像を基板 (P ) 上に投影する投影光学系 (P L ) と ; 投影光学系 (P L) と基板 (P) との間へ液体 ( 1 ) を供給する液体供給機構 ( 1 0) を備え;
液体供給機構 ( 1 0) は、 異常が検出されたときに液体 ( 1 ) の供給を停止す る露光装置 (EX) が提供される。 本発明によれば、 異常が検出されたときに、 液体供給機構による液体の供給を 停止するようにしたので、 液体の漏洩や浸入の防止、 あるいはそれらの被害拡大 を防止できる。 したがって、 液体による周辺装置 ·部材の故障や請び、 あるいは 基板がおかれている環境の変動といった不都合の発生を防止する、 あるいはその ような不都合の影響を低減することができる。 本発明の第 2の態様に従えば、 液体 ( 1 ) を介して基板 (P) に露光光 (E L) を照射しで基板 (P) を露光する露光装置であって: : ,
パターン像を液体 ( 1 ) を介して基板 (P) 上に投影する投影光学系 (P L) と ;
¾気機器 (47、 48) を備え;
液体 ( 1 ) の付着に起因する漏電を防止するために、 異常が検出されたときに、 電気機器 (47、 48) への電力供給を停止する露光装置 (EX) が提供される。 本発明によれば、 異常が検出されたときに、 電気機器への電力供給を停止して、 液体の付着に起因する漏電を防止するようにしたので、 漏電による周辺の装置に 対する影響や電気機器自体の故障等の不都合の発生を抑制する、 あるいはそれに よる被害を低減することができる。 本発明の第 3の態様に従えば、 液体 ( 1 ) を介して基板 (P) に露光光 (E L) を照射して基板 (P) を露光する露光装置であって:
パターン像を液体 ( 1 ) を介して基板 (P) 上に投影する投影光学系 (P L) と ;
吸引系 (25) に流通する吸気口 (42 A、 66) とを備え、 液体 ( 1 ) の流入を防止するために、 異常が検出されたときに、 吸気口 (42 A、 66 ) からの吸気を停止する露光装置 (EX) が提供される。 露光装置は、 例えばステージ装置をガイ ド面に対して非接触支持するためのェ ァベアリング (気体軸受) の吸気口やマスク及び基板を吸着保持す'るホルダ装置 の吸気口等をはじめとする種々の吸気口を備えているが、 それらの吸気口に液体 が流入するとそれらの吸気口と流通する真空ポンプ等の真空系 (吸引系) の故障 を引き起こす。 本発明によれば、 異常が検出されたときに、 吸気口からの吸気を 停止するようにしたので、 吸気口を介して真空系に液体が流入する不都合を防止 することができる。 なお、 本発明の第 1〜第 3の態様において、 句 「異常が検出- された」 とは、 液体を介した基板の露光、 すなわち、 液浸露光に悪影響を及ぼす 状況が検知されたことを意味し、 液体の流通に係わる異常のみならず、 基板を保 持して移動する 'ステージの動作に関する異常などが検知されたこと :を,も含み、 さ らには露光装置に接続される関連装置における異常が検出されたことをも含む概 念である。例えば、 関連装置として露光装置に供給する液体を製造する液体製造 装置における異常信号 (アラーム) が検出された場合も含む。 本発明の第 4の態様に従えば、 液体 ( 1 ) を介して基板 (P) に露光光 (E L) を照射して基板 (P) を露光する露光装置であって:
パターン像を液体 ( 1 ) を介して基板 (P) 上に投影する投影光学系 (P L) と;
吸引系 ( 25、 70、 74) に流通された吸引口 (2 1、 61、 66) と ; 吸引口 (2 1、 6 1、 66 ) から吸い込まれた液体 ( 1 ) と気体とを分離する 分離器 (22、 7 1、 75) と ;
分離器 (22、 7 1、 75) によって分離された気体を乾燥させる乾燥器 ( 2
3、 72、 76 ) とを備えた露光装置 (EX) が提供される。 例えば液体回収機構の液体吸引口 (回収口) から真空系を使って液体を吸引す る際、 回収した液体成分が真空系 (吸引系) に流入するとその真空系の故障等を 引き起こすことになる。 本発明によれば、 吸引口から吸い込んだ液体と気体とを 分離器で気液分離し、 分離器によって分離した気体を更に乾燥器で乾燥すること により、 真空系に対して液体成分 (湿った気体を含む) が流入する不都合を防止 できる。 したがって、 真空系 (吸引系) の故障等といった不都合の発生を防止し つつ、 液体回収機構による液体回収動作を長期間良好に維持するごとができ、 液 体回収機構の回収動作不能に起因する液体の漏洩を防止することができる。 本発明の第 5の態様に従えば、 液体 ( 1 ) を介して基板 (P) に露光光 (E L) を照射して基板 (P) を露光する露光装置であって:
基板 (P) を保持して移動可能な基板ステージ (P S T) であって、 その上に 第 1領域 (LA 1 ) を有する基板ステージ (P S T) と ;
基板 (P) にパターン像を投影する投影光学系 (P L) であって、 像面側先端 部 ( 2 a ) を含み、 第 1領域 ( L A 1 ) と対向して第 1領域 ( L A 1.) の少なく とも一部との間に液体 ( 1 ) を保持する第 2領域 (L A 2) を有する投影光学系 (P U と ; '
•第 1領域 (LA 1 ) と第 2領域 (LA 2) との位置関係に応じて、 基板ステ— ジ (P S T) の移動を制限する制御装置 (CON T) を備える露光装置 (EX) が提供される。 本発明によれば、 第 1領域と第 2領域との間に液体を保持する構成の場合、 例 えば第 1領域と第 2領域との間に液体を保持できない位置関係とならないように 基板ステージの移動を制限することで、 液体の漏洩等の不都合を防止できる。 本発明の第 6の態様に従えば、 液体 ( 1 ) を介して基板 (P) に露光光 (E L) を照射して基板 (P) を露光する露光装置であって:
基板 (P) 上に液体 ( 1 ) を介してパターン像を投影する投影光学系 (P L) と ;
基板 (P) を保持して移動可能な基板ステージ (P S T) と ;
基板ステージ (P S T) を移動可能に支持するべ一ス部材 (41 ) と ; 基板ステージ (P S T) に設けられ、 液体 ( 1 ) を検知する第 1検出器 (80 C) と ;
ベース部材 (41 ) に設けられ、 液体 ( 1 ) を検知する第 2検出器 (80 D) と ;
第 1検出器 (80C) と第 2検出器 (80 D) との検出結果に応じて、 露光装 置の動作を制御する制御装置 (CON T) とを備える露光装置 (EX) が提供さ れる o 本発明によれば、 互いに別の位置に設けられた第 1検出器及び第 2検出器の検 出結果に応じて露光装置の動作を制御するようにしたので、 漏洩した液体の拡散' 範囲に応じた適切な処置を講ずることができる。 したがって、 液体の漏洩が発生 した後の復帰作業にかかる時間を短縮することができ、 露光装置の稼働率の低下 を防止できる。'例えば基板ステージに設けられた第 1検出器が液体の存在を検知 したときは、 制御装置は、 漏洩した液体の拡散範囲が比較的狭い範囲であると判 断し、 例えば液体供給機構による液体供給を停止するなど、 その範囲に応じた適 切な処置を施す。 こうすることにより、 復帰作業にかかる時間を最小限に抑える ことができる。 一方、 ベース部材に設けられた第 2検出器が液体の存在を検知し たときは、 漏洩した液体の拡散範囲が比較的広い領域であると判断し、 制御装置 は、 例えば基板ステージを駆動する駆動装置をはじめとする電気機器への電力供 給を停止する。 こうすることにより、 広い範囲に漏洩した液体が拡散しても、 電 気機器の漏電や故障などといつた損害が生じることを防止できる。 本発明の第 7の態様に従えば、 液体 ( 1 ) を介して基板 (P) に露光光 (E L) を照射して基板 (P) を露光する露光装置であって:
パターン像を基板上に投影する投影光学系 (P L) と ;
投影光学系 (P L) と基板 (P) との間へ液体 ( 1 ) を供給する液体供給機構 ( 1 0) と;
基板 (P) を保持して移動可能な基板ステージ (P S T) と ; 液体供給機構 ( 1 0) が液体 ( 1 ) を供給している間は、 基板ステージ (P S T ) の移動範囲を第 1の範囲 ( S R 1 ) に制限し、 液体供給機構 ( 1 0) が液体 ( 1 ) の供給を停止している間は、 基板ステージ (P S T) の移動範囲を第 1の 範囲 (S R 1 ) より広い第 2の範囲 (S R 2) に制限する制御装置 (CON T) とを備えた露光装置 (EX) が提供される。 本発明によれば、 液体供給機構が液体を供給している間は、 基板ステージの移 動範囲を、 例えば基板ステージ上に液体を保持可能な第 1の範囲に制限すること で、 液体の漏洩等の不都合を防止できる。 一方、 液体供給機構が液体の供給を停 止している間は、 基板ステージの移動範囲を第 1の範囲よりも広い第 2の範囲と することで、 基板ステージを基板交換位置に移動するなど基板ステージに関する 所定の動作を円滑に行うことができる。 本発明の第 8の態様に従えば、 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露 光する露光装置であって:
—パターン像を基板上に投影する投影光学系と (P L) と ;
投影光学系の像面側に液体を供給する液体供給機構 ( 1 0) と ;
投影光学系の像面側で移動可能なステージ ( P S T ) と ;
ステージの移動範囲を制御する制御装置 (CON T) とを備え;
該制御装置が、 投影光学系とステージとの間に液体が保持されているときのス テージの移動範囲を、 投影光学系とステージとの間に液体を保持されていないと きのステージの移動範囲より狭い範囲に制限する露光装置が提供される。 本発明の第 8の態様によれば、 例えばステージ上の基板の露光中は、 投影光学 系とステ一ジとの間に液体を良好に保持しつづけることが可能となり、 投影光学 系とステージとの間に液体を保持していない場合には、 基板交換などの他の動作 を円滑に行うことができる。 本発明の第 9の態様に従えば、 上記態様の露光装置 (EX) を用いることを特 徴とするデバイス製造方法が提供される。 本発明によれば、 異常を検出したとき に、 所定の装置の駆動を停止するようにしたので、 装置の故障等の不都合の発生 を防止し、 良好な装置環境でデバイス製造を行うことができる。 本発明の第 1 0の態様に従えば、 液体を介して基板に露光光を照射して基板を 露光する露光装置 (EX) を制御する方法であって、 パターン像を基板上に投影 する投影光学系 (P L) と、 投影光学系の像面側へ液体 ( 1 ) を供給する液体供 給機構 ( 1 0) と、 電気エネルギーを駆動力とする機器 (47、 48) と、 気体 を吸引する機能を有する機器 (42、 P H) を含む露光装置のコンポーネントか ら構成され且つ外部関連装置と接続される露光装置の制御方法であって:
投影光学系の像面側へ液体を供給することと ;
前記コンポ一-ネン卜及び外部関連装置の少なくとも一つから異常を知らせる信 号信号を受信することと;
前記信号に基づいて、 液体供給機構 ( 1 0) 、 電気エネルギーを駆動力とする 機器 ( 47、 48) 及び気体を吸引する機能を有する機器 (42、 P H) の少な <とも一種の動作を制限することを含む露光装置の制御方法が提供される。 本発明の露光装置の制御方法によれば、 露光装置内部または露光装置外部の関 連装置に異常が生じ、 その異常が基板の露光などに影響を及ぼすような異常を知 らせる信号である場合には、 液体供給機構 ( 1 0) 、 電気エネルギーを駆動力と する機器 (47、 48) 及び気体を吸引する機能を有する機器 (42、 P H ) の 少なくとも一種の動作を制限することで、 液漏れ、 それに起因して発生する漏電、 吸引装置による液体の吸弓 Iなどを防止することができる。 図面の簡単な説明 図 1は、 本発明の露光装置の第 1実施形態を示す概略構成図である。
図 2は、 基板ステージを示す斜視図である。 図 3は、 投影光学系の先端部近傍、 液体供給機構、 及び液体回収機構を示す概 略構成図である。
図 4は、 投影光学系の投影領域と液体供給機構及び液体回収機構との位置関係 を示す平面図である。
図 5は、 基板ステージに設けられた回収装置を説明するための断面模式図であ る o
図 6は、 本発明の露光装置の第 2実施形態に係る光ファィバを備えた検出器を 説明するための模式図である。
図 7は、 本発明の露光装置の第 2実施形態に係る光ファィバを備えた検出器を 説明するための模式図である。
図 8は、 光ファィバを備えた検出器の配置例を示す側面図である。
図 9は、 図 8の平面図である。
図 1 0は、 光ファイバを備えた検出器の他の配置例を示す側面図である。
図 1 1は、 光ファイバを備えた検出器の他の実施例を示す平面図である。
図 1 2は、 光ファイバを備えた検出器の他の配置例を示す斜視図である。
'図 1 3は、 光ファイバを備えた検出器の他の実施例を示す模式図である。
図 1 4は、 本発明の露光装置の第 3実施形態に係るプリズムを備えた検出器を 説明するための模式図である。
図 1 5は、 本発明の露光装置の第 3実施形態に係るプリズムを備えた検出器を 説明するための模式図である。
図 1 6は、 プリズムを備えた検出器の配置例を示す平面図である。
図 1 7は、 プリズムを備えた検出器の他の使用例を示す図である。
図 1 8は、 プリズムを備えた検出器の他の配置例を示す概略構成図である。
図 1 9 ( a ) 及び (b ) は、 光ファイバを備えた検出器の他の実施例を示す図 る。
図 2 0 ( a ) 及び ( b ) は、 本発明の別の実施形態を説明するための図である。 図 2 1 ( a ) 及び ( b ) は、 本発明の別の実施形態を説明するための図である。 図 2 2は、 半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチヤ一卜図である。 図 2 3は、 本発明の露光装置の各種検出器からの検出信号に基づいて制御装置 が制御する露光装置外部の関連装置及び露光装置内部の諸装置と制御装置の接続 関係を示すプロック図である。
図 2 4は、 本発明の露光装置の制御装置の制御内容を示すフローチヤ一卜であ
発明を実施するための最良の形態 以下、 本発明の露光装置の実施形態について図面を参照しながら説明するが、 本発明はこれに限定されない。 図 1は本発明の露光装置の第 1実施形態を示す概略構成図である。 図 1におい て、 露光装置 E.Xは、 マスク Mを支持するマスクステージ M S Tと、.,基板 Pを支 持する基板ステージ P S Tと、 マスクステージ M S Tに支持されているマスク M を露光光 E Lで照明する照明光学系 Iしと、 露光光 E Lで照明されたマスク Mの バタ一ン像を基板ステージ P S Tに支持されている基板 Pに投影露光する投影光 学系 P Lと、 露光装置 E X全体の動作を統括制御する制御装置 C 0 Tとを備え ている。 制御装置 C O N Tには、 露光処理に関して異常が生じたときに警報を発 する警報装置 Kが接続されている。 更に、 露光装置 E Xは、 マスクステージ M S T及び投影光学系 P Lを支持するメインコラム 3を備えている。 メインコラム 3 は、 床面に水平に載置されたベースプレート 4上に設置されている。 メインコラ 厶 3には、 内側に向けて突出する上側段部 3 A及び下側段部 3 Bが形成されてい る。 なお、 制御装置は、 図 2 3に示したように、 露光装置を構成する種々のコン ポーネン卜及び露光装置の外部の関連装置と接続されており、 制御装置の制御内 容は後述する。 本実施形態の露光装置 E Xは、 露光波長を実質的に短く して解像度を向上する とともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であ つて、 基板 P上に液体 1を供給する液体供給機構 1 0と、 基板 P上の液体 1を回 収する液体回収機構 2 0とを備えている。 露光装置 E Xは、 少なくともマスク M のパターン像を基板 P上に転写している間、 液体供給機構 1 0から供給した液体 1により投影光学系 P Lの投影領域 A R 1を含む基板 P上の一部に液浸領域 A R 2を形成する P 具体的には、 露光装置 E Xは、 投影光学系 P Lの先端部 (終端 部) の光学素子 2と基板 Pの表面との間に液体 1を満たし、 この投影光学系 P L と基板 Pとの間の液体 1及び投影光学系 P Lを介してマスク Mのバタ一ン像を基 板 P上に投影することによってこの基板 Pを露光する。 本実施形態では、 露光装置 E Xとしてマスク Mと基板 Pとを走査方向における 互いに異なる向き (逆方向) に同期移動しつつマスク Mに形成されたパターンを 基板 Pに露光する走査型露光装置 (所謂スキャニングステツパ) を使用する場合 を例にして説明する。 以下の説明において、 投影光学系 P Lの光軸 A Xと一致す る方向を Z軸方向、 Z軸方向に垂直な平面内でマスク Mと基板 Pとの同期移動方 向 (走査方向) を X軸方向、 Z軸方向及び X軸方向に垂直な方向 (非走査方向) を Y軸方向とする。 また、 X軸、 Y軸、 及び Z軸まわりの回転 (傾斜) 方向をそ れそれ、 0 Χ、 Θ Ί、 及び 方向とする。 なお、 ここでいう 「基板」 は半導体 ウェハ上に感光性材料であるフォトレジス卜を塗布したものを含み、 「マスク」 は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。 照明光学系 I Lは、 メインコラム 3の上部に固定された支持コラム 5により支 持されている。 照明光学系 I Lは、 マスクステージ M S Tに支持されているマス ク Mを露光光 E Lで照明するものであり、 露光用光源、 露光用光源から射出され た光束の照度を均一化するオプティカルィンテグレー夕、 オプティカルィンテグ レ一夕からの露光光 E Lを集光するコンデンサレンズ、 リレーレンズ系、 及び露 光光 E Lによるマスク M上の照明領域をスリッ 卜状に設定する可変視野絞り等を 有している。 マスク M上の所定の照明領域は照明光学系 I Lにより均一な照度分 布の露光光 Eしで照明される。 照明光学系 I Lから射出される露光光 E Lとして は、 例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線 (g線、 h線、 i線) 及び K r Fエキシマレーザ光 (波長 2 4 8 n m ) 等の遠紫外光 (D U V光) や、 A r F エキシマレーザ光 (波長 1 9 3 n m ) 及び F 2レーザ光 (波長 1 5 7 n m ) 等の真 空紫外光 (V U V光) 等が用いられる。 本実施形態においては A r Fエキシマレ 一ザ光が用いられる。 本実施形態において、 液体 1には純水が用いられる。 純水は A r Fエキシマレ —ザ光のみならず、 例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線 (9線、 h線、 i線) 及び K r Fエキシマレ—ザ光 (波長 2 4 8 n m ) 等の遠紫外光 (D U V 光) も透過可能である。 マスクステージ M S Tは、 マスク Mを支持するものであって、 その中央部にマ スク Mのパターン像を通過させる開口部 3 4 Aを備えている。 メインコラム 3の 上側段部 3 Aには、 防振ュニッ 卜 6を介してマスク定盤 3 1が支持されている。 マスク定盤 3 1.の中央部にも、 マスク Mのパターン像を通過させる開口部 3 4 B が形成されている。 マスクステージ M S Tの下面には非接触ベアリングである気 体軸受 (エアベアリング) 3 2が複数設けられている。 マスクステージ M S Tは ΐアベァリング 3 2によりマスク定盤 3 1の上面 (ガイ ド面) 3 1 Αに対して非 接触支持されており、 リニアモータ等のマスクステージ駆動機構により、 投影光 学系 P Lの光軸 A Xに垂直な平面内、 すなわち X Y平面内で 2次元移動可能及び 0 Z方向に微小回転可能である。 マスクステージ M S T上にはマスクステージ M S Tとともに投影光学系 P Lに対して移動する移動鏡 3 5が設けられている。 ま た、 移動鏡 3 5に対向する位置にはレーザ干渉計 3 6が設けられている。 マスク ステージ M S T上のマスク Mの 2次元方向の位置、 及び 方向の回転角 (場合 によっては 0 X、 方向の回転角も含む) はレーザ干渉計 3 6によりリアル夕 ィ厶で計測され、 計測結果は制御装置 C O N Tに出力される。 制御装置 C O N T は、 レーザ干渉計 3 6の計測結果に基づいてマスクステージ駆動機構を駆動する ことでマスクステージ M S Tに支持されているマスク Mの位置を制御する。 投影光学系 P Lは、 マスク Mのバタ—ンを所定の投影倍率/?で基板 Pに投影露 光するものであって、 基板 P側の先端部に設けられた光学素子 (レンズ) 2を含 む複数の光学素子で構成されており、 これら光学素子は鏡筒 P κで支持されてい る。 本実施形態において、 投影光学系 P Lは、 投影倍率 3が例えば 1 / 4あるい は 1 / 5の縮小系である。 なお、 投影光学系 P Lは等倍系及び拡大系のいずれで もよい。 鏡筒 P Kの外周部にはフランジ部 F L Gが設けられている。 また、 メイ ンコラム 3の下側段部 3 Bには、 防振ュニッ 卜 7を介して鏡筒定盤' 8が支持され ている。 そして、 投影光学系 P Lのフランジ部 F L Gが鏡筒定盤 8に係合するこ とによって、 投影光学系 P Lが鏡筒定盤 8に支持されている。 本実施形態の投影光学系 P Lの先端部の光学素子 2は鏡筒 P Kに対して着脱 (交換) 可能に設けられている。 光学素子 2には液浸領域 A R 2の液体 1が接角 する。 光学素子 2は蛍石で形成されている。 蛍石は水との親和性が高いので、 光 学素子 2の液体接触面 2 aのほぼ全面に液体 1を密着させることができる。 すな わち、 本実施形態においては光学素子 2の液体接触面 2 aとの親和性が高い液体 (水) 1を供給するようにしているので、 光学素子 2の液体接触面 2 aと液体 1 との密着性が高く、 光学素子 2と基板 Pとの間の光路を液体 1で確実に満たすこ どができる。 なお、 光学素子 2は、 水との親和性が高い石英であってもよい。 ま た、 光学素子 2の液体接触面 2 aに親水化 (親液化) 処理を施して、 液体 1 との 親和性をより高めるようにしてもよい。 光学素子 2を囲むようにプレート部材 2 Pが設けられている。 プレー卜部材 2 Pの基板 Pと対向する面 (すなわち下面) は平坦面となっている。 光学素子 2の 下面 (液体接触面) 2 aも平坦面となっており、 プレー卜部材 2 Pの下面と光学 素子 2の下面とはほぼ面一となつている。 これにより、 広い範囲で液浸領域 A R 2を良好に形成することができる。 また、 プレー卜部材 2 Pの下面に、 光学素子 2同様、 表面処理 (親液化処理) を施すことができる。 基板ステージ (可動部材) P S Tは、 基板ホルダ (基板保持部材) P Hを介し て基板 Pを吸着保持して移動可能に設けられており、 その下面には複数の非接触 ベアリングである気体軸受 (エアベアリング) 4 2が設けられている。 ベースプ レー卜 4上には、 防振ュニッ 卜 9を介して基板定盤 4 1が支持されている。 エア ベアリング 4 2は、 基板定盤 4 1の上面 (ガイ ド面) 4 1 Aに対して気体 (ェ ァ) を吹き出す吹出口 4 2 Bと、 基板ステージ P S T下面 (軸受面) とガイ ド面 4 1 Aとの間の気体を吸引する吸気口 4 2 Aとを備えており、 吹出口 4 2巳から の気体の吹き出しによる反発力と吸気口 4 2 Aによる吸引力との釣り合いにより、 基板ステージ P S T下面とガイ ド面 4 1 Aとの間に一定の隙間を保持する。 つま り、 基板ステージ P S Tはエアベアリング 4 2により基板定盤 (ベース部材) 4 1の上面 (ガイ ド面) 4 1 Aに対して非接触支持されており、 リニアモータ等の 基板ステージ駆動機構により、 投影光学系 P Lの光軸 A Xに垂直な平面内、 すな わち X Y平面内で 2次元移動可能及び 方向に微小回転可能である。 更に、 基' 板ホルダ P Hは、 Z軸方向、 方向、 及び 方向にも移動可能に設けられて いる。 基板ステージ駆動機構は制御装置 C O N Tにより制御される。 すなわち、 基板ホルダ P H'は、 基板 Pのフォーカス位置 (Z位置) 及び傾斜角を制御して基 板 Pの表面を才ートフォーカス方式、 及び才ートレベリング方式で投影光学系 P しの像面に合わせ込むとともに、 基板 Pの X軸方向及び Y軸方向における位置決 め'を ϊ丁つ。 基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) 上には、 基板ステージ P S Tとともに 投影光学系 P Lに対して移動する移動鏡 4 5が設けられている。 また、 移動鏡 4 5に対向する位置にはレーザ干渉計 4 6が設けられている。 基板ステージ P S T 上の基板 Pの 2次元方向の位置、 及び回転角はレーザ干渉計 4 6によりリアル夕 ィムで計測され、 計測結果は制御装置 C O N Tに出力される。 制御装置 C O N T はレ—ザ干渉計 4 6の計測結果に基づいてリニアモータを含む基板ステ一ジ駆動 機構を駆動することで基板ステージ P S Tに支持されている基板 Pの位置決めを 行う。 また、 基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) 上には、 基板 Pを囲むように補 助プレー卜 4 3が設けられている (図 2参照) 。 補助プレート 4 3は基板ホルダ P Hに保持された基板 Pの表面とほぼ同じ高さの平面を有している。 基板 Pのェ ッジ領域を露光する場合にも、 補助プレー卜 4 3により投影光学系 P Lの下に液 体 1 を保持することができる。 また、 基板ホルダ P Hのうち補助プレート 4 3の外側には、 基板 Pの外側に流 出した液体 1 を回収する回収装置 6 0の回収口 (吸引口) 6 1 が設けられている。 回収口 6 1は補助プレー卜 4 3を囲むように形成された環状の溝部であって、 そ の内部にはスポンジ状部材ゃ多孔質体等からなる液体吸収部材 6 2が配置されて いる。 図 2は、 基板ステージ P S T及びこの基板ステージ P S Tを駆動する基板ステ- ージ駆動機構を示す概略斜視図である。 図 2において、 基板ステージ P S Tは、 Xガイ ドステージ 4 4により X軸方向に移動自在に支持されている。 基板ステ— ジ P S Tは、 X'ガイ ドステージ 4 4に案内されつつ Xリニアモータ 4 ,7により X 軸方向に所定スト口一クで移動可能である。 Xリニアモータ 4 7は、 Xガイ ドス テ一ジ 4 4に X軸方向に延びるように設けられた固定子 4 7 Aと、 この固定子 4 77\に対応して設けられ基板ステージ P S Tに固定された可動子 4 7 Bとを備え ている。 そして、 可動子 4 7 Bが固定子 4 7 Aに対して駆動することで基板ステ —ジ P S Tが X軸方向に移動する。 ここで、 基板ステージ P S Tは、 Xガイ ドス テージ 4 4に対して Z軸方向に所定量のギャップを維持する磁石及びァクチユエ 一夕からなる磁気ガイ ドにより非接触で支持されている。 基板ステージ P S Tは Xガイ ドステージ 4 4に非接触支持された状態で Xリニアモータ 4 7により X軸 方向に移動する。
Xガイ ドステージ 4 4の長手方向両端には、 この Xガイ ドステージ 4 4を基板 ステージ P S Tとともに Y軸方向に移動可能な一対の Yリニアモータ 4 8が設け られている。 Yリニアモータ 4 8のそれぞれは、 Xガイ ドステージ 4 4の長手方 向両端に設けられた可動子 4 8 Bと、 この可動子 4 8 Bに対応して設けられた固 定子 4 8 Aとを備えている。 そして、 可動子 4 8 Bが固定子 4 8 Aに対して駆動 することで Xガイ ドステージ 4 4が基板ステージ P S Tとともに Y軸方向に移動 する。 また、 Yリニアモータ 4 8のそれぞれの駆動を調整することで Xガイ ドス テージ 4 4は 0 Ζ方向にも回転移動可能となっている。 したがって、 この Υリニ ァモータ 4 8により基板ステージ P S Τが Xガイ ドステージ 4 4とほぼ一体的に Υ軸方向及び 0 Ζ方向に移動可能となっている。 基板定盤 4 1の X軸方向両側のそれぞれには、 正面視 L字状に形成され、 Xガ ィ ドステージ 4 4の Υ軸方向への移動を案内するガイ ド部 4 9が設けられている。 ガイ ド部 4 9はべ—スプレー卜 4 (図 1 ) 上に支持されている。 本実施形態にお いて、 ガイ ド部 4 9の平坦部 4 9 Β上に、 Υリニアモータ 4 8の固定子 4 8 Αが 設けられている。 一方、 Xガイ ドステージ 4 4の下面の長手方向両端部のそれぞ れには凹形状の被ガイ ド部材 5 0が設けられている。 ガイ ド部 4 9は被ガイ ド部
5 0と係合し、 ガイ ド部 4 9の上面 (ガイ ド面) 4 9 Aと被ガイ ド部材 5 0の内 面とが対向するように設けられている。 ガイ ド部 4 9のガイ ド面 4: 9> Aには非接 触ベアリングである気体軸受 (エアベアリング) 5 1が設けられており、 Xガイ ドステージ 4 4はガイ ド面 4 9 Aに対して非接触支持されている。 また、 Yリニアモータ 4 8の固定子 4 8 Aとガイ ド部 4 9の平坦部 4 9 Bとの 間には非接触ベアリングである気体軸受 (エアベアリング) 5 2が介在されてお り、 固定子 4 8 Aはエアべァリング 5 2によりガイ ド部 4 9の平坦部 4 9 Bに対 して非接触支持される。 このため、 運動量保存の法則により Xガイ ドステージ 4 4及び基板ステージ P S Tの + Y方向 (― Y方向) の移動に応じて固定子 4 8 A がー Y方向 (+ Y方向) に移動する。 この固定子 4 8 Aの移動により Xガイ ドス テージ 4 4及び基板ステージ P S Tの移動に伴う反力が相殺されるとともに重心 位置の変化を防ぐことができる。 すなわち、 固定子 4 8 Aは所謂カウンタマスと しての機能を有している。 図 3は、 液体供給機構 1 0、 液体回収機構 2 0、 及び投影光学系 P L先端部近 傍を示す拡大図である。 液体供給機構 1 0は、 投影光学系 P Lと基板 Pとの間へ 液体 1を供給するものであって、 液体 1を送出可能な液体供給部 1 1 と、 液体供 給部 1 1に供給管 1 5を介して接続され、 この液体供給部 1 1から送出された液 体 1を基板 P上に供給する供給ノズル 1 4とを備えている。 供給ノズル 1 4は基 板 Pの表面に近接して配置されている。 液体供給部 1 1は、 液体 1を収容するタ ンク、 及び加圧ポンプ等を備えており、 供給管 1 5及び供給ノズル 1 4を介して 基板 P上に液体 1 を供給する。 液体供給部 1 1の液体供給動作は制御装置 C O N Tにより制御され、 制御装置 C O N Tは液体供給部 1 1による基板 P上に対する 単位時間あたりの液体供給量を制御可能である。 供給管 1 5の途中には、 液体供給部 1 1より基板 P上に供給される液体 1の量 (単位時間あたりの液体供給量) を計測する流量計 1 2が設けられている。 流量' 計 1 2は基板 P上に供給される液体 1の量を常時モニタし、 その計測結果を制御 装置 C O N Tに出力する。 また、 供給管 1 5のうち流量計 1 2と供給ノズル 1 4 との間には、 供給管 1 5の流路を開閉するバルブ 1 3が設けられてい 。 バルブ 1 3の開閉動作は制御装置 C〇 N Tにより制御されるようになっている。 なお、 本実施形態におけるバルブ 1 3は、 例えば停電等により露光装置 E X (制御装置 CO N T ) の駆動源 (電源) が停止した場合に供給管 1 5の流路を機械的に閉塞 する所謂ノ一マルオフ方式となっている。 液体回収機構 2 0は、 液体供給機構 1 0によって供給された基板 P上の液体 1 を回収するものであって、 基板 Pの表面に近接して配置された回収ノズル (吸引 口) 2 1 と、 回収ノズル 2 1に回収管 2 4を介して接続された真空系 (吸引系) 2 5とを備えている。 真空系 2 5は真空ポンプを含んで構成されており、 その動 作は制御装置 C O N Tに制御される。 真空系 2 5が駆動することにより、 基板 P 上の液体 1はその周囲の気体 (空気) とともに回収ノズル 2 1を介して回収され る。 なお、 真空系 2 5として、 露光装置に真空ポンプを設けずに、 露光装置 E X が配置される工場の真空系を用いるようにしてもよい。 回収管 2 4の途中には、 回収ノズル 2 1から吸い込まれた液体 1 と気体とを分 離する気液分離器 2 2が設けられている。 ここで、 上述したように、 回収ノズル 2 1からは基板 P上の液体 1 とともにその周囲の気体も回収される。 気液分離器 2 2は、 回収ノズル 2 1より回収した液体 1 と気体とを分離する。 気液分離器 2 2としては、 例えば複数の穴部を有する管部材に回収した液体と気体とを流通さ せ、 液体を重力作用により前記穴部を介して落下させることで液体と気体とを分 離する重力分離方式の装置や、 回収した液体と気体とを遠心力を使って分離する 遠心分離方式の装置等を採用可能である。 そして、 真空系 2 5は、 気液分離器 2 2で分離された気体を吸引するようになっている。 回収管 2 4のうち、 真空系 2 5と気液分離器 2 2との間には、 気液分離器 2 2 によって分離された気体を乾燥させる乾燥器 2 3が設けられている。仮に気液分 離器 2 2で分離された気体に液体成分が混在していても、 乾燥器 2 3により気体 を乾燥し、 その乾燥した気体を真空系 2 5に流入させることで、 液体成分が流入 することに起因する真空系 2 5の故障等の不都合の発生を防止することができる。 乾燥器 2 3としては、 例えば気液分離器 2 2より供給された気体 (液体成分が混 在している気体) を、 その液体の露点以下に冷却することで液体成分を除く方式 の装置、 例えば冷却器や、 その液体の沸点以上に加熱することで液体成分を除く 方式の装置、 例えばヒーター等を採用可能である。 一方、 気液分離器 2 2で分離された液体 1は第 2回収管 2 6を介して液体回収 部 2 8に回収される。 液体回収部 2 8は、 回収された液体 1 を収容するタンク等 を備えている。 液体回収部 2 8に回収された液体 1は、 例えば廃棄されたり、 あ るいはクリーン化されて液体供給部 1 1等に戻され再利用される。 また、 第 2回 収管 2 6の途中であつて気液分離器 2 2と液体回収部 2 8との間には、 回収され た液体 1の量 (単位時間あたりの液体回収量) を計測する流量計 2 7が設けられ ている。 流量計 2 7は基板 P上から回収された液体 1の量を常時モニタし、 その 計測結果を制御装置 C O N Tに出力する。 上述したように、 回収ノズル 2 1から は基板 P上の液体 1 とともにその周囲の気体も回収されるが、 気液分離器 2 2で 液体 1 と気体とを分離し、 液体成分のみを流量計 2 7に送ることにより、 流量計 2 7は基板 P上より回収した液体 1の量を正確に計測可能となる。 また、 露光装置 E Xは、 基板ステージ P S Tに支持されている基板 Pの表面の 位置を検出するフォーカス検出系 5 6を備えている。 フォーカス検出系 5 6は、 基板 P上に液体 1 を介して斜め上方より検出用光束を投射する投光部 5 6 Aと、 基板 Pで反射した前記検出用光束の反射光を受光する受光部 5 6 B'とを備えてい る。 フォーカス検出系 5 6 (受光部 5 6 B ) の受光結果は制御装置 C O N Tに出 力される。 制御装置 C O N Tはフォーカス検出系 5 6の検出結果に基づいて、 基 板 P表面の Z軸方向の位置情報を検出することができる。 また、 投光部 5 6 Aよ り複数の検出用光束を投射することにより、 基板 Pの 0 X及び 0 Y方向の傾斜情 報を検出することができる。 なお、 フォーカス検出系 5 6は、 基板 Pに限らず、 投影光学系 P Lの像面側に 配置された物体の表面位置情報を検出することができる。 また、 フォーカス検出 系 5 6は液体 1 を介して物体 (基板 P ) の表面位置情報を検出するものであるが、 液浸領域 A R 2の外側で液体 1を介さずに物体 (基板 P ) の表面位置情報を検出 するフォーカス検出系を採用することもできる。 なお、 図 1の一部断面図に示すように、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0は、 鏡筒定盤 8に対して分離支持されている。 これにより、 液体供給機構 1 0 及び液体回収機構 2 0で生じた振動が、 鏡筒定盤 8を介して投影光学系 P Lに伝 わることがない。 図 4は、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0と投影光学系 P Lの投影領域 A R 1 との位置関係を示す平面図である。 投影光学系 P Lの投影領域 A R 1は Y 軸方向に細長い矩形状 (スリツ 卜状) となっており、 その投影領域 A R 1を X軸 方向に挟むように、 + X側に 3つの供給ノズル 1 4 A〜1 4 Cが配置され、 —X 側に 2つの回収ノズル 2 1 A、 2 1 Bが配置されている。 そして、 供給ノズル 1 4 A〜1 4 Cは供給管 1 5を介して液体供給部 1 1に接続され、 回収ノズル 2 1 A、 2 1 Bは回収管 2 4を介して真空系 2 5に接続されている。 また、 供給ノズ ル 1 4 A~1 4Cと回収ノズル 2 1 A、 2 1 Bとをほぼ 1 80° 回転した位置に、 供給ノズル 1 4 A' 〜1 4C' と、 回収ノズル 2 1 A' 、 2 1 Β' とが配置され ている。 供給ノズル 1 4Α〜1 4 Cと回収ノズル 2 1 A' 、 2 1 B' とは Υ軸方 向に交互に配列され、 供給ノズル 1 4 A' 〜1 4 C' と回収ノズル 21 Α、 2 1 Βとは Υ軸方向に交互に配列され、 供給ノズル 1 4A' 〜1 4C' 'は供給管 1 5' を介して液体供給部 1 1に接続され、 回収ノズル 2 1 A' 、 2 1 B' は回収 管 24' を介して真空系 25に接続されている。 なお、 供給管 1 5 ' の途中には、 供給管 1 5同様、 流量計 1 2' 及びバルブ 1 3' が設けられている。 また、 回収 管 24' の途中には、 回收管 24同様、 気液分離器 22' 及び乾燥器 23, が設 けられている。 図 5は、 基板 Ρの外側に流出した液体 1を回収する回収装置 60を示す図であ る。 図 5において、 回収装置 60は、 基板ホルダ Ρ Η上において補助プレ—卜 4 3を囲むように環状に形成された回収口 (吸引口) 61 と、 回収口 61に配置さ れ、 スポンジ状部材ゃ多孔質セラミックス等の多孔質体からなる液体吸収部材 6 Ζとを備えている。 液体吸収部材 62は所定幅を有する環状部材であり、 液体 1 を所定量保持可能である。 基板ホルダ Ρ Ηの内部には、 回収口 6 1 と連通する流 路 63が形成されており、 回収口 6 1に配置されている液体吸収部材 62の底部 は流路 63に接触している。 また、 基板ホルダ Ρ Η上の基板 Ρと補助プレート 4 3との間には複数の液体回収孔 64が設けられている。 これら液体回収孔 64も 流路 63に接続している。 基板 Ρを保持する基板ホルダ (基板保持部材) Ρ Ηの上面には、 基板 Ρの裏面 を支持するための複数の突出部 65が設けられている。 これら突出部 65のそれ それには、 基板 Ρを吸着保持するための吸着孔 66が設けられている。 そして、 吸着孔 66のそれぞれは、 基板ホルダ Ρ Η内部に形成された管路 67に接続して いる。 回収口 6 1及び液体回収孔 6 4のそれぞれに接続されている流路 6 3は、 基板 ホルダ P H外部に設けられている管路 6 8の一端部に接続されている。 一方、 管 路 6 8の他端部は真空ポンプを含む真空系 7 0に接続されている。 管路 6 8の途 中には気液分離器 7 1が設けられており、 気液分離器 7 1 と真空系 7 0との間に は乾燥器 7 2が設けられている。 真空系 7 0の駆動により回収口 6 1から液体 1 がその周囲の気体とともに回収される。 また、 液体 1が基板 Pと補助プレー卜 4 3との間から浸入して、 基板 Pの裏面側に回り込んだとしても、 その液体は回収 口 6 4から周囲の気体とともに回収される。 真空系 7 0には、 気液分離器 7 1に よって分離され、 乾燥器 7 2によって乾燥された気体が流入する。 一方、 気液分 離器 7 1によって分離された液体 1は、 液体 1を収容可能なタンク等を備える液 体回収部 7 3に流入する。 なお、 液体回収部 7 3に回収された液体 1は、 例えば 廃棄されたり、 あるいはクリーン化されて液体供給部 1 1等に戻され再利用され る また、 吸着孔 6 6に接続されている管路 6 7は、 基板ホルダ P H外部に設けら れている管路 6 9の一端部に接続されている。 一方、 管路 6 9の他端部は、 基板 ホルダ P H外部に設けられた真空ポンプを含む真空系 7 4に接続されている。 真 空系 7 4の駆動により、 突出部 6 5に支持された基板 Pは吸着孔 6 6に吸着保持 される。 管路 6 9の途中には気液分離器 7 5が設けられており、 気液分離器 7 5 と真空系 7 4との間には乾燥器 7 6が設けられている。 また、 気液分離器 7 5に は、 液体 1を収容可能なタンク等を備える液体回収部 7 3が接続されている。 次に、 上述した露光装置 E Xを用いてマスク Mのパターンを基板 Pに露光する 手順について、 図 1等を参照しながら説明する。 マスク Mがマスクステージ M S Tに口一ドされるとともに'、 基板 Pが基板ステ ージ P S Tにロードされた後、 制御装置 C O N Tは、 液体供給機構 1 0の液体供 給部 1 1を駆動し、 供給管 1 5及び供給ノズル 1 4を介して単位時間あたり所定 量の液体 1を基板 P上に供給する。 また、 制御装置 C O N Tは、 液体供給機構 1 0による液体 1の供給に伴って液体回収機構 20の真空系 25を駆動し、 回收ノ ズル 2 1及び回収管 24を介して単位時間あたり所定量の液体 1を回収する。 こ れにより、 投影光学系 P Lの先端部の光学素子 2と基板 Pとの間に液体 1の液浸 領域 A R 2が形成される。 ここで、 液浸領域 A R 2を形成するために、 制御装置 CON Tは、 基板 P上に対する液体供給量と基板 P上からの液体回収量とがほぼ 同じ量になるように、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 20のそれぞれを制御 する。 そして、 制御装置 CO N Tは、 照明光学系 I Lによりマスク Mを露光光 E Lで照明し、 マスク Mのパターンの像を投影光学系 P L及び液体 1 を介して基板 Pに投影する。 走査露光時には、 投影領域 A R 1にマスク Mの一部のパターン像が投影され、 投影光学系 P Lに対して、 マスク Mが— X方向 (又は +X方向) に速度 Vで移動 するのに同期して、 基板ステージ P S Tを介して基板 Pが +X方向 (又は— X方 向) に速度/? · V ( 3は投影倍率) で移動する。 そして、 1つのショッ 卜領域へ の露光終了後に、 基板 Pのステッピングによって次のショッ 卜領域が走査開始位 置に移動し、 以下、 ステップ■アンド ·スキャン方式で各ショッ 卜領域に対する 露光処理が順次行われる。 本実施形態では、 基板 Pの移動方向と平行に、 基板 P の移動方向と同一方向に液体 1を流すように設定されている。 つまり、 矢印 X a (図 4参照) で示す走査方向 '(一 X方向) に基板 Pを移動させて走査露光を行う 場合には、 供給管 1 5、 供給ノズル 1 4 A〜1 4C、 回収管 24、 及び回収ノズ ル 21 A、 21 Bを用いて、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 20による液体 1の供給及び回収が行われる。 すなわち、 基板 Pが— X方向に移動する際には、 供給ノズル 1 4 ( 1 4A〜1 4C) より液体 1が投影光学系 P Lと基板 Pとの間 に供給されるとともに、 回収ノズル 21 (2 1 A、 21 B) より基板 P上の液体 1がその周囲の気体とともに回収され、 投影光学系 P Lの先端部の光学素子 2と 基板 Pとの間を満たすように— X方向に液体 1が流れる。 一方、 矢印 X b (図 4 参照) で示す走査方向 (+ X方向) に基板 Pを移動させて走査露光を行う場合に は、 供給管 1 5 ' 、 供給ノズル 1 4 A ' 〜 1 4 C ' 、 回収管 24' 、 及び回収ノ ズル 2 1 A' 、 2 1 B' を用いて、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 20によ る液体 1の供給及び回収が行われる。 すなわち、 基板 Pが + X方向に移動する際 には、 供給ノズル 1 4 ' ( 1 4 A ' 〜1 4 C ' ) より液体 1が投影光学系 Pしと 基板 Pとの間に供給されるとともに、 回収ノズル 2 ( 2 1 A ' 、 2 1 B, ) より基板 P上の液体 1がその周囲の気体ともに回収され、 投影光学系 P Lの先端 部の光学素子 2と基板 Pとの間を満たすように + X方向に液体 1が流れる。 この 場合、 例えば供給ノズル 1 4を介して供給される液体 1は基板 Pの一 X方向への 移動に伴って光学素子 2と基板 Pとの間に引き込まれるようにして流れるので、 液体供給機構 1 0 (液体供給部 1 1 ) の供給エネルギーが小さくても液体 1 を光 学素子 2と基板 Pとの間に容易に供給できる。 そして、 走査方向に応じて液体 1 を流す方向を切り替えることにより、 + X方向、 又は一 X方向のどちらの方向に 基板 Pを走査する場合にも、 光学素子 2と基板 Pとの間を液体 1で満たすことが でき、 高い解像度及び広い焦点深度で露光を行うことができる。 露光処理中、 液体供給機構 1 0に設けられている流量計 1 2の計測結果、 及び 液体回収機構 2 0に設けられている流量計 2 7の計測結果は、 常時、 制御装置 C ひ N Tに出力されている。 制御装置 C O N Tは、 流量計 1 2の計測結果、 すなわ ち液体供給機構 1 0によって基板 P上に供給される液体の量と、 流量計 2 7の計 測結果、 すなわち液体回収機構 2 0によって基板 P上より回収された液体の量と を比較し、 その比較した結果に基づいて液体供給機構 1 0のバルブ 1 3を制御す る。 具体的には、 制御装置 C O N Tは、 基板 P上への液体供給量 (流量計 1 2の 計測結果) と基板 P上からの液体回収量 (流量計 2 7の計測結果) との差を求め、 その求めた差が予め設定されている許容値 (しきい値) を越えたかどうかの判断 に基づいて、 バルブ 1 3を制御する。 ここで、 上述したように、 制御装置 C O N Tは、 基板 P上に対する液体供給量と基板 P上からの液体回収量とがぼぼ同じに なるように、 液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0のそれぞれを制御している ため、 液体供給機構 1 0による液体供給動作及び液体回収機構 2 0による液体回 収動作のそれそれが正常に行われている状況であれば、 上記求めた差はほぼゼロ となる。 制御装置 C O N Tは、 求めた差が許容値以上である場合、 すなわち液体回収量 が液体供給量に比べて極端に少ない場合、 液体回収機構 2 0の回収動作に異常が 生じて十分に液体 1を回収できていないと判断する。 このとき、 制御装置 C O N Tは、 例えば液体回収機構 2 0の真空系 2 5に故障等の異常が生じたと判断し、 液体回収機構 2 0によって液体 1を正常に回収できないことに起因^"る液体 1の 漏洩を防止するために、 液体供給機構 1 0のバルブ 1 3を作動して供給管 1 5の 流路を遮断し、 液体供給機構 1 0による基板 P上に対する液体 1の供給を停止す る。 このように、 制御装置 C O N Tは、 液体供給機構 1 0から基板卩上に供給さ れた液体量と、 液体回収機構 2 0で回収された液体量とを比較し、 その比較結果 に基づいて液体回収機構 2 0の回収動作の異常を検出し、 液体 1が供給過剰にな り、 異常が検出されたときに基板 P上に対する液体 1の供給を停止する。 これに より、 基板 Pや基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) の外側への液体 1の漏洩、 又は不所望箇所への液体 1の浸入、 あるいはそのような漏洩や浸入による被害の 拡大を防止することができる。
—また、 制御装置 C O N Tは、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常を検出したと きに、 漏洩あるいは浸入した液体 1の付着に起因する漏電を防止するために、 露 光装置 E Xを構成する電気機器への電力供給を停止する。 ここで、 電気機器とし ては、 基板ステージ P S Tを動かすためのリニアモータ 4 7、 4 8等が挙げられ る。 これらリニアモータ 4 7、 4 8は、 基板ステージ P S Tの外側に漏洩した液 体 1が付着 ·浸入しやすい位置にあるため、 制御装置 C O N Tは、 これらリニア モータ 4 7、 4 8に対する電力供給を停止することで、 液体 1の付着に起因する 漏電を防止することができる。 また、 電気機器としては、 リニアモータ 4 7、 4 8の他に、 例えば基板ステージ P S T上に設けられ、 基板ステージ P S Tに対す る露光光 E Lを受光するためのセンサ (フ才卜マルなど) が挙げられる。 あるい は電気機器として、 基板ホルダ P Hの Z軸方向及び傾斜方向の位置調整をするた めの例えばピエゾ素子等の各種ァクチユエ一夕が挙げられる。 また、 異常を検出 したときに、 露光装置 E Xを構成する全ての電気機器への電力供給を停止するこ とも可能であるし、 一部の電気機器への電力供給を停止することも可能である。 ここで、 制御装置 C O N Tは、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常を検出したと きに、 例えばリニアモータや、 0〜1 5 0 V付近で使用されるピエゾ素子や、 3 0 0〜9 0 0 V付近で使用されるフォトマル (センサ) などの電気機器 (高電圧 機器) に対する電力供給を停止することで、 漏電の発生を防止し、 漏電に起因す る周辺装置に対する影響を抑えることができる。 また、 制御装置 C O N Tは、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常を検出したと きに、 例えば基板ステージ P S Tを基板定盤 4 1のガイ ド面 4 1 Aに対して非接 触で移動させるためのエアべァリング 4 2の駆動を停止する。 エアべァリング 4 2は、 基板定盤 4 1の上面 (ガイ ド面) 4 1 Aに対して気体 (エア) を吹き出す- 吹出口 4 2 Bと、 基板ステージ P S T下面 (軸受面) とガイ ド面 4 1 Aとの間の 気体を吸引する吸気口 4 2 Aとを備えており、 吹出口 4 2 Bからの気体の吹き出 しによる反発力と吸気口 4 2 Aによる吸引力との釣り合いにより、 基板ステージ P S T下面とガイ ド面 4 1 Aとの間に一定の隙間を保持するようになっているが、 制御装置 C O N Tは、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常を検出したときに、 漏 洩'した液体 1がエアベアリング 4 2の吸気口 4 2 Aに流入 (浸入) することを防 止するために、 エアベアリング 4 2の動作、 特に吸気口 4 2 Aからの吸気を停止 する。 これにより、 その吸気口 4 2 Aに接続する真空系に対して液体 1が流入す ることを防止でき、 液体 1の流入に起因する真空系の故障等の不都合の発生を防 止できる。 また、 基板 Pを保持する突起部 6 5や吸着孔 6 6を別部材に設けて、 その別部 材を基板ホルダ P Hに吸着保持している場合には、 制御装置 C O N Tがその別部 材を吸着保持するための吸着孔 (吸気口) からの吸気を停止するようにしてもよ い o また、 制御装置 C O N Tは、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常を検出したと きに、 警報装置 Kを駆動する。 警報装置 Kは、 警告灯、 アラーム音、 ディスプレ ィなどを使って警報を発し、 これにより、 例えば作業者は、 露光装置 E Xに液体 1の漏洩や浸入が発生したことを知ることができる。 また、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常を検出したとき、 制御装置 C O N T は、 回収装置 6 0の液体回収量を多くする。 具体的には、 回収装置' 6 0の真空系 7 0の駆動量 (駆動力) を上昇する。 回収装置 6 0 (真空系 7 0 ) の駆動は振動 源となるため、 露光処理中においては、 回収装置 6 0の駆動力を低下あるいは 止していることが好ましいが、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常を検出し、 液 体 1の漏洩の可能性が生じたとき、 制御装置 C O N Tは、 回収装置 6 0の駆動力 を上昇することで、 基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) の外側 (少な〈とも- 回収口 6 1より外側) への液体 1の漏洩を防止、 あるいは漏洩の拡大を防止する ことができる。 また、 基板 Pの中央付近のショッ 卜領域を露光している間は、 液体供給機構 1 0から供給された液体 1は液体回収機構 2 0により回収される。 一方、 図 5に示 ずように、 基板 Pのエツジ領域を露光処理することによって、 液浸領域 A R 2が 基板 Pのェッジ領域付近にあるとき、 補助プレート 4 3により投影光学系 P Lと 基板 Pとの間に液体 1を保持し続けることができるが、 流体 1の一部が補助プレ ―卜 4 3の外側に流出する場合があり、 流出した流体 1は、 液体吸収部材 6 2を 配置した回収口 6 1より回収される。 ここで、 制御装置 C O N Tは、 上記液体供 給機構 1 0及び液体回収機構 2 0の駆動開始とともに、 回収装置 6 0の動作を開 始している。 したがって、 回収口 6 1より回収された液体 1は、 真空系 7 0の吸 引により、 周囲の空気とともに流路 6 3及び管路 6 8を介して回収される。 また、 基板 Pと補助プレー卜 4 3との隙間に流入した液体 1は、 液体回収孔 6 4を介し て周囲の空気とともに流路 6 3及び管路 6 8を介して回収される。 このとき、 気 液分離器 7 1は、 回収口 6 1から回収された液体 1 と気体とを分離する。 気液分 離器 7 1によって分離された気体は乾燥器 7 2で乾燥された後に真空系 7 0に流 入する。 これにより、 真空系 7 0に液体成分が流入する不都合を防止できる。一 方、 気液分離器 7 1によって分離された液体は液体回収部 7 3に回収される。 なおこのとき、 回収装置 6 0により液体供給機構 1 0から供給された液体 1の 一部が回収されるため、 液体回収機構 2 0により回収される液体量が減少し、 そ の結果、 液体回収機構 2 0の流量計 2 7で計測される液体回収量が減少する。 こ の場合、 液体 1が漏洩していないにもかかわらず、 制御装置 C O N Tは、 液体供 給機構 1 0の流量計 1 2及び液体回収機構 2 0の流量計 2 7それそれの計測結果 を比較した結果に基づいて、 液体回収機構 2 0の回収動作に異常が生じたと誤つ た判断を下す可能性がある。 そこで、 回収装置 6 0のうち気液分離器 7 1 と液体 回収部 7 3との間に回収した液体の量を計測する流量計を設けておき、 制御装置 C 0 N Tは、 その回収装置 6 0の流量計の計測結果と液体回収機構 2 0の流量計- 2 7の計測結果とに基づいて全体の液体回収量を求め、 求めた全体の液体回収量 と液体供給機構 1 0の流量計 1 2の計測結果とを比較する。 そして、 その比較し た結果に基づいて、 制御装置 C O N Tは、 液体回収機構 2 0の液体,回収動作に異 常が生じたかどうかを判断し、 その判断した結果に基づいて、 液体供給機構 1 0 による液体供給動作の停止、 電力供給の停止、 吸気口から吸気動作の停止などの 対-処を実行することができる。 また、 回収装置 6 0に設けられた流量計の計測値が予め設定された許容値に対 して過剰に大きい値となったどき、 制御装置 C O N Tは、 多量の液体 1が基板 P の外側に流出していると判断し、 液体 1の基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) の外側への漏洩などを防止するために、 液体供給機構 1 0を停止するように してもよい。 基板 Pの外側に流出した液体 1は、 基板 Pと補助プレート 4 3との隙間から浸 入して基板 Pの裏面側に達する場合も考えられる。 そして、 基板 Pの裏面側に入 り込んだ液体 1が基板 Pを吸着保持するための吸着孔 (吸引口) 6 6に流入する 可能性もある。 この場合、 基板 Pを吸着保持するために基板ホルダ P Hに設けら れている吸着孔 6 6は、 管路 6 7及び管路 6 9を介して真空系 7 4に接続され、 その途中には気液分離器 7 5、 及び気液分離器 7 5で分離された気体を乾燥する 乾燥器 7 6が設けられている。 したがって、 仮に吸着孔 6 6に液体 1が流入して も、 吸着孔 6 6から流入した液体 1は液体回収部 7 3に回収され、 真空系 7 4に 液体成分が流入する不都合を防止することができる。 なお、 吸着孔 6 6から液体 1が浸入した場合には基板 Pの保持などに不具合が 生じる可能性があるので、 管路 6 9あるいは気液分離器 7 5と液体回収部 7 3と の間に流量計を配置して、 その流量計によって吸着孔 6 6からの液体の浸入が検 知された場合には異常事態と判断して、 上述のような液体供給動作め停止、 電力 供給停止、 吸気口からの吸気の停止の少なくとも一つを実行することもできる。 なお、 吸着孔 6 6に接続する管路 6 9に気液分離器 7 5が設けられていない構 成の場合は、 液体回収機構 2 0や回収装置 6 0の回収動作の異常を検出したとき に、 吸着孔 (吸気口) 6 6への液体 1の流入を防止するために、 真空系 7 4 (吸 引系) の駆動を停止して吸着孔 6 6からの吸気を停止するようにしてもよい。
—以上説明したように、 液体 1が漏洩あるいは浸入するような異常を検出したと きに、 液体供給機構 1 0による基板 P上への液体.1の供給を停止するようにした ので、 液体 1の漏洩を防止、 あるいは漏洩の拡大や浸水などを防止することがで きる。 また、 液体 1が漏洩あるいは浸入するような異常が起きた場合でも、 露光 装置 E Xを構成するリニァモ一夕 4 7、 4 8をはじめとする電気機器への電力供 給を停止することで、 漏電の発生や漏電による被害の拡大を防止することができ る。.また、 エアベアリング 4 2の吸気口 4 2 Aや、 基板 Pを吸着保持するために 基板ホルダ P Hに設けられた吸着孔 6 6等の真空系に流通する各吸気口からの吸 気を停止することで、 この吸気口に接続する真空系に対して液体 1が流入すると いった不都合の発生を防止することができる。 また、 回収ノズル 2 1や回収口 6 1、 あるいは吸着孔 6 6等の吸引口から液体とともにその周囲の気体を回収する 際、 吸引口から吸い込まれた液体と気体とを気液分離器で気液分離し、 気液分離 器によって分離した気体を更に乾燥器で乾燥することにより、 真空系に対して液 体成分 (湿った気体など) が流入する不都合を防止でき、 液体が真空系に与える 影響を抑えることができる。 また、 本実施形態は、 吸引口から液体をその周囲の 気体とともに回収する構成であるが、 気液分離器によって回収した液体と気体と を分離することにより、 回収した液体量を正確に計測することができる。 なお、 上記実施形態において、 液体回収機構 2 0の回収動作の S常として、 真 空系 2 5の故障 (動作異常) を例にして説明したが、 真空系 2 5の故障の他に、 例えば気液分離器 2 2の動作異常も挙げられる。 つまり、 回収ノズル 2 1を介し て基板 P上の液体 1を回収できたとしても、 気液分離器 2 2が回収ノズル 2 1よ り回収した液体と気体とを十分に分離できず、 流量計 2 7で計測される液体量が 所定値より少なくなる状況が生じることが考えられる。 この場合、 真空系 2 5に 流入する液体成分が多くなるので、 真空系 2 5の故障等を招ぐため、 制御装置 C O N Tは、 液体供給機構 1 0の液体供給動作を停止するとともに、 液体回収機構 2 0 (真空系 2. 5 ) の液体回収動作を停止することで、 液体 1の漏洩を防止でき るとともに、 真空系 2 5の故障を防止することもできる。
-なお、 本実施形態において、 制御装置 C O N Tは、 基板 P上に対する液体供給 量と基板 P上からの液体回収量とがほぼ同じになるように、 液体供給機構 1 0及 び液体回収機構 2 0のそれぞれを制御している。 そのため、 液体供給機構 1 0に よる液体供給動作及び液体回收機構 2 0による液体回収動作のそれぞれが正常に 行われている状況であれば、 上記求めた差はほぼゼロであり、 上記許容値はそれ に応じて小さい値に予め設定される。 一方で、 例えば使用する液体 1が高い揮発 性を有している場合、 液体供給機構 1 0による液体供給動作及び液体回収機構 2 0による液体回収動作のそれぞれが正常に行われている状況であっても、 基板 P 上において液体 1が揮発し、 液体回収機構 2 0の流量計 2 7による計測値が液体 供給機構 1 0の流量計 1 2による計測値に対して小さ〈なることが考えられる。 したがって、 制御装置 C O N Tは、 使用する液体 1 (揮発性) あるいは基板 Pの おかれている環境に応じて、 上記許容値を予め設定し、 設定した許容値と上記求 めた差との比較結果に基づいて、 バルブ 1 3を制御すればよい。 また、 上述の実施形態においては、 液体供給機構 1 0の液体の供給量と液体回 收機構 2 0による液体の回収量とを比較して、 液体 1の流通状態の異常を検知し ているが、 液体供給機構 1 0の供給量のみ、 あるいは液体回収機構 2 0による回 収量のみに基づいて、 それぞれの異常を検知するようにしてもよい。 また、 液体 の流量に限らず、 液体供給機構 1 0や液体回収機構 2 0の機械的あ ¾いは電気的 な異常が検知された場合にも、 制御装置 C O N Tは液体供給機構 1 0による液体 供給動作の停止、 電力供給の停止、 吸気口から吸気動作の停止などの対処を実行 することができる。 本実施形態では、 回収ノズル 2 1からは液体 1 とともにその周囲の気体も回収- されるため、 より正確な液体回収量を計測するために、 気液分離器 2 2を使って 回収した液体と気体とを分離し、 分離した液体量を流量計 2 7で計測するように している。 そのため、 気液分離器 2 2の気液分離能力によっても、 流量計 2 7で 計測される液体量が変動する可能性がある。 そこで、 制御装置 C O N Tは、 使用 する気液分離器 2 2 (気液分離能力) に応じて、 上記許容値を設定することもで きる。 なお、 本実施形態において、 液体回収機構 2 0の液体回収動作の異常が検出さ れたときに、 液体供給機構 1 0Ίこよる液体供給動作の停止、 電気機器への電力供 給の停止、 及び吸気口からの吸気動作の停止を全て行うように説明したが、 少な くともいずれか 1つを実行する構成であってもよい。 なお、 本実施形態において、 液体回収機構 2 0の回収ノズル 2 1からは、 液体 1 とともにその周囲の気体も回収するため、 流量計 2 7で回収した液体量を精度 良〈計測可能とするために、 気液分離器 2 2を使って液体と気体とに分離する構 成であるが、 液体回収機構 2 0が、 回収ノズル 2 1から液体 1のみを回収する構 成である場合、 気液分離器 2 2で液体と気体とを分離することなく、 回収した液 体の圧力を測定することによって、 液体回収量を求めることができる。 ところで、 本実施形態では、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常が検出された ときに、 液体供給機構 1 0による液体供給動作を停止したり、 電気機器への電力 供給を停止したり、 吸気口からの吸気動作を停止する構成であるが、 基板 Pを保 持して移動可能な基板ステージ (可動部材) P S Tと投影光学系 P Lとの位置関 係の異常が検出されたときに、 液体供給動作の停止、 電力供給の停止、 及び吸気 口からの吸気動作の停止のうちの少なくともいずれか 1つを実行するようにして もよい。 ここで、 基板ステージ P S Tと投影光学系 P Lとの異常な位置関係とは、 投影光学系 P Lの下に液体 1を保持できない状態であり、 Z軸方向及び X Y方向 のうちの少な〈とも一方の位置関係の異常を含む。 つまり、 たとえ液体供給機構 1 0の供給動作と液体回収機構 2 0の回収動作が正常であっても、 例えば基板ステージ P S Tの動作に異常が生じ、 基板ステージ P S Tが投影光学系 P Lに対す る所望位置に対して X Y方向に関してずれた位置に配置された場合、 投影光学系 P Lと基板ステ ジ P S Tに保持された基板 Pとの間に液体 1の液浸領域 A R 2 が良好に形成できない状態 (投影光学系 P Lの下に液体 1を保持できない状態) が生じる。 この場合、 液体 1が基板 Pの外側、 基板ホルダ P Hの外側に漏洩した り'、 基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) の移動鏡 4 5が浸水する状況が発生 する。 すると、 液体回収機構 2 0は所定量の液体 1を回収できないため、 液体回 收機構 2 0の流量計 2 7は所定値に対して少ない値の計測結果を制御装置 C 0 N Tに出力する。 制御装置 C O N Tは、 その流量計 2 7の計測結果に基づいて、 液 体 1の漏洩などが発生するような基板ステージ P S Tの位置の異常を検出するこ とができる。 そして、 制御装置 C O N Tは、 その異常を検出したときに、 液体供 給動作の停止、 電力供給の停止、 及び吸気口からの吸気動作の停止等を実行する。 また、 液浸領域 A R 2は、 投影光学系 P Lと基板 Pとの間の距離を、 液体 1の 表面張力により液浸領域 A R 2を形成可能な程度の所定距離 ( 0 . 1 m m〜 1 m m程度) に設定することで形成されるが、 例えば、 基板ステージ P S Tが Z軸方 向に関して位置制御に不具合が生じた場合、 投影光学系 P Lと基板ステージ P S T上の基板 Pとの距離が大き〈なり、 投影光学系 P Lの下に液体 1を保持できな 〈なる状況が生じ得る。 この場合も、 基板 Pの外側や基板ステージ P S T (基板 ホルダ P H ) の外側に液体 1が漏洩するなどし、 液体回収機構 2 0は所定量の液 体 1を回収できないため、 液体回収機構 2 0の流量計 2 7は所定値に対して少な い値の計測結果を制御装置 C O N Tに出力する。 制御装置 C O N Tは、 その流量 計 2 7の計測結果に基づいて、 液体 1の漏洩が発生するような基板ステージ P S Tの位置の異常を検出することができる。 そして、 制御装置 C O N 'Tは、 その異 常を検出したときに、 液体供給動作の停止、 電力供給の停止、 及び吸気口からの 吸気動作の停止等を実行する。 なお、 投影光学系 P Lに対する基板ステージ P S Tの位置関係の異常を検出す るために、 液体回収機構 2 0の流量計 2 7の計測結果を用いずに、 例えば干渉計- 4 6により基板ステージ P S Tの X Y方向の位置を検出し、 その位置検出結果に 基づいて、 位置関係の異常を検出することができる。 制御装置 C O N Tは、 干渉 計 4 6による基板ステージ位置検出結果と予め設定されている許容値とを比較し、 干渉計 4 6のステージ位置検出結果が前記許容値を超えたときに、 液体 1の供給 動作の停止等を実行するようにしてもよい。 また、 フォーカス検出系 5 6により 基板ステージ P S Tの Z軸方向の位置を検出し、 フォーカス検出系 5 6によるス テ一ジ位置検出結果と予め設定されている許容値とを比較し、 フォーカス検出系 5 6の検出結果が許容値を超えたときに、 制御装置 C O N Tは、 液体 1の供給動 作の停止等を実行するようにじてもよい。 このように、 制御装置 C O N Tは、 干 渉計 4 6及びフォーカス検出系 5 6を含む基板ステ一ジ位置検出装置の検出結果 に基づいて、 投影光学系 P Lと基板ステージ P S Tとの位置関係の異常を検出し、 異常が検出されたときに、 液体供給動作の停止、 電気機器に対する電力供給の停 止、 及び吸気口からの吸気動作の停止等を実行することができる。 また、 干渉計 4 6がエラ一を発生したときに、 制御装置 C O N Tは、 液体供給 機構 1 0による液体供給動作を停止するようにしてもよい。 ここで、 干渉計 4 6 のエラーとは、 干渉計 4 6自体の故障や、 干渉計の測定光の光路上に異物が配置 されたなど何らかの原因で基板ステージ P S Tの位置計測を行うことができなく なった状態を含む。 干渉計 4 6がエラーを発生すると、 制御装置 C O N Tは、 基 板ステージ P S Tの位置を把握することができず、 同時に基板ステージ P S丁の 位置を制御するこどができなくなる。 この場合、 投影光学系 P Lと基板ステージ P S Τとの位置関係に異常が生じ、 液体 1が漏洩 ·流出するおそれがある。 そこ で、 干渉計 4 6がエラ—を発生したときに、 液体供給機構 1 0による液体供給を 停止することで、 液体 1が漏洩する不都合を防止することができる。 同様に、 基板ステージ P S Τの Ζ軸方向の位置を制御するための計測系 (本実 施形態においてはフォーカス検出系 5 6 ) がエラ一を発生した場合に、 投影光学 系 P Lと基板ステージ P S Τとの位置関係に異常が生じて、 液体 1が漏洩■流出 する虞があるので、 制御装置 C O N Tはフォーカス検出 5 6がエラ一を発生した- 場合に、 液体供給機構 1 0による液体供給動作を停止することができる。 なお、 基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) と投影光学系 P Lと,の Z軸方向 の位置関係の異常は、 フォーカス検出系 5 6に限らず、 静電容量センサなどの非 光学式の検出系を用いるようにしてもよい。 また、 投影光学系 P Lの像面と基板ステージ P S T (基板 P ) 表面との位置関 係を、 干渉計を用いて管理することもできる。 なお、 投影光学系 P Lの像面と機 基板ステージ P S T (基板 P );表面との位置関係の管理を干渉計を用いて行うこ とは、 例えば米国特許 6, 0 2 0 , 9 6 4に開示されており、 本国際出願で指定 または選択された国の法令で許容される限りにおいて、 それらの開示を援用して 本文の記載の一部とする。 また、 上述の実施形態では、 露光動作中に異常が生じた場合を説明したが、 基 板 Pの露光を行っていないときに異常が発生した場合も同様である。 また、 上述の実施形態では、 液体の供給中に異常が検出されたときに液体の供 給を停止するようにしたが、 液体の供給を開始するときに、 投影光学系 P Lと基 板ステージ P S Tとの位置関係などの異常が検出された場合にも、 液体の供給開 始を停止するようにするとよい。 次に、 本発明の露光装置 ΕΧの第 2実施形態について説明する。 以下の説明に おいて、 上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付 し、 その説明を簡略若しくは省略する。 本実施形態では、 基板 Ρあるいは基板ス テ一ジ P S T (基板ホルダ ΡΗ) の外側などへの液体 1の漏れを光ファイバを含 む検出器を使って光学的に検出し、 液体 1の漏れや浸入を検出したときに、 液体 供給機構 1 0による液体供給動作の停止、 電気機器への電力供給の停止、 及び吸 気口からの吸気動作の停止のうちの少なくとも 1つを実行する。 図 6及び図 7を参照しながら、 液体 1の漏れを検出する検出器の検出原理につ いて説明する。'.本実施形態では検出器として光ファイバを用いる。 図 6は一般的 な光ファイバを示す概略構成図である。 図 6において、 光ファイバ 80' は、 光 を伝搬するコア部 81 と、 コア部 81の周囲に設けられ、 コア部 81より小さい 屈折率を有するクラッ ド部 82とを備えている。 光ファイバ 80' では、 光はク ラッ ド部 82より高い屈折率を有するコア部 81に閉じ込められて伝搬される。 図 7は、 本実施形態に係る光ファイバ 80を示す概略構成図である。 図 7にお いて、 光ファイバ 80は、 光を伝搬するコア部 81を有しており、 その周囲には クラッ ド部が設けられていない光ファイバ (クラッ ドレスファイバ) である。 光 ファイバ 80のコア部 81は、 その周囲の気体 (本実施形態では空気) の屈折率 naより高い屈折率 ncを有し、 且つ液体 (本実施形態では純水) 1の屈折率 nw より低い屈折率を有している (na<nc<nw) 。 そのため、 光ファイバ 80の周 囲が空気で満たされている場合、 光の入射角 0。が全反射条件 s i n0。>na/ ncを満たしている限り、 光は空気より高い屈折率 ncを有するコア部 81に閉じ 込められて伝搬される。 つまり、 光ファイバ 80の入射端部から入射した光はそ の光量を大き〈減衰せずに射出端部より射出する。 ところが、 液体 (純水) 1が 光ファイバ 80の表面に付着した場合、 nc<nwであるので、 水が付着している 箇所ではいずれの入射角でも全反射条件 s i n 0。= n w/ n cを満たすことがで きず、 その液体 1 と光ファイバ 8 0との界面で全反射が生じないため、 光は光フ アイバ 8 0の液体付着部分から外部に漏洩する。 したがって、 光ファイバ 8 0の 入射端部から入射した光の光量は射出端部より射出する際に減少している。 そこ で、 露光装置 E Xの所定位置にこの光ファイバ 8 0を設置しておき; この光ファ ィバ 8 0の射出端部の光量を計測することで、 制御装置 C O N Tは、 光ファイバ 8 0に液体 1が付着したかどうか、 つまり液体 1が漏洩したかどうかを検出する ことができる。 なお、 空気の屈折率は 1程度であり、 水の屈折率は 1 . 4〜1 . 6程度であるため、 コア部 8 1は例えば 1 . 2程度の屈折率を有する材料 (石英、 特定組成のガラス等) により構成されていることが好ましい。 また、 光ファイバ 8 0の射出端部より射出する光の減衰量によって、 光フアイ バ 8 0に付着レた液体 1の量についても求めることができる。 すなわあ、 光の減 衰量は光ファイバに液体 1が付着している部分の面積に依存し、 光ファイバ 8 0 の周囲に少量の液体 1が付着した場合には射出端部における光の減衰量は小さく、 大量の液体 1が付着した場合には減衰量は大きい。 したがって、 液体 1が付着し ている部分の面積は液体の漏洩量に依存すると考えられるので、 光ファイバ 8 0 の射出端部における光量を計測することによって、 液体 1の漏洩量を求めること ができる。 更に、 光ファイバ射出端部における光量の計測値を予め設定した複数 のしきい値 (基準値) と比較し、 各しきい値を越えた場合にそれぞれ特定の信号 を発するようにすることにより、 液体 1の漏洩量を段階的に検出することができ る o 図 8は、 上記検出器の光ファイバ 8 0を基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) の周囲に配置した状態を示す側面図であり、 図 9は平面図である。 図 8及び 図 9に示すように、 光ファイバ 8 0は、 基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) の周囲を巻くように配置されている。 そして、 光ファイバ 8 0の入射端部には、 光ファイバ 8 0に対して光を入射可能な投光部 8 3が接続され、 光ファイバ 8 0 の射出端部には、 光ファイバ 8 0を伝搬して射出端部より射出した光を受光可能 な受光部 8 4が接続されている。 制御装置 C 0 N Tは、 投光部 8 3から光フアイ バ 8 0に入射したときの光の光量と、 受光部 8 4で受光した光の光量とに基づい て、 光ファイバ 8 0の入射端部に対する射出端部の光の減衰率を求め、 その求め た結果に基づいて、 光ファイバ 8 0に液体 1が付着したかどうか、 すなわち基板 ステージ P S T (基板ホルダ P H ) の外側に液体 1が漏洩したかどうかを判断す る。 そして、 制御装置 C O N Tは、 液体 1が漏洩したと判断したとき、 液体供給 機構 1 0による液体の供給動作の停止、 電気機器に対する電力供給の停止、 及び 吸気口からの吸気動作の停止等を実行する。 なお、 光ファイバ 8 0を基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) の上面、 特に 回収口 6 1の周りに配置するようにしてもよいし、 移動鏡 4 5の浸水 (浸液) を チェックするために、 移動鏡 4 5またはその周囲に配置してもよい。 図 1 0は、 光ファイバ 8 0を、 基板ステージ P S Tの下面に設けられたエアべ ァリング 4 2の周囲、 及び基板ステージ P S Tを移動可能に支持する基板定盤 (ベース部材) 4 1の周囲に配置した例を示す図である。 光ファイバ 8 0は任意 に屈曲可能であるため、 基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) 、 エアべアリン グ 4 2、 及び基板定盤 4 1等の液体 1が漏洩し易い任意の位置に巻きつけるよう にして取り付けることができ、' 自由に引き回して任意の形態で配置可能である。 特に、 エアベアリング 4 2の周りに光ファイバ 8 0を取り付けることで、 エアべ ァリング 4 2近傍に液体 1が付着 (漏洩) したかどうかを良好に検出することが でき、 エアベアリング 4 2の吸気口 4 2 Aに液体 1が流入する不都合を未然に防 止することができる。 ところで、 上述した光ファイバ 8 0においては、 入射端から射出端までの距離 が長いと、 光ファイバ 8 0に液体 1が付着した位置、 すなわち液体 1の漏洩位置 を特定することが困難な場合がある。 そこで、 図 1 1に示すように、 複数の光フ アイバ 8 0をマトリクス状に 2次元的に配置することによって、 液体 1の漏洩位 置を特定することができる。 図 1 1において、 検出器 9 0は、 第 1の方向 (Y軸 方向) を長手方向とし、 第 1の方向と直交する第 2の方向 (X軸方向) に複数並 んで設けられた第 1光ファイバ 8 O Aと、 第 2の方向を長手方向とし、 第 1の方 向に複数並んで設けられた第 2光ファイバ 8 0 Bとを備えている。 これら複数の 第 1、 第 2光ファイバ 8 0 A、 8 0 Bがマトリクス状 (網目状) に配置されてい る。 複数の第 1光ファイバ 8 O Aそれぞれの入射端部は集合しており、 その集合 部と集合ファイバ 8 5 Aの射出端部とが接続されている。 そして、 集合ファイバ 8 5 Aの入射端部は投光部 8 3 Aに接続されている。 一方、 複数の第 1光フアイ バ 8 0 Aそれぞれの射出端部は、 例えば 1次元 C C Dラインセンサ等からなる受 光部 8 4 Aに接続されている。 同様に、 複数の第 2光ファイバ 8 0 Bそれぞれの 入射端部は集合しており、 その集合部と集合ファイバ 8 5 Bの射出端部とが接続- されている。 そして、 集合ファイバ 8 5 Bの入射端部は投光部 8 3 Bに接続され ている。 一方、 複数の第 2光ファイバ 8 0 Bそれぞれの射出端部は、 例えば 1次 元 C C Dラインセンサ等からなる受光部 8 4 Bに接続されている。 , , 投光部 8 3 Aから射出された光は、 集合ファイバ 8 5 Aを伝搬した後、 複数の 第 1光ファイバ 8 0 Aのそれぞれに分岐される。 第 1光ファイバ 8 0 Aそれぞれ の入射端部から入射した光は、 第 1光ファイバ 8 0 Aを伝搬した後、 射出端部よ り射出され、 受光部 8 4 Aに受光される。 受光部 8 4 Aは複数の第 1光ファイバ 8 0 Aそれぞれの射出端部より射出された光の光量のそれぞれを検出する。 ここ で、 図 1 1に示すように、 複数の第 1光ファイバ 8 0 Aのうち特定の第 1光ファ イノ、' 8 0 A L上に液体 1が付着している場合、 その第 1光ファイバ 8 0 A Lの射 出端部での光量が低下する。 受光部 8 4 Aの受光結果は制御装置 C 0 N Tに出力 される。 同様に、 投光部 8 3 Bから射出された光は、 集合ファイバ 8 5 Bを伝搬 した後、 複数の第 2光ファイバ 8 0 Bのそれぞれに分岐される。 第 2光ファイバ 8 0 Bそれぞれの入射端部から入射した光は、 第 2光ファイバ 8 0 Bを伝搬した 後、 射出端部より射出され、 受光部 8 4 Bに受光される。 受光部 8 4 Bは複数の 第 2光ファイバ 8 0 Bそれそれの射出端部より射出された光の光量のそれぞれを 検出する。 ここで、 図 1 1に示すように、 複数の第 2光ファイバ 8 0 Bのうち特 定の第 2光ファイバ 8 0 B L上に液体 1が付着している場合、 その第 2光フアイ バ 8 0 B Lの射出端部での光量が低下する。 受光部 8 4 Bの受光結果は制御装置 C O N Tに出力される。 制御装置 C O N Tは、 受光部 8 4 A、 8 4 Bそれぞれの 受光結果に基づいて、 液体 1の漏洩位置 (検出器 9 0に対して漏洩した液体 1が 付着した位置) が、 第 1光ファイバ 8 O A Lと第 2光ファイバ 8 0 B Lとの交点 付近であることを特定することができる。 図 1 2は、 マトリクス状に配置された光ファイバ 8 0 A、 8 0 Bを有する検出 器 9 0が、 基板ステージ P S Tを駆動する電磁駆動源であるリニアモータ 4 7 (固定子 4 7 A ) に配置されている例を示す図である。 検出器 9 0をリニアモー タ 4 7に配置することにより、 基板ステージ P S Tの外側に漏洩し、 リニアモ一 タ 4 7上に付着した液体 1の位置を特定することができる。 漏洩した液体 1の位 置が特定されることにより、 例えば漏洩した液体 1の除去作業を効率良〈行うこ とができる。 '. , , なお、 液体 1が水であってその漏洩した液体 (水) を除去する場合、 無水アル コールを使って除去作業 (拭き取り作業) を行うことにより、 水を良好に除去す ることができ、 またアルコールは直ちに揮発するため、 除去作業を円滑に行うこ とができる。 なお、 図 1 3に示す模式図のように、 光ファイバ 8 0の入射端部よりパルス光 を入射することで、 光ファイバ 8 0の表面に付着した液体 1の位置を特定するこ とができる。 光ファイバ 8 0の表面に液体 1が付着している場合、 光ファイバ 8 0の入射端部から入射したパルス光 L 1が液体 1の付着位置で反射し、 その反射 光 L 2が再び入射端部側に戻ってくる現象が生じる。 そこで、 入射側に偏光ビー ムスプリッタ—などの光学素子を設け、 反射光を光学素子で受光器に導いて検出 する。 検出結果から、 パルス光 L 1 を光ファイバ 8 0に入射したタイミングと反 射光し 2が入射端部で受光されるタイミングとの時間差、 及び光ファイバ 8 0を 伝搬する光速度に基づいて、 入射端部と液体 1の付着位置との距離を求めること ができ、 これにより液体 1の付着位置 (液体 1の漏洩位置) を特定することがで きる。 なお、 光ファイバ 8 0を伝搬する光速度は、 光ファイバ 8 0 (コア部 8 1 ) の形成材料に応じて変化するため、 この光ファイバ 8 0の形成材料に基づい て求めることができる。 次に、 本発明の露光装置 E Xの第 3実施形態について説明する。 '本実施形態で は、 液体 1の漏れをプリズム (光学素子) を含む検出器を使って光学的に検出し、 液体 1の漏れを検出したときに、 液体供給機構 1 0による液体供給動作の停止、 電気機器への電力供給の停止、 及び吸気口からの吸気動作の停止のうちの少なく とも 1つを実行する。 図 1 4及び図 1 5を参照しながら、 液体 1の漏れを検出する検出器の検出原理 について説明する。 本実施形態では検出器としてプリズムを用いる。 図 1 4は、 プリズムを使った検出器 1 0 0の概略構成を示す図である。 図 1 4において、 検 出器 1 0 0は、 プリズム 1 0 1 と、 プリズム 1 0 1の第 1面 1 0 1 Aに取り付け られ、 プリズム 1 0 1に対して光を投射する投光部 1 0 2と、 プリズム 1 0 1の 第 2面 1 0 1 Bに取り付けられ、 投光部 1 0 2から射出された光のプリズム 1 0 1の第 3面 1 0 1 Cでの反射光を受光する受光部 1 0 3とを備えている。 なお、 第 1面 1 0 1 Aと第 2面 1 0 1 Bとはぼぼ直角となっている。 プリズム 1 0 1は、 その周囲の気体 (本実施形態では空気) より高い屈折率を 有し、 且つ液体 (本実施形態では純水) 1 より低い屈折率を有している。 そして、 プリズム 1 0 1の周囲が空気で満たされている場合、 投光部 1 0 2から第 3面 1 0 1 Cに投射された光は、 第 3面 1 0 1 Cで全反射するようにプリズムの屈折率 が選定されている。 そのため、 投光部 1 0 2から射出した光はその光量を大きく 減衰せずに受光部 1 0 3に受光される。 図 1 5は、 検出器 1 0 0のプリズム 1 0 1の第 3面 1 0 1 Cに液体 1が付着し た状態を示す図である。 図 1 5において、 投光部 1 0 2から第 3面 1 0 1 Cに投 射された光は、 液体 1の存在により第 3面 1 0 1 Cで全反射せず、 一部 (又は全 部) の光成分がプリズム 1 01の液体付着部分から外部に漏洩する。 そのため、 投光部 1 02から射出した光のうち第 2面 1 01 Bに達する光成分の光量が減衰 するため、 受光部 1 03は、 受光した光量 (光情報) に基づいて、 プリズム 1 0 1の第 3面 1 01 Cに液体 1が付着したかどうかを検出することができる。 そこ で、 露光装置 EXの所定位置にこのプリズム 1 01を備えた検出 00を設置 してお〈ことで、 制御装置 CO N Tは、 受光部 1 03の受光結果に基づいて、 プ リズム 1 01に液体 1が付着したかどうか、 つまり液体 1が漏洩したかどうかを 検出することができる。 図 1 6は、 上記プリズム 1 01を有する検出器 1 00を基板ステージ P S Tの 周囲に配置した例を示す平面図である。 図 1 6において、 検出器 1 ひ 0は、 プリ ズム 1 01の第 3面 1 01 Cを上側に向けた状態で基板ステージ P S T (基板ホ ルダ P H) の周囲に所定間隔で複数取り付けられている。 制御装 SCO N Tは、 各検出器 1 00の投光部 1 02からプリズム 1 0 1に入射したときの光の光量と、 受光部 1 03で受光した光の光量とに基づいて、 プリズム 1 01への入射光量に 対する射出光量の減衰率を求め、 その求めた結果に基づいて、 プリズム 1 01に 液体 1が付着したかどうか、 すなわち基板ステージ P S T (基板ホルダ P H) の 外側に液体 1が漏洩したかどうかを判断する。 そして、 制御装置 CON Tは、 液 体 1が漏洩したと判断したとき、 液体供給機構 1 0による液体の供給動作の停止、 電気機器に対する電力供給の停止、 及び吸気口からの吸気動作の停止等を実行す o 本実施形態では、 制御装置 CO N Tは、 複数の検出器 1 00それぞれの検出結 果と、 それら検出器 1 00の取り付け位置情報とに基づいて、 液体 1の漏洩位置 を容易に特定することができる。 また、 プリズム 1 01は比較的小さいため、 露 光装置 E Xの任意の位置に容易に取り付けることができ、 設置作業性も良い。 上述した検出器 1 00は、 水位計 (液位計) にも適用可能である。 図 1 7は、 液体 (水) 1を収容可能なタンク 1 1 0の壁面に、 高さ方向 (Z軸方向) に検出 器 1 0 0が複数並んで取り付けられている例を示す模式図である。 タンク 1 1 0 の壁面は透明であり、 検出器 1 0 0はプリズム 1 0 1の第 3面 1 0 1 Cをタンク 1 1 0の壁面に接するように取り付けられている。複数の検出器 1 0 0のうち、 タンク 1 1 0内の液体 1 を検出した検出器 1 0 0 (受光部 1 0 3 ) の受光信号は、 液体 1を検出していない検出器 1 0 0 (受光部 1 0 3 ) 受光信号より低い値を示 すため、 制御装置 C O N Tは、 複数の検出器 1 0 0それぞれの検出結果 (受光結 果) と、 その複数の検出器 1 0 0それぞれのタンク 1 1 0に対する取り付け位置 情報とに基づいて、 タンク 1 1 0内の液体 1の液位 (水位) を求めることができ、 これによりタンク 1 1 0内の液体量を求めることができる。 図 1 8は、 水位計を構成する検出器 1 0 0を備えたタンク 1 1 0を、 液体回収 機構 2 0の一部に適用した例を示す概略構成図である。 図 1 8に示す液体回収機 構 2 0は、 回収ノズル 2 1 と、 回収ノズル 2 1に回収管 2 4を介して接続された 真空系 2 5と、 回収管 2 4の途中に設けられた気液分離器 2 2及び乾燥器 2 3と を備えている。 そして、 気液分離器 2 2で分離された液体 1は第 2回収管 2 6を 介して、 検出器 1 0 0を備えたタンク 1 1 0に収容されるようになっている。 つ まり、 本実施形態では、 図 3を参照して説明した液体回収機構 2 0の流量計 2 7 に代えて、 タンク 1 1 0が設けられた構成となっている。 検出器 1 0 0の検出結 果は制御装置 C O N Tに出力きれ、 制御装置 C O N Tは検出器 1 0 0の検出結果 に基づいて、 回収ノズル 2 1 を介して回収した液体量を求める。 そして、 制御装 置 C O N Tは、 回収ノズル 2 1より回収した液体量と、 液体供給機構 1 0から供 給した液体量とを比較することによって、 液体回収機構 2 0の回収動作の異常を 検出することができる。 また、 タンク 1 1 0には管路 2 8 Aを介して液体回収部 2 8が接続されており、 その管路 2 8 Aの途中にはバルブ 2 8 Bが設けられてい る。 制御装置 C O N Tは、 タンク 1 1 0が所定量以上に満たされたときに (ある いは定期的に) バルブ 2 8 Bを作動して流路 2 8 Aを開放し、 タンク 1 1 0内の 液体 1を液体回収部 2 8で回収する。 また、 図 1 8に示す実施形態においては、 供給管 1 5及び回収管 2 4のそれぞ れに検出器 1 0 0が取り付けられている。 ここで、 供給管 1 5及び回収管 2 4の それぞれは透明材料により形成されており、 それらの管の外表面に検出器 1 0 0 の検出面 1 0 0 cが密着するように検出器 1 0 0が取り付けられている。 供給管 1 5に取り付けられている検出器 1 0 0の受光部 1 0 3の受光結果に基づいて、 制御装置 C O N Tは、 供給管 1 5に液体 1が流通しているかどうかを検出するこ とができる。 つまり、 供給管 1 5に液体 1が流通していない場合に比べて、 流通 している場合の方が、 受光部 1 0 3の受光信号の値は小さくなるため、 制御装置 C 0 N Tは、 受光部 1 0 3の受光結果に基づいて、 供給管 1 5に液体 1が流通し ているかどうか、 すなわち液体供給機構 1 0の供給動作が正常に行われているか どうかを検出することができる。 同様に、 制御装置 C O N Tは、 回収管 2 4に取 り付けられている検出器 1 0 0の受光部 1 0 3の受光結果に基づいて、 回収管 2 4に液体 1が流通しているかどうか、 すなわち液体回収機構 2 0の ,回;]又動作が正 常に行われているかどうかを検出することができる。 このように、 検出器 1 0 0 は、 供給管あるいは回収管に液体 1が流通しているかどうかを光学的に検出する 液^:有無センサとして用いることもできる。 また、 プリズム 1 0 1 を有する検出器 1 0 0を、 例えば投影光学系 P Lの先端 部近傍 (光学素子 2の近傍) 取り付けることにより、 この検出器 1 0 0を使つ て、 投影光学系 P Lと基板 Pとの間に液体 1が満たされているかどうかを検出す ることも可能である。 なお、 上記実施形態では、 液体 1の漏れや液体 1の有無を光ファイバ 8 0ゃプ リズム 1 0 1を使って光学的に検出しているが、 静電容量センサ等を使って電気 的に検出するようにしてもよい。 また、 液体 1が水である場合、 一定間隔離間した 2本の電線からなり、 該 2本 の電線間の導通の有無により液体 1の漏れを検出する漏水センサによって液体 1 の漏れや液体 1の有無を電気的に検出することもできる。 本実施形態においては 液体 1 として水を用いているので、 上記構成の漏水センサを用いることができる。 なお、 液体 1 として超純水を用いる場合、 超純水は導電性がないため上記構成の 漏水センサでは液体 1の有無を検出することができない。 その場合、 離間した 2 本の電線の被覆に予め電解物質を含有させておけば、 超純水が浸潤した時点で導 電性を得るので、 上記構成の漏水センサで超純水である液体 1 を検出することが できる。 なお、 上記各実施形態の特徴部分を組み合わせて使用可能であることは言うま でもない。例えば、 リニアモータ周辺に光ファイバ 8 0を敷設し、 基板ステージ P S T (基板ホルダ P H ) 周りにプリズム 1 0 1を有する検出器 1 0 0を配置す- るといったことが可能である。 また、 光ファイバやプリズムは、 上述した全ての位置に設置しな,ぐてもよく、 また、 基板ステージ P S Tの内部や、 光電検出器やピエゾ素子などのァクチユエ
—夕の近くなど必要に応じて設置すればよい。 また、 図 8〜図 1 0を参照して説明したように、 光ファイバ 8 0を基板ステー ジ P S Tの周囲や基板定盤 4 1の周囲を巻くように配置することができるが、 図 1 9 ( b ) の側面図に示すよ に、 基板ステージ P S Tの周囲に第 1光ファイバ 8 0 Cを設け、 基板定盤 4 1の周囲に第 2光ファイバ 8 0 Dを設けるといったよ うに、 組み合わせて設けることももちろん可能である。 更に、 光ファイバ 8 0 ( 8 0 E ) は、 基板ステージ P S T上に設けられた回収口 6 1の内部に配置され てもよい。 上述した実施形態同様、 図 1 9において、 基板ステージ P S Tは、 基 板ホルダ P Hに保持された基板 Pの周囲を囲むように形成された補助プレー卜 4 3と、 その外側に設けられた回収口 6 1 とを備えている。補助プレー卜 4 3は、 基板ホルダ P Hに保持された基板 Pの周囲に設けられ、 この基板 Pの表面とほぼ 面一な平坦面 (平坦部) 4 3 Aを有している。 平坦面 4 3 Aは基板 Pの周囲を囲 むように環状に設けられている。 また、 補助プレー卜 4 3 (平坦面 4 3 A ) の外 側には回収口 6 1が設けられている。 回収口 6 1は、 補助プレー卜 4 3 (基板 P) を囲むように形成された環状の溝部である。 本実施形態においては、 回収口 61の内側には液体吸収部材 (62) は配置されていない。 そして、 図 1 9 (a) の平面図に示すように、 光ファイバ 80 Eは、 環状に形成された回収口 6 1の全周に亘つて配置されている。 回収口 61の内部に、 液体 1の有無を検出す る光ファイバ 80 Eを設けたことにより、 基板 P上から液体 1が漏洩しても、 漏 洩した液体 1が拡散する前に、 光ファイバ 80 Eで漏洩した液体 1 を検出するこ とができる。 したがって、 制御装置 CON Tは、 光ファイバ 80 Eが液体 1の存 在を検出したときに、 バルブ 1 3を使って液体供給機構 1 0の液体供給動作を停 止する等の適切な処置を講ずることで、 液体 1の拡散や基板ステージ P S T上か らの漏洩を防止することができる。 なお、 光ファイバ 80 Eを回収口 61の内部 に配置したとき、 その回収口 6 1に液体吸収部材 (62) を配置してもよい。 また、 図 1 9. (b) に示すように、 液体 1の有無を検知する光 7ァ,ィバ 80が 露光装置 EX (基板ステージ P S T) の複数の所定位置のそれそれに設けられて いる場合、 これら複数の光ファイバ 80の検出結果に応じて、 制御装置 C 0 N T は、 露光装置 EXの動作を制御するようにしてもよい。 例えば制御装置 CON T は、 複数の光ファイバ 80のうち、 液体 1を検出した光ファイバ 80の位置に応 じて、 液体供給機構 1 0による液体供給の停止と、 電気機器への電力供給の停止 との少なくとも一方の動作を達択する。 具体的には、 制御装置 CON Tは、 基板ステージ P S Tに設けられた第 1光フ アイバ 80 Cが液体 1の存在を検知したときに、 液体供給機構 1 0の液体供給動 作を停止し、 基板定盤 41に設けられた第 2光ファイバ 80 Dが液体 1の存在を 検知したときに、 所定の電気機器への電力供給を停止する。 ここで、 所定の電気 機器とは、 基板ステージ P S Tを駆動するリニアモータ 47、 48や、 基板定盤 41を防振支持する防振ュニッ 卜 9等が挙げられる。 基板ステージ P S Tに設けられた第 1光ファイバ 80Cが液体 1の存在を検知 し、 基板定盤 41に設けられた第 2光ファイバ 80 Dが液体 1の存在を検知して いないときは、 制御装置 CO N Tは、 基板ステージ P S Tを駆動するリニアモー 夕 47、 48や防振ュニッ 卜 9までは漏洩した液体 1が及んでいないと判断する。 つまり、 制御装置 C 0 N Tは、 漏洩した液体 1の拡散範囲は比較的狭い範囲であ ると判断する。 この場合、 制御装置 CO N Tは、 液体供給機構 1 0の液体供給動 作の停止は実行するが、 リニアモータ 47、 48や防振ユニット 9への電力供給 は継続する。 一方、 基板定盤 41に設けられた第 2光ファイバ 80 Dが液体 1の 存在を検知したときは、 制御装置 CON Tは、 リニアモータ 47、 48や防振ュ ニッ 卜 9にまで漏洩した液体 1が及んでいると判断する。 つまり、 制御装置 CO NTは、 漏洩した液体 1の拡散範囲は比較的広い範囲であると判断する。 この場 合、 制御装置 CONTは、 液体供給機構 1 0の液体供給動作を停止するとともに、 リニアモータ 47、 48と防振ュニッ 卜 9との少なくとも一方への電力供給を停 止する。 なお、 第 2光ファイバ 80 Dが液体 1の存在を検知したとき、 制御装置 CO NTは、 リ'こァモータ 47、 48あるいは防振ユニッ ト 9への電力供給の停 止は実行するが、 露光装置 E X全体への電力供給の停止は実行しないことが好ま しい。 露光装置 EX全体への電力供給を停止すると、 その後の復帰作業及び安定 化に長時間を要するためである。 このように、 互いに別の位置に設けられた第 1光ファイバ 80 C及び第 2光フ アイバ 80 Dの検出結果に応じて、 露光装置 EXの動作を制御するようにしたの で、 漏洩した液体 1の拡散範囲に応じた適切な処置を講ずることができる。 した がって、 液体 1の漏洩が発生した後の復帰作業にかかる時間を短縮することがで き、 露光装置 EXの稼働率の低下を防止できる。 そして、 基板ステージ P S丁に 設けられた第 1光ファイバ 80Cが液体 1の存在を検知したときは、 制御装置 C 0N Tは、 液体供給機構 1 0による液体供給を停止し、 電気機器への電力供給は 継続することで、 復帰作業や安定化にかかる時間を最小限に抑えることができる。 —方、 基板定盤 41に設けられた第 2光ファイバ 80 Dが液体 1の存在を検知し たときは、 制御装置 CO N Tは、 基板ステージ P S Tを駆動するリニアモータ 4 7、 48や防振ユニッ ト 9への電力供給を停止する。 こうすることにより、 広い 範囲に漏洩した液体が拡散しても、 漏電や故障などといつた損害が生じることを 防止できる。 また、 制御装置 C O N Tは、 光ファイバ 8 0で検出した液体 1の量に応じて、 露光装置 E Xの動作を制御するようにしてもよい。 例えば制御装置' C 0 N Tは、 光ファイバ 8 0で検出した液体 1の量に応じて、 液体供給機構 1 0の液体供給動 作の停止と、 電気機器への電力供給の停止との少なくとも一方の動作を選択する。 具体的には、 制御装置 C O N Tは、 第 1光ファイバ 8 0 Cと第 2光ファイバ 8 0 Dとの少なくとも一方が、 予め定められている第 1基準値以上の量の液体 1を- 検知したときに、 液体供給機構 1 0の液体供給動作を停止し、 第 2基準値以上の 量の液体 1を検知したときに、 基板ステージ P S Tを駆動するリニアモータ 4 7、 4 8や、 基板定盤 4 1を防振支持する防振ュニッ 卜 9等の電気機器,への電力供給 を停止する。 ここで、 第 2基準値のほうが第 1基準値よりも大きい値である。
—制御装置 C O N Tは、 第 1光ファイバ 8 0 C及び第 2光ファイバ 8 0 Dの少な <ともいずれか一方で検出した液体 1の量が、 第 1基準値以上であって第 2基準 値未満であると判断したとき、 漏洩した液体 1の量は比較的少量であると判断す る。 この場合、 制御装置 C O Tは、 液体供給機構 1 0の液体供給動作の停止は 実行するが、 リニアモ一夕 4 7、 4 8や防振ユニッ ト 9への電力供給は継続する。 —方、 制御装置 C O N Tは、 第 1光ファイバ 8 0 C及び第 2光ファイバ 8 0 Dの 少な〈ともいずれか一方で検出した液体 1の量が、 第 2基準値以上であると判断 したとき、 漏洩した液体 1の量は多量であると判断する。 この場合、 制御装置 C 0 N Tは、 液体供給機構 1 0の液体供給動作を停止するとともに、 リニアモータ 4 7 , 4 8と防振ュニッ 卜 9との少なくとも一方への電力供給を停止する。 なお、 光ファイバ 8 0 C、 8 0 Dが第 2基準値以上の量の液体 1を検知したとき、 制御 装置 C 0 N Tは、 リニアモータ 4 7、 4 8あるいは防振ユニッ ト 9への電力供給 の停止は実行するが、 露光装置 E X全体への電力供給の停止は実行しないことが 好ましい。 露光装置 E X全体への電力供給を停止すると、 その後の復帰作業及び 安定化に長時間を要するためである。 このように、 光ファイバ 8 0で検出した液体 1の量に応じて、 露光装置 E Xの 動作を制御することも可能であり、 この場合においても、 漏洩した'液体 1の量に 応じた適切な処置を講ずることができる。 したがって、 液体 1の漏洩が発生した 後の復帰作業にかかる時間を短縮することができ、 露光装置 E Xの稼働率の低下 を防止できる。 なお、 上述した実施形態では、 1本の光ファイバ 8 0を基板ステージ P S T及 び基板定盤 4 1の周囲を囲むように配置したが、 複数の光ファイバで基板ステ— ジ P S T及び基板定盤 4 1の周囲を囲むようにすることもできる。 例えば、 基板 定盤 4 1の 4辺-に 1本ずつ光ファイバ 8 0を配置し、 計 4本の光フ,ァ.,ィバ 8 0で 基板定盤 4 1の周囲を囲むことができる。 このようにすれば、 そのうちの 1本の 光ファイバが液体 1 を検出した場合、 どの光ファイバが反応しているかを調べる ごとにより液体 1の漏洩場所を容易に特定することができる。 また、 上述したように、 投影光学系 P Lと基板ステージ P S Tとの位置関係が 異常となったときなどに、 投影光学系 P Lの下に液体 1を保持できず、 液体 1が 漏洩する不都合が生じる。 そこで、 液体 1の漏洩を防止するために、 基板ステー ジ P S Tの移動範囲を制限するようにしてもよい。 このことについて図 2 0を参 照しながら説明する。 図 2 0において、 基板ステージ P S Tは、 基板ホルダ P Hに保持された基板 P (あるいはダミー基板 D P ) 表面及びこの基板 P表面と面一な補助プレー卜 4 3 の平坦面 4 3 Aを含む平坦領域である第 1領域 L A 1 を有している。 また、 この 第 1領域 L A 1 と対向する位置には、 投影光学系 P Lの像面側先端面 (下面) 2 a及びこの下面 2 aと面一なプレート部材 2 Pの下面の一部を含む平坦領域であ る第 2領域 L A 2が設けられている。 ここで液体 1は、 基板ステージ P S T上の 第 1の平坦面と、 投影光学系 P Lの先端面 2 aを含み前記第 1の平坦面と対向す る第 2の平坦面との間に保持されて液浸領域 A R 2を形成する。 したがって、 上 記基板ステージ P S T上の第 1領域 LA 1 と、 この第 1領域 L A 1 と対向し投影 光学系 P Lの先端面 2 aを含む第 2領域 L A 2とが液体保持可能領域である。 そ して、 液体 1は、 第 1領域 LA 1の一部と第 2領域 LA 2との間に ί呆持されて液 浸領域 A R 2を形成する。 なお、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 L A 2は必ずしも平 坦面である必要はなく、 液体 1が保持可能であれば、 表面に曲面や凹凸があって あよい。 本実施形態においては、 液浸領域 A R 2の液体 1は、 投影光学系 P Lの先端部- の光学素子 2の周囲に配置された液体供給口 1 4 Kを有する供給ノズル 1 4及び 液体回収口 21 Kを有する回収ノズル 2 1の一部にも接触している。 つまり、 液 体 1を保持可能な第 2領域 L A 2は、 供給ノズル 1 4及び回収ノズル., 21の液体 接触面を含んで構成されている。
'そして、 本実施形態においては、 制御装置 CON Tは、 第 1領域 LA 1 と第 2 領域 L A 2との位置関係に応じて、 基板ステージ P S Tの移動を制限する。 具体 的には、 図 20 (a) に示すように、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 L A 2との間に 液体 1を保持している場合において、 図 20 (b) に示すような第 1領域 L A 1 と第 2領域 L A 2との位置関係までは液体 1を保持することができる。 しかし、 図 20 (b) に示す位置関係よりも基板ステージ P S Tが +X方向に移動した場 合には、 液浸領域 A R 2の一部が第 1領域 L A 1よりも外側に出て、 第 1領域し A 1 と第 2領域 L A 2との間に液体 1 を保持できない状況が発生する。 このとき、 制御装置 CON Tは、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 L A 2との位置関係に異常が生 じたと判断し、 基板ステージ P S Tの移動を制限する。 具体的には、 制御装置 C ON Tは、 基板ステージ P S Tの移動を停止する。 これにより、 液体 1の流出な どの不都合を防止できる。 ここで、 制御装置 CO N Tは、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 LA 2との位置関係 に異常が生じたか否かを、 干渉計 46の計測結果によって判断することができる。 制御装置 CON Tは、 干渉計 46によって基板ステージ P S Tの X Y方向の位置 を検出し、 その位置検出結果に基づいて、 第 2領域 L A 2に対する第 1領域 L A 1の位置情報、 すなわち第 1領域 L A 1 と第 2領域 L A 2との位啬関係を求める。 第 1領域 L A 1及び第 2領域 L A 2それぞれの大きさに関する情報は、 制御装置 CON Tに予め記憶されている。 また、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 LA 2との間 に形成される液浸領域 A R 2の大きさに関する情報も、 例えば実験ゃシミュレ一 シヨンによって予め求められており、 制御装置 CON Tに記憶されている。 更に は、 制御装置 CON Tには、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 L A 2との位置関係に関- する異常値が予め求められており、 制御装置 CO N Tに記憶されている。 ここで、 前記異常値とは、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 L A 2との間に液体 1を保持できな い位置関係となる値 (相対距離) であり、 第 2領域 LA 2に対して第, 1領域 LA 1が上記異常値を超えたときには、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 LA 2との間に液 体 1を保持することができない。 制御装置 CON Tは、 干渉計 46の計測結果に基づいて、 第 2領域 LA 2に対 する第 1領域 L A 1の位置が前記異常値を超えたときに、 基板ステージ P S丁の 移動を制限 (停止) する。 こうすることにより、 液体 1の流出等の不都合を防止 できる。 また、 制御装置 CON Tは、 干渉計 46の計測結果に基づいて、 第 2領域 LA 2に対する第 1領域 L A 1の位置が前記異常値を超えたときに、 基板ステージ P S Tの移動を停止するかわりに、 基板ステージ P S Tの移動方向を変えるように してもよい。 具体的には、 図 20において、 基板ステージ P S Tが +X方向に移 動することによって、 第 2領域 L A 2が第 1領域 L A 1に対して異常な位置関係 になったとき、 制御装置 CONTは、 基板ステージ P S Tを例えば— X方向に移 動させる。 こうすることによつても、 液体 1の流出等の不都合を防止できる。 また、 制御装置 CO N Tは、 第 1領域 L A 1と第 2領域 L A 2との位置関係に 異常が生じて、 第 2領域 L A 2に対する第 1領域 L A 1の位置が前記異常値を超 えたときに、 液体供給機構 ( 1 0) の動作を制限するようにしてもよい。 具体的 には、 制御装置 CON Tは、 第 1領域 LA 1 と第 2領域 L A 2との位置関係に異 常が生じたとき、 液体供給機構 ( 1 0) による液体供給動作を停止 る。 こうす ることによつても、 液体 1の流出等の不都合を防止できる。 あるいは、 制御装置 CONTは、 第 2領域 L A 2が第 1領域 L A 1に対して異常な位置関係になった とき、 液体供給機構 ( 1 0) による液体供給量 (単位時間あたりの液体供給量) を低減する。 あるいは、 制御装置 CO N Tは、 第 1領域 LA 1と第 2領域 L A 2 との位置関係に異常が生じたとき、 リニアモータ (47、 48) や防振装置
(9) への電力供給を停止したり、 吸気口 (42A) からの吸気を停止するよう にしてもよい。 一方で、 例えば基板 Pの液浸露光終了後、 液体供給機構 ( 1 0) による液体供 給を停止し、 液体回収機構 (20) によって基板 Pi (基板ステージ P ST) 上 の液体 1を回収した後は、 第 1領域 LA 1と第 2領域 L A 2との間には液体 1は 保持されていない。 その場合、 制御装置 CO NTは、 基板ステージ PSTの移動 の制限を解除する。 つまり、 制御装置 CO NTは、 液体供給機構 ( 1 0) が液体 1を供給している間は、 基板ズテ一ジ P S Tの移動範囲を、 第 1領域 L A 1と第 2領域 L A 2との間に液体 1を保持できる第 1の範囲に制限し、 液体供給機構
( 1 0) が液体 1の供給を停止している間は、 前記第 1の範囲より広い第 2の範 囲に制限する。 すなわち、 制御装置 CO NTは、 投影光学系 P Lと基板ステージ P S T (基板 P) との間に液体 1を保持している場合には、 基板ステージ P ST の移動範囲を第 1の範囲に制限し、 投影光学系 P Lと基板ステージ P S T (基板 P) との間に液体 1を保持していない場合には、 第 1範囲よりも広い第 2範囲内 での基板ステージ P S Tの移動を許容している。 こうすることにより、 例えば基 板 Pの露光中に、 投影光学系 P Lと基板ステージ P S T (基板 P) との間に液体 1を良好に保持しつづけることが可能となり、 例えばその後の動作である基板ス テ―ジ P S Tが基板 Ρのロード 'アン口—ド位置まで移動する動作などの所定の 動作を円滑に行うことができる。 図 2 1は本発明の別の実施形態を示す図であって、 図 21 (a) は側面図、 図 2 1 (b) は基板ステージを上方から見た平面図である。 図 2 1 (a) において、 投影光学系 P Lの光学素子 2の周囲には、 液体供給口 1 4 K及び液体回収口 2 1 Kを有するノズル部材 1 8が設けられている。 本実施形態において、 ノズル部材 1 8は、 基板 P (基板ステージ P S T) の上方において、 光学素子 2の側面を囲 むように設けられた環状部材である。 ノズル部材 1 8と光学素子 2との間には隙 間が設けられており、 ノズル部材 1 8は光学素子 2の振動から孤立されるように' 所定の支持機構で支持されている。 ノズル部材 1.8は、 基板 P (基板ステージ P S T) の上方に設け,ら>れ、 その基 板 P表面に対向するように配置された液体供給口 1 4 Kを備えている。 本実施形 態において、 ノズル部材 1 8は 2つの液体供給口 1 4 Kを有している。 液体供給 口 1 4 Kはノズル部材 1 8の下面 1 8 aに設けられている。 更に、 ノズル部材 1 8は、 基板 P (基板ステージ P S T) の上方に設けられ、 その基板 P表面に対向するように配置された液体回収口 2 1 Kを備えている。 本 実施形態において、 ノズル部材 1 8は 2つの液体回収口 2 1 Kを有している。 液 体回収口 21 Kはノズル部材 1 8の下面 1 8 aに設けられている。 液体供給口 1 4 K、 1 4 Κは、 投影光学系 P Lの投影領域 A R 1 を挟んだ X軸 方向両側のそれぞれの位置に設けられており、 液体回収口 2 1 K、 21 Κは、 投 影光学系 P Lの投影領域 A R 1に対して液体供給口 1 4 K、 1 4 Kよりも外側に 設けられている。 なお、 本実施形態における投影光学系 P Lの投影領域 A R 1は、 Y軸方向を長手方向とし、 X軸方向を短手方向とした平面視矩形状に設定されて いる。 ノズル部材 1 8の下面 (基板 P側を向く面) 1 8 aはぼぼ平坦面であり、 光学 素子 2の下面 (液体接触面) 2 aも平坦面となっており、 ノズル部材 1 8の下面 1 8 aと光学素子 2の下面 2 aとはほぼ面一となつている。 これにより、 広い範 囲で液浸領域 A R 2を良好に形成することができる。 そして、 液体 1を保持可能 な第 2領域 L A 2は、 光学素子 2の下面 2 a及びノズル部材 1 8の卞面 1 8 aの うち回収口 2 1 Kよりも内側の領域となっている。 基板ステージ P S T上には凹部 5 5が設けられており、 基板ホルダ P Hは凹部 5 5に配置されている。 そして、 基板ステージ P S Tのうち凹部 5 5以外の上面 5 7は、 基板ホルダ P Hに保持された基板 Pの表面とほぼ同じ高さ (面一) にな · るような平坦面 (平坦部) となっている。 そして、 液体 1 を保持可能な第 1領域 L A 1は、 基板 P表面及び上面 5 7を含む領域となっている。 図 2 1 ( b ) に示すように、 平面視矩形状の基板ステージ P S Tの互いに垂直 な 2つの縁部に移動鏡 4 5が配置されている。 また、 基板ステージ P S T上にお し て、 基板 Pの外側の所定位置には、 基準部材 3 0 0が配置されている。 基準部 材 3 0 0には、 不図示の基板ァライメン 卜系により検出される基準マーク P F M と、 マスクァライメント系により検出される基準マーク M F Mとが所定の位置関 係で設けられている。 なお本美施形態の基板ァライメン卜系では、 例えば特開平 4 - 6 5 6 0 3号公報に開示されているような、 基板ステージ P S Tを静止させ てマーク上にハロゲンランプからの白色光等の照明光を照射して、 得られたマ一 クの画像を撮像素子により所定の撮像視野内で撮像し、 画像処理によってマーク の位置を計測する F I A (フィールド · イメージ 'ァライメン卜) 方式が採用さ れている。 また本実施形態のマスクァライメン 卜系では、 例えば特開平 7— 1 7 6 4 6 8号公報に開示されているような、 マークに対して光を照射し、 C C D力 メラ等で撮像したマークの画像データを画像処理してマーク位置を検出する V R A (ビジュアル . レチクル ·ァライメン卜) 方式が採用されている。 基準部材 3 0 0の上面 3 0 1 Aはほぼ平坦面となっており、 基板ステージ P S Tに保持され た基板 P表面、 及び基板ステージ P S Tの上面 5 7とほぼ同じ高さ (面一) に設 けられている。 基準部材 3 0 0の上面 3 0 1 Aは、 フォーカス検出系 5 6の基準 面としての役割も果たすことができる。 また、 基板ァライメント系は、 基板 P上に形成されたァライメン卜マーク A M も検出する。 図 2 1 ( b ) に示すように、 基板 P上には複数のショッ 卜領域 S 1 〜S 2 4が形成されており、 ァライメントマ一ク A Mは複数のショッ ト領域 S 1 〜S 2 4に対応して基板 P上に複数設けられている。 また、 基板ステージ P S T上のうち、 基板 Pの外側の所定位置には、 計測用セ ンサとして例えば特開昭 5 7— 1 1 7 2 3 8号公報に開示されているような照度 ムラセンサ 4 0 0が配置されている。 照度ムラセンサ 4 0 0は平面視^ ¾形状の上 板 4 0 1を備えている。 上板 4 0 1の上面 4 0 1 Aはほぼ平坦面となっており、 基板ステ—ジ Ρ· S Tに保持された基板 P表面、 及び基板ステージ Ρ, S , Τの上面 5 7とほぼ同じ高さ (面一) に設けられている。 上板 4 0 1の上面 4 0 1 Αには、 光を通過可能なピンホール部 4 7 0が設けられている。 上面 4 0 1 Aのうち、 ピ ンホール部 4 7 0以外はクロムなどの遮光性材料で覆われている。 また、 基板ステージ P S T上のうち、 基板 Pの外側の所定位置には、 計測用セ ンサとして例えば特開 2 0 0 2 - 1 4 0 0 5号公報に開示されているような空間 像計測センサ 5 0 0が設けられている。 空間像計測センサ 5 0 0は平面視矩形状 の上板 5 0 1を備えている。 上板 5 0 1の上面 5 0 1 Aはほぼ平坦面となってお り、 基板ステージ P S Tに保持された基板 P表面、 及び基板ステージ P S Tの上 面 5 7とほぼ同じ高さ (面一) に設けられている。 上板 5 0 1の上面 5 0 1 Aに は、 光を通過可能なスリッ 卜部 5 7 0が設けられている。 上面 5 0 1 Aのうち、 スリッ ト部 5 7 0以外はクロムなどの遮光性材料で覆われている。 また、 基板ステージ P S T上には、 例えば特開平 1 1 — 1 6 8 1 6号公報に開 示されているような照射量センサ (照度センサ) 6 0 0も設けられており、 その 照射量センサ 6 0 0の上板 6 0 1の上面 6 0 1 Aは基板ステージ P S Tに保持さ れた基板 P表面や基板ステージ P S Tの上面 57とほぼ同じ高さ (面一) に設け られている。 また、 基板ステージ P S Τの側面には、 この基板ステージ P S Τを囲むように 樋部材 89が設けられている。 樋部材 89は基板 Ρ上や基板ステージ P S Τ上か ら漏出した液体 1を回収可能 (保持可能) であって、 基板ステージ P S Tの上面 (平坦面) 57の外側に設けられている。 そして、 その樋部材 89の内部には、 液体 1の有無を検知可能な光ファイバ 80が配置されている。 樋部材 89の光フ アイバ 80が液体 1の存在を検知したとき、 制御装置 CONTは、 上述した実施 形態同様、 液体供給機構 ( 1 0) の液体供給動作を停止するなどの適切な処置を- 施す。 本実施形態に'おいては、 基板 Ρを露光するときに基板 Ρ上に液浸^域 A R 2が 形成されることはもちろん、 基準部材 300の例えば基準マーク MFMを計測す るときや、 センサ 400、 500、 600を使った計測処理を行うとき、 上板 3 0Ί、 401、 501、 601上のそれぞれに液浸領域 A R 2が形成される。 そ して、 液体 1を介した計測処理が行われる。 例えば基準部材 300上の基準マー ク MFMを液体 1を介して計測するときは、 第 1領域 L A 1のうち基準部材 30 0の上面 301 Aを含む領域ど第 2領域 L A 2とが対向し、 その第 1領域 L A 1 の一部と第 2領域 L A 2との間に液体 1が満たされる。 照度ムラセンサ 400を 使って液体 1を介した計測処理を行うときには、 第 1領域 L A 1のうち上板 40 1の上面 401 Aを含む領域と第 2領域 L A 2とが対向し、 その第 1領域 L A 1 の一部と第 2領域 LA 2との間に液体 1が満たされる。 同様に、 センサ 500、 600を使って液体 1を介した計測処理を行うときには、 第 1領域 L A 1のうち 上板 501、 601の上面 501 A、 601 Aを含む領域と第 2領域 L A 2とが 対向し、 その第 1領域 L A 1の一部と第 2領域 L A 2との間に液体 1が満たされ そして、 制御装置 CO N Tは、 基板ステージ P S T上 (第 1領域 LA 1上) に 液浸領域 A R 2を形成するために液体供給機構 ( 1 0) が液体 1を供給している 間は、 基板ステージ P S Tの移動範囲を、 図 2 1 (b) に示す第 1の範囲 S R 1 に制限する。 図 21 (b) において、 符号 LA 2 aは、 液体 1を保持可能な範囲 において、 第 2領域 L A 2が第 1領域 L A 1のうち最も + Y側且つ _ X側に配置 されたときの位置を示している。 ここで図 2 1 (b) においては、 説明を簡単に するために、 基板ステージ P S T (第 1領域 LA 1 ) に対して投影光学系 P Lの 光軸 AX (第 2領域 LA 2) が移動するものとして説明する。 同様に、 符号 LA 2 bは、 第 2領域 L A 2が第 1領域 L A 1のうち最も + Y側且つ + X側に配置さ れたときの位置を示している。 符号 L A 2。は、 第 2領域 L A 2が第 1領域 L A- 1のうち最も— Y側且つ +X側に配置されたときの位置を示している。 符号 L A 2 dは、 第 2領域 L A 2が第 1領域 L A 1のうち最も— Y側且つ― X側に配置さ れたときの位置を示している。 , , そして、 各第 2領域 LA 2 a〜し A 2 dそれぞれの中心 (ここでは投影光学系 P—しの光軸 AX) を結んだ内側の領域が、 第 1の範囲 S R 1である。 このように、 液体供給機構 ( 1 0) が液体 1 を供給している間は、 基板ステージ P S Tの移動 範囲を第 1の範囲 S R 1に制限することで、 常に第 1領域 A L 1 と第 2領域 A L 2との間に液体 1 を保持する とができ、 液体 1の漏出等の不都合を防止できる。 一方、 液体供給機構 ( 1 0) が液体 1を供給していない間は、 制御装置 CON Tは、 基板ステージ P S Tの移動範囲を、 第 1の範囲 S R 1よりも広い第 2の範 囲 S R 2に制限する。 ここで、 第 1の範囲 S R 1は第 2の範囲 S R 2に含まれて いる。 このように、 液体供給機構 ( 1 0) が液体 1の供給を停止している間は、 前記第 1の範囲 S R 1より広い第 2の範囲 S R 2に制限することにより、 基板ス テ―ジ P S Tが基板 Pのロード .アン口一ド位置まで移動する動作などの所定の 動作を円滑に行うことができる。 以上、 本発明の各実施形態を具体的に説明してきたが、 本発明では露光装置に 設けられた制御装置により異常が検知されたときには、 制御装置が露光装置の適 切な機構や装置を制御して、 漏水などに基づく漏電、 漏水吸引などを未然に防止 することができる。 ここで、 異常を検出する検出部位と、 制御装置と、 制御装置 により制御される被制御部の関係を図 2 3のブロック図にまとめて す。 露光装 置の制御装置は、 露光装置内部に設けられた各種検出装置、 例えば、 前述のよう に、 供給側流量計若しくは回収側流量計の単独またはそれらの流量差から異常 (液体流通) の異常を検知する供給側/回収側流量計、 基板ステージのステージ 位置を計測してステージ位置異常 (それによる漏水発生) を検知するステージ干 渉計、 基板ステージのフォーカス状況を計測してステージ位置異常 (それによる- 漏水発生) を検知するフォーカス検出系、 基板ステージやベースプレー卜に設け られた光ファイバやプリズムに付着した漏水 (異常) を検出する漏れ検出器 1 , 2、 回収夕ンク'の水位からの回収量の異常を検知する水位計などの ,各種検出系と 接続されている。 制御装置は、 それらの検出系から異常信号を受けることができ る。 この際、 制御装置は、 所定の基準信号と各検出器から受信した信号とを比較 じて正常な信号か異常な信号かを判定することができる。 露光装置の制御装置は、 また、 露光装置外部の各種関連装置、 例えば、 液体 (純水) 製造装置、 液体 (純永) 温調装置、 現像装置、 基板搬送装置などと接続 されており、 それらの関連装置の異常を知らせる信号を受信することができる。 また、 露光装置の制御装置は、 露光装置が設置されている工場の異常を知らせる 信号を受信することもできる。 露光装置が設置されている工場などの異常は、 露 光装置が配置されているクリーンルームの異常、 露光装置に供給される純水ゃ電 力などの容量の異常、 地震や火災などが挙げられる。 制御装置は、 所定の基準信 号と各関連装置から受信した信号とを比較して正常な信号か異常な信号かを判定 してもよい。 露光装置の制御装置は、 さらに、 前述の各実施形態で説明したように、 被制御 装置、 例えば、 液体供給機構、 液体回収機構、 ステージ装置、 特にステージエア ベアリング、 ステージリニアモ一夕、 基板ホルダ吸着系、 フォトマルなどのセン サ、 防振ュニッ 卜、 ァクチユエ一夕などの種々のコンポ一ネン卜と接続されてお り、 各コンポーネントの異常を知らせる信号を受信することができる。 また、 地 震を検知するためのセンサを備えている場合には、 制御装置はその地震センサか らも異常信号を受けることができる。 また、 液体 1の品質 (温度、'溶存酸素濃度、 有機物などの不純物の割合) を測定するための水質センザを備えている場合には、 その水質センサからも異常信号を受け取ることができる。 制御装置の制御動作を図 2 4を参照しながら、 簡単に説明する。 制御装置は、 露光装置内部の検出系または露光装置の外部の関連装置 1〜 4などから異常を示- す信号を受信する。 異常を示す信号は、 例えば、 液浸露光のために供給される (さらに回収される) 液体の流通に影響を与える信号である。 この際、 制御装置 は、 受信した信号と基準信号とを比較して、 受信した信号が異常信号.であること を判断しても良い。 次いで、 制御装置は異常信号から異常が生じた部位を特定す る。 この際、 制御装置は、 警報装置で警報を発してもよい。 そして、 制御装置は、 異常が生じた部位に応じていずれの装置を制御すべきかを判断し、 その装置に制 御信号を送り、 異常な状況に対処させる。例えば、 基板ステージに設けられた漏 れ検出器 1 (光ファイバなど) で液漏れが検出された場合には、 制御装置はその 検出信号に応じて液体供給機 «による液体供給、 ステ—ジ制御系によるステージ 移動、 ステージエアベアリング及び基板ホルダ吸着系による吸気、 さらに、 ステ —ジリニアモータ、 基板ホルダ吸着系、 センサ、 防振ュニッ 卜、 ァクチユエ一タ への給電をそれそれ停止し、 一方で、 液体回収機構の液体回収のみを継続させる ことができる。 いずれの装置の動作を停止するかは、 液体が漏洩した場所やその 度合い (信号の大きさ) に応じて制御装置が判断する。 検出信号の大きさによつ ては、 ステージリニアモータやセンサなどの電気機器はそのまま作動させておき、 液体供給機構の動作のみを停止させ得る。 上述したように、 本実施形態における液体 1は純水を用いた。 純水は、 半導体 製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、 基板 P上のフ才卜レジス卜や光 学素子 (レンズ) 等に対する悪影響がない利点がある。 また、 純水は環境に対す る悪影響がないとともに、 不純物の含有量が極めて低いため、 基板 Pの表面、 及 び投影光学系 P Lの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期 待できる。 そして、 波長が 1 9 3 n m程度の露光光 Eしに対する純水 (水) の屈折率 nは ほぼ 1 . 4 4程度と言われており、 露光光 E Lの光源として A r Fエキシマレ一 ザ光 (波長 1 9 3 n m ) を用いた場合、 基板 P上では 1 / n、 すなわち約 1 3 4 n m程度に短波長化されて高い解像度が得られる。 更に、 焦点深度は空気中に比 ベて約 n倍、 すなわち約 1 . 4 4倍程度に拡大されるため、 空気中で使用する場 合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、 投影光学系 P Lの開口数を より増加させることができ、 この点でも解像度が向上する。 本実施形態では、 投影光学系 P Lの先端に光学素子 2が取り付けられているが—、 投影光学系 P Lの先端に取り付ける光学素子としては、 投影光学系 P Lの光学特 性、 例えば収差 (球面収差、 コマ収差等) の調整に用いる光学プレー卜であって もよい。 あるいは露光光 E Lを透過可能な平行平面板であってもよい。 液体 1 と 接触する光学素子を、 レンズより安価な平行平面板とすることにより、 露光装置 E Xの運搬、 組立、 調整時等 I おいて投影光学系 P Lの透過率、 基板 P上での露 光光 E Lの照度、 及び照度分布の均一性を低下させる物質 (例えばシリコン系有 機物等) がその平行平面板に付着しても、 液体 1 を供給する直前にその平行平面 板を交換するだけでよく、 液体 1 と接触する光学素子をレンズとする場合に比べ てその交換コストが低くなるという利点がある。 即ち、 露光光 E Lの照射により レジス卜から発生する飛散粒子、 または液体 1中の不純物の付着などに起因して 液体 1に接触する光学素子の表面が汚れるため、 その光学素子を定期的に交換す る必要があるが、 この光学素子を安価な平行平面板とすることにより、 レンズに 比べて交換部品のコス卜が低く、 且つ交換に要する時間を短〈することができ、 メンテナンスコス卜 (ランニングコス卜) の上昇やスループッ 卜の低下を抑える ことができる。 なお、 本実施形態の液体 1は水であるが、 水以外の液体であってもよい、 例え ば、 露光光 E Lの光源が F 2レーザである場合、 この F 2レーザ光は水を透過しな いので、 この場合、 液体 1 としては F 2レーザ光を透過可能な例えばフッ素系オイ ルゃ過フッ化ポリエーテル (P F P E ) 等のフッ素系の液体を用いればよい。 ま た、 液体 1 としては、 その他にも、 露光光 E Lに対する透過性があってできるだ け屈折率が高く、 投影光学系 P Lや基板 P表面に塗布されているフォ卜レジス卜 に対して安定なもの (例えばセダ一油) を用いることも可能である。 上記各実施形態において、 上述したノズルの形状は特に限定されるものでなく、 例えば投影領域 A R 1の長辺について 2対のノズルで液体 1の供給又は回収を行 うようにしてもよい。 なお、 この場合には、 + X方向、 又は一 X方向のどちらの 方向からも液体' .1の供給及び回収を行うことができるようにするため、 供給ノズ ルと回収ノズルと上下に並べて配置してもよい。 なお、 上記各実施形態の基板 Pとしては、 半導体デバイス製造用の半導体ゥェ ハのみならず、 ディスプレイデバイス用のガラス基板や、 薄膜磁気へッ ド用のセ ラミックウェハ、 あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版
(合成石英、 シリコンウェハ) 等が適用される。 また、 上述の実施形態においては、 投影光学系 P Lと基板 Pとの間を局所的に 液体で満たす露光装置を採用しているが、 露光対象の基板を保持したステージを 液槽の中で移動させる液浸露光装置や、 ステージ上に所定深さの液体槽を形成し、 その中に基板を保持する液浸露光装置にも本発明を適用可能である。 露光対象の 基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置の構造及び露光動 作は、 例えば特開平 6— 1 2 4 8 7 3号公報に詳細に記載されており、 また、 ス テージ上に所定深さの液体槽を形成し、 その中に基板を保持する液浸露光装置の 構造及び露光動作は、 例えば特開平 1 0— 3 0 3 1 1 4号公報や米国特許 5, 8 2 5 , 0 4 3に詳細に記載されており、 それぞれ本国際出願で指定または選択さ れた国の法令で許容される限りにおいて、 これらの文献の記載内容を援用して本 文の記載の一部とする。 露光装置 E Xとしては、 マスク Mと基板 Pとを同期移動してマスク Mのパター ンを走査露光するステップ ·アンド ·スキャン方式の走査型露光装置 (スキヤ二 ングステツパ) の他に、 マスク Mと基板 Pとを静止した状態でマスク Mのパター ンを一括露光し、 基板 Pを順次ステップ移動させるステップ■アンド ' リピート 方式の投影露光装置 (ステツパ) にも適用することができる。 また、 本発明は基 板 P上で少なくとも 2つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ■アン ド -スティツチ方式の露光装置にも適用できる。 また、 本発明は、 ウェハ等の被処理基板を別々に載置して XY方向に独立に移 動可能な 2つのステージを備えたツインステ一ジ型の露光装置にも適用できる。 ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、 例えば特開平 1 0— 1 63 099号及び特開平 1 0— 21 4783号 (対応米国特許 6 , 341 , 007、 6', 400, 441、 6, 549, 269及び 6, 590, 634) 、 特表 200 0— 505958号 (対応米国特許 5, 969, 441 ) あるいは米国特許 6 , 208, 407に開示されており、 本国際出願で指定または選択された国の法令 で許容される限りにおいて、 れらの開示を援用して本文の記載の一部とする。 また、 特開平 1 1 — 1 35400号公報に開示されているように、 基板 Pを保 持する基板ステージと、 各種計測部材やセンサなどを備えた計測ステージとを備 えた露光装置にも本発明を適用することができる。 この場合、 投影光学系と計測 ステージの上面との間にも液体を保持することが可能であり、 この計測ステ一ジ にも上述の漏水検知器などの対策を施すことができる。 露光装置 E Xの種類としては、 基板 Pに半導体素子バターンを露光する半導体 素子製造用の露光装置に限られず、 液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用 の露光装置や、 薄膜磁気へッ ド、 撮像素子 (CC D) あるいはレチクル又はマス ク等を製造するための露光装置等にも広く適用できる。 基板ステージ P S Tやマスクステージ M S Tにリニアモータを用いる場合は、 エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリァ'クタンスカを 用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。 また、 各ステージ P S T、 M S Tは、 ガイ ドに沿って移動するタイプでもよく、 ガイ ドを設けないガイ ドレスタイプで あってもよい。 ステージにリニアモータを用いた例は、 米国特許 5, 623, 8 53及び 5, 528, 1 1 8に開示されており、 それぞれ本国際出願で指定また は選択された国の法令で許容される限りにおいて、 これらの文献の記載内容を援 用して本文の記載の一部とする。 各ステージ P-S T、 MS Tの駆動機構としては、 二次元に磁石を配置した磁石 ュニッ 卜と、 二次元にコイルを配置した電機子ュニッ 卜とを対向させ電磁力によ り各ステージ P S T、 MS Tを駆動する平面モータを用いてもよい。 この場合、 磁石ュニッ 卜と電機子ュニッ 卜とのいずれか一方をステ一ジ P S T、 MS Tに接 続し、 磁石ュニヅ 卜と電機子ュニッ 卜との他方をステージ P S T、 MS Τの移動 面側に設ければよい。 基板ステージ P S Tの移動により発生する反力は、 投影光学系 P Lに伝わらな いように、 フレー厶部材を用いて機械的に床 (大地) に逃がしてもよい。 この反 力の処理方法は、 例えば、 米国特許 5 , 528, 1 1 8 (特開平 8— 1 6647 5号公報) に詳細に開示されており、 本国際出願で指定または選択された国の法 令で許容される限りにおいて、 この文献の記載内容を援用して本文の記載の一部 とする。 マスクステージ M S Tの移動により発生する反力は、 投影光学系 P Lに伝わら ないように、 フレーム部材を用いて機械的に床 (大地) に逃がしてもよい。 この 反力の処理方法は、 例えば、 米国特許第 5, 874, 820 (特開平 8 _ 3302 2 4号公報) に詳細に開示されており、 本国際出願で指定または選択された国の 法令で許容される限りにおいて、 この文献の開示を援用して本文の記載の一部と する。 本実施形態の露光装置 E Xは、 本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を 含む各種サブシステムを、 所定の機械的精度、 電気的精度、 光学的精度を保つよ うに、 組み立てることで製造される。 これら各種精度を確保するために、 この組 み立ての前後には、 各種光学系については光学的精度を達成するための調整、 各 種機械系については機械的精度を達成するための調整、 各種電気系については電 気的精度を達成するための調整が行われる。 各種サブシステムから露光装置への · 組み立て工程は、 各種サブシステム相互の、 機械的接続、 電気回路の配線接続、 気圧回路の配管接続等が含まれる。 この各種サブシステムから露光装置への組み 立て工程の前に' 各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもな い。 各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、 総合調整が行 われ、 露光装置全体としての各種精度が確保される。 なお、 露光装置の製造は、 溫度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 半導体デバイス等のマイクロデバイスは、 図 2 2に示すように、 マイクロデバ イスの機能■性能設計を行うズテツプ 2 0 1、 この設計ステップに基づいたレチ クル (マスク) を製作するステップ 2 0 2、 デバイスの基材である基板を製造す るステップ 2 0 3、 前述した実施形態の露光装置 E Xによりレチクルのパターン を基板に露光する基板処理ステップ 2 0 4、 デバイス組み立てステップ (ダイシ ング工程、 ボンディング工程、 パッケージ工程を含む) 2 0 5、 検査ステップ 2 0 6等を経て製造される。 産業上の利用可能性 本発明によれば、 液浸露光に影響を与える露光装置の内部装置または外部の関 連装置の異常を検知して、 露光用の液体の漏洩や浸入による周辺装置 ·部材ゃ露 光動作に与える影響を抑える、 あるいは低減することができるので、 高価な露光 装置の良好な状態を維持し、 精度良い液浸露光処理を行うことができる。 これに より、 所望の性能を有するデバイスを製造することができる。

Claims

請求の範囲
1 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であって: パターン像を基板上に投影する投影光学系と ;
投影光学系と基板との間へ液体を供給する液体供給機構を備え; '
液体供給機構は、 異常が検出されたときに液体の供給を停止する露光装置。
2 . さらに、 電気機器を備え、 液体の付着に起因する漏電を防止するために、 異常が検出されたときに、 前記電気機器への電力供給を停止する請求項 1に記載 の ¾光¾¾ o
3 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であって: パターン像を液体を介して基板上に投影する投影光学系と ; , , 電気機器を備え;
液体の付着に起因する漏電を防止するために、 異常が検出されたときに、 電気 機'器への電力供給を停止する露光装置。
4 . 前記基板を保持して移動可能な基板ステージを備え、 前記電気機器は、 前 記基板ステージを動かすためめリニアモータを含む請求項 2または 3に記載の露
5 . 吸気口を備え、 液体の流入を防止するために、 前記異常が検出されたとき に、 前記吸気口からの吸気を停止する請求項 1 または 3に記載の露光装置。
6 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であって: パターン像を液体を介して基板上に投影する投影光学系と ;
吸引系に流通する吸気口とを備え、
液体の流入を防止するために、 異常が検出されたときに、 吸気口からの吸気を 停止する露光装置。
7 . 前記基板を保持して移動可能な可動部材と、 前記吸気口を有し、 前記可動 部材をガイ ド面に対して非接触で移動させるためのエアベアリングとを備え、 前 記吸気口は、 前記可動部材と前記ガイ ド面との間の気体を吸気する請求項 5また は 6に記載の露光装置。
8 . 前記異常は、 前記基板を保持して移動可能な可動部材と前記投影光学系と の位置関係の異常を含む請求項 1、 3及び 6のいずれか一項に記載の露光装置。
9 . 前記異常な位置関係は、 前記投影光学系の下に液体を保持できない状態で ある請求項 8に記載の露光装置。
1 0 . 前記可動部材上の第 1領域と、 前記投影光学系の像面側先 i¾部を含み、 前記第 1領域に対向する第 2領域とを備え、 前記液体は、 前記第 1領域の少なく とも一部と前記第 2領域との間に保持されて液浸領域を形成し、 前記異常は、 前 記第 1領域と前記第 2領域との位置関係の異常を含む請求項 9に記載の露光装置。
1 1 . 前記異常な位置関係は、 前記液浸領域の少なくとも一部が前記第 1領域 よりも外側に出た状態を含む ffc求項 1 0に記載の露光装置。
1 2 . 前記第 1領域と前記第 2領域との位置関係の異常が検出されたときに、 前記可動部材の移動が停止される請求項 9に記載の露光装置。
1 3 . 前記異常は、 液体の漏れを含む請求項 1、 3及び 6のいずれか一項に記 載の露光装置。
1 4 . 液体の漏れを検出する検出器と、 前記検出器の検出結果に基づいて、 前 記露光装置の動作を制御する制御装置とを備えた請求項 1 3に記載の露光装置。
1 5 . 前記検出器は、 複数の所定位置のそれぞれに設けられ、 前記制御装置は、 前記液体を検出した検出器の位置に応じて、 前記液体供給の停止と前記電力供給 の停止との少な〈とも一方の動作を選択する請求項 1 4に記載の露光装置。
1 6 . 前記制御装置は、 前記検出器で検出した液体の量に応じて、 前記液体供 給の停止と前記電力供給の停止との少なくとも一方の動作を選択する請求項 1 4 に記載の露光装置。
1 7 . 前記検出器は、 前記基板を保持する基板ステージに配置される請求項 1 4に記載の露光装置。
1 8 . 前記検出器は、 前記基板を保持する基板ステージを移動可能に支持する ベース部材に配置される請求項 1 4に記載の露光装置。 : .
1 9 . 前記検出器は、 電磁駆動源の周辺に配置される請求項 1 4に記載の露光 装置。
2 0 . 前記検出器は、 前記基板を保持する基板ステージに設けられた液体回収 口の内部に配置される請求項 1 4に記載の露光装置。
2 1 . 前記基板ステージに保持された基板の周囲に該基板の表面とほぼ面一な 平坦部を有し、 前記液体回収口は、 前記平坦部の外側に設けられている請求項 2 0に記載の露光装置。
2 2 . 前記液体回収口は、 前記基板の周囲を囲むように形成された溝部を含む 請求項 2 0に記載の露光装置。 前記検出器は、 液体の漏れを光学的に検出する請求項 1 4に記載の露光
2 4 . 前記検出器は、 光ファイバを含む請求項 1 4に記載の露光装置。
2 5 . 前記液体供給機構によって供給された液体を回収する液体回収機構を備 え、 前記異常は、 前記液体回収機構の回収動作の異常を含む請求項' 1、 3及び 6 のいずれか一項に記載の露光装置。
2 6 . 前記液体回収機構の動作異常は、 前記液体供給機構から供給された液体 の量と前記液体回収機構で回収された液体の量とを比較することによって検知さ れる請求項 2 5に記載の露光装置。
2 7 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であつ て: '. , '
パターン像を液体を介して基板上に投影する投影光学系と ;
吸引系に流通された吸引口と;
-吸引口から吸い込まれた液体と気体とを分離する分離器と;
分離器によって分離された気体を乾燥させる乾燥器とを備えた露光装置。
2 8 . 前記乾燥器で乾燥し 気体が前記吸引系に流入する請求項 2 7に記載の 路尤衣 ifio
2 9 . 前記吸引口は液体を回収するために設けられている請求項 2 7に記載の
3 0 . 前記基板を保持する基板保持部材を備え、 前記吸引口は、 前記基板を吸 着保持するために前記基板保持部材に設けられている請求項 2 7に記載の露光装
3 1 . 電気機器を備え、 液体の付着に起因する漏電を防止するために、 異常が 検出されたときに、 前記電気機器への電力供給を停止する請求項 2 7に記載の露 光装置。
3 2 . 前記投影光学系と前記基板との間へ液体を供給する液体供給機構を備え、 前記液体供給機構は、 異常が検出されたときに液体の供給を停止する請求項 2 7 に記載の露光装置。
3 3 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であつ て:
基板を保持して移動可能な基板ステージであって、 その上に第 1領域を有する 基板ステージと ;
基板にバタ ン像を投影する投影光学系であって、 像面側先端部を含み、 第 1 領域と対向して第 1領域の少なくとも一部との間に液体を保持する第 2領域を有 する投影光学系と ;
—第 1領域と第 2領域との位置関係に応じて、 基板ステージの移動を制限する制 御装置を備える露光装置。
3 4 . 前記制御装置は、 前記第 1領域と前記第 2領域との間に液体を保持して し、る場合に前記制限を行う請求項 3 3に記載の露光装置。
3 5 . 前記制御装置は、 前記第 1領域と前記第 2領域との間に液体を保持して いない場合に前記制限を解除する請求項 3 3に記載の露光装置。
3 6 . 前記基板ステージは、 前記基板ステージ上に保持した前記基板表面とほ ぼ面一な平坦部を有し、 前記第 1領域は、 前記基板表面及び前記平坦部のうち少 な〈とも一方を含む請求項 3 3に記載の露光装置。
3 7 . 前記投影光学系の先端部の周囲に設けられ、 前記液体を供給する供給口 及び前記液体を回収する回収口のうち少なくともいずれか一方を有するノズル部 材を有し、 前記第 2領域は、 前記ノズル部材の少な〈とも一部を含む請求項 3 3 に記載の露光装置。
3 8 . 前記回収口は、 前記投影光学系の投影領域に対して前記供給口よりも外 側に設けられ、 前記第 2領域は、 前記回収口よりも内側の領域である請求項 3 7 に記載の露光装置。
3 9 . 前記第 2領域に対する前記第 1領域の位置情報を計測する計測装置を備 え、 前記制御装置は、 前記計測装置の計測結果に基づいて、 前記基板ステージの 移動範囲を制限する請求項 3 3に記載の露光装置。
4 0 . 前記制御装置は、 前記第 1領域と前記第 2領域との位置関係に関する異 常値を予め記憶し、 前記第 2領域に対する前記第 1領域の位置が前記異常値を越 えたときに、 前記基板ステージの移動を停止する請求項 3 3に記載の露光装置。
4 1 . 液体を供給する液体供給機構を備え、 前記制御装置は、 前記第 1領域と 前記第 2領域との位置関係に≤づいて、 前記液体供給機構の動作を制限する請求 項 3 3に記載の露光装置。
4 2 . 前記制御装置は、 前記第 1領域と前記第 2領域との位置関係に関する異 常値を予め記憶し、 前記第 2領域に対する前記第 1領域の位置が前記異常値を越 えたときに、 前記液体供給機構による液体供給を停止する請求項 4 1に記載の露 光装置。
4 3 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であつ て:
基板上に液体を介してパターン像を投影する投影光学系と ; 基板を保持して移動可能な基板ステージと ;
基板ステージを移動可能に支持するベース部材と ;
基板ステージに設けられ、 液体を検知する第 1検出器と ;
ベース部材に設けられ、 液体を検知する第 2検出器と ;
第 1検出器及び第 2検出器の検出結果に応じて、 露光装置の動作を制御する制 御装置とを備える露光装置。
4 4 . 前記基板上に前記液体を供給する液体供給機構を備え、 前記制御装置は、 前記第 1検出器が液体を検知したときに、 前記液体供給機構の液体供給動作を停 止する請求項 4 3に記載の露光装置。
4 5 . 前記基板ステージを駆動する駆動装置と、 前記べ—ス部材を防振支持す る防振装置とを備え、 前記制御装置は、 前記第 2検出器が液体を検知したときに、 前記駆動装置と前記防振装置との少なくとも一方への電力供給を停止する請求項 4 3に記載の露光装置。
4 6 . 前記基板ステージを駆動する駆動装置と、 前記ベース部材を防振支持す る防振装置とを備え、 前記制御装置は、 前記第 1検出器と前記第 2検出器との少 なくとも一方が第 1基準値以上の液体を検知したときに前記液体供給機構の液体 供給動作を停止し、 第 2基準値以上の液体を検知したときに前記駆動装置と前記 防振装置との少なくとも一方への電力供給を停止する請求項 4 3に記載の露光装
4 7 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であつ て:
パターン像を基板上に投影する投影光学系と ;
投影光学系と基板との間へ液体を供給する液体供給機構と;
基板を保持して移動可能な基板ステージと ; 液体供給機構が液体を供給している間は、 基板ステージの移動範囲を第 1の範 囲に制限し、 液体供給機構が液体の供給を停止している間は、 基板ステージの移 動範囲を第 1の範囲より広い第 2の範囲に制限する制御装置とを備えた露光装置。
4 8 . 前記第 1の範囲は、 前記第 2の範囲に含まれる請求項 4 7に記載の露光 装置。
4 9 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置であつ て:
パターン像を基板上に投影する投影光学系と ;
投影光学系の像面側に液体を供給するための液体供給機構と;
投影光学系の像面側で移動可能なステージと ;
ステージの移動範囲を制御する制御装置とを備え; .
該制御装置が、 投影光学系とステージとの間に液体が保持されているときのス テ一ジの移動範囲を、 投影光学系とステージとの間に液体を保持されていないと ぎのステージの移動範囲より狭い範囲に制限する露光装置。
5 0 . 前記ステージは、 前記基板を保持して、 前記投影光学系の像面側で移動 可能である請求項 4 9に記載 ώ露光装置。
5 1 . 前記制御装置は、 ステージの上面の液体保持可能な領域の大きさと、 そ のステージ上面に対向するように配置された液体保持面の大きさとに基づいて、 投影光学系とステージとの間に液体が保持されているときのステ一ジの移動範囲 を制限する請求項 4 9に記載の露光装置。
5 2 . 請求項 1、 3、 6、 2 7、 3 3、 4 3、 4 7及び 4 9のいずれか一項に 記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
5 3 . 液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光する露光装置を制御す る方法であって、 パターン像を基板上に投影する投影光学系と、 投影光学系の像 面側へ液体を供給する液体供給機構と、 電気工ネルギ—を駆動力とする機器と、 気体を吸引する機能を有する機器を含むコンポーネントから構成され且つ外部関 連装置と接続される露光装置の制御方法であって:
前記投影光学系の像面側へ液体を供給することと;
前記コンポーネント及び外部関連装置の少なくとも一つから異常を知らせる信 号を受信することと;
前記受信した信号に基づいて、 液体供給機構、 電気エネルギーを駆動力とする 機器及び気体を吸引する機能を有する機器の少な〈とも一種の動作を制限するこ とを含む露光装置の制御方法。
5 4 . 前記信号を受信したときに、 液体漏れの場所を同定し、 同定んた場所に 応じて、 液体供給機構、 電気エネルギーを駆動力とする機器及び気体を吸引する 機能を有する機器のうちの動作を制限する機構又は機器を選択することを含む請 求項 5 3に記載の露光装置の制御方法。
5 5 . さらに、 露光装置のコンポーネン卜が液体回収装置を含み、 前記信号を 受信したときに液体回収装置め回収能力を増大する請求項 5 3に記載の露光装置 の制御方法。
5 6 . 前記信号を受信したときにアラームを発する請求項 5 3に記載の露光装 置の制御方法。
5 7 . 前記液体供給機構は、 異常が検出されたときに液体の供給を停止する請 求項 5 3に記載の露光装置の制御方法。
PCT/JP2004/010991 2003-07-28 2004-07-26 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 WO2005010962A1 (ja)

Priority Applications (18)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020127010893A KR101403117B1 (ko) 2003-07-28 2004-07-26 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
KR1020137015069A KR101414896B1 (ko) 2003-07-28 2004-07-26 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
KR1020117020276A KR101298864B1 (ko) 2003-07-28 2004-07-26 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
KR1020177028137A KR101935709B1 (ko) 2003-07-28 2004-07-26 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
KR1020147003636A KR101599649B1 (ko) 2003-07-28 2004-07-26 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
EP04748150A EP1653501B1 (en) 2003-07-28 2004-07-26 Exposure apparatus, device producing method, and exposure apparatus controlling method
KR1020147026289A KR101641011B1 (ko) 2003-07-28 2004-07-26 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
KR1020167019452A KR101785707B1 (ko) 2003-07-28 2004-07-26 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
KR1020157020237A KR101642670B1 (ko) 2003-07-28 2004-07-26 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
KR1020187037957A KR20190002749A (ko) 2003-07-28 2004-07-26 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
US11/338,661 US8451424B2 (en) 2003-07-28 2006-01-25 Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US11/366,743 US7505115B2 (en) 2003-07-28 2006-03-03 Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
HK06111843.0A HK1090175A1 (en) 2003-07-28 2006-10-26 Exposure apparatus, device producing method, and exposure apparatus controlling method
US13/751,509 US8749757B2 (en) 2003-07-28 2013-01-28 Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US14/264,711 US9494871B2 (en) 2003-07-28 2014-04-29 Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US15/332,509 US9760026B2 (en) 2003-07-28 2016-10-24 Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US15/689,321 US10185232B2 (en) 2003-07-28 2017-08-29 Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US16/223,802 US20190121246A1 (en) 2003-07-28 2018-12-18 Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003281183 2003-07-28
JP2003-281183 2003-07-28
JP2004045104 2004-02-20
JP2004-045104 2004-02-20

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US11/338,661 Continuation US8451424B2 (en) 2003-07-28 2006-01-25 Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005010962A1 true WO2005010962A1 (ja) 2005-02-03

Family

ID=34106918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/010991 WO2005010962A1 (ja) 2003-07-28 2004-07-26 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法

Country Status (8)

Country Link
US (7) US8451424B2 (ja)
EP (4) EP2264534B1 (ja)
JP (13) JP2010118689A (ja)
KR (10) KR101343720B1 (ja)
CN (4) CN102043350B (ja)
HK (5) HK1090175A1 (ja)
TW (8) TWI490916B (ja)
WO (1) WO2005010962A1 (ja)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006106832A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corporation 露光条件の決定方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7456929B2 (en) 2004-10-15 2008-11-25 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2010093301A (ja) * 2003-08-29 2010-04-22 Nikon Corp 液体回収装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7742147B2 (en) * 2005-10-11 2010-06-22 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US7990516B2 (en) 2004-02-03 2011-08-02 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with liquid detection apparatus
US7995186B2 (en) 2003-10-08 2011-08-09 Zao Nikon Co., Ltd. Substrate conveyance device and substrate conveyance method, exposure apparatus and exposure method, device manufacturing method
US8023100B2 (en) 2004-02-20 2011-09-20 Nikon Corporation Exposure apparatus, supply method and recovery method, exposure method, and device producing method
US8253924B2 (en) * 2005-05-24 2012-08-28 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method
US8319939B2 (en) 2004-07-07 2012-11-27 Asml Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method detecting residual liquid
US8384874B2 (en) 2004-07-12 2013-02-26 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method to detect if liquid on base member
US8436979B2 (en) 2003-06-19 2013-05-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US8488100B2 (en) 2003-04-11 2013-07-16 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8547528B2 (en) 2004-02-02 2013-10-01 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9097992B2 (en) 2004-08-19 2015-08-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9494871B2 (en) 2003-07-28 2016-11-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
CN102156390B (zh) * 2007-09-27 2017-03-01 Asml荷兰有限公司 涉及浸没光刻技术的方法和浸没光刻设备
US10289010B2 (en) 2006-09-01 2019-05-14 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US10289012B2 (en) 2006-09-01 2019-05-14 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
US10338482B2 (en) * 2006-08-31 2019-07-02 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US10684554B2 (en) 2005-05-03 2020-06-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE449982T1 (de) 2003-04-11 2009-12-15 Nikon Corp Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie
TWI616932B (zh) 2003-05-23 2018-03-01 Nikon Corp Exposure device and component manufacturing method
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101441844B1 (ko) 2003-08-21 2014-09-17 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101419192B1 (ko) 2003-08-29 2014-07-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2005159322A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7620499B2 (en) * 2004-04-16 2009-11-17 George Mason Intellectual Properties, Inc. Wavelet maxima curves of surface latent heat flux
KR101747662B1 (ko) 2004-06-09 2017-06-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8717533B2 (en) 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP2624282B1 (en) * 2004-06-10 2017-02-08 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and method, and methods for producing a device
JP3870207B2 (ja) 2004-08-05 2007-01-17 キヤノン株式会社 液浸露光装置及びデバイス製造方法
EP1833081A4 (en) * 2004-12-07 2010-11-24 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
US20080073596A1 (en) * 2006-08-24 2008-03-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
SG10201407478PA (en) 2006-08-31 2015-01-29 Nikon Corp Movable body drive system and movable body drive method, pattern formation apparatus and method, exposure apparatus and method, device manufacturing method, and decision-making method
KR101749442B1 (ko) 2006-08-31 2017-06-20 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP4366407B2 (ja) * 2007-02-16 2009-11-18 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
KR101547784B1 (ko) 2007-03-05 2015-08-26 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 패턴 형성 장치 및 패턴 형성 방법, 디바이스 제조 방법, 이동체 장치의 제조 방법, 및 이동체 구동 방법
JP2008256155A (ja) * 2007-04-06 2008-10-23 Canon Inc 除振装置、演算装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2009094254A (ja) * 2007-10-05 2009-04-30 Canon Inc 液浸露光装置およびデバイス製造方法
JP2009094255A (ja) 2007-10-05 2009-04-30 Canon Inc 液浸露光装置およびデバイス製造方法
US8115906B2 (en) * 2007-12-14 2012-02-14 Nikon Corporation Movable body system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and measurement device, and device manufacturing method
NL1036835A1 (nl) * 2008-05-08 2009-11-11 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method.
JP5001343B2 (ja) * 2008-12-11 2012-08-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 流体抽出システム、液浸リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置で使用される液浸液の圧力変動を低減する方法
NL2003854A (en) * 2008-12-22 2010-06-23 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2004820A (en) * 2009-06-30 2011-01-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of measuring flow rate in a two phase flow.
EP2497764A4 (en) 2009-11-06 2013-04-03 Hodogaya Chemical Co Ltd DIPHENYLNAPHTYLAMINE DERIVATIVE
WO2011055860A1 (en) 2009-11-09 2011-05-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, exposure apparatus maintenance method, exposure apparatus adjustment method and device manufacturing method
NL2005528A (en) * 2009-12-02 2011-06-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP5849505B2 (ja) * 2011-08-05 2016-01-27 大日本印刷株式会社 半導体製造システム
JP6155581B2 (ja) * 2012-09-14 2017-07-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、デバイス製造方法
JP6252869B2 (ja) * 2012-11-20 2017-12-27 株式会社ニコン 露光装置、移動体装置、及びデバイス製造方法
JP6107453B2 (ja) * 2013-06-13 2017-04-05 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
WO2018225117A1 (ja) * 2017-06-05 2018-12-13 ギガフォトン株式会社 レーザ装置、及びeuv光生成システム
JP6418281B2 (ja) * 2017-06-07 2018-11-07 株式会社ニコン 露光装置
US11123845B2 (en) * 2017-06-21 2021-09-21 Hp Indigo B.V. Vacuum tables
US11139196B2 (en) 2017-10-12 2021-10-05 Asml Netherlands B.V. Substrate holder for use in a lithographic apparatus
JP7015147B2 (ja) * 2017-11-06 2022-02-02 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品製造方法
JP2019032552A (ja) * 2018-10-10 2019-02-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、デバイス製造方法
JP7402350B2 (ja) * 2020-04-07 2023-12-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 差動測定システム
WO2024078802A1 (en) * 2022-10-12 2024-04-18 Asml Netherlands B.V. Substrate support qualification

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11176727A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
JPH11204390A (ja) * 1998-01-14 1999-07-30 Canon Inc 半導体製造装置およびデバイス製造方法
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000058436A (ja) * 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2002015978A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Canon Inc 露光装置
JP2004207696A (ja) * 2002-12-10 2004-07-22 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法

Family Cites Families (259)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US656670A (en) * 1899-08-25 1900-08-28 Farbenfabriken Of Elberfeld Company Blue anthrarufin dye and process of making same.
SU560683A1 (ru) * 1975-12-23 1977-06-05 Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Технологии Автомобильной Промышленности Устройство дл выталкивани поковок
US4270049A (en) 1978-06-12 1981-05-26 Ishikawajima-Harima Jukogyo Kabushiki Kaisha Liquid leakage detection system
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) * 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) * 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
US4672271A (en) * 1985-04-15 1987-06-09 Omniprise, Inc. Apparatus and method for automatic operation of a high pressure mercury arc lamp
JPS6265326A (ja) * 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPH01276043A (ja) 1988-04-28 1989-11-06 Mitsubishi Cable Ind Ltd 導波路型液体検知器
JPH0336940U (ja) 1989-08-22 1991-04-10
JP2885845B2 (ja) * 1989-10-02 1999-04-26 キヤノン株式会社 X線露光装置
EP0422814B1 (en) 1989-10-02 1999-03-17 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JPH0449614A (ja) * 1990-06-19 1992-02-19 Canon Inc X線露光装置
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置
JP2830492B2 (ja) 1991-03-06 1998-12-02 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JPH04305915A (ja) * 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0590351U (ja) 1991-05-20 1993-12-10 株式会社ツーデン 漏液センサ
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系
JPH05173639A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Fujitsu Ltd 位置制御装置及びその制御方法
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
US5559582A (en) * 1992-08-28 1996-09-24 Nikon Corporation Exposure apparatus
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JPH06288915A (ja) * 1993-03-30 1994-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液検出装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US6989647B1 (en) 1994-04-01 2006-01-24 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US7365513B1 (en) 1994-04-01 2008-04-29 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH0886612A (ja) * 1994-09-19 1996-04-02 Canon Inc 光ヘテロダイン干渉を利用した位置ずれ検出装置
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
US6008500A (en) 1995-04-04 1999-12-28 Nikon Corporation Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JP3137174B2 (ja) 1995-09-08 2001-02-19 横河電機株式会社 Icテスタのテストヘッド
KR100228036B1 (ko) 1996-02-09 1999-11-01 니시무로 타이죠 표면에너지 분포측정장치 및 측정방법
US5885134A (en) 1996-04-18 1999-03-23 Ebara Corporation Polishing apparatus
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
IL130137A (en) 1996-11-28 2003-07-06 Nikon Corp Exposure apparatus and an exposure method
DE69735016T2 (de) 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
US5815246A (en) 1996-12-24 1998-09-29 U.S. Philips Corporation Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device
JP3626504B2 (ja) 1997-03-10 2005-03-09 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ 2個の物品ホルダを有する位置決め装置
US6268904B1 (en) 1997-04-23 2001-07-31 Nikon Corporation Optical exposure apparatus and photo-cleaning method
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JPH10335235A (ja) 1997-05-28 1998-12-18 Nikon Corp 露光装置、その光洗浄方法及び半導体デバイスの製造方法
JPH10335236A (ja) 1997-05-28 1998-12-18 Nikon Corp 露光装置、その光洗浄方法及び半導体デバイスの製造方法
DE69817663T2 (de) 1997-04-23 2004-06-24 Nikon Corp. Optischer Belichtungsapparat und optisches Reinigungsverfahren
JP3377165B2 (ja) * 1997-05-19 2003-02-17 キヤノン株式会社 半導体露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JPH1131647A (ja) * 1997-07-11 1999-02-02 Oki Electric Ind Co Ltd 投影露光装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JP4208277B2 (ja) * 1997-11-26 2009-01-14 キヤノン株式会社 露光方法及び露光装置
US6020964A (en) 1997-12-02 2000-02-01 Asm Lithography B.V. Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system
US6897963B1 (en) 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
JPH11264756A (ja) * 1998-03-18 1999-09-28 Tokyo Electron Ltd 液面検出器および液面検出方法、ならびに基板処理装置
KR20010089453A (ko) * 1998-11-18 2001-10-06 시마무라 테루오 노광방법 및 장치
EP1018669B1 (en) 1999-01-08 2006-03-01 ASML Netherlands B.V. Projection lithography with servo control
US6566770B1 (en) * 1999-06-15 2003-05-20 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor manufacturing apparatus and device manufacturing method
WO2001022480A1 (fr) 1999-09-20 2001-03-29 Nikon Corporation Mecanisme a attelages paralleles, systeme d'exposition et procede de fabrication, et procede de fabrication de dispositifs
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
EP1107067B1 (en) * 1999-12-01 2006-12-27 ASML Netherlands B.V. Positioning apparatus and lithographic apparatus comprising the same
US6995930B2 (en) 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
JP2001203145A (ja) * 2000-01-20 2001-07-27 Nikon Corp 露光装置
TW588222B (en) 2000-02-10 2004-05-21 Asml Netherlands Bv Cooling of voice coil motors in lithographic projection apparatus
JP2001308003A (ja) * 2000-02-15 2001-11-02 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US6472643B1 (en) 2000-03-07 2002-10-29 Silicon Valley Group, Inc. Substrate thermal management system
US20020041377A1 (en) 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
JP2001345245A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Nikon Corp 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
JP3469537B2 (ja) 2000-07-21 2003-11-25 サンクス株式会社 漏液センサ
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100471018B1 (ko) * 2000-11-28 2005-03-08 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 두 개의 대상물 간의 갭 조절장치 및 조절방법
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP2002305140A (ja) * 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
JP2002365809A (ja) * 2001-06-12 2002-12-18 Nsk Ltd 分割逐次露光装置
TW569288B (en) * 2001-06-19 2004-01-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus, liquid processing apparatus and liquid processing method
KR20030002514A (ko) 2001-06-29 2003-01-09 삼성전자 주식회사 웨이퍼가 장착될 척을 냉각시키기 위한 냉매 경로에서의냉매 누설을 감지할 수 있는 냉각 시스템
TWI226077B (en) * 2001-07-05 2005-01-01 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP2003022958A (ja) * 2001-07-09 2003-01-24 Canon Inc 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
JP2003037051A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Canon Inc 露光装置及びその制御方法、並びに半導体デバイスの製造方法
JP3869306B2 (ja) * 2001-08-28 2007-01-17 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法および現像液塗布装置
JP2003142366A (ja) * 2001-10-31 2003-05-16 Canon Inc 投影露光装置および該装置に用いるガス状態監視方法
JP3880480B2 (ja) * 2001-12-06 2007-02-14 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
TWI236944B (en) 2001-12-17 2005-08-01 Tokyo Electron Ltd Film removal method and apparatus, and substrate processing system
JP3990148B2 (ja) * 2001-12-17 2007-10-10 東京エレクトロン株式会社 処理システム
US7154676B2 (en) 2002-03-01 2006-12-26 Carl Zeiss Smt A.G. Very-high aperture projection objective
US7190527B2 (en) 2002-03-01 2007-03-13 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective
DE10229249A1 (de) 2002-03-01 2003-09-04 Zeiss Carl Semiconductor Mfg Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US7092069B2 (en) 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
KR20040104691A (ko) 2002-05-03 2004-12-10 칼 짜이스 에스엠테 아게 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈
JP2004072076A (ja) * 2002-06-10 2004-03-04 Nikon Corp 露光装置及びステージ装置、並びにデバイス製造方法
TWI307526B (en) 2002-08-06 2009-03-11 Nikon Corp Supporting device and the mamufacturing method thereof, stage device and exposure device
CN100462844C (zh) 2002-08-23 2009-02-18 株式会社尼康 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3977324B2 (ja) 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
EP2495613B1 (en) 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
CN101382738B (zh) 2002-11-12 2011-01-12 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
US6992750B2 (en) 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
CN1723541B (zh) 2002-12-10 2010-06-02 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
AU2003302831A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device
SG165169A1 (en) * 2002-12-10 2010-10-28 Nikon Corp Liquid immersion exposure apparatus
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
ATE424026T1 (de) 2002-12-13 2009-03-15 Koninkl Philips Electronics Nv Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht
JP4364805B2 (ja) 2002-12-19 2009-11-18 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上にスポットを照射する方法及び装置
ATE335272T1 (de) 2002-12-19 2006-08-15 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
US7010958B2 (en) 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7090964B2 (en) 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
KR101469405B1 (ko) 2003-04-10 2014-12-10 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
JP4656057B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
WO2004093160A2 (en) 2003-04-10 2004-10-28 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
KR20140139139A (ko) 2003-04-10 2014-12-04 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
ATE449982T1 (de) 2003-04-11 2009-12-15 Nikon Corp Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
SG2012031217A (en) 2003-04-11 2015-09-29 Nippon Kogaku Kk Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
SG194246A1 (en) 2003-04-17 2013-11-29 Nikon Corp Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI616932B (zh) 2003-05-23 2018-03-01 Nikon Corp Exposure device and component manufacturing method
TWI282487B (en) 2003-05-23 2007-06-11 Canon Kk Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
TWI442694B (zh) 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1489461A1 (en) 2003-06-11 2004-12-22 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4343597B2 (ja) 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1498778A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1494074A1 (en) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1639391A4 (en) 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS
US7128024B2 (en) * 2003-07-15 2006-10-31 Doyle Ii John Conan System and method for measuring animals
US7738074B2 (en) 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7006209B2 (en) * 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
JP4492239B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
KR101343720B1 (ko) 2003-07-28 2013-12-20 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의제어 방법
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
JP4492600B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7779781B2 (en) * 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7700267B2 (en) 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7579135B2 (en) 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101523180B1 (ko) 2003-09-03 2015-05-26 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4378136B2 (ja) * 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
JP2005136374A (ja) * 2003-10-06 2005-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法
US7678527B2 (en) 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
JP2005159322A (ja) 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
TWI361450B (en) 2003-10-31 2012-04-01 Nikon Corp Platen, stage device, exposure device and exposure method
JP2007525824A (ja) 2003-11-05 2007-09-06 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. マイクロチップを製造するための方法および装置
US7924397B2 (en) 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8854602B2 (en) 2003-11-24 2014-10-07 Asml Netherlands B.V. Holding device for an optical element in an objective
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
JP2005175016A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
WO2005059617A2 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having a high aperture and a planar end surface
WO2005106589A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
US7385764B2 (en) 2003-12-15 2008-06-10 Carl Zeiss Smt Ag Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
WO2005059645A2 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
WO2005069055A2 (en) 2004-01-14 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
CN101726863B (zh) 2004-01-16 2012-08-29 卡尔蔡司Smt有限责任公司 偏振调制光学元件
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
EP1706793B1 (en) 2004-01-20 2010-03-03 Carl Zeiss SMT AG Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US7026259B2 (en) 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
US8852850B2 (en) 2004-02-03 2014-10-07 Rochester Institute Of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
KR101276392B1 (ko) 2004-02-03 2013-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2005076084A1 (en) 2004-02-09 2005-08-18 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007522508A (ja) 2004-02-13 2007-08-09 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー マイクロリソグラフィック投影露光装置のための投影対物レンズ
EP1721201A1 (en) 2004-02-18 2006-11-15 Corning Incorporated Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light
WO2005081292A1 (ja) * 2004-02-20 2005-09-01 Nikon Corporation 露光装置、供給方法及び回収方法、露光方法、ならびにデバイス製造方法
JP2005259789A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
JP2005268700A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US20050243392A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Fujifilm Electronic Imaging Ltd. Method of controlling the motion of a spinner in an imaging device
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054448B2 (en) 2004-05-04 2011-11-08 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR20140138350A (ko) 2004-05-17 2014-12-03 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101199076B1 (ko) 2004-06-04 2012-11-07 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소
WO2005119368A2 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
US7481867B2 (en) * 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3306647A1 (en) 2004-10-15 2018-04-11 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11176727A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
JPH11204390A (ja) * 1998-01-14 1999-07-30 Canon Inc 半導体製造装置およびデバイス製造方法
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000058436A (ja) * 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2002015978A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Canon Inc 露光装置
JP2004207696A (ja) * 2002-12-10 2004-07-22 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法

Cited By (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8488100B2 (en) 2003-04-11 2013-07-16 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US9946163B2 (en) 2003-04-11 2018-04-17 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US9500960B2 (en) 2003-04-11 2016-11-22 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US9329493B2 (en) 2003-04-11 2016-05-03 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US9081298B2 (en) 2003-04-11 2015-07-14 Nikon Corporation Apparatus for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange using a co-planar member in an immersion lithography machine
US8879047B2 (en) 2003-04-11 2014-11-04 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens using a pad member or second stage during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8848166B2 (en) 2003-04-11 2014-09-30 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8848168B2 (en) 2003-04-11 2014-09-30 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8634057B2 (en) 2003-04-11 2014-01-21 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8610875B2 (en) 2003-04-11 2013-12-17 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
US9019473B2 (en) 2003-06-19 2015-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8436979B2 (en) 2003-06-19 2013-05-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US10191388B2 (en) 2003-06-19 2019-01-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US8692976B2 (en) 2003-06-19 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US10007188B2 (en) 2003-06-19 2018-06-26 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US9810995B2 (en) 2003-06-19 2017-11-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8717537B2 (en) 2003-06-19 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US9551943B2 (en) 2003-06-19 2017-01-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8724085B2 (en) 2003-06-19 2014-05-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US8705001B2 (en) 2003-06-19 2014-04-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US8436978B2 (en) 2003-06-19 2013-05-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US9274437B2 (en) 2003-06-19 2016-03-01 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US9025129B2 (en) 2003-06-19 2015-05-05 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US9001307B2 (en) 2003-06-19 2015-04-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8830445B2 (en) 2003-06-19 2014-09-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US8767177B2 (en) 2003-06-19 2014-07-01 Nikon Corporation Exposure apparatus, and device manufacturing method
US9494871B2 (en) 2003-07-28 2016-11-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US9760026B2 (en) 2003-07-28 2017-09-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US10185232B2 (en) 2003-07-28 2019-01-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
JP2010103560A (ja) * 2003-08-29 2010-05-06 Nikon Corp 液体回収装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2010118680A (ja) * 2003-08-29 2010-05-27 Nikon Corp 液体回収装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2010093301A (ja) * 2003-08-29 2010-04-22 Nikon Corp 液体回収装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7995186B2 (en) 2003-10-08 2011-08-09 Zao Nikon Co., Ltd. Substrate conveyance device and substrate conveyance method, exposure apparatus and exposure method, device manufacturing method
US8107055B2 (en) 2003-10-08 2012-01-31 Zao Nikon Co., Ltd. Substrate conveyance device and substrate conveyance method, exposure apparatus and exposure method, device manufacturing method
US9097986B2 (en) 2003-10-08 2015-08-04 Nikon Corporation Substrate conveyance device and substrate conveyance method, exposure apparatus and exposure method, device manufacturing method
US9110381B2 (en) 2003-10-08 2015-08-18 Nikon Corporation Substrate conveyance device and substrate conveyance method, exposure apparatus and exposure method, device manufacturing method
US8345216B2 (en) 2003-10-08 2013-01-01 Nikon Corporation Substrate conveyance device and substrate conveyance method, exposure apparatus and exposure method, device manufacturing method
US8736808B2 (en) 2004-02-02 2014-05-27 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9684248B2 (en) 2004-02-02 2017-06-20 Nikon Corporation Lithographic apparatus having substrate table and sensor table to measure a patterned beam
US9665016B2 (en) 2004-02-02 2017-05-30 Nikon Corporation Lithographic apparatus and method having substrate table and sensor table to hold immersion liquid
US9632431B2 (en) 2004-02-02 2017-04-25 Nikon Corporation Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables
US8547528B2 (en) 2004-02-02 2013-10-01 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US10007196B2 (en) 2004-02-02 2018-06-26 Nikon Corporation Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables
US8553203B2 (en) 2004-02-02 2013-10-08 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8705002B2 (en) 2004-02-02 2014-04-22 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US10139737B2 (en) 2004-02-02 2018-11-27 Nikon Corporation Lithographic apparatus and method having substrate and sensor tables
US8724079B2 (en) 2004-02-02 2014-05-13 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9041906B2 (en) 2004-02-03 2015-05-26 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and method that detects liquid adhered to rear surface of substrate
US7990516B2 (en) 2004-02-03 2011-08-02 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with liquid detection apparatus
US7990517B2 (en) 2004-02-03 2011-08-02 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with residual liquid detector
US10151983B2 (en) 2004-02-03 2018-12-11 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US8767168B2 (en) 2004-02-03 2014-07-01 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and method that detects residual liquid on substrate held by substrate table after exposure
US8488101B2 (en) 2004-02-03 2013-07-16 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and method that detects residual liquid on substrate held by substrate table on way from exposure position to unload position
US8023100B2 (en) 2004-02-20 2011-09-20 Nikon Corporation Exposure apparatus, supply method and recovery method, exposure method, and device producing method
US10338478B2 (en) 2004-07-07 2019-07-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10739684B2 (en) 2004-07-07 2020-08-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9104117B2 (en) 2004-07-07 2015-08-11 Bob Streefkerk Lithographic apparatus having a liquid detection system
US8319939B2 (en) 2004-07-07 2012-11-27 Asml Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method detecting residual liquid
US8384874B2 (en) 2004-07-12 2013-02-26 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method to detect if liquid on base member
US9250537B2 (en) 2004-07-12 2016-02-02 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and method with detection of liquid on members of the apparatus
US9507278B2 (en) 2004-08-19 2016-11-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10331047B2 (en) 2004-08-19 2019-06-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10599054B2 (en) 2004-08-19 2020-03-24 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9746788B2 (en) 2004-08-19 2017-08-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10705439B2 (en) 2004-08-19 2020-07-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9904185B2 (en) 2004-08-19 2018-02-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9488923B2 (en) 2004-08-19 2016-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9097992B2 (en) 2004-08-19 2015-08-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8456609B2 (en) 2004-10-15 2013-06-04 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7456929B2 (en) 2004-10-15 2008-11-25 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101197071B1 (ko) 2005-03-30 2012-11-06 가부시키가이샤 니콘 노광 조건의 결정 방법, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고디바이스 제조 방법
EP1865539A4 (en) * 2005-03-30 2011-09-07 Nikon Corp METHOD FOR DETERMINING EXPOSURE CONDITIONS, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, AND DEVICE PRODUCTION APPARATUS
JP4605219B2 (ja) * 2005-03-30 2011-01-05 株式会社ニコン 露光条件の決定方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JPWO2006106832A1 (ja) * 2005-03-30 2008-09-11 株式会社ニコン 露光条件の決定方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US9239524B2 (en) 2005-03-30 2016-01-19 Nikon Corporation Exposure condition determination method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method involving detection of the situation of a liquid immersion region
EP1865539A1 (en) * 2005-03-30 2007-12-12 Nikon Corporation Method for determining exposure conditions, exposure method, exposure device, and apparatus for producing device
WO2006106832A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corporation 露光条件の決定方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US11016394B2 (en) 2005-05-03 2021-05-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10684554B2 (en) 2005-05-03 2020-06-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8253924B2 (en) * 2005-05-24 2012-08-28 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method
US7742147B2 (en) * 2005-10-11 2010-06-22 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US10338482B2 (en) * 2006-08-31 2019-07-02 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US10353302B2 (en) * 2006-08-31 2019-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US10353301B2 (en) * 2006-08-31 2019-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US10289012B2 (en) 2006-09-01 2019-05-14 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method
US10289010B2 (en) 2006-09-01 2019-05-14 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
CN102156390B (zh) * 2007-09-27 2017-03-01 Asml荷兰有限公司 涉及浸没光刻技术的方法和浸没光刻设备

Also Published As

Publication number Publication date
TW201834019A (zh) 2018-09-16
EP2264535A2 (en) 2010-12-22
TWI490916B (zh) 2015-07-01
TW201403668A (zh) 2014-01-16
JP2010109392A (ja) 2010-05-13
KR20140119832A (ko) 2014-10-10
US20190121246A1 (en) 2019-04-25
EP2264534A2 (en) 2010-12-22
EP2264534A3 (en) 2011-04-20
KR20120066054A (ko) 2012-06-21
KR20160088447A (ko) 2016-07-25
US20170038694A1 (en) 2017-02-09
US20170363972A1 (en) 2017-12-21
TW201205644A (en) 2012-02-01
CN102323724B (zh) 2014-08-13
JP5088389B2 (ja) 2012-12-05
CN102012641B (zh) 2015-05-06
JP2014140079A (ja) 2014-07-31
TWI424463B (zh) 2014-01-21
KR101298864B1 (ko) 2013-08-21
EP2264533A3 (en) 2011-04-20
JP2017194723A (ja) 2017-10-26
US10185232B2 (en) 2019-01-22
KR101935709B1 (ko) 2019-01-04
KR20150092349A (ko) 2015-08-12
KR101414896B1 (ko) 2014-07-03
US7505115B2 (en) 2009-03-17
KR20140027560A (ko) 2014-03-06
EP2264533B1 (en) 2012-09-19
JP2010109393A (ja) 2010-05-13
JP2013214761A (ja) 2013-10-17
KR101785707B1 (ko) 2017-11-06
JP6020653B2 (ja) 2016-11-02
EP2264533A2 (en) 2010-12-22
JP5287926B2 (ja) 2013-09-11
HK1151106A1 (en) 2012-01-20
TW201403667A (zh) 2014-01-16
KR101641011B1 (ko) 2016-07-19
JP5423829B2 (ja) 2014-02-19
TWI490914B (zh) 2015-07-01
CN102012641A (zh) 2011-04-13
EP2264535B1 (en) 2013-02-13
EP2264534B1 (en) 2013-07-17
JP5170126B2 (ja) 2013-03-27
CN102043350B (zh) 2014-01-29
KR101599649B1 (ko) 2016-03-14
US8451424B2 (en) 2013-05-28
TWI547971B (zh) 2016-09-01
JP2016170437A (ja) 2016-09-23
KR101642670B1 (ko) 2016-07-25
JP2011160001A (ja) 2011-08-18
TWI575563B (zh) 2017-03-21
JP2019049740A (ja) 2019-03-28
KR101403117B1 (ko) 2014-06-03
HK1090175A1 (en) 2006-12-15
TWI633581B (zh) 2018-08-21
JP2012151493A (ja) 2012-08-09
JP5594399B2 (ja) 2014-09-24
JP2014017527A (ja) 2014-01-30
HK1151107A1 (en) 2012-01-20
KR20110117207A (ko) 2011-10-26
HK1151105A1 (en) 2012-01-20
CN102043350A (zh) 2011-05-04
JP2010118690A (ja) 2010-05-27
US20060132737A1 (en) 2006-06-22
JP5664740B2 (ja) 2015-02-04
TW201705213A (zh) 2017-02-01
TWI490915B (zh) 2015-07-01
TW201403666A (zh) 2014-01-16
US9760026B2 (en) 2017-09-12
EP1653501B1 (en) 2012-09-19
CN104122760A (zh) 2014-10-29
EP1653501A1 (en) 2006-05-03
CN104122760B (zh) 2017-04-19
US9494871B2 (en) 2016-11-15
KR20190002749A (ko) 2019-01-08
JP2015172772A (ja) 2015-10-01
JP2010118689A (ja) 2010-05-27
US20140233002A1 (en) 2014-08-21
JP5776818B2 (ja) 2015-09-09
TW200509212A (en) 2005-03-01
TW201403669A (zh) 2014-01-16
KR20060052882A (ko) 2006-05-19
EP2264535A3 (en) 2011-04-20
CN102323724A (zh) 2012-01-18
KR20130086635A (ko) 2013-08-02
HK1200922A1 (en) 2015-08-14
KR20170117232A (ko) 2017-10-20
US8749757B2 (en) 2014-06-10
EP1653501A4 (en) 2008-05-21
US20060146305A1 (en) 2006-07-06
US20130135597A1 (en) 2013-05-30
KR101343720B1 (ko) 2013-12-20
JP6292252B2 (ja) 2018-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10185232B2 (en) Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
JP4492239B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
JP4492600B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200480021856.1

Country of ref document: CN

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11338661

Country of ref document: US

Ref document number: 1020067001706

Country of ref document: KR

Ref document number: 2004748150

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2004748150

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020067001706

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 11338661

Country of ref document: US