WO2004073053A1 - ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 Download PDF

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WO2004073053A1
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stage device
mask
stage
stator
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PCT/JP2004/000655
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Inventor
Yuichi Shibazaki
Original Assignee
Nikon Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to a stage apparatus, an exposure apparatus, and a device manufacturing method, and more particularly, to a stage apparatus including a surface plate and a slider that moves along the surface plate, an exposure apparatus including the stage device, And a device manufacturing method using the exposure apparatus.
  • reticle a mask or a reticle (hereinafter, collectively referred to as “reticle”) and a photosensitive object such as a wafer or a glass plate (hereinafter, collectively referred to as “wafer”) ) And a reticle pattern are transferred onto a wafer via a projection optical system while synchronously moving along a predetermined scanning direction (scanning direction).
  • the loose scanning also called scanner
  • a scanning exposure apparatus can expose a large field with a smaller projection optical system than a stationary exposure apparatus such as a stepper.
  • a scanning exposure apparatus requires a driving device for driving the reticle on the reticle side in addition to the wafer side.
  • a reticle-side driving device is supported on a reticle surface plate by an air bearing or the like.
  • a reticle coarse moving stage driven by a pair of linear motors arranged on both sides in a non-scanning direction (non-scanning direction) orthogonal to the scanning direction in a predetermined stroke range in the scanning direction;
  • a reticle stage device having a coarse / fine movement structure having a reticle fine movement stage that is minutely driven by a voice coil motor or the like in a scanning direction, a non-scanning direction, and a bowing direction is used.
  • a counter mass mechanism having a counter mass (weight member) that moves in a direction opposite to the reticle stage along a stator (linear guide) of a linear motor that extends in a scanning direction of the reticle stage is provided.
  • a reticle stage device There is also a reticle stage device.
  • the reticle fine movement stage and reticle coarse movement stage were connected with wiring for current supply, piping for vacuum exhaust for vacuum chuck, and piping for supplying pressurized air to air bearing. . For this reason, when the reticle fine movement stage and the reticle coarse movement stage move, the above-mentioned wiring and piping are dragged, and the tension of the wiring and piping will eventually result in the reticle position control accuracy.
  • the stage bending due to mechanical vibration and thermal factors around the reticle fine movement stage was the cause of the position measurement error of the reticle fine movement stage.
  • the position of the reticle fine movement stage RST (reticle R) is measured by an interferometer having a measurement axis LX via a movable mirror 169 provided on the reticle fine movement stage RST.
  • a measurement error of ⁇ (a kind of Abbe error) occurs in the position information measured by the interferometer.
  • the Rukoto In FIGS. 12A and 12B, reference symbol CR indicates a neutral plane (bending neutral plane) of reticle fine movement stage RST.
  • the deformation of the reticle fine movement stage caused the deformation (bending) of the moving mirror, resulting in a decrease in the position measurement accuracy of the reticle fine movement stage and, consequently, the position control accuracy.
  • a first object of the present invention is to provide a stage device capable of improving the position controllability of a moving object on which an object is placed. is there.
  • a second object of the present invention is to provide an exposure apparatus capable of realizing highly accurate exposure.
  • a third object of the present invention is to provide a device manufacturing method capable of improving the productivity of a highly integrated device. Disclosure of the invention
  • a surface plate comprising: a surface plate; three free axes in a two-dimensional plane including a first axis and a second axis orthogonal to the surface while holding the object while floating above the surface plate; A slider capable of moving along the surface plate in the direction of the arrow; and a frame-like member that has at least three degrees of freedom in the two-dimensional plane while floating above the surface plate and surrounds the slider; A first drive including a first stator provided on a frame-shaped member, and a first mover that generates a driving force for driving the slider in the first axial direction in cooperation with the first stator. A second stator provided on the frame-shaped member; and a second movable element for generating a driving force for driving the slider in the second axial direction in cooperation with the second stator. And a second drive mechanism.
  • the “cooperation” between the stator and the mover means that the driving force is generated by performing some physical interaction (for example, electromagnetic interaction) between the stator and the mover. Which means that In this specification, terms that cooperate in this sense are used. Shall be.
  • the slider holds the object while floating above the surface plate, and moves along the surface plate in a direction of three degrees of freedom in a two-dimensional plane including the first axis and the second axis orthogonal to the first axis.
  • the frame-shaped member has at least three degrees of freedom in the two-dimensional plane while floating above the surface plate.
  • a first stator and a second stator are provided on the frame member, and a first movable element and a second stator that generate a driving force for driving the slider in the first axial direction in cooperation with the first stator.
  • the slider is provided with a second mover that generates a driving force for driving the slider in the second axial direction in cooperation with the stator.
  • the frame member is provided so as to surround the slider, the frame member is inevitably increased in size and mass, and a large mass ratio between the frame member and the slider can be secured.
  • the movement stroke of the member is relatively short.
  • the first drive mechanism includes at least two linear motors
  • the second drive mechanism includes at least one voice coil motor. Can be included.
  • the first stage device of the present invention may further include an interferometer system for measuring a position of the slider, wherein the slider has a mounting surface for the object on a part of a neutral surface. And the position of the optical path of the length measurement beam from the interferometer system in the third axial direction orthogonal to the two-dimensional plane can be matched with the position of the neutral plane. In such a case, the position measurement error ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ caused by the deviation between the neutral plane and the length measurement axis when the slider is deformed, as described with reference to FIG. it can.
  • extension portions extending in the first axis direction are provided at one end and the other end of the slider in the first axis direction, respectively.
  • a gas static pressure bearing is formed over the entire area in the longitudinal direction up to the extension part on the other side, and pressurized gas is supplied from the surface plate to the gas static pressure bearing without passing through piping. be able to. .
  • an exposure apparatus for transferring a pattern formed on a mask to the photosensitive object by synchronously moving the mask and the photosensitive object in a predetermined direction, wherein the mask emits illumination light.
  • a first stage device of the present invention in which the mask is mounted on the slider as the object, and the illumination light projected from the mask is projected on the photosensitive object. And a projection optical system unit.
  • the first stage device of the present invention since the first stage device of the present invention is provided, it is possible to improve the position control accuracy of the slider and, consequently, the position control accuracy of the mask. Therefore, it is possible to transfer the pattern formed on the mask to the photosensitive object with high accuracy.
  • the space including the optical path of the illumination light between the illumination unit and the projection optical system unit is a purge space purged with a specific gas, which has a smaller characteristic of absorbing the illumination light than air.
  • the frame-like member may also serve as a partition for isolating the purge space from the outside air.
  • the space around the mask can be easily set as the purge space.
  • the first gas static pressure bearing using the specific gas as a pressurized gas is substantially entirely provided on a surface of the frame-shaped member opposite to the surface plate opposite to the lighting unit. It may be provided over the circumference.
  • a second gas static pressure bearing using the specific gas as a pressurized gas is provided on substantially the entire periphery of the lighting unit side surface of the frame member, and the lighting unit of the frame member is provided.
  • a plate disposed substantially opposite to the entire surface of the rack side and with a predetermined clearance therebetween, to which pressurized gas from the second hydrostatic gas bearing is sprayed. it can.
  • the frame-shaped member when the frame-shaped member also functions as a partition wall for isolating the purge space from the outside air, the fixed member on the opposite side of the frame-shaped member from the illumination unit.
  • the first gas static pressure bearing of the differential exhaust type which simultaneously performs vacuum suction and injection of pressurized gas, is provided on almost the entire surface on the surface facing the panel. be able to.
  • a differential exhaust type second gas static pressure bearing for simultaneously performing vacuum suction and pressurized gas ejection is provided over substantially the entire circumference.
  • a plate which is disposed to face almost the entire surface on the lighting unit side of the frame-shaped member and is disposed with a predetermined clearance therebetween, and to which a pressurized gas from the second gas static pressure bearing is sprayed. , Can be further provided.
  • the interferometer system for measuring the position of the slider is further provided.
  • An opening is formed in a side surface portion of the frame-shaped member located on an optical path of a length measurement beam from the interferometer system toward the slider in the purge space, and a cover glass for closing the opening is provided. Can be done.
  • a surface plate capable of moving along the surface plate while holding an object while floating above the surface plate;
  • a pair of movers arranged symmetrically with respect to a neutral surface of the slider on one side and the other side in a second axis direction orthogonal to the first axis direction of a region where the body is placed,
  • a driving mechanism having a pair of stator portions that individually generate the driving force in the first axial direction in cooperation with each of the pair of movers.
  • each of the drive mechanisms for driving the slider is symmetrically arranged on one side and the other side in the second axis direction of the area where the object of the slider is placed with respect to the neutral plane of the slider.
  • the movable element, the slider, and the movable element have a laminated structure on either one side or the other side in the second axial direction, and the movable elements are arranged symmetrically with respect to the neutral plane of the slider.
  • the neutral surface of the slider substantially coincides with the height of the center of gravity (the position in the third axis direction orthogonal to the first axis and the second axis).
  • the resultant force of the driving force in the first axial direction generated by cooperation with the corresponding stator acts on the position of the center of gravity of the slider. Therefore, it is possible to improve the position controllability of the slider at least in the first axis direction and to suppress the rotation of the slider around the second axis.
  • the slider when the mover is composed of an armature unit, when the slider is driven in the first axial direction along the surface plate, the slider is driven by heat generated by the mover due to the current supplied to the mover. Even when the heater is heated, the deformation of the slider caused by the bimetallic effect that occurs on the upper and lower sides of the neutral surface cancels out in the heat-generating portion, and as a result, the slider may be deformed by the bimetallic effect Absent.
  • each of the pair of stator portions may be symmetrically arranged with respect to a neutral surface of the slider.
  • one side of the slider in the first axial direction and other An extension portion extending in the first axial direction is provided at the end on the side, and a gas hydrostatic bearing is formed over the entire region in the longitudinal direction from the extension portion on one side to the extension portion on the other side,
  • the pressurized gas can be supplied from the platen to the hydrostatic bearing without passing through a pipe.
  • an exposure apparatus for synchronously moving a mask and a photosensitive object in a predetermined direction and transferring a pattern formed on the mask to the photosensitive object, wherein the mask emits illumination light.
  • a second stage device of the present invention in which the mask is mounted on the slider as the object, and the illumination light emitted from the mask is projected on the photosensitive object.
  • the second stage device of the present invention since the second stage device of the present invention is provided, it is possible to improve the position control accuracy of the slider, and furthermore, the synchronization accuracy between the mask and the photosensitive object. Therefore, it is possible to transfer the pattern formed on the mask to the photosensitive object with high precision.
  • a surface plate comprising: a surface plate; a two-dimensional plane including a first axis and a second axis orthogonal to the surface while holding an object while floating above the surface plate; A slider movable along the board; a driving mechanism including a linear motor for driving the slider in the first axial direction; and irradiating a reflecting surface provided on the slider with a length measurement beam and based on the reflected light.
  • An interferometer system for measuring the position in the first axis direction and the second axis direction, and wherein the reflection surface irradiated with the measurement beam in the second axis direction from the interferometer system is linear.
  • a third stage device is provided on a part of the slider located outside the motor.
  • the reflection surface on which the measurement beam in the second axis direction is irradiated from the interferometer system is provided outside the linear motor that drives the slider in the first axis direction. Even if temperature fluctuations occur in the gas around the linear motor due to heat generation, there is no effect on the measurement beam in the second axis direction. Therefore, the position of the slider in the second axis direction can be measured with high accuracy by the interferometer.
  • the measurement beam in the first axis direction from the interferometer is transmitted to another reflection surface provided on the slider (a reflection surface located at a location that is hardly affected by the heat generated by the linear motor), as usual. Irradiating the slider without any trouble, it is possible to accurately measure the position of the slider in the first axis direction and the second axis direction, thereby improving the position controllability of the slider. .
  • the reflection surface is formed on an end surface of a rod-shaped second portion having a predetermined length different from the first portion on which the object of the slider is placed, and the second portion has a longitudinal direction.
  • a reinforcing portion is provided at a portion other than both ends of the reinforcing member, and both ends of the reinforcing portion are connected to the first portion via elastic hinge portions, respectively.
  • the first portion is further provided with another elastic hinge portion at a position away from the one elastic hinge portion by a predetermined distance on a side opposite to the first portion.
  • another elastic hinge portion at a position away from the one elastic hinge portion by a predetermined distance on a side opposite to the first portion.
  • the first portion, the elastic hinge portion, and the second portion of the slider may be all integrally formed, or one of them may be formed of another member. Alternatively, they may be entirely composed of different members.
  • extension portions extending in the first axial direction are provided at one end and the other end of the slider in the first axial direction, respectively.
  • a gas static pressure bearing is formed over the entire area in the longitudinal direction up to the extension part on the other side, and pressurized gas is supplied from the surface plate to the gas static pressure bearing without passing through piping. be able to.
  • an exposure apparatus for synchronously moving a mask and a photosensitive object in a predetermined direction to transfer a pattern formed on the mask to the photosensitive object
  • the exposure apparatus comprising: An illumination unit illuminated by a third stage device of the present invention in which the mask is mounted on the slider as the object described above; A projection optical unit for projecting the illumination light emitted from the mask onto the photosensitive object.
  • the third stage device of the present invention since the third stage device of the present invention is provided, it is possible to improve the position control accuracy of the slider, and furthermore, the synchronization accuracy between the mask and the photosensitive object. Therefore, it is possible to transfer the pattern formed on the mask to the photosensitive object with high precision.
  • a slider capable of mounting an object on a mounting surface and being movable; and a pair of first movers symmetrically arranged with respect to the mounting surface of the slider.
  • a pair of second movers different from the pair of first movers and arranged symmetrically with respect to the mounting surface of the slider; a pair of first movers and the pair of second movers And a pair of stator portions for driving the slider in the first axial direction in cooperation with the fourth stage device.
  • the resultant force of the driving forces in the directions can act near the position of the center of gravity of the slider. Therefore, it is possible to improve the position controllability of the slider at least in the first axis direction and to suppress the rotation of the slider about the second axis.
  • the placement surface described above may coincide with the neutral surface of the slider.
  • each of the pair of stator portions may be symmetrically arranged with respect to the mounting surface.
  • a fourth stage device of the present invention includes a first portion connected to the slider, and a second portion cooperating with the first portion, wherein the slider has a second portion different from the first axis.
  • a driving device for driving the shaft may be further provided.
  • a frame-shaped member that holds the pair of stator portions and the second portion of the driving device may be further provided.
  • the frame member can be driven by a reaction force generated when the slider is driven.
  • the slider can be provided on a surface plate.
  • the frame-shaped member may be provided on the surface plate.
  • the slider further includes a position detecting device that has a reflecting surface, and irradiates a length measuring beam to the reflecting surface to detect a position of the slider in the second axial direction. It can be.
  • each of the pair of stator portions may be provided at a position not surrounding the length measuring beam.
  • an exposure apparatus for synchronously moving a mask and a photosensitive object in a predetermined direction to transfer a pattern formed on the mask to the photosensitive object.
  • a fourth stage device of the present invention in which the mask is mounted on the slider as the object, and the illumination light emitted from the mask is projected on the photosensitive object. And a projection optical system unit.
  • the fourth stage device of the present invention since the fourth stage device of the present invention is provided, it is possible to improve the position control accuracy of the slider and, consequently, the position control accuracy of the mask. Therefore, it is possible to transfer the pattern formed on the mask to the photosensitive object with high accuracy.
  • a slider that holds an object and is movable; a slider connected to the slider; and a stator cooperating with the slider.
  • a driving device for driving along the first axial direction; a counter mass having a holding portion for holding the stator and a weight portion, and being re-driven by a reaction force generated when the slider is driven; ; So as to be located between the weight part and the stator.
  • a fifth stage apparatus comprising: a reflecting member provided on the slider; and a position detecting device that irradiates the reflecting member with a measurement beam to detect a position of the slider.
  • the counter mass moves substantially in accordance with the law of conservation of momentum due to the reaction force generated during the driving. Due to the movement of the counter mass, the reaction force is almost completely cancelled, and the center of gravity of the system including the slider and the counter mass does not move. Therefore, no offset load acts on the support member supporting the slider and the counter mass. . Further, a length measuring beam is applied to a reflecting member provided on the slider so as to be located between the weight part and the stator from the position detecting device, and the position of the slider is measured.
  • the reflecting member to which the length measuring beam from the position detecting device is applied is provided outside the stator of the driving device that drives the slider in the first axial direction, the reflection member is caused by heat generated by the driving device. Even if temperature fluctuations occur in the gas around the drive device, the length measurement beam does not have any effect, so that the position of the slider can be detected with high accuracy. Therefore, the position controllability of the slider on which the object is placed can be improved.
  • the slider may have a mounting portion for mounting the object on a neutral surface of the slider.
  • the slider may be provided on a surface plate.
  • the force pentamas can be provided on the surface plate.
  • the present invention is an exposure apparatus for transferring a pattern formed on the mask to the photosensitive object by synchronously moving the mask and the photosensitive object in a predetermined direction, wherein the mask emits illumination light.
  • the fifth stage device of the present invention since the fifth stage device of the present invention is provided, it is possible to improve the position control accuracy of the slider and, consequently, the position control accuracy of the mask. Therefore, it is possible to transfer the pattern formed on the mask to the photosensitive object with high accuracy.
  • a slider provided with a reflecting member and capable of holding and moving an object; a slider connected to the slider; and a stator cooperating with the slider.
  • a driving device for driving the slider along a first axial direction; a counter mass having a transparent portion and being driven by a reaction force generated when the slider is driven while holding the stator.
  • a position detecting device for irradiating the reflecting member with the length measuring beam through the transparent portion to detect a position of the slider.
  • the reaction force generated at the time of the drive moves the counter mass substantially in accordance with the law of conservation of momentum. Due to the movement of the counter mass, the reaction force is almost completely canceled, and the center of gravity of the system including the slider and the force mass does not move. Therefore, no offset load acts on the support member supporting the slider and the counter mass. .
  • the position detection device detects the slider position by irradiating the reflective member with a length measuring beam through the transparent portion of the counter mass, the position of the slider is detected. And the position of the slider can be detected with high accuracy.
  • the position detecting device is disposed inside the counter mass. (For example, an art gas generated from an optical member and a detector constituting the position detecting device adversely affects the atmosphere inside the counter mass.) ) Can be prevented.
  • the slider mounts the object on a neutral surface of the slider. It is possible to have a mounting portion for mounting.
  • the slider may be provided on a surface plate.
  • the counter mass can be provided on the surface plate.
  • an exposure apparatus for synchronously moving a mask and a photosensitive object in a predetermined direction to transfer a pattern formed on the mask to the photosensitive object.
  • a sixth stage device of the present invention in which the mask is mounted as the object on the slider; and a projection for projecting the illumination light emitted from the mask onto the photosensitive object.
  • a sixth exposure apparatus comprising: an optical system unit;
  • the sixth stage device of the present invention since the sixth stage device of the present invention is provided, it is possible to improve the position control accuracy of the slider and, consequently, the position control accuracy of the mask. Therefore, it is possible to transfer the pattern formed on the mask to the photosensitive object with high accuracy.
  • the present invention can be said to be a device manufacturing method using any of the first to sixth exposure apparatuses of the present invention.
  • FIG. 1 is a view schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view showing the reticle stage device of FIG.
  • FIG. 3 is an exploded perspective view showing the reticle stage device of FIG.
  • FIG. 4A is a perspective view of the reticle stage
  • FIG. 4B is a cross-sectional view of the reticle stage.
  • FIGS. 5A and 5B are diagrams for explaining the configuration and effects of the mirror unit provided on the reticle stage.
  • 6A and 6B are views for explaining the configuration of the bearing device.
  • FIG. 7 is an XZ sectional view of the reticle stage device.
  • FIG. 8 is a YZ sectional view of the reticle stage device.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining the lower surface side of the frame-shaped member.
  • FIG. 10 is a flowchart for explaining the device manufacturing method according to the present invention.
  • FIG. 11 is a flowchart showing a specific example of step 204 in FIG.
  • FIG. 12A and FIG. 12B are diagrams for explaining a conventional technique.
  • FIG. 1 shows a schematic configuration of an exposure apparatus 10 according to one embodiment.
  • the exposure apparatus 10 is a step-and-scan type scanning exposure apparatus, that is, a so-called scanning stepper (also referred to as a “scanner J”).
  • a unit PL is provided.
  • the optical axis AX of the projection optical system constituting the projection optical unit PL is set in the Z-axis direction (third axis direction), and a mask is formed in a plane orthogonal to the Z-axis direction.
  • the direction in which the reticle R (and the object) and the wafer W as the photosensitive object are scanned relative to each other (the horizontal direction in FIG.
  • the exposure apparatus 10 moves the illumination unit IOP and the reticle R in a predetermined direction in the Y-axis direction.
  • a reticle stage device 12 as a stage device that drives with a stroke and minutely drives in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the 0- Z direction (the rotation direction about the Z-axis). It has a wafer stage WST that drives in two-dimensional XY directions, and a control system for these.
  • the illumination unit I ⁇ includes a light source and an illumination optical system, and forms an energy beam as an energy beam in a rectangular or arc-shaped illumination area defined by a field stop (also called a masking blade or a reticle blind) disposed therein.
  • the illumination light IL is applied to illuminate the reticle R on which the circuit pattern is formed with uniform illuminance.
  • An illumination system similar to the illumination unit I ⁇ is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-349701 and US Patent No. 5,534,970 corresponding thereto.
  • illumination light IL it shall A r F excimer laser beam (wavelength 1 9 3 nm) is There is the F 2 laser beam (wavelength 1 5 7 nm) vacuum ultraviolet light such as is used.
  • the illumination light I far ultraviolet light such as KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) or ultraviolet bright line (g-ray, ⁇ -ray, etc.) from an ultra-high pressure mercury lamp may be used. It is possible.
  • the disclosure in the above-mentioned U.S. patent shall be incorporated as a part of the description of this specification.
  • a gas having a strong absorption characteristic for light in such a wavelength band such as oxygen, water vapor, or a hydrocarbon-based gas, from the optical path (hereinafter, referred to as a gas). Therefore, it is necessary to eliminate “absorbent gas J” as appropriate. For this reason, in the present embodiment, in the space on the optical path of the illumination light IL inside the illumination unit IOP, absorption of light in the vacuum ultraviolet region is air.
  • the reticle stage device 12 includes an illumination system side plate (a plate having an annular mounting portion 101 connected to an outer periphery of a lower end portion of the illumination unit IOP via a sealing member 99 such as an O-ring or the like).
  • the cap plate is placed below in Fig. 1 of 14.
  • the illumination system side plate 14 is supported substantially horizontally by a support member (not shown), and a rectangular opening 14a serving as an optical path (passage) of the illumination light IL is formed at a substantially central portion thereof.
  • FIG. 1 and FIG. 2 which is a perspective view of the reticle stage device 12, the reticle stage device 12 has a fixed position arranged substantially parallel to the illumination system side plate 14 at a predetermined interval below the illumination system side plate 14.
  • Reticle stage base plate 16 as a plate
  • reticle stage RS as a slider arranged between reticle stage base plate 16 and illumination system side plate 14, RS surrounding reticle stage RST
  • a frame-like member (weight part) 18 disposed between the reticle stage base 16 and the illumination system side plate 14, and a reticle stage drive system for driving the reticle stage RST are provided. I have.
  • the reticle stage base 16 is supported substantially horizontally by a support member (not shown).
  • a support member not shown.
  • the reticle stage base 16 is formed of a substantially plate-like member, and a projection 16a is formed substantially at the center thereof. I have.
  • a rectangular opening 16b extending in the X-axis direction for passing the illumination light IL is provided.
  • the upper surface of the projection 16a and the reticle swage platen are provided. It is formed so as to communicate with the lower surface of 16.
  • FIG. 3 is an exploded perspective view of FIG. 2
  • the reticle stage base 16 is formed of a substantially plate-like member, and a projection 16a is formed substantially at the center thereof. I have.
  • a rectangular opening 16b extending in the X-axis direction for passing the illumination light IL is provided.
  • the upper surface of the projection 16a and the reticle swage platen are provided. It is formed so as to communicate with the lower surface of 16.
  • a sealing member 98 such as a V-ring or a telescopic bellows is provided on the lower surface of the reticle stage base 16 so as to surround the rectangular opening 16b as shown in FIG.
  • the upper end of the lens barrel of the projection optical unit PL is connected to the projection optical system unit PL.
  • the reticle stage RST includes a reticle stage main body 22 having a special shape as shown in FIG. 4A and various magnetic pole units (which will be described later) fixed to the reticle stage main body 22.
  • the reticle stage main body 22 has a substantially rectangular plate-like portion 24 A in a plan view (as viewed from above), a mirror portion 24 B provided at one X end of the plate-like portion 24 A, A pair of extending portions 24 C i, 24 C 2 , 24 D i each protruding in the Y-axis direction from one end and the other side of the plate-shaped portion 24 A in the Y-axis direction. , and a 2 4 D 2.
  • a stepped opening 22a having an opening serving as a passage for the illumination light 1 formed at the center (inner bottom surface).
  • a plurality of (for example, three) reticle support members 34 for supporting the reticle R at a plurality of points (for example, three points) from below are provided on the step portion (a part dug down one step) of the stepped opening 22. Is set up.
  • the reticle R is supported by the plurality of support members 34 in a state where the pattern surface (lower surface) of the reticle R substantially matches the neutral surface CT of the reticle stage main body 22 (reticle stage RST). It has become. That is, the mounting surface (mounting portion) of the reticle R almost coincides with the neutral surface CT of the reticle stage RST (see FIG. 4B).
  • a plurality (for example, three) of reticle fixing mechanisms 36 are provided near the reticle support member 34 of the plate-shaped portion 24A in correspondence with the respective reticle support members 34.
  • Each reticle fixing mechanism 36 has an L-shaped XZ cross-section, and is a plate-like portion that is rotatable about an axis (rotation axis in the Y-axis direction) provided at a corner of the letter.
  • Each has a fixing member attached to A.
  • reticle support member 34 and reticle fixing mechanism 36 instead of reticle support member 34 and reticle fixing mechanism 36, at the same time, it is possible to use various chucks such as a vacuum chuck and an electrostatic chuck.
  • the mirror portion 24B has a substantially prismatic shape with the Y-axis direction as a longitudinal direction, and a central portion for reducing weight.
  • the end face on the X side of the rod-shaped portion 124a is a mirror-finished reflecting surface (reflecting member) 124m.
  • the mirror portion 24B and the plate-shaped portion 24A are locally connected at two places by a hinge portion 124C124d shown in FIG. 5A.
  • the reticle stage main body 22 including the plate-like portion 24A, the mirror portion 24B, and the hinge portions 124c and 124d is formed temporarily (for example, by forming a single member by cutting it out).
  • expressions for assuming that each part is a separate member will be used as necessary to make the description easier to understand.
  • any one of the above-described portions may be formed of another member, or all of the portions may be formed of separate members. To explain this in more detail, as shown in FIG.
  • the mirror portion 24B is provided at one end on the X side of the plate portion 24A and at two places on the soil side surface of the reinforcing portion 124b.
  • the hinges 124c and 124d are connected via rotating fulcrums. In this case, the connection line # 3 connecting the two hinge portions 124c and 124 becomes a neutral surface when the mirror portion 24B is bent in the horizontal plane.
  • FIG. 5B A similar hinge portion 124e is provided at a position separated by a predetermined distance in the + X direction from one hinge portion 124c of 4c and 124d.
  • the hinge portion 124c and the hinge portion 124e can be connected. Since the part 124 f between them is partially deformed such that it rotates around the hinge part 124 c, the deformation of the plate-shaped part 24 A with respect to the reflecting surface 124 m of the mirror part 24 B is generated. The effect is minimized. That is, the portion 124 f sandwiched between the hinge portions 124 c and 124 e has a function as a kind of flexure.
  • one recess 24 gl, 24 g 2 is formed, of the recess 24 gl, 24 g 2 each retro-reflector 32L 32 2, respectively.
  • the four extended portions 24 Ci, 24 C 2 , 24 Di, and 24 D 2 have a substantially plate shape as shown in FIG. 4A, and each extended portion has A reinforcing portion having a triangular cross section is provided.
  • a first static gas bearing over the entire area in the Y-axis direction to reach the extending portion 24 from the extending portion 24 is formed, extending portion 24 D from extended portion 24 C 2
  • a second hydrostatic gas bearing is formed over the entire area in the Y-axis direction up to 2 .
  • FIG. 6A shows a plan view (bottom view) of reticle stage main body 22 as viewed from below.
  • three grooves are formed on the bottom surface of the reticle stage main body 22 including the extended portions 24d, 24Di and the portion therebetween.
  • the groove located at the center in the X-axis direction is a trunk groove 55A extending in the Y-axis direction, communicating with both sides of the trunk groove 55A in the X-axis direction, and in the Y-axis direction.
  • a plurality of T-shaped surface constriction grooves 55B formed at predetermined intervals, and an air supply groove 56 composed of.
  • the main groove 55 A and the surface drawing groove 55 B correspond to D in Fig. 6A.
  • FIG. 6B which is a cross-sectional view along the line D
  • the main groove 55A is formed deeper than the surface drawing groove 55B.
  • the remaining two of the three grooves are exhaust grooves 57A and 57B extending in the Y-axis direction. These exhaust grooves 57A and 57B have substantially the same cross-sectional shape as the main groove 55A.
  • the reticle stage base 16 faces at least a part of each of these three grooves 56, 57A and 57B, and has a convex portion 16
  • three openings (58, 59A, 59B) are respectively formed.
  • the opening located at the center of these three openings is an air supply port 58, and the openings located at both ends are exhaust ports 59A and 59B.
  • the gas supply port 58 is connected to a gas supply device (not shown) via a gas supply line 60 shown in FIG. 6B.c
  • the gas supply device supplies a rare gas such as helium or a low absorption gas such as nitrogen. Is supplied.
  • the exhaust ports 59A, 59B are connected to a vacuum pump (not shown) via exhaust pipes 61A, 61B.
  • the low-absorbent gas when a low-absorbent gas is supplied from a gas supply device (not shown) via an air supply line 60, the low-absorbent gas is supplied from an air supply port 58 as shown in FIG. 6B.
  • the water is supplied to the main groove 55 A of the air supply groove 56, and reaches the entire area of the main groove 55 A in the Y direction.
  • the low-absorbent gas is sprayed onto the upper surface of the reticle stage base 16 from the plurality of surface throttle grooves 55B of the air supply groove 56.
  • the static pressure of the gas becomes constant, and a clearance of, for example, about several j jm is formed between the reticle stage RST and the reticle stage base 16 and is maintained. That is, in the present embodiment, the supply groove 56, the exhaust groove 57A, 57B, the supply port 58, the supply pipe 60, the exhaust port 59A, 59B, the exhaust pipe 61
  • the first and second reticle stage main bodies 22 on which A, 61B are formed are supplied with pressurized gas from a gas supply device (not shown) from the reticle stage base 16 without passing through pipes.
  • a differential exhaust gas static pressure bearing is substantially configured.
  • the bottom portion of the reticle stage main body 22 including the extension portions 24 C 2 , 24 D 2 and a portion therebetween also includes the above-described trunk groove 55 A and a plurality of surface throttle grooves 55 B.
  • a groove 56 and exhaust grooves 57A, 57B on both sides thereof are formed.
  • pressurized gas from a gas supply device (not shown) is supplied to the reticle.
  • a second differential exhaust type hydrostatic bearing that is supplied from the stage base 16 without passing through a pipe is substantially configured.
  • the pressurized gas blown from the surface throttle groove 55B of the first and second differential exhaust type gas static pressure bearings via the upper surface of the reticle stage base plate 16 is used.
  • the reticle stage RST is levitated and supported in a non-contact manner above the upper surface of the reticle stage base 16 via a clearance of about several microns by the balance between the static pressure of the reticle stage and the overall weight of the reticle stage RST. It has become.
  • substantially annular concave grooves (annular concave grooves) 83, 85 are formed double.
  • a plurality of air inlets (not shown) are formed in the inner annular groove 83, and a plurality of outlets (not shown) are formed in the outer annular groove 85.
  • the inner annular groove 83 is referred to as “air supply groove 83”
  • the outer annular groove 85 is referred to as “exhaust groove 85”.
  • An air supply port formed inside the air supply groove 83 is connected to a gas supply device (not shown) that supplies a low-absorbing gas such as nitrogen or a rare gas through a gas supply line and a gas supply tube (not shown).
  • An exhaust port formed inside the exhaust groove 85 is an exhaust port (not shown). It is connected to a vacuum pump (not shown) via a pipe and an exhaust pipe.
  • FIG. 9 which is a perspective view of the frame member 18 turned upside down, a substantially annular groove (annular groove) 8 2, 8 4 is doubly formed.
  • a plurality of air inlets (not shown) are formed in the inner annular groove 82, and a plurality of outlets (not shown) are formed in the outer annular groove 84.
  • the inner annular groove 82 is referred to as an “air supply groove 82”
  • the outer annular groove 84 is referred to as an “exhaust groove 84”.
  • An air supply port formed inside the air supply groove 82 is connected to a gas supply device (not shown) that supplies a low-absorbent gas such as nitrogen or a rare gas via an air supply pipe and an air supply pipe.
  • a gas supply device not shown
  • an exhaust port formed inside the exhaust groove 84 is connected to a vacuum pump (not shown) via an exhaust pipe and an exhaust pipe.
  • the pressurized gas (low absorption) is applied to the upper surface of the reticle stage surface plate 16 from the air supply groove 82 formed on the bottom surface of the frame member 18. Gas) is sprayed, and the static pressure of the sprayed pressurized gas supports the weight of the frame-shaped member 18.
  • the frame-shaped member 18 is several meters above the upper surface of the reticle stage base 16. It is levitated and supported through a certain degree of clearance. Also in this case, the gas in the clearance is exhausted to the outside by the suction force of the vacuum pump through the exhaust groove 84. In this case, a gas flow is generated from the supply groove 82 to the exhaust groove 84. For this reason, outside air is effectively prevented from entering the inside of the frame member 18 via the clearance.
  • the entire bottom surface of the frame member 18 substantially serves as a differential exhaust gas static pressure bearing that floats and supports the frame member 18 above the upper surface of the reticle stage base 16. It is configured.
  • the pressurized gas flows from the air supply groove 83 formed on the upper surface of the frame member 18 to the lower surface of the illumination system side plate 14. Gas) is sprayed, and the illumination system side plate 14 and the frame The gas in the clearance between the material 18 and the material 18 is exhausted to the outside by the suction I force of the vacuum pump through the exhaust groove 85. In this case, a gas flow is generated from the supply groove 83 to the exhaust groove 85. Therefore, the outside air is effectively prevented from entering the inside of the frame member 18 through the clearance.
  • a clearance is maintained between the frame member 18 and the illumination system side plate 14 by the balance between the static pressure of the injected pressurized gas and the vacuum suction force.
  • the entire upper surface of the frame member 18 substantially constitutes a differential exhaust gas static pressure bearing that maintains the clearance between the frame member 18 and the illumination system side plate 14.
  • the above-mentioned clearance (that is, the bearing gap) between the frame member 18 and the reticle stage base 16 is the same as the differential exhaust gas static pressure bearing above and below the frame member 18. Is actually determined by the overall balance of the force exerted on the frame member 18 by the force of the frame member 18 and the weight of the entire frame member 18.
  • the clearance between the frame member 18 and the illumination system side plate 14 and the clearance between the reticle stage base 16 and the frame member 18 are hermetically sealed by the gas flow described above. Further, as described above, since the upper end of the projection optical system unit PL and the reticle stage base 16 are connected by the seal member 98 described above (see FIGS. 7 and 8), The space surrounded by the frame member 18 is a very airtight space. Hereinafter, the space surrounded by the frame member 18 is referred to as an “airtight space” for convenience.
  • an optical path from the illumination unit IOP to the projection optical system unit PL is used to avoid absorption of exposure light by an absorbing gas such as oxygen. That is, it is necessary to replace the (light path) in the hermetic space with nitrogen or a rare gas.
  • an air supply pipe and an exhaust pipe are respectively connected to the side wall of the frame-shaped member 18, a low-absorbent gas is supplied to the above-mentioned airtight space through the air supply pipe, and the internal gas is exhausted through the exhaust pipe. May be exhausted to the outside.
  • a part of the nitrogen or rare gas flowing through the air supply pipe (not shown) connected to the frame member 18 is supplied to the air supply branch branched from a part of the air supply pipe in the frame member 18.
  • Nitrogen or a rare gas is supplied into the hermetic space by flowing into the hermetic space through a pipe, while the inside of the hermetic space is provided through an exhaust branch pipe branched from a part of the exhaust pipe.
  • a configuration in which the gas is exhausted may be adopted. By doing so, it is possible to replace the inside of the space holding the reticle R with nitrogen or a rare gas that absorbs less exposure light, in addition to the above airtightness.
  • helium gas When helium gas is used as the gas supplied to the hermetic space, it is desirable to recover the helium gas through a gas exhaust mechanism, remove impurities, and then reuse the gas.
  • the reticle stage drive system includes a pair of stator units (a pair of stator units) 36, 38, which are respectively installed in the frame member 18 in the Y-axis direction.
  • a first drive mechanism that drives the reticle stage RST in the Y-axis direction and minutely drives the reticle stage RST in the 0- Z direction (rotation direction around the Z-axis), and one of the stators inside the frame member 18.
  • a second drive mechanism that minutely drives the reticle stage RST in the X-axis direction, and includes a stator unit 40 erected in the Y-axis direction on the + X side of the unit 38.
  • the one stator unit 36 is a pair of first stators composed of an armature unit whose longitudinal direction is in the Y-axis direction.
  • Y-axis linear guide 1 3 6 L, 1 3 6 2, a pair of holding at one end and the other end of the Y axis linear guides 1 3 6 1 3 6 2 ⁇ direction (longitudinal direction)
  • a fixing member (holding portion) 15 2 is provided.
  • the Y-axis linear guides 1 3 6 1 3 6 2 are opposed to each other at a predetermined interval in the Z-axis direction (vertical direction) and parallel to the XY plane by a pair of fixing members 15 2. Is held.
  • Each of the pair of fixing members 15 2 is formed by the frame member 18 described above. It is fixed to the inner wall surface (the inner surface of the side wall) on one side and the other side in the Y-axis direction.
  • the ⁇ -axis linear guide 1 36 ⁇ 1 36 2 as can be seen from Figure 7 showing the ⁇ sectional view of FIG. 3 and the reticle stage device, comprising a frame made of non-magnetic materials having a rectangular cross section (rectangular), Inside thereof, a plurality of armature coils are arranged at predetermined intervals in the axial direction.
  • the other stator unit 38 has the same configuration as the one stator unit 36 described above. That is, the stator unit 38, Upsilon and axially Upsilon axis linear guides 1 3 8i as a first stator composed of a pair of upper and lower armature Yuni' Bok whose longitudinal direction, 1 38 2, these Y-axis linear guide and a 1 3 1 38 a pair of fixing members (holding portion) for fixing at both ends in a state where 2 was maintained Jo Tokoro intervals in the Z axis direction 1 54. Each of the pair of fixing members 154 is fixed to the inner wall surface on one side and the other side in the Y-axis direction of the frame member 18 described above.
  • the Y-axis linear guide 1 38 1 38 2 in the same configuration as the Y axis linear guide 1 36 ⁇ 1 36 2 described above (see FIG. 7).
  • a pair of magnetic pole units 26 26 2 as the first mover are embedded in the upper and lower surfaces of the reticle stage RST, respectively, and the Y-axis linear guide 1 38 ⁇ , opposite the 1 38 2, the upper surface of the reticle stage RST, the lower surface, the magnetic pole unit 28 28 2 as a pair of first movable element is embed rare respectively.
  • Each pole unit 26 26 as shown in FIG. 4 B, one X side of the stepped opening 22 a of the plate portion 24 A of the aforementioned reticle stage main body 22, a neutral Les chicle stage body 22 They are arranged in the concave portions 24 ei and 24 e 2 formed on the upper and lower surfaces symmetrically with respect to the surface CT.
  • Y-axis linear guide 1 36 1 36 2 is disposed substantially symmetrical positions with respect to the said neutral plane CT.
  • It said pair of magnetic poles Yunitto 26 ⁇ 26 2, and the magnetic member, and a plurality of field magnets along the ⁇ axially on the front surface are arranged at predetermined intervals of the magnetic member comprises respectively.
  • the plurality of field magnets have opposite polarities between adjacent field magnets. Accordingly, the space above the magnetic pole Yunitto 26i are formed alternating magnetic field along the Y-axis direction, in the space below the magnetic pole Yuni' Bok 26 2 are alternating magnetic field along the Y-axis direction formed.
  • a pair of magnetic pole units 28 ⁇ , 28 2 is the Z-axis passing through the center position in the X-axis direction of the stepped opening 22 a (substantially coincides with the X-axis direction position of the center of gravity of the reticle stage RS T), the magnetic pole unit 26 It is almost symmetrical with 26 2 .
  • the Y axis linear guides 1 38 ⁇ , 1 38 2 is disposed substantially symmetrical positions relative to the neutral plane CT.
  • It said pair of magnetic poles Yunitto 2 28 2 includes a magnetic member, and a plurality of field magnets arranged at predetermined intervals along the Y-axis direction on the front surface of the magnetic member comprises respectively.
  • the plurality of field magnets have opposite polarities between adjacent field magnets. Accordingly, the space above the magnetic pole Yuni' Bok 28] L is formed alternating magnetic field along the Y-axis direction, in the space below the magnetic pole Yunitto 28 2 are alternating magnetic field along the Y-axis direction formed.
  • the first drive mechanism is constituted by a 28 2.
  • This first drive According to mechanism, when a current is supplied to the armature coils of the Y-axis linear guide 1 36 1 36 2, the current flowing magnetic field generated in the magnetic pole unit 26 262 and armature Interview knit 1 36Iota, 1 36 2 and ⁇ axial direction of the electromagnetic force by electromagnetic interaction between the (Lorentz force) is generated, reaction force is the magnetic pole unit 26 ⁇ of this Lorentz force, and 26 2 driving force for driving the (reticle stage RS T) in ⁇ axially Become.
  • magnetic pole Yuni' Bok 26 ⁇ and 26 2 pole Yunitto 28 ⁇ and 28 2 are arranged symmetrically respectively, Y-axis corresponding to these magnetic pole units
  • the linear guides 136 ⁇ and 136 2 and the Y-axis linear guides 138 ⁇ and 1382 are also arranged vertically symmetrically with respect to the neutral plane CT. Therefore, by supplying the same current to each of the armature coils of the Y-axis linear guides 1 36 ⁇ , 1 362, 1 381, and 1 382, the same drive is applied to each of the magnetic pole units 26, 262, 281, and 282. force is applied, the neutral plane CT Y-axis direction of the driving force in two places on (see FIG. 4B) of Rechikurusu stage RST (magnetic pole units 26Iota, 26 second driving force resultant force, the magnetic pole units 281, 28 2 Thus, the pitching moment acts on the reticle stage RST as little as possible.
  • the magnetic pole Yuni' Bok 26 ⁇ and 26 2, and pole Yunitto 28 ⁇ and 28 2 with respect to the X-axis direction, because it is disposed almost symmetrically with respect to the center of gravity position near the reticle stage RS T, the reticle stage RS Since the above-described driving force in the Y-axis direction is applied to two points equidistant from the center of gravity of T, the same force is generated at the two points to drive the driving force in the Y-axis direction near the position of the center of gravity of the reticle stage RST. Resultant force Can be operated. Therefore, the operating moment on the reticle stage RST is minimized.
  • the jogging of reticle stage RST can be controlled by making the driving forces in the left and right Y-axis directions different.
  • the pole unit 26L 26 2 the corresponding linear guides 1 36 ⁇ , 1 36 2 and the pair of moving magnet type driving the reticle stage RS T in the Y-axis direction Y-axis linear motor is configured
  • the magnetic pole unit 28L 28 2 the corresponding Y-axis linear guide 1 38, 1 382 and the I re reticle stage RS T of the pair of moving magnetic Tsu Bok type for driving the Y-axis direction Y-axis linear motors Is configured.
  • the stator unit 40 includes, as a pair of second stators having a longitudinal direction in the Y-axis direction, armature units 14 and 140 2 , and these armature units 140 ⁇ 1 40 2 and a pair of fixing members 1 56 for holding at one end and the other end of the Y-axis direction (longitudinal direction).
  • the pair of fixing members 1 56, the armature unit 1 4 1 40 2 are respectively held parallel to the and the XY plane as to face each other at a Z-axis direction Jo Tokoro intervals (vertical direction) I have.
  • Each of the pair of fixing members 156 is fixed to the inner wall surface on one side and the other side in the Y-axis direction of the frame member 18 described above.
  • Armature Yuni' Bok 1 4 C, 1 40 2 as can be seen from Figure 7, has a frame made of a nonmagnetic material having a rectangular cross section (rectangle), the inside, it is arranged armature coils I have. As shown in FIG. 7, between the armature units 140 0 ⁇ and 140 2, each of them is fixed to the end of the reticle stage RST in the X-axis direction through a predetermined clearance. (2) A plate-shaped permanent magnet 30 having a rectangular cross section (rectangle) as a mover is arranged. Instead of the permanent magnet 30, a magnetic pole unit composed of a flat magnetic member and a pair of flat permanent magnets fixed to the upper and lower surfaces thereof may be used.
  • the same current is supplied to the armature coils composing the armature units 14 Ch and 140 2 , respectively, so that the reticle stage RST is on the neutral plane CT (see FIG. 4B).
  • the driving force in the X-axis direction can be applied to the position, so that the rolling moment acts on the reticle stage RST as little as possible.
  • the armature unit 14 O i, 140 2 and the permanent magnet 30 constitute a moving magnet type voice coil motor capable of minutely driving the reticle stage RST in the X-axis direction.
  • this voice coil motor is also referred to as a voice coil motor 30 using the movable element constituting the voice coil motor, that is, the permanent magnet.
  • the voice coil motor 30 constitutes a second drive mechanism.
  • the movable element 6 Omicron iota consisting pole unit, 6 0 2, 6 0 3 is eclipsed set.
  • the reticle stage base plate 16 corresponding to these movers (first part) 660 2 , 603 is mounted on the reticle stage base 16 via the support bases 6 4 6 4 2 , 6 4 3 , and the armature unit.
  • a stator (second part) composed of 6 2 ⁇ 6 2 2 and 6 2 2 is provided.
  • the movers 60 ⁇ and 60 2 have permanent magnets therein, and form a magnetic field in the Z-axis direction.
  • the stator 6 2 ⁇ , 6 2 2 has an armature coil therein, a current through the magnetic field of the Z-axis direction are summer to flow in the Y-axis direction.
  • the stator 6 2 iota, 6 2 by the armature coils within 2 to the current of the Y-axis direction is supplied Li, movable element 6 0 6 0 to 2 driving force in the X-axis direction (mouth one The reaction force of the Lenz force) acts.
  • the movable element 6 and the stator 6 2 is constructed the Bok Rimumota for X-axis direction drive consisting of a voice coil motor of Mubin Gumagune' Bok type, the movable element 6 0 2 and the stator 6 2 2, moving the c trim motor for the X-axis direction drive consisting magnet type voice coil motor is configured, the movable element 6 0 3 is provided with a permanent magnet therein, to form a magnetic field in the Z-axis direction .
  • the stator 6 2 3 has an armature coil therein, a current through the magnetic field of the Z-axis direction are summer to flow in the X-axis direction.
  • a concave portion 18a is formed substantially at the center of the side wall on the 1X side of the frame member 18.
  • the concave portion 18a is formed with a rectangular opening 18b for communicating the inside and the outside of the frame-shaped member 18 with the window opening 18b. 2004/000655
  • a rectangular opening 18c communicating between the inside and the outside of the frame member 18 is formed on one Y side wall of the frame member 18 and a window glass ( transparent portion) g 2 is fitted.
  • These windows glass gi, g 2 as no gas leakage from the mounting portion, the mounting portion, and a metal seal of indium or copper, sealing with a fluorine resin (sea-ring) is facilities Have been. It is desirable to use a fluororesin that has been heated at 80 ° C. for 2 hours and degassed.
  • an X-axis laser which is a position detecting device, is located on the outside (one X side) of the window glass gi, facing the reflecting surface 124 m of the mirror part 24 B of the reticle stage RST.
  • An interferometer 69 X is provided. The measurement beam from the X-axis laser interferometer 69 X is projected through the window glass gi onto the reflecting surface 124 of the mirror section 24 B, and the reflected light is transmitted through the window glass gi to the X-axis. Return to the laser interferometer 6 9 X. In this case, the position of the optical path of the measurement beam in the Z-axis direction matches the position of the neutral plane CT described above.
  • a fixed mirror Mrx is provided via a mounting member 92 near the upper end of the lens barrel of the projection optical system unit PL.
  • X-axis laser interferometer 69 The reference beam from X is projected through a through-hole (optical path) 71 formed in reticle stage base 16 onto fixed mirror Mrx, and the reflected light is projected on X-axis. Return to the laser interferometer 6 9 X.
  • the reflected light of the measurement beam and the reflected light of the reference beam are coaxially combined into light of the same polarization direction by the internal optical system, and the interference light of both reflected lights is Is received by the detector of.
  • the X-axis laser interferometer 69 X determines the position of the reticle stage body 22 in the X-axis direction by the fixed mirror Mrx. As a reference, for example, detection is always performed at a resolution of about 0.5 to 1 nm.
  • detection is always performed at a resolution of about 0.5 to 1 nm.
  • FIG. 8 which is a YZ sectional view near the reticle stage device 12, a reticle stage body 22 is provided.
  • a Y-axis laser interferometer 69Y which is a position detecting device, is provided facing the reflecting surface of the retroreflectors 32, 322 described above.
  • Y-axis laser interferometer 6 9 Y is provided a pair to correspond to the retroreflector 3 2 1, 3 2 2.
  • the measuring beam from each Y-axis laser interferometer 69 Y is projected onto the reflecting surface of the retroreflector 3 2 3 2 2 through the window glass g 2 , and each reflected light passes through the window glass g 2.
  • the position of the irradiation point of the measurement beam in the Z-axis direction substantially coincides with the position of the neutral plane CT described above.
  • a fixed mirror Mry is provided via a mounting member 93 near the upper end of the lens barrel of the projection optical system unit PL.
  • the reference beam from each Y-axis laser interferometer 6 9 Y is projected onto a fixed mirror Mry via a through-hole (optical path) 72 formed in the reticle stage base 16, respectively.
  • the reflected light returns to each Y-axis laser interferometer 69 Y.
  • each Y-axis laser interferometer 69Y is based on the interference light between the reflected light of the measurement beam and the reflected light of the reference beam, and projection position measurement beams location of Rechikurusute one di body 2 2 in (retroreflector 3 2 iota, 3 2 2 the position of the reflection surface) of the position in the Y-axis direction, for example, a fixed mirror Mry based respectively 0. 5
  • Rechikurusute one di body 2 2 in (retroreflector 3 2 iota, 3 2 2 the position of the reflection surface) of the position in the Y-axis direction, for example, a fixed mirror Mry based respectively 0. 5
  • the pair of Y-axis laser interferometers 69Y can detect the amount of rotation of the reticle stage RST around the Z-axis.
  • the mirror unit 2 4 B are stator Yuni' Doo 3 6 (Y-axis linear motor 1 3 6 ⁇ , 1 3 6 2) are disposed outside the. For this reason, since the length measuring beam from the X-axis laser interferometer 69 X does not pass above the stator of the Y-axis linear motor 13 6 13 6 2 , the Y-axis linear motor 13 6 ⁇ , 1 3 by heat generated by current flowing through the 6 second stator, Y-axis linear motor 1 3 6 iota, 1 3 be 6 2 near the air fluctuation is generated, X Jikure by the air fluctuation Since there is no effect on the measurement value of the one-the-interferometer 69 X, it is possible to detect the position of the reticle stage RST and thus the reticle R in the X-axis direction with high accuracy.
  • the position of the optical path of the measurement beam of the X-axis laser interferometer 69 X in the Z-axis direction matches the position of the neutral plane CT, and the mounting surface of the reticle R Since the position of the reticle stage coincides with the neutral plane CT, the position of the reticle stage RST and thus the reticle R in the X-axis direction can be accurately measured without any so-called Abbe error.
  • the pair of ⁇ -axis interferometers 69 ⁇ can accurately measure the ⁇ -axis direction position of the reticle stage RS ⁇ and thus the reticle R without the so-called Abbe error.
  • each interferometer is placed inside the frame member 18. It is possible to prevent the occurrence of inconvenience that is highly likely to occur when arranging. For example, even if a small amount of absorptive gas is generated from optical members such as prisms and detectors that constitute each interferometer, this will not be mixed into the low absorptive gas in the aforementioned hermetic space. This has no adverse effect on exposure.
  • the mirror unit 2 4 beta As described above, in fact, as moving mirrors, the mirror unit 2 4 beta, three retro Reflecting motor 3 2 i, 3 2 2 but provided, the laser interferometer Correspondingly also the X-axis laser interferometer 6 9 X and a force provided with a pair of Y-axis laser interferometers 69 Y In FIG. 1, these are typically shown as a reticle moving mirror M m and a reticle interferometer system 69. In FIG. 1, the fixed mirrors (fixed mirror Mrx, fixed mirror Mry) are not shown.
  • the position (including 0z rotation) of reticle stage RST in the XY plane is measured by reticle interferometer system 69.
  • the position information (or speed information) of the reticle stage RST from the reticle interferometer system 69 is sent to the stage control system 90 in FIG. 1 and the main controller 70 via the stage control system 90.
  • the drive of the reticle stage RST is controlled based on the position information (or speed information) of the RST.
  • the projection optical system unit PL a dioptric system composed of a plurality of lens elements having a bilateral telecentric reduction system and a common optical axis in the Z-axis direction is used.
  • the projection optical system unit P L is actually held by a holding member (not shown) via a flange portion FLG provided on a lens barrel of the projection optical system unit P.
  • the projection magnification ⁇ of the projection optical system unit PL is, for example, 14 or 1/5. Therefore, as described above, when the reticle R is illuminated by the illumination light IL from the illumination unit I ⁇ , the circuit pattern in the illumination area formed on the reticle R is changed by the projection optical system unit PL. A reduced image is projected onto the irradiation area (exposure area) of the illumination light IL on the wafer W, which is conjugate to the illumination area, and a reduced image (partially standing image) of the circuit pattern is transferred and formed.
  • One end of an air supply pipe 50 and one end of an exhaust pipe 51 are connected to the lens barrel of the projection optical unit PL.
  • the other end of the air supply conduit 50 is connected to a low-absorbency gas supply device (not shown), for example, a helium gas supply device.
  • the other end of the exhaust pipe 51 is connected to an external gas recovery device. Then, high-purity helium gas is flown from the helium gas supply device into the lens barrel of the projection optical system unit PL via the air supply line 50. In this case, the helium gas is collected in the gas recovery device.
  • helium gas is used as the low-absorbing gas
  • the fluorite with a large thermal expansion coefficient is used as the lens material of the projection optical system unit PL in addition to the same reason as described above. It is desirable to use helium gas, which is a low-absorbing gas with a large cooling effect, considering that the temperature rise caused by absorbing the illumination light I will deteriorate the imaging characteristics of the lens. is there.
  • the wafer stage WST is arranged in the wafer chamber 80.
  • the wafer chamber 80 is formed by a partition 71 having a circular opening 71a formed substantially at the center of the ceiling. It is formed.
  • the partition wall 1 is formed of a material with low degassing such as stainless steel (SUS).
  • SUS stainless steel
  • the lower end of the lens barrel of the projection optical system unit PL is inserted into the opening 71 a of the ceiling of the partition 71.
  • a flexible bellows 97 connects the periphery of the opening 71 a of the ceiling wall of the bulkhead 71 with the flange portion FLG of the projection optical system unit P without gaps. Thus, the gas inside the wafer chamber 80 is isolated from the outside.
  • a stage base BS is supported substantially horizontally via a plurality of vibration isolating units 86.
  • These vibration isolation units 86 insulate the micro vibration (dark vibration) transmitted from the floor F to the stage base BS at, for example, a micro G level.
  • a so-called active vibration isolator that actively dampens the stage base BS based on the output of a vibration sensor such as a semiconductor accelerometer attached to a part of the stage base BS is used as the vibration isolation unit 86. It is also possible &).
  • the wafer stage WST holds the wafer W by vacuum suction or the like via a wafer holder 25, and moves along the upper surface of the base BS by a wafer drive system (not shown) including, for example, a linear motor. It can be driven freely in XY two-dimensional directions.
  • the projection optical system unit P and the wafer W are used in order to avoid the absorption of the exposure light (illumination light IL) by an absorbing gas such as oxygen. It is necessary to replace the optical path up to nitrogen or a rare gas.
  • one end of an air supply pipe 41 and one end of an exhaust pipe 43 are connected to the partition wall 71 of the wafer chamber 80, respectively.
  • the other end of the air supply pipe 41 is connected to a low-absorbency gas supply device (not shown), for example, a helium gas supply device.
  • the other end of the exhaust pipe 43 is connected to an external gas recovery device. Then, in the same manner as described above, helium gas is constantly flowed into the wafer chamber 80. ing.
  • a light transmitting window 85 is provided on a side wall on the one Y side of the partition wall 71 of the wafer chamber 80. Similarly, although not shown, a light-transmitting window is also provided on the side wall on the + X side of the partition wall 71 (on the front side in FIG. 1). These light-transmitting windows are configured by attaching a light-transmitting member that closes the window to a window (opening) formed in the partition wall 71, here, general optical glass. In this case, a metal seal such as indium or copper, or a sealing with a fluororesin (sealing) is used to prevent gas from leaking from a mounting portion of the light transmitting member constituting the light transmitting window 85. ) Is given. It is desirable to use a fluororesin which has been heated at 80 ° C. for 2 hours and degassed.
  • a Y moving mirror 56Y composed of a plane mirror is extended in the X-axis direction.
  • the length measurement beam from the Y-axis laser interferometer 57 Y arranged almost perpendicularly to the Y moving mirror 56 Y outside the wafer chamber 80 is projected through the light transmission window 85, and the beam is irradiated.
  • the reflected light is received by the detector inside the Y-axis laser interferometer 57 Y through the light transmission window 85, and the Y-moving mirror 56 Y is referenced with the position of the reference mirror inside the Y-axis laser interferometer 57 Y.
  • the position, that is, the Y position of the wafer W is detected.
  • an X moving mirror composed of a plane mirror is extended in the Y-axis direction. Then, the position of the X movable mirror, that is, the X position of the wafer W is detected by the X axis laser interferometer through the X movable mirror in the same manner as described above.
  • the detection values (measured values) of the above two laser interferometers are supplied to the stage control system 90 and the main controller 70 via the stage control system 90. Based on the above, the position of the wafer stage WST is controlled via a wafer drive system while monitoring the detection values of the above two laser interferometers.
  • the laser interferometer ie, the laser light source, the prism
  • the optical members such as the optical system and the detector are disposed outside the wafer chamber 80, even if a small amount of the absorbing gas is generated from the detector or the like, this may adversely affect the exposure. It's not like that.
  • the other end of the air supply line 50 and the other end of the exhaust line 51 connected to the lens barrel of the projection optical unit PL described above are connected to a helium gas supply device (not shown), respectively.
  • High-purity helium gas is always supplied from the supply device via the air supply line 50 into the lens barrel of the projection optical system unit PL, and the gas inside the lens tube is supplied via the exhaust line 51 with the helium gas supply device.
  • a configuration in which helium gas is circulated and used may be adopted.
  • the operation of the gas purification device allows the projection optical system unit to be used even if the helium gas is circulated for a long time by the circulation path including the helium gas supply device and the interior of the projection optical system unit PL.
  • the concentration of absorbing gas (oxygen, water vapor, organic matter, etc.) other than helium gas in the PL can be maintained at a concentration of ⁇ ippm or less.
  • a sensor such as a pressure sensor or an absorptive gas concentration sensor is provided in the projection optical system unit PL, and is built in the helium gas supply device via a control device (not shown) based on the measured value of the sensor. It is also possible to appropriately control the operation and stop of the pump that has been performed.
  • a helium gas circulation path similar to the above may be employed in the wafer chamber 80.
  • reticle loading and wafer loading are performed by a reticle loader and wafer loader (not shown) under the control of the main controller 70, and a reticle alignment system, a reference mark plate on the wafer stage WST, and an offset detection Reticle alignment, baseline measurement of alignment detection system (all not shown), etc. (projection light from the detection center of alignment detection system)
  • Preparation work such as measurement of the optical axis distance of the academic unit PL is performed according to a predetermined procedure.
  • the main controller 70 executes alignment measurement such as EGA (Enhanced 'global' alignment) using an alignment detection system (not shown).
  • the stage control system 90 transmits a wafer stage holding the wafer W via a wafer drive system (not shown). Move WST in a predetermined direction.
  • the above reticle alignment and baseline measurement are disclosed in detail in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-176468 and US Patent No. 5,646,413 corresponding thereto. EGA is disclosed in detail in JP-A-61-44429 and the corresponding US Patent No. 4,780,617.
  • the disclosures in each of the above-mentioned publications and the corresponding U.S. patents are incorporated herein by reference to form a part thereof. .
  • the step-and-scan exposure operation is performed as follows.
  • the wafer stage WST is moved so that the XY position of the wafer W becomes the scanning start position (acceleration start position) for exposing the first shot area (first 'shot) on the wafer W. Be moved.
  • the reticle stage RST is moved so that the position of the reticle R becomes the scanning start position.
  • the stage control system 90 causes the reticle interferometer system 69 to measure the position information of the reticle R, the Y-axis laser interferometer 57 on the wafer side, and the X-axis laser interference. Scanning exposure is performed by synchronously moving reticle R (reticle stage RST) and wafer W (wafer stage WST) based on the wafer W positional information measured by the meter.
  • the transfer of the reticle pattern to the first shot area is completed.
  • the wafer stage WS is stepped by one shot area in the non-scanning direction (X-axis direction), and then scanning exposure is performed on the next shot area.
  • the stepping operation between shots and the scanning exposure are sequentially repeated, and the pattern of the reticle R is transferred onto the plurality of shot areas on the wafer W.
  • the follow control of the reticle stage RST with respect to the re-wafer stage WS is performed by the stage control system 90 based on the instruction of the main controller 70.
  • the reaction force has been canceled by the movement of the frame member 18.
  • the mover of the voice coil motor 30 is driven in the X-axis direction integrally with the reticle stage RST.
  • the reaction force of the force is to act on the voice coil motor 3 0 of the stator (armature Yunitto 1 4 C, 1 4 0 2 ) ⁇ Pi stator is fixed frame member 1 8.
  • the frame-shaped member 18 is not in contact with the reticle stage base 16 and the illumination system side plate 14 via a predetermined clearance.
  • the shape member 18 moves by a distance according to the law of conservation of momentum in a direction corresponding to the reaction force.
  • the reaction force is absorbed by the movement of the frame member 18.
  • the joing moment due to the reaction force of the driving force in the X-axis direction may act on the frame member 18.
  • the frame-shaped member 18 makes a free motion with a 0z rotation so as to absorb the reaction force in accordance with the law of conservation of momentum by the action of the jowing moment and the reaction force in the X-axis direction.
  • the Y-axis linear motors 1 3 6 1 3 6 2 , 1 3 8 ⁇ , 1 3 8 2 are driven in the Y-axis direction integrally with the reticle stage RST, and the resultant of the reaction force of the driving force of each mover is the Y-axis linear motor 1 3 6 ⁇ 1 3 6 2 , 1 04 000655
  • Y -axis linear motor 1 3 8 ⁇ , 1 3 8 2 and the driving force for generating a different allowed by reticle stage RST and (thrust) is 0 z rotation
  • the bowing moment may act on the frame member 18, but in such a case, the frame member 18 also has a momentum due to the action of the bowing moment and the reaction force in the Y-axis direction. Free motion with 0 z rotation to absorb reaction force according to the law of conservation.
  • the reaction force (reaction force in the X-axis direction and the Y-axis direction) generated by driving the reticle stage RST and the The reticle stage RST can be reliably canceled, and the vibration accompanying the driving of the reticle stage RST can be suppressed.
  • the occurrence of an eccentric load can be prevented as described above, it is also possible to prevent a change in the attitude of the reticle stage base 16 due to this.
  • the amount of deviation from the reference position should not exceed an allowable value (That is, for example, the movement of the frame member 18 makes it impossible to control the voice coil motor 30, or the outside air flows through the gap between the frame member 18 and the reticle stage base 16.
  • the main controller 70 is connected to the stage control system 90 via the stage control system 90 at an appropriate time so as not to affect the exposure, for example, so as not to cause a situation such as mixing in the hermetic space inside the shaped member 18).
  • Three trimmo The frame member 18 is returned to a predetermined reference position using a motor.
  • the reticle stage RS is configured to hold the reticle R while floating above the reticle stage base 16 and to move the Y axis and the reticle R.
  • the reticle stage 16 can move along the reticle stage base 16 in three degrees of freedom in a two-dimensional plane including the X axis orthogonal to the reticle stage base 16 while floating above the reticle stage base 16. It has three degrees of freedom in the two-dimensional plane.
  • the frame member 1 8 Y-axis linear motor 1 36, 1 3 6 2, 1 38 ⁇ , 1 38 2 of the stator (Riniagai de 1 36 ⁇ , 1 36 2, 1 38 ⁇ , 1 38 2) , and provided a stator of the voice coil motor 30 (armature Yuni' Bok 1 4 1 40 2), Y-axis linear motors 1 361, 1 36 2, 1 38i, 1 382 each moving element (magnetic pole units 26 26 2 , 28i, 28 2), the movable element (permanent magnet 30 of ⁇ Pi voice coil motor 30), that provided in the reticle stage RS T.
  • the reticle stage RS T is Y-axis linear motor 1 36 ⁇ , 1 36 2, 1 38 ⁇ , by 1 38 2 or the voice coil motor 30 when it is moving drive in the Y-axis direction or X-axis direction, corresponding to the driving force reaction force stator (linear guide 1 36L 1 36 2, 1 38 ⁇ , 1 38 2) arising in or stator (armature units 1 4 1 40 2) (acts). Due to the action of this reaction force, the frame member 18 moves in the three-degree-of-freedom direction in the two-dimensional plane substantially according to the law of conservation of momentum. That is, the frame member 18 serves as a counter mass.
  • the frame member 18 is provided so as to surround the reticle stage RST, the frame member 18 is inevitably increased in size and the mass is increased. Since a large mass ratio with the restage RST can be secured, the movement stroke of the frame member 18 is relatively short. Also, even when the frame member 18 is enlarged, there is almost no problem.
  • reticle stage RS ⁇ has a mounting surface for reticle R formed on a part of neutral plane CT, and the ⁇ axis position of the optical path of the measurement beam from reticle interferometer system 69 is
  • the position of the reticle stage RS ⁇ is different from that of the conventional example described with reference to Fig. Both the position measurement error and the Abbe error that is different from the displacement between the measurement axis and the pattern surface of the reticle R can be reduced to almost zero. It becomes possible to measure.
  • the first drive mechanism for driving the reticle stage RST is symmetrically arranged on one side and the other side in the X-axis direction of the mounting area of the reticle R of the reticle stage RST with respect to the neutral plane CT.
  • Each pair of movers (magnetic pole units 26 26 2 , 2 Si, 28 2 ) and two pairs of stators that individually generate a driving force in the axial direction in cooperation with the respective movers.
  • the movable element, the reticle stage body, and the movable element have a laminated structure on either one side or the other side in the X-axis direction, and the movable elements are arranged symmetrically with respect to the neutral plane CT.
  • the neutral plane of the reticle stage RST substantially coincides with the height position of the center of gravity (the position in the Z-axis direction).
  • the resultant of the driving forces in the Y-axis direction generated on the reticle stage RST acts on the center of gravity of the reticle stage RST.
  • the stators (linear guides 136 ⁇ , 136 2 , 138i, 138 2 ) of each pair are arranged symmetrically with respect to the neutral plane CT, the reticle stage R ST Driving in Y-axis direction along reticle stage surface plate 16
  • Riniagai de 1 36, 1 36 2, 1 38 ⁇ , 1 38 2 Riniagai de 1 36L 1 36 1 38 ⁇ by electric current supplied to the armature co I le, heat generated by the 1 38 2, the reticle stage RS Even if T is heated, the deformation of the reticle stage body 22 due to the bimetallic effect that occurs above and below the neutral plane CT cancels out the reticle due to the bimetallic effect in the heating part. There is no deformation of the stage RST.
  • the position of reticle stage RST in the Y-axis direction is measured by a pair of Y-axis interferometers 69Y via a pair of retroreflectors 32u 32.2 provided on reticle stage RS, and the reticle stage is determined based on the measurement results. Since the position of the RST in the Y-axis direction is controlled, the position controllability of the reticle stage RST in the Y-axis direction can be made extremely good.
  • the reflecting surface irradiated with the measurement beam in the X-axis direction from the reticle interferometer system 69 is a linear surface that drives the reticle stage RST in the Y-axis direction.
  • motor 1 36Iota since is provided outside the 1 36 2, even if the temperature fluctuation is generated in a gas near the Riniamota due to heat generation of the Riniamota, any of its X-axis direction of the measurement beam There is no impact. This makes it possible to measure the position of the reticle stage RS in the X-axis direction with high accuracy using the X-axis interferometer 69X.
  • the measurement beam in the Y-axis direction from the reticle interferometer system 69 is, as usual, reflected on the reflection surface of the retro-reflector 32 322 provided on the reticle stage RST (the linear The reticle stage RST in the Y-axis and X-axis directions can be measured with high accuracy. As a result, it is possible to improve the position controllability of the reticle stage RST.
  • the reflecting surface 124 m on which the measurement beam in the X-axis direction from the reticle interferometer system 69 is irradiated is different from the plate-like portion 24 A on which the reticle R of the reticle stage RST is mounted.
  • a reinforcing portion 124b is provided on each side, and both ends of the reinforcing portion 124b are connected to the plate portion 24A via elastic hinge portions 124c and 124d. For this reason, the deformation of the portion between the elastic hinge portions 124c and 124d of the reflecting surface, that is, the portion mainly used for controlling the position of the reticle stage RST should be minimized. Can be.
  • the end portion of the one side and the other side of the Y-axis direction of the reticle stage RST is provided extending portion 2 4 ( ⁇ ⁇ 2 4 D 2 extending in the Y-axis Direction respectively, on the bottom surface of the reticle stage RST
  • a gas static pressure bearing is formed over the entire area in the longitudinal direction from the one-side extending portion to the other-side extending portion, and the gas static pressure bearing is formed without a pipe from the reticle stage base 16.
  • the reticle stage RST is not driven while dragging the pipe, and during exposure in which the reticle stage moves at a constant speed. It requires very little thrust to maintain fast motion, and is therefore immune to linear motor thrust ripples and other effects.
  • the position controllability of the reticle stage RST can be extremely excellent, so that the synchronization control accuracy between the reticle stage RST and the wafer stage WST can be improved. This allows the pattern formed on the reticle R to be accurately placed on the wafer W. It becomes possible to transfer.
  • the space including the optical path of the illumination light IL between the illumination unit IOP and the projection optical system unit PL has a low absorption gas (the characteristic of absorbing the illumination light IL is lower than that of air).
  • the purge space is purged with a small specific gas, and the frame 18 also serves as a partition wall for isolating the purge space from the outside air, so that the space around the reticle stage RST can be easily purged.
  • the absorption of the illumination light I in the purge space can be suppressed as much as possible.
  • the first drive mechanism for driving the reticle stage RST in the Y-axis direction is constituted by a pair of left and right Y-axis linear motors
  • the second drive mechanism for driving the reticle stage RST in the X-axis direction is a voice coil.
  • the motor is configured, it is needless to say that the present invention is not limited to this.
  • the hollow portion CH is formed in the mirror portion 24B
  • the hollow portion may not be formed in the mirror portion 24B.
  • the present invention is not limited to this. It is good to do it.
  • the illumination system side plate 14 is provided above the reticle stage device 12.
  • a window through which the illumination light is transmitted is provided above the frame member (the illumination system side).
  • the frame member 18 surrounding the reticle stage RST also functions as a partition wall for isolating the space around the reticle stage from the outside air
  • the present invention is not limited to this. Instead, the reticle stage RST and the frame member are housed in a chamber (reticle stage chamber), and the space around the reticle stage RST is replaced with a low-absorbing gas.
  • the frame-shaped member only needs to be formed with a predetermined distance between the reticle stage base and the reticle stage so as to be movable in a two-dimensional plane (in the XY plane). There is no need to provide a hydrostatic bearing mechanism on the top surface of the member.
  • the stage device according to the present invention is applied to a reticle stage device of a scanning type VUV exposure apparatus.
  • the present invention is not limited to this.
  • a mask stage device such as a proximity type aligner mask stage device that transfers the mask pattern to the substrate by bringing the mask and substrate into close contact with each other without using a system, or a batch transfer scanning exposure device for liquid crystal.
  • stage apparatus can be applied to an electron beam exposure apparatus of the EBPS type or an exposure apparatus such as a so-called EUVL which uses light in a soft X-ray region having a wavelength of about 5 to 30 nm as exposure light.
  • any device that can drive a moving body on which an object (sample) is mounted in a predetermined first axis direction and requires minute driving in a second axis direction and a rotation direction orthogonal to the first axis direction.
  • the stage apparatus according to the present invention can be suitably applied to not only the exposure apparatus but also other precision machines.
  • the illumination light I teeth A r F excimer laser beam (wavelength 1 9 3 nm) or F 2 laser beam (wavelength 1 5 7 nm) vacuum ultraviolet light such as, K r F excimer Far ultraviolet light such as laser light (wavelength 248 nm) and ultraviolet bright lines (g-line, i-line, etc.) from an ultra-high pressure mercury lamp were used, but this is not a limitation.
  • K r F excimer Far ultraviolet light such as laser light (wavelength 248 nm) and ultraviolet bright lines (g-line, i-line, etc.) from an ultra-high pressure mercury lamp were used, but this is not a limitation.
  • Other vacuum ultraviolet light such as light (wavelength 126 nm) may be used.
  • vacuum ultraviolet light is not limited to the above laser light
  • a single-wavelength laser light in the infrared or visible range oscillated from a DFB semiconductor laser or a fiber laser may be, for example, erbium (Er) (or erbium).
  • ytterbium both Y b
  • Y b may be amplified by a fiber-amplifier doped with harmonics and converted to ultraviolet light using a non-linear optical crystal.
  • the illumination light I instead, X-rays (including EUV light) or charged particle beams such as electron beams and ion beams may be used.
  • the projection optical system may be either a unit magnification system or an enlargement system.
  • vacuum ultraviolet light such as Ar 2 laser light
  • the projection optical system uses, for example, vacuum ultraviolet light such as Ar 2 laser light as the illumination light I, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. HEI 3-282527 and U.S. Pat. No. 5,220,454, JP-A-8-171504 and corresponding US Pat. Nos. 5,668,672, and — Refractive optical elements and reflective optical elements (such as M-plane mirrors and beam splitters) disclosed in US Pat. No. 2,019,955 and corresponding US Pat. Nos.
  • catadioptric system catadioptric system
  • catoptric optical system consisting only of a reflective optical element
  • the present invention is applied to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor.
  • the present invention is not limited to this.
  • the present invention is applied to a liquid crystal display device for transferring a liquid crystal display element pattern to a square glass plate.
  • the present invention can be widely applied to an exposure apparatus, an exposure apparatus for manufacturing a thin-film magnetic head, an image sensor, an organic EL, a micromachine, a DNA chip, and the like.
  • micro devices such as semiconductor devices
  • glass substrates or silicon wafers are used to manufacture reticles or masks used in light exposure equipment, EUV exposure equipment, X-ray exposure equipment, electron beam exposure equipment, etc.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern to a substrate.
  • a transmission type reticle is generally used, and a reticle substrate is made of quartz glass, fluorine-doped quartz glass, or fluorite. , Magnesium fluoride, quartz, or the like is used.
  • the present invention may be applied to an immersion exposure apparatus disclosed in, for example, International Publication WO99Z4954, in which a liquid is filled between a projection optical system unit PL and a wafer. good.
  • FIG. 10 shows a flowchart of an example of manufacturing devices (semiconductor chips such as IC and LSI, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads, micromachines, etc.).
  • a function / performance design of a device for example, a circuit design of a semiconductor device, etc.
  • a pattern for realizing the function is performed.
  • step 202 mask manufacturing step
  • step 203 wafer manufacturing step
  • a wafer is manufactured using a material such as silicon.
  • step 204 wafer processing step
  • step 204 wafer processing step
  • step 205 device assembly step
  • step 205 includes, as necessary, processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation).
  • step 206 inspection step
  • inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the device manufactured in step 205 are performed. After these steps, the device is completed and shipped.
  • FIG. 11 shows a detailed flow example of the above step 204 in the case of a semiconductor device.
  • Step 2 1 1 oxidation step
  • Step 2 1 2 CVD step
  • step 2 13 electrode formation step
  • step 2 14 ion implantation step
  • ions are implanted into the wafer.
  • steps 21 1 to 21 4 constitutes a pre-processing step of each stage of the wafer processing, and is selected and executed according to a necessary process in each stage.
  • step 2 15 resist forming step
  • step 2 1 6 exposure step
  • step 2 1 7 development step is transferred to the wafer to the circuit pattern of the mask by the exposure apparatus in the exposure apparatus 1 0
  • step 218 etching step
  • step 219 resist removing step
  • the exposure apparatus of the present invention such as the exposure apparatus 10 of the above embodiment is used in the exposure step (step 2 16).
  • the productivity including yield of highly integrated devices can be improved.
  • the stage device of the present invention can be used for placing and moving an object. Suitable for. Further, the exposure apparatus of the present invention is suitable for transferring a pattern formed on a mask to a photosensitive object. Further, the device manufacturing method of the present invention is suitable for the production of micro devices.

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Abstract

 ステージ(RST)は、定盤(16)の上方に浮上しつつレチクルを保持して2次元面内の3自由度方向に移動可能であり、枠状部材(18)は定盤の上方に浮上しつつ2次元面内の3自由度方向に移動可能である。枠状部材には第1固定子(1361~1382)、第2固定子(1401,1402)が設けられ、ステージには第1固定子、第2固定子それぞれと協働してステージを2次元面内で駆動する駆動力を発生する第1可動子、第2可動子が設けられている。従って、ステージの駆動による反力は第1又は第2固定子に作用し、この反力により枠状部材が運動量保存則にほぼ従って2次元面内で移動する。これにより、ステージの移動による反力がほぼ完全にキャンセルされるとともに、ステージ及び枠状部材を含む系の重心移動が生じないので、定盤には偏荷重も作用しない。

Description

明 細 書
ステージ装置及び露光装置、 並びにデバイス製造方法 技術分野
本発明は、 ステージ装置及び露光装置、 並びにデバイス製造方法に係り、 更 に詳しくは、 定盤と、 該定盤に沿って移動するスライダとを備えるステージ装 置、 該ステージ装置を備える露光装置、 並びに前記露光装置を用いるデバイス 製造方法に関する。 背景技術
近年、半導体素子、液晶表示素子等を製造するリソグラフイエ程においては、 マスク又はレチクル (以下、 Γレチクル」 と総称する) とウェハ又はガラスプレ ート等の感光物体 (以下、 「ウェハ」 と総称する) とを所定の走査方向 (スキヤ ン方向) に沿って同期移動しつつ、 レチクルのパターンを投影光学系を介して ウェハ上に転写する、 ステップ■アンド 'スキャン方式の走査型露光装置 (い わゆるスキャニング■ステツパ (スキャナ) とも呼ばれる) などが比較的多く 用いられるようになつてきた。 走査型露光装置は、 ステツパなどの静止型露光 装置に比べると、 大フィールドをより小さな投影光学系で露光できる。 このた め、 走査型露光装置には、 投影光学系の製造が容易であるとともに、 大フィ一 ルド露光によるショット数の減少により高スループッ卜が期待でき、 さらに投 影光学系に対してレチクル及び基板を相対走査することで平均化効果があり、 デイストーシヨンや焦点深度の向上が期待できる等の種々のメリツ卜がある。 しかるに、 走査型露光装置では、 ウェハ側に加え、 レチクル側にも、 レチク ルを駆動する駆動装置が必要である。 最近の走査型露光装置では、 レチクル側 の駆動装置として、 レチクル定盤上にエアベアリング等によリ浮上支持され、 5
2 走査方向に直交する非走査方向 (非スキャン方向) の両側に配置された 1対の リニアモータによって、 走査方向に所定ストローク範囲で駆動されるレチクル 粗動ステージと、 該レチクル粗動ステージに対して、 スキャン方向及び非スキ ヤン方向及びョーイング方向にボイスコイルモータ等によって微少駆動される レチクル微動ステージとを有する粗微動構造のレチクルステージ装置が用いら れている。
また、 レチクルステージの駆動に応じてリニアモータの固定子に生じる反力 がレチクル定盤の振動要因や姿勢変化の要因となるのを極力抑制するため、 前 記反力を受けて、 運動量保存則に従って、 例えばレチクルステージのスキャン 方向に延設されたリニアモータの固定子 (リニアガイド) に沿って、 レチクル ステージとは反対方向に移動するカウンタマス (錘部材) を有するカウンタマ ス機構が設けられたレチクルステージ装置もある。
しかしながら、従来の走査型露光装置が採用するレチクルステージ装置では、 以下のような改善すべき点が種々存在する。
a . 微動ステージ駆動用のモータの固定子が設けられた固定子キャリアと定 盤との間にサイドガイドがあるため、 レチクル微動ステージ (レチクル) の非 スキャン方向の位置決め時の反力及びョ一^ rングモーメント、 並びに粗動ステ ージの駆動時に生じるモーメントが、 サイドガイドを介して定盤に伝達され、 これが定盤の振動要因となり、 結果的にレチクルの位置制御精度 (位置決め精 度を含む) を悪化させていた。
b . レチクル微動ステージ及びレチクル粗動ステージには、 電流供給のため の配線や、 バキュームチャックのための真空排気用の配管及びエアべァリング に対する加圧空気の供給用の配管などが接続されていた。 このため、 レチクル 微動ステージ及びレチクル粗動ステージが移動する際には、 上記の配線、 配管 が引きずられ、 それら配線、 配管の張力が、 結果的にレチクルの位置制御精度
(位置決め精度を含む) を悪化させる要因となっていた。 c . レチクル微動ステージ周辺の機械的な振動、 熱的要因によるステージ曲 げがレチクル微動ステージの位置計測誤差の要因となっていた。 一例として、 図 1 2 Aに示されるように、 レチクル微動ステージ R S Tに設けられた移動鏡 1 6 9を介してレチクル微動ステージ R S T (レチクル R ) の位置を測長軸 L Xを有する干渉計で測定する場合について考える。 この場合において、 レチク ルステージ R S Tに図 1 2 Bに示されるような変形が生じたものとすると、 干 渉計によって計測される位置情報に Δ Μの計測誤差 (一種のアッベ誤差) が生 じることとなる。 なお、 図 1 2 A、 図 1 2 Bにおいて、 符号 C Rは、 レチクル 微動ステージ R S Tの中立面 (曲げ中立面) を示す。
d . さらに、 レチクル微動ステージの変形が、 移動鏡の変形 (曲がり) 要因 となり、 レチクル微動ステージの位置計測精度、 ひいては位置制御精度の低下 を招いていた。
e . また、 特にカウンタマス機構を備えるレチクルステージ装置では、 カウ ンタマス (錘部材) とレチクルステージとの質量比を十分大きく確保すること が困難であった。 その理由は、 上記従来のカウンタマス機構では、 カウンタマ スはリニアガイ ドの軸上に重心を配置する必要があるため、 カウンタマスの質 量を大きくするためには、カウンタマスをリニァガイ ドの軸方向に延長するか、 リニアガイ ドを中心として軸直交面内で放射方向の距離が一律に大きくなるよ うにする必要があり、 レイアウトの都合上、 自ずと制限があるためである。 こ のようにカウンタマス (錘部材) とレチクルステージとの質量比を十分大きく 確保することが困難であったことから、 カウンタマスのストロークが大きくな リ、 配管を引きずることの影響や、 重心移動による局部的なボディ変形が無視 できず、 位置制御性の低下の要因となっていた。
f . この他、 レチクルステージの周辺部材の配置、 形状などが複雑で、 その 周辺空間は入り組んだ開放空間となっていたため、 空調効率が悪く、 空気揺ら ぎ (空気の温度揺らぎ) などによって干渉計計測精度、 ひいてはレチクルの位 置制御性を悪化させる要因ともなつていた。 さらに、 F 2レーザなどの真空紫 外光を露光用照明光として用いる場合には、 レチクル周辺においても雰囲気気 体を不活性ガスで置換するガスパージを行わなければならないが、 上記のレチ クルステージの周辺部材の配置、 形状などの複雑化のために、 その設計が非常 に困難なものとなっていた。
本発明は、 かかる事情の下になされたもので、 その第 1の目的は、 特に、 物 体が載置される移動体の位置制御性の向上を図ることができるステージ装置を 提供することにある。
また、 本発明の第 2の目的は、 高精度な露光を実現することが可能な露光装 置を提供することにある。
また、 本発明の第 3の目的は、 高集積度のデバイスの生産性を向上させるこ とが可能なデバイス製造方法を提供することにある。 発明の開示
本発明は、 第 1の観点からすると、 定盤と ;前記定盤の上方に浮上しつつ物 体を保持して第 1軸及びこれに直交する第 2軸を含む 2次元面内の 3自由度方 向に前記定盤に沿って移動可能なスライダと ;前記定盤の上方に浮上しつつ前 記 2次元面内の 3自由度を少なくとも有し、 前記スライダを取り囲む枠状部材 と ;前記枠状部材に設けられた第 1固定子と、 該第 1固定子と協働して前記ス ライダを前記第 1軸方向に駆動する駆動力を発生する第 1可動子とを含む第 1 駆動機構と ;前記枠状部材に設けられた第 2固定子と、 前記第 2固定子と協働 して前記スラィダを前記第 2軸方向に駆動する駆動力を発生する第 2可動子と を含む第 2駆動機構と; を備える第 1のステージ装置である。
ここで、 固定子と可動子とが 「協働する」 とは、 固定子と可動子との間の何 らかの物理的相互作用 (例えば電気磁気的な相互作用など) を行って駆動力を 発生することを意味する。 本明細書では、 かかる意味で協働なる用語を用いる ものとする。
これによれば、 スライダは、 定盤の上方に浮上しつつ物体を保持して第 1軸 及びこれに直交する第 2軸を含む 2次元面内の 3自由度方向に前記定盤に沿つ て移動可能であり、 枠状部材は、 定盤の上方に浮上しつつ前記 2次元面内の 3 自由度を少なくとも有している。 枠状部材には、 第 1固定子、 第 2固定子が設 けられ、 第 1固定子と協働してスライダを第 1軸方向に駆動する駆動力を発生 する第 1可動子、 第 2固定子と協働してスライダを第 2軸方向に駆動する駆動 力を発生する第 2可動子がスライダに設けられている。 従って、 スライダが第 1駆動機構又は第 2駆動機構により第 1軸方向又は第 2軸方向に駆動されると, その駆動力に応じた反力が第 1固定子又は第 2固定子に生じる(作用する)。こ の反力の作用により枠状部材が、 運動量保存則にほぼ従って、 2次元面内の 3 自由度方向に移動する。 すなわち、 枠状部材がカウンタマスの役目を果たす。 この場合、 枠状部材の移動により、 前記反力がほぼ完全にキャンセルされると ともに、 スライダ及び枠状部材を含む系の重心移動が生じないので、 定盤には 偏荷重も作用しない。 従って、 物体が載置されるスライダの位置制御性の向上 を図ることができる。 また、 この場合、 枠状部材はスライダを取り囲む状態で 設けられているので、 必然的に大型化し、 その質量が大きくなり、 枠状部材と スライダとの大きな質量比を確保することができ、 枠状部材の移動ストローク は比較的短くて足りる。 また、 枠状部材を大型化する場合に、 その支障は殆ど ない。
この場合において、第 1駆動機構、第 2駆動機構の構成は種々考えられるが、 例えば前記第 1駆動機構は、 少なくとも 2つのリニアモータを含み、 前記第 2 駆動機構は、 少なくとも 1つのボイスコイルモータを含むこととすることがで きる。
本発明の第 1のステージ装置では、 前記スライダの位置を計測する干渉計シ ステムを更に備え、 前記スライダには、 中立面の一部に前記物体の載置面が形 成されるとともに、 前記干渉計システムからの測長ビームの光路の前記 2次元 面に直交する第 3軸方向の位置が前記中立面の位置に一致していることとする ことができる。 かかる場合には、 前述の図 1 2 Bを用いて説明した、 スライダ の変形の際に中立面と測長軸とのずれに起因して生じる位置計測誤差 Δ Μを略 零にすることができる。
本発明の第 1のステージ装置では、 前記スライダの第 1軸方向の一側及び他 側の端部には第 1軸方向に延びる延設部がそれぞれ設けられ、 前記一側の延設 部から他側の延設部に至る長手方向の全域に渡る気体静圧軸受が形成され、 前 記定盤から配管を介さないで前記気体静圧軸受に対して加圧気体が供給される こととすることができる。 .
本発明は、 第 2の観点からすると、 マスクと感光物体とを所定方向に同期移 動して前記マスクに形成されたパターンを前記感光物体に転写する露光装置で あって、 前記マスクを照明光により照明する照明ュニッ卜と ;前記マスクが前 記物体として前記スライダ上に載置される本発明の第 1のステージ装置と ;前 記マスクから射出される前記照明光を前記感光物体上に投射する投影光学系ュ ニッ卜と ;を備える第 1の露光装置である。
これによれば、 本発明の第 1のステージ装置を備えているので、 スライダの 位置制御精度、 ひいてはマスクの位置制御精度を向上することが可能である。 したがって、 マスクに形成されたパターンを感光物体に高精度に転写すること が可能となる。
この場合において、 前記照明ュニッ卜と前記投影光学系ュニッ卜との間の前 記照明光の光路を含む空間が前記照明光を吸収する特性が空気に比べて小さい 特定ガスでパージされるパージ空間とされるとともに、 前記枠状部材が前記パ —ジ空間を外気に対して隔離する隔壁を兼ねていることとすることができる。 かかる場合には、 従来と異なり、 マスク周辺の空間を容易にパージ空間とする ことができる。 この場合において、 前記枠状部材の前記照明ュニッ卜とは反対側の前記定盤 に対向する側の面に、 前記特定ガスを加圧気体として用いる第 1の気体静圧軸 受が、 ほぼ全周に渡って設けられていることとすることができる。
この場合において、 前記枠状部材の前記照明ュニット側の面に前記特定ガス を加圧気体として用いる第 2の気体静圧軸受が、 ほぼ全周に渡って設けられ、 前記枠状部材の照明ュニッ卜側の面のほぼ全面に対向してかつ所定のクリアラ ンスを介して配置され、 前記第 2の気体静圧軸受からの加圧気体が噴き付けら れるプレートを、 更に備えることとすることができる。
本発明の第 1の露光装置では、 前記枠状部材が前記パージ空間を外気に対し て隔離する隔壁を兼ねている場合に、 前記枠状部材の前記照明ュニッ卜とは反 対側の前記定盤に対向する側の面に、 真空吸引と加圧気体の噴出しとを同時に 行う差動排気型の第 1の気体静圧軸受が、 ほぼ全周に渡って設けられているこ ととすることができる。
この場合において、 前記枠状部材の前記照明ユニット側の面に、 真空吸引と 加圧気体の噴出しとを同時に行う差動排気型の第 2の気体静圧軸受が、 ほぼ全 周に渡って設けられ、 前記枠状部材の照明ュニッ卜側の面のほぼ全面に対向し てかつ所定のクリアランスを介して配置され、 前記第 2の気体静圧軸受からの 加圧気体が噴き付けられるプレートを、 更に備えることとすることができる。 本発明の第 1の露光装置では、 前記枠状部材が前記パージ空間を外気に対し て隔離する隔壁を兼ねている場合において、 前記スライダの位置を計測する干 渉計システムを更に備える場合には、 前記干渉計システムから前記パージ空間 内の前記スライダに向かう測長ビームの光路上に位置する前記枠状部材の側面 部分に開口部を形成するとともに、 該開口部を閉塞するカバーガラスを設置す ることとすることができる。
本発明は、 第 3の観点からすると、 定盤と ;前記定盤の上方に浮上しつつ物 体を保持して前記定盤に沿って移動可能なスライダと ;前記スライダの前記物 体が載置される領域の第 1軸方向に直交する第 2軸方向の一側と他側とに前記 スライダの中立面を基準としてそれぞれ対称に配置された各一対の可動子と、 当該各対の可動子と個別に協働して前記第 1軸方向の駆動力をそれぞれ発生す る一対の固定子部とを有する駆動機構と;を備える第 2のステージ装置である。 これによれば、 スライダを駆動する駆動機構が、 スライダの物体が載置され る領域の第 2軸方向の一側と他側とにスライダの中立面を基準としてそれぞれ 対称に配置された各一対の可動子と、 当該各対の可動子と個別に協働して第 1 軸方向の駆動力をそれぞれ発生する一対の固定子部とを有している。すなわち、 第 2軸方向の一側、 他側のいずれにおいても、 可動子、 スライダ、 可動子の積 層構造になっているとともに、 その可動子同士は、 スライダの中立面に関して 対称の配置となっている。 この場合、 スライダの中立面は、 その重心の高さ位 置 (第 1軸及び第 2軸に直交する第 3軸方向の位置) に略一致しているので、 左右各一対の可動子と対応する固定子との協働によって発生する第 1軸方向の 駆動力の合力が、 スライダの重心位置に作用することとなる。 従って、 スライ ダの少なくとも第 1軸方向の位置制御性の向上、 及びスライダの第 2軸回りの 回転の抑制が可能である。
また、 例えば、 可動子が電機子ユニットで構成される場合には、 スライダを 定盤に沿って第 1軸方向に駆動する際に、 可動子に供給される電流による可動 子の発熱によリスライダが加熱されたとしても、 その発熱部分では、 中立面の 上側、下側に生じるバイメタル効果に起因するスライダの変形同士が相殺され、 結果的にバイメタル効果に起因するスライダの変形が生じることがない。
従って、 特に、 スライダの位置をスライダに設けられた反射面を介して干渉 計によリ計測する場合には、その位置制御性を良好なものとすることができる。 この場合において、 前記一対の固定子部のぞれぞれは、 前記スライダの中立 面を基準としてそれぞれ対称に配置されていることとすることができる。
本発明の第 2のステージ装置では、 前記スライダの第 1軸方向の一側及び他 側の端部には第 1軸方向に延びる延設部がそれぞれ設けられ、 前記一側の延設 部から他側の延設部に至る長手方向の全域に渡る気体静圧軸受が形成され、 前 記定盤から配管を介さないで前記気体静圧軸受に対して加圧気体が供給される こととすることができる。
本発明は、 第 4の観点からすると、 マスクと感光物体とを所定方向に同期移 動して前記マスクに形成されたパターンを前記感光物体に転写する露光装置で あって、 前記マスクを照明光により照明する照明ュニッ卜と ;前記マスクが前 記物体として前記スライダ上に載置される本発明の第 2のステージ装置と ;前 記マスクから射出される前記照明光を前記感光物体上に投射する投影光学系ュ ニッ卜と を備える第 2の露光装置である。
これによれば、 本発明の第 2のステージ装置を備えているので、 スライダの 位置制御精度、 ひいてはマスクと感光物体との同期精度を向上させることが可 能である。 従って、 マスクに形成されたパターンを感光物体に高精度に転写す ることが可能となる。
本発明は、 第 5の観点からすると、 定盤と ;前記定盤の上方に浮上しつつ物 体を保持して第 1軸及びこれに直交する第 2軸を含む 2次元面内を前記定盤に 沿って移動可能なスライダと ;前記スライダを前記第 1軸方向に駆動するリニ ァモータを含む駆動機構と ;前記スライダに設けられた反射面に測長ビームを 照射してその反射光に基づいて前記第 1軸方向及び第 2軸方向の位置を計測す る干渉計システムと ; を備え、 前記干渉計システムからの前記第 2軸方向の測 長ビームが照射される反射面が、 前記リニアモータより外側に位置する前記ス ライダの一部に設けられていることを特徴とする第 3のステージ装置である。 これによれば、 干渉計システムからの第 2軸方向の測長ビームが照射される 反射面が、 スライダを第 1軸方向に駆動するリニァモータよリも外側に設けら れているので、 リニァモータの発熱に起因して該リニァモータ周辺の気体に温 度揺らぎが生じても、 その第 2軸方向の測長ビームにはなんらの影響も生じな いので、 干渉計によるスライダの第 2軸方向の位置計測を高精度で行うことが 可能となる。 この場合、 干渉計からの第 1軸方向の測長ビームは、 通常と同様 に、 スライダに設けられた別の反射面 (前記リニアモータの発熱の影響を殆ど 受けない場所に位置する反射面) に特に支障なく照射することができるので、 スライダの第 1軸方向及び第 2軸方向の位置を精度良く計測することが可能と なり、 ひいてはスライダの位置制御性の向上を図ることが可能となる。
この場合において、 前記反射面は、 前記スライダの前記物体が載置される第 1部分とは別の所定長さの棒状の第 2部分の端面に形成され、 該第 2部分には その長手方向の両端部を除く部分に補強部が設けられ、 該補強部の両端が弾性 ヒンジ部をそれぞれ介して前記第 1部分に連結されていることとすることがで さる。
この場合において、 前記第 1部分には、 前記一方の弾性ヒンジ部から前記第 1部分と反対側に所定距離だけ離れた位置に、 別の弾性ヒンジ部が更に設けら れていることとすることができる。
本発明の第 3のステージ装置では、スライダの第 1部分と、弾性ヒンジ部と、 第 2部分とは、 全てを一体成形しても良いし、 いずれか 1つを他と別部材で構 成しても良いし、 全てを別部材で構成しても良い。
本発明の第 3のステージ装置では、 前記スライダの第 1軸方向の一側及び他 側の端部には第 1軸方向に延びる延設部がそれぞれ設けられ、 前記一側の延設 部から他側の延設部に至る長手方向の全域に渡る気体静圧軸受が形成され、 前 記定盤から配管を介さないで前記気体静圧軸受に対して加圧気体が供給される こととすることができる。
本発明は、 第 6の観点からすると、 マスクと感光物体とを所定方向に同期移 動して前記マスクに形成されたパターンを前記感光物体に転写する露光装置で あって、 前記マスクを照明光により照明する照明ュニッ卜と ;前記マスクが前 記物体として前記スライダ上に載置される本発明の第 3のステージ装置と ;前 記マスクから射出される前記照明光を前記感光物体上に投射する投影光学系ュ ニッ卜と ;を備える第 3の露光装置である。
これによれば、 本発明の第 3のステージ装置を備えているので、 スライダの 位置制御精度、 ひいてはマスクと感光物体との同期精度を向上させることが可 能である。 従って、 マスクに形成されたパターンを感光物体に高精度に転写す ることが可能となる。
本発明は、 第 7の観点からすると、 載置面に物体を載置して移動可能なスラ イダと ;前記スライダの前記載置面に対して対称に配置された一対の第 1可動 子と ;前記一対の第 1可動子とは異なり、 前記スライダの前記載置面に対して 対称に配置された一対の第 2可動子と ;前記一対の第 1可動子及び前記一対の 第 2可動子と協働して、 前記スライダを第 1軸方向に駆動する一対の固定子部 と; を備える第 4のステージ装置である。
これによれば、 一対の第 1可動子と対応する固定子部との協働、 及び一対の 第 2可動子と対応する固定子部との協働によつて、 それぞれ発生する第 1軸方 向の駆動力の合力が、スライダの重心位置近傍に作用させることが可能となる。 従って、 スライダの少なくとも第 1軸方向の位置制御性の向上、 及びスライダ の第 2軸回リの回転の抑制が可能である。
この場合において、 前記載置面は前記スライダの中立面と一致していること とすることができる。
本発明の第 4のステージ装置では、 前記一対の固定子部のそれぞれは、 前記 載置面に対して対称に配置されていることとすることができる。
本発明の第 4のステージ装置では、 前記スライダに接続された第 1部分と、 該第 1部分と協働する第 2部分とを有し、 前記スラィダを前記第 1軸とは異な る第 2軸に駆動する駆動装置を、 更に備えることとすることができる。
この場合において、 前記一対の固定子部と前記駆動装置の前記第 2部分とを 保持する枠状部材を、 更に備えることとすることができる。 この場合において、 前記枠状部材は、 前記スライダを駆動した際に発生する 反力により駆動されることとすることができる。
この場合において、 前記スライダは定盤上に設けられていることとすること ができる。
この場合において、 前記枠状部材は前記定盤上に設けられていることとする ことができる。
本発明の第 4のステージ装置では、 前記スライダは反射面を有し、 該反射面 に測長ビームを照射して前記スライダの前記第 2軸方向の位置を検出する位置 検出装置を、 更に備えることとすることができる。
この場合において、 前記一対の固定子部のそれぞれは、 前記測長ビームを包 囲しない位置に設けられていることとすることができる。
本発明は、 第 8の観点からすると、 マスクと感光物体とを所定方向に同期移 動して前記マスクに形成されたパターンを前記感光物体に転写する露光装置で あって、 前記マスクを照明光により照明する照明ュニッ卜と ;前記マスクが前 記物体として前記スライダ上に載置される本発明の第 4のステージ装置と ;前 記マスクから射出される前記照明光を前記感光物体上に投射する投影光学系ュ ニッ卜と ; を備える第 4の露光装置である。
これによれば、 本発明の第 4のステージ装置を備えているので、 スライダの 位置制御精度、 ひいてはマスクの位置制御精度を向上することが可能である。 したがって、 マスクに形成されたパターンを感光物体に高精度に転写すること が可能となる。
本発明は、 第 9の観点からすると、 物体を保持して移動可能なスライダと ; 前記スライダに接続された移動子と、 該移動子と協働する固定子とを有し、 前 記スライダを第 1軸方向に沿って駆動する駆動装置と ;前記固定子を保持する 保持部と重量部とを有し、 前記スラィダを駆動した際に発生する反力によリ駆 動されるカウンタマスと ;前記重量部と前記固定子との間に位置するように前 記スライダに設けられた反射部材と ;前記反射部材に測長ビームを照射して前 記スライダの位置を検出する位置検出装置と ; を備える第 5のステージ装置で あ 。
これによれば、駆動装置によリスライダが第 1軸方向に沿って駆動されると、 この駆動の際に発生する反力によりカウンタマスが運動量保存則にほぼ従って 移動する。 このカウンタマスの移動により、 前記反力がほぼ完全にキャンセル されるとともに、 スライダ及びカウンタマスを含む系の重心移動が生じないの で、 スライダ及びカウンタマスを支持する支持部材に偏荷重も作用しない。 ま た、 位置検出装置から重量部と前記固定子との間に位置するように前記スラィ ダに設けられた反射部材に測長ビームが照射されて、 そのスライダの位置が計 測される。すなわち、位置検出装置からの測長ビームが照射される反射部材が、 スライダを第 1軸方向に駆動する駆動装置の固定子よリも外側に設けられてい るので、 その駆動装置の発熱に起因して駆動装置周辺の気体に温度揺らぎが生 じても、 その測長ビームにはなんらの影響も生じないので、 スライダの高精度 な位置検出が可能となる。 従って、 物体が載置されるスライダの位置制御性の 向上を図ることができる。
この場合において、 前記スライダは、 前記スライダの中立面に前記物体を載 置する載置部を有していることとすることができる。
本発明の第 5のステージ装置では、 前記スライダは定盤上に設けられている こととすることができる。
この場合において、 前記力ゥンタマスは前記定盤上に設けられていることと することができる。
本発明は、 第 1 0の観点からすると、 マスクと感光物体とを所定方向に同期 移動して前記マスクに形成されたパターンを前記感光物体に転写する露光装置 であって、 前記マスクを照明光により照明する照明ュニッ卜と ;前記マスクが 前記物体として前記スライダ上に載置される本発明の第 5のステージ装置と ; 前記マスクから射出される前記照明光を前記感光物体上に投射する投影光学系 ュニッ卜と ; を備える第 5の露光装置である。
これによれば、 本発明の第 5のステージ装置を備えているので、 スライダの 位置制御精度、 ひいてはマスクの位置制御精度を向上することが可能である。 したがって、 マスクに形成されたパターンを感光物体に高精度に転写すること が可能となる。
本発明は、 第 1 1の観点からすると、 反射部材が設けられ、 物体を保持して 移動可能なスライダと ;前記スライダに接続された移動子と、 該移動子と協働 する固定子とを有し、 前記スライダを第 1軸方向に沿って駆動する駆動装置 と ;透明部を有し、 前記固定子を保持して前記スライダを駆動した際に発生す る反力により駆動されるカウンタマスと ;前記透明部を介して前記反射部材に 測長ビームを照射して前記スライダの位置を検出する位置検出装置と ; を備え る第 6のステージ装置である。
これによれば、駆動装置によリスライダが第 1軸方向に沿つて駆動されると、 この駆動の際に発生する反力によりカウンタマスが運動量保存則にほぼ従って 移動する。 このカウンタマスの移動により、 前記反力がほぼ完全にキャンセル されるとともに、 スライダ及び力ゥンタマスを含む系の重心移動が生じないの で、 スライダ及びカウンタマスを支持する支持部材に偏荷重も作用しない。 ま た、 位置検出装置により、 カウンタマスの透明部を介して反射部材に測長ビー ムを照射してスライダの位置が検出されるので、 位置検出装置をカウンタマス の外部に配置しても支障なくスライダの位置を精度良く検出することが可能と なる。 また、 位置検出装置をカウンタマスの内部に配置する場合に生じる蓋然 性の高い不都合 (例えば位置検出装置を構成する光学部材及びディテクタ等か ら発生するァゥトガスが、 カウンタマス内部の雰囲気に悪影響を及ぼすことな ど) の発生を防止することが可能となる。
この場合において、 前記スライダは、 前記スライダの中立面に前記物体を載 置する載置部を有していることとすることができる。
本発明の第 6のステージ装置では、 前記スライダは定盤上に設けられている こととすることができる。
この場合において、 前記カウンタマスは前記定盤上に設けられていることと することができる。
本発明は、 第 1 2の観点からすると、 マスクと感光物体とを所定方向に同期 移動して前記マスクに形成されたパターンを前記感光物体に転写する露光装置 であって、 前記マスクを照明光により照明する照明ュニッ卜と ;前記マスクが 前記物体として前記スライダ上に載置される本発明の第 6のステージ装置と ; 前記マスクから射出される前記照明光を前記感光物体上に投射する投影光学系 ュニッ卜と; を備える第 6の露光装置である。
これによれば、 本発明の第 6のステージ装置を備えているので、 スライダの 位置制御精度、 ひいてはマスクの位置制御精度を向上することが可能である。 したがって、 マスクに形成されたパターンを感光物体に高精度に転写すること が可能となる。
また、 リソグラフイエ程において、 本発明の第 1〜第 6の露光装置のいずれ かを用いて露光を行うことによリ、 感光物体上にマスクに形成されたパターン を精度良く転写することができ、 これにより、 より高集積度のマイクロデバイ スを歩留まり良く製造することができる。 従って、 本発明は、 更に別の観点か らすると、 本発明の第 1〜第 6の露光装置のいずれかを用いるデバイス製造方 法であるとも言える。 図面の簡単な説明
図 1は、本発明の一実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。 図 2は、 図 1のレチクルステージ装置を示す斜視図である。
図 3は、 図 2のレチクルステージ装置を示す分解斜視図である。 図 4 Aは、 レチクルステージを斜視図にて示す図であり、 図 4 Bは、 レチクルステージの断面図である。
図 5 A , 図 5 Bは、 レチクルステージに設けられたミラー部の構成及び効果 を説明するための図である。
図 6 A , 図 6 Bは、 軸受装置の構成を説明するための図である。
図 7は、 レチクルステージ装置の X Z断面図である。
図 8は、 レチクルステージ装置の Y Z断面図である。
図 9は、 枠状部材の下面側について説明するための図である。
図 1 0は、 本発明に係るデバイス製造方法を説明するためのフローチャート である。
図 1 1は、 図 1 0のステップ 2 0 4の具体例を示すフローチヤ一卜である。 図 1 2 A , 図 1 2 Bは、 従来技術を説明するための図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の一実施形態を図 1〜図 9に基づいて説明する。
図 1には、 一実施形態に係る露光装置 1 0の概略構成が示されている。 この 露光装置 1 0は、 ステップ.アンド 'スキャン方式の走査型露光装置、 すなわ ち、 いわゆるスキャニング■ステツパ (「スキャナ J とも呼ばれる) である。 後 述するように本実施形態では、 投影光学系ユニット P Lが設けられており、 以 下においては、 この投影光学系ュニッ卜 P Lを構成する投影光学系の光軸 A X 方向を Z軸方向 (第 3軸方向)、 これに直交する面内でマスク (及び物体) とし てのレチクル Rと感光物体としてのウェハ Wとが相対走査される方向 (図 1に おける紙面左右方向) を Y軸方向 (第 1軸方向)、 これら Z軸及び Y軸に直交す る方向 (図 1における紙面直交方向) を X軸方向 (第 2軸方向) として説明を 行なう。
この露光装置 1 0は、 照明ュニッ卜 I O P、 レチクル Rを Y軸方向に所定の ストロークで駆動するとともに、 X軸方向、 Y軸方向及び 0 Z方向 (Z軸回り の回転方向)に微少駆動するステージ装置としてのレチクルステージ装置 1 2、 投影光学系ュニット P L、 ウェハ Wを X Y平面内で X Y 2次元方向に駆動する ウェハステージ W S T、 及びこれらの制御系等を備えている。
前記照明ュニット I Ο Ρは、 光源及び照明光学系を含み、 その内部に配置さ れた視野絞り (マスキングブレード又はレチクルブラインドとも呼ばれる) で 規定される矩形又は円弧状の照明領域にエネルギビームとしての照明光 I Lを 照射し、 回路パターンが形成されたレチクル Rを均一な照度で照明する。 照明 ユニット I Ο Ρと同様の照明系は、 例えば特開平 6— 3 4 9 7 0 1号公報及び これに対応する米国特許第 5 , 5 3 4, 9 7 0号などに開示されている。 ここ では、 照明光 I Lとしては、 A r Fエキシマレーザ光 (波長 1 9 3 n m) ある いは F 2 レーザ光 (波長 1 5 7 n m) などの真空紫外光が用いられるものとす る。 なお、 照明光 I しとして、 K r Fエキシマレーザ光 (波長 2 4 8 n m) な どの遠紫外光、 超高圧水銀ランプからの紫外域の輝線 (g線、 ί線等) を用い ることも可能である。 なお、 本圉際出願で指定した指定国又は選択した選択国 の国内法令が許す限りにおいて、 上記米国特許における開示を援用して本明細 書の記載の一部とする。
ところで、 真空紫外域の波長の光を露光光とする場合には、 その光路から酸 素、 水蒸気、 炭化水素系のガス等の、 かかる波長帯域の光に対し強い吸収特性 を有するガス (以下、 適宜 「吸収性ガス J と呼ぶ) を排除する必要がある。 こ のため、 本実施形態では、 照明ュニット I O Pの内部の照明光 I Lの光路上の 空間に、 真空紫外域の光に対する吸収が空気 (酸素) に比べて少ない特性を有 する特定ガス、 例えば窒素、 及びヘリウム、 アルゴン、 ネオン、 クリプトンな どの希ガス、 又はそれらの混合ガス (以下、 適宜 「低吸収性ガス」 と呼ぶ) を 満たしている。 この結果、 照明ュニット I O P内の光路上の空間は吸収性ガス の濃度が数 p p m以下の濃度となっている。 前記レチクルステージ装置 1 2は、 照明ュニット I O Pの下端部の外周に O リング等のシール部材 9 9を介して接続された環状の取り付け部 1 0 1を有す るプレートとしての照明系側プレート (キャッププレー卜) 1 4の図 1におけ る下方に配置されている。 照明系側プレート 1 4は、 略水平に不図示の支持部 材によって支持され、 そのほぼ中央部には照明光 I Lの光路 (通路) となる矩 形の開口 1 4 aが形成されている。
レチクルステージ装置 1 2は、 図 1及ぴレチクルステージ装置 1 2の斜視図 である図 2からわかるように、 前記照明系側プレート 1 4の下方に所定間隔を 隔ててほぼ平行に配置された定盤としてのレチクルステージ定盤 1 6、 該レチ クルステージ定盤 1 6と照明系側プレート 1 4との間に配置されたスライダと してのレチクルス亍一ジ R S丁、 該レチクルステージ R S Tを取り囲む状態で レチクルステージ定盤 1 6と照明系側プレート 1 4との間に配置された枠状部 材 (重量部) 1 8、 及びレチクルス亍ージ R S Tを駆動するレチクルステージ 駆動系等を備えている。
レチクルステージ定盤 1 6は、 不図示の支持部材によって略水平に支持され ている。 このレチクルステージ定盤 1 6は、 図 2の分解斜視図である図 3に示 されるように、 概略板状の部材から成り、 そのほぼ中央には、 突部 1 6 aが形 成されている。 この突部 1 6 aのほぼ中央には、 照明光 I Lを通過させるため の X軸方向を長手方向とする矩形開口 1 6 bが、 突部 1 6 aの上面とレチクル ス亍一ジ定盤 1 6の下面とを連通する状態で形成されている。 レチクルステー ジ定盤 1 6の下面側には、 図 1に示されるように、 矩形開口 1 6 bの周囲を取 リ囲む状態で、 Vリング又は伸縮自在のべローズなどのシール部材 9 8を介し て投影光学系ュニット P Lの鏡筒部の上端が接続されている。
前記レチクルステージ R S Tは、 図 4 Aに示されるような特殊な形状のレチ クルステージ本体 2 2及び該レチクルステージ本体 2 2に固定された各種磁極 ユニット (これについては後述する) 等を備えている。 レチクルステージ本体 2 2は、 平面視 (上方から見て) 概略矩形の板状部 2 4 Aと、 該板状部 2 4 Aの一 X端部に設けられたミラ一部 2 4 Bと、 板状部 2 4 Aの Y軸方向の一側及び他側の端部からそれぞれ Y軸方向に突設された各一 対の延設部 2 4 C i, 2 4 C2, 2 4 D i, 2 4 D2とを備えている。
前記板状部 2 4 Aのほぼ中央部には、 照明光 1 しの通路となる開口がその中 央 (内部底面) に形成された段付き開口 2 2 aが形成されている。 該段付き開 口 2 2 aの段部 (1段掘り下げられた部分) には、 レチクル Rを下側から複数 点 (例えば 3点) で支持する複数 (例えば 3つ) のレチクル支持部材 3 4が設 けられている。
本実施形態では、 レチクル Rは、 そのパターン面 (下面) が、 レチクルステ ージ本体 2 2 (レチクルステージ R S T ) の中立面 C Tに略一致する状態で、 複数の支持部材 3 4によって支持されるようになっている。 すなわち、 レチク ル Rの載置面 (載置部) は、 レチクルステージ R S Tの中立面 C Tにほぼ一致 している (図 4 B参照)。
また、 各レチクル支持部材 3 4にそれぞれ対応して、 板状部 2 4 Aのレチク ル支持部材 3 4近傍部分には、 複数 (例えば 3つ) のレチクル固定機構 3 6が 設けられている。各レチクル固定機構 3 6は、 X Z断面が L字状の形状を有し、 し字の角部に設けられた軸 (Y軸方向の回転軸) を中心として回動自在に板状 部 2 4 Aに取り付けられた固定部材を、 それぞれ備えている。 各固定部材は、 レチクル Rがレチクル支持部材 3 4上に載置された際に、 図 1のステージ制御 系 9 0によって駆動される不図示の駆動機構を介して、 それぞれ所定方向に回 転駆動されることで、 レチクル支持部材 3 4との間でレチクル Rを狭持するこ とにより、 レチクル Rを機械的に固定する。 この場合、 固定部材が、 レチクル
Rを支持部材 3 4側に押圧する方向に、 不図示の付勢手段によって常時付勢さ れる構成を採用しても良い。
なお、 レチクル支持部材 3 4及ぴレチクル固定機構 3 6に代えて、 あるいは これとともに、 バキュームチャックゃ静電チャックなどの各種チャックを用い ることは可能である。
前記ミラー部 24 Bは、 図 4 A及び図 5 Aを総合すると分かるように、 Y軸 方向を長手方向とする概略角柱状の形状を有し、 その中心部分には軽量化を図 るための断面円形の空洞部 CH (図 4 A参照) が形成された棒状部分 1 24 a と、 該棒状部分 1 24 aの長手方向の両端部を除く部分の + X側に一体的に形 成された中実の補強部 1 24 bとを有している。 棒状部分 1 24 aの一 X側の 端面は鏡面加工が施された反射面 (反射部材) 1 24mとされている。
ミラー部 24 Bと板状部 24 Aとの間は、 図 5 Aに示されるヒンジ部 1 24 C 1 24 dにより 2箇所で局所的に連結されている。 なお、 実際には、 板状 部 24 Aとミラー部 24 B、 ヒンジ部 1 24 c, 1 24 dを含むレチクルステ ージ本体部 22は、一休成形(例えば、一つの部材を削り出すことにより成形) されているが、 以下の説明では、 説明を分かり易くするため、 必要に応じて各 部が別部材であるかのような表現をも用いるものとする。 勿論、 上記各部のい ずれか 1つを他と別部材で構成しても良いし、全てを別部材で構成しても良い。 これを更に詳述すると、 図 5 Aに示されるように、 ミラー部 24 Bは、 板状 部 24 Aの一 X側端部に、 補強部 1 24 bの土丫側面の 2箇所に設けられたヒ ンジ部 1 24 c, 1 24 d、 すなわち回転支点を介して、 連結されている。 こ の場合、 2つのヒンジ部 1 24 c, 1 24 を結ぷ線〇3が、 ミラー部 24 B の水平面内の曲げに際しての中立面となる。
これにより、 何らかの要因によりミラー部 24 Bに曲げ応力が生じた場合、 図 5 Bに示されるように、 両ヒンジ部 1 24 c, 1 24 dの外側の範囲 (A及 び Α')部分のみに曲げ変形(撓み) が生じ、露光中に実際に計測に用いられる 範囲 (範囲 Β) については、 曲げ変形をほぼ確実に抑制することが可能となつ ている。
本実施形態では、 さらに、 図 5Αに示されるように、 2箇所のヒンジ部 1 2 4 c, 1 24 dのうちの一方のヒンジ部 1 24 cから + X方向に所定距離だけ 離れた位置に同様のヒンジ部 1 24 eが設けられている。 これにより、 図 5 B に示されるように、 板状部 24 Aに Y軸方向への伸び (Δ Ι_) が生じた場合で あっても、 ヒンジ部 1 24 cとヒンジ部 1 24 eとの間の部分 1 24 f が、 ヒ ンジ部 1 24 cを中心として回転するような部分的な変形が生じるので、 ミラ 一部 24 Bの反射面 1 24mに対して板状部 24 Aの変形が与える影響が極力 抑制されるようになっている。 すなわち、 ヒンジ部 1 24 c, 1 24 eに挟ま れた部分 1 24 f は、 一種のフレクシャとしての機能を有している。
レチクルステージ本体 22の板状部 24 Aの一 Y側端部には、 図 4 Aに示さ れるように、 2つの凹部 24 gl, 24 g2が形成され、 該凹部 24 gl, 24 g 2のそれぞれには、 レトロリフレクタ 32L 322がそれぞれ設けられている。 前記 4つの延設部 24 Ci, 24 C2, 24 Di, 24 D2は、 図 4 Aに示され るように、 概略板状の形状を有し、 各延設部には強度向上のための断面三角形 状の補強部が設けられている。 レチクルステージ本体 22の底面には、 延設部 24 から延設部 24 に至る Y軸方向の全域に渡る第 1の気体静圧軸受が 形成され、 延設部 24 C2から延設部 24 D2に至る Y軸方向の全域に渡る第 2 の気体静圧軸受が形成されている。
次に、 第 1の気体静圧軸受及び第 2の気体静圧軸受について図 6 A及び図 6 Bに基づいて説明する。
図 6 Aには、 レチクルステージ本体 22を下面側から見た平面図 (底面図) が示されている。 この図 6 Aから分かるように、 延設部 24 d, 24 Di及び その間の部分を含むレチクルステージ本体 22の底面には、 3つの溝が形成さ れている。 これらの溝のうち X軸方向の中央に位置する溝は、 Y軸方向に延び る幹溝 55 Aと、 該幹溝 55 Aの X軸方向両側に連通状態とされ、 かつ Y軸方 向に所定間隔で形成された T字状の複数の表面絞リ溝 55 Bと、 から構成され る給気溝 56とされている。 幹溝 55 Aと表面絞り溝 55 Bとは、 図 6Aの D 一 D線断面図である図 6 Bに示されるように、 幹溝 55 Aの方が表面絞り溝 5 5 Bよりも深く形成されている。
一方、 前記 3つの溝のうちの残りの 2つの溝は、 Y軸方向に延びる排気溝 5 7 A, 57 Bとされている。 これら排気溝 57 A, 57 Bは、 前記幹溝 55A とほぼ同一の断面形状を有している。
—方、図 6 B (及び図 3) に示されるように、 これら 3つの溝 56、 57 A, 57 Bそれぞれの少なくとも一部に対向してレチクルステージ定盤 1 6には、 凸部 1 6 aの上面に、 3つの開口 (58, 59 A, 59 B) がそれぞれ形成さ れている。 これら 3つの開口のうち中央に位置する開口が給気口 58とされ、 両端に位置する開口が排気口 59 A, 59 Bとされている。 給気口 58は、 図 6 Bに示される給気管路 60を介して不図示の気体供給装置に接続されている c 気体供給装置からは例えばヘリウムなどの希ガス又は窒素等の低吸収性ガスが 供給される。 また、 排気口 59 A, 59 Bは、 排気管路 61 A, 61 Bを介し て不図示の真空ポンプに接続されている。
本実施形態では、 不図示の気体供給装置から給気管路 60を介して低吸収性 ガスが供給されると、 この低吸収性ガスは、 図 6 Bに示されるように、 給気口 58から給気溝 56の幹溝 55 Aに供給され、 該幹溝 55 Aの Y方向全域に行 き渡る。 低吸収性ガスが更に供給され続けると、 給気溝 56の複数の表面絞り 溝 55 Bから低吸収性ガスがレチクルステージ定盤 1 6の上面に噴き付けられ る。
このとき、 真空ポンプにより排気管路 61 A, 61 Bを介して吸引動作が行 われていると、 レチクルステージ RS Tとレチクルステージ定盤 1 6との間の 気体が排気口 59 A, 59 Bを介して外部に排気される。 このため、 左右の表 面絞リ溝 55 Bから排気溝 57A, 57 Bへ向かう低吸収性ガスの流れが、 レ チクルステージ RS Tとレチクルステージ定盤 1 6との間の隙間に生じ、 一定 の流速、 圧力の低吸収性ガスを常時流し続けることにより、 前記隙間内の加圧 ガスの静圧 (いわゆる隙間内圧力) が一定となって、 レチクルステージ R S T とレチクルステージ定盤 1 6との間に例えば数 j« m程度のクリアランスが形成 され、 維持される。 すなわち、 本実施形態では、 給気溝 5 6、 排気溝 5 7 A , 5 7 B、給気口 5 8、給気管路 6 0、排気口 5 9 A , 5 9 B、排気管路 6 1 A , 6 1 Bが形成されたレチクルステージ本体 2 2底面の部分によって、 不図示の 気体供給装置からの加圧気体が、 レチクルステージ定盤 1 6から配管を介さな いで供給される第 1の差動排気型の気体静圧軸受が実質的に構成されている。 延設部 2 4 C2, 2 4 D 2及びその間の部分を含むレチクルステージ本体 2 2 の底面にも、 前述した幹溝 5 5 A及び複数の表面絞り溝 5 5 Bから構成される 給気溝 5 6と、 その両側の排気溝 5 7 A、 5 7 Bとが形成され、 これら 3つの 溝を含んで前述と同様にして、 不図示の気体供給装置からの加圧気体が、 レチ クルステージ定盤 1 6から配管を介さないで供給される第 2の差動排気型の気 体静圧軸受が実質的に構成されている。
このように、 本実施形態では、 第 1、 第 2の差動排気型の気体静圧軸受の表 面絞り溝 5 5 Bからレチクルステージ定盤 1 6の上面を介して噴き付けられる 加圧気体の静圧と、 レチクルステージ R S T全体の自重とのバランスによリ、 レチクルステージ定盤 1 6の上面の上方に数ミクロン程度のクリアランスを介 して、 レチクルステージ R S Tが非接触で浮上支持されるようになっている。 図 2に戻り、 前記枠状部材 1 8の上面には、 概略環状の凹溝 (環状凹溝) 8 3 , 8 5が二重に形成されている。 このうちの内側の環状凹溝 8 3には、 その 内部に複数の給気口 (不図示) が形成され、 外側の環状凹溝 8 5には、 複数の 排気口 (不図示) が形成されている。 なお、 以下においては内側の環状凹溝 8 3を 「給気溝 8 3」、 外側の環状凹溝 8 5を 「排気溝 8 5」 と呼ぶものとする。 給気溝 8 3の内部に形成された給気口は、 不図示の給気管路及び給気管を介 して窒素又は希ガスなどの低吸収性ガスを供給する不図示のガス供給装置に接 続されている。 また、 排気溝 8 5の内部に形成された排気口は、 不図示の排気 管路及ぴ排気管を介して不図示の真空ポンプに接続されている。
また、 この枠状部材 1 8の底面には、 該枠状部材 1 8を上下反転して斜視図 にて示す図 9から分かるように、 概略環状の凹溝 (環状凹溝) 8 2, 8 4が二 重に形成されている。 このうちの内側の環状凹溝 8 2には、 その内部に複数の 給気口 (不図示) が形成され、 外側の環状凹溝 8 4には、 複数の排気口 (不図 示) が形成されている。 なお、 以下においては内側の環状凹溝 8 2を 「給気溝 8 2」、 外側の環状凹溝 8 4を 「排気溝 8 4」 と呼ぷものとする。
給気溝 8 2の内部に形成された給気口は、 給気管路及び給気管を介して窒素 又は希ガスなどの低吸収性ガスを供給する不図示のガス供給装置に接続されて いる。 また、 排気溝 8 4の内部に形成された排気口は、 排気管路及び排気管を 介して不図示の真空ポンプに接続されている。
従って、 ガス供給装置と真空ポンプとが作動状態にあるときは、 枠状部材 1 8の底面に形成された給気溝 8 2からレチクルステージ定盤 1 6の上面に加圧 気体 (低吸収性ガス) が噴き付けられ、 この噴き付けられた加圧気体の静圧に より枠状部材 1 8の自重が支えられ、 枠状部材 1 8がレチクルステージ定盤 1 6の上面の上方に数 m程度のクリアランスを介して浮上支持される。 この場 合も、 そのクリアランス内のガスは、 排気溝 8 4を介して真空ポンプの吸引力 により外部に排気される。 この場合、 給気溝 8 2から排気溝 8 4に向かうガス の流れが生じている。 このため、 そのクリアランスを介して枠状部材 1 8の内 部に外気が混入するのが効果的に阻止されている。
このように、 枠状部材 1 8の底面の全体により、 実質的に、 レチクルステ一 ジ定盤 1 6の上面の上方に枠状部材 1 8を浮上支持する差動排気型の気体静圧 軸受が構成されている。
また、 ガス供給装置と真空ポンプとが作動状態にあるときは、 枠状部材 1 8 の上面に形成された給気溝 8 3から照明系側プレート 1 4の下面に加圧気体 (低吸収性ガス) が噴き付けられるとともに、 照明系側プレート 1 4と枠状部 材 1 8との間のクリアランス内のガスは、 排気溝 8 5を介して真空ポンプの吸 弓 I力により外部に排気される。 この場合、 給気溝 8 3から排気溝 8 5に向かう ガスの流れが生じている。 このため、 そのクリアランスを介して枠状部材 1 8 の内部に外気が混入するのが効果的に阻止されている。 また、 この場合、 噴き 付けられた加圧気体の静圧と真空吸引力とのバランスによって、 枠状部材 1 8 と照明系側プレート 1 4との間にクリアランスが維持される。 すなわち、 枠状 部材 1 8の上面の全体により、 実質的に、 枠状部材 1 8と照明系側プレート 1 4との間のクリアランスを維持する差動排気型の気体静圧軸受が構成されてい る。
また、 本実施形態の場合、 枠状部材 1 8とレチクルステージ定盤 1 6との間 の前述のクリアランス (すなわち軸受隙間) は、 枠状部材 1 8上下の差動排気 型の気体静圧軸受が枠状部材 1 8に及ぼす力、 枠状部材 1 8全体の自重との総 合的なバランスによって、 実際には決定される。
このように、 枠状部材 1 8と照明系側プレート 1 4との間のクリアランス、 及びレチクルステージ定盤 1 6と枠状部材 1 8との間のクリアランスが前述の ガスの流れによって気密化され、 更に、 前述したように、 投影光学系ュニット P Lの上端部とレチクルステージ定盤 1 6との間が前述のシール部材 9 8によ り接続されているので (図 7 , 図 8参照)、枠状部材 1 8により囲まれた空間内 は非常に気密度が高い空間となっている。 以下、 枠状部材 1 8により囲まれた 空間を、 便宜上 「気密空間」 と呼ぶものとする。
本実施形態のように、 真空紫外域の露光波長を使用する露光装置では、 酸素 等の吸収性ガスによる露光光の吸収を避けるために、 照明ュニッ卜 I O Pから 投影光学系ユニット P Lまでの光路、 すなわち前述の気密空間内 (の光路) に ついても窒素や希ガスで置換する必要がある。
この場合、 枠状部材 1 8の側壁に給気管、 排気管をそれぞれ接続し、 給気管 を介して前述の気密空間に低吸収性ガスを供給し、 排気管を介して内部のガス を外部に排気することとすれば良い。
この他、 枠状部材 1 8に接続された不図示の給気管内を流れる窒素又は希ガ スの一部を、 枠状部材 1 8内で給気管路の一部から分岐された給気枝管を介し て上記気密空間内に流入させることによって気密空間内に窒素又は希ガスが供 給され、 その一方で、 排気管路の一部から分岐された排気枝管を介して、 気密 空間内のガスが排気されるような構成を採用しても良い。 このようにすれば、 上記気密化に併せて、 レチクル Rが保持された空間内を露光光の吸収の少ない 窒素又は希ガス等によリ置換することが可能となる。
なお、 気密空間に供給されるガスとしてヘリウムガスを用いる場合には、 ガ ス排気機構を介してヘリウムガスを回収した後、 不純物を除去後、 再利用する ことが望ましい。
前記レチクルステージ駆動系は、 図 2に示されるように、 枠状部材 1 8の内 部に、 Y軸方向にそれぞれ架設された一対の固定子ュニット(一対の固定子部) 3 6、 3 8を含んで構成され、 レチクルステージ R S Tを Y軸方向に駆動する とともに 0 Z方向 (Z軸回りの回転方向) に微小駆動する第 1駆動機構と、 枠 状部材 1 8の内部の一方の固定子ュニット 3 8の + X側に Y軸方向に架設され た固定子ュニット 4 0を含んで構成され、 レチクルステージ R S Tを X軸方向 に微小駆動する第 2駆動機構と、 を備えている。
前記一方の固定子ユニット 3 6は、 レチクルステージ装置 1 2の分解斜視図 である図 3に示されるように、 Y軸方向を長手方向とする電機子ュニッ卜から 成る一対の第 1固定子としての Y軸リニアガイド 1 3 6 :L, 1 3 62と、 これら の Y軸リニアガイド 1 3 6 1 3 6 2を丫軸方向 (長手方向) の一端部と他端 部で保持する一対の固定部材 (保持部) 1 5 2とを備えている。 この場合、 一 対の固定部材 1 5 2により、 Y軸リニアガイド 1 3 6 1 3 62は、 Z軸方向 (上下方向) に所定間隔をあけて相互に対向してかつ X Y面にそれぞれ平行に 保持されている。 一対の固定部材 1 5 2のそれぞれは、 前述の枠状部材 1 8の Y軸方向一側と他側の内壁面 (側壁の内面) に固定されている。
前記 Υ軸リニアガイド 1 36^ 1 362は、 図 3及びレチクルステージ装置 の ΧΖ断面図を示す図 7からも分かるように、 断面矩形 (長方形) の非磁性材 料から成るフレームを有し、 その内部には、 Υ軸方向に所定間隔で複数の電機 子コイルが配設されている。
前記他方の固定子ュニット 38も上記一方の固定子ュニッ卜 36と同様に構 成されている。 すなわち、 固定子ユニット 38は、 Υ軸方向を長手方向とする 上下一対の電機子ュニッ卜から成る第 1固定子としての Υ軸リニアガイド 1 3 8i, 1 382と、 これらの Y軸リニアガイド 1 3 1 382を Z軸方向に所 定間隔を維持した状態で両端部にて固定する一対の固定部材 (保持部) 1 54 とを備えている。 一対の固定部材 1 54のそれぞれは、 前述の枠状部材 1 8の Y軸方向一側と他側の内壁面に固定されている。
前記 Y軸リニアガイド 1 38 1 382は、前述の Y軸リニアガイド 1 36^ 1 362と同様に構成されでいる (図 7参照)。
Y軸リニアガイド 1 36 1 38 と、 Y軸リニアガイド 1 362, 1 382 との間には、 図 7に示されるように、 それぞれ所定のクリアランスを介して、 レチクルステージ RS Tが配設されている。 Y軸リニアガイド 1 36 1 36 2にそれぞれ対向して、 レチクルステージ RS Tの上面、 下面には、 一対の第 1可動子としての磁極ユニット 26 262がそれぞれ埋め込まれ、 Y軸リニ ァガイド 1 38ι, 1 382に対向して、 レチクルステージ RSTの上面、 下面 には、 一対の第 1可動子としての磁極ユニット 28 282がそれぞれ埋め込 まれている。
磁極ユニット 26 262のそれぞれは、 図 4 Bに示されるように、 前述の レチクルステージ本体 22の板状部 24 Aの段付き開口 22 aの一 X側に、 レ チクルステージ本体 22の中立面 CTを基準として対称に上下面側にそれぞれ 形成された凹部 24 ei, 24 e2内に配置されている。 この場合、 Y軸リニアガイド 1 36 1 362は、 上記中立面 CTを基準と してほぼ対称な位置に位置している。
前記一対の磁極ュニット 26^ 262は、 磁性体部材と、 該磁性体部材の表 面に Υ軸方向に沿って所定間隔で配置された複数の界磁石とを、 それぞれ備え ている。複数の界磁石は、隣り合う界磁石同士で逆極性とされている。従って、 磁極ュニット 26iの上方の空間には Y軸方向に沿って交番磁界が形成され、 磁極ュニッ卜 262の下方の空間には Y軸方向に沿って交番磁界が形成されて いる。
同様に、 前記一対の磁極ユニット 28 282のそれぞれは、 図 4Bに示さ れるように、 前述のレチクルステージ本体 22の板状部 24 Aの段付き開口 2 2 aの +X側に、 レチクルステージ本体 22の中立面 CTを基準として対称に 上下面側にそれぞれ形成された凹部 24 f t 24 f 2内に配置されている。 ま た、 一対の磁極ユニット 28ι, 282は、 段付き開口 22 aの X軸方向の中心 位置 (レチクルステージ RS Tの重心の X軸方向位置とほぼ一致) を通る Z軸 に関して、 磁極ユニット 26 262とほぼ左右対称の配置となっている。 また、 前記 Y軸リニアガイド 1 38ι, 1 382は、 中立面 CTを基準として ほぼ対称な位置に位置している。
前記一対の磁極ュニット 2 282は、 磁性体部材と、 該磁性体部材の表 面に Y軸方向に沿って所定間隔で配置された複数の界磁石とを、 それぞれ備え ている。複数の界磁石は、隣り合う界磁石同士で逆極性とされている。従って、 磁極ュニッ卜 28]Lの上方の空間には Y軸方向に沿って交番磁界が形成され、 磁極ュニット 282の下方の空間には Y軸方向に沿って交番磁界が形成されて いる。
本実施形態では、 上述した固定子ユニット 36、 38 (2対の Y軸リニアガ イド 1 36ι, 1 362、 1 38ι、 1 382を含む)と 2対の磁極ュニッ卜 26ι、 262、 28ι, 282とによって第 1駆動機構が構成されている。 この第 1駆動 機構によると、 Y軸リニアガイド 1 36 1 362内の電機子コイルに電流が 供給されることにより、 磁極ユニット 26 262の発生する磁界と電機子ュ ニット 1 36ι, 1 362を流れる電流との間の電磁相互作用によって Υ軸方向 の電磁力 (ローレンツ力) が発生し、 このローレンツ力の反力が磁極ユニット 26ι, 262 (レチクルステージ RS Τ)を Υ軸方向に駆動する駆動力となる。 同様に、 Υ軸リニアガイド 1 38^ 1 382内の電機子コイルに電流が供給 されることにより、 磁極ユニット 28ι, 282の発生する磁界と Y軸リニアガ イド 1 38L 1 382を流れる電流との間の電磁相互作用によって Y軸方向の 電磁力 (ローレンツ力) が発生し、 このローレンツ力の反力が磁極ユニット 2 6ι, 262 (レチクルステージ RS T) を Y軸方向に駆動する駆動力となる。 本実施形態の場合、 レチクルステージ RSTの中立面 CTを基準として、 磁 極ュニッ卜 26ιと 262、 磁極ュニット 28ιと 282がそれぞれ対称に配置さ れ、 これらの磁極ユニットに対応する Y軸リニアガイド 1 36ιと 1 362、 Y 軸リニアガイド 1 38ι, 1 382も中立面 CTを基準として上下対称に配置さ れている。 このため、 Y軸リニアガイド 1 36ι, 1 362, 1 381, 1 382 の電機子コイルそれぞれに同一の電流を供給することにより、 磁極ュニッ卜 2 6ι, 262, 281, 282のそれぞれに同一の駆動力が与えられ、 レチクルス テージ RSTの中立面 CT (図 4B参照) 上の 2箇所に Y軸方向の駆動力 (磁 極ユニット 26ι, 262の駆動力の合力、 磁極ユニット 281, 282の駆動力 の合力) を作用させることができ、 これにより、 レチクルステージ RS Tには ピッチングモーメン卜が極力作用しないようになっている。
また、 この場合、 磁極ュニッ卜 26ιと 262、 磁極ュニット 28ιと 282と は、 X軸方向に関しても、 レチクルステージ RS Tの重心近傍位置に関してほ ぼ対称に配置されているので、 レチクルステージ RS Tの重心から等距離の 2 箇所に上記の Y軸方向の駆動力が作用するので、 該 2箇所に同一の力を発生さ せることでレチクルステージ R S Tの重心位置近傍に Y軸方向の駆動力の合力 を作用させることが可能となっている。 従って、 レチクルステージ RS Tには ョ一イングモーメン卜が極力作用しないようになっている。
なお、 上記と反対に、 左右の Y軸方向の駆動力を異ならせることにより、 レ チクルステージ RS Tのョーィングを制御することもできる。
これまでの説明から明らかなように、 磁極ユニット 26L 262と、 対応す るリニアガイド 1 36ι, 1 362とによりレチクルステージ RS Tを Y軸方向 に駆動する一対のムービングマグネット型の Y軸リニアモータが構成され、 磁 極ユニット 28L 282と、 対応する Y軸リニアガイド 1 38 , 1 382とに よリレチクルステージ RS Tを Y軸方向に駆動する一対のムービングマグネッ 卜型の Y軸リニアモータが構成されている。 なお、 以下においては、 これら Y 軸リニァモータを各 Y軸リニァモータを構成するリニァガイドと同一の符号を 用いて、 Γγ軸リニアモータ 1 36ι, 1 362、 1 38ι, 1 382」 とも記述す るものとする。
左右各一対の Y軸リニアモータ 1 36ι, 1 362、 及び1 38 , 1 382に よって、 前述の第 1駆動機構が構成されている。
前記固定子ユニット 40は、 図 3に示されるように、 Y軸方向を長手方向と する一対の第 2固定子としての電機子ユニット 1 4 Οι, 1 402と、 これらの 電機子ユニット 1 40^ 1 402を Y軸方向 (長手方向) の一端部と他端部で 保持する一対の固定部材 1 56とを備えている。 この場合、 一対の固定部材 1 56により、 電機子ユニット 1 4 1 402は、 Z軸方向 (上下方向) に所 定間隔をあけて相互に対向してかつ X Y面にそれぞれ平行に保持されている。 一対の固定部材 1 56のそれぞれは、 前述の枠状部材 1 8の Y軸方向一側と他 側の内壁面に固定されている。
電機子ュニッ卜 1 4 C , 1 402は、図 7からも分かるように、断面矩形(長 方形) の非磁性材料から成るフレームを有し、 その内部には、 電機子コイルが 配置されている。 電機子ユニット 1 4 0^, 1 4 02相互間には、 図 7に示されるように、 それ ぞれ所定のクリアランスを介して、 レチクルステージ R S Tの X軸方向の端部 に固定された第 2可動子としての断面矩形 (長方形) の板状の永久磁石 3 0が 配置されている。 永久磁石 3 0に代えて、 平板状の磁性体部材とその上下面に それぞれ固定された一対の平板状の永久磁石とから成る磁極ュニットを用いて も良い。
この場合、 永久磁石 3 0、 並びに電機子ユニット 1 4 C , 1 4 02は、 中立 面 C Tを基準としてほぼ対称な形状及び配置となっている (図 4 B及び図 7参
/昭"、) / o—
従って、 永久磁石 3 0によって形成される Z軸方向の磁界と電機子ュニット 1 4 O i, 1 4 02をそれぞれ構成する電機子コイルを Y軸方向に流れる電流と の間の電磁相互作用により X軸方向の電磁力 (ローレンツ力) が発生し、 この ローレンツ力の反力が永久磁石 3 0 (レチクルステージ R S T ) を X軸方向に 駆動する駆動力となる。
この場合、 電機子ュニット 1 4 Ch, 1 4 02をそれぞれ構成する電機子コィ ルに同一の電流を供給することによリ、 レチクルステージ R S Tの中立面 C T (図 4 B参照) 上の位置に X軸方向の駆動力を作用させることができ、 これに よリ、 レチクルステージ R S Tにはローリングモーメン卜が極力作用しないよ うになつている。
上述のように、 電機子ュニット 1 4 O i, 1 4 02と永久磁石 3 0とにより、 レチクルステージ R S Tを X軸方向に微小駆動可能なムービングマグネット型 のボイスコイルモータが構成されている。 なお、 以下においては、 このボイス コイルモータを該ボイスコイルモータを構成する可動子、 すなわち永久磁石の 符号を用いてボイスコイルモータ 3 0とも呼ぷものとする。 このボイスコイル モータ 3 0によって、 第 2駆動機構が構成されている。
本実施形態では、さらに、前述の枠状部材 1 8の + X側面及び + Y側面には、 00655
32 図 3に示されるように、磁極ユニットから成る可動子 6 Ο ι, 6 02, 6 0 3が設 けられている。 これらの可動子 (第 1部分) 6 0 6 02, 6 03に対応してレ チクルステージ定盤 1 6には、 支持台 6 4 6 42, 6 43を介して、 電機子ュ ニットから成る固定子 (第 2部分) 6 2 ^ 6 22, 6 22が設けられている。 前記可動子 6 0 ι, 6 02は、 その内部に永久磁石を備えており、 Z軸方向の 磁界を形成する。前記固定子 6 2 ι, 6 22は、その内部に電機子コイルを有し、 前記 Z軸方向の磁界中を電流が Y軸方向に流れるようになつている。 従って、 固定子 6 2 ι, 6 22内の電機子コイルに Y軸方向の電流が供給されることによ リ、 可動子 6 0 6 02には X軸方向への駆動力 (口一レンツ力の反力) が作 用することとなる。 すなわち、 可動子 6 と固定子 6 2 とにより、 ムービン グマグネッ卜型のボイスコイルモータから成る X軸方向駆動用の卜リムモータ が構成され、 可動子 6 02と固定子 6 22とにより、 ムービングマグネット型の ボイスコイルモータから成る X軸方向駆動用のトリムモータが構成されている c また、 前記可動子 6 0 3は、 その内部に永久磁石を備えており、 Z軸方向の 磁界を形成する。 前記固定子 6 23は、 その内部に電機子コイルを有し、 前記 Z軸方向の磁界中を電流が X軸方向に流れるようになつている。 従って、 固定 子 6 2 3内の電機子コイルに X軸方向の電流が供給されることにより、 可動子 6 0 3には Y軸方向への駆動力(ローレンツ力の反力)が作用することとなる。 すなわち、 可動子 6 0 3と固定子 6 23とによリムービングマグネッ卜型のボイ スコイルモータから成る Y軸方向駆動用の卜リムモータが構成されている。 このように、 これら 3つのトリムモータを用いることにより、 枠状部材 1 8 を X軸方向、 Y軸方向、 及び 0 Z方向の 3自由度方向に駆動することが可能で あ 。
前記枠状部材 1 8の一 X側の側壁のほぼ中央には、 図 3に示されるように、 凹状部 1 8 aが形成されている。 この凹状部 1 8 aには枠状部材 1 8の内部と 外部とを連通する矩形開口 1 8 bが形成され、 該矩形開口 1 8 bには、 窓ガラ 2004/000655
33 ス (透明部) g iが嵌め込まれている。 また、 枠状部材 1 8の一 Y側の側壁に は、 枠状部材 1 8の内部と外部とを連通する矩形開口 1 8 cが形成され、 該開 口 1 8 cには、 窓ガラス (透明部) g 2が嵌め込まれている。 これらの窓ガラ ス g i、 g 2は、 その取り付け部分からのガス漏れが生じないように、 取り付け 部分には、 インジウムや銅等の金属シールや、 フッ素系樹脂による封止 (シー リング)が施されている。なお、上記フッ素系樹脂としては、 8 0 °Cで 2時間、 加熱し、 脱ガス処理が施されたものを使うことが望ましい。
前記窓ガラス g iの外側 (一 X側) には、 図 7から分かるように、 レチクル ステージ R S Tのミラ一部 2 4 Bの反射面 1 2 4 mに対向して位置検出装置で ある X軸レーザ干渉計 6 9 Xが設けられている。 この X軸レーザ干渉計 6 9 X からの測長ビームが窓ガラス g iを介してミラー部 2 4 Bの反射面 1 2 4 に 対して投射され、 その反射光が窓ガラス g iを介して X軸レーザ干渉計 6 9 X 内に戻る。 この場合、 測長ビームの光路の Z軸方向の位置は、 前述の中立面 C Tの位置に一致している。
また、 図 7に示されるように、 投影光学系ユニット P Lの鏡筒の上端部近傍 には、 固定鏡 Mrxが取付部材 9 2を介して設けられている。 X軸レーザ干渉計 6 9 Xからの参照ビームはレチクルステージ定盤 1 6に形成された貫通孔 (光 路) 7 1を介して、 固定鏡 Mrxに対して投射され、 その反射光が X軸レーザ干 渉計 6 9 X内に戻る。 X軸レーザ干渉計 6 9 Xでは、 測長ビームの反射光、 参 照ビームの反射光を内部の光学系により同軸にかつ同一の偏光方向の光に合成 し、 両反射光の干渉光を内部のディテクタによって受光する。 そして、 その干 渉光によってディテクタの受光面に生じる干渉縞のカウント値に基づいて、 X 軸レーザ干渉計 6 9 Xは、 レチクルステージ本体 2 2の X軸方向の位置を、 固 定鏡 Mrxを基準として、 例えば 0 . 5〜 1 n m程度の分解能で常時検出する。 前記窓ガラス g 2の外側 (一 Y側) には、 レチクルステージ装置 1 2近傍の Y Z断面図である図 8から分かるように、 レチクルステージ本体 2 2に設けら 5
34 れた前述のレトロリフレクタ 3 2 ι, 3 22の反射面に対向して位置検出装置で ある Y軸レーザ干渉計 6 9 Yが設けられている。 この場合、 Y軸レーザ干渉計 6 9 Yは、 レトロリフレクタ 3 2 1, 3 22にそれぞれ対応して一対設けられて いる。 各 Y軸レーザ干渉計 6 9 Yからの測長ビームは窓ガラス g 2を介してレ トロリフレクタ 3 2 3 22の反射面に対してそれぞれ投射され、 それぞれの 反射光が窓ガラス g 2を介して各丫軸レーザ干渉計 6 9 Y内に戻る。この場合、 測長ビームの照射点の Z軸方向の位置は、 前述の中立面 C Tの位置にほぼ一致 している。
また、 図 8に示されるように、 投影光学系ユニット P Lの鏡筒の上端部近傍 には、 固定鏡 Mryが取付部材 9 3を介して設けられている。各 Y軸レーザ干渉 計 6 9 Yからの参照ビームはレチクルステージ定盤 1 6に形成された貫通孔 (光路) 7 2をそれぞれ介して、 固定鏡 Mryに対してそれぞれ投射され、 それ ぞれの反射光が各 Y軸レーザ干渉計 6 9 Y内に戻る。 そして、 各 Y軸レーザ干 渉計 6 9 Yは、 前述の X軸レーザ干渉計 6 9 Xと同様に、 測長ビームの反射光 と参照ビームの反射光との干渉光に基づいて、 それぞれの測長ビームの投射位 置 (レトロリフレクタ 3 2 ι, 3 22の反射面の位置) におけるレチクルステ一 ジ本体 2 2の Y軸方向の位置を、 固定鏡 Mry をそれぞれ基準として例えば 0 . 5〜 1 n m程度の分解能でそれぞれ常時検出する。
この場合、 一対の Y軸レーザ干渉計 6 9 Yによって、 レチクルステージ R S Tの Z軸回りの回転量も検出することが可能となっている。
本実施形態では、 図 2に示されるように、 ミラー部 2 4 Bは、 固定子ュニッ ト 3 6 ( Y軸リニアモータ 1 3 6 ι, 1 3 6 2) の外側に配置されている。 この ため、 X軸レーザ干渉計 6 9 Xからの測長ビームが Y軸リニアモータ 1 3 6 1 3 6 2の固定子の上方を通過することがないことから、 Y軸リニアモータ 1 3 6 ι, 1 3 62の固定子を流れる電流による発熱により、 Y軸リニアモータ 1 3 6 ι, 1 3 62近傍に空気揺らぎが発生しても、 この空気揺らぎによる X軸レ 一ザ干渉計 6 9 Xの計測値への影響がないので、 レチクルステージ R S T、 ひ いてはレチクル Rの X軸方向位置を高精度で検出することが可能となる。また、 この場合、 前述の如く、 X軸レーザ干渉計 6 9 Xの測長ビームの光路の Z軸方 向の位置は、 中立面 C Tの位置に一致しており、 レチクル Rの載置面も中立面 C Tに一致しているので、いわゆるアッベ誤差なく、レチクルステージ R S T、 ひいてはレチクル Rの X軸方向位置を精度良く計測することができる。 一対の Υ軸干渉計 6 9 Υにおいても、 同様の理由により、 いわゆるアッベ誤差なく、 レチクルステージ R S Τ、 ひいてはレチクル Rの Υ軸方向位置を精度良く計測 することができるようになつている。
また、 上述の X軸レーザ干渉計 6 9 X及び一対の Υ軸干渉計 6 9 Υは、 枠状 部材 1 8の外部に配置されているので、 各干渉計を枠状部材 1 8の内部に配置 する場合に生じる蓋然性が高い不都合の発生を防止することができる。例えば、 各干渉計を構成するプリズム等の光学部材及びディテクタ等から仮に微量の吸 収性ガスが発生しても、 これが前述の気密空間内の低吸収性ガスに混入するこ とがなく、結果的に露光に対して悪影響を及ぼすことがないようになつている。 上述のように、 実際には、 移動鏡として、 ミラー部 2 4 Β、 レトロリフレク タ 3 2 i, 3 22の 3つが設けられ、 これに対応してレーザ干渉計も X軸レーザ 干渉計 6 9 Xと一対の Y軸レーザ干渉計 6 9 Yとが設けられている力 図 1で はこれらが代表的にレチクル移動鏡 M m、 レチクル干渉計システム 6 9として 図示されている。 なお、 図 1では、 固定鏡 (固定鏡 Mrx、 固定鏡 Mry) は図示 が省略されている。
以下の説明においては、 レチクル干渉計システム 6 9によってレチクルステ ージ R S Tの X Y面内の位置(0 z回転を含む)が計測されているものとする。 このレチクル干渉計システム 6 9からのレチクルステージ R S Tの位置情報 (又は速度情報) は図 1のステージ制御系 9 0及びこれを介して主制御装置 7 0に送られ、 ステージ制御系 9 0では主制御装置 7 0からの指示に応じ、 レチ クルステージ R S Tの位置情報 (又は速度情報) に基づいてレチクルステージ R S Tの駆動を制御する。
図 1に戻り、 前記投影光学系ユニット P Lとしては、 両側テレセントリック な縮小系、 かつ共通の Z軸方向の光軸を有する複数枚のレンズエレメントから 成る屈折光学系が用いられている。この投影光学系ュニット P Lは、実際には、 該投影光学系ュニット Pしの鏡筒部に設けられたフランジ部 F L Gを介して、 不図示の保持部材によって保持されている。 この投影光学系ュニット P Lの投 影倍率) δは、 例えば 1 4あるいは 1 / 5である。 このため、 前述の如く、 照 明ュニット I Ο Ρからの照明光 I Lによリレチクル Rが照明されると、 レチク ル Rに形成された前述の照明領域内の回路パターンが投影光学系ュニット P L により照明領域と共役なウェハ W上の照明光 I Lの照射領域 (露光領域) に縮 小投影され、 回路パターンの縮小像 (部分等立像) が転写形成される。
投影光学系ュニット P Lの鏡筒には、 給気管路 5 0の一端と、 排気管路 5 1 の一端とがそれぞれ接続されている。 給気管路 5 0の他端は、 不図示の低吸収 性ガスの供給装置、 例えばヘリウムガス供給装置に接続されている。 また、 排 気管路 5 1の他端は、 外部のガス回収装置に接続されている。 そして、 へリウ ムガス供給装置から高純度のヘリウムガスが給気管路 5 0を介して投影光学系 ユニット P Lの鏡筒の内部にフローされている。 この場合、 ヘリウムガスがガ ス回収装置に回収されるようになっている。 なお、 低吸収性ガスとしてへリウ ムガスを用いているのは、 前述と同様の理由に加え、 投影光学系ユニット P L のレンズ材料として熱膨張係数の大きなホタル石が用いられていることから、 レンズが照明光 I しを吸収することによリ発生する温度上昇がレンズの結像特 性を劣化させることを考慮し、 冷却効果の大きな低吸収性ガスであるヘリウム ガスを用いることが望ましいからである。
前記ウェハステージ WS Tは、 ウェハ室 8 0内に配置されている。 このゥェ ハ室 8 0は、 天井部の略中央部に円形開口 7 1 aが形成された隔壁 7 1によつ て形成されている。 この隔壁フ 1は、 ステンレス (S U S ) 等の脱ガスの少な い材料で形成されている。 隔壁 7 1の天井部の開口 7 1 a内に投影光学系ュニ ッ卜 P Lの鏡筒の下端部が挿入されている。 また、 隔壁 7 1の天井壁の開口 7 1 aの周囲と投影光学系ユニット Pしのフランジ部 F L Gとの間は、 フレキシ ブルべローズ 9 7により隙間なく接続されている。 このようにして、 ウェハ室 8 0の内部のガスが外部と隔離されている。
ウェハ室 8 0内には、 ステージベース B Sが、 複数の防振ユニット 8 6を介 してほぼ水平に支持されている。 これらの防振ユニット 8 6は、 床面 Fからス テージベース B Sに伝達される微振動 (暗振動) を例えばマイクロ Gレベルで 絶縁する。 なお、 この防振ユニット 8 6として、 ステージベース B Sの一部に 取り付けられた半導体加速度計等の振動センサの出力に基づいてステージベー ス B Sを積極的に制振するいわゆるアクティブ防振装置を用いることも可能で &)る。
前記ウェハステージ WS Tは、 ウェハホルダ 2 5を介してウェハ Wを真空吸 着等によリ保持し、 例えばリニアモータ等を含む不図示のウェハ駆動系によつ て前記ベース B Sの上面に沿って X Y 2次元方向に自在に駆動されるようにな つている。
本実施形態のように、 真空紫外域の露光波長を使用する露光装置では、 酸素 等の吸収性ガスによる露光光 (照明光 I L ) の吸収を避けるために、 投影光学 系ュニット Pしからウェハ Wまでの光路についても窒素や希ガスで置換する必 要がある。
ウェハ室 8 0の隔壁 7 1には、 図 1に示されるように、 給気管路 4 1の一端 と、排気管路 4 3の一端とがそれぞれ接続されている。給気管路 4 1の他端は、 不図示の低吸収性ガスの供給装置、 例えばヘリゥ厶ガス供給装置に接続されて いる。 また、 排気管路 4 3の他端は、 外部のガス回収装置に接続されている。 そして、 前述と同様にして、 ウェハ室 8 0内にヘリウムガスが常時フローされ ている。
ウェハ室 8 0の隔壁 7 1の一 Y側の側壁には光透過窓 8 5が設けられている。 これと同様に、 図示は省略されているが、 隔壁 7 1の + X側 (図 1における紙 面手前側) の側壁にも光透過窓が設けられている。 これらの光透過窓は、 隔壁 7 1に形成された窓部 (開口部) に該窓部を閉塞する光透過部材、 ここでは一 般的な光学ガラスを取り付けることによって構成されている。 この場合、 光透 過窓 8 5を構成する光透過部材の取り付け部分からのガス漏れが生じないよう に、 取り付け部には、 インジウムや銅等の金属シールや、 フッ素系樹脂による 封止(シーリング)が施されている。なお、上記フッ素系樹脂としては、 8 0 °C で 2時間、 加熱し、 脱ガス処理が施されたものを使うことが望ましい。
前記ウェハホルダ 2 5の一 Y側の端部には、 平面鏡から成る Y移動鏡 5 6 Y が X軸方向に延設されている。 この Y移動鏡 5 6 Yにほぼ垂直にウェハ室 8 0 の外部に配置された Y軸レーザ干渉計 5 7 Yからの測長ビームが光透過窓 8 5 を介して^ f殳射され、 その反射光が光透過窓 8 5を介して Y軸レーザ干渉計 5 7 Y内部のディテクタによって受光され、 Y軸レーザ干渉計 5 7 Y内部の参照鏡 の位置を基準として Y移動鏡 5 6 Yの位置、 すなわちウェハ Wの Y位置が検出 される。
同様に、 図示は省略されているが、 ウェハホルダ 2 5の + X側の端部には、 平面鏡から成る X移動鏡が Y軸方向に延設されている。 そして、 この X移動鏡 を介して X軸レーザ干渉計によって上記と同様にして X移動鏡の位置、 すなわ ちウェハ Wの X位置が検出される。上記 2つのレーザ干渉計の検出値(計測値) はステージ制御系 9 0及びこれを介して主制御装置 7 0に供給されており、 ス テージ制御系 9 0では、 主制御装置 7 0の指示に基づき、 上記 2つのレーザ干 渉計の検出値をモニタしつつウェハ駆動系を介してウェハステージ WS Tの位 置制御を行うようになっている。
このように、 本実施形態では、 レーザ干渉計、 すなわちレーザ光源、 プリズ ム等の光学部材及びディテクタ等が、 ウェハ室 8 0の外部に配置されているの で、 上記ディテクタ等から仮に微量の吸収性ガスが発生しても、 これが露光に 対して悪影響を及ぼすことがないようになつている。
なお、 前述した投影光学系ュニット P Lの鏡筒に接続された給気管路 5 0の 他端、 及び排気管路 5 1の他端を不図示のヘリウムガス供給装置にそれぞれ接 続し、 ヘリウムガス供給装置から給気管路 5 0を介して常時高純度のヘリウム ガスを投影光学系ュニット P Lの鏡筒内に供給し、 該鏡筒内部のガスを排気管 路 5 1を介してヘリウムガス供給装置に戻し、 このようにして、 ヘリウムガス を循環使用する構成を採用しても良い。この場合、ヘリウムガス供給装置には、 ガス精製装置を内蔵することが望ましい。 このようにすると、 ガス精製装置の 作用により、 ヘリウムガス供給装置と投影光学系ュニッ卜 P L内部とを含む循 環経路によりヘリウムガスを長時間に渡って循環使用しても、 投影光学系ュニ ット P L内のヘリウムガス以外の吸収性ガス (酸素、 水蒸気、 有機物等) の濃 度は ^i p p m以下の濃度に維持できる。 また、 この場合、 投影光学系ユニット P L内に圧力センサ、 吸収性ガス濃度センサ等のセンサを設け、 該センサの計 測値に基づいて、 不図示の制御装置を介してヘリウムガス供給装置に内蔵され たポンプの作動、 停止を適宜制御することとしても良い。
同様に、 ウェハ室 8 0にも、 上記と同様のヘリウムガスの循環経路を採用し ても良い。
次に、 上述のようにして構成された露光装置 1 0による露光動作の流れにつ いて簡単に説明する。
まず、 主制御装置 7 0の管理の下、 不図示のレチクルローダ、 ウェハローダ によって、 レチクルロード、 ウェハロードが行なわれ、 また、 レチクルァライ メント系、 ウェハステージ W S T上の基準マーク板、 オファクシス 'ァライメ ント検出系 (いずれも図示省略) 等を用いて、 レチクルァライメン卜、 ァライ メン卜検出系のベースライン計測 (ァライメント検出系の検出中心から投影光 学系ュニット P Lの光軸距離の計測)等の準備作業が所定の手順で行なわれる。 その後、 主制御装置 70により、 不図示のァライメント検出系を用いて EG A (ェンハンスト 'グロ一バル 'ァライメント) 等のァライメン卜計測が実行 される。 このような動作においてウェハ Wの移動が必要な場合には、 主制御装 置 70からの指示に基づき、 ステージ制御系 90が不図示のウェハ駆動系を介 して、 ウェハ Wを保持するウェハステージ WS Tを所定の方向に移動させる。 なお、 上記のレチクルァライメン卜、 ベースライン計測等については、 例え ぱ特開平 7— 1 76468号公報及びこれに対応する米国特許第 5, 646, 41 3号に詳細に開示され、 また、 EG Aについては、 特開昭 61—4442 9号公報及びこれに対応する米国特許第 4, 780, 61 7号等に詳細に開示 されている。 本国際出願で指定した指定国又は選択した選択国の国内法令が許 す限りにおいて、 上記各公報並びにこれらに対応する上記米国特許における開 示を援用して本明細書の記載の一部とする。
…上記の EG A (ァライメント計測) の終了後、 以下のようにしてステップ - アンド■スキャン方式の露光動作が行なわれる。
この露光動作にあたって、 まず、 ウェハ Wの XY位置が、 ウェハ W上の最初 のショット領域 (ファースト 'ショット) の露光のための走査開始位置 (加速 開始位置) となるように、 ウェハステージ WS Tが移動される。 同時に、 レチ クル Rの位置が走査開始位置となるように、 レチクルステージ RSTが移動さ れる。 そして、 主制御装置 70からの指示により、 ステージ制御系 90がレチ クル干渉計システム 69によって計測されたレチクル Rの位置情報、 及びゥェ ハ側の Y軸レーザ干渉計 57 Y及び X軸レーザ干渉計によって計測されたゥェ ハ Wの位置情報に基づき、 レチクル R (レチクルステージ RS T) とウェハ W (ウェハステージ WS T) とを同期移動させることにより、 走査露光が行なわ れる。
このようにして、 最初のショッ卜領域に対するレチクルパターンの転写が終 了すると、 ウェハステージ W S丁が非走査方向 (X軸方向) に 1ショット領域 分だけステッピングされた後、 次のショット領域に対する走査露光が行なわれ る。 このようにして、 ショット間ステッピング動作と走査露光とが順次繰り返 され、ウェハ W上に複数のショッ卜領域にレチクル Rのパターンが転写される。 上記の走査露光に際して、 主制御装置 7 0の指示に基づき、 ステージ制御系 9 0によリウェハステージ W S丁に対するレチクルステージ R S Tの追従制御 が行われるが、 この際にレチクルステージ R S Tの移動に伴う反力が、 上記枠 状部材 1 8の移動によりキャンセルされている。 以下、 この点について説明す る。
すなわち、 上記の追従制御の際に、 レチクルステージ R S Tが X軸方向に駆 動されると、 前述のボイスコイルモータ 3 0の可動子がレチクルステージ R S Tと一体で X軸方向に駆動され、 この駆動力の反力がボイスコイルモータ 3 0 の固定子 (電機子ュニット 1 4 C , 1 4 02) 及ぴ該固定子が固定された枠状 部材 1 8に作用することとなる。 この場合、 枠状部材 1 8は、 レチクルステー ジ定盤 1 6及び照明系側プレー卜 1 4に対して所定のクリアランスを介して非 接触とされているので、 前記反力の作用により、 枠状部材 1 8は、 運動量保存 の法則に従った距離だけその反力に応じた方向に移動する。 この枠状部材 1 8 の移動により、 前記反力が吸収される。 このとき、 レチクルステージ R S Tの Y軸方向の位置によっては、 上記の X軸方向に駆動力の反力に起因するョーィ ングモーメントが枠状部材 1 8に作用することがある。 この場合、 枠状部材 1 8は、 そのョーイングモーメント及び X軸方向の反力の作用によって、 運動量 保存の法則に従って反力を吸収するように 0 z回転を伴う自由運動をする。
—方、 レチクルステージ R S Tがウェハステージ W S Tとの同期をとるため に、 Y軸方向に駆動される際には、 Y軸リニアモータ 1 3 6 1 3 62、 1 3 8 ι, 1 3 82の各可動子がレチクルステージ R S Tと一体で Y軸方向に駆動さ れ、 各可動子の駆動力の反力の合力が Y軸リニアモータ 1 3 6 ^ 1 3 62、 1 04 000655
42
3 8 1, 1 3 8 2の各固定子及びこれらが固定された枠状部材 1 8に作用する。 この場合も、 上記反力の合力の作用により、 枠状部材 1 8は、 運動量保存の法 則に従って、 前記反力の合力を吸収する距離だけその反力の合力に応じた方向 に移動する。
また、 Y軸リニアモータ 1 3 6 1 3 62と、 Y軸リニアモータ 1 3 8 ι, 1 3 82とが発生する駆動力 (推力) を異ならせてレチクルステージ R S Tを 0 z回転させ、 その際、 ョ一イングモーメントが枠状部材 1 8に作用することが あるが、 かかる場合にも、 枠状部材 1 8は、 そのョーイングモーメント及び Y 軸方向の反力の作用によって、 運動量保存の法則に従って反力を吸収するよう に 0 z回転を伴う自由運動をする。
また、 いずれの場合にも、 枠状部材 1 8及ぴレチクルステージ R S Tを含む 系の重心移動は生じないので、 レチクルステージ定盤 1 6には偏荷重は作用し ない。
従って、 本実施形態では、 レチクルス亍ージ R S Tの駆動時に、 該レチクル ステージ R S Tの駆動に伴って生じる反力 (X軸方向及び Y軸方向の反力) 及 ぴ該反力によって生じるョーィングモ一メン卜を確実にキャンセルすることが 可能となり、 レチクルステージ R S Tの駆動に伴う振動を抑制することが可能 となる。 また、 上述の如く偏荷重の発生をも防止できるので、 これに起因する レチクルステージ定盤 1 6の姿勢変化なども防止できる。
また、 本実施形態では、 上記の反力キャンセルのため、 レチクルステージ定 盤 1 6上方を枠状部材 1 8が移動する際に、 その基準位置からのずれ量が許容 値を超えないように (すなわち、 例えば、 枠状部材 1 8の移動により、 ボイス コイルモータ 3 0の制御が不能となる、 あるいは、 枠状部材 1 8とレチクルス テージ定盤 1 6との間の隙間を介して外気が枠状部材 1 8内部の気密空間内に 混入するなどの事態が発生しないように)、例えば露光に影響を与えない適宜な ときに、 主制御装置 7 0がステージ制御系 9 0を介して前述の 3つのトリムモ ータを用いて枠状部材 1 8を所定の基準位置に戻すようになつている。
以上詳細に説明したように、 本実施形態に係るレチクルステージ装置 1 2に よると、 レチクルステージ RS丁が、 レチクルステージ定盤 1 6の上方に浮上 しつつレチクル Rを保持して Y軸及びこれに直交する X軸を含む 2次元面内の 3自由度方向にレチクルステージ定盤 1 6に沿って移動可能であり、 枠状部材 1 8は、 レチクルステージ定盤 1 6の上方に浮上しつつ前記 2次元面内の 3自 由度を有している。 また、 枠状部材 1 8には、 Y軸リニアモータ 1 36 , 1 3 62、 1 38ι, 1 382の各固定子 (リニアガイ ド 1 36ι, 1 362、 1 38 ι, 1 382)、 及びボイスコイルモータ 30の固定子 (電機子ュニッ卜 1 4 1 402) が設けられ、 Y軸リニアモータ 1 361, 1 362、 1 38i, 1 382の 各可動子 (磁極ユニット 26 262、 28i, 282)、 及ぴボイスコイルモー タ 30の可動子 (永久磁石 30) が、 レチクルステージ RS Tに設けられてい る。
従って、 レチクルステージ RS Tが Y軸リニアモータ 1 36ι, 1 362、 1 38ι, 1 382又はボイスコイルモータ 30により Y軸方向又は X軸方向に駆 動されると、 その駆動力に応じた反力が固定子 (リニアガイド 1 36L 1 36 2、 1 38ι, 1 382) 又は固定子 (電機子ユニット 1 4 1 402) に生じ る (作用する)。 この反力の作用により枠状部材 1 8が、運動量保存則にほぼ従 つて、 2次元面内の 3自由度方向に移動する。 すなわち、 枠状部材 1 8がカウ ンタマスの役目を果たす。 この場合、 レチクルステージ RS Tの移動により、 前記反力がほぼ完全にキャンセルされるとともに、 レチクルステージ RS T及 び枠状部材 1 8を含む系の重心移動が生じないので、 レチクルステージ定盤 1 6には偏荷重も作用しない。 従って、 レチクル Rが載置されるレチクルステー ジ R S Tの位置制御性の向上を図ることができる。
また、 枠状部材 1 8はレチクルステージ RSTを取り囲む状態で設けられて いるので、 必然的に大型化し、 その質量が大きくなリ、 枠状部材 1 8とレチク ルステージ RS Tとの大きな質量比を確保することができるので、 枠状部材 1 8の移動ストロークは比較的短くて足りる。 また、 枠状部材 1 8を大型化する 場合にも、 その支障は殆どない。
また、 レチクルステージ RS Τには、 中立面 CTの一部にレチクル Rの載置 面が形成されるとともに、 レチクル干渉計システム 69からの測長ビームの光 路の Ζ軸方向の位置が中立面 CTの位置に一致しているので、 前述の図 1 2 Β を用いて説明した従来例と異なり、 レチクルステージ RS Τの変形の際に中立 面 C Τと測長軸とのずれに起因して生じる位置計測誤差、 及び測長軸とレチク ル Rのパターン面の位置ずれに相違する一種のアッベ誤差をともに、 略零にす ることができ、 これによりレチクル Rの位置を高精度に計測することが可能と なる。
また、 レチクルステージ RSTを駆動する第 1駆動機構が、 レチクルステー ジ RSTのレチクル Rの載置領域の X軸方向の一側と他側とに中立面 CTを基 準としてそれぞれ対称に配置された各一対の可動子(磁極ュニッ卜 26 26 2、 2 Si, 282) と、 当該各可動子と個別に協働して Υ軸方向の駆動力をそれ ぞれ発生する 2対の固定子 (リニアガイド 1 36ι, 1 362、 1 38i, 1 38 2) とを有している。 すなわち、 X軸方向の一側、 他側のいずれにおいても、 可 動子、 レチクルステージ本体、 可動子の積層構造になっているとともに、 その 可動子同士は、 中立面 CTに関して対称の配置となっている。 この場合、 レチ クルステージ RS Tの中立面は、 その重心の高さ位置 (Z軸方向の位置) に略 一致しているので、 左右各一対の可動子と対応する固定子との協働によって発 生する Y軸方向の駆動力の合力が、 レチクルステージ RS Tの重心位置に作用 することとなる。
また、 前記各対の固定子 (リニアガイド 1 36ι, 1 362、 1 38i, 1 38 2) は、前記中立面 CTを基準としてそれぞれ対称に配置されているので、 レチ クルステージ RS Tをレチクルステージ定盤 1 6に沿って Y軸方向に駆動する 際に、 リニアガイ ド 1 36 , 1 362、 1 38ι, 1 382それぞれの電機子コ ィルに供給される電流によるリニアガイ ド 1 36L 1 36 1 38ι, 1 38 2の発熱により、 レチクルステージ RS Tが加熱されたとしても、 その発熱部 分では、 中立面 CTの上側、 下側に生じるバイメタル効果に起因するレチクル ステージ本体 22の変形同士が相殺され、 結果的にバイメタル効果に起因する レチクルステージ R S Tの変形が生じることがない。
なお、 本実施形態と異なり、 例えば上記各一対の可動子が電機子ュニッ卜で 構成される場合には、 レチクルステージ RS Tをレチクルステージ定盤 1 6に 沿って Y軸方向に駆動する際に、 可動子に供給される電流による可動子の発熱 によリスライダが加熱されるが、 この場合も、 同様の理由により、 バイメタル 効果に起因してレチクルステージ R S Tの変形が生じることがないようになつ ている。
従って、 レチクルステージ RS Tの Y軸方向の位置をレチクルステージ RS 丁に設けられた一対のレトロリフレクタ 32u 32.2を介して一対の Y軸干渉 計 69 Yにより計測し、 その計測結果に基づいてレチクルステージ RS Tの Y 軸方向の位置を制御するので、 そのレチクルステージ RS Tの Y軸方向の位置 制御性を極めて良好にすることができる。
また、 本実施形態に係るレチクルステージ装置 1 2では、 レチクル干渉計シ ステム 69からの X軸方向の測長ビームが照射される反射面が、 レチクルステ ージ RS Tを Y軸方向に駆動するリニアモータ 1 36ι, 1 362よりも外側に 設けられているので、 そのリニァモータの発熱に起因して該リニァモータ周辺 の気体に温度揺らぎが生じても、 その X軸方向の測長ビームにはなんらの影響 も生じない。 これにより、 X軸干渉計 69 Xによるレチクルステージ RS丁の X軸方向の位置計測を高精度で行うことが可能となる。 この場合、 レチクル干 渉計システム 69からの Y軸方向の測長ビームは、 通常と同様に、 レチクルス テージ RSTに設けられたレトロリフレクタ 32 322の反射面 (前記リニ ァモータの発熱の影響を殆ど受けない場所に位置する反射面) に特に支障なく 照射することができるので、 レチクルステージ R S Tの Y軸方向及び X軸方向 の位置を精度良く計測することが可能となり、 ひいてはレチクルステージ R S Tの位置制御性の向上を図ることが可能となる。
また、 レチクル干渉計システム 6 9からの X軸方向の測長ビームが照射され る反射面 1 2 4 mは、 レチクルステージ R S Tのレチクル Rが載置される板状 部 2 4 Aとは別の所定長さの棒状のミラー部 2 4 Bの端面に形成され、 該ミラ 一部 2 4 Bの反射面 1 2 4 mが形成された棒状部分 1 2 4 aの長手方向の両端 部を除く部分に補強部 1 2 4 bが設けられ、 該補強部 1 2 4 bの両端が弾性ヒ ンジ部 1 2 4 c , 1 2 4 dを介して板状部 2 4 Aに連結されている。このため、 反射面の弾性ヒンジ部 1 2 4 cと弾性ヒンジ部 1 2 4 dとの間の部分、 すなわ ち、 レチクルステージ R S Tの位置制御に主として用いられる部分の変形を極 力抑制することができる。
また、 レチクルステージ R S Tの Y軸方向の一側及び他側の端部には Y軸方 向に延びる延設部 2 4 (^〜2 4 D2がそれぞれ設けられ、 レチクルステージ R S Tの底面には、 前記一側の延設部から他側の延設部に至る長手方向の全域に 渡る気体静圧軸受が形成され、 レチクルステージ定盤 1 6から配管を介さない で前記気体静圧軸受に対して加圧気体が供給される構成が採用されている。 こ のため、 レチクルステージ R S Tが配管を引きずった状態で駆動することがな く、 レチクルステージが等速運動を行う露光中においては、 等速運動を保つの に必要な推力をほとんど必要としないため、 リニアモータの推カリップルその 他の影響を受けなくなる。
また、 本実施形態に係る露光装置 1 0によると、 上述の如く、 レチクルステ ージ R S Tの位置制御性を極めて良好に確保することができるので、 レチクル ステージ R S Tとウェハステージ WS Tとの同期制御精度を向上させることが でき、 これにより、 レチクル Rに形成されたパターンをウェハ W上に高精度に 転写することが可能となる。
また、 露光装置 1 0によると、 照明ュニット I O Pと投影光学系ュニッ卜 P Lとの間の照明光 I Lの光路を含む空間が低吸収性ガス (照明光 I Lを吸収す る特性が空気に比べて小さい特定ガス) でパージされるパージ空間とされると ともに、 枠状部材 1 8が前記パージ空間を外気に対して隔離する隔壁を兼ねて いるので、 レチクルステージ R S T周辺の空間を容易にパージ空間とすること ができ、そのパージ空間内での照明光 I しの吸収を極力抑制することができる。 なお、 上記実施形態では、 レチクルステージ R S Tを Y軸方向に駆動する第 1駆動機構を左右各一対の Y軸リニァモータで構成し、 レチクルステージ R S Tを X軸方向に駆動する第 2駆動機構をボイスコイルモータで構成するものと したが、 本発明がこれに限定されないことは勿論である。
また、 上記実施形態では、 ミラー部 2 4 Bには空洞部 C Hが形成されている 場合について説明したが、 ミラー部 2 4 Bに中空部を形成しなくても良い。 ま た、 ミラ一部 2 4 Bと板状部 2 4 Aとを一体成形するものとして説明したが、 これに限らず、 これらを別部材にて構成し、 各部の間を弾性ヒンジ部にて連翁 することとしても良い。
なお、 上記実施形態では、 レチクルステージ装置 1 2の上方に、 照明系側プ レート 1 4を設けるものとしたが、 例えば枠状部材の上側 (照明系側) を照明 光を透過する窓部を残して塞ぐことで、 照明系側プレート 1 4を設けなくとも レチクルステージ R S T近傍をある程度気密な空間に維持することは可能であ る。
なお、 上記実施形態では、 レチクルステージ R S Tを取り囲む枠状部材 1 8 がレチクルステージ周辺の空間を外気に対して隔離する隔壁を兼ねている場合 について説明したが、 本発明がこれに限られるものではなく、 レチクルステ一 ジ R S T及び枠状部材をチャンバ (レチクルステージチャンバ) 内に収納し、 レチクルステージ R S T周辺の空間を低吸収性ガスにより置換することとして 00655
48 も良い。 この場合、 枠状部材についてはレチクルステージ定盤との間に所定間 隔を形成し、 2次元面内 (X Y面内) で移動可能に構成するのみで良く、 上記 実施形態のように枠状部材の上面に気体静圧軸受機構を設ける必要はない。 なお、 上記実施形態では, 本発明に係るステージ装置が走査型の V U V露光 装置のレチクルステージ装置に適用された場合について説明したが、 これに限 らず、 本発明に係るステージ装置は, 投影光学系を用いることなくマスクと基 板とを密着させてマスクパターンを基板に転写するプロキシミティタイプのァ ライナーのマスクステージ装置や、 液晶用の一括転写方式の走査型露光装置な どのマスクステージ装置あるいはプレートステージ装置などに好適に適用でき る。 この他、 E B P S方式の電子線露光装置、 波長 5〜3 0 n m程度の軟 X線 領域の光を露光光として用いるいわゆる E U V L等の露光装置にも本発明に係 るステージ装置は適用できる。
この他、 物体 (試料) が載置される移動体を所定の第 1軸方向に駆動可能で その第 1軸方向に直交する第 2軸方向及び回転方向にも微小駆動が必要な装置 であれば、 露光装置に限らず、 その他の精密機械などにも本発明に係るステ一 ジ装置は好適に適用できる。
なお、上記実施形態では、照明光 I しとしては、 A r Fエキシマレーザ光(波 長 1 9 3 n m) あるいは F 2 レーザ光 (波長 1 5 7 n m) などの真空紫外光、 K r Fエキシマレーザ光 (波長 2 4 8 n m) などの遠紫外光、 超高圧水銀ラン プからの紫外域の輝線(g線、 i線等)を用いるものとしたが、これに限らず、 A r 2 レーザ光 (波長 1 2 6 n m) などの他の真空紫外光を用いても良い。 ま た、 例えば、 真空紫外光として上記各レーザ光に限らず、 D F B半導体レーザ 又はファイバーレーザから発振される赤外域、 又は可視域の単一波長レーザ光 を、例えばエルビウム (E r ) (又はエルビウムとイッテルビウム (Y b ) の両 方) がドープされたファイバ一アンプで増幅し、 非線形光学結晶を用いて紫外 光に波長変換した高調波を用いても良い。 さらに、 照明光 I しとして紫外光な どでなく、 X線 (E U V光を含む) 又は電子線やイオンビームなどの荷電粒子 線などを用いても良い。
また、 上記実施形態では、 投影光学系ユニット P Lとして縮小系を用いる場 合について説明したが、 投影光学系は等倍系および拡大系のいずれでも良い。 また、 投影光学系としては、 照明光 I しとして、 例えば A r 2 レーザ光などの 真空紫外光を用いる場合などには、 例えば特開平 3— 2 8 2 5 2 7号公報及び これに対応する米国特許第 5 , 2 2 0, 4 5 4号、 特開平 8— 1 7 1 0 5 4号 公報及びこれに対応する米国特許第 5 , 6 6 8 , 6 7 2号、 並びに特開平 1 0 — 2 0 1 9 5号公報及びこれに対応する米国特許第 5, 8 3 5 , 2 7 5号など に開示される、 屈折光学素子と反射光学素子 (M面鏡やビームスプリッタ等) とを組み合わせたいわゆるカタディオプトリック系(反射屈折系)、あるいは反 射光学素子のみから成る反射光学系が主として用いられる。 本国際出願で指定 した指定国又は選択した選択国の国内法令が許す限りにおいて、 上記各米国特 許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
なお、 上記実施形態では、 本発明が半導体製造用の露光装置に適用された場 合について説明したが、 これに限らず、 例えば、 角型のガラスプレートに液晶 表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、薄膜磁気へッド、撮像素子、 有機 E L、 マイクロマシン、 D N Aチップなどを製造するための露光装置など にも本発明は広く適用できる。
また、 半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、 光露光装置、 E U V 露光装置、 X線露光装置、 及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又は マスクを製造するために、 ガラス基板又はシリコンウェハなどに回路パターン を転写する露光装置にも本発明を適用できる。 ここで、 D U V (遠紫外) 光や V U V (真空紫外) 光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用 いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、 螢石、 フッ化マグネシウム、 又は水晶などが用いられる。 なお、 例えば国際公開 WO 9 9 Z 4 9 5 0 4号などに開示される、 投影光学 系ュニッ卜 P Lとウェハとの間に液体が満たされる液浸露光装置に本発明を適 用しても良い。
《デバイス製造方法》
次に、 上述した露光装置をリソグラフィ工程で使用したデバィスの製造方法 の実施形態について説明する。
図 1 0には、 デバイス ( I Cや L S I等の半導体チップ、 液晶パネル、 C C D、 薄膜磁気ヘッド、 マイクロマシン等) の製造例のフローチャートが示され ている。 図 1 0に示されるように、 まず、 ステップ 2 0 1 (設計ステップ) に おいて、 デバイスの機能■性能設計 (例えば、 半導体デバイスの回路設計等) を行い、 その機能を実現するためのパターン設計を行う。 引き続き、 ステップ 2 0 2 (マスク製作ステップ) において、 設計した回路パターンを形成したマ スクを製作する。 一方、 ステップ 2 0 3 (ウェハ製造ステップ) において、 シ リコン等の材料を用いてウェハを製造する。
次に、 ステップ 2 0 4 (ウェハ処理ステップ) において、 ステップ 2 0 1〜 ステップ 2 0 3で用意したマスクとウェハを使用して、 後述するように、 リソ グラフィ技術等によってウェハ上に実際の回路等を形成する。 次いで、 ステツ プ 2 0 5 (デバイス組立ステップ) において、 ステップ 2 0 4で処理されたゥ ェハを用いてデバイス組立を行う。このステップ 2 0 5には、ダイシング工程、 ボンディング工程、 及びパッケージング工程 (チップ封入) 等の工程が必要に 応じて含まれる。
最後に、 ステップ 2 0 6 (検査ステップ) において、 ステップ 2 0 5で作製 されたデバイスの動作確認テス卜、 耐久性テスト等の検査を行う。 こうしたェ 程を経た後にデバイスが完成し、 これが出荷される。
図 1 1には、 半導体デバイスの場合における、 上記ステップ 2 0 4の詳細な フロー例が示されている。 図 1 1において、 ステップ 2 1 1 (酸化ステップ) においてはウェハの表面を酸化させる。 ステップ 2 1 2 ( C V Dステップ) に おいてはウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ 2 1 3 (電極形成ステップ) においてはウェハ上に電極を蒸着によって形成する。 ステップ 2 1 4 (イオン 打込みステップ) においてはウェハにイオンを打ち込む。 以上のステップ 2 1 1〜ステップ 2 1 4それぞれは、 ウェハ処理の各段階の前処理工程を構成して おり、 各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウェハプロセスの各段階において、 上述の前処理工程が終了すると、 以下の ようにして後処理工程が実行される。 この後処理工程では、 まず、 ステップ 2 1 5 (レジスト形成ステップ) において、 ウェハに感光剤を塗布する。 引き続 き、 ステップ 2 1 6 (露光ステップ) において、 上記実施形態の露光装置 1 0 その他の本発明の露光装置によってマスクの回路パターンをウェハに転写する c 次に、ステップ 2 1 7 (現像ステップ)においては露光されたウェハを現像し、 ステップ 2 1 8 (エッチングステップ) において、 レジストが残存している部 分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。 そして、 ステップ 2 1 9 (レジスト除去ステップ) において、 エッチングが済んで不要となったレジ ストを取り除く。
これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、 ウェハ上 に多重に回路パターンが形成される。
以上説明した本実施形態のデバイス製造方法を用いれば、 露光工程 (ステツ プ 2 1 6 ) において上記実施形態の露光装置 1 0などの本発明の露光装置が用 いられるので、レチクルのパターンをウェハ上に精度良く転写することができ、 結果的に、 高集積度のデバイスの生産性 (歩留まりを含む) を向上させること ができる。 産業上の利用可能性
以上説明したように、 本発明のステージ装置は、 物体を載置して移動するの に適している。 また、 本発明の露光装置は、 マスクに形成されたパターンを感 光物体に転写するのに適している。 また、 本発明のデバイス製造方法は、 マイ クロデバイスの生産に適している。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 定盤と ;
前記定盤の上方に浮上しつつ物体を保持して第 1軸及びこれに直交する第 2 軸を含む 2次元面内の 3自由度方向に前記定盤に沿って移動可能なスライダ と ;
前記定盤の上方に浮上しつつ前記 2次元面内の 3自由度を少なくとも有し、 前記スライダを取り囲む枠状部材と ;
前記枠状部材に設けられた第 1固定子と、 該第 1固定子と協働して前記スラ イダを前記第 1軸方向に駆動する駆動力を発生する第 1可動子とを含む第 1駆 前記枠状部材に設けられた第 2固定子と、 前記第 2固定子と協働して前記ス ライダを前記第 2軸方向に駆動する駆動力を発生する第 2可動子とを含む第 2 駆動機構と ; を備えるステージ装置。
2 . 請求項 1に記載のステージ装置において、
前記第 1駆動機構は、 少なくとも 2つのリニァモータを含み、
前記第 2駆動機構は、 少なくとも 1つのボイスコイルモータを含むことを特 徴とするステージ装置。
3 . 請求項 1に記載のステージ装置において、
前記スライダの位置を計測する干渉計システムを更に備え、
前記スライダには、中立面の一部に前記物体の載置面が形成されるとともに、 前記干渉計システムからの測長ビームの光路の前記 2次元面に直交する第 3軸 方向の位置が前記中立面の位置に一致していることを特徴とするステージ装置 c
4 . 請求項 1に記載のステージ装置において、
前記スライダの第 1軸方向の一側及び他側の端部には第 1軸方向に延びる延 設部がそれぞれ設けられ、 前記一側の延設部から他側の延設部に至る長手方向 の全域に渡る気体静圧軸受が形成され、
前記定盤から配管を介さないで前記気体静圧軸受に対して加圧気体が供給さ れることを特徴とするステージ装置。
5 . マスクと感光物体とを所定方向に同期移動して前記マスクに形成された パターンを前記感光物体に転写する露光装置であって、
前記マスクを照明光により照明する照明ュニッ卜と ;
前記マスクが前記物体として前記スライダ上に載置される請求項 1に記載の ステージ装置と ;
前記マスクから射出される前記照明光を前記感光物体上に投射する投影光学 系ュニッ卜と ; を備える露光装置。
6 . 請求項 5に記載の露光装置において、
前記照明ュニッ卜と前記投影光学系ュニッ卜との間の前記照明光の光路を含 む空間が前記照明光を吸収する特性が空気に比べて小さい特定ガスでパージさ れるパージ空間とされるとともに、 前記枠状部材が前記パージ空間を外気に対 して隔離する隔壁を兼ねていることを特徴とする露光装置。
7 . 請求項 6に記載の露光装置において、
前記枠状部材の前記照明ュニッ卜とは反対側の前記定盤に対向する側の面に, 前記特定ガスを加圧気体として用いる第 1の気体静圧軸受が、 ほぼ全周に渡つ て設けられていることを特徴とする露光装置。
8 . 請求項 7に記載の露光装置において、
前記枠状部材の前記照明ュニット側の面に前記特定ガスを加圧気体として用 いる第 2の気体静圧軸受が、 ほぼ全周に渡って設けられ、
前記枠状部材の照明ュニット側の面のほぼ全面に対向してかつ所定のクリア ランスを介して配置され、 前記第 2の気体静圧軸受からの加圧気体が噴き付け られるプレートを、 更に備える露光装置。
9 . 請求項 6に記載の露光装置において、
前記枠状部材の前記照明ュニッ卜とは反対側の前記定盤に対向する側の面に、 真空吸引と加圧気体の噴出しとを同時に行う差動排気型の第 1の気体静圧軸受 が、 ほぼ全周に渡って設けられていることを特徴とする露光装置。
1 0 . 請求項 9に記載の露光装置において、
前記枠状部材の前記照明ュニット側の面に、 真空吸引と加圧気体の噴出しと を同時に行う差動排気型の第 2の気体静圧軸受が、ほぼ全周に渡って設けられ、 前記枠状部材の照明ュニット側の面のほぼ全面に対向してかつ所定のクリア ランスを介して配置され、 前記第 2の気体静圧軸受からの加圧気体が噴き付け られるプレートを、 更に備える露光装置。
1 1 . 請求項 6に記載の露光装置において、
前記スライダの位置を計測する干渉計システムを更に備え、
前記干渉計システムから前記パージ空間内の前記スライダに向かう測長ビー ムの光路上に位置する前記枠状部材の側面部分に開口部を形成するとともに、 該開口部を閉塞するカバーガラスを設置したことを特徴とする露光装置。
1 2 . 定盤と ; 前記定盤の上方に浮上しつつ物体を保持して前記定盤に沿って移動可能なス ライダと ;
前記スライダの前記物体が載置される領域の第 1軸方向に直交する第 2軸方 向の一側と他側とに前記スライダの中立面を基準としてそれぞれ対称に配置さ れた各一対の可動子と、 当該各対の可動子と個別に協働して前記第 1軸方向の 駆動力をそれぞれ発生する一対の固定子部とを有する駆動機構と ;を備えるス テ一ン装 ;。
1 3 . 請求項 1 2に記載のステージ装置において、
前記一対の固定子部のそれぞれは、 前記スライダの中立面を基準としてそれ ぞれ対称に配置されていることを特徴とするステージ装置。 4 . 請求項 1 2に記載のステージ装置において、
前記スライダの第 1軸方向の一側及び他側の端部には第 1軸方向に延びる延 設部がそれぞれ設けられ、 前記一側の延設部から他側の延設部に至る長手方向 の全域に渡る気体静圧軸受が形成され、
前記定盤から配管を介さないで前記気体静圧軸受に対して加圧気体が供給さ れることを特徴とするステージ装置。
1 5 . マスクと感光物体とを所定方向に同期移動して前記マスクに形成され たパターンを前記感光物体に転写する露光装置であって、
前記マスクを照明光により照明する照明ュニッ卜と ;
前記マスクが前記物体として前記スライダ上に載置される請求項 1 2に記載 のステージ装置と ;
前記マスクから射出される前記照明光を前記感光物体上に投射する投影光学 系ュニッ卜と:を備える露光装置。
1 6 .
前記定盤の上方に浮上しつつ物体を保持して第 1軸及びこれに直交する第 2 軸を含む 2次元面内を前記定盤に沿って移動可能なスライダと ;
前記スライダを前記第 1軸方向に駆動するリニァモータを含む駆動機構と ; 前記スライダに設けられた反射面に測長ビームを照射してその反射光に基づ いて前記第 1軸方向及び第 2軸方向の位置を計測する干渉計システムと ; を備 え、
前記干渉計システムからの前記第 2軸方向の測長ビームが照射される反射面 が、 前記リニアモータより外側に位置する前記スライダの一部に設けられてい ることを特徴とするステージ装置。
1 7 . 請求項 1 6に記載のステージ装置において、
前記反射面は、 前記スライダの前記物体が載置される第 1部分とは別の所定 長さの棒状の第 2部分の端面に形成され、 該第 2部分にはその長手方向の両端 部を除く部分に補強部が設けられ、 該補強部の両端が弾性ヒンジ部をそれぞれ 介して前記第 1部分に連結されていることを特徴とするステージ装置。
1 8 . 請求項 1 7に記載のステージ装置において、
前記第 1部分には、 前記一方の弾性ヒンジ部から前記第 1部分と反対側に所 定距離だけ離れた位置に、 別の弾性ヒンジ部が更に設けられていることを特徴 とするステージ装置。
1 9 . 請求項 1 6に記載のステージ装置において、
前記スライダの第 1軸方向の一側及び他側の端部には第 1軸方向に延びる延設 部がそれぞれ設けられ、 前記一側の延設部から他側の延設部に至る長手方向の 全域に渡る気体静圧軸受が形成され、
前記定盤から配管を介さないで前記気体静圧軸受に対して加圧気体が供給さ れることを特徴とするステージ装置。
2 0 . マスクと感光物体とを所定方向に同期移動して前記マスクに形成され たパターンを前記感光物体に転写する露光装置であって、
前記マスクを照明光により照明する照明ュニッ卜と ;
前記マスクが前記物体として前記スライダ上に載置される請求項 1 6に記載 のステージ装置と ;
前記マスクから射出される前記照明光を前記感光物体上に投射する投影光学 系ュニッ卜と ; を備える露光装置。
2 1 . 載置面に物体を載置して移動可能なスライダと ;
前記スライダの前記載置面に対して対称に配置された一対の第 1可動子と ; 前記一対の第 1可動子とは異なリ、 前記スライダの前記載置面に対して対称 に配置された一対の第 2可動子と;
前記一対の第 1可動子及び前記一対の第 2可動子と協働して、 前記スライダ を第 1軸方向に駆動する一対の固定子部と ; を備えるステージ装置。
2 2 . 請求項 2 1に記載のステージ装置において、
前記載置面は前記スライダの中立面と一致していることを特徴とするステー ジ装置。
2 3 . 請求項 2 1に記載のステージ装置において、
前記一対の固定子部のそれぞれは、 前記載置面に対して対称に配置されてい ることを特徴とするステージ装置。
2 4 . 請求項 2 1に記載のステージ装置において、
前記スライダに接続された第 1部分と、 該第 1部分と協働する第 2部分とを 有し、 前記スライダを前記第 1軸とは異なる第 2軸に駆動する駆動装置を、 更 に備えるステージ装置。
2 5 . 請求項 2 4に記載のステージ装置において、
前記一対の固定子部と前記駆動装置の前記第 2部分とを保持する枠状部材を、 更に備えるステージ装置。
2 6 . 請求項 2 5に記載のステージ装置において、
前記枠状部材は、 前記スライダを駆動した際に発生する反力により駆動され ることを特徴とするステージ装置。
2 7 . 請求項 2 6に記載のステージ装置において、
前記スライダは定盤上に設けられていることを特徴とするステージ装置。
2 8 . 請求項 2 7に記載のステージ装置において、
前記枠状部材は前記定盤上に設けられていることを特徴とするステージ装置 c
2 9 . 請求項 2 4に記載のステージ装置において、
前記スライダは反射面を有し、
該反射面に測長ビームを照射して前記スライダの前記第 2軸方向の位置を検 出する位置検出装置を、 更に備えるステージ装置。
3 0 . 請求項 2 9に記載のステージ装置において、 前記一対の固定子部のそれぞれは、 前記測長ビームを包囲しない位置に設け られていることを特徴とするステージ装置。
3 1 . マスクと感光物体とを所定方向に同期移動して前記マスクに形成され たパターンを前記感光物体に転写する露光装置であって、
前記マスクを照明光により照明する照明ュニッ卜と ;
前記マスクが前記物体として前記スライダ上に載置される請求項 2 1に記載 のステージ装置と ;
前記マスクから射出される前記照明光を前記感光物体上に投射する投影光学 系ュニッ卜と ; を備える露光装置。
3 2 . 物体を保持して移動可能なスライダと ;
前記スライダに接続された移動子と、 該移動子と協働する固定子とを有し、 前記スライダを第 1軸方向に沿って駆動する駆動装置と ;
前記固定子を保持する保持部と重量部とを有し、 前記スライダを駆動した際 に発生する反力により駆動されるカウンタマスと ;
前記重量部と前記固定子との間に位置するように前記スライダに設けられた 反射部材と ;
前記反射部材に測長ビームを照射して前記スライダの位置を検出する位置検 出装置と ; を備えるステージ装置。
3 3 . 請求項 3 2に記載のステージ装置において、
前記スライダは、 前記スライダの中立面に前記物体を載置する載置部を有し ていることを特徴とするステージ装置。
3 4 . 請求項 3 2に記載のステージ装置において、 前記スライダは定盤上に設けられていることを特徴とする請求項 2 6記載の ステージ装置。
3 5 . 請求項 3 4に記載のステージ装置において、
前記カウンタマスは前記定盤上に設けられていることを特徴とするステージ
3 6 . マスクと感光物体とを所定方向に同期移動して前記マスクに形成され たパターンを前記感光物体に転写する露光装置であって、
前記マスクを照明光により照明する照明ュニッ卜と ;
前記マスクが前記物体として前記スライダ上に載置される請求項 3 2に記載 のステージ装置と ;
前記マスクから射出される前記照明光を前記感光物体上に投射する投影光学 系ュニッ卜と; を備える露光装置。
3 7 . 反射部材が設けられ、 物体を保持して移動可能なスライダと ; 前記スライダに接続された移動子と、 該移動子と協働する固定子とを有し、 前記スライダを第 1軸方向に沿つて駆動する駆動装置と ;
透明部を有し、 前記固定子を保持して前記スライダを駆動した際に発生する 反力により駆動されるカウンタマスと ;
前記透明部を介して前記反射部材に測長ビームを照射して前記スライダの位 置を検出する位置検出装置と ; を備えるステージ装置。
3 8 . 請求項 3 7に記載のステージ装置において、
前記スライダは、 前記スライダの中立面に前記物体を載置する載置部を有し ていることを特徴とするステージ装置。
3 9 . 請求項 3 7に記載のステージ装置において、
前記スライダは定盤上に設けられていることを特徴とするステージ装置。
4 0 . 請求項 3 9に記載のステージ装置において、
前記カウンタマスは前記定盤上に設けられていることを特徴とするステージ
4 1 . マスクと感光物体とを所定方向に同期移動して前記マスクに形成され たパターンを前記感光物体に転写する露光装置であって、
前記マスクを照明光により照明する照明ュニッ卜と ;
前記マスクが前記物体として前記スライダ上に載置される請求項 3 7に記載 のステージ装置と ;
前記マスクから射出される前記照明光を前記感光物体上に投射する投影光学 系ュニッ卜と ; を備える露光装置。
4 2 . リソグラフイエ程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフイエ程で、 請求項 5〜 1 1、 1 5、 2 0、 3 1、 3 6、 4 1 のいずれか一項に記載の露光装置を用いて露光を行うことを特徴とするデバィ ス製造方法。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006295160A (ja) * 2005-04-05 2006-10-26 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及び物体テーブルを位置決めするための位置決めデバイスを利用したデバイス製造方法
JP2010135596A (ja) * 2008-12-05 2010-06-17 Nikon Corp ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
WO2010131485A1 (ja) * 2009-05-15 2010-11-18 株式会社ニコン 移動体装置、用力伝達装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2011016255A1 (ja) * 2009-08-07 2011-02-10 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP5040657B2 (ja) * 2005-10-24 2012-10-03 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法、デバイス組立方法
US8638422B2 (en) 2005-03-18 2014-01-28 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, method for producing device, and method for evaluating exposure apparatus
EP1806828A4 (en) * 2004-10-01 2016-11-09 Nikon Corp LINEAR MOTOR, FLOOR APPARATUS AND EXPOSURE APPARATUS
JP2018142023A (ja) * 2010-09-07 2018-09-13 株式会社ニコン 移動体装置及び露光装置
DE102006052140B4 (de) * 2005-11-04 2019-01-17 Nuflare Technology, Inc. Ladungsteilchenstrahl-Schreibverfahren und Ladungsteilchenstrahl -Schreibvorrichtung
DE102006052015B4 (de) 2005-11-04 2019-03-21 Nuflare Technology, Inc. Positionsmessvorrichtung und Positionsabweichungsmessverfahren
WO2024128069A1 (ja) * 2022-12-16 2024-06-20 株式会社ニコン 物体保持装置、露光装置、物体移動方法、及び物体保持システム

Families Citing this family (416)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI338323B (en) 2003-02-17 2011-03-01 Nikon Corp Stage device, exposure device and manufacguring method of devices
US7375800B2 (en) * 2004-09-09 2008-05-20 Nikon Corporation Non-contact pneumatic transfer for stages with small motion
US7417714B2 (en) * 2004-11-02 2008-08-26 Nikon Corporation Stage assembly with measurement system initialization, vibration compensation, low transmissibility, and lightweight fine stage
US7869000B2 (en) * 2004-11-02 2011-01-11 Nikon Corporation Stage assembly with lightweight fine stage and low transmissibility
KR20070085764A (ko) * 2004-11-04 2007-08-27 가부시키가이샤 니콘 미동 스테이지 z 지지 장치
JP2006211873A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Canon Inc 移動体制御装置及び移動体制御方法
EP1865327A1 (en) * 2005-02-23 2007-12-12 Kyocera Corporation Speed detection device for movable body and drive stage using the same
CN100514193C (zh) * 2005-03-29 2009-07-15 株式会社尼康 曝光装置、曝光装置的制造方法以及微元件的制造方法
US20070267995A1 (en) * 2006-05-18 2007-11-22 Nikon Corporation Six Degree-of-Freedom Stage Apparatus
US7502103B2 (en) * 2006-05-31 2009-03-10 Asml Netherlands B.V. Metrology tool, system comprising a lithographic apparatus and a metrology tool, and a method for determining a parameter of a substrate
US7804582B2 (en) * 2006-07-28 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of calibrating a lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080073596A1 (en) * 2006-08-24 2008-03-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
EP2068349A4 (en) * 2006-09-29 2011-03-30 Nikon Corp STAGE EQUIPMENT AND EXPOSURE DEVICE
US7603785B2 (en) * 2007-02-20 2009-10-20 Electro Scientific Industries, Inc. Air bearing assembly for guiding motion of optical components of a laser processing system
US7889322B2 (en) * 2007-02-20 2011-02-15 Electro Scientific Industries, Inc. Specimen inspection stage implemented with processing stage coupling mechanism
US7886449B2 (en) * 2007-02-20 2011-02-15 Electro Scientific Industries, Inc. Flexure guide bearing for short stroke stage
US8749753B2 (en) * 2007-04-27 2014-06-10 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus and optical system unit, and device manufacturing method
US20080285004A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Nikon Corporation Monolithic, Non-Contact Six Degree-of-Freedom Stage Apparatus
WO2008149853A1 (ja) * 2007-06-04 2008-12-11 Nikon Corporation 環境制御装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
EP2203784B1 (en) * 2007-10-19 2011-08-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Displacement device with precision position measurement
US8964166B2 (en) * 2007-12-17 2015-02-24 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method of producing device
US8063630B2 (en) * 2008-03-14 2011-11-22 Tdk Corporation Testing method for thin-film magnetic head and jig used therefor
JPWO2009125867A1 (ja) * 2008-04-11 2011-08-04 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP5146183B2 (ja) * 2008-07-31 2013-02-20 株式会社ニコン 露光方法、デバイスの製造方法及び露光装置
US9304385B2 (en) * 2008-09-16 2016-04-05 Nikon Corporation Exposure method and device manufacturing method including selective deformation of a mask
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US8659746B2 (en) * 2009-03-04 2014-02-25 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
TWI579659B (zh) * 2009-08-07 2017-04-21 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, and an element manufacturing method
US8883270B2 (en) * 2009-08-14 2014-11-11 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species
US8877655B2 (en) 2010-05-07 2014-11-04 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
CN102375345B (zh) * 2010-08-18 2013-09-11 上海微电子装备有限公司 可动光学元件调节驱动装置
NL2007279A (en) * 2010-09-28 2012-03-29 Asml Netherlands Bv Method for calibrating a target surface of a position measurement system, position measurement system, and lithographic apparatus.
US9746787B2 (en) 2011-02-22 2017-08-29 Nikon Corporation Holding apparatus, exposure apparatus and manufacturing method of device
CN102789136B (zh) * 2011-05-19 2014-08-20 上海微电子装备有限公司 气浮支撑系统
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5689047B2 (ja) * 2011-10-12 2015-03-25 東京エレクトロン株式会社 基体処理システム用の基体搬送装置
US9341296B2 (en) 2011-10-27 2016-05-17 Asm America, Inc. Heater jacket for a fluid line
US9096931B2 (en) 2011-10-27 2015-08-04 Asm America, Inc Deposition valve assembly and method of heating the same
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
US9005539B2 (en) 2011-11-23 2015-04-14 Asm Ip Holding B.V. Chamber sealing member
USD702245S1 (en) * 2012-01-11 2014-04-08 Victor Susman Scanning frame
US9202727B2 (en) 2012-03-02 2015-12-01 ASM IP Holding Susceptor heater shim
US9651849B2 (en) * 2012-03-16 2017-05-16 Toptica Photonics Ag Low outgassing resonator
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US8772731B2 (en) * 2012-04-15 2014-07-08 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for synchronizing sample stage motion with a time delay integration charge-couple device in a semiconductor inspection tool
TWI622664B (zh) 2012-05-02 2018-05-01 Asm智慧財產控股公司 相穩定薄膜,包括該薄膜之結構及裝置,及其形成方法
US8728832B2 (en) 2012-05-07 2014-05-20 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor device dielectric interface layer
US8933375B2 (en) 2012-06-27 2015-01-13 Asm Ip Holding B.V. Susceptor heater and method of heating a substrate
JP6255152B2 (ja) * 2012-07-24 2017-12-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9117866B2 (en) * 2012-07-31 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions
US9169975B2 (en) 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
CN104641297B (zh) * 2012-09-18 2016-11-23 Asml荷兰有限公司 平台系统以及包括该平台系统的光刻设备
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US8894870B2 (en) 2013-02-01 2014-11-25 Asm Ip Holding B.V. Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal
US9331624B2 (en) * 2013-02-25 2016-05-03 National Taiwan University Thrust ripple mapping system in a precision stage and method thereof
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
TWI486569B (zh) * 2013-06-10 2015-06-01 Pegatron Corp 氣密測試設備及氣密測試方法
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9396934B2 (en) 2013-08-14 2016-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
KR101862311B1 (ko) * 2013-10-22 2018-05-29 에이피시스템 주식회사 기판 처리 장치
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
WO2015133391A1 (ja) * 2014-03-07 2015-09-11 富士フイルム株式会社 トランジスタの製造方法
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10082461B2 (en) * 2014-07-29 2018-09-25 Nanometrics Incorporated Optical metrology with purged reference chip
US9958673B2 (en) * 2014-07-29 2018-05-01 Nanometrics Incorporated Protected lens cover plate for an optical metrology device
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
CN107111249A (zh) * 2014-12-31 2017-08-29 Asml控股股份有限公司 具有图案化装置环境的光刻设备
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10018920B2 (en) * 2016-03-04 2018-07-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography patterning with a gas phase resist
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10451542B2 (en) 2017-12-05 2019-10-22 Nanometrics Incorporated Local purge within metrology and inspection systems
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US11048178B2 (en) 2017-12-14 2021-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with improved patterning performance
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
CN111381452B (zh) * 2018-12-29 2021-11-02 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种掩模板冷却装置及光刻设备
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN213304093U (zh) * 2021-03-19 2021-05-28 台湾积体电路制造股份有限公司 晶圆位置采集机构及晶圆纠偏系统
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
JP2023104051A (ja) * 2022-01-17 2023-07-28 株式会社日立ハイテク ステージ装置、荷電粒子線装置及び真空装置
TWI836925B (zh) * 2023-03-03 2024-03-21 家碩科技股份有限公司 光罩盒次元件的檢測裝置
TWI847575B (zh) * 2023-03-03 2024-07-01 家碩科技股份有限公司 光罩盒表面的光學檢查裝置及光罩盒表面的光學檢查方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11189332A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Canon Inc ステージ装置およびこれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
WO1999066542A1 (fr) * 1998-06-17 1999-12-23 Nikon Corporation Procede et dispositif d'exposition
JP2001228275A (ja) * 1999-12-23 2001-08-24 Nikon Corp 露光装置用ステージ組立体
JP2002110523A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Sumitomo Heavy Ind Ltd 露光装置
JP2002175963A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Nikon Corp ステージ装置とその位置制御方法および露光装置並びに露光方法
JP2002217082A (ja) * 2001-01-12 2002-08-02 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2003309055A (ja) * 2002-04-12 2003-10-31 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
US4780617A (en) 1984-08-09 1988-10-25 Nippon Kogaku K.K. Method for successive alignment of chip patterns on a substrate
JP2847883B2 (ja) 1990-03-30 1999-01-20 株式会社ニコン 反射屈折縮小投影光学系
US5220454A (en) 1990-03-30 1993-06-15 Nikon Corporation Cata-dioptric reduction projection optical system
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JP3265503B2 (ja) 1993-06-11 2002-03-11 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US5534970A (en) 1993-06-11 1996-07-09 Nikon Corporation Scanning exposure apparatus
US5874820A (en) * 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US6246204B1 (en) * 1994-06-27 2001-06-12 Nikon Corporation Electromagnetic alignment and scanning apparatus
JPH08171054A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP3155936B2 (ja) * 1997-06-26 2001-04-16 キヤノン株式会社 リニアモータとステージ装置及びこれを用いた走査型露光装置やデバイス製造方法
JP3548411B2 (ja) * 1997-12-26 2004-07-28 キヤノン株式会社 ステージ装置、およびこれを用いた露光装置、ならびにデバイス製造方法
JP3129293B2 (ja) * 1998-08-13 2001-01-29 日本電気株式会社 液晶表示装置
JP2000077503A (ja) * 1998-08-28 2000-03-14 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
TWI264617B (en) * 1999-12-21 2006-10-21 Asml Netherlands Bv Balanced positioning system for use in lithographic apparatus
JP4945845B2 (ja) * 2000-03-31 2012-06-06 株式会社ニコン 光学素子保持装置、鏡筒及び露光装置並びにマイクロデバイスの製造方法。
US20020075467A1 (en) * 2000-12-20 2002-06-20 Nikon Corporation Exposure apparatus and method
TWI338323B (en) 2003-02-17 2011-03-01 Nikon Corp Stage device, exposure device and manufacguring method of devices

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11189332A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Canon Inc ステージ装置およびこれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
WO1999066542A1 (fr) * 1998-06-17 1999-12-23 Nikon Corporation Procede et dispositif d'exposition
EP1134793A1 (en) 1998-06-17 2001-09-19 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
JP2001228275A (ja) * 1999-12-23 2001-08-24 Nikon Corp 露光装置用ステージ組立体
JP2002110523A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Sumitomo Heavy Ind Ltd 露光装置
JP2002175963A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Nikon Corp ステージ装置とその位置制御方法および露光装置並びに露光方法
JP2002217082A (ja) * 2001-01-12 2002-08-02 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2003309055A (ja) * 2002-04-12 2003-10-31 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1596423A4

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1806828A4 (en) * 2004-10-01 2016-11-09 Nikon Corp LINEAR MOTOR, FLOOR APPARATUS AND EXPOSURE APPARATUS
US8638422B2 (en) 2005-03-18 2014-01-28 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, method for producing device, and method for evaluating exposure apparatus
JP2009278127A (ja) * 2005-04-05 2009-11-26 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及び物体テーブルを位置決めするための位置決めデバイスを利用したデバイス製造方法
JP2006295160A (ja) * 2005-04-05 2006-10-26 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及び物体テーブルを位置決めするための位置決めデバイスを利用したデバイス製造方法
JP5040657B2 (ja) * 2005-10-24 2012-10-03 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法、デバイス組立方法
DE102006052015B4 (de) 2005-11-04 2019-03-21 Nuflare Technology, Inc. Positionsmessvorrichtung und Positionsabweichungsmessverfahren
DE102006052140B4 (de) * 2005-11-04 2019-01-17 Nuflare Technology, Inc. Ladungsteilchenstrahl-Schreibverfahren und Ladungsteilchenstrahl -Schreibvorrichtung
JP2010135596A (ja) * 2008-12-05 2010-06-17 Nikon Corp ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法
KR101869463B1 (ko) * 2009-05-15 2018-06-20 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 용력 전달 장치, 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
KR20180067737A (ko) * 2009-05-15 2018-06-20 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 용력 전달 장치, 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP5626206B2 (ja) * 2009-05-15 2014-11-19 株式会社ニコン 移動体装置、用力伝達装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR102211255B1 (ko) 2009-05-15 2021-02-02 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 용력 전달 장치, 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
KR20190135553A (ko) * 2009-05-15 2019-12-06 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 용력 전달 장치, 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP2016145996A (ja) * 2009-05-15 2016-08-12 株式会社ニコン 移動体装置、用力伝達装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR102051842B1 (ko) 2009-05-15 2019-12-04 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 용력 전달 장치, 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
KR20170005161A (ko) * 2009-05-15 2017-01-11 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 용력 전달 장치, 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
KR101693168B1 (ko) 2009-05-15 2017-01-17 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 용력 전달 장치, 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
WO2010131485A1 (ja) * 2009-05-15 2010-11-18 株式会社ニコン 移動体装置、用力伝達装置、及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20120041177A (ko) * 2009-05-15 2012-04-30 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 용력 전달 장치, 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US9874823B2 (en) 2009-08-07 2018-01-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
WO2011016255A1 (ja) * 2009-08-07 2011-02-10 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP5618261B2 (ja) * 2009-08-07 2014-11-05 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2014207479A (ja) * 2009-08-07 2014-10-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2015228519A (ja) * 2009-08-07 2015-12-17 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR101499285B1 (ko) * 2009-08-07 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
JP2018142023A (ja) * 2010-09-07 2018-09-13 株式会社ニコン 移動体装置及び露光装置
WO2024128069A1 (ja) * 2022-12-16 2024-06-20 株式会社ニコン 物体保持装置、露光装置、物体移動方法、及び物体保持システム

Also Published As

Publication number Publication date
CN102103331B (zh) 2013-02-13
EP2560192A2 (en) 2013-02-20
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US20160048084A1 (en) 2016-02-18
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CN102103331A (zh) 2011-06-22
EP1596423B1 (en) 2015-08-12
EP3038138B1 (en) 2018-07-18
CN100380585C (zh) 2008-04-09
CN101216673A (zh) 2008-07-09
US7489389B2 (en) 2009-02-10
EP2560192B1 (en) 2018-03-21
KR20120007083A (ko) 2012-01-19
JP4915431B2 (ja) 2012-04-11
KR20050098842A (ko) 2005-10-12
US20090122293A1 (en) 2009-05-14
US10120288B2 (en) 2018-11-06
TW200421445A (en) 2004-10-16
TWI338323B (en) 2011-03-01
EP3401947B1 (en) 2019-09-25
HK1256632A1 (zh) 2019-09-27
JP4985691B2 (ja) 2012-07-25
EP3038138A1 (en) 2016-06-29
EP1596423A1 (en) 2005-11-16
US20050248744A1 (en) 2005-11-10
JP2009158974A (ja) 2009-07-16
CN101216673B (zh) 2011-05-18
KR101134958B1 (ko) 2012-04-09
JP4356114B2 (ja) 2009-11-04

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