WO1999010862A1 - Afficheur a matrice active - Google Patents

Description

明細 ァクティ プマ ト リ クス型表示装置 技術分野

本発明は、 有機半導体膜に駆動電流が流れるこ とによって発光す る E L (エレク ト 口ルミ ネッセンス） 素子または L E D (発光ダイ オー ド） 素子などの薄膜発光素子を薄膜 トラ ンジスタ （以下、 T F Tという。 ） で駆動制御するアクティ ブマ ト リ クス型表示装置に関 するものである。 背景技術

E L素子または L E D素子などの電流制御型発光素子を用いたァ クティ ブマ ト リ クス型の表示装置が提案されている。 このタイ プの 表示装置に用いられる発光素子はいずれも 自己発光するため、 液晶 表示装置ど違ってバッ クライ ト を必要とせず、 また、 視野角依存性 が少ないなどの利点もある。

第 2 2図は、 このような電荷注入型の有機薄膜 E L素子を用いた アクティ ブマ ト リ クス型表示装置のブロ ック図である。 この図に示 すアクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 Aでは、 透明基板 1 0上に、 複数の走査線 g a t e と、 該走査線 g a t eの延設方向に対して交 差する方向に延設された複数のデータ線 s i と、 該デ一夕線 s i gに並列する複数の共通給電線 c o mと、 データ線 s i gと走査線 a t e とによってマ ト リ クス状に形成された複数の画素 7 とが構 成されている。 デ一夕線 s i gおよび走査線 g a t eに対してはデ 一夕側駆動回路 3および走査側駆動回路 4が構成されている。 各々 の画素 7には、 走査線 g a t eを介して走査信号が供給される導通 制御回路 5 0と、 この導通制御回路 5 0を介してデ一夕線 s i gか ら供給される画像信号に基づいて発光する薄膜発光素子 4 0とが構 成されている。 ここに示す例において、 導通制御回路 5 0は、 走査 線 g a t eを介して走査信号がゲー ト電極に供給される第 1の T F T 2 0と、 この第 1の T F T 2 0を介してデ一夕線 s i gから供給 される画像信号を保持する保持容量 c a pと、 この保持容量 c a p によって保持された画像信号がゲー ト電極に供給される第 2の T F T 3 0とから構成されている。 第 2の T F T 3 0と薄膜発光素子 4 0とは、 後述する対向電極 0 pと共通給電線 c o mとの間に直列に 接続している。 この薄膜発光素子 4 0は、 第 2の T F T 3 0がオン 状態になったときには共通給電線 c o mから駆動電流が流れ込んで 発光する とともに、 この発光状態は保持容量 c a pによって所定の 期間、 保持される。

このような構成のアクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 Aでは、 第 2 3図および第 2 4図 （A；) 、 （B) に示すよう に、 いずれの画素 7においても、 島状の半導体膜を利用 して第 1の T F T 2 0および 第 2の T F T 3 0が形成されている。 第 1の T F T 2 0は、 ゲー ト 電極 2 1が走査線 g a t eの一部と して構成されている。 第 1の T F T 2 0は、 ソース ' ドレイ ン領域の一方に第 1層間絶縁膜 5 1の コ ンタクホールを介してデ一夕線 s i gが電気的に接続し、 他方に は ド レイ ン電極 2 2が電気的に接続している。 ドレイ ン電極 2 2は. 第 2の T F T 3 0の形成領域に向けて延設されてお り、 この延設部 分には第 2の T F T 3 0のゲー ト電極 3 1が第 1の層間絶縁膜 5 1 のコ ンタク トホールを介して電気的に接続している。 第 2の T F T 3 0のソース · ド レイ ン領域の一方には、 第 1の層間絶縁膜 5 1の コンタク トホールを介して中継電極 3 5が電気的に接続し、 この中 継電極 3 5には第 2の層間絶縁膜 5 2のコンタク トホールを介して 薄膜発光素子 4 0の画素電極 4 1 が電気的に接続している。

画素電極 4 1 は、 第 2 3図および第 2 4図 （ B ) 、 （ C ) からわ かるよう に各画素 7毎に独立して形成されている。 画素電極 4 1 の 上層側には、 有機半導体膜 4 3および対向電極 o pがこの順に積層 されている。 有機半導体膜 4 3 は画素 7毎に形成されているが、 複 数の画素 7 に跨がってス トライ プ状に形成される場合もある。 対向 電極 o pは、 画素 7 が構成されている表示部 1 1 だけでな く、 透明 基板 1 0の略全面に形成されている。

再び、 第 2 3図および第 2 4図 （ A ) において、 第 2の T F T 3 0のソース · ド レイ ン領域のも う一方には、 第 1 の層間絶縁膜 5 1 のコ ンタク トホールを介して共通給電線 c o mが電気的に接続して いる。 共通給電線 c o mの延設部分 3 9 は、 第 2の T F T 3 0のゲ 一ト電極 3 1 の延設部分 3 6 に対して、 第 1 の層間絶縁膜 5 1 を誘 電体膜と して挟んで対向し、 保持容量 c a pを構成している。

しかしながら、 前記のアクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 Aにお いて、 画素電極 4 1 に対向する対向電極 o pは、 液晶アクティ ブマ ト リ クス型表示装置と相違して、 同じ透明基板 1 0上においてデ一 夕線 s i g との間に第 2の層間絶縁膜 5 2 しか介在していないので、 データ線 s i gには大きな容量が寄生し、 データ側駆動回路 3の負 荷が大きい。

そこで、 本願発明者は、 第 2 2 図、 第 2 3図、 および第 2 5 図 （ A) 、 （ B ) 、 （ C ) に示すよう に、 対向電極 o p とデータ線 s i gなどとの間に厚い絶縁膜 （バンク層 b a n k/左下がりの斜線を 広いピッチで付した領域） を設け、 データ線 s i gに寄生する容量 を低減するこ とを提案する。 併せて、 この絶縁膜 （バンク層 b a n k ) で有機半導体膜 4 3の形成領域を囲むこ とによって、 イ ンクジ エ ツ トへッ ドから吐出した液状の材料 （吐出液） から有機半導体膜 4 3を形成する際に吐出液をバンク層 b a n kでせき止め、 吐出液 が側方にはみ出すこ とを防止するこ とを提案する。

しかし、 かかる構造を採用するにあたって、 ノ'ンク層 b a n k全 体を厚い無機材料から構成する と、 成膜時間が長いという問題点が ある。 また、 無機材料からなる厚い膜をパターニングする際には、 オーバ—エッチング気味になって画素電極 4 1 を損傷して しまうお それがある。 一方、 バンク層 b a n kをレジス トなどの有機材料か ら構成する と、 有機半導体膜 4 3のバンク層 b a n kと接する部分 で、 バンク層 b a n kを構成する有機材料に含まれる溶剤成分など の影響で有機半導体膜 4 3が劣化するおそれがある。

また、 厚いバンク層 b a n kを形成する と、 ノ'ンク層 b a n kの 存在に起因して大きな段差 b bが形成されるので、 このバンク層 b a n kの上層に形成される対向電極 o pが前記の段差 b bの部分で 断線しやすいという問題点がある。 このような段差 b bで対向電極 o pに断線が生じる と、 この部分の対向電極 o pは周囲の対向電極 o pから絶縁状態になって表示の点欠陥あるいは線欠陥を発生させ る。 また、 データ側駆動回路 3や走査側駆動回路 4の表面を覆うバ ンク層 b a n kの外周縁に沿って対向電極 o pに断線が起こる と、 表示部 1 1の対向電極 o p と端子 1 2 との間が完全に絶縁状態にな つて表示が全く できなく なる。

以上の問題点に鑑みて、 本発明の課題は、 薄膜発光素子を損傷す るこ とな く、 当該薄膜発光素子の有機半導体膜の周 り に厚い絶縁膜 を好適に形成するこ とのできるァクティ ブマ ト リ クス型表示装置を 提供するこ とにある。

また、 本発明の課題は、 有機半導体膜の周 り に厚い絶縁膜を形成 して寄生容量などを抑えても、 この厚い絶縁膜の上層に形成する対 向電極に断線などが発生しないァクティ ブマ ト リ クス型表示装置を 提供するこ とにある。 発明の開示

上記課題を解決するため、 本発明では、 基板上に、 複数の走査線 と、 該走査線の延設方向に対して交差する方向に延設された複数の デ一夕線と、 該デ一夕線と前記走査線とによってマ ト リ クス状に形 成された複数の画素からなる表示部とを有し、 該画素の各々は、 前 記走査線を介して走査信号がゲー ト電極に供給される薄膜 トラ ンジ ス夕を含む導通制御回路と、 画素毎に形成された画素電極、 該画素 電極の上層側に積層された有機半導体膜、 および該有機半導体膜の 上層側に積層された対向電極を具備する薄膜発光素子とを備え、 前 記データ線から前記導通制御回路を介して供給される画像信号に基 づいて前記薄膜発光素子が発光するァクティ ブマ ト リ クス型表示装 置において、 前記有機半導体膜の形成領域は当該有機半導体膜よ り も厚く形成された絶縁膜によって区画され、 該絶縁膜は、 当該有機 半導体膜よ り も厚く形成された無機材料からなる下層側絶縁膜と、 該下層側絶縁膜上に積層された有機材料からなる上層側絶縁膜とを 備えているこ とを特徴とする。

本発明において、 対向電極は少なく とも表示部の全面に形成され、 データ線と対向する状態にあるため、 このままではデ一夕線に対し て大きな容量が寄生するこ とになる。 しかるに本発明では、 デ一夕 線と対向電極との間に厚い絶縁膜を介在させたので、 データ線に容 量が寄生するこ とを防止できる。 その結果、 データ側駆動回路の負 荷を低減できるので、 低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図 るこ とができる。 また、 厚い絶縁膜を形成するにあたって、 それ全 体を無機材料からなる膜で構成すると、 長い成膜時間を必要とする ので、 生産性が低下する。 しかるに本発明では、 薄膜発光素子の有 機半導体膜と接する下層側絶縁膜のみを無機材料から構成し、 その 上層側にはレジス トなどの有機材料から構成した上層側絶縁膜を積 層する。 かかる有機材料から構成した上層側絶縁膜であれば、 厚い 膜を容易に形成できるので、 生産性が向上する。 しかも、 この上層 側絶縁膜は有機半導体膜と接しておらず、 有機半導体膜と接するの は無機材料から構成した下層側絶縁膜なので、 有機半導体膜は上層 側絶縁膜の影響を受けて劣化することがない。 それ故、 薄膜発光素 子は、 発光効率の低下や信頼性の低下などを起こさない。

本発明において、 前記上層側絶縁膜は、 前記下層側絶縁膜よ り狭 い幅をもつて当該下層側絶縁膜の内側領域に積層されているこ とが 好ま しい。 このような 2段構造とする と、 有機材料から構成された 上層側絶縁膜は、 有機半導体膜によ り接しに く く なるので、 有機半 導体膜の劣化をよ り確実に防止できる。

このような 2段構造であれば、 下層側絶縁膜および上層側絶縁膜 の双方を無機材料から構成してもよい。 すなわち、 本発明の別の形 態では、 基板上に、 複数の走査線と、 該走査線の延設方向に対して 交差する方向に延設された複数のデータ線と、 該デ一夕線と前記走 査線とによってマ ト リ クス状に形成された複数の画素からなる表示 部とを有し、 該画素の各々は、 前記走査線を介して走査信号がゲー ト電極に供給される薄膜 トランジスタを含む導通制御回路と、 画素 毎に形成された画素電極、 該画素電極の上層側に積層された有機半 導体膜、 および該有機半導体膜の上層側に積層された対向電極を具 備する薄膜発光素子とを備え、 前記デ一夕線から前記導通制御回路 を介して供給される画像信号に基づいて前記薄膜発光素子が発光す るァクティ ブマ ト リ クス型表示装置において、 前記有機半導体膜の 形成領域は当該有機半導体膜よ り も厚く形成された絶縁膜によって 区画され、 該絶縁膜は、 無機材料からなる下層側絶縁膜と、 該下層 側絶縁膜よ り狭い幅をもつて当該下層側絶縁膜の内側領域に積層さ れた無機材料からなる上層側絶縁膜とを備えているこ とを特徴とす る。

このよう に構成する と、 下層側絶縁膜および上層側絶縁膜を構成 すべき無機材料からなる膜を形成した後、 まず、 上層側絶縁膜をパ 夕一ニングする。 この際には、 下層側絶縁膜がエッチングス ト ヅパ 一と して機能するので、 多少のオーバーエッチングがあっても、 画 素電極を損傷するこ とはない。 かかるパターニングを終えた後には 下層側絶縁膜をパターニング形成する。 この際には、 下層側絶縁膜 の 1層分をエッチングするだけなので、 エッチング制御が容易で、 画素電極を損傷するほどのオーバーエッチングが起きない。

本発明では、 前記導通制御回路は、 前記走査信号がゲー ト電極に 供給される第 1 の T F T、 および該第 1 の T F Tを介してゲー ト電 極が前記データ線に接続する第 2 の T F Tを備え、 該第 2の T F T と前記薄膜発光素子は、 前記データ線および走査線とは別に構成さ れた駆動電流供給用の共通給電線と前記対向電極との間に直列に接 続しているこ とが好ま しい。 すなわち、 導通制御回路を 1 つの T F T と保持容量で構成するこ とも可能ではあるが、 表示品位を高く す る という観点からすれば各画素の導通制御回路を 2つの T F T と保 持容量で構成するこ とが好ま しい。

本発明において、 前記絶縁膜は、 当該絶縁膜で区画された領域内 に前記有機半導体膜をィ ンクジエ ツ ト法によ り形成する際に吐出液 のはみ出しを防止するバンク層と して利用するこ とが好ま しい。 そ れには、 前記絶縁膜は、 膜厚が 1 〃m以上であるこ とが好ま しい。

本発明において、 前記画素電極の形成領域のう ち、 前記導通制御 回路の形成領域と重なる領域は前記絶縁膜で覆われているこ とが好 ま しい。 すなわち、 前記画素電極の形成領域のうち、 前記導通制御 回路の形成されていない平坦部分のみについて前記の厚い絶縁膜を 開口し、 その内側のみに有機半導体膜を形成するこ とが好ま しい。 このよう に構成する と、 有機半導体膜の膜厚ばらつきに起因する表 示むらを防止できる。 また、 有機半導体膜に膜厚の薄い部分がある と、 そこに薄膜発光素子の駆動電流が集中し、 薄膜発光素子の信頼 性が低下するこ とになるが、 そのような問題を防止するこ とができ る。 さ らに、 画素電極が形成されていても導通制御回路と重なる領 域では、 たとえ対向電極との間に駆動電流が流れて有機半導体膜が 発光しても、 この光は導通制御回路に遮られ、 表示には寄与しない。 かかる表示に寄与しない部分で有機半導体膜に流れる駆動電流は、 表示という面からみて無効電流といえる。 そこで、 本発明では、 従 来ならこのような無効電流が流れるはずの部分に前記の厚い絶縁膜 を形成し、 そこに駆動電流が流れるこ とを防止する。 その結果、 共 通給電線に流れる電流が小さ く するこ とができるので、 その分、 共 通給電線の幅を狭く すれば、 その結果と して、 発光面積を増すこ と ができ、 輝度、 コ ン トラス ト比などの表示性能を向上させるこ とが できる。

本発明において、 前記絶縁膜で区画されている領域に対してその 隅部分に丸みをもたせれば、 有機半導体膜を角のない丸みをも った 平面形状に形成できる。 このような形状の有機半導体膜であれば、 角部分の駆動電流が集中するこ とがないので、 この部分での耐圧不 足などの不具合の発生を防止できる。

本発明において、 前記有機半導体膜をス トライ プ状に形成する場 合には、 前記絶縁膜のう ち、 前記下層側絶縁膜は、 前記画素電極の 形成領域のう ち前記導通制御回路の形成領域と重なる領域、 前記デ —夕線、 前記共通給電線、 および前記走査線を覆う よう に形成する 一方、 前記上層側絶縁膜は前記データ線に沿ってス ト ライ プ状に形 成し、 この上層側絶縁膜でス ト ライ プ状に区画された領域内に前記 有機半導体膜を、 たとえばイ ンクジエツ ト法によ り形成する。

このよう に構成した場合には、 導通制御回路が下層側絶縁膜で覆 われているので、 各画素のう ち、 画素電極の平坦部分のみに形成さ れた有機半導体膜のみが発光に寄与する。 すなわち、 画素電極の平 坦部分のみに薄膜発光素子が形成されているこ とになる。 それ故、 有機半導体膜は一定の膜厚で形成され、 表示むらを起こさない。 ま た、 表示に寄与しない部分に駆動電流が流れるのを下層側絶縁膜で 防止するので、 共通給電線に無駄な電流が流れるこ とを防止できる という効果もある。 さ らに、 このよう に構成する と、 前記絶縁膜の う ち、 前記下層側絶縁膜と前記上層側絶縁膜が重なる部分は、 前記 有機半導体膜をィ ンクジエ ツ ト法によ り形成する際に吐出液のはみ 出しを防止するバンク層と して利用できる。 このようなバンク層と して利用するにあたっては、 前記下層側絶縁膜と前記上層側絶縁膜 が重なる部分は、 膜厚を 1 m以上にするこ とが好ま しい。

また、 本発明では、 前記絶縁膜は、 各画素毎の対向電極部分同士 を当該絶縁膜に起因する段差のない平坦部分を介して接続させる第 1 の途切れ部分を備えているこ とが好ま しい。 本発明において、 前 記絶縁膜を厚く形成する と、 この絶縁膜は大きな段差を形成し、 そ の上層側に形成される対向電極に断線が発生させるおそれがある。 しかるに本発明では、 厚い絶縁膜の所定の位置に第 1 の途切れ部分 を構成し、 この部分を平坦にしてある。 従って、 各領域毎の対向電 極は平坦部分に形成された部分を介して電気的に接続するので、 た とえ、 絶縁膜に起因する段差によってこの部分で断線しても、 絶縁 膜の第 1 の途切れ部分に相当する平坦部分を介して確実に電気的に 接続しているので、 対向基板の断線という不具合が発生しない。 そ れ故、 アクティ ブマ ト リ クス型表示装置において、 有機半導体膜の 周 り に厚い絶縁膜を形成して寄生容量などを抑えたと しても、 絶縁 膜の上層に形成する対向電極に断線が発生しないので、 アクティ ブ マ ト リ クス型表示装置の表示品質および信頼性を向上するこ とがで きる o

本発明においては、 前記絶縁膜は、 前記データ線および前記走査 線に沿って形成されているこ とによ り前記有機半導体膜の形成領域 の周 り を囲んでいる場合には、 前記デ一夕線の延設方向で隣り合う 画素の間、 前記走査線の延設方向で隣り合う画素の間、 またはそれ ら双方の方向で隣り合う画素の間に相当する部分に前記第 1 の途切 れ部分を構成するこ とが好ま しい。

また、 前記絶縁膜は前記デ一夕線に沿ってス ト ライ プ状に延設さ れる場合があ り、 この場合には、 該延設方向の少な く とも一方の端 部に前記第 1 の途切れ部分を構成してもよい。

本発明では、 前記表示部の周囲には、 前記デ一夕線を介してデー 夕信号を供給するデータ側駆動回路、 および前記走査線を介して走 査信号を供給する走査側駆動回路を有し、 該走査側駆動回路および 前記デ一夕側駆動回路の上層側にも前記絶縁膜が形成されている と ともに、 当該絶縁膜は、 前記走査側駆動回路の形成領域と前記デー 夕側駆動回路の形成領域との間に相当する位置には前記対向電極を 前記表示部側と基板外周側とを当該絶縁膜に起因する段差のない平 坦部分を介して接続させる第 2 の途切れ部分を備えているこ とが好 ま しい。 このよう に構成する と、 データ側駆動回路や走査側駆動回 路の表面を覆う絶縁膜の外周縁に沿って対向電極に断線が起きても - 表示部側の対向電極と基板外周側の対向電極とは該絶縁膜に起因す る段差のない平坦部分を介して接続し、 表示部側の対向電極と基板 外周側の対向電極との間の電気的接続を確保できる。

本発明において、 前記途切れ部分では、 前記絶縁膜を構成する前 記下層側絶縁膜および前記上層側絶縁膜の双方が途切れている構成、 あるいは前記絶縁膜を構成する前記下層側絶縁膜および前記上層側 絶縁膜のうち、 上層側絶縁膜のみが途切れている構成のいずれであ つても よい。 図面の簡単な説明

第 1図は、 本発明の実施の形態 1 に係るアクティ ブマ ト リ クス型 表示装置の全体のレイ ァゥ ト を模式的に示すブロ ック図である。

第 2図は、 第 1図に示すアクティ ブマ ト リ クス型表示装置に構成 されている画素の 1つを抜き出して示す平面図である。

第 3図 （ A) 、 （ B ) 、 （ C ) はそれそれ、 第 2図の Α _ Α ' 断 面図、 Β— B ' 断面図、 および C— C ' 断面図である。

第 4図 （ Α) 、 ( Β ) 、 ( C ) はそれそれ、 本発明の実施の形態 2、 3に係るァクティ ブマ ト リ クス型表示装置の第 2図の A— A ' 線、 B— B ' 線、 および C一 C ' 線に相当する位置での断面図であ る。

第 5図は、 本発明の実施の形態 4に係るァクティ ブマ ト リ クス型 表示装置に構成されている画素の 1つを抜き出して示す平面図であ る。

第 6図 （ A) 、 （ B ) 、 （ C ) はそれそれ、 第 5図の A— A ' 線、 B— B ' 線、 および C— C ' 線に相当する位置での断面図である。 第 7図は、 本発明の実施の形態 5に係るアクティ ブマ ト リ クス型 表示装置の全体のレイ アウ ト を模式的に示すブロ ック図である。

第 8図は、 第 7図に示すアクティ ブマ ト リ クス型表示装置に構成 されている画素の 1つを抜き出して示す平面図である。

第 9図 （ A) 、 （ B ) 、 （ C ) はそれそれ、 第 8図の A— A ' 線、 B— B ' 線、 および C— C ' 線に相当する位置での断面図である。 第 1 0図は、 本発明の実施の形態 5の変形例 1 に係るアクティ ブ マ ト リ クス型表示装置の全体のレイ ァゥ トを模式的に示すブロ ック 図である。

第 1 1図は、 第 1 0図に示すアクティ ブマ ト リ クス型表示装置に 構成されている画素の 1つを抜き出して示す平面図である。

第 1 2 図 （ A ) 、 （ B ) 、 （ C ) はそれそれ、 第 1 1 図の A— A ' 線、 B— B ' 線、 および C— C ' 線に相当する位置での断面図 である。

第 1 3図は、 本発明の実施の形態 5の変形例 2 に係るアクティ ブ マ ト リ クス型表示装置の全体のレイ ァゥ トを模式的に示すブロ ック 図である。

第 1 4図は、 第 1 3図に示すアクティ ブマ ト リ クス型表示装置に 構成されている画素の 1つを抜き出して示す平面図である。

第 1 5 図 （ A ) 、 （ B ) 、 （ C ) はそれそれ、 第 1 4 図の A— A ' 線、 B— B ' 線、 および C一 C ' 線に相当する位置での断面図 である。

第 1 6図は、 本発明の実施の形態 5の変形例 3 に係るアクティ ブ マ ト リ クス型表示装置の全体のレイ ァゥ ト を模式的に示すブロ ック 図である。

第 1 7図は、 第 1 6図に示すアクティ ブマ ト リ クス型表示装置に 構成されている画素の 1つを抜き出して示す平面図である。

第 1 8図 （ A ) 、 （ B ) 、 （ C ) はそれそれ、 第 1 7 図の A— A ' 線、 B— B ' 線、 および C— C ' 線に相当する位置での断面図 である。

第 1 9図は、 本発明の実施の形態 6に係るアクティ ブマ ト リ クス 型表示装置の全体のレイ ァゥ トを模式的に示すブロ ック図である。

第 2 0図は、 第 1 9図に示すアクティ ブマ ト リ クス型表示装置に 構成されている画素の 1つを抜き出して示す平面図である。

第 2 1 図 （ A ) 、 （ B ) 、 （ C ) はそれそれ、 第 2 0図の A— A' 線、 B— B ' 線、 および C一 C ' 線に相当する位置での断面図 である。

第 2 2図は、 従来および本発明の比較例に係るァクティ ブマ ト リ クス型表示装置の全体のレイ ァゥ トを模式的に示すブロ ック図であ る。

第 2 3図は、 第 2 2図に示すァクティ ブマ ト リ クス型表示装置に 構成されている画素の 1つを抜き出して示す平面図である。

第 2 4図 （ A ) 、 （ B ) 、 （ C ) はそれそれ、 第 2 3 図の A— A' 線、 B— B ' 線、 および C— C ' 線に相当する位置での断面図 である。

第 2 5図 （ A ) 、 （ B ) 、 （ C ) はそれそれ、 比較例に係るァク ティ ブマ ト リ クス型表示装置における第 2 3図の A— A' 線、 B— B ⁷ 線、 および C一 C ' 線に相当する位置での断面図である。

[符号の説明]

1 アクティ ブマ ト リ クス型表示装置

2 表示部

3 デ一夕側駆動回路

4 走査側駆動回路

7 画素

1 0 透明基板

1 2 端子

2 0 第 1の T F T

2 1 第 1の T F Tのゲー ト電極

3 0 第 2の T F T

3 1 第 2の T F Tのゲー ト電極 4 0 発光素子

4 1 画素電極

4 3 有機半導体

6 1 下層側絶縁膜

6 2 上層側絶縁膜

b a n k バンク層 （絶縁膜）

c a p 保持容量

c o m 共通給電線

a t e 走査線

o p 対向電極

o f f バンク層の途切れ部分

s i g デ一夕線 発明を実施するための最良の形態

図面を参照して、 本発明の実施の形態を説明する。 なお、 以下の 説明において、 第 2 2図ないし第 2 5図を参照して説明した構成要 素と共通する部分には同一の符号を付してある。

[実施の形態 1 ]

(全体構成）

第 1図は、 アクティ ブマ ト リ クス型表示装置の全体のレイ アウ ト を模式的に示すブロ ック図である。 第 2図は、 それに構成されてい る画素の 1つを抜き出して示す平面図、 第 3図 （A) 、 （ B ) 、 ( C ) はそれそれ第 2図の A— A ' 断面図、 B— B ' 断面図、 および C - C ' 断面図である。

第 1図に示すアクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1では、 その基体 たる透明基板 1 0の中央部分が表示部 1 1 とされている。 透明基板 1 0の外周部分のう ち、 データ線 s i gの端部には画像信号を出力 するデータ側駆動回路 3が構成され、 走査線 g a t eの端部には走 査信号を出力する走査側駆動回路 4が構成されている。 これらの駆 動回路 3、 4では、 N型の T F T と P型の T F T とによって相補型 T F Tが構成され、 この相補型 T F Tは、 シフ ト レジス夕回路、 レ ペルシフ夕回路、 アナログスィ ッチ回路などを構成している。 表示 部 1 1 では、 液晶アクティ ブマ ト リ クス型表示装置のアクティ ブマ ト リ クス基板と同様、 透明基板 1 0上に、 複数の走査線 g a t e と、 該走査線 g a t eの延設方向に対して交差する方向に延設された複 数のデ一夕線 s i g と、 デ一夕線 s i gおよび走査線 g a t e によ つてマ ト リ クス状に形成された複数の画素 Ί とが構成されている。 各々の画素 7 には、 走査線 g a t e を介して走査信号が供給され る導通制御回路 5 0 と、 この導通制御回路 5 0 を介してデータ線 s i gから供給される画像信号に基づいて発光する薄膜発光素子 4 0 とが構成されている。 ここに示す例においては、 導通制御回路 5 0 は、 走査線 g a t e を介して走査信号がゲー ト電極に供給される第 1 の T F T 2 0 と、 この第 1 の T F T 2 0 を介してデ一夕線 s i g から供給される画像信号を保持する保持容量 c a p と、 この保持容 量 c a pによって保持された画像信号がゲー ト電極に供給される第 2の T F T 3 0 とから構成されている。 第 2の T F T 3 0 と薄膜発 光素子 4 0 とは、 後述する対向電極 o p と共通給電線 c o mとの間 に直列に接続している。 なお、 保持容量 c a pについては共通給電 線 c 0 mとの間に形成した構造の他、 走査線 g a t e と並列に形成 した容量線との間に形成しても よい。

このような構成のアクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 では、 第 2 図および第 3図 （ A) 、 ( B ) に示すように、 いずれの画素 7 にお いても、 島状の半導体膜 （シ リ コ ン膜） を利用 して第 1の T F T 2 0および第 2の T F T 3 0が形成されている。 第 1 の T F T 2 0は、 ゲー ト電極 2 1 が走査線 g a t eの一部と して構成されている。 第 1 の T F T 2 0は、 ソース ' ド レイ ン領域 の一方に第 1層間絶縁膜 5 1 のコ ンタクホールを介してデ一夕線 s i gが電気的に接続し、 他方には ドレイ ン電極 2 2 が電気的に接続 している。 ド レイ ン電極 2 2 は、 第 2の T F T 3 0の形成領域に向 けて延設されてお り、 この延設部分には第 2の T F T 3 0のゲ一 ト 電極 3 1 が第 1 の層間絶縁膜 5 1 のコンタク トホールを介して電気 的に接続している。

第 2の T F T 3 0のソース ' ド レイ ン領域の一方には、 第 1 の層 間絶縁膜 5 1 のコ ンタ ク トホールを介して、 デ一夕線 s i g と同時 形成された中継電極 3 5 が電気的に接続し、 この中継電極 3 5 には 第 2の層間絶縁膜 5 2 のコ ンタク トホールを介して薄膜発光素子 4 0の I T 〇 （ I n d i u m T i n O x i d e ) 膜からなる透明 な画素電極 4 1 が電気的に接続している。

第 2図および第 3 図 （ B ) 、 （ C ) からわかるよう に、 画素電極 4 1 は各画素 7毎に独立して形成されている。 画素電極 4 1 の上層 側には、 ポリ フ エ二レンビニレ ン （ P P V ) などの有機半導体膜 4 3、 およびリチウム含有アルミ ニウムやカルシウムなどの金属膜か らなる対向電極 o pがこの順に積層され、 薄膜発光素子 4 0が構成 されている。 ここに示す例では、 有機半導体膜 4 3は各画素 7 に形 成されているが、 後述するよう に、 複数の画素 7 に跨がってス ト ラ イ ブ状に形成される場合もある。 対向電極 o pは、 表示部 1 1全体 と、 少なく とも端子 1 2 が形成されている部分の周囲を除いた領域 とに形成されている。 この端子 1 2は、 対向電極 o p と同時形成さ れた配線 （図示せず。 ） を利用 して形成された対向電極 o pに電気 的に接続する端子を含んでいる。

薄膜発光素子 4 0 と しては、 正孔注入層を設けて発光効率 （正孔 注入率） を高めた構造、 電子注入層を設けて発光効率 （電子注入率 ) を高めた構造、 正孔注入層および電子注入層の双方を形成した構 造を採用することもできる。

再び第 2図および第 3図 （A) において、 第 2の T F T 3 0のソ —ス · ドレイ ン領域のも う一方には、 第 1の層間絶縁膜 5 1のコ ン タク トホールを介して共通給電線 c o mが電気的に接続している。 共通給電線 c o mの延設部分 3 9は、 第 2の T F T 3 0のゲー ト電 極 3 1の延設部分 3 6に対して、 第 1の層間絶縁膜 5 1を誘電体膜 と して挟んで対向し、 保持容量 c a pを構成している。 保持容量 c a pについては共通給電線 c o mとの間に形成した構造の他、 走査 線 g a t eと並列に形成した容量線との間に形成してもよ く 、 また、 第 1の T F T 2 0の ド レイ ン領域と第 2の T F T 3 0のゲー ト電極 3 1 とを利用して保持容量 c a pを構成しても よい。

このよう に構成したァクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1において、 走査信号によって選択されて第 1の T F T 2 0がオン状態になる と、 デ一夕線 s i gからの画像信号が第 1の T F T 2 0を介して第 2の T F T 3 0のゲ一 ト電極 3 1に印加される と ともに、 画像信号が第 1の T F T 2 0を介して保持容量 c a pに書き込まれる。 その結果、 第 2の T F T 3 0がオン状態になると、 対向電極 0 pおよび画素電 極 4 1をそれそれ負極および正極として電圧が印加され、 印加電圧 がしきい値電圧を越えた領域で有機半導体膜 4 3に流れる電流 （駆 動電流） が急激に増大する。 従って、 発光素子 4 0は、 エレク ト 口 ルミネッセンス素子あるいは L E D素子として発光し、 発光素子 4 0の光は、 対向電極 o pに反射されて透明な画素電極 4 1および透 明基板 1 0を透過して出射される。 このような発光を行うための駆 動電流は、 対向電極 o p、 有機半導体膜 4 3、 画素電極 4 1、 第 2 の T F T 3 0、 および共通給電線 c o mから構成される電流経路を 流れるため、 第 2の T F T 3 0がオフ状態になる と、 流れな く なる。 但し、 第 2の T F T 3 0のゲー ト電極は、 第 1 の T F T 2 0がオフ 状態になっても、 保持容量 c a ρによって画像信号に相当する電位 に保持されるので、 第 2の T F T 3 0 はオン状態のままである。 そ れ故、 発光素子 4 0 には駆動電流が流れ続け、 この画素は点灯状態 のままである。 この状態は、 新たな画像データが保持容量 c a pに 書き込まれて、 第 2の T F T 3 0がオフ状態になるまで維持される。 (バンク層の構造）

このよう に構成したァクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 において、 本形態では、 デ一夕線 s i gには大きな容量が寄生するこ とを防止 するため、 第 1 図、 第 2図、 および第 3図 （ A) 、 （ B ) 、 ( C ) に示すよう に、 デ一夕線 s i gおよび走査線 g a t e に沿って、 有 機半導体膜 4 1 よ り も厚い絶縁膜 （バンク層 b a n k/左下が りの 1本の斜線、 または 2本で一組の斜線を広いピッチで付した領域） を設け、 このバンク層 b a n kの上層側に対向電極 0 pを形成して ある。 すなわち、 データ線 s i g と対向電極 o p との間に第 2 の層 間絶縁膜 5 2 と厚いバンク層 b a n kとが介在しているので、 デ一 夕線 s i gに寄生する容量が極めて小さい。 それ故、 駆動回路 3、 4の負荷を低減でき、 低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図 ることができる。

ここで、 バンク層 b a n kは、 有機半導体膜 4 1 よ り も厚く形成 されたシ リ コ ン酸化膜あるいはシ リコン窒化膜などの無機材料から なる下層側絶縁膜 6 1 と、 この下層側絶縁膜 6 1 上に積層されたレ ジス トあるいはポリ イ ミ ド膜などの有機材料からなる上層側絶縁膜 6 2 とから構成されている。 たとえば、 有機半導体膜 4 1、 下層側 絶縁膜 6 1、 および上層側絶縁膜 6 2の膜厚は、 それそれ 0 . 0 5 / m ~ 0 . 2 zm、 0 . 2 m〜 l . 0 μ,τα^ および l 〃m〜 2 z mである。

このような 2層構造であれば、 上層側絶縁膜 6 2は、 厚い膜を形 成するのが容易なレジス トゃポリ イ ミ ド膜から構成されているため、 下層側絶縁膜 6 1 のみを無機材料から構成すればよい。 従って、 ノ ンク層 b a n k全体を無機材料で構成する場合と違って、 長い時間 をかけて無機材料からなる膜を P E C V D法などで成膜する必要が ない。 それ故、 アクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 を生産性を高め るこ とができる。

また、 かかる 2層構造であれば、 有機半導体膜 4 1 は無機材料か らなる下層側絶縁膜 6 1 とは接しているが、 有機材料からなる上層 側絶縁膜 6 2 とは接していない。 それ故、 有機半導体膜 4 1 は、 有 機材料から構成されている上層側絶縁膜 6 2の影響を受けて劣化す るこ とがないので、 薄膜発光素子 4 0では、 発光効率の低下や信頼 性の低下が起きない。

また、 第 1 図からわかるよう に、 透明基板 1 0の周辺領域 （表示 部 1 1 の外側領域） にもバンク層 b a n kが形成されているので、 デ一夕側駆動回路 3および走査側駆動回路 4 もバンク層 b a n kに よって覆われている。 対向電極 o pは少な く とも表示部 1 1 に形成 される必要があ り、 駆動回路領域に形成される必要がない。 しかし, 対向電極 o pは、 通常、 マスクスパッ夕法で形成されるので、 合わ せ精度が悪く、 対向電極 o p と駆動回路とが重なるこ とがある。 し かるに本形態では、 これらの駆動回路の形成領域に対して対向電極

0 pが重なる状態にあっても、 駆動回路の配線層と対向電極 0 p と の間にバンク層 b a n kが介在している。 それ故、 駆動回路 3、 4 に容量が寄生するこ とを防止できるため、 駆動回路 3、 4の負荷を 低減でき、 低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図るこ とがで きる。 さ らに、 本形態では、 画素電極 4 1 の形成領域のう ち、 導通制御 回路 5 0の中継電極 3 5 と重なる領域にもバンク層 b a n kが形成 されている。 このため、 中継電極 3 5 と重なる領域には有機半導体 膜 4 3が形成されない。 すなわち、 画素電極 4 1 の形成領域のう ち、 平坦な部分のみに有機半導体膜 4 3が形成されるので、 有機半導体 膜 4 3は一定の膜厚で形成され、 表示むらを起こさない。 また、 有 機半導体膜 4 3 に膜厚の薄い部分がある と、 そこに薄膜発光素子 4 0の駆動電流が集中し、 薄膜発光素子 4 0の信頼性が低下するこ と になるが、 そのような問題を防止するこ とができる。 さ らに、 中継 電極 3 5 と重なる領域にバンク層 b a n kがないと、 この部分でも 対向電極 o p との間に駆動電流が流れて有機半導体膜 4 3が発光す る。 しかし、 この光は中継電極 3 5 と対向電極 0 p との聞に挟まれ て外に出射されず、 表示に寄与しない。 かかる表示に寄与しない部 分で流れる駆動電流は、 表示という面からみて無効電流といえる。 しかるに本形態では、 従来なら このような無効電流が流れるはずの 部分にバンク層 b a n kを形成し、 そこに駆動電流が流れるこ とを 防止するので、 共通給電線 c o mに無駄な電流が流れるこ とが防止 できる。 それ故、 共通給電線 c o mの幅はその分、 狭く てよい。 そ の結果と して、 発光面積を増すこ とができ、 輝度、 コ ン ト ラス ト比 などの表示性能を向上させるこ とができる。

なお、 ノ ンク層 b a n kを黒色のレジス トによって形成する と、 ノ ンク層 b a n kはブラ ックマ ト リ クスと して機能し、 コン ト ラス ト比などの表示の品位が向上する。 すなわち、 本形態に係るァクテ ィ ブマ ト リ クス型表示装置 1 では、 対向電極 o pが透明基板 1 0の 表面側において画素 7の全面に形成されるため、 対向電極 o pでの 反射光がコン ト ラス ト比を低下させる。 しかるに寄生容量を防止す る機能を担うバンク層 b a n kを黒色のレジス トで構成する と、 バ ンク層 b a n kはブラ ックマ ト リ クスと しても機能し、 対向電極 o pからの反射光を遮るので、 コ ン トラス ト比が向上する。

(アクティ ブマ ト リ クス型表示装置の製造方法）

このよう に形成したバンク層 b a n kは、 有機半導体膜 4 3の形 成領域を囲むように構成されているので、 アクティ ブマ ト リ クス型 表示装置の製造工程では、 イ ンクジェ ッ トヘッ ドから吐出した液状 の材料 （吐出液） から有機半導体膜 4 3を形成する際に吐出液をせ き止め、 吐出液が側方にはみ出すことを防止する。 なお、 以下に説 明するアクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1の製造方法において、 透 明基板 1 0上に第 1の T F T 2 0および第 2の T F T 3 0を製造す るまでの工程は、 ァクティ ブマ ト リ クス型液晶表示装置のァクティ ブマ ト リ クス基板を製造する工程と略同様であるため、 第 3図 （ A ) 、 （ B ) 、 （ C ) を参照してその概略のみを簡単に説明する。

まず、 透明基板 1 0 に対して、 必要に応じて、 T E 0 S (テ ト ラ エ トキシシラ ン） や酸素ガスなどを原料ガス と してプラズマ C V D 法によ り厚さが約 2 0 0 0 ~ 5 0 0 0オングス ト ロ一ムのシ リ コ ン 酸化膜からなる下地保護膜 （図示せず。 ） を形成した後、 下地保護 膜の表面にプラズマ C V D法によ り厚さが約 3 0 0〜 7 0 0オング ス ト ロームのアモルファスのシ リ コン膜からなる半導体膜を形成す る。 次にアモルファスのシ リ コ ン膜からなる半導体膜に対して、 レ ーザァニールまたは固相成長法などの結晶化工程を行い、 半導体膜 をポリ シ リ コ ン膜に結晶化する。

次に、 半導体膜をパ夕一ニングして島状の半導体膜と し、 その表 面に対して、 T E O S (テ ト ラエ トキシシラ ン） や酸素ガスなどを 原料ガスと してプラズマ C V D法によ り厚さが約 6 0 0〜 1 5 0 0 オングス ト ロームのシ リ コ ン酸化膜または窒化膜からなるゲ一 ト絶 縁膜 5 7を形成する。 次に、 アルミニウム、 タ ンタル、 モ リ ブデン、 チタン、 夕ングス テンなどの金属膜からなる導電膜をスパッ夕法によ り形成した後、 パターニングし、 ゲー ト電極 2 1、 3 1、 およびゲー ト電極 3 1の 延設部分 3 6を形成する （ゲー ト電極形成工程） 。 この工程では走 査線 g a t eも形成する。

この状態で、 高濃度の リ ンイオンを打ち込んで、 ゲー ト電極 2 1、 3 1に対して自己整合的にソース · ド レイ ン領域を形成する。 なお、 不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。

次に、 第 1の層間絶縁膜 5 1を形成した後、 各コンタク トホール を形成し、 次に、 データ線 s i g、 ド レイ ン電極 2 2、 共通給電線 c om, 共通給電線 c o mの延設部分 3 9、 および中継電極 3 5を 形成する。 その結果、 第 1の T F T 2 0、 第 2の T F T 3 0、 およ び保持容量 c a pが形成される。

次に、 第 2の層間絶縁膜 5 2を形成し、 この層間絶縁膜には、 中 継電極 3 5に相当する部分にコ ンタク トホール形成する。 次に、 第 2の層間絶縁膜 5 2の表面全体に I T 0膜を形成した後、 パ夕一二 ングし、 コ ンタク トホールを介して第 2の T F T 3 0のソース . ド レイ ン領域に電気的に接続する画素電極 4 1を画素 7毎に形成する , 次に、 第 2の層間絶縁膜 5 2の表面側に P E C V D法などで無機 材料からなる膜 （下層側絶縁膜 6 1を形成するための無機膜） を形 成した後、 走査線 g a t eおよびデータ線 s i gに沿ってレジス ト (上層側絶縁膜 6 2 ) を形成する。 しかる後に、 このレジス ト をマ スク と して無機材料から成る膜にパターニングを施し、 下層側絶縁 膜 6 1を形成する。 このよう にして下層側絶縁膜 6 1をパ夕一ニン グによ り形成する際でも、 下層側絶縁膜 6 1が薄いので、 オーバ一 エッチングが起こ らない。 従って、 画素電極 4 1が損傷するこ とは ない。 このようなエッチング工程を行う と、 無機材料からなる膜は走査 線 g a t eおよびデータ線 s i gに沿って残り、 下層側絶縁膜 6 1 が形成される。 このよう にして下層側絶縁膜 6 1 と上層側絶縁膜 6 2 とからなる 2層構造のバンク層 b a n kが形成される。 このと き には、 データ線 s i gに沿って残すレジス ト部分は共通給電線 c o mを覆う よう に幅広とする。 その結果、 発光素子 4 0の有機半導体 膜 4 3 を形成すべき領域はバンク層 b a n kに囲まれる。

次に、 ノ ンク層 b a n kでマ ト リ クス状に区画された領域内にィ ンクジェ ッ ト法を利用して R、 G、 Bに対応する各有機半導体膜 4 3 を形成してい く 。 それには、 ノ ンク層 b a n kの内側領域に対し てイ ンクジェ ッ トヘッ ドから、 有機半導体膜 4 3 を構成するための 液状の材料 （前駆体/吐出液） を吐出し、 それをバンク層 b a n k の内側領域で定着させて有機半導体膜 4 3 を形成する。 ここで、 バ ンク層 b a n kの上層側絶縁膜 6 2 は、 レジス トゃポリイ ミ ド膜か ら構成されているため、 撥水性である。 これに対して、 有機半導体 膜 4 3の前駆体は親水性の溶媒を用いているため、 有機半導体膜 4 3の塗布領域はバンク層 b a n kによって確実に規定され、 隣接す る画素 7 にはみ出るこ とがない。 それ故、 有機半導体膜 4 3などを 所定領域内だけに形成できる。

この工程において、 イ ンクジェ ッ トヘッ ドから吐出した前駆体は 表面張力の影響で約 2 〃mないし約 4 mの厚さに盛り上がるため、 バンク層 b a n kは約 1 〃 mないし約 3 mの厚さが必要である。 この状態では、 イ ンクジェ ッ トヘッ ドから吐出した前駆体は上層側 絶縁膜 6 2 に接する状態にあるが、 1 0 0 °C〜 1 5 0 °Cの熱処理を 施した後は、 前駆体から溶媒成分が除去されるので、 バンク層 b a n kの内側に定着した後の有機半導体膜 4 3の厚さは約 0 . 0 5 mから約 0 . 2 〃mである。 それ故、 この状態では有機半導体膜 4 3は上層側絶縁膜 6 2 には接していない。

なお、 予めバンク層 b a n kからなる隔壁が 1 /m以上の高さで あれば、 ノ ンク層 b a n kが撥水性でな く ても、 ノ'ンク層 b a n k は隔壁と して十分に機能する。 かかる厚いバンク層 b a n kを形成 しておけば、 イ ンクジェ ッ ト法に代えて、 塗布法で有機半導体膜 4

3 を形成する場合でもその形成領域を規定できる。

しかる後には、 透明基板 1 0の略全面に対向電極 0 pを形成する。 このような製造方法によれば、 イ ンクジェ ッ ト法を利用 して所定 の領域に R、 G、 Bに対応する各有機半導体膜 4 3 を形成していけ るので、 フルカラーのアクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 を高い生 産性で製造できる。

なお、 第 1 図に示すデータ側駆動回路 3や走査側駆動回路 4 にも T F Tが形成されるが、 これらの T F Tは前記の画素 7 に T F Tを 形成してい く 工程の全部あるいは一部を援用 して行われる。 それ故、 駆動回路を構成する T F T も、 画素 7の T F T と同一の層間に形成 されるこ とになる。 また、 前記第 1 の T F T 2 0、 および第 2の T F T 3 0 については、 双方が N型、 双方が P型、 一方が N型で他方 が P型のいずれでも よいが、 このようないずれの組合せであっても 周知の方法で T F Tを形成していけるので、 その説明を省略する。

[実施の形態 2 ]

第 4図 （ A ) 、 （ B ) 、 （ C ) はそれそれ、 本形態のアクティ ブ マ ト リ クス型表示装置における第 2図の A— A ' 線、 B — B ' 線、 および C一 C ' 線に相当する位置での断面図である。 なお、 本形態 と実施の形態 1 とは基本的な構成が同一なので、 共通する部分には 同一の符号を第 4図に付してそれらの詳細な説明を省略する。 また 本形態のァクティ ブマ ト リ クス型表示装置におけるバンク層 b a n kの形成領域は、 実施の形態 1 と同様であるため、 同じ く第 1 図お よび第 2図を参照して説明する。

本形態でも、 データ線 s i gには大きな容量が寄生するこ とを防 止するため、 第 1図、 第 2図、 第 4図 （ A) 、 （ B ) 、 （ C ) に示 すよう に、 データ線 s i gおよび走査線 g a t eに沿って、 有機半 導体膜 4 1 よ り も厚い絶縁膜 （バンク層 b a n k/左下がりの 1本 の斜線、 または 2本で一組の斜線を広いピッチで付した領域） を設 け、 このバンク層 b a n kの上層側に対向電極 o pを形成してある。

ここで、 バンク層 b a n kは、 有機半導体膜 4 1 よ り も厚く形成 されたシ リ コン酸化膜あるいはシ リ コン窒化膜などの無機材料から なる下層側絶縁膜 6 1 と、 この下層側絶縁膜 6 1上に積層されたレ ジス トあるいはポリ イ ミ ド膜などの有機材料からなる上層側絶縁膜 6 2 とから構成されている点では、 実施の形態 1 と同様である。 本形態では、 第 4図 （A) 、 ( B ) 、 ( C ) からわかるよう に、 有機材料からなる上層側絶縁膜 6 1 については、 無機材料からなる 下層側絶縁膜 6 1 よ り狭い幅をも ってこの下層側絶縁膜 6 1の内側 領域に積層されている。 たとえば、 上層側絶縁膜 6 1 と画素電極 4 1 との重な り部分の幅は 1 〃 m〜 3〃 mであ り、 下層側絶縁膜 6 1 と上層側絶縁膜 6 2 との間には片側 1 〃m~ 5 〃mのずれがある。 このため、 バンク層 b a n kは、 幅の異なる下層側絶縁膜 6 1 と上 層側絶縁膜 6 1が積層された 2段構造になっている。 このような 2 段構造であれば、 上層側絶縁膜 6 2は、 厚い膜を形成するのが容易 なレジス トやポリ イ ミ ド膜から構成されているので、 下層側絶縁膜 6 1のみを無機材料から構成すればよい。 従って、 厚いバンク層 b a n k全体を無機材料で構成する場合と違って、 長い時間をかけて 無機材料からなる膜を P E C V D法などで成膜する必要がない。 そ れ故、 アクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 を生産性を高めるこ とが できる。 また、 かかる 2段構造であれば、 有機半導体膜 4 1は無機 材料からなる下層側絶縁膜 6 1 とは接しているが、 上層側絶縁膜 6 2 とは接していない。 しかも、 上層側絶縁膜 6 2は下層側絶縁膜 6 1 よ り 内側に形成されているので、 その分、 有機半導体膜 4 3 と上 層側絶縁膜 6 2 とは接しに く い。 それ故、 有機材料から構成されて いる上層側絶縁膜 6 2の影響を受けて有機半導体膜 4 1 が劣化する のを確実に防止でき、 薄膜発光素子 4 0では発光効率の低下や信頼 性の低下が起きない。

その他の構成は実施の形態 1 と同様である。 ここで、 いずれの画 素 7 もノ ンク層 b a n kで囲まれている。 このため、 イ ンクジエ ツ ト法を利用して所定の領域に R、 G、 Bに対応する各有機半導体膜 4 3 を形成していけるので、 フルカラーのアクティ ブマ ト リ クス型 表示装置 1 を高い生産性で製造できるなど、 実施の形態 1 と同様な 効果を奏する。

このような構造のバンク層 b a n kを形成するにあたっては、 第 2の層間絶縁膜 5 2の表面側に P E C V法などで無機材料からなる 膜 （下層側絶縁膜 6 1 を形成するための無機膜） を形成した後、 そ れを走査線 g a t eおよびデ一夕線 s i gに沿って残し、 下層側絶 縁膜 6 1 を形成した後、 このパターニングに用いたレジス トを除去 し、 しかる後に、 下層側絶縁膜 6 1の上層にそれよ り幅の狭いレジ ス トやポリ イ ミ ドを上層側絶縁膜 6 2 と して形成すればよい。 この ようにして、 下層側絶縁膜 6 1 をパ夕一ニングによ り形成する際で も、 下層側絶縁膜 6 1 が薄いので、 オーバ一エッチングが起こ らな い。 従って、 画素電極 4 1 が損傷するこ とはない。

[実施の形態 3 ]

本形態のアクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 は、 バンク層 b a n kを構成する材料が実施の形態 2 と相違するだけで、 その構造は実 施の形態 2で同様である。 従って、 共通する部分については同一の 符号を付して図示し、 それらの説明を省略する。 また、 実施の形態 2 と同様、 第 1 図、 第 2 図、 および第 4図を参照して説明する。

本形態でも、 デ一夕線 s i gには大きな容量が寄生するこ とを防 止するため、 第 1 図、 第 2図、 第 4図 （ A ) 、 （ B ) 、 （ C ) に示 すよう に、 デ一夕線 s i gおよび走査線 g a t e に沿って、 有機半 導体膜 4 1 よ り も厚い絶縁膜 （バンク層 b a n k /左下がりの 1 本、 または 2本で一組の斜線を広いピッチで付した領域） を設け、 この ノ ンク層 b a n kの上層側に対向電極 0 pを形成してある。

ここで、 ノ 'ンク層 b a n kは、 有機半導体膜 4 1 よ り も厚く形成 されたシ リ コン窒化膜などの無機材料からなる下層側絶縁膜 6 1 と、 この下層側絶縁膜 6 1 上に積層されたシ リ コ ン酸化膜などの無機材 料からなる上層側絶縁膜 6 2 とから構成されている。 このような 2 層構造であれば、 有機半導体膜 4 3は有機材料と接していないので、 有機材料の影響を受けて劣化するこ とがない。 それ故、 薄膜発光素 子 4 0では、 発光効率の低下や信頼性の低下が起きない。

ここで、 上層側絶縁膜 6 1 については下層側絶縁膜 6 1 よ り狭い 幅をも ってこの下層側絶縁膜 6 1 の内側領域に積層されている。 こ のため、 バンク層 b a n kは、 幅の異なる下層側絶縁膜 6 1 と上層 側絶縁膜 6 1 が積層された 2段構造になっている。

かかる 2段構造のバンク層 b a n kを形成するにあたっては、 下 層側絶縁膜 6 1および上層側絶縁膜 6 2 を構成すべき無機材料 （シ リ コ ン窒化膜およびシ リ コ ン酸化膜） を順次形成した後、 まず、 上 層側絶縁膜 6 2 をパターニングする。 この際には、 下層側絶縁膜 6 1 がエッチングス ト ッパ一と して機能するので、 多少のオーバーェ ツチングがあっても画素電極 4 1 を損傷するこ とはない。 かかるパ ターニングを終えた後には下層側絶縁膜 6 1 をパ夕一ニング形成す る。 この際には、 下層側絶縁膜 6 1 の 1層分をエッチングするだけ なので、 エッチング制御が容易で、 画素電極 4 1 を損傷するほどの オーバーエッチングが起きない。

その他の構成は実施の形態 1、 2 と同様である。 従って、 いずれ の画素 7 も ノ ンク層 b a n kで囲まれている。 このため、 イ ンクジ エ ツ ト法を利用して所定の領域に R、 G、 Bに対応する各有機半導 体膜 4 3 を形成していけるので、 フルカラーのァクティ ブマ ト リ ク ス型表示装置 1 を高い生産性で製造できるなど、 実施の形態 1 と同 様な効果を奏する。

[実施の形態 1、 2、 3の変形例]

なお、 上記形態では、 デ一夕線 s i gおよび走査線 g a t e に沿 つてノ 'ンク層 b a n kを形成してあるため、 ノ 'ンク層 b a n kで各 画素 7 をマ ト リ クス状に区画した構成であつたが、 デ一夕線 s i g に沿ってのみバンク層 b a n kを形成してもよい。 この場合にも、 ノ s'ンク層 b a n kでス ト ライ プ状に区画された領域内にイ ンクジェ ッ ト法を利用して R、 G、 Bに対応する各有機半導体膜 4 3 をス ト ライ プ状に形成できるので、 フルカラーのァクティ ブマ ト リ クス型 表示装置 1 を高い生産性で製造できる。

また、 上記形態では、 バンク層 b a n kが区画した領域の隅部分 はいずれも角形になっていたが、 そこに丸みをもたせれば、 有機半 導体膜 4 3 を角のない丸みをも った平面形状に形成できる。 このよ うな形状の有機半導体膜 4 3であれば、 角部分の駆動電流が集中す るこ とがないので、 この部分での耐圧不足などの不具合の発生を防 止できる。

[実施の形態 4 ]

本形態のアクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 は、 基本的な構造が 実施の形態 1 ないし 3 と同様であるため、 同じく第 1図を参照して 説明する とともに、 共通する部分には同じ符号を付して図示し、 そ れらの説明を省略する。

第 5図は、 本形態のアクティ ブマ ト リ クス型表示装置に構成され ている画素の 1つを抜き出して示す平面図、 第 6図 （ A) 、 ( B ) 、 ( C ) はそれそれ第 5図の A— A ' 断面図、 B— B ' 断面図、 およ び C一 C ' 断面図である。

本形態では、 以下に説明するように、 下層側絶縁膜 6 1 と上層側 絶縁膜 6 2 とを部分的に重ね、 それそれを異なる機能を発揮させて いる。 すなわち、 本形態でも、 第 1図に示すよう に、 複数の走査線 a t e と、 該走査線 g a t eの延設方向に対して交差する方向に 延設された複数のデータ線 s i gと、 該デ一夕線 s i gに並列する 複数の共通給電線 c o mと、 デ一夕線 s i gと走査線 g a t e とに よってマ ト リ クス状に形成された複数の画素 7 とが構成されている _c 本形態においては、 第 5図および第 6図に示すよう に、 下層側絶 縁膜 6 1 (左下が りの 2本で一組の斜線を付した領域） は、 画素電 極 4 1の形成領域のうち導通制御回路 5 0の形成領域と重なる領域、 デ一夕線 s i g、 共通給電線 c o m、 および走査線 g a t eを覆う よう に形成されている。 これに対して、 上層側絶縁膜 6 2 (左下が りの斜線を広いピッチで付した領域） は、 下層側絶縁膜 6 1の形成 領域のうち、 データ線 s i gに沿う部分のみにス トライ プ状に形成 されている。 また、 この上層側絶縁膜 6 2でス トライ プ状に区画さ れた領域内に有機半導体膜 4 3が形成されている。

このよう に構成した場合も、 有機半導体膜 4 3をイ ンクジェ ッ ト 法によ り形成する際には、 下層側絶縁膜 6 1 と上層側絶縁膜 6 2が 重なる部分を吐出液のはみ出しを防止するバンク層 b a n kと して 利用しながら、 有機半導体膜 4 3をス トライ プ状に形成できる。 そ こで、 本形態では、 下層側絶縁膜 6 1 と上層側絶縁膜 6 2が重なる 部分は、 膜厚が 1 〃 m以上になるよう に構成してある。 このよう に構成した場合も、 デ一夕線 s i gと対向電極 o p との 間に第 2の層間絶縁膜 5 2 と厚いバンク層 b a n k (下層側絶縁膜 6 1 と上層側絶縁膜 6 2 ) とが介在しているので、 デ一夕線 s i g に寄生する容量が極めて小さい。 それ故、 駆動回路 3、 4の負荷を 低減でき、 低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図るこ とがで きる。

また、 ス ト ライ プ状に有機半導体膜 4 3 を形成したが、 画素電極 4 1 の形成領域のう ち導通制御回路 5 0の形成領域と重なる領域、 および走査線 g a t eは、 下層側絶縁膜 6 2 で覆われているので、 各画素 7のうち、 画素電極 4 1 の平坦部分のみに形成された有機半 導体膜 4 3が発光に寄与する。 すなわち、 画素電極 4 1 の平坦部分 のみに薄膜発光素子 4 0が形成されているこ とになる。 それ故、 有 機半導体膜 4 3は一定の膜厚で形成され、 表示むらや駆動電流の集 中を起こさない。 また、 表示に寄与しない部分に駆動電流が流れる のを下層側絶縁膜 6 1 で防止するので、 共通給電線 c 0 mに無駄な 電流が流れるこ とを防止できる という効果もある。

ここで、 下層側絶縁膜 6 1 については有機半導体膜 4 1 よ り も厚 く形成されたシ リ コ ン酸化膜あるいはシ リ コ ン窒化膜などの無機材 料から構成し、 上層側絶縁膜 6 2 についてはレジス トあるいはポリ イ ミ ド膜などの有機材料から構成すれば、 下層側絶縁膜 6 1 のみを 無機材料から構成すればよいこ とになる。 従って、 厚いバンク層 b a n k全体を無機材料で構成する場合と違って、 長い時間をかけて 無機材料からなる膜を P E C V D法などで成膜する必要がない。 そ れ故、 アクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 を生産性を高めるこ とが できる。 また、 かかる 2層構造であれば、 有機半導体膜 4 1 は無機 材料からなる下層側絶縁膜 6 1 とは接しているが、 有機材料からな る上層側絶縁膜 6 2 とは接していない。 それ故、 有機半導体膜 4 1 は、 有機材料から構成されている上層側絶縁膜 6 2の影響を受けて 劣化するこ とがないので、 薄膜発光素子 4 0では、 発光効率の低下 や信頼性の低下が起きないなど、 実施の形態 1 と同様な効果を奏す これに対して、 下層側絶縁膜 6 1 については有機半導体膜 4 1 よ り も厚く形成されたシ リ コ ン窒化膜などの無機材料から構成し、 上 層側絶縁膜 6 2 については、 この下層側絶縁膜 6 1 上に積層された シ リ コ ン酸化膜などの無機材料から構成した場合には、 有機半導体 膜 4 3は有機材料と接していないので、 有機材料の影響を受けて劣 化するこ とがない。 それ故、 薄膜発光素子 4 0では、 発光効率の低 下や信頼性の低下が起きない。 また、 上層側絶縁膜 6 1 については 狭い幅で下層側絶縁膜 6 1 の内側領域に積層してあるので、 上層側 絶縁膜 6 2 をパターニングする際には、 下層側絶縁膜 6 1 がエッチ ングス ト ッパーと して機能するなど、 実施の形態 3 と同様な効果を 奏する。

[実施の形態 5 ]

第 7図は、 アクティ ブマ ト リ クス型表示装置の全体のレイ アウ ト を模式的に示すブロ ック図である。 第 8図は、 それに構成されてい る画素の 1 つを抜き出して示す平面図、 第 9図 （ A ) 、 （ B ) 、 ( C ) はそれぞれ、 第 8図の A— A ' 断面図、 B— B ' 断面図、 およ び C— C ' 断面図である。 なお、 本形態の基本的な構成は、 実施の 形態 1 と共通するので、 共通する部分については同一の符号を付し て図示し、 それらの説明を省略する。

本形態でも、 本形態のアクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 でも、 データ線 s i gおよび走査線 g a t e に沿って、 有機半導体膜 4 1 よ り も厚い絶縁膜 （バンク層 b a n k /左下が りの 1 本の斜線、 ま たは 2本で一組の斜線を広いピッチで付した領域） を設け、 このバ ンク層 b a n kの上層側に対向電極 o pを形成してある。 すなわち、 データ線 s i gと対向電極 o p との間に第 2の層間絶縁膜 5 2 と厚 いバンク層 b a n kとが介在しているので、 デ一夕線 s i gに寄生 する容量が極めて小さい。 それ故、 駆動回路 3、 4の負荷を低減で き、 低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図るこ とができる。 ここで、 ノ'ンク層 b a n kは、 有機半導体膜 4 1 よ り も厚く形成 されたシ リ コ ン酸化膜あるいはシ リ コ ン窒化膜などの無機材料から なる下層側絶縁膜 6 1 と、 この下層側絶縁膜 6 1上に積層されたレ ジス トあるいはポリ イ ミ ド膜などの有機材料からなる上層側絶縁膜 6 2 とから構成されている。 たとえば、 有機半導体膜 4 1、 下層側 絶縁膜 6 1、 および上層側絶縁膜 6 2の膜厚は、 それそれ 0. 0 5 m〜 0 . 2 〃m、 0 . 2 〃m〜 l . 0 〃m、 および l 〃m〜 2 mである。 従って、 有機半導体膜 4 1 は無機材料からなる下層側絶 縁膜 6 1 とは接しているが、 有機材料からなる上層側絶縁膜 6 2 と は接していない。 それ故、 有機半導体膜 4 1 は、 有機材料から構成 されている上層側絶縁膜 6 2の影響を受けて劣化するこ とがないの で、 薄膜発光素子 4 0では、 発光効率の低下や信頼性の低下が起き ないなど、 実施の形態 1 と同様な効果を奏する。

このよう に構成したアクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 において、 有機半導体膜 4 1は、 バンク層 b a n kで周囲が囲まれている。 こ のため、 このままでは、 各画素 7の対向電極 o pはバンク層 b a n kを乗り越えて隣接する画素 7の対向電極 o pと接続するこ とにな る。 しかるに本形態では、 ノ ンク層 b a n kには、 データ線 s i g の延設方向で隣り合う画素 7の間に相当する部分に下層側絶縁膜 6 1および上層側絶縁膜 6 2の双方が途切れた途切れ部分 o f f (第 1の途切れ部分） が形成されている。 また、 バンク層 b a n kには、 走査線 g a t eの延設方向で隣り合う画素 7の間に相当する部分に も下層側絶縁膜 6 1および上層側絶縁膜 6 2の双方が途切れた途切 れ部分 o f f (第 1の途切れ部分） が形成されている。 さ らに、 ) ンク層 b a n kには、 デ一夕線 s i gおよび走査線 g a t eの各延 設方向の端部のそれそれに下層側絶縁膜 6 1および上層側絶縁膜 6 2の双方が途切れた途切れ部分 o f f (第 1の途切れ部分） が形成 されている。

このような途切れ部分 o f f では厚いバンク層 b a n kがないの で、 バンク層 b a n kに起因する大きな段差のない平坦部分であ り、 この部分に形成されている対向電極 o pは断線するこ とがない。 従 つて、 各画素 7の対向電極 7は、 バンク層 b a n kに起因する段差 のない平坦部分を介して確実に接続しているこ とになる。 それ故、 画素 7の周 り に厚い絶縁膜 （バンク層 b a n k ) を形成して寄生容 量などを抑えても、 この厚い絶縁膜 （バンク層 b a n k ) の上層に 形成する対向電極 o pに断線が発生しない。

また、 透明基板 1 0の周辺領域 （表示部 1 1の外側領域） におい て、 データ側駆動回路 3および走査側駆動回路 4はいずれも、 バン ク層 b a n k (形成領域に斜線を付してある。 ） によって覆われて いる。 このため、 これらの駆動回路の形成領域に対して対向電極 o pが重なる状態にあっても、 駆動回路の配線層と対向電極 0 pとの 間にバンク層 b a n kが介在することになる。 それ故、 駆動回路 3、 4に容量が寄生するこ とを防止できるため、 駆動回路 3、 4の負荷 を低減でき、 低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図るこ とが できる。

しかも、 走査側駆動回路 4およびデータ側駆動回路 3の上層側に 形成されたバンク層 b a n kは、 走査側駆動回路 4の形成領域とデ 一夕側駆動回路 3の形成領域との間に相当する位置に下層側絶縁膜 6 1および上層側絶縁膜 6 2の双方が途切れた途切れ部分 0 f f ( 第 2の途切れ部分） が形成されている。 このため、 表示部 1 1の側 の対向電極 o p と基板外周側の対向電極 o pとは、 バンク層 b a n kの途切れ部分 o f f を介して接続し、 この途切れ部分 o f f もバ ンク層 b a n kに起因する段差のない平坦部分である。 従って、 こ の途切れ部分 o f f に形成されている対向電極 o pは断線するこ と がないので、 表示部 1 1の側の対向電極 o pと基板外周側の対向電 極 o p とは、 バンク層 b a n kの途切れ部分 0 ΐ f を介して確実に 接続し、 基板外周側の対向電極 o pに配線接続されている端子 1 2 と表示部 1 1の対向電極 o p とは確実に接続している。

さ らに、 本形態では、 画素電極 4 1の形成領域のう ち、 導通制御 回路 5 0の中継電極 3 5 と重なる領域にもバンク層 b a n kが形成 されているため、 無駄な無効電流が流れるこ とを防止できる。 それ 故、 共通給電線 c o mの幅はその分、 狭く てよい。

このような構成のァクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 を製造する 際にも、 実施の形態 1 と同様、 第 2の層間絶縁膜 5 2の表面側に、 走査線 g a t eおよびデ一夕線 s i gに沿ってバンク層 b a n kを 形成する。 このとき、 バンク層 b a n kの所定部分には途切れ部分 o f f を形成しておく 。 また、 デ一夕線 s i gに沿って形成するバ ンク層 b a n kは共通給電線 c o mを覆う よう に幅広とする。 その 結果、 薄膜発光素子 4 0の有機半導体膜 4 3を形成すべき領域はバ ンク層 b a n kに囲まれる。

次に、 ノ ンク層 b a n kでマ ト リ クス状に区画された領域内にィ ンクジヱ ッ ト法を利用 して R、 G、 Bに対応する各有機半導体膜 4 3を形成してい く。 それには、 バンク層 b a n kの内側領域に対し てイ ンクジェ ッ トヘッ ドから、 有機半導体膜 4 3を構成するための 液状の材料 （前駆体） を吐出し、 それをバンク層 b a n kの内側領 域で定着させて有機半導体膜 4 3を形成する。 こ こで、 バンク層 b a n kの上層側絶縁膜 6 2は、 レジス トゃポリ イ ミ ド膜から構成さ れているため、 撥水性である。 これに対して、 有機半導体膜 4 3の 前駆体は親水性の溶媒を用いているため、 有機半導体膜 4 3の塗布 領域はバンク層 b a n kによって確実に規定され、 隣接する画素 7 にはみ出るこ とがない。 また、 有機半導体膜 4 3の形成領域を区画 するバンク層 b a n kに途切れ部分 0 f ： f があったと しても、 かか る途切れ部分 0 f f は狭いので、 有機半導体膜 4 3の塗布領域はバ ンク層 b a n kによって確実に規定され、 隣接する画素 7 にはみ出 る こ とがない。 それ故、 有機半導体膜 4 3などを所定領域内だけに 形成できる。

なお、 イ ンクジエ ツ トへッ ドから吐出した前駆体は表面張力の影 響で約 2〃mない し約 4 zmの厚さに盛り上がるため、 バン ク層 b a n kは約 1 / mないし約 3〃 mの厚さが必要である。 この状態で は、 イ ンクジエ ツ トへッ ドから吐出した前駆体は上層側絶縁膜 6 2 に接する状態にあるが、 1 0 0 °C〜 1 5 0 °Cの熱処理を施した後は、 前駆体から溶媒成分が除去されるので、 バンク層 b a n kの内側に 定着した後の有機半導体膜 4 3の厚さは約 0 . 0 5 imから約 0 . 2 /mである。 それ故、 この状態では有機半導体膜 4 3は上層側絶 縁膜 6 2 には接していない。

なお、 予めバンク層 b a n kからなる隔壁が 1 m以上の高さで あれば、 ノ、ンク層 b a n kが撥水性でな く ても、 ノ'ンク層 b a n k は隔壁と して十分に機能する。 従って、 かかる厚いバンク層 b a n kを形成しておけば、 イ ンクジェ ッ ト法に代えて、 塗布法で有機半 導体膜 4 3を形成する場合でもその形成領域を規定できる。

[実施の形態 5の変形例 1 ]

第 1 0図は、 アクティ ブマ ト リ クス型表示装置の全体のレイ ァゥ トを模式的に示すブロ ック図である。 第 1 1図は、 それに構成され ている画素の 1つを抜き出して示す平面図、 第 1 2図 （ A) 、 ( B ) 、 ( C ) はそれそれ第 1 1図の A— A ' 断面図、 B— B ' 断面図、 および C— C ' 断面図である。 なお、 本形態と実施の形態 1 とは基 本的な構成が同一なので、 共通する部分には同一の符号を各図に付 してそれらの詳細な説明を省略する。

第 1 0図、 第 1 1図、 および第 1 2図 （ A) 、 （ B ) 、 （ C ) に 示すよう に、 本形態のアクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1でも、 デ 一夕線 s i gおよび走査線 g a t eに沿って、 有機半導体膜 4 1 よ り も厚い絶縁膜 （バンク層 b a n k/左下が りの 1本の斜線、 また は 2本で一組の斜線を広いピッチで付した領域） を設け、 このバン ク層 b a n kの上層側に対向電極 o pを形成してある。 すなわち、 デ一夕線 s i gと対向電極 o pとの間に第 2の層間絶縁膜 5 2 と厚 ぃ ノ ンク層 b a n kとが介在しているので、 デ一夕線 s i gに寄生 する容量が極めて小さい。 それ故、 駆動回路 3、 4の負荷を低減で き、 低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図るこ とができる。 ここで、 ノ ンク層 b a n kは、 有機半導体膜 4 1 よ り も厚く形成 されたシ リ コ ン酸化膜あるいはシ リ コ ン窒化膜などの無機材料から なる下層側絶縁膜 6 1 と、 この下層側絶縁膜 6 1上に積層されたレ ジス トあるいはポリ イ ミ ド膜などの有機材料からなる上層側絶縁膜 6 2 とから構成されている。 従って、 有機半導体膜 4 1は無機材料 からなる下層側絶縁膜 6 1 とは接しているが、 有機材料からなる上 層側絶縁膜 6 2 とは接していない。 それ故、 有機半導体膜 4 1は、 有機材料から構成されている上層側絶縁膜 6 2の影響を受けて劣化 するこ とがないので、 薄膜発光素子 4 0では、 発光効率の低下や信 頼性の低下が起きないなど、 実施の形態 1 と同様な効果を奏する。

また、 本形態では、 データ線 s i gおよび走査線 g a t eに沿つ てバンク層 b a n kを形成してあるため、 いずれの画素 7 もバンク 層 b a n kで囲まれている。 このため、 イ ンクジェッ ト法を利用し て所定の領域に R、 G、 Bに対応する各有機半導体膜 4 3を形成し ていけるので、 フルカラーのアクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 を 高い生産性で製造できる。

しかも、 ノ ンク層 b a n kには、 走査線 g a t eの延設方向で隣 り合う画素 7の間に相当する部分に途切れ部分 o f f (第 1の途切 れ部分） が形成されている。 また、 ノ ンク層 b a n kには、 データ 線 s i gおよび走査線 g a t eの各延設方向の端部のそれそれにも 途切れ部分 o f f (第 1の途切れ部分） が形成されている。 さ らに、 走査側駆動回路 4およびデ一夕側駆動回路 3の上層側に形成された バンク層 b a n kは、 走査側駆動回路 4の形成領域とデータ側駆動 回路 3の形成領域との間に相当する位置に途切れ部分 o f f (第 2 の途切れ部分） が形成されている。 従って、 対向電極 o pは、 バン ク層 b a n kに起因する段差のない平坦部分 （途切れ部分 o f f ) を介して確実に接続し、 断線することがない。

[実施の形態 5の変形例 2 ]

第 1 3図は、 アクティ ブマ ト リ クス型表示装置の全体のレイ ァゥ トを模式的に示すブロ ック図である。 第 1 4図は、 それに構成され ている画素の 1つを抜き出して示す平面図、 第 1 5図 （ A) 、 ( B ) 、 （ C ) はそれそれ第 1 4図の A— A ' 断面図、 B— B ' 断面図、 および C— C ' 断面図である。 なお、 本形態と実施の形態 1 とは基 本的な構成が同一なので、 共通する部分には同一の符号を各図に付 してそれらの詳細な説明を省略する。

第 1 3図、 第 1 4図、 および第 1 5図 （ A；) 、 （ B ) 、 （ C ) に 示すよう に、 本形態のアクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1でも、 デ 一夕線 s i gおよび走査線 g a t eに沿って、 有機半導体膜 4 1 よ り も厚い絶縁膜 （バンク層 b a n k/左下が りの 1本の斜線、 また は 2本で一組の斜線を広いピッチで付した領域） を設け、 このバン ク層 b a n kの上層側に対向電極 o pを形成してある。 すなわち、 デ一夕線 s i gと対向電極 o pとの間に第 2の層間絶縁膜 5 2 と厚 いバンク層 b a n kとが介在しているので、 データ線 s i gに寄生 する容量が極めて小さい。 それ故、 駆動回路 3、 4の負荷を低減で き、 低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図るこ とができる。

ここで、 バンク層 b a n kは、 有機半導体膜 4 1よ り も厚く形成 されたシ リ コ ン酸化膜あるいはシ リ コ ン窒化膜などの無機材料から なる下層側絶縁膜 6 1 と、 この下層側絶縁膜 6 1上に積層されたレ ジス トあるいはポリ イ ミ ド膜などの有機材料からなる上層側絶縁膜 6 2 とから構成されている。 従って、 有機半導体膜 4 1は無機材料 からなる下層側絶縁膜 6 1 とは接しているが、 有機材料からなる上 層側絶縁膜 6 2 とは接していない。 それ故、 有機半導体膜 4 1は、 有機材料から構成されている上層側絶縁膜 6 2の影響を受けて劣化 するこ とがないので、 薄膜発光素子 4 0では、 発光効率の低下や信 頼性の低下が起きないなど、 実施の形態 1 と同様な効果を奏する。

また、 本形態では、 データ線 s i gおよび走査線 g a t eに沿つ てノ ンク層 b a n kを形成してあるため、 いずれの画素 7も バン ク 層 b a n kで囲まれている。 このため、 イ ンクジェッ ト法を利用 し て所定の領域に R、 G、 Bに対応する各有機半導体膜 4 3を形成し ていけるので、 フルカラ一のァクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1を 高い生産性で製造できる。

しかも、 ノ ンク層 b a n kには、 デ一夕線 s i gの延設方向で隣 り合う画素 7の間に相当する部分に途切れ部分 o f f (第 1の途切 れ部分） が形成されている。 また、 ノ ンク層 b a n kには、 デ一夕 線 s i gおよび走査線 g a t eの各延設方向の端部のそれそれにも 途切れ部分 o f f (第 1の途切れ部分） が形成されている。 さ らに 走査側駆動回路 4およびデータ側駆動回路 3の上層側に形成された バンク層 b a n kは、 走査側駆動回路 4の形成領域とデ一夕側駆動 回路 3の形成領域との間に相当する位置に途切れ部分 o f f (第 2 の途切れ部分） が形成されている。 従って、 対向電極 o pは、 バン ク層 b a n kに起因する段差のない平坦部分 （途切れ部分 o f f ) を介して確実に接続し、 断線するこ とがない。

[実施の形態 5の変形例 3 ]

第 1 6図は、 アクティ ブマ ト リ クス型表示装置の全体のレイ ァゥ ト を模式的に示すブロ ック図である。 第 1 7図は、 それに構成され ている画素の 1つを抜き出して示す平面図、 第 1 8図 （A) 、 ( B ) 、 ( C ) はそれそれ第 1 7図の A— A ' 断面図、 B— B ' 断面図、 および C— C ' 断面図である。 なお、 本形態と実施の形態 1、 5 と は基本的な構成が同一なので、 共通する部分には同一の符号を各図 に付してそれらの詳細な説明を省略する。

第 1 6図、 第 1 7図、 および第 1 8図 （ A；) 、 （ B ) 、 （ C ) に 示すよう に、 本形態のアクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1でも、 デ —夕線 s i gおよび走査線 g a t eに沿って、 有機半導体膜 4 1 よ り も厚い絶縁膜 （バンク層 b a n k/左下が りの 1本の斜線、 また は 2本で一組の斜線を広いピッチで付した領域） を設け、 このバン ク層 b a n kの上層側に対向電極 o pを形成してある。 すなわち、 デ一夕線 s i gと対向電極 o pとの間に第 2の層間絶縁膜 5 2 と厚 ぃノ ンク層 b a n kとが介在しているので、 データ線 s i gに寄生 する容量が極めて小さい。 それ故、 駆動回路 3、 4の負荷を低減で き、 低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図るこ とができる。

ここで、 バンク層 b a n kは、 有機半導体膜 4 1 よ り も厚く形成 されたシ リ コ ン酸化膜あるいはシ リ コ ン窒化膜などの無機材料から なる下層側絶縁膜 6 1 と、 この下層側絶縁膜 6 1上に積層されたレ ジス トあるいはポリ イ ミ ド膜などの有機材料からなる上層側絶縁膜

6 2 とから構成されている。

また、 本形態では、 データ線 s i gおよび走査線 g a t eに沿つ てバンク層 b a n kを形成してあるため、 いずれの画素 7 も パン ク 層 b a n kで囲まれている。 このため、 イ ンクジェ ッ ト法を利用し て所定の領域に R、 G、 Bに対応する各有機半導体膜 4 3を形成し ていけるので、 フルカラ一のァクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 を 高い生産性で製造できる。

しかも、 ノ ンク層 b a n kには、 デ一夕線 s i gの延設方向で隣 り合う画素 7の間に相当する部分に途切れ部分 o f f (第 1の途切 れ部分） が形成されている。 また、 ノ ンク層 b a n kには、 デ一夕 線 s i gおよび走査線 g a t eの各延設方向の端部のそれそれにも 途切れ部分 o f f (第 1の途切れ部分） が形成されている。 さ らに、 走査側駆動回路 4およびデータ側駆動回路 3の上層側に形成された バンク層 b a n kは、 走査側駆動回路 4の形成領域とデ一夕側駆動 回路 3の形成領域との間に相当する位置に途切れ部分 o f f (第 2 の途切れ部分） が形成されている。

但し、 本形態において、 途切れ部分 0 f f では、 バンク層 b a n kを形成するのに用いた下層側絶縁膜 6 1 ( 2本で一組の斜線を付 した領域） および上層側絶縁膜 6 2 (左下がりの 1本の斜線を付し た領域） のう ち、 上層側絶縁膜 6 2のみが途切れてお り、 途切れ部 分 0 f f であってもそこには下層側絶縁膜 6 1は形成されている。

このように構成した場合も、 途切れ部分 0 f f には薄い下層側絶 縁膜 6 1があるだけで、 厚い上層側絶縁膜 6 2がないので、 対向電 極 o pは、 途切れ部分 o f f を介して確実に接続し、 断線するこ と がない。

なお、 上記形態では、 第 1の途切れ部分および第 2の途切れ部分 の双方において下層側絶縁膜 6 1 が形成されている構成であつたが、 本発明はこれに限定されるものではなく、 第 1の途切れ部分および 第 2の途切れ部分のいずれか一方のみに下層側絶縁膜 6 1 が形成さ れている構成であってもよい。 また、 本形態のよう に途切れ部分に 下層側絶縁膜 6 1 が形成されている構成は、 その他の実施の形態で 説明したパ夕一ンのバンク層 b a n kに適用しても よい。

[実施の形態 6 ]

第 1 9図は、 アクティ ブマ ト リ クス型表示装置の全体のレイ ァゥ トを模式的に示すブロ ック図である。 第 2 0図は、 それに構成され ている画素の 1 つを抜き出して示す平面図、 第 2 1 図 （ A ) 、 ( B ) 、 ( C ) はそれそれ第 2 0図の A— A ' 断面図、 B— B ' 断面図、 および C一 C ' 断面図である。 なお、 本形態と実施の形態 1 とは基 本的な構成が同一なので、 共通する部分には同一の符号を各図に付 してそれらの詳細な説明を省略する。

第 1 9図、 第 2 0図、 および第 2 1 図 （ A；) 、 （ B ) 、 （ C ) に 示すように、 本形態のアクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 では、 デ 一夕線 s i gに沿って、 有機半導体膜 4 1 よ り も厚い絶縁膜 （バン ク層 b a n k/左下がりの 1 本の斜線、 または 2本で一組の斜線を 広いピッチで付した領域） を設け、 このバンク層 b a n kの上層側 に対向電極 o pを形成してある。 すなわち、 データ線 s i g と対向 電極 o p との間に第 2の層間絶縁膜 5 2 と厚いバンク層 b a n kと が介在しているので、 データ線 s i gに寄生する容量が極めて小さ い。 それ故、 駆動回路 3、 4の負荷を低減でき、 低消費電力化ある いは表示動作の高速化を図るこ とができる。

ここで、 バンク層 b a n kは、 有機半導体膜 4 1 よ り も厚く形成 されたシ リ コ ン酸化膜あるいはシ リ コ ン窒化膜などの無機材料から なる下層側絶縁膜 6 1 と、 この下層側絶縁膜 6 1 上に積層されたレ ジス トあるいはポリ イ ミ ド膜などの有機材料からなる上層側絶縁膜 6 2 とから構成されている。 従って、 有機半導体膜 4 1は無機材料 からなる下層側絶縁膜 6 1 とは接しているが、 有機材料からなる上 層側絶縁膜 6 2 とは接していない。 それ故、 有機半導体膜 4 1は、 有機材料から構成されている上層側絶縁膜 6 2の影響を受けて劣化 するこ とがないので、 薄膜発光素子 4 0では、 発光効率の低下や信 頼性の低下が起きないなど、 実施の形態 1 と同様な効果を奏する。

また、 本形態では、 データ線 s i gに沿ってバンク層 b a n kを 形成してあるため、 ノ ンク層 b a n kでス ト ライ プ状に区画された 領域内にイ ンクジェ ッ ト法を利用して R、 G、 Bに対応する各有機 半導体膜 4 3 をス トライ プ状に形成していけるので、 フルカラーの ァクティ ブマ ト リ クス型表示装置 1 を高い生産性で製造できる。

しかも、 ノ ンク層 b a n kには、 データ線 s i gの延設方向の端 部に、 下層側絶縁膜 6 1および上層側絶縁膜 6 2の双方が途切れた 途切れ部分 o f f (第 1の途切れ部分） が形成されている。 従って、 各画素 7の対向電極 o pは、 走査線 g a t eの延設方向では、 隣接 する画素 7の対向電極 0 pに対して厚いノ'ンク層 b a n kを乗り越 えて接続している。 それでも、 デ一夕線 s i gの延設方向を迪つて い く と、 各画素 7の対向電極 o pは、 デ一夕線 s i gの端部で途切 れ部分 o f f (バンク層 b a n kに起因する段差のない平坦部分） を介して、 走査線 g a t eの延設方向で隣接する画素 7の列と接続 している。 それ故、 各画素 7の対向電極 o pは、 ノ'ンク層 b a n k に起因する段差のない平坦部分を介して他の画素 7の対向電極 o p に接続している といえ、 いずれの画素 7の対向電極 o pも断線状態 になるこ とはない。

また、 透明基板 1 0の周辺領域 （表示部 1 1の外側領域） におい て、 データ側駆動回路 3および走査側駆動回路 4はいずれも、 バン ク層 b a n kによって覆われている。 このため、 これらの駆動回路 の形成領域に対して対向電極 o pが重なる状態にあっても、 駆動回 路の配線層と対向電極 o p との間にバンク層 b a n kが介在するこ とになる。 それ故、 駆動回路 3、 4に容量が寄生するこ とを防止で きるため、 駆動回路 3、 4の負荷を低減でき、 低消費電力化あるい は表示動作の高速化を図るこ とができる。

さ らに、 走査側駆動回路 4およびデ一夕側駆動回路 3の上層側に 形成されたバンク層 b a n kは、 走査側駆動回路 4の形成領域とデ —夕側駆動回路 3の形成領域との間に相当する位置に途切れ部分 0 f f (第 2の途切れ部分） が形成されている。 従って、 対向電極 o Pは、 バンク層 b a n kに起因する段差のない平坦部分 （途切れ部 分 o f f ) を介して確実に接続し、 断線するこ とがない。

[その他の実施の形態]

なお、 実施の形態 5の変形例 3で説明したよう に、 バンク層 b a n kの途切れ部分 o f f では上層側絶縁膜 6 2のみが途切れている という構成は、 実施の形態 6 に適用 しても よい。

また、 実施の形態 5、 6で説明したよう に、 ノ ンク層 b a n kに 対して途切れ部分 o f f を形成するこ とによ り対向電極 o pの断線 を防ぐ という発明は、 実施の形態 3で説明した無機材料からなるバ ンク層 b a n kを用いた場合に適用するこ ともできる。 発明の利用可能性

以上説明したよう に、 本発明に係るアクティ ブマ ト リ クス型表示 装置では、 有機半導体膜の形成領域を囲むよう に絶縁膜を形成する のに、 この絶縁膜を有機半導体膜よ り も厚い無機材料からなる下層 側絶縁膜と、 その上に積層された有機材料からなる上層側絶縁膜と から構成する。 従って、 本発明によれば、 データ線と対向電極との 間に厚い絶縁膜を介在させたので、 データ線に容量が寄生するこ と を防止できる。 このため、 デ一夕側駆動回路の負荷を低減できるの で、 低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図るこ とができる。 また、 本発明では、 薄膜発光素子の有機半導体膜と接する下層側絶 縁膜のみを無機材料から構成し、 その上層側には、 厚い膜を容易に 形成できる レジス トなどの有機材料から構成した上層側絶縁膜を積 層しているので、 生産性が高い。 しかも、 上層側絶縁膜は有機半導 体膜と接しておらず、 有機半導体膜と接するのは無機材料から構成 した下層側絶縁膜なので、 有機半導体膜は上層側絶縁膜の影響を受 けて劣化するこ とがない。 それ故、 薄膜発光素子は発光効率の低下 や信頼性の低下などを起こさない。

ここで、 上層側絶縁膜を下層側絶縁膜よ り狭い幅をもってこの下 層側絶縁膜の内側領域に積層した場合には、 有機材料から構成され た上層側絶縁膜は、 有機半導体膜によ り接しに く く なるので、 有機 半導体膜の劣化をよ り確実に防止できる。

本発明の別の形態では、 有機半導体膜の形成領域を囲むよう に絶 縁膜を形成するのに、 無機材料からなる下層側絶縁膜と、 この下層 側絶縁膜よ り狭い幅をも ってこの下層側絶縁膜の内側領域に積層さ れた無機材料からなる上層側絶縁膜とから構成する。 従って、 本発 明でも、 デ一夕線と対向電極との間に厚い絶縁膜を介在させたので、 データ線に容量が寄生するこ とを防止できる。 このため、 デ一夕側 駆動回路の負荷を低減できるので、 低消費電力化あるいは表示動作 の高速化を図るこ とができる。 また、 下層側絶縁膜および上層側絶 縁膜を構成すべき無機材料からなる膜を形成した後、 上層側絶縁膜 をパターニングする際には、 下層側絶縁膜がエッチングス ト ッパ一 と して機能するので、 多少のオーバーエッチングがあっても画素電 極を損傷するこ とはない。 かかるパ夕一ニングを終えた後に下層側 絶縁膜をパ夕一ニング形成する際には、 下層側絶縁膜の 1層分をェ ツチングするだけなので、 エッチング制御が容易で、 画素電極を損 傷するほどのオーバ一エッチングが起きない。

Claims

請求の範囲

1 . 基板上に、 複数の走査線と、 該走査線の延設方向に対し て交差する方向に延設された複数のデ一夕線と、 該デ一夕線と前記 走査線とによ りマ ト リ クス状に形成された複数の画素からなる表示 部とを有し、 該画素の各々は、 前記走査線を介して走査信号がゲー ト電極に供給される薄膜 トラ ンジスタを含む導通制御回路と、 画素 毎に形成された画素電極、 該画素電極の上層側に積層された有機半 導体膜、 および該有機半導体膜の上層側に積層された対向電極を具 備する薄膜発光素子とを備え、 前記デ一夕線から前記導通制御回路 を介して供給される画像信号に基づいて前記薄膜発光素子が発光す るアクティ ブマ ト リ クス型表示装置において、

前記有機半導体膜の形成領域は当該有機半導体膜よ り も厚く形成 された絶縁膜によって区画され、

該絶縁膜は、 前記有機半導体膜よ り も厚く形成された無機材料か らなる下層側絶縁膜と、 該下層側絶縁膜上に積層された有機材料か らなる上層側絶縁膜とを備えているこ とを特徴とするァクティ ブマ ト リ クス型表示装置。

2 . 請求の範囲第 1項において、 前記上層側絶縁膜は、 前記 下層側絶縁膜よ り狭い幅をもつて当該下層側絶縁膜の内側領域に積 層されているこ とを特徴とするァクティ ブマ ト リ クス型表示装置。

3 . 基板上に、 複数の走査線と、 該走査線の延設方向に対し て交差する方向に延設された複数のデ一夕線と、 該デ一夕線と前記 走査線とによってマ ト リ クス状に形成された複数の画素からなる表 示部とを有し、 該画素の各々は、 前記走査線を介して走査信号がゲ ー ト電極に供給される薄膜 トラ ンジスタを含む導通制御回路と、 画 素毎に形成された画素電極、 該画素電極の上層側に積層された有機 半導体膜、 および該有機半導体膜の上層側に積層された対向電極を 具備する薄膜発光素子とを備え、 前記データ線から前記導通制御回 路を介して供給される画像信号に基づいて前記薄膜発光素子が発光 するァクティ ブマ ト リ クス型表示装置において、

前記有機半導体膜の形成領域は当該有機半導体膜よ り も厚く形成 された絶縁膜によって区画され、

該絶縁膜は、 無機材料からなる下層側絶縁膜と、 該下層側絶縁膜 よ り狭い幅をもって当該下層側絶縁膜の内側領域に積層された無機 材料からなる上層側絶縁膜とを備えているこ とを特徴とするァクテ イ ブマ ト リ クス型表示装置。

4 . 請求の範囲第 1項ない し第 3項のいずれかにおいて、 前 記導通制御回路は、 前記走査信号がゲー ト電極に供給される第 1 の 薄膜 トラ ンジスタ、 および該第 1 の薄膜 ト ラ ンジスタを介してゲー ト電極が前記デ一夕線に接続する第 2の薄膜 ト ラ ンジスタを備え、 該第 2の薄膜 ト ラ ンジスタ と前記薄膜発光素子は、 前記データ線 および走査線とは別に構成された駆動電流供給用の共通給電線と前 記対向電極との間に直列に接続しているこ とを特徴とするァクティ プマ ト リ クス型表示装置。

5 . 請求の範囲第 1項ないし第 4項のいずれかにおいて、 前 記絶縁膜は、 当該絶縁膜で区画された領域内に前記有機半導体膜を ィ ンクジエ ツ ト法によ り形成する際に吐出液のはみ出しを防止する バンク層であるこ とを特徴とするァクティ ブマ 卜 リ クス型表示装置

6 . 請求の範囲第 5項において、 前記絶縁膜は、 膜厚が 1 m以上であるこ とを特徴とするァクティ ブマ ト リ クス型表示装置。

7 . 請求の範囲第 1項ないし第 6項のいずれかにおいて、 前 記画素電極の形成領域のう ち、 前記導通制御回路の形成領域と重な る領域は前記絶縁膜で覆われているこ とを特徴とするアクティ ブマ ト リ クス型表示装置。

8 . 請求の範囲第 1項ないし第 7項のいずれかにおいて、 前 記絶縁膜で区画されている領域は、 隅部分が丸みを帯びているこ と を特徴とするアクティ ブマ ト リ クス型表示装置。

9 . 請求の範囲第 1項ないし第 4項のいずれかにおいて、 前 記絶縁膜のう ち、 前記下層側絶縁膜は、 前記画素電極の形成領域の う ち前記導通制御回路の形成領域と重なる領域、 前記データ線、 前 記共通給電線、 および前記走査線を覆う よう に形成されている一方 前記上層側絶縁膜は前記データ線に沿ってス ト ライ プ状に形成され 前記有機半導体膜は、 前記上層側絶縁膜でス ト ラィ プ状に区画さ れた領域内に形成されているこ とを特徴とするアクティ ブマ ト リ ク ス型表示装置。

1 0 . 請求の範囲第 9項において、 前記絶縁膜のう ち、 前記下 層側絶縁膜と前記上層側絶縁膜が重なる部分は、 前記有機半導体膜 をィ ンクジエ ツ ト法によ り形成する際に吐出液のはみ出しを防止す るバンク層であるこ とを特徴とするァクティ ブマ ト リ クス型表示装

1 1 . 請求の範囲第 1 0項において、 前記下層側絶縁膜と前記 上層側絶縁膜が重なる部分は、 膜厚が l 〃m以上であるこ とを特徴 とするアクティ ブマ ト リ クス型表示装置。

1 2 . 請求の範囲第 1項ないし第 1 1項のいずれかにおいて、 前記絶縁膜は、 隣接する各画素の対向電極部分同士を当該絶縁膜に 起因する段差のない平坦部分を介して接続させる第 1 の途切れ部分 を備えているこ とを特徴とするアクティ ブマ ト リ クス型表示装置。

1 3 . 請求の範囲第 1 2項において、 前記絶縁膜は、 前記デ一 夕線および前記走査線に沿って形成されているこ とによ り前記有機 半導体膜の形成領域の周 り を囲んでいる とともに、 前記データ線お よび前記走査線の各延設方向で隣り合う画素の間に相当する部分に 前記第 1 の途切れ部分を備えているこ とを特徴とするアクティ ブマ ト リ クス型表示装置。

1 4 . 請求の範囲第 1 2項において、 前記絶縁膜は、 前記デ一 夕線および前記走査線に沿って形成されているこ とによ り前記有機 半導体膜の形成領域の周 り を囲んでいる と ともに、 前記走査線の延 設方向で隣り合う画素の間に相当する部分に前記第 1 の途切れ部分 を備えているこ とを特徴とするァクティ ブマ ト リ クス型表示装置。

1 5 . 請求の範囲第 1 2項において、 前記絶縁膜は、 前記デ一 夕線および前記走査線に沿って形成されているこ とによ り前記有機 半導体膜の形成領域の周 り を囲んでいる とともに、 前記データ線の 延設方向で隣り合う画素の間に相当する部分に前記第 1 の途切れ部 分を備えているこ とを特徴とするァクティ ブマ ト リ クス型表示装置

1 6 . 請求の範囲第 1 2項において、 前記絶縁膜は、 前記デー 夕線に沿ってス トライ プ状に形成され、 該形成方向の少な く とも一 方の端部に前記第 1 の途切れ部分を備えているこ とを特徴とするァ クティ ブマ ト リ クス型表示装置。

1 7 . 請求の範囲第 1 2項において、 前記表示部の周囲には、 前記データ線を介してデータ信号を供給するデータ側駆動回路、 お よび前記走査線を介して走査信号を供給する走査側駆動回路を有し、 該走査側駆動回路および前記デ一夕側駆動回路の上層側にも前記絶 縁膜が形成されている と ともに、 当該絶縁膜は、 前記走査側駆動回 路の形成領域と前記データ側駆動回路の形成領域との間に相当する 位置には前記対向電極を前記表示部側と基板外周側とを当該絶縁膜 に起因する段差のない平坦部分を介して接続させる第 2の途切れ部 分を備えているこ とを特徴とするアクティ ブマ ト リ クス型表示装置 ₍

1 8 . 請求の範囲第 1 2項ないし第 1 7項のいずれかにおいて、 前記途切れ部分では、 前記絶縁膜を構成する前記下層側絶縁膜およ び前記上層側絶縁膜の双方が途切れているこ とを特徴とするァクテ イ ブマ ト リ クス型表示装置。

1 9 . 請求の範囲第 1 2項ないし第 1 7項のいずれかにおいて 前記途切れ部分では、 前記絶縁膜を構成する前記下層側絶縁膜およ び前記上層側絶縁膜のう ち、 上層側絶縁膜が途切れているこ とを特 徴とするアクティ ブマ ト リ クス型表示装置。